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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-12-16
(45)【発行日】2024-12-24
(54)【発明の名称】電子部品
(51)【国際特許分類】
H01F 17/06 20060101AFI20241217BHJP
H01F 1/34 20060101ALI20241217BHJP
C04B 35/30 20060101ALI20241217BHJP
【ＦＩ】
H01F17/06 D
H01F17/06 F
H01F1/34 140
C04B35/30
【請求項の数】
5
(21)【出願番号】P 2022059885
(22)【出願日】2022-03-31
(65)【公開番号】P2023150665
(43)【公開日】2023-10-16
【審査請求日】2023-10-13
(73)【特許権者】
【識別番号】000006231
【氏名又は名称】株式会社村田製作所
(74)【代理人】
【識別番号】100145403
【弁理士】
【氏名又は名称】山尾 憲人
(74)【代理人】
【識別番号】100221501
【弁理士】
【氏名又は名称】式見 真行
(72)【発明者】
【氏名】中野 真亜沙
【審査官】右田 勝則
(56)【参考文献】
【文献】特開２０２２－０２６５１９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０２０－０８８２８９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平１０－１４４５２６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０２１－１０００９８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０２１－０５２１８０（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｆ １７／０６
Ｈ０１Ｆ １／３４
Ｃ０４Ｂ ３５／３０
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
複数の絶縁層が積層された絶縁体部と、前記絶縁体部に埋設された複数の帯状の内部導体と、
前記絶縁体部の外表面に対向するように設けられ、前記内部導体と電気的に接続された第１外部電極及び第２外部電極と
を備え、
前記絶縁体部は、前記内部導体よりも、線膨張係数が小さく、
前記内部導体は、ライン部とその両端に位置する第１引出部及び第２引出部と、を有し、
前記第１引出部及び前記第２引出部は、上面視において、前記ライン部よりも幅広であり、
前記内部導体は、３以上５以下であり、前記絶縁層を介して積層されており、
前記複数の内部導体のライン部の断面積の合計は、０．１ｍｍ２以上、０．５ｍｍ２以下であり、
前記内部導体のライン部の厚さをｔ１、前記内部導体のライン部の幅をｗ４、前記内部導体のライン部間の距離をｔ２とし、ｔ１／ｗ４をｘ、ｔ２／ｔ１をｙとしたとき、
（ｉ）前記内部導体の数が３である場合
（ｘ，ｙ）は、Ａ（０．０５１，１．０）、Ｂ（０．０５１，５．９）、Ｃ（０．２，５．９）、Ｄ（０．２，４．４）、Ｅ（０．１，１．４）で囲まれる領域にある、
（ｉｉ）前記内部導体の数が４である場合
（ｘ，ｙ）は、Ｆ（０．０３８，０．２６）、Ｇ（０．０３８，５．２）、Ｈ（０．２，５．２）、Ｉ（０．２，４．９）、Ｊ（０．１，１．９）で囲まれる領域にある、
（ｉｉｉ）前記内部導体の数が５である場合
（ｘ，ｙ）は、Ｋ（０．０３１，０．５３）、Ｌ（０．０３１，４．９）、Ｍ（０．１５，４．９）、Ｎ（０．１５，４．１）で囲まれる領域にある、
電子部品。
【請求項2】
前記第１引出部及び第２引出部の幅は、前記絶縁体部の幅に対する比は、０．４以上１．０以下である、請求項１に記載の電子部品。
【請求項3】
前記絶縁体部の高さは、１．８ｍｍ以上２．２ｍｍ以下であり、前記絶縁体部の幅は、２．３ｍｍ以上２．７ｍｍ以下である、請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項4】
前記絶縁層は、Ｆｅを、Ｆｅ２Ｏ３に換算して、４０モル％以上４９．５モル％以下、
Ｚｎを、ＺｎＯに換算して、２モル％以上３５モル％以下、
Ｃｕを、ＣｕＯに換算して、６モル％以上１３モル％以下、
Ｎｉを、ＮｉＯに換算して、１０モル％以上４５モル％以下
含む第１絶縁層を含む、請求項１～３のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項5】
前記絶縁層は、Ｆｅを、Ｆｅ ２ Ｏ ３ に換算して、４０モル％以上４９．５モル％以下、
Ｃｕを、ＣｕＯに換算して、６モル％以上１３モル％以下、
Ｚｎを、ＺｎＯに換算して、３７．５モル％以上５４モル％以下
含む第２絶縁層を含む、請求項１～４のいずれか１項に記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、電子部品に関する。
【背景技術】
【0002】
電子部品として、素体の内部に帯状の内部導体を複数含む電子部品が知られている（特許文献１）。特許文献１は、図２及び図５において、積層体の端面への引出部が幅広である帯状の内部導体を備えた電子部品を開示している。この電子部品によれば、マザー積層体のカット時にカット刃やダイサーが痛むことを抑制でき、直流抵抗値を低減でき、かつ、積層体に変形が発生することを抑制できる、とされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開２０１９－２１０２０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献１の電子部品は、流す電流値を大きくしようとする場合、コイル導体の断面積を大きくする必要がある。しかしながら、内部導体の断面積を大きくすると、絶縁層と内部導体との線膨張係数の差により、内部導体近傍付近で応力が大きくなり、その応力により素体にクラックが発生するおそれがある。
【0005】
本開示の目的は、素体内部に複数の帯状の内部導体を有する電子部品であって、内部導体の断面積を大きくしても素体にクラックが生じにくい電子部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示は、以下の態様を含む。
［１］ 複数の絶縁層が積層された絶縁体部と、
前記絶縁体部に埋設された複数の帯状の内部導体と、
前記絶縁体部の外表面に対向するように設けられ、前記内部導体と電気的に接続された第１外部電極及び第２外部電極と
