ホーム > 特許ランキング > ａｒｔｉｅｎｃｅ株式会社
知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
▶ 東洋インキＳＣホールディングス株式会社の特許一覧 ▶ トーヨーケム株式会社の特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-12-23
(45)【発行日】2025-01-07
(54)【発明の名称】保護シート、電子デバイスパッケージ及びその製造方法
(51)【国際特許分類】
H05K 3/28 20060101AFI20241224BHJP
H05K 9/00 20060101ALI20241224BHJP
H01L 23/29 20060101ALI20241224BHJP
H01L 23/31 20060101ALI20241224BHJP
B32B 7/022 20190101ALI20241224BHJP
B32B 7/025 20190101ALI20241224BHJP
【ＦＩ】
H05K3/28 G
H05K9/00 Q
H01L23/30 D
B32B7/022
B32B7/025
【請求項の数】
17
(21)【出願番号】P 2023563644
(86)(22)【出願日】2022-11-16
(86)【国際出願番号】 JP2022042570
(87)【国際公開番号】W WO2023095697
(87)【国際公開日】2023-06-01
【審査請求日】2024-06-11
(31)【優先権主張番号】P 2021193194
(32)【優先日】2021-11-29
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
【早期審査対象出願】
(73)【特許権者】
【識別番号】000222118
【氏名又は名称】ａｒｔｉｅｎｃｅ株式会社
(73)【特許権者】
【識別番号】711004506
【氏名又は名称】トーヨーケム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000877
【氏名又は名称】弁理士法人ＲＹＵＫＡ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】松尾 玲季
(72)【発明者】
【氏名】松戸 和規
(72)【発明者】
【氏名】岸 大将
(72)【発明者】
【氏名】日野 光晴
【審査官】ゆずりは 広行
(56)【参考文献】
【文献】特開２０２０－０６９７２０（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１５／０８３４９１（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２０１３－１３６８２１（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１７／０１０２２８（ＷＯ，Ａ１）
【文献】国際公開第２０２０／１８４５４５（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２０１２－０５９７４３（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０５Ｋ ３／２８
Ｈ０５Ｋ ９／００
Ｈ０１Ｌ ２３／２９
Ｂ３２Ｂ ７／０２２
Ｂ３２Ｂ ７／０２５
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１面と前記第１面と反対面の第２面を有する回路基板用の保護シートであって、前記第１面のプローブタック試験による粘着力が０．１５Ｎ／ｃｍ２以下であって、
かつ、下記式１で求められる指数Ｘが０．７５～１．９３であり、
前記保護シートは、１．０～８．５重量％の含有量でフィラーを含む、
回路基板用の保護シート。
［式１］
Ｘ＝Ｆｔｏｔａｌ／Ｔｔｏｔａｌ
（Ｆｔｏｔａｌ；０．５ｃｍ×１．０ｃｍの長方形にした保護シートを１８０℃、１ＭＰａで５分間加熱押圧した際に各辺で最もフローしている部分のフロー長の４辺の平均（μｍ）、Ｔｔｏｔａｌ；保護シートの総厚み（μｍ））
【請求項2】
引張り破断強度が、１０～７０Ｎ／ｍｍ２である、請求項１に記載の保護シート。
【請求項3】
前記保護シートは、第１保護層と、
第２保護層とを備え、
前記第１保護層は、前記保護シートの前記第１面側の最表層であり、
前記第２保護層は、前記保護シートにおいて、前記第２面側の最表層である、
請求項１に記載の保護シート。
【請求項4】
前記第２保護層は、下記式２で求められる指数Ｙが０．５～１．５である、請求項３に記載の保護シート。
［式２］
Ｙ＝Ｆ２／Ｔ２
（Ｆ２；０．５ｃｍ×１．０ｃｍの長方形にした第２保護層を１８０℃、１ＭＰａで５分間加熱押圧した際に各辺で最もフローしている部分のフロー長の４辺の平均（μｍ）、Ｔ２；第２保護層の厚み（μｍ））
【請求項5】
前記第１保護層は、下記式３で求められる指数Ｚが２．０～１５．０である、請求項３に記載の保護シート。［式３］
Ｚ＝Ｆ１／Ｔ１
（Ｆ１；０．５ｃｍ×１．０ｃｍの長方形にした第１保護層を１８０℃、１ＭＰａで５分間加熱押圧した際に各辺で最もフローしている部分のフロー長の４辺の平均（μｍ）、Ｔ１；第１保護層の厚み（μｍ））
【請求項6】
前記第２保護層のガラス転移温度は、６０℃以下である、請求項３に記載の保護シート。
【請求項7】
前記第１保護層の膜厚は、５～１５０μｍであり、前記第２保護層の膜厚は、１０～２００μｍである、
請求項３に記載の保護シート。
【請求項8】
前記第１保護層及び前記第２保護層の間に、第３保護層を備える、請求項３に記載の保護シート。
【請求項9】
前記第３保護層は、下記式４で求められる指数Ｗが１．０～３．０である、請求項８に記載の保護シート。
［式４］
Ｗ＝Ｆ３／Ｔ３
（Ｆ３；０．５ｃｍ×１．０ｃｍの長方形にした第３保護層を１８０℃、１ＭＰａで５分間加熱押圧した際に各辺で最もフローしている部分のフロー長の４辺の平均（μｍ）、Ｔ３；第３保護層の厚み（μｍ））
【請求項10】
前記第３保護層の膜厚は、２０～２００μｍである、請求項８に記載の保護シート。
【請求項11】
前記第１保護層、前記第２保護層及び前記第３保護層は、ポリウレタン系樹脂、硬化剤を含む、請求項８に記載の保護シート。
【請求項12】
前記保護シートはフィラーを含み、前記保護シートにおける前記第２面側のフィラーの質量濃度は、前記第１面側よりも大きい、請求項１に記載の保護シート。
【請求項13】
前記保護シートは、
第１保護層と、
第２保護層とを備え、
前記第１保護層は、膜厚が１０～３０μｍで前記保護シートの前記第１面側の最表層であり、
前記第２保護層は、膜厚が５０～１００μｍで前記保護シートにおいて、前記第２面側の最表層である、
請求項１に記載の保護シート。
【請求項14】
前記保護シートは、
第１保護層と、
第２保護層とを備え、
前記第１保護層は、膜厚が１０～３０μｍでガラス転移温度が２０～５０℃であり前記保護シートの前記第１面側の最表層であり、
前記第２保護層は、膜厚が５０～１００μｍでガラス転移温度が１０～４０℃であり前記保護シートにおいて、前記第２面側の最表層である。
請求項１に記載の保護シート。
【請求項15】
表面に導電回路が設けられた基板上に電子デバイスが実装された実装基板に、請求項１から１４のいずれか１項に記載の保護シートを、前記第１面が前記電子デバイス側を向くように配置して、前記実装基板上に前記保護シートから形成される保護層を形成する工程を含む、電子デバイスパッケージの製造方法。
【請求項16】
前記保護層を形成する工程は、前記保護シートを配置後に前記実装基板に熱プレスすることを含む、請求項１５に記載の電子デバイスパッケージの製造方法。
【請求項17】
前記保護層上に、導電層を形成する工程をさらに含む、請求項１５に記載の電子デバイスパッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、保護シート、電子デバイスパッケージ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
ＩＣチップが搭載された基板上に絶縁層を形成し、電磁波からチップを保護する方法が知られている（例えば、特許文献１）。
［特許文献１］米国特許７，４４５，９６８公報
［特許文献１］米国特許７，４４５，９６８公報
【一般的開示】
【0003】
本発明の第１の態様においては、第１面と第１面と反対面の第２面を有する回路基板用の保護シートであって、第１面のプローブタック試験による粘着力が０．１５Ｎ／ｃｍ２以下であって、かつ、下記式１で求められる指数Ｘが０．５～２．０である、回路基板用の保護シートを提供する。
［式１］
Ｘ＝Ｆｔｏｔａｌ／Ｔｔｏｔａｌ
（Ｆｔｏｔａｌ；０．５ｃｍ×１．０ｃｍの長方形にした保護シートを１８０℃、１ＭＰａで５分間加熱押圧した際に各辺で最もフローしている部分のフロー長の４辺の平均（μｍ）、Ｔｔｏｔａｌ；保護シートの総厚み（μｍ））
［式１］
Ｘ＝Ｆｔｏｔａｌ／Ｔｔｏｔａｌ
（Ｆｔｏｔａｌ；０．５ｃｍ×１．０ｃｍの長方形にした保護シートを１８０℃、１ＭＰａで５分間加熱押圧した際に各辺で最もフローしている部分のフロー長の４辺の平均（μｍ）、Ｔｔｏｔａｌ；保護シートの総厚み（μｍ））
【0004】
上記の保護シートは、引張り破断強度が、１０～７０Ｎ／ｍｍ２であってよい。
【0005】
上記の保護シートは、第１保護層と、第２保護層とを備えてよい。第１保護層は、前記保護シートの前記第１面側の最表層であってよい。更に第２保護層は、前記保護シートにおいて、前記第２面側の最表層であってよい。
【0006】
上記のいずれかの保護シートにおいて、上記第２保護層は、下記式２で求められる指数Ｙが０．５～１．５であってよい。
［式２］
Ｙ＝Ｆ２／Ｔ２
（Ｆ２；０．５ｃｍ×１．０ｃｍの長方形にした第２保護層を１８０℃、１ＭＰａで５分間加熱押圧した際に各辺で最もフローしている部分のフロー長の４辺の平均（μｍ）、Ｔ２；第２保護層の厚み（μｍ））
［式２］
Ｙ＝Ｆ２／Ｔ２
（Ｆ２；０．５ｃｍ×１．０ｃｍの長方形にした第２保護層を１８０℃、１ＭＰａで５分間加熱押圧した際に各辺で最もフローしている部分のフロー長の４辺の平均（μｍ）、Ｔ２；第２保護層の厚み（μｍ））
【0007】
上記のいずれかの保護シートにおいて、第１保護層は、下記式３で求められる指数Ｚが２．０～１５．０であってよい。
［式３］
Ｚ＝Ｆ１／Ｔ１
（Ｆ１；０．５ｃｍ×１．０ｃｍの長方形にした第１保護層を１８０℃、１ＭＰａで５分間加熱押圧した際に各辺で最もフローしている部分のフロー長の４辺の平均（μｍ）、Ｔ１；第１保護層の厚み（μｍ））
［式３］
Ｚ＝Ｆ１／Ｔ１
（Ｆ１；０．５ｃｍ×１．０ｃｍの長方形にした第１保護層を１８０℃、１ＭＰａで５分間加熱押圧した際に各辺で最もフローしている部分のフロー長の４辺の平均（μｍ）、Ｔ１；第１保護層の厚み（μｍ））
【0008】
上記のいずれかの保護シートにおいて、第２保護層のガラス転移温度は、６０℃以下であってよい。
【0009】
上記のいずれかの保護シートにおいて、第１保護層の膜厚は、５～１５０μｍであり、第２保護層の膜厚は、１０～２００μｍであってよい。
【0010】
上記のいずれかの保護シートにおいて、第１保護層及び前記第２保護層の間に、第３保護層を備えてよい。更に第３保護層は、下記式４で求められる指数Ｗが１．０～３．０であってよい。
［式４］
Ｗ＝Ｆ３／Ｔ３
（Ｆ３；０．５ｃｍ×１．０ｃｍの長方形にした第３保護層を１８０℃、１ＭＰａで５分間加熱押圧した際に各辺で最もフローしている部分のフロー長の４辺の平均（μｍ）、Ｔ３；第３保護層の厚み（μｍ））
［式４］
Ｗ＝Ｆ３／Ｔ３
（Ｆ３；０．５ｃｍ×１．０ｃｍの長方形にした第３保護層を１８０℃、１ＭＰａで５分間加熱押圧した際に各辺で最もフローしている部分のフロー長の４辺の平均（μｍ）、Ｔ３；第３保護層の厚み（μｍ））
【0011】
上記のいずれかの保護シートにおいて、第３保護層の膜厚は、２０～２００μｍであってよい。
【0012】
上記のいずれかの保護シートにおいて、第１保護層、第２保護層及び第３保護層は、ポリウレタン系樹脂、硬化剤を含んでよい。
【0013】
上記のいずれかの保護シートにおいて、保護シートはフィラーを含み、保護シートにおける前記第２面側のフィラーの質量濃度は、前記第１面側よりも大きくてよい。
【0014】
また、第２の態様においては、表面に導電回路が設けられた回路基板と、回路基板上に配置された電子デバイスと、回路基板及び電子デバイス上に設けられた保護層と、を備え、電子デバイスは、回路基板の主面における観察又は主面の側面からの観察において５角形以上の多角形を有する、電子デバイスパッケージを提供する。
