特許 7611770 基板処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-12-26

(45)【発行日】2025-01-10

(54)【発明の名称】基板処理装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/027 20060101AFI20241227BHJP

   H01L 21/304 20060101ALI20241227BHJP

【ＦＩ】

H01L21/30 572A

H01L21/30 572B

H01L21/304 645D

H01L21/304 648G

H01L21/304 648L

H01L21/304 648A

【請求項の数】 6

(21)【出願番号】P 2021091125

(22)【出願日】2021-05-31

(65)【公開番号】P2022183684

(43)【公開日】2022-12-13

【審査請求日】2023-12-18

(73)【特許権者】

【識別番号】000207551

【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス

(74)【代理人】

【識別番号】100093056

【弁理士】

【氏名又は名称】杉谷 勉

(74)【代理人】

【識別番号】100142930

【弁理士】

【氏名又は名称】戸高 弘幸

(74)【代理人】

【識別番号】100175020

【弁理士】

【氏名又は名称】杉谷 知彦

(74)【代理人】

【識別番号】100180596

【弁理士】

【氏名又は名称】栗原 要

(74)【代理人】

【識別番号】100195349

【弁理士】

【氏名又は名称】青野 信喜

(72)【発明者】

【氏名】高山 祐一

(72)【発明者】

【氏名】屋敷 啓之

(72)【発明者】

【氏名】谷川 絋太

(72)【発明者】

【氏名】大多和 晃司

【審査官】植木 隆和

(56)【参考文献】

【文献】特開２００８－１５９９０５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００８－２５５４２３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１８－０５６２０３（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／０２７

Ｇ０３Ｆ ７／４２

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板に被着された被膜を除去する処理を行う基板処理装置において、
基板を収容して密閉された処理空間を形成するチャンバと、
前記チャンバ内において基板を保持する保持機構と、
前記基板を処理するため処理濃度のオゾンガスを供給するオゾンガス供給源と、
前記チャンバと前記オゾンガス供給源とを連通接続している第１の配管と、
前記第１の配管に設けられ、前記第１の配管におけるオゾンガスの流通を制御する第１の制御弁と、
前記第１の配管において前記第１の制御弁よりも前記チャンバ側に設けられた第１のフィルタと、
前記第１の配管の前記第１のフィルタよりも前記チャンバ側に接続する第１の分岐点に一端側が連通接続され、他端側から不活性ガスが供給される第２の配管と、
前記第２の配管に設けられ、前記第２の配管における不活性ガスの流通を制御する第２の制御弁と、
前記第１の配管の前記第１のフィルタと前記第１の制御弁の間に接続する第２の分岐点に一端側が連通接続され、他端側から吸引される吸引配管と、
前記吸引配管に設けられる第３の制御弁と、
前記第１の制御弁を開放し、前記第２の制御弁を閉止した状態で前記チャンバ内にオゾンガスを供給して基板を処理した後、前記第１の制御弁を閉止し、前記第２の制御弁を開放して、前記チャンバ内に不活性ガスを供給する際に、前記第３の制御弁を開放して前記吸引配管による吸引を行わせる制御部と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。

【請求項2】

請求項１に記載の基板処理装置において、
前記吸引配管による吸引は、前記第２の配管から前記チャンバに供給される不活性ガスの供給が妨げられない吸引力で行われることを特徴とする基板処理装置。

【請求項3】

請求項１または２に記載の基板処理装置において、
前記吸引配管は、圧縮気体の供給により吸引力を生じさせる真空エジェクタを他端側に備えていることを特徴とする基板処理装置。

【請求項4】

請求項１から３のずれかに記載の基板処理装置において、
前記吸引配管は、前記第２の分岐点における吸引力の制御を行い、前記制御部により操作される吸引制御弁を備えていることを特徴とする基板処理装置。

【請求項5】

請求項１から４のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記第２の配管は、前記第１の分岐点と前記第２の制御弁との間に第２のフィルタを備えていることを特徴とする基板処理装置。

【請求項6】

請求項１から５のいずれかに記載の基板処理装置において、
基板を収容して、処理液による処理を行う処理液チャンバと、
基板を搬送する搬送機構と、
をさらに備え、
前記チャンバにおけるオゾンガスで処理された基板を前記搬送機構で前記処理液チャンバに搬送し、前記基板を前記処理液チャンバにおいて処理液で処理することを特徴とする基板処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、半導体ウエハ、液晶表示器や有機ＥＬ（Electroluminescence）表示装置用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などの基板（以下、単に基板と称する）に対して、所定の処理を行う基板処理装置に関する。

【背景技術】

【0002】

基板にパターンを形成するには、例えば、フォトレジスト被膜を基板に被着してパターニングした後、パターンが形成されたフォトレジスト被膜をマスクにしてエッチング処理が行われる。その後、マスクは不要となるので、フォトレジスト被膜は除去される。フォトレジスト被膜の除去には、例えば、硫酸と過酸化水素水の混合溶液であるＳＰＭ（Sulfuric Hydrogen Peroxide Mixture）が利用される。このＳＰＭは、強酸化力を有し、フォトレジスト被膜は基板の表面から剥離され除去される。しかしながら、例えば、フォトレジスト被膜にイオン注入がされていると、フォトレジスト被膜の表面が硬化している。そのため、ＳＰＭだけを供給することによる処理では、ＳＰＭの消費量が増大する。また、ＳＰＭだけでは、フォトレジスト被膜を良好に除去できないことがある。

【0003】

そこで、ＳＰＭの供給前に、オゾンガス（Ｏ３ガス）をフォトレジスト被膜に供給し、その酸化力によって処理することが行われている。これにより、イオン注入により硬化したフォトレジスト被膜の表面の酸化（灰化）が可能となり、その後のＳＰＭでの処理時におけるフォトレジスト被膜の剥離が容易となる。これにより、ＳＰＭの消費量を抑制できる。

【0004】

このようにオゾンガスを供給して基板を処理する装置として、ＳＰＭ、窒素ガス、純水、オゾンガスを切り換えて基板の処理面に供給する供給機構を備えたものがある（例えば、特許文献１参照）。

【0005】

このような装置では、オゾンガスによる処理後に、ＳＰＭでの処理を行うためにチャンバから基板を搬出する前に、窒素ガスでチャンバ内のオゾンガスを置換する。そのため、供給機構として、次のように構成されたものがある。

