特許7605364IP Force 特許公報全文掲載

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炭化珪素基板の表面にエピタキシャル膜を有するＳｉＣエピタキシャル基板およびその製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、エピタキシャル成長によるエピタキシャル膜を形成する際には、の他に、平坦性を損なう場合がある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

一実施の形態におけるＳｉＣエピタキシャル基板は、炭化珪素基板の表面に、炭化珪素をエピタキシャル成長させたエピタキシャル膜を有するＳｉＣエピタキシャル基板であって、前記ＳｉＣエピタキシャル基板は、前記エピタキシャル膜からなる第１主面と、その反対面である第２主面とを有し、前記第２主面において、１０ｍｍ角のサイトを基準にしたＳＢＩＲの最大値が０．１μｍ以上１．５μｍ以下の条件を満たす。

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

一実施の形態のＳｉＣエピタキシャル基板およびその製造方法によれば、平坦性の高いＳｉＣエピタキシャル基板を提供することができる。また、この平坦性の高いＳｉＣエピタキシャル基板は、半導体チップの製造工程の１つであるフォトリソグラフィーにおいて、マスクパターンの基板主面に対して垂直方向のずれを抑制でき、半導体チップの製造歩留まりを向上することができる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 一実施の形態におけるＳｉＣエピタキシャル基板の側面図である。
【図2】 図１のＳｉＣエピタキシャル基板において、平坦性を評価するサイトの区分けの一例を示す図である。
【図3】 ＳＢＩＲの測定方法を説明するための図である。
【図4】 ＳＦＱＲの測定方法を説明するための図である。
【図5】 一実施の形態におけるＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法を説明するための図である。
【図6】 一実施の形態におけるＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法を説明するための図である。
【図7】 一実施の形態におけるＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法を説明するための図である。
【図8】 一実施の形態におけるＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法を説明するための図である。
【図9】 一実施の形態におけるＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法を説明するための図である。
【図10】 一実施の形態におけるＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法を説明するための図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１ ＳｉＣエピタキシャル基板 １ａ，１ｂ 主面 ２，２１ 炭化珪素基板 ３ エピタキシャル膜 １０ サイト ２２ 保護膜 ２３ 真空チャック ２３ａ ベースプレート ２３ｂ 吸着プレート ２４ 研磨定盤

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