特許 7605387 Ｒ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B1)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-12-16

(45)【発行日】2024-12-24

(54)【発明の名称】Ｒ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01F 41/02 20060101AFI20241217BHJP

   B22F 1/00 20220101ALI20241217BHJP

   B22F 1/05 20220101ALI20241217BHJP

   B22F 3/00 20210101ALI20241217BHJP

   H01F 1/057 20060101ALI20241217BHJP

【ＦＩ】

H01F41/02 G

B22F1/00 Y

B22F1/05

B22F3/00 F

H01F1/057 130

H01F1/057 170

【請求項の数】 7

(21)【出願番号】P 2024559717

(86)(22)【出願日】2024-02-13

(86)【国際出願番号】 JP2024004870

【審査請求日】2024-10-08

(31)【優先権主張番号】P 2023026978

(32)【優先日】2023-02-24

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

【早期審査対象出願】

(73)【特許権者】

【識別番号】000005083

【氏名又は名称】株式会社プロテリアル

(74)【代理人】

【識別番号】100101683

【弁理士】

【氏名又は名称】奥田 誠司

(74)【代理人】

【識別番号】100155000

【弁理士】

【氏名又は名称】喜多 修市

(72)【発明者】

【氏名】石井 倫太郎

(72)【発明者】

【氏名】國吉 太

【審査官】秋山 直人

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２００８／１３９５５６（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０２１－１０６２７１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２１－７７８６８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００３－３４２６０１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２２－１５１４８３（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｆ ４１／０２

Ｂ２２Ｆ １／００

Ｂ２２Ｆ １／０５

Ｂ２２Ｆ ３／００

Ｈ０１Ｆ １／０５７

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

Ｒ－Ｔ－Ｑ系磁石合金（Ｒは、希土類元素の少なくとも一つであり、ＮｄおよびＰｒの少なくとも一方を必ず含む、ＴはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｍｎ、ＣｒおよびＶからなる元素の群から選択された少なくとも１つでありＦｅを必ず含む、ＱはＢおよびＣである）を粉砕して合金粉末を作製する粉砕工程と、
前記合金粉末の成形体を作製する粉末成形工程と、
前記成形体を焼結してＲ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石を作製する焼結工程と、
を含み、
前記Ｒ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石のＲ含有量は、前記Ｒ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石全体の３０ｍａｓｓ％以下であり、Ｂ含有量は、前記Ｒ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石全体の０．９０ｍａｓｓ％以下であり、ＢおよびＣの合計含有量は０．９９ｍａｓｓ％以下であり、
前記粉砕工程は、水素粉砕工程と微粉砕工程とを含み、
前記水素粉砕工程は、
処理室内において２００℃以下の温度で前記Ｒ－Ｔ－Ｑ系磁石合金に水素を吸蔵させる水素吸蔵工程と、
前記処理室内から水素を排気し、前記合金を８０℃以上３５０℃以下の範囲に加熱することによって脱水素処理を行い、水素含有量が１０００ｐｐｍ以上２０００ｐｐｍ以下の粗粉砕粉を作製する脱水素工程と、
を含み、
前記微粉砕工程は、前記粗粉砕粉を粉砕してメディアン径ｄ５０を３．５μｍ以下の微粉を得る工程を含む、Ｒ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石の製造方法。

【請求項2】

前記水素含有量は１０００ｐｐｍ以上１８００ｐｐｍ以下である、請求項１に記載のＲ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石の製造方法。

【請求項3】

前記Ｒ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石におけるＤｙおよびＴｂの合計含有量は０．５ｍａｓｓ％以下（０ｍａｓｓ％を含む）であり、
Ｂ_ｒ≧１．３９Ｔ
Ｈ_ｃＪ≧１６４０ｋＡ／ｍ
である、請求項１に記載のＲ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石の製造方法。

【請求項4】

前記微粉砕工程は、前記粗粉砕粉を粉砕してメディアン径ｄ５０を３．３μｍ以下の微粉を得る工程を含む、請求項１から３のいずれか１項に記載のＲ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石の製造方法。

【請求項5】

前記微粉砕工程は、前記粗粉砕粉に有機系の粉砕助剤を混合する工程を含む、請求項１から３のいずれか１項に記載のＲ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石の製造方法。

【請求項6】

前記粉末成形工程は、湿式成形法によって行われる、請求項１から３のいずれか１項に記載のＲ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石の製造方法。

【請求項7】

前記微粉砕工程は、ジェットミル装置を用いて行われる、請求項１から３のいずれか１項に記載のＲ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、Ｒ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石（Ｒは希土類元素のうちの少なくとも一種である。Ｔは遷移金属元素のうち少なくとも一種でありＦｅを必ず含む。Ｂは硼素である）は永久磁石の中で最も高性能な磁石として知られており、電気自動車用（ＥＶ、ＨＶ、ＰＨＶなど）モータ、産業機器用モータなどの各種モータや家電製品などに使用されている。Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石は、主としてＲ_２Ｔ_１４Ｂ化合物からなる主相と、この主相の粒界部分に位置する粒界相（以下、単に「粒界」という場合がある）とから構成されている。Ｒ_２Ｔ_１４Ｂ化合物は高い磁化を持つ強磁性相である。

【0003】

Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石は、高温で保磁力Ｈ_ｃＪ（以下、単に「保磁力」又は「Ｈ_ｃＪ」という場合がある）が低下して不可逆熱減磁が起こるという問題がある。そのため、特に電気自動車用モータに使用されるＲ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石では、高温下でも高いＨ_ｃＪを有することが要求されている。

【0004】

Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石において、Ｒ_２Ｔ_１４Ｂ化合物中のＲに含まれる軽希土類元素（主としてＮｄ及び／又はＰｒ）の一部を重希土類元素（主としてＤｙ及び／又はＴｂ）で置換すると、Ｈ_ｃＪが向上することが知られている。重希土類元素の置換量の増加に伴いＨ_ｃＪは向上する。

