特許 7608642 表示装置および表示装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-12-20

(45)【発行日】2025-01-06

(54)【発明の名称】表示装置および表示装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/30 20060101AFI20241223BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20241223BHJP

   H10D 30/67 20250101ALI20241223BHJP

   H05B 33/14 20060101ALI20241223BHJP

   H10K 50/115 20230101ALI20241223BHJP

   H10K 59/12 20230101ALI20241223BHJP

【ＦＩ】

G09F9/30 338

G09F9/00 342

G09F9/30 348A

H01L29/78 618B

H01L29/78 619A

H05B33/14 Z

H10K50/115

H10K59/12

【請求項の数】 15

(21)【出願番号】P 2023578247

(86)(22)【出願日】2022-02-02

(86)【国際出願番号】 JP2022004094

(87)【国際公開番号】W WO2023148852

(87)【国際公開日】2023-08-10

【審査請求日】2024-04-19

(73)【特許権者】

【識別番号】520487808

【氏名又は名称】シャープディスプレイテクノロジー株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002848

【氏名又は名称】弁理士法人ＮＩＰ＆ＳＢＰＪ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】本城 正智

【審査官】石本 努

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２０２１／１６６０６７（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１８－０２２８７９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－０５４２８４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１１－１２４３１２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１６－０２９７２７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－０２９５２８（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１６／０１６３７４５（ＵＳ，Ａ１）

【文献】韓国公開特許第１０－２０１５－０１０１４１３（ＫＲ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０２Ｆ１／１３４３－１／１３４５

１／１３５－１／１３６８

Ｇ０９Ｆ９／３０－９／４６

Ｈ０１Ｌ２９／７８

Ｈ０５Ｂ３３／００－３３／２８

４４／００

４５／６０

Ｈ１０Ｋ５０／００－９９／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、前記基板の上方に位置する第１トランジスタとを備える表示装置であって、
前記基板の上方に位置し、前記基板の法線方向と直交する方向に離間した第１電極および第２電極と、
前記第１電極および前記第２電極の間隙に位置し、塗布型絶縁材料を含む絶縁層と、
少なくとも一部が前記第１トランジスタのチャネルとして機能し、前記絶縁層の上面に接する酸化物半導体層と、を備える表示装置。

【請求項2】

前記酸化物半導体層は、前記チャネルとして機能するチャネル部と、前記チャネル部よりも電気抵抗値が小さい第１および第２低抵抗部とを含み、
前記第１低抵抗部が前記第１電極の上面に接し、前記第２低抵抗部が前記第２電極の上面に接する、請求項１に記載の表示装置。

【請求項3】

前記第１低抵抗部が前記第１電極の側面に接し、前記第２低抵抗部が前記第２電極の側面に接する、請求項２に記載の表示装置。

【請求項4】

前記絶縁層は、前記第１電極および前記第２電極の側面に接する、請求項１～３の何れか１項に記載の表示装置。

【請求項5】

前記絶縁層の上面から前記基板の上面までの距離は、前記第１電極および前記第２電極の上面から前記基板の上面までの距離よりも小さい、請求項１～３のいずれか１項に記載の表示装置。

【請求項6】

前記絶縁層の上面から前記基板の上面までの距離は、前記第１電極および前記第２電極の上面から前記基板の上面までの距離と同一である、請求項１～３のいずれか１項に記載の表示装置。

【請求項7】

前記絶縁層の上面が谷型形状である、請求項１～４のいずれか１項に記載の表示装置。

【請求項8】

前記絶縁層は、スピンオンガラス材料、アルカリ土類金属を含む酸化物、およびランタノイドを含む酸化物の少なくとも１つを含んでいる、請求項１～７のいずれか１項に記載の表示装置。

【請求項9】

前記第１トランジスタは、酸化物半導体層上に位置するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に位置する第１ゲート電極とを含む、請求項１～８のいずれか１項に記載の表示装置。

