特許 7606547 発光装置、表示装置、光電変換装置、電子機器、照明装置、および、移動体

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-12-17

(45)【発行日】2024-12-25

(54)【発明の名称】発光装置、表示装置、光電変換装置、電子機器、照明装置、および、移動体

(51)【国際特許分類】

   H10K 50/19 20230101AFI20241218BHJP

   H10K 50/813 20230101ALI20241218BHJP

   H10K 65/00 20230101ALI20241218BHJP

   H10K 50/822 20230101ALI20241218BHJP

   H10K 50/824 20230101ALI20241218BHJP

   H10K 50/814 20230101ALI20241218BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20241218BHJP

   H10K 59/10 20230101ALI20241218BHJP

【ＦＩ】

H10K50/19

H10K50/813

H10K65/00

H10K50/822

H10K50/824

H10K50/814

G09F9/30 365

G09F9/30 338

G09F9/30 348A

H10K59/10

【請求項の数】 37

(21)【出願番号】P 2023006066

(22)【出願日】2023-01-18

(65)【公開番号】P2024014681

(43)【公開日】2024-02-01

【審査請求日】2023-12-18

(31)【優先権主張番号】P 2022116573

(32)【優先日】2022-07-21

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000001007

【氏名又は名称】キヤノン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110003281

【氏名又は名称】弁理士法人大塚国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】高橋 哲生

(72)【発明者】

【氏名】石津谷 幸司

(72)【発明者】

【氏名】伊藤 希之

(72)【発明者】

【氏名】松田 陽次郎

(72)【発明者】

【氏名】権守 英輔

(72)【発明者】

【氏名】日當 翔馬

(72)【発明者】

【氏名】沖田 彰

【審査官】渡邊 吉喜

(56)【参考文献】

【文献】米国特許出願公開第２０１８／０１０２４９９（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０２０／００４３９８３（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０２０／００４４１７８（ＵＳ，Ａ１）

【文献】国際公開第２０２２／００３５０４（ＷＯ，Ａ１）

【文献】国際公開第２０１９／２１６１９８（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０２２－０２２８７５（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ１０Ｋ ５０／１９

Ｈ１０Ｋ ５０／８１３

Ｈ１０Ｋ ６５／００

Ｈ１０Ｋ ５０／８２２

Ｈ１０Ｋ ５０／８２４

Ｈ１０Ｋ ５０／８１４

Ｇ０９Ｆ ９／３０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板の主面の上に配された絶縁層と、前記絶縁層の上に配された複数の下部電極と、前記複数の下部電極を覆うように配された有機層と、前記有機層を覆うように配された上部電極と、前記上部電極に電位を供給する供給電極と、を備える発光装置であって、
前記有機層は、それぞれ発光層を含む複数の機能層と、前記複数の機能層の間に配される電荷発生層と、を含み、
前記上部電極は、前記供給電極と接するコンタクト部を含み、
前記主面に対する正射影において、前記絶縁層は、前記複数の下部電極のそれぞれと前記コンタクト部との間に溝を備え、
前記溝における前記電荷発生層の厚さが、前記複数の下部電極の上における前記電荷発生層の厚さよりも薄化していることを特徴とする発光装置。

【請求項2】

前記複数の下部電極は、互いに隣り合う第１下部電極と第２下部電極とを含み、
前記主面に対する正射影において、前記コンタクト部が、前記第１下部電極と前記第２下部電極との間に配され、かつ、前記溝に少なくとも部分的に取り囲まれていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。

【請求項3】

前記複数の下部電極は、互いに隣り合う第３下部電極および第４下部電極をさら含み、
前記主面に対する正射影において、前記第３下部電極と前記第４下部電極との間には、前記コンタクト部が配されておらず、
前記第１下部電極と前記第２下部電極との中心間の距離と、前記第３下部電極と前記第４下部電極との中心間の距離と、が同じであることを特徴とする請求項２に記載の発光装置。

【請求項4】

前記複数の下部電極は、互いに隣り合う第３下部電極および第４下部電極をさら含み、
前記主面に対する正射影において、前記第３下部電極と前記第４下部電極との間には、前記コンタクト部が配されておらず、
前記第１下部電極と前記第２下部電極との中心間の距離が、前記第３下部電極と前記第４下部電極との中心間の距離よりも長いことを特徴とする請求項２に記載の発光装置。

【請求項5】

前記第１下部電極と前記第２下部電極との中心間の距離が、前記第３下部電極と前記第４下部電極との中心間の距離の２倍であることを特徴とする請求項４に記載の発光装置。

【請求項6】

前記主面に対する正射影において、前記有機層のうち前記複数の下部電極に接する部分が、それぞれ前記溝に少なくとも部分的に取り囲まれていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。

【請求項7】

前記複数の下部電極は、互いに隣り合う第１下部電極と第２下部電極とを含み、
前記主面に対する正射影において、前記コンタクト部が、前記第１下部電極と前記第２下部電極との間に配されていることを特徴とする請求項６に記載の発光装置。

【請求項8】

前記主面に対する正射影において、
前記有機層および前記上部電極は、前記複数の下部電極が配された表示領域よりも外側の外周領域まで配されており、
前記コンタクト部が、前記外周領域のうち前記有機層が配されている領域に配されていることを特徴とする請求項６に記載の発光装置。

【請求項9】

前記主面に対する正射影において、
前記有機層および前記上部電極は、前記複数の下部電極が配された表示領域よりも外側の外周領域まで配され、
前記上部電極は、前記外周領域において前記有機層よりも外側まで配されており、
前記コンタクト部が、前記外周領域のうち前記有機層よりも外側の領域に配されていることを特徴とする請求項６に記載の発光装置。

【請求項10】

前記上部電極と前記電荷発生層とが電気的に接続していることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。

【請求項11】

前記主面に対する正射影において、
前記有機層および前記上部電極は、前記複数の下部電極が配された表示領域よりも外側の外周領域まで配されており、
前記コンタクト部が、前記外周領域のうち前記有機層が配されている領域に配され、かつ、前記溝に少なくとも部分的に取り囲まれていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。

【請求項12】

前記主面に対する正射影において、
前記有機層および前記上部電極は、前記複数の下部電極が配された表示領域よりも外側の外周領域まで配されており、
前記コンタクト部が、前記外周領域のうち前記有機層が配されている領域に配され、
前記表示領域が、前記溝に少なくとも部分的に取り囲まれていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。

【請求項13】

前記主面に対する正射影において、
前記有機層および前記上部電極は、前記複数の下部電極が配された表示領域よりも外側の外周領域まで配され、
前記上部電極は、前記外周領域において前記有機層よりも外側まで配されており、
前記コンタクト部が、前記外周領域のうち前記有機層よりも外側の領域に配され、
前記表示領域が、前記溝に少なくとも部分的に取り囲まれていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。

【請求項14】

前記外周領域において、前記上部電極と前記電荷発生層とが電気的に接続していることを特徴とする請求項１３に記載の発光装置。

【請求項15】

前記複数の機能層は、前記複数の下部電極に接する第１機能層を含み、
前記溝のうち互いに対向する上辺の間の距離が、前記第１機能層のうち前記複数の下部電極に接する部分の厚さの２倍以上であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。

【請求項16】

前記溝のうち互いに対向する上辺の間の長さが、前記溝の深さよりも短いことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。

【請求項17】

前記電荷発生層のうち前記溝に没入した部分が、前記電荷発生層のうち前記複数の下部電極の上に配されている部分の１／２以下の膜厚を備える部分を含むことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。

【請求項18】

前記電荷発生層のうち前記溝に没入した部分が、不連続な部分を含むことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。

【請求項19】

前記上部電極が、前記溝に没入しないことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。

【請求項20】

前記上部電極が、前記溝の上で連続して配されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。

【請求項21】

基板の主面の上に配された絶縁層と、前記絶縁層の上に配された複数の下部電極と、前記複数の下部電極を覆うように配された有機層と、前記有機層を覆うように配された上部電極と、前記上部電極に電位を供給する供給電極と、を備える発光装置であって、
前記有機層は、それぞれ発光層を含む複数の機能層と前記複数の機能層の間に配される電荷発生層とを含み、
前記上部電極は、前記供給電極と接するコンタクト部を含み、
前記絶縁層と前記有機層との間、かつ、前記主面に対する正射影において前記複数の下部電極のそれぞれと前記コンタクト部との間に、前記電荷発生層に電界を印加するための電界印加電極が配されていることを特徴とする発光装置。

【請求項22】

前記発光装置の動作中に、前記電界印加電極と前記上部電極との間に、前記発光層の発光閾値以上の電圧が印加されることを特徴とする請求項２１に記載の発光装置。

【請求項23】

基板の主面の上に配された第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上に配された複数の下部電極と、前記第１絶縁層の上かつ前記複数の下部電極の間に配された第２絶縁層と、前記複数の下部電極および前記第２絶縁層を覆うように配された有機層と、前記有機層を覆うように配された上部電極と、前記上部電極に電位を供給する供給電極と、を含む発光装置であって、
前記有機層は、それぞれ発光層を含む複数の機能層と前記複数の機能層の間に配される電荷発生層とを含み、
前記上部電極は、前記供給電極と接するコンタクト部を含み、
前記第２絶縁層の前記有機層に向かい合う表面には、前記主面に対する正射影において前記複数の下部電極のそれぞれと前記コンタクト部との間に、前記主面に対して傾きを有する傾斜部が配され、
前記主面と前記傾斜部との間に、前記主面に対する正射影において前記傾斜部に重なるように、導電層がさらに配され、
前記導電層の電位は、
前記複数の下部電極が陽極、前記上部電極が陰極の場合、前記複数の下部電極よりも低く、
前記複数の下部電極が陰極、前記上部電極が陽極の場合、前記複数の下部電極よりも高いことを特徴とする発光装置。

【請求項24】

前記導電層の電位と前記上部電極の電位との差が、前記導電層の電位と前記複数の下部電極の電位との差よりも小さいことを特徴とする請求項２３に記載の発光装置。

【請求項25】

前記導電層の電位が、前記上部電極の電位と同じことを特徴とする請求項２３に記載の発光装置。

【請求項26】

前記導電層が、前記上部電極に電気的に接続されていることを特徴とする請求項２３に記載の発光装置。

【請求項27】

前記第２絶縁層の前記表面には、前記複数の下部電極のそれぞれを取り囲むように溝が設けられており、
前記傾斜部が、前記溝の側壁を構成していることを特徴とする請求項２３に記載の発光装置。

【請求項28】

前記傾斜部の前記主面に平行な仮想面に対する角度が、５０°以上であることを特徴とする請求項２３に記載の発光装置。

【請求項29】

前記複数の下部電極は、透光性を備え、
前記主面と前記第１絶縁層との間に、前記複数の下部電極のそれぞれに対応するように反射層を含む反射領域が配されており、
前記反射領域が、前記導電層として機能することを特徴とする請求項２３に記載の発光装置。

【請求項30】

前記複数の下部電極は、透光性を備え、
前記主面と前記第１絶縁層との間に、前記複数の下部電極のそれぞれに対応するように反射層を含む反射領域が配されており、
前記反射領域は、前記複数の下部電極のうち対応する下部電極に電気的に接続され、
前記導電層は、前記反射領域に電気的に接続されていないことを特徴とする請求項２３に記載の発光装置。

【請求項31】

前記導電層と前記反射領域とが、前記主面から同じ高さに配されていることを特徴とする請求項３０に記載の発光装置。

【請求項32】

前記導電層が、前記複数の下部電極に電気的に接続されていないことを特徴とする請求項２３に記載の発光装置。

【請求項33】

請求項１乃至３２の何れか１項に記載の発光装置と、前記発光装置に接続されている能動素子と、を有することを特徴とする表示装置。

【請求項34】

複数のレンズを有する光学部と、前記光学部を通過した光を受光する撮像素子と、画像を表示する表示部と、を有し、
前記表示部は、前記撮像素子が撮像した画像を表示し、かつ、請求項１乃至３２の何れか１項に記載の発光装置を有することを特徴とする光電変換装置。

【請求項35】

表示部が設けられた筐体と、前記筐体に設けられ、外部と通信する通信部と、を有し、
前記表示部は、請求項１乃至３２の何れか１項に記載の発光装置を有することを特徴とする電子機器。

【請求項36】

光源と、光拡散部および光学フィルムの少なくとも一方と、を有する照明装置であって、
前記光源は、請求項１乃至３２の何れか１項に記載の発光装置を有することを特徴とする照明装置。

【請求項37】

機体と、前記機体に設けられている灯具と、を有する移動体であって、
前記灯具は、請求項１乃至３２の何れか１項に記載の発光装置を有することを特徴とする移動体。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、発光装置、表示装置、光電変換装置、電子機器、照明装置、および、移動体に関する。

【背景技術】

【0002】

有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子などの自発光素子を用いた発光装置への関心が高まっている。発光装置においてカラー表示を行うために、白色発光する発光素子とカラーフィルタとを用いる方式（白＋ＣＦ方式）が知られている。特許文献１には、白＋ＣＦ方式に加えて、複数の発光層が積層され、発光層間に電荷発生層が配されたタンデム型の有機ＥＬディスプレイが示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】米国特許出願公開第２０１８／０１０２４９９号明細書

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

複数の発光層とそれらの発光層間に配される電荷発生層によって、発光装置の高効率化を図ることができる。しかしながら、電荷発生層は導電性が高いため、電荷発生層を介したリーク電流によって、画像の表示品質が低下してしまう可能性がある。

【0005】

本発明は、発光装置の表示品質の低下の抑制に有利な技術を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

上記課題に鑑みて、本発明の実施形態に係る発光装置は、基板の主面の上に配された絶縁層と、前記絶縁層の上に配された複数の下部電極と、前記複数の下部電極を覆うように配された有機層と、前記有機層を覆うように配された上部電極と、前記上部電極に電位を供給する供給電極と、を備える発光装置であって、前記有機層は、それぞれ発光層を含む複数の機能層と、前記複数の機能層の間に配される電荷発生層と、を含み、前記上部電極は、前記供給電極と接するコンタクト部を含み、前記主面に対する正射影において、前記絶縁層は、前記複数の下部電極のそれぞれと前記コンタクト部との間に溝を備え、前記溝における前記電荷発生層の厚さが、前記複数の下部電極の上における前記電荷発生層の厚さよりも薄化していることを特徴とする。

【発明の効果】

【0007】

本発明によれば、発光装置の表示品質の低下の抑制に有利な技術を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】本実施形態にかかる発光装置の構成例を示す平面図。