を備え、
前記内部導体は、３以上５以下であり、前記絶縁層を介して積層されており、
前記複数の内部導体の断面積の合計は、０．１ｍｍ２以上、０．５ｍｍ２以下であり、
前記内部導体の厚さをｔ１、幅をｗ４、前記内部導体間の距離をｔ２とし、ｔ１／ｗ４をｘ、ｔ２／ｔ１をｙとしたとき、
（ｉ）前記内部導体の数が３である場合
（ｘ，ｙ）は、Ａ（０．０５１，１．０）、Ｂ（０．０５１，５．９）、Ｃ（０．２，５．９）、Ｄ（０．２，４．４）、Ｅ（０．１，１．４）で囲まれる領域にある、
（ｉｉ）前記内部導体の数が４である場合
（ｘ，ｙ）は、Ｆ（０．０３８，０．２６）、Ｇ（０．０３８，５．２）、Ｈ（０．２，５．２）、Ｉ（０．２，４．９）、Ｊ（０．１，１．９）で囲まれる領域にある、
（ｉｉｉ）前記内部導体の数が５である場合
（ｘ，ｙ）は、Ｋ（０．０３１，０．５３）、Ｌ（０．０３１，４．９）、Ｍ（０．１５，４．９）、Ｎ（０．１５，４．１）で囲まれる領域にある、
電子部品。
［２］ 前記内部導体は、ライン部とその両端に位置する第１引出部及び第２引出部と、を有し、前記第１引出部及び第２引出部の幅は、前記絶縁体部の幅に対する比は、０．４以上１．０以下である、上記［１］に記載の電子部品。
［３］ 前記絶縁体部の高さは、１．８ｍｍ以上２．２ｍｍ以下であり、前記絶縁体部の幅は、２．３ｍｍ以上２．７ｍｍ以下である、上記［１］又は［２］に記載の電子部品。
［４］ 前記絶縁層は、
Ｆｅを、Ｆｅ２Ｏ３に換算して、４０モル％以上４９．５モル％以下、
Ｚｎを、ＺｎＯに換算して、２モル％以上３５モル％以下、
Ｃｕを、ＣｕＯに換算して、６モル％以上１３モル％以下、
Ｎｉを、ＮｉＯに換算して、１０モル％以上４５モル％以下
含む磁性体層を含む、上記［１］～［３］のいずれか１項に記載の電子部品。
［５］ 前記絶縁層は、非磁性体層を含む、上記［１］～［４］のいずれか１項に記載の電子部品。
［６］ 前記非磁性体層は、
Ｆｅを、Ｆｅ２Ｏ３に換算して、４０モル％以上４９．５モル％以下、
Ｃｕを、ＣｕＯに換算して、６モル％以上１３モル％以下、
Ｚｎを、ＺｎＯに換算して、３７．５モル％以上５４モル％以下
含む、上記［５］に記載の電子部品。
［１］ 複数の絶縁層が積層された絶縁体部と、
前記絶縁体部に埋設された複数の帯状の内部導体と、
前記絶縁体部の外表面に対向するように設けられ、前記内部導体と電気的に接続された第１外部電極及び第２外部電極と
を備え、
前記内部導体は、３以上５以下であり、前記絶縁層を介して積層されており、
前記複数の内部導体の断面積の合計は、０．１ｍｍ２以上、０．５ｍｍ２以下であり、
前記内部導体の厚さをｔ１、幅をｗ４、前記内部導体間の距離をｔ２とし、ｔ１／ｗ４をｘ、ｔ２／ｔ１をｙとしたとき、
（ｉ）前記内部導体の数が３である場合
（ｘ，ｙ）は、Ａ（０．０５１，１．０）、Ｂ（０．０５１，５．９）、Ｃ（０．２，５．９）、Ｄ（０．２，４．４）、Ｅ（０．１，１．４）で囲まれる領域にある、
（ｉｉ）前記内部導体の数が４である場合
（ｘ，ｙ）は、Ｆ（０．０３８，０．２６）、Ｇ（０．０３８，５．２）、Ｈ（０．２，５．２）、Ｉ（０．２，４．９）、Ｊ（０．１，１．９）で囲まれる領域にある、
（ｉｉｉ）前記内部導体の数が５である場合
（ｘ，ｙ）は、Ｋ（０．０３１，０．５３）、Ｌ（０．０３１，４．９）、Ｍ（０．１５，４．９）、Ｎ（０．１５，４．１）で囲まれる領域にある、
電子部品。
［２］ 前記内部導体は、ライン部とその両端に位置する第１引出部及び第２引出部と、を有し、前記第１引出部及び第２引出部の幅は、前記絶縁体部の幅に対する比は、０．４以上１．０以下である、上記［１］に記載の電子部品。
［３］ 前記絶縁体部の高さは、１．８ｍｍ以上２．２ｍｍ以下であり、前記絶縁体部の幅は、２．３ｍｍ以上２．７ｍｍ以下である、上記［１］又は［２］に記載の電子部品。
［４］ 前記絶縁層は、
Ｆｅを、Ｆｅ２Ｏ３に換算して、４０モル％以上４９．５モル％以下、
Ｚｎを、ＺｎＯに換算して、２モル％以上３５モル％以下、
Ｃｕを、ＣｕＯに換算して、６モル％以上１３モル％以下、
Ｎｉを、ＮｉＯに換算して、１０モル％以上４５モル％以下
含む磁性体層を含む、上記［１］～［３］のいずれか１項に記載の電子部品。
［５］ 前記絶縁層は、非磁性体層を含む、上記［１］～［４］のいずれか１項に記載の電子部品。
［６］ 前記非磁性体層は、
Ｆｅを、Ｆｅ２Ｏ３に換算して、４０モル％以上４９．５モル％以下、
Ｃｕを、ＣｕＯに換算して、６モル％以上１３モル％以下、
Ｚｎを、ＺｎＯに換算して、３７．５モル％以上５４モル％以下
含む、上記［５］に記載の電子部品。
【発明の効果】
【0007】
本開示によれば、素体の内部導体近傍にクラックが生じにくい電子部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、本開示の電子部品について、図面を参照しながら詳細に説明する。但し、本実施形態の電子部品及び各構成要素の形状及び配置等は、図示する例に限定されない。
【0010】
＜実施形態１＞
本実施形態の電子部品１の斜視図を図１に、ＬＷ面に平行な断面図を図２に、ＬＴ面に平行な断面図を図３に、ＷＴ面に平行な断面図を図４に示す。但し、下記実施形態の電子部品及び各構成要素の形状及び配置等は、図示する例に限定されない。
本実施形態の電子部品１の斜視図を図１に、ＬＷ面に平行な断面図を図２に、ＬＴ面に平行な断面図を図３に、ＷＴ面に平行な断面図を図４に示す。但し、下記実施形態の電子部品及び各構成要素の形状及び配置等は、図示する例に限定されない。
【0011】
図１～図４に示されるように、本実施形態の電子部品１は、略直方体形状を有する電子部品である。電子部品１は、概略的には、絶縁体部７と、絶縁体部７に埋設された複数の内部導体３と、絶縁体部７の両端面に設けられた第１外部電極２１及び第２外部電極２２とを含む。絶縁体部７は、略直方体形状を有する。絶縁体部７において、図１のＬ軸に垂直な２つの面をそれぞれ第１端面及び第２端面と称し、Ｗ軸に垂直な面を第１側面及び第２側面と称し、Ｔ軸に垂直な面をそれぞれ上面及び下面と称する。内部導体３は、ライン部４と、第１引出部５と、第２引出部６とを含む。内部導体３は、第１引出部５において第１外部電極２１に電気的に接続され、第２引出部６において第２外部電極２２に電気的に接続される。
【0012】
本開示の電子部品は、好ましくは、長さ（Ｌ）が２．５ｍｍ以上４．０ｍｍ以下であり、幅（Ｗ）が２．０ｍｍ以上３．０ｍｍ以下であり、高さ（Ｔ）が１．５ｍｍ以上２．５ｍｍ以下であり、より好ましくは長さが２．８ｍｍ以上３．５ｍｍ以下であり、幅が２．３ｍｍ以上２．７ｍｍ以下であり、高さが１．８ｍｍ以上２．２ｍｍ以下である。
