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特許7614178面発光レーザ、面発光レーザアレイ、電子機器及び面発光レーザの製造方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2025-01-06
(45)【発行日】2025-01-15
(54)【発明の名称】面発光レーザ、面発光レーザアレイ、電子機器及び面発光レーザの製造方法
(51)【国際特許分類】
H01S 5/183 20060101AFI20250107BHJP
H01S 5/42 20060101ALI20250107BHJP
【ＦＩ】
H01S5/183
H01S5/42
【請求項の数】
17
(21)【出願番号】P 2022509369
(86)(22)【出願日】2021-02-09
(86)【国際出願番号】 JP2021004764
(87)【国際公開番号】W WO2021192672
(87)【国際公開日】2021-09-30
【審査請求日】2023-12-21
(31)【優先権主張番号】P 2020057521
(32)【優先日】2020-03-27
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】316005926
【氏名又は名称】ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100112874
【弁理士】
【氏名又は名称】渡邊 薫
(72)【発明者】
【氏名】立川 佳照
(72)【発明者】
【氏名】我妻 新一
(72)【発明者】
【氏名】小川 雅人
(72)【発明者】
【氏名】土門 大志
(72)【発明者】
【氏名】大石 正人
【審査官】村井 友和
(56)【参考文献】
【文献】特開２００４－２２１４９２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００９－１９４１０２（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１８／００４１０１０（ＵＳ，Ａ１）
【文献】特開平０６－３１４８５４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００３－１２４５７０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１１－１３５０２９（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｓ ５／００－５／５０
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１の多層膜反射鏡と、第２の多層膜反射鏡と、
前記第１の多層膜反射鏡と前記第２の多層膜反射鏡との間に配置された活性層と、
を備え、
前記第１の多層膜反射鏡及び／又は前記第２の多層膜反射鏡は、他の領域よりも不純物濃度の高い高濃度不純物領域が厚さ方向に部分的に設けられており、
前記第１の多層膜反射鏡及び／又は前記第２の多層膜反射鏡は、
第１の層と、
前記高濃度不純物領域が設けられた第２の層と、
を含み、
前記第１の層は、少なくとも一方がＡｌを組成に含む屈折率層のペアを１ペア以上有し、
前記第２の層は、少なくとも一方がＡｌを組成に含む屈折率層のペアを１ペア以上有し、
前記第２の層の前記ペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さに対する、Ａｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さの比率は、前記第１の層の前記ペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さに対する、Ａｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さの比率よりも大きい、面発光レーザ。
【請求項2】
前記高濃度不純物領域は、前記第１の多層膜反射鏡及び／又は前記第２の多層膜反射鏡の面内方向に部分的に設けられている、請求項１に記載の面発光レーザ。
【請求項3】
前記高濃度不純物領域は、少なくとも、前記第１の多層膜反射鏡及び／又は前記第２の多層膜反射鏡の前記活性層から遠い方の表層に設けられている、請求項１又は２に記載の面発光レーザ。
【請求項4】
前記高濃度不純物領域は、少なくとも、前記第１の多層膜反射鏡及び／又は前記第２の多層膜反射鏡の前記活性層から近い方の表層には設けられていない、請求項１～３のいずれか一項に記載の面発光レーザ。
【請求項5】
前記第１の層は相対的に前記活性層から近く、且つ、前記第２の層は相対的に前記活性層から遠い、請求項１～４のいずれか一項に記載の面発光レーザ。
【請求項6】
前記第２の層と前記活性層との間に、１ペア以上のアンドープもしくは１ｘ１０１８ｃｍ－３以下の低濃度ドープの屈折率層又はアンドープもしくは１ｘ１０１８ｃｍ－３以下の低濃度ドープのＧａＡｓ層が配置されている、請求項１～５のいずれか一項に記載の面発光レーザ。
【請求項7】
前記屈折率層又は前記ＧａＡｓ層は、前記第２の層と前記第１の層との間に配置されている、請求項１～６のいずれか一項に記載の面発光レーザ。
【請求項8】
前記第１の層の前記ペアを構成する前記屈折率層の光学厚さの合計と、前記第２の層の前記ペアを構成する前記屈折率層の光学厚さの合計とが略同一である、請求項１～７のいずれか一項に記載の面発光レーザ。
【請求項9】
第１の多層膜反射鏡と、第２の多層膜反射鏡と、
前記第１の多層膜反射鏡と前記第２の多層膜反射鏡との間に配置された活性層と、
を備え、
前記第１の多層膜反射鏡及び／又は前記第２の多層膜反射鏡は、他の領域よりも不純物濃度の高い高濃度不純物領域が厚さ方向に部分的に設けられており、