【0005】

しかし、Ｒ_２Ｔ_１４Ｂ化合物中の軽希土類元素を重希土類元素で置換すると、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石のＨ_ｃＪが向上する一方、残留磁束密度Ｂ_ｒ（以下、単に「Ｂ_ｒ」という場合がある）が低下する。また、重希土類元素、特にＤｙなどは資源存在量が少ないうえ、産出地が限定されている、などの理由から供給が安定しておらず、価格が大きく変動するなどの問題を有している。そのため、近年、ユーザーから重希土類元素をできるだけ使用することなくＨ_ｃＪを向上させることが求められている。

【0006】

特許文献１には、Ｄｙの含有量を低減しつつ保磁力を高めたＲ－Ｔ－Ｑ系希土類焼結磁石が開示されている。この焼結磁石の組成は、一般に用いられてきたＲ－Ｔ－Ｑ系合金に比べてＢ量が相対的に少ない特定の範囲に限定され、かつ、Ａｌ、Ｇａ、Ｃｕのうちから選ばれる１種以上の金属元素を含有している。その結果、粒界にＲ_２Ｔ_１７相が生成され、このＲ_２Ｔ_１７相から粒界に形成される遷移金属リッチ相（Ｒ_６Ｔ_１３Ｍ）の体積比率が増加することにより、Ｈ_ｃＪが向上する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0007】

【文献】国際公開第２０１３／００８７５６号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0008】

重希土類元素の含有量を低減しつつ、高いＢ_ｒ及び高いＨ_ｃＪを有するＲ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石の実現するため、Ｂ量（硼素濃度）を相対的に少なくすることによって二粒子粒界を厚く制御する技術が検討されている。しかし、二粒子粒界を厚くするには、Ｂ量だけではなく、Ｃ量も低減することが必要であることがわかった。Ｃは、主相においてＢと部分的に置換し、Ｂと同様の働きをし得るからである。以下、ＢおよびＣを合わせてＱで表し、「Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石」を「Ｒ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石」と称する場合がある。

【0009】

一方、粉末粒子の粒径（粉末粒度）を低下させると、製造工程中に磁石粉末に取り込まれる炭素）が増加し、焼結磁石のＣ量が増加することもがわかった。このため、粉末粒度を低下させた場合、製造工程におけるＣ量増加を抑制することが求められる。

【0010】

本開示のＲ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石の製造方法は、粉末粒度を低下させた場合でも、Ｃ量の増加を抑制することを可能にする。

【課題を解決するための手段】

【0011】

本開示のＲ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石の製造方法は、限定的ではない例示的な実施形態において、Ｒ－Ｔ－Ｑ系磁石合金（Ｒは、希土類元素の少なくとも一つであり、ＮｄおよびＰｒの少なくとも一方を必ず含む、ＴはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｍｎ、ＣｒおよびＶからなる群から選択された少なくとも１つであり、ＱはＢおよびＣである）を粉砕して合金粉末を作製する粉砕工程と、前記合金粉末の成形体を焼結してＲ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石を作製する工程とを含む。前記Ｒ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石のＲ含有量は、前記Ｒ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石全体の３０ｍａｓｓ％以下であり、ＱのＢ含有量は、前記Ｒ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石全体の０．９０ｍａｓｓ％以下であり、ＢおよびＣの合計含有量は０．９９ｍａｓｓ％以下である。前記粉砕工程は、水素粉砕工程と微粉砕工程とを含み、前記水素粉砕工程は、処理室内において２００℃以下の温度で前記合金に水素を吸蔵させる水素吸蔵工程と、前記処理室内から水素を排気し、前記合金を８０℃以上３５０℃以下の範囲に加熱することによって脱水素処理を行い、水素含有量が１０００ｐｐｍ以上２０００ｐｐｍ以下の粗粉砕粉を作製する脱水素工程とを含む。前記微粉砕工程は、前記粗粉砕粉を粉砕してメディアン径ｄ５０が３．５μｍ以下の微粉を得る工程を含む。

【発明の効果】

【0012】

本開示の実施形態によると、粉末粒度を低下させた場合でもＣ量を低減することを可能にする。その結果、Ｂ量およびＣ量を所望の範囲に制御して二粒子粒界を改質したＲ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1A】Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の主相と粒界相を示す模式図である。

【図1B】図１Ａの破線矩形領域内を更に拡大した模式図である。

【図2】本開示の実施形態におけるＲ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石の製造方法の概略を示すフローチャートである。

【図3】本開示の実験例におけるサンプル（試料Ｎｏ．１～２８）の最終的に得られたＲ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石の組成を示す表である。

【図4】本開示の実験例におけるサンプル（試料Ｎｏ．１～２８）の製造条件および磁気特性を示す表である。

【図5】本開示の実験例および参考例における粗粉水素量［ｐｐｍ］のベーキング温度依存性を示すグラフである。

【図6】本開示の実験例の各グループＩ～ＩＶにおける試料のＢ_ｒとＨ_ｃＪをとの関係を示すグラフである。

【図7】本開示の実験例の各グループＩ～ＩＶにおける試料のＨ_ｃＪとＢ含有量との関係を示すグラフである。

【図8】本開示の実験例の各グループＩ～ＩＶにおける試料のＨ_ｃＪと（Ｂ＋Ｃ）含有量との関係を示すグラフである。

【図9】本開示の実験例の各グループＩ～ＩＶにおける試料のＢ_ｒとＢ含有量との関係を示すグラフである

【図10】本開示の実験例におけるサンプル（試料Ｎｏ．２９～３８）の最終的に得られたＲ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石の組成を示す表である。

【図11】本開示の実験例におけるサンプル（試料Ｎｏ．２９～３８）の製造条件および磁気特性を示す表である。

【図12】本開示の実験例におけるサンプル（試料Ｎｏ．３９～４９）の最終的に得られたＲ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石の組成を示す表である。

