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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-12-17
(45)【発行日】2024-12-25
(54)【発明の名称】フィルター通液量を向上させる方法
(51)【国際特許分類】
C09K 3/14 20060101AFI20241218BHJP
C09G 1/02 20060101ALI20241218BHJP
B24B 37/00 20120101ALI20241218BHJP
H01L 21/304 20060101ALI20241218BHJP
【ＦＩ】
C09K3/14 550D
C09K3/14 550Z
C09G1/02
B24B37/00 H
H01L21/304 622D
H01L21/304 622Q
【請求項の数】
12
(21)【出願番号】P 2020171485
(22)【出願日】2020-10-09
(65)【公開番号】P2022063114
(43)【公開日】2022-04-21
【審査請求日】2023-09-06
(73)【特許権者】
【識別番号】000000918
【氏名又は名称】花王株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000040
【氏名又は名称】弁理士法人池内アンドパートナーズ
(72)【発明者】
【氏名】三浦 穣史
(72)【発明者】
【氏名】若林 慧亮
(72)【発明者】
【氏名】吉野 太基
【審査官】柴田 啓二
(56)【参考文献】
【文献】特開２００８－２５２０２２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１１－１７１６８９（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１２／１６１２０２（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２０１６－０２０２９４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１９－０３６７１２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１９－１８６３４６（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｃ０９Ｋ ３／１４
Ｃ０９Ｇ １／０２
Ｂ２４Ｂ ３７／００
Ｈ０１Ｌ ２１／３０４
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
シリカ粒子を含有する研磨液組成物の、孔径０．２μｍフィルター通液量を向上させる方法であって、シリカ粒子（成分Ａ）及びアミノ基含有水溶性高分子（成分Ｂ）を配合し、ｐＨが８．５超１４以下であり、成分ＢのｐＫａとｐＨの差（ｐＨ－ｐＫａ）が２以上である研磨液組成物を調製することを含み、
前記成分Ａは、コロイダルシリカであり、平均一次粒子径が１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、平均二次粒子径が２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、会合度（＝平均二次粒子径／平均一次粒子径）が１．１以上３以下であり、
前記成分Ｂは、アリルアミン由来の構成単位を含むアミノ基含有水溶性高分子（成分Ｂ１）及びジアリルアミン由来の構成単位を含むアミノ基含有水溶性高分子（成分Ｂ２）の少なくとも一方であり、
前記成分Ｂ１は、アリルアミン由来の構成単位中のアミノ基の少なくとも一部がグリシドール誘導体による修飾基を有するものであり、
前記成分Ｂ２は、ジアリルアミン由来の構成単位及び二酸化硫黄由来の構成単位を含むものである、方法。
【請求項2】
研磨後のシリコン基板の表面品質を向上する方法であって、シリカ粒子（成分Ａ）及びアミノ基含有水溶性高分子（成分Ｂ）を含み、ｐＨが８．５超１４以下であり、成分ＢのｐＫａとｐＨの差（ｐＨ－ｐＫａ）が２以上である研磨液組成物を用いて被研磨シリコン基板を研磨することを含み、
前記成分Ａは、コロイダルシリカであり、平均一次粒子径が１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、平均二次粒子径が２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、会合度（＝平均二次粒子径／平均一次粒子径）が１．１以上３以下であり、
前記成分Ｂは、アリルアミン由来の構成単位を含むアミノ基含有水溶性高分子（成分Ｂ１）及びジアリルアミン由来の構成単位を含むアミノ基含有水溶性高分子（成分Ｂ２）の少なくとも一方であり、
前記成分Ｂ１は、アリルアミン由来の構成単位中のアミノ基の少なくとも一部がグリシドール誘導体による修飾基を有するものであり、
前記成分Ｂ２は、ジアリルアミン由来の構成単位及び二酸化硫黄由来の構成単位を含むものである、方法。
【請求項3】
研磨液組成物を用いて被研磨シリコン基板を研磨する工程を含む、シリコン基板の研磨方法であって、研磨液組成物が、シリカ粒子（成分Ａ）及びアミノ基含有水溶性高分子（成分Ｂ）を含み、ｐＨが８．５超１４以下であり、成分ＢのｐＫａとｐＨの差（ｐＨ－ｐＫａ）が２以上であり、
前記成分Ａは、コロイダルシリカであり、平均一次粒子径が１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、平均二次粒子径が２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、会合度（＝平均二次粒子径／平均一次粒子径）が１．１以上３以下であり、
前記成分Ｂは、アリルアミン由来の構成単位を含むアミノ基含有水溶性高分子（成分Ｂ１）及びジアリルアミン由来の構成単位を含むアミノ基含有水溶性高分子（成分Ｂ２）の少なくとも一方であり、
前記成分Ｂ１は、アリルアミン由来の構成単位中のアミノ基の少なくとも一部がグリシドール誘導体による修飾基を有するものであり、
前記成分Ｂ２は、ジアリルアミン由来の構成単位及び二酸化硫黄由来の構成単位を含むものである、方法。
【請求項4】
成分ＢのｐＫａが５以上８．５以下である、請求項１から３のいずれかに記載の方法。
【請求項5】
シリカ粒子の平均粒子径比ｄ／ｄ0が１．１以下である、請求項１から４のいずれかに記載の方法。ｄ：前記研磨液組成物中のシリカ粒子の平均粒径
ｄ0：前記研磨液組成物からアミノ基含有水溶性高分子が除かれた組成で、同じｐＨの研磨液組成物中のシリカ粒子の平均粒径
【請求項6】
前記研磨液組成物のｐＨが、９．５以上１２以下である、請求項１から５のいずれかに記載の方法。
【請求項7】
前記研磨液組成物中の成分Ａの含有量が、０．０５質量％以上０．５質量％以下である、請求項１から６のいずれかに記載の方法。
【請求項8】
前記研磨液組成物中の成分Ｂの含有量が、１０質量ｐｐｍ以上２００質量ｐｐｍ以下である、請求項１から７のいずれかに記載の方法。
【請求項9】
前記研磨液組成物中における成分Ａの含有量に対する成分Ｂの含有量の比が、０．００８以上０．２以下である、請求項１から８のいずれかの記載の方法。
【請求項10】
請求項３から９のいずれかに記載の研磨方法を用いて被研磨シリコン基板を研磨する工程と、研磨されたシリコン基板を洗浄する工程と、を含む、半導体基板の製造方法。
【請求項11】
シリカ粒子（成分Ａ）及びアミノ基含有水溶性高分子（成分Ｂ）を含み、ｐＨが８．５超１４以下であり、成分ＢのｐＫａとｐＨの差（ｐＨ－ｐＫａ）が２以上である研磨液組成物であって、前記成分Ａは、コロイダルシリカであり、平均一次粒子径が１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、平均二次粒子径が２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、会合度（＝平均二次粒子径／平均一次粒子径）が１．１以上３以下であり、
前記成分Ｂは、アリルアミン由来の構成単位を含むアミノ基含有水溶性高分子（成分Ｂ１）及びジアリルアミン由来の構成単位を含むアミノ基含有水溶性高分子（成分Ｂ２）の少なくとも一方であり、
前記成分Ｂ１は、アリルアミン由来の構成単位中のアミノ基の少なくとも一部がグリシドール誘導体による修飾基を有するものであり、
前記成分Ｂ２は、ジアリルアミン由来の構成単位及び二酸化硫黄由来の構成単位を含むものである、研磨液組成物。
【請求項12】
シリカ粒子の平均粒子径比ｄ／ｄ0が１．１以下である、請求項１１に記載の研磨液組成物。ｄ：前記研磨液組成物中のシリカ粒子の平均粒径
ｄ0：前記研磨液組成物からアミノ基含有水溶性高分子が除かれた組成で、同じｐＨの研磨液組成物中のシリカ粒子の平均粒径
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、シリカ粒子を含有する研磨液組成物のフィルター通液量を向上させる方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、半導体メモリの高記録容量化に対する要求の高まりから半導体装置のデザインルールは微細化が進んでいる。このため半導体装置の製造過程で行われるフォトリソグラフィーにおいて焦点深度は浅くなり、シリコン基板（ベアウェーハ）の欠陥低減や平滑性に対する要求はますます厳しくなっている。
【0003】
シリコン基板の研磨に用いられる研磨液組成物として、シリカ粒子を含有する研磨液組成物が知られている。この種の研磨液組成物においては、シリカ粒子の凝集に起因するシリコン基板の表面欠陥（ＬＰＤ：Ｌｉｇｈｔ ｐｏｉｎｔ ｄｅｆｅｃｔｓ）の発生や、凝集物を除去するために研磨液組成物をろ過する場合のフィルター目詰まりが問題となっている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】特開２０１５－１０９４２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
シリカ粒子を含有する研磨液組成物をフィルターろ過する場合の目詰まりを低減し、フィルター通液量を向上させる方法や、研磨後のシリコン基板の表面欠陥を低減し、表面品質を向上できる方法等が求められている。
【0006】
本開示は、シリカ粒子を含有する研磨液組成物のフィルター通液量の向上、及び／又は、研磨後のシリコン基板の表面品質の向上（ＬＰＤの低減）を可能とする方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本開示は、一態様において、シリカ粒子を含有する研磨液組成物の、孔径０．２μｍフィルター通液量を向上させる方法であって、シリカ粒子（成分Ａ）及びアミノ基含有水溶性高分子（成分Ｂ）を配合し、ｐＨが８．５超１４以下であり、成分ＢのｐＫａとｐＨの差（ｐＨ－ｐＫａ）が２以上である研磨液組成物を調製することを含む方法に関する。
【0008】
本開示は、一態様において、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上する方法であって、シリカ粒子（成分Ａ）及びアミノ基含有水溶性高分子（成分Ｂ）を含み、ｐＨが８．５超１４以下であり、成分ＢのｐＫａとｐＨの差（ｐＨ－ｐＫａ）が２以上である研磨液組成物を用いて被研磨シリコン基板を研磨することを含む方法に関する。
【0009】
本開示は、一態様において、研磨液組成物を用いて被研磨シリコン基板を研磨する工程を含む、シリコン基板の研磨方法であって、研磨液組成物が、シリカ粒子（成分Ａ）及びアミノ基含有水溶性高分子（成分Ｂ）を含み、ｐＨが８．５超１４以下であり、成分ＢのｐＫａとｐＨの差（ｐＨ－ｐＫａ）が２以上である方法に関する。
【0010】
本開示は、一態様において、シリカ粒子（成分Ａ）及びアミノ基含有水溶性高分子（成分Ｂ）を含み、ｐＨが８．５超１４以下であり、成分ＢのｐＫａとｐＨの差（ｐＨ－ｐＫａ）が２以上である研磨液組成物に関する。
【0011】