前記第１の多層膜反射鏡及び／又は前記第２の多層膜反射鏡は、
第１の層と、
前記高濃度不純物領域が設けられた第２の層と、
を含み、
前記第２の層と前記第１の層との間に配置された定在波調整層を更に備える、面発光レーザ。
【請求項10】
前記定在波調整層は、Ａｌを組成に含む層を有し、前記Ａｌを組成に含む層の光学厚さは、前記第１の層の前記ペアのうちＡｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さよりも厚く、且つ、前記第２の層の前記ペアのうちＡｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さよりも薄い、請求項９に記載の面発光レーザ。
【請求項11】
前記定在波調整層は、Ａｌを組成に含む層を有し、前記Ａｌを組成に含む層の光学厚さは、前記第１の層の前記ペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さよりも薄く、且つ、前記第２の層の前記ペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さよりも厚い、請求項９又は１０に記載の面発光レーザ。
【請求項12】
発振波長が９００ｎｍ以上である、請求項１～１１のいずれか一項に記載の面発光レーザ。
【請求項13】
請求項１～１２のいずれか一項に記載の面発光レーザが２次元配列されている面発光レーザアレイ。
【請求項14】
請求項１～１３のいずれか一項に記載の面発光レーザを備える電子機器。
【請求項15】
少なくとも第１の多層膜反射鏡、活性層及び第２の多層膜反射鏡をこの順に積層して積層体を生成する工程と、前記積層体の前記第２の多層膜反射鏡に対して前記活性層側とは反対側に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜をエッチングして開口を形成する工程と、
前記開口を介して前記第２の多層膜反射鏡の前記活性層から遠い方の表層を含む一部の層に不純物を拡散させる工程と、
を含み、
前記積層体を生成する工程では、前記活性層上に前記第２の多層膜反射鏡の全てを積層する前に、前記活性層上に前記不純物の拡散を抑制する拡散抑制層を積層する、面発光レーザの製造方法。
【請求項16】
少なくとも第１の多層膜反射鏡、活性層及び第２の多層膜反射鏡をこの順に積層して積層体を生成する工程と、前記積層体の前記第２の多層膜反射鏡に対して前記活性層側とは反対側に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜をエッチングして開口を形成する工程と、
前記開口を介して前記第２の多層膜反射鏡の前記活性層から遠い方の表層を含む一部の層に不純物を拡散させる工程と、
を含み、
前記第２の多層膜反射鏡は、第１の層と、他の領域よりも不純物濃度の高い高濃度不純物領域が設けられた第２の層と、を含み、
前記第１の層は、少なくとも一方がＡｌを組成に含む屈折率層のペアを１ペア以上有し、
前記第２の層は、少なくとも一方がＡｌを組成に含む屈折率層のペアを１ペア以上有し、
前記第２の層の前記ペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さに対するＡｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さの比率は、前記第１の層の前記ペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さに対するＡｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さの比率よりも大きく、
前記積層体を生成する工程では、前記活性層上に前記第１の層を積層し、該第１の層上に定在波調整層を積層し、該定在波調整層上に前記第２の層を積層する、面発光レーザの製造方法。
【請求項17】
前記拡散させる工程では、少なくとも、前記第２の多層膜反射鏡の相対的に前記活性層に近い方の表層には前記不純物を拡散させない、請求項１５又は１６に記載の面発光レーザの製造方法。【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示に係る技術（以下「本技術」とも呼ぶ）は、面発光レーザ、面発光レーザアレイ、電子機器及び面発光レーザの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、下部多層膜反射鏡及び上部多層膜反射鏡の間に活性層が配置された面発光レーザが知られている。
従来の面発光レーザの中には、上部多層膜反射鏡の厚さ方向の全域に不純物濃度が高い領域を有したものがある（例えば特許文献１参照）。
従来の面発光レーザの中には、上部多層膜反射鏡の厚さ方向の全域に不純物濃度が高い領域を有したものがある（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開平１１－６８２２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、従来の面発光レーザでは、製造効率の低下を抑制しつつ低抵抗化を図ることに関して改善の余地があった。
【0005】
そこで、本技術は、製造効率の低下を抑制しつつ低抵抗化を図ることができる面発光レーザ、該面発光レーザを備える面発光レーザアレイ、該面発光レーザアレイを備える電子機器及び該面発光レーザの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本技術は、
第１の多層膜反射鏡と、
第２の多層膜反射鏡と、
前記第１の多層膜反射鏡と前記第２の多層膜反射鏡との間に配置された活性層と、
を備え、
前記第１の多層膜反射鏡及び／又は前記第２の多層膜反射鏡は、他の領域よりも不純物濃度の高い高濃度不純物領域が厚さ方向に部分的に設けられている、面発光レーザを提供する。
