特許 7612358 蒸着マスク、それを用いたディスプレイ装置の製造方法、及びディスプレイ装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-12-27

(45)【発行日】2025-01-14

(54)【発明の名称】蒸着マスク、それを用いたディスプレイ装置の製造方法、及びディスプレイ装置

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/40 20060101AFI20250106BHJP

   C23C 14/04 20060101ALI20250106BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20250106BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20250106BHJP

   H10K 50/10 20230101ALI20250106BHJP

   H10K 59/10 20230101ALI20250106BHJP

【ＦＩ】

G09F9/40 301

C23C14/04 A

G09F9/00 338

G09F9/30 338

G09F9/30 365

H10K50/10

H10K59/10

【請求項の数】 16

(21)【出願番号】P 2020144436

(22)【出願日】2020-08-28

(65)【公開番号】P2021086148

(43)【公開日】2021-06-03

【審査請求日】2023-07-28

(31)【優先権主張番号】10-2019-0153544

(32)【優先日】2019-11-26

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(73)【特許権者】

【識別番号】512187343

【氏名又は名称】三星ディスプレイ株式會社

【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．

【住所又は居所原語表記】１， Ｓａｍｓｕｎｇ－ｒｏ， Ｇｉｈｅｕｎｇ－ｇｕ， Ｙｏｎｇｉｎ－ｓｉ， Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ， Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ

(74)【代理人】

【識別番号】110002619

【氏名又は名称】弁理士法人ＰＯＲＴ

(72)【発明者】

【氏名】キム ジョンク

(72)【発明者】

【氏名】ムン ユンミン

【審査官】新井 重雄

(56)【参考文献】

【文献】中国特許出願公開第１１０２６５４６１（ＣＮ，Ａ）

【文献】特開２０１８－０８３９８５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００５－１８２００５（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１８／００８９４８５（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２０１０－２３０７９７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１６－１６７３７８（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０２１／０２３３９８６（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０９Ｆ ９／４０

Ｃ２３Ｃ １４／０４

Ｇ０９Ｆ ９／００

Ｇ０９Ｆ ９／３０

Ｈ１０Ｋ ５０／１０

Ｈ１０Ｋ ５９／１０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１開口部を定義するメインフレームと、
平面上で、前記メインフレームの一側から外部に向かって延び、互いに離隔されて、第２開口部を定義する複数のリブと、
前記第２開口部を横切って、前記複数のリブを連結する複数のブリッジと、を含み、
前記複数のブリッジと、前記複数のリブとは、同じ上面をなし、前記複数のブリッジそれぞれの厚さは、前記リブそれぞれの厚さよりも薄いことを特徴とする蒸着マスク。

【請求項2】

前記複数のブリッジそれぞれにおいて、前記ブリッジの長手方向と垂直な断面の形状は、逆三角形であることを特徴とする請求項１に記載の蒸着マスク。

【請求項3】

前記複数のブリッジそれぞれにおいて、前記ブリッジの長手方向と垂直な方向に沿った前記ブリッジの幅は、前記ブリッジの厚さよりも小さく、前記リブの厚さと、前記ブリッジの厚さとの差は、前記ブリッジの幅の０．５倍以上であることを特徴とする請求項１に記載の蒸着マスク。

【請求項4】

前記第２開口部と隣接した前記メインフレームの領域は、前記複数のブリッジと同じ形状を有することを特徴とする請求項１に記載の蒸着マスク。

【請求項5】

基板と、
前記基板上に設けられた第１画素を含む第１表示領域と、
前記基板上に設けられた第２画素を含み、前記第１表示領域とは異なる解像度を有する第２表示領域と、を含み、
前記第１画素と前記第２画素とは、一体的に形成された一つの共通電極を含み、
前記共通電極は、前記第１表示領域と対応するメイン共通電極と、前記メイン共通電極から、前記第２表示領域に延び、互いに離隔された複数の延長部と、を含み、
前記複数の延長部それぞれは、前記第２画素の間において、前記メイン共通電極の厚さよりも薄い第１領域を含むことを特徴とするディスプレイ装置。

【請求項6】

前記共通電極は、前記メイン共通電極と、前記複数の延長部との連結部位に、前記メイン共通電極の厚さよりも薄い第２領域をさらに含むことを特徴とする請求項５に記載のディスプレイ装置。

【請求項7】

前記第１領域は、前記延長部のうち対応する延長部を横切ることを特徴とする請求項５に記載のディスプレイ装置。

【請求項8】

前記第２表示領域には、前記複数の延長部の間で、透過部が定義され、
前記透過部には、前記共通電極が設けられないことを特徴とする請求項５に記載のディスプレイ装置。

【請求項9】

前記第２表示領域の解像度は、前記第１表示領域の解像度よりも低いことを特徴とする請求項８に記載のディスプレイ装置。

【請求項10】

前記第２表示領域と重畳する位置に設けられ、外部の信号を感知するコンポーネントをさらに含むことを特徴とする請求項５に記載のディスプレイ装置。

【請求項11】

前記第１画素と前記第２画素それぞれは、薄膜トランジスタ、及び前記薄膜トランジスタと電気的に接続された有機電界発光素子を含み、
前記第２表示領域において、前記薄膜トランジスタと前記基板との間に、遮断層がさらに設けられることを特徴とする請求項１０に記載のディスプレイ装置。