本開示は、一態様において、本開示の研磨方法を用いて被研磨シリコン基板を研磨する工程と、研磨されたシリコン基板を洗浄する工程とを含む、半導体基板の製造方法に関する。
【発明の効果】
【0012】
本開示によれば、シリカ粒子を含有する研磨液組成物のフィルター通液量を向上させる方法を提供できる。
本開示は、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上（ＬＰＤを低減）できる方法を提供できる。
本開示は、シリカ粒子を含有する研磨液組成物のフィルター通液量、及び／又は、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上（ＬＰＤを低減）できる研磨液組成物を用いたシリコン基板の研磨方法を提供できる。
本開示は、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上（ＬＰＤを低減）できる方法を提供できる。
本開示は、シリカ粒子を含有する研磨液組成物のフィルター通液量、及び／又は、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上（ＬＰＤを低減）できる研磨液組成物を用いたシリコン基板の研磨方法を提供できる。
【発明を実施するための形態】
【0013】
本開示の方法は、シリカ粒子（成分Ａ）を含有する研磨液組成物に特定のアミノ基含有水溶性高分子（成分Ｂ）を含有させることで、研磨液組成物のフィルター通液量を向上させることができるという知見に基づく。
本開示の方法は、シリカ粒子（成分Ａ）に加え、特定のアミノ基含有水溶性高分子（成分Ｂ）を含有する研磨液組成物を用いることで、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上（ＬＰＤを低減）できるという知見に基づく。
本開示の方法は、シリカ粒子（成分Ａ）に加え、特定のアミノ基含有水溶性高分子（成分Ｂ）を含有する研磨液組成物を用いることで、シリカ粒子を含有する研磨液組成物のフィルター通液量、及び／又は、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上（ＬＰＤを低減）できるという知見に基づく。
本開示の方法は、シリカ粒子（成分Ａ）に加え、特定のアミノ基含有水溶性高分子（成分Ｂ）を含有する研磨液組成物を用いることで、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上（ＬＰＤを低減）できるという知見に基づく。
本開示の方法は、シリカ粒子（成分Ａ）に加え、特定のアミノ基含有水溶性高分子（成分Ｂ）を含有する研磨液組成物を用いることで、シリカ粒子を含有する研磨液組成物のフィルター通液量、及び／又は、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上（ＬＰＤを低減）できるという知見に基づく。
【0014】
本開示の方法における効果発現機構の詳細は明らかではないが、以下のように推察される。
ｐＨが８．５超１４以下であるアルカリ性の研磨条件においては、シリカ砥粒、被研磨シリコン基板はともに負電荷を有し、常に静電反発力が発生している。研磨速度を向上するためにはこの静電斥力を緩和することが有効であり、カチオン性の物質によって両表面の負電荷を緩和することができるが、カチオン性物質は静電相互作用により吸着するために、シリカ粒子間の凝集が起こり、研磨液組成物をフィルターろ過する場合の目詰まりが発生するという新たな課題が発生してしまう。
そこで、アミノ基を有する水溶性高分子に着目した所、研磨液のｐＨよりもｐＫａが２以上低いアミノ基含有水溶性高分子（成分Ｂ）は、カチオン性が低下する。その結果、アミノ基含有水溶性高分子（成分Ｂ）は、シリカ粒子（成分Ａ）にファンデアワールス力で吸着していることによってシリカ粒子間の凝集が抑制されてシリカ粒子の平均粒径比ｄ/ｄ0が１．１以下となり、シリカ粒子を含有する研磨液組成物の孔径０．２μｍフィルターを用いても通液量が向上する。さらに凝集粒子が低減されることにより、研磨後のシリコン基板のＬＰＤを低減して表面品質を向上できると考えられる。
ただし、本開示はこれらのメカニズムに限定して解釈されなくてもよい。
ｐＨが８．５超１４以下であるアルカリ性の研磨条件においては、シリカ砥粒、被研磨シリコン基板はともに負電荷を有し、常に静電反発力が発生している。研磨速度を向上するためにはこの静電斥力を緩和することが有効であり、カチオン性の物質によって両表面の負電荷を緩和することができるが、カチオン性物質は静電相互作用により吸着するために、シリカ粒子間の凝集が起こり、研磨液組成物をフィルターろ過する場合の目詰まりが発生するという新たな課題が発生してしまう。
そこで、アミノ基を有する水溶性高分子に着目した所、研磨液のｐＨよりもｐＫａが２以上低いアミノ基含有水溶性高分子（成分Ｂ）は、カチオン性が低下する。その結果、アミノ基含有水溶性高分子（成分Ｂ）は、シリカ粒子（成分Ａ）にファンデアワールス力で吸着していることによってシリカ粒子間の凝集が抑制されてシリカ粒子の平均粒径比ｄ/ｄ0が１．１以下となり、シリカ粒子を含有する研磨液組成物の孔径０．２μｍフィルターを用いても通液量が向上する。さらに凝集粒子が低減されることにより、研磨後のシリコン基板のＬＰＤを低減して表面品質を向上できると考えられる。
ただし、本開示はこれらのメカニズムに限定して解釈されなくてもよい。
【0015】
本開示において、研磨後のシリコン基板の表面品質の向上は、一又は複数の実施形態において、研磨後の基板の表面欠陥（ＬＰＤ）の低減である。
【0016】
［フィルター通液量を向上させる方法］
本開示の方法は、一態様において、シリカ粒子を含有する研磨液組成物の、孔径０．２μｍフィルター通液量を向上させる方法であって、シリカ粒子（成分Ａ）及びアミノ基含有水溶性高分子（成分Ｂ）を配合し、ｐＨが８．５超１４以下であり、成分ＢのｐＫａとｐＨの差（ｐＨ－ｐＫａ）が２以上である研磨液組成物を調製することを含む方法（以下、「本態様１の方法」ともいう）に関する。
本態様１の方法によれば、上記研磨液組成物を用いることにより、使用前のフィルター処理や、循環使用のためのフィルター処理等におけるフィルターの目詰まりが抑制されうるので、孔径０．２μｍフィルター通液量を向上できる。
なお、本態様１における、成分Ａ、成分Ｂ、及び研磨液組成物の好ましい形態は後述のとおりである。
本開示の方法は、一態様において、シリカ粒子を含有する研磨液組成物の、孔径０．２μｍフィルター通液量を向上させる方法であって、シリカ粒子（成分Ａ）及びアミノ基含有水溶性高分子（成分Ｂ）を配合し、ｐＨが８．５超１４以下であり、成分ＢのｐＫａとｐＨの差（ｐＨ－ｐＫａ）が２以上である研磨液組成物を調製することを含む方法（以下、「本態様１の方法」ともいう）に関する。
本態様１の方法によれば、上記研磨液組成物を用いることにより、使用前のフィルター処理や、循環使用のためのフィルター処理等におけるフィルターの目詰まりが抑制されうるので、孔径０．２μｍフィルター通液量を向上できる。
なお、本態様１における、成分Ａ、成分Ｂ、及び研磨液組成物の好ましい形態は後述のとおりである。
【0017】
［フィルターと通液量］
本態様１の方法で用いられるフィルターの材質は、特に制限されるものではないが、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ナイロン６６、ポリプロピレン、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン、セルロース混合エステル、セルロースアセテート等が挙げられ、これらのなかでも、耐アルカリ性の観点から、ポリテトラフルオロエチレン、ポリプロピレン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエーテルスルホン及びポリスルホンから選ばれる少なくとも１種が好ましい。
本態様１の方法で用いられるフィルターの構造は、特に制限されるものではないが、例えば、単層多孔質(メンブレン)、複層不織布(デプス)又はそれらの組み合わせ等が挙げられ、これらのなかでも、ろ過精度の観点から、単層多孔質(メンブレン)が好ましい。
本態様１の方法で用いられるフィルターの材質は、特に制限されるものではないが、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ナイロン６６、ポリプロピレン、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン、セルロース混合エステル、セルロースアセテート等が挙げられ、これらのなかでも、耐アルカリ性の観点から、ポリテトラフルオロエチレン、ポリプロピレン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエーテルスルホン及びポリスルホンから選ばれる少なくとも１種が好ましい。
本態様１の方法で用いられるフィルターの構造は、特に制限されるものではないが、例えば、単層多孔質(メンブレン)、複層不織布(デプス)又はそれらの組み合わせ等が挙げられ、これらのなかでも、ろ過精度の観点から、単層多孔質(メンブレン)が好ましい。
【0018】
本態様１の方法におけるろ過圧力は、通液量向上の観点から、好ましくは０．１ＭＰａ以上、より好ましくは０．２ＭＰａ以上であり、そして、装置耐久性の観点から、好ましくは５ＭＰａ以下、より好ましくは１ＭＰａ以下、更に好ましくは０．５ＭＰａ以下である。ろ過圧力は、ポンプで送液する場合は、送液速度により、空気で圧力をかける場合は空気圧で調整することができるが、空気圧で調整することが好ましい。
【0019】
本態様１の方法で用いられる孔径０．２μｍフィルター通液量（ｇ／ｃｍ2・分）は、一又は複数の実施形態において、１０ｇ／ｃｍ2・分以上、２５ｇ／ｃｍ2・分以上、４０ｇ／ｃｍ2・分以上、５０ｇ／ｃｍ2・分以上、６０ｇ／ｃｍ2・分以上、又は７０ｇ／ｃｍ2・分以上である。孔径０．２μｍフィルター通液量は、実施例に記載の方法で測定できる。
【0020】
本態様１の方法で用いられるフィルターは、特に制限されるものではないが、例えば、孔径０．２μｍ、ろ過面積４ｃｍ2のフィルター［アドバンテック社製、親水性ＰＴＦＥ０．２μｍ（孔径）フィルター、型式：２５ＨＰ０２０ＡＮ］等を用いることができる。
【0021】
フィルター通液量の測定方法としては、特に制限されるものではないが、フィルターを付けた容器やシリンジに上記研磨液組成物を入れて、加圧もしくは減圧することで研磨液組成物をフィルターに通液させ、フィルターが閉塞するまでの通液量（ｇ／ｓｅｃ・ｃｍ2）を測定することで求めることができる。
【0022】
［表面品質の向上（ＬＰＤの低減）方法］
本開示の方法は、一態様において、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上する方法であって、シリカ粒子（成分Ａ）及びアミノ基含有水溶性高分子（成分Ｂ）を含み、ｐＨが８．５超１４以下であり、成分ＢのｐＫａとｐＨの差（ｐＨ－ｐＫａ）が２以上である研磨液組成物を用いて被研磨シリコン基板を研磨することを含む方法（以下、「本態様２の方法」ともいう）に関する。
本態様２の方法によれば、上記研磨液組成物を用いることにより、研磨後の基板の表面品質を向上できる。前記表面品質の向上としては、研磨後の基板表面欠陥であるＬＰＤの低減が挙げられる。
なお、本態様２における、成分Ａ、成分Ｂ、及び研磨液組成物の好ましい形態は後述のとおりである。
本開示の方法は、一態様において、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上する方法であって、シリカ粒子（成分Ａ）及びアミノ基含有水溶性高分子（成分Ｂ）を含み、ｐＨが８．５超１４以下であり、成分ＢのｐＫａとｐＨの差（ｐＨ－ｐＫａ）が２以上である研磨液組成物を用いて被研磨シリコン基板を研磨することを含む方法（以下、「本態様２の方法」ともいう）に関する。