【0006】

第１の配管と、第２の配管と、第１のフィルタと、第１の制御弁と、第２の制御弁と、第２のフィルタとを備えた「第１の構成」のものがある。第１の配管は、チャンバに一端側が連通接続され、他端側がオゾンガス供給源に連通接続されている。第２の配管は、第１の配管の一部位である分岐点に一端側が連通接続され、他端側が窒素ガス供給源に連通接続されている。第１のフィルタは、分岐点よりチャンバ側にあたる第１の配管に設けられている。第１の制御弁は、分岐点よりオゾン供給源側に設けられ、第１の配管におけるオゾンガスの流通を制御する。第２の制御弁は、第２の配管において分岐点側に設けられ、窒素ガスの流通を制御する。第２のフィルタは、第２の配管における第２の制御弁より窒素ガス供給源側に設けられている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0007】

【文献】特開２００８－６６４００号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0008】

しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の第１の構成によると、第１のフィルタの上流側に分岐点が設けられている。したがって、オゾンガスも窒素ガスの第１のフィルタを通過する。そのため、オゾンガスの処理後に第２の配管から窒素ガスを供給して置換を行う際に、チャンバに供給される窒素ガスには、第１のフィルタに残留しているオゾンガスが混入する。そのため、オゾンガスの濃度が低下しづらく、窒素ガスによる置換に時間を要するという問題がある。

【0009】

そこで、次のような「第２の構成」を採用することが考えられる。

【0010】

第２の配管は、第１の配管のチャンバ側における一部位である分岐点に一端側が連通接続され、他端側が窒素ガス供給源に連通接続されている。第１の制御弁と、第１のフィルタとは、その順に分岐点からオゾン供給源側に向かって設けられている。第２のフィルタと、第２の制御弁とは、その順に分岐点から窒素ガス供給源側に向かって設けられている。

【0011】

このような第２の構成によると、分岐点からチャンバまでに第１のフィルタが存在しない。そのため、第１の構成に生じる不都合は生じない。しかしながら、第１のフィルタのチャンバ側に第１の制御弁が設けられているので、第１の制御弁で生じたパーティクルが、分岐点からチャンバ側へ流通する窒素ガスの流れに吸引され、チャンバ内の基板を汚染する恐れがある。

【0012】

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、オゾンガスの置換を短時間でできるとともに、パーティクルによる汚染も防止できる基板処理装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0013】

本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、基板に被着された被膜を除去する処理を行う基板処理装置において、基板を収容して密閉された処理空間を形成するチャンバと、前記チャンバ内において基板を保持する保持機構と、前記基板を処理するため処理濃度のオゾンガスを供給するオゾンガス供給源と、前記チャンバと前記オゾンガス供給源とを連通接続している第１の配管と、前記第１の配管に設けられ、前記第１の配管におけるオゾンガスの流通を制御する第１の制御弁と、前記第１の配管において前記第１の制御弁よりも前記チャンバ側に設けられた第１のフィルタと、前記第１の配管の前記第１のフィルタよりも前記チャンバ側に接続する第１の分岐点に一端側が連通接続され、他端側から不活性ガスが供給される第２の配管と、前記第２の配管に設けられ、前記第２の配管における不活性ガスの流通を制御する第２の制御弁と、前記第１の配管の前記第１のフィルタと前記第１の制御弁の間に接続する第２の分岐点に一端側が連通接続され、他端側から吸引される吸引配管と、前記吸引配管に設けられる第３の制御弁と、前記第１の制御弁を開放し、前記第２の制御弁を閉止した状態で前記チャンバ内にオゾンガスを供給して基板を処理した後、前記第１の制御弁を閉止し、前記第２の制御弁を開放して、前記チャンバ内に不活性ガスを供給する際に、前記第３の制御弁を開放して前記吸引配管による吸引を行わせる制御部と、を備えていることを特徴とするものである。

【0014】

［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、制御部は、第１の制御弁を開放し、第２の制御弁を閉止した状態でチャンバ内にオゾンガスを供給して基板を処理した後、第１の制御弁を閉止し、第２の制御弁を開放して、チャンバ内に不活性ガスを供給する際に、吸引配管による吸引を行わせる。そのため、オゾンガスが残留している第１のフィルタと、パーティクルが生じ易い第２の制御弁とは、吸引配管を介して吸引される。したがって、第１の配管では、第２の分岐点からチャンバ側への気体の流れが生じない。その結果、チャンバ側に不活性ガスにオゾンガスが混入することが防止できので、オゾンガスの置換を短時間できるとともに、パーティクルによる汚染も防止できる。

【0015】

また、本発明において、前記吸引配管による吸引は、前記第２の配管から前記チャンバに供給される不活性ガスの供給が妨げられない吸引力で行われることが好ましい（請求項２）。

【0016】

チャンバに不活性ガスを供給する際には、第１の配管は第１の分岐点で吸引配管による吸引が行われる。このとき、第２の配管から第１の分岐点を介してチャンバに供給される不活性ガスの供給を妨げない吸引力で吸引配管からの吸引を行う。したがって、チャンバ内におけるオゾンガスの不活性ガスによる置換を確実に行うことができる。

【0017】

また、本発明において、前記吸引配管は、圧縮気体の供給により吸引力を生じさせる真空エジェクタを他端側に備えていることが好ましい（請求項３）。

【0018】

真空エジェクタは、真空ポンプに比較して小型で安価である。したがって、装置の小型化に貢献でき、コストの上昇も抑制できる。

【0019】

また、本発明において、前記吸引配管は、前記第２の分岐点における吸引力の制御を行い、前記制御部により操作される吸引制御弁を備えていることが好ましい（請求項４）。

【0020】

吸引制御弁を操作することで、第２の分岐点における第２の配管への吸引の影響を確実に遮断できる。

【0021】

また、本発明において、前記第２の配管は、前記第１の分岐点と前記第２の制御弁との間に第２のフィルタを備えていることが好ましい（請求項５）。

【0022】

不活性ガスを供給する際に、第２の制御弁で生じたパーティクルによる悪影響を防止できる。

【0023】

また、本発明において、基板を収容して、処理液による処理を行う処理液チャンバと、基板を搬送する搬送機構と、をさらに備え、前記チャンバにおけるオゾンガスで処理された基板を前記搬送機構で前記処理液チャンバに搬送し、前記基板を前記処理液チャンバにおいて処理液で処理することが好ましい（請求項６）。

【0024】

チャンバでオゾンガスによる処理を終えた基板を搬送機構で処理液チャンバに搬送し、基板に対して処理液による処理を行う。これにより、基板に対して気体と液体による処理を連続的に行うことができる。したがって、オゾンガスによる前処理を行ってから処理液による処理を行う処理を効率的に行うことができる。