【請求項12】

前記基板上には、第１バッファ層及び第２バッファ層がさらに設けられ、
前記遮断層は、前記第１バッファ層と前記第２バッファ層との間に配置されることを特徴とする請求項１１に記載のディスプレイ装置。

【請求項13】

前記薄膜トランジスタの活性層は、シリコン物質を含有し、
前記第１バッファ層は、シリコン窒化物を含み、前記第２バッファ層は、シリコン酸化物を含むことを特徴とする請求項１２に記載のディスプレイ装置。

【請求項14】

前記第２表示領域には、前記複数の延長部の間で、透過部が設けられ、
前記透過部には、前記共通電極が設けられず、
前記薄膜トランジスタと前記有機電界発光素子との間に設けられた平坦化層、及び前記平坦化層上に設けられ、前記有機電界発光素子の画素電極のエッジを覆って、発光領域を定義する画素定義膜をさらに含み、
前記透過部と重畳する位置では、前記平坦化層及び前記画素定義膜は設けられていないことを特徴とする請求項１１に記載のディスプレイ装置。

【請求項15】

同じ単位面積当たりで、前記第２表示領域に設けられた前記第２画素の数は、前記第１表示領域に設けられた前記第１画素の数よりも少ないことを特徴とする請求項５に記載のディスプレイ装置。

【請求項16】

基板と蒸着マスクとを密着させ、
前記蒸着マスクを介して、前記基板上に一体型の共通電極を形成すること、を含み、
前記蒸着マスクは、
第１開口部を定義するメインフレームと、
平面上で、前記メインフレームの一側から外部に向かって突出し、互いに離隔されて、第２開口部を定義する複数のリブと、
前記第２開口部を横切って、前記複数のリブを連結して、前記複数のリブの位置を固定し、前記リブよりも薄い厚さを有する複数のブリッジと、を含み、
前記共通電極は、前記第１開口部を介して蒸着されるメイン共通電極と、前記複数のリブの間の第２開口部を介して蒸着される複数の延長部と、を含み、
前記複数の延長部は、前記ブリッジが配置された位置において、前記メイン共通電極の厚さよりも薄い第１領域を含むように形成されることを特徴とするディスプレイ装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、蒸着マスク、それを用いたディスプレイ装置の製造方法、及びディスプレイ装置に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、表示装置は、その用途が多様になっている。また、表示装置の厚さが薄くなって、重さが軽くなり、その使用の範囲が広くなっている。

【0003】

表示装置が様々な用途に使用されるにつれて、表示装置は様々な形状を有するように設計され、かつ表示装置と組み合わる又は関連付けられる機能が増加している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】韓国登録特許第１０－０９８２０２１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明の実施形態は、蒸着マスク、それを用いたディスプレイ装置の製造方法、及びディスプレイ装置を提供することを目的の一つとする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の一実施形態によれば、第１開口部を定義するメインフレームと、平面上で、前記メインフレームの一側から外部に向かって延び、互いに離隔されて、第２開口部を定義する複数のリブと、前記第２開口部を横切って、前記複数のリブを連結する複数のブリッジと、を含み、前記複数のブリッジと、前記複数のリブとは、同じ上面をなし、前記複数のブリッジそれぞれの厚さは、前記リブそれぞれの厚さよりも薄い蒸着マスクが提供される。

【0007】

本実施形態において、前記複数のブリッジそれぞれにおいて、前記ブリッジの長手方向と垂直な断面の形状は、逆三角形であってもよい。

【0008】

本実施形態において、前記複数のブリッジそれぞれにおいて、前記ブリッジの長手方向と垂直な方向に沿った前記ブリッジの幅は、前記ブリッジの厚さよりも小さく、前記リブの厚さと、前記ブリッジの厚さとの差は、前記ブリッジの幅の０．５倍以上であってもよい。

【0009】

本実施形態において、前記第２開口部と隣接した前記メインフレームの領域は、前記複数のブリッジと同じ形状を有してもよい。

【0010】

本発明の他の実施形態によれば、基板と、前記基板上に設けられた第１画素を含む第１表示領域と、前記基板上に設けられた第２画素を含み、前記第１表示領域とは異なる解像度を有する第２表示領域と、を含み、前記第１画素と前記第２画素とは、一体的に形成された一つの共通電極を含み、前記共通電極は、前記第１表示領域に対応するメイン共通電極と、前記メイン共通電極から、前記第２表示領域に延び、互いに離隔された複数の延長部と、を含み、前記複数の延長部それぞれは、前記第２画素の間において、前記メイン共通電極の厚さよりも薄い第１領域を含む、ディスプレイ装置が提供される。

【0011】

本実施形態において、前記共通電極は、前記メイン共通電極と、前記複数の延長部との連結部位に、前記メイン共通電極の厚さよりも薄い第２領域をさらに含んでもよい。

【0012】

本実施形態において、前記第１領域は、前記延長部のうち対応する延長部を横切ってもよい。

【0013】

本実施形態において、前記第２表示領域には、前記複数の延長部の間で、透過部が定義され、前記透過部には、前記共通電極が設けられなくてもよい。

【0014】

本実施形態において、前記第２表示領域の解像度は、前記第１表示領域の解像度よりも低くてもよい。

【0015】

本実施形態において、前記第２表示領域と重畳する位置に設けられ、外部の信号を感知するコンポーネントをさらに含んでもよい。

【0016】

本実施形態において、前記第１画素と前記第２画素それぞれは、薄膜トランジスタ、及び前記薄膜トランジスタと電気的に接続された有機電界発光素子を含み、前記第２表示領域において、前記薄膜トランジスタと前記基板との間に、遮断層がさらに設けられてもよい。

