特許 7609339 検査装置および半導体装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B1)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-12-23

(45)【発行日】2025-01-07

(54)【発明の名称】検査装置および半導体装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   G01R 1/06 20060101AFI20241224BHJP

   G01R 31/26 20200101ALI20241224BHJP

【ＦＩ】

G01R1/06 F

G01R31/26 F

【請求項の数】 18

(21)【出願番号】P 2024549639

(86)(22)【出願日】2024-05-24

(86)【国際出願番号】 JP2024019206

【審査請求日】2024-08-22

(73)【特許権者】

【識別番号】000006013

【氏名又は名称】三菱電機株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110003199

【氏名又は名称】弁理士法人高田・高橋国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】宮越 亮輔

(72)【発明者】

【氏名】合田 青陽

(72)【発明者】

【氏名】蔵本 恭介

(72)【発明者】

【氏名】勝見 駿斗

【審査官】永井 皓喜

(56)【参考文献】

【文献】特開２００５－１３４４２１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００５－２９４４４９（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１３／１７９４７１（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１１－１９６７９１（ＪＰ，Ａ）

【文献】韓国登録特許第１０－１７１６９６９（ＫＲ，Ｂ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０１Ｒ １／０６

Ｇ０１Ｒ ３１／２６

Ｇ０１Ｒ ３１／２８

Ｈ０１Ｌ ２１／６６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

柱状であり、少なくとも側面の一部が導電体で形成され、測定対象の上を転がって移動して、前記側面の前記導電体が前記測定対象の電極と接触するように構成されたプローブと、
前記導電体と電気的に接続され、前記プローブに電流を供給するように構成された配線と、
を備え、
前記プローブには、前記プローブの軸方向に延びる穴が形成され、
前記配線は、前記穴に挿入されて前記導電体と電気的に接続される挿入部と、前記挿入部から前記プローブの外側に延びる導電軸と、を有し、
前記導電軸は伸縮可能であることを特徴とする検査装置。

【請求項2】

柱状であり、少なくとも側面の一部が導電体で形成され、測定対象の上を転がって移動して、前記側面の前記導電体が前記測定対象の電極と接触するように構成されたプローブと、
前記導電体と電気的に接続され、前記プローブに電流を供給するように構成された配線と、
を備え、
前記プローブには、前記プローブの軸方向に延びる穴が形成され、
前記配線は、前記穴に挿入されて前記導電体と電気的に接続される挿入部と、前記挿入部から前記プローブの外側に延びる導電軸と、を有し、
前記挿入部の断面形状、および前記穴の断面形状は多角形であることを特徴とする検査装置。

【請求項3】

柱状であり、少なくとも側面の一部が導電体で形成され、測定対象の上を転がって移動して、前記側面の前記導電体が前記測定対象の電極と接触するように構成されたプローブと、
前記導電体と電気的に接続され、前記プローブに電流を供給するように構成された配線と、
を備え、
前記プローブには、前記プローブの軸方向に延びる穴が形成され、
前記配線は、前記穴に挿入されて前記導電体と電気的に接続される挿入部と、前記挿入部から前記プローブの外側に延びる導電軸と、を有し、
前記挿入部の側面には凹凸が設けられていることを特徴とする検査装置。

【請求項4】

前記プローブは、前記導電軸が移動することで前記電極の上を転がるように構成されていることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の検査装置。

【請求項5】

柱状であり、少なくとも側面の一部が導電体で形成され、測定対象の上を転がって移動して、前記側面の前記導電体が前記測定対象の電極と接触するように構成されたプローブと、
前記導電体と電気的に接続され、前記プローブに電流を供給するように構成された配線と、
前記電極の上に設けられ、前記電極を露出させる第１スリットが形成されたカバーと、
を備え、
前記第１スリットは、前記プローブが前記第１スリットを介して前記電極と接触可能な形状であることを特徴とする検査装置。

【請求項6】

前記プローブは軸方向からみて多角形であり、
前記第１スリットは、前記多角形に対応する形状であることを特徴とする請求項５に記載の検査装置。

【請求項7】

前記プローブには、前記プローブの軸方向に延びる穴が形成され、
前記配線は、
前記穴に挿入されて前記導電体と電気的に接続される挿入部と、
前記挿入部から前記プローブの外側に延びる導電軸と、
を有することを特徴とする請求項５または６に記載の検査装置。