【請求項10】

前記第１電極および第２電極それぞれが、前記絶縁層によって囲まれている、請求項１～９のいずれか１項に記載の表示装置。

【請求項11】

前記絶縁層の下に無機絶縁膜を備える、請求項１～１０のいずれか１項に記載の表示装置。

【請求項12】

シリコン系半導体層と前記シリコン系半導体層の上方に位置する第２ゲート電極とを含む第２トランジスタを備え、
前記第２ゲート電極が前記無機絶縁膜で覆われている、請求項１１に記載の表示装置。

【請求項13】

基板の上方に、前記基板の法線方向と直交する方向に離間した第１電極および第２電極を形成する工程と、
前記第１電極および前記第２電極の間隙に位置し、塗布型絶縁材料を含む絶縁層を形成する工程と、
少なくとも一部が第１トランジスタのチャネルとして機能し、前記絶縁層の上面に接する酸化物半導体層を形成する工程と、を含む、表示装置の製造方法。

【請求項14】

前記塗布型絶縁材料を含む液体を、前記第１電極上、前記第２電極上および前記間隙に塗布することで塗膜を形成する、請求項１３に記載の表示装置の製造方法。

【請求項15】

前記塗膜を焼成し、焼成後の塗膜を前記第１電極および前記第２電極の上面が露出するようにエッチングすることで前記絶縁層を形成する、請求項１４に記載の表示装置の製造
方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、表示装置および表示装置の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、トップゲート型のトランジスタにおいて、酸窒化珪素を含む下地絶縁膜上にソース電極およびドレイン電極を形成し、これら電極の間隙を埋めるように酸化物半導体を形成する構成が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１３－０５８７３８（２０１３年３月２８日公開）

【文献】特開２０１３－７７８１５（２０１３年４月２５日公開）

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１のような従来の構成では、トランジスタ特性が高められないという問題がある。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一態様に係る表示装置は、基板と、前記基板の上方に位置する第１トランジスタとを備える表示装置であって、前記基板の上方に位置し、前記基板の法線方向と直交する方向に離間した第１電極および第２電極と、前記第１電極および前記第２電極の間隙に位置し、塗布型絶縁材料を含む絶縁層と、少なくとも一部が前記第１トランジスタのチャネルとして機能し、前記絶縁層の上面に接する酸化物半導体層と、を備える構成である。

【発明の効果】

【0006】

本開示の一態様によれば、従来よりもトランジスタ特性が高められる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】本開示に係る表示装置の構成例を示す概略断面図である。

【図2】図１に示した本開示に係る第１トランジスタの構成例を示す概略断面図である。

【図3】比較例に係る表示装置の構成例を示す概略断面図である。

【図4】図３に示した比較例の第１トランジスタの構成を示す概略断面図である。

【図5】図３に示した比較例の酸化物半導体層をパターニングする工程を示す概略断面図である。

【図6】第３金属層のパターニングの有無による第２半導体の電圧電流特性の違いを示す図である。

【図7】本開示に係る薄膜トランジスタ層を形成する工程の一例を示す概略断面図である。

【図8】本開示に係る薄膜トランジスタ層を形成する工程の一例を示す概略平面図である。

【図9】本開示に係る薄膜トランジスタ層を形成する工程の一例を示す概略断面図である。

【図10】本開示に係る薄膜トランジスタ層を形成する工程の一例を示す概略平面図である。

【図11】本開示に係る薄膜トランジスタ層を形成する工程の一例を示す概略断面図である。

【図12】本開示に係る薄膜トランジスタ層を形成する工程の一例を示す概略平面図である。

【図13】本開示に係る薄膜トランジスタ層を形成する工程の一例を示す概略断面図である。

【図14】本開示に係る薄膜トランジスタ層を形成する工程の一例を示す概略平面図である。

【図15】本開示に係る薄膜トランジスタ層を形成する工程の一例を示す概略断面図である。

【図16】本開示に係る薄膜トランジスタ層を形成する工程の一例を示す概略平面図である。

【図17】本開示の一実施形態に係る第１トランジスタの構成例を示す概略断面図である。

【図18】本開示の一実施形態に係る第１トランジスタの構成例を示す概略断面図である。

【図19】図１８に示した第１トランジスタを形成する工程の一例を示す概略断面図である。

【図20】図１８に示した第１トランジスタを形成する工程の一例を示す概略断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