【0015】
上記電子デバイスパッケージにおいて、電子デバイスは、側面に凹部を有してよい。
【0016】
上記電子デバイスパッケージのいずれかにおいて、電子デバイスは、主面における観察において５角形以上の多角形形状を有してよい。
【0017】
また、第３の態様においては、表面に導電回路が設けられた回路基板と、回路基板上に配置された電子デバイスと、回路基板及び電子デバイス上に設けられた保護層と、を備え、保護層は、電子デバイスと回路基板を電気的に接続する接続部材を少なくとも部分的に被覆している、電子デバイスパッケージを提供する。
【0018】
上記電子デバイスパッケージにおいて、接続部材は、電子デバイスの下面に配置されるバンプであってよい。
【0019】
上記電子デバイスパッケージのいずれかにおいて、接続部材は、前記電子デバイスを搭載するリードフレームであってよい。
【0020】
また、第４の態様においては、表面に導電回路が設けられた回路基板と、回路基板上に配置された電子デバイスと、回路基板及び電子デバイス上に設けられた保護層と、を備え、電子デバイスは、積層セラミックコンデンサ（ＭＬＣＣ）を有する、電子デバイスパッケージを提供する。
【0021】
上記電子デバイスパッケージにおいて、保護層は、少なくとも２層を含んでよい。
【0022】
上記電子デバイスパッケージのいずれかにおいて、保護層は、熱硬化性樹脂の硬化物であってよい。
【0023】
上記電子デバイスパッケージのいずれかにおいて、保護層上に、導電層が形成されてよい。
【0024】
第５の態様においては、表面に導電回路が設けられた基板上に電子デバイスが実装された実装基板に、上記のいずれかの保護シートを、第１面が電子デバイス側を向くように配置して、実装基板上に保護シートから形成される保護層を形成する工程を含む、電子デバイスパッケージの製造方法を提供する。
【0025】
上記製造方法において、保護層を形成する工程は、前記保護シートを配置後に前記実装基板に熱プレスすることを含んでよい。
【0026】
上記製造方法において、保護層上に、導電層を形成する工程をさらに含んでよい。
【0027】
なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴のすべてを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。
【図面の簡単な説明】
【0028】
【図1】本実施形態における、電子デバイスパッケージ１００の一例を示す。
【図2】本実施形態における保護シート３８の一例を示す。
【図3】本実施形態におけるフロー長の一例を示す。
【図4】本実施形態における保護シート３８の別の一例を示す。
【図5】本実施形態の電子デバイスパッケージ１００の製造方法のフローの一例を示す。
【図7】保護層３０が形成された実装基板１２の一例を示す。
【図8】金属含有シート４６の一例を示す。
【図9】金属含有シート４６を用いたＳ３００の一例を示す。
【発明を実施するための形態】
【0029】
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせのすべてが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【0030】
図１は、本実施形態における、電子デバイスパッケージ１００の一例を示す。電子デバイスパッケージ１００は、ＩＣチップ等の電子デバイスが実装されたパッケージであり、良好な電磁波シールド性と放熱性を有する。電子デバイスパッケージ１００は、回路基板１０と、電子デバイス２０及び電子デバイス２２（以下、単に「電子デバイス２０等」ともいう）と、接続部材２４と、保護層３０と、導電層４０とを備える。
【0031】
回路基板１０は、表面に導電回路（不図示）が設けられ、電子デバイス２０等を搭載する。回路基板１０は、プリント配線基板又は実装モジュール基板等であってよい。導電回路は、銅等の導電金属又は導電金属を含む材料により形成された回路であってよい。回路基板１０は、リジッド基板又はフレキシブル基板であってよい。
【0032】
回路基板１０には、必要に応じて加工がなされていてもよい。例えば、回路基板１０には、印字、マーキング、及び、ダイシング溝等が設けられていてもよい。
【0033】
電子デバイス２０等は、回路基板１０上に配置され、種々の機能を発揮する。電子デバイス２０等は、例えば、メモリチップ、電源チップ、音源チップ又はＣＰＵチップ等の集積回路、トランジスタ又はダイオード等の能動素子、若しくは、積層セラミックコンデンサ（ＭＬＣＣ）等のコンデンサ、サーミスタ、インダクタ又は抵抗等の受動素子であってよい。特にＭＬＣＣは外部電極を側面に有しており、他の導電体との接触や漏電を防止する観点から絶縁保護する必要性が特に高い。後述する本実施形態の保護シートによればＭＬＣＣの部品全体を十分に保護層３０で絶縁保護することができる。
【0034】
電子デバイス２０等は、立方体又は直方体形状であってよい。電子デバイス２０等は、更に複雑な形状であってよく、回路基板の主面（図１におけるＸＹ平面）における観察において５角形以上の多角形を有してよい。
【0035】
例えば、電子デバイス２０等は、主面から観察した平面形状が６角形、８角形又は他の多角形であってよい。一例として電子デバイス２２は、平面形状が８角形のインダクタであってよい。また、電子デバイス２０等は、主面の側面（図１におけるＸＺ平面又はＹＺ平面等）からの観察において５角形以上の多角形を有してよい。例えば、電子デバイス２０等は、側面に凹部又は凸部を有する立方体又は直方体形状であってよく、電子デバイス２２は側面にコイルを形成するための凹部が設けられたインダクタであってよい。
【0036】
電子デバイス２０等は、回路基板１０上に単数又は複数配置されてよい。例えば、電子デバイス２０等は、回路基板１０上にｎ×ｍ個のアレイ上に形成されてよい（ｎ及びｍは２以上の整数）。
【0037】
電子デバイス２０等の厚さは２０００μｍ以下であることが望ましい。２０００μｍを超えると保護層３０及び導電層４０を形成する際に回路基板１０との段差で、千切れが生じる恐れがあるためである。また、電子デバイス２０同士の間隔は５０μｍ以上であることが望ましい。間隔が５０μｍ未満となると保護層３０及び導電層４０が十分に形成されない恐れがあるためである。
【0038】
接続部材２４は、電子デバイス２０等と回路基板１０を電気的に接続する。接続部材２４は、電子デバイス２０等の下面に配置される半田ボール等のバンプ、電子デバイス２０等を搭載するリードフレーム、及び、ボンディングワイヤーの１つ以上を含んでよい。図１の例においては、電子デバイス２０と回路基板１０とを接続する接続部材２４としてバンプが用いられている。
【0039】
保護層３０は、回路基板１０及び電子デバイス２０等上に設けられ、回路基板１０及び電子デバイス２０等を電磁波、衝撃等から保護する。また、保護層３０は、導電層４０から回路基板１０及び電子デバイス２０等を絶縁保護する役割も有する。保護層３０は、電子デバイス２０等と、回路基板１０のうち電子デバイス２０等が設けられていない領域の全体又は一部の上を覆ってよい。保護層３０は、回路基板１０のうち導電回路が設けられた領域のみを覆ってよく、導電回路がない部分は覆わなくてよい。
【0040】
前述したように電子デバイス２０等が多角形等の複雑な形状を有する場合であっても、保護層３０は、電子デバイス２０等を十分に被覆する。例えば、図１に示すように電子デバイス２２が側面に凹部を有する場合であっても、保護層３０は、凹部の一部又は全体に入り込んで電子デバイス２２を保護する。また、電子デバイス２０等が多角形のように、保護層３０の膜厚が薄くなりやすい角の数が多い形状であっても、本実施形態の保護層３０は角部分を十分な膜厚で覆うことができる。
【0041】
保護層３０は、接続部材２４を少なくとも部分的に被覆してよい。例えば、図１においては、保護層３０は、バンプである接続部材２４の側面を被覆している。接続部材２４がリードフレーム又はボンディングワイヤーを含む場合であっても、保護層３０は、これらの少なくとも一部を被覆してよい。
【0042】
保護層３０は、熱硬化性樹脂の硬化物等であってよい。保護層３０は、少なくとも２層を含んでよい。例えば、保護層３０は、２層、３層又は４層以上であってよい。保護層３０の膜厚を適切な範囲に保つために保護層３０は３層であることが好ましい。このような層は、後述する保護シートの層構成に由来して形成されるものであってよい。保護層３０の層構成及び材料等については後述する。
【0043】
保護層３０は、場所により膜厚が異なっていてもよい。例えば、電子デバイス２０等の角部では保護層３０の膜厚が、電子デバイス２０等の天面よりも膜厚が薄くてもよい。また、例えば、電子デバイス２０等と回路基板１０が接する角凹部では、保護層３０の膜厚が、電子デバイス２０等の天面よりも厚くてもよい。
【0044】
導電層４０は、保護層３０上に設けられ、電子デバイス２０等を外部の電磁波から保護し、及び／又は、電子デバイス２０等から生じた熱を外部に放熱する。導電層４０は、金属を含む層であってよい。例えば、導電層４０は、金属自体で形成された金属薄膜、又は、導電フィラーが分散された樹脂層であってよい。導電層４０の材料などの詳細は後述する。
【0045】
導電層４０の厚みは、導電フィラーを含む熱硬化性樹脂の場合、２～５００μｍであってよく、好ましくは５～１００μｍであってよい。一方、めっき又は蒸着、スパッタの場合、０．０１～１０μｍであってよく、好ましくは０．１～５μｍであってよい。厚みが薄すぎると電磁波遮断効果や放熱効果及び機械的強度が不十分となる恐れがあり、厚すぎると電子デバイスパッケージ１００が必要以上に大型化して嵩張るという問題が生じる。
【0046】
導電層４０に用いられる金属薄膜及び導電フィラーは、導電性及び／又は伝熱性が良好なものが好ましく、例えば、体積抵抗率が１０－３Ω・ｃｍ以下及び／又は熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上のものであってよい。
【0047】
導電層４０は、回路基板１０の側面又は上面に露出するグランドパターン及び／又は電子デバイス２０のグランドパターンと接続されていてもよい。なお、電子デバイスパッケージ１００は、導電層４０を有しなくてもよい。
【0048】
このように本実施形態に係る電子デバイスパッケージ１００によれば、保護層３０が複雑な形状を有する電子デバイス２０等、及び、接続部材２４を絶縁保護する。また、電子デバイスパッケージ１００によれば、導電層４０が電子デバイス２０等を電磁波から保護しつつ、電子デバイス２０等が生じた熱の放熱を図ることができる。
【0049】
なお、以下で説明するように保護層３０は、保護シート３８により形成することができる。保護シート３８によれば、保護層３０と回路基板１０の間に空気が挟まるエア噛みが生じさせることがなく、複雑な形状の電子デバイス２０等の周囲を十分に被覆して絶縁保護することができた。
【0050】
図２は、本実施形態における保護シート３８の一例を示す。保護シート３８は、回路基板用のシートであり、図１に示した保護層３０を形成するために用いられる。図示するように、保護シート３８は、第１保護層３２、第２保護層３４及び第３保護層３６を有する。
【0051】
保護シート３８は、第１面（図１の下側）と、第１面と反対面の第２面（図１の上側）とを有する。第１面側が回路基板１０及び電子デバイス２０等と接する側となり、第２面側が導電層４０と接する側となる。第１保護層３２は、保護シート３８の第１面側の最表層である。第２保護層３４は、第２面側の最表層である。第３保護層３６は、第１保護層３２及び第２保護層３４の間に設けられる。
【0052】
保護シート３８は、第１面のプローブタック試験による粘着力が０．１５Ｎ／ｃｍ２以下、好ましくは０．１２Ｎ／ｃｍ２以下、より好ましくは０．１０Ｎ／ｃｍ２以下である。プローブタック試験は、第十八改正日本薬局方 一般試験法 ６．製剤試験法 ６．１２粘着力試験法 ３．４プローブタック試験法と同一の試験法又はこれに準拠する試験法により行われてよい。
【0053】
粘着力が上記範囲を満たすことにより、保護シート３８を回路基板１０に配置する際に、保護シート３８の粘着性を抑え、保護シート３８の意図しない部分が回路基板１０に貼りついたり、濡れ広がること（いわゆるパドリング）を防ぐことができる。また、保護シート３８のタック性が高いとプレスする際に回路基板１０に貼りついてエア抜けを阻害すること（いわゆるエア噛み）があった。しかし、粘着力が上記範囲を満たす保護シート３８によれば、エア抜けを円滑に行うことができる。
