特許 7605288 インダクタ部品

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-12-16

(45)【発行日】2024-12-24

(54)【発明の名称】インダクタ部品

(51)【国際特許分類】

   H01F 17/04 20060101AFI20241217BHJP

   H01F 27/25 20060101ALI20241217BHJP

   H01F 17/06 20060101ALI20241217BHJP

【ＦＩ】

H01F17/04 F

H01F17/04 A

H01F27/25

H01F17/06 D

【請求項の数】 7

(21)【出願番号】P 2023502196

(86)(22)【出願日】2022-01-27

(86)【国際出願番号】 JP2022003066

(87)【国際公開番号】W WO2022181180

(87)【国際公開日】2022-09-01

【審査請求日】2023-07-14

(31)【優先権主張番号】P 2021030982

(32)【優先日】2021-02-26

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000006231

【氏名又は名称】株式会社村田製作所

(74)【代理人】

【識別番号】100087985

【弁理士】

【氏名又は名称】福井 宏司

(72)【発明者】

【氏名】三宅 敢

(72)【発明者】

【氏名】辻 博美

(72)【発明者】

【氏名】小田原 充

【審査官】古河 雅輝

(56)【参考文献】

【文献】特開昭６２－０７６５０９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０６－０７７０５５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２０１８－５３４７７３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０６－０６１０８４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１６－１２２８３６（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｆ １７／００－２１／１２

Ｈ０１Ｆ ２７／００

Ｈ０１Ｆ ２７／０２

Ｈ０１Ｆ ２７／０６

Ｈ０１Ｆ ２７／０８

Ｈ０１Ｆ ２７／２３－２７／３０

Ｈ０１Ｆ ２７／３２

Ｈ０１Ｆ ２７／３６

Ｈ０１Ｆ ２７／４２

Ｈ０１Ｆ ３０／００－３８／１２

Ｈ０１Ｆ ３８／１６

Ｈ０１Ｆ ３８／４２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

磁性材からなる平板状の複数の磁性薄帯を含み、複数の前記磁性薄帯が、前記磁性薄帯の主面に対して直交する方向に積層された素体と、
前記素体の内部で、前記主面に沿って直線状に延びているインダクタ配線と、を備え、
前記インダクタ配線の延びる軸を中心軸とし、前記中心軸に直交する断面視で前記主面に沿う軸を第１軸とし、前記断面視で前記主面に直交する軸を第２軸としたとき、
前記素体は、前記第２軸に沿って隣り合う前記磁性薄帯の間に位置する非磁性材からなる複数の非磁性層を有し、
複数の前記磁性薄帯の前記第２軸に沿う方向の寸法の平均値を磁性薄帯厚さとし、複数の前記非磁性層の前記第２軸に沿う方向の寸法の平均値を非磁性層厚さとしたとき、前記磁性薄帯厚さに対する前記非磁性層厚さの百分率は、３％より大きく、
前記第２軸に沿って順に積層された第１部分、第２部分、及び第３部分を有しており、
前記第１部分及び前記第３部分は、複数の前記磁性薄帯を含む部分であり、
前記第２部分は、複数の前記磁性薄帯及び前記インダクタ配線を含む部分であり、
「Ｍ」及び「Ｎ」を正の整数とし、且つ「Ｍ」及び「Ｎ」を「２」以上としたとき、
前記第１部分及び前記第３部分において、前記磁性薄帯は、前記第２軸に沿う同一の位置において、前記中心軸に沿う方向に「Ｍ」個並んでおり、前記第１軸に沿う方向に「Ｎ」個並んでおり、
前記第２軸に沿う方向から視たときに、前記第１部分及び前記第３部分において、前記第２軸に沿う同一の位置で前記中心軸に沿う方向に隣り合う前記磁性薄帯の境界の一部又は全部は、前記インダクタ配線と重複しており、且つ、前記第２軸に沿う同一の位置で前記第１軸に沿う方向に隣り合う前記磁性薄帯の境界の一部又は全部は、前記インダクタ配線と重複している
インダクタ部品。

【請求項2】

前記磁性薄帯厚さに対する前記非磁性層厚さの百分率は、１５％より大きい
請求項１に記載のインダクタ部品。

【請求項3】

前記非磁性層厚さは、０．６μｍより大きい
請求項１又は請求項２に記載のインダクタ部品。

【請求項4】

前記非磁性層厚さは、３μｍより大きい
請求項３に記載のインダクタ部品。

【請求項5】

前記各磁性薄帯の前記第２軸に沿う方向の寸法は、前記磁性薄帯厚さに対して、８０％以上１２０％以下の寸法である
請求項１～４のいずれか１項に記載のインダクタ部品。

【請求項6】

前記各非磁性層の前記第２軸に沿う方向の寸法は、前記非磁性層厚さに対して、８０％以上１２０％以下の寸法である
請求項１～５のいずれか１項に記載のインダクタ部品。

【請求項7】

前記第１軸に沿う２つの方向のうちのいずれか一方を第１正方向としたとき、
前記断面視において、
前記インダクタ配線の前記第１正方向の端を第１配線端とし、
前記インダクタ配線に対して前記第２軸に沿う方向に積層された前記磁性薄帯のうち、前記第１配線端からの前記第２軸に沿う方向の距離が最も短い前記磁性薄帯を第１磁性薄帯とし、
前記第１磁性薄帯における前記第１軸に沿う方向の両端を除く範囲を第１範囲としたとき、
前記第１配線端を通り前記第２軸に沿う方向に延びる仮想直線を引いたときに、前記仮想直線は、前記第１磁性薄帯の前記第１範囲内を通る
請求項１～請求項６のいずれか１項に記載のインダクタ部品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、インダクタ部品に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１に記載のインダクタ部品は、素体と、素体の内部で延びているインダクタ配線と、を備えている。素体は、無機フィラー及び樹脂からなっている。例えば、磁性コンポジット体については、無機フィラーの材質は、磁性材である。また、無機フィラーの平均粒径は、５μｍ以下である。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１９－１９２９２０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１に記載のインダクタ部品は、素体における無機フィラーの充填率を高めることによって、インダクタ部品の各種特性の向上が図られる。しかしながら、特許文献１に記載のインダクタ部品は、素体中において無機フィラーの粒子がランダムに分散した構造を前提としており、素体における磁性材の他の構造については何ら検討されていない。

【課題を解決するための手段】

【0005】

上記課題を解決するため、本発明は、磁性材からなる平板状の複数の磁性薄帯を含み、複数の前記磁性薄帯が、前記磁性薄帯の主面に対して直交する方向に積層された素体と、前記素体の内部で、前記主面に沿って延びているインダクタ配線と、を備え、前記インダクタ配線の延びる軸を中心軸とし、前記中心軸に直交する断面視で前記主面に沿う軸を第１軸とし、前記断面視で前記主面に直交する軸を第２軸としたとき、前記素体は、前記第２軸に沿って隣り合う前記磁性薄帯の間に位置する非磁性材からなる複数の非磁性層を有し、複数の前記磁性薄帯の前記第２軸に沿う方向の寸法の平均値を磁性薄帯厚さとし、複数の前記非磁性層の前記第２軸に沿う方向の寸法の平均値を非磁性層厚さとしたとき、前記磁性薄帯厚さに対する前記非磁性層厚さの百分率は、３％より大きいインダクタ部品である。

【0006】

インダクタ配線に電流を流すと、磁界が発生する。磁界が発生している場合、素体を構成する磁性薄帯内を磁束が通過するため、当該磁性薄帯では渦電流が発生する。渦電流が大きいほど、渦電流の発生に起因する損失であるインダクタ部品の渦電流損失が大きくなる。

【0007】

上記のインダクタ部品によれば、素体は、第２軸に沿って積層された複数の磁性薄帯と、非磁性材からなり隣り合う磁性薄帯の間に位置する複数の非磁性層と、を有している。すなわち、上記のインダクタ部品は、第２軸に沿って積層されるという磁性薄帯の規則的な構造を有する。

【0008】

ここで、上記のインダクタ部品において、非磁性層厚さが、発生する渦電流損失に影響する。そして、磁性薄帯厚さに対する非磁性層厚さの百分率が、３％より大きいと、渦電流損失の発生を抑制できる。

【0009】

なお、「沿う」とは、直接接触しておらず、離れた位置にある場合も含む。例えば、「第１軸に沿う」とは、第１軸に直接接触して第１軸に沿うものだけでなく、第１軸に直接接触しておらず離れた位置で第１軸に沿うものも含む。また、「沿う」とは、実質的に平行関係にあればよく、製造誤差等によって、僅かに傾いているものも含む。