【0013】
（絶縁体部）
本実施形態の電子部品１において、絶縁体部７は、複数の絶縁層が積層されて構成される。絶縁層は、図１のＴ方向に積層される。
本実施形態の電子部品１において、絶縁体部７は、複数の絶縁層が積層されて構成される。絶縁層は、図１のＴ方向に積層される。
【0014】
上記絶縁層は、磁性体層を含む。
【0015】
上記磁性体層は、少なくともＦｅ、Ｚｎ、Ｃｕ、及びＮｉを含む。
【0016】
上記磁性体層は、主成分として、少なくともＦｅ、Ｚｎ、Ｃｕ、及びＮｉを含む焼結磁性材料から構成される。
【0017】
上記主成分とは、磁性体層に含まれる成分のうち、全体の多くを占める成分をいう。典型的には、主成分は、磁性体層に含まれる成分全体に対して、合計で５０質量％を超える量で含まれる。
【0018】
上記焼結磁性材料において、Ｆｅ含有量は、Ｆｅ２Ｏ３に換算して、好ましくは４０．０モル％以上４９．５モル％以下（主成分合計基準、以下も同様）であり、より好ましくは４５．０モル％以上４９．５モル％以下であり得る。
【0019】
上記焼結磁性材料において、Ｚｎ含有量は、ＺｎＯに換算して、好ましくは２．０モル％以上３５．０モル％以下（主成分合計基準、以下も同様）であり、より好ましくは５．０モル％以上３０．０モル％以下であり得る。
【0020】
上記焼結磁性材料において、Ｃｕ含有量は、ＣｕＯに換算して、好ましくは６．０モル％以上１３．０モル％以下（主成分合計基準、以下も同様）であり、より好ましくは７．０モル％以上１０．０モル％以下である。
【0021】
上記焼結磁性材料において、Ｎｉ含有量は、特に限定されず、上記した他の主成分であるＦｅ、Ｚｎ及びＣｕの残部とし得、ＮｉＯに換算して、好ましくは１０．０モル％以上４５．０モル％以下（主成分合計基準、以下も同様）であり、より好ましくは１５．０モル％以上４０．０モル％以下である。
【0022】
磁性体層におけるＦｅ、Ｚｎ、Ｃｕ、及びＮｉの含有量を、上記の範囲とすることにより、優れた電気特性を得ることができる。
【0023】
本開示において、上記焼結磁性材料は、さらに添加成分を含んでいてもよい。焼結磁性材料における添加成分としては、例えばＭｎ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｓｉ等が挙げられるが、これに限定されるものではない。Ｍｎ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｂｉ及びＳｉの含有量（添加量）は、主成分（Ｆｅ（Ｆｅ２Ｏ３換算）、Ｚｎ（ＺｎＯ換算）、Ｃｕ（ＣｕＯ換算）及びＮｉ（ＮｉＯ換算））の合計１００質量部に対して、それぞれ、Ｍｎ３Ｏ４、Ｃｏ３Ｏ４、ＳｎＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、及びＳｉＯ２に換算して、０．１質量部以上１質量部以下であることが好ましい。また、上記焼結磁性材料は、さらに製造上不可避な不純物を含んでいてもよい。
【0024】
絶縁体部７の上面１４と下面１３との間の距離、即ち絶縁体部７の高さｈ１は、好ましくは、１．８ｍｍ以上２．２ｍｍ以下である。
【0025】
絶縁体部７の第１側面１５と第２側面１６との間の距離、即ち絶縁体部７の幅ｗ１は、好ましくは、２．３ｍｍ以上２．７ｍｍ以下である。
【0026】
一の態様において、絶縁体部７の高さｈ１は、１．８ｍｍ以上２．２ｍｍ以下であり、絶縁体部７の幅ｗ１は、２．３ｍｍ以上２．７ｍｍ以下である。
【0027】
絶縁体部７の大きさは、特に限定されないが、好ましくは、絶縁体部７の高さｈ１が、１．８ｍｍ以上２．２ｍｍ以下であり、絶縁体部７の幅ｗ１が、２．３ｍｍ以上２．７ｍｍ以下である。
【0028】
（内部導体）
絶縁体部７には、複数の帯状の内部導体３が埋設されている。帯状とは、長さと幅を持った面形状をいう。
絶縁体部７には、複数の帯状の内部導体３が埋設されている。帯状とは、長さと幅を持った面形状をいう。
【0029】
内部導体３は、Ｌ軸方向を長さとし、Ｗ軸方向を幅とし、Ｔ軸方向を厚さとし、その軸が直線状であり得る。内部導体３は、上面１４側の主面である第１主面１７と、下面１３側の主面である第２主面１８とを有する。
【0030】
内部導体３は、ライン部４とその両端に位置する第１引出部５及び第２引出部６とを有する。第１引出部５は、第１端面１１に露出し、第１外部電極２１に電気的に接続される。第２引出部６は、第２端面１２に露出し、第２外部電極２２に電気的に接続される。
【0031】
内部導体３は、複数存在し、絶縁層を介して積層されている。このような構造とすることにより、本開示の電子部品は、コイル様の機能を発揮する。積層された各内部導体は、上面視において、実質的に同じ位置に配置される。なお、実質的に同じ位置とは、完全に一致することに加え、大部分、例えば上面視における面積のうち９０％以上が重なっている状態を含む。
【0032】
内部導体３の数は、好ましくは３以上５以下、より好ましくは４又は５である。
【0033】
内部導体３のライン部４の断面積の合計は、好ましくは、０．１ｍｍ２以上０．５ｍｍ２以下である。ライン部４の断面積の合計を０．１ｍｍ２以上とすることにより、内部導体の抵抗値を小さくすることができる。また、ライン部４の断面積の合計を０．５ｍｍ２以下とすることにより、電子部品１をより小さくすることができる。
【0034】
内部導体３のライン部４の厚さｔ１は、好ましくは０．０３ｍｍ以上、より好ましくは０．０４ｍｍ以上である。また、内部導体３のライン部４の厚さｔ１は、好ましくは０．１ｍｍ以下、より好ましくは０．０９ｍｍ以下、さらに好ましくは０．０８ｍｍ以下である。一の態様において、内部導体３のライン部４の厚さｔ１は、好ましくは０．０３ｍｍ以上０．１ｍｍ以下、より好ましくは０．０４ｍｍ以上０．０８ｍｍ以下であり得る。
【0035】
内部導体３のライン部４間の距離（換言すれば、内部導体３のライン部４間の絶縁層の厚さ）ｔ２は、好ましくは０．０１ｍｍ以上０．６ｍｍ以下、より好ましくは０．０７ｍｍ以上０．４８ｍｍ以下、さらに好ましくは０．１０ｍｍ以上０．３６ｍｍ以下である。かかるライン部間の距離ｔ２を０．０１ｍｍ以上とすることにより、内部導体層間の絶縁性をより確実に確保できる。また、かかるライン部間の距離ｔ２を０．６ｍｍ以下とすることにより、より優れた電気特性を得ることができる。
【0036】
内部導体３のライン部４の幅ｗ４は、好ましくは０．３ｍｍ以上２．０ｍｍ以下、より好ましくは０．５ｍｍ以上１．５ｍｍ以下、さらに好ましくは０．６ｍｍ以上１．３ｍｍ以下である。
【0037】
内部導体３の引出部の幅ｗ３は、好ましくは０．５ｍｍ以上２．５ｍｍ以下、より好ましくは０．８ｍｍ以上２．５ｍｍ以下、さらに好ましくは１．０ｍｍ以上２．０ｍｍ以下である。