【図2】図１の発光装置の構成例を示す平面図。

【図3】図１の発光装置の構成例を示す断面図。

【図4】図１の発光装置の構成例を示す断面図。

【図5】図１の発光装置の製造方法を示す断面図。

【図6】図１の発光装置の製造方法を示す図。

【図7】図１の発光装置の構成例を示す平面図。

【図8】図１の発光装置の構成例を示す平面図。

【図9】図１の発光装置の構成例を示す平面図。

【図10】図１の発光装置の構成例を示す平面図。

【図11】図１の発光装置の構成例を示す断面図。

【図12】図１の発光装置の構成例を示す断面図。

【図13】図１の発光装置の構成例を示す平面図。

【図14】図１の発光装置の構成例を示す断面図。

【図15】図１の発光装置の構成例を示す断面図。

【図16】図１の発光装置の構成例を示す断面図。

【図17】図１の発光装置の構成例を示す断面図。

【図18】図１の発光装置の構成例を示す平面図。

【図19】比較例の発光装置の構成例を示す断面図。

【図20】比較例の発光装置の構成例を示す平面図。

【図21】図１の発光装置を形成する際の蒸着シミュレーションを説明する図。

【図22】図１の発光装置を形成する際の蒸着シミュレーション結果を説明する図。

【図23】図１の発光装置の構成例を示す断面図。

【図24】図１の発光装置の構成例を示す平面図。

【図25】本実施形態の発光装置を用いた表示装置の一例を示す図。

【図26】本実施形態の発光装置を用いた光電変換装置の一例を示す図。

【図27】本実施形態の発光装置を用いた電子機器の一例を示す図。

【図28】本実施形態の発光装置を用いた表示装置の一例を示す図。

【図29】本実施形態の発光装置を用いた照明装置の一例を示す図。

【図30】本実施形態の発光装置を用いた移動体の一例を示す図。

【図31】本実施形態の発光装置を用いたウェアラブルデバイスの一例を示す図。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。

【0010】

図１～図１６を参照して、本開示の実施形態による表示装置について説明する。図１は、本実施形態における発光装置１０の構成例を示す平面図である。図２は、図１に示される発光装置１０のうち表示領域３０００の一部の拡大図であり、表示領域３０００に含まれる３つの有機発光素子１００を抜き出した平面図である。図３は、図２に示される平面図におけるＡ－Ａ'間の断面図である。

【0011】

図１に示されるように、発光装置１０は、表示領域３０００と表示領域３０００の周辺に設けられた外周領域２０００とを含む。表示領域３０００は、発光する有機発光素子１００（画素または副画素とも呼ばれうる）が配列された領域であり、画像や文字などを表示してもよいし、後述する応用例のように照明に用いる光源として使用されてもよい。外周領域２０００には、表示領域３０００で適当な表示を行うための駆動回路などが配されうる。外周領域２０００は、図１に示される構成では、表示領域３０００を取り囲むように配されているが、これに限られることはない。例えば、外周領域２０００は、表示領域３０００の１つの辺のみに沿って設けられていてもよいし、表示領域３０００の２辺または３辺に沿って設けられていてもよい。

【0012】

図２、３を参照して、発光装置１０について、より詳細に説明する。発光装置１０の表示領域３０００には、複数の有機発光素子１００が配されている。ここで、複数の有機発光素子１００のうち特定の有機発光素子を示す場合、有機発光素子１００「ａ」のように、参照番号の後に添え字する。特に区別しない場合は、「有機発光素子１００」と表記する。他の構成要素についても同様である。

【0013】

発光装置１０は、基板１の主面１２の上に配された絶縁層３０と、絶縁層３０の上に配された複数の下部電極２と、複数の下部電極２を覆うように配された有機層４０と、有機層４０を覆うように配された上部電極５と、上部電極５に電位を供給する供給電極８と、を備えうる。また、基板１の主面１２と絶縁層３０との間には、反射層１０２が配されていてもよい。有機発光素子１００は、それぞれ電気的に独立して配される下部電極２によって位置が決定されうる。一方、有機層４０および上部電極５は、複数の有機発光素子１００によって共有されうる。表示領域３０００の全体にわたって、１つの有機層４０および１つの上部電極５が配されていてもよい。つまり、有機層４０は、発光装置１０の画像などを表示する表示領域３０００の全面において、一体的に形成されていてもよい。同様に、上部電極５は、発光装置１０の画像などを表示する表示領域３０００の全面において、一体的に形成されていてもよい。有機発光素子１００は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子などの自発光素子でありうる。

【0014】

基板１には、下部電極２、有機層４０、上部電極５などの各構成要素を支持可能な材料が用いられる。基板１として、例えば、ガラス、プラスチック、シリコンなどが適用できる。基板１には、トランジスタなどのスイッチング素子（不図示）や、導電体１１、層間絶縁層２２などが形成されうる。

【0015】

有機発光素子１００の下部電極２は、有機層４０の発光層から発せられる光を透過してもよい。下部電極２には、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などの透明導電酸化物が用いられうる。また、下部電極２に、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）などの金属やその合金の薄膜が用いられてもよい。下部電極２の膜厚は、有機発光素子１００ａ、有機発光素子１００ｂ、有機発光素子１００ｃのそれぞれで異なっていてもよい。有機発光素子１００ａ、有機発光素子１００ｂ、有機発光素子１００ｃのそれぞれで異なる光共振器構造を有してよい。光共振器構造は、それぞれの下部電極の下に光反射層を設け、それぞれに異なる長さの光学距離を設けることで構成されてよい。

【0016】

有機層４０は、有機発光素子１００の下部電極２の上に配される。本実施形態において、有機層４０は、それぞれ発光層を含む複数の機能層４１、４３と、機能層４１と機能層４３との間に配される電荷発生層４２と、を含む、所謂、タンデム型である。機能層の数は２層に限られることはなく、３層以上のそれぞれ発光層を含む機能層が積層されていてもよい。また、３層以上の機能層が積層されている場合、各機能層間に電荷発生層が配されていてもよい。すなわち、電荷発生層は、発光層と他の発光層との間に配されてよい。電荷発生層４２は、発光層を有する機能層４１と、他の発光層を有する機能層４３と、の間に配されるからである。

【0017】

機能層４１、４３は、少なくとも発光層を含む層であり、複数の層から構成されていてもよい。発光層以外の層として、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、発光層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層などが挙げられる。機能層４１、４３は、陽極から注入された正孔と陰極から注入された電子とが発光層において再結合することによって、発光層から光を出射する。発光層の構成は単層構造であってもよいし複層構造であってもよい。発光層は、赤色発光材料、緑色発光材料、青色発光材料を含むことができ、各発光色を混合することによって、白色光を得ることも可能である。また、発光層が、青色発光材料および黄色発光材料など補色の関係の発光材料を含んでいてもよい。例えば、機能層４１に配された発光層が赤色発光材料と緑色発光材料とを含み、機能層４３に配された発光層が青色発光材料を含んでいてもよい。

【0018】

電荷発生層４２は、電子供与性の材料と電子受容性の材料とを含み電荷を発生する層である。電子供与性の材料と電子受容性の材料とは、それぞれ、電子を与える材料とその電子を受け取る材料である。これによって、電荷発生層４２には正および負の電荷が発生するため、電荷発生層４２よりも上方および下方に配された機能層４１、４３に、正または負の電荷を供給することができる。

【0019】

電子供与性の材料には、例えば、リチウム、セシウムなどのアルカリ金属が用いられてもよい。また、電子供与性の材料には、例えば、フッ化リチウム、リチウム錯体、炭酸セシウム、セシウム錯体などが用いられてもよい。この場合、アルミニウム、マグネシウム、カルシウムのような還元性の材料が共に含まれることによって、電子供与性が発現してもよい。また、電子供与性の材料は、正孔輸送性の材料であってよい。正孔輸送性の材料として、トリアリールアミン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、オキサゾール誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、ポリ（ビニルカルバゾール）、ポリ（シリレン）、ポリ（チオフェン）、その他の導電性高分子など、有機化合物が用いられてもよい。また、電子供与性の材料は、電子輸送性の材料に含まれてよい。電子輸送性の材料として、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ピラジン誘導体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、ペリレン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、フルオレノン誘導体、アントロン誘導体、フェナントロリン誘導体、有機金属錯体などの有機化合物が用いられてもよい。電子受容性の材料には、例えば、酸化モリブデンのような遷移金属酸化物をはじめとする無機物が用いられてもよいし、［ジピラジノ［２，３－ｆ：２’，３’－ｈ］キノキサリン－２，３，６，７，１０，１１－ヘキサカルボニトリル］のような有機物が用いられてもよい。電荷発生層は、電子受容性の材料と電子供与性の材料とを混合して含む層であってもよい。また、電荷発生層は、電子受容性の材料を含む層と電子供与性の材料を含む層とが積層された層であってもよい。つまり、電荷発生層４２は、単層構造であってもよいし、複層構造であってもよい。

【0020】

有機層４０は、真空蒸着法、イオン化蒸着法、スパッタリング法、プラズマ法などのドライプロセスを用いて形成することができる。また、ドライプロセスに代えて、適当な溶媒に上述のような材料を溶解させて公知の塗布法（例えば、スピンコーティング法、ディッピング法、キャスト法、ラングミュア・ブロジェット（ＬＢ法）、インクジェット法など）を用いて有機層４０を形成するウェットプロセスを用いることもできる。例えば、真空蒸着法や塗布法などを用いて有機層４０を形成すると、有機層４０の結晶化などが起こり難く、経時安定性に優れた有機層４０を得ることができる。また、例えば、塗布法で有機層４０を成膜する場合、適当なバインダー樹脂と組み合わせて有機層４０が形成可能である。

【0021】

バインダー樹脂として、ポリビニルカルバゾール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ＡＢＳ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、尿素樹脂などが挙げられる。しかしながら、バインダー樹脂は、これらに限られるものではない。また、これらのバインダー樹脂は、ホモポリマーまたは共重合体として１種類を単独で使用してもよいし、２種類以上を混合して使用してもよい。さらに必要に応じて、公知の可塑剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤などの添加剤を併用してもよい。

【0022】

有機層４０は、下部電極２と上部電極５との間に配置されている。有機層４０は、上述のように、基板１の上面に連続的に形成され、複数の有機発光素子１００によって共有されていてもよい。また、有機層４０のすべて、または、一部が、有機発光素子１００ごとにパターニングされていてもよい。有機層４０は、表示領域３０００の周辺に配される外周領域２０００の一部まで形成されていてもよい。

【0023】

上部電極５は、有機層４０に配される発光層で発せられる光を透過する。また、上部電極５は、その表面に到達した光の一部を透過するとともに他の一部を反射する性質（すなわち半透過反射性）を備える半透過性の材料であってもよい。上部電極５には、例えば、ＩＴＯやＩＺＯのような透明導電酸化物や、ＡｌやＡｇ、金（Ａｕ）などの単体金属、リチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）などのアルカリ金属、マグネシウム（Ｍｇ）やカルシウム（Ｃａ）やバリウム（Ｂａ）などのアルカリ土類金属、これらの金属材料を含んだ合金材料などが用いられる。半透過材料として、ＭｇやＡｇを主成分とする合金が用いられてもよい。ここで主成分とは、それぞれの構成要素に含まれる材料のうち最も質量％濃度が高い成分でありうる。また、上部電極５は、適当な透過率を有するならば、上述した材料を用いた層を積層した積層構造であってもよい。上部電極５は、上述のように、基板１の上面に連続的に形成され、複数の有機発光素子１００によって共有されていてもよい。また、上部電極５は、有機層４０と同様に、表示領域３０００の周辺に配される外周領域２０００の一部まで形成されていてもよい。この場合、後述するが、上部電極５は、外周領域２０００において有機層４０よりも外側まで配されていてもよい。有機発光素子１００において、下部電極２が陽極、上部電極５が陰極であってもよい。また、下部電極２が陰極、上部電極５が陽極であってもよい。

【0024】

図３に示されるように、下部電極２の外周部を覆うように、絶縁層３が設けられていてもよい。絶縁層３には、下部電極２の一部が露出するように開口部が設けられ、下部電極２と有機層４０とが接する発光領域１０１を画定している。絶縁層３は、発光領域１０１を正確に所望の形状にするために形成されうる。絶縁層３を設けない場合、下部電極２の形状によって発光領域１０１が画定される。絶縁層３は、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯ）など無機材料で形成されうる。絶縁層３の形成には、スパッタリング法や化学気相堆積法（ＣＶＤ法）など公知の技術が用いられうる。また、絶縁層３は、アクリル樹脂やポリイミド樹脂のような有機材料を用いて形成することも可能である。

【0025】

発光装置１０の表示領域３０００には、さらに、上部電極５を覆うように配された保護層６、保護層６を覆うように配された平坦化層７、平坦化層７の上に配されたカラーフィルタ１２１およびマイクロレンズ１２２などが配されていてもよい。保護層６は、保護層６よりも基板１の側に配された各構成要素を大気中の水分などから保護する。保護層６は、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯなどの無機材料で形成されうる。また、保護層６は、各種の樹脂など有機材料を用いて形成されてもよい。また、保護層６は、これらの積層構造であってもよい。平坦化層７は、後述する絶縁層３０の厚さの違いなどによって生じる段差を抑制するために配される。平坦化層７は、上述したような無機材料を用いて形成されてもよいし、有機材料を用いて形成されてもよい。カラーフィルタ１２１は、絶縁層３０の厚さに起因する光学干渉に応じた色の光を透過する。例えば、カラーフィルタ１２１ａは、赤色系の光を透過し、カラーフィルタ１２１ｂは緑色系の光を透過し、カラーフィルタ１２１ｃは、青色系の光を透過しうる。マイクロレンズ１２２は、有機層４０に含まれる発光層で発せられた光の利用効率を向上させる。カラーフィルタ１２１およびマイクロレンズ１２２は、公知の成膜手法を用いて形成することができる。また、カラーフィルタ１２１とマイクロレンズ１２２との間に、平坦化層などの適当な層が配されていてもよい。