【0054】
保護シート３８の第２面のプローブタック試験による粘着力は０．０１Ｎ／ｃｍ２以上、好ましくは０．０５Ｎ／ｃｍ２以上、より好ましくは０．１０Ｎ／ｃｍ２以上であってよい。また、第１面と第２面の粘着力の差は、０．０５Ｎ／ｃｍ２～０．４０Ｎ／ｃｍ２、好ましくは０．０５Ｎ／ｃｍ２～０．３０Ｎ／ｃｍ２、より好ましくは０．１０Ｎ／ｃｍ２～０．２０Ｎ／ｃｍ２であってよい。粘着力が上記範囲を満たすことにより、第２面に接触して保護シート上に積層されるクッション材と、第２面との密着性を十分に確保し、プレスを効率的に行うことができる。クッション材は加熱プレス時に保護シートに対し適切な圧力を加えることを目的として保護シート上に積層させることができる。
【0055】
また、保護シート３８は、下記式１で求められる指数Ｘが０．５～２．０であってよく、好ましくは０．６～１．７であり、より好ましくは０．７～１．５である。
［式１］
Ｘ＝Ｆｔｏｔａｌ／Ｔｔｏｔａｌ
ここでＦｔｏｔａｌは０．５ｃｍ×１．０ｃｍの長方形にした保護シート３８を１８０℃、１ＭＰａで５分間加熱押圧した際に各辺で最もフローしている部分のフロー長の４辺の平均（μｍ）である。Ｔｔｏｔａｌは、保護シート３８の総厚み（μｍ）であり、図２の保護シート３８の場合は第１保護層３２の厚み、第２保護層３４及び第３保護層３６の厚みの和と等しくなる。保護シート３８が剥離層を含む場合は、総厚みには剥離層の厚さは含まれない。
［式１］
Ｘ＝Ｆｔｏｔａｌ／Ｔｔｏｔａｌ
ここでＦｔｏｔａｌは０．５ｃｍ×１．０ｃｍの長方形にした保護シート３８を１８０℃、１ＭＰａで５分間加熱押圧した際に各辺で最もフローしている部分のフロー長の４辺の平均（μｍ）である。Ｔｔｏｔａｌは、保護シート３８の総厚み（μｍ）であり、図２の保護シート３８の場合は第１保護層３２の厚み、第２保護層３４及び第３保護層３６の厚みの和と等しくなる。保護シート３８が剥離層を含む場合は、総厚みには剥離層の厚さは含まれない。
【0056】
図３は、本実施形態におけるフロー長の一例を示す。保護シート３８を２枚のポリイミドフィルムで挟み込み、０．５ｃｍ×１．０ｃｍの長方形の基準形に切り取った。これを１８０℃に維持したまま１ＭＰａで５分間押圧した。この際に、保護シート３８の一部が軟化してポリイミドフィルムの間からフローするので、最もフローしている部分のポリイミドフィルムからの長さを各辺ごとに測定する。
【0057】
例えば、図３に示すようにプレス前の保護シート３８と同形状（基準形）のポリイミドフィルム３５の４辺からはみ出るように、フローは発生する。ここで、４辺のそれぞれにおいて、ポリイミドフィルム３５の各辺から９０度に延びる直線に沿って、最もフローしている部分の辺からの長さＬ１～Ｌ４を測定する。４辺のフロー長さＬ１～Ｌ４の平均をμｍ単位で表したものをフロー長Ｆｔｏｔａｌ（μｍ）とする。
【0058】
指数Ｘが上記範囲に含まれる場合、回路基板１０及び電子デバイス２０等の周囲に十分な量の保護層３０が形成され、電子デバイスパッケージ１００をより確実に絶縁保護することができる。一方で、指数Ｘが上記範囲より大きすぎると保護シート３８の熱圧着時の流動性が高すぎて、保護層３０の一部（例えば、電子デバイス２０等の角部）で厚みが不足する問題が生じる。
【0059】
指数Ｘが上記範囲より小さいと保護シート３８の熱圧着時の流動性が足りず、電子デバイス２０等が十分に保護層３０で絶縁保護されず、耐電圧性が不足するリスクが生じる。例えば、回路基板１０と電子デバイス２０等の接する凹角部、接続部材２４周辺、及び／又は、複雑な形状を有する電子デバイス２０等の周囲（特に凹部）に十分に保護層３０が形成されないおそれがある。
【0060】
また、保護シート３８は、引張破断強度が１０～７０Ｎ／ｍｍ２であってよく、好ましくは１５～５０Ｎ／ｍｍ２であってよく、より好ましくは２０～４０Ｎ／ｍｍ２であってよい。引張破断強度は、ＪＩＳ－Ｃ－２１５１：２０１９に準拠して測定されてよい。例えば、引張破断強度は、引張試験機を用いて、２３℃６０％ＲＨの環境下において１分間に５０ｍｍ／分の早さで保護シート３８を引張り、保護シート３８が破断したときの強度（引張荷重値／保護シート３８の断面積）を計算することにより算出してよい。
【0061】
引張破断強度が大きすぎると保護シート３８の熱圧着時の流動性が足りず、電子デバイス２０等が十分に保護層３０で絶縁保護されないリスクが生じる。引張破断強度が小さすぎると保護シート３８の熱圧着時の流動性が高すぎて、保護層３０の一部（例えば、電子デバイス２０等の角部）で厚みが不足する問題が生じる。一方で引張破断強度が上記範囲に含まれる場合、回路基板１０及び電子デバイス２０等の周囲に十分な量の保護層３０が形成され、電子デバイスパッケージ１００をより確実に絶縁保護することができる。
【0062】
保護シート３８は、５０～５００μｍ、好ましくは１００～２５０μｍの膜厚であってよい。
【0063】
第１保護層３２は、保護シート３８に流動性を与える役割を主に有する。第１保護層３２は、下記式２で求められる指数Ｚが２．０～１５．０、好ましくは４．０～１２．０、より好ましくは５．０～１０．０であってよい。
［式２］
Ｚ＝Ｆ１／Ｔ１
ここでＦ１は０．５ｃｍ×１．０ｃｍの長方形にした第１保護層３２を１８０℃、１ＭＰａで５分間加熱押圧した際に各辺で最もフローしている部分のフロー長の４辺の平均（μｍ）である。Ｔ１は第１保護層３２の厚み（μｍ）である。Ｆ１はＦｔｏｔａｌと同様の方法で測定されてよい。
［式２］
Ｚ＝Ｆ１／Ｔ１
ここでＦ１は０．５ｃｍ×１．０ｃｍの長方形にした第１保護層３２を１８０℃、１ＭＰａで５分間加熱押圧した際に各辺で最もフローしている部分のフロー長の４辺の平均（μｍ）である。Ｔ１は第１保護層３２の厚み（μｍ）である。Ｆ１はＦｔｏｔａｌと同様の方法で測定されてよい。
【0064】
上記の通り、指数Ｚは指数Ｘよりも大きい数値範囲を取る。これにより、第１保護層３２は保護シート３８の熱圧着時によく流動して複雑な形状を有する電子デバイス２０等の周囲（特に凹部）、接続部材２４、及び／又は、回路基板１０と電子デバイス２０等の隙間等に入り込むことができる。
【0065】
指数Ｚが上記範囲より大きすぎると流動性が高くなりすぎて、保護層３０の一部（例えば、電子デバイス２０等の角部）で厚みが不足する問題が生じる。一方で、指数Ｚが上記範囲より小さいと保護シート３８の熱圧着時の流動性が足りず、電子デバイス２０等が十分に保護層３０で絶縁保護されないリスクが生じる。一方で指数Ｚが上記範囲に含まれる場合、回路基板１０及び電子デバイス２０等の周囲に十分な量の保護層３０が形成され、電子デバイスパッケージ１００をより確実に絶縁保護することができる。
【0066】
第１保護層３２の膜厚は、５～１５０μｍであってよく、より好ましくは５～５０μｍであってよく、より好ましくは１０～３０μｍであってよい。第１保護層３２の膜厚が上記範囲を満たすことにより、保護シート３８の粘着性を抑制しつつ適切な流動性を与えることができる。
【0067】
第１保護層３２のガラス転移温度は、８０℃以下、好ましくは６０℃以下、更に好ましくは５０℃以下であってよい。第１保護層３２のガラス転移温度は、２０℃以上、好ましくは３０℃以上、更に好ましくは３５℃以上であってよい。
【0068】
第２保護層３４は、保護層３０の厚みを確保しつつ、接触する導電層４０からの金属イオンによるイオンマイグレーションを防ぐ役割を主に有する。第２保護層３４は、下記式３で求められる指数Ｙが０．５～１．５であってよく、好ましくは０．６～１．４であり、より好ましくは０．７～１．２である。
［式３］
Ｙ＝Ｆ２／Ｔ２
ここでＦ２は０．５ｃｍ×１．０ｃｍの長方形にした第２保護層３４を１８０℃、１ＭＰａで５分間加熱押圧した際に各辺で最もフローしている部分のフロー長の４辺の平均（μｍ）である。Ｔ２は第２保護層３４の厚み（μｍ）である。Ｆ２はＦｔｏｔａｌと同様の方法で測定されてよい。
［式３］
Ｙ＝Ｆ２／Ｔ２
ここでＦ２は０．５ｃｍ×１．０ｃｍの長方形にした第２保護層３４を１８０℃、１ＭＰａで５分間加熱押圧した際に各辺で最もフローしている部分のフロー長の４辺の平均（μｍ）である。Ｔ２は第２保護層３４の厚み（μｍ）である。Ｆ２はＦｔｏｔａｌと同様の方法で測定されてよい。
【0069】
上記の通り、指数Ｙが上記の範囲となることになり、保護シート３８の熱圧着時に第２保護層３４は流動しすぎず、電子デバイス２０等の角部等の保護層３０の膜厚が薄くなりやすい部分にしっかり残存する。これにより、電子デバイスパッケージ１００をより確実に絶縁保護することができる。また、保護層３０の上に導電層４０が形成される場合には、導電層４０からのイオンマイグレーションを十分に防止することができる。
【0070】
指数Ｙが上記範囲より大きすぎると保護シート３８の熱圧着時の流動性が高すぎて、保護層３０の一部（例えば、電子デバイス２０等の角部）で厚みが不足する問題が生じる。一方で、指数Ｙが上記範囲より小さいと保護シート３８の熱圧着時の流動性が足りず、電子デバイス２０等が十分に保護層３０で絶縁保護されなかったり、イオンマイグレーションのリスクが生じる。
【0071】
第２保護層３４の膜厚は、１０～２００μｍであってよく、より好ましくは３０～１５０μｍであってよく、より好ましくは５０～１００μｍであってよい。第２保護層３４の膜厚が上記条件を満たすことにより、電子デバイス２０等の放熱性を維持しつつ、保護層３０全体の膜厚を担保することができる。
【0072】
第２保護層３４は、第１保護層３２よりも膜厚が厚くてよい。この場合、保護層３０の一部（例えば、電子デバイス２０等の角部）で厚みが不足することをより確実に解消することができる。また、第１保護層３２は、第２保護層３４よりも膜厚が厚くてよい。この場合、複雑な形状を有する電子デバイス２０等の周囲（特に凹部）、接続部材２４、及び／又は、回路基板１０と電子デバイス２０等の隙間等を保護層３０でより確実に保護できる。
【0073】
第２保護層３４のガラス転移温度は、６０℃以下、好ましくは５０℃以下、更に好ましくは４０℃以下であってよい。第２保護層３４のガラス転移温度は、０℃以上、好ましくは１０℃以上、更に好ましくは２０℃以上であってよい。また、第２保護層３４のガラス転移温度は、第１保護層３２のガラス転移温度よりも低く良い。これにより、加熱プレス時に第２保護層３４に接触するクッション材と、第２保護層３４との密着性を十分に確保し、プレスを効率的に行うことができる。
【0074】
第２保護層３４は、一定の流動性を有しつつも保護層３０の厚みを確保する役割を主に有する。第３保護層３６は、下記式４で求められる指数Ｗが１．０～３．０、好ましくは１．２～２．７、より好ましくは１．５～２．５であってよい。
［式４］
Ｗ＝Ｆ３／Ｔ３
ここでＦ３は０．５ｃｍ×１．０ｃｍの長方形にした第３保護層３６を１８０℃、１ＭＰａで５分間加熱押圧した際に各辺で最もフローしている部分のフロー長の４辺の平均（μｍ）である。Ｔ３は第３保護層３６の厚み（μｍ）である。Ｆ３はＦｔｏｔａｌと同様の方法で測定されてよい。
［式４］
Ｗ＝Ｆ３／Ｔ３
ここでＦ３は０．５ｃｍ×１．０ｃｍの長方形にした第３保護層３６を１８０℃、１ＭＰａで５分間加熱押圧した際に各辺で最もフローしている部分のフロー長の４辺の平均（μｍ）である。Ｔ３は第３保護層３６の厚み（μｍ）である。Ｆ３はＦｔｏｔａｌと同様の方法で測定されてよい。
【0075】
上記の通り、指数Ｗは指数Ｙ及び指数Ｚの間の数値範囲を取る。これにより、保護シート３８の熱圧着時に第３保護層３６は、第１保護層３２と第２保護層３４の間の流動性を有し、第１保護層３２と第２保護層３４による被覆を補完する効果を有する。
【0076】
第３保護層３６の膜厚は、２０～２００μｍであってよく、より好ましくは３０～１５０μｍであってよく、より好ましくは４０～８０μｍであってよい。第３保護層３６の膜厚が上記条件を満たすことにより、複雑な形状を有する電子デバイス２０等の周囲（特に凹部）、接続部材２４、及び／又は、回路基板１０と電子デバイス２０等の隙間等を保護層３０で保護する効果と、保護層３０の膜厚が薄くなりやすい部分にしっかり残存する効果を奏することができる。
【0077】
なお、第３保護層３６は、複数の層により構成されてもよい。例えば、第３保護層３６は、２枚の同一の樹脂フィルムをラミネートすることにより構成されてもよい。
【0078】