【0038】
絶縁体部７の高さｈ１に対する、絶縁体部７の上面１４に最も近い内部導体３ｄのライン部４の第１主面１７と、絶縁体部７の下面１３に最も近い内部導体３ａのライン部４の第２主面１８との間の距離ｈ３の比（ｈ３／ｈ１）は、好ましくは０．２５以上０．５５以下、より好ましくは０．３０以上０．４５以下である。ｈ３／ｈ１を上記の範囲とすることにより、絶縁体部及び外部電極におけるクラックの発生を抑制することができる。
【0039】
絶縁体部７の幅ｗ１に対する、内部導体３の引出部の幅ｗ３の比（ｗ３／ｗ１）は、好ましくは０．４０以上１．０以下、より好ましくは０．４０以上１．０未満、さらに好ましくは０．５０以上０．８０以下である。
【0040】
なお、ｗ３は、内部導体の軸方向（即ち、Ｌ軸方向）における、引出部の略中央における幅である。ｗ３は、内部導体のうち積層方向中央に位置する内部導体の幅とする。例えば、内部導体が５つ存在する場合、ｗ３は、上面１４又は下面１３から３つめの内部導体の幅となる。また、内部導体が偶数の場合は、ｗ３は、中央２つ、図示する例においては、内部導体３ｂ及び３ｃの２つの幅の平均となる。
【0041】
ｗ３／ｗ１を上記の範囲とすることにより、絶縁体部及び外部電極におけるクラックの発生を抑制することができる。
【0042】
上記内部導体の厚さｔ１、幅ｗ４、内部導体間の距離ｔ２とし、ｔ１／ｗ４をｘ、ｔ２／ｔ１をｙとしたとき、
（ｉ）前記内部導体の数が３である場合
（ｘ，ｙ）は、Ａ（０．０５１，１．０）、Ｂ（０．０５１，５．９）、Ｃ（０．２，５．９）、Ｄ（０．２，４．４）、Ｅ（０．１，１．４）で囲まれる領域にあり、
（ｉｉ）前記内部導体の数が４である場合
（ｘ，ｙ）は、Ｆ（０．０３８，０．２６）、Ｇ（０．０３８，５．２）、Ｈ（０．２，５．２）、Ｉ（０．２，４．９）、Ｊ（０．１，１．９）で囲まれる領域にあり、
（ｉｉｉ）前記内部導体の数が５である場合
（ｘ，ｙ）は、Ｋ（０．０３１，０．５３）、Ｌ（０．０３１，４．９）、Ｍ（０．１５，４．９）、Ｎ（０．１５，４．１）で囲まれる領域にある。
（ｉ）前記内部導体の数が３である場合
（ｘ，ｙ）は、Ａ（０．０５１，１．０）、Ｂ（０．０５１，５．９）、Ｃ（０．２，５．９）、Ｄ（０．２，４．４）、Ｅ（０．１，１．４）で囲まれる領域にあり、
（ｉｉ）前記内部導体の数が４である場合
（ｘ，ｙ）は、Ｆ（０．０３８，０．２６）、Ｇ（０．０３８，５．２）、Ｈ（０．２，５．２）、Ｉ（０．２，４．９）、Ｊ（０．１，１．９）で囲まれる領域にあり、
（ｉｉｉ）前記内部導体の数が５である場合
（ｘ，ｙ）は、Ｋ（０．０３１，０．５３）、Ｌ（０．０３１，４．９）、Ｍ（０．１５，４．９）、Ｎ（０．１５，４．１）で囲まれる領域にある。
【0043】
ｘ及びｙを上記の領域内の値とすることにより、クラックの発生を抑制し、また、電子部品の強度を高くすることができる。
【0044】
内部導体３は、第１端面１１及び第２端面１２から突出した突出部を有する。
【0045】
第１端面１１及び第２端面１２において、最も突出した内部導体３の突出距離ｐ１、およびｐ２は、好ましくは０．１０ｍｍ以下、より好ましくは０．０５ｍｍ以下、さらに好ましくは０．０４ｍｍ以下である。また、突出距離ｐ１、およびｐ２の下限は、特に限定されないが、小さいほど好ましく、例えば０．０３ｍｍ以上、又は０．０１ｍｍ以上である。
【0046】
第１端面１１及び第２端面１２において、絶縁体部７の上面１４に最も近い内部導体３ｄの第１主面１７と、絶縁体部７の下面１３に最も近い内部導体３ａの第２主面１８との間の距離ｈ２に対する、最も突出した内部導体の突出距離ｐ１の比（ｐ１／ｈ２）は、好ましくは０．０７以下、より好ましくは０．０５以下、さらに好ましくは０．０４以下である。また、ｐ１／ｈ２は、例えば０．０１以上である。
【0047】
第１端面１１及び第２端面１２において、それぞれの端面から露出した内部導体３の幅ｗ２に対する、内部導体３の突出距離ｐ２の比（ｐ２／ｗ２）は、好ましくは０．０６以下、より好ましくは０．０５以下、さらに好ましくは０．０４以下である。また、ｐ２／ｗ２は、例えば０．０１以上である。ここに、上記内部導体は、ｗ２及びｐ２は、内部導体のうち積層方向中央に位置する内部導体の幅及び突出距離とする。例えば、内部導体が５つ存在する場合、ｗ２及びｐ２は、上面１４又は下面１３から３つめの内部導体の幅及び突出距離となる。また、内部導体が偶数の場合は、ｗ２及びｐ２は、中央２つ、図示する例においては、内部導体３ｂ及び３ｃの２つの幅の平均となる。
【0048】
内部導体３を構成する導電性材料は、特に限定されないが、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｎｉ等が挙げられる。内部導体３を構成する材料は、好ましくはＡｇ又はＣｕ、より好ましくはＡｇである。上記導電性材料は、１種のみであっても、２種以上であってもよい。
【0049】
（外部電極）
外部電極２１，２２は、絶縁体部７の第１端面１１及び第２端面１２を覆うように設けられる。
外部電極２１，２２は、絶縁体部７の第１端面１１及び第２端面１２を覆うように設けられる。
【0050】
外部電極２１，２２を構成する導電性材料は、特に限定されないが、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｓｎ及びＣｕから選択される１種又はそれ以上の金属材料であり得る。
【0051】
外部電極２１，２２は、単層であっても、多層であってもよい。一の態様において、上記外部電極２１，２２は、多層、好ましくは２層以上４層以下、例えば３層であり得る。
【0052】
一の態様において、外部電極２１，２２は多層であり、Ａｇ又はＰｄを含む層、Ｎｉを含む層、又はＳｎを含む層を含み得る。好ましい態様において、外部電極２１，２２は、Ａｇ又はＰｄを含む層、Ｎｉを含む層、及びＳｎを含む層からなる。好ましくは、上記の各層は、内部導体側から、Ａｇ又はＰｄ、好ましくはＡｇを含む層、Ｎｉを含む層、Ｓｎを含む層の順で設けられる。好ましくは、上記Ａｇ又はＰｄを含む層はＡｇペースト又はＰｄペーストを焼き付けた層であり、上記Ｎｉを含む層及びＳｎを含む層は、めっき層であり得る。
【0053】
（測定方法）
【0054】
上記絶縁体部７の高さｈ１、及び幅ｗ１、内部導体３のライン部４の断面積、厚さｔ１、及び幅ｗ４、ライン部４間の距離ｔ２、ならびに、絶縁体部７の上面１４に最も近い内部導体３ｄの第１主面１７と、下面１３に最も近い内部導体３ａの第２主面１８との間の距離ｈ３は、以下のようにして測定することができる。
