ここで、スパッタ後の加熱処理により、コンタクトホールの底部のバリアメタル１１４はシリコン（Ｓｉ）と反応してシリサイド化することで、膜厚が加熱処理前よりも２～３倍になりバリア性が担保される。しかし、コンタクトホールの側壁部（例えば、図１５の領域Ｓ）では、層間絶縁膜１１０とほとんど反応しないため、膜厚が加熱処理前と変わらずに薄いままである。このため、バリアメタル１１４をスパッタ法で形成する場合、特に側壁部でバリアメタル１１４の膜厚が薄くなる場合が多い。また、この側壁部におけるバリアメタル１１４の膜質は、比較的疎な膜になる場合が多く、膜厚、膜質の観点から、バリア性が比較的弱い領域となっている。

上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる構成は、シリコンを含んだ半導体基体の一方の表面側にトレンチが形成され、トレンチにゲート絶縁膜を介して埋め込まれるゲート電極を含む単位セルを備えるトレンチ型半導体装置の製造方法であって、半導体基体の一方の表面側およびゲート電極上に、ゲート絶縁膜とは別体の熱酸化膜を形成する工程、熱酸化膜上に層間絶縁膜を形成する工程と、熱酸化膜に側・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る