第３保護層３６は、第１保護層３２よりも膜厚が厚くてよい。この場合、保護層３０の一部（例えば、電子デバイス２０等の角部）で厚みが不足することをより確実に解消することができる。また、第１保護層３２は、第３保護層３６よりも膜厚が厚くてよい。この場合、複雑な形状を有する電子デバイス２０等の周囲（特に凹部）、接続部材２４、及び／又は、回路基板１０と電子デバイス２０等の隙間等を保護層３０でより確実に保護できる。
【0079】
第３保護層３６のガラス転移温度は、６０℃以下、好ましくは５０℃以下、更に好ましくは４０℃以下であってよい。第３保護層３６のガラス転移温度は、０℃以上、好ましくは１０℃以上、更に好ましくは２０℃以上であってよい。また、第３保護層３６のガラス転移温度は、第１保護層３２のガラス転移温度よりも低く良い。これにより、第３保護層３６の衝撃吸収性が向上し、保護層３０全体の衝撃吸収力を高めることができる。
【0080】
高温おいて、第２保護層３４は、第１保護層３２よりも硬い性質を有してよい。例えば、１２０℃において、第２保護層３４のヤング率は第１保護層３２のヤング率よりも高くてよい。例えば、１２０℃における第１保護層３２のヤング率は０．５～３であってよく、第２保護層３４のヤング率は３～７であってよい。第３保護層３６のヤング率は、第１保護層３２と第２保護層３４の中間であってよく、例えば１２０℃で１．５～３．５であってよい。第１保護層３２～第３保護層３６がこのようなヤング率を有することで、熱プレスが行われる高温下において、保護シート３８が適切な流動性を発揮することができる。
【0081】
第１保護層３２、第２保護層３４及び第３保護層３６は、熱硬化性樹脂であってよい。例えば、第１保護層３２、第２保護層３４及び第３保護層３６は、熱硬化性樹脂及び硬化剤を含んでよい。
【0082】
熱硬化性樹脂として、加熱により架橋反応が生じる官能基を１分子中に１つ以上有する重合体を用いてよい。官能基として、例えば、水酸基、フェノール性水酸基、メトキシメチル基、カルボキシル基、アミノ基、エポキシ基、オキセタニル基、オキサゾリン基、オキサジン基、アジリジン基、チオール基、イソシアネート基、ブロック化イソシアネート基、ブロック化カルボキシル基、及び、シラノール基等のうちの１種類または複数種類を用いてよい。
【0083】
熱硬化性樹脂の一例として、ポリウレタン系樹脂、アクリル系樹脂、マレイン酸系樹脂、ポリブタジエン系樹脂、ポリエステル系樹脂、尿素系樹脂、エポキシ系樹脂、オキセタン系樹脂、フェノキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、フェノール系樹脂、クレゾール系樹脂、メラミン系樹脂、アルキド系樹脂、アミノ系樹脂、ポリ乳酸系樹脂、オキサゾリン系樹脂、ベンゾオキサジン系樹脂、シリコーン系樹脂、及び、フッ素系樹脂等のうちの１種類または複数種類を用いてよい。第１保護層３２、第２保護層３４及び第３保護層３６のうちの２つ又は３つは、同一の又は同系の樹脂を熱硬化性樹脂として用いてよい。
【0084】
硬化剤としてエポキシ系硬化剤、アジリジン系硬化剤、フェノール系硬化剤、アミン系硬化剤、イソシアネート系硬化剤、及び、金属キレート系硬化剤等のうちの１種類または複数種類を用いてよい。なお、アジリジン系硬化剤は、アジリジン基を有する化合物を含む硬化剤であり、フェノール系硬化剤はヒドロキシ基が芳香族基（芳香環）に直結する構造を有する化合物を含む硬化剤であり、アミン系硬化剤はアミノ基を有する化合物を含む硬化剤であり、イソシアネート系硬化剤はイソシアネート基を含有する化合物を含む硬化剤であってよい。金属キレート系硬化剤は、多座配位子（キレート配位子）が金属イオンに配位して生じた錯体を含む硬化剤であってよい。第１保護層３２、第２保護層３４及び第３保護層３６のうちの２つ又は３つは、同一の又は同系の硬化剤を用いてよい。
【0085】
エポキシ系硬化剤は、エポキシ化合物であってよい。エポキシ化合物は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有する化合物である。エポキシ化合物の性状としては、液状および固形状を問わない。エポキシ化合物としては、例えば、グリシジルエーテル型エポキシ化合物、グリシジルアミン型エポキシ化合物、グリシジルエステル型エポキシ化合物、環状脂肪族（脂環型）エポキシ化合物等であってよい。
【0086】
グリシジルエーテル型エポキシ化合物としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物、ビスフェノールＳ型エポキシ化合物、ビスフェノールＡＤ型エポキシ化合物、クレゾールノボラック型エポキシ化合物、フェノールノボラック型エポキシ化合物、α－ナフトールノボラック型エポキシ化合物、ビスフェノールＡ型ノボラック型エポキシ化合物、ジシクロペンタジエン型エポキシ化合物、テトラブロムビスフェノールＡ型エポキシ化合物、臭素化フェノールノボラック型エポキシ化合物、トリス（グリシジルオキシフェニル）メタン、テトラキス（グリシジルオキシフェニル）エタン等の１つ又は複数から選択されるものであってよい。
【0087】
グリシジルアミン型エポキシ化合物としては、例えば、テトラグリシジルジアミノジフェニルメタン、トリグリシジルパラアミノフェノール、トリグリシジルメタアミノフェノール、テトラグリシジルメタキシリレンジアミン等が挙げられる。
【0088】
グリシジルエステル型エポキシ化合物としては、例えば、ジグリシジルフタレート、ジグリシジルヘキサヒドロフタレート、ジグリシジルテトラヒドロフタレート等が挙げられる。
【0089】
環状脂肪族（脂環型）エポキシ化合物としては、例えば、エポキシシクロヘキシルメチル－エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、ビス（エポキシシクロヘキシル）アジペート等が挙げられる。また、液状のエポキシ化合物を用いてもよい。
【0090】
アジリジン系硬化剤は、アジリジン化合物であってよい。アジリジン化合物としては、例えば、Ｎ，Ｎ'－ジフェニルメタン－４，４'－ビス（１－アジリジンカルボキサイト）、Ｎ，Ｎ'－トルエン－２，４－ビス（１－アジリジンカルボキサイト）、ビスイソフタロイル－１－（２－メチルアジリジン）、トリ－１－アジリジニルホスフィンオキサイド、Ｎ，Ｎ'－ヘキサメチレン－１，６－ビス（１－アジリジンカルボキサイト）、トリメチロールプロパン－トリ－β－アジリジニルプロピオネート、テトラメチロールメタン－トリ－β－アジリジニルプロピオネート、トリス－２，４，６－（１－アジリジニル）－１、３、５－トリアジン、トリメチロールプロパントリス［３－（１－アジリジニル）プロピオネート］、トリメチロールプロパントリス［３－（１－アジリジニル）ブチレート］、トリメチロールプロパントリス［３－（１－（２－メチル）アジリジニル）プロピオネート］、トリメチロールプロパントリス［３－（１－アジリジニル）－２－メチルプロピオネート］、２，２'－ビスヒドロキシメチルブタノールトリス［３－（１－アジリジニル）プロピオネート］、ペンタエリスリトールテトラ［３－（１－アジリジニル）プロピオネート］、ジフェニルメタン－４，４－ビス－Ｎ，Ｎ'－エチレンウレア、１，６－ヘキサメチレンビス－Ｎ，Ｎ'－エチレンウレア、２，４，６－（トリエチレンイミノ）－Ｓｙｍ－トリアジン、ビス［１－（２－エチル）アジリジニル］ベンゼン－１，３－カルボン酸アミド等の１つ又は複数から選択されるものであってよい。
【0091】
フェノール系硬化剤は、フェノール化合物であってよい。例えば、フェノール化合物は、１分子中に２個以上のフェノール性水酸基を有するフェノール樹脂であってよく、例えば、ビスフェノールＡ型フェノール樹脂、ビスフェノールＦ型フェノール樹脂、フェノールアラルキル型フェノール樹脂、トリフェニルメタン型フェノール樹脂、ノボラック型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、キシリレン型フェノール樹脂、ビフェニル型フェノール樹脂の１つ又は複数から選択されてよい。
【0092】
アミン系硬化剤は、アミン化合物であってよい。アミン化合物は、アミノ基を２個以上有する化合物であってよくダイマージアミン又はその他のポリアミンであってよい。
【0093】
イソシアネート系硬化剤は、イソシアネート化合物であってよい。イソシアネート化合物は、芳香族ポリイソシアネート、脂肪族ポリイソシアネート、脂環式ポリイソシアネートの１つ又は複数から選択されるものであってよい。
【0094】
芳香族ポリイソシアネートとしては、例えば、１，３－フェニレンジイソシアネート、１，４－フェニレンジイソシアネート、２，４－トリレンジイソシアネート（ＴＤＩ）、２，６－トリレンジイソシアネート、４，４'－ジフェニルメタンジイソシアネート（ＭＤＩ）、２，４－ジフェニルメタンジイソシアネート、４，４'－ジイソシアナトビフェニル、３，３'－ジメチル－４，４'－ジイソシアナトビフェニル、３，３'－ジメチル－４，４'－ジイソシアナトジフェニルメタン、１，５－ナフチレンジイソシアネート、４，４'，４''－トリフェニルメタントリイソシアネート、ｍ－イソシアナトフェニルスルホニルイソシアネート、ｐ－イソシアナトフェニルスルホニルイソシアネートなどが挙げられる。
【0095】
脂肪族ポリイソシアネートとしては、例えば、エチレンジイソシアネート、テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＤＩ）、ドデカメチレンジイソシアネート、１，６，１１－ウンデカントリイソシアネート、２，２，４－トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、２，６－ジイソシアナトメチルカプロエート、ビス（２－イソシアナトエチル）フマレート、ビス（２－イソシアナトエチル）カーボネート、２－イソシアナトエチル－２，６－ジイソシアナトヘキサノエートなどが挙げられる。
【0096】
脂環式ポリイソシアネートとしては、例えば、イソホロンジイソシアネート（ＩＰＤＩ）、４，４'－ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート（Ｈ１２－ＭＤＩ）、シクロヘキシレンジイソシアネート、メチルシクロヘキシレンジイソシアネート（水素添加ＴＤＩ）、ビス（２－イソシアナトエチル）－４－シクロヘキセン－１，２－ジカルボキシレート、２，５－ノルボルナンジイソシアネート、２，６－ノルボルナンジイソシアネートなどが挙げられる。
【0097】
また、ジイソシアネートのトリメチロールプロパンアダクト体、水と反応したビウレット体、イソシアヌレート環を有する３量体が挙げられる。
【0098】
ブロック化イソシアネート化合物しては、前記イソシアネート基含有化合物中のイソシアネート基がε－カプロラクタムやＭＥＫオキシム等で保護されたブロック化イソシアネート基含有化合物であればよく、特に限定されるものではない。具体的には、前記イソシアネート基含有化合物のイソシアネート基を、ε－カプロラクタム、ＭＥＫオキシム、シクロヘキサノンオキシム、ピラゾール、フェノール等でブロックしたものなどが挙げられる。特に、イソシアヌレート環を有し、ＭＥＫオキシムやピラゾールでブロックされたヘキサメチレンジイソシアネート三量体は、本実施形態に使用した場合、保存安定性は勿論のこと、ポリイミドや銅等の接合材に対する接着強度や半田耐熱性に優れるため、非常に好ましい。
【0099】
金属キレート系硬化剤は、アルミニウムキレート化合物、チタンキレート化合物、ジルコニウムキレート化合物の１つ又は複数から選択されてよい。中心金属は、鉄、コバルト、インジウム等から選択されてよい。
【0100】
硬化剤は、熱硬化性樹脂１００重量部に対して１～５０重量部、好ましくは１０～４０重量部、より好ましくは２０～３０重量部を用いてよい。
【0101】
硬化剤の量を調整することで、第１保護層３２、第２保護層３４及び第３保護層３６の流動性及びタック性を調整してもよい。例えば、第２保護層３４が最も硬化剤の含有量が多く、第３保護層３６が次に硬化剤の含有量が多く、第１保護層３２は硬化剤を全く含まないか第３保護層３６以下の量で硬化剤を含んでよい。
【0102】
第１保護層３２、第２保護層３４及び第３保護層３６は、フィラーを更に含んでよい。フィラーは絶縁性であることが好ましく、例えば、無機フィラー、リン系フィラー、窒素系フィラー、フッ素系フィラー、及び、高分子フィラーから選択されてよい。フィラーとして１種類または複数種類が用いられてよい。
【0103】
