知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-12-19
(45)【発行日】2024-12-27
(54)【発明の名称】一体同時焼成インダクタ及びその製造方法
(51)【国際特許分類】
H01F 41/04 20060101AFI20241220BHJP
H01F 41/02 20060101ALI20241220BHJP
H01F 27/255 20060101ALI20241220BHJP
H01F 1/147 20060101ALI20241220BHJP
【ＦＩ】
H01F41/04 B
H01F41/02 D
H01F27/255
H01F1/147 166
H01F1/147 191
H01F1/147 133
H01F41/02 C
【請求項の数】
11
(21)【出願番号】P 2023534000
(86)(22)【出願日】2021-11-24
(65)【公表番号】
(43)【公表日】2023-12-15
(86)【国際出願番号】 CN2021132664
(87)【国際公開番号】W WO2022116874
(87)【国際公開日】2022-06-09
【審査請求日】2023-07-25
(31)【優先権主張番号】202011412397.7
(32)【優先日】2020-12-04
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(31)【優先権主張番号】202022886600.6
(32)【優先日】2020-12-04
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(73)【特許権者】
【識別番号】517366220
【氏名又は名称】横店集団東磁股▲ふん▼有限公司
(74)【代理人】
【識別番号】110002952
【氏名又は名称】弁理士法人鷲田国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】▲韓▼相▲華▼
(72)【発明者】
【氏名】▲張▼▲ツォン▼
(72)【発明者】
【氏名】金志洪
(72)【発明者】
【氏名】徐君
(72)【発明者】
【氏名】王林科
(72)【発明者】
【氏名】▲張▼▲寧▼
【審査官】古河 雅輝
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１４－０９０１５８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１０－１２３８６４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００８－２５８２３４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００６－０２４８６９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特表２０００－５０４７８５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平０９－３２０８３０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００５－２６８６８５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１８－０５３３１９（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２００９／０７５１１０（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２０２０－１５００６６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開昭６０－００１８１６（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｂ２２Ｆ １／００－ ８／００
Ｂ２２Ｆ １０／００－１２／９０
Ｃ２２Ｃ １／０４－ １／０５
Ｃ２２Ｃ ３３／０２
Ｈ０１Ｆ １／１２－ １／３８
Ｈ０１Ｆ １／４４－ ３／１４
Ｈ０１Ｆ ２７／２４－２７／２６
Ｈ０１Ｆ ３０／００－３８／１２
Ｈ０１Ｆ ３８／１６
Ｈ０１Ｆ ４１／００－４１／０４
Ｈ０１Ｆ ４１／０８
Ｈ０１Ｆ ４１／１０
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
一体同時焼成インダクタの製造方法であって、前記製造方法は、キャビティ内に磁粉をバッチで充填し、隣接する２層の磁粉の種類は異なり、そのうちの１層の磁粉に少なくとも１本の導線を埋め込み、導線の両端はキャビティから延出し、次に順次プレス成形及び熱処理して磁心を得て、磁心から延出する導線を折り曲げ、錫メッキを施した後に前記同時焼成インダクタを得ることを含み、
前記磁粉は、軟磁性粉末を順次絶縁被覆、二次被覆及び造粒処理した後に前記磁粉を得る方法を用いて製造されたものであり、
前記導線はエナメル線のない裸線であり、前記導線の形状は異形導線であり、前記異形導線の形状はＳ字型、Ｌ字型、Ｕ字型、Ｗ字型又はＥ字型を含み、
前記熱処理過程は保護雰囲気下で行われ、前記保護雰囲気で使用されるガスは窒素及び／又は不活性ガスであり、前記熱処理温度は６５０～８５０℃である、ことを特徴とする、製造方法。
【請求項2】
前記軟磁性粉末は、ＦｅＳｉＣｒ、ＦｅＳｉ、ＦｅＮｉ、ＦｅＳｉＡｌ、カルボニル基鉄粉、カルボニル鉄ニッケル粉、ＦｅＮｉＭｏ、Ｆｅ基アモルファスナノ結晶材料、Ｃｏ基アモルファスナノ結晶軟磁性材料又はＮｉ基アモルファスナノ結晶軟磁性材料を含む、ことを特徴とする、請求項１に記載の製造方法。
【請求項3】
前記絶縁被覆で使用される被覆プロセスはリン化、酸性化、酸化又は窒化を含む、ことを特徴とする、請求項１又は２に記載の製造方法。
【請求項4】
前記絶縁被覆で使用される被覆プロセスはリン化処理を用いて軟磁性粉末を絶縁被覆し、
前記リン化処理は軟磁性粉末と希釈したリン酸を混合して撹拌し、ベークした後にリン化処理した軟磁性粉末を得ることを含み、
アセトンを用いてリン酸を希釈し、
前記リン酸とアセトンの質量比は１：（６０～７０）であり、
前記リン酸とアセトンを混合して１～６分間撹拌してから、５～１０分間静置して使用に備え、
前記軟磁性粉末と希釈したリン酸を混合して３０～６０分間撹拌し、
前記ベーク温度は９０～１１０℃であり、
前記ベーク時間は１～１．５ｈである、ことを特徴とする、請求項３に記載の製造方法。
【請求項5】
前記二次被覆は被覆材料と絶縁被覆した軟磁性粉末を混合して撹拌することを含み、
前記被覆材料は軟磁性粉末の２～１０ｗｔ％であり、
前記被覆材料はフェノール樹脂、エポキシ樹脂又はシリコーン樹脂を含み、
前記被覆材料と軟磁性粉末を混合して４０～６０分間撹拌する、ことを特徴とする、請求項１～４のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項6】
前記造粒処理は二次被覆した軟磁性粉末を造粒し、造粒完了後に順次干し、乾燥及び冷却し、前記磁粉を得ることを含み、
前記造粒過程は４０～６０メッシュの造粒機で行われ、
前記干し時間≦３ｈであり、
干した軟磁性粉末を３０～５０メッシュの篩にかけてから乾燥処理し、
前記乾燥温度は５０～７０℃であり、
前記乾燥時間は０．８～１．２ｈであり、
前記冷却過程は自然冷却であり、
冷却した軟磁性粉末を３０～５０メッシュの篩にかけてから、篩過した軟磁性粉末に補助原料を加えて前記磁粉を得て、
前記補助原料は酸化マグネシウム、潤滑粉又は離型粉を含む、ことを特徴とする、請求項１～５のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項7】
３つのバッチでキャビティ内に第１の磁粉、第２の磁粉及び第１の磁粉を順次充填し、
前記導線を第２の磁粉に埋め込む、ことを特徴とする、請求項１～６のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項8】
前記導線は銅線であり、
前記導線は矩形断面の扁平導線であり、
前記導線は水平面上に並べて間隔を置いてそのうちの１層の磁粉の内部に敷設される、ことを特徴とする、請求項１～７のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項9】
前記プレス方式はホットプレス又はコールドプレスであり、