電子部品の試料を、ＷＴ面が露出するように周囲を樹脂で固めて、研磨機でＬ方向に、絶縁体部７の略中央部が露出するまで研磨する。研磨後に、断面をデジタルマイクロスコープで撮影する。得られた画像を、画像解析ソフトを用いて解析し、内部導体３の断面積、厚さｔ１、幅ｗ４、距離ｔ２、及び距離ｈ３を得る。なお、高さｈ１は、幅方向の略中央部における高さである。幅ｗ１は、高さ方向の略中央部における幅である。厚さｔ１及びｔ２は、上記断面における内部導体の幅方向の中央における厚さである。
電子部品の試料を、ＷＴ面が露出するように周囲を樹脂で固めて、研磨機でＬ方向に、絶縁体部７の略中央部が露出するまで研磨する。研磨後に、断面をデジタルマイクロスコープで撮影する。得られた画像を、画像解析ソフトを用いて解析し、内部導体３の断面積、厚さｔ１、幅ｗ４、距離ｔ２、及び距離ｈ３を得る。なお、高さｈ１は、幅方向の略中央部における高さである。幅ｗ１は、高さ方向の略中央部における幅である。厚さｔ１及びｔ２は、上記断面における内部導体の幅方向の中央における厚さである。
【0055】
上記内部導体３の引出部の幅ｗ３は、以下のようにして測定することができる。
電子部品の試料を、ＷＴ面が露出するように周囲を樹脂で固めて、研磨機でＬ方向に、引出部のＬ軸方向における略中央部が露出するまで研磨する。研磨後に、断面をデジタルマイクロスコープで撮影する。得られた画像を、画像解析ソフトを用いて解析し、内部導体３の引出部の幅ｗ３を得る。
電子部品の試料を、ＷＴ面が露出するように周囲を樹脂で固めて、研磨機でＬ方向に、引出部のＬ軸方向における略中央部が露出するまで研磨する。研磨後に、断面をデジタルマイクロスコープで撮影する。得られた画像を、画像解析ソフトを用いて解析し、内部導体３の引出部の幅ｗ３を得る。
【0056】
上記の距離ｈ２及び突出距離ｐ１は、以下のようにして測定することができる。
電子部品の試料を、ＬＴ面が露出するように周囲を樹脂で固めて、研磨機でＷ方向に内部導体の略中央部が露出するまで研磨する。研磨後に、断面をデジタルマイクロスコープで撮影する。得られた画像を、画像解析ソフトを用いて解析して、ｈ１及びｐ１を得る。なお、ｐ１は、得られた断面における、絶縁体部７と、絶縁体部７の上面１４に最も近い内部導体３ｄの第１主面１７との接点ｘ１と、絶縁体部７と、絶縁体部７の下面１３に最も近い内部導体３ａの第２主面１８との接点ｘ２とを結んだ直線に対する、最も突出した内部導体の先端からの距離である。
電子部品の試料を、ＬＴ面が露出するように周囲を樹脂で固めて、研磨機でＷ方向に内部導体の略中央部が露出するまで研磨する。研磨後に、断面をデジタルマイクロスコープで撮影する。得られた画像を、画像解析ソフトを用いて解析して、ｈ１及びｐ１を得る。なお、ｐ１は、得られた断面における、絶縁体部７と、絶縁体部７の上面１４に最も近い内部導体３ｄの第１主面１７との接点ｘ１と、絶縁体部７と、絶縁体部７の下面１３に最も近い内部導体３ａの第２主面１８との接点ｘ２とを結んだ直線に対する、最も突出した内部導体の先端からの距離である。
【0057】
上記の幅ｗ２及び突出距離ｐ２は、以下のようにして測定することができる。
電子部品の試料を、ＬＷ面が露出するように周囲を樹脂で固めて、研磨機でＴ方向に中央に位置する内部導体（図示する例においては、内部導体３ｂ又は３ｃ）の厚み方向の略中央部が露出するまで研磨する。研磨後に、断面をデジタルマイクロスコープで撮影する。得られた画像を、画像解析ソフトを用いて解析して、ｗ２及びｐ２を得る。なお、ｐ２は、得られた断面における、絶縁体部７の第１端面又は第２端面と、内部導体３との接点ｘ３及びｘ４とを結んだ直線に対する、内部導体の先端からの距離である。
電子部品の試料を、ＬＷ面が露出するように周囲を樹脂で固めて、研磨機でＴ方向に中央に位置する内部導体（図示する例においては、内部導体３ｂ又は３ｃ）の厚み方向の略中央部が露出するまで研磨する。研磨後に、断面をデジタルマイクロスコープで撮影する。得られた画像を、画像解析ソフトを用いて解析して、ｗ２及びｐ２を得る。なお、ｐ２は、得られた断面における、絶縁体部７の第１端面又は第２端面と、内部導体３との接点ｘ３及びｘ４とを結んだ直線に対する、内部導体の先端からの距離である。
【0058】
（製造方法）
電子部品１の製造方法を以下に説明する。
電子部品１の製造方法を以下に説明する。
【0059】
（１）磁性材料（仮焼磁性粉末）の調製
【0060】
まず、磁性材料の原料を準備する。磁性材料の原料は、主成分としてＦｅ、Ｚｎ、Ｃｕ、及びＮｉを含む。通常、上記原料の主成分は、実質的にＦｅ、Ｚｎ、Ｃｕ、及びＮｉの酸化物（理想的には、Ｆｅ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＣｕＯ及びＮｉＯ）から成る。
【0061】
上記原料として、Ｆｅ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＣｕＯ、ＮｉＯ、及び必要に応じて添加成分を所定の組成になるように秤量し、混合及び粉砕する。得られた粉末を乾燥し、仮焼し、仮焼磁性粉末を得る。好ましくは、得られた仮焼磁性粉末を粉砕し、微粉化する。
【0062】
上記仮焼磁性粉末において、Ｆｅ含有量は、Ｆｅ２Ｏ３に換算して、好ましくは４０．０モル％以上４９．５モル％以下（主成分合計基準、以下も同様）であり、より好ましくは４５．０モル％以上４９．５モル％以下であり得る。
【0063】
上記仮焼磁性粉末において、Ｚｎ含有量は、ＺｎＯに換算して、好ましくは２．０モル％以上３５．０モル％以下（主成分合計基準、以下も同様）であり、より好ましくは５．０モル％以上３０．０モル％以下であり得る。
【0064】
上記仮焼磁性粉末において、Ｃｕ含有量は、ＣｕＯに換算して、好ましくは６．０モル％以上１３．０モル％以下（主成分合計基準、以下も同様）であり、より好ましくは７．０モル％以上１０．０モル％以下である。
【0065】
上記仮焼磁性粉末において、Ｎｉ含有量は、特に限定されず、上記した他の主成分であるＦｅ、Ｚｎ及びＣｕの残部とし得、ＮｉＯに換算して、好ましくは１０．０モル％以上４５．０モル％以下（主成分合計基準、以下も同様）であり、より好ましくは１５．０モル％以上４０．０モル％以下である。
【0066】
本開示において、上記仮焼磁性粉末は、さらに添加成分を含んでいてもよい。仮焼磁性粉末における添加成分としては、例えばＭｎ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｓｉ等が挙げられるが、これに限定されるものではない。Ｍｎ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｂｉ及びＳｉの含有量（添加量）は、主成分（Ｆｅ（Ｆｅ２Ｏ３換算）、Ｚｎ（ＺｎＯ換算）、Ｃｕ（ＣｕＯ換算）及びＮｉ（ＮｉＯ換算））の合計１００質量部に対して、それぞれ、Ｍｎ３Ｏ４、Ｃｏ３Ｏ４、ＳｎＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、及びＳｉＯ２に換算して、０．１質量部以上１質量部以下であることが好ましい。また、上記仮焼磁性粉末は、さらに製造上不可避な不純物を含んでいてもよい。