【図13】本開示の実験例におけるサンプル（試料Ｎｏ．３９～４９）の製造条件および磁気特性を示す表である。

【図14】本開示の実験例の各グループＶＩＩＩ、ＩＸにおける試料のＢ_ｒとＨ_ｃＪをとの関係を示すグラフである。

【図15】本開示の実験例の各グループＶＩＩＩ、ＩＸにおける試料のＨ_ｃＪとＢ含有量との関係を示すグラフである。

【図16】本開示の実験例の各グループＶＩＩＩ、ＩＸにおける試料のＨ_ｃＪと（Ｂ＋Ｃ）含有量との関係を示すグラフである。

【発明を実施するための形態】

【0014】

従来、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石において、例えば、（１）Ｒ（希土類元素のうち少なくとも一種でありＮｄ及びＰｒの少なくとも一方を必ず含む）の含有量をＲ－Ｔ－Ｂ系焼結体全体の２７ｍａｓｓ％以上３４ｍａｓｓ％以下とし、（２）ＴがＦｅ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｍｎ、およびＳｉからなる群から選択された少なくとも１つであり、Ｔが必ずＦｅを含有し、Ｔ全体に対するＦｅの含有量が８０ｍａｓｓ％以上である場合において、（３）Ｂに対するＴのｍｏｌ比（［Ｔ］／［Ｂ］）が１４．０超１５．０以下であるとき、Ｇａなどの元素を添加することにより、二粒子粒界を厚くしてＨ_ｃＪの向上が可能になることが知られている。

【0015】

Ｂに対するＴのｍｏｌ比（［Ｔ］／［Ｂ］）は、Ｔを構成する各元素（Ｆｅ又はＣｏ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｓｉの少なくとも１つとＦｅ）の濃度の分析値（ｍａｓｓ％）をそれぞれの元素の原子量で除した値を求め、それらの値を合計したｍｏｌ数（ａ）の、Ｂの濃度の分析値（ｍａｓｓ％）をＢの原子量で除したｍｏｌ数（ｂ）に対する比（ａ／ｂ）である。

【0016】

Ｂに対するＴのｍｏｌ比（［Ｔ］／［Ｂ］）が１４．０を超えることは、Ｂの含有比率がＲ_２Ｔ_１４Ｂ化合物の化学量論組成比よりも低いことを意味している。この場合、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石において、主相（Ｒ_２Ｔ_１４Ｂ化合物）の形成に使われるＴの量に対して相対的にＢ量が少なくなる。

【0017】

次に、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の基本構造を説明する。

【0018】

Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石は、原料合金の粉末粒子が焼結によって結合した構造を有しており、主としてＲ_２Ｔ_１４Ｂ化合物からなる主相と、この主相の粒界部分に位置する粒界相とから構成されている。

【0019】

図１Ａは、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の主相と粒界相を示す模式図であり、図１Ｂは図１Ａの破線矩形領域内を更に拡大した模式図である。図１Ａには、一例として長さ５μｍの矢印が大きさを示す基準の長さとして参考のために記載されている。図１Ａ及び図１Ｂに示されるように、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石は、主としてＲ_２Ｔ_１４Ｂ化合物からなる主相１２と、主相１２の粒界部分に位置する粒界相１４とから構成されている。また、粒界相１４は、図１Ｂに示されるように、２つのＲ_２Ｔ_１４Ｂ化合物粒子（グレイン）が隣接する二粒子粒界相１４ａと、３つ以上のＲ_２Ｔ_１４Ｂ化合物粒子が隣接する粒界三重点１４ｂとを含む。

【0020】

主相１２であるＲ_２Ｔ_１４Ｂ化合物は高い飽和磁化と異方性磁界を持つ強磁性相である。したがって、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石では、主相１２であるＲ_２Ｔ_１４Ｂ化合物の存在比率を高めることによってＢ_ｒを向上させることができる。Ｒ_２Ｔ_１４Ｂ化合物の存在比率を高めるためには、原料合金中のＲ量、Ｔ量、Ｂ量を、Ｒ_２Ｔ_１４Ｂ化合物の化学量論比（Ｒ量：Ｔ量：Ｂ量＝２：１４：１）に近づければよい。Ｒ_２Ｔ_１４Ｂ化合物を形成するためのＢ量又はＲ量が化学量論比を下回ると、一般的には、粒界相１４にＦｅ相又はＲ_２Ｔ_１７相等のソフト磁性相が生成し、Ｈ_ｃＪが急激に低下する。しかし、Ｂ量をＲ_２Ｔ_１４Ｂ化合物の化学量論比よりも少なくし、且つ、Ａｌ、Ｇａ、Ｃｕのうちから選ばれる１種以上の金属元素Ｍを含有させると、Ｒ_２Ｔ_１７相から粒界に遷移金属リッチ相（例えばＲ－Ｔ－Ｇａ相）が生成されるなどして、二粒子粒界が厚くなり、その結果、高いＨ_ｃＪを得ることができる。

【0021】

前述したように、Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石においては、二粒子粒界を厚くするためにはＢ量だけでなく硼素（Ｂ）と類似した働きをする炭素（Ｃ）の量が重要である。本発明者の検討によると、原料となる磁石合金を粉砕して得られる粉末の成形体を製造工程中にＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石に含まれる炭素（Ｃ）が増加することは、好ましくない。

【0022】

＜実施形態＞
次に、本開示のＲ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石の製造方法の実施形態を説明する。

【0023】

まず、図２を参照しながら、本実施形態のＲ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石の製造方法の概略を説明する。

【0024】

本実施形態におけるＲ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石の製造方法は、図２に示されるように、Ｒ－Ｔ－Ｑ系磁石合金を粉砕して合金粉末を作製する粉砕工程Ｓ１００と、合金粉末の成形体を作製する粉末成形工程Ｓ２００と、成形体を焼結してＲ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石を作製する焼結工程Ｓ３００とを含む。ここで、Ｒは、希土類元素の少なくとも一つであり、ＮｄおよびＰｒの少なくとも一方を必ず含む。Ｔはｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｍｎ、ＣｒおよびＶからなる元素の群から選択された少なくとも１つであり、Ｆｅを必ず含む。ＱはＢおよびＣである。Ｒ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石のＲ含有量は、Ｒ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石全体の３０ｍａｓｓ％以下である。Ｂ含有量は、Ｒ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石全体の０．９０ｍａｓｓ％以下であり、ＢおよびＣの合計含有量は０．９９ｍａｓｓ％以下である。好ましくは、Ｂ含有量は、Ｒ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石全体の０．８０ｍａｓｓ％以上０．９０ｍａｓｓ％以下であり、ＢおよびＣの合計含有量は０．８５ｍａｓｓ％以上０．９９ｍａｓｓ％以下である。Ｒ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石のＲ含有量は、Ｒ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石全体の３０ｍａｓｓ％以下とした上で、Ｂ含有量やＢおよびＣの合計含有量を本開示の範囲にすることで、Ｒ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石の粒界にＲ_６Ｔ_１３Ｇａが形成されて、二粒子粒界が厚くなり、１．３９Ｔ以上のＢ_ｒおよび１６４０ｋＡ／ｍを超える高いＨ_ｃＪが実現する。また、更に確実に二粒子粒界を厚くするためには、Ｔのｍｏｌ比（［Ｔ］／［Ｂ］）が１４．０超１５．０以下であることが更に好ましい。原料合金は一例を挙げると、ストリップキャスト法などで作製される。このような組成を有することにより、前述した二粒子粒界を厚くして高いＨ_ｃＪを実現する効果を得ることが可能になる。