前記ホットプレス圧力≧８００Ｍｐａであり、
前記ホットプレス温度は９０～１８０℃であり、
前記ホットプレス時間は５～１００ｓであり、
前記熱処理はアニーリング処理であり、
前記熱処理時間は３０～５０ｍｉｎである、ことを特徴とする、請求項１～８のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項10】
請求項１～９のいずれか一項に記載の製造方法を用いて製造された同時焼成インダクタであって、前記同時焼成インダクタは磁心と磁心の内部に位置する少なくとも１本の導線とを含み、前記磁心は順次積層して設けられた少なくとも２層の磁粉層を含み、隣接する２層の磁粉層で使用された磁粉の種類は異なり、前記導線はそのうちの１層の磁粉層に位置し、導線の両端は磁心から延出し、磁心から延出する導線部分は折り曲げられた後に磁心の外壁に密着し、前記導線はエナメル線のない裸線であり、前記導線の形状は異形導線であり、前記異形導線の形状はＳ字型、Ｌ字型、Ｕ字型、Ｗ字型又はＥ字型を含む、ことを特徴とする、同時焼成インダクタ。
【請求項11】
前記導線は銅線であり、
前記導線は矩形断面の扁平導線であり、
前記導線は水平面上に並べて間隔を置いてそのうちの１層の磁粉の内部に敷設される、ことを特徴とする、請求項１０に記載の同時焼成インダクタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本願はインダクタの技術分野に属し、一体同時焼成インダクタ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、モバイル機器、家電製品、自動車、工業機器、データセンタサーバ、通信基地局サーバなどの機器の大規模な使用に伴い、エネルギー消費は重要な考慮事項となっている。部材の小型化、多機能、高性能化、省電力化はますます発展しており、搭載された電子素子は、小型化／薄型化且つ高性能化がさらに要求されている。ＤＣ－ＤＣコンバータにおける効率を向上させ、発熱を低減することは、電子素子の小型化における重要な条件である。特にコア電源回路は、ＤＣ－ＤＣコンバータＩＣの高速変換と使用されるインダクタの低インピーダンス化のさらなる発展に伴い、小型化／薄型化、低直流インピーダンス、高電流の対応、及び高信頼性がますます要求されている。
【0003】
現在、第３世代の半導体をパワーデバイスに使用することは徐々が主流になっており、特に窒化ガリウム（ＧａＮ）と炭化ケイ素（ＳｉＣ）の技術は相対的に成熟しており、高温、高電圧、大電流に耐える高周波パワーデバイスに適用されている。そのうち、パワー半導体は主な使用分野である。窒化ガリウムは、高周波回路で顕著な利点があり、現在のモバイル通信での強力な競争者である。現在、主な運用シナリオは、主に基地局側のパワーアンプ、航空宇宙などの軍事分野に集中しており、同時にコンシューマーエレクトロニクス分野にも徐々に移行している。高出力パワー、高エネルギー効率特性を有することにより、既定のパワーレベルでより小さい体積を実現できるため、電源急速充電製品に使用できる。炭化ケイ素材料の物理性能は、ケイ素などの材料よりも優れており、炭化ケイ素単結晶の禁制帯幅はケイ素材料の約３倍、熱伝導率はケイ素材料の３．３倍、電子飽和移動速度はケイ素の２．５倍、破壊電界強度はケイ素の５倍であり、高温、高電圧、高周波、高パワーの電子デバイスにおいて代替のきかない利点がある。テスラなどの高級自動車市場で炭化ケイ素パワー半導体の運用が成功するにつれて、将来、自動車分野は炭化ケイ素の成長の主な動力となる。
【0004】
パワー半導体は電子装置における電気エネルギー変換と回路制御の核心であり、電子装置における電圧、周波数、直流－交流変換などの機能を実現する核心部材である。パワーＩＣ、ＩＧＢＴ、ＭＯＳＦＥＴ、ダイオードは最も広く運用している４種のパワー半導体製品である。パワー半導体と連携して電源の電気エネルギー変換効率を向上させるインダクタ、コンデンサなどの電子素子／デバイスは同様に第３世代の半導体の発展動向に合わせる必要がある。高周波、大電流、高飽和電流、高信頼性のインダクタもエネルギー効率の高い電源の必要な構成要素である。
【0005】
従来の大電流に耐えるインダクタは、一般に軟磁性材料を個別の部材にし、次にコイルを磁心に配置し、エアギャップを設計することにより、インダクタデバイスの高飽和重畳電流を実現する。このような形式のインダクタはエアギャップを開く必要と組織する必要があるため、サイズが大きくなりがちで、特に厚さ方向は３ｍｍを超え、さらに７ｍｍに達することがよくある。これは、ソフトフェライト材料自体の特徴によるものであり、透磁率は高いがその飽和磁束密度が低く、外部磁場で飽和しやすいため、飽和電流に耐える能力を高めるために、エアギャップを開くことで実効透磁率を低減する必要がある。追加されるエアギャップはデバイスのサイズを増加するとともに、製造プロセスで組立と公差に合わせる必要があり、製品製造の歩留まりに一定の影響を及ぼす。
【0006】
金属圧粉磁心材料は、その高飽和磁束密度、高温安定性、耐衝撃性、低ノイズなどの特性のため、近年急速に発展しており、特に一体成形インダクタの分野でＦｅＳｉＣｒ、カルボニル基鉄、鉄ニッケルなどの金属軟磁性材料の使用は飛躍的に進歩している。一体成形インダクタは金属軟磁性材料を使用し、コイルを金属圧粉心に配置して一体成形する。
【0007】
ＣＮ２０５２３０７７０Ｕは、垂直薄型大電流インダクタを開示しており、該インダクタは、上磁心、下磁心及び上磁心と下磁心の間に設けられたインダクタンスコイルを含み、前記インダクタンスコイルは扁平型金属銅線で巻かれた後に、延出する上下２つの扁平ピンは９０度に折り曲げられ、且つ２つ扁平ピンの方向は反対方向であり、前記上磁心は方形本体であり、下磁心にインダクタンスコイルを収容するための凹溝が設けられ、凹溝の中部にインダクタンスコイルを固定するための位置決め柱が設けられる。このようなインダクタンス素子は、巻線のため、コイルにエナメル線を使用し、成形圧力が大きくなりにくくする必要があり、エナメル線ではない場合、コイルの絶縁層が損傷されて層間短絡を引き起こしやすい。次に、成形圧力による応力のため、磁心材料に応力異方性が発生し、材料のヒステリシス損失を増加させる。これに鑑み、金属圧粉心をＵピースとＩピースにし、圧粉磁心を焼成した後に扁平銅線をその間に挟み、インダクタを組み立てるＤＵＩ型インダクタ製品も開発されている。
【0008】
ＣＮ１１０７１８３５９Ａは、磁性粉末と熱硬化性樹脂の混合物を用いて２組の完全に同じプラテン本体を予備成形し、プラテン本体はプレス面を有し、プレス面は具体的に両側が高く、中央が低い表面実装一体成形インダクタの製造構造及びその方法を開示している。成形金型では、２組のプラテン本体をそれぞれ内蔵コイルの真上方と真下方に配置し、プラテン本体のプレス面は内蔵コイルに向かい、且つ内蔵コイルの両極はプラテン本体の両端部の範囲をそれぞれ超える必要があり、加圧又は／及び加熱で２組のプラテン本体と内蔵コイルを素材に一体成形する。成形後、内蔵コイルの両極は素材の外側に露出し、素材の両端に外部電極を形成する。
【0009】
しかし、このように作製するインダクタは、いくつかの部材を一緒に組み立てる必要があり、コイルと磁心の間に余分なエアギャップが導入されやすく、実効透磁率が低下する。また、ある部材を薄いシートにする必要があるため、製品の成形精度が不十分であり、研磨加工を行う必要があり、プロセスコストが高くなり、製品の歩留まりが低下する。
【発明の概要】
【0010】
以下は、本明細書を詳しく説明する主題の概要である。本概要は、請求項の保護範囲を制限するためのものではない。
【0011】
従来の技術に存在する不足について、本願の目的は一体同時焼成インダクタ及びその製造方法を提供することにあり、本願に係る製造方法は一体成形プロセスを用いてインダクタを製造し、過多な部材の組み立て工程を回避し、一体成形後に熱処理し、応力を十分に解放し、材料のヒステリシス損失を低減し、軽負荷状態では、デバイスの損失が低下し、これにより導線と磁心の間に余分なギャップがなくなり、磁心においてエアギャップが均一に分布し、渦電流損失の振動ノイズを低減する。
【0012】
この目的を達成するために、本願は以下の技術案を採用する。
第１の態様では、本願は一体同時焼成インダクタの製造方法を提供し、前記製造方法は、
キャビティ内に磁粉をバッチで充填し、隣接する２層の磁粉の種類は異なり、そのうちの１層の磁粉に少なくとも１本の導線を埋め込み、導線の両端はキャビティから延出し、次に順次プレス成形及び熱処理して磁心を得て、磁心から延出する導線を折り曲げ、錫メッキを施した後に前記同時焼成インダクタを得ることを含む。
