特許7604798IP Force 特許公報全文掲載

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この発明は、半導体装置の製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、上述した従来のめっき処理方法では、半導体ウェハのめっき層を形成しない箇所（半導体ウェハの裏面および外周部）をテープで覆った状態でめっき処理を行ったとしても、次の３つの問題が生じることが発明者らの鋭意研究により判明している。１つ目の問題は、半導体ウェハの裏面とテープとの間にめっき液が浸み込んで、半導体ウェハの外周部において裏面電極に、めっき液の「しみ」による外観不良が生じる点である。発明者らは、この１つ目の問題が生じる原因について、リブ形状の半導体ウェハを用いて検証した。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、半導体ウェハの第１主面側にめっき処理によってめっき層を形成する半導体装置の製造方法であって、次の特徴を有する。前記半導体ウェハの第１主面に第１電極を形成する第１工程を行う。前記半導体ウェハの第２主面に第１テープを貼り付けて、前記半導体ウェハの第２主面を前記第１テープで覆う第２工程を行う。前記半導体ウェハ・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明にかかる半導体装置の製造方法によれば、生産性を向上させることができるという効果を奏する。

この特許の権利範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 実施の形態にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。
【図2】 実施の形態にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。
【図3】 実施の形態にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。
【図4】 実施の形態にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す俯瞰図である。
【図5】 実施の形態にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す平面図である。
【図6】 実施の形態にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。
【図7】 実施の形態にかかる半導体装置の製造方法を適用する半導体ウェハのおもて面素子構造の一例を示す断面図である。
【図8】 実施の形態にかかる半導体装置の製造方法を適用する半導体ウェハのおもて面素子構造の一例を示す断面図である。
【図9】 実験例１の第２テープ（外周テープ）の加熱温度と剥離強度との関係を示す特性図である。
【図10】 実験例１の第２テープ（外周テープ）の加熱温度と剥離強度との関係を示す特性図である。
【図11】 実験例２の第２テープ（外周テープ）の加熱時間と剥離強度との関係を示す特性図である。
【図12】 実験例２の第２テープ（外周テープ）の加熱時間と剥離強度との関係を示す特性図である。
【図13】 実験例３の裏面電極の組成分析結果を示すグラフである。
【図14】 実験例３の裏面電極の組成分析結果を示すグラフである。
【図15】 実験例４の第２テープの剥離強度の測定方法を模式的に示す説明図である。
【図16】 従来のめっき処理後の半導体ウェハを裏面側から観察した状態を模式的に示す平面図である。
【図17】 従来のめっき処理後の半導体ウェハを裏面側から観察した状態を模式的に示す平面図である。
【図18】 図１６の枠Ａ１で囲む部分における断面構造を示す断面図である。
【図19】 図１７の枠Ａ２で囲む部分における断面構造を示す断面図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１ 第１テープ（裏面テープ） ２ 第２テープ（外周テープ） ２ａ 第２テープの出っ張り部 ２ｂ 第２テープを剥がす方向を示す矢印 ３ ＵＶ光 ４ テーブルの保持部 ５ 第１テープ剥離用のテープ ５ａ 第１テープ剥離用のテープを剥がす方向を示す矢印 １０ 半導体ウェハ １０ａ 半導体ウェハのおもて面 １０ｂ 半導体ウェハの裏面 １１ 半導体ウェハの中央部 １２ 半導体ウェハの外周部 １２ｂ 半導体ウェハの外周部の裏面平坦部 １３ 半導体ウェハの外周部の段差 １３ｂ 半導体ウェハの外周部の段差の傾斜面 ２１ 初期酸化膜 ２２ ポリシリコン層 ２３ 層間絶縁膜 ２４ パッシベーション膜 ３１ デジタルフォースゲージ ３２ デジタルフォースゲージのフック ３３ デジタルフォースゲージで測定する力

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