【0025】

粉砕工程Ｓ１００は、水素粉砕工程Ｓ１０と微粉砕工程Ｓ２０とを含む。

【0026】

水素粉砕工程Ｓ１０は、処理室内において２００℃以下の温度で上記の合金に水素を吸蔵させる水素吸蔵工程Ｓ１２と、処理室内から水素を排気し、合金を８０℃以上３５０℃以下の範囲に加熱することによって脱水素処理を行い、水素含有量が質量基準で１０００ｐｐｍ以上２０００ｐｐｍ以下の粗粉砕粉を作製する脱水素工程Ｓ１４と、を含む。

【0027】

本開示の実施形態では、この水素粉砕工程Ｓ１０において、水素吸蔵の温度を２００℃以下にすることにより、粗粉砕粉の水素含有量を１０００ｐｐｍ以上２０００ｐｐｍ以下に調整することが重要である。後述する実施例に示されるように、粗粉砕粉の水素含有量が１０００ｐｐｍ以上２０００ｐｐｍ以下の範囲にある場合、次の微粉砕工程Ｓ２０で得られる粉末（微粉砕粉）の粒度を低下させても、最終的に得られる焼結磁石中の炭素濃度増加を抑制する効果が得られる。水素含有量は１０００ｐｐｍ以上１８００ｐｐｍ以下であることが好ましい。

【0028】

微粉砕工程Ｓ２０は、粗粉砕粉を粉砕してメディアン径ｄ５０を３．５μｍ以下の微粉を得る工程を含む。微粉砕工程は、前記粗粉砕粉に有機系の粉砕助剤を混合する工程を含んでもよい。有機系の粉砕助剤としては、例えば、ステアリン酸亜鉛が挙げられる。微粉のメディアン径ｄ５０は、２．０μｍ以上３．５μｍ以下であることが好ましく、２．０μｍ以上３．０μｍ以下であることが更に好ましい。ここで、メディアン径ｄ５０は、気流分散式レーザ回折法による測定で得られる体積頻度中心値である。より具体的には、本開示の実施形態におけるメディアン径ｄ５０は、Ｓｙｍｐａｔｅｃ社製の粒度分布測定装置「ＨＥＬＯＳ＆ＲＯＤＯＳ」において
分散圧：４ｂａｒ
測定レンジ：Ｒ２
計算モード：ＨＲＬＤ
の条件にて測定されたｄ５０のことを示す。微粉砕工程Ｓ２０では、例えばジェットミル装置などを用いてメディアン径ｄ５０が３．５μｍ以下、好ましくは３．３μｍ以下（例えば３．０μｍ以下）に粉砕することができる。ただし、合金粉末のメディアン径ｄ５０を２．０μｍ未満にすることは非常に困難であり、生産効率が大幅に低下するため好ましくない。

【0029】

このようにしてメディアン径ｄ５０が３．５μｍ以下の粉末を得た後、粉末成形工程Ｓ２００において、例えば、磁界中で配向させて合金粉末の成形体を作製する。焼結工程Ｓ３００では、粉末の成形体を焼結してＲ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石を作製する。焼結温度は、例えば、成形体を９００℃以上１１００℃以下である。粉末成形工程Ｓ２００および焼結工程Ｓ３００の内容は特に限定されず、例えば公知の方法で実行される。

【0030】

粗粉砕粉の水素含有量を１０００ｐｐｍ以上２０００ｐｐｍ以下の範囲に調整することにより、最終的に得られるＲ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石の炭素濃度上昇を抑制できる理由は明確ではない。本発明者等は、焼結工程中に加熱された粉末粒子中の水素が、粉末の成形体に含まれる潤滑剤などの有機物中の炭素と結合して揮発成分を生成し、揮発しやすくなるからではないかと考えている。

【0031】

なお、従来、粉末粒子の水素含有量は低い方がよいと考えられてきた。粉末粒子に含まれる水素が多いと、焼結工程中に放出された水素が焼結体に再吸収されて焼結体が膨張し、その結果、焼結体が割れるという現象が観察されたからである。しかしながら、本発明の実験によれば、上記の組成範囲を有し、粒度が比較的小さな粉末粒子を用いる場合、粗粉砕粉の水素含有量が１０００ｐｐｍ以上２０００ｐｐｍ以下の範囲にある限り、そのような焼結体の割れは観察されなかった。また、水素含有量が１０００ｐｐｍよりも少なくなると、最終的に得られる焼結磁石中の炭素含有量を低下させることができない。

【0032】

本開示の実施形態によれば、Ｒ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石におけるＤｙおよびＴｂの合計含有量が０．５ｍａｓｓ％以下（０ｍａｓｓ％を含む）であっても、Ｂ_ｒ≧１．３９Ｔ、Ｈ_ｃＪ≧１６４０ｋＡ／ｍの優れた磁気特性を実現することが可能になる。

【0033】

上記の工程によって作製されるＲ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石に対して、その表面から内部に種々の元素を拡散してもよい。これにより磁石特性を高めることができる。この場合、拡散を行う前の「焼結体素材」と呼んでもよい。

【0034】

焼結体素材は、一種類の原料合金（単一原料合金）から作製してもよいし、二種類以上の原料合金を用いてそれらを混合する方法（ブレンド法）によって作製してもよい。また、得られた焼結体素材は、必要に応じて切断や切削など公知の機械加工を行った後、後述する第一の熱処理及び第二の熱処理を実施してもよい。