第１の態様では、本願は一体同時焼成インダクタの製造方法を提供し、前記製造方法は、
キャビティ内に磁粉をバッチで充填し、隣接する２層の磁粉の種類は異なり、そのうちの１層の磁粉に少なくとも１本の導線を埋め込み、導線の両端はキャビティから延出し、次に順次プレス成形及び熱処理して磁心を得て、磁心から延出する導線を折り曲げ、錫メッキを施した後に前記同時焼成インダクタを得ることを含む。
【0013】
本願に係る製造方法は一体成形プロセスを用いてインダクタを製造し、多すぎる部材の組み立て工程を回避し、一体成形後に熱処理し、応力を十分に解放し、材料のヒステリシス損失を低減し、軽負荷状態では、デバイスの損失が低下し、導線と磁心の間に余分なギャップはなく、磁心においてエアギャップが均一に分布し、渦電流損失の振動ノイズを低減する。また、プレス工程では、複数バッチで添加する方法で異なる粉末を添加することにより、プレス過程における導線の変形量を最小限に抑え、磁心材料のアンチワインドアップ能力を向上させ、異なる磁粉材料のそれぞれの利点を十分に発揮し、デバイスの特性をよりよく発揮させ、正の温度係数と負の温度係数の軟磁性材料を組み合わせて使用することにより、デバイスの温度安定性を効果的に向上させることができる。
【0014】
本願の好ましい技術案として、前記磁粉は、軟磁性粉末を順次絶縁被覆、二次被覆及び造粒処理した後に前記磁粉を得る方法を用いて製造されたものである。
【0015】
好ましくは、前記軟磁性粉末は、ＦｅＳｉＣｒ、ＦｅＳｉ、ＦｅＮｉ、ＦｅＳｉＡｌ、カルボニル基鉄粉、カルボニル鉄ニッケル粉、ＦｅＮｉＭｏ、Ｆｅ基アモルファスナノ結晶材料、Ｃｏ基アモルファスナノ結晶軟磁性材料又はＮｉ基アモルファスナノ結晶軟磁性材料を含む。
【0016】
本願の好ましい技術案として、前記絶縁被覆で使用される被覆プロセスはリン化（ｐｈｏｓｐｈｏｒｉｚａｔｉｏｎ）、酸性化、酸化又は窒化を含み、さらに好ましくは、リン化処理を用いて軟磁性粉末を絶縁被覆する。
【0017】
本願に係る絶縁被覆プロセスとは、金属軟磁性粉末の表面の絶縁性及び耐食性を向上させる金属軟磁性材料の被覆プロセスを指し、リン化、酸性化、徐酸化、窒化などの表面処理を含み、主に高抵抗率の粉末材料を添加するか、又は金属軟磁性粒子の表面に、シリカ、アルミナ、酸化マグネシウム、カオリン、ジルコニア、マイカ粉末などの材料を含む高抵抗率被覆層をイン‐サイチ成長させることにより、金属軟磁性粉末間の絶縁性を向上させる。異なる種類の金属軟磁性合金粉末に対し、異なる被覆方法と被覆プロセスで最高の被覆效果を達成する必要がある。
【0018】
好ましくは、前記リン化処理は軟磁性粉末と希釈したリン酸を混合して撹拌し、ベークした後にリン化処理した軟磁性粉末を得ることを含む。
【0019】
好ましくは、アセトンを用いてリン酸を希釈する。
【0020】
好ましくは、前記リン酸とアセトンの質量比は１：（６０～７０）であり、例えば、１：６０、１：６１、１：６２、１：６３、１：６４、１：６５、１：６６、１：６７、１：６８、１：６９又は１：７０であってもよいが、列挙されている数値に限定されず、該数値範囲内の他の列挙されていない数値も同様に適用される。
【0021】
好ましくは、前記リン酸とアセトンを混合して１～６分間撹拌し、例えば、１ｍｉｎ、２ｍｉｎ、３ｍｉｎ、４ｍｉｎ、５ｍｉｎ又は６ｍｉｎであってもよく、次に５～１０分間静置して使用に備え、例えば、５ｍｉｎ、６ｍｉｎ、７ｍｉｎ、８ｍｉｎ、９ｍｉｎ又は１０ｍｉｎであってもよいが、列挙されている数値に限定されず、該数値範囲内の他の列挙されていない数値も同様に適用される。
【0022】
好ましくは、前記軟磁性粉末と希釈したリン酸を混合して３０～６０分間撹拌し、例えば、３０ｍｉｎ、３５ｍｉｎ、４０ｍｉｎ、４５ｍｉｎ、５０ｍｉｎ、５５ｍｉｎ又は６０ｍｉｎであってもよいが、列挙されている数値に限定されず、該数値範囲内の他の列挙されていない数値も同様に適用される。
【0023】
好ましくは、前記ベーク温度は９０～１１０℃であり、例えば、９０℃、９２℃、９４℃、９６℃、９８℃、１００℃、１０３℃、１０４℃、１０６℃、１０８℃又は１１０℃であってもよいが、列挙されている数値に限定されず、該数値範囲内の他の列挙されていない数値も同様に適用される。
【0024】
好ましくは、前記ベーク時間は１～１．５ｈであり、例えば、１．０ｈ、１．１ｈ、１．２ｈ、１．３ｈ、１．４ｈ又は１．５ｈであってもよいが、列挙されている数値に限定されず、該数値範囲内の他の列挙されていない数値も同様に適用される。
【0025】
本願の好ましい技術案として、前記二次被覆は被覆材料と絶縁被覆した軟磁性粉末を混合して撹拌することを含む。
【0026】
好ましくは、前記被覆材料は軟磁性粉末の２～１０ｗｔ％であり、例えば、２ｗｔ％、３ｗｔ％、４ｗｔ％、５ｗｔ％、６ｗｔ％、７ｗｔ％、８ｗｔ％、９ｗｔ％又は１０ｗｔ％であってもよいが、列挙されている数値に限定されず、該数値範囲内の他の列挙されていない数値も同様に適用される。
【0027】
好ましくは、前記被覆材料はフェノール樹脂、エポキシ樹脂又はシリコーン樹脂を含む。
【0028】
好ましくは、前記被覆材料と軟磁性粉末を混合して４０～６０分間撹拌し、例えば、４０ｍｉｎ、４２ｍｉｎ、４４ｍｉｎ、４６ｍｉｎ、４８ｍｉｎ、５０ｍｉｎ、５２ｍｉｎ、５４ｍｉｎ、５６ｍｉｎ、５８ｍｉｎ又は６０ｍｉｎであってもよいが、列挙されている数値に限定されず、該数値範囲内の他の列挙されていない数値も同様に適用される。
【0029】
本願の好ましい技術案として、前記造粒処理は二次被覆した軟磁性粉末を造粒し、造粒完了後に順次干し、乾燥及び冷却し、前記磁粉を得ることを含む。
【0030】
好ましくは、前記造粒過程は４０～６０メッシュの造粒機で行われ、例えば、４０メッシュ、４２メッシュ、４４メッシュ、４６メッシュ、４８メッシュ、５０メッシュ、５２メッシュ、５４メッシュ、５６メッシュ、５８メッシュ又は６０メッシュであってもよいが、列挙されている数値に限定されず、該数値範囲内の他の列挙されていない数値も同様に適用される。
【0031】
好ましくは、前記干し時間≦３ｈであり、例えば、０．５ｈ、１ｈ、１．５ｈ、２ｈ、２．５ｈ又は３ｈであってもよいが、列挙されている数値に限定されず、該数値範囲内の他の列挙されていない数値も同様に適用される。
【0032】
好ましくは、干した軟磁性粉末を３０～５０メッシュの篩にかけてから乾燥処理し、例えば、３０メッシュ、３２メッシュ、３４メッシュ、３６メッシュ、３８メッシュ、４０メッシュ、４２メッシュ、４４メッシュ、４６メッシュ、４８メッシュ又は５０メッシュであってもよいが、列挙されている数値に限定されず、該数値範囲内の他の列挙されていない数値も同様に適用される。
【0033】
好ましくは、前記乾燥温度は５０～７０℃であり、例えば、５０℃、５２℃、５４℃、５６℃、５８℃、６０℃、６２℃、６４℃、６６℃、６８℃又は７０℃であってもよいが、列挙されている数値に限定されず、該数値範囲内の他の列挙されていない数値も同様に適用される。
【0034】
好ましくは、前記乾燥時間は０．８～１．２ｈであり、例えば、０．８ｈ、０．９ｈ、１．０ｈ、１．１ｈ又は１．２ｈであってもよいが、列挙されている数値に限定されず、該数値範囲内の他の列挙されていない数値も同様に適用される。
【0035】
好ましくは、前記冷却過程は自然冷却である。
【0036】
好ましくは、冷却した軟磁性粉末を３０～５０メッシュの篩にかけてから、篩過した軟磁性粉末に補助原料を加えて前記磁粉を得て、例えば、３０メッシュ、３２メッシュ、３４メッシュ、３６メッシュ、３８メッシュ、４０メッシュ、４２メッシュ、４４メッシュ、４６メッシュ、４８メッシュ又は５０メッシュであってもよいが、列挙されている数値に限定されず、該数値範囲内の他の列挙されていない数値も同様に適用される。
【0037】
好ましくは、前記補助原料は酸化マグネシウム、潤滑粉又は離型粉を含む。
【0038】
本願の好ましい技術案として、３つのバッチごとにキャビティ内に第１の磁粉、第２の磁粉及び第１の磁粉を順次充填する。
【0039】
好ましくは、前記導線を第２の磁粉に埋め込む。
【0040】
本願の好ましい技術案として、前記導線はエナメル線のない裸線である。
【0041】
好ましくは、前記導線は銅線である。
【0042】
好ましくは、前記導線は矩形断面の扁平導線である。
【0043】
好ましくは、前記導線の形状は直導線又は異形導線である。
