特許7604779IP Force 特許公報全文掲載

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半導体製造装置及び半導体装置の製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

絶縁回路基板上に複数の半導体チップを焼結材で接合する際には、加圧装置を用いて、加熱した金型により複数の半導体チップを同時に加圧する。しかしながら、絶縁回路基板が小型化しており、サーボや油圧等による半導体チップの同時個別押しが困難である。また、焼結材を塗布した状態で半導体チップを単独で加圧及び加熱すると、接合前の他の焼結材が加圧されない状態で焼結反応することになる。また、半導体チップ毎に焼結材の塗布と加熱及び加圧を行うと、部材に熱及び応力ストレスがかかり、強度劣化等の品質低下が生じる。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一態様は、（ａ）絶縁回路基板上に焼結材で複数の半導体チップを接合する際に、絶縁回路基板を載置する下治具と、（ｂ）下治具上に対向して配置され、開口部が設けられた上治具と、（ｃ）上治具の開口部に保持された第１弾性部材と、（ｄ）下治具と前記第１弾性部材の間に配置され、第１弾性部材よりも薄い緩衝層と、を備え、複数の半導体チップの上面を第１弾性部材により加圧しながら加熱することにより焼結材を焼・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、絶縁回路基板上に複数の半導体チップを焼結材で接合する際に、焼結材を均一な荷重で加圧することができる半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を提供することができる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 本発明の第１半導体装置の一例を示す断面図である。
【図2】 第１半導体装置の他の一例を示す断面図である。
【図3】 第１半導体装置の更に他の一例を示す断面図である。
【図4】 第１半導体装置の更に他の一例を示す断面図である。
【図5】 第１半導体装置の更に他の一例を示す断面図である。
【図6】 第１半導体装置の更に他の一例を示す断面図である。
【図7】 比較例に係る半導体製造装置の加圧前の状態を示す断面図である。
【図8】 比較例に係る半導体製造装置の加圧中の状態を示す断面図である。
【図9A】 絶縁回路基板の正反り状態を示す断面図である。
【図9B】 絶縁回路基板の負反り状態を示す断面図である。
【図9C】 絶縁回路基板のうねり状態を示す断面図である。
【図10】 第１半導体製造装置の加圧前の状態を示す断面図である。
【図11】 部品面積と部材厚み公差による弾性体厚さと荷重変動率の関係を示すグラフである。
【図12】 第１半導体製造装置の加圧中の状態を示す断面図である。
【図13】 本発明の第２半導体製造装置の加圧前の状態を示す断面図である。
【図14】 第２半導体製造装置の加圧中の状態を示す断面図である。
【図15】 本発明の第３半導体製造装置の加圧前の状態を示す断面図である。
【図16】 第３半導体製造装置の加圧中の状態を示す断面図である。
【図17】 本発明の第４半導体製造装置の加圧前の状態を示す断面図である。
【図18】 第４半導体製造装置の加圧中の状態を示す断面図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１…金属板（金属ベース） ２…焼結材 ２ａ～２ｈ…接合材 ３…絶縁回路基板 ４ａ，４ｂ…半導体チップ ５ａ～５ｄ…ボンディングワイヤ ６ａ，６ｂ…外部端子 ７…封止部材 ８…端子ケース ９ａ～９ｃ…ピン １０…プリント基板 １１…絶縁層 １２…第１配線層 １３…第２配線層 ３１…絶縁基板 ３２…第１回路層 ３３…第２回路層 １０１…下治具 １０１ｘ…凹部 １０１ｙ…外周部 １０２…上治具 １０３，１０３ａ～１０３ｇ…弾性部材 １０３ｘ，１０３ｙ…凹部 １０４，１０４ａ～１０４ｃ…加圧ブロック １０４ｄ，１０４ｆ，１０４ｈ，１０４ｊ…加圧部 １０４ｅ，１０４ｇ，１０４ｉ，１０４ｋ…固定部 １０５，２０３…緩衝層 １０６…中治具 １０７ａ，１０７ｂ…軸ピン １０８…位置決めピン １１１，２０１…下金型 １１２，２０２…上金型

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