前記高濃度不純物領域は、前記第１の多層膜反射鏡及び／又は前記第２の多層膜反射鏡の面内方向に部分的に設けられていることが好ましい。
前記高濃度不純物領域は、少なくとも、前記第１の多層膜反射鏡及び／又は前記第２の多層膜反射鏡の前記活性層から遠い方の表層に設けられていてもよい。
前記高濃度不純物領域は、少なくとも、前記第１の多層膜反射鏡及び／又は前記第２の多層膜反射鏡の前記活性層から近い方の表層には設けられていないことが好ましい。
前記第１の多層膜反射鏡及び／又は前記第２の多層膜反射鏡は、第１の層と、前記高濃度不純物領域が設けられた第２の層と、を含んでいてもよい。
前記第１の層は相対的に前記活性層から近く、且つ、前記第２の層は相対的に前記活性層から遠いことが好ましい。
前記第２の層と前記活性層との間に、１ペア以上のアンドープもしくは１ｘ１０１８ｃｍ－３以下の低濃度ドープの屈折率層又はアンドープもしくは１ｘ１０１８ｃｍ－３以下の低濃度ドープのＧａＡｓ層が配置されていてもよい。
前記屈折率層又は前記ＧａＡｓ層は、前記第２の層と前記第１の層との間に配置されていてもよい。
前記第１の層は、少なくとも一方がＡｌを組成に含む屈折率層のペアを１ペア以上有し、前記第２の層は、少なくとも一方がＡｌを組成に含む屈折率層のペアを１ペア以上有し、前記第２の層の前記ペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さに対する、Ａｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さの比率は、前記第１の層の前記ペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さに対するＡｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さの比率よりも大きいことが好ましい。
前記第１の層の前記ペアを構成する前記屈折率層の光学厚さの合計と、前記第２の層の前記ペアを構成する前記屈折率層の光学厚さの合計とが等しいことが好ましい。
前記第２の層と前記第１の層との間に配置された定在波調整層を更に備えていてもよい。
前記定在波調整層は、Ａｌを組成に含む層を有し、前記Ａｌを組成に含む層の光学厚さは、前記第１の層の前記ペアのうちＡｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さよりも厚く、且つ、前記第２の層の前記ペアのうちＡｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さよりも薄いことが好ましい。
前記定在波調整層は、Ａｌを組成に含む層を有し、前記Ａｌを組成に含む層の光学厚さは、前記第１の層の前記ペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さよりも薄く、且つ、前記第２の層の前記ペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さよりも厚いことが好ましい。
前記面発光レーザは、発振波長が９００ｎｍ以上であってもよい。
本技術は、前記面発光レーザが２次元配列されている面発光レーザアレイも提供する。
本技術は、前記面発光レーザを備える電子機器も提供する。
本技術は、少なくとも第１の多層膜反射鏡、活性層及び第２の多層膜反射鏡をこの順に積層して積層体を生成する工程と、
前記積層体の前記第２の多層膜反射鏡に対して前記活性層側とは反対側に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜をエッチングして開口を形成する工程と、
前記開口を介して前記第２の多層膜反射鏡の前記活性層から遠い方の表層を含む一部の層に不純物を拡散させる工程と、
を含む、面発光レーザの製造方法も提供する。
前記拡散させる工程では、少なくとも、前記第２の多層膜反射鏡の相対的に前記活性層に近い方の表層には前記不純物を拡散させないことが好ましい。
前記積層体を生成する工程では、前記活性層上に前記第２の多層膜反射鏡の全てを積層する前に、前記活性層上に前記不純物の拡散を抑制する拡散抑制層を積層してもよい。
前記第２の多層膜反射鏡は、第１の層と、他の領域よりも不純物濃度の高い高濃度不純物領域が設けられた第２の層と、を含み、前記第１の層は、少なくとも一方がＡｌを組成に含む屈折率層のペアを１ペア以上有し、前記第２の層は、少なくとも一方がＡｌを組成に含む屈折率層のペアを１ペア以上有し、前記第２の層の前記ペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さに対するＡｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さの比率は、前記第１の層の前記ペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さに対するＡｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さの比率よりも大きく、前記積層体を生成する工程では、前記活性層上に前記第１の層を積層し、該第１の層上に定在波調整層を積層し、該定在波調整層上に前記第２の層を積層してもよい。
第１の多層膜反射鏡と、
第２の多層膜反射鏡と、
前記第１の多層膜反射鏡と前記第２の多層膜反射鏡との間に配置された活性層と、
を備え、
前記第１の多層膜反射鏡及び／又は前記第２の多層膜反射鏡は、他の領域よりも不純物濃度の高い高濃度不純物領域が厚さ方向に部分的に設けられている、面発光レーザを提供する。
前記高濃度不純物領域は、前記第１の多層膜反射鏡及び／又は前記第２の多層膜反射鏡の面内方向に部分的に設けられていることが好ましい。