本態様２の方法によれば、上記研磨液組成物を用いることにより、研磨後の基板の表面品質を向上できる。前記表面品質の向上としては、研磨後の基板表面欠陥であるＬＰＤの低減が挙げられる。
なお、本態様２における、成分Ａ、成分Ｂ、及び研磨液組成物の好ましい形態は後述のとおりである。
【0023】
［シリコン基板の研磨方法］
本開示の方法は、一態様において、研磨液組成物を用いて被研磨シリコン基板を研磨する工程（以下、「研磨工程」ともいう）を含む、シリコン基板の研磨方法であって、研磨液組成物が、シリカ粒子（成分Ａ）及びアミノ基含有水溶性高分子（成分Ｂ）を含み、ｐＨが８．５超１４以下であり、成分ＢのｐＫａとｐＨの差（ｐＨ－ｐＫａ）が２以上である方法（以下、「本態様３の方法」又は「本開示の研磨方法」ともいう）に関する。
本態様３の方法によれば、上記研磨液組成物を用いるため、シリカ粒子を含有する研磨液組成物のフィルター通液量、及び、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上できる。
なお、本態様３における、成分Ａ、成分Ｂ、及び研磨液組成物の好ましい形態は後述のとおりである。
本開示の方法は、一態様において、研磨液組成物を用いて被研磨シリコン基板を研磨する工程（以下、「研磨工程」ともいう）を含む、シリコン基板の研磨方法であって、研磨液組成物が、シリカ粒子（成分Ａ）及びアミノ基含有水溶性高分子（成分Ｂ）を含み、ｐＨが８．５超１４以下であり、成分ＢのｐＫａとｐＨの差（ｐＨ－ｐＫａ）が２以上である方法（以下、「本態様３の方法」又は「本開示の研磨方法」ともいう）に関する。
本態様３の方法によれば、上記研磨液組成物を用いるため、シリカ粒子を含有する研磨液組成物のフィルター通液量、及び、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上できる。
なお、本態様３における、成分Ａ、成分Ｂ、及び研磨液組成物の好ましい形態は後述のとおりである。
【0024】
本開示の研磨方法における研磨工程では、例えば、研磨パッドを貼り付けた定盤に被研磨シリコン基板を押し付けて、３～２０ｋＰａの研磨圧力で被研磨シリコン基板を研磨することができる。本開示において、研磨圧力とは、研磨時に被研磨シリコン基板の被研磨面に加えられる定盤の圧力をいう。
【0025】
本開示の研磨方法における研磨工程では、例えば、研磨パッドを貼り付けた定盤に被研磨シリコン基板を押し付けて、１５℃以上４０℃以下の研磨液組成物及び研磨パッド表面温度で被研磨シリコン基板を研磨することができる。研磨液組成物の温度及び研磨パッド表面温度としては、研磨速度向上と表面粗さ（ヘイズ）低減等の表面品質との両立の観点から、１５℃以上又は２０℃以上が好ましく、４０℃以下又は３０℃以下が好ましい。
【0026】
［被研磨シリコン基板］
本開示の方法で用いられる研磨液組成物（以下、「本開示の研磨液組成物」ともいう）は、シリコン基板用研磨組成物であり、例えば、半導体基板の製造方法における被研磨シリコン基板を研磨する研磨工程や、シリコン基板の研磨方法における被研磨シリコン基板を研磨する研磨工程に用いられうる。本開示の研磨液組成物を用いて研磨される被研磨シリコン基板としては、一又は複数の実施形態において、シリコン基板等が挙げられ、一又は複数の実施形態において、単結晶シリコン基板、ポリシリコン基板、ポリシリコン膜を有する基板、ＳｉＮ基板等が挙げられ、本開示の研磨液組成物の効果が発揮される観点から、単結晶シリコン基板又はポリシリコン基板が好ましく、単結晶シリコン基板がより好ましい。
本開示の方法で用いられる研磨液組成物（以下、「本開示の研磨液組成物」ともいう）は、シリコン基板用研磨組成物であり、例えば、半導体基板の製造方法における被研磨シリコン基板を研磨する研磨工程や、シリコン基板の研磨方法における被研磨シリコン基板を研磨する研磨工程に用いられうる。本開示の研磨液組成物を用いて研磨される被研磨シリコン基板としては、一又は複数の実施形態において、シリコン基板等が挙げられ、一又は複数の実施形態において、単結晶シリコン基板、ポリシリコン基板、ポリシリコン膜を有する基板、ＳｉＮ基板等が挙げられ、本開示の研磨液組成物の効果が発揮される観点から、単結晶シリコン基板又はポリシリコン基板が好ましく、単結晶シリコン基板がより好ましい。
【0027】
［研磨液組成物］
本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、シリカ粒子（成分Ａ）及びアミノ基含有水溶性高分子（成分Ｂ）を含み、ｐＨが８．５超１４以下であり、成分ＢのｐＫａとｐＨの差（ｐＨ－ｐＫａ）が２以上である。本開示の研磨液組成物によれば、孔径０．２μmフィルター通液量が向上する、及び／又は、研磨後のシリコン基板のＬＰＤを低減して表面品質を向上できる。
本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、シリカ粒子（成分Ａ）及びアミノ基含有水溶性高分子（成分Ｂ）を含み、ｐＨが８．５超１４以下であり、成分ＢのｐＫａとｐＨの差（ｐＨ－ｐＫａ）が２以上である。本開示の研磨液組成物によれば、孔径０．２μmフィルター通液量が向上する、及び／又は、研磨後のシリコン基板のＬＰＤを低減して表面品質を向上できる。
【0028】
［シリカ粒子（成分Ａ）］
本開示の研磨液組成物は、研磨材としてシリカ粒子（以下、「成分Ａ」ともいう）を含有する。成分Ａとしては、コロイダルシリカ、フュームドシリカ、粉砕シリカ、又はそれらを表面修飾したシリカ等が挙げられ、シリカ粒子を含有する研磨液組成物のフィルター通液量を向上する観点、及び、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上する観点から、コロイダルシリカが好ましい。成分Ａは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
本開示の研磨液組成物は、研磨材としてシリカ粒子（以下、「成分Ａ」ともいう）を含有する。成分Ａとしては、コロイダルシリカ、フュームドシリカ、粉砕シリカ、又はそれらを表面修飾したシリカ等が挙げられ、シリカ粒子を含有する研磨液組成物のフィルター通液量を向上する観点、及び、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上する観点から、コロイダルシリカが好ましい。成分Ａは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
【0029】
成分Ａの使用形態としては、操作性の観点から、スラリー状が好ましい。本開示の研磨液組成物に含まれる成分Ａがコロイダルシリカである場合、アルカリ金属やアルカリ土類金属等によるシリコン基板の汚染を防止する観点から、コロイダルシリカは、アルコキシシランの加水分解物から得たものであることが好ましい。アルコキシシランの加水分解物から得られるシリカ粒子は、従来から公知の方法によって作製できる。
【0030】
成分Ａの平均一次粒子径は、研磨速度を維持する観点から、１０ｎｍ以上が好ましく、１５ｎｍ以上がより好ましく、２０ｎｍ以上が更に好ましく、３０ｎｍ以上がより好ましく、そして、シリカ粒子を含有する研磨液組成物のフィルター通液量を向上する観点、及び、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上する観点から、５０ｎｍ以下が好ましく、４５ｎｍ以下がより好ましく、４０ｎｍ以下が更に好ましい。同様の観点から、成分Ａの平均一次粒子径は、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下が好ましく、１５ｎｍ以上４５ｎｍ以下がより好ましく、２０ｎｍ以上４０ｎｍ以下が更に好ましい。
本開示において、成分Ａの平均一次粒子径は、窒素吸着法（ＢＥＴ法）によって算出される比表面積Ｓ（ｍ2／ｇ）を用いて算出される。平均一次粒子径の値は、実施例に記載する方法で測定される値である。
本開示において、成分Ａの平均一次粒子径は、窒素吸着法（ＢＥＴ法）によって算出される比表面積Ｓ（ｍ2／ｇ）を用いて算出される。平均一次粒子径の値は、実施例に記載する方法で測定される値である。
【0031】
成分Ａの平均二次粒子径は、研磨速度を維持する観点から、２０ｎｍ以上が好ましく、３０ｎｍ以上がより好ましく、４０ｎｍ以上が更に好ましく、シリカ粒子を含有する研磨液組成物のフィルター通液量を向上する観点、及び、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上する観点から、１００ｎｍ以下が好ましく、９０ｎｍ以下がより好ましく、８０ｎｍ以下が更に好ましい。同様の観点から、成分Ａの平均二次粒子径は、２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下が好ましく、３０ｎｍ以上９０ｎｍ以下がより好ましく、４０ｎｍ以上８０ｎｍ以下が更に好ましい。
本開示において、平均二次粒子径は、動的光散乱（ＤＬＳ）法によって測定される値であり、実施例に記載する方法で測定される値である。
本開示において、平均二次粒子径は、動的光散乱（ＤＬＳ）法によって測定される値であり、実施例に記載する方法で測定される値である。
【0032】
成分Ａの会合度は、シリカ粒子を含有する研磨液組成物のフィルター通液量を向上する観点、及び、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上する観点から、３以下が好ましく、２．５以下がより好ましく、２．３以下が更に好ましく、そして、同様の観点から、１．１以上が好ましく、１．５以上がより好ましく、１．８以上が更に好ましい。
【0033】
本開示において、成分Ａの会合度とは、シリカ粒子の形状を表す係数であり、下記式により算出される。
会合度＝平均二次粒子径／平均一次粒子径
会合度＝平均二次粒子径／平均一次粒子径
【0034】
成分Ａの会合度の調整方法としては、例えば、特開平６－２５４３８３号公報、特開平１１－２１４３３８号公報、特開平１１－６０２３２号公報、特開２００５－０６０２１７号公報、特開２００５－０６０２１９号公報等に記載の方法を採用することができる。
【0035】
成分Ａの形状は、シリカ粒子を含有する研磨液組成物のフィルター通液量を向上する観点、及び、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上する観点から、いわゆる球型及び／又はいわゆるマユ型であることが好ましい。
【0036】
本開示の研磨液組成物中の成分Ａの含有量は、シリカ粒子を含有する研磨液組成物のフィルター通液量を向上する観点、及び、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上する観点から、ＳｉＯ2換算で、０．０１質量％以上が好ましく、０．０５質量％以上がより好ましく、０．１質量％以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、２．５質量％以下が好ましく、１質量％以下がより好ましく、０．８質量％以下が更に好ましく、０．５質量％以下が更により好ましく、０．３質量％以下が更により好ましい。本開示の研磨液組成物中の成分Ａの含有量は、０．０１質量％以上２．５質量％以下が好ましく、０．０５質量％以上１質量％以下がより好ましく、０．０５質量％以上０．８質量％以下がより好ましく、０．０５質量％以上０．５質量％以下がより好ましく、０．１質量％以上０．３質量％以下が更により好ましい。成分Ａが２種以上の組合せの場合、成分Ａの含有量はそれらの合計含有量をいう。
【0037】
［アミノ基含有水溶性高分子（成分Ｂ）］
本開示の研磨液組成物は、アミノ基含有水溶性高分子（以下、「成分Ｂ」ともいう）を含有する。成分Ｂは、シリカ粒子（成分Ａ）のゼータ電位を調整し、シリカ粒子の凝集を抑制できると考えられる。本開示において、「水溶性」とは、水（２０℃）に対して０．５ｇ／１００ｍＬ以上の溶解度、好ましくは２ｇ／１００ｍＬ以上の溶解度を有することをいう。