【請求項8】

前記プローブは、前記導電軸が移動することで前記電極の上を転がるように構成されていることを特徴とする請求項７に記載の検査装置。

【請求項9】

柱状であり、少なくとも側面の一部が導電体で形成され、測定対象の上を転がって移動して、前記側面の前記導電体が前記測定対象の電極と接触するように構成されたプローブと、
前記導電体と電気的に接続され、前記プローブに電流を供給するように構成された配線と、
を備え、
前記プローブには、前記側面の全周にわたって第２スリットが形成され、
前記配線は、
前記プローブが挿入された状態で前記第２スリットに配置される環状部と、
前記環状部から延びる導電軸と、
を有することを特徴とする検査装置。

【請求項10】

前記プローブは、前記導電軸が移動することで前記電極の上を転がるように構成されていることを特徴とする請求項９に記載の検査装置。

【請求項11】

前記測定対象のうち前記プローブの軸方向の両側に設けられ、前記プローブをガイドするガイド部を備えることを特徴とする請求項９または１０に記載の検査装置。

【請求項12】

前記ガイド部には、前記測定対象であるレーザの光出射部に対応する位置に切り欠きが形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の検査装置。

【請求項13】

前記プローブは、柱状の回転体と、前記回転体の側面を覆う前記導電体と、を有し、
前記導電体は、交換可能に設けられていることを特徴とする請求項９または１０に記載の検査装置。

【請求項14】

前記プローブは、円柱型または角柱型であることを特徴とする請求項１、２、３、５、６、９、１０の何れか１項に記載の検査装置。

【請求項15】

前記プローブの軸方向の長さは、前記測定対象であるレーザの出射光と干渉しないように設定されていることを特徴とする請求項１、２、３、５、６、９、１０の何れか１項に記載の検査装置。

【請求項16】

前記プローブと前記配線は着脱可能に設けられていることを特徴とする請求項１、２、３、５、６、９、１０の何れか１項に記載の検査装置。

【請求項17】

柱状であり、少なくとも側面の一部が導電体で形成されたプローブの前記側面を、ＬＤチップである半導体装置と接触させ、
前記プローブの前記側面と前記半導体装置とが接触した状態で、前記半導体装置の上で、前記ＬＤチップのレーザ光軸と交わる方向に前記プローブを転がして移動させて、前記側面の前記導電体を前記半導体装置の電極と接触させ、
前記導電体を前記電極と接触させた状態で、前記半導体装置の検査を行い、
前記プローブには、前記プローブの軸方向に延びる穴が形成され、
前記プローブに電流を供給するように構成された配線は、前記穴に挿入されて前記導電体と電気的に接続される挿入部と、前記挿入部から前記プローブの外側に延びる導電軸と、を有し、
前記導電軸は伸縮可能であることを特徴とする半導体装置の製造方法。

【請求項18】

複数の前記半導体装置を前記プローブの移動方向に並べ、
前記移動方向に並んだ前記複数の前記半導体装置にわたって、前記プローブを転がして移動させて、前記複数の半導体装置の検査を行うことを特徴とする請求項１７に記載の半導体装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示はプローブ、検査装置および半導体装置の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、相手側電極に対して電圧印加または電流測定等によって電気的処理を行うために相手側電極に電気的に接触する面接触プローブが開示されている。面接触プローブは、導電性を有したプローブ支持体と、プローブ支持体に一体的に設けられた弾性層と、少なくとも弾性層の表面に設けられて相手側電極に電気的に接触される導電層とを備える。プローブ支持体が帯状に構成され、弾性層が中空の凸状に構成される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１１－１９６７９１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

一般にＬＤ（Ｌａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ）の検査装置では、各ＬＤチップをピックアップし検査ステージに置き、ＬＤチップ上面の電極にプローブ針を押し当てて検査を実施する。このような検査装置では、検査回数の増加に伴いプローブ針の先端が変形および摩耗することで、コンタクト不良が発生することがある。また、同一サンプルを複数回検査する際、電極面に凹凸が生じ、この凹凸が外観不良およびコンタクト不良の原因となることがある。