無機フィラーとして、シリカ、中空シリカ、多孔質シリカ、マイカ、タルク、カオリン、クレー、ハイドロタルサイト、ウォラストナイト、ゾノトライト、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、リン酸水素カルシウム、リン酸カルシウム、ガラスフレーク、水和ガラス、チタン酸カルシウム、セピオライト、硫酸マグネシウム、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化ジルコニウム、水酸化バリウム、水酸化カルシウム、酸化チタン、酸化スズ、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、酸化モリブデン、酸化アンチモン、酸化ニッケル、炭酸亜鉛、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸バリウム、ホウ酸亜鉛、ホウ酸アルミニウム、無機イオン補足剤（例として、東亜合成社製のIXE（登録商標））が挙げられる。
【0104】
リン系フィラーとして、リン酸メラミン、ポリリン酸メラミン、リン酸グアニジン、ポリリン酸グアニジン、リン酸アンモニウム、ポリリン酸アンモニウム、リン酸アミドアンモニウム、ポリリン酸アミドアンモニウム、リン酸カルバメート、ポリリン酸カルバメート等の（ポリ）リン酸塩系化合物、有機リン酸エステル化合物、ホスファゼン化合物、ホスホン酸化合物、ジエチルホスフィン酸アルミニウム、メチルエチルホスフィン酸アルミニウム、ジフェニルホスフィン酸アルミニウム、エチルブチルホスフィン酸アルミニウム、メチルブチルホスフィン酸アルミニウム、ポリエチレンホスフィン酸アルミニウム等のホスフィン酸化合物、ホスフィンオキシド化合物、ホスホラン化合物、ホスホルアミド化合物等が挙げられる。
【0105】
窒素系フィラーとして、ベンゾグアナミン、メラミン、メラム、メレム、メロン、メラミンシアヌレート、シアヌル酸化合物、イソシアヌル酸化合物、トリアゾール系化合物、テトラゾール化合物、ジアゾ化合物、尿素等の窒素系フィラーが挙げられる。
【0106】
フッ素系フィラーとして、ポリテトラフルオロエチレン粉末やその変性物、テトラフルオロエチレン－パーフルオロアルキルビニルエーテル粉末、テトラフルオロエチレン－エチレン粉末、テトラフルオロエチレン－ヘキサフルオロプロピレン粉末、テトラフルオロエチレン－フッ化ビニリデン粉末、テトラフルオロエチレン－ヘキサフルオロプロピレン－パーフルオロアルキルビニルエーテル粉末、ポリクロロトリフルオロエチレン粉末、クロロトリフルオロエチレン－エチレン粉末、クロロトリフルオロエチレン－フッ化ビニリデン粉末、ポリフッ化ビニリデン粉末、ポリフッ化ビニル粉末等が挙げられる。
【0107】
高分子フィラーとして、ポリエチレン粉末、ポリアクリル酸エステル粉末、エポキシ樹脂粉末、ポリアミド粉末、ポリイミド粉末、ポリウレタン粉末、液晶ポリマービーズ、ポリシロキサン粉末等の他、シリコーン、アクリル、スチレンブタジエンゴム、ブタジエンゴム等を用いた多層構造のコアシェル等が挙げられる。
【0108】
フィラーの平均粒子径Ｄ５０は０．０１～１００μｍ、好ましくは０．０２～４０μｍ、より好ましくは０．０５～２０μｍであってよい。
【0109】
第２保護層３４及び第３保護層３６は、フィラーを、０．１～３０重量％、好ましくは１～２５重量％、より好ましくは５～２０重量％を含んでよい。フィラーを上記範囲にすることで指数Ｘ、指数Ｙ及び／又は指数Ｚ（流動性）を適正な範囲に近づけるように調整することができる。
【0110】
第１保護層３２は、フィラーを含まないか、含むとしても第２保護層３４及び第３保護層３６よりも少ない質量濃度で含むようにしてよい。例えば、第１保護層３２がフィラーを含む場合、熱硬化性樹脂１００重量部に対して０．０１～１重量部、好ましくは０．０１～０．５重量部、より好ましくは０．０１～０．１重量部を含んでよい。
【0111】
一例として、第２保護層３４が最もフィラーの含有量が多く、第３保護層３６が次にフィラーの含有量が多く、第１保護層３２はフィラーを全く含まないか第３保護層３６以下の質量濃度でフィラーを含んでよい。
【0112】
この結果、保護シート３８はフィラーを含むものの、保護シート３８における第２面側のフィラーの質量濃度は、第１面側よりも大きくなる。これにより、第１保護層３２（すなわち第１面側）のタック性（粘着性）を抑制し、流動性も大きくすることができる。また、第１保護層３２のフィラー量及び／又は硬化剤量を調整することで、保護シート３８の第１面のプローブタック試験による粘着力を所定値以下に調整することができる。また、フィラー量及び／又は硬化剤量を調整することで、流動性が第１保護層３２、第３保護層３６、及び、第２保護層３４の順になるように調整しやすくなる。
【0113】
また、別の一例として、第２保護層３４及び第３保護層３６が同量でフィラーを含み、第１保護層３２はフィラーを全く含まないか第２保護層３４及び第３保護層３６以下の質量濃度でフィラーを含んでよい。これらに代えて、第３保護層３６が最もフィラーの含有量が多く、第２保護層３４が次にフィラーの含有量が多く、第１保護層３２はフィラーを全く含まないか第３保護層３６以下の質量濃度でフィラーを含んでよい。
【0114】
保護シート３８全体を１００重量％とした場合においてフィラーの含有量は、０．１～３０．０重量％、好ましくは１．０～９．８重量％、より好ましくは３．５～８．５重量％であってよい。保護シート３８全体のフィラー量が当該範囲よりも低いと流動性が高くなりすぎ、高いと冷熱サイクル実行時に保護層にクラックが生じ、外観不良の原因となり得る。保護シート３８全体においてフィラーの含有量は、あくまで追加的な改良事項であり、必須事項ではない。
【0115】
第１保護層３２、第２保護層３４及び第３保護層３６は、熱可塑性樹脂を更に含んでもよい。熱可塑性樹脂として例えば、ポリエステル、アクリル系樹脂、ポリエーテル、ウレタン系樹脂、スチレンエラストマー、ポリカーボネート、ブタジエンゴム、ポリアミド、エステルアミド系樹脂、ポリイソプレン、およびセルロースから１つ以上を選択することが好ましい。熱可塑性樹脂を含む場合、第１保護層３２、第２保護層３４及び／又は第３保護層３６の各層中において５～４０重量％の含有量とすることが好ましい。
【0116】
第１保護層３２、第２保護層３４及び第３保護層３６には、更に添加剤が含まれてよい。例えば、添加剤として、着色剤（例えば顔料、染料、又は、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、グラフェン、フラーレン等の炭素粉末）、難燃剤、ブロッキング防止剤、金属不活性化剤、増粘剤、分散剤、シランカップリング剤、防錆剤、銅害防止剤、還元剤、酸化防止剤、粘着付与樹脂、可塑剤、紫外線吸収剤、消泡剤、及び、レベリング調整剤等のうちの１種類または複数種類を用いてよい。
【0117】
図４は、本実施形態における保護シート３８の別の一例を示す。図４に示すように保護シート３８は、第１保護層３２及び第２保護層３４のみで構成され、第３保護層３６を含まなくてよい。この場合、第１保護層３２及び第２保護層３４の構成及び材料等は、上記で説明した通りであってよい。
【0118】
別の例として第１保護層３２、第２保護層３４及び第３保護層３６の１つ又は複数は、複数層が設けられてもよい。例えば、保護シート３８は、１つの第１保護層３２と１つの第２保護層３４と、これらに挟まれた複数の第３保護層３６を有してもよい。
【0119】
保護シート３８は、必要に応じて、他の層を含んでもよい。例えば、保護シート３８は、回路基板１０に貼付後に剥離される剥離層等を更に有してもよい。剥離層が設けられる場合、第２保護層３４の更に上側（第１保護層３２の反対側）に設けられてよい。
【0120】
図５は、本実施形態の電子デバイスパッケージ１００の製造方法のフローの一例を示す。電子デバイスパッケージ１００は、Ｓ１００～Ｓ３００の少なくとも一部を実行することにより製造されてよい。説明の便宜上Ｓ１００～Ｓ３００をこの順に説明するが、これらの処理は別の順番で実行されてよく、及び／又は、少なくとも一部が並列に実行されてもよい。
【0121】
【0122】
保護シート３８の製造方法は、特に限定されないが、例えば、保護シート３８の各層（第１保護層３２、第２保護層３４、第３保護層３６）を形成する上述した熱硬化性樹脂等の材料を溶媒等に溶解させた組成物を順次、塗布、乾燥していき、積層構造を形成するか、予め硬化又は半硬化させた当該組成物をラミネートしていく方法等が挙げられる。塗布方法として、例えば、グラビアコート方式、キスコート方式、ダイコート方式、リップコート方式、コンマコート方式、ブレード方式、ロールコート方式、ナイフコート方式、スプレーコート方式、バーコート方式、スピンコート方式、ディップコート方式、又は、各種印刷方式等が挙げられる。
【0123】
次にＳ２００において、実装基板１２上に保護シート３８から形成される保護層３０を形成する。例えば、まず、実装基板１２を用意する。実装基板１２は、表面に導電回路が設けられた回路基板１０上に、電子デバイス２０等が実装されたものであってよい。実装基板１２に、Ｓ１００で製造した保護シート３８を、第１保護層３２（第１面側）が電子デバイス２０等側を向くように配置する。
【0124】
【0125】
保護シート３８を配置後に実装基板１２に熱プレスしてよい。熱プレスにより、保護シート３８の各保護層の未硬化又は半硬化の熱硬化性樹脂を硬化することができる。ここで熱硬化性樹脂が完全に硬化した場合には、保護シート３８は保護層３０となる。保護シート３８が剥離シートを有する場合には、熱プレスの後に、剥離シートを保護シート３８から取り除いてよい。
【0126】
熱プレスは、減圧下又は真空下で行ってよい。これにより、第１保護層３２の実装基板１２への密着度を高めることができる。熱プレスは、１００～２２０℃、好ましくは１２０～２００℃、より好ましくは１４０～１８０℃において、１～１２０分、好ましくは１～４０分、より好ましくは１～１０分で０．１～１０ＭＰａ、好ましくは０．５～３ＭＰａ、より好ましくは１～２ＭＰａの条件で行ってよい。追加の加熱を行う場合は、上記熱プレスと同様の温度条件等で行ってよい。
【0127】
熱プレスを行うと、保護シート３８を構成する各層が、完全に硬化する前に軟化して、回路基板１０と電子デバイス２０等の角の凹部やバンプ等の接続部材２４の側面に流動する。特に他の層よりも流動性の高い第１保護層３２が、これらの部位に流動して保護層３０が形成されにくい部分を十分に保護する。これにより接続部材２４と他の導電体の接触や漏電を防ぐことができる。
【0128】
一方で、比較的流動性の低い第２保護層３４及び第３保護層３６は、熱プレスによっても大きく移動することがないので電子デバイス２０等の全体に一定量残存する。これにより、保護層３０の一部（例えば、電子デバイス２０等の角部）で厚みが不足することをより確実に解消することができる。
【0129】
図７は、保護層３０が形成された実装基板１２の一例を示す。説明した通り、保護シート３８を硬化することにより、保護層３０が形成され、実装基板１２の表面全体が絶縁保護される。
【0130】
なお、上記説明では、剥離シートを含まない保護シート３８を用いた例を挙げたが、これに限られない。例えば、剥離シートを第２保護層３４側に有する保護シート３８を用いて熱プレスを行い、熱プレス後に剥離シートを剥離してもよい。
【0131】
次にＳ３００において、保護層３０上に、導電層４０を形成する。導電層４０は、保護層３０が形成された領域の一部又は全体に形成されてよい。導電層４０は、金属含有シート４６から実装基板１２に金属を転写することにより形成されてよい。
【0132】
図８は、金属含有シート４６の一例を示す。金属含有シート４６は、剥離シート４２上に金属材料層４４を形成したものである。
【0133】
剥離シート４２には、後で剥離可能なフィルム状の剥離基材、又は、クッション性を有する剥離樹脂を用いることができる。剥離シート４２は、剥離基材及び／又は剥離樹脂の単層又は複数層で構成されてよい。
【0134】