【発明の効果】

【0010】

磁性薄帯が複数積層されているインダクタ部品において、渦電流損失の発生を抑制できる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】インダクタ部品の分解斜視図。

【図2】インダクタ部品の第１部分の平面図。

【図3】図２における３－３線に沿うインダクタ部品の断面図。

【図4】図３の一部拡大図。

【図5】インダクタ部品の製造方法の説明図。

【図6】インダクタ部品の製造方法の説明図。

【図7】インダクタ部品の製造方法の説明図。

【図8】インダクタ部品の製造方法の説明図。

【図9】インダクタ部品の製造方法の説明図。

【図10】インダクタ部品の製造方法の説明図。

【図11】インダクタ部品の製造方法の説明図。

【図12】インダクタ部品の製造方法の説明図。

【図13】インダクタ部品の製造方法の説明図。

【図14】インダクタ部品の製造方法の説明図。

【図15】インダクタ部品の製造方法の説明図。

【図16】インダクタ部品の製造方法の説明図。

【図17】シミュレーションの結果を示すグラフ。

【図18】変更例のインダクタ部品の断面図。

【発明を実施するための形態】

【0012】

＜インダクタ部品の一実施形態＞
以下、インダクタ部品の一実施形態について説明する。なお、図面は理解を容易にするため構成要素を拡大して示している場合がある。構成要素の寸法比率は実際のものと、又は別の図中のものと異なる場合がある。また、断面図ではハッチングを付しているが、理解を容易にするために一部の構成要素のハッチングを省略している場合がある。さらに、複数の部材のうち、一部の部材のみに符号を付している場合がある。

【0013】

（全体構成）
図１に示すように、インダクタ部品１０は、素体２０と、インダクタ配線３０と、を備えている。素体２０は、複数の磁性薄帯４０と、複数の非磁性層５０と、複数の非磁性部６０と、複数の非磁性膜７０を有している。

【0014】

磁性薄帯４０は、平板状である。複数の磁性薄帯４０は、磁性薄帯４０の主面ＭＦと直交する方向に積層されている。なお、平板状とは、主面ＭＦを有する薄い形状のことであるが、厚みの薄い直方体に限られず、稜線や角が曲面状であってもよく、主面ＭＦに微小な凹凸があったり、内部に空孔があったりしてもよい。

【0015】

インダクタ配線３０は、素体２０の内部で主面ＭＦに沿って直線状に延びている。なお、インダクタ配線３０の延びる軸を中心軸ＣＡとする。本実施形態では、中心軸ＣＡの延びる向きは、四角形状の主面ＭＦのいずれかの辺の延びる向きと一致する。

【0016】

図３に示すように、中心軸ＣＡに直交する断面視で、主面ＭＦに沿う軸を第１軸Ｘとし、主面ＭＦに直交する軸を第２軸Ｚとする。なお、第１軸Ｘに沿う方向の一方を第１正方向Ｘ１とし、第１軸Ｘに沿う方向の他方を第１負方向Ｘ２とする。また、中心軸ＣＡに沿う方向の一方を正方向Ｙ１とし、中心軸ＣＡに沿う方向の他方を負方向Ｙ２とする。さらに、第２軸Ｚに沿う方向の一方を第２正方向Ｚ１とし、第２軸Ｚに沿う方向の他方を第２負方向Ｚ２とする。

【0017】

図１に示すように、インダクタ部品１０は、第２軸Ｚに沿って順に積層された、第１部分Ｐ１と、第２部分Ｐ２と、第３部分Ｐ３と、で構成されている。３つの部分Ｐ１～Ｐ３のうち、第２軸Ｚに沿う第２負方向Ｚ２の端には、第１部分Ｐ１が位置している。

【0018】

図２に示すように、第１部分Ｐ１は、第２軸Ｚに沿う方向から視たときに正方形状である。第１部分Ｐ１は、複数の磁性薄帯４０と、複数の非磁性層５０と、複数の非磁性部６０と、複数の非磁性膜７０とを有する。

【0019】

図３に示すように、中心軸ＣＡに直交する断面視で、第１部分Ｐ１の各磁性薄帯４０は、第２軸Ｚに沿う方向に積層されている。図２に示すように、第１部分Ｐ１の各磁性薄帯４０は、第２軸Ｚに沿う方向から視たときに正方形状である。第２軸Ｚに沿う方向から視たときに各磁性薄帯４０の各辺は、第１軸Ｘ又は中心軸ＣＡと平行である。

【0020】

磁性薄帯４０は、第２軸Ｚに沿う同一の位置において、第２軸Ｚに直交する第３軸に沿う方向に、間隔をあけて２個並んでいる。また、磁性薄帯４０は、第２軸Ｚに沿う同一の位置において、第２軸Ｚ及び第３軸に直交する第４軸に沿う方向に、間隔をあけて２個並んでいる。なお、第３軸は中心軸ＣＡと一致しており、且つ第４軸は第１軸Ｘと一致している。そのため、本実施形態では、磁性薄帯４０は、第２軸Ｚに沿う方向のみならず、第１軸Ｘ及び中心軸ＣＡに沿う方向にも配列している。

【0021】

磁性薄帯４０は、磁性材からなっている。磁性材は、例えば、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｂ、Ｐ等を含む金属磁性材である。本実施形態では、磁性材は、Ｆｅ及びＳｉを含んでいる金属磁性材である。

【0022】

図３に示すように、非磁性層５０は、第２軸Ｚに沿う方向に隣り合っている磁性薄帯４０の間に位置している。非磁性層５０は、第２軸Ｚに沿う方向に隣り合っている磁性薄帯４０の空間を全て埋めている。非磁性層５０は、非磁性材からなっている。非磁性材は、例えば、アクリル樹脂や、エポキシ樹脂、シリコン樹脂である。なお、図３では、非磁性層５０を線で図示している。

【0023】

図２に示すように、非磁性部６０は、第２軸Ｚに沿う同一の位置において並ぶ磁性薄帯４０の間に位置している。非磁性部６０は、第２軸Ｚに沿う方向の同一の位置において並ぶ磁性薄帯４０の間の空間を全て埋めている。上述したとおり、第２軸Ｚに沿う同一の位置において、磁性薄帯４０は、中心軸ＣＡに沿う方向に２つ、第１軸Ｘに沿う方向に２つ、合計４つ存在するので、非磁性部６０は４つ存在している。非磁性部６０は、非磁性材からなっている。本実施形態では、非磁性部６０の材質は、非磁性層５０と同一の材質である。

【0024】

非磁性膜７０は、第１部分Ｐ１において、第１軸Ｘに沿う第１正方向Ｘ１の端、及び第１正方向Ｘ１とは反対方向である第１負方向Ｘ２の端に位置している。非磁性膜７０は、磁性薄帯４０における第１軸Ｘに沿う方向の両端面の全域を覆っている。また、非磁性膜７０は、非磁性層５０における第１軸Ｘに沿う方向の両端面の全域を覆っている。さらに、非磁性膜７０は、非磁性部６０における第１軸Ｘに沿う方向の両端面の全域を覆っている。そのため、第１部分Ｐ１における第１軸Ｘに沿う第１正方向Ｘ１の端面は、すべて非磁性膜７０で構成されている。同様に、第１部分Ｐ１における第１軸Ｘに沿う第１負方向Ｘ２の端面は、すべて非磁性膜７０で構成されている。非磁性膜７０は、非磁性材からなっている。本実施形態では、非磁性膜７０の材質は、非磁性層５０と同一の材質である。

【0025】

図１に示すように、第１部分Ｐ１から視て、第２軸Ｚに沿う第２負方向Ｚ２とは反対方向である第２正方向Ｚ１には、第２部分Ｐ２が位置している。第２部分Ｐ２は、第２軸Ｚに沿う方向から視たときに、第１部分Ｐ１と同じ正方形状である。

【0026】

第２部分Ｐ２は、インダクタ配線３０と、複数の磁性薄帯４０と、複数の非磁性層５０と、複数の非磁性部６０と、複数の非磁性膜７０と、で構成されている。
インダクタ配線３０は、第２軸Ｚに沿う方向から視て長方形状であり、中心軸ＣＡに沿って直線状に延びている。インダクタ配線３０の中心軸ＣＡに沿う正方向Ｙ１の端面は、第２部分Ｐ２の外面の一部を構成しており、素体２０から露出している。同様に、インダクタ配線３０の中心軸ＣＡに沿う正方向Ｙ１とは反対方向である負方向Ｙ２の端面は、第２部分Ｐ２の外面の一部を構成しており、素体２０から露出している。