本開示において、「同層」とは同一のプロセス（成膜工程）にて形成されていることを意味し、「下層」とは、比較対象の層よりも先のプロセスで形成されていることを意味し、「上層」とは比較対象の層よりも後のプロセスで形成されていることを意味する。

【0009】

以下において、「Ｘの上にＹを～」、「Ｘより上にＹを～」および「Ｘの上方にＹを～」と記載した場合、ＸとＹが直に接してもよいし、ＸとＹが直に接しなくてもよい。

【0010】

〔実施形態１〕
（表示装置の構成）
図１は、本開示に係る表示装置２の構成例を示す概略断面図である。図１に示すように、本開示に係る表示装置２は、樹脂基板１０と、樹脂基板１０より上層のベースコート層ＢＣと、ベースコート層ＢＣより上層の薄膜トランジスタ層１２と、薄膜トランジスタ層１２より上層の発光素子層１４と、発光素子層１４より上層の封止層１８とを備える。

【0011】

表示装置２は、複数の画素回路ＰＣと、各画素回路ＰＣに接続する発光素子Ｅｄとを含む。

【0012】

樹脂基板１０は、剛性基板であっても、可撓性基板であってもよい。樹脂基板１０は、ポリイミドなどの樹脂によって構成されている基板である。

【0013】

本実施形態に係る薄膜トランジスタ層１２は、シリコン系半導体層ＳＣ２、ゲート絶縁膜ＧＩ、ゲート電極ＧＥ（第２ゲート電極）、第１層間絶縁膜ＩＬＤ１（無機絶縁膜）、金属層Ｍ３、絶縁層ＩＭ、酸化物半導体層ＳＣ１、ゲート絶縁膜ＴＧＩ、ゲート電極ＴＧＥ（第１ゲート電極）、第２層間絶縁膜ＩＬＤ２、金属層ＳＥ、および有機平坦化膜ＰＬを、下層から上層に向かってこの順に含む。

【0014】

薄膜トランジスタ層１２は、第１トランジスタＴｒ１と第２トランジスタＴｒ２とを含む。第１トランジスタＴｒ１および第２トランジスタＴｒ２は、画素回路ＰＣに含まれる。

【0015】

第１トランジスタＴｒ１については後述する。

【0016】

第２トランジスタＴｒ２は、シリコン系半導体層ＳＣ２、シリコン系半導体層ＳＣ２の上層のゲート絶縁膜ＧＩ、ゲート絶縁膜ＧＩの上層のゲート電極ＧＥを含んでいる。

【0017】

シリコン系半導体層ＳＣ２は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコンの何れを含んでもよい。酸化物半導体層ＳＣ１は、酸化物半導体を含む。酸化物半導体の一例として、酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩｎＧａＺｎＯ）が挙げられる。

【0018】

絶縁層ＩＭは、塗布型絶縁材料を含む液体２０（図９参照）を塗布および固化することによって形成される。絶縁層ＩＭは、塗布型絶縁材料を含む。絶縁層ＩＭは例えば、ＳＯＧ（spin on glass：スピンオンガラス）材料、アルカリ土類金属を含む酸化物、およびランタノイドを含む酸化物の少なくとも１つを含んでいても良い。絶縁層ＩＭについては後述する。

【0019】

発光素子層１４は、画素電極ＰＥと、画素電極ＰＥより上層のバンクＢＫと、バンクＢＫより上層の活性層１６と、活性層１６より上層の共通電極ＣＥと有する。

【0020】

活性層１６は少なくとも発光層を含む。ここで、表示装置２の種類として、発光層が有機発光層であるＯＬＥＤ表示装置、および、発光層が量子ドット発光層であるＱＬＥＤ表示装置が挙げられる。活性層１６はさらに、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などの何れか１つ以上を含んでもよい。