【発明の効果】

【0025】

本発明に係る基板処理装置によれば、制御部は、第１の制御弁を開放し、第２の制御弁を閉止した状態でチャンバ内にオゾンガスを供給して基板を処理した後、第１の制御弁を閉止し、第２の制御弁を開放して、チャンバ内に不活性ガスを供給する際に、吸引配管による吸引を行わせる。そのため、オゾンガスが残留している第１のフィルタと、パーティクルが生じ易い第２の制御弁とは、吸引配管を介して吸引される。したがって、第１の配管では、第２の分岐点からチャンバ側への気体の流れが生じない。その結果、チャンバ側に不活性ガスにオゾンガスが混入することが防止できので、オゾンガスの置換を短時間できるとともに、パーティクルによる汚染も防止できる。

【図面の簡単な説明】

【0026】

【図1】実施例に係る基板処理装置の全体構成を示す斜視図である。

【図2】図１における１０１－１０１矢視断面図である。

【図3】図１における１０３－１０３矢視断面図である。

【図4】基板処理装置を模式的に示した平面図である。

【図5】オゾンガス供給ユニットにおけるオゾンガス濃度の変化を示すグラフである。

【図6】オゾンガスベークユニット及び気体の供給系と排気系とを示した図である。

【図7】オゾンガスによる非処理時の説明に供する図である。

【図8】オゾンガスによる処理時の説明に供する図である。

【図9】動作の一例を示すフローチャートである。

【図10】オゾンガスを供給している状態を説明する模式図である。

【図11】窒素ガスを供給している状態を説明する模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0027】

以下、図面を参照して本発明の実施例について説明する。

【0028】

図１は、実施例に係る基板処理装置の全体構成を示す斜視図である。図２は、図１における１０１－１０１矢視断面図である。図３は、図１における１０３－１０３矢視断面図である。図４は、基板処理装置を模式的に示した平面図である。

【0029】

実施例に係る基板処理装置１は、例えば、フォトレジスト被膜が形成された基板Ｗに対して、フォトレジスト被膜の除去処理を行う装置である。特には、フォトレジスト被膜が硬化している場合に有用である。この基板処理装置１は、具体的には、オゾンガス処理と、オンガス処理後のＳＰＭ処理とをその順に基板Ｗに対して実施するのに好適である。

【0030】

基板処理装置１は、インデクサブロック３と、処理ブロック５と、搬送ブロック７と、処理液供給ブロック９と、オゾンガス供給ユニット１１と、オゾンガス分解ユニット１３とを備えている。

【0031】

インデクサブロック３は、処理対象である基板Ｗを搬送ブロック７との間で受け渡す。搬送ブロック７は、インデクサブロック３と処理ブロック５との間や、処理ブロック５の間において基板Ｗの搬送を行う。処理ブロック５は、複数個の処理ユニット１５を備えている。処理液供給ブロック９は、処理ブロック５において使用される各種の処理液を処理ブロック５に対して供給する。オゾンガス供給ユニット１１は、処理ブロック５で利用されるオゾンガスを供給する。オゾンガス分解ユニット１３は、処理ブロック５から排出されたオゾンガスを取り込み、無害化して排出する。オゾンガス分解ユニット１３から排出された気体は、例えば、クリーンルームが備える排気口に排出される。この排気口は、例えば、工場の排気設備に連通接続されている。

【0032】

基板処理装置１は、図１に示すように、インデクサブロック３と、処理ブロック５及び搬送ブロック７と、処理液供給ブロック９とがこの順番で並ぶように配置されている。

【0033】

以下の説明においては、インデクサブロック３と、処理ブロック５及び搬送ブロック７と、処理液供給ブロック９とが並ぶ方向を「前後方向Ｘ」（水平方向）とする。特に、処理ブロック５及び搬送ブロック７からインデクサブロック３へ向かう方向を「前方ＸＦ」とし、前方ＸＦ方向の反対方向を「後方ＸＢ」とする。前後方向Ｘと水平方向で直交する方向を「幅方向Ｙ」とする。さらに、インデクサブロック３の正面から見た場合に、幅方向Ｙの一方向を適宜に「右方ＹＲ」とし、右方ＹＲの反対の他方向を「左方ＹＬ」とする。また、垂直な方向を「上下方向Ｚ」（高さ方向、垂直方向）とする。なお、単に「側方」や「横方向」などと記載するときは、前後方向Ｘ及び幅方向Ｙのいずれにも限定されない。

【0034】

インデクサブロック３は、キャリア載置部１７と、インデクサロボットＩＲとを備えている。本実施例における基板処理装置１は、例えば、４個のキャリア載置部１７を備えている。具体的には、幅方向Ｙに一列に並ぶように４個のキャリア載置部１７を備えている。各キャリア載置部１７は、キャリアＣが載置される。キャリアＣは、複数枚（例えば、２５枚）の基板Ｗを積層して収納するものであり、各キャリア載置部１７は、例えば、図示しないＯＨＴ（Overhead Hoist Transport：天井走行無人搬送車とも呼ばれる）との間でキャリアＣの受け渡しを行う。ＯＨＴは、クリーンルームの天井を利用してキャリアＣを搬送する。キャリアＣとしては、例えば、ＦＯＵＰ(Front Opening Unified Pod)が挙げられる。

【0035】

インデクサブロック３は、キャリア載置部１７の後方ＸＢにインデクサロボットＩＲが配置されている。インデクサロボットＩＲは、キャリアＣとの間で基板Ｗを受け渡すとともに、パス部１９との間で基板Ｗを受け渡す。パス部１９は、前後方向Ｘにおいて、インデクサブロック３と搬送ブロック７との間に配置されている。インデクサロボットＩＲは、１台だけがインデクサブロック３に配置されている。このインデクサロボットＩＲは、基部が幅方向Ｙにおいて移動しないように、位置が固定して取り付けられている。インデクサロボットＩＲは、例えば、上下方向Ｚに昇降可能な多関節アームを備えている。インデクサロボットＩＲは、４個のキャリアＣと、パス部１９対してアクセス可能に構成されている。

【0036】

パス部１９は、支持台の上に複数本の支持ピン（例えば、３本）を備えている。パス部１９は、基板Ｗを水平姿勢で当接して支持する。パス部１９は、インデクサロボットＩＲにより、未処理の基板Ｗが載置され、処理済みの基板Ｗが取り出される。パス部１９は、搬送ブロック７のセンターロボットＣＲにより、未処理の基板Ｗが取り出され、処理済みの基板Ｗが載置される。パス部１９は、上下方向Ｚに多段に構成されている。よって、パス部１９は、同時に複数枚の基板Ｗを載置される。

【0037】

搬送ブロック７は、例えば、１台のセンターロボットＣＲを備えている。センターロボットＣＲは、前後方向Ｘに移動可能であり、かつ上下方向Ｚに昇降可能に構成されている。また、センターロボットＣＲは、上下方向Ｚを軸に水平面内で旋回可能に構成されている。センターロボットＣＲは、センターロボットＣＲの位置を基準として、幅方向Ｙにおける右方ＹＲ及び左方ＹＬに配置されている処理ブロック５との間で基板Ｗを受け渡すことができるように構成されている。センターロボットＣＲは、パス部１９を介してインデクサロボットＩＲとの間で基板Ｗを受け渡すことができる。