【0067】
なお、上記仮焼磁性粉末におけるＦｅ含有量（Ｆｅ２Ｏ３換算）、Ｚｎ含有量（ＺｎＯ換算）、Ｃｕ含有量（ＣｕＯ換算）、及びＮｉ含有量（ＮｉＯ換算）は、焼成後の上記焼結磁性材料におけるＦｅ含有量（Ｆｅ２Ｏ３換算）、Ｚｎ含有量（ＺｎＯ換算）、Ｃｕ含有量（ＣｕＯ換算）、及びＮｉ含有量（ＮｉＯ換算）と実質的に相違ないと考えて差し支えない。
【0068】
（２）導電性ペーストの調製
導電性材料を準備する。導電性材料としては、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｎｉ等が挙げられ、好ましくはＡｇ又はＣｕ、より好ましくはＡｇである。所定量の導電性材料の粉末を秤量し、所定量の溶剤（オイゲノールなど）、樹脂（エチルセルロースなど）、及び分散剤と、プラネタリーミキサー等で混錬した後、３本ロールミル等で分散することで、導電性ペーストを作製することができる。
導電性材料を準備する。導電性材料としては、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｎｉ等が挙げられ、好ましくはＡｇ又はＣｕ、より好ましくはＡｇである。所定量の導電性材料の粉末を秤量し、所定量の溶剤（オイゲノールなど）、樹脂（エチルセルロースなど）、及び分散剤と、プラネタリーミキサー等で混錬した後、３本ロールミル等で分散することで、導電性ペーストを作製することができる。
【0069】
（３）シート作製
上記で調製した磁性材料を、所定の配合になるように混合する。これらの混合物を、例えばＰＳＺメディアとともにボールミルに入れ、さらにポリビニルブチラール系等の有機バインダ、エタノール、トルエン等の有機溶剤、及び可塑剤を加え混合して、スラリーを得る。次に、このスラリーをドクターブレード法等で、シート状に成形し、これを矩形状に打ち抜きグリーンシートを作製する。
上記で調製した磁性材料を、所定の配合になるように混合する。これらの混合物を、例えばＰＳＺメディアとともにボールミルに入れ、さらにポリビニルブチラール系等の有機バインダ、エタノール、トルエン等の有機溶剤、及び可塑剤を加え混合して、スラリーを得る。次に、このスラリーをドクターブレード法等で、シート状に成形し、これを矩形状に打ち抜きグリーンシートを作製する。
【0070】
上記グリーンシートの厚さは、例えば２０μｍ以上１００μｍ以下、好ましくは３０μｍ以上８０μｍ以下、より好ましくは３０μｍ以上６０μｍ以下であり得る。グリーンシートの厚さを、上記の範囲とすることにより、高い絶縁性と、優れた電気特性を得ることができる。
【0071】
次いで、上記で作製したグリーンシートに、上記で調製した導電性ペーストをスクリーン印刷することにより、内部導体のパターンを形成する。
【0072】
（４）積層、圧着及び個片化
上記で得られたグリーンシートを、所定の順番で積層し、熱圧着した積層ブロックを作製する。得られた積層ブロックを、ダイサー等で切断し、個片化し、未焼成素体を得る。
上記で得られたグリーンシートを、所定の順番で積層し、熱圧着した積層ブロックを作製する。得られた積層ブロックを、ダイサー等で切断し、個片化し、未焼成素体を得る。
【0073】
（５）焼成
上記で得られた未焼成素体を、焼成し、電子部品の素体を得る。
上記で得られた未焼成素体を、焼成し、電子部品の素体を得る。
【0074】
焼成温度は、好ましくは８５０℃以上９５０℃以下、より好ましくは９００℃以上９２０℃以下であり得る。
【0075】
焼成時間は、好ましくは１時間以上６時間以下、より好ましくは２時間以上４時間以下であり得る。
【0076】
焼成後には、得られた素体をメディアとともに回転バレル機に入れ、回転することにより、素体の稜線やコーナーにＲを形成してもよい。
【0077】
（６）電極形成
下地電極を形成する。下地電極は、内部導体が引き出された端面に、例えばＡｇとガラスを含んだ導電性ペーストを塗布し、焼き付けることにより形成することができる。
下地電極を形成する。下地電極は、内部導体が引き出された端面に、例えばＡｇとガラスを含んだ導電性ペーストを塗布し、焼き付けることにより形成することができる。
【0078】
上記下地電極の厚さは、例えば５μｍ以上８０μｍ以下、好ましくは１０μｍ以上７０μｍ以下、より好ましくは４０μｍ以上６０μｍ以下であり得る。
【0079】
上記焼き付け時の温度は、例えば８００℃以上８２０℃以下であり得る。
【0080】
上記で形成した下地電極上に、電解めっきにより、金属層の被膜を形成する。当該被膜は、単層であっても、多層であってもよく、例えば下地電極上にＮｉ被膜を形成し、次いで、Ｓｎ被膜を形成してもよい。
【0081】
上記のようにして、本開示の電子部品１を製造することができる。
【0082】
（実施形態２）
【0083】
【0084】
図７に示されるように、本実施形態２の電子部品は、絶縁体部７に、非磁性体層３１，３２を含む。他の構成は、上記実施形態１の電子部品１と同様である。本実施形態の電子部品は、非磁性体層を有することにより、優れた直流重畳特性を有する。
【0085】
非磁性体層３１は、内部導体３ｄと３ｃの間に、内部導体３ｄに接するように配置される。同様に、非磁性体層３２は、内部導体３ｂと３ａの間に、内部導体３ｂに接するように配置される。
【0086】
なお、非磁性体層の位置は、上記に限定されない。例えば、一の態様において、図８に示すように、内部導体３ｄと３ｃの間と、内部導体３ｂと３ａの間に、内部導体から離隔して配置されてもよい。
【0087】
別の態様において、非磁性体層は、内部導体の積層方向の中央部分、すなわち内部導体３ｃと３ｂの間にのみ配置されてもよい。
【0088】
別の態様において、非磁性体層は、すべての内部導体の間に配置されてもよい。
【0089】
上記非磁性体層は、少なくともＦｅ、Ｃｕ、及びＺｎを含む。
【0090】
上記非磁性体層は、好ましくは、主成分として、少なくともＦｅ、Ｃｕ、及びＺｎを含む焼結非磁性材料から構成される。
【0091】
上記焼結非磁性材料において、Ｆｅ含有量は、Ｆｅ２Ｏ３に換算して、好ましくは４０．０モル％以上４９．５モル％以下（主成分合計基準、以下も同様）であり、より好ましくは４５．０モル％以上４９．５モル％以下であり得る。
【0092】