【0021】

本開示に係る表示装置２は、上述に限らない。表示装置２は例えば、樹脂基板１０の代わりに、ガラス基板を備えてもよい。表示装置２は例えば、基板および薄膜トランジスタ層１２を含むアクティブマトリックス基板を備える液晶表示装置であってもよい。表示装置２は例えば、剛性表示装置であっても可撓性表示装置であってもよい。

【0022】

（第１トランジスタの構成）
図２は、図１に示した本開示に係る第１トランジスタＴｒ１の構成例を示す概略断面図である。図２に示すように、第１トランジスタＴｒ１は、薄膜トランジスタ（thin film transistor：ＴＦＴ）であり、（１）樹脂基板１０の上面の法線方向と直交する方向に、互いに離間した第１電極２２および第２電極２４と、（２）絶縁層ＩＭの上面と第１電極２２と第２電極２４とに接する酸化物半導体層ＳＣ１と、（３）酸化物半導体層ＳＣ１の上層のゲート絶縁膜ＴＧＩと、（４）ゲート絶縁膜ＴＧＩの上層のゲート電極ＴＧＥ（第１ゲート電極）と、を有する。第１電極２２および第２電極２４は、同層であり、金属層Ｍ３に含まれる。第１電極２２および第２電極２４は、何れか一方がソース電極であり、他方がドレイン電極である。

【0023】

酸化物半導体層ＳＣ１は、チャネル部３０を少なくとも有し、加えて、第１低抵抗部２６と第２低抵抗部２８とを有し得る。

【0024】

チャネル部３０は、第１トランジスタＴｒ１のチャネルとして機能する。チャネル部３０は、絶縁層ＩＭの上面に接し、ゲート電極ＴＧＥに平面視で重畳する。

【0025】

第１低抵抗部２６は、チャネル部３０に対して第１電極２２の側に位置し、チャネル部３０よりも電気抵抗値が小さい。第１低抵抗部２６は、第１電極２２の上面に接する。第１低抵抗部２６は、第１電極２２の側面にも接してよい。

【0026】

第２低抵抗部２８は、チャネル部３０に対して第２電極２４の側に位置し、チャネル部３０よりも電気抵抗値が小さい。第２低抵抗部２８は、第２電極２４の上面および側面の少なくとも一方に接する。第２低抵抗部２８は、第２電極２４の側面にも接してよい。

【0027】

（絶縁層ＩＭ）
絶縁層ＩＭは少なくとも、第１トランジスタＴｒ１の第１電極２２および第２電極２４の間の間隙に形成されている。絶縁層ＩＭは、第１電極２２および第２電極２４の両方の側面に接している。絶縁層ＩＭは加えて、第１トランジスタＴｒ１の第１電極２２および第２電極２４それぞれを平面視で囲むように形成されてよい。

【0028】

絶縁層ＩＭの上面は略平坦である。また、絶縁層ＩＭの上面から樹脂基板１０の上面までの距離は、第１トランジスタＴｒ１の第１電極２２の上面および第２電極２４の上面から樹脂基板１０の上面までの距離より小さい。絶縁層ＩＭ、第１電極２２および第２電極２４は、第１層間絶縁膜ＩＬＤ１の上に設けられている。したがって、絶縁層ＩＭの上面は、第１電極２２の上面と第１層間絶縁膜ＩＬＤ１の上面との間、または、第２電極２４の上面と第１層間絶縁膜ＩＬＤ１の上面との間、に位置する。

【0029】

（比較例）
図３は、比較例に係る表示装置１０２の構成例を示す概略断面図である。図３に示すように、比較例に係る表示装置１０２は、薄膜トランジスタ層１１２の第１層間絶縁膜ＩＬＤ１と酸化物半導体層ＳＣ１との間に絶縁層ＩＭが無い点を除いて、図１に示した本開示に係る表示装置２と同様の構成を備える。

【0030】

図４は、図３に示した第１トランジスタＴｒ１０１の構成を示す概略断面図である。図４に示すように、比較例に係る第１トランジスタＴｒ１０１において、酸化物半導体層ＳＣ１は、第１電極２２および第２電極２４の側面と、第１電極２２および第２電極２４の間の第１層間絶縁膜ＩＬＤ１の上面とに接触する。第１電極２２および第２電極２４の側面に接する酸化物半導体層ＳＣ１は、第１層間絶縁膜ＩＬＤ１の上面に接する酸化物半導体層ＳＣ１と比較して薄く形成される傾向にある。