本開示の研磨液組成物は、アミノ基含有水溶性高分子（以下、「成分Ｂ」ともいう）を含有する。成分Ｂは、シリカ粒子（成分Ａ）のゼータ電位を調整し、シリカ粒子の凝集を抑制できると考えられる。本開示において、「水溶性」とは、水（２０℃）に対して０．５ｇ／１００ｍＬ以上の溶解度、好ましくは２ｇ／１００ｍＬ以上の溶解度を有することをいう。
【0038】
成分ＢのｐＫａは、シリカ粒子を含有する研磨液組成物のフィルター通液量を向上する観点、及び、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上する観点から、５以上が好ましく、５．５以上がより好ましく、５．９以上が更に好ましく、６．３以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、研磨液組成物のｐＨよりも小さいことが好ましく、８．５以下が好ましく、８．３以下がより好ましく、８．１以下が更に好ましく、８以下が更に好ましい。
さらに、成分Ｂが後述する成分Ｂ１の場合、成分ＢのｐＫａは、６．５以上が更に好ましく、そして、７．７以下が更に好ましく、７．４以下が更に好ましく、７．１以下が更に好ましい。
さらに、成分Ｂが後述する成分Ｂ２の場合、成分ＢのｐＫａは、６．６以上が更に好ましく、６．９以上が更に好ましく、７．１以上が更に好ましく、そして、７．８以下が更に好ましく、７．６以下が更に好ましく、７．４以下が更に好ましい。
さらに、成分Ｂが後述する成分Ｂ１の場合、成分ＢのｐＫａは、６．５以上が更に好ましく、そして、７．７以下が更に好ましく、７．４以下が更に好ましく、７．１以下が更に好ましい。
さらに、成分Ｂが後述する成分Ｂ２の場合、成分ＢのｐＫａは、６．６以上が更に好ましく、６．９以上が更に好ましく、７．１以上が更に好ましく、そして、７．８以下が更に好ましく、７．６以下が更に好ましく、７．４以下が更に好ましい。
【0039】
成分Ｂとしては、シリカ粒子を含有する研磨液組成物のフィルター通液量を向上する観点、及び、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上する観点から、アリルアミン及びジアリルアミンから選ばれる１種以上のモノマー由来の構成単位を含むことが好ましい。成分Ｂは、入手性の観点から、一又は複数の実施形態において、アリルアミン由来の構成単位を含むアミノ基含有水溶性高分子（以下、「成分Ｂ１」ともいう）であることが好ましく、一又は複数の実施形態において、ジアリルアミン由来の構成単位を含むアミノ基が含有水溶性高分子（以下、「成分Ｂ２」ともいう）であることが好ましい。
【0040】
（成分Ｂ１：アリルアミン由来の構成単位を含むアミノ基含有水溶性高分子）
アリルアミン由来の構成単位中のアミノ基の少なくとも一部は、一又は複数の実施形態において、シリカ粒子を含有する研磨液組成物のフィルター通液量を向上する観点、及び、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上する観点、及び、入手性の観点から、立体遮蔽基を有することが好ましい。本開示において、立体遮蔽基とは、成分Ｂのアミノ基の窒素原子を遮蔽してカチオン化を抑制できる、すなわちｐＫａを低くする立体的な（嵩高い）置換基のことをいう。前記立体遮蔽基を有するアミノ基は、同様の観点から、水酸基を有する炭素数３以上１１以下の炭化水素基を含む第２級アミノ基又は第３級アミノ基であることが好ましい。前記炭化水素基の炭素数は、アミノ基の遮蔽性を向上する（アミノ基の窒素原子のカチオン化を抑制する）観点、及び、シリカ粒子を含有する研磨液組成物のフィルター通液量を向上する観点、及び、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上する観点から、３以上が好ましく、そして、水溶性を向上する観点、及び入手性の観点から、１１以下が好ましく、７以下がより好ましく、５以下が更に好ましく、４以下が更により好ましい。
アリルアミン由来の構成単位中のアミノ基の少なくとも一部は、一又は複数の実施形態において、シリカ粒子を含有する研磨液組成物のフィルター通液量を向上する観点、及び、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上する観点、及び、入手性の観点から、立体遮蔽基を有することが好ましい。本開示において、立体遮蔽基とは、成分Ｂのアミノ基の窒素原子を遮蔽してカチオン化を抑制できる、すなわちｐＫａを低くする立体的な（嵩高い）置換基のことをいう。前記立体遮蔽基を有するアミノ基は、同様の観点から、水酸基を有する炭素数３以上１１以下の炭化水素基を含む第２級アミノ基又は第３級アミノ基であることが好ましい。前記炭化水素基の炭素数は、アミノ基の遮蔽性を向上する（アミノ基の窒素原子のカチオン化を抑制する）観点、及び、シリカ粒子を含有する研磨液組成物のフィルター通液量を向上する観点、及び、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上する観点から、３以上が好ましく、そして、水溶性を向上する観点、及び入手性の観点から、１１以下が好ましく、７以下がより好ましく、５以下が更に好ましく、４以下が更により好ましい。
【0041】
前記立体遮蔽基を有するアミノ基は、一又は複数の実施形態において、アミノ基に対するグリシドール誘導体による修飾基であり、一又は複数の実施形態において、アリルアミン由来の構成単位中のアミノ基とグリシドール誘導体とが反応して形成される基である。成分Ｂ１の全アミノ基のうちの少なくとも一部のアミノ基がグリシドール誘導体によって変性され、立体遮蔽基を有するアミノ基となる。アリルアミン由来の構成単位中のアミノ基数（１当量）に対するグリシドール誘導体の当量（以下、「グリシドール変性率」ともいう）は、シリカ粒子を含有する研磨液組成物のフィルター通液量を向上する観点、及び、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上する観点から、０．３以上が好ましく、０．５以上がより好ましく、０．８以上が更に好ましく、１以上が更に好ましく、１．１超が好ましく、１．２以上がより好ましく、１．３以上が更に好ましく、１．４以上が更に好ましく、１．５以上が更に好ましく、１．７以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、４以下が好ましく、３以下がより好ましく、２．５以下が更に好ましく、２以下が更に好ましい。
【0042】
本開示において、グリシドール変性率は、13Ｃ－ＮＭＲを用いて実施例に記載の方法により測定される値である。ただし、グリシドール変性率は、以下の方法（１）又は（２）によっても測定できる。
（１）反応原料に用いたアリルアミン重合体のアミノ基当量とグリシドール誘導体のモル数から求めることができる。
（２）グリシドール誘導体とアリルアミン重合体との反応物の窒素含有量Ｎ（質量％）を測定し、下記式から求めることができる。
グリシドール変性率＝Ａ／Ｂ
ここで、Ａ＝（１００－Ｎ×アリルアミン単量体の分子量／１４）／グリシドール誘導体分子量であり、Ｂ＝Ｎ／１４である。
（１）反応原料に用いたアリルアミン重合体のアミノ基当量とグリシドール誘導体のモル数から求めることができる。
（２）グリシドール誘導体とアリルアミン重合体との反応物の窒素含有量Ｎ（質量％）を測定し、下記式から求めることができる。
グリシドール変性率＝Ａ／Ｂ
ここで、Ａ＝（１００－Ｎ×アリルアミン単量体の分子量／１４）／グリシドール誘導体分子量であり、Ｂ＝Ｎ／１４である。
【0043】
前記グリシドール誘導体としては、例えば、グリシドール、アルキルグリシジルエーテル等が挙げられ、入手性の観点、及び、シリカ粒子を含有する研磨液組成物のフィルター通液量を向上する観点、及び、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上する観点から、グリシドールが好ましい。前記アルキルグリシジルエーテルのアルキル基は、入手性の観点から、炭素数１～８のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、２－エチルヘキシル基等が挙げられる。前記アルキルグリシジルエーテルとしては、メチルグリシジルエーテル、２－エチルヘキシルグリシジルエーテル等が挙げられる。
【0044】
成分Ｂ１としては、一又は複数の実施形態において、少なくとも一部のアミノ基が立体遮蔽基を有するポリアリルアミンが挙げられ、一又は複数の実施形態において、ポリアリルアミンとグリシドール誘導体との反応物が挙げられる。
【0045】
成分Ｂ１としては、一又は複数の実施形態において、下記式（Ｉ）の構成単位を含む化合物（グリシドール変性ポリアリルアミン）が挙げられる。
【化1】
【0046】
式（Ｉ）中、Ｒ1及びＲ2はそれぞれ、水素原子又は立体遮蔽基である。立体遮蔽基としては、グリシドール誘導体由来の修飾基が挙げられ、一又は複数の実施形態において、グリシドールの１モル付加体又は２モル付加体が挙げられ、一又は複数の実施形態において、－ＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2（ＯＨ）、－ＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2Ｏ－ＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2（ＯＨ）等が挙げられる。
【0047】
（成分Ｂ２：ジアリルアミン由来の構成単位を含むアミノ基含有水溶性高分子）
ジアリルアミン由来の構成単位中のアミノ基の少なくとも一部は、一又は複数の実施形態において、シリカ粒子を含有する研磨液組成物のフィルター通液量を向上する観点、及び、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上する観点から、アミノ基のβ位又はγ位に電子吸引基を有することが好ましい。電子吸引基としては、下記式（ＩＩ）で表される基等が挙げられる。
ジアリルアミン由来の構成単位中のアミノ基の少なくとも一部は、一又は複数の実施形態において、シリカ粒子を含有する研磨液組成物のフィルター通液量を向上する観点、及び、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上する観点から、アミノ基のβ位又はγ位に電子吸引基を有することが好ましい。電子吸引基としては、下記式（ＩＩ）で表される基等が挙げられる。
【0048】
【化2】
【0049】
成分Ｂ２としては、一又は複数の実施形態において、ジアリルアミン由来の構成単位及び二酸化硫黄由来の構成単位を含む化合物が挙げられ、例えば、下記式（ＩＩＩ）で表される構成単位を含む化合物が挙げられる。
【化3】
【0050】
式（ＩＩＩ）中、Ｒ3は、水酸基を有してもよい炭素数１～３のアルキル基である。入手性及び経済性の観点の観点から、Ｒ3はメチル基が好ましい。また、ｎ＋ｍ＝１であり、ｎ、ｍは０又は１である。同様の観点から、ｍ＝１且つｎ＝０の化合物が好ましい。なお、ｍ＝１且つｎ＝０の化合物とｍ＝０且つｎ＝１の化合物の混合物でも良い。
【0051】
成分Ｂ２としては、一又は複数の実施形態において、下記式（ＩＶ）で表される構成単位を含む化合物が挙げられ、例えば、メチルジアリルアミン／二酸化硫黄共重合体が挙げられる。
【化4】
【0052】
成分Ｂの重量平均分子量は、シリカ粒子を含有する研磨液組成物のフィルター通液量を向上する観点、及び、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上する観点から、８００以上が好ましく、１，０００以上がより好ましく、１，５００以上が更に好ましく、２，０００以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、１００，０００以下が好ましく、５０，０００以下がより好ましく、３０，０００以下が更に好ましく、２０，０００以下が更に好ましく、１５，０００以下が更に好ましく、１２，０００以下が更に好ましい。本開示における成分Ｂの重量平均分子量は、例えば、実施例に記載する方法により測定できる。