【0035】

本実施形態では、上記の方法によって得られた焼結体素材に対して、ＮｄおよびＰｒの少なくとも一方を表面から内部に向けて拡散させてもよい。そのような拡散の結果として、Ｒ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石は、磁石表面から磁石内部に向かってＮｄ濃度およびＰｒ濃度の少なくとも一方が漸減する部分を含む。また、同様に、Ｔｂ濃度およびＤｙ濃度の少なくとも一方を磁石表面から磁石内部に向けて拡散してもよい。そのような拡散の結果として、Ｒ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石は、磁石表面から磁石内部に向かってＴｂ濃度およびＤｙ濃度の少なくとも一方が漸減する部分を含む。

【0036】

・拡散源を準備する工程
まず、拡散源を準備する工程における拡散源の組成を説明する。

【0037】

拡散源は、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｈｏなどの重希土類元素から構成されてもよい。好ましくは、希土類元素として、Ｎｄ及びＰｒの少なくとも一方を必ず含む。希土類元素の５０ｍａｓｓ％以上がＰｒであることが好ましい。貴重な重希土類元素の含有量を抑制しつつ、より高いＨ_ｃＪを得ることができるからである。本開示によれば、重希土類元素を多量に用いずとも十分に高いＨ_ｃＪを得ることができる。そのため、重希土類元素の含有量は拡散源全体の１０ｍａｓｓ％以下であることが好ましく、５ｍａｓｓ％以下であることがより好ましく、含有しない（実質的に０ｍａｓｓ％）ことがさらに好ましい。拡散源が重希土類元素を含有する場合も、希土類元素の５０％以上がＰｒであることが好ましく、重希土類元素を除いた希土類元素がＰｒのみ（不可避的不純物は含む）であることがより好ましい。

【0038】

希土類元素として、Ｎｄ及びＰｒの少なくとも一方を必ず含む場合の含有量は、例えば、拡散源全体の３５ｍａｓｓ％以上８５ｍａｓｓ％未満であることが好ましい。希土類元素の含有量が３５ｍａｓｓ％未満では、後述する第一の熱処理で拡散が十分に進行しない可能性がある。一方、希土類元素の含有量が８５ｍａｓｓ％以上になると、拡散源の製造工程中における合金粉末が非常に活性になる。その結果、合金粉末の著しい酸化や発火などを生じることがある。

【0039】

拡散源は、上記元素の他に、Ｇａ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ａｌ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｖ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｈ、Ｆ、Ｐ、Ｓ、Ｃｌ、Ｏ、Ｎ、Ｃ等を含有してもよい。

【0040】

拡散源は、Ｎｄ－Ｆｅ－Ｍ系焼結磁石に代表される一般的な製造方法において採用されている原料合金の作製方法、例えば、金型鋳造法やストリップキャスト法や単ロール超急冷法（メルトスピニング法）やアトマイズ法などを用いて準備することができる。また、拡散源は、前記によって得られた合金をピンミルなどの公知の粉砕手段によって粉砕されたものであってもよい。また、前記によって得られた合金の粉砕性を向上させるために、水素雰囲気中で７００℃以下の熱処理を行って水素を含有させてから粉砕を行っても良い。

【0041】

・焼結体の表面から拡散源に含まれる元素を内部に拡散させる工程
真空又は不活性ガス雰囲気中、７００℃以上１１００℃以下の温度で熱処理をすることにより、焼結体の表面から拡散源に含まれる元素を内部に拡散させる。本開示において、この熱処理を第一の熱処理という。拡散のための熱処理温度が７００℃未満であると、拡散が不十分となり、高いＨ_ｃＪを得ることができない可能性がある。一方、１１００℃を超えると主相の異常粒成長が起こり、Ｈ_ｃＪの低下する可能性がある。拡散のための熱処理温度は、８００℃以上１０００℃以下が好ましい。より高いＨ_ｃＪを得ることができるからである。なお、熱処理時間は焼結体素材や拡散源の組成や寸法、熱処理温度などによって適正値を設定するが、５分以上３０時間以下が好ましく、１０分以上２５時間以下がより好ましく、３０分以上２０時間以下がさらに好ましい。また、拡散源は、焼結体素材の重量に対し１ｍａｓｓ％以上３０ｍａｓｓ％以下準備した方が好ましい。拡散源が焼結体素材の重量に対し１ｍａｓｓ％未満であるとＨ_ｃＪが低下する可能性がある。一方、３０ｍａｓｓ％を超えるとＢ_ｒが低下する可能性がある。

【0042】

拡散のための熱処理は、公知の熱処理方法を用いて行うことができる。例えば、焼結体素材表面を拡散源の粉末層で覆い、第一の熱処理を行うことができる。例えば、スパッタ法により、拡散源を焼結体素材表面にコーティングしたのちに、第一の熱処理を行ってもよい。例えば、拡散源を分散媒中に分散させたスラリーを焼結体素材表面に塗布した後、分散媒を蒸発させて拡散源と焼結体素材とを接触させてもよい。なお、分散媒として、アルコール（エタノール等）、ＮＭＰ（Ｎ－メチルピロリドン）、アルデヒド及びケトンを例示できる。また、第一の熱処理が実施された焼結体素材に対して切断や切削など公知の機械加工を行ってもよい。

【0043】

拡散のための熱処理が実施された焼結体素材に対して、真空又は不活性ガス雰囲気中、４５０℃以上６００℃以下の温度で熱処理を行ってもよい。本開示において、この熱処理を第二の熱処理という。第二の熱処理を行うことにより、高いＢ_ｒと高いＨ_ｃＪを得ることができる。第二の熱処理の温度が４５０℃以上６００℃以下とすることにより、Ｒ_６Ｔ_１３Ｇａ相の生成が進行する。第二の熱処理温度は、４８０℃以上５６０℃以下が好ましい。より高いＨ_ｃＪを得ることができる。なお、熱処理時間は焼結体素材の組成や寸法、熱処理温度などによって適正値を設定するが、５分以上２０時間以下が好ましく、１０分以上１５時間以下がより好ましく、３０分以上１０時間以下がさらに好ましい。