【0027】

第２軸Ｚから視たときに、インダクタ配線３０の正方向Ｙ１の端面及び負方向Ｙ２の端面は、第１軸Ｘと平行になっている。また、インダクタ配線３０の中心軸ＣＡは、第１軸Ｘに沿う方向において、第２部分Ｐ２の中心に位置している。そのため、インダクタ配線３０の延びる軸である中心軸ＣＡは、第１軸Ｘに沿う方向における第２部分Ｐ２の中心を通っている。インダクタ配線３０の第１軸Ｘに沿う方向の寸法は、第２部分Ｐ２の第１軸Ｘに沿う方向の寸法の半分である。

【0028】

インダクタ配線３０の材質は、導電性材料である。導電性材料は、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、又はこれらの合金である。本実施形態では、インダクタ配線３０の材質は、Ｃｕである。

【0029】

図３に示すように、中心軸ＣＡに直交する断面において、インダクタ配線３０は、長方形状である。ここで、中心軸ＣＡに直交する断面において、インダクタ配線３０に外接するとともに、第１軸Ｘに沿う第１辺及び第２軸Ｚに沿う第２辺を有する面積が最小の仮想長方形ＶＲを描く。本実施形態では、中心軸ＣＡに直交する断面において、インダクタ配線３０が長方形である。また、中心軸ＣＡに直交する断面において、インダクタ配線３０の外形の長辺は第１軸Ｘに沿っている。さらに、中心軸ＣＡに直交する断面において、インダクタ配線３０の外形の短辺は第２軸Ｚに沿っている。そのため、仮想長方形ＶＲは、インダクタ配線３０の外形と一致する。そして、仮想長方形ＶＲの第１辺は、仮想長方形ＶＲの第２辺よりも長い。

【0030】

第２部分Ｐ２において、インダクタ配線３０でない部分は、第１部分Ｐ１と同様に、複数の磁性薄帯４０と、複数の非磁性層５０と、複数の非磁性部６０と、複数の非磁性膜７０と、で構成されている。

【0031】

図３に示すように、中心軸ＣＡに直交する断面視で、第２部分Ｐ２の各磁性薄帯４０は、第２軸Ｚに沿う方向に積層されている。図２に示すように、第２部分Ｐ２の各磁性薄帯４０は、第２軸Ｚに沿う方向から視たときに長方形状である。第２軸Ｚに沿う方向から視たときに各磁性薄帯４０の長辺は、中心軸ＣＡと平行である。

【0032】

図１に示すように、第２部分Ｐ２において、磁性薄帯４０は、インダクタ配線３０から視て、第１軸Ｘに沿う第１正方向Ｘ１及び第１負方向Ｘ２の両側に位置している。すなわち、第２部分Ｐ２において、磁性薄帯４０は、第１軸Ｘに沿う方向に、インダクタ配線３０を挟んで２個並んでいる。また、磁性薄帯４０は、第２軸Ｚに沿う同一の位置において、中心軸ＣＡに沿う方向に、間隔をあけて２個並んでいる。

【0033】

上述した第１部分Ｐ１と同様に、第２部分Ｐ２の非磁性層５０は、第２軸Ｚに沿う方向に隣り合っている磁性薄帯４０の間に位置している。すなわち、図３に示すように、磁性薄帯４０及び非磁性層５０は、第１部分Ｐ１と同様に、第２軸Ｚに沿う方向に交互に積層されている。

【0034】

第２部分Ｐ２の非磁性部６０は、第２軸Ｚに沿う同一の位置において並ぶ磁性薄帯４０の間に位置している。非磁性部６０は、第２軸Ｚに沿う方向の同一の位置において並ぶ磁性薄帯４０の間の空間を全て埋めている。第２部分Ｐ２の非磁性部６０の位置は、第２軸Ｚに沿う方向から視たときに、第１部分Ｐ１の非磁性部６０の一部と重複している。第２部分Ｐ２の非磁性部６０は、第１部分Ｐ１の非磁性部６０と連続している。なお、第２部分Ｐ２において、インダクタ配線３０と磁性薄帯４０との間には非磁性部６０は存在していない。

【0035】

非磁性膜７０は、第２部分Ｐ２において、第１軸Ｘに沿う第１正方向Ｘ１の端、及び第１正方向Ｘ１とは反対方向である第１負方向Ｘ２の端に位置している。第２部分Ｐ２の非磁性膜７０は、第１部分Ｐ１の非磁性膜７０と連続している。

【0036】

第２部分Ｐ２の第２正方向Ｚ１には、第３部分Ｐ３が位置している。第３部分Ｐ３は、第２軸Ｚから視たときに、第１部分Ｐ１と同じ正方形状である。第３部分Ｐ３は、複数の磁性薄帯４０と、複数の非磁性層５０と、複数の非磁性部６０と、複数の非磁性膜７０で構成されている。本実施形態では、第３部分Ｐ３は、第２部分Ｐ２を挟んで第１部分Ｐ１と対称的な構造であるため、詳細な説明は省略する。このようにして、素体２０は、複数の磁性薄帯４０と、複数の非磁性層５０と、複数の非磁性部６０と、複数の非磁性膜７０と、を含んでいる。

【0037】

（磁性薄帯厚さ及び非磁性層厚さについて）
磁性薄帯４０及び非磁性層５０の第２軸Ｚに沿う方向の寸法について詳述する。磁性薄帯４０の第２軸Ｚに沿う方向の寸法は、製造上の誤差により、磁性薄帯４０毎に最大で２０％程度ばらつく。また、非磁性層５０の第２軸Ｚに沿う方向の寸法は、製造上の誤差により、最大で２０％程度ばらついている。

【0038】

ここで、磁性薄帯４０の第２軸Ｚに沿う方向の寸法の平均値を磁性薄帯厚さＴｍとし、非磁性層５０の第２軸Ｚに沿う方向の寸法の平均値を非磁性層厚さＴｎｍとする。各厚さの測定方法について説明する。

【0039】

先ず、各磁性薄帯４０の第２軸Ｚに沿う方向の寸法を測定する。図４に示すように、中心軸ＣＡに直交する断面について、６つの磁性薄帯４０及び５つの非磁性層５０がおさまるように、電子顕微鏡にて１枚の画像を撮影する。そして、当該画像中において、第２軸Ｚに沿う第２正方向Ｚ１へ並ぶ各磁性薄帯４０を、磁性薄帯４０Ａ、磁性薄帯４０Ｂ、磁性薄帯４０Ｃ、磁性薄帯４０Ｄ、磁性薄帯４０Ｅ、磁性薄帯４０Ｆとする。この場合に、当該画像において、磁性薄帯４０Ａの第２軸Ｚに沿う方向の最小の寸法を第１寸法Ｔｍ１として測定する。同様に、当該画像において、磁性薄帯４０Ｂの第２軸Ｚに沿う方向の最小の寸法を第２寸法Ｔｍ２として測定する。同様に、当該画像において、磁性薄帯４０Ｃの第２軸Ｚに沿う方向の最小の寸法を第３寸法Ｔｍ３として測定する。同様に、当該画像において、磁性薄帯４０Ｄの第２軸Ｚに沿う方向の最小の寸法を第４寸法Ｔｍ４として測定する。同様に、当該画像において、磁性薄帯４０Ｅの第２軸Ｚに沿う方向の最小の寸法を第５寸法Ｔｍ５として測定する。

【0040】

そして、これらの第１寸法Ｔｍ１～第５寸法Ｔｍ５の平均値を、磁性薄帯厚さＴｍとして算出する。上記実施形態においては、磁性薄帯厚さＴｍは、２０μｍである。さらに、第１寸法Ｔｍ１～第５寸法Ｔｍ５のそれぞれは、磁性薄帯厚さＴｍに対して、８０％以上１２０％以下の寸法である。

【0041】

次に、非磁性層５０の第２軸Ｚに沿う方向の寸法を測定する。図４に示すように、磁性薄帯厚さＴｍを測定した同じ画像中において、磁性薄帯４０Ａと磁性薄帯４０Ｂとの間に位置する非磁性層５０を非磁性層５０Ａとする。磁性薄帯４０Ｂと磁性薄帯４０Ｃとの間に位置する非磁性層５０を非磁性層５０Ｂとする。磁性薄帯４０Ｃと磁性薄帯４０Ｄとの間に位置する非磁性層５０を非磁性層５０Ｃとする。磁性薄帯４０Ｄと磁性薄帯４０Ｅとの間に位置する非磁性層５０を非磁性層５０Ｄとする。磁性薄帯４０Ｅと磁性薄帯４０Ｆとの間に位置する非磁性層５０を非磁性層５０Ｅとする。