【0005】

プローブ先端形状の変更で摩耗による劣化を抑制できる。しかし、プローブ先端および電極の形状によっては、プローブと電極の接触面積が小さくなり、接触抵抗の増大が懸念される。特許文献１のプローブでは、支持体に半円形の弾性層を設置し、弾性層に金属皮膜を成膜することで、コンタクト時の電極の損傷を低減している。一方でチップを検査する際にはプローブを昇降させ、チップからチップへ移動させる必要がある。このため、プローブの昇降のための時間が必要となる。

【0006】

本開示は、検査時間を短縮できるプローブ、検査装置および半導体装置の製造方法を得ることを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本開示に係る検査装置は、柱状であり、少なくとも側面の一部が導電体で形成され、測定対象の上を転がって移動して、前記側面の前記導電体が前記測定対象の電極と接触するように構成されたプローブと、前記導電体と電気的に接続され、前記プローブに電流を供給するように構成された配線と、を備え、前記プローブには、前記プローブの軸方向に延びる穴が形成され、前記配線は、前記穴に挿入されて前記導電体と電気的に接続される挿入部と、前記挿入部から前記プローブの外側に延びる導電軸と、を有し、前記導電軸は伸縮可能であることを特徴とする。
本開示に係る検査装置は、柱状であり、少なくとも側面の一部が導電体で形成され、測定対象の上を転がって移動して、前記側面の前記導電体が前記測定対象の電極と接触するように構成されたプローブと、前記導電体と電気的に接続され、前記プローブに電流を供給するように構成された配線と、を備え、前記プローブには、前記プローブの軸方向に延びる穴が形成され、前記配線は、前記穴に挿入されて前記導電体と電気的に接続される挿入部と、前記挿入部から前記プローブの外側に延びる導電軸と、を有し、前記挿入部の断面形状、および前記穴の断面形状は多角形であることを特徴とする。
本開示に係る検査装置は、柱状であり、少なくとも側面の一部が導電体で形成され、測定対象の上を転がって移動して、前記側面の前記導電体が前記測定対象の電極と接触するように構成されたプローブと、前記導電体と電気的に接続され、前記プローブに電流を供給するように構成された配線と、を備え、前記プローブには、前記プローブの軸方向に延びる穴が形成され、前記配線は、前記穴に挿入されて前記導電体と電気的に接続される挿入部と、前記挿入部から前記プローブの外側に延びる導電軸と、を有し、前記挿入部の側面には凹凸が設けられていることを特徴とする。
本開示に係る検査装置は、柱状であり、少なくとも側面の一部が導電体で形成され、測定対象の上を転がって移動して、前記側面の前記導電体が前記測定対象の電極と接触するように構成されたプローブと、前記導電体と電気的に接続され、前記プローブに電流を供給するように構成された配線と、前記電極の上に設けられ、前記電極を露出させる第１スリットが形成されたカバーと、を備え、前記第１スリットは、前記プローブが前記第１スリットを介して前記電極と接触可能な形状であることを特徴とする。
本開示に係る検査装置は、柱状であり、少なくとも側面の一部が導電体で形成され、測定対象の上を転がって移動して、前記側面の前記導電体が前記測定対象の電極と接触するように構成されたプローブと、前記導電体と電気的に接続され、前記プローブに電流を供給するように構成された配線と、を備え、前記プローブには、前記側面の全周にわたって第２スリットが形成され、前記配線は、前記プローブが挿入された状態で前記第２スリットに配置される環状部と、前記環状部から延びる導電軸と、を有することを特徴とする。

【0008】

本開示に係る半導体装置の製造方法は、柱状であり、少なくとも側面の一部が導電体で形成されたプローブの前記側面を、ＬＤチップである半導体装置と接触させ、前記プローブの前記側面と前記半導体装置とが接触した状態で、前記半導体装置の上で、前記ＬＤチップのレーザ光軸と交わる方向に前記プローブを転がして移動させて、前記側面の前記導電体を前記半導体装置の電極と接触させ、前記導電体を前記電極と接触させた状態で、前記半導体装置の検査を行い、前記プローブには、前記プローブの軸方向に延びる穴が形成され、前記プローブに電流を供給するように構成された配線は、前記穴に挿入されて前記導電体と電気的に接続される挿入部と、前記挿入部から前記プローブの外側に延びる導電軸と、を有し、前記導電軸は伸縮可能であることを特徴とする。