上記焼結非磁性材料において、Ｃｕ含有量は、ＣｕＯに換算して、好ましくは６．０モル％以上１３．０モル％以下（主成分合計基準、以下も同様）であり、より好ましくは７．０モル％以上１０．０モル％以下である。
【0093】
上記焼結非磁性材料において、Ｚｎ含有量は、特に限定されず、上記した他の主成分であるＦｅ及びＣｕの残部とし得、ＺｎＯに換算して、好ましくは３７．５モル％以上５４モル％以下（主成分合計基準、以下も同様）であり、より好ましくは４０．５モル％以上４８モル％以下であり得る。
【0094】
Ｆｅ、Ｃｕ、及びＺｎの含有量を、上記の範囲とすることにより、優れた電気特性を得ることができる。
【0095】
本開示において、上記焼結非磁性材料は、さらに添加成分を含んでいてもよい。焼結非磁性材料における添加成分としては、例えばＭｎ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｓｉ等が挙げられるが、これに限定されるものではない。Ｍｎ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｂｉ及びＳｉの含有量（添加量）は、主成分（Ｆｅ（Ｆｅ２Ｏ３換算）、Ｚｎ（ＺｎＯ換算）、Ｃｕ（ＣｕＯ換算）及びＮｉ（ＮｉＯ換算））の合計１００質量部に対して、それぞれ、Ｍｎ３Ｏ４、Ｃｏ３Ｏ４、ＳｎＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、及びＳｉＯ２に換算して、０．１質量部以上１質量部以下であることが好ましい。また、上記焼結非磁性材料は、さらに製造上不可避な不純物を含んでいてもよい。
【0096】
非磁性体層３１，３２の厚さは、好ましくは０．０１ｍｍ以上０．４ｍｍ以下、より好ましくは０．０３ｍｍ以上０．３０ｍｍ以下、さらに好ましくは０．０６ｍｍ以上０．２０ｍｍ以下である。
【0097】
本実施形態の電子部品の製造方法は、非磁性体層を設ける工程を含む以外は、上記実施形態１の電子部品１の製造方法と同様である。
【0098】
非磁性材料の原料は、主成分としてＦｅ、Ｃｕ及びＺｎを含む。通常、上記原料の主成分は、実質的にＦｅ、Ｃｕ及びＺｎの酸化物（理想的には、Ｆｅ２Ｏ３、ＣｕＯ及びＺｎＯ）から成る。
【0099】
上記原料として、Ｆｅ２Ｏ３、ＣｕＯ、ＺｎＯ、及び必要に応じて添加成分を所定の組成になるように秤量し、混合及び粉砕する。得られた粉末を乾燥し、仮焼し、仮焼非磁性粉末を得る。好ましくは、得られた仮焼非磁性粉末を粉砕し、微粉化する。
【0100】
上記仮焼非磁性粉末において、Ｆｅ含有量は、Ｆｅ２Ｏ３に換算して、好ましくは４０．０モル％以上４９．５モル％以下（主成分合計基準、以下も同様）であり、より好ましくは４５．０モル％以上４９．５モル％以下であり得る。
【0101】
上記仮焼非磁性粉末において、Ｃｕ含有量は、ＣｕＯに換算して、好ましくは６．０モル％以上１３．０モル％以下（主成分合計基準、以下も同様）であり、より好ましくは７．０モル％以上１０．０モル％以下である。
【0102】
上記仮焼非磁性粉末において、Ｚｎ含有量は、ＺｎＯに換算して、好ましくは３７．５モル％以上５４モル％以下（主成分合計基準、以下も同様）であり、より好ましくは４０．５モル％以上４８モル％以下であり得る。
【0103】
なお、上記仮焼非磁性粉末におけるＦｅ含有量（Ｆｅ２Ｏ３換算）、Ｚｎ含有量（ＺｎＯ換算）、Ｃｕ含有量（ＣｕＯ換算）、及びＮｉ含有量（ＮｉＯ換算）は、焼成後の上記焼結非磁性材料におけるＦｅ含有量（Ｆｅ２Ｏ３換算）、Ｚｎ含有量（ＺｎＯ換算）、Ｃｕ含有量（ＣｕＯ換算）、及びＮｉ含有量（ＮｉＯ換算）と実質的に相違ないと考えて差し支えない。
【0104】
上記の仮焼非磁性粉末を用いて、上記した磁性体層と同様にグリーンシートを作成し、所定の箇所に積層し、次いで、上記した磁性体層と同様に、個片化、焼成、電極形成を行うことにより、実施形態２の電子部品を製造することができる。
【0105】
（実施形態３）
【0106】
【0107】
図９に示されるように、本実施形態３の電子部品は、引出部が一方の側面側に寄っている点以外は、実施形態１の電子部品１と同様である。
【0108】
（実施形態４）
【0109】
【0110】
図１０に示されるように、本実施形態４の電子部品は、引出部が第１端面側と第２断面側で逆位置である点以外は、実施形態１の電子部品１と同様である。
【0111】
以上、本発明の１つの実施形態について説明したが、本実施形態は種々の改変が可能である。
【0112】
以下、本開示の電子部品を実施例を挙げて説明するが、本発明はかかる実施例のみに限定されるものではない。
【実施例】
【0113】
実施例１
下記の特徴を有する電子部品について、シミュレーションソフトＦｅｍｔｅｔ（登録商標）（ムラタソフトウエア株式会社製）を用いて、内部応力を計算した。内部応力が２１５ＭＰａを超える条件については×、２１５ＭＰａ以下の条件を〇と判定し、下記表に示す。
・絶縁体組成
Ｆｅ－Ｚｎ－Ｃｕ－Ｎｉフェライト
・内部導体
Ａｇ導体
・寸法
下記表に示す通り。なお、＊を付した試料は、比較例である。
下記の特徴を有する電子部品について、シミュレーションソフトＦｅｍｔｅｔ（登録商標）（ムラタソフトウエア株式会社製）を用いて、内部応力を計算した。内部応力が２１５ＭＰａを超える条件については×、２１５ＭＰａ以下の条件を〇と判定し、下記表に示す。
・絶縁体組成
Ｆｅ－Ｚｎ－Ｃｕ－Ｎｉフェライト
・内部導体
Ａｇ導体
・寸法
下記表に示す通り。なお、＊を付した試料は、比較例である。
【0114】
【表1】
【0115】
（ｉ）コイル導体の数が３の場合
（ｘ，ｙ）が、Ａ（０．０５１，１．０）、Ｂ（０．０５１，５．９）、Ｃ（０．２，５．９）、Ｄ（０．２，４．４）、Ｅ（０．１，１．４）で囲まれる領域（図１１に示す）にある場合、内部応力が２１５ＭＰａ以下となった。
（ｉｉ）コイル導体の数が４の場合
（ｘ，ｙ）が、Ｆ（０．０３８，０．２６）、Ｇ（０．０３８，５．２）、Ｈ（０．２，５．２）、Ｉ（０．２，４．９）、Ｊ（０．１，１．９）で囲まれる領域（図１２に示す）にある場合、内部応力が２１５ＭＰａ以下となった。
（ｉｉｉ）コイル導体の数が５の場合
（ｘ，ｙ）が、Ｋ（０．０３１，０．５３）、Ｌ（０．０３１，４．９）、Ｍ（０．１５，４．９）、Ｎ（０．１５，４．１）で囲まれる領域（図１３に示す）にある場合、内部応力が２１５ＭＰａ以下となった。
（ｘ，ｙ）が、上記の領域よりも下方の領域にある場合、内部応力が２１５ＭＰａを上回り、クラックが発生するリスクが高くある。また、（ｘ，ｙ）が、上記の領域よりも上方にある場合には、内部導体と絶縁体部の表面との距離が２５０μｍを下回り、電子部品の強度が低下する。