【0038】

処理ブロック５は、搬送ブロック７を挟んで幅方向Ｙの右方ＹＲ及び左方ＹＬにそれぞれ配置されている。ここでは、平面視にて、処理ブロック５のうち、前方ＸＦかつ左方ＹＬの上下方向Ｚに配置されているものをタワーＴＷ１と称する。同様に、後方ＸＢかつ左方ＹＬの上下方向Ｚに配置されているものをタワーＴＷ２と称する。さらに、前方ＸＦかつ右方ＹＲの上下方向Ｚに配置されているものをタワーＴＷ３と称する。また、後方ＸＢかつ右方ＹＲの上下方向Ｚに配置されているものをタワーＴＷ４と称する。

【0039】

処理ブロック５のタワーＴＷ１，ＴＷ３は、例えば、上下方向Ｚに４個の処理ユニット１５を積層配置して構成されている。タワーＴＷ１，ＴＷ３は、処理ユニット１５として、例えば、オゾンガスベークユニット２１（図２では、Ｏ_３ ＢＡＫＥと併記する）を備えている。オゾンガスベークユニット２１は、基板Ｗを所定の温度で加熱しつつ、オゾンガスを供給して基板Ｗに対して処理を行う。その構造の詳細については、後述する。オゾンガスベークユニット２１は、オゾンガスによる処理を終えた後、基板Ｗを冷却する。冷却された基板Ｗは、センターロボットＣＲによりタワーＴＷ２，ＴＷ４の処理ユニット１５に搬送される。

【0040】

処理ブロック５のタワーＴＷ２，ＴＷ４は、例えば、上下方向Ｚに３個の処理ユニット１５を積層配置して構成されている。タワーＴＷ２，ＴＷ４は、処理ユニット１５として例えば、ＳＰＭユニット２３（図３では、ＨＴ ＳＰＭと併記する）を備えている。ＳＰＭユニット２３は、所定温度に加熱したＳＰＭを基板Ｗに対して供給して処理を行う。このＳＰＭは、硫酸と過酸化水素水の混合溶液であるＳＰＭ（Sulfuric Hydrogen Peroxide Mixture）である。オゾンガスベークユニット２１により処理された基板Ｗは、センターロボットＣＲによりＳＰＭユニット２３に搬送される。ＳＰＭユニット２３で処理された基板Ｗは、純水によりＳＰＭを除去された後、センターロボットＣＲによりパス部１９に搬送される。

【0041】

なお、ＳＰＭユニット２３が本発明における「処理液チャンバ」に相当し、センターロボットＣＲが本発明における「搬送機構」に相当する。

【0042】

図４に示すように、基板処理装置１には、２台のオゾンガス供給ユニット１１と、２台のオゾンガス分解ユニット１３とが付設されている。オゾンガス供給ユニット１１は、オゾンガスベークユニット２１で処理に用いる処理濃度のオゾンを生成しつつ供給する。このオゾンガス供給ユニット１１は、例えば、オゾンガスを生成していない停止状態から、目標濃度を処理濃度として装置を始動した場合、オゾンガス供給ユニットから供給されるオゾンガスの濃度は、例えば、図５に示すような変化となる。なお、図５は、オゾンガス供給ユニットにおけるオゾンガス濃度の変化を示すグラフである。

【0043】

このようにオゾンガス供給ユニット１１は、装置を起動してから２分近く経過しないと、処理濃度に達しない特性があることがわかる。上述したタワーユニットＴＷ１の４個のオゾンガスベークユニット２１に対して一つのオゾンガス供給ユニット１１から処理濃度のオゾンガスが供給される。また、タワーユニットＴＷ３の４個のオゾンガスベークユニット２１に対してもう一つのオゾンガス供給ユニット１１から処理濃度のオゾンガスが供給される。

【0044】

オゾンガス分解ユニット１３は、オゾンガスベークユニット２１から排出されてきたオゾンガスを含む気体を取り込み、オゾンガスを無害化処理する。無害化処理された気体は、例えば、クリーンルームが備えている排気口に排気される。２台のオゾンガス分解ユニット１３のうちの１台のオゾンガス分解ユニット１３は、例えば、タワーＴＷ１の４個のオゾンガスベークユニット２１からの排気を処理する。残りの１台のオゾンガス分解ユニット１３は、例えば、タワーＴＷ３の４個のオゾンガスベークユニット２１からの排気を処理する。

【0045】

なお、オゾンガス供給ユニット１１が本発明における「オゾンガス供給源」に相当する。

【0046】

ここで図６を参照する。なお、図６は、オゾンガスベークユニット及び気体の供給系と排気系とを示した図である。以下の説明においては、タワーユニットＴＷ１のオゾンガスベークユニット２１を例にとって説明するが、タワーユニットＴＷ３のオゾンガスベークユニット２１も同様の構成である。

【0047】

タワーユニットＴＷ１を構成している各オゾンガスベークユニット２１は、下部リッド２５と、上部リッド２７と、熱処理プレート２９と、昇降機構３１とを備えたチャンバ３２を備えている。昇降機構３１は、上部リッド２７と連結する接続部と、接続部を移動するモータとを備える。下部リッド２５は、上下方向Ｚにおける下方に配置されている。下部リッド２５は、上方に開口部を有する筐体である。上部リッド２７は、下方に開口部を有する筐体である。下部リッド２５は、熱処理プレート２９を備えている。熱処理プレート２９は、基板Ｗを当接して支持する。熱処理プレート２９は、基板Ｗを所定温度に加熱する。上部リッド２７は、下部リッド２５に対して下降して当接する。上部リッド２７の開口部と下部リッド２５の開口部は、略同一形状となっており、上部リッド２７と下部リッド２５は昇降機構３１により接離可能であり、上部リッド２７と下部リッド２５が接合することにより上部リッド２７と下部リッド２５は内部に閉鎖空間を形成する。熱処理プレート２９を含む当該閉鎖空間が、基板Ｗが処理される処理空間となる。上部リッド２７は、昇降機構３１によって下部リッド２５に対して昇降される。昇降機構３１は、基板Ｗに対して処理を行う処理時には、下部リッド２５に上部リッド２７を下降させる。一方、昇降機構３１は、処理空間との間で基板Ｗを受け渡し、処理を行っていない非処理時には、下部リッド２５の上方に上部リッド２７を上昇させる。