【発明の効果】

【0009】

本開示に係るプローブおよび半導体装置の製造方法では、プローブが測定対象の上を転がって移動して、プローブ側面の導電体が測定対象の電極と接触する。このため、次のチップへの移動の際にプローブの昇降が必要ない。従って、検査時間を短縮できる。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】実施の形態１に係る検査装置の斜視図である。

【図2】実施の形態１に係るプローブの断面図である。

【図3】実施の形態１に係るプローブの側面図である。

【図4】実施の形態１に係る導電軸の構造を説明する図である。

【図5】実施の形態１に係るプローブの動作を説明する正面図である。

【図6】実施の形態１に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。

【図7】実施の形態１に係るプローブと出射光の関係を説明する平面図である。

【図8】実施の形態１に係るプローブとＰＤの動作を説明する平面図である。

【図9】実施の形態１の変形例に係る検査ステージの動作を説明する平面図である。

【図10A】実施の形態１に係るプローブの断面の例を示す図である。

【図10B】実施の形態１に係るプローブの断面の例を示す図である。

【図11】実施の形態２に係る検査装置の斜視図である。

【図12】実施の形態２に係るプローブの動作を説明する正面図である。

【図13】実施の形態２に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。

【図14】実施の形態３に係る検査装置の断面図である。

【図15】実施の形態４に係る検査装置の斜視図である。

【図16】実施の形態４に係るプローブの側面図である。

【図17】実施の形態４に係るプローブの動作を説明する正面図である。

【図18A】実施の形態４に係るガイドの機能を説明する図である。

【図18B】実施の形態４に係るガイドの機能を説明する図である。

【図19A】実施の形態４に係るガイドの機能を説明する図である。

【図19B】実施の形態４に係るガイドの機能を説明する図である。

【図20】実施の形態５に係る検査装置の斜視図である。

【図21】実施の形態５に係るプローブの断面図である。

【図22】実施の形態５に係るプローブの側面図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

各実施の形態に係るプローブ、検査装置および半導体装置の製造方法について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。

【0012】

実施の形態１．
図１は、実施の形態１に係る検査装置１００の斜視図である。検査装置１００は、検査ステージ１０と、プローブ２０と、プローブ２０に電流を供給するように構成された配線３０を備える。検査ステージ１０上には複数の半導体装置５０が並べられる。半導体装置５０は例えばＬＤチップである。検査時には半導体装置５０の上面側の電極５１とプローブ２０が接触し、半導体装置５０の裏面側の電極と検査ステージ１０が接触する。この状態で、電源６０から配線３０、プローブ２０および検査ステージ１０を介して、半導体装置５０に電流が供給され、検査が実施される。このとき、例えば検査ステージ１０がＧＮＤとなる。

【0013】

図２は、実施の形態１に係るプローブ２０の断面図である。プローブ２０は、柱状であり、例えば全体が導電体で形成されている。プローブ２０は例えば円柱型である。また、プローブ２０には、プローブ２０の軸方向に延びる穴２２が形成されている。配線３０は穴２２に挿入されて、プローブ２０と電気的に接続される。プローブ２０は全体が導電体で形成されていなくても良い。少なくともプローブ２０の側面２１の一部が導電体で形成されていれば良く、配線３０は側面２１の導電体と電気的に接続されていれば良い。

【0014】

プローブ２０は、測定対象である半導体装置５０の上を転がって移動して、側面２１の導電体が測定対象の電極５１と接触するように構成されている。プローブ２０は、ローラー型と言っても良い。

【0015】

図３は、実施の形態１に係るプローブ２０の側面図である。配線３０は、プローブ２０の穴２２に挿入されてプローブ２０の側面２１の導電体と電気的に接続される挿入部３２と、挿入部３２からプローブ２０の外側に延びる導電軸３１を有している。プローブ２０の穴２２はプローブ２０を軸方向に貫通している。これに限らず、プローブ２０の穴２２は、プローブ２０の両端面にそれぞれ形成され、プローブ２０を軸方向に貫通していなくても良い。ただし、穴２２の形成プロセスを考慮すると、貫通した穴２２の方が形成位置のズレを抑制し易い。