【0042】

図４に示す画像中において、非磁性層５０Ａの第２軸Ｚに沿う方向の最小の寸法を第１寸法Ｔｎｍ１として測定する。非磁性層５０Ｂの第２軸Ｚに沿う方向の最小の寸法を第２寸法Ｔｎｍ２として測定する。非磁性層５０Ｃの第２軸Ｚに沿う方向の最小の寸法を第３寸法Ｔｎｍ３として測定する。非磁性層５０Ｄの第２軸Ｚに沿う方向の最小の寸法を第４寸法Ｔｎｍ４として測定する。非磁性層５０Ｅの第２軸Ｚに沿う方向の最小の寸法を第５寸法Ｔｎｍ５として測定する。

【0043】

そして、これらの第１寸法Ｔｎｍ１～第５寸法Ｔｎｍ５の平均値を、非磁性層厚さＴｎｍとして算出する。上記実施形態においては、非磁性層厚さＴｎｍは、３μｍより大きい。そのため、磁性薄帯厚さＴｍに対する非磁性層厚さＴｎｍの百分率は、１５％より大きい。すなわち、非磁性層厚さＴｎｍは、０．６μｍより大きく、磁性薄帯厚さＴｍに対する非磁性層厚さＴｎｍの百分率は、３％より大きい。さらに、第１寸法Ｔｎｍ１～第５寸法Ｔｎｍ５のそれぞれは、非磁性層厚さＴｎｍに対して、８０％以上１２０％以下の寸法である。

【0044】

（第１磁性薄帯について）
図３に示すように、中心軸ＣＡに直交する断面視において、インダクタ配線３０の第１正方向Ｘ１の端を第１配線端ＩＰ１とする。また、中心軸ＣＡに直交する断面視において、インダクタ配線３０の第１負方向Ｘ２の端を第２配線端ＩＰ２とする。

【0045】

そして、インダクタ配線３０に対して、第２軸Ｚに沿う方向に積層された磁性薄帯４０のうち、第１配線端ＩＰ１からの第２軸Ｚに沿う距離が最も短い磁性薄帯４０を第１磁性薄帯４１とする。なお、第２軸Ｚに沿う方向から視た場合に、少なくとも一部分がインダクタ配線３０に重複する磁性薄帯４０が、インダクタ配線３０に対して第２軸Ｚに沿う方向に積層された磁性薄帯４０である。したがって、本実施形態では、第１部分Ｐ１における磁性薄帯４０及び第３部分Ｐ３における磁性薄帯４０が、インダクタ配線３０に対して第２軸Ｚに沿う方向に積層された磁性薄帯４０である。一方で、第２部分Ｐ２における磁性薄帯４０は、インダクタ配線３０に対して第２軸Ｚに沿う方向に積層されていない。また、第１磁性薄帯４１は、第１部分Ｐ１における磁性薄帯４０のうち最も第２負方向Ｚ２に位置する磁性薄帯４０と、第３部分Ｐ３における磁性薄帯４０のうち最も第２正方向Ｚ１に位置する磁性薄帯４０と、である。

【0046】

図３に示すように、１つの磁性薄帯４０において、第１正方向Ｘ１の端を第１端ＭＰ１とし、第１負方向Ｘ２の端を第２端ＭＰ２とする。このとき、１つの磁性薄帯４０における第１軸Ｘに沿う方向の両端を除く範囲を、第１範囲ＡＲ１とする。換言すれば、１つの磁性薄帯４０において、第２端ＭＰ２の第１軸Ｘに沿う方向の位置を示す座標を０とする。１つの磁性薄帯４０において、第１軸Ｘに沿う第１正方向Ｘ１の第１端ＭＰ１の第１軸Ｘに沿う方向の位置を示す座標を１とする。このときに、第１軸Ｘに沿う方向の位置を示す座標が、０より大きく１より小さい範囲が第１範囲ＡＲ１である。そして、図３に示すように、第１配線端ＩＰ１を通過するとともに、第２軸Ｚに沿う方向に第１仮想直線ＶＬ１を引く。このとき、第１仮想直線ＶＬ１は、第１磁性薄帯４１の第１範囲ＡＲ１内を通っている。

【0047】

また、本実施形態では、第１部分Ｐ１において、複数の磁性薄帯４０が、インダクタ配線３０に対して第２正方向Ｚ１に連続して積層されている。そして、中心軸ＣＡに直交する断面視において、第１仮想直線ＶＬ１は、第１磁性薄帯４１から第２正方向Ｚ１に連続して積層された複数の磁性薄帯４０のうち、第１磁性薄帯４１を含めて連続して積層された２つ以上の磁性薄帯４０の第１範囲ＡＲ１内を通っている。具体的には、第１仮想直線ＶＬ１は、第１部分Ｐ１に含まれている磁性薄帯４０のうち、第１磁性薄帯４１に連続して積層されたすべての磁性薄帯４０の第１範囲ＡＲ１内を通っている。

【0048】

第１磁性薄帯４１の第１軸Ｘに沿う第１正方向Ｘ１の反対方向である第１負方向Ｘ２の第２端ＭＰ２を通過するとともに、第２軸Ｚに沿う方向に第２仮想直線ＶＬ２を引く。このとき、第２仮想直線ＶＬ２は、インダクタ配線３０を通っている。本実施形態では、インダクタ配線３０の第１軸Ｘに沿う方向の概ね中央に位置している。

【0049】

なお、本実施形態においては、インダクタ部品１０は、第１軸Ｘに沿う方向における中心を通る第２軸Ｚを対称軸として、線対称の構造となっている。ここで、インダクタ配線３０の第２配線端ＩＰ２を通過するとともに、第２軸Ｚに沿う方向に第３仮想直線ＶＬ３を引く。また、インダクタ配線３０に対して、第２軸Ｚに沿う方向に積層された磁性薄帯４０のうち、第２配線端ＩＰ２からの第２軸Ｚに沿う距離が最も短い磁性薄帯４０を第２磁性薄帯４２とする。この場合に、当該第３仮想直線ＶＬ３は、中心軸ＣＡに直交する断面視において、第２磁性薄帯４２の第１範囲ＡＲ１内を通っている。より具体的には、第３仮想直線ＶＬ３は、第２磁性薄帯４２の第１軸Ｘに沿う方向の中央を通っている。

【0050】

また、本実施形態では、中心軸ＣＡに直交する断面視において、第３仮想直線ＶＬ３は、第２磁性薄帯４２を含めて連続して積層された２つ以上の磁性薄帯４０の第１範囲ＡＲ１内を通っている。具体的には、第３仮想直線ＶＬ３は、第１部分Ｐ１に含まれている磁性薄帯４０のうち、第２磁性薄帯４２に連続して積層されたすべての磁性薄帯４０の第１範囲ＡＲ１内を通っている。

【0051】

さらに、中心軸ＣＡに直交する断面視において、第３仮想直線ＶＬ３は、第３部分Ｐ３に含まれている磁性薄帯４０のうち、第２磁性薄帯４２を含めて連続して積層された２つ以上の磁性薄帯４０の第１範囲ＡＲ１内を通っている。具体的には、第３仮想直線ＶＬ３は、第３部分Ｐ３に含まれている磁性薄帯４０のうち、第２磁性薄帯４２に連続して積層されたすべての磁性薄帯４０の第１範囲ＡＲ１内を通っている。より具体的には、第３仮想直線ＶＬ３は、第２磁性薄帯４２に連続して積層されたすべての磁性薄帯４０の中央を通っている。このように、中心軸ＣＡに直交する断面視において、第３仮想直線ＶＬ３が、第２磁性薄帯４２に対して、上記の第１範囲ＡＲ１を通ることが好ましい。

【0052】

（インダクタ部品の製造方法）
次に、インダクタ部品１０の製造方法を説明する。
図５に示すように、先ず、銅箔８１を準備する銅箔準備工程を行う。銅箔８１は、インダクタ配線３０を構成するため、銅箔８１の厚さは、インダクタ配線３０として必要な厚さのものを準備する。なお、以下の説明では、銅箔８１は、当該銅箔８１の２つの主面が第２軸Ｚに直交するように配置されているものとし、且つ中心軸ＣＡに直交する断面を示して説明する。