【0048】

タワーユニットＴＷ１は、一つの排気主管３３を備えている。排気主管３３は、タワーユニットＴＷ１における最下層から最上層にわたって配置されている。排気主管３３の下部は、オゾンガス分解ユニット１３に連通接続されている。タワーユニットＴＷ１は、一つの供給配管３５を備えている。この供給配管３５も、タワーユニットＴＷ１における最下層から最上層にわたって配置されている。供給配管３５は、一端側がオゾンガス供給ユニット１１に連通接続されている。この供給配管３５には、オゾンガス供給ユニット１１から処理濃度のオゾンガスが供給される。

【0049】

なお、熱処理プレート２９が本発明における「保持機構」に相当する。

【0050】

ここで、図７を参照する。なお、図７は、オゾンガスによる非処理時の説明に供する図である。

【0051】

オゾンガス供給ユニット１１は、生成配管４１と、マスフローコントローラ４３と、オゾンガス生成器４５と、フィルタ４７と、自動圧力調整器４９と、制御弁５１とを備えている。

【0052】

生成配管４１は、その一端側が、例えば、クリーンルームが備えるユーティリティの一つである酸素供給源（不図示）に連通接続されている。生成配管４１は、その他端側が供給配管３５に連通接続されている。生成配管４１には、酸素供給源側から供給配管３５側に向かって、マスフローコントローラ４３と、オゾンガス生成器４５と、フィルタ４７と、自動圧力調整器４９と、制御弁５１とがその順に取り付けられている。

【0053】

マスフローコントローラ４３は、生成配管４１に供給される酸素の流量を所定流量に制御する。オゾンガス生成器４５は、例えば、４個のオゾンガス生成モジュールを並列に配置されて構成されている。各オゾンガス生成モジュールは、酸素からオゾンガスを生成させる。オゾンガス生成器４５で生成されたオゾンガスは、フィルタ４７によってパーティクル等が除去される。フィルタ４７を通過したオゾンガスは、自動圧力調整器４９により所定の第１の圧力Ｐ１（例えば、２００ｋＰａ）に調整される。制御弁５１は、第１の圧力Ｐ１に調整されたオゾンガスについて、供給配管３５への流通を制御する。

【0054】

上述したオゾンガス供給ユニット１１は、例えば、最大で１００リットル／分の流量でオゾンガスを供給できる。上述した自動圧力調整器４９は、調整圧力が第１の圧力Ｐ１に設定されているので、生成配管４１の最下流部（供給配管３５との連通接続部）における圧力が第１の圧力Ｐ１（実施例では、例えば、２００ｋＰａ）となるように調整される。また、供給配管３５におけるオゾンガスの流量は、オゾンガス供給ユニット１１の性能に応じて最大で第１の流量Ｆ１（例えば、１００リットル／分）となる。

【0055】

図６に戻る。オゾンガス供給ユニット１１の生成配管４１の他端側に連通接続された供給配管３５は、各オゾンガスベークユニット２１に分岐されている。オゾンガスベークユニット２１には、供給配管３５から各チャンバ３２に分岐して設けられた流通配管５３が連通接続されている。具体的には、流通配管５３は、一端側が供給配管３５に連通接続され、他端側が各チャンバ３２に連通接続されている。詳細には、流通配管５３の他端側は、上部リッド２５に取り付けられ、チャンバ３２内に形成される処理空間に連通接続されている。

【0056】

流通配管５３は、制御弁５５と、マスフローコントローラ５７と、フィルタ５９とを供給配管３５からチャンバ３２に向かってその順に設けられている。制御弁５５は、供給配管３５からチャンバ３２へのオゾンガスの流通を制御する。マスフローコントローラ５７は、流通配管５３を流通してチャンバ３２へ供給されるオゾンガスの流量を調整する。フィルタ５９は、流通配管５３を流通しているオゾンガスに含まれるパーティクル等を除去する。

【0057】

例えば、マスフローコントローラ５７は、オゾンガスの流量が最大で２０リットル／分であって、処理流量として１０リットル／分に設定される。

【0058】

流通配管５３には、第１の分岐点６１と、第２の分岐点６３が設けられている。第１の分岐点６１は、流通配管５３のうち、チャンバ３２とフィルタ５９との間に設けられている。換言すると、第１の分岐点６１は、流通配管５３のうち、フィルタ５９よりもチャンバ３２側に設けられている。第２の分岐点６３は、流通配管５３のうち、フィルタ５９と、マスフローコントローラ５７及び制御弁５５との間に設けられている。

【0059】

第１の分岐点６１には、不活性ガス供給配管６５の一端側が連通接続されている。不活性ガス供給配管６５の他端側は、例えば、クリーンルームのユーティリティの一つである窒素ガス供給源に連通接続されている。不活性ガス供給配管６５は、窒素ガス供給源側から第１の分岐点６１に向かって、マスフローコントローラ６７と、制御弁６９と、フィルタ７１とをその順に取り付けられている。マスフローコントローラ６７は、不活性ガス供給配管６５に供給される窒素ガスの流量を調整する。制御弁６９は、不活性ガス供給配管６５における窒素ガスの流通を制御する。フィルタ７１は、不活性ガス供給配管６５を流通する窒素ガスに含まれるパーティクル等を除去する。なお、不活性ガス供給配管６５は、流通配管５３からオゾンガスが流入しないように、例えば、制御弁６９とマスフローコントローラ６７との間に逆止弁を備えていることが好ましい。

【0060】

なお、流通配管５３が本発明における「第１の配管」に相当し、制御弁５５が本発明における「第１の制御弁」に相当し、フィルタ５９が本発明における「第１のフィルタ」に相当する。また、不活性ガス供給配管６５が本発明における「第２の配管」に相当し、制御弁６９が本発明における「第２の制御弁」に相当し、フィルタ７１が本発明における「第２のフィルタ」に相当する。

【0061】

第２の分岐点６３には、吸引配管７３の一端側が連通接続されている。吸引配管７３の他端側は、真空エジェクタ７５の吸い込み口に連通接続されている。真空エジェクタ７５の排出口は、排気主管３３に連通接続されている。真空エジェクタ７５は、供給口に圧縮空気が供給されると、吸い込み口から排出口に向かう気体の流れが形成される。吸引配管７３は、吸引される気体の流通を制御する制御弁７４を備えている。

【0062】

なお、制御弁７４が本発明における「吸引制御弁」に相当する。

【0063】

上記の吸引配管７３からの吸引は、例えば、次のように行われる。

【0064】

流通配管５３からオゾンガスがチャンバ３２に供給された後、オゾンガスを窒素ガスで置換する処理が行われる。その際には、不活性ガス供給配管６５から窒素ガスが第１の分岐点６１に供給される。その際に、吸引配管７３による吸引を行わせる。これにより、フィルタ５９やマスフローコントローラ５７内に残留したオゾンガスが窒素ガスの流れにより、チャンバ３２に引き込まれないようにできる。したがって、窒素ガスによるオゾンガスの置換に要する時間を短縮できる。また、機械的動作を含むマスフローコントローラ５７及び制御弁５５で発生する恐れがあるパーティクルが、窒素ガスの流れに引き込まれてチャンバ３２に流入することを防止できる。