【0016】

また、プローブ２０と配線３０は着脱可能に設けられても良い。これにより、プローブ２０の劣化または損傷時に、配線３０からプローブ２０を取り外して、プローブ２０のみを交換することができる。例えば、配線３０をプローブ２０の両側に１本ずつ設けることで、図３の矢印に示されるように、配線３０を容易に取り外すことができる。これに限らず、プローブ２０の穴２２が軸方向に貫通している場合には、配線３０はプローブ２０の穴２２を貫通するように１本設けられても良い。

【0017】

導電軸３１は移動機構６１に接続される。移動機構６１は導電軸３１を半導体装置５０の整列方向に沿って移動させるように構成されている。移動機構６１によって導電軸３１が移動することで、プローブ２０は挿入部３２を軸として電極５１の上を転がるように構成されている。

【0018】

図４は、実施の形態１に係る導電軸３１の構造を説明する図である。導電軸３１は伸縮可能であっても良い。例えば導電軸３１は２重構造になっており、図４の矢印に示されるように伸縮する。これにより、図４に示されるようにプローブ２０が傾いて電極５１に片当たりした際に、プローブ２０の傾きを解消する方向に力が働く。従って、電極５１への片当たりを防止することができる。

【0019】

図５は、実施の形態１に係るプローブ２０の動作を説明する正面図である。図６は、実施の形態１に係る半導体装置５０の製造方法を示すフローチャートである。図５、６を用いて、半導体装置５０の検査方法を説明する。まず検査ステージ１０上に複数の半導体装置５０を並べる（ステップ１）。つまり、複数の半導体装置５０をプローブ２０の移動方向に並べる。なお、図５では、複数の半導体装置５０のうち半導体装置５０ａ、５０ｂのみが示されている。

【0020】

次に、プローブ２０を半導体装置５０ａの上方から半導体装置５０ａとコンタクトさせる（ステップ２）。つまり、プローブ２０の側面２１を、半導体装置５０ａの電極５１と接触させる。この際、例えば側面２１の一部のみが導電体で形成されている場合には、側面２１の導電体が半導体装置５０ａの電極５１と接触するまで、半導体装置５０ａの上でプローブ２０を転がして移動させても良い。

【0021】

次に、プローブ２０と電極５１がコンタクトした状態で、配線３０を介してプローブ２０に電流を供給して半導体装置５０ａの検査を行う（ステップ３）。次に、プローブ２０の側面２１と半導体装置５０ａとが接触した状態で、図５の矢印に示されるように、複数の半導体装置５０の上でプローブ２０を転がして移動させる（ステップ４）。これにより、プローブ２０の側面２１の導電体を隣の半導体装置５０ｂの電極５１と接触させる（ステップ５）。次に、プローブ２０の導電体を電極５１と接触させた状態で、ステップ３と同様に、半導体装置５０ｂの検査を行う（ステップ６）。

【0022】

ステップ４～６を繰り返すことで、検査ステージ１０上に並んだ複数の半導体装置５０を検査することが出来る。つまり、プローブ２０の移動方向に並んだ複数の半導体装置５０にわたって、プローブ２０を転がして移動させて、複数の半導体装置５０の検査を行う。

【0023】

次に、本実施の形態の効果を説明する。本実施の形態によれば、プローブ２０の軸方向の長さの設計により、針状プローブと比較して電極５１との接触面積を増大させることができる。これにより、接触抵抗を低減でき、電極５１への局所的な圧力を低減させ、電極５１の損傷を抑制できる。また、プローブ２０の変形および摩耗を抑制できる。

【0024】

また、プローブ２０が測定対象の上を転がって移動して、プローブ２０の側面２１の導電体が測定対象の電極５１と接触する。このため、次のチップへの移動の際にプローブ２０の昇降が必要ない。従って、検査時間を短縮できる。なお、複数の半導体装置５０は、プローブ２０が転がった際に半導体装置５０間の隙間に落ちない程度に、近い距離に配置されると良い。ＬＤチップである半導体装置５０がバー状態であっても本実施の形態の検査方法を適用することができる。