【0026】

本実施形態において、有機発光素子１００には、反射層１０２を含む積層部１０４が配されている。積層部１０４は、反射領域１０５を備え、反射領域１０５には反射層１０２が配されており、基板１の主面１２に対する正射影において、反射層１０２は、下部電極２の発光領域１０１に重なるように配される。また、電蝕抑制層１０３が、反射層１０２の上に形成される。基板１の主面１２に対する正射影において、発光領域１０１と重なる領域の少なくとも一部において、積層部１０４の電蝕抑制層１０３は、反射層１０２が露出するように開口を有する。この構成によって、有機層４０に配された発光層で発せられた光は、下部電極２を透過し、反射層１０２で効率よく反射される。電蝕抑制層１０３の開口の大きさは、発光効率向上の観点から、発光領域１０１と同じ大きさであってもよいし、発光領域１０１よりも大きくてもよい。図３に示される構成では、基板１の主面１２に対する正射影において、発光領域１０１は、電蝕抑制層１０３の開口に重なるように配され、電蝕抑制層１０３の開口の大きさは、発光領域１０１よりも大きい。

【0027】

反射層１０２で反射した光は、上部電極５から光出射側に取り出されるため、本実施形態の発光装置１０は、高い発光効率を得ることができる。ここで、光出射側とは、下部電極２に対する上部電極５の側を示す。

【0028】

反射層１０２には、例えば、高反射率であるＡｇやＡｌが用いられてもよい。また、電蝕抑制層１０３には、例えば、コバルト（Ｃｏ）、モリブデン（Ｍｏ）、Ｐｔ、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、タングステン（Ｗ）などが用いられてもよい。反射層１０２および電蝕抑制層１０３は、合金や化合物であってもよい。例えば、反射層１０２としてＡｌを主成分とする材料が用いられ、電蝕抑制層１０３としてＴｉまたはＴｉＮを主成分とする材料が用いられてもよい。さらに、反射層１０２には、Ａｌを主成分とし銅（Ｃｕ）が含有されていてもよい。また、電蝕抑制層１０３には、ＴｉＮが主成分として含まれていてもよい。また、積層部１０４の基板１の側にはＴｉやＴｉＮなどのバリアメタルが設けられていてもよい。

【0029】

反射層１０２および電蝕抑制層１０３は、スパッタリング法やＣＶＤ法、原子層堆積法（ＡＬＤ法）などの公知の成膜手法を用いて形成することができる。反射層１０２は、高反射率の材料を基板１の上に成膜した後、公知のエッチングプロセスでパターニングすることによって形成することが可能である。また、電蝕抑制層１０３も、材料を基板１の上に成膜した後、公知のエッチングプロセスでパターニングすることによって形成することが可能である。また、積層部１０４に設けた電蝕抑制層１０３の開口部は、公知のエッチングプロセスで電蝕抑制層１０３を取り除くことによって形成することが可能である。

【0030】

本実施形態において、積層部１０４の反射層１０２と下部電極２との間に、光学干渉層として機能する絶縁層３０が配されている。絶縁層３０の厚みを調整することによって、有機発光素子１００の有機層４０に含まれる発光層と反射層１０２との光学距離を最適化することが可能になる。これによって、光学干渉を利用した発光装置１０の発光効率の向上が可能となる。絶縁層３０は、単層構造であってもよいし、複数の層を含む積層構造であってもよい。

【0031】

図３に示されるように、複数の下部電極２は、互いに隣り合う下部電極２ａと下部電極２ｂとを含む。また、複数の下部電極２は、互いに隣り合う下部電極２ｂと下部電極２ｃとを含む。このとき、絶縁層３０のうち有機発光素子１００ａに配される反射層１０２ａと下部電極２ａとの間の絶縁層３０の厚さと、絶縁層３０のうち有機発光素子１００ｂに配される反射層１０２ｂと下部電極２ｂとの間の絶縁層３０の厚さと、は互いに異なっている。また、絶縁層３０のうち有機発光素子１００ｂに配される反射層１０２ｂと下部電極２ｂとの間の絶縁層３０の厚さと、絶縁層３０のうち有機発光素子１００ｃに配される反射層１０２ｃと下部電極２ｃとの間の絶縁層３０の厚さと、は互いに異なっている。さらに、図３に示されるように、絶縁層３０のうち有機発光素子１００ａに配される反射層１０２ａと下部電極２ａとの間の絶縁層３０の厚さと、絶縁層３０のうち有機発光素子１００ｃに配される反射層１０２ｃと下部電極２ｃとの間の絶縁層３０の厚さと、は互いに異なっていてもよい。

【0032】

有機発光素子１００ａ、有機発光素子１００ｂ、有機発光素子１００ｃの絶縁層３０の厚みをそれぞれ異ならせることによって、それぞれの有機発光素子１００ａ～１００ｃから発せられる光の色を調整することが可能である。絶縁層３０は、複数の層の積層構造とすることも可能である。例えば、有機発光素子１００ａ、有機発光素子１００ｂ、有機発光素子１００ｃの順に絶縁層３０を薄くする場合、有機発光素子１００ａに配される反射層１０２ａと下部電極２ａとの間に、絶縁層３０として絶縁層３１、絶縁層３２、絶縁層３３を設ける。また、有機発光素子１００ｂに配される反射層１０２ｂと下部電極２ｂとの間に、絶縁層３２、絶縁層３３を設け、さらに、有機発光素子１００ｃに配される反射層１０２ｃと下部電極２ｃとの間に、絶縁層３３を設ける。これによって、光学調整層として機能する絶縁層３０が形成できる。

【0033】

絶縁層３０は、有機層４０に配された発光層で発せられる光に対して、透明な材料で構成されうる。例えば、絶縁層３０（絶縁層３１～３３）として、ＳｉＯ、ＳｉＮ、ＳｉＯＮなどが用いられうる。この場合、絶縁層は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＡＬＤ法などの公知技術を用いて形成されうる。

【0034】

また、図２、３に示されるように、積層部１０４は、反射領域１０５とは絶縁され、下部電極２と電気的に接続された導電パターン１１２を含む画素コンタクト領域１１５を有していてもよい。下部電極２と画素コンタクト領域１１５（導電パターン１１２）とは電気的に接続していてもよい。これによって、有機発光素子１００は、導電パターン１１２を介して下部電極２に電位を供給（例えば、給電）することができる。例えば、下部電極２には、有機発光素子１００の発光強度に応じた信号が供給される。

【0035】

画素コンタクト領域１１５は、反射領域１０５の反射層１０２および電蝕抑制層１０３と同じ層を用いてもよい。つまり、複数の下部電極２のそれぞれと基板１の主面１２との間に、複数の下部電極２のそれぞれに電気的に接続された導電パターン１１２が配され、主面１２から反射層１０２までの距離と、主面１２から導電パターン１１２までの距離と、が同じであってもよい。この場合、画素コンタクト領域１１５は、反射層１０２と同層の導電パターン１１２と電蝕抑制層１０３と同層の電蝕抑制層１１３とを含む。したがって、反射層１０２の主成分と、導電パターン１１２の主成分と、は同じでありうる。同様に、電蝕抑制層１０３の主成分と、電蝕抑制層１１３の主成分と、は同じでありうる。

【0036】

絶縁層３０を設ける場合には、絶縁層３０にビアホールを設け、ビアホール内に導電体１１を形成することによって、下部電極２と画素コンタクト領域１１５とを電気的に接続できる。導電体１１には、下部電極２と同じ材料がもちいられてもよい。また、導電体１１には、ＷやＴｉ、ＴｉＮのような公知の導電材料を用いることが可能である。また、ビアホールを通じて、下部電極２と画素コンタクト領域１１５とが接していてもよい。画素コンタクト領域１１５において導電体１１と接する部分には、電蝕抑制の観点から電蝕抑制層１１３が配されうる。

【0037】

導電体１１を配する領域は、例えば、図２、３に示されるように、積層部１０４の電蝕抑制層１１３がある画素コンタクト領域１１５でありうる。画素コンタクト領域１１５と下部電極２とが直接、接する場合、電蝕抑制層１１３と下部電極２とはガルバニック腐食を起こしにくい組み合わせであると、発光装置１０の信頼性が向上する。例えば、電蝕抑制層１１３にＴｉＮを主成分とする材料が用いられ、下部電極２（導電体１１）として、ＩＴＯ、ＩＺＯが用いられてもよい。

【0038】

図３には、光学干渉層として機能する絶縁層３０や反射層１０２を用いた有機発光素子１００示したが、これに限られることはない。絶縁層３０が、有機発光素子１００ａ～１００ｃの間で同じ厚さを備えていてもよい。この場合、反射層１０２が配されずに、下部電極２が光の反射性を有する材料で形成されていてもよい。

【0039】

図３に示される構成において、表示領域３０００に、上部電極５に電位を供給するための供給電極８が配されている。図４は、図３の点線で囲まれる部分Ｂを拡大した図である。上部電極５は、供給電極８に接するコンタクト部５１を含む。供給電極８は、上部電極５と接する導電体であり、反射層１０２と電気的に接続されている。これによって、上部電極５と反射層１０２とが同電位（例えば、グランド電位）になる。

【0040】

供給電極８は、反射層１０２を配線パターンとして、上部電極５とそれぞれの有機発光素子１００に電力を供給するための電力供給部との間を電気的に接続することができる。このため、反射層１０２と同層に、反射層１０２とは別に、上部電極５と電気的に接続するための配線パターンを形成する必要がない。結果として、表示領域３０００の微細化（高精細化）に有利である。また、反射層１０２と同じ層に別途、配線パターンを形成する場合と比較して、反射層１０２を配線パターンと使用できるため、作成工程が簡略化できる。

【0041】

これらによって、電流が上部電極５だけではなく、供給電極８および反射層１０２を流れて、電力供給部に到達する。そのため、上部電極５のみに電流が流れる場合に比べて、抵抗が低くなり、電圧降下が起き難くなる。

【0042】

図３に示されるように、本実施形態において、基板１の主面１２に対する正射影において、複数の下部電極２のそれぞれとコンタクト部５１との間に、発光装置１０は、電荷発生層４２が薄化している部分を備えている。より具体的には、基板１の主面１２に対する正射影において、絶縁層３０は、複数の下部電極２のそれぞれとコンタクト部５１との間に溝９を備えている。この溝９に電荷発生層４２の一部が没入することによって、図４に示されるように、溝９において電荷発生層４２が薄化している。ここで、電荷発生層４２が薄化しているとは、有機層４０のうち下部電極２に接する部分（発光領域１０１）における電荷発生層４２の膜厚を基準として、電荷発生層４２の膜厚が薄くなっていることを示す。したがって、溝９における電荷発生層４２の厚さが、複数の下部電極２の上における電荷発生層４２の厚さよりも薄化している、ともいえる。また、電荷発生層４２の膜厚の基準は、電荷発生層４２のうち発光領域１０１の上の下部電極２の表面と平行な方向に延びる部分の膜厚であってもよい。しかしながら、電荷発生層４２の膜厚の基準は、これに限られることはない。電荷発生層４２が下地（例えば、機能層４１）の比較的平坦な部分の上に形成され、膜厚が一様になっている部分であれば、当該部分が電荷発生層４２の膜厚の基準として用いられてもよい。例えば、溝９の周縁部において、電荷発生層４２の膜厚が一様な部分が、電荷発生層４２の膜厚の基準として用いられてもよい。

【0043】

電荷発生層４２が薄化している部分は、図３、４に示される溝９のように凹形状であってもよいし、絶縁層３０が突出した部分を備える凸形状であってもよい。しかしながら、製造工程を考慮した場合、溝９のような凹形状が適している。溝９の一方の内壁が、電荷発生層４２の形成工程において、電荷発生層の材料粒子が溝９内に入射することを妨げることによって、対向する他方の内壁に材料粒子が堆積し難くなり、電荷発生層４２の膜厚が薄くなりやすいためである。

【0044】

溝９において、電荷発生層４２が薄化する。図４に示されるように、上部電極５のコンタクト部５１の近傍で、電荷発生層４２は、供給電極８に接する可能性がある。また、上部電極５のコンタクト部５１の近傍で、電荷発生層４２は、上部電極５に近接または接する可能性がある。これによって、電荷発生層４２と上部電極５との間でリーク電流が流れる可能性がある。一方、本実施形態において、溝９において、電荷発生層４２が薄化することによって、電荷発生層４２は高抵抗化する。これによって、電荷発生層４２と上部電極５との間のリーク電流が抑制される。結果として、有機発光素子１００の発光効率が高くなり、表示品質の低下を抑制することが可能になる。

【0045】

図２、３に示されるように、基板１の主面１２に対する正射影において、上部電極５のうち供給電極８に接するコンタクト部５１が、有機発光素子１００ａの下部電極２ａと有機発光素子１００ｂの下部電極２ｂとの間に配されていてもよい。この場合、コンタクト部５１が、溝９に少なくとも部分的に取り囲まれていてもよい。図２に示されるように、コンタクト部５１が、溝９に完全に取り囲まれていてもよい。これによって、上部電極５と電荷発生層４２との間のリーク電流が流れるパスを、より確実に抑制することができる。

【0046】

供給電極８は、基板１の主面１２に対する正射影において、有機層４０が形成される領域の内側に配されていてもよい。一般的に、微細な有機ＥＬデバイスなどの発光装置１０は、表示領域３０００の全面において、有機層４０が一体で形成される。これは、有機発光素子１００ごと（画素ごと）に有機層の形成領域を分離する方式では、微細な成膜プロセスが必要なため、成膜位置ずれなどの影響で歩留りが低下しやすいためである。

【0047】

有機層４０が表示領域３０００全面において一体で形成される場合、上部電極５と供給電極８とを電気的に接続する際に、有機層４０が障害になりやすい。一方、図３、４に示されるように、供給電極８のうち上部電極５に接する部分は、ビアホールのような凹形状の中に供給電極８が配されている。凹形状によって、供給電極８のうちビアホールの側壁に沿った内壁の一部が、有機層４０に覆われている。換言すると、供給電極８のビアホールの側壁に沿った内壁の一部に、有機層４０が形成されない部分ができる。この供給電極８のうちビアホールの側壁に沿った内壁の有機層４０に覆われていない領域に、上部電極５が接している（コンタクト部５１）。これによって、上部電極５と供給電極８とを電気的に接続することができる。

【0048】

供給電極８は、下部電極２を形成する際に、同じ導電膜からエッチングプロセスを用いてパターニングすることによって形成することができる。そのため、下部電極２の主成分と、供給電極８の主成分と、が同じであってもよい。また、上述した下部電極２と導電パターン１１２との間の接続と同様に、反射層１０２と供給電極８との間の電蝕を抑制するための電蝕抑制層１０３を介して、反射層１０２と供給電極８とが電気的に接続されていてもよい。