剥離基材は、片面又は両面に離型性が付与されたフィルム状の基材である。剥離基材は、１５０℃における引張破断歪が５０％未満のシートであることが望ましい。剥離基材として例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、硬質ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ナイロン、ポリイミド、ポリスチレン、ポリビニルアルコール、エチレン・ビニルアルコール共重合体、ポリカーボネート、ポリアクリロニトリル、ポリブテン、軟質ポリ塩化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリウレタン樹脂、エチレン酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル等のプラスチックシート等、グラシン紙、上質紙、クラフト紙、コート紙等の紙類、各種の不織布、合成紙、金属箔、又は、これらを組み合わせた複合フィルムのうち１又は複数種類を選択したものが挙げられる。
【0135】
剥離樹脂は、電子デバイス２０等の形状への追従性を有し、離型性も有する樹脂である。つまり、剥離樹脂は、離形性クッション部材は、熱プレス等の後に剥離可能な樹脂である。剥離樹脂は、１５０℃における引張破断歪が５０％以上であることが望ましい。また剥離樹脂は、熱プレス時に溶融することが好ましい。
【0136】
剥離樹脂として例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエーテルスルフォン、ポリフェニレンスルフィド、ポリスチレン、ポリメチルペンテン、ポリブチレンテレフタレート、環状オレフィンポリマー、及び、シリコーンのうち１又は複数種類を選択したものが挙げられる。特にポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリブチレンテレフタレート、シリコーンが埋め込み性と剥離性の両立の観点から好適である。
【0137】
金属材料層４４は、熱硬化性樹脂及び導電フィラーを含む導電ペーストにより形成されてよい。例えば、剥離シート４２上に導電ペーストを塗布および溶剤を乾燥することにより、金属材料層４４が形成されてよい。導電ペースト中の熱硬化性樹脂は未硬化又は半硬化状態であることが好ましい。塗布方法として前述した各保護層の組成物の塗布方法やスクリーン印刷等の方法が挙げられる。
【0138】
熱硬化性樹脂として、第１～第３保護層の形成に用いたものと同様のものを使用できる。
【0139】
導電フィラーとしては、金属粒子、炭素粒子、導電性樹脂粒子等が挙げられる。導電フィラーは、金属粒子を必須成分として含んでよく、これに加えて炭素粒子等の他成分を１種又は複数種類選択して含んでよい。
【0140】
金属粒子として、例えば、金、白金、銀、銅、ニッケル、アルミニウム、鉄またはそれらの合金等が挙げられるが、価格と導電性の面から銅が好ましい。また、金属粒子として、金属で構成された核体と、この核体を被覆し、核体とは別の金属で構成された被覆層とを備える粒子であってもよい。核体及び被覆層として上記列挙した金属が用いられる。一例として銅で構成された核体と銀で構成された被覆層を有する銀コート銅粒子等が挙げられる。
【0141】
炭素粒子として、例えば、アセチレンブラック、ケッチェンブラック、ファーネスブラック、カーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、グラファイト、フラーレン、カーボンナノウォール、及び、グラフェン等のうち１種又は複数種類を選択したものが挙げられる。導電性樹脂粒子として、例えば、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）、ポリアセチレン、及び、ポリチオフェン等のうち１種又は複数種類を選択したものが挙げられる。
【0142】
導電フィラーの平均粒径Ｄ５０は、１～１００μｍ程度であるのが好ましく、３～７５μｍ程度であるのがより好ましく、５～５０μｍ程度であるのがさらに好ましい。導電フィラーの平均粒径は、レーザー回折法又は散乱法等により測定でき、例えば、そのフィラー粒子集合体の投影面積に等しい円を仮定したときの直径の平均値が平均粒径として得られる。導電フィラーの平均粒径を前記範囲とすることにより、後に形成される導電層４０の電磁波シールド効果をより高めることができる。また、例えば、熱硬化性樹脂と混合する際の流動性が良好となるため、導電層４０の成形性が向上する。
【0143】
導電フィラーの形状は、球状、針状、鱗片状、フレーク状、樹枝状、ブドウ粒状、繊維状、又は、プレート状等のいかなる形状であってもよい。金属材料層４４中の、導電フィラーの含有量は、特に限定されないが、熱硬化性樹脂１００重量部に対して１００～１５００重量部であるのが好ましく、１００～１０００重量部であるのがより好ましい。これにより、導電性粒子の種類によらず、導電層４０に必要かつ十分な導電性を付与することができ、かつ電磁波シールド効果を十分に高めることができる。また、熱硬化性樹脂と導電フィラーとを含む組成物の流動性が高まり、金属材料層４４をより形成し易くなることからも好ましい。
【0144】
金属材料層４４は、熱可塑性樹脂を更に含んでもよい。熱可塑性樹脂として第１～第３保護層に使用可能なものと同様のものを使用してよい。
【0145】
金属材料層４４は、その他の添加剤を含んでよい。例えば、添加剤として、架橋剤、着色剤、難燃剤、充填剤、滑剤、ブロッキング防止剤、金属不活性化剤、増粘剤、分散剤、シランカップリング剤、防錆剤、銅害防止剤、還元剤、酸化防止剤、粘着付与樹脂、可塑剤、紫外線吸収剤、消泡剤、及び、レベリング調整剤等のうちの１種類または複数種類を用いてよい。
【0146】
架橋剤として、熱硬化性樹脂の官能基と架橋反応する化合物が挙げられる。例えば、架橋剤としてフェノール系硬化剤、アミン系硬化剤、イソシアネート系硬化剤、エポキシ系硬化剤、アジリジン系硬化剤、及び、金属キレート系硬化剤等のうちの１種類または複数種類を用いてよい。
【0147】
着色剤としては、例えば、有機顔料、カーボンブラック、群青、弁柄、亜鉛華、酸化チタン、黒鉛、及び、染料等のうちの１種類または複数種類を用いてよい。難燃剤としては例えば、ハロゲン含有難燃剤、りん含有難燃剤、窒素含有難燃剤、及び、無機難燃剤等のうちの１種類または複数種類を用いてよい。充填剤としては、例えば、ガラス繊維、シリカ、タルク、及び、セラミック等のうちの１種類または複数種類を用いてよい。
【0148】
滑剤としては、例えば、脂肪酸エステル、炭化水素樹脂、パラフィン、高級脂肪酸、脂肪酸アミド、脂肪族アルコール、金属石鹸、及び、変性シリコーン等のうちの１種類または複数種類を用いてよい。ブロッキング防止剤としては、例えば、炭酸カルシウム、シリカ、ポリメチルシルセスキオキサン、及び、ケイ酸アルミニウム塩等のうちの１種類または複数種類を用いてよい。
【0149】
なお、金属材料層４４は、金属箔であってもよい。この場合、金属箔は導電フィラーで例示したものと同様の金属をめっき等で剥離シート４２上に形成したものであってよい。
【0150】
図９は、金属含有シート４６を用いたＳ３００の一例を示す。図示するように、金属含有シート４６の金属材料層４４側を、保護層３０に配置して、貼り付ける。次に、金属含有シート４６を熱プレスして、金属材料層４４の熱硬化性樹脂を硬化させることにより、導電層４０を形成する。その後に、剥離シート４２を取り除く。これにより、図１に示すような電子デバイスパッケージ１００が製造される。
【0151】
熱プレスは、減圧下又は真空下で行ってよい。これにより、金属材料層４４の実装基板１２への密着度を高めることができる。熱プレスは、１００～２２０℃（好ましくは１２０～１８０℃）において、１～１２０分（好ましくは１～６０分）、０．１～１０ＭＰａ（好ましくは０．５～３ＭＰａ）の条件で行ってよい。
【0152】
なお、Ｓ３００において、金属含有シート４６を用いずに他の方法で導電層４０を形成してもよい。例えば、導電層４０は、めっき、蒸着、又はスパッタ（以下、「めっき等」ともいう）により金属を堆積することにより形成されてよい。めっき等に用いる金属として例えば、金、白金、銀、銅、ニッケル、アルミニウム、鉄またはそれらの合金が挙げられる。他の例として、導電層４０は、導電ペースト（例えば、金属材料層４４に使用可能なもの）を保護層３０又は（熱プレス前の）第２保護層３４の上に塗工又はスプレー塗布し、これを硬化して形成してもよい。
【0153】
Ｓ３００の後に必要に応じて、電子デバイスパッケージ１００を個片化する工程を行ってよい。例えば、製品エリアに対応する位置で電子デバイスパッケージ１００をＸ方向及びＹ方向にダイシングし、個別の製品を得てよい。また、Ｓ３００は行わず、導電層４０を有しないものを電子デバイスパッケージ１００として用いてもよい。
【0154】
上記の通り、本実施形態によればＳ１００～Ｓ３００に係るプロセスにより、所定の構成、物性を有する保護シート３８を用いて、保護層３０を実装基板１２の上に形成する。これにより、電子デバイス２０等の角部等の保護層３０が流動しすぎて膜厚が薄くなりやすい部分や、保護層３０が十分に流動していかない部分にも十分な膜厚で保護層３０を形成できた。また、本実施形態によれば、保護シート３８を張り合わせる際に第１面側が回路基板１０等に接着してパドリングすることも防ぐことができた。
【0155】
保護層３０には保護シート３８に由来する層構造が含まれていてもよい。例えば、保護シート３８が３層構造である場合には、保護層３０の少なくとも一部は、第１保護層３２～第３保護層３６のそれぞれに由来する３層構造を有してもよい。特に回路基板１０と電子デバイス２０等が接する角凹部では、保護層３０の膜厚が厚くなり、保護シート３８の層構造が残存しやすい。一方で、保護層３０の膜厚が薄くなる電子デバイス２０等の角部では、保護シート３８の層構造が残存しなくてもよい。
【0156】
以下、本実施形態の例を実施例により説明する。
【0157】
［実施例］
［第１保護層用組成物Ａ１］
以下の組成を有する第１保護層３２用の組成物Ａ１を調製した。
ポリウレタン樹脂（酸価：５ｍｇＫＯＨ／ｇ、重量平均分子量：５４，０００、Ｔｇ：－７℃、トーヨーケム製） １００重量部
エポキシ化合物（日鉄ケミカル＆マテリアル社製 ＹＤＦ－２００５ＲＤ）２０重量部
溶媒（メチルエチルケトン） ２０重量部
［第１保護層用組成物Ａ１］
以下の組成を有する第１保護層３２用の組成物Ａ１を調製した。
ポリウレタン樹脂（酸価：５ｍｇＫＯＨ／ｇ、重量平均分子量：５４，０００、Ｔｇ：－７℃、トーヨーケム製） １００重量部
エポキシ化合物（日鉄ケミカル＆マテリアル社製 ＹＤＦ－２００５ＲＤ）２０重量部
溶媒（メチルエチルケトン） ２０重量部
【0158】
［第１保護層用組成物Ａ２］
シリカ（アドマテックス社製 ＳＯ－Ｃ６、Ｄ５０ ；２．０μｍ）を６重量部追加したこと以外は、組成物Ａ１と同様の組成を有する第１保護層３２用の組成物Ａ２を調製した。
シリカ（アドマテックス社製 ＳＯ－Ｃ６、Ｄ５０ ；２．０μｍ）を６重量部追加したこと以外は、組成物Ａ１と同様の組成を有する第１保護層３２用の組成物Ａ２を調製した。
【0159】
［第１保護層用組成物Ａ３］
シリカ（アドマテックス社製 ＳＯ－Ｃ６、Ｄ５０ ；２．０μｍ）を１２重量部追加したこと以外は、組成物Ａ１と同様の組成を有する第１保護層３２用の組成物Ａ３を調製した。
シリカ（アドマテックス社製 ＳＯ－Ｃ６、Ｄ５０ ；２．０μｍ）を１２重量部追加したこと以外は、組成物Ａ１と同様の組成を有する第１保護層３２用の組成物Ａ３を調製した。
【0160】
［第１保護層用組成物Ａ４］
シリカ（アドマテックス社製 ＳＯ－Ｃ６、Ｄ５０ ；２．０μｍ）を１５重量部追加したこと以外は、組成物Ａ１と同様の組成を有する第１保護層３２用の組成物Ａ４を調製した。
シリカ（アドマテックス社製 ＳＯ－Ｃ６、Ｄ５０ ；２．０μｍ）を１５重量部追加したこと以外は、組成物Ａ１と同様の組成を有する第１保護層３２用の組成物Ａ４を調製した。
【0161】
［第１保護層用組成物Ａ５］
シリカ（アドマテックス社製 ＳＯ－Ｃ６、Ｄ５０ ；２．０μｍ）を５５重量部追加したこと以外は、組成物Ａ１と同様の組成を有する第１保護層３２用の組成物Ａ５を調製した。
シリカ（アドマテックス社製 ＳＯ－Ｃ６、Ｄ５０ ；２．０μｍ）を５５重量部追加したこと以外は、組成物Ａ１と同様の組成を有する第１保護層３２用の組成物Ａ５を調製した。
【0162】
［第１保護層用組成物Ａ６］
シリカ（アドマテックス社製 ＳＯ－Ｃ６、Ｄ５０ ；２．０μｍ）を１．５重量部追加したこと以外は、組成物Ａ１と同様の組成を有する第１保護層３２用の組成物Ａ６を調製した。
シリカ（アドマテックス社製 ＳＯ－Ｃ６、Ｄ５０ ；２．０μｍ）を１．５重量部追加したこと以外は、組成物Ａ１と同様の組成を有する第１保護層３２用の組成物Ａ６を調製した。
【0163】
［第１保護層用組成物Ａ７］