【0031】

（本開示に係る構成と比較例の構成との比較）
図５は、図３に示した酸化物半導体層ＳＣ１をパターニングする工程を示す概略断面図である。図５に示すように、比較例に係る酸化物半導体層ＳＣ１をパターニングするときに、酸化物半導体層ＳＣ１の上にフォトレジスト層ＰＲを形成する。このとき、第１層間絶縁膜ＩＬＤ１の上面とソース電極またはドレイン電極の傾斜側面との間の角に対応する位置において、酸化物半導体層ＳＣ１とフォトレジスト層ＰＲとの間に空洞ＣＶが生じることがある。そして、酸化物半導体層ＳＣ１をエッチングするエッチング液が空洞ＣＢに染み込む。このため、酸化物半導体層ＳＣ１が第１層間絶縁膜ＩＬＤ１とソース電極またはドレイン電極との間の段差によって途切れ（いわゆる「段切れ」）しやすい。

【0032】

加えて、第１層間絶縁膜ＩＬＤ１の上面は、金属層Ｍ３をパターニングするときに劣化していたり、金属層Ｍ３の残渣が残っていたり、することがある。

【0033】

図６は、（１）金属層Ｍ３をパターニングして第１トランジスタＴｒ１０１を形成した場合（Ｍ３パターニングあり）と、（２）金属層Ｍ３を形成せずに酸化物半導体層ＳＣ１をパターニングして、トップコンタクトで酸化物半導体層ＳＣ１をソース電極およびドレイン電極に接続した場合（Ｍ３パターニングなし）と、の第１トランジスタＴｒ１０１の電流電圧特性を片対数グラフで示す。図６の縦軸は対数表示である。

【0034】

図６に示すように、Ｍ３パターニングありの場合に、第１トランジスタＴｒ１０１の立ち上がり特性が劣化する（Ｓ値が大きくなる）ことが分かる。この劣化は、第１層間絶縁膜ＩＬＤ１の上面の劣化および金属層Ｍ３の残渣に起因すると考えられる。

【0035】

図２に示したように本開示に係る第１トランジスタＴｒ１において、第１電極２２と第２電極２４との間の間隙が絶縁層ＩＭによって埋められている。絶縁層ＩＭの上面と第１電極２２または第２電極２４の上面との間の段差は、第１層間絶縁膜ＩＬＤ１の上面と第１電極２２または第２電極２４の上面との間の段差よりも小さい。このため、図４に示した比較例の構成と比較して、図２に示した本開示に係る構成における酸化物半導体層ＳＣ１が段切れし難い。さらに、酸化物半導体層ＳＣ１が第１層間絶縁膜ＩＬＤ１の上面に接触しないので、第１層間絶縁膜ＩＬＤ１の上面の劣化および金属層Ｍ３の残渣が酸化物半導体層ＳＣ１に影響せず、第１トランジスタＴｒ１の立ち上がり特性が劣化しない。

【0036】

従って、本開示に係る第１トランジスタＴｒ１と比較例の第１トランジスタＴｒ１０１とを比較すると、本開示に係る第１トランジスタＴｒ１のほうがトランジスタ特性が高い。

【0037】

（製造方法）
本開示に係る表示装置２の製造方法は、樹脂基板１０より上層にベースコート層ＢＣ、薄膜トランジスタ層１２、発光素子層１４、封止層１８を形成する工程をこの順に含む。

【0038】

図７、図９、図１１、図１３および図１５は各々、本開示に係る薄膜トランジスタ層１２を形成する工程の一例を示す概略断面図である。図８、図１０、図１２、図１４および図１６は各々、本開示に係る薄膜トランジスタ層１２を形成する工程の一例を示す概略平面図である。