【0044】
好ましくは、前記異形導線の形状はＳ字型、Ｌ字型、Ｕ字型、Ｗ字型又はＥ字型を含む。
【0045】
好ましくは、前記導線は水平面上に並べて間隔を置いてそのうちの１層の磁粉の内部に敷設される。
【0046】
本願で設計されたインダクタは低直流抵抗が要求され、且つ銅線は金属軟磁性材料と一緒に高温熱処理を受ける必要があり、エナメル線のない扁平銅導線を用いて高温熱処理し、圧粉心の損失を更に低減することができ、必要に応じてＩ字型、Ｓ字型、Ｌ字型、Ｕ字型、Ｗ字型及びＥ字型などを含む銅線の形状を設計することもできる。１型１件の成形プロセスを使用してもよく、リードフレーム固定の方式でインラインプレス成形してもよい。
【0047】
本願の好ましい技術案として、前記プレス方式はホットプレス又はコールドプレスである。
【0048】
造粒粉の特性とインダクタンスの需要に応じて、ホットプレス成形の方式を使用可能である。ホットプレス成形時に必要な圧力がより小さく、ホットプレス成形後に磁心と導線をより密着させることができ、且つ必要な圧力はより小さいが、ホットプレスはプレス効率の低下をもたらす。
【0049】
好ましくは、前記ホットプレス圧力≧８００Ｍｐａ／ｃｍ２であり、例えば、８００Ｍｐａ／ｃｍ２、８１０Ｍｐａ／ｃｍ２、８２０Ｍｐａ／ｃｍ２、８３０Ｍｐａ／ｃｍ２、８４０Ｍｐａ／ｃｍ２、８５０Ｍｐａ／ｃｍ２、８６０Ｍｐａ／ｃｍ２、８７０Ｍｐａ／ｃｍ２、８８０Ｍｐａ／ｃｍ２、８９０Ｍｐａ／ｃｍ２又は９００Ｍｐａ／ｃｍ２であってもよく、さらに好ましくは２０００ＭＰａ／ｃｍ２である。
【0050】
本願では、エナメル線の制限がないため、磁粉の成形圧力を用いてより高密度の磁心を得ることができ、好ましくは、圧力が８００Ｍｐａ／ｃｍ２を超え、さらに２０００ＭＰａ／ｃｍ２に達してもよく、金型の寿命とプレス装置の能力に応じてインダクタンスの最適な圧力を選択する。
【0051】
好ましくは、前記ホットプレス温度は９０～１８０℃であり、例えば、９０℃、１００℃、１１０℃、１２０℃、１３０℃、１４０℃、１５０℃、１６０℃、１７０℃又は１８０℃であってもよいが、列挙されている数値に限定されず、該数値範囲内の他の列挙されていない数値も同様に適用される。
【0052】
好ましくは、前記ホットプレス時間は５～１００ｓであり、例えば、５ｓ、１０ｓ、２０ｓ、３０ｓ、４０ｓ、５０ｓ、６０ｓ、７０ｓ、８０ｓ、９０ｓ又は１００ｓであってもよいが、列挙されている数値に限定されず、該数値範囲内の他の列挙されていない数値も同様に適用される。
【0053】
好ましくは、前記熱処理はアニーリング処理である。
【0054】
好ましくは、前記熱処理過程は保護雰囲気下で行われる。
【0055】
好ましくは、前記保護雰囲気で使用されるガスは窒素及び／又は不活性ガスである。
【0056】
好ましくは、前記熱処理温度は６５０～８５０℃であり、例えば、６５０℃、６６０℃、６７０℃、６８０℃、６９０℃、７００℃、７１０℃、７２０℃、７３０℃、７４０℃、７５０℃、７６０℃、７７０℃、７８０℃、７９０℃、８００℃、９１０℃、９２０℃、９３０℃、９４０℃又は９５０℃であってもよいが、列挙されている数値に限定されず、該数値範囲内の他の列挙されていない数値も同様に適用される。
【0057】
好ましくは、前記熱処理時間は３０～５０ｍｉｎであり、例えば、３０ｍｉｎ、３２ｍｉｎ、３４ｍｉｎ、３６ｍｉｎ、３８ｍｉｎ、４０ｍｉｎ、４２ｍｉｎ、４４ｍｉｎ、４６ｍｉｎ、４８ｍｉｎ又は５０ｍｉｎであってもよいが、列挙されている数値に限定されず、該数値範囲内の他の列挙されていない数値も同様に適用される。
【0058】
本願では、プレスされたグリーンインダクタを熱処理して磁心を高密度化し、より高い飽和磁束密度、より高い透磁率及びより低い損失を得るとともに、インダクタデバイスの強度を向上させる。異なる材料について、異なる熱処理温度を選択する。例えば、ＦｅＳｉＢ、ＦｅＳｉＢＣｒ、ＦｅＮｉＳｉＢＰＣなどのアモルファス金属軟磁性粉末について、熱処理温度は粉末の結晶化温度を超えることができず、ナノ結晶金軟磁性合金粉末について、熱処理温度は結晶化温度よりは高いが結晶粒成長温度よりは高くない必要があり、具体的な熱処理温度は、示差走査熱量計でテストした曲線に従って熱処理プロセスを設定する必要があり、ガスアトマイズ、又は水アトマイズ、又は水とガスの複合アトマイズ、又は多段アトマイズされたＦｅＳｉＡｌ、ＦｅＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＳｉなどの軟磁性粉末について、粉末の組み合わせに応じて高温熱処理を選択する必要があり、熱処理温度は６５０℃を超え、８５０℃未満である。熱処理時に、窒素、アルゴンなどの不活性ガス保護を使用しもよく、水素、水素／窒素混合ガスなどの還元性ガス保護の方式で熱処理してもよい。本願でエナメル線のない導線を使用し、且つ導線形状はＩ字型、Ｓ字型、Ｌ字型、Ｕ字型、Ｗ字型及びＥ字型などであるため、導線同士の接触がなく、導線間の短絡問題が存在しない。
【0059】
第２の態様では、本願は第１の態様に記載の製造方法で製造された同時焼成インダクタを提供し、前記同時焼成インダクタは磁心と磁心の内部に位置する少なくとも１本の導線とを含み、前記磁心は順次積層して設けられた少なくとも２層の磁粉層を含み、隣接する２層の磁粉層で使用された磁粉の種類は異なり、前記導線はそのうちの１層の磁粉層に位置し、導線の両端は磁心から延出し、磁心から延出する導線部分は折り曲げられた後に磁心の外壁に密着する。
【0060】
本願の好ましい技術案として、前記導線はエナメル線のない裸線である。
【0061】
好ましくは、前記導線は銅線である。
【0062】
好ましくは、前記導線は矩形断面の扁平導線である。
【0063】
好ましくは、前記導線の形状は直導線又は異形導線である。
【0064】
好ましくは、前記異形導線の形状はＳ字型、Ｌ字型、Ｕ字型、Ｗ字型又はＥ字型を含む。
【0065】
好ましくは、前記導線は水平面上に並べて間隔を置いてそのうちの１層の磁粉の内部に敷設される。
【0066】
従来の技術と比べて、本願の有益な効果は次の通りである。
本願に係る製造方法は一体成形プロセスを用いてインダクタを製造し、過多な部材の組み立て工程を回避し、一体成形後に熱処理し、応力を十分に解放し、材料のヒステリシス損失を低減し、軽負荷状態では、デバイスの損失が低下し、これにより導線と磁心の間に余分なギャップがなくなり、磁心においてエアギャップが均一に分布し、渦電流損失の振動ノイズを低減する。また、プレス工程では、複数バッチで添加する方法で異なる粉末を添加することにより、プレス過程における導線の変形量を最小限に抑え、磁心材料のアンチワインドアップ能力を向上させ、異なる磁粉材料のそれぞれの利点を十分に発揮し、デバイスの特性をよりよく発揮させ、正の温度係数と負の温度係数の軟磁性材料を組み合わせて使用することにより、デバイスの温度安定性を効果的に向上させることができる。
本願に係る製造方法は一体成形プロセスを用いてインダクタを製造し、過多な部材の組み立て工程を回避し、一体成形後に熱処理し、応力を十分に解放し、材料のヒステリシス損失を低減し、軽負荷状態では、デバイスの損失が低下し、これにより導線と磁心の間に余分なギャップがなくなり、磁心においてエアギャップが均一に分布し、渦電流損失の振動ノイズを低減する。また、プレス工程では、複数バッチで添加する方法で異なる粉末を添加することにより、プレス過程における導線の変形量を最小限に抑え、磁心材料のアンチワインドアップ能力を向上させ、異なる磁粉材料のそれぞれの利点を十分に発揮し、デバイスの特性をよりよく発揮させ、正の温度係数と負の温度係数の軟磁性材料を組み合わせて使用することにより、デバイスの温度安定性を効果的に向上させることができる。
【0067】
詳細な説明を読んで理解した後に、他の態様を理解できる。
【図面の簡単な説明】
【0068】
【図1】本願の実施例１で製造された同時焼成インダクタの構造模式図である。
【図2】本願の実施例２で製造された同時焼成インダクタの構造模式図である。
【図3】本願の実施例３で製造された同時焼成インダクタの構造模式図である。
【図4】本願の実施例４で製造された同時焼成インダクタの構造模式図である。
【図5】本願の実施例５で製造された同時焼成インダクタの構造模式図である。
【発明を実施するための形態】
【0069】