【0065】

真空エジェクタ７５は、真空ポンプなどに比較して小型で安価である。したがって、基板処理装置１の小型化に貢献でき、コストの上昇も抑制できる。

【0066】

チャンバ３２には、排気管７７の一端側が連通接続されている。排気管７７の他端側には、真空エジェクタ７９の吸い込み口が連通接続されている。真空エジェクタ７９の排出口は、排気主管３３に連通接続されている。真空エジェクタ７９に圧縮空気を供給して、真空エジェクタ７９の吸い込み口から排出口に向かう排気流を形成するための供給口には、第１の供給管８１の一端側が連通接続されている。第１の供給管８１の他端側には、例えば、クリーンルームのユーティリティの一つである圧縮空気源が連通接続されている。

【0067】

第１の駆動管８１は、圧縮空気源から真空エジェクタ７９側に向かって流量調整弁８３と開閉弁８５とがその順に設けられている。流量調整弁８３は、第１の流量Ｆａで圧縮空気が第１の駆動管８１を流通するように圧縮空気の流量を調整する。開閉弁８５は、第１の駆動管８１における、第１の流量Ｆａに設定された圧縮空気の流通を制御する。第１の駆動管８１における流量調整弁８３より上流の部位と、第１の駆動管８１における開閉弁８５と真空エジェクタ７９との間の部位とには、第２の駆動管８７の両端部が連通接続されている。第２の駆動管８７は、圧縮空気源側から真空エジェクタ７９側に向かって流量調整弁８９と、開閉弁９１とがその順に設けられている。流量調整弁８９は、第２の流量Ｆｂで圧縮空気が第２の駆動管８７を流通するように圧縮空気の流量を調整する。開閉弁９１は、第２の駆動管８７における、第２の流量Ｆｂに設定された圧縮空気の流通を制御する。第２の流量Ｆｂは、第１の流量Ｆａよりも小さくなるように、流量調整弁８３，８９が設定されている。

【0068】

排気管７７は、開閉弁９３を備えている。排気管７７は、開閉弁９３とチャンバ３２との間に、パージ管９４の一端側が連通接続されている。パージ管９４の他端側は、排気主管３３に連通接続されている。パージ管９４は、開閉弁９５を備えている。開閉弁９５は、パージ管９４における気体の流通を制御する。

【0069】

上述した排気管７７による排気は、次のように行われる。

【0070】

開閉弁８５，８９，９３，９５のうち、開閉弁９３，８５だけが開放されると、第１の流量Ｆａにより真空エジェクタ７９が動作される。これにより、排気管７７を介して、チャンバ３２内の気体が強く吸い出されて強排気される。開閉弁９１，９３だけが開放されると、第２の流量Ｆｂ（＜第１の流量Ｆａ）によって真空エジェクタ７９が動作される。これにより、排気管７７を介して、チャンバ３２内の気体が弱く吸い出されて弱排気される。不活性ガス供給配管６５から窒素ガスがチャンバ３２に供給されている場合に、開閉弁９５だけが開放されると、排気管７７及びパージ管９４を介してチャンバ３２内の気体が窒素ガスだけによって押し出される。

【0071】

供給配管３５は、補助配管９７を備えている。補助配管９７は、一端側が供給配管３５に連通接続されている。補助配管９７は、他端側が排気主管３３に連通接続されている。補助配管９７は、供給配管３５から排気主管３３に向かって、自動圧力調整器９９と、制御弁１０１とを備えている。自動圧力調整器９９は、供給配管３５から分岐した補助配管９７におけるオゾンガスの圧力が所定の第２の圧力Ｐ２（例えば、１００ｋＰａ）に調整される。ここで、供給配管３５におけるオゾンガスの流量は、第１の流量Ｆ１であり、供給配管３５において補助配管９７よりも各チャンバ３２側に流れるオゾンガスを第２の流量Ｆ２とする。この場合、第１の流量Ｆ１と第２の流量Ｆ２との差分の流量をΔＦとすると、補助配管９７は、差分の流量ΔＦが流通する。

【0072】

各オゾンガスベークユニット２１は、チャンバ３２の外部であって、各オゾンガスベークユニット２１内の気体を排出する外部排気管１０３を備えている。外部排気管１０３は、チャンバ３２や、上述した各種の配管や弁などの周囲の気体を、例えば、クリーンルームが備えている排気口に排気する。

【0073】

図４に示すように、基板処理装置１は、制御部１１１を備えている。制御部１１１は、ＣＰＵやメモリを備えている。制御部１１１は、オペレータが制御コンソール（不図示）を操作することにより、その操作に基づいて各部の動作を統括的に制御する。具体的には、制御部１１１は、インデクサブロック３におけるインデクサロボットＩＲの搬送制御、搬送ブロック７におけるセンターロボットＣＲの搬送制御、処理ブロック５における各処理ユニット１５の処理制御、処理液供給ブロック９における各種処理液の送出制御、オゾンガス供給ユニット１１及びオゾンガス分解ユニット１３の動作制御を行う。

【0074】

制御部１１１は、オゾンガスの流量に関して、例えば、次のように各部の操作を行う。なお、オゾンガス供給ユニット１１は、既に動作して、処理濃度のオゾンガスを供給できる状態にあり、制御弁５１が開放されているとする。上述した制御部１１１は、以下に説明する流量の差分ΔＦが所定値内に収まるように、各マスフローコントローラ５７及び開閉弁５５による流量に連動して、マスフローコントローラ９９及び制御弁１０１によるオゾンガスの流量を調整する。

【0075】

図７に示すように、チャンバ３２においてオゾンガスによる処理を行わない非処理時には、各制御弁５５を閉止させるとともに、制御弁１０１を開放させる。これにより、供給配管３５から各チャンバ３２へはオゾンガスが供給されない。オゾンガス供給ユニット１１から供給配管３５に供給されているオゾンガスは、補助配管９７を介して排気主管３３に排出されている。この状態では、オゾンガス供給ユニット１１の生成配管４１におけるオゾンガスの圧力が第１の圧力Ｐ１（＝２００ｋＰａ）であり、補助配管９７におけるオゾンガスの圧力が第２の圧力Ｐ２（＝１００ｋＰａ）である。また、流量については、例えば、生成配管４１における第１の流量Ｆ１が１００リットル／分であり、供給配管３５における第２の流量Ｆ２が０リットル／分である。よって、第１の流量Ｆ１と第２の流量Ｆ２との差分である流量の差分ΔＦが１００リットル／分となる。