【0017】

本実施形態において、前記基板上には、第１バッファ層及び第２バッファ層がさらに設けられ、前記遮断層は、前記第１バッファ層と前記第２バッファ層との間に配置されてもよい。

【0018】

本実施形態において、前記薄膜トランジスタの活性層は、シリコン物質を含有し、前記第１バッファ層は、シリコン窒化物を含み、前記第２バッファ層は、シリコン酸化物を含んでもよい。

【0019】

本実施形態において、前記薄膜トランジスタと前記有機電界発光素子との間に設けられた平坦化層、及び前記平坦化層上に設けられ、前記有機電界発光素子の画素電極のエッジを覆って、発光領域を定義する画素定義膜をさらに含み、前記透過部と重畳する位置では、前記平坦化層及び前記画素定義膜は設けられていなくてもよい。

【0020】

本実施形態において、同じ単位面積当たりで、前記第２表示領域に設けられた前記第２画素の数は、前記第１表示領域に設けられた前記第１画素の数よりも少なくてもよい。

【0021】

本発明のさらに他の実施形態によれば、基板と蒸着マスクとを密着させ、前記蒸着マスクを介して、前記基板上に一体型の共通電極を形成すること、を含み、前記蒸着マスクは、第１開口部を定義するメインフレームと、平面上で、前記メインフレームの一側から外部に向かって突出し、互いに離隔されて、第２開口部を定義する複数のリブと、前記第２開口部を横切って、前記複数のリブを連結して、前記複数のリブの位置を固定し、前記リブよりも薄い厚さを有する複数のブリッジと、を含み、前記共通電極は、前記第１開口部を介して蒸着されるメイン共通電極と、前記複数のリブの間の第２開口部を介して蒸着される複数の延長部と、を含み、前記複数の延長部は、前記ブリッジが配置された位置において、前記メイン共通電極の厚さよりも薄い第１領域を含むように形成される、ディスプレイ装置の製造方法を開示する。

【発明の効果】

【0022】

本発明の実施形態によれば、コンポーネントが配置される領域でも画像表示が可能であるように、表示領域が拡張されたディスプレイ装置を実現することができる。また、一回の蒸着により、主表示領域と、コンポーネントが配置される領域との全体に共通電極を形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【0023】

【図1】本発明の一実施形態によるディスプレイ装置の一例を概略的に示す斜視図である。

【図2】図１のＡ－Ａ’断面及びＢ－Ｂ’断面の一例を概略的に示す断面図である。

【図3】図１のディスプレイ装置の製造過程の一部を概略的に示す斜視図である。

【図4】図３の蒸着マスクの一部を概略的に示す平面図である。

【図5】図２のディスプレイ装置の製造過程で使われる製造装置の一例を概略的に示す断面図である。

【図6】図４のＩＩ－ＩＩ’断面の一例を概略的に示す断面図である。

【図7】図１のディスプレイ装置を概略的に示す平面図である。

【図8】図７のディスプレイ装置の共通電極の一部を概略的に示す平面図である。

【図9】図８のＩＶ－ＩＶ’断面の一例を概略的に示す断面図である。

【図10】図４のＶＩ－ＶＩ’断面の一例を概略的に示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0024】

本発明は、様々な変更を加えることができ、色々な実施形態を有するところ、特定の実施形態を図面に例示し、詳細な説明で詳細に説明する。本発明の効果及び特徴、並びにそれらを達成する方法は、図面と共に詳細に後述されている実施形態を参照すれば明確になるであろう。しかし、本発明は、以下で開示される実施形態に限定されるものではなく、様々な形態に実現可能である。

【0025】

以下の実施形態において、第１、第２などの用語は、限定的な意味ではなく、一つの構成要素を他の構成要素と区別する目的に使われる。

【0026】

以下の実施形態において、単数の表現は、文脈上明白に取り立てて意味しない限り、複数の表現を含む。

【0027】

以下の実施形態において、“含む”または“有する”などの用語は、明細書上に記載された特徴または構成要素が存在することを意味するものであり、一つ以上の他の特徴または構成要素が付加される可能性を予め排除するものではない。

【0028】

以下の実施形態において、膜、領域、構成要素などの部分が他の部分上にあるという時、他の部分の真上にある場合だけでなく、その中間に他の膜、領域、構成要素などが介在されている場合も含む。

【0029】

図面では、説明の便宜上、構成要素の大きさが誇張されたり縮小されたりする。例えば、図面に示された各構成要素の大きさ及び厚さは、説明の便宜上、任意に表されているので、本発明が必ずしも図示されたところに限定されない。

【0030】

ある実施形態が異なる形態で実現可能な場合、特定の工程順序は、述べられる順序と異なって行われることもある。例えば、連続して述べられる二つの工程が実質的に同時に行われてもよいし、述べられる順序と逆の順序で行われてもよい。

【0031】

以下、添付された図面を参照して、本発明の実施形態を詳細に説明し、図面を参照して説明する。以下の説明において、同一のまたは対応する構成要素は、同じ図面符号を付与する。