【実施例】

【0044】

以下、本開示を実験例（実施例および比較例を含む）により、さらに詳細に説明するが、本開示はそれらに限定されるものではない。

【0045】

図３の表は、本実験例におけるサンプル（試料Ｎｏ．１～２８）の最終的に得られたＲ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石の組成を示している。図３の表における「Ｓａｍｐｌｅ」のカラムには、５つのグループＩ～Ｖに分けられた２８個の試料Ｎｏ．が記載されている。各試料について、Ｒ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石の組成（ｍａｓｓ％）が記載されている。組成は、後述する製造方法を実行して得られたＲ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石の試料について、ＩＣＰ（高周波誘導結合プラズマ）発光分光分析法によりＦｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｄｙ、Ｂ、Ｃｏ，Ａｌ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｚｒの含有量を、堀場製作所製のガス分析装置、「ＥＭＧＡ－９３０」によりＨ量を、「ＥＭＧＡ－９２０」によりによりＯ量およびＮ量を、「ＥＭＩＡ－９２０Ｖ２／ＦＡ」によりＣ量をそれぞれ分析した。なお、図３の表に示される「ＴＲＥ」は、希土類合金の合計組成であり、「Ｂ＋Ｃ」は硼素（Ｂ）と炭素（Ｃ）の合計組成である。

【0046】

各試料は、以下の工程により得られた。

【0047】

まず、ストリップキャスト法により、フレーク状のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石用合金を作製した。Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石用合金は、図３の表に示される組成を実現するように各種の原料合金を溶融してから冷却凝固することによって得られた。

【0048】

得られたフレーク状の合金を水素粉砕装置の処理室内にいれ、処理室内において水素加圧雰囲気で水素吸蔵工程を行った。水素吸蔵工程は合金を２００℃以下の温度、具体的には８０℃にて行った。水素吸蔵工程により、合金は水素を吸蔵して脆化した。

【0049】

次に、処理室内で水素を排気し、真空中で所定の温度に加熱（ベーキング）した後、冷却する脱水素処理を行い、粗粉砕粉を得た。脱水素処理のためのベーキング温度は、図４の表に示されるように、グループＩ～ＩＶのそれぞれで異なる値に設定した。具体的には、グループＩ、ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶのベーキング温度は、それぞれ、５５０℃、３５０℃、１９０℃、１５０℃であった。グループＶでは、脱水素処理のための加熱（ベーキング）を行わなかった。

【0050】

このようにして得られた各試料の粗粉砕粉に含まれる水素量（粗粉水素量）を堀場製作所製のガス分析装置「ＥＭＧＡ－９３０」で測定した。粗粉水素量の測定値を図４の表に示す。本願における粗粉水素量の単位は、質量基準のｐｐｍ（ｐａｒｔｓ ｐｅｒ ｍｉｌｌｉｏｎ）で表すものとする。

【0051】

図５は、粗粉水素量［ｐｐｍ］のベーキング温度依存性を示すグラフである。図５のグラフには、希土類元素の合計組成ＴＲＥが３６ｍａｓｓ％および３２．９ｍａｓｓ％の参考例についても、粗粉水素量［ｐｐｍ］のベーキング温度依存性がそれぞれ点線および破線で示されている。

【0052】

図５からわかるように、ベーキング温度を低下させるほど、粗粉水素量は増加する。また、希土類元素の合計組成ＴＲＥが３０ｍａｓｓ％以下の粗粉水素量は、希土類元素の合計組成ＴＲＥが３０ｍａｓｓ％を超える場合には実現しない低い値を有することができる。本開示の実施例によれば、希土類元素の合計組成ＴＲＥが３０ｍａｓｓ％以下であるため、ベーキング温度を８０℃以上３５０℃以下の範囲で調整することにより、粗粉水素量を１０００ｐｐｍ以上２００ｐｐｍ以下の範囲に制御することができる。

【0053】

粗粉砕粉とステアリン酸亜鉛を混合し、気流式粉砕機（ジェットミル装置）に投入して微粉砕粉を得た。具体的には、メディアン径ｄ５０が３．５μｍの微粉砕粉を得た。微粉砕粉にカプリル酸メチルを添加後、ノルマルドデカンに浸漬してスラリーを準備した。得られたスラリーを磁界中で成形（湿式成形）し、成形体を得た。なお、成形装置には、磁界印加方向と加圧方向とが直交する、いわゆる直角磁界成形装置（横磁界成形装置）を用いた。

【0054】

得られた成形体を真空中において図４の表に示される焼結温度で約５時間保持する焼結工程を実行し、焼結体を得た。焼結体の密度は、図４の表に示されるように、いずれも７７．５×１０^３ｋｇ／ｍ³（＝７．５ｇ／ｃｍ^３）以上であった。

【0055】

焼結体に対して真空中で８００℃、２時間の熱処理を行なった後、一辺７．２ｍｍの立方体に加工した。加工後の立方体試料に対して５００℃、２時間の熱処理を行なった後、立方体試料の６面を研削して一辺７ｍｍの立方体に加工し、パルスＢ－Ｈトレーサで残留磁束密度Ｂ_ｒおよび保磁力Ｈ_ｃＪを測定した。なお、グループＶの試料はすべて割れてしまったため、磁気特性は測定しなかった。測定よって得られた各種の磁気特性（Ｂ_ｒ［Ｔ］、Ｈ_ｃＪ［ｋＡ／ｍ］、を図４の表に示す。

【0056】

図３および図４の表に示されるように、本発明例である、試料Ｎｏ．１０～１２、１５～１８、２１～２３では、Ｃ含有量が低く抑えられ、Ｂ含有量をＲ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石全体の０．９０ｍａｓｓ％以下、ＢおよびＣの合計含有量を０．９９ｍａｓｓ％以下にすることができた。これらの試料Ｎｏ．１０～１２、１５～１８、２１～２３は、いずれも、Ｒ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石におけるＤｙおよびＴｂの合計含有量は０．５ｍａｓｓ％以下（０ｍａｓｓ％を含む）であり、かつ、Ｂ_ｒ≧１．３９Ｔ、Ｈ_ｃＪ≧１６４０ｋＡ／ｍの優れた磁気特性を発揮することができた。