前記高濃度不純物領域は、少なくとも、前記第１の多層膜反射鏡及び／又は前記第２の多層膜反射鏡の前記活性層から遠い方の表層に設けられていてもよい。
前記高濃度不純物領域は、少なくとも、前記第１の多層膜反射鏡及び／又は前記第２の多層膜反射鏡の前記活性層から近い方の表層には設けられていないことが好ましい。
前記第１の多層膜反射鏡及び／又は前記第２の多層膜反射鏡は、第１の層と、前記高濃度不純物領域が設けられた第２の層と、を含んでいてもよい。
前記第１の層は相対的に前記活性層から近く、且つ、前記第２の層は相対的に前記活性層から遠いことが好ましい。
前記第２の層と前記活性層との間に、１ペア以上のアンドープもしくは１ｘ１０１８ｃｍ－３以下の低濃度ドープの屈折率層又はアンドープもしくは１ｘ１０１８ｃｍ－３以下の低濃度ドープのＧａＡｓ層が配置されていてもよい。
前記屈折率層又は前記ＧａＡｓ層は、前記第２の層と前記第１の層との間に配置されていてもよい。
前記第１の層は、少なくとも一方がＡｌを組成に含む屈折率層のペアを１ペア以上有し、前記第２の層は、少なくとも一方がＡｌを組成に含む屈折率層のペアを１ペア以上有し、前記第２の層の前記ペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さに対する、Ａｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さの比率は、前記第１の層の前記ペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さに対するＡｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さの比率よりも大きいことが好ましい。
前記第１の層の前記ペアを構成する前記屈折率層の光学厚さの合計と、前記第２の層の前記ペアを構成する前記屈折率層の光学厚さの合計とが等しいことが好ましい。
前記第２の層と前記第１の層との間に配置された定在波調整層を更に備えていてもよい。
前記定在波調整層は、Ａｌを組成に含む層を有し、前記Ａｌを組成に含む層の光学厚さは、前記第１の層の前記ペアのうちＡｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さよりも厚く、且つ、前記第２の層の前記ペアのうちＡｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さよりも薄いことが好ましい。
前記定在波調整層は、Ａｌを組成に含む層を有し、前記Ａｌを組成に含む層の光学厚さは、前記第１の層の前記ペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さよりも薄く、且つ、前記第２の層の前記ペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さよりも厚いことが好ましい。
前記面発光レーザは、発振波長が９００ｎｍ以上であってもよい。
本技術は、前記面発光レーザが２次元配列されている面発光レーザアレイも提供する。
本技術は、前記面発光レーザを備える電子機器も提供する。
本技術は、少なくとも第１の多層膜反射鏡、活性層及び第２の多層膜反射鏡をこの順に積層して積層体を生成する工程と、
前記積層体の前記第２の多層膜反射鏡に対して前記活性層側とは反対側に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜をエッチングして開口を形成する工程と、
前記開口を介して前記第２の多層膜反射鏡の前記活性層から遠い方の表層を含む一部の層に不純物を拡散させる工程と、
を含む、面発光レーザの製造方法も提供する。
前記拡散させる工程では、少なくとも、前記第２の多層膜反射鏡の相対的に前記活性層に近い方の表層には前記不純物を拡散させないことが好ましい。
前記積層体を生成する工程では、前記活性層上に前記第２の多層膜反射鏡の全てを積層する前に、前記活性層上に前記不純物の拡散を抑制する拡散抑制層を積層してもよい。
前記第２の多層膜反射鏡は、第１の層と、他の領域よりも不純物濃度の高い高濃度不純物領域が設けられた第２の層と、を含み、前記第１の層は、少なくとも一方がＡｌを組成に含む屈折率層のペアを１ペア以上有し、前記第２の層は、少なくとも一方がＡｌを組成に含む屈折率層のペアを１ペア以上有し、前記第２の層の前記ペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さに対するＡｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さの比率は、前記第１の層の前記ペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さに対するＡｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さの比率よりも大きく、前記積層体を生成する工程では、前記活性層上に前記第１の層を積層し、該第１の層上に定在波調整層を積層し、該定在波調整層上に前記第２の層を積層してもよい。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの構成を示す断面図である。
【図2】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の一例を説明するためのフローチャートである。
【図3】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法における積層体生成工程を説明するためのフローチャートである。
【図4】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の工程毎の断面図（その１）である。
【図5】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の工程毎の断面図（その２）である。