【0076】

ここで、図８を参照する。なお、図８は、オゾンガスによる処理時の説明に供する図である。

【0077】

チャンバ３２においてオゾンガスによる処理を行う処理時、具体的には、４個のチャンバ３２のうち、少なくとも１個のチャンバ３２にオゾンガスを供給して、そのチャンバ３２においてオゾンガスによる処理を行う処理時には、処理を行うチャンバ３２の制御弁５５を開放させる。このとき、制御弁１０１は開放されているものの、流量が調整されている。

【0078】

例えば、４個の全てチャンバ３２でオゾンガスによる処理を行う場合には、各チャンバ３２における処理の所要量に応じて、最大で２０リットル／分の流量でオゾンガスが供給される。したがって、第２の流量Ｆ２は、最大で８０リットル／分となる。第１の流量Ｆ１は、１００リットル／分であるので、流量の差分ΔＦは、最小で２０リットル／分となる。このように、流量の差分ΔＦが所定値内となるように、マスフローコントローラ９９及び制御弁１０１を制御する。したがって、第１の流量Ｆ１を第２の流量Ｆ２が超えないように、オゾンガス供給ユニット１１側に所定値分の余力を残すことができるので、各チャンバ３２へのオゾンガスの供給を安定して行うことができる。また、逆に、マスフローコントローラ９９と制御弁１０１により流量の差分ΔＦを調整することにより、第２の流量Ｆ２を加減することができる。その結果、４個のチャンバ３２の全てに対して一括してオゾンガスの流量を可変することもできる。これにより、各チャンバ３２におけるマスフローコントローラ５７を操作するよりも、流量の制御を簡易化できる。

【0079】

次に、図９を参照して、上述した基板処理装置１における処理について説明する。図９は、動作の一例を示すフローチャートである。なお、以下の説明においては、オゾンガス処理及びＳＰＭ処理に係る部分についてのみ詳細に説明し、その他の動作については簡略化あるいは省略する。また、発明の理解を容易にするために、１枚の基板Ｗの流れについてのみ説明する。

【0080】

ステップＳ１
オペレータは、基板処理装置１を起動する。さらに、これに連動してオゾンガス供給ユニット１１及びオゾンガス分解ユニット１３も起動する。これにより、制御部１１１の制御の下、処理濃度となるオゾンガスの生成をオゾンガス供給ユニット１１が開始する。図５に示したように、処理濃度のオゾンガスを生成するには約２分程度を要する。

【0081】

ステップＳ２
制御部１１１は、オゾンガス供給ユニット１１により処理濃度のオゾンガスが生成されるまでの所定時間が経過したか否を監視し、所定時間が経過した時点で次のステップＳ３に移行する。なお、オゾンガスの濃度が処理濃度に達する前であっても、図７に示すオゾンガスによる非処理時と同じように、生成されたオゾンガスは全て補助配管９７を介して排気主管３３を介して排気される。

【0082】

ステップＳ３
オペレータは、制御コンソール（不図示）から処理の開始を指示する。

【0083】

ステップＳ４
キャリアＣに収容されている処理対象の基板Ｗがインデクサブロック３を介してパス部１９に搬送され、センターロボットＣＲによりオゾンガスベークユニット２１に搬入される。なお、次のステップＳ５にて基板Ｗがチャンバ３２に搬入される処理前においては、制御部１１１は、制御弁６９及びマスフローコントローラ６７を操作して、チャンバ３２に窒素ガスを供給する。さらに、制御部１１１は、流量調整弁８９と開閉弁９１により、真空エジェクタ７９を動作させる。これにより、チャンバ３２内が弱排気され、処理空間が不活性ガスで清浄な状態に保たれる。

【0084】

ステップＳ５
制御部１１１は、基板Ｗがチャンバ３２に収容されると、昇降機構３１により上部リッド２７を下部リッド２５に移動させる。これにより、チャンバ３２が密閉される。このとき、制御部１１１は、流量調整弁８９と開閉弁９１を操作して第２の駆動管８１による真空エジェクタ７９の動作を停止させる。さらに、制御部１１１は、流量調整弁８３及び開閉弁８５により、真空エジェクタ７９を動作させる。なお、不活性ガス供給配管６５から供給される窒素ガスの流量よりも、真空エジェクタ７９の吸い込み口の流量の方が大きい。これにより、チャンバ３２内が強排気されるので、処理空間が負圧となる。そのため、上部リッド２７が下部リッド２５に対して強く密着され、チャンバ３２が周囲に対して完全に密閉される。

【0085】

その後、制御部１１１は、熱処理プレート２９に載置された基板Ｗの温度が所定温度（例えば、１００～３００℃）に上昇するまで待機する。基板Ｗの温度が所定温度に達すると、制御部１１１は、オゾンガスによる処理を開始する。

【0086】

具体的には、制御部１１１は、チャンバ３２に処理濃度のオゾンガスが所要の流量で供給されるように、マスフローコントローラ５７及び制御弁５５を操作する。さらに、これにより、基板Ｗが載置されている処理空間に処理濃度のオゾンガスが供給される。オゾンガスが供給されている状態は、図１０に矢付破線で示すようなものとなる。

【0087】

このとき、制御部１１１は、流量調整弁８３及び開閉弁８５を操作して強排気を停止する。さらに、制御部１１１は、流量調整弁８９及び開閉弁９１を操作して弱排気に切り換える。これにより、処理濃度のオゾンガスが処理空間に滞留するので、オゾンガスによる処理を十分に行わせることができる。所定のオゾンガスの処理時間が経過すると、制御部１１１は、マスフローコントローラ５７及び制御弁５５を操作して、チャンバ３２へのオゾンガスの供給を停止する。

【0088】

次いで、制御部１１１は、チャンバ３２内のオゾンガスを窒素ガスで置換する。具体的には、制御部１１１は、制御弁６９及びマスフローコントローラ６７を操作して、図６における不活性ガス供給配管６５から窒素ガスをチャンバ３２に供給する。窒素ガスが供給されている状態は、図１１に矢付破線で示すようなものとなる。