【0025】

さらに、プローブ２０が配線３０から取り外し可能なため、プローブ２０のみを交換することができる。従って、コストを削減することができる。

【0026】

図７は、実施の形態１に係るプローブ２０と出射光５５の関係を説明する平面図である。プローブ２０の軸方向の長さは、測定対象であるレーザの出射光５５と干渉しないように設定されていても良い。本実施の形態のプローブ２０は容易に長さを変更できる。例えば平面視において、プローブ２０がＬＤチップからはみ出さないように設計されても良い。

【0027】

また、図７に示されるように、プローブ２０は、基本的にはレーザ光軸に対して平行に配置される。これに限らず、出射光５５に干渉しなければプローブ２０はレーザ光軸に対して多少斜めに配置されても良い。また、検査時には、活性層へ負荷低減のために、チップ中央、つまり活性層の直上からプローブ２０の位置をずらしても良い。

【0028】

図８は、実施の形態１に係るプローブ２０とＰＤ（Ｐｈｏｔｏ Ｄｉｏｄｅ）６２の動作を説明する平面図である。検査時には、プローブ２０に電流が供給されることで、ＬＤチップである半導体装置５０から出射光５５が出射される。この出射光５５をＰＤ６２で検出することで検査が行われる。この際、図８の矢印に示されるように、プローブ２０の移動に合わせてＰＤ６２も移動する。これにより、プローブ２０の移動に合わせた検査が可能となる。

【0029】

図９は、実施の形態１の変形例に係る検査ステージ１０の動作を説明する平面図である。プローブ２０とＰＤ６２の位置を固定して、検査ステージ１０を移動させても良い。この場合も、相対的に複数の半導体装置５０の上をプローブ２０が転がって移動すると言える。

【0030】

また、プローブ２０の穴２２および配線３０の挿入部３２の形状は、お互いに確実に接触可能な形状であると良い。図１０Ａ、図１０Ｂは、実施の形態１に係るプローブの断面の例を示す図である。図１０Ａの例では、挿入部３２ａの断面形状、およびプローブ２０ａの穴２２ａの断面形状は八角形である。これに限らず、挿入部３２ａの断面形状、およびプローブ２０ａの穴２２ａの断面形状は多角形であれば良い。図１０Ｂの例では、プローブ２０の穴２２の断面形状は円形であり、挿入部３２ｂの側面には凹凸が設けられている。挿入部３２ｂの断面形状は花びら型であると言っても良い。

【0031】

本実施の形態では、プローブ２０が円柱型の例について説明したが、プローブ２０は半導体装置５０の上を転がって移動可能であれば、断面形状が多角形である角柱型であっても良い。また、配線３０として、プローブ２０の側面２１の導電体と電気的に接続され、プローブ２０に電流を供給可能なあらゆる配線を採用できる。また、本実施の形態では移動機構６１は導電軸３１を介してプローブ２０を回転させ移動させたが、プローブ２０を回転させ移動させる手段は導電軸３１を介したものに限定されない。また、半導体装置５０はレーザでは無くても良い。本実施の形態の測定対象として、上面に電極５１が形成されたあらゆる半導体装置を採用することができる。

【0032】

上述した変形は、以下の実施の形態に係るプローブ、検査装置および半導体装置の製造方法について適宜応用することができる。なお、以下の実施の形態に係るプローブ、検査装置および半導体装置の製造方法については実施の形態１との共通点が多いので、実施の形態１との相違点を中心に説明する。

【0033】

実施の形態２．
図１１は、実施の形態２に係る検査装置２００の斜視図である。検査装置２００は、電極５１の上に設けられ、電極５１を露出させるスリット２４１が形成されたカバー２４０を備える点が実施の形態１の検査装置１００と異なる。スリット２４１は、プローブ２０がスリット２４１を介して電極５１と接触可能な形状である。電流リーク防止のため、カバー２４０は不導体または絶縁体で形成されている。カバー２４０はＬＤ出射光と干渉しない程度の寸法に設計されていると良い。他の構成は検査装置１００の構成と同様である。

【0034】

図１２は、実施の形態２に係るプローブ２０の動作を説明する正面図である。図１３は、実施の形態２に係る半導体装置５０の製造方法を示すフローチャートである。本実施の形態の製造方法は、チップを並べたあと、電極５１上にカバー２４０を配置すること（ステップ１０）が、実施の形態１の製造方法と異なっている。他のステップは実施の形態１のステップと同様である。なお、本実施の形態では、ステップ２、５においてスリット２４１にプローブ２０が嵌ると、検査が開始される（ステップ３、６）。