【0053】
成分Ｂが成分Ｂ１である場合、成分Ｂの重量平均分子量は、シリカ粒子を含有する研磨液組成物のフィルター通液量を向上する観点、及び、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上する観点から、８００以上が好ましく、１，０００以上がより好ましく、１，５００以上が更に好ましく、２，０００以上が更に好ましく、３，０００以上が好ましく、５，０００以上がより好ましく、６，０００以上が更に好ましく、７，０００以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、１００，０００以下が好ましく、５０，０００以下がより好ましく、３０，０００以下が更に好ましく、２０，０００以下が更に好ましく、１５，０００以下が更に好ましく、１２，０００以下が更に好ましい。
【0054】
成分Ｂが成分Ｂ２である場合、成分Ｂの重量平均分子量は、シリカ粒子を含有する研磨液組成物のフィルター通液量を向上する観点、及び、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上する観点から、８００以上が好ましく、１，０００以上がより好ましく、１，５００以上が更に好ましく、２，０００以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、１００，０００以下が好ましく、５０，０００以下がより好ましく、３０，０００以下が更に好ましく、２０，０００以下が更に好ましく、１５，０００以下が更に好ましく、１２，０００以下が更に好ましく、１０，０００以下が更に好ましく、７，０００以下が更に好ましく、５，０００以下が更に好ましく、４，０００以下が更に好ましい。
【0055】
本開示の研磨液組成物中の成分Ｂの含有量は、シリカ粒子を含有する研磨液組成物のフィルター通液量を向上する観点、及び、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上する観点から、１０質量ｐｐｍ以上が好ましく、２０質量ｐｐｍ以上がより好ましく、３０質量ｐｐｍ以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、２００質量ｐｐｍ以下が好ましく、１５０質量ｐｐｍ以下がより好ましく、１２０質量ｐｐｍ以下が更に好ましい。なお、本開示において、１質量％は１０，０００質量ｐｐｍである（以下同じ）。
【0056】
本開示の研磨液組成物中における成分Ａの含有量に対する成分Ｂの含有量の比（質量比Ｂ／Ａ）は、シリカ粒子を含有する研磨液組成物のフィルター通液量を向上する観点、及び、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上する観点から、０．００８以上が好ましく、０．０１６以上がより好ましく、０．０２５以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、０．２以下が好ましく、０．１６以下が好ましく、０．１２以下がより好ましく、０．０９以下が更に好ましい。
【0057】
［吸着量］
本開示の研磨液組成物中における、成分Ｂの成分Ａへの吸着量（％）は、シリカ粒子を含有する研磨液組成物のフィルター通液量を向上する観点、及び、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上する観点から、５０％超が好ましく、５１％以上がより好ましく、５５％以上が更に好ましい。吸着量（％）は、同様の観点から、９５％以下が好ましく、９０％以下がより好ましく、８５％以下が更に好ましい。
成分Ｂの成分Ａへの吸着量（％）は、実施例に記載の方法で算出できる。
本開示の研磨液組成物中における、成分Ｂの成分Ａへの吸着量（％）は、シリカ粒子を含有する研磨液組成物のフィルター通液量を向上する観点、及び、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上する観点から、５０％超が好ましく、５１％以上がより好ましく、５５％以上が更に好ましい。吸着量（％）は、同様の観点から、９５％以下が好ましく、９０％以下がより好ましく、８５％以下が更に好ましい。
成分Ｂの成分Ａへの吸着量（％）は、実施例に記載の方法で算出できる。
【0058】
［シリカ粒子の平均粒子径比ｄ／ｄ0］
本開示の研磨液組成物は、シリカ粒子を含有する研磨液組成物のフィルター通液量を向上する観点、及び、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上する観点から、下記のように規定されるｄ及びｄ0から算出されるシリカ粒子の平均粒子径比ｄ／ｄ0が、１．１以下が好ましく、１．０８以下がより好ましく、１．０５以下が更に好ましく、１．０４以下が更に好ましい。
ｄ：前記研磨液組成物中のシリカ粒子の平均粒径
ｄ0：前記研磨液組成物からアミノ基含有水溶性高分子が除かれた組成で、同じｐＨの研磨液組成物中のシリカ粒子の平均粒径
本開示において、平均粒径ｄ及び平均粒径ｄ0は、動的光散乱法によって測定される値であり、実施例に記載する方法で測定される値である。
本開示の研磨液組成物は、シリカ粒子を含有する研磨液組成物のフィルター通液量を向上する観点、及び、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上する観点から、下記のように規定されるｄ及びｄ0から算出されるシリカ粒子の平均粒子径比ｄ／ｄ0が、１．１以下が好ましく、１．０８以下がより好ましく、１．０５以下が更に好ましく、１．０４以下が更に好ましい。
ｄ：前記研磨液組成物中のシリカ粒子の平均粒径
ｄ0：前記研磨液組成物からアミノ基含有水溶性高分子が除かれた組成で、同じｐＨの研磨液組成物中のシリカ粒子の平均粒径
本開示において、平均粒径ｄ及び平均粒径ｄ0は、動的光散乱法によって測定される値であり、実施例に記載する方法で測定される値である。
【0059】
［水］
本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、水を含んでいてもよい。水としては、例えば、イオン交換水や超純水等の水が挙げられる。本開示の研磨液組成物中の水の含有量は、例えば、成分Ａ、成分Ｂ及び後述する任意成分の残余とすることができる。
本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、水を含んでいてもよい。水としては、例えば、イオン交換水や超純水等の水が挙げられる。本開示の研磨液組成物中の水の含有量は、例えば、成分Ａ、成分Ｂ及び後述する任意成分の残余とすることができる。
【0060】
［含窒素塩基性化合物（成分Ｃ）］
本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、ｐＨを調整する観点から、含窒素塩基性化合物（以下、「成分Ｃ」ともいう）をさらに含有することが好ましい。成分Ｃとしては、研磨速度の向上と保存安定性とを両立する観点、及び、表面品質を向上する観点から、水溶性の含窒素塩基性化合物であることが好ましい。本開示において、「水溶性の含窒素塩基性」とは、水に溶解したときに塩基性を示す含窒素化合物をいう。成分Ｃは、一又は複数の実施形態において、アミノ基含有水溶性高分子（成分Ｂ）を含めないものとする。成分Ｃは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、ｐＨを調整する観点から、含窒素塩基性化合物（以下、「成分Ｃ」ともいう）をさらに含有することが好ましい。成分Ｃとしては、研磨速度の向上と保存安定性とを両立する観点、及び、表面品質を向上する観点から、水溶性の含窒素塩基性化合物であることが好ましい。本開示において、「水溶性の含窒素塩基性」とは、水に溶解したときに塩基性を示す含窒素化合物をいう。成分Ｃは、一又は複数の実施形態において、アミノ基含有水溶性高分子（成分Ｂ）を含めないものとする。成分Ｃは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
【0061】
成分Ｃとしては、一又は複数の実施形態において、アミン化合物及びアンモニウム化合物から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。成分Ｃとしては、例えば、アンモニア、水酸化アンモニウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、ジメチルアミン、トリメチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ一メチルエタノールアミン、Ｎ－メチル－Ｎ，Ｎ一ジエタノ－ルアミン、Ｎ，Ｎ－ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ－ジエチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ－ジブチルエタノールアミン、Ｎ－（β－アミノエチル）エタノ－ルアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ピペラジン・六水和物、無水ピペラジン、１－（２－アミノエチル）ピペラジン、Ｎ－メチルピペラジン、ジエチレントリアミン、水酸化テトラメチルアンモニウム、及びヒドロキシアミンから選ばれる１種又は２種以上の組合せが挙げられる。なかでも、シリカ粒子を含有する研磨液組成物のフィルター通液量を向上する観点、及び、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上する観点から、成分Ｃとしては、アンモニア、又は、アンモニアとヒドロキシアミンの混合物が好ましく、アンモニアがより好ましい。
【0062】
本開示の研磨液組成物が成分Ｃを含む場合、本開示の研磨液組成物中の成分Ｃの含有量は、シリカ粒子を含有する研磨液組成物のフィルター通液量を向上する観点、及び、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上する観点から、５質量ｐｐｍ以上が好ましく、１０質量ｐｐｍ以上がより好ましく、２０質量ｐｐｍ以上が更に好ましく、同様の観点、及びシリコン基板の腐食を抑制する観点から、５００質量ｐｐｍ以下が好ましく、３００質量ｐｐｍ以下がより好ましく、１５０質量ｐｐｍ以下が更に好ましく、１００質量ｐｐｍ以下が更に好ましい。同様の観点から、本開示の研磨液組成物中の成分Ｃの含有量は、５質量ｐｐｍ以上５００質量ｐｐｍ以下が好ましく１０質量ｐｐｍ以上３００質量ｐｐｍ以下がより好ましく、２０質量ｐｐｍ以上１５０質量ｐｐｍ以下が更に好ましく、２０質量ｐｐｍ以上１００質量ｐｐｍ以下が更に好ましい。成分Ｃが２種以上の組合せの場合、成分Ｃの含有量はそれらの合計含有量をいう。
【0063】
本開示の研磨液組成物が成分Ｃを含む場合、本開示の研磨液組成物中における成分Ａの含有量に対する成分Ｃの含有量の比Ｃ／Ａ（質量比Ｃ／Ａ）は、シリカ粒子を含有する研磨液組成物のフィルター通液量を向上する観点、及び、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上する観点から、０．００２以上が好ましく、０．０１以上がより好ましく、０．０１５以上が更に好ましく、０．０２５以上が更に好ましく、そして、同様の観点、及びシリコン基板の腐食を抑制する観点から、１以下が好ましく、０．５以下がより好ましく、０．１以下が更に好ましく、０．０８以下が更に好ましい。同様の観点から、本開示の研磨液組成物中における質量比Ｃ／Ａは、０．００２以上１以下が好ましく、０．０１以上０．５以下がより好ましく、０．０１５以上０．１以下が更に好ましく、０．０２５以上０．０８以下が更に好ましい。
【0064】
［その他の成分］
本開示の研磨液組成物は、本開示の効果が妨げられない範囲で、その他の成分をさらに含んでもよい。その他の成分としては、一又は複数の実施形態において、成分Ｂ以外の水溶性高分子、成分Ｃ以外のｐＨ調整剤、防腐剤、アルコール類、キレート剤、及び酸化剤等が挙げられる。