【0049】

図２、３に示される構成では、有機発光素子１００ａと有機発光素子１００ｂとの間に供給電極８を備える発光装置１０を示したが、これに限定されるものではない。例えば、有機発光素子１００ｂと有機発光素子１００ｃとの間にも、溝９に取り囲まれた供給電極８が配されていてもよい。供給電極８は、表示領域３０００内に少なくとも１つ配されていればよい。例えば、所定の個数の有機発光素子１００ごとに、供給電極８が配されていてもよい。

【0050】

有機層４０は、図４に示されるように、供給電極８のうちビアホール１４の側壁１４１に沿った内壁８１の上端８２を覆っていてもよい。有機層４０が供給電極８の内壁８１の上端８２を覆うことによって、有機層４０の上に配される上部電極５が、基板１の主面１２に平行な方向から供給電極８のビアホール１４内に向かって曲がる部分において、上部電極５が薄化してしまうことや、さらに、上部電極５が部分的に形成されないことを抑制できる。結果として、上部電極５の抵抗値が上昇することによって、発光装置１０の動作電圧が高電圧化してしまうことを防ぐことができる。

【0051】

一般的な半導体プロセスを用いた場合、ビアホール１４の側壁１４１の上端１４２は、角張った形状になる。また、ビアホール１４を覆うように形成される供給電極８の内壁８１の上端８２は、角張った形状になりやすい。有機層４０が、供給電極８の内壁８１に形成されないように成膜した場合、上部電極５が供給電極８の内壁８１に向かって曲がる部分において、形状が急激に変化し、上部電極５の薄化が発生する可能性が高くなる。

【0052】

一方、本実施形態において、角張った供給電極８の内壁８１の上端８２の上に有機層４０が形成されることによって、有機層４０の上面は、湾曲形状となる。このため、上部電極５の形状の変化が緩やかになり、上部電極５が薄化してしまうことや部分的に形成されないことが抑制される。

【0053】

また、有機層４０が、供給電極８の内壁８１の上端８２を含む内壁８１の一部を覆うことによる効果として、保護層６の水分遮断性の向上がある。供給電極８の内壁８１の上端８２のように角張った形状の上に、保護層６を形成する場合を考える。この場合、保護層６の成長過程において、保護層６のうち供給電極８の内壁８１上で成長する部分と、保護層６のうち供給電極８の上面の上で成長する部分と、が会合する領域において、保護層６が低密度化しやすい。保護層６の低密度化した領域は、保護層６の下部まで達するため、低密度化した領域を介して、有機層４０に水分が侵入しやすい。一方、本実施形態において、有機層４０が供給電極８の内壁８１の上端８２を含む内壁８１の一部を覆うことによって、有機層４０の上面は湾曲形状となり、傾斜角が連続的に変化する構造となる。このため、異なる傾斜角上に成長した保護層６が連続的に会合し、保護層６の低密度化した領域が形成されることが抑制される。

【0054】

ここで、供給電極８の上端８２のうち互いに対向する上辺の間の長さＤが、有機層４０の厚さＣの２倍よりも大きくてもよい。これによって、供給電極８の内壁８１の内側が、有機層４０によって埋め込まれてしまうことが抑制され、上部電極５と供給電極８とを接触させやすくすることができる。

【0055】

有機層４０に含まれる複数の機能層４１、４３は、下部電極２に接する機能層４１を含む。この場合、溝９のうち互いに対向する上辺９２の間の長さＥが、機能層４１のうち下部電極２に接する部分の厚さの２倍以上であってもよい。図４には、機能層４１のうち下部電極２に接する部分は示されていないが、機能層４１の溝９の外に配された部分に示される厚さＦが、機能層４１のうち下部電極２に接する部分の厚さに近似する。これによって、溝９の内壁９１が、機能層４１によって埋め込まれてしまうことが抑制される。つまり、電荷発生層４２が溝９に没入せずに薄化しないことを抑制できる。

【0056】

また、溝９のうち互いに対向する上辺９２の間の長さＥが、溝９の深さＧよりも短くてもよい。これによって、電荷発生層４２を形成する際に、電荷発生層４２の材料粒子が、溝９に侵入し難くなり、電荷発生層４２が、薄化しやすくなる。

【0057】

電荷発生層４２のうち溝９に没入した部分が、電荷発生層４２のうち下部電極２の上に配されている部分の１／２以下の膜厚を備える部分を含んでいてもよい。溝９における電荷発生層４２の膜厚とは、電荷発生層４２のそれぞれの部分における表面に対する法線方向の厚さである。さらに、電荷発生層４２は溝９において薄化するだけでなく、電荷発生層４２のうち溝９に没入した部分が、不連続な部分を含んでいてもよい。電荷発生層４２の連続性が失われ、電荷発生層４２が形成されていない部分が生じることによって、溝９において、電荷発生層４２をより高抵抗化することができる。

【0058】

一方、機能層４３は、溝９を覆うように形成されていてもよい。これによって、機能層４３の上に配される上部電極５が、溝９に没入せずに、溝９の上で連続して形成されやすくなる。結果として、上部電極５が、溝９に起因して高抵抗化してしまうことを抑制できる。

【0059】

供給電極８の上端８２のうち互いに対向する上辺の間の長さＤ、溝９のうち互いに対向する上辺９２の間の長さＥ、および、有機層４０の厚さＣは、Ｄ＞（２×Ｃ）＞Ｅの関係であってもよい。これによって、供給電極８では有機層４０が不連続になり、上部電極５と供給電極８とが接し、溝９では有機層４０が不連続になり難くなる。結果として、上部電極５が、溝９で不連続になることなく供給電極８まで到達し、上部電極５と供給電極８との間で電流を流すことができる。

【0060】

以下、図５（ａ）～５（ｃ）を参照しながら発光装置１０の製造方法を説明する。なお、絶縁層３０を形成するまでの各工程は、有機発光素子を備える一般的な発光装置を形成する工程と同様な工程を用いることができるため、ここでは説明を省略する。

【0061】

絶縁層３０を形成した後に、図５（ａ）に示されるように、絶縁層３０を貫通するビアホール１３およびビアホール１４を形成する。次いで、スパッタ法などを用いて導電部材を形成する。このとき、ビアホール１４において、導電部材は、ビアホール１４の側壁１４１を覆うだけで、ビアホール１４を埋め込むことはない。次に、フォトリソグラフィ法などを用いてパターニングすることによって、図５（ｂ）に示すように、導電部材から下部電極２および供給電極８、さらに、溝９が形成される。溝９は、パターニングする際のエッチング時間を制御することによって、深さを制御することができる。

【0062】

続いて、スパッタ法などを用いて絶縁層３を形成し、フォトリソグラフィ法などを用いてパターニングする。このとき、ビアホール１４に形成された供給電極８を露出させる必要がある。つまり、供給電極８の内壁８１の上に形成された絶縁層３をエッチングする必要がある。そのため、絶縁層３をエッチングする工程には、等方性のドライエッチングやウエットエッチングが用いられてもよい。この工程によって、図５（ｃ）に示すように、絶縁層３が形成される。

【0063】

次に、有機層４０および上部電極５の形成方法について、図６（ａ）、６（ｂ）を用いて説明する。図６（ａ）は、有機層４０および上部電極５を形成する際の蒸着源２０１、２０２と基板１との位置関係を示す図である。基板１は、有機層４０および上部電極５を形成する際に回転する。有機層４０を形成するための蒸着源２０２と上部電極５を形成するための蒸着源２０１とは、ともに基板１の回転中心から基板１の主面１２に平行な方向に距離Ｒの位置に配される。また、有機層４０を形成するための蒸着源２０２は、基板１の回転中心から基板１の主面１２に直交する方向に距離ｉの位置に配される。また、上部電極５を形成するための蒸着源２０１は、基板１の回転中心から基板１の主面１２に直交する方向に距離ｈの位置に配される。このとき、距離ｉは、距離ｈよりも短い。つまり、有機層４０を形成するための蒸着源２０２の方が、上部電極５を形成するための蒸着源２０１よりも、基板１に近い位置に配されている。図６（ａ）では、説明のために、蒸着源２０１および蒸着源２０２が、１つの蒸着装置（チャンバ）に配されているように描かれている。しかしながら、図６（ａ）は、有機層４０および上部電極５を形成する際の、基板１と蒸着源２０１、２０２との位置関係を示すための図である。したがって、蒸着源２０１と蒸着源２０２とは、別々の蒸着装置（チャンバ）にそれぞれ配されていてもよいし、同じ蒸着装置（チャンバ）に配されていてもよい。

【0064】

図６（ｂ）は、基板１の回転中心からの距離ｒの位置２０４（図６（ａ）参照）における、上述の図５（ａ）の工程まで形成された発光装置１０を拡大した図である。図６（ａ）を用いて説明した構成によって、上部電極５を形成するための蒸着源２０１から蒸着材料が入射する入射角２０５と、有機層４０を形成するための蒸着源２０２から蒸着材料が入射する入射角２０６と、が異なる。これによって、上部電極５の蒸着材料は、有機層４０の蒸着材料がビアホール１４に入る深さの限界の位置２０８よりも深い位置２０７まで到達する。これによって、上部電極５は、供給電極８の内壁８１に接することができる。ここでは、有機層４０の形成方法として蒸着法を用いる場合を説明したが、例えば、レーザーアブレーション法などを用いて有機層４０が形成されてもよい。有機層４０および上部電極５を形成した後に、保護層６などが順次、形成される。これらの各工程については、有機発光素子を備える一般的な発光装置を形成する工程と同様な工程を用いることができるため、ここでは説明を省略する。

【0065】

図７は、図２に示される構成の変形例を示す図である。図７に示される構成において、基板１の主面１２に対する正射影において、有機層４０のうち複数の下部電極２に接する部分（発光領域１０１）が、それぞれ溝９に少なくとも部分的に取り囲まれている。図７に示されるように、溝９は、発光領域１０１を完全に取り囲んでいてもよい。ここで、発光領域１０１は、図３に示されるように、電蝕抑制層１０３よりも内側に配されている。溝９の配置以外の構成は、図２、３に示される構成と同様であってもよい。

【0066】

溝９が発光領域１０１を取り囲むことによって、上部電極５と電荷発生層４２との間のリーク電流だけでなく、互いに隣り合う有機発光素子１００間の電荷発生層４２を介したリーク電流が抑制できる。そのため、互いに隣り合う有機発光素子１００間での混色を抑制することができ、高い色純度が実現され、発光装置１０の表示品質が向上する。図７に示される構成では、基板１の主面１２に対する正射影において、供給電極８は、溝９に取り囲まれていないが、コンタクト部５１（供給電極８）を取り囲むように、さらに、溝９が配されていてもよい。

【0067】

図８は、図２に示される構成の変形例を示す図である。図８に示される構成は、図２に示される構成に対して、有機発光素子１００ｂが電位供給部２００に変化し、電位供給部２００の中央に供給電極８が配されている。それ以外の構成は、上述の図２、３に示される構成と同様でありうる。電位供給部２００には、電蝕抑制層１０３ｄの開口が形成されず、また、下部電極２、絶縁層３の開口（発光領域１０１）、導電体１１、導電パターン１１２、電蝕抑制層１１３も形成されなくてもよい。図８に示される構成においても、コンタクト部５１（供給電極８）が溝９に取り囲まれるため、上述と同様に、上部電極５と電荷発生層４２との間のリーク電流が抑制できる。

【0068】

電位供給部２００は、発光層の発光に必要な構成を必ずしも配する必要がないため、供給電極８を配置するスペースを作りやすい。そのため、図８に示される構成は、有機発光素子１００の微細化に適している。

【0069】

図８に示される構成において、有機発光素子１００（副画素）の発光色が、赤、緑、青、白の４種類である場合、白発光の有機発光素子１００を電位供給部２００としてもよい。白色は赤、緑、青の有機発光素子１００を用いて出力することができるためである。電位供給部２００は、表示領域３０００内に少なくとも１つ配されて入ればよい。例えば、所定の個数の有機発光素子１００ごとに、電位供給部２００が配されていてもよい。

【0070】

ここで、図２、３に示される構成では、間に供給電極８が配される有機発光素子１００ａの下部電極２ａと有機発光素子１００ｂの下部電極２ｂとの中心間の距離と、間に供給電極８が配されない有機発光素子１００ｂの下部電極２ｂと有機発光素子１００ｃの下部電極２ｃとの中心間の距離と、が同じになる。一方、図７に示される構成では、間に供給電極８が配される有機発光素子１００ａの下部電極２ａと有機発光素子１００ｃの下部電極２ｃとの中心間の距離が、間に供給電極８が配されない有機発光素子１００の下部電極２と有機発光素子１００の下部電極２との中心間の距離よりも長くなりうる。例えば、間に供給電極８が配される有機発光素子１００ａの下部電極２ａと有機発光素子１００ｃの下部電極２ｃとの中心間の距離が、間に供給電極８が配されない有機発光素子１００の下部電極の中心間の距離の２倍になりうる。

【0071】

図９（ａ）～９（ｃ）は、図８に示される構成とは異なる位置に電位供給部２００を備える発光装置１０の構成を示す図である。図８に示される構成では、電位供給部２００は、表示領域３０００に配された有機発光素子１００の間に配される例を説明した。しかしながら、電位供給部２００は、外周領域２０００に配されていてもよい。

【0072】

図９（ａ）に示される境界線４０００は、表示領域３０００と外周領域２０００との境界を示す線である。上述のように、基板１の主面１２に対する正射影において、有機層４０および上部電極５は、複数の下部電極２が配された表示領域３０００よりも外側の外周領域２０００まで配される。この場合、基板１の主面１２に対する正射影において、コンタクト部５１が、外周領域２０００のうち有機層４０が配されている領域に配され、かつ、溝９に少なくとも部分的に取り囲まれていてもよい。図９（ａ）に示されるように、溝９は、コンタクト部５１を完全に取り囲んでいてもよい。ここで、外周領域２０００にも表示領域３０００の下部電極２と同様の形状を持つ構造体が配される場合があるが（後述するダミー領域５００など。）、構造体に下部電極２と同様に信号が供給されない構成の場合は、本開示において、そのような構造体を下部電極２とは呼ばない。例えば、構造体に、配線パターンが電気的に接続されていない場合など、有機層４０に配された発光層を発光させることができない構成などが挙げられる。

【0073】

発光装置１０において、上部電極５が外周領域２０００において有機層４０よりも外側まで配され、有機層４０の形成領域の外側に供給電極８（コンタクト部５１）を設ける場合がある。これに対して、図９（ａ）に示される構成は、有機層４０の形成領域内に供給電極８を設けるため、チップサイズを小さくすることができる。それによって、例えば、１枚のウェーハからより多くのチップを取得することができ、チップあたりのコストを低減することができる。図９（ａ）に示される構成においても、コンタクト部５１が溝９に取り囲まれるため、上述と同様に、上部電極５と電荷発生層４２との間のリーク電流が抑制できる。