【0039】

図７および図８に示すように、まず、ベースコート層ＢＣ上にシリコン系半導体層ＳＣ２、ゲート絶縁膜GI、ゲート電極GE、第１層間絶縁膜ＩＬＤ１、金属層Ｍ３をこの順に形成し、適宜パターニングする。

【0040】

金属層Ｍ３の形成およびパターニングにおいては、樹脂基板１０の上面の法線方向と直交する方向に第１電極２２および第２電極２４が互いから離れるように、第１電極２２および第２電極２４を形成する。

【0041】

図９および図１０に示すように次に、第１層間絶縁膜ＩＬＤ１および金属層Ｍ３を覆うように、塗布型絶縁材料を含む液体２０を全面的に塗布し、塗膜を形成する。ここで、液体２０は、第１電極２２および第２電極２４の間隙に塗布される。

【0042】

塗布型絶縁材料を含む液体２０は、固化した（すなわち絶縁層ＩＭである）ときに絶縁体であればよく、液体２０自体は導電体であっても絶縁体であってもよい。塗布型絶縁材料を含む液体２０は、絶縁材料の粉末が溶媒に分散した液体など任意の液体でよい。塗布方法は、スピンコート法、バーコート法、噴霧法、など任意の方法でよい。

【0043】

次に、液体２０の塗膜を焼成し、絶縁層ＩＭを形成する。絶縁層ＩＭは、第１電極２２および第２電極２４の上と、その間の間隙と、第１電極２２および第２電極２４の周囲と、に形成される。ここで、第１電極２２および第２電極２４の上に形成された絶縁層ＩＭの部分の厚さは、その間の間隙に形成された絶縁層ＩＭの部分の厚さと比較して、薄い。

【0044】

図１１および図１２に示すように次に、第１電極２２および第２電極２４の両方の上面が絶縁層ＩＭから露出し、かつ、絶縁層ＩＭが少なくとも第１電極２２および第２電極２４の間の間隙に残るように、絶縁層ＩＭをエッチングする。本実施形態では、第１電極２２の側面の一部とおよび第２電極２４の側面の一部とが露出するまで、絶縁層ＩＭをエッチングする。この結果、絶縁層ＩＭの上面から樹脂基板１０の上面までの距離が、第１電極２２の上面および第２電極２４の上面から樹脂基板１０の上面までの距離より小さい。

【0045】

エッチング方法は、ドライエッチングでもウェットエッチングでもよい。ここで第１層間絶縁膜ＩＬＤ１がエッチングされる場合、エッチング後も第２トランジスタＴｒ２のゲート電極が第１層間絶縁膜ＩＬＤ１で覆われているままであるように、第１層間絶縁膜ＩＬＤ１の厚さおよび材質とエッチング条件とを設定する。

【0046】

図１３および図１４に示すように次に、金属層Ｍ３および絶縁層ＩＭの上に、酸化物半導体層ＳＣ１を形成およびパターニングする。

【0047】

図１５および図１６に示すように次に、酸化物半導体層ＳＣ１の上に、ゲート絶縁膜ＴＧＩおよびゲート電極ＴＧＥを順に形成する。加えて、酸化物半導体層ＳＣ１をドーピングまたは還元する処理を行ってよい。この処理によって、酸化物半導体層ＳＣ１のうちゲート電極ＴＧＥの下に重畳する部分を含む領域がチャネル部３０として残り、その他の領域が、低抵抗化して、第１低抵抗部２６および第２低抵抗部２８となる。

【0048】

続いて、第２層間絶縁膜ＩＬＤ２を形成し、適宜コンタクトホールを形成し、金属層SEおよび有機平坦化膜ＰＬを形成する。これによって、薄膜トランジスタ層１２が形成される。

【0049】

本開示に係る表示装置２の製造方法は、これに限らない。例えば樹脂基板１０が可撓性である場合、樹脂基板１０とは別の剛性基板の上に薄膜トランジスタ層１２を含む積層体を形成し、積層体を剛性基板から剥離し、樹脂基板１０に貼り付けてもよい。

【0050】

〔実施形態２〕
本発明の他の実施形態について、以下に説明する。なお、説明の便宜上、上記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。