本開示の研磨液組成物は、本開示の効果が妨げられない範囲で、その他の成分をさらに含んでもよい。その他の成分としては、一又は複数の実施形態において、成分Ｂ以外の水溶性高分子、成分Ｃ以外のｐＨ調整剤、防腐剤、アルコール類、キレート剤、及び酸化剤等が挙げられる。
【0065】
［ｐＨ］
本開示の研磨液組成物のｐＨは、シリカ粒子を含有する研磨液組成物のフィルター通液量を向上する観点、及び、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上する観点から、８．５超であり、９以上が好ましく、９．５以上が更に好ましく、１０以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、１４以下であり、１３以下が好ましく、１２．５以下がより好ましく、１２以下が更に好ましく、１１．５以下が更に好ましく、１１以下が更に好ましい。同様の観点から、本開示の研磨液組成物のｐＨは、８．５超以上１４以下であり、９以上１３以下が好ましく、９．５以上１２．５以下がより好ましく、９．５以上１２以下が更に好ましく、９．５以上１１．５以下が更に好ましく、１０以上１１以下が更に好ましい。本開示の研磨液組成物のｐＨは、成分Ｃや公知のｐＨ調整剤を用いて調整できる。本開示において、上記ｐＨは、実施例に記載する方法で測定される値である。
本開示の研磨液組成物のｐＨは、シリカ粒子を含有する研磨液組成物のフィルター通液量を向上する観点、及び、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上する観点から、８．５超であり、９以上が好ましく、９．５以上が更に好ましく、１０以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、１４以下であり、１３以下が好ましく、１２．５以下がより好ましく、１２以下が更に好ましく、１１．５以下が更に好ましく、１１以下が更に好ましい。同様の観点から、本開示の研磨液組成物のｐＨは、８．５超以上１４以下であり、９以上１３以下が好ましく、９．５以上１２．５以下がより好ましく、９．５以上１２以下が更に好ましく、９．５以上１１．５以下が更に好ましく、１０以上１１以下が更に好ましい。本開示の研磨液組成物のｐＨは、成分Ｃや公知のｐＨ調整剤を用いて調整できる。本開示において、上記ｐＨは、実施例に記載する方法で測定される値である。
【0066】
［ｐＨ－ｐＫａ］
本開示の研磨液組成物のｐＨは、シリカ粒子を含有する研磨液組成物のフィルター通液量を向上する観点、及び、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上する観点から、成分ＢのｐＫａより大きいことが好ましい。ｐＨとｐＫａとの差（ｐＨ－ｐＫａ）は、同様の観点から、２以上であり、２．５以上が好ましく、３以上がより好ましく、そして、同様の観点から、７以下が好ましく、６以下がより好ましく、５．５以下が更に好ましく、５以下が更に好ましく、４．５以下が更に好ましく、４以下が更に好ましく、３．５以下が更に好ましい。
本開示の研磨液組成物のｐＨは、シリカ粒子を含有する研磨液組成物のフィルター通液量を向上する観点、及び、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上する観点から、成分ＢのｐＫａより大きいことが好ましい。ｐＨとｐＫａとの差（ｐＨ－ｐＫａ）は、同様の観点から、２以上であり、２．５以上が好ましく、３以上がより好ましく、そして、同様の観点から、７以下が好ましく、６以下がより好ましく、５．５以下が更に好ましく、５以下が更に好ましく、４．５以下が更に好ましく、４以下が更に好ましく、３．５以下が更に好ましい。
【0067】
本開示の研磨液組成物は、例えば、成分Ａ、及び成分Ｂと、さらに所望により、水、成分Ｃ及びその他の成分とを公知の方法で配合することにより製造できる。すなわち、本開示の研磨液組成物は、例えば、少なくとも成分Ａと成分Ｂとを配合することにより製造できる。したがって、本開示は、その他の態様において、少なくとも成分Ａ、及び成分Ｂを配合する工程を含む、研磨液組成物の製造方法に関する。本開示において「配合する」とは、成分Ａ、成分Ｂ、並びに、必要に応じて水、成分Ｃ及びその他の成分を同時に又は任意の順に混合することを含む。前記配合は、例えば、ホモミキサー、ホモジナイザー、超音波分散機、湿式ボールミル、又はビーズミル等の撹拌機等を用いて行うことができる。上記本開示の研磨液組成物の製造方法における各成分の好ましい配合量は、上述した本開示の研磨液組成物中の各成分の好ましい含有量と同じとすることができる。
【0068】
本開示において、「研磨液組成物中の各成分の含有量」は、使用時、すなわち、研磨液組成物の研磨への使用を開始する時点における各成分の含有量をいう。
【0069】
本開示の研磨液組成物は、貯蔵及び輸送の観点から、濃縮物として製造され、使用時に希釈されてもよい。希釈倍率としては、製造及び輸送コストの観点から、好ましくは２倍以上であり、より好ましくは１０倍以上、更に好ましくは３０倍以上、更に好ましくは５０倍以上であり、保存安定性の観点から、好ましくは１８０倍以下であり、より好ましくは１４０倍以下、更に好ましくは１００倍以下、更に好ましくは７０倍以下である。本開示の研磨液組成物の濃縮物は、使用時に各成分の含有量が、上述した含有量（すなわち、使用時の含有量）となるように水で希釈して使用することができる。本開示において研磨液組成物の濃縮物の「使用時」とは、研磨液組成物の濃縮物が希釈された状態をいう。
【0070】
［研磨液キット］
本開示は、その他の態様において、本開示の研磨液組成物を製造するための研磨液キット（以下、「本開示のキット」ともいう）に関する。本開示のキットによれば、シリカ粒子を含有する研磨液組成物のフィルター通液量、及び、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上できる研磨液組成物が得られる。
本開示のキットとしては、一又は複数の実施形態において、成分Ａ、成分Ｂ及び成分Ｃを含む溶液を含有する研磨液キットが挙げられる。前記溶液には、必要に応じて上述したその他の成分が含まれていてもよい。前記溶液は、使用時に、必要に応じて水を用いて希釈してもよい。
本開示は、その他の態様において、本開示の研磨液組成物を製造するための研磨液キット（以下、「本開示のキット」ともいう）に関する。本開示のキットによれば、シリカ粒子を含有する研磨液組成物のフィルター通液量、及び、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上できる研磨液組成物が得られる。
本開示のキットとしては、一又は複数の実施形態において、成分Ａ、成分Ｂ及び成分Ｃを含む溶液を含有する研磨液キットが挙げられる。前記溶液には、必要に応じて上述したその他の成分が含まれていてもよい。前記溶液は、使用時に、必要に応じて水を用いて希釈してもよい。
【0071】
［半導体基板の製造方法］
本開示は、その他の態様において、本開示の研磨方法を用いて被研磨シリコン基板を研磨する工程（以下、「研磨工程」ともいう）と、研磨されたシリコン基板を洗浄する工程（以下、「洗浄工程」ともいう）と、を含む、半導体基板の製造方法（以下、「本開示の半導体基板製造方法」ともいう）に関する。
本開示は、また、その他の態様において、本開示の方法、すなわち、本開示のフィルター通液量を向上させる方法、本開示の研磨後のシリコン基板の表面品質を向上する方法、及び／又は、本開示に係る研磨方法を行うことを含む、半導体基板の製造方法に関する。
本開示の半導体基板製造方法によれば、本開示の研磨液組成物を用いることで、シリカ粒子を含有する研磨液組成物のフィルター通液量、及び、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上できるため、高品質の半導体基板を高収率で、生産性よく、安価に製造できる。
本開示は、その他の態様において、本開示の研磨方法を用いて被研磨シリコン基板を研磨する工程（以下、「研磨工程」ともいう）と、研磨されたシリコン基板を洗浄する工程（以下、「洗浄工程」ともいう）と、を含む、半導体基板の製造方法（以下、「本開示の半導体基板製造方法」ともいう）に関する。
本開示は、また、その他の態様において、本開示の方法、すなわち、本開示のフィルター通液量を向上させる方法、本開示の研磨後のシリコン基板の表面品質を向上する方法、及び／又は、本開示に係る研磨方法を行うことを含む、半導体基板の製造方法に関する。
本開示の半導体基板製造方法によれば、本開示の研磨液組成物を用いることで、シリカ粒子を含有する研磨液組成物のフィルター通液量、及び、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上できるため、高品質の半導体基板を高収率で、生産性よく、安価に製造できる。
【0072】
本開示の半導体基板製造方法における研磨工程は、例えば、単結晶シリコンインゴットを薄円板状にスライスすることにより得られた単結晶シリコン基板を平面化するラッピング（粗研磨）工程と、ラッピング単結晶されたシリコン基板をエッチングした後、単結晶シリコン基板表面を鏡面化する仕上げ研磨工程とを含むことができる。本開示の研磨液組成物は、シリカ粒子を含有する研磨液組成物のフィルター通液量を向上する観点、及び、研磨後のシリコン基板の表面品質を向上する観点から、上記仕上げ研磨工程で用いられるとより好ましい。
【0073】
本開示の半導体基板製造方法における研磨工程は、上述した本開示の研磨方法における研磨工程と同様の条件（研磨圧力、研磨液組成物及び研磨パッドの表面温度等）で研磨を行うことができる。
【0074】
本開示の半導体基板製造方法は、一又は複数の実施形態において、前記研磨工程の前に、本開示の研磨液組成物の濃縮物を希釈する希釈工程を含んでいてもよい。希釈媒には、例えば、水を用いることができる。
【0075】
本開示の半導体基板製造方法における洗浄工程では、シリコン基板表面上の残留物低減の観点から、無機物洗浄を行うことが好ましい。無機物洗浄で用いる洗浄剤としては、例えば、過酸化水素、アンモニア、塩酸、硫酸、フッ酸及びオゾン水から選ばれる少なくとも１種を含む無機物洗浄剤が挙げられる。
【0076】
本開示の半導体基板製造方法は、一又は複数の実施形態において、前記洗浄工程の後に、洗浄後のシリコン基板を水でリンスし、乾燥する工程を更に含むことができる。
【実施例】
【0077】
以下、実施例により本開示をさらに詳細に説明するが、これらは例示的なものであって、本開示はこれら実施例に制限されるものではない。
【0078】
１．研磨液組成物の調製（実施例１～７及び比較例１～６）
表１に示すシリカ粒子（成分Ａ）、表１に示す水溶性高分子（成分Ｂ又は非成分Ｂ）、アンモニア（成分Ｃ）、及び超純水を撹拌混合して、研磨液組成物の濃縮液（ｐＨ１０．６～１１．０（２５℃））を得た。上記濃縮液をイオン交換水で６０倍希釈して、実施例１～７及び比較例１～６の研磨液組成物を得た。表１中の各成分の含有量は、研磨液組成物の使用時における各成分の含有量（質量％又は質量ｐｐｍ、有効分）である。超純水の含有量は、成分Ａと成分Ｂ又は非成分Ｂと成分Ｃとを除いた残余である。各研磨液組成物（使用時）の２５℃におけるｐＨは１０．３であった。
２５℃におけるｐＨは、ｐＨメータ（東亜電波工業株式会社、ＨＭ－３０Ｇ）を用いて測定した値であり、ｐＨメータの電極を研磨液組成物又はその濃縮物へ浸漬して１分後の数値である。
表１に示すシリカ粒子（成分Ａ）、表１に示す水溶性高分子（成分Ｂ又は非成分Ｂ）、アンモニア（成分Ｃ）、及び超純水を撹拌混合して、研磨液組成物の濃縮液（ｐＨ１０．６～１１．０（２５℃））を得た。上記濃縮液をイオン交換水で６０倍希釈して、実施例１～７及び比較例１～６の研磨液組成物を得た。表１中の各成分の含有量は、研磨液組成物の使用時における各成分の含有量（質量％又は質量ｐｐｍ、有効分）である。超純水の含有量は、成分Ａと成分Ｂ又は非成分Ｂと成分Ｃとを除いた残余である。各研磨液組成物（使用時）の２５℃におけるｐＨは１０．３であった。