【0074】

図９（ｂ）に示されるように、外周領域２０００に電位供給部２００（コンタクト部５１）が配され、基板１の主面１２に対する正射影において、有機層４０のうち下部電極２に接する部分（発光領域１０１）が、溝９に取り囲まれていてもよい。それによって、図７に示される構成と同様に、有機発光素子１００間でのリーク電流を抑制できる。また、図９（ｃ）に示されるように、外周領域２０００に電位供給部２００（コンタクト部５１）が配され、溝９は、境界線４０００に沿って配されていてもよい。例えば、表示領域３０００が、溝９に少なくとも部分的に取り囲まれていてもよいし、溝９が、表示領域３０００を完全に取り囲んでいてもよい。また、図９（ａ）～９（ｃ）の各構成が、組み合わせて用いられてもよいし、上述の各構成と組み合わされてもよい。例えば、コンタクト部５１が、表示領域３０００および外周領域２０００の両方に配されていてもよい。

【0075】

図１０～図１２を用いて、発光装置１０の上述の各構成とはまた異なる構成について説明する。図１０は、本実施形態における発光装置１０の構成例を示す平面図である。図１１、図１２は、それぞれ図１０のＢ－Ｂ’間およびＣ－Ｃ’間の断面図である。

【0076】

図１０～図１２に示されるように、基板１の主面１２に対する正射影において、有機層４０および上部電極５は、複数の下部電極２が配された表示領域３０００よりも外側の外周領域２０００まで配され、上部電極５は、外周領域２０００において有機層４０よりもさらに外側まで配されている。このとき、上部電極５のうち供給電極８に接するコンタクト部５１が、外周領域２０００のうち有機層４０よりも外側の領域に配され、表示領域３０００が、溝９に少なくとも部分的に取り囲まれている。溝９は、表示領域３０００を完全に取り囲んでいてもよい。上部電極５が供給電極８に接するコンタクト部５１と、表示領域３０００の最外周の有機発光素子１００における有機層４０と下部電極２とが接する発光領域１０１と、の間に溝９が配されるともいえる。

【0077】

有機層４０の形成領域の端部では、電荷発生層４２と上部電極５とが、図１１、図１２に示されるように接触しうるが、溝９において電荷発生層４２が高抵抗化されるため、上部電極５と電荷発生層４２との間のリーク電流が抑制できる。つまり、表示領域３０００における表示品質の低下を抑制できる。溝９を設けない場合、電荷発生層４２と上部電極５とが接触しないように、電荷発生層４２の形成領域の外側まで機能層４３の形成領域が続くように配置する必要がある。本実施形態では、有機層４０の各層の形成領域を同一にできるため、その分、チップサイズを小さくすることができる。これによって、１枚のウェーハから多くのチップを取得することができ、チップあたりのコストを低減することができる。

【0078】

図１０～図１２に示される構成において、表示領域３０００に上部電極５のコンタクト部５１（供給電極８）が設けられていない。しかしながら、これに限られることはなく、図１０～図１２に示される構成に追加して、図２～図８に示される各構成のように、表示領域３０００にコンタクト部５１（供給電極８）が配されていてもよい。その場合、図２～図８に示される各構成のように、表示領域３０００にも溝９が配される。

【0079】

図１０～図１２に示される構成において、ダミー領域５００が、外周領域２０００に設けられている。ダミー領域５００には、積層部５０４が配されている。積層部５０４は、層間絶縁層２２と絶縁層３０との間に、積層部１０４の反射層１０２と主成分が同じである反射層５０２と、反射層５０２と絶縁層３０との間に、電蝕抑制層１０３と主成分が同じである電蝕抑制層５０３とを含みうる。ダミー領域５００が配されることによって、表示領域３０００に隣り合う領域に表示領域３０００に配される有機発光素子１００と少なくとも一部が同じ構成の構造体が配される。それによって、表示領域３０００内の有機発光素子１００の製造上のばらつきが抑制される。例えば、図１１、図１２に示されるように、ダミー領域５００に、下部電極２に準ずる構造体、絶縁層３０、有機層４０、上部電極５などを表示領域３０００と同様に形成することができる。

【0080】

ダミー領域５００の積層部５０４は、積層部１０４と電気的に絶縁されていてもよい。また、有機発光素子１００において、画素コンタクト領域１１５が反射領域１０５と電気的に絶縁されている場合、図１２に示されるように、ダミー領域５００の積層部５０４と表示領域３０００の反射領域１０５とは、電気的に接続されていてもよい。

【0081】

積層部５０４は、積層部１０４を形成する際に、同時に形成することができる。反射層１０２、５０２および電蝕抑制層１０３、５０３の成膜時やパターニング時のプロセスばらつきを抑制する観点から、積層部１０４と基板１との間の距離は、積層部５０４と基板１との間の距離と略同一であってもよい。また、反射層１０２と反射層５０２との膜厚は略同一であってもよく、電蝕抑制層１０３および電蝕抑制層５０３の膜厚は、略同一であってもよい。

【0082】

図１０～図１２に示される構成において、上部電極コンタクト領域６００が、外周領域２０００に設けられている。上部電極コンタクト領域６００には、積層部６０４が配されている。積層部６０４は、層間絶縁層２２と絶縁層３０との間に、積層部１０４の反射層１０２と主成分が同じである反射層６０２と、反射層６０２と絶縁層３０との間に、電蝕抑制層１０３と主成分が同じである電蝕抑制層６０３とを含みうる。上部電極コンタクト領域６００は、上部電極５と電気的に接触する領域である。上部電極５と積層部６０４とは、直接、接していてもよいし、上部電極５と積層部６０４との間に、電気な接続を中継する部材があってもよい。例えば、図１１、図１２に示されるように、上部電極コンタクト領域６００の積層部６０４上に、プラグ６０６と下部電極２と主成分が同じ材料で構成される供給電極８を配することによって、上部電極５と積層部６０４とを電気的に接続することが可能である。プラグ６０６には、供給電極８と同じ材料が用いられてもよいし、例えば、Ｗ、ＴｉＮ、Ｔｉなど、他の材料が用いられてもよい。

【0083】

また、図１２に示すように、有機発光素子１００において、画素コンタクト領域１１５が反射領域１０５と電気的に絶縁されている場合、上部電極コンタクト領域６００の積層部６０４と、表示領域３０００の反射領域１０５と、は電気的に接続されていてもよい。このような場合、上部電極５と反射領域１０５との電位は同じとなる。さらに、有機発光素子１００において、画素コンタクト領域１１５が反射領域１０５と電気的に絶縁されている場合、上部電極コンタクト領域６００の積層部６０４とダミー領域５００の積層部５０４と表示領域３０００の反射領域１０５とは、電気的に接続されていてもよい。この場合、上部電極５、積層部６０４、積層部５０４および反射領域１０５の電位は、同じ電位になる。

【0084】

積層部６０４は、積層部１０４を形成する際に、同時に形成することができる。換言すると、積層部６０４は、積層部１０４および積層部５０４と同時に形成されうる。反射層１０２、６０２および電蝕抑制層１０３、６０３の成膜時やパターニング時のプロセスばらつきを抑制する観点から、積層部１０４と基板１との間の距離は、積層部６０４と基板１との間の距離と略同一であってもよい。また、反射層１０２と反射層６０２との膜厚は略同一であってもよく、電蝕抑制層１０３および電蝕抑制層６０３の膜厚は、略同一であってもよい。

【0085】

図１０～図１２に示される構成において、配線領域７００が、外周領域２０００に設けられている。配線領域７００には、積層部７０４が配されている。積層部７０４は、層間絶縁層２２と絶縁層３０との間に、積層部１０４の反射層１０２と主成分が同じである反射層７０２と、反射層７０２と絶縁層３０との間に、電蝕抑制層１０３と主成分が同じである電蝕抑制層７０３とを含みうる。配線領域７００は、上部電極５とは電気的に絶縁された積層部７０４を配線パターンとして使用する領域である。配線パターンの用途は、特に限定されない。

【0086】

積層部７０４は、積層部１０４を形成する際に、同時に形成することができる。換言すると、積層部７０４は、積層部１０４、積層部５０４および積層部６０４と同時に形成されうる。反射層１０２、７０２および電蝕抑制層１０３、７０３の成膜時やパターニング時のプロセスばらつきを抑制する観点から、積層部１０４と基板１との間の距離は、積層部７０４と基板１との間の距離と略同一であってもよい。また、反射層１０２と反射層７０２との膜厚は略同一であってもよく、電蝕抑制層１０３および電蝕抑制層７０３の膜厚は、略同一であってもよい。

【0087】

図１０～図１２に示される構成において、防湿領域８００が、外周領域２０００に設けられている。防湿領域８００には、積層部８０４が配されている。積層部８０４は、層間絶縁層２２と絶縁層３０との間に、積層部１０４の反射層１０２と主成分が同じである反射層８０２と、反射層８０２と絶縁層３０との間に、電蝕抑制層１０３と主成分が同じである電蝕抑制層８０３とを含みうる。防湿領域８００は、発光装置１０の最外周に設けられており、発光装置１０の周囲から水分の侵入を防ぐ目的で配される。したがって、防湿性の観点から、積層部８０４は、発光装置１０の最外周に連続的に形成されていてもよい。また、防湿領域８００において、積層部８０４と基板１との間に設けられたプラグ８０５や、積層部８０４の上に設けられたプラグ８０６が、発光装置１０の最外周に連続的に形成されていてもよい。さらに、プラグ８０６の上部に、密着部８０７が、発光装置１０の最外周に連続的に形成されていてもよい。保護層６が配される場合に、保護層６と密着部８０７とが接していてもよい。密着部８０７は、下部電極２と主成分が同じ材料で形成することができる。換言すると、密着部８０７は、下部電極２と同時に形成することができる。

【0088】

積層部８０４は、積層部１０４を形成する際に、同時に形成することができる。換言すると、積層部８０４は、積層部１０４、積層部５０４、積層部６０４および積層部７０４と同時に形成されうる。反射層１０２、８０２および電蝕抑制層１０３、８０３の成膜時やパターニング時のプロセスばらつきを抑制する観点から、積層部１０４と基板１との間の距離は、積層部８０４と基板１との間の距離と略同一であってもよい。また、反射層１０２と反射層８０２との膜厚は略同一であってもよく、電蝕抑制層１０３および電蝕抑制層８０３の膜厚は、略同一であってもよい。

【0089】

図１３～図１５は、図１０～図１２を用いて説明した発光装置１０の変形例を示す図である。図１３は、本実施形態における発光装置１０の構成例を示す平面図である。図１４は、本実施形態における発光装置１０の構成例を示す断面図である。図１５は、図１４の断面図の変形例を示す図である。

【0090】

図１３～図１５に示される構成では、図１０～図１２に示される構成と同様に、基板１の主面１２に対する正射影において、上部電極５のうち供給電極８に接するコンタクト部５１が、外周領域２０００のうち有機層４０よりも外側の領域に配されている。一方、図１０～図１２に示される構成では、溝９が表示領域３０００を取り囲むように配されていたが、図１３～図１５に示される構成では、溝９は、有機層４０のうち下部電極２に接する部分（発光領域１０１）を取り囲むように配される。それによって、上述の図７に示される構成と同様に、上部電極５と電荷発生層４２との間のリーク電流だけでなく、互いに隣り合う有機発光素子１００間の電荷発生層４２を介したリーク電流が抑制できる。そのため、互いに隣り合う有機発光素子１００間での混色を抑制することができ、高い色純度が実現される。

【0091】

図１４に示されるように、外周領域２０００において、電荷発生層４２が、上部電極５に接していてもよい。また、図１５に示されるように、外周領域２０００において、電荷発生層４２が、上部電極５および供給電極８に接触していてもよい。これによって、有機発光素子１００ごとに配された溝９の外側（基板１の主面１２に対する正射影において、溝９の発光領域１０１と反対の側。）において、上部電極５と電荷発生層４２とが同電位になる。それによって、上部電極５と電荷発生層４２との間に配される機能層４３に起因するリーク電流を抑制することができる。

【0092】

これまで、有機層４０のうち電荷発生層４２が没入する溝９を設けることによって、電荷発生層４２を高抵抗化し、電荷発生層４２が配されることによって発生するリーク電流を抑制することについて説明した。しかしながら、電荷発生層４２が配されることに起因するリーク電流の抑制は、溝９を用いた電荷発生層４２の薄化に限定されるものではない。

【0093】

図１６は、溝９の代わりに電荷発生層４２が配されることに起因するリーク電流を抑制するための電界印加電極９０１を備える発光装置１０を説明する図である。図１６に示されるように、絶縁層３０と有機層４０との間、かつ、基板１の主面１２に対する正射影において複数の下部電極２のそれぞれとコンタクト部５１との間に、電荷発生層４２に電界を印加するための電界印加電極９０１が配されている。電界印加電極９０１には、プラグ９０４、電蝕抑制層９０３、反射層９０２、プラグ９０５を介して、所定の電位が供給される。これ以外の構成は、上述の発光装置１０の各構成と同様であってもよいため、ここでは説明を省略する。

【0094】

図１６に示される構成において、電界印加電極９０１に所定の電位を供給することによって、電界印加電極９０１と上部電極５との間に電界を印加することができる。電界印加電極９０１と上部電極５との間に印加された電界によって、下部電極２と有機層４０とが接する領域から有機層４０を介して流れる電荷の電荷再結合が促進され、供給電極８まで到達し難くなる。それによって、有機層４０に導電性が高い電荷発生層４２が配されることに起因するリーク電流を抑制することができるだけでなく、機能層４１、４３に起因するリーク電流も抑制することができる。発光装置１０の動作中に、電界印加電極９０１と上部電極５との間に、有機層４０に配された発光層の発光閾値以上の電圧が印加されてもよい。それによって、電界による電荷再結合が促進しやすくなる。

【0095】

電界印加電極９０１は、上述の溝９と同様の位置に配されうる。また、電界印加電極９０１と溝９とが、組み合わされて用いられてもよい。電界印加電極９０１を用いた場合においても、上述の各構成と同様にリーク電流を抑制し、発光装置１０の表示品質の低下が抑制できる。