【0053】

次に、図６に示すように、銅箔８１の第２軸Ｚに直交する両主面のうち、第２軸Ｚに沿う方向から視たときに、第２部分Ｐ２における複数の磁性薄帯４０が占める範囲以外を被覆する第１被覆工程を行う。具体的には、先ず、銅箔８１の第２軸Ｚに沿う第２負方向Ｚ２を向く面のうち、第２部分Ｐ２における複数の磁性薄帯４０が占める範囲以外を被覆する第１被覆部８２を形成する。第１被覆部８２を形成するにあたっては、銅箔８１の第２軸Ｚに沿う第２負方向Ｚ２を向く面全体に、感光性のドライフィルムレジストを塗布する。次に、第１被覆部８２を形成する部分について露光することで、ドライフィルムレジストを硬化させる。次に、同様に、銅箔８１の第２軸Ｚに沿う第２正方向Ｚ１を向く面にも、ドライフィルムレジストを塗布するとともに、第１被覆部８２を形成する部分について露光することで、ドライフィルムレジストを硬化させる。その後、塗布したドライフィルムレジストのうち硬化していない部分を、薬液により剥離除去させる。これにより、塗布したドライフィルムレジストのうち、硬化している部分が、第１被覆部８２として形成される。なお、後述する他の工程におけるフォトリソグラフィも、同様の工程であるので、詳細な説明は省略する。

【0054】

次に、図７に示すように、第１被覆部８２から露出している銅箔８１をエッチングする銅箔エッチング工程を行う。部分的に第１被覆部８２に被覆された銅箔８１についてエッチングすることで、露出している銅箔８１を除去する。

【0055】

次に、図８に示すように、第１被覆部８２を取り除く第１被覆部除去工程を行う。具体的には、薬品によって、第１被覆部８２をウェットエッチングすることにより、第１被覆部８２を剥離する。

【0056】

次に、銅箔８１の第２軸Ｚに直交する両面のうち、第２軸Ｚに沿う方向から視たときに、複数の磁性薄帯４０が占める範囲を被覆する第２被覆工程を行う。具体的には、先ず、図９に示すように、銅箔８１の第２軸Ｚに沿う第２正方向Ｚ１を向く面全体に、ドライフィルムレジストＲを塗布する。次に、図１０に示すように、フォトリソグラフィによって、銅箔８１の第２軸Ｚに沿う第２正方向Ｚ１を向く面のうち、第２軸Ｚに沿う方向から視たときに、磁性薄帯４０及び非磁性層５０が占める範囲以外を被覆する第２被覆部８３を形成する。その後、同様に、フォトリソグラフィによって、銅箔８１の第２軸Ｚに沿う第２負方向Ｚ２を向く面のうち、第２軸Ｚに沿う方向から視たときに、磁性薄帯４０及び非磁性層５０が占める範囲以外を被覆する第２被覆部８３を形成する。

【0057】

次に、磁性薄帯４０及び非磁性層５０が積層されている積層体８４を準備する積層体準備工程を行う。
先ず、例えば、磁性薄帯４０として、薄帯を準備する。薄帯は、例えば、東北マグネットインスティテュート社製ＮＡＮＯＭＥＴ（登録商標）、日立金属社製Ｍｅｔｇｌａｓ（登録商標）やＦＩＮＥＭＥＴ（登録商標）、ＦｅＳｉＢ、ＦｅＳｉＢＣｒ等からなるものである。この薄帯を１０ｍｍ角に切断する。切断した薄帯に非磁性材からなる例えばエポキシ樹脂フィルムを積層する。エポキシ樹脂フィルムは、薄帯の厚さの３％より大きい予め定められた厚さとなっている。本実施形態では、薄帯の厚さに対するエポキシ樹脂フィルムの厚さの百分率は１５％より大きく、エポキシ樹脂フィルムの厚さは、３μｍより大きい。さらに、積層したエポキシ樹脂フィルムに、切断した薄帯を積層する。このように、薄帯と非磁性材とを交互に積層させた後、真空加熱加圧装置で薄帯と非磁性材とを硬化接着させる。そして、所望の大きさにダイシングすることにより複数の磁性薄帯４０及び非磁性層５０が積層された積層体８４を準備できる。本実施形態では、積層体８４は、第１部分Ｐ１及び第３部分Ｐ３における磁性薄帯４０及び非磁性層５０を構成する第１積層体８４Ａと、第２部分Ｐ２における磁性薄帯４０及び非磁性層５０を構成する第２積層体８４Ｂとの２種類を準備する。

【0058】

次に、積層体８４を配置する積層体配置工程を行う。
図１１に示すように、積層体８４のうち、第３部分Ｐ３における磁性薄帯４０及び非磁性層５０を構成する第１積層体８４Ａを、銅箔８１の第２軸Ｚに沿う第２正方向Ｚ１を向く面に、熱可塑性接着剤８５によって仮接着させる。なお、熱可塑性接着剤８５は、図１１～図１６では、太線で示す。

【0059】

次に、図１２に示すように、第２軸Ｚに沿う方向に全体を反転させる。そして、図１３に示すように、積層体８４のうち、第２部分Ｐ２における磁性薄帯４０及び非磁性層５０を構成する第２積層体８４Ｂを、第１積層体８４Ａの第２軸Ｚに沿う第２正方向Ｚ１を向く面のうち、銅箔８１に接していない部分に配置させる。具体的には、プレス等により積層体８４を銅箔８１の開口部に押し込むことで、第２積層体８４Ｂを配置させることができる。

【0060】

次に、図１４に示すように、積層体８４のうち、第１部分Ｐ１における磁性薄帯４０及び非磁性層５０を構成する第１積層体８４Ａを、銅箔８１の第２軸Ｚに沿う第２正方向Ｚ１を向く面及び第２積層体８４Ｂに沿う第２正方向Ｚ１を向く面に、熱可塑性接着剤８５によって仮接着させる。これにより、積層体８４を配置させる。

【0061】

次に、図１５に示すように、プレス工程を行う。全体を非磁性材である樹脂材８６で覆った状態で、プレス加工を行う。これにより、第２軸Ｚに沿う方向の各層が圧着される。
次に、図１６に示すように、個片化加工工程を行う。具体的には、例えば、破断線ＤＬにてダイシングにより個片化する。上述した第２被覆部８３のうち、第１軸Ｘに沿う方向に並ぶ第１積層体８４Ａの間の部分は、非磁性部６０となる。また、第２被覆部８３のうち、中心軸ＣＡに沿う方向に並ぶ第１積層体８４Ａの間、第２積層体８４Ｂの間の部分は、非磁性部６０となる。さらに、熱可塑性接着剤８５は、非磁性層５０の一部として、インダクタ配線３０の第２軸Ｚに沿う方向の両面に残存している。なお、図１６に示す例では、積層体８４の第１正方向Ｘ１における端面及び第１負方向Ｘ２における端面に沿って切断している。その後、積層体８４の第１正方向Ｘ１における端面及び第１負方向Ｘ２における端面に、非磁性材からなる非磁性膜７０を塗布する。これにより、インダクタ部品１０を形成できる。なお、この方法により熱可塑性接着剤８５がインダクタ配線３０の第１正方向Ｘ１を向く側面側及び第１負方向Ｘ２を向く側面側にも回り込むため、磁性薄帯４０とインダクタ配線３０とは直接接触せず絶縁性が確保される。

【0062】

（シミュレーションについて）
次に、インダクタ部品１０について得られる特性を、比較例のインダクタ部品と比較したシミュレーション結果について説明する。シミュレーションには、ムラタソフトウェア株式会社のＦｅｍｔｅｔ（登録商標）を用いた。

【0063】

先ず、シミュレーションの条件について説明する。
使用したソフトは、ムラタソフトウェア製のＦｅｍｔｅｔ２０１９である。ソルバは、磁場調和解析である。モデルは、３次元である。標準メッシュサイズは、０．２５ｍｍである。磁性体は、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｃｒ及びＢからなるアモルファス金属磁性薄帯である。比透磁率μｒは、７０００であり、飽和磁束密度Ｂｓは、１．３Ｔである。磁性体ＢＨ曲線は、Ｂ＝Ｂｓ×ｔａｎｈ（μ０×μｒ×Ｈ／Ｂｓ）を満たすものを使用した。なお、磁性体ＢＨ曲線は、真空の透磁率以下にならないように、比透磁率μｒが１以上の部分を使用し、さらにＦｅｍｔｅｔ２０１９の機能を使って、真空の透磁率へ外挿した。インダクタ配線３０の材質は、銅である。また、磁性体の導電率は、０．５６８１８１８１８ＭＳ／ｍである。配線印加電流は、３００ｋＨｚの正弦波で振幅は、２．２５Ａである。

【0064】

次に、シミュレーションに使用するインダクタ部品のモデルの寸法や位置についての条件について説明する。
インダクタ配線３０の第１軸Ｘに沿う方向の寸法は、１０００μｍである。インダクタ配線３０の第２軸Ｚに沿う方向の寸法は、１００μｍである。インダクタ配線３０の中心軸ＣＡに沿う方向の寸法は、２４００μｍｍである。