【0032】

図１は、本発明の一実施形態によるディスプレイ装置の一例を概略的に示す斜視図である。

【0033】

図１を参照すると、ディスプレイ装置１の表示領域ＤＡは、第１表示領域ＤＡ１と、第２表示領域ＤＡ２とを含む。第１表示領域ＤＡ１は、複数の第１画素Ｐｍから放出される光を用いて、メインイメージを表示する主表示領域である。

【0034】

第２表示領域ＤＡ２は、基板１００の下部に、光信号や音響信号を用いるセンサなどが配置される領域であって、第２表示領域ＤＡ２には、センサなどが外部の光信号及び／または音響信号を受信し、該センサなどから、それらの信号をディスプレイ装置１の外部に出力可能なように、透過部ＴＡが備えられている。また、第２表示領域ＤＡ２には、複数の第２画素Ｐａが配置されている。第２表示領域ＤＡ２は、第２画素Ｐａから放出される光を用いて、イメージも提供する。但し、第２表示領域ＤＡ２には、透過部ＴＡが配置されるため、第１表示領域ＤＡ１で提供されるイメージに比べて、解像度が低い。すなわち、同じ単位面積当たりでは、第２表示領域ＤＡ２に配置された第２画素Ｐａの数は、第１表示領域ＤＡ１に配置された第１画素Ｐｍの数に比べて少ない。

【0035】

以下では、本発明の一実施形態によるディスプレイ装置１として、有機電界発光素子（有機ＥＬ）ディスプレイ装置を例として説明するが、無機ＥＬディスプレイ装置、量子ドット発光ディスプレイ装置などのように、様々な方式のディスプレイ装置が本発明の一実施形態に係るディスプレイ装置として使用することができる。

【0036】

図２は、図１のＡ－Ａ’断面及びＢ－Ｂ’断面の一例を概略的に示す断面図である。

【0037】

図２に示すように、第１画素Ｐｍ及び第２画素Ｐａは、基本的に同じ構造の有機電界発光素子ＯＬＥＤと薄膜トランジスタＴＦＴとを有し、第１表示領域ＤＡ１及び第２表示領域ＤＡ２での単位面積当たり配置の数にのみ差がある。

【0038】

まず、ディスプレイ装置１は、第１表示領域ＤＡ１と第２表示領域ＤＡ２とを含む基板１００、及び第２表示領域ＤＡ２と重畳する位置に配置されるコンポーネント３００を備えている。

【0039】

コンポーネント３００は、光や音響を用いる電子素子であってもよい。例えば、コンポーネント３００は、赤外線センサのように、光を受光して用いるセンサ、光や音響を出力し、感知して、距離を測定するか、または指紋などを認識するセンサ、光を出力する小型ランプ、音を出力するスピーカ、撮像素子などであってもよい。光を用いる電子素子の場合、可視光、赤外線光、紫外線光など、様々な波長帯域の光を利用できることはいうまでもない。第２表示領域ＤＡ２に配置されたコンポーネント３００は、複数であってもよい。例えば、コンポーネント３００として、発光素子及び受光素子が、一つの第２表示領域ＤＡ２に共に備えられてもよい。また、一つのコンポーネント３００に、発光部及び受光部が同時に備えられてもよい。

【0040】

基板１００は、ガラスまたは高分子樹脂を含む。高分子樹脂は、ポリエーテルスルホン、ポリアクリレート、ポリエーテルイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリフェニレンスルファイド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート、セルロースアセテートプロピオネートなどを含んでもよい。高分子樹脂を含む基板１００は、可撓性、回転性または屈曲性を有する。基板１００は、前述した高分子樹脂を含む層と、無機層（図示せず）とを含む多層構造であってもよい。

【0041】

基板１００上には、バッファ層１１１が設けられる。バッファ層１１１は、基板１００の下部からの異物、湿気または外気の浸透を減少または遮断することができ、基板１００上に平坦面を提供することができる。

【0042】

バッファ層１１１は、酸化物または窒化物のような無機物、有機物、または有機無機複合物を含み、無機物と有機物との単層または多層の構造で形成される。一例として、バッファ層１１１は、第１バッファ層１１１ａと第２バッファ層１１１ｂとが積層された構造を有してもよく、この時、第１バッファ層１１１ａと第２バッファ層１１１ｂとは、互いに異なる材質で形成されてもよい。例えば、第１バッファ層１１１ａは、シリコン窒化物を含有し、例えば、ＳｉＮ_ｘを含有してもよい。第２バッファ層１１１ｂは、シリコン酸化物を含有し、例えば、ＳｉＯ_ｘを含有してもよい。

【0043】

このように、第１バッファ層１１１ａがシリコン窒化物を含む場合、シリコン窒化物の形成時に水素が含まれていてもよい。これにより、バッファ層１１１上に形成される活性層１１３０のキャリア移動度が向上し、薄膜トランジスタＴＦＴの電気的特性が向上する。また、活性層１１３０は、シリコン物質を含有して形成されてもよいが、この場合、シリコンを含有する活性層１１３０と、シリコン酸化物を含有する第２バッファ層１１１ｂとの界面接合特性が向上し、薄膜トランジスタＴＦＴの電気的特性が向上する。

【0044】

バッファ層１１１上には、活性層１１３０、ゲート電極Ｇ、ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄを含む薄膜トランジスタＴＦＴが設けられる。以下では、活性層１１３０上にゲート電極Ｇが配置されたトップゲート型の薄膜トランジスタＴＦＴを説明するが、薄膜トランジスタＴＦＴは、ゲート電極Ｇが活性層１１３０よりも下に位置するボトムゲート型であってもよい。