【0057】

図６は、各グループにおける試料のＢ_ｒとＨ_ｃＪをとの関係を示すグラフである。図７は、Ｈ_ｃＪとＢ含有量との関係を示すグラフであり、図８は、Ｈ_ｃＪと（Ｂ＋Ｃ）含有量との関係を示すグラフであり、図９は、Ｂ_ｒとＢ含有量との関係を示すグラフである。これらのグラフにおいて、グループＩ（試料Ｎｏ．１～６）のデータは四角で示され、グループＩＩ（試料Ｎｏ．７～１２）のデータは円で示され、グループＩＩＩ（試料Ｎｏ．１３～１８）のデータは菱形で示され、グループＩＶ（試料Ｎｏ．１９～２３）のデータは三角で示されている。

【0058】

図６からわかるように、ベーキング温度が５００℃のグループＩでは、相対的に高いＢ_ｒを得ることができるが、相対的に高いＨ_ｃＪを得ることは難しい。また、図７および図８からわかるように、グループＩでは、他のグループに比べて、Ｃ含有量が増加したため、ＢおよびＣの合計含有量が増加する傾向にある。更に、図９からわかるように、Ｂ含有量が同じ場合、ベーキング温度が低くなると、すなわち、粗粉水素量が増加すると、Ｂ_ｒは低下する傾向がある。このことから、ベーキング温度は例えば１００℃以上であることが好ましい。

【0059】

次に、微粉砕粉（微粉）の粒度を変えて同様の実験例を作製した。前述の実験例との主な相違点は、ベーキング温度および微粉砕工程にある。図１０の表におけるグループＶＩの試料Ｎｏ．２９～３３は、ベーキング温度を１５０℃に設定し、微粉砕工程では、メディアン径ｄ５０が３．３μｍとなるように粉砕を行った。これに対して、図１０の表におけるグループＶＩＩの試料Ｎｏ．３４～３８は、ベーキング温度を１５０℃に設定し、微粉砕工程においてメディアン径ｄ５０が３．６μｍとなるように粉砕を行った。

【0060】

図１１からわかるように、メディアン径ｄ５０が３．５μｍを超える３．６μｍの場合（グループＶＩＩ）、Ｂ_ｒ≧１．３９Ｔを達成したが、Ｈ_ｃＪ≧１６４０ｋＡ／ｍを達成できなかった。

【0061】

次に、微粉砕粉（微粉）の粒度を更に小さくして同様の実験例を作製した。前述の実験例との主な相違点は、脱水素処理のためのベーキング温度、微粉砕工程で作成する微粉のメディアン径ｄ５０、および、Ｒ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石におけるＤｙが０．３ｍａｓｓ％であることにある。Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石用合金は、図１２の表に示される組成を実現するように各種の原料合金を溶融してから冷却凝固することによって得られた。図１２の表におけるグループＶＩＩＩの試料Ｎｏ．３９～４４は、ベーキング温度を１００℃に設定し、微粉砕工程では、メディアン径ｄ５０が２．７μｍとなるように粉砕を行った。これに対して、図１２の表におけるグループＩＸの試料Ｎｏ．４５～４９は、ベーキング温度を５００℃に設定し、微粉砕工程においてメディアン径ｄ５０が２．７μｍとなるように粉砕を行った。

【0062】

微粉のメディアン径ｄ５０が小さくなるほど、理論的には、Ｈ_ｃＪを高めることが可能になる。しかし、現実には、メディアン径ｄ５０が小さくなる程、微粉を構成する各粉末粒子の単位体積当たりの表面積が増加するため、粉末粒子表面の影響によりＨ_ｃＪ増加を実現することが難しい。また、微粉を構成する各粉末粒子の単位体積当たりの表面積が増加すると、製造工程中にＣの含有量が増加しやすくなると考えられる。このため、微粉のメディアン径ｄ５０が例えば３．０μｍ以下になると、ＢおよびＣの合計含有量を０．９９ｍａｓｓ％以下に調整することが難しくなると考えられる。

【0063】

本実験例の結果、ベーキング温度が１００℃、メディアン径ｄ５０が２．７μｍの場合（グループＶＩＩＩ）における試料Ｎｏ．４１～４４では、図１３からわかるように、Ｂｒ≧１．３０Ｔを維持しながら、１７００ｋＡ／ｍ以上の高い値Ｈ_ｃＪを達成することができた。なお、図１２に示されるように、試料Ｎｏ．４１～４４におけるＢおよびＣの合計含有量は、０．９９ｍａｓｓ％以下であるのに対して、試料Ｎｏ．３９～４０におけるＢおよびＣの合計含有量は０．９９ｍａｓｓ％を超えていた。

【0064】

一方、ベーキング温度が５００℃、メディアン径ｄ５０が２．７μｍの場合（グループＩＸ）における試料Ｎｏ．４５～４９では、図１３からわかるように、粗粉水素量が１０００ｐｐｍよりも大幅に低く、Ｈ_ｃＪは１５００ｋＡ／ｍ以下であった。Ｒ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石が０．３ｍａｓｓ％のＤｙを含有していても、Ｈ_ｃＪは低い値であった。グループＩＸのすべての試料Ｎｏ．４５～４９におけるＢおよびＣの合計含有量は、図１２に示されるように、いずれも０．９９ｍａｓｓ％を超えてしまっていた。

【0065】

図１４は、グループＶＩＩＩおよびグループＩＸにおける試料のＢ_ｒとＨ_ｃＪをとの関係を示すグラフである。図１５は、Ｈ_ｃＪとＢ含有量との関係を示すグラフであり、図１６は、Ｈ_ｃＪと（Ｂ＋Ｃ）含有量との関係を示すグラフである。これらのグラフにおいて、グループＶＩＩＩ（試料Ｎｏ．３９～４４）のデータは白い菱形で示され、グループＩＸ（試料Ｎｏ．４５～４９）のデータは白い円で示されている。

【0066】

図１４からわかるように、メディアン径ｄ５０が２．７μｍと小さく、かつ、ベーキング温度が１００℃であるグループＶＩＩＩでは、高いＨ_ｃＪを実現できた。具体的には、グループＶＩＩＩのうちでも、ＢおよびＣの合計含有量が０．９９ｍａｓｓ％以下である試料Ｎｏ．４１～４４では、１７００ｋＡ／ｍを超える高いＨ_ｃＪを達成することができた。