【0065】

磁性薄帯４０の第１軸Ｘに沿う方向の寸法は、９９０μｍである。磁性薄帯４０の第２軸Ｚに沿う方向の寸法は、２０μｍである。磁性薄帯４０の中心軸ＣＡに沿う方向の寸法は、９９０μｍである。

【0066】

非磁性層５０は、非磁性体且つ絶縁体である。非磁性層５０の第２軸Ｚに沿う方向の寸法は、０．０６～１０．００μｍである。非磁性部６０の第１軸Ｘに沿う方向の寸法は、２０μｍである。非磁性部６０の中心軸ＣＡに沿う方向の寸法は、２０μｍである。磁性薄帯４０の第２軸Ｚに沿う方向に積層する数は、４１個である。磁性薄帯４０の第１軸Ｘに沿う方向に並ぶ数は、２個である。磁性薄帯４０の中心軸ＣＡに沿う方向に並ぶ数は、２個である。

【0067】

インダクタ配線３０の位置は、インダクタ配線３０の重心が、素体２０の重心位置に一致するように配置した。非磁性層５０、非磁性部６０及び非磁性膜７０の非磁性材の比透磁率μｒは、１とした。なお、インダクタ配線３０と磁性薄帯４０とが接する部分には、１００ｎｍの非磁性且つ絶縁性のギャップを設けた。

【0068】

インダクタ部品１０の第１軸Ｘに沿う方向の寸法は、２０２０μｍである。シミュレーションにおいては、素体２０は、非磁性膜７０と同じ非磁性材の膜を、中心軸ＣＡに沿う方向の両端に有している。当該膜の中心軸ＣＡに沿う方向の寸法は、１０μｍである。そのため、素体２０の中心軸ＣＡに沿う方向の寸法は、２０２０μｍである。すなわち、このシミュレーションにおいて、インダクタ配線３０の中心軸ＣＡに沿う方向の寸法は、素体２０の中心軸ＣＡに沿う方向の寸法よりも３８０μｍだけ大きい。そのため、素体２０の正方向Ｙ１の端面からインダクタ配線３０が１９０μｍだけ突出し、素体２０の負方向Ｙ２の端面からインダクタ配線３０が１９０μｍだけ突出した状態で、シミュレーションが行われる。また、インダクタ部品１０の第２軸Ｚに沿う方向の寸法は、非磁性層５０の第２軸Ｚに沿う方向の寸法によって、変化する。

【0069】

図１７に示すように、非磁性層５０の第２軸Ｚに沿う方向の寸法を、０．０６～１０．００μｍの範囲内で変更して、配線印加電流を、３００ｋＨｚの正弦波で振幅を２．２５Ａとした場合に得られる渦電流損失ＡＣｌｏｓｓをシミュレーションによって算出した。渦電流損失ＡＣｌｏｓｓは、ジュール熱として算出されている。なお、非磁性層厚さＴｎｍを調整するためには、上述した製造方法における例えばエポキシ樹脂フィルムの厚さを変更すればよい。

【0070】

算出されたシミュレーション結果によれば、渦電流損失ＡＣｌｏｓｓは、非磁性層厚さＴｎｍと相関があることが分かった。全体としては、非磁性層厚さＴｎｍが小さいほど、渦電流損失ＡＣｌｏｓｓが小さい傾向であった。非磁性層厚さＴｎｍが０．６μｍ以下、すなわち磁性薄帯厚さＴｍに対する非磁性層厚さＴｎｍの百分率が３％以下である場合、渦電流損失ＡＣｌｏｓｓは、ほぼ変化しない。一方で、非磁性層厚さＴｎｍが０．６μｍより大きい場合、すなわち磁性薄帯厚さＴｍに対する非磁性層厚さＴｎｍの百分率が３％より大きい場合、非磁性層厚さＴｎｍが大きくなるほど、渦電流損失ＡＣｌｏｓｓは小さく算出された。さらに、非磁性反厚さＴｎｍが３．０μｍより大きい場合、すなわち磁性薄帯厚さＴｍに対する非磁性層厚さＴｎｍの百分率が１５％より大きい場合、非磁性層厚さＴｎｍが０．６μｍ以下である場合と比べて、渦電流損失ＡＣｌｏｓｓは、約３分の２以下の値であった。すなわち、非磁性反厚さＴｎｍが３．０μｍより大きい場合、非磁性層厚さＴｎｍが０．６μｍ以下である場合と比べて、渦電流損失ＡＣｌｏｓｓを約３分の１以上削減する効果があった。

【0071】

（本実施形態の効果について）
次に、上記実施形態の効果について説明する。
（１）上記実施形態によれば、素体２０は、複数の磁性薄帯４０と、複数の非磁性層５０と、を有している。複数の磁性薄帯４０は、第２軸Ｚに沿って積層されており、各非磁性層５０は、第２軸Ｚに沿って隣り合う磁性薄帯４０の間に位置している。すなわち、上記実施形態のインダクタ部品１０は、第２軸Ｚに沿って積層されるという磁性薄帯４０の規則的な構造を有する。

【0072】

図１７にシミュレーション結果として示しているように、磁性薄帯厚さＴｍに対する非磁性層厚さＴｎｍの百分率が３％以下の場合には、非磁性層厚さＴｎｍを変化させても、渦電流損失ＡＣｌｏｓｓは、ほぼ変化しない。上記実施形態によれば、磁性薄帯厚さＴｍに対する非磁性層厚さＴｎｍの百分率が３％よりも大きい。そのため、図１７にシミュレーション結果として示しているように、非磁性層厚さＴｎｍが大きくなるほど、渦電流損失ＡＣｌｏｓｓが小さくなる相関がある。よって、上記実施形態によれば、磁性薄帯厚さＴｍに対する非磁性層厚さＴｎｍの百分率が３％以下の場合と比べて、発生する渦電流損失ＡＣｌｏｓｓを抑制できる。

【0073】

（２）上記実施形態によれば、非磁性層厚さＴｎｍは０．６μｍよりも大きい。このように非磁性層厚さＴｎｍが十分に大きければ、磁性薄帯厚さＴｍによらず、発生する渦電流損失ＡＣｌｏｓｓを抑制できる。

【0074】

（３）図１７に示すシミュレーション結果では、非磁性層厚さＴｎｍが３μｍより大きい場合、非磁性層厚さＴｎｍが０．６μｍ以下の場合と比べて、発生する渦電流損失ＡＣｌｏｓｓが、約３分の２、又はそれ以下である。すなわち、磁性薄帯厚さＴｍに対する非磁性層厚さＴｎｍの百分率が１５％より大きい場合には、磁性薄帯厚さＴｍに対する非磁性層厚さＴｎｍの百分率が３％以下の場合と比べて、発生する渦電流損失ＡＣｌｏｓｓを約３分の１以上抑制できる。

【0075】

（４）上記実施形態によれば、非磁性層厚さＴｎｍは３μｍよりも大きい。このように非磁性層厚さＴｎｍが十分に大きければ、磁性薄帯厚さＴｍによらず、発生する渦電流損失ＡＣｌｏｓｓを大幅に抑制できる。

【0076】

（５）インダクタ配線３０に中心軸ＣＡに沿う方向に電流が流れたときに発生する磁束の中には、磁性薄帯４０に対して、第２軸Ｚに沿う方向に侵入する磁束が含まれる。このように侵入する磁束は、磁性薄帯４０に渦電流を生じさせる。また、この渦電流は、第２軸Ｚに沿う方向から視たとき、１つ当たりの磁性薄帯４０の面積が大きいほど、大きくなる。渦電流が生じると、磁束のエネルギーが熱エネルギーとして失われることになるので、損失が生じる。

【0077】

上記実施形態によれば、磁性薄帯４０は、第２軸Ｚに沿う同一の位置において、第３軸に沿う方向に２個、第４軸に沿う方向に並んでいる。そのため、第２部分Ｐ２における磁性薄帯４０が、第２軸Ｚに沿う同一の位置において１個である場合よりも、第２軸Ｚに沿う方向から視たときの磁性薄帯４０の面積が小さくなる。よって、１つの磁性薄帯４０で発生する渦電流が小さくなる。

【0078】

（６）上記実施形態によれば、磁性薄帯４０は、第２軸Ｚに沿う同一の位置において、第１軸Ｘに沿う方向に２個並んでいる。そのため、インダクタ配線３０の第１配線端ＩＰ１を通る第１仮想直線ＶＬ１が通る第１磁性薄帯４１と、インダクタ配線３０の第２配線端ＩＰ２を通る第３仮想直線ＶＬ３が通る第２磁性薄帯４２とは、異なる磁性薄帯４０である。よって、インダクタ配線３０の第１軸Ｘに沿う方向の寸法としてある程度の大きさを確保しつつ、インダクタ配線３０と第１磁性薄帯４１との位置関係として上述した位置関係を実現できる。