【0096】

溝９を設けることによって、電荷発生層４２を薄化させた場合に、電荷発生層４２だけではなく機能層４１、４３を含む有機層４０が薄化しうる。有機層４０が薄化すると、有機層４０の薄化した部分を介した下部電極２と上部電極５との間のリーク電流が生じやすくなりうる。以下、有機層４０を介した下部電極２と上部電極５との間のリーク電流を抑制するための上述の発光装置１０の変形例を、図１７、図１８を用いて説明する。図１７は、本実施形態における発光装置１０の構成例を示す断面図であり、図１８は、発光装置１０の構成例を示す平面図である。図１７は、図１８に示されるＡ－Ａ’間の断面である。

【0097】

図１７に示されるように、絶縁層３の有機層４０に向かい合う表面には、基板１の主面１２に対して傾きを有する傾斜部３４、３５が配されている。傾斜部３４、３５は、絶縁層３の表面に設けられた溝３６の側壁を構成していていてもよい。溝３６は、図１７に示されるように、絶縁層３にのみ設けられていてもよい。また、例えば、溝３６は、絶縁層３および絶縁層３０に設けられていてもよい。さらに、例えば、溝３６は、上述の溝９と同等の構成を有していてもよい。

【0098】

有機層４０は、上述したように、絶縁層３のうち基板１の主面１３と平行な平坦部よりも傾斜部３４、３５の上に配された部分において、電荷発生層４２の膜厚が薄く成膜されやすい。そのため、電荷発生層４２を高抵抗化することができる。結果として、有機発光素子１００間のクロストーク電流を抑制することができる。

【0099】

しかしながら、有機層４０のうち絶縁層３の傾斜部３４、３５の上に配された部分おいて、有機層４０の層厚も薄くなってしまう。それによって、有機層４０を介した下部電極２と上部電極５との間のリーク電流が増加する可能性がある。そこで、図１７に示されるように、基板１の主面１２と傾斜部３４、３５（溝３６）との間に、基板１の主面１２に対する正射影において傾斜部３４、３５（溝３６）に重なるように、導電層が配されている。本実施形態において、反射領域１０５に配されている反射層１０２および電蝕抑制層１０３が、導電層として機能する。導電層（反射領域１０５に配されている反射層１０２および電蝕抑制層１０３）は、複数の下部電極２の何れにも電気的に接続されていない。

【0100】

反射領域１０５は、図１７に示される反射領域１０５ａのように、積層部６０４、プラグ６０６および供給電極８を介して上部電極５に電気的に接続されていてもよい。つまり、基板１の主面１２と傾斜部３４、３５（溝３６）との間に配される導電層の電位が、上部電極５の電位と同じであってもよい。また、図１８に示されるように、有機発光素子１００のそれぞれに対応する反射領域１０５が、互いに電気的に接続されていてもよい。それによって、基板１の主面１２に対する正射影において傾斜部３４、３５に重なる位置に配された、傾斜部３４、３５に最も近い導電層として機能する反射領域１０５の電位が上部電極５と同電位になる。

【0101】

導電層（反射領域１０５に配されている反射層１０２および電蝕抑制層１０３）が、上部電極５と同電位になる。それによって、傾斜部３４、３５の上に積層される有機層４０にかかる方向Ｂの電界強度を弱めることができるため、有機層４０を介した下部電極２と上部電極５との間のリーク電流が抑制されうる。これは、まず、有機層４０に印加される方向Ｂの電界は、電荷発生層４２での電荷分離を促進し電荷が発生する。傾斜部３４、３５の上に形成された層厚が薄い有機層４０に多くの電荷がある場合に、電荷が薄い有機層４０を通じて、電荷再結合せずに対向する電極まで流れてしまい、下部電極２と上部電極５との間のリーク電流源になってしまうからである。この方向Ｂの電界強度を弱めることによって、有機層４０を介した下部電極２と上部電極５との間のリーク電流が抑制される。ここで、方向Ｂの電界は、下部電極２が陽極であり、上部電極５が陰極である場合のリーク電流を促進する電界の方向を例として図示したものある。下部電極２が陰極であり、上部電極５が陽極である場合は、方向Ｂの向きは、図３に示される無機とは反対の下向きになる。

【0102】

導電層として機能する反射領域１０５が、上部電極５と同電位であることを上述したが、導電層の電位は、上部電極５と同電位であることに限られることはない。例えば、導電層（反射領域１０５）は、フローティング状態であってもよい。また、例えば、導電層（反射領域１０５）は所定の電源に接続され、電源から導電層に所定の電位が供給されていてもよい。具体的には、以下の電位の関係であれば、有機層４０を介した下部電極２と上部電極５との間のリーク電流を抑制する効果が発現される。

【0103】

導電層（反射領域１０５）の電位は、下部電極２が陽極、上部電極５が陰極の場合、下部電極２よりも低く設定される。つまり、導電層の電位をＶ、下部電極の電位をＶ_Ｄとした場合に、
Ｖ ＜ Ｖ_Ｄ ・・・ （１）
の関係であってもよい。それによって、上部電極５に対する下部電極２の電位差よりも、上部電極５に対する導電層（反射領域１０５）の電位差が小さくなる。結果として、有機層４０のうち傾斜部３４、３５上に配された部分における電界強度が、有機層４０を介した下部電極２と上部電極５とのリーク電流を抑制する方向に改善する。

【0104】

また、導電層（反射領域１０５）の電位は、下部電極２が陰極、上部電極５が陽極の場合、下部電極２よりも高く設定される。つまり、導電層の電位をＶ、下部電極の電位をＶ_Ｄとした場合に、
Ｖ ＞ Ｖ_Ｄ ・・・ （２）
の関係であってもよい。それによって、上部電極５に対する下部電極２の電位差よりも、上部電極５に対する導電層（反射領域１０５）の電位差が大きくなる。結果として、有機層４０のうち傾斜部３４、３５上に配された部分における電界強度が、有機層４０を介した下部電極２と上部電極５とのリーク電流を抑制する方向に改善する。

【0105】

導電層（反射領域１０５）の電位と上部電極５の電位との差が、導電層の電位と下部電極２の電位との差よりも小さくてもよい。それによって、上部電極５と導電層との間に印加される電界強度が小さくなりうる。例えば、導電層の電位と上部電極５の電位との差が、１Ｖ以下であってもよい。さらに、上述のように、導電層１２の電位と上部電極５の電位とが同電位であってもよい。

【0106】

図１７に示される構成は、有機層４０に対して基板１とは反対側に光を取り出すトップエミッション型の発光装置１０を示している。しかしながら、基板１の側に光を取り出すボトムエミッション型の発光装置においても、有機層４０に対して基板１の側の電極を下部電極２、基板１とは反対側の電極を上部電極５と考えることができる。つまり、ボトムエミッション型の発光装置においても、傾斜部３４、３５および導電層を配することによって、上述と同様の効果を得ることができる。

【0107】

比較例として、図１９、図２０に示されるよう発光装置１９を考える。図１９は、比較例の発光装置１９の断面図であり、図２０は、発光装置１９の平面図である。図１９は、図２０に示されるＡ－Ａ’間の断面である。発光装置１９は、反射領域１０５が、それぞれ下部電極２に接続され、有機発光素子１００ごとに電気的に独立して配されている。また、反射領域１０５は、上部電極５に電気的に接続される積層部６０４に電気的に接続されていない。この場合に、有機発光素子１００ａを発光させるために、下部電極２と上部電極５との間に電位差を与えると、有機層４０のうち傾斜部３４や傾斜部３５の上に配された部分にも方向Ｂの電界が印加されてしまう。この電界によって、比較例の発光装置１９では、下部電極２と上部電極５との間のリーク電流が増加しやすくなってしまう。一方、反射領域１０５を下部電極２よりも上部電極５に近い電位にする本実施形態の発光装置１０では、有機発光素子１００間のクロストークを抑制しつつ、下部電極２と上部電極５との間のリーク電流を抑制することができる。

【0108】

絶縁層３の表面に配される傾斜部３４、３５は、下部電極２（発光領域１０１）の周囲に沿って、下部電極２（発光領域１０１）を取り囲むように配されていてもよい。上述のように、傾斜部３４、３５が、溝３６の側壁を構成していてもよい。溝３６、複数の下部電極２（発光領域１０１）のそれぞれを取り囲むように設けられていてもよい。溝３６の一部として、傾斜部３４と傾斜部３５とのような対向した傾斜がある場合、有機層４０を成膜する際の有機化合物粒子が、一方の傾斜部を有する絶縁層３に阻害され、他方の傾斜部へ到達し難くなる。それによって、電荷発生層４２が薄化されうる。結果として、発光素子１００間のクロストーク電流が抑制されうる。

【0109】

傾斜部３４、３５を含む溝３６が配される場合、図１７に示されるように、電荷発生層４２の一部が、溝３６に没入していてもよい。つまり、電荷発生層４２の少なくとも一部が、溝３６の開口の上端よりも下方（基板１の側）に配されていてもよい。それによって、電荷発生層４２が薄化しやすくなる。

【0110】

溝３６の上端の幅は、有機層４０のうち機能層４１の下部電極２に接している部分の厚みよりも広くてもよい。例えば、溝３６の上端の幅は、機能層４１の下部電極２に接している部分の厚みの２倍よりも広くてもよい。それによって、溝３６の開口が、機能層４１によって封じられ難くなり、電荷発生層４２が溝３６に没入し、薄化しやすくなりうる。また、溝３６の深さは、機能層４１の下部電極に接している部分の厚みよりも深くてもよい。それによって、電荷発生層４２が溝３６に没入し、薄化しやすくなりうる。

【0111】

溝３６の深さは、例えば、下部電極２の厚みよりも深くてもよい。それによって、電荷発生層４２が溝３６に没入し、電荷発生層４２が薄化しやすくなる。一方、溝３６の深さは、下部電極２の厚みよりも浅くてもよい。それによって、有機層４０が薄膜化し過ぎることなく、有機層４０を介した下部電極２と上部電極５との間のリーク電流が抑制されうる。発光素子１００間のクロストーク電流と、有機層４０を介した下部電極２と上部電極５との間のリーク電流と、の特性に応じて、溝３６の深さは、適宜、設定されればよい。

【0112】

本実施形態において、下部電極２は透光性を備え、下部電極の下方に光学調整層として機能する絶縁層３０を有し、絶縁層３０と基板１の主面１３との間に反射層１０２が配される。それぞれの発光素子１００から発せられる色に応じて、光学調整層として機能する絶縁層３０の厚みを調整する。それによって、有機層４０が複数の発光素子１００にまたがる共通の層である場合においても、それぞれの発光素子１００の発光効率を高めることができる。発光素子１００の発光色に応じて厚みが異なる絶縁層３０を用いる場合、絶縁層３の上面に傾斜部３４、３５以外にも傾斜した部分が配されやすくなる。そのため、傾斜部３４、３５以外の部分おいても有機層４０が薄膜化しやすく、有機層４０を介した下部電極２と上部電極５との間のリーク電流が流れやすくなってしまう。したがって、上述の傾斜部３４、３５および導電層を配する効果が大きくなる。

【0113】

下部電極２の端部は、電蝕抑制層１０３の開口部の端部と、発光領域１０１の端部の間に配置されていてもよい。それによって、電蝕抑制層１０３の端部の形状を反映してできる、絶縁層３の傾斜部での電界強度を小さくすることができる。結果として、有機層４０を介した下部電極２と上部電極５との間のリーク電流を抑制することができる。

【0114】

次に、傾斜部３４、３５の傾斜角についての知見を得るための、蒸着法による成膜シミュレーションについて説明する。図２１は、蒸着シミュレーションにおける各部材の配置図である。有機層４０の蒸着源２０１、基板１、基板１に配された発光素子１００の位置関係を、それぞれ図２１に示されるように設定した。ここで、Ｒ＝２００ｍｍ、ｒ＝９５ｍｍ、ｈ＝３４０ｍｍである。

【0115】

以下の式（３）で表される、蒸着分布を示すＮをＮ＝２とした。
Φ＝Φ_０ＣＯＳ^ＮＡ ・・・ （３）
ここで、Ａは、発光素子１００における傾斜の角度、Φは、角度Ａにおける蒸気流密度、Φ_０はＡ＝０における蒸気流密度である。また、基板１は、図２１に示されるように、基板１の中心を軸として回転することを前提とした。

【0116】

基板１上の発光素子１００の位置に、傾斜角０°～９０°の傾斜部３４、３５がある場合を仮定し、傾斜角０°における有機層の層厚を７６ｎｍとした際の、各傾斜角における、傾斜部３４、３５の上に成膜される有機層４０の層厚を計算した。

【0117】

図２２は、蒸着シミュレーションの結果を示す。図２２に示される結果から、傾斜角が５０°以上の場合、傾斜部３４、３５の上に形成される有機層４０の層厚が薄くなりやすい。一方、傾斜角が５０°よりも小さい場合、傾斜部３４、３５の上に形成される有機層４０の層厚は厚くなりやすいことがわかる。したがって、傾斜部３４、３５の基板１の主面１３に平行な仮想面に対する角度が、５０°以上であってもよい。また、傾斜角の上限は特になく、例えば、傾斜部３４、３５が逆テーパー状であってもよい。例えば、傾斜部３４、３５の基板１の主面１３に平行な仮想面に対する角度は、５０°以上かつ１８０°未満であってもよい。それによって、電荷発生層４２を薄膜化することが可能であり、発光素子１００間のクロストーク電流を抑制することができる。

【0118】

発光素子１００の発光領域１０１間の距離（発光素子１００が配されるピッチ）は、例えば、１０ｍｍ以内であってもよく、さらに、５ｍｍ以内であってもよい。このような高精細な画素配列に際して、発光素子１００間のクロストーク電流が大きくなりやすい。そのため、上述した傾斜部３４、３５および導電層を配する効果が大きくなりうる。

【0119】

図２３、図２４は、図１７、図１８を用いて説明した発光装置１０の変形例を示す図である。図２３は、本実施形態における発光装置１０の構成例を示す断面図であり、図２４は、発光装置１０の構成例を示す平面図である。図２３は、図２４に示されるＡ－Ａ’間における断面が示されている。

【0120】

本実施形態において、図２３、２４に示されるように、基板１の主面１２と絶縁層３に設けられた傾斜部３４、３５（溝３６）との間に、基板１の主面１２に対する正射影において傾斜部３４、３５（溝３６）に重なるように、導電層４０５が配されている。また、図１７、図１８に示される構成と比較して、画素コンタクト領域１１５が配されずに、プラグ１１を介して反射領域１０５と下部電極２とが電気的に接続されている。図２３に示されるように、例えば、反射領域１０５ａが下部電極２ａに電気的に接続されるなど、反射領域１０５は、複数の下部電極２のうち同じ発光素子１００に配された対応する下部電極２に接続される。これ以外の構成は、上述の図１７、図１８に示される構成と同様であってもよいため、異なる点を中心に以下、説明を行う。