【0035】

本実施の形態によれば、隣接チップ間の隙間にプローブ２０が落ちることを防止できる。また、プローブ２０が転がった際にカバー２４０のスリット２４１に嵌ることで、電極５１と任意の位置でコンタクトすることができる。また、プローブ２０がＬＤチップからはみ出すことを防止することができる。

【0036】

実施の形態３．
図１４は、実施の形態３に係る検査装置３００の断面図である。検査装置３００は、プローブ３２０と、電極５１を露出させるスリット３４１が形成されたカバー３４０を備える。プローブ３２０は例えば軸方向からみて多角形である。スリット３４１は、プローブ３２０の外形である多角形に対応する形状である。例えばスリット３４１は、図１４に示されるように、プローブ３２０の側面のうち隣接する３つの面が形成する部分が嵌ることが可能な形状である。他の構成は実施の形態２の構成と同様である。図１４の例では、プローブ３２０は軸方向からみて八角形であるが、プローブ３２０はカバー３４０の上を転がることが可能であれば、あらゆる多角形であって良い。

【0037】

本実施の形態によれば、プローブ３２０を多角形にすることで、電極５１との接触面積を増大させることができる。また、カバー３４０のスリット３４１の形状を、プローブ３２０の断面形状と合わせることで、接触面積を確保できる。

【0038】

なお、プローブ３２０の角の数が少ない場合は、転がす際の障害となる可能性がある。このため、プローブ３２０を滑らかに転がるような形状とすると良い。例えば、多角形の角は丸まっていても良い。

【0039】

実施の形態４．
図１５は、実施の形態４に係る検査装置４００の斜視図である。図１６は、実施の形態４に係るプローブ４２０の側面図である。プローブ４２０には、側面４２１の全周にわたってスリット４２３が形成されている。スリット４２３は、例えばプローブ４２０の軸方向の中央を含む位置に形成される。配線４３０は、環状部４３３と、環状部４３３から延びる導電軸４３１とを有している。環状部４３３には、プローブ４２０が挿入される。環状部４３３は、プローブ４２０が挿入された状態でスリット４２３に配置される。

【0040】

プローブ４２０は、少なくとも側面４２１の一部と、環状部４３３が配置されるスリット４２３の底部が導電体で形成されている。側面４２１の導電体と、スリット４２３の底部の導電体は電気的に接続されている。これにより、側面４２１の導電体と配線４３０を電気的に接続することができる。実施の形態１と同様に、プローブ４２０は、導電軸４３１が移動することで電極５１の上を転がるように構成されている。

【0041】

検査装置４００は、測定対象のうちプローブ４２０の軸方向の両側に設けられ、プローブ４２０をガイドするガイド部４４２を備える。ガイド部４４２は、例えば検査ステージ１０に設けられた支持部４４３によって支持されている。図１７は、実施の形態４に係るプローブ４２０の動作を説明する正面図である。本実施の形態では、ステップ３においてプローブ４２０を検査ステージ１０に固定されたガイド部４４２の間に下ろし、電極５１とコンタクトさせる。つまり、プローブ４２０は、ガイド部４４２に挟まれた状態で電極５１とコンタクトする。プローブ４２０は、ガイド部４４２の間を転がって隣の半導体装置５０に移動する。

【0042】

電流リーク防止のため、ガイド部４４２は不導体または絶縁体で形成されている。また、ガイド部４４２には、測定対象であるレーザの光出射部に対応する位置に切り欠き４４４が形成されている。これにより、レーザ出射光とガイド部４４２の干渉を抑制している。

【0043】

図１８Ａ、図１８Ｂ、図１９Ａおよび図１９Ｂは、実施の形態４に係るガイド部４４２の機能を説明する図である。図１８Ａに示されるように、プローブ４２０が半導体装置５０の上面と垂直な方向に傾いた場合にも、図１８Ｂに示されるようにガイド部４４２で傾きを補正できる。また、図１９Ａに示されるように、プローブ４２０が半導体装置５０の上面と平行な方向に傾いた場合にも、図１９Ｂに示されるようにガイド部４４２で傾きを補正できる。このように、ガイド部４４２を設けることで、配線４３０が一か所に設けられる場合にも安定してプローブ４２０を転がすことができる。