本願の説明において、「中心」、「縦方向」、「横方向」、「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」、「垂直」、「水平」、「頂」、「底」、「内」、「外」などの用語により指示した方位又は位置関係は、図面に基づいて示される方位又は位置関係であり、本願の説明を容易にし、説明を簡略化するためのものにすぎず、言及した装置又は素子は、特定の方位を有し、特定の方位から構成して操作しなければならないことを指示又は暗に指示するものではなく、したがって、本願を限定するものと理解できない。また、「第１」、「第２」などの用語は目的を説明するものにすぎず、相対的な重要性を指示又は暗に指示したり、指示された技術的特徴の数を暗黙的に指定したりするものと理解できない。これにより、「第１」、「第２」などの特徴が限定されることは、その特徴の１つ又は複数を明示的又は暗黙的に含むことができる。本願の説明において、特に明記しない限り、「複数」は２つ以上を意味する。
【0070】
なお、本願の説明において、「設ける」「繋がる」、「連結」という用語は、別途明確に規定・限定されない限り、広義に理解されるべきであり、例えば、固定連結であってもよく、取り外し可能な連結又は一体的連結であってもよく、機械的連結であってもよく、電気的接続であってもよく、直接繋がってもよく、中間媒体を介して間接的に繋がってもよく、２つの素子の内部の連通であってもよい。当業者であれば、具体的な状況に応じて、本願における上記用語の具体的な意味を理解できる。
【0071】
以下、図面を参照しながら、具体的実施形態によって本願の技術案をさらに説明する。
【0072】
実施例１
本実施例は一体同時焼成インダクタの製造方法を提供し、前記製造方法は次のステップを含んだ。
（１）キャビティ内に０．２ｇの第１の磁粉を充填し、矩形断面の扁平銅導線１を、エナメル線を取り除いた後に第１の磁粉の表面に置き、導線１の両端はキャビティから延出し、導線１の形状は直導線１であり、長さは１４ｍｍ、幅は２．６ｍｍ、厚さは０．３ｍｍであり、キャビティを発振させ、導線１を第１の磁粉の内部に埋め込み、第１の磁粉を平らにし、次にキャビティ内に０．６ｇの第２の磁粉を充填し、キャビティを発振させ、第２の磁粉を平らにし、最後にキャビティ内に０．２ｇの第１の磁粉を充填し、キャビティを発振させ、第１の磁粉を平らにし、
（２）キャビティ内に充填された磁粉をプレス成形し、プレス方法はホットプレスであり、ホットプレス圧力は３００Ｍｐａ／ｃｍ２、ホットプレス温度は１８０℃、ホットプレス時間は３０ｓであり、
（３）成形後、窒素雰囲気下でアニーリング熱処理して磁心を得て、熱処理温度は７００℃、熱処理時間は３０ｍｉｎであり、
（４）磁心から延出する導線１を順次含浸、溶射、折り曲げ、錫メッキを施した後に、１１．０ｍｍ×５．０ｍｍ×２．０ｍｍのサイズの同時焼成インダクタを得て、ここで、含浸処理は真空含浸であり、溶射過程で使用された溶射液はエポキシ樹脂である。
本実施例は一体同時焼成インダクタの製造方法を提供し、前記製造方法は次のステップを含んだ。
（１）キャビティ内に０．２ｇの第１の磁粉を充填し、矩形断面の扁平銅導線１を、エナメル線を取り除いた後に第１の磁粉の表面に置き、導線１の両端はキャビティから延出し、導線１の形状は直導線１であり、長さは１４ｍｍ、幅は２．６ｍｍ、厚さは０．３ｍｍであり、キャビティを発振させ、導線１を第１の磁粉の内部に埋め込み、第１の磁粉を平らにし、次にキャビティ内に０．６ｇの第２の磁粉を充填し、キャビティを発振させ、第２の磁粉を平らにし、最後にキャビティ内に０．２ｇの第１の磁粉を充填し、キャビティを発振させ、第１の磁粉を平らにし、
（２）キャビティ内に充填された磁粉をプレス成形し、プレス方法はホットプレスであり、ホットプレス圧力は３００Ｍｐａ／ｃｍ２、ホットプレス温度は１８０℃、ホットプレス時間は３０ｓであり、
（３）成形後、窒素雰囲気下でアニーリング熱処理して磁心を得て、熱処理温度は７００℃、熱処理時間は３０ｍｉｎであり、
（４）磁心から延出する導線１を順次含浸、溶射、折り曲げ、錫メッキを施した後に、１１．０ｍｍ×５．０ｍｍ×２．０ｍｍのサイズの同時焼成インダクタを得て、ここで、含浸処理は真空含浸であり、溶射過程で使用された溶射液はエポキシ樹脂である。
【0073】
ここで、ステップ（１）における第１の磁粉は下記の方法を用いて製造された。
（ａ）絶縁被覆：アセトンを用いてリン酸を希釈し、リン酸とアセトンの質量比は１：６０であり、リン酸とアセトンを混合して１分間撹拌してから、５分間静置して使用に備え、Ｄ５０＝２０μｍのＦｅＳｉ軟磁性粉末と希釈したリン酸を混合して３０分間撹拌し、９０℃で１時間ベークした後に、リン化処理した軟磁性粉末を得て、
（ｂ）二次被覆：被覆材料とステップ（ｃ）で得られた軟磁性粉末を混合して４０分間撹拌し、被覆材料は軟磁性粉末の２ｗｔ％であり、被覆材料はフェノール樹脂であり、
（ｃ）造粒処理：二次被覆した軟磁性粉末を４０メッシュの造粒機で造粒し、造粒完了後に干し、干し時間は２ｈであり、干した軟磁性粉末を３０メッシュの篩にかけてから、５０℃で０．８時間乾燥処理し、自然冷却した後に３０メッシュの篩にかけてから、篩過した軟磁性粉末に酸化マグネシウムを加えて前記第１の磁粉を得た。
（ａ）絶縁被覆：アセトンを用いてリン酸を希釈し、リン酸とアセトンの質量比は１：６０であり、リン酸とアセトンを混合して１分間撹拌してから、５分間静置して使用に備え、Ｄ５０＝２０μｍのＦｅＳｉ軟磁性粉末と希釈したリン酸を混合して３０分間撹拌し、９０℃で１時間ベークした後に、リン化処理した軟磁性粉末を得て、
（ｂ）二次被覆：被覆材料とステップ（ｃ）で得られた軟磁性粉末を混合して４０分間撹拌し、被覆材料は軟磁性粉末の２ｗｔ％であり、被覆材料はフェノール樹脂であり、
（ｃ）造粒処理：二次被覆した軟磁性粉末を４０メッシュの造粒機で造粒し、造粒完了後に干し、干し時間は２ｈであり、干した軟磁性粉末を３０メッシュの篩にかけてから、５０℃で０．８時間乾燥処理し、自然冷却した後に３０メッシュの篩にかけてから、篩過した軟磁性粉末に酸化マグネシウムを加えて前記第１の磁粉を得た。
【0074】
第２の磁粉は第１の磁粉と同じ操作ステップ及びプロセスパラメータを用いて製造され、区別は、ステップ（ａ）で使用された軟磁性粉末をＦｅＳｉＡｌ磁粉に置き換えることにあり、ＦｅＳｉＡｌ磁粉は同様に絶縁被覆、二次被覆及び造粒処理された後に第２の磁粉を得て、各操作ステップで使用されるプロセスパラメータは完全に同じである。
【0075】
図１に示すように、製造された同時焼成インダクタに、キャビティ内の第１の磁粉、第２の磁粉及び第１の磁粉を順次充填し、第１の磁粉層２、第２の磁粉層３及び第３の磁粉層４をそれぞれ形成し、導線１は第１の磁粉層２に位置した。製造された同時焼成インダクタに対してインダクタンス特性テストを行ったところ、初期インダクタンスＬ（０Ａ）＝１５０ｎＨ、飽和電流９０Ａ、温度上昇電流８５Ａを測定した。１２Ｖ－１Ｖの降圧回路を用いて効率テストを行い、テスト中にスイッチング電源周波数が５００ｋＨｚ、電子負荷が５Ａのとき、効率は８１．５％に達し、電子負荷が２５Ａのとき、効率は９０．３％に達した。
【0076】
実施例２
本実施例は一体同時焼成インダクタの製造方法を提供し、前記製造方法は次のステップを含んだ。
（１）キャビティ内に０．３ｇの第１の磁粉を充填し、キャビティを発振させ、第１の磁粉を平らにし、次に０．５ｇの第２の磁粉を充填し、矩形断面の扁平銅導線１を、エナメル線を取り除いた後に第２の磁粉の表面に置き、導線１の両端はキャビティから延出し、導線１の形状はＳ字型であり、長さは１０ｍｍ、幅は２．６ｍｍ、厚さは０．３０ｍｍであり、キャビティを発振させ、導線１を第２の磁粉の内部に埋め込み、第２の磁粉を平らにし、最後に０．３ｇの第１の磁粉を充填し、キャビティを発振させ、第１の磁粉を平らにし、
（２）キャビティ内に充填された磁粉をプレス成形し、プレス方法はホットプレスであり、ホットプレス圧力は４００Ｍｐａ／ｃｍ２、ホットプレス温度は１８０℃、ホットプレス時間は３０ｓであり、
（３）成形後、不活性雰囲気下でアニーリング熱処理して磁心を得て、熱処理温度は６５０℃、熱処理時間は５０ｍｉｎであり、
（４）磁心から延出する導線１を順次含浸、溶射、折り曲げ、錫メッキを施した後に、８．０ｍｍ×６．０ｍｍ×１．９ｍｍのサイズの同時焼成インダクタを得て、ここで、含浸処理は真空含浸であり、溶射過程で使用された溶射液はエポキシ樹脂である。
本実施例は一体同時焼成インダクタの製造方法を提供し、前記製造方法は次のステップを含んだ。