【0045】

バッファ層１１１上の活性層１１３０は、例えば、ポリシリコンを含む。活性層１１３０は、ゲート電極Ｇと重畳するチャネル領域と、チャネル領域の両側に配置され、チャネル領域よりも高濃度の不純物がドープされたソース領域及びドレイン領域とを含む。ここで、不純物は、Ｎ型不純物またはＰ型不純物である。他の実施形態において、活性層１１３０は、アモルファスシリコンを含んでもよいし、有機半導体物質を含んでもよい。さらに他の実施形態において、活性層１１３０は、酸化物半導体を含んでもよい。

【0046】

当該活性層１１３０上には、第１ゲート絶縁層１１２を挟んで、ゲート電極Ｇが配置される。ゲート電極Ｇは、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）などを含み、単層または多層で形成される。

【0047】

第１ゲート絶縁層１１２は、シリコン酸化物（ＳｉＯ_２）、シリコン窒化物（ＳｉＮ_ｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、アルミニウム酸化物（Ａｌ_２Ｏ_３）、チタン酸化物（ＴｉＯ_２）、タンタル酸化物（Ｔａ_２Ｏ_５）、ハフニウム酸化物（ＨｆＯ_２）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ_２）などを含む。

【0048】

ゲート電極Ｇを覆うように、第２ゲート絶縁層１１３が備えられる。第２ゲート絶縁層１１３は、シリコン酸化物（ＳｉＯ_２）、シリコン窒化物（ＳｉＮ_ｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、アルミニウム酸化物（Ａｌ_２Ｏ_３）、チタン酸化物（ＴｉＯ_２）、タンタル酸化物（Ｔａ_２Ｏ_５）、ハフニウム酸化物（ＨｆＯ_２）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ_２）などを含む。

【0049】

層間絶縁層１１５上には、ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとが配置される。ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとは、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）などを含む導電物質を含み、前記の材料を含む多層または単層で形成される。

【0050】

ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄ上には、平坦化層１１７が設けられ、平坦化層１１７上には、有機電界発光素子ＯＬＥＤが設けられる。有機電界発光素子ＯＬＥＤは、薄膜トランジスタＴＦＴと電気的に接続される。一例として、有機電界発光素子ＯＬＥＤは、ドレイン電極Ｄと電気的に接続されてもよい。

【0051】

平坦化層１１７は、画素電極２１０が平坦に形成できるように、平坦な上面を有する。平坦化層１１７は、有機物質からなる膜が単層または多層で形成される。当該平坦化層１１７は、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、ポリイミド、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）やポリスチレン（ＰＳ）のような一般の汎用高分子、フェノール類を有する高分子誘導体、アクリル系高分子、イミド系高分子、アリールエーテル系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、ｐ－キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子及びそれらの混合物などを含む。平坦化層１１７は、無機物質を含んでもよい。このような平坦化層１１７は、シリコン酸化物（ＳｉＯ_２）、シリコン窒化物（ＳｉＮ_ｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、アルミニウム酸化物（Ａｌ_２Ｏ_３）、チタン酸化物（ＴｉＯ_２）、タンタル酸化物（Ｔａ_２Ｏ_５）、ハフニウム酸化物（ＨｆＯ_２）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ_２）などを含む。平坦化層１１７が無機物質で形成される場合、場合によって、ＣＭＰ（化学的機械研磨）を行ってもよい。また、平坦化層１１７は、有機物質及び無機物質の両方を含むことも可能である。

【0052】

画素電極２１０は、（半）透光性電極または反射電極である。一部の実施形態において、画素電極２１０は、Ａｇ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｎｉ，Ｎｄ，Ｉｒ，Ｃｒ及びそれらの化合物などで形成された反射膜と、反射膜上に形成された透明または半透明の電極層とを備える。透明または半透明の電極層は、インジウムスズ酸化物（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ：ＩＺＯ）、亜鉛酸化物（ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ：ＺｎＯ）、インジウム酸化物（ｉｎｄｉｕｍ ｏｘｉｄｅ：Ｉｎ_２Ｏ_３）、インジウムガリウム酸化物（ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｏｘｉｄｅ：ＩＧＯ）及びアルミニウム亜鉛酸化物（ａｌｕｍｉｎｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ：ＡＺＯ）を含むグループから選択された少なくとも一つ以上を含む。一部の実施形態において、画素電極２１０は、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯが積層された積層構造を有してもよい。

【0053】

平坦化層１１７上には、画素定義膜１１９が設けられる。画素定義膜１１９は、画素に対応する開口、すなわち、少なくとも画素電極２１０の中央部を露出させる開口を有することにより、発光領域を定義する。また、画素定義膜１１９は、画素電極２１０のエッジと、共通電極２３０との間の距離を増加させることにより、それらの間でアークなどが生じることを防止することができる。画素定義膜１１９は、例えば、ポリイミドまたはヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）のような有機物で形成される。

【0054】

中間層２２０は、低分子または高分子の物質を含む。低分子物質を含む場合、中間層２２０は、ホール注入層（Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ：ＨＩＬ）、ホール輸送層（Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ：ＨＴＬ）、発光層（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｌａｙｅｒ：ＥＭＬ）、電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ：ＥＴＬ）、電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ：ＥＩＬ）などが単一あるいは複合の構造で積層された構造を有し、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、Ｎ，Ｎ－ジ－（ナフタレン－１－イル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス－８－ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）などを始め、様々な有機物質を含む。かかる層は、真空蒸着法により形成されてもよい。