シリカ（アドマテックス社製 ＳＯ－Ｃ６、Ｄ５０ ；２．０μｍ）を２０重量部追加したこと以外は、組成物Ａ１と同様の組成を有する第１保護層３２用の組成物Ａ７を調製した。
シリカ（アドマテックス社製 ＳＯ－Ｃ６、Ｄ５０ ；２．０μｍ）を２０重量部追加したこと以外は、組成物Ａ１と同様の組成を有する第１保護層３２用の組成物Ａ７を調製した。
【0164】
［第２保護層用組成物Ｂ１］
以下の組成を有する第２保護層３４用の組成物Ｂ１を調製した。
ポリウレタン樹脂（酸価：５ｍｇＫＯＨ／ｇ、重量平均分子量：５４，０００、Ｔｇ：－７℃、トーヨーケム製） １００重量部
エポキシ化合物（日鉄ケミカル＆マテリアル社製 ＹＤＦ－２００１） ２０重量部
シリカ（アドマテックス社製 ＳＯ－Ｃ６、Ｄ５０ ；２．０μｍ） １３．６重量部（溶媒を除く固形分で１０重量％）
溶媒（メチルエチルケトン） ２０重量部
以下の組成を有する第２保護層３４用の組成物Ｂ１を調製した。
ポリウレタン樹脂（酸価：５ｍｇＫＯＨ／ｇ、重量平均分子量：５４，０００、Ｔｇ：－７℃、トーヨーケム製） １００重量部
エポキシ化合物（日鉄ケミカル＆マテリアル社製 ＹＤＦ－２００１） ２０重量部
シリカ（アドマテックス社製 ＳＯ－Ｃ６、Ｄ５０ ；２．０μｍ） １３．６重量部（溶媒を除く固形分で１０重量％）
溶媒（メチルエチルケトン） ２０重量部
【0165】
［第２保護層用組成物Ｂ２］
シリカをタルク（富士タルク社製 ＦＨ１０４ Ｄ５０ ；４．０μｍ）２４．４重量部に変更したこと以外は、組成物Ｂ１と同様の組成を有する第２保護層３４用の組成物Ｂ２を調製した。
シリカをタルク（富士タルク社製 ＦＨ１０４ Ｄ５０ ；４．０μｍ）２４．４重量部に変更したこと以外は、組成物Ｂ１と同様の組成を有する第２保護層３４用の組成物Ｂ２を調製した。
【0166】
［第２保護層用組成物Ｂ３］
シリカの含有量を３５．０重量部に変更したこと以外は、組成物Ｂ１と同様の組成を有する第２保護層３４用の組成物Ｂ３を調製した。
シリカの含有量を３５．０重量部に変更したこと以外は、組成物Ｂ１と同様の組成を有する第２保護層３４用の組成物Ｂ３を調製した。
【0167】
［第２保護層用組成物Ｂ４］
シリカを全く追加しないこと以外は、組成物Ｂ１と同様の組成を有する第２保護層３４用の組成物Ｂ４を調製した。
シリカを全く追加しないこと以外は、組成物Ｂ１と同様の組成を有する第２保護層３４用の組成物Ｂ４を調製した。
【0168】
［第２保護層用組成物Ｂ５］
シリカ（アドマテックス社製 ＳＯ－Ｃ６、Ｄ５０ ；２．０μｍ）の含有量を０．１０重量部に変更したこと以外は、組成物Ｂ１と同様の組成を有する第２保護層３４用の組成物Ｂ５を調製した。
シリカ（アドマテックス社製 ＳＯ－Ｃ６、Ｄ５０ ；２．０μｍ）の含有量を０．１０重量部に変更したこと以外は、組成物Ｂ１と同様の組成を有する第２保護層３４用の組成物Ｂ５を調製した。
【0169】
［第２保護層用組成物Ｂ６］
シリカ（アドマテックス社製 ＳＯ－Ｃ６、Ｄ５０ ；２．０μｍ）の含有量を０．１５重量部に変更したこと以外は、組成物Ｂ１と同様の組成を有する第２保護層３４用の組成物Ｂ６を調製した。
シリカ（アドマテックス社製 ＳＯ－Ｃ６、Ｄ５０ ；２．０μｍ）の含有量を０．１５重量部に変更したこと以外は、組成物Ｂ１と同様の組成を有する第２保護層３４用の組成物Ｂ６を調製した。
【0170】
［第２保護層用組成物Ｂ７］
シリカ（アドマテックス社製 ＳＯ－Ｃ６、Ｄ５０ ；２．０μｍ）の含有量を５５重量部に変更したこと以外は、組成物Ｂ１と同様の組成を有する第２保護層３４用の組成物Ｂ７を調製した。
シリカ（アドマテックス社製 ＳＯ－Ｃ６、Ｄ５０ ；２．０μｍ）の含有量を５５重量部に変更したこと以外は、組成物Ｂ１と同様の組成を有する第２保護層３４用の組成物Ｂ７を調製した。
【0171】
［第２保護層用組成物Ｂ８］
シリカ（アドマテックス社製 ＳＯ－Ｃ６、Ｄ５０ ；２．０μｍ）の含有量を２０重量部に変更したこと以外は、組成物Ｂ１と同様の組成を有する第２保護層３４用の組成物Ｂ８を調製した。
シリカ（アドマテックス社製 ＳＯ－Ｃ６、Ｄ５０ ；２．０μｍ）の含有量を２０重量部に変更したこと以外は、組成物Ｂ１と同様の組成を有する第２保護層３４用の組成物Ｂ８を調製した。
【0172】
［第２保護層用組成物Ｂ９］
シリカ（アドマテックス社製 ＳＯ－Ｃ６、Ｄ５０ ；２．０μｍ）の含有量を１５重量部に変更したこと以外は、組成物Ｂ１と同様の組成を有する第２保護層３４用の組成物Ｂ９を調製した。
シリカ（アドマテックス社製 ＳＯ－Ｃ６、Ｄ５０ ；２．０μｍ）の含有量を１５重量部に変更したこと以外は、組成物Ｂ１と同様の組成を有する第２保護層３４用の組成物Ｂ９を調製した。
【0173】
［第２保護層用組成物Ｂ１０］
シリカ（アドマテックス社製 ＳＯ－Ｃ６、Ｄ５０ ；２．０μｍ）の含有量を１．５重量部に変更したこと以外は、組成物Ｂ１と同様の組成を有する第２保護層３４用の組成物Ｂ１０を調製した。
シリカ（アドマテックス社製 ＳＯ－Ｃ６、Ｄ５０ ；２．０μｍ）の含有量を１．５重量部に変更したこと以外は、組成物Ｂ１と同様の組成を有する第２保護層３４用の組成物Ｂ１０を調製した。
【0174】
［第３保護層用組成物Ｃ１］
以下の組成を有する第３保護層３６用の組成物Ｃ１を調製した。
ポリウレタン樹脂（酸価：５ｍｇＫＯＨ／ｇ、重量平均分子量：５４，０００、Ｔｇ：－７℃、トーヨーケム製） １００重量部
エポキシ化合物（日鉄ケミカル＆マテリアル社製 ＹＤＦ－１７０） ２０重量部
シリカ（アドマテックス社製 ＳＯ－Ｃ６、Ｄ５０ ；２．０μｍ） １３．６重量部 溶媒（メチルエチルケトン） ２０重量部
［第３保護層用組成物Ｃ２］
シリカを全く追加しないこと以外は、組成物Ｃ１と同様の組成を有する第３保護層３６用の組成物Ｃ２を調製した。
［第３保護層用組成物Ｃ３］
シリカ（アドマテックス社製 ＳＯ－Ｃ６、Ｄ５０ ；２．０μｍ）の含有量を１．５重量部に変更したこと以外は、組成物Ｃ１と同様の組成を有する第３保護層３６用の組成物Ｃ３を調製した。
［第３保護層用組成物Ｃ４］
シリカ（アドマテックス社製 ＳＯ－Ｃ６、Ｄ５０ ；２．０μｍ）の含有量を２０重量部に変更したこと以外は、組成物Ｃ１と同様の組成を有する第３保護層３６用の組成物Ｃ４を調製した。
［第３保護層用組成物Ｃ５］
シリカ（アドマテックス社製 ＳＯ－Ｃ６、Ｄ５０ ；２．０μｍ）の含有量を１５重量部に変更したこと以外は、組成物Ｃ１と同様の組成を有する第３保護層３６用の組成物Ｃ５を調製した。
［第３保護層用組成物Ｃ６］
シリカ（アドマテックス社製 ＳＯ－Ｃ６、Ｄ５０ ；２．０μｍ）の含有量を５５重量部に変更したこと以外は、組成物Ｃ１と同様の組成を有する第３保護層３６用の組成物Ｃ６を調製した。
以下の組成を有する第３保護層３６用の組成物Ｃ１を調製した。
ポリウレタン樹脂（酸価：５ｍｇＫＯＨ／ｇ、重量平均分子量：５４，０００、Ｔｇ：－７℃、トーヨーケム製） １００重量部
エポキシ化合物（日鉄ケミカル＆マテリアル社製 ＹＤＦ－１７０） ２０重量部
シリカ（アドマテックス社製 ＳＯ－Ｃ６、Ｄ５０ ；２．０μｍ） １３．６重量部 溶媒（メチルエチルケトン） ２０重量部
［第３保護層用組成物Ｃ２］
シリカを全く追加しないこと以外は、組成物Ｃ１と同様の組成を有する第３保護層３６用の組成物Ｃ２を調製した。
［第３保護層用組成物Ｃ３］
シリカ（アドマテックス社製 ＳＯ－Ｃ６、Ｄ５０ ；２．０μｍ）の含有量を１．５重量部に変更したこと以外は、組成物Ｃ１と同様の組成を有する第３保護層３６用の組成物Ｃ３を調製した。
［第３保護層用組成物Ｃ４］
シリカ（アドマテックス社製 ＳＯ－Ｃ６、Ｄ５０ ；２．０μｍ）の含有量を２０重量部に変更したこと以外は、組成物Ｃ１と同様の組成を有する第３保護層３６用の組成物Ｃ４を調製した。
［第３保護層用組成物Ｃ５］
シリカ（アドマテックス社製 ＳＯ－Ｃ６、Ｄ５０ ；２．０μｍ）の含有量を１５重量部に変更したこと以外は、組成物Ｃ１と同様の組成を有する第３保護層３６用の組成物Ｃ５を調製した。
［第３保護層用組成物Ｃ６］
シリカ（アドマテックス社製 ＳＯ－Ｃ６、Ｄ５０ ；２．０μｍ）の含有量を５５重量部に変更したこと以外は、組成物Ｃ１と同様の組成を有する第３保護層３６用の組成物Ｃ６を調製した。
【0175】
［単層Ａ１の製造］
組成物Ａ１を剥離シート上に塗布した。その後、１２０℃で５分加熱し、乾燥及び半硬化を行い、膜厚１５μｍの第１保護層３２に対応する単層Ａ１を形成した。
組成物Ａ１を剥離シート上に塗布した。その後、１２０℃で５分加熱し、乾燥及び半硬化を行い、膜厚１５μｍの第１保護層３２に対応する単層Ａ１を形成した。
【0176】
［単層Ｂ１の製造］
組成物Ｂ１を剥離シートの上に塗布した。その後、１２０℃で５分加熱し、乾燥及び半硬化を行い、膜厚４５μｍの第２保護層３４に対応する単層Ｂ１を形成した。
組成物Ｂ１を剥離シートの上に塗布した。その後、１２０℃で５分加熱し、乾燥及び半硬化を行い、膜厚４５μｍの第２保護層３４に対応する単層Ｂ１を形成した。
【0177】
［単層Ｃ１の製造］
組成物Ｃ１を剥離シート上に塗布した。その後、１２０℃で５分加熱し、乾燥及び半硬化を行い、膜厚６０μｍの第３保護層３６に対応する単層Ｃ１を形成した。
組成物Ｃ１を剥離シート上に塗布した。その後、１２０℃で５分加熱し、乾燥及び半硬化を行い、膜厚６０μｍの第３保護層３６に対応する単層Ｃ１を形成した。
【0178】
［保護シートＨ１の製造］
組成物Ａ１を剥離シート上に塗布した。その後、１２０℃で５分加熱し、乾燥及び半硬化を行い、膜厚１５μｍの第１保護層３２を形成した。第１保護層３２上に組成物Ｃ１を塗布した。その後、１２０℃で５分加熱し、乾燥及び半硬化を行い、膜厚６０μｍの第３保護層３６を形成した。その後、組成物Ｂ１を第３保護層３６上に塗布した。その後、１２０℃で５分加熱し、乾燥及び半硬化を行い、膜厚４５μｍの第２保護層３４を形成した。このように、第１保護層３２、第３保護層３６及び第２保護層３４からなる保護シートＨ１を形成した。
組成物Ａ１を剥離シート上に塗布した。その後、１２０℃で５分加熱し、乾燥及び半硬化を行い、膜厚１５μｍの第１保護層３２を形成した。第１保護層３２上に組成物Ｃ１を塗布した。その後、１２０℃で５分加熱し、乾燥及び半硬化を行い、膜厚６０μｍの第３保護層３６を形成した。その後、組成物Ｂ１を第３保護層３６上に塗布した。その後、１２０℃で５分加熱し、乾燥及び半硬化を行い、膜厚４５μｍの第２保護層３４を形成した。このように、第１保護層３２、第３保護層３６及び第２保護層３４からなる保護シートＨ１を形成した。
【0179】
［保護シートＨ２の製造］
組成物Ｂ１の代わりに組成物Ｂ２を用いたこと以外は保護シートＨ１と同様の方法により保護シートＨ２を製造した。
組成物Ｂ１の代わりに組成物Ｂ２を用いたこと以外は保護シートＨ１と同様の方法により保護シートＨ２を製造した。
【0180】
［保護シートＨ３の製造］
組成物Ｂ１の代わりに組成物Ｂ３を用いたこと以外は保護シートＨ１と同様の方法により保護シートＨ３を製造した。
組成物Ｂ１の代わりに組成物Ｂ３を用いたこと以外は保護シートＨ１と同様の方法により保護シートＨ３を製造した。
【0181】
［保護シートＨ４の製造］
組成物Ｂ１の代わりに組成物Ｂ４を用いたこと以外は保護シートＨ１と同様の方法により保護シートＨ４を製造した。
組成物Ｂ１の代わりに組成物Ｂ４を用いたこと以外は保護シートＨ１と同様の方法により保護シートＨ４を製造した。
【0182】
［保護シートＨ５の製造］
組成物Ｂ１の代わりに組成物Ｂ５を用いたこと以外は保護シートＨ１と同様の方法により保護シートＨ５を製造した。
組成物Ｂ１の代わりに組成物Ｂ５を用いたこと以外は保護シートＨ１と同様の方法により保護シートＨ５を製造した。
【0183】
［保護シートＨ６の製造］
組成物Ｂ１の代わりに組成物Ｂ６を用いたこと以外は保護シートＨ１と同様の方法により保護シートＨ６を製造した。
組成物Ｂ１の代わりに組成物Ｂ６を用いたこと以外は保護シートＨ１と同様の方法により保護シートＨ６を製造した。
【0184】
［保護シートＨ７の製造］
組成物Ａ１の代わりに組成物Ａ５を用い、組成物Ｂ１の代わりに組成物Ｂ７を用い、組成物Ｃ１の代わりに組成物Ｃ６を用いたこと以外は保護シートＨ１と同様の方法により保護シートＨ７を製造した。
組成物Ａ１の代わりに組成物Ａ５を用い、組成物Ｂ１の代わりに組成物Ｂ７を用い、組成物Ｃ１の代わりに組成物Ｃ６を用いたこと以外は保護シートＨ１と同様の方法により保護シートＨ７を製造した。
【0185】
［保護シートＨ８の製造］
組成物Ａ１の代わりに組成物Ａ２を用いたこと以外は保護シートＨ１と同様の方法により保護シートＨ８を製造した。