（１）キャビティ内に０．３ｇの第１の磁粉を充填し、キャビティを発振させ、第１の磁粉を平らにし、次に０．５ｇの第２の磁粉を充填し、矩形断面の扁平銅導線１を、エナメル線を取り除いた後に第２の磁粉の表面に置き、導線１の両端はキャビティから延出し、導線１の形状はＳ字型であり、長さは１０ｍｍ、幅は２．６ｍｍ、厚さは０．３０ｍｍであり、キャビティを発振させ、導線１を第２の磁粉の内部に埋め込み、第２の磁粉を平らにし、最後に０．３ｇの第１の磁粉を充填し、キャビティを発振させ、第１の磁粉を平らにし、
（２）キャビティ内に充填された磁粉をプレス成形し、プレス方法はホットプレスであり、ホットプレス圧力は４００Ｍｐａ／ｃｍ２、ホットプレス温度は１８０℃、ホットプレス時間は３０ｓであり、
（３）成形後、不活性雰囲気下でアニーリング熱処理して磁心を得て、熱処理温度は６５０℃、熱処理時間は５０ｍｉｎであり、
（４）磁心から延出する導線１を順次含浸、溶射、折り曲げ、錫メッキを施した後に、８．０ｍｍ×６．０ｍｍ×１．９ｍｍのサイズの同時焼成インダクタを得て、ここで、含浸処理は真空含浸であり、溶射過程で使用された溶射液はエポキシ樹脂である。
【0077】
ここで、ステップ（１）における第１の磁粉は下記の方法を用いて製造された。
（ａ）絶縁被覆：アセトンを用いてリン酸を希釈し、リン酸とアセトンの質量比は１：６３であり、リン酸とアセトンを混合して３分間撹拌してから、６分間静置して使用に備え、ＦｅＮｉ軟磁性粉末と希釈したリン酸を混合して４０分間撹拌し、９５℃で１．２時間ベークした後に、リン化処理した軟磁性粉末を得て、
（ｂ）二次被覆：被覆材料とステップ（ｃ）で得られた軟磁性粉末を混合して４５分間撹拌し、被覆材料は軟磁性粉末の５ｗｔ％であり、被覆材料はエポキシ樹脂であり、
（ｃ）造粒処理：二次被覆した軟磁性粉末を４３メッシュの造粒機で造粒し、造粒完了後に干し、干し時間は２．３ｈであり、干した軟磁性粉末を３５メッシュの篩にかけてから、５５℃で１時間乾燥処理し、自然冷却した後に３５メッシュの篩にかけてから、篩過した軟磁性粉末に潤滑粉を加えて前記第１の磁粉を得た。
（ａ）絶縁被覆：アセトンを用いてリン酸を希釈し、リン酸とアセトンの質量比は１：６３であり、リン酸とアセトンを混合して３分間撹拌してから、６分間静置して使用に備え、ＦｅＮｉ軟磁性粉末と希釈したリン酸を混合して４０分間撹拌し、９５℃で１．２時間ベークした後に、リン化処理した軟磁性粉末を得て、
（ｂ）二次被覆：被覆材料とステップ（ｃ）で得られた軟磁性粉末を混合して４５分間撹拌し、被覆材料は軟磁性粉末の５ｗｔ％であり、被覆材料はエポキシ樹脂であり、
（ｃ）造粒処理：二次被覆した軟磁性粉末を４３メッシュの造粒機で造粒し、造粒完了後に干し、干し時間は２．３ｈであり、干した軟磁性粉末を３５メッシュの篩にかけてから、５５℃で１時間乾燥処理し、自然冷却した後に３５メッシュの篩にかけてから、篩過した軟磁性粉末に潤滑粉を加えて前記第１の磁粉を得た。
【0078】
第２の磁粉は第１の磁粉と同じ操作ステップ及びプロセスパラメータを用いて製造され、区別は、ステップ（ａ）で使用された軟磁性粉末をＦｅＳｉＡｌ磁粉に置き換えることにあり、ＦｅＳｉＡｌ磁粉は同様に絶縁被覆、二次被覆及び造粒処理した後に第２の磁粉を得て、各操作ステップで使用されるプロセスパラメータは完全に同じである。
【0079】
図２に示すように、製造された同時焼成インダクタに、キャビティ内の第１の磁粉、第２の磁粉及び第１の磁粉を順次充填し、第１の磁粉層２、第２の磁粉層３及び第３の磁粉層４をそれぞれ形成し、導線１は第２の磁粉層３に位置した。製造された同時焼成インダクタに対してインダクタンス特性テストを行ったところ、初期インダクタンスＬ（０Ａ）＝１６０ｎＨ、飽和電流９５Ａ、温度上昇電流９０Ａを測定した。１２Ｖ－１Ｖの降圧回路を用いて効率テストを行い、テスト中にスイッチング電源周波数が５００ｋＨｚ、電子負荷が５Ａのとき、効率は８１．６％に達し、電子負荷が２５Ａのとき、効率は９０．６％に達した。
【0080】
実施例３
本実施例は一体同時焼成インダクタの製造方法を提供し、前記製造方法は次のステップを含んだ。
（１）キャビティ内に０．２ｇの第１の磁粉を充填し、キャビティを発振させ、第１の磁粉を平らにし、次に０．６ｇの第２の磁粉を充填し、キャビティを発振させ、第２の磁粉を平らにし、最後に０．２ｇの第１の磁粉を充填し、矩形断面の扁平銅導線１を、エナメル線を取り除いた後に第１の磁粉の表面に置き、導線１の両端はキャビティから延出し、導線１の形状は「ｗ」字型であり、長さは１８ｍｍ、幅は２．８ｍｍ、厚さは０．２６ｍｍであり、キャビティを発振させ、導線１を第１の磁粉の内部に埋め込み、第１の磁粉を平らにし、
（２）キャビティ内に充填された磁粉をプレス成形し、プレス方法はホットプレスであり、ホットプレス圧力は４００Ｍｐａ／ｃｍ２、ホットプレス温度は１８０℃、ホットプレス時間は３０ｓであり、
（３）成形後、窒素雰囲気下でアニーリング熱処理して磁心を得て、熱処理温度は６９０℃、熱処理時間は４０ｍｉｎであり、
（４）磁心から延出する導線１を順次含浸、溶射、折り曲げ、錫メッキを施した後に、７．５ｍｍ×６．５ｍｍ×１．８ｍｍのサイズの同時焼成インダクタを得て、ここで、含浸処理は真空含浸であり、溶射過程で使用された溶射液はエポキシ樹脂である。
本実施例は一体同時焼成インダクタの製造方法を提供し、前記製造方法は次のステップを含んだ。
（１）キャビティ内に０．２ｇの第１の磁粉を充填し、キャビティを発振させ、第１の磁粉を平らにし、次に０．６ｇの第２の磁粉を充填し、キャビティを発振させ、第２の磁粉を平らにし、最後に０．２ｇの第１の磁粉を充填し、矩形断面の扁平銅導線１を、エナメル線を取り除いた後に第１の磁粉の表面に置き、導線１の両端はキャビティから延出し、導線１の形状は「ｗ」字型であり、長さは１８ｍｍ、幅は２．８ｍｍ、厚さは０．２６ｍｍであり、キャビティを発振させ、導線１を第１の磁粉の内部に埋め込み、第１の磁粉を平らにし、
（２）キャビティ内に充填された磁粉をプレス成形し、プレス方法はホットプレスであり、ホットプレス圧力は４００Ｍｐａ／ｃｍ２、ホットプレス温度は１８０℃、ホットプレス時間は３０ｓであり、
（３）成形後、窒素雰囲気下でアニーリング熱処理して磁心を得て、熱処理温度は６９０℃、熱処理時間は４０ｍｉｎであり、
（４）磁心から延出する導線１を順次含浸、溶射、折り曲げ、錫メッキを施した後に、７．５ｍｍ×６．５ｍｍ×１．８ｍｍのサイズの同時焼成インダクタを得て、ここで、含浸処理は真空含浸であり、溶射過程で使用された溶射液はエポキシ樹脂である。
【0081】
ここで、ステップ（１）における第１の磁粉は下記の方法を用いて製造された。
（ａ）絶縁被覆：アセトンを用いてリン酸を希釈し、リン酸とアセトンの質量比は１：６５であり、リン酸とアセトンを混合して５分間撹拌してから、８分間静置して使用に備え、Ｄ５０＝１０μｍのＦｅ粉と希釈したリン酸を混合して５０分間撹拌し、１００℃で１．３時間ベークした後に、リン化処理した軟磁性粉末を得て、
（ｂ）二次被覆：被覆材料とステップ（ｃ）で得られた軟磁性粉末を混合して５５分間撹拌し、被覆材料は軟磁性粉末の７ｗｔ％であり、被覆材料はシリコーン樹脂であり、
（ｃ）造粒処理：二次被覆した軟磁性粉末を５０メッシュの造粒機で造粒し、造粒完了後に干し、干し時間は２．５ｈであり、干した軟磁性粉末を４０メッシュの篩にかけてから、６３℃で１．１時間乾燥処理し、自然冷却した後に４０メッシュの篩にかけてから、篩過した軟磁性粉末に離型粉を加えて前記第１の磁粉を得た。
（ａ）絶縁被覆：アセトンを用いてリン酸を希釈し、リン酸とアセトンの質量比は１：６５であり、リン酸とアセトンを混合して５分間撹拌してから、８分間静置して使用に備え、Ｄ５０＝１０μｍのＦｅ粉と希釈したリン酸を混合して５０分間撹拌し、１００℃で１．３時間ベークした後に、リン化処理した軟磁性粉末を得て、
（ｂ）二次被覆：被覆材料とステップ（ｃ）で得られた軟磁性粉末を混合して５５分間撹拌し、被覆材料は軟磁性粉末の７ｗｔ％であり、被覆材料はシリコーン樹脂であり、
（ｃ）造粒処理：二次被覆した軟磁性粉末を５０メッシュの造粒機で造粒し、造粒完了後に干し、干し時間は２．５ｈであり、干した軟磁性粉末を４０メッシュの篩にかけてから、６３℃で１．１時間乾燥処理し、自然冷却した後に４０メッシュの篩にかけてから、篩過した軟磁性粉末に離型粉を加えて前記第１の磁粉を得た。
【0082】
第２の磁粉は第１の磁粉と同じ操作ステップ及びプロセスパラメータを用いて製造され、区別は、ステップ（ａ）で使用された軟磁性粉末をＦｅＳｉＡｌ磁粉に置き換えることにあり、ＦｅＳｉＡｌ磁粉は同様に絶縁被覆、二次被覆及び造粒処理した後に第２の磁粉を得て、各操作ステップで使用されたプロセスパラメータは完全に同じである。