【0055】

中間層２２０が高分子物質を含む場合、中間層２２０は、ホール輸送層（ＨＴＬ）及び発光層（ＥＭＬ）を含む構造を有する。この時、ホール輸送層は、ポリ（３，４－エチレンジヒドロキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）を含み、発光層は、ポリフェニレンビニレン（ＰＰＶ）系及びポリフルオレン系などの高分子物質を含む。中間層２２０の構造は、前述したところに限定されるものではなく、様々な構造を有してもよい。例えば、中間層２２０をなす層のうち、少なくともいずれか一層は、複数の画素電極２１０にわたって一体に形成されてもよい。または、中間層２２０は、複数の画素電極２１０それぞれに対応するようにパターニングされた層を含んでもよい。

【0056】

共通電極２３０は、透光性電極または反射電極である。一部の実施形態において、共通電極２３０は、透明または半透明の電極であり、Ｌｉ，Ｃａ，ＬｉＦ／Ｃａ，ＬｉＦ／Ａｌ，Ａｌ，Ａｇ，Ｍｇ及びそれらの化合物を含む、仕事関数の低い金属薄膜で形成される。共通電極２３０は、第１表示領域ＤＡ１及び第２表示領域ＤＡ２にわたって配置され、中間層２２０及び画素定義膜１１９の上部に設けられる。

【0057】

第２表示領域ＤＡ２の透過部ＴＡは、コンポーネント３００から出射された光信号及び／または音響信号が通過する領域であって、それを通じて精密な信号伝達のために、透過部ＴＡには、共通電極２３０が形成されない。透過部ＴＡに共通電極２３０を形成しない場合、形成した場合に比べて、約１．５倍以上向上した透過度を示す。このような特徴的構造の共通電極２３０を製造する製造過程については後述する。また、透過部ＴＡには、透過度の向上のために、平坦化層１１７及び画素定義膜１１９が除去されてもよい。

【0058】

第２表示領域ＤＡ２には、第２画素Ｐａと重畳する位置において、基板１００と薄膜トランジスタＴＦＴとの間に、遮断層ＢＳＭが設けられる。遮断層ＢＳＭは、隣接したコンポーネント３００の光信号や音響信号により、薄膜トランジスタＴＦＴが影響を受けないようする機能を行う。一例として、遮断層ＢＳＭは、第１バッファ層１１１ａと第２バッファ層１１１ｂとの間に位置してもよい。

【0059】

図示していないが、共通電極２３０上には、少なくとも一層の無機封止層と、少なくとも一層の有機封止層とが積層された薄膜封止層が形成される。無機封止層は、アルミニウム酸化物、チタン酸化物、タンタル酸化物、ハフニウム酸化物、亜鉛酸化物、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物のうち一つ以上の無機絶縁物を含み、有機封止層は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエチレンスルホネート、ポリオキシメチレン、ポリアリレート、ヘキサメチルジシロキサン、アクリル系樹脂（例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリル酸など）またはそれらの任意の組み合わせを含む。

【0060】

図３は、図１のディスプレイ装置の製造過程の一部を概略的に示す斜視図であり、図４は、図３の蒸着マスクの一部を概略的に示す平面図であり、図５は、図２のディスプレイ装置の製造過程で使われる製造装置の一例を概略的に示す断面図であり、図６は、図４のＩＩ－ＩＩ’断面の一例を概略的に示す断面図である。

【0061】

図３は、基板１００上に共通電極２３０（図７）を形成するための方法を示している。具体的には、蒸着マスク１０と基板１００とを密着した後、蒸着マスク１０を介して、基板１００上に共通電極２３０（図７）を形成する物質を蒸着する。一方、共通電極２３０（図７）は、一回の蒸着工程により、第１表示領域ＤＡ１及び第２表示領域ＤＡ２にわたって形成されるが、このために、蒸着マスク１０は、第１表示領域ＤＡ１に対応する第１開口部１２及び複数のリブ１３を含む。

【0062】

第１開口部１２は、蒸着マスク１０のメインフレーム１１により定義され、複数のリブ１３は、第２表示領域ＤＡ２に対応するように、平面上で、メインフレーム１１の一側から外部に向かって突出する。

【0063】

複数のリブ１３は、互いに離隔されており、図４に示したように、複数のリブ１３の間には、第２開口部１５が定義される。複数のリブ１３は、透過部ＴＡ（図６）に対応するように位置することにより、結果として、透過部ＴＡ（図６）には、共通電極２３０（図７）が蒸着されない。

【0064】

これに対し、第２開口部１５は、複数の第２画素Ｐａと重畳する位置に設けられ、それによって、複数の第２画素Ｐａに対応する位置に、共通電極２３０（図７）が蒸着される。この時、第２開口部１５の幅は、複数の第２画素Ｐａの幅よりも広く形成され、その結果、第２開口部１５を介して蒸着される共通電極２３０（図７）は、複数の第２画素Ｐａを覆うように形成される。ここで、第２画素Ｐａの幅は、発光領域を定義するための画素定義膜１１９（図２）の開口の幅を意味する。したがって、共通電極２３０（図７）の形成過程中、蒸着マスク１０と基板１００との微細な整列誤差が発生しても、共通電極２３０（図７）の形成不良が生じることを防止することができる。