２５℃におけるｐＨは、ｐＨメータ（東亜電波工業株式会社、ＨＭ－３０Ｇ）を用いて測定した値であり、ｐＨメータの電極を研磨液組成物又はその濃縮物へ浸漬して１分後の数値である。
【0079】
各研磨液組成物の調製に用いた成分Ａ、成分Ｂ、非成分Ｂ、成分Ｃは下記のものを用いた。
（成分Ａ）
コロイダルシリカ［平均一次粒子径３５ｎｍ、平均二次粒子径７０ｎｍ、会合度２．０］
（成分Ｂ）
Ｂ１：メチルジアリルアミン・二酸化硫黄共重合体［ニットーボーメディカル社製、重量平均分子量３，０００］
Ｂ２：グリシドール変性ポリアリルアミン 変性率２．０［ニットーボーメディカル社製、重量平均分子量１１，０００］
Ｂ３：グリシドール変性ポリアリルアミン 変性率１．８［ニットーボーメディカル社製、重量平均分子量１０，０００］
Ｂ４：グリシドール変性ポリアリルアミン 変性率１．５［ニットーボーメディカル社製、重量平均分子量８，９００］
Ｂ５：グリシドール変性ポリアリルアミン 変性率１．０［ニットーボーメディカル社製、重量平均分子量６，９００］
（非成分Ｂ）
Ｂ６：アリルアミン（フリー）重合体［ニットーボーメディカル ＰＡＡ－０３、重量平均分子量３，０００］
Ｂ７：ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）［ダイセル社製、ＳＥ４００、重量平均分子量２５０，０００］
Ｂ８：カチオン性ポリビニルアルコール（ｃ－ＰＶＡ）［クラレ社製、ＣＭ－３１８、重量平均分子量２５，０００］
Ｂ９：ポリヒドロキシエチルアクリルアミド（ｐＨＥＡＡ）
ヒドロキシエチルアクリルアミド１５０ｇ（１．３０ｍｏＬ、KJケミカルズ社製)を１００ｇのイオン交換水に溶解し、モノマー水溶液を調製した。また、別に、２,２’－アゾビス（２－メチルプロピオンアミジン）ジヒドロクロリド ０．０３５ｇ（重合開始剤、「Ｖ－５０」、１．３０ｍｍｏＬ、和光純薬社製）を７０ｇのイオン交換水に溶解し、重合開始剤水溶液を調製した。ジムロート冷却管、温度計及び三日月形テフロン（登録商標）製撹拌翼を備えた２Ｌセパラブルフラスコに、イオン交換水１，１８０ｇを投入した後、セパラブルフラスコ内を窒素置換した。次いで、オイルバスを用いてセパラブルフラスコ内の温度を６８℃に昇温した後、予め調製した上記モノマー水溶液と上記重合開始剤水溶液を各々３．５時間かけて撹拌を行っているセパラブルフラスコ内に滴下した。滴下終了後、反応溶液の温度及び撹拌を４時間保持し、無色透明の１０質量％ポリヒドロキシエチルアクリルアミド（ｐＨＥＡＡ、重量平均分子量：７００，０００）水溶液１，５００ｇを得た。
Ｂ１０：ポリグリセリン［ダイセル社製の「ＸＰＷ」、重合度４０、重量平均分子量３，０００］
Ｂ１１：ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）［クラレ社製、ＰＶＡ１０５、重合度：５００、重量平均分子量２５，０００］
（成分Ｃ）
アンモニア［２８質量％アンモニア水、キシダ化学社製、試薬特級］
（成分Ａ）
コロイダルシリカ［平均一次粒子径３５ｎｍ、平均二次粒子径７０ｎｍ、会合度２．０］
（成分Ｂ）
Ｂ１：メチルジアリルアミン・二酸化硫黄共重合体［ニットーボーメディカル社製、重量平均分子量３，０００］
Ｂ２：グリシドール変性ポリアリルアミン 変性率２．０［ニットーボーメディカル社製、重量平均分子量１１，０００］
Ｂ３：グリシドール変性ポリアリルアミン 変性率１．８［ニットーボーメディカル社製、重量平均分子量１０，０００］
Ｂ４：グリシドール変性ポリアリルアミン 変性率１．５［ニットーボーメディカル社製、重量平均分子量８，９００］
Ｂ５：グリシドール変性ポリアリルアミン 変性率１．０［ニットーボーメディカル社製、重量平均分子量６，９００］
（非成分Ｂ）
Ｂ６：アリルアミン（フリー）重合体［ニットーボーメディカル ＰＡＡ－０３、重量平均分子量３，０００］
Ｂ７：ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）［ダイセル社製、ＳＥ４００、重量平均分子量２５０，０００］
Ｂ８：カチオン性ポリビニルアルコール（ｃ－ＰＶＡ）［クラレ社製、ＣＭ－３１８、重量平均分子量２５，０００］
Ｂ９：ポリヒドロキシエチルアクリルアミド（ｐＨＥＡＡ）
ヒドロキシエチルアクリルアミド１５０ｇ（１．３０ｍｏＬ、KJケミカルズ社製)を１００ｇのイオン交換水に溶解し、モノマー水溶液を調製した。また、別に、２,２’－アゾビス（２－メチルプロピオンアミジン）ジヒドロクロリド ０．０３５ｇ（重合開始剤、「Ｖ－５０」、１．３０ｍｍｏＬ、和光純薬社製）を７０ｇのイオン交換水に溶解し、重合開始剤水溶液を調製した。ジムロート冷却管、温度計及び三日月形テフロン（登録商標）製撹拌翼を備えた２Ｌセパラブルフラスコに、イオン交換水１，１８０ｇを投入した後、セパラブルフラスコ内を窒素置換した。次いで、オイルバスを用いてセパラブルフラスコ内の温度を６８℃に昇温した後、予め調製した上記モノマー水溶液と上記重合開始剤水溶液を各々３．５時間かけて撹拌を行っているセパラブルフラスコ内に滴下した。滴下終了後、反応溶液の温度及び撹拌を４時間保持し、無色透明の１０質量％ポリヒドロキシエチルアクリルアミド（ｐＨＥＡＡ、重量平均分子量：７００，０００）水溶液１，５００ｇを得た。
Ｂ１０：ポリグリセリン［ダイセル社製の「ＸＰＷ」、重合度４０、重量平均分子量３，０００］
Ｂ１１：ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）［クラレ社製、ＰＶＡ１０５、重合度：５００、重量平均分子量２５，０００］
（成分Ｃ）
アンモニア［２８質量％アンモニア水、キシダ化学社製、試薬特級］
【0080】
２．各種パラメータの測定方法
（１）シリカ粒子（成分Ａ）の平均一次粒子径の測定
成分Ａの平均一次粒子径（ｎｍ）は、ＢＥＴ（窒素吸着）法によって算出される比表面積Ｓ（ｍ2／ｇ）を用いて下記式で算出した。
平均一次粒子径（ｎｍ）＝２７２７／Ｓ
（１）シリカ粒子（成分Ａ）の平均一次粒子径の測定
成分Ａの平均一次粒子径（ｎｍ）は、ＢＥＴ（窒素吸着）法によって算出される比表面積Ｓ（ｍ2／ｇ）を用いて下記式で算出した。
平均一次粒子径（ｎｍ）＝２７２７／Ｓ
【0081】
成分Ａの比表面積Ｓは、下記の［前処理］をした後、測定サンプル約０．１ｇを測定セルに小数点以下４桁まで精量し、比表面積の測定直前に１１０℃の雰囲気下で３０分間乾燥した後、比表面積測定装置（マイクロメリティック自動比表面積測定装置「フローソーブＩＩＩ２３０５」、島津製作所製）を用いて窒素吸着法（ＢＥＴ法）により測定した。
［前処理］
（ａ）スラリー状の成分Ａを硝酸水溶液でｐＨ２．５±０．１に調整する。
（ｂ）ｐＨ２．５±０．１に調整されたスラリー状の成分Ａをシャーレにとり１５０℃の熱風乾燥機内で１時間乾燥させる。
（ｃ）乾燥後、得られた試料をメノウ乳鉢で細かく粉砕する。
（ｄ）粉砕された試料を４０℃のイオン交換水に懸濁させ、孔径１μｍのメンブランフィルターで濾過する。
（ｅ）フィルター上の濾過物を２０ｇのイオン交換水（４０℃）で５回洗浄する。
（ｆ）濾過物が付着したフィルターをシャーレにとり、１１０℃の雰囲気下で４時間乾燥させる。
（ｇ）乾燥した濾過物（成分Ａ）をフィルター屑が混入しないようにとり、乳鉢で細かく粉砕して測定サンプルを得た。
［前処理］
（ａ）スラリー状の成分Ａを硝酸水溶液でｐＨ２．５±０．１に調整する。
（ｂ）ｐＨ２．５±０．１に調整されたスラリー状の成分Ａをシャーレにとり１５０℃の熱風乾燥機内で１時間乾燥させる。
（ｃ）乾燥後、得られた試料をメノウ乳鉢で細かく粉砕する。
（ｄ）粉砕された試料を４０℃のイオン交換水に懸濁させ、孔径１μｍのメンブランフィルターで濾過する。
（ｅ）フィルター上の濾過物を２０ｇのイオン交換水（４０℃）で５回洗浄する。
（ｆ）濾過物が付着したフィルターをシャーレにとり、１１０℃の雰囲気下で４時間乾燥させる。
（ｇ）乾燥した濾過物（成分Ａ）をフィルター屑が混入しないようにとり、乳鉢で細かく粉砕して測定サンプルを得た。
【0082】
（２）シリカ粒子（成分Ａ）の平均二次粒子径
成分Ａの平均二次粒子径（ｎｍ）は、成分Ａの濃度が０．２５質量％となるように研磨材をイオン交換水に添加した後、得られた水分散液をＤｉｓｐｏｓａｂｌｅ Ｓｉｚｉｎｇ Ｃｕｖｅｔｔｅ（ポリスチレン製 １０ｍｍセル）に下底からの高さ１０ｍｍまで入れ、動的光散乱法（装置名：「ゼータサイザーＮａｎｏ ＺＳ」、シスメックス社製）を用いて測定した。
成分Ａの平均二次粒子径（ｎｍ）は、成分Ａの濃度が０．２５質量％となるように研磨材をイオン交換水に添加した後、得られた水分散液をＤｉｓｐｏｓａｂｌｅ Ｓｉｚｉｎｇ Ｃｕｖｅｔｔｅ（ポリスチレン製 １０ｍｍセル）に下底からの高さ１０ｍｍまで入れ、動的光散乱法（装置名：「ゼータサイザーＮａｎｏ ＺＳ」、シスメックス社製）を用いて測定した。
【0083】
（３）シリカ粒子（成分Ａ）の平均粒子径比ｄ／ｄ0
平均粒子径ｄ
成分Ａの平均粒子径ｄは、表１に示す研磨液組成物をＤｉｓｐｏｓａｂｌｅ Ｓｉｚｉｎｇ Ｃｕｖｅｔｔｅ（ポリスチレン製１０ｍｍセル）に下底からの高さ１０ｍｍまで入れた後に、動的光散乱法（装置名：「ゼータサイザーＮａｎｏ ＺＳ」、シスメックス社製）を用いて測定した。
平均粒子径ｄ0
成分Ａの平均粒子径ｄ0は、表１の研磨液組成物から成分Ｂが除かれた水分散液、即ち、表１に示すシリカ粒子（成分Ａ）、アンモニア（成分Ｃ）、及び超純水を撹拌混合して得られた水分散液をＤｉｓｐｏｓａｂｌｅ Ｓｉｚｉｎｇ Ｃｕｖｅｔｔｅ（ポリスチレン製 １０ｍｍセル）に下底からの高さ１０ｍｍまで入れた後に、動的光散乱法（装置名：「ゼータサイザーＮａｎｏ ＺＳ」、シスメックス社製）を用いて測定した。
平均粒子径比ｄ／ｄ0
得られた平均粒径ｄ及び平均粒径ｄ0を用いて、平均粒子径比ｄ／ｄ0を算出した。
平均粒子径ｄ
成分Ａの平均粒子径ｄは、表１に示す研磨液組成物をＤｉｓｐｏｓａｂｌｅ Ｓｉｚｉｎｇ Ｃｕｖｅｔｔｅ（ポリスチレン製１０ｍｍセル）に下底からの高さ１０ｍｍまで入れた後に、動的光散乱法（装置名：「ゼータサイザーＮａｎｏ ＺＳ」、シスメックス社製）を用いて測定した。
平均粒子径ｄ0
成分Ａの平均粒子径ｄ0は、表１の研磨液組成物から成分Ｂが除かれた水分散液、即ち、表１に示すシリカ粒子（成分Ａ）、アンモニア（成分Ｃ）、及び超純水を撹拌混合して得られた水分散液をＤｉｓｐｏｓａｂｌｅ Ｓｉｚｉｎｇ Ｃｕｖｅｔｔｅ（ポリスチレン製 １０ｍｍセル）に下底からの高さ１０ｍｍまで入れた後に、動的光散乱法（装置名：「ゼータサイザーＮａｎｏ ＺＳ」、シスメックス社製）を用いて測定した。
平均粒子径比ｄ／ｄ0
得られた平均粒径ｄ及び平均粒径ｄ0を用いて、平均粒子径比ｄ／ｄ0を算出した。
【0084】
（４）成分Ｂの成分Ａへの吸着量
表１に示す含有量となるように調製された研磨液組成物を１５分静置する。その後、遠心分離処理（２５，０００ｒｐｍ、１時間）を行い、シリカを含む沈降物と上澄み液を分離し、上澄み液のＴＯＣ値を測定する。別途、各濃度の成分Ｂの水溶液のＴＯＣ値から検量線を作成し、この検量線と上澄み液のＴＯＣ値からシリカへ吸着した成分Ｂの吸着量を計算した。
表１に示す含有量となるように調製された研磨液組成物を１５分静置する。その後、遠心分離処理（２５，０００ｒｐｍ、１時間）を行い、シリカを含む沈降物と上澄み液を分離し、上澄み液のＴＯＣ値を測定する。別途、各濃度の成分Ｂの水溶液のＴＯＣ値から検量線を作成し、この検量線と上澄み液のＴＯＣ値からシリカへ吸着した成分Ｂの吸着量を計算した。
【0085】
（５）フィルター通液量の測定
筒状容器（容量５００ｍｌ、内上部の直径９ｃｍ、下部の直径８ｃｍ）の底には内部に連通する開口部があり、この開口部に接続した管に、開閉バルブを介し、孔径０．２μｍ、ろ過面積４ｃｍ2のフィルター［アドバンテック社製、親水性ＰＴＦＥ０．２μｍ（孔径）フィルター、型式：２５ＨＰ０２０ＡＮ］を接続した。
筒状容器の上部キャップは、内部に連通した開口部があり、この開口部に接続した管に、圧力調節バルブを介してエアーポンプを接続した。