【0083】
図３に示すように、製造された同時焼成インダクタに、キャビティ内の第１の磁粉、第２の磁粉及び第１の磁粉を順次充填し、第１の磁粉層２、第２の磁粉層３及び第３の磁粉層４をそれぞれ形成し、導線１は第３の磁粉層４に位置した。製造された同時焼成インダクタに対してインダクタンス特性テストを行ったところ、初期インダクタンスＬ（０Ａ）＝１５０ｎＨ、飽和電流１００Ａ、温度上昇電流９０Ａを測定した。１２Ｖ－１Ｖの降圧回路を用いて効率テストを行い、テスト中にスイッチング電源周波数が５００ｋＨｚ、電子負荷が５Ａのとき、効率は８０．８％に達し、電子負荷が２５Ａのとき、効率は９１．２％に達した。
【0084】
実施例４
本実施例は一体同時焼成インダクタの製造方法を提供し、前記製造方法は次のステップを含んだ。
（１）キャビティ内に０．２ｇの第１の磁粉を充填し、矩形断面の扁平銅導線１を、エナメル線を取り除いた後に第１の磁粉の表面に置き、導線１の両端はキャビティから延出し、導線１の形状は直導線１であり、長さは１０ｍｍ、幅は２．０ｍｍ、厚さは０．３６ｍｍであり、キャビティを発振させ、導線１を第１の磁粉の内部に埋め込み、第１の磁粉を平らにし、次にキャビティ内に０．６ｇの第２の磁粉を充填し、キャビティを発振させ、第２の磁粉を平らにし、最後にキャビティ内に０．２ｇの第３の磁粉を充填し、キャビティを発振させ、第３の磁粉を平らにし、
（２）キャビティ内に充填された磁粉をプレス成形し、プレス方法はコールドプレスであり、コールドプレス圧力は５００Ｍｐａ／ｃｍ２、コールドプレス温度は１８０℃、コールドプレス時間は３０ｓであり、
（３）成形後、窒素雰囲気下でアニーリング熱処理して磁心を得て、熱処理温度は８５０℃、熱処理時間は３０ｍｉｎであり、
（４）磁心から延出する導線１を順次含浸、溶射、折り曲げ、錫メッキを施した後に、８．０ｍｍ×５．０ｍｍ×３．０ｍｍのサイズの同時焼成インダクタを得て、ここで、含浸処理は真空含浸であり、溶射過程で使用された溶射液はエポキシ樹脂である。
本実施例は一体同時焼成インダクタの製造方法を提供し、前記製造方法は次のステップを含んだ。
（１）キャビティ内に０．２ｇの第１の磁粉を充填し、矩形断面の扁平銅導線１を、エナメル線を取り除いた後に第１の磁粉の表面に置き、導線１の両端はキャビティから延出し、導線１の形状は直導線１であり、長さは１０ｍｍ、幅は２．０ｍｍ、厚さは０．３６ｍｍであり、キャビティを発振させ、導線１を第１の磁粉の内部に埋め込み、第１の磁粉を平らにし、次にキャビティ内に０．６ｇの第２の磁粉を充填し、キャビティを発振させ、第２の磁粉を平らにし、最後にキャビティ内に０．２ｇの第３の磁粉を充填し、キャビティを発振させ、第３の磁粉を平らにし、
（２）キャビティ内に充填された磁粉をプレス成形し、プレス方法はコールドプレスであり、コールドプレス圧力は５００Ｍｐａ／ｃｍ２、コールドプレス温度は１８０℃、コールドプレス時間は３０ｓであり、
（３）成形後、窒素雰囲気下でアニーリング熱処理して磁心を得て、熱処理温度は８５０℃、熱処理時間は３０ｍｉｎであり、
（４）磁心から延出する導線１を順次含浸、溶射、折り曲げ、錫メッキを施した後に、８．０ｍｍ×５．０ｍｍ×３．０ｍｍのサイズの同時焼成インダクタを得て、ここで、含浸処理は真空含浸であり、溶射過程で使用された溶射液はエポキシ樹脂である。
【0085】
ここで、ステップ（１）における第１の磁粉は下記の方法を用いて製造された。
（ａ）絶縁被覆：アセトンを用いてリン酸を希釈し、リン酸とアセトンの質量比は１：７０であり、リン酸とアセトンを混合して６分間撹拌してから、１０分間静置して使用に備え、Ｄ５０＝１０μｍのＦｅＮｉ粉と希釈したリン酸を混合して６０分間撹拌し、１１０℃で１．５時間ベークした後に、リン化処理した軟磁性粉末を得て、
（ｂ）二次被覆：被覆材料とステップ（ｃ）で得られた軟磁性粉末を混合して６０分間撹拌し、被覆材料は軟磁性粉末の１０ｗｔ％であり、被覆材料はシリコーン樹脂であり、
（ｃ）造粒処理：二次被覆した軟磁性粉末を６０メッシュの造粒機で造粒し、造粒完了後に干し、干し時間は３ｈであり、干した軟磁性粉末を５０メッシュの篩にかけてから、７０℃で１．２時間乾燥処理し、自然冷却した後に５０メッシュの篩にかけてから、篩過した軟磁性粉末に酸化マグネシウム補助原料を加えて前記第１の磁粉を得た。
（ａ）絶縁被覆：アセトンを用いてリン酸を希釈し、リン酸とアセトンの質量比は１：７０であり、リン酸とアセトンを混合して６分間撹拌してから、１０分間静置して使用に備え、Ｄ５０＝１０μｍのＦｅＮｉ粉と希釈したリン酸を混合して６０分間撹拌し、１１０℃で１．５時間ベークした後に、リン化処理した軟磁性粉末を得て、
（ｂ）二次被覆：被覆材料とステップ（ｃ）で得られた軟磁性粉末を混合して６０分間撹拌し、被覆材料は軟磁性粉末の１０ｗｔ％であり、被覆材料はシリコーン樹脂であり、
（ｃ）造粒処理：二次被覆した軟磁性粉末を６０メッシュの造粒機で造粒し、造粒完了後に干し、干し時間は３ｈであり、干した軟磁性粉末を５０メッシュの篩にかけてから、７０℃で１．２時間乾燥処理し、自然冷却した後に５０メッシュの篩にかけてから、篩過した軟磁性粉末に酸化マグネシウム補助原料を加えて前記第１の磁粉を得た。
【0086】
第２の磁粉は第１の磁粉と同じ操作ステップ及びプロセスパラメータを用いて製造され、区別は、ステップ（ａ）で使用された軟磁性粉末をＦｅＳｉＡｌ軟磁性粉末に置き換えることにあり、ＦｅＳｉＡｌ軟磁性粉末は同様に絶縁被覆、二次被覆及び造粒処理した後に第２の磁粉を得て、各操作ステップで使用されたプロセスパラメータは完全に同じである。
【0087】
第３の磁粉は第１の磁粉と同じ操作ステップ及びプロセスパラメータを用いて製造され、区別は、ステップ（ａ）で使用された軟磁性粉末をＤ５０＝２０μｍのＦｅＳｉ軟磁性粉末に置き換えることにあり、ＦｅＳｉ軟磁性粉末は同様に絶縁被覆、二次被覆及び造粒処理した後に第３の磁粉を得て、各操作ステップで使用されたプロセスパラメータは完全に同じである。
【0088】
図４に示すように、製造された同時焼成インダクタに、キャビティ内の第１の磁粉、第２の磁粉及び第３の磁粉を順次充填し、第１の磁粉層２、第２の磁粉層３及び第３の磁粉層４をそれぞれ形成し、導線１は第１の磁粉層２に位置した。製造された同時焼成インダクタに対してインダクタンス特性テストを行ったところ、初期インダクタンスＬ（０Ａ）＝１２０ｎＨ、飽和電流７０Ａ、温度上昇電流６５Ａを測定した。１２Ｖ－１Ｖの降圧回路を用いて効率テストを行い、テスト中にスイッチング電源周波数が５００ｋＨｚ、電子負荷が５Ａのとき、効率は７９．５％に達し、電子負荷が２５Ａのとき、効率は８８．３％に達した。
【0089】
実施例５
本実施例は一体同時焼成インダクタの製造方法を提供し、前記製造方法は次のステップを含んだ。
（１）キャビティ内に０．２ｇの第１の磁粉を充填し、矩形断面の扁平銅導線１を、エナメル線を取り除いた後に第１の磁粉の表面に置き、導線１の両端はキャビティから延出し、導線１の形状は直導線１であり、長さは１４ｍｍ、幅は２．２ｍｍ、厚さは０．３５ｍｍであり、キャビティを発振させ、導線１を第１の磁粉の内部に埋め込み、第１の磁粉を平らにしてから、０．３ｇの第２の磁粉、０．５ｇの第３の磁粉、０．３ｇの第２の磁粉及び０．２ｇの第１の磁粉を順次充填し、磁粉を充填するたびにキャビティを発振させて磁粉の表面を平らにし、
（２）キャビティ内に充填された磁粉をプレス成形し、プレス方法はコールドプレスであり、コールドプレス圧力は１６００Ｍｐａ／ｃｍ２であり、
（３）成形後、窒素雰囲気下でアニーリング熱処理して磁心を得て、熱処理温度は６９０℃、熱処理時間は４０ｍｉｎであり、
（４）磁心から延出する導線１を順次含浸、溶射、折り曲げ、錫メッキを施した後に、１０．０ｍｍ×５．０ｍｍ×２．０ｍｍのサイズの同時焼成インダクタ（図１に示す）を得て、ここで、含浸処理は真空含浸であり、溶射過程で使用された溶射液はエポキシ樹脂である。
本実施例は一体同時焼成インダクタの製造方法を提供し、前記製造方法は次のステップを含んだ。
（１）キャビティ内に０．２ｇの第１の磁粉を充填し、矩形断面の扁平銅導線１を、エナメル線を取り除いた後に第１の磁粉の表面に置き、導線１の両端はキャビティから延出し、導線１の形状は直導線１であり、長さは１４ｍｍ、幅は２．２ｍｍ、厚さは０．３５ｍｍであり、キャビティを発振させ、導線１を第１の磁粉の内部に埋め込み、第１の磁粉を平らにしてから、０．３ｇの第２の磁粉、０．５ｇの第３の磁粉、０．３ｇの第２の磁粉及び０．２ｇの第１の磁粉を順次充填し、磁粉を充填するたびにキャビティを発振させて磁粉の表面を平らにし、