【0051】

図１７は、本実施形態に係る第１トランジスタＴｒ１の構成例を示す概略断面図である。図１７に示すように、本実施形態に係る表示装置２は、絶縁層ＩＭの上面から樹脂基板１０の上面までの距離が、第１トランジスタＴｒ１の第１電極２２およびドレイン電極の両方の上面から樹脂基板１０の上面までの距離と同一である点を除いて、前述の実施形態１に係る表示装置２と同一である。

【0052】

このような絶縁層ＩＭは、絶縁層ＩＭをエッチングするときのエッチング条件を調整することによって実現できる。

【0053】

〔実施形態３〕
本発明の他の実施形態について、以下に説明する。なお、説明の便宜上、上記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。

【0054】

図１８は、本実施形態に係る第１トランジスタＴｒ１の構成例を示す概略断面図である。図１８に示すように、本実施形態に係る表示装置２は、絶縁層ＩＭの上面から樹脂基板１０の上面までの距離が不均一である点を除いて、前述の実施形態１に係る表示装置２と同一である。

【0055】

塗布型絶縁材料を含む液体２０を塗布するときに、表面張力によって、塗布型絶縁材料を含む液体２０の上面が非平坦になることがある。また、塗布型絶縁材料を含む液体２０を固化するときに、温度変化および／または液体から固体への状態変化に起因して、塗布型絶縁材料を含む液体２０または絶縁層ＩＭが膨張および／または収縮し、その上面が非平坦になることがある。このような場合、絶縁層ＩＭの上面のから樹脂基板１０の上面までの距離が不均一になることがある。

【0056】

図１９は、図１８に示した第１トランジスタＴｒ１を形成する工程の一例を示す概略断面図である。図１９に示すように、このため、塗布型絶縁材料を含む液体２０の固化後、絶縁層ＩＭの上面が、第１トランジスタＴｒ１の第１電極２２と第２電極２４との間の間隙にて、谷型形状に形成されてよい。具体的には、絶縁層ＩＭの第１電極２２および第２電極２４の上に形成された部分の上面から樹脂基板１０の上面までの距離よりも、絶縁層ＩＭの第１電極２２および第２電極２４の間隙にて形成された部分の上面から樹脂基板１０の上面までの距離が小さいように、形成されてよい。当該間隙に形成された部分に関し、その上面全体が傾斜または湾曲しても、第１電極２２および第２電極２４の側面の近傍部分の上面のみが傾斜または湾曲してもよい。

【0057】

図２０は、図１８に示した第１トランジスタＴｒ１を形成する工程の一例を示す概略断面図である。図２０に示すように、谷型に形成された場合、絶縁層ＩＭをエッチングした後も、絶縁層ＩＭの上面が間隙にて谷型である。具体的には、絶縁層ＩＭの上面から樹脂基板１０の上面までの距離に関し、絶縁層ＩＭの上面が第１電極２２および第２電極２４に接する縁での距離よりも、第１電極２２および第２電極２４の間の中間位置での距離が小さいように、形成される。

【0058】

したがって、本実施形態に係る絶縁層ＩＭは、表示装置２の断面視において、第１電極２２と第２電極２４との間の間隙にて、絶縁層ＩＭの上面が谷型形状になってよい。これに限らず、間隙にて絶縁層ＩＭの上面が山型形状または波型形状など他の形状であってもよい。

【0059】

本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。

【符号の説明】

【0060】

２ 表示装置
１０ 樹脂基板（基板）
２２ 第１電極
２４ 第２電極
２６ 第１低抵抗部
２８ 第２低抵抗部
３０ チャネル部
ＧＥ ゲート電極（第２ゲート電極）
ＩＬＤ１ 第１層間絶縁膜（無機絶縁膜）
ＩＭ 絶縁層
ＰＣ 画素回路
ＳＣ１ 酸化物半導体層
ＳＣ２ シリコン系半導体層
ＴＧＩ ゲート絶縁膜
ＴＧＥ ゲート電極（第１ゲート電極）
Ｔｒ１ 第１トランジスタ
Ｔｒ２ 第２トランジスタ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】