【図6】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の工程毎の断面図（その３）である。
【図7】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の工程毎の断面図（その４）である。
【図8】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の工程毎の断面図（その５）である。
【図9】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の工程毎の断面図（その６）である。
【図10】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の工程毎の断面図（その７）である。
【図11】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の工程毎の断面図（その８）である。
【図12】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の工程毎の断面図（その９）である。
【図13】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の工程毎の断面図（その１０）である。
【図14】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の工程毎の断面図（その１１）である。
【図15】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の工程毎の断面図（その１２）である。
【図16】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の工程毎の断面図（その１３）である。
【図17】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の工程毎の断面図（その１４）である。
【図18】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の工程毎の断面図（その１５）である。
【図19】本技術の第１の実施形態の変形例１に係る面発光レーザの構成を示す断面図である。
【図20】本技術の第１の実施形態の変形例２に係る面発光レーザの構成を示す断面図である。
【図21】本技術の第２の実施形態に係る面発光レーザの構成を示す断面図である。
【図22】本技術の第２の実施形態に係る面発光レーザの製造方法における積層体生成工程を説明するためのフローチャートである。
【図23】本技術の第３の実施形態に係る面発光レーザの構成を示す断面図である。
【図24】本技術の第３の実施形態に係る面発光レーザの製造方法における積層体生成工程を説明するためのフローチャートである。
【図25】本技術の第４の実施形態に係る面発光レーザの構成を示す断面図である。
【図26】本技術の第４の実施形態に係る面発光レーザの製造方法における積層体生成工程を説明するためのフローチャートである。
【図27】本技術の第５の実施形態に係る面発光レーザの構成を示す断面図である。
【図28】本技術の第６の実施形態に係る面発光レーザの構成を示す断面図である。
【図29】定在波調整層の機能を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下に添付図面を参照しながら、本技術の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。以下に説明する実施形態は、本技術の代表的な実施形態を示したものであり、これにより本技術の範囲が狭く解釈されることはない。本明細書において、本技術に係る面発光レーザ、面発光レーザアレイ、電子機器及び面発光レーザの製造方法の各々が複数の効果を奏することが記載される場合でも、本技術に係る面発光レーザ、面発光レーザアレイ、電子機器及び面発光レーザの製造方法の各々は、少なくとも１つの効果を奏すればよい。本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。
【0009】
また、以下の順序で説明を行う。
１．本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザ
（１）本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの構成
（２）本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法
（３）本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの作用
（４）本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの効果
２．本技術の第１の実施形態の変形例１に係る面発光レーザ
３．本技術の第１の実施形態の変形例２に係る面発光レーザ
４．本技術の第２の実施形態に係る面発光レーザ
５．本技術の第３の実施形態に係る面発光レーザ
６．本技術の第４の実施形態に係る面発光レーザ
７．本技術の第５の実施形態に係る面発光レーザ
８．本技術の第６の実施形態に係る面発光レーザ
９．本技術の変形例
１０．本技術を適用した面発光レーザの使用例
電子機器への応用例
１．本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザ
（１）本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの構成
（２）本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法