組成物Ａ１の代わりに組成物Ａ２を用いたこと以外は保護シートＨ１と同様の方法により保護シートＨ８を製造した。
【0186】
［保護シートＨ９の製造］
組成物Ａ１の代わりに組成物Ａ３を用いたこと以外は保護シートＨ１と同様の方法により保護シートＨ９を製造した。
組成物Ａ１の代わりに組成物Ａ３を用いたこと以外は保護シートＨ１と同様の方法により保護シートＨ９を製造した。
【0187】
［保護シートＨ１０の製造］
組成物Ａ１の代わりに組成物Ａ４を用いたこと以外は保護シートＨ１と同様の方法により保護シートＨ１０を製造した。
組成物Ａ１の代わりに組成物Ａ４を用いたこと以外は保護シートＨ１と同様の方法により保護シートＨ１０を製造した。
【0188】
［保護シートＨ１１の製造］
組成物Ｂ１の代わりに組成物Ｂ４を用い、組成物Ｃ１の代わりに組成物Ｃ２を用いたこと以外は保護シートＨ１と同様の方法により保護シートＨ１１を製造した。
組成物Ｂ１の代わりに組成物Ｂ４を用い、組成物Ｃ１の代わりに組成物Ｃ２を用いたこと以外は保護シートＨ１と同様の方法により保護シートＨ１１を製造した。
【0189】
［保護シートＨ１２の製造］
組成物Ａ１の代わりに組成物Ａ６を用い、組成物Ｂ１の代わりに組成物Ｂ１０を用い、組成物Ｃ１の代わりに組成物Ｃ３を用いたこと以外は保護シートＨ１と同様の方法により保護シートＨ１２を製造した。
組成物Ａ１の代わりに組成物Ａ６を用い、組成物Ｂ１の代わりに組成物Ｂ１０を用い、組成物Ｃ１の代わりに組成物Ｃ３を用いたこと以外は保護シートＨ１と同様の方法により保護シートＨ１２を製造した。
【0190】
［保護シートＨ１３の製造］
組成物Ａ１の代わりに組成物Ａ７を用い、組成物Ｂ１の代わりに組成物Ｂ８を用い、組成物Ｃ１の代わりに組成物Ｃ４を用いたこと以外は保護シートＨ１と同様の方法により保護シートＨ１３を製造した。
組成物Ａ１の代わりに組成物Ａ７を用い、組成物Ｂ１の代わりに組成物Ｂ８を用い、組成物Ｃ１の代わりに組成物Ｃ４を用いたこと以外は保護シートＨ１と同様の方法により保護シートＨ１３を製造した。
【0191】
［保護シートＨ１４の製造］
組成物Ａ１の代わりに組成物Ａ４を用い、組成物Ｂ１の代わりに組成物Ｂ９を用い、組成物Ｃ１の代わりに組成物Ｃ５を用いたこと以外は保護シートＨ１と同様の方法により保護シートＨ１４を製造した。
組成物Ａ１の代わりに組成物Ａ４を用い、組成物Ｂ１の代わりに組成物Ｂ９を用い、組成物Ｃ１の代わりに組成物Ｃ５を用いたこと以外は保護シートＨ１と同様の方法により保護シートＨ１４を製造した。
【0192】
単層Ａ１～Ａ７、単層Ｂ１～Ｂ１０、単層Ｃ１～Ｃ６、及び、保護シートＨ１～Ｈ１４に対して以下の試験・評価を行った。
【0193】
［ガラス転移温度］
各層のガラス転移温度を測定したところ、
単層Ａ１：４２℃
単層Ｂ１：２２℃
単層Ｃ１：２７℃
であった。
各層のガラス転移温度を測定したところ、
単層Ａ１：４２℃
単層Ｂ１：２２℃
単層Ｃ１：２７℃
であった。
【0194】
［フロー長さ］
単層Ａ１～Ｃ１及び保護シートＨ１～Ｈ１４の各々の片面にポリイミドフィルム（Ｃａｐｔｏｎ５００Ｈ）に９０℃の加熱条件で２ｍ／分の速度でラミネートし、０．５ｃｍ×１ｃｍの長方形に打ち抜く。ラミネート後に剥離シートを剥がし、ポリイミドフィルム（Ｃａｐｔｏｎ５００Ｈ）に載せる。これにより単層Ａ１～Ｃ１及び保護シートＨ１～Ｈ１４の各々は、２枚のポリイミドフィルムに挟み込まれた形状となる。
単層Ａ１～Ｃ１及び保護シートＨ１～Ｈ１４の各々の片面にポリイミドフィルム（Ｃａｐｔｏｎ５００Ｈ）に９０℃の加熱条件で２ｍ／分の速度でラミネートし、０．５ｃｍ×１ｃｍの長方形に打ち抜く。ラミネート後に剥離シートを剥がし、ポリイミドフィルム（Ｃａｐｔｏｎ５００Ｈ）に載せる。これにより単層Ａ１～Ｃ１及び保護シートＨ１～Ｈ１４の各々は、２枚のポリイミドフィルムに挟み込まれた形状となる。
【0195】
ポリイミドフィルムで挟んだ単層Ａ１～Ｃ１及び保護シートＨ１～Ｈ１４の各々に耐熱離型フィルム（オピュラン ＣＲ１０１２ＭＴ４ １５０μｍ、三井化学東セロ製）を１枚乗せ、これらをゴム硬度７０度（ＪＩＳ Ｋ ６２５３ Ａ、ＴＥＣＬＯＣＫ ゴム・プラスチック硬度計（デュロメーター） ＧＳ－７１９Ｎにて測定）のシリコンラバーで挟み、１８０℃の加熱条件で、１ＭＰａで５分間押圧する。溶融してポリイミドフィルムの各辺からフローした部分のうち最もフローしている部分の長さを算出し、４辺の平均をフロー長（μｍ）として測定した。単層Ａ１～Ｃ１及び保護シートＨ１～Ｈ１４のそれぞれについて４枚のサンプルを作成して、フロー長（μｍ）の平均を測定した。また、測定したフロー長さ（μｍ）の平均及び膜厚（μｍ）に基づき、指数Ｘ、Ｚ、Ｙ、Ｗを算出した。
【0196】
［冷熱サイクル］
（試験個片の作製）
ガラスエポキシからなる基板上に、モールド封止された電子部品（１０００μｍ×１０００μｍ）を５×５個アレイ状に搭載した基板を用意した。基板の厚みは０．３ｍｍであり、モールド封止厚、即ち基板上面からモールド封止材の頂面までの高さ（部品高さ）Ｈは０．７ｍｍである。その後、部品同士の間隙である溝に添ってハーフダイシングを行い、試験基板を得た。ハーフカット溝深さは０．８ｍｍ（基板２０のカット溝深さは０．１ｍｍ）、ハーフカット溝幅は２００μｍとした。前記試験基板に、保護シートＨ１～Ｈ１４を８ＭＰａ、１７０℃の条件で５分間熱圧着し、クッション材を手で剥離した。その後、得られた電子部品搭載基板をハーフカット溝に沿ってフルダイシングを行うことにより、各保護シートにつき２５個の試験個片を得た。
得られた試験個片を冷熱衝撃装置（「ＴＳＥ‐１１‐Ａ」、エスペック社製）に投入し、高温さらし：１２５℃、１５分、低温さらし：－５０℃、１５分の曝露条件にて交互曝露を１０００回実施した。その後、試験個片を取出し、電子部品保護層の外観を観察し、破損した試験個片数を数え、以下の基準によって評価した。試験個数は各例についてそれぞれ１０個とした。
＋＋＋：破損した試験個片数が０個であった。
＋＋：破損した試験個片数が１個以上、２個以下。
＋：破損した試験個片数が３個以上、５個以下。（実用レベル）
ＮＧ：破損した試験個片数が６個以上。
（試験個片の作製）
ガラスエポキシからなる基板上に、モールド封止された電子部品（１０００μｍ×１０００μｍ）を５×５個アレイ状に搭載した基板を用意した。基板の厚みは０．３ｍｍであり、モールド封止厚、即ち基板上面からモールド封止材の頂面までの高さ（部品高さ）Ｈは０．７ｍｍである。その後、部品同士の間隙である溝に添ってハーフダイシングを行い、試験基板を得た。ハーフカット溝深さは０．８ｍｍ（基板２０のカット溝深さは０．１ｍｍ）、ハーフカット溝幅は２００μｍとした。前記試験基板に、保護シートＨ１～Ｈ１４を８ＭＰａ、１７０℃の条件で５分間熱圧着し、クッション材を手で剥離した。その後、得られた電子部品搭載基板をハーフカット溝に沿ってフルダイシングを行うことにより、各保護シートにつき２５個の試験個片を得た。
得られた試験個片を冷熱衝撃装置（「ＴＳＥ‐１１‐Ａ」、エスペック社製）に投入し、高温さらし：１２５℃、１５分、低温さらし：－５０℃、１５分の曝露条件にて交互曝露を１０００回実施した。その後、試験個片を取出し、電子部品保護層の外観を観察し、破損した試験個片数を数え、以下の基準によって評価した。試験個数は各例についてそれぞれ１０個とした。
＋＋＋：破損した試験個片数が０個であった。
＋＋：破損した試験個片数が１個以上、２個以下。
＋：破損した試験個片数が３個以上、５個以下。（実用レベル）
ＮＧ：破損した試験個片数が６個以上。
【表1A】
【表1B】
【表1C】
【表2A】
【表2B】
【0197】
［プローブタック試験］
保護シートＨ１～Ｈ１０を用いてプローブタック試験を行った。第十七改正日本薬局方 一般試験法 ６．製剤試験法 ６．１２粘着力試験法 ３．４プローブタック試験法に則り２ｃｍ角以上に保護シートＨ１～Ｈ１０を切り試験を行った。また、試験は、ウェイトリングにシートを貼り、その上に合計２００ｇの重りを乗せることで荷重を加えて行った。試験はＮ＝４で行い、その平均を結果とした。結果を以下に示す。
保護シートＨ１～Ｈ１０を用いてプローブタック試験を行った。第十七改正日本薬局方 一般試験法 ６．製剤試験法 ６．１２粘着力試験法 ３．４プローブタック試験法に則り２ｃｍ角以上に保護シートＨ１～Ｈ１０を切り試験を行った。また、試験は、ウェイトリングにシートを貼り、その上に合計２００ｇの重りを乗せることで荷重を加えて行った。試験はＮ＝４で行い、その平均を結果とした。結果を以下に示す。
【表3A】
【表3B】
【0198】
図示するように第１保護層３２側（第１面側）では、ほとんどタック性がないことが示された。一方で、第２保護層３４側（第２面側）では、フィラー（シリカ）の量に応じて、タック性が高まることが示された。
【0199】
［電子デバイスパッケージの製造］
バンプにより回路基板と接続されるＩＣチップと８角形のインダクタとを搭載した実装基板を用意し、第１保護層側を回路基板側に向かい合わせて、保護シートＨ１を１８０℃、１ＭＰａの条件で５分間熱圧着を行い、保護層を有する電子デバイスパッケージＰ１を製造した。同様の方法で保護シートＨ２～Ｈ１４から電子デバイスパッケージＰ２～Ｐ１４を製造した。電子デバイスパッケージＰ１～Ｐ１４のうちＰ７、Ｐ１１及びＰ１３以外のもの（指数Ｘ＝０．５～２．０を満たす）は、いずれの保護層も、バンプの側面、インダクタの側面、ＩＣチップの上角部のいずれにも１５μｍ以上の膜厚で形成されており、十分な絶縁保護機能を奏することが確認された。ただし、Ｐ１１（指数Ｘ＞２．０）においては、保護層の流動性が高すぎて膜厚が薄くなる部分が生じていた。また、Ｐ７及びＰ１３（指数Ｘ＜０．５）においては保護層の流動性が低すぎて保護層が行きわたらない部分が生じていた。また、フィラー量が１０重量部以上となるＨ３、Ｈ７，Ｈ１０、Ｈ１３及びＨ１４に係る保護シートは、冷熱サイクル試験の結果が他のものよりも劣っていた。
バンプにより回路基板と接続されるＩＣチップと８角形のインダクタとを搭載した実装基板を用意し、第１保護層側を回路基板側に向かい合わせて、保護シートＨ１を１８０℃、１ＭＰａの条件で５分間熱圧着を行い、保護層を有する電子デバイスパッケージＰ１を製造した。同様の方法で保護シートＨ２～Ｈ１４から電子デバイスパッケージＰ２～Ｐ１４を製造した。電子デバイスパッケージＰ１～Ｐ１４のうちＰ７、Ｐ１１及びＰ１３以外のもの（指数Ｘ＝０．５～２．０を満たす）は、いずれの保護層も、バンプの側面、インダクタの側面、ＩＣチップの上角部のいずれにも１５μｍ以上の膜厚で形成されており、十分な絶縁保護機能を奏することが確認された。ただし、Ｐ１１（指数Ｘ＞２．０）においては、保護層の流動性が高すぎて膜厚が薄くなる部分が生じていた。また、Ｐ７及びＰ１３（指数Ｘ＜０．５）においては保護層の流動性が低すぎて保護層が行きわたらない部分が生じていた。また、フィラー量が１０重量部以上となるＨ３、Ｈ７，Ｈ１０、Ｈ１３及びＨ１４に係る保護シートは、冷熱サイクル試験の結果が他のものよりも劣っていた。
【0200】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。そのような変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、請求の範囲の記載から明らかである。
【0201】
請求の範囲、明細書、および図面中において示した方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先だって」等と明示しておらず、また、前の処理の結果生じたものを後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。
【符号の説明】
【0202】
１０ 回路基板
１２ 実装基板
２０ 電子デバイス
２２ 電子デバイス
２４ 接続部材
３０ 保護層
３５ ポリイミドフィルム
３２ 第１保護層
３４ 第２保護層
３６ 第３保護層
３８ 保護シート
４０ 導電層
４２ 剥離シート
４４ 金属材料層
４６ 金属含有シート
１００ 電子デバイスパッケージ
１２ 実装基板
２０ 電子デバイス
２２ 電子デバイス
２４ 接続部材
３０ 保護層
３５ ポリイミドフィルム
３２ 第１保護層
３４ 第２保護層
３６ 第３保護層
３８ 保護シート
４０ 導電層
４２ 剥離シート
４４ 金属材料層
４６ 金属含有シート
１００ 電子デバイスパッケージ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】