【0044】

本実施の形態によれば、実施の形態１と比べて配線４３０の数を減らすことができる。従って、コストを低減させることができる。また、プローブ４２０がガイド部４４２間を転がることで、レーザ光軸に対してプローブ４２０を常に平行に保つことができる。また、ガイド部４４２の切り欠き４４４により、ＬＤ出射光のケラレを抑制できる。

【0045】

なお、本実施の形態の配線４３０についても、プローブ４２０から着脱可能であっても良い。例えば環状部４３３はプローブ４２０から取り外すことが出来ても良い。

【0046】

実施の形態５．
図２０は、実施の形態５に係る検査装置５００の斜視図である。図２１は、実施の形態５に係るプローブ５２０の断面図である。図２２は、実施の形態５に係るプローブ５２０の側面図である。本実施の形態では、プローブ５２０の構成が実施の形態４と異なる。また、図２０の例ではガイド部４４２が設けられていない。これに限らず、本実施の形態においてもガイド部４４２を設けても良い。他の構成は実施の形態４の構成と同様である。

【0047】

プローブ５２０は、柱状の回転体５２４と、回転体５２４の側面を覆う導電体５２５を有している。導電体５２５は、例えば回転体５２４の側面全体を覆う。回転体５２４の材質は限定されない。回転体５２４は、電極５１上を転がるためことが可能なように、電極５１とのコンタクト時に形状を保持できる程度の硬度を有する材質で形成されると良い。回転体５２４は、必要な硬度が確保できれば、ゴム、樹脂等の弾性素材で形成されても良い。

【0048】

導電体５２５は交換可能に設けられている。導電体５２５は、例えば金属薄膜を回転体５２４にラミネートして形成される。または表面コーティングまたは貼り付けにより導電体５２５を形成しても良い。

【0049】

実施の形態４と同様に、プローブ５２０には、側面５２１の全周にわたってスリット５２３が形成されている。配線４３０の環状部４３３に、プローブ５２０が挿入される。環状部５３３は、プローブ５２０が挿入された状態でスリット５２３に配置される。プローブ５２０は、環状部４３３が導電体５２５と接触できるように構成されている。具体的には、導電体５２５を形成する際、スリット５２３両側の側面５２１に加えて、スリット５２３内部にも金属薄膜を形成する。

【0050】

本実施の形態では、回転体５２４を安価な材料で形成し、その周りを導電体５２５で覆う。このような構造によれば、プローブ５２０の表面に損傷、汚れた等が生じた場合に導電体５２５のみを交換すれば良い。このため、コスト低減が期待できる。また、回転体５２４に弾性素材を用いた場合は、電極５１の損傷を抑制できる。

【0051】

各実施の形態で説明した技術的特徴は適宜に組み合わせて用いても良い。

【符号の説明】

【0052】

１０ 検査ステージ、２０ プローブ、２０ａ プローブ、２１ 側面、２２ 穴、２２ａ 穴、３０ 配線、３１ 導電軸、３２ 挿入部、３２ａ 挿入部、３２ｂ 挿入部、５０、５０ａ、５０ｂ 半導体装置、５１ 電極、５５ 出射光、６０ 電源、６１ 移動機構、１００、２００ 検査装置、２４０ カバー、２４１ スリット、３００ 検査装置、３２０ プローブ、３４０ カバー、３４１ スリット、４００ 検査装置、４２０ プローブ、４２１ 側面、４２３ スリット、４３０ 配線、４３１ 導電軸、４３３ 環状部、４４２ ガイド部、４４３ 支持部、４４４ 切り欠き、５００ 検査装置、５２０ プローブ、５２１ 側面、５２３ スリット、５２４ 回転体、５２５ 導電体、５３３ 環状部

【要約】

本開示に係るプローブは、柱状であり、少なくとも側面の一部が導電体で形成され、測定対象の上を転がって移動して、前記側面の前記導電体が前記測定対象の電極と接触するように構成されたことを特徴とする。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10A】

【図10B】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18A】

【図18B】

【図19A】

【図19B】

【図20】

【図21】

【図22】