（３）本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの作用
（４）本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの効果
２．本技術の第１の実施形態の変形例１に係る面発光レーザ
３．本技術の第１の実施形態の変形例２に係る面発光レーザ
４．本技術の第２の実施形態に係る面発光レーザ
５．本技術の第３の実施形態に係る面発光レーザ
６．本技術の第４の実施形態に係る面発光レーザ
７．本技術の第５の実施形態に係る面発光レーザ
８．本技術の第６の実施形態に係る面発光レーザ
９．本技術の変形例
１０．本技術を適用した面発光レーザの使用例
電子機器への応用例
【0010】
１．＜本技術の第１実施形態に係る面発光レーザ＞
（１）本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの構成
図１は、本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザ１０の構成を示す断面図である。以下では、便宜上、図１等の断面図における上方を上、下方を下として説明する。
以下では、複数の面発光レーザ１０が２次元配列された面発光レーザアレイを構成している場合を例にとって説明する。図１には、当該面発光レーザアレイの１つの面発光レーザ１０が抜き出して示されている。
（１）本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの構成
図１は、本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザ１０の構成を示す断面図である。以下では、便宜上、図１等の断面図における上方を上、下方を下として説明する。
以下では、複数の面発光レーザ１０が２次元配列された面発光レーザアレイを構成している場合を例にとって説明する。図１には、当該面発光レーザアレイの１つの面発光レーザ１０が抜き出して示されている。
【0011】
（全体構成）
面発光レーザ１０は、図１に示すように、基板１００上に、第１の多層膜反射鏡２００、活性層３００及び第２の多層膜反射鏡５００がこの順に積層された積層構造を有している。
すなわち、面発光レーザ１０では、第１の多層膜反射鏡２００と第２の多層膜反射鏡５００との間に活性層３００が配置されている。
面発光レーザ１０は、図１に示すように、基板１００上に、第１の多層膜反射鏡２００、活性層３００及び第２の多層膜反射鏡５００がこの順に積層された積層構造を有している。
すなわち、面発光レーザ１０では、第１の多層膜反射鏡２００と第２の多層膜反射鏡５００との間に活性層３００が配置されている。
【0012】
本技術に係る面発光レーザは、発振波長が９００ｎｍ以上であることが好ましい。
本実施形態では、面発光レーザ１０の発振波長が例えば９４０ｎｍである。
なお、本技術に係る面発光レーザは、発振波長が９００ｎｍ未満であってもよい。
本実施形態では、面発光レーザ１０の発振波長が例えば９４０ｎｍである。
なお、本技術に係る面発光レーザは、発振波長が９００ｎｍ未満であってもよい。
【0013】
基板１００は、一例として、第１導電型（例えばｎ型）のＧａＡｓ基板である。
基板１００の第１の多層膜反射鏡２００側の面（上面）と第１の多層膜反射鏡２００との間には、バッファ層１５０が配置されている。
基板１００の第１の多層膜反射鏡２００側とは反対側の面（下面）には、第１導電型（例えばｎ型）のカソード電極９００が設けられている。
基板１００の第１の多層膜反射鏡２００側の面（上面）と第１の多層膜反射鏡２００との間には、バッファ層１５０が配置されている。
基板１００の第１の多層膜反射鏡２００側とは反対側の面（下面）には、第１導電型（例えばｎ型）のカソード電極９００が設けられている。
【0014】
カソード電極９００は、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。
カソード電極９００は、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＩｎからなる群から選択された少なくとも１種類の金属（合金を含む）によって構成されている。
カソード電極９００が積層構造である場合は、例えばＴｉ／Ａｕ、Ｔｉ／Ａｌ、Ｔｉ／Ａｌ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ／Ｐｔ、Ｎｉ／Ｐｔ、Ｐｄ／Ｐｔ、Ａｇ／Ｐｄ等の材料で構成される。
カソード電極９００は、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＩｎからなる群から選択された少なくとも１種類の金属（合金を含む）によって構成されている。
カソード電極９００が積層構造である場合は、例えばＴｉ／Ａｕ、Ｔｉ／Ａｌ、Ｔｉ／Ａｌ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ／Ｐｔ、Ｎｉ／Ｐｔ、Ｐｄ／Ｐｔ、Ａｇ／Ｐｄ等の材料で構成される。
【0015】
第１の多層膜反射鏡２００は、一例として、半導体多層膜反射鏡である。多層膜反射鏡は、分布型ブラッグ反射鏡（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒａｇｇ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）とも呼ばれる。多層膜反射鏡（分布型ブラッグ反射鏡）の一種である半導体多層膜反射鏡は、光吸収が少なく、高反射率及び導電性を有する。第１の多層膜反射鏡２００は、下部ＤＢＲとも呼ばれる。
【0016】