【0065】

一方、複数のリブ１３は、ブリッジ１４により互いに連結される。一例として、ブリッジ１４は、第２開口部１５を横切って、複数の第２画素Ｐａの形成領域の間に位置する。ここで、ブリッジ１４が第２開口部１５を横切るということは、最短距離で第２開口部１５を横切るということのみを意味するものではなく、複数の第２画素Ｐａの位置に応じて、図４に示したように、ブリッジ１４が直線状に斜めに第２開口部１５を横切ることも含む。当該ブリッジ１４は、一側に長く形成されたリブ１３の位置を互いに固定させることにより、第２表示領域ＤＡ２において正確な位置に共通電極２３０（図７）が形成されるようにすることが可能である。

【0066】

かかる蒸着マスク１０を用いた共通電極２３０（図７）の形成は、図５に示した製造装置４００を用いて行われる。製造装置４００は、チャンバー４１０、マスクアセンブリ４２０、第１支持部４３０、第２支持部４４０、蒸着源４５０、磁力生成部４６０、映像部４７０及び圧力調節部４８０を含む。

【0067】

チャンバー４１０は、内部に空間が形成され、チャンバー４１０の一部は開放されるように形成されてもよい。この時、チャンバー４１０の開放される部分には、開閉可能にゲートバルブ４１１が配置されてもよい。また、圧力調節部４８０は、チャンバー４１０と連結され、チャンバー４１０の内部の圧力を調節する。この時、圧力調節部４８０は、チャンバー４１０と連結される連結配管４８１と、連結配管４８１に配置されるポンプ４８２とを含む。

【0068】

マスクアセンブリ４２０は、マスクシート４２２と、マスクシート４２２と結合するマスクフレーム４２１とを含む。マスクシート４２２は、前述した蒸着マスク１０を含む。一例として、マスクシート４２２は、蒸着マスク１０を複数枚含んでもよい。マスクシート４２２は、引っ張られた状態でマスクフレーム４２１に固定される。

【0069】

第１支持部４３０には、基板１００が載置される。第１支持部４３０は、基板１００の位置を調節できる。例えば、第１支持部４３０は、ＵＶＷステージを含む。第２支持部４４０には、マスクアセンブリ４２０が載置される。第２支持部４４０は、第１支持部４３０と同様に、マスクアセンブリ４２０の位置を調節することが可能である。

【0070】

蒸着源４５０は、蒸着物質が収納された後、蒸着物質を気化させるか、または昇華させ、チャンバー４１０内に供給する。この時、蒸着源４５０は、内部にヒータを含んでもよく、ヒータの動作により、蒸着ソース４５０の内部の蒸着物質を加熱することにより、蒸着物質を溶融させるか、または昇華させる。

【0071】

映像部４７０は、チャンバー４１０に配置され、マスクアセンブリ４２０及び基板１００の位置を撮影する。この時、映像部４７０は、マスクアセンブリ４２０及び基板１００のうち少なくとも一つのアラインマークなどを撮影する。

【0072】

磁力生成部４６０は、チャンバー４１０に配置され、基板１００とマスクアセンブリ４２０とを密着させる。この時、磁力生成部４６０は、磁力を生成する電磁石または永久磁石などを含む。一方、前述したように、蒸着マスク１０は、一側に長く形成されたリブ１３の位置を互いに固定させるブリッジ１４を含むことにより、基板１００とマスクアセンブリ４２０との密着時、リブ１３の位置がずれることを防止することができ、その結果、第２表示領域ＤＡ２において、共通電極２３０（図７）が正確な位置に蒸着される。

【0073】

第２表示領域ＤＡ２において、共通電極２３０（図７）は、複数のリブ１３の間の第２開口部１５を介して蒸着されるが、前述したように、ブリッジ１４は、第２開口部１５を横切るように位置するため、第２開口部１５を介して蒸着される共通電極２３０（図７）が、ブリッジ１４により断線されないようにしなければならない。このために、図６に示したように、ブリッジ１４とリブ１３とが同じ上面をなし、ブリッジ１４の厚さは、リブ１３の厚さよりも薄い。すなわち、ブリッジ１４の下部面が、共通電極２３０が蒸着される蒸着面から離隔されることにより、ブリッジ１４の下部にも、共通電極２３０が蒸着され、第２表示領域ＤＡ２において、共通電極２３０（図７）は、ブリッジ１４により断線されることなく、連続的に形成可能である。

【0074】

また、リブ１３は、蒸着マスク１０のメインフレーム１１から突出した形状を有するので、メインフレーム１１により、共通電極２３０（図７）が、第１表示領域ＤＡ１及び第２表示領域ＤＡ２で断線されることを防止しなければならない。このために、メインフレーム１１では、第２開口部１５と隣接した領域Ｐは、図６に示したブリッジ１４と同じ形状を有する。すなわち、領域Ｐにおいて、メインフレーム１１は、周辺よりも薄い厚さを有し、図４のＩＩ－ＩＩ’断面及びＩＩＩ－ＩＩＩ’断面は、図６に示したように、同じ形状を有する。その結果、蒸着マスク１０を使用して、共通電極２３０（図７）を蒸着する際、共通電極２３０（図７）が、第１表示領域ＤＡ１及び第２表示領域ＤＡ２で分離されることを防止することができる。

【0075】

図７は、図１のディスプレイ装置を概略的に示す平面図であり、図８は、図７のディスプレイ装置の共通電極の一部を概略的に示す平面図であり、図９は、図８のＩＶ－ＩＶ’断面の一例を概略的に示す断面図である。