（２）キャビティ内に充填された磁粉をプレス成形し、プレス方法はコールドプレスであり、コールドプレス圧力は１６００Ｍｐａ／ｃｍ２であり、
（３）成形後、窒素雰囲気下でアニーリング熱処理して磁心を得て、熱処理温度は６９０℃、熱処理時間は４０ｍｉｎであり、
（４）磁心から延出する導線１を順次含浸、溶射、折り曲げ、錫メッキを施した後に、１０．０ｍｍ×５．０ｍｍ×２．０ｍｍのサイズの同時焼成インダクタ（図１に示す）を得て、ここで、含浸処理は真空含浸であり、溶射過程で使用された溶射液はエポキシ樹脂である。
【0090】
ここで、ステップ（１）における第１の磁粉は下記の方法を用いて製造された。
（ａ）絶縁被覆：アセトンを用いてリン酸を希釈し、リン酸とアセトンの質量比は１：６５であり、リン酸とアセトンを混合して５分間撹拌してから、８分間静置して使用に備え、Ｄ５０＝２０μｍのＦｅＳｉ軟磁性粉末と希釈したリン酸を混合して５０分間撹拌し、１００℃で１．３時間ベークした後に、リン化処理した軟磁性粉末を得て、
（ｂ）二次被覆：被覆材料とステップ（ｃ）で得られた軟磁性粉末を混合して５５分間撹拌し、被覆材料は軟磁性粉末の７ｗｔ％であり、被覆材料はフェノール樹脂であり、
（ｃ）造粒処理：二次被覆した軟磁性粉末を５０メッシュの造粒機で造粒し、造粒完了後に干し、干し時間は２．５ｈであり、干した軟磁性粉末を４０メッシュの篩にかけてから、６３℃で１．１時間乾燥処理し、自然冷却した後に４０メッシュの篩にかけてから、篩過した軟磁性粉末に酸化マグネシウムを加えて前記第１の磁粉を得る。
（ａ）絶縁被覆：アセトンを用いてリン酸を希釈し、リン酸とアセトンの質量比は１：６５であり、リン酸とアセトンを混合して５分間撹拌してから、８分間静置して使用に備え、Ｄ５０＝２０μｍのＦｅＳｉ軟磁性粉末と希釈したリン酸を混合して５０分間撹拌し、１００℃で１．３時間ベークした後に、リン化処理した軟磁性粉末を得て、
（ｂ）二次被覆：被覆材料とステップ（ｃ）で得られた軟磁性粉末を混合して５５分間撹拌し、被覆材料は軟磁性粉末の７ｗｔ％であり、被覆材料はフェノール樹脂であり、
（ｃ）造粒処理：二次被覆した軟磁性粉末を５０メッシュの造粒機で造粒し、造粒完了後に干し、干し時間は２．５ｈであり、干した軟磁性粉末を４０メッシュの篩にかけてから、６３℃で１．１時間乾燥処理し、自然冷却した後に４０メッシュの篩にかけてから、篩過した軟磁性粉末に酸化マグネシウムを加えて前記第１の磁粉を得る。
【0091】
第２の磁粉は第１の磁粉と同じ操作ステップ及びプロセスパラメータを用いて製造され、区別は、ステップ（ａ）で使用された軟磁性粉末をＤ５０＝１０μｍのＦｅＮｉ軟磁性粉末に置き換えることにあり、ＦｅＮｉ軟磁性粉末は同様に絶縁被覆、二次被覆及び造粒処理した後に第２の磁粉を得て、各操作ステップで使用されたプロセスパラメータは完全に同じである。
【0092】
第３の磁粉は第１の磁粉と同じ操作ステップ及びプロセスパラメータを用いて製造され、区別は、ステップ（ａ）で使用された軟磁性粉末をＦｅＳｉＡｌ磁粉に置き換えることにあり、ＦｅＳｉＡｌ磁粉は同様に絶縁被覆、二次被覆及び造粒処理した後に第３の磁粉を得て、各操作ステップで使用されたプロセスパラメータは完全に同じである。
【0093】
図５に示すように、製造された同時焼成インダクタに、キャビティ内の第１の磁粉、第２の磁粉、第３の磁粉、第２の磁粉及び第１の磁粉を順次充填し、第１の磁粉層２、第２の磁粉層３、第３の磁粉層４、第４の磁粉層５及び第５の磁粉層６をそれぞれ形成し、導線１は第１の磁粉層２に位置した。製造された同時焼成インダクタに対してインダクタンス特性テストを行ったところ、初期インダクタンスＬ（０Ａ）＝１６５ｎＨ、飽和電流１０５Ａ、温度上昇電流９０Ａを測定した。１２Ｖ－１Ｖの降圧回路を用いて効率テストを行い、テスト中にスイッチング電源周波数が５００ｋＨｚ、電子負荷が５Ａのとき、効率は８２．０％に達し、電子負荷が２５Ａのとき、効率は９１．５％に達した。
【0094】
比較例１
本実施例は一体同時焼成インダクタの製造方法を提供し、前記製造方法は次のステップを含んだ。
（１）キャビティ内に１ｇの磁粉を充填し、矩形断面の扁平銅導線１を、エナメル線を取り除いた後に磁粉に埋め込み、導線１の形状は直導線１であり、長さは１４ｍｍ、幅は２．６ｍｍ、厚さは０．３ｍｍであり、
（２）キャビティ内に充填された磁粉をプレス成形し、プレス方法はホットプレスであり、ホットプレス圧力は４００Ｍｐａ／ｃｍ２、ホットプレス温度は１６０℃、ホットプレス時間は２５ｓであり、
（３）成形後、窒素雰囲気下でアニーリング熱処理して磁心を得て、熱処理温度は７００℃、熱処理時間は３０ｍｉｎであり、
（４）磁心から延出する導線１を順次含浸、溶射、折り曲げ、錫メッキを施した後に、１１．０ｍｍ×５．０ｍｍ×２．０ｍｍのサイズの同時焼成インダクタを得て、ここで、含浸処理は真空含浸であり、溶射過程で使用された溶射液はエポキシ樹脂である。
本実施例は一体同時焼成インダクタの製造方法を提供し、前記製造方法は次のステップを含んだ。
（１）キャビティ内に１ｇの磁粉を充填し、矩形断面の扁平銅導線１を、エナメル線を取り除いた後に磁粉に埋め込み、導線１の形状は直導線１であり、長さは１４ｍｍ、幅は２．６ｍｍ、厚さは０．３ｍｍであり、
（２）キャビティ内に充填された磁粉をプレス成形し、プレス方法はホットプレスであり、ホットプレス圧力は４００Ｍｐａ／ｃｍ２、ホットプレス温度は１６０℃、ホットプレス時間は２５ｓであり、
（３）成形後、窒素雰囲気下でアニーリング熱処理して磁心を得て、熱処理温度は７００℃、熱処理時間は３０ｍｉｎであり、
（４）磁心から延出する導線１を順次含浸、溶射、折り曲げ、錫メッキを施した後に、１１．０ｍｍ×５．０ｍｍ×２．０ｍｍのサイズの同時焼成インダクタを得て、ここで、含浸処理は真空含浸であり、溶射過程で使用された溶射液はエポキシ樹脂である。
【0095】
ここで、ステップ（１）における磁粉は下記の方法を用いて製造された。
（ａ）絶縁被覆：アセトンを用いてリン酸を希釈し、リン酸とアセトンの質量比は１：６０であり、リン酸とアセトンを混合して１分間撹拌してから、５分間静置して使用に備え、Ｄ５０＝２０μｍのＦｅＳｉ軟磁性粉末と希釈したリン酸を混合して３０分間撹拌し、９０℃で１時間ベークした後に、リン化処理した軟磁性粉末を得て、
（ｂ）二次被覆：被覆材料とステップ（ｃ）で得られた軟磁性粉末を混合して４０分間撹拌し、被覆材料は軟磁性粉末の２ｗｔ％であり、被覆材料はフェノール樹脂であり、
（ｃ）造粒処理：二次被覆した軟磁性粉末を４０メッシュの造粒機で造粒し、造粒完了後に干し、干し時間は２ｈであり、干した軟磁性粉末を３０メッシュの篩にかけてから、５０℃で０．８時間乾燥処理し、自然冷却した後に３０メッシュの篩にかけてから、篩過した軟磁性粉末に酸化マグネシウム補助原料を加えて前記磁粉を得た。
（ａ）絶縁被覆：アセトンを用いてリン酸を希釈し、リン酸とアセトンの質量比は１：６０であり、リン酸とアセトンを混合して１分間撹拌してから、５分間静置して使用に備え、Ｄ５０＝２０μｍのＦｅＳｉ軟磁性粉末と希釈したリン酸を混合して３０分間撹拌し、９０℃で１時間ベークした後に、リン化処理した軟磁性粉末を得て、
（ｂ）二次被覆：被覆材料とステップ（ｃ）で得られた軟磁性粉末を混合して４０分間撹拌し、被覆材料は軟磁性粉末の２ｗｔ％であり、被覆材料はフェノール樹脂であり、
（ｃ）造粒処理：二次被覆した軟磁性粉末を４０メッシュの造粒機で造粒し、造粒完了後に干し、干し時間は２ｈであり、干した軟磁性粉末を３０メッシュの篩にかけてから、５０℃で０．８時間乾燥処理し、自然冷却した後に３０メッシュの篩にかけてから、篩過した軟磁性粉末に酸化マグネシウム補助原料を加えて前記磁粉を得た。
【0096】
製造された同時焼成インダクタに対してインダクタンス特性テストを行ったところ、初期インダクタンスＬ（０Ａ）＝１４０ｎＨ、飽和電流５０Ａ、温度上昇電流４０Ａを測定した。１２Ｖ－１Ｖの降圧回路を用いて効率テストを行い、テスト中にスイッチング電源周波数が５００ｋＨｚ、電子負荷が５Ａのとき、効率は８２．３％に達し、電子負荷が２５Ａのとき、効率は８８．３％に達した。
【符号の説明】
【0097】
１－導線；２－第１の磁粉層；３－第２の磁粉層；４－第３の磁粉層；５－第４の磁粉層；６－第５の磁粉層。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】