第１の多層膜反射鏡２００は、一例として、第１導電型（例えばｎ型）の半導体多層膜反射鏡であり、屈折率が互いに異なる複数種類（例えば２種類）の半導体層（屈折率層）が発振波長λの１／４（λ／４）の光学厚さで交互に積層された構造を有する。第１の多層膜反射鏡２００の各屈折率層は、第１導電型（例えばｎ型）のＡｌＧａＡｓ系化合物半導体からなる。
【0017】
活性層３００は、例えばＡｌＧａＡｓ系化合物半導体からなる障壁層及び量子井戸層を含む量子井戸構造を有する。この量子井戸構造は、単一量子井戸構造（ＱＷ構造）であってもよいし、多重量子井戸構造（ＭＱＷ構造）であってもよい。
【0018】
第１の多層膜反射鏡２００と活性層３００との間には、第１のスペーサ層２５０（下部スペーサ層）が配置されている。第１のスペーサ層２５０は、第１導電型（例えばｎ型）のＡｌＧａＡｓ系化合物半導体からなる。「スペーサ層」は「クラッド層」とも呼ばれる。
【0019】
第２の多層膜反射鏡５００は、一例として、第２導電型（例えばｐ型もしくはｎ型）の半導体多層膜反射鏡であり、屈折率が互いに異なる複数種類（例えば２種類）の半導体層（屈折率層）が発振波長の１／４波長の光学厚さで交互に積層された構造を有する。第２の多層膜反射鏡２００の各屈折率層は、第２導電型（例えばｐ型もしくはｎ型）のＡｌＧａＡｓ系化合物半導体からなる。後に、第２の多層膜反射鏡５００についてさらに詳細に説明する。
【0020】
第２の多層膜反射鏡５００の内部には、電流狭窄層４００が配置されている。
電流狭窄層４００は、一例として、ＡｌＡｓからなる非酸化領域４００ａと、その周囲を取り囲むＡｌＡｓの酸化物（例えばＡｌ２Ｏ３）からなる酸化領域４００ｂとを有する。
電流狭窄層４００は、一例として、ＡｌＡｓからなる非酸化領域４００ａと、その周囲を取り囲むＡｌＡｓの酸化物（例えばＡｌ２Ｏ３）からなる酸化領域４００ｂとを有する。
【0021】
第２の多層膜反射鏡５００と活性層３００との間には、第２のスペーサ層３５０（上部スペーサ層）が配置されている。第２のスペーサ層３５０は、第２導電型（例えばｐ型）のＡｌＧａＡｓ系化合物半導体からなる。「スペーサ層」は「クラッド層」とも呼ばれる。
【0022】
第２の多層膜反射鏡５００上には、コンタクト層６００が配置されている。コンタクト層６００は、第２導電型（例えばｐ型）のＧａＡｓ系化合物半導体からなる。
【0023】
ここで、第１の多層膜反射鏡２００の一部（下部）上に、面発光レーザ１０のレーザ共振器として機能するメサ構造ＭＳが形成されている。
すなわち、メサ構造ＭＳは、一例として、第１の多層膜反射鏡２００の他部（上部）、第１のスペーサ層２５０、活性層３００、第２のスペーサ層３５０、電流狭窄層４００、第２の多層膜反射鏡５００及びコンタクト層６００を含んで構成されている。
カソード電極９００、基板１００、バッファ層１５０及び第１の多層膜反射鏡の一部（下部）は、複数の面発光レーザ１０で共有されている。
メサ構造ＭＳは、平面視において、例えば略円柱形状であるが、例えば略楕円柱形状、多角柱形状等の他の柱形状であってもよい。
すなわち、メサ構造ＭＳは、一例として、第１の多層膜反射鏡２００の他部（上部）、第１のスペーサ層２５０、活性層３００、第２のスペーサ層３５０、電流狭窄層４００、第２の多層膜反射鏡５００及びコンタクト層６００を含んで構成されている。
カソード電極９００、基板１００、バッファ層１５０及び第１の多層膜反射鏡の一部（下部）は、複数の面発光レーザ１０で共有されている。
メサ構造ＭＳは、平面視において、例えば略円柱形状であるが、例えば略楕円柱形状、多角柱形状等の他の柱形状であってもよい。
【0024】
メサ構造ＭＳ及びその周囲部は、絶縁膜６５０で覆われている。絶縁膜６５０は、例えばＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等からなる。
メサ構造ＭＳの頂部を覆う絶縁膜６５０には、電極引き出し用のコンタクトホールＣＨが形成されている。
メサ構造ＭＳの頂部を覆う絶縁膜６５０には、電極引き出し用のコンタクトホールＣＨが形成されている。
【0025】
コンタクトホールＣＨは、例えば、メサ構造ＭＳの高さ方向から見て、電流狭窄層４００の非酸化領域４００ａを取り囲むように（例えば環状）形成されている。
コンタクトホールＣＨ内には、第２導電型（例えばｐ型）のアノード電極７００が配置されている。アノード電極７００は、例えば、メサ構造ＭＳの高さ方向から見て、コンタクトホールＣＨと略同一の形状（例えば環状）を有している。アノード電極７００のコンタクト層６００側の面（下面）は、コンタクト層６００に接触している。
コンタクトホールＣＨ内には、第２導電型（例えばｐ型）のアノード電極７００が配置されている。アノード電極７００は、例えば、メサ構造ＭＳの高さ方向から見て、コンタクトホールＣＨと略同一の形状（例えば環状）を有している。アノード電極７００のコンタクト層６００側の面（下面）は、コンタクト層６００に接触している。
【0026】
アノード電極７００は、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。
アノード電極７００は、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＩｎからなる群から選択された少なくとも１種類の金属（合金を含む）によって構成されている。
アノード電極７００が積層構造である場合は、例えばＴｉ／Ａｕ、Ｔｉ／Ａｌ、Ｔｉ／Ａｌ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ／Ｐｔ、Ｎｉ／Ｐｔ、Ｐｄ／Ｐｔ、Ａｇ／Ｐｄ等の材料で構成される。
アノード電極７００は、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＩｎからなる群から選択された少なくとも１種類の金属（合金を含む）によって構成されている。