【0067】

図１５および図１６からわかるように、ベーキング温度が１００℃のグループＶＩＩＩ（試料Ｎｏ．３９～４４）では、ベーキング温度が５００℃のグループＩＸ（試料Ｎｏ．４５～４９）に比べて、Ｃ含有量の増加が抑制され、ＢおよびＣの合計含有量が０．９９ｍａｓｓ％以下の低い値が実現した。一般に、メディアン径ｄ５０が小さくなる程、微粉の表面積が増加するため、製造工程中にＣ含有量が増加しやすいと考えられる。このため、本発明によるＣ含有量の増加を抑制する効果は、特にメディアン径ｄ５０が３．０μｍ以下の微粉を用いてＲ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石を製造する場合に顕著であると言える。

【0068】

本実験例から、メディアン径ｄ５０が３．０μｍ以下（例えば２．６～２．８μｍ)の微粉を作製する場合でも、水素粉砕工程におけるベーキング温度を調整して水素含有量が１０００ｐｐｍ以上２０００ｐｐｍ以下の粗粉砕粉を作製することにより、ＢおよびＣの合計含有量を所望の範囲に収めることが容易になるため、より高いＨ_ｃＪを達成できることがわかる。

【0069】

以上のように、本開示は、以下の項目に記載のＲ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石の製造方法を含む。

【0070】

［項目１］
Ｒ－Ｔ－Ｑ系磁石合金（Ｒは、希土類元素の少なくとも一つであり、ＮｄおよびＰｒの少なくとも一方を必ず含む、ＴはＦｅ又はＦｅとＣｏであり、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｍｎ、ＣｒおよびＶからなる元素の群から選択された少なくとも１つであり、ＱはＢおよびＣである）を粉砕して合金粉末を作製する粉砕工程と、
前記合金粉末の成形体を作製する粉末成形工程と、
前記成形体を焼結してＲ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石を作製する焼結工程と、
を含み、
前記Ｒ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石のＲ含有量は、前記Ｒ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石全体の３０ｍａｓｓ％以下であり、Ｂ含有量は、前記Ｒ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石全体の０．９０ｍａｓｓ％以下であり、ＢおよびＣの合計含有量は０．９９ｍａｓｓ％以下であり、
前記粉砕工程は、水素粉砕工程と微粉砕工程とを含み、
前記水素粉砕工程は、
処理室内において２００℃以下の温度で前記合金に水素を吸蔵させる水素吸蔵工程と、
前記処理室内から水素を排気し、前記合金を８０℃以上３５０℃以下の範囲に加熱することによって脱水素処理を行い、水素含有量が１０００ｐｐｍ以上２０００ｐｐｍ以下の粗粉砕粉を作製する脱水素工程と、
を含み、
前記微粉砕工程は、前記粗粉砕粉を粉砕してメディアン径ｄ５０を３．５μｍ以下の微粉を得る工程を含む、Ｒ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石の製造方法。

【0071】

［項目２］
前記水素含有量は１０００ｐｐｍ以上１８００ｐｐｍ以下である、項目１に記載のＲ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石の製造方法。

【0072】

［項目３］
前記Ｒ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石におけるＤｙおよびＴｂの合計含有量は０．５ｍａｓｓ％以下（０ｍａｓｓ％を含む）であり、
Ｂｒ≧１．３９Ｔ
ＨｃＪ≧１６４０ｋＡ／ｍ
である、項目１または２に記載のＲ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石の製造方法

【0073】

［項目４］
前記微粉砕工程は、前記粗粉砕粉を粉砕してメディアン径ｄ５０を３．３μｍ以下の微粉を得る工程を含む、項目１から３のいずれか１項に記載のＲ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石の製造方法。

【0074】

［項目５］
前記微粉砕工程は、前記粗粉砕粉に有機系の粉砕助剤を混合する工程を含む、項目１から４のいずれか１項に記載のＲ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石の製造方法。

【0075】

［項目６］
前記粉末成形工程は、湿式成形法によって行われる、項目１から５のいずれか１項に記載のＲ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石の製造方法。

【0076】

［項目７］
記微粉砕工程は、ジェットミル装置を用いて行われる、項目１から６のいずれか１項に記載のＲ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石の製造方法。

【0077】

［項目８］
前記Ｒ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石は、ＤｙおよびＴｂの少なくとも一方を含有し、ＤｙおよびＴｂの合計含有量は、０ｍａｓｓ％超０．５質量％以下であり、
Ｂｒ≧１．３０Ｔ
Ｈ_ｃＪ≧１７００ｋＡ／ｍ
である、項目１から７のいずれか１項に記載のＲ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石の製造方法

【0078】

［項目９］
前記微粉砕工程は、前記粗粉砕粉を粉砕してメディアン径ｄ５０を３．０μｍ以下の微粉を得る工程を含む、項目１から８のいずれか１項に記載のＲ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石の製造方法。

【符号の説明】

【0079】

１２ 主相
１４ 粒界相
１４ａ 二粒子粒界相
１４ｂ 粒界三重点

【要約】

本開示のＲ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石の製造方法は、Ｒ－Ｔ－Ｑ系磁石合金を粉砕して合金粉末を作製する粉砕工程と、合金粉末の成形体を焼結してＲ－Ｔ－Ｑ系焼結磁石を作製する工程とを含む。Ｒ含有量は３０ｍａｓｓ％以下であり、Ｂ含有量は０．９０ｍａｓｓ％以下であり、ＢおよびＣの合計含有量は０．９９ｍａｓｓ％以下である。粉砕工程は、水素粉砕工程と微粉砕工程とを含み、水素粉砕工程は、処理室内において２００℃以下の温度で前記合金に水素を吸蔵させる水素吸蔵工程と、処理室内から水素を排気し、前記合金を８０℃以上３５０℃以下の範囲に加熱することによって脱水素処理を行い、水素含有量が１０００ｐｐｍ以上２０００ｐｐｍ以下の粗粉砕粉を作製する脱水素工程とを含む。微粉砕工程は、粗粉砕粉を粉砕してメディアン径ｄ５０を３．５μｍ以下の微粉を得る。

【図1A】

【図1B】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】