【0076】

まず、図７に示したように、表示領域ＤＡは、解像度が互いに異なる第１表示領域ＤＡ１と第２表示領域ＤＡ２とを含み、共通電極２３０は、第１表示領域ＤＡ１に位置するメイン共通電極２３０ａと、第２表示領域ＤＡ２に位置する複数の延長部２３０ｂとを含む。

【0077】

共通電極２３０は、前述した蒸着マスク１０（図３）を用いて、一回の蒸着工程により形成され、それによって、メイン共通電極２３０ａと複数の延長部２３０ｂとは、一体に形成される。したがって、第１画素Ｐｍと第２画素Ｐａとは、一体的に形成された一つの共通電極２３０を含む。

【0078】

第１表示領域ＤＡ１には、複数の第１画素Ｐｍが稠密に配列され、メイン共通電極２３０ａは、複数の第１画素Ｐｍに対応して一体に形成される。

【0079】

第２表示領域ＤＡ２には、第２画素Ｐａが第１画素Ｐｍよりも粗く配置される。したがって、第２表示領域ＤＡ２の解像度は、第１表示領域ＤＡ１の解像度よりも低い。複数の延長部２３０ｂは、メイン共通電極２３０ａから突出して延びることにより、それぞれ第２画素Ｐａに対応する。

【0080】

一例として、図７では、複数の延長部２３０ｂがジグザグ状を有することを示しているが、延長部２３０ｂの形状は、第２画素Ｐａの配置によって多様に変更することができる。一例として、第２画素Ｐａの配置によって、複数の延長部２３０ｂは、直線状に形成されてもよいし、斜めに形成されてもよい。複数の延長部２３０ｂは、延びた方向と垂直な方向に互いに離隔されて、透過部ＴＡを形成する。

【0081】

延長部２３０ｂは、それぞれ複数の第２画素Ｐａをカバーするが、延長部２３０ｂの幅が、第２画素Ｐａの幅よりも広い。ここで、第２画素Ｐａの幅は、発光領域を定義するための画素定義膜１１９（図２）の開口の幅を意味する。また、延長部２３０ｂは、複数の第２画素Ｐａの間で、メイン共通電極２３０ａの厚さよりも薄い第１領域Ｇを含む。第１領域Ｇ１は、周辺に比べて、上面の位置がより低い凹状を有する。第１領域Ｇは、前述したブリッジ１４（図４）が位置していた箇所に形成され、ブリッジ１４（図４）と同じパターンを有する。すなわち、第１領域Ｇは、延長部２３０ｂを横切るようい設けられてもよい。

【0082】

前述したように、第２開口部１５（図４）と隣接したメインフレームの領域Ｐ（図４）は、ブリッジ１４（図４）と同じ形状を有するため、共通電極２３０は、メイン共通電極２３０ａと延長部２３０ｂとの連結部位に、周辺の共通電極２３０よりも高さが低い第２領域Ｑをさらに含んでもよい。すなわち、図８のＩＶ－ＩＶ’断面及びＶ－Ｖ’断面は、図９に示したように、同じ形状を有する。

【0083】

図１０は、図４のＶＩ－ＶＩ’断面の一例を概略的に示す断面図である。

【0084】

図１０は、ブリッジ１４の長手方向と垂直な断面形状を示している。前述したように、ブリッジ１４の下面は、蒸着面から離隔されているため、ブリッジ１４の下部にも、共通電極２３０（図７）が蒸着される。一方、共通電極２３０（図７）の蒸着時に、蒸着物質が斜めに入射ため、ブリッジ１４の下部への蒸着効率を向上させるために、ブリッジ１４の垂直断面の形状は、逆三角形であってもよい。但し、本発明は、それに限定されるものではなく、ブリッジ１４は、様々な形状を有してもよい。

【0085】

また、ブリッジ１４の下部への共通電極２３０（図２）の蒸着効率を向上させるために、ブリッジ１４の厚さＴ_２が、ブリッジ１４の幅Ｗよりも大きく、リブ１３の厚さＴ_１と、ブリッジ１４の厚さＴ_２との差は、ブリッジ１４の幅Ｗの０．５倍以上であってもよい。

【0086】

このように、本発明は、図面に示した一実施形態を参照して説明したが、これは、例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これらから様々な変形及び実施形態の変形が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決まらなければならない。

【産業上の利用可能性】

【0087】

本発明は、例えば、表示関連の技術分野に適用可能である。

【符号の説明】

【0088】

１ ディスプレイ装置
１００ 基板
１１１ バッファ層
１１１ａ 第１バッファ層
１１１ｂ 第２バッファ層
１１２ 第１ゲート絶縁層
１１３ 第２ゲート絶縁層
１１５ 層間絶縁層
１１７ 平坦化層
１１９ 画素定義膜
２１０ 画素電極
２２０ 中間層
２３０ 共通電極
３００ コンポーネント
１１３０ 活性層
ＢＳＭ 遮断層
Ｄ ドレイン電極
ＤＡ 表示領域
ＤＡ１ 第１表示領域
ＤＡ２ 第２表示領域
Ｇ ゲート電極
ＯＬＥＤ 有機電界発光素子
Ｐａ 第２画素
Ｐｍ 第１画素
Ｓ ソース電極
ＴＡ 透過部
ＴＦＴ 薄膜トランジスタ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】