この筒状容器に５００ｍｌの表１の研磨液組成物を充填し、エアー圧力（ろ過圧力）０．２５ＭＰａの一定圧力を筒状容器内部に加圧した。筒状容器下部の開閉バルブを開放し、研磨液組成物をフィルターに通液させ、フィルターが閉塞するまでの通液量（ｇ／ｓｅｃ・ｃｍ2）を測定した。なお、閉塞しない研磨液組成物については、フィルターから通液される研磨液組成物の間隔が５秒間隔になるまでの通液量をフィルター通液量とした。
筒状容器（容量５００ｍｌ、内上部の直径９ｃｍ、下部の直径８ｃｍ）の底には内部に連通する開口部があり、この開口部に接続した管に、開閉バルブを介し、孔径０．２μｍ、ろ過面積４ｃｍ2のフィルター［アドバンテック社製、親水性ＰＴＦＥ０．２μｍ（孔径）フィルター、型式：２５ＨＰ０２０ＡＮ］を接続した。
筒状容器の上部キャップは、内部に連通した開口部があり、この開口部に接続した管に、圧力調節バルブを介してエアーポンプを接続した。
この筒状容器に５００ｍｌの表１の研磨液組成物を充填し、エアー圧力（ろ過圧力）０．２５ＭＰａの一定圧力を筒状容器内部に加圧した。筒状容器下部の開閉バルブを開放し、研磨液組成物をフィルターに通液させ、フィルターが閉塞するまでの通液量（ｇ／ｓｅｃ・ｃｍ2）を測定した。なお、閉塞しない研磨液組成物については、フィルターから通液される研磨液組成物の間隔が５秒間隔になるまでの通液量をフィルター通液量とした。
【0086】
（６）水溶性高分子（成分Ｂ、非成分Ｂ）の重量平均分子量の測定
水溶性高分子（成分Ｂ、非成分Ｂ）の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法を下記の条件で適用して得たクロマトグラム中のピークに基づき算出した。
＜重量平均分子量の測定法＞
アミノ基を有する水溶性高分子（成分Ｂ、非成分Ｂ）の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法を下記の条件で適用して得たクロマトグラム中のピークに基づいて算出した値である。
カラム：α－Ｍ＋α－Ｍ
溶離液：０．１５ｍｏｌ／Ｌ Ｎａ2ＳＯ4，１％ＣＨ3ＣＯＯＨ／水
流量：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
カラム温度：４０℃
検出器：ＲＩ検出器
標準物質：プルラン（分子量；７８．８万，１９．４万，４．７３万，５９００ 全てＳｈｏｄｅｘ社製）
水溶性高分子（成分Ｂ、非成分Ｂ）の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法を下記の条件で適用して得たクロマトグラム中のピークに基づき算出した。
＜重量平均分子量の測定法＞
アミノ基を有する水溶性高分子（成分Ｂ、非成分Ｂ）の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法を下記の条件で適用して得たクロマトグラム中のピークに基づいて算出した値である。
カラム：α－Ｍ＋α－Ｍ
溶離液：０．１５ｍｏｌ／Ｌ Ｎａ2ＳＯ4，１％ＣＨ3ＣＯＯＨ／水
流量：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
カラム温度：４０℃
検出器：ＲＩ検出器
標準物質：プルラン（分子量；７８．８万，１９．４万，４．７３万，５９００ 全てＳｈｏｄｅｘ社製）
【0087】
上記以外の高分子化合物の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法を下記の条件で適用して得たクロマトグラム中のピークに基づいて算出した値である。
装置：ＨＬＣ－８３２０ ＧＰＣ（東ソー社製、検出器一体型）
カラム：ＧＭＰＷＸＬ＋ＧＭＰＷＸＬ（アニオン）
溶離液：０．２Ｍリン酸バッファー／ＣＨ3ＣＮ＝９／１
流量：０．５ｍＬ／ｍｉｎ
カラム温度：４０℃
検出器：ショーデックスＲＩ ＳＥ－６１示差屈折率検出器
標準物質：分子量が既知の単分散ポリエチレングリコール
装置：ＨＬＣ－８３２０ ＧＰＣ（東ソー社製、検出器一体型）
カラム：ＧＭＰＷＸＬ＋ＧＭＰＷＸＬ（アニオン）
溶離液：０．２Ｍリン酸バッファー／ＣＨ3ＣＮ＝９／１
流量：０．５ｍＬ／ｍｉｎ
カラム温度：４０℃
検出器：ショーデックスＲＩ ＳＥ－６１示差屈折率検出器
標準物質：分子量が既知の単分散ポリエチレングリコール
【0088】
（７）ｐＫａの測定
ＨＭ―４１Ｋ型ｐＨメータ（東亜ＤＫＫ（株））用いて、１Ｍに調整した成分Ｂの水溶液を０．１Ｍ－塩酸により室温で電位差滴定を行った。得られた滴定曲線からｐＫａを算出した。
ＨＭ―４１Ｋ型ｐＨメータ（東亜ＤＫＫ（株））用いて、１Ｍに調整した成分Ｂの水溶液を０．１Ｍ－塩酸により室温で電位差滴定を行った。得られた滴定曲線からｐＫａを算出した。
【0089】
（８）グリシドール変性率
グリシドール変性率は、13Ｃ－ＮＭＲを用いて求めた。
＜測定条件＞
試料：グリシドール変性ポリアリルアミン ２００ｍｇを重水０．６ｍＬに溶解
使用装置： ４００ＭＨｚ 13Ｃ－ＮＭＲ（アジレント・テクノロジー株式会社製「Ａｇｉｌｅｎｔ ４００－ＭＲ ＤＤ２」）
測定条件：13Ｃ－ＮＭＲ測定、パルス間隔時間５秒、テトラメチルシランを標準ピーク（σ：０．０ｐｐｍ）として測定
積算回数：５０００回
積分に用いる各ピーク範囲：
Ａ：７１．０～７２．３ｐｐｍ（アミノ基と反応したグリシドールの２級水酸基が結合したＣのピークの積分値）
Ｂ：３２．０～４１．０ｐｐｍ（アリルアミンの主鎖Cのピークの積分値）
＜グリシドール変性率＞
グリシドール変性率（アミノ基の当量に対するグリシドールの当量比）は以下の式で求める。
グリシドール変性率（当量比）＝ ２Ａ／Ｂ
グリシドール変性率は、13Ｃ－ＮＭＲを用いて求めた。
＜測定条件＞
試料：グリシドール変性ポリアリルアミン ２００ｍｇを重水０．６ｍＬに溶解
使用装置： ４００ＭＨｚ 13Ｃ－ＮＭＲ（アジレント・テクノロジー株式会社製「Ａｇｉｌｅｎｔ ４００－ＭＲ ＤＤ２」）
測定条件：13Ｃ－ＮＭＲ測定、パルス間隔時間５秒、テトラメチルシランを標準ピーク（σ：０．０ｐｐｍ）として測定
積算回数：５０００回
積分に用いる各ピーク範囲：
Ａ：７１．０～７２．３ｐｐｍ（アミノ基と反応したグリシドールの２級水酸基が結合したＣのピークの積分値）
Ｂ：３２．０～４１．０ｐｐｍ（アリルアミンの主鎖Cのピークの積分値）
＜グリシドール変性率＞
グリシドール変性率（アミノ基の当量に対するグリシドールの当量比）は以下の式で求める。
グリシドール変性率（当量比）＝ ２Ａ／Ｂ
【0090】
３．実施例１～７及び比較例１～６の研磨液組成物を用いた研磨の評価
（１）研磨方法
各研磨液組成物について、それぞれ研磨直前にフィルター（コンパクトカートリッジフィルタ「ＭＣＰ－ＬＸ－Ｃ１０Ｓ」、アドバンテック社製）にてろ過を行い、下記の研磨条件で下記のシリコン基板に対して仕上げ研磨を行った。
＜被研磨シリコン基板＞
単結晶シリコン基板［直径２００ｍｍのシリコン片面鏡面基板、伝導型：Ｐ、結晶方位：１００、抵抗率：０．１Ω・ｃｍ以上１００Ω・ｃｍ未満］
上記単結晶シリコン基板を市販の研磨液組成物（フジミインコーポレーテッド製、ＧＬＡＮＺＯＸ １３０２）を用いて予め粗研磨を実施した。粗研磨を終了し仕上げ研磨に供した単結晶シリコン基板のヘイズは、２～３ｐｐｍであった。
（１）研磨方法
各研磨液組成物について、それぞれ研磨直前にフィルター（コンパクトカートリッジフィルタ「ＭＣＰ－ＬＸ－Ｃ１０Ｓ」、アドバンテック社製）にてろ過を行い、下記の研磨条件で下記のシリコン基板に対して仕上げ研磨を行った。
＜被研磨シリコン基板＞
単結晶シリコン基板［直径２００ｍｍのシリコン片面鏡面基板、伝導型：Ｐ、結晶方位：１００、抵抗率：０．１Ω・ｃｍ以上１００Ω・ｃｍ未満］
上記単結晶シリコン基板を市販の研磨液組成物（フジミインコーポレーテッド製、ＧＬＡＮＺＯＸ １３０２）を用いて予め粗研磨を実施した。粗研磨を終了し仕上げ研磨に供した単結晶シリコン基板のヘイズは、２～３ｐｐｍであった。
【0091】
＜仕上げ研磨条件＞
研磨機：片面８インチ研磨機「ＧＲＩＮＤ－Ｘ ＳＰＰ６００ｓ」（岡本工作製）
研磨パッド：スエードパッド（東レ コーテックス社製、アスカー硬度：６４、厚さ：１．３７ｍｍ、ナップ長：４５０μｍ、開口径：６０μｍ）
シリコン基板研磨圧力：１００ｇ／ｃｍ2
定盤回転速度：６０ｒｐｍ
研磨時間：５分
研磨液組成物の供給速度：１５０ｇ／ｍｉｎ
研磨液組成物の温度：２３℃
キャリア回転速度：６２ｒｐｍ
研磨機：片面８インチ研磨機「ＧＲＩＮＤ－Ｘ ＳＰＰ６００ｓ」（岡本工作製）
研磨パッド：スエードパッド（東レ コーテックス社製、アスカー硬度：６４、厚さ：１．３７ｍｍ、ナップ長：４５０μｍ、開口径：６０μｍ）
シリコン基板研磨圧力：１００ｇ／ｃｍ2
定盤回転速度：６０ｒｐｍ
研磨時間：５分
研磨液組成物の供給速度：１５０ｇ／ｍｉｎ
研磨液組成物の温度：２３℃
キャリア回転速度：６２ｒｐｍ
【0092】
（２）洗浄方法
仕上げ研磨後、シリコン基板に対して、オゾン洗浄と希フッ酸洗浄を下記のとおり行った。オゾン洗浄では、２０ｐｐｍのオゾンを含んだ水溶液をノズルから流速１Ｌ／ｍｉｎ、６００ｒｐｍで回転するシリコン基板の中央に向かって３分間噴射した。このときオゾン水の温度は常温とした。次に希フッ酸洗浄を行った。希フッ酸洗浄では、０．５質量％のフッ化水素アンモニウム（特級、ナカライテクス株式会社）を含んだ水溶液をノズルから流速１Ｌ／ｍｉｎ、６００ｒｐｍで回転するシリコン基板の中央に向かって６秒間噴射した。上記オゾン洗浄と希フッ酸洗浄を１セットとして計２セット行い、最後にスピン乾燥を行った。スピン乾燥では１，５００ｒｐｍでシリコン基板を回転させた。
仕上げ研磨後、シリコン基板に対して、オゾン洗浄と希フッ酸洗浄を下記のとおり行った。オゾン洗浄では、２０ｐｐｍのオゾンを含んだ水溶液をノズルから流速１Ｌ／ｍｉｎ、６００ｒｐｍで回転するシリコン基板の中央に向かって３分間噴射した。このときオゾン水の温度は常温とした。次に希フッ酸洗浄を行った。希フッ酸洗浄では、０．５質量％のフッ化水素アンモニウム（特級、ナカライテクス株式会社）を含んだ水溶液をノズルから流速１Ｌ／ｍｉｎ、６００ｒｐｍで回転するシリコン基板の中央に向かって６秒間噴射した。上記オゾン洗浄と希フッ酸洗浄を１セットとして計２セット行い、最後にスピン乾燥を行った。スピン乾燥では１，５００ｒｐｍでシリコン基板を回転させた。
【0093】
（３）シリコン基板の表面欠陥（ＬＰＤ）の評価
洗浄後のシリコン基板表面の表面粗さ（ヘイズ）の評価には、表面粗さ測定装置「Ｓｕｒｆｓｃａｎ ＳＰ１－ＤＬＳ」（ＫＬＡ Ｔｅｎｃｏｒ社製）を用いて測定される、暗視野ワイド斜入射チャンネル（ＤＷＯ）での値（ＤＷＯヘイズ）を用いた。
また、表面欠陥（ＬＰＤ）は、Ｈａｚｅ測定時に同時に測定され、シリコン基板表面上の粒径が４５ｎｍ以上のパーティクル数を測定することによって評価した。表面欠陥（ＬＰＤ）の数値は小さいほど、表面欠陥が少ないことを示す。
表面欠陥（ＬＰＤ）の測定は、各々２枚のシリコン基板に対して行い、各々平均値を求めた。結果を表１に示す。
洗浄後のシリコン基板表面の表面粗さ（ヘイズ）の評価には、表面粗さ測定装置「Ｓｕｒｆｓｃａｎ ＳＰ１－ＤＬＳ」（ＫＬＡ Ｔｅｎｃｏｒ社製）を用いて測定される、暗視野ワイド斜入射チャンネル（ＤＷＯ）での値（ＤＷＯヘイズ）を用いた。
また、表面欠陥（ＬＰＤ）は、Ｈａｚｅ測定時に同時に測定され、シリコン基板表面上の粒径が４５ｎｍ以上のパーティクル数を測定することによって評価した。表面欠陥（ＬＰＤ）の数値は小さいほど、表面欠陥が少ないことを示す。
表面欠陥（ＬＰＤ）の測定は、各々２枚のシリコン基板に対して行い、各々平均値を求めた。結果を表１に示す。
【0094】
【表1】
【0095】
表１に示されるように、実施例１～７の研磨液組成物は、比較例１～６の研磨液組成物に比べて、フィルター通液量の向上とシリコン基板の表面欠陥の低減とを達成できていることが分かった。
【産業上の利用可能性】
【0096】
本開示の方法を用いれば、フィルター通液量の向上とシリコン基板の表面欠陥の低減とを達成できる。よって、本開示の方法は、なかでも、シリコン基板の製造過程で用いられる方法として有用である。