【0079】

（７）上記実施形態によれば、すべての磁性薄帯４０の第２軸Ｚに沿う方向の寸法は、磁性薄帯厚さＴｍに対して、８０％以上１２０％以下の寸法である。すなわち、すべての磁性薄帯４０の第２軸Ｚに沿う方向の寸法は、ほぼ等しいといえる。そのため、各磁性薄帯４０内での磁束密度が均一化し、特定の箇所において磁束が集中して飽和しにくい。その結果、素体２０全体で見た場合の磁束密度が向上する。

【0080】

（８）上記第１実施形態によれば、すべての非磁性層５０の第２軸Ｚに沿う方向の寸法は、非磁性層厚さＴｎｍに対して、８０％以上１２０％以下の寸法である。すなわち、すべての非磁性層５０の第２軸Ｚに沿う方向の寸法は、ほぼ等しいといえる。そのため、非磁性層５０と磁性薄帯４０との界面で生じる磁束の乱れを均一化できる。

【0081】

（９）上記実施形態によれば、第１仮想直線ＶＬ１は、第１磁性薄帯４１の第１範囲ＡＲ１内を通っている。そのため、インダクタ配線３０に電流が流れたときに発生する磁束のうち、インダクタ配線３０の第１配線端ＩＰ１の近傍において、第１仮想直線ＶＬ１に沿う向きの磁束の大半は、第１磁性薄帯４１の第１軸Ｘに沿う方向の端を除く部分を通過する。すなわち、インダクタ配線３０に電流が流れたときに発生する磁束のうち、第１磁性薄帯４１に沿う方向の端を通過する磁束が少なくなる。そのため、磁束が乱れたり、磁束が局所に集中したりすることを抑制できる。こうした第１磁性薄帯４１とインダクタ配線３０との位置関係によれば、磁性材の充填率に拠らずとも、得られるインダクタンスＬが大きくなる。

【0082】

＜その他の実施形態＞
上記実施形態は、以下のように変更して実施することができる。上記実施形態及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で組み合わせて実施することができる。

【0083】

・上記実施形態において、素体２０の形状は、上記実施形態の例に限られない。例えば、第２軸Ｚに沿う方向から視たときに、素体２０の形状は、長方形状であってもよいし、四角形以外の多角形であってもよい。さらに例えば、第２軸Ｚに沿う方向から視たときに、素体２０の形状は、楕円等の円状であってもよい。また、素体２０の形状は、第３軸に沿う方向における寸法と第４軸に沿う方向における寸法とが異なる直方体や、立方体、多角柱、円柱等であってもよい。

【0084】

・上記実施形態において、インダクタ配線３０とは、電流が流れた場合に磁性薄帯４０に磁束を発生させることによって、インダクタ部品１０にインダクタンスＬを付与できるものであれば、形状は適宜に変更できる。

【0085】

例えば、図１８に示す変更例のインダクタ部品１１０では、中心軸ＣＡに直交する断面において、インダクタ配線１３０は、楕円状である。そして、インダクタ配線１３０に外接するとともに、第１軸Ｘに沿う第１辺及び第２軸Ｚに沿う第２辺を有する面積が最小の仮想長方形ＶＲ２を描く。このとき、仮想長方形ＶＲ２の第１辺は、仮想長方形ＶＲ２の第２辺よりも長い。このように、仮想長方形ＶＲ２の長辺が第１軸Ｘと平行であると、磁束のより集中する配線断面の第１軸Ｘに沿う方向の端部には、第１磁性薄帯４１の反磁界の小さい領域が対応するため、より好ましい。

【0086】

また、上記実施形態において、中心軸ＣＡに直交する断面におけるインダクタ配線３０の形状は、第２軸Ｚに沿う第２辺が、第１軸Ｘに沿う第１辺よりも長くてもよい。この場合であっても、インダクタ配線３０の第１正方向Ｘ１の端である第１配線端ＩＰ１には、磁束が集中する。そのため、このように、磁束のより集中する配線断面の第１配線端ＩＰ１には、第１磁性薄帯４１の反磁界の小さい領域が対応するため、より好ましい。

【0087】

さらに、中心軸ＣＡに直交する断面において、インダクタ配線３０の形状は、１つ以上の突出部分を含む場合等、線対称や回転対称等の対称性を有しない形状であってもよい。このように、中心軸ＣＡに直交する断面において、対称性が崩れていると、磁束が他よりも集中する箇所が発生する。そして、突出部分等のように磁束が他よりも集中する箇所が第１配線端ＩＰ１となるように、第１磁性薄帯４１の位置関係を定めることが好ましい。

【0088】

また、例えば、中心軸ＣＡに直交する断面において、インダクタ配線３０の形状は、正方形状であってもよいし、真円状であってもよい。この場合、中心軸ＣＡに直交する断面において描く仮想長方形ＶＲは正方形となり、仮想長方形ＶＲの第１辺は、仮想長方形ＶＲの第２辺より長くなくてもよい。

【0089】

なお、第１磁性薄帯４１は、中心軸ＣＡに直交する断面におけるインダクタ配線３０の形状に併せて定められる。図１８に示す変更例では、インダクタ配線１３０に対して、第２軸Ｚに沿う方向に積層された磁性薄帯４０のうち、第１配線端ＩＰ１からの第２軸Ｚに沿う距離が最も短い磁性薄帯４０は、第２部分Ｐ２に含まれる磁性薄帯４０の１つである。この場合であっても、第１仮想直線ＶＬ１が、第１磁性薄帯４１の第１範囲ＡＲ１を通っていればよい。

【0090】

・上記実施形態において、インダクタ配線３０の第１軸Ｘに沿う方向の位置は、上記実施形態の例に限られない。第１仮想直線ＶＬ１が、第１磁性薄帯４１を含む第２軸Ｚに沿う方向に連続して並ぶ５つの磁性薄帯４０の第１範囲ＡＲ１内を通ることが好ましく、すべての磁性薄帯４０の第１範囲ＡＲ１内を通ることがより好ましい。そのため、第１仮想直線ＶＬ１が、すべての磁性薄帯４０の第１軸Ｘに沿う方向における略中央を通っていなくてもよい。また、第１仮想直線ＶＬ１が、第１磁性薄帯４１の第１範囲ＡＲ１外にあってもよい。

【0091】

・上記実施形態において、インダクタ配線３０の形状は、直線状に限られない。磁性薄帯４０の主面ＭＦに沿って延びていればよく、例えば、全体として湾曲している形状や、ミアンダ形状であってもよい。例えば、上述したシミュレーションのように、インダクタ配線３０の両端が素体から突出していてもよい。

【0092】

また、インダクタ配線３０が、主面ＭＦと交差する方向に延びる引出配線や、第２軸Ｚに沿う方向に延びるビア配線等に接続されていてもよい。さらに、複数のインダクタ配線３０が第２軸Ｚに沿う方向に延びるビア配線に接続されて、全体として、弦巻形状やヘリカル状の三次元螺旋状であってもよい。この場合には、磁性薄帯４０の主面ＭＦに沿って延びている部分が、インダクタ配線３０である。

【0093】

・上記実施形態において、インダクタ配線３０の材質は、導電性材料であれば、上記実施形態の例に限られない。例えば、インダクタ配線３０の材質は、導電性の樹脂であってもよい。

【0094】

・上記実施形態において、中心軸ＣＡと、第３軸とは、一致していなくてもよい。また、第４軸は、第１軸Ｘと一致していなくてもよい。例えば、上述したようにインダクタ配線３０の形状がミアンダ形状の場合、中心軸ＣＡはミアンダ状に延びる。この場合、第３軸は第２軸Ｚに直交し、第４軸は、第２軸Ｚと直交し、第３軸に交差すればよい。この場合であっても、磁性薄帯４０が第３軸に沿う方向に複数個並んでいたり、第４軸に沿う方向に複数個並んでいたりすれば、磁性薄帯４０が第２軸Ｚに沿う同一の位置において１個である場合よりも、第２軸Ｚに沿う方向から視たときの磁性薄帯４０の面積が小さくなる。そのため、１つの磁性薄帯４０で発生する渦電流が小さくなる。