（ｘ，ｙ）が、Ａ（０．０５１，１．０）、Ｂ（０．０５１，５．９）、Ｃ（０．２，５．９）、Ｄ（０．２，４．４）、Ｅ（０．１，１．４）で囲まれる領域（図１１に示す）にある場合、内部応力が２１５ＭＰａ以下となった。
（ｉｉ）コイル導体の数が４の場合
（ｘ，ｙ）が、Ｆ（０．０３８，０．２６）、Ｇ（０．０３８，５．２）、Ｈ（０．２，５．２）、Ｉ（０．２，４．９）、Ｊ（０．１，１．９）で囲まれる領域（図１２に示す）にある場合、内部応力が２１５ＭＰａ以下となった。
（ｉｉｉ）コイル導体の数が５の場合
（ｘ，ｙ）が、Ｋ（０．０３１，０．５３）、Ｌ（０．０３１，４．９）、Ｍ（０．１５，４．９）、Ｎ（０．１５，４．１）で囲まれる領域（図１３に示す）にある場合、内部応力が２１５ＭＰａ以下となった。
（ｘ，ｙ）が、上記の領域よりも下方の領域にある場合、内部応力が２１５ＭＰａを上回り、クラックが発生するリスクが高くある。また、（ｘ，ｙ）が、上記の領域よりも上方にある場合には、内部導体と絶縁体部の表面との距離が２５０μｍを下回り、電子部品の強度が低下する。
【0116】
実施例２
・磁性材料の調製
Ｆｅ２Ｏ３を４８．０ｍｏｌ％、ＺｎＯを２１．０ｍｏｌ％、ＣｕＯを８．０ｍｏｌ％、及びＮｉＯを２３．０ｍｏｌ％の割合で配合し、混合物を得た。この混合物を湿式で混合、粉砕した後、乾燥することで水分を除去した。得られた乾燥物を８００℃の温度で２時間仮焼して、磁性材料を得た。
・磁性材料の調製
Ｆｅ２Ｏ３を４８．０ｍｏｌ％、ＺｎＯを２１．０ｍｏｌ％、ＣｕＯを８．０ｍｏｌ％、及びＮｉＯを２３．０ｍｏｌ％の割合で配合し、混合物を得た。この混合物を湿式で混合、粉砕した後、乾燥することで水分を除去した。得られた乾燥物を８００℃の温度で２時間仮焼して、磁性材料を得た。
【0117】
・非磁性材料の調製
Ｆｅ２Ｏ３を４８．０ｍｏｌ％、ＺｎＯを４４．０ｍｏｌ％、及びＣｕＯを８．０ｍｏｌ％の割合で配合し、混合物を得た。この混合物を湿式で混合、粉砕した後、乾燥することで水分を除去した。得られた乾燥物を８００℃の温度で２時間仮焼して、非磁性材料を得た。
Ｆｅ２Ｏ３を４８．０ｍｏｌ％、ＺｎＯを４４．０ｍｏｌ％、及びＣｕＯを８．０ｍｏｌ％の割合で配合し、混合物を得た。この混合物を湿式で混合、粉砕した後、乾燥することで水分を除去した。得られた乾燥物を８００℃の温度で２時間仮焼して、非磁性材料を得た。
【0118】
・導電性ペーストの調製
Ａｇの粉末を、所定量の溶剤、樹脂、及び分散剤と、プラネタリーミキサーで混錬した後、３本ロールミルで分散することで、導電性ペーストを作製した。
Ａｇの粉末を、所定量の溶剤、樹脂、及び分散剤と、プラネタリーミキサーで混錬した後、３本ロールミルで分散することで、導電性ペーストを作製した。
【0119】
・グリーンシートの作製
得られた磁性材料及び非磁性材料を、それぞれ所定量のポリビニルブチラール系等の有機バインダ、エタノール、トルエン等の有機溶剤、及び可塑剤をボールミルに入れ、混合した。次に、ドクターブレード法で、膜厚が約２５μｍのシート状に成形し、これを矩形状に打ち抜き、磁性グリーンシート及び非磁性グリーンシートを作製した。また、グリーンシート上に、上記導電性ペーストをスクリーン印刷することにより、内部導体のパターンを形成した。
得られた磁性材料及び非磁性材料を、それぞれ所定量のポリビニルブチラール系等の有機バインダ、エタノール、トルエン等の有機溶剤、及び可塑剤をボールミルに入れ、混合した。次に、ドクターブレード法で、膜厚が約２５μｍのシート状に成形し、これを矩形状に打ち抜き、磁性グリーンシート及び非磁性グリーンシートを作製した。また、グリーンシート上に、上記導電性ペーストをスクリーン印刷することにより、内部導体のパターンを形成した。
【0120】
・電子部品の作製
上記で得られたグリーンシートを、図１～４の形状（試料番号４２）、及び図７の形状（試料番号４３）となるように積層し、熱圧着した積層ブロックを作製した。得られた積層ブロックを、ダイサーで切断し、個片化し、未焼成素体を得た。
上記で得られたグリーンシートを、図１～４の形状（試料番号４２）、及び図７の形状（試料番号４３）となるように積層し、熱圧着した積層ブロックを作製した。得られた積層ブロックを、ダイサーで切断し、個片化し、未焼成素体を得た。
【0121】
上記で得られた未焼成素体を、トップ温度を９２０℃として４時間焼成して、電子部品の素体を得た。得られた素体をメディアとともに回転バレル機に入れ、回転することにより、素体の稜線やコーナーにＲを形成した。
【0122】
上記得られた素体の端面に、Ａｇとガラスを含んだ導電性ペーストを塗布し、８２０℃で焼き付けることにより下地電極を形成し、試料番号４２（非磁性層なし）及び試料番号４３（非磁性層あり）の電子部品を得た。
【0123】
作製した電子備品の内部導体は４本であり、内部導体の厚さは０．０６ｍｍ、幅は１．０ｍｍであり、内部導体間の距離は０．１１ｍｍであった。内部導体の作製した電子部品のサイズは、長さ（Ｌ）が３．２ｍｍ、幅（Ｗ）が２．５ｍｍ、高さ（Ｔ）が２．０ｍｍであった。
【0124】
（評価）
得られた試料番号４２及び試料番号４３について、直流電流を２０Ａまで通電し、インピーダンスを測定した。結果を、図１４に示す。図１４の結果に示されるように、内部導体間に非磁性層を配置することにより、重畳電流なしの場合のインピーダンスの低下を小さくでき、かつ直流電流を重畳したときのインピーダンスの低下を抑制できる。
得られた試料番号４２及び試料番号４３について、直流電流を２０Ａまで通電し、インピーダンスを測定した。結果を、図１４に示す。図１４の結果に示されるように、内部導体間に非磁性層を配置することにより、重畳電流なしの場合のインピーダンスの低下を小さくでき、かつ直流電流を重畳したときのインピーダンスの低下を抑制できる。
【産業上の利用可能性】
【0125】
本開示の電子部品は、種々様々な用途に、例えばインピーダンス素子、又はインダクタとして使用され得る。
【符号の説明】
【0126】
１…電子部品
３…内部導体
４…ライン部
５…第１引出部
６…第２引出部
７…絶縁体部
１１…第１端面
１２…第２端面
１３…下面
１４…上面
１５…第１側面
１６…第２側面
１７…内部導体の第１主面
１８…内部導体の第２主面
２１…第１外部電極
２２…第２外部電極
３１，３２…非磁性体層
３…内部導体
４…ライン部
５…第１引出部
６…第２引出部
７…絶縁体部
１１…第１端面
１２…第２端面
１３…下面
１４…上面
１５…第１側面
１６…第２側面
１７…内部導体の第１主面
１８…内部導体の第２主面
２１…第１外部電極
２２…第２外部電極
３１，３２…非磁性体層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】