【0089】

また、制御部１１１は、真空エジェクタ７５を作動させるとともに、制御弁７４を開放させ、吸引配管７３による第２の分岐点６３の吸引を行わせる。第２の分岐点６３が吸引されている状態は、図１１に矢付二点鎖線で示すようなものとなる。さらに、制御部１１１は、流量調整弁８９及び開閉弁９１を操作して弱排気を停止する。これとともに、制御部１１１は、流量調整弁８３及び開閉弁８５を操作して強排気にする。チャンバ３２内を強排気としているので、効率的に処理空間のオゾンガスが窒素ガスで置換される。したがって、置換に要する時間を短縮できる。このとき、図１１に矢付二点鎖線で示すように、第２の分岐点６３の吸引を同時に行っているので、フィルタ５９に残留しているオゾンが処理空間に混入することを防止できる。したがって、窒素ガスによる置換効率を向上できる。さらに、第２の分岐点６３がフィルタ５９とマスフローメータ５７及び制御弁５５との間に設けてあるので、マスフローメータ５７及び制御弁５５で発生しやすいパーティクルが処理空間に流入することを防止できる。したがって、基板Ｗを清浄に処理できる。

【0090】

なお、吸引配管７３の吸引は、第１の分岐点６１を介してチャンバ３２に供給される窒素ガスの供給を妨げない吸引力で行われる。したがって、チャンバ３２内におけるオゾンガスの窒素ガスによる置換を確実に行うことができる。

【0091】

窒素ガスによる置換が完了すると、制御部１１１は、流量調整弁８３及び開閉弁８５を操作して強排気を停止させる。制御部１１１は、開閉弁９５を開放させる。これにより、不活性ガスがパージ管９４を介して、その供給圧力だけで排出される。このときチャンバ３２が陽圧になるので、昇降機構３１による上部リッド２５の上昇動作が円滑に行われる。制御部１１１は、上部リッド２５が上昇された後、開閉弁９５を閉止させるとともに、流量調整弁８９及び開閉弁９１を操作して弱排気とする。これにより処理空間を不活性ガスで清浄に保つ。制御部１１１は、図示しない冷却ユニットに基板Ｗを移動させて、基板Ｗを常温に戻す。

【0092】

ステップＳ６
制御部１１１は、センターロボットＣＲを操作して、オゾンガスベークユニット２１から基板Ｗを取り出し、ＳＰＭユニット２３に基板Ｗを搬送する。

【0093】

ステップＳ７
制御部１１１は、基板Ｗを加熱させた状態としつつ、基板Ｗの表面にＳＰＭを供給する。これにより、ＳＰＭにより基板Ｗの表面のフォトレジスト被膜が除去される。このとき、オゾンガスによる前処理でフォトレジスト被膜の表面をある程度灰化しているので、フォトレジスト被膜の表面が硬化していても、少ない量のＳＰＭによりフォトレジスト被膜を容易に除去できる。制御部１１１は、ＳＰＭによる基板Ｗの処理が完了した後、純水による洗浄処理及び乾燥処理を行う。

【0094】

ステップＳ８
制御部１１１は、センターロボットＣＲを操作して、基板Ｗをパス部１９に搬送し、インデクサロボットＩＲを操作して基板ＷをキャリアＣに戻す搬出を行う。このような一連の動作により、基板Ｗに対するフォトレジスト被膜の除去処理が行われる。

【0095】

本実施例によると、制御部１１１は、制御弁５５を開放し、制御弁６９を閉止した状態でチャンバ３２内にオゾンガスを供給して基板Ｗを処理した後、制御弁５５を閉止し、制御弁６９を開放して、チャンバ３２内に窒素ガスを供給する際に、吸引配管７３による吸引を行わせる。そのため、オゾンガスが残留しているフィルタ５９と、マスフローコントローラ５７と、制御弁５５とは、吸引配管７３を介して吸引される。したがって、流通配管５３では、第２の分岐点６３からチャンバ３２側への気体の流れが生じない。その結果、チャンバ３２側に窒素ガスにオゾンガスが混入することが防止できので、オゾンガスの置換を短時間できるとともに、パーティクルによる汚染も防止できる。

【0096】

本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。

【0097】

（１）上述した実施例では、４個のチャンバ３２を備え、４本の流通配管５３を備えた基板処理装置１を例にとって説明した。しかしながら、本発明は、複数個のチャンバ３２と複数本の流通配管５３とを必須の構成とするものではない。つまり、本発明は、一つのチャンバ３２と一つの流通配管５３とを備えた基板処理装置１であって適用できる。

【0098】

（２）上述した実施例では、不活性ガスとして窒素ガスを採用している。しかしながら、本発明は、不活性ガスとして窒素ガスに限定されるものではなく、例えば、アルゴンガスであっても適用できる。

【0099】

（３）上述した実施例では、吸引配管７３を真空エジェクタ７５で吸引する構成を採用している。しかしながら、本発明は、このような構成に限定されない。例えば、吸引配管７３を真空ポンプなどの吸引手段で吸引するようにしてもよい。

【0100】

（４）上述した実施例では、基板処理装置１がオゾンガス分解ユニット１３を備えているが、本発明は、オゾンガス分解ユニット１３を必須とするものではない。

【0101】

（５）上述した実施例では、基板処理装置１がＳＰＭユニット２３を備えているが、本発明はＳＰＭユニット２３を必須とするものではない。例えば、オゾンガスベークユニット２１で処理した基板Ｗを他の装置が備えているＳＰＭユニット２３で処理するようにしてもよい。

【0102】

（６）上述した実施例では、基板処理装置１がインデクサブロック３，搬送ブロック７、キャリア載置部１７、パス部１９などを備え、複数枚の基板Ｗを連続的に搬送して効率的に処理を行う構成をとっているが、本発明はこのような構成に限定されない。つまり、本発明は、搬送系などを備えず、処理濃度のオゾンガスによる処理を行う構成を備えている基板処理装置であっても適用できる。

【産業上の利用可能性】

【0103】

以上のように、本発明は、基板に対して、オゾンガスによる所定の処理を行う基板処理装置に適している。

【符号の説明】

【0104】

１ … 基板処理装置
Ｗ … 基板
３ … インデクサブロック
５ … 処理ブロック
７ … 搬送ブロック
９ … 処理液供給ブロック
１１ … オゾンガス供給ユニット
１３ … オゾンガス分解ユニット
１５ … 処理ユニット
１９ … パス部
ＴＷ１～ＴＷ４ … タワー
２１ … オゾンガスベークユニット
２３ … ＳＰＭユニット
２５ … 下部リッド
２７ … 上部リッド
２９ … 熱処理プレート
３１ … 昇降機構
３２ … チャンバ
３３ … 排気主管
３５ … 供給配管
４１ … 生成配管
４３，５７，６７ … マスフローコントローラ
４９，９９ … 自動圧力調整器
５１，５５，６９，７４，１０１ … 制御弁
５３ … 流通配管
５９，７１ … フィルタ
７５、７９ … 真空エジェクタ
６１ … 第１の分岐点
６３ … 第２の分岐点
６５ … 不活性ガス供給配管
７３ … 吸引配管

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】