【0095】

・上記実施形態で説明した第１配線端ＩＰ１を通る第１仮想直線ＶＬ１と第１磁性薄帯４１の第１範囲ＡＲ１との位置関係は、中心軸ＣＡに直交するインダクタ配線３０の断面のうち、いずれか１つの断面において満たしていればよい。つまり、インダクタ配線３０のすべての領域において、第１仮想直線ＶＬ１と第１磁性薄帯４１の第１範囲ＡＲ１の位置関係が満たされていなくてもよい。なお、第１配線端ＩＰ１を通る第１仮想直線ＶＬ１と第１磁性薄帯４１の第１範囲ＡＲ１との位置関係を満たす断面が１つも有していなくてもよい。すなわち、インダクタ配線３０の第１配線端ＩＰ１の第１軸Ｘに沿う方向の位置が、第１磁性薄帯４１の第１範囲ＡＲ１内でなくてもよく、第１磁性薄帯４１の第１軸Ｘに沿う方向の端に一致していてもよい。

【0096】

・上記実施形態において、インダクタ配線３０が素体２０から露出している部分には、外部電極が接続されていてもよい。例えば、インダクタ配線３０の中心軸ＣＡに沿う方向の両端面、及び素体２０の中心軸ＣＡに沿う方向の両端面に、塗布、印刷、めっき等によって、外部電極を形成してもよい。

【0097】

・上記実施形態において、複数の磁性薄帯４０と複数の非磁性層５０とが積層される方向は、製造上の誤差等により、中心軸ＣＡ及び第１軸Ｘに対して直交しないこともある。上記実施形態において、磁性薄帯４０等が「第２軸Ｚに沿う方向に積層されている」というのは、このような製造上の誤差などを許容するものである。

【0098】

・上記実施形態において、第２軸Ｚに沿う方向に積層される磁性薄帯４０の数は、２個以上であればよい。この場合、２つの磁性薄帯４０の間に、インダクタ配線３０及び非磁性層５０が配置されていればよい。

【0099】

・上記実施形態において、磁性薄帯４０の材質は、磁性材であれば、上記実施形態の例に限られない。例えば、Ｆｅであってもよいし、Ｎｉであってもよい。また、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｂ、Ｐ以外の金属磁性材であってもよい。

【0100】

・上記実施形態において、非磁性層５０の材質は、非磁性材であれば、上記実施形態の例に限られない。非磁性層５０は、アクリル樹脂や、エポキシ樹脂、シリコン樹脂以外の樹脂であってもよいし、アルミナ、シリカ、ガラス等の非磁性セラミックスやこれらを含む非磁性無機物であってもよいし、空隙であってもよく、さらにこれらの混合物であってもよい。この点、非磁性部６０及び非磁性膜７０についても同様である。また、非磁性層５０、非磁性部６０及び非磁性膜７０の材質は、非磁性材であれば、互いに異なっていてもよいし、部分的に異なっていてもよい。

【0101】

・上記実施形態において、非磁性層５０、非磁性部６０、非磁性膜７０は一体化していてもよいし、別の部材であってもよい。例えば、非磁性層５０は、中空であってもよいし、磁性薄帯４０の表面が酸化した酸化膜が絶縁体となって構成されていてもよい。

【0102】

・上記実施形態において、非磁性部６０を省いてもよい。この場合、第３軸又は第４軸に沿う方向に並ぶ磁性薄帯４０同士が直接接触していてもよい。また、非磁性部６０が、インダクタ配線３０と磁性薄帯４０との間に存在していてもよい。この場合、非磁性部６０によって、インダクタ配線３０と磁性薄帯４０との間の絶縁性を確保できる。

【0103】

なお、「複数の磁性薄帯４０が積層された」及び「複数の磁性薄帯４０が並ぶ」とは、具体的には、隣接する磁性薄帯４０同士が完全に又は部分的に絶縁されている場合や微視的に物理的な境界が存在する場合を指す。例えば、磁性薄帯４０同士が焼結されて完全に一体化されている状態等は含まない。

【0104】

・上記実施形態において、素体２０は、複数の磁性薄帯４０と、複数の非磁性層５０と、を有していれば、素体２０の構成は、変更できる。例えば、第２部分Ｐ２のうちのインダクタ配線３０を除く部分全てを磁性薄帯４０で構成してもよいし非磁性層５０で構成してもよい。また、第２部分Ｐ２のうちのインダクタ配線３０を除く部分全てを磁性薄帯４０で構成する場合、その磁性薄帯４０は粉体状の磁性材と非磁性材とのコンポジット材であってもよい。このようなコンポジット材としては、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｂからなるアモルファス金属粒子と樹脂とのメタルコンポジット材が挙げられる。

【0105】

・上記実施形態によれば、磁性薄帯４０は、第２軸Ｚに沿う同一の位置において、第１軸Ｘに沿う方向に２個並んでおり、中心軸ＣＡすなわち第３軸に沿う方向に２個並んでいる。すなわち、「Ｍ」及び「Ｎ」を正の整数とした場合、磁性薄帯４０は、第２軸Ｚに沿う同一の位置において、第３軸に沿う方向に「Ｍ」個並んでおり、第１軸Ｘすなわち第４軸に沿う方向に「Ｎ」個並んでおり、「Ｍ」及び「Ｎ」のいずれも２である。上記実施形態において、第４軸に沿う方向に並ぶ第１磁性薄帯４１の数である「Ｍ」は、１個であってもよいし、３個以上であってもよい。また、中心軸ＣＡに沿う方向に並ぶ磁性薄帯４０の数である「Ｎ」は、１個であってもよいし、３個以上であってもよい。なお、「Ｍ」及び「Ｎ」の少なくともいずれか一方が２以上であると、第２軸Ｚから視たときの１つ当たりの磁性薄帯４０の面積を小さくできるので、渦電流による損失を小さくしやすい。

【0106】

・上記実施形態で説明した磁性薄帯厚さＴｍと非磁性層厚さＴｎｍとの大小関係は、中心軸ＣＡに直交するインダクタ配線３０の断面のうち、いずれか１つの断面において満たしていればよい。つまり、インダクタ配線３０の全ての領域において、磁性薄帯厚さＴｍと非磁性層厚さＴｎｍとの大小関係が満たされていなくてもよい。

【0107】

・複数の磁性薄帯４０の第２軸Ｚに沿う方向の寸法は、互いに同一であってもよいし、磁性薄帯厚さＴｍに対して、２０％より大きくばらついていてもかまわない。
・複数の非磁性層５０の第２軸Ｚに沿う方向の寸法は、互いに同一であってもよいし、平均値に対して、２０％より大きくばらついていてもかまわない。少なくとも、非磁性層厚さＴｎｍが、磁性薄帯厚さＴｍに対して３％より大きければよい。なお、非磁性層厚さＴｎｍが、磁性薄帯厚さＴｍに対して１００％以下であると、素体２０の第２軸Ｚに沿う方向の寸法の大型化を回避しやすい。また、非磁性層厚さＴｎｍが、磁性薄帯厚さＴｍに対して５０％以下であると、素体２０における磁性薄帯４０の割合を担保するうえで好適である。

【0108】

・上記実施形態において、非磁性部６０の数や位置は、上記実施形態の例に限られない。第１軸Ｘに沿う方向や中心軸ＣＡに沿う方向における磁性薄帯４０の数や位置に併せて、非磁性部６０の数や位置を変更すればよい。また、非磁性部６０の大きさも、第２軸Ｚに沿う方向における同一の位置における磁性薄帯４０の間隔に併せて、適宜変更すればよい。

【0109】

・上記実施形態において、非磁性膜７０は省略してもよい。なお、非磁性膜７０を形成する場合には、例えば、インダクタ部品１０の製造方法において、第２被覆部８３の第１軸Ｘ及び中心軸ＣＡに沿う方向の隙間に対して、積層体８４の第１軸Ｘ及び中心軸ＣＡに沿う方向の寸法が小さく設定すればよい。この場合、第２被覆部８３と積層体８４との隙間に、樹脂材８６が入り込むことで、非磁性膜７０を形成できる。

【0110】

・上記実施形態において、インダクタ部品１０の製造方法は、上記実施形態の例に限られない。例えば、積層体８４を、第２被覆部８３に配置せずに、素体２０を第２軸Ｚに沿う方向に積層される複数のシートを形成して、これらの複数のシートを積層させることによって、素体２０を形成してもよい。

【符号の説明】

【0111】

１０，１１０…インダクタ部品
２０…素体
３０，１３０…インダクタ配線
４０…磁性薄帯
４１…第１磁性薄帯
４２…第２磁性薄帯
５０…非磁性層
６０…非磁性部
７０…非磁性膜
ＡＲ１…第１範囲
ＣＡ…中心軸
ＭＦ…主面
ＭＰ１…第１端
ＭＰ２…第２端
Ｔｍ…磁性薄帯厚さ
Ｔｎｍ…非磁性層厚さ
ＶＬ１…第１仮想直線
ＶＬ２…第２仮想直線
ＶＲ，ＶＲ２…仮想長方形
Ｘ…第１軸
Ｚ…第２軸

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】