【0121】

本実施形態において、上述の導電層として反射領域１０５を用いた場合と同様に、導電層４０５の電位は、下部電極２が陽極、上部電極５が陰極の場合、下部電極２よりも低く設定される。また、導電層４０５の電位は、下部電極２が陰極、上部電極５が陽極の場合、下部電極２よりも高く設定される。導電層４０５の電位と上部電極５の電位との差が、導電層４０５の電位と下部電極２の電位との差よりも小さくてもよい。それによって、上部電極５と導電層１２との間に印加される電界強度が小さくなりうる。例えば、導電層４０５の電位と上部電極５の電位との差が、１Ｖ以下であってもよい。さらに、導電層４０５の電位と上部電極５の電位とが同電位であってもよい。その場合に、導電層４０５が、上部電極５に電気的に接続されていてもよい。本実施形態において、導電層４０５は、下部電極２や反射層１０２および電蝕抑制層１０３によって構成される反射領域１０５に電気的に接続されていない。また、積層部６０４の一部が、図２４に示されるように、下部電極２よりも上部電極５に近い電位に設定される導電層４０５と同様に機能していてもよい。

【0122】

図２４に示される構成において、有機発光素子１００ｃの下部電極２ｃと反射領域１０５ｃとの間に配された絶縁層３０の層厚は、有機発光素子１００ａ、１００ｂの下部電極２ａ、２ｂと反射領域１０５ａ、１０５ｂとの間に配された絶縁層３０の層厚よりも薄くなる。そのため、下部電極２ｃと反射領域１０５ｃとの間に電位差によって、下部電極２ｃと反射領域１０５ｃとの間に配された絶縁層３０は、他の部分よりも絶縁破壊してしまう可能性が高くなりうる。本実施形態において、下部電極２ｃは、反射領域１０５ｃと同電位になるため、下部電極２ｃと反射領域１０５ｃとの間の絶縁層３０（絶縁層３３）の絶縁破壊が抑制される。

【0123】

また、本実施形態においても、基板１の主面１２に対する正射影において、傾斜部３４、３５（溝３６）に重なるように配される導電層４０５は、上部電極５に近似した電位、または、上部電極５と同じ電位に設定される。そのため、有機層４０の傾斜部３４、３５の上に配された部分に印加される方向Ｂの電界強度を抑制することができる。したがって、上述と同様に、発光素子１００間のクロストークを抑制しつつ、有機層４０を介した下部電極２と上部電極５との間のリーク電流を抑制することができる。

【0124】

導電層４０５は、反射領域１０５を形成する際に同時に形成することが可能である。導電層４０５と反射領域１０５とを同一プロセスで作成することによって、発光装置１０を製造する工程数の増加を抑制することができる。導電層４０５を反射領域１０５と同時に形成する場合、導電層４０５は、層間絶縁層２２と絶縁層３０との間に、反射層１０２と主成分が同じである反射層４０２と、反射層４０２と絶縁層３０との間に、電蝕抑制層１０３と主成分が同じである電蝕抑制層４０３とを含むことになる。そのため、反射領域１０５の下面と導電層４０５の下面との基板１の主面１２からの高さが同じであってもよい。また、例えば、反射領域１０５の上面と導電層４０５の上面との基板１の主面１２からの高さが同じであってもよい。つまり、導電層５０５と反射領域１０５とが、基板１の主面１２から同じ高さに配されていてもよい。

【0125】

図１７、図１８、図２３、図２４に示される構成において、表示領域３０００に上部電極５のコンタクト部５１（供給電極８）が設けられていない。しかしながら、これに限られることはなく、図１７、図１８、図２３、図２４に示される構成に追加して、図２～図８に示される各構成のように、表示領域３０００にコンタクト部５１（供給電極８）が配されていてもよい。上述のそれぞれの実施形態は、適宜、組み合わせて用いられてもよい。

【0126】

ここで、本実施形態の発光装置１０を表示装置、光電変換装置、電子機器、照明装置、移動体、および、ウェアラブルデバイスに適用した応用例について図２５～図３１（ａ）、３１（ｂ）を用いて説明する。

【0127】

図２５は、本実施形態の発光装置１０を用いた表示装置の一例を表す模式図である。表示装置１０００は、上部カバー１００１と、下部カバー１００９と、の間に、タッチパネル１００３、表示パネル１００５、フレーム１００６、回路基板１００７、バッテリー１００８を有していてもよい。タッチパネル１００３および表示パネル１００５は、フレキシブルプリント回路ＦＰＣ１００２、１００４が接続されている。回路基板１００７には、トランジスタなどの能動素子が配される。バッテリー１００８は、表示装置１０００が携帯機器でなければ、設けなくてもよいし、携帯機器であっても、この位置に設ける必要はない。表示パネル１００５に、発光装置１０が適用できる。表示パネル１００５として機能する発光装置１０の表示領域３０００は、回路基板１００７に配されたトランジスタなどの能動素子と接続され動作する。

【0128】

図２５に示される表示装置１０００は、複数のレンズを有する光学部と、当該光学部を通過した光を受光し電気信号に光電変換する撮像素子とを有する光電変換装置（撮像装置）の表示部に用いられてもよい。光電変換装置は、撮像素子が取得した情報を表示する表示部を有してもよい。また、表示部は、光電変換装置の外部に露出した表示部であっても、ファインダ内に配置された表示部であってもよい。光電変換装置は、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラであってもよい。

【0129】

図２６は、本実施形態の発光装置１０を用いた光電変換装置の一例を表す模式図である。光電変換装置１１００は、ビューファインダ１１０１、背面ディスプレイ１１０２、操作部１１０３、筐体１１０４を有してよい。光電変換装置１１００は、撮像装置とも呼ばれうる。表示部であるビューファインダ１１０１や背面ディスプレイ１１０２に、本実施形態の発光装置１０が適用できる。この場合、発光装置１０の表示領域３０００は、撮像する画像のみならず、環境情報、撮像指示などを表示してもよい。環境情報には、外光の強度、外光の向き、被写体の動く速度、被写体が遮蔽物に遮蔽される可能性などであってよい。

【0130】

撮像に適するタイミングはわずかな時間である場合が多いため、少しでも早く情報を表示した方がよい。したがって、有機ＥＬ素子などの有機発光材料を用いた有機発光素子１００が表示領域３０００に配される発光装置１０が、ビューファインダ１１０１や背面ディスプレイ１１０２に用いられてもよい。有機発光材料は応答速度が速いためである。有機発光材料を用いた発光装置１０は、表示速度が求められる、これらの装置に、液晶表示装置よりも適している。

【0131】

光電変換装置１１００は、不図示の光学部を有する。光学部は複数のレンズを有し、光学部を通過した光を受光する筐体１１０４内に収容されている光電変換素子（不図示）に結像する。複数のレンズは、その相対位置を調整することで、焦点を調整することができる。この操作を自動で行うこともできる。

【0132】

発光装置１０は、電子機器の表示部に適用されてもよい。その際には、表示機能と操作機能との双方を有してもよい。携帯端末としては、スマートフォンなどの携帯電話、タブレット、ヘッドマウントディスプレイなどが挙げられる。

【0133】

図２７は、本実施形態の発光装置１０を用いた電子機器の一例を表す模式図である。電子機器１２００は、表示部１２０１と、操作部１２０２と、筐体１２０３を有する。筐体１２０３には、回路、当該回路を有するプリント基板、バッテリー、通信部を有してよい。操作部１２０２は、ボタンであってもよいし、タッチパネル方式の反応部であってもよい。操作部１２０２は、指紋を認識してロックの解除等を行う、生体認識部であってもよい。通信部を有する携帯機器は通信機器ということもできる。表示部１２０１に、本実施形態の発光装置１０が適用できる。

【0134】

図２８（ａ）、２８（ｂ）は、本実施形態の発光装置１０を用いた表示装置の一例を表す模式図である。図２８（ａ）は、テレビモニタやＰＣモニタなどの表示装置である。表示装置１３００は、額縁１３０１を有し表示部１３０２を有する。表示部１３０２に、本実施形態の発光装置１０が適用できる。表示装置１３００は、額縁１３０１と表示部１３０２とを支える土台１３０３を有していてもよい。土台１３０３は、図２８（ａ）の形態に限られない。例えば、額縁１３０１の下辺が土台１３０３を兼ねていてもよい。また、額縁１３０１および表示部１３０２は、曲がっていてもよい。その曲率半径は、５０００ｍｍ以上６０００ｍｍ以下であってよい。

【0135】

図２８（ｂ）は、本実施形態の発光装置１０を用いた表示装置の他の一例を表す模式図である。図２８（ｂ）の表示装置１３１０は、折り曲げ可能に構成されており、いわゆるフォルダブルな表示装置である。表示装置１３１０は、第１表示部１３１１、第２表示部１３１２、筐体１３１３、屈曲点１３１４を有する。第１表示部１３１１と第２表示部１３１２とに、本実施形態の発光装置１０が適用できる。第１表示部１３１１と第２表示部１３１２とは、つなぎ目のない１枚の表示装置であってよい。第１表示部１３１１と第２表示部１３１２とは、屈曲点で分けることができる。第１表示部１３１１と第２表示部１３１２とは、それぞれ異なる画像を表示してもよいし、第１表示部と第２表示部とで１つの画像を表示してもよい。

【0136】

図２９は、本実施形態の発光装置１０を用いた照明装置の一例を表す模式図である。照明装置１４００は、筐体１４０１と、光源１４０２と、回路基板１４０３と、光学フィルム１４０４と、光拡散部１４０５と、を有していてもよい。光源１４０２に、本実施形態の発光装置１０が適用できる。光学フィルム１４０４は光源の演色性を向上させるフィルタであってよい。光拡散部１４０５は、ライトアップなど、光源の光を効果的に拡散し、広い範囲に光を届けることができる。必要に応じて、最外部にカバーを設けてもよい。照明装置１４００は、光学フィルム１４０４と光拡散部１４０５との両方を有していてもよいし、何れか一方のみを有していてもよい。

【0137】

照明装置１４００は例えば室内を照明する装置である。照明装置１４００は白色、昼白色、その他青から赤のいずれの色を発光するものであってよい。それらを調光する調光回路を有してよい。照明装置１４００は、光源１４０２として機能する発光装置１０の表示領域３０００に接続される電源回路を有していてもよい。電源回路は、交流電圧を直流電圧に変換する回路である。また、白とは色温度が４２００Ｋで昼白色とは色温度が５０００Ｋである。また、照明装置１４００は、カラーフィルタを有してもよい。また、照明装置１４００は、放熱部を有していてもよい。放熱部は装置内の熱を装置外へ放出するものであり、比熱の高い金属、液体シリコンなどが挙げられる。

【0138】

図３０は、本実施形態の発光装置１０を用いた車両用の灯具の一例であるテールランプを有する自動車の模式図である。自動車１５００は、テールランプ１５０１を有し、ブレーキ操作などを行った際に、テールランプ１５０１を点灯する形態であってもよい。本実施形態の発光装置１０は、車両用の灯具としてヘッドランプに用いられてもよい。自動車は移動体の一例であり、移動体は船舶やドローン、航空機、鉄道車両、産業用ロボットなどであってもよい。移動体は、機体とそれに設けられた灯具を有してよい。灯具は機体の現在位置を知らせるものであってもよい。

【0139】

テールランプ１５０１に、本実施形態の発光装置１０が適用できる。テールランプ１５０１は、テールランプ１５０１として機能する発光装置１０の表示領域３０００を保護する保護部材を有してよい。保護部材は、ある程度高い強度を有し、透明であれば材料は問わないが、ポリカーボネートなどで構成されてもよい。また、保護部材は、ポリカーボネートにフランジカルボン酸誘導体、アクリロニトリル誘導体などを混ぜてよい。

【0140】

自動車１５００は、車体１５０３、それに取り付けられている窓１５０２を有してもよい。窓は、自動車の前後を確認するための窓であってもよいし、透明なディスプレイであってもよい。当該透明なディスプレイに、本実施形態の発光装置１０が用いられてもよい。この場合、発光装置１０が有する電極などの構成材料は透明な部材で構成される。

【0141】

図３１（ａ）、３１（ｂ）を参照して、本実施形態の発光装置１０のさらなる適用例について説明する。発光装置１０は、例えば、スマートグラス、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）、スマートコンタクトのようなウェアラブルデバイスとして装着可能なシステムに適用できる。このような適用例に使用される撮像表示装置は、可視光を光電変換可能な撮像装置と、可視光を発光可能な発光装置とを有する。

【0142】

図３１（ａ）は、１つの適用例に係る眼鏡１６００（スマートグラス）を説明する。眼鏡１６００のレンズ１６０１の表面側に、ＣＭＯＳセンサやＳＰＡＤのような撮像装置１６０２が設けられている。また、レンズ１６０１の裏面側には、本実施形態の発光装置１０が設けられている。

【0143】

眼鏡１６００は、制御装置１６０３をさらに備える。制御装置１６０３は、撮像装置１６０２と各実施形態に係る発光装置１０に電力を供給する電源として機能する。また、制御装置１６０３は、撮像装置１６０２と発光装置１０～７０の動作を制御する。レンズ１６０１には、撮像装置１６０２に光を集光するための光学系が形成されている。

【0144】

図３１（ｂ）は、１つの適用例に係る眼鏡１６１０（スマートグラス）を説明する。眼鏡１６１０は、制御装置１６１２を有しており、制御装置１６１２に、撮像装置１６０２に相当する撮像装置と、発光装置１０が搭載される。レンズ１６１１には、制御装置１６１２内の撮像装置と、発光装置１０からの発光を投影するための光学系が形成されており、レンズ１６１１には画像が投影される。制御装置１６１２は、撮像装置および発光装置１０に電力を供給する電源として機能するとともに、撮像装置および発光装置１０の動作を制御する。制御装置１６１２は、装着者の視線を検知する視線検知部を有してもよい。視線の検知は赤外線を用いてよい。赤外発光部は、表示画像を注視しているユーザの眼球に対して、赤外光を発する。発せられた赤外光の眼球からの反射光を、受光素子を有する撮像部が検出することで眼球の撮像画像が得られる。平面視における赤外発光部から表示部への光を低減する低減手段を有することで、画像品位の低下を低減する。

【0145】

赤外光の撮像により得られた眼球の撮像画像から表示画像に対するユーザの視線を検出する。眼球の撮像画像を用いた視線検出には任意の公知の手法が適用できる。一例として、角膜での照射光の反射によるプルキニエ像に基づく視線検出方法を用いることができる。

【0146】

より具体的には、瞳孔角膜反射法に基づく視線検出処理が行われる。瞳孔角膜反射法を用いて、眼球の撮像画像に含まれる瞳孔の像とプルキニエ像とに基づいて、眼球の向き（回転角度）を表す視線ベクトルが算出されることにより、ユーザの視線が検出される。

【0147】

本開示の一実施形態に係る発光装置１０は、受光素子を有する撮像装置を有し、撮像装置からのユーザの視線情報に基づいて表示画像を制御してよい。

【0148】

具体的には、発光装置１０は、視線情報に基づいて、ユーザが注視する第１視界領域と、第１視界領域以外の第２視界領域とを決定する。第１視界領域、第２視界領域は、発光装置１０の制御装置が決定してもよいし、外部の制御装置が決定したものを受信してもよい。発光装置１０の表示領域において、第１視界領域の表示解像度を第２視界領域の表示解像度よりも高く制御してもよい。つまり、第２視界領域の解像度を第１視界領域よりも低くしてよい。

【0149】

また、表示領域は、第１表示領域、第１表示領域とは異なる第２表示領域とを有し、視線情報に基づいて、第１表示領域および第２表示領域から優先度が高い領域が決定される。第１表示領域、第２表示領域は、発光装置１０の制御装置が決定してもよいし、外部の制御装置が決定したものを受信してもよい。優先度の高い領域の解像度を、優先度が高い領域以外の領域の解像度よりも高く制御してよい。つまり優先度が相対的に低い領域の解像度を低くしてよい。

【0150】

なお、第１視界領域や優先度が高い領域の決定には、ＡＩを用いてもよい。ＡＩは、眼球の画像と当該画像の眼球が実際に視ていた方向とを教師データとして、眼球の画像から視線の角度、視線の先の目的物までの距離を推定するよう構成されたモデルであってよい。ＡＩプログラムは、発光装置１０が有しても、撮像装置が有しても、外部装置が有してもよい。外部装置が有する場合は、通信を介して、発光装置１０に伝えられる。

【0151】

視認検知に基づいて表示制御する場合、外部を撮像する撮像装置を更に有するスマートグラスに好ましく適用できる。スマートグラスは、撮像した外部情報をリアルタイムで表示することができる。

【0152】

本明細書の開示は、以下の発光装置、表示装置、光電変換装置、電子機器、照明装置、および、移動体を含む。

【0153】

（項目１）
基板の主面の上に配された絶縁層と、前記絶縁層の上に配された複数の下部電極と、前記複数の下部電極を覆うように配された有機層と、前記有機層を覆うように配された上部電極と、前記上部電極に電位を供給する供給電極と、を備える発光装置であって、
前記有機層は、それぞれ発光層を含む複数の機能層と、前記複数の機能層の間に配される電荷発生層と、を含み、
前記上部電極は、前記供給電極と接するコンタクト部を含み、
前記主面に対する正射影において、前記絶縁層は、前記複数の下部電極のそれぞれと前記コンタクト部との間に溝を備え、
前記溝における前記電荷発生層の厚さが、前記下部電極の上における前記電荷発生層の厚さよりも薄化していることを特徴とする発光装置。

【0154】

（項目２）
前記複数の下部電極は、互いに隣り合う第１下部電極と第２下部電極とを含み、
前記主面に対する正射影において、前記コンタクト部が、前記第１下部電極と前記第２下部電極との間に配され、かつ、前記溝に少なくとも部分的に取り囲まれていることを特徴とする項目１に記載の発光装置。

【0155】

（項目３）
前記複数の下部電極は、互いに隣り合う第３下部電極および第４下部電極をさら含み、
前記主面に対する正射影において、前記第３下部電極と前記第４下部電極との間には、前記コンタクト部が配されておらず、
前記第１下部電極と前記第２下部電極との中心間の距離と、前記第３下部電極と前記第４下部電極との中心間の距離と、が同じであることを特徴とする項目２に記載の発光装置。

【0156】

（項目４）
前記複数の下部電極は、互いに隣り合う第３下部電極および第４下部電極をさら含み、
前記主面に対する正射影において、前記第３下部電極と前記第４下部電極との間には、前記コンタクト部が配されておらず、
前記第１下部電極と前記第２下部電極との中心間の距離が、前記第３下部電極と前記第４下部電極との中心間の距離よりも長いことを特徴とする項目２に記載の発光装置。

【0157】

（項目５）
前記第１下部電極と前記第２下部電極との中心間の距離が、前記第３下部電極と前記第４下部電極との中心間の距離の２倍であることを特徴とする項目４に記載の発光装置。

【0158】

（項目６）
前記主面に対する正射影において、前記有機層のうち前記複数の下部電極に接する部分が、それぞれ前記溝に少なくとも部分的に取り囲まれていることを特徴とする項目１に記載の発光装置。

【0159】

（項目７）
前記複数の下部電極は、互いに隣り合う第１下部電極と第２下部電極とを含み、
前記主面に対する正射影において、前記コンタクト部が、前記第１下部電極と前記第２下部電極との間に配されていることを特徴とする項目６に記載の発光装置。

【0160】

（項目８）
前記主面に対する正射影において、
前記有機層および前記上部電極は、前記複数の下部電極が配された表示領域よりも外側の外周領域まで配されており、
前記コンタクト部が、前記外周領域のうち前記有機層が配されている領域に配されていることを特徴とする項目６に記載の発光装置。

【0161】

（項目９）
前記主面に対する正射影において、
前記有機層および前記上部電極は、前記複数の下部電極が配された表示領域よりも外側の外周領域まで配され、
前記上部電極は、前記外周領域において前記有機層よりも外側まで配されており、
前記コンタクト部が、前記外周領域のうち前記有機層よりも外側の領域に配されていることを特徴とする項目６に記載の発光装置。

【0162】

（項目１０）
前記外周領域において、前記上部電極と前記電荷発生層とが電気的に接続していることを特徴とする項目８または９に記載の発光装置。

【0163】

（項目１１）
前記主面に対する正射影において、
前記有機層および前記上部電極は、前記複数の下部電極が配された表示領域よりも外側の外周領域まで配されており、
前記コンタクト部が、前記外周領域のうち前記有機層が配されている領域に配され、かつ、前記溝に少なくとも部分的に取り囲まれていることを特徴とする項目１に記載の発光装置。

【0164】

（項目１２）
前記主面に対する正射影において、
前記有機層および前記上部電極は、前記複数の下部電極が配された表示領域よりも外側の外周領域まで配されており、
前記コンタクト部が、前記外周領域のうち前記有機層が配されている領域に配され、
前記表示領域が、前記溝に少なくとも部分的に取り囲まれていることを特徴とする項目１に記載の発光装置。

【0165】

（項目１３）
前記主面に対する正射影において、
前記有機層および前記上部電極は、前記複数の下部電極が配された表示領域よりも外側の外周領域まで配され、
前記上部電極は、前記外周領域において前記有機層よりも外側まで配されており、
前記コンタクト部が、前記外周領域のうち前記有機層よりも外側の領域に配され、
前記表示領域が、前記溝に少なくとも部分的に取り囲まれていることを特徴とする項目１に記載の発光装置。

【0166】

（項目１４）
前記外周領域において、前記上部電極と前記電荷発生層とが電気的に接続していることを特徴とする項目１３に記載の発光装置。

【0167】

（項目１５）
前記複数の機能層は、前記複数の下部電極に接する第１機能層を含み、
前記溝のうち互いに対向する上辺の間の距離が、前記第１機能層のうち前記複数の下部電極に接する部分の厚さの２倍以上であることを特徴とする項目１乃至１４の何れか１項目に記載の発光装置。

【0168】

（項目１６）
前記溝のうち互いに対向する上辺の間の長さが、前記溝の深さよりも短いことを特徴とする項目１乃至１５の何れか１項目に記載の発光装置。

【0169】

（項目１７）
前記電荷発生層のうち前記溝に没入した部分が、前記電荷発生層のうち前記複数の下部電極の上に配されている部分の１／２以下の膜厚を備える部分を含むことを特徴とする項目１乃至１６の何れか１項目に記載の発光装置。

【0170】

（項目１８）
前記電荷発生層のうち前記溝に没入した部分が、不連続な部分を含むことを特徴とする項目１乃至１７の何れか１項目に記載の発光装置。

【0171】

（項目１９）
前記上部電極が、前記溝に没入しないことを特徴とする項目１乃至１８の何れか１項目に記載の発光装置。

【0172】

（項目２０）
前記上部電極が、前記溝の上で連続して配されていることを特徴とする項目１乃至１９の何れか１項目に記載の発光装置。

【0173】

（項目２１）
基板の主面の上に配された絶縁層と、前記絶縁層の上に配された複数の下部電極と、前記複数の下部電極を覆うように配された有機層と、前記有機層を覆うように配された上部電極と、前記上部電極に電位を供給する供給電極と、を備える発光装置であって、
前記有機層は、それぞれ発光層を含む複数の機能層と前記複数の機能層の間に配される電荷発生層とを含み、
前記上部電極は、前記供給電極と接するコンタクト部を含み、
前記絶縁層と前記有機層との間、かつ、前記主面に対する正射影において前記複数の下部電極のそれぞれと前記コンタクト部との間に、前記電荷発生層に電界を印加するための電界印加電極が配されていることを特徴とする発光装置。

【0174】

（項目２２）
前記発光装置の動作中に、前記電界印加電極と前記上部電極との間に、前記発光層の発光閾値以上の電圧が印加されることを特徴とする項目２１に記載の発光装置。

【0175】

（項目２３）
基板の主面の上に配された第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上に配された複数の下部電極と、前記第１絶縁層の上かつ前記複数の下部電極の間に配された第２絶縁層と、前記複数の下部電極および前記第２絶縁層を覆うように配された有機層と、前記有機層を覆うように配された上部電極と、前記上部電極に電位を供給する供給電極と、を含む発光装置であって、
前記有機層は、それぞれ発光層を含む複数の機能層と前記複数の機能層の間に配される電荷発生層とを含み、
前記上部電極は、前記供給電極と接するコンタクト部を含み、
前記第２絶縁層の前記有機層に向かい合う表面には、前記主面に対する正射影において前記複数の下部電極のそれぞれと前記コンタクト部との間に、前記主面に対して傾きを有する傾斜部が配され、
前記主面と前記傾斜部との間に、前記主面に対する正射影において前記傾斜部に重なるように、導電層がさらに配され、
前記導電層の電位は、
前記複数の下部電極が陽極、前記上部電極が陰極の場合、前記複数の下部電極よりも低く、
前記複数の下部電極が陰極、前記上部電極が陽極の場合、前記複数の下部電極よりも高いことを特徴とする発光装置。

【0176】

（項目２４）
前記導電層の電位と前記上部電極の電位との差が、前記導電層の電位と前記複数の下部電極の電位との差よりも小さいことを特徴とする項目２３に記載の発光装置。

【0177】

（項目２５）
前記導電層の電位が、前記上部電極の電位と同じことを特徴とする項目２３または２４に記載の発光装置。

【0178】

（項目２６）
前記導電層が、前記上部電極に電気的に接続されていることを特徴とする項目２３乃至２４の何れか１項目に記載の発光装置。

【0179】

（項目２７）
前記第２絶縁層の前記表面には、前記複数の下部電極のそれぞれを取り囲むように溝が設けられており、
前記傾斜部が、前記溝の側壁を構成していることを特徴とする項目２３乃至２６の何れか１項目に記載の発光装置。

【0180】

（項目２８）
前記傾斜部の前記主面に平行な仮想面に対する角度が、５０°以上であることを特徴とする項目２３乃至２７の何れか１項目に記載の発光装置。

【0181】

（項目２９）
前記複数の下部電極は、透光性を備え、
前記主面と前記第１絶縁層との間に、前記複数の下部電極のそれぞれに対応するように反射層を含む反射領域が配されており、
前記反射領域が、前記導電層として機能することを特徴とする項目２３乃至２８の何れか１項目に記載の発光装置。

【0182】

（項目３０）
前記複数の下部電極は、透光性を備え、
前記主面と前記第１絶縁層との間に、前記複数の下部電極のそれぞれに対応するように反射層を含む反射領域が配されており、
前記反射領域は、前記複数の下部電極のうち対応する下部電極に電気的に接続され、
前記導電層は、前記反射領域に電気的に接続されていないことを特徴とする項目２３乃至２８の何れか１項目に記載の発光装置。

【0183】

（項目３１）
前記導電層と前記反射領域とが、前記主面から同じ高さに配されていることを特徴とする項目３０に記載の発光装置。

【0184】

（項目３２）
前記導電層が、前記複数の下部電極に電気的に接続されていないことを特徴とする項目２３乃至３１の何れか１項目に記載の発光装置。

【0185】

（項目３３）
項目１乃至３２の何れか１項目に記載の発光装置と、前記発光装置に接続されている能動素子と、を有することを特徴とする表示装置。

【0186】

（項目３４）
複数のレンズを有する光学部と、前記光学部を通過した光を受光する撮像素子と、画像を表示する表示部と、を有し、
前記表示部は、前記撮像素子が撮像した画像を表示し、かつ、項目１乃至３２の何れか１項目に記載の発光装置を有することを特徴とする光電変換装置。

【0187】

（項目３５）
表示部が設けられた筐体と、前記筐体に設けられ、外部と通信する通信部と、を有し、
前記表示部は、項目１乃至３２の何れか１項目に記載の発光装置を有することを特徴とする電子機器。

【0188】

（項目３６）
光源と、光拡散部および光学フィルムの少なくとも一方と、を有する照明装置であって、
前記光源は、項目１乃至３２の何れか１項目に記載の発光装置を有することを特徴とする照明装置。

【0189】

（項目３７）
機体と、前記機体に設けられている灯具と、を有する移動体であって、
前記灯具は、項目１乃至３２の何れか１項目に記載の発光装置を有することを特徴とする移動体。

【0190】

発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神および範囲から離脱することなく、様々な変更および変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。

【符号の説明】

【0191】

１：基板、２：下部電極、５：上部電極、８：供給電極、９：溝、１０：発光装置、１２：主面、３０：絶縁層、４０：有機層、４１，４３：機能層、４２：電荷発生層、５１：コンタクト部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】

【図26】

【図27】

【図28】

【図29】

【図30】

【図31】