アノード電極７００が積層構造である場合は、例えばＴｉ／Ａｕ、Ｔｉ／Ａｌ、Ｔｉ／Ａｌ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ／Ｐｔ、Ｎｉ／Ｐｔ、Ｐｄ／Ｐｔ、Ａｇ／Ｐｄ等の材料で構成される。
【0027】
絶縁膜６５０は、メサ構造ＭＳの頂部の中央を覆う部分を除いて配線層８００で覆われている。配線層８００は、例えば金メッキからなる。
すなわち、配線層８００には、メサ構造ＭＳの頂部に対応する位置に開口が形成され、該開口が面発光レーザ１０の出射口となっている。
配線層８００は、面発光レーザアレイの周辺に配置された電極パッド（不図示）と接続されている。
ここで、コンタクト層６００は、レーザ共振器を構成するメサ構造ＭＳの出射側に位置する。このため、コンタクト層６００の厚さは、例えば１μｍ以下であることが好ましい。コンタクト層６００の厚さが１μｍ以下であることにより、コンタクト層６００での光吸収を低減でき、ひいては光出力の低下を抑制できる。
すなわち、配線層８００には、メサ構造ＭＳの頂部に対応する位置に開口が形成され、該開口が面発光レーザ１０の出射口となっている。
配線層８００は、面発光レーザアレイの周辺に配置された電極パッド（不図示）と接続されている。
ここで、コンタクト層６００は、レーザ共振器を構成するメサ構造ＭＳの出射側に位置する。このため、コンタクト層６００の厚さは、例えば１μｍ以下であることが好ましい。コンタクト層６００の厚さが１μｍ以下であることにより、コンタクト層６００での光吸収を低減でき、ひいては光出力の低下を抑制できる。
【0028】
［第２の多層膜反射鏡の構成］
第２の多層膜反射鏡５００は、他の領域よりも不純物濃度の高い高濃度不純物領域Ｉｒ（図１における灰色部分）が厚さ方向に部分的に設けられている。
上記「他の領域」は、第２の多層膜反射鏡５００における高濃度不純物領域Ｉｒ以外の領域を意味する。
具体的には、高濃度不純物領域Ｉｒは、少なくとも、第２の多層膜反射鏡５００の活性層３００から遠い方の表層に設けられている。
さらに、高濃度不純物領域Ｉｒは、少なくとも、第２の多層膜反射鏡の活性層３００から近い方の表層には設けられていない。
第２の多層膜反射鏡５００は、他の領域よりも不純物濃度の高い高濃度不純物領域Ｉｒ（図１における灰色部分）が厚さ方向に部分的に設けられている。
上記「他の領域」は、第２の多層膜反射鏡５００における高濃度不純物領域Ｉｒ以外の領域を意味する。
具体的には、高濃度不純物領域Ｉｒは、少なくとも、第２の多層膜反射鏡５００の活性層３００から遠い方の表層に設けられている。
さらに、高濃度不純物領域Ｉｒは、少なくとも、第２の多層膜反射鏡の活性層３００から近い方の表層には設けられていない。
【0029】
詳述すると、第２の多層膜反射鏡５００は、第１の層５００ａと、高濃度不純物領域Ｉｒが設けられた第２の層５００ｂとを含む。
第１の層５００ａと第２の層５００ｂとは、積層されている。第１の層５００ａと第２の層５００ｂとの積層方向は、第１及び第２の多層膜反射鏡２００、５００と活性層３００との並び方向（上下方向）に一致する。
第１の層５００ａは相対的に活性層３００から近く、且つ、第２の層５００ｂは相対的に活性層３００から遠い。
第１の層５００ａと第２の層５００ｂとは、積層されている。第１の層５００ａと第２の層５００ｂとの積層方向は、第１及び第２の多層膜反射鏡２００、５００と活性層３００との並び方向（上下方向）に一致する。
第１の層５００ａは相対的に活性層３００から近く、且つ、第２の層５００ｂは相対的に活性層３００から遠い。
【0030】
（高濃度不純物領域）
高濃度不純物領域Ｉｒは、第２の層５００ｂの厚さ方向の少なくとも一部に設けられることが好ましい。本実施形態では、高濃度不純物領域Ｉｒが第２の層５００ｂの厚さ方向の全域に設けられている。
一方、本実施形態では、第１の層５００ａには、高濃度不純物領域Ｉｒが設けられていない。
高濃度不純物領域Ｉｒは、例えばＺｎ（亜鉛）、Ｂ（ホウ素）、Ｓｉ（シリコン）、ベリリウムイオン等のイオンを含んで構成される。
高濃度不純物領域Ｉｒは、第２の層５００ｂの厚さ方向の少なくとも一部に設けられることが好ましい。本実施形態では、高濃度不純物領域Ｉｒが第２の層５００ｂの厚さ方向の全域に設けられている。
一方、本実施形態では、第１の層５００ａには、高濃度不純物領域Ｉｒが設けられていない。
高濃度不純物領域Ｉｒは、例えばＺｎ（亜鉛）、Ｂ（ホウ素）、Ｓｉ（シリコン）、ベリリウムイオン等のイオンを含んで構成される。
【0031】
高濃度不純物領域Ｉｒの不純物濃度は、該高濃度不純物領域Ｉｒの全域に亘って、ほぼ均一であることが好ましいが、多少ばらつきがあってもよい。
【0032】
本実施形態では、第２の層５００ｂの光学厚さ（全厚）は、第１の層５００ａの光学厚さ（全厚）よりも薄い。
なお、第２の層５００ｂの光学厚さは、第１の層５００ａの光学厚さよりも厚くてもよいし、第１の層５００ａの光学厚さと同等であってもよい。
なお、第２の層５００ｂの光学厚さは、第１の層５００ａの光学厚さよりも厚くてもよいし、第１の層５００ａの光学厚さと同等であってもよい。
【0033】
高濃度不純物領域Ｉｒは、第２の多層膜反射鏡５００の面内方向に部分的に設けられている。
具体的には、高濃度不純物領域Ｉｒは、メサ構造ＭＳの光導波路が形成される中央部の周囲部に設けられている。
詳述すると、高濃度不純物領域Ｉｒは、メサ構造ＭＳの高さ方向から見て、電流狭窄層４００の非酸化領域４００ａを取り囲むように例えば環状に設けられている。
高濃度不純物領域Ｉｒの外径と内径との差は、１μｍ以上であることが好ましい。
具体的には、高濃度不純物領域Ｉｒは、メサ構造ＭＳの光導波路が形成される中央部の周囲部に設けられている。
詳述すると、高濃度不純物領域Ｉｒは、メサ構造ＭＳの高さ方向から見て、電流狭窄層４００の非酸化領域４００ａを取り囲むように例えば環状に設けられている。
高濃度不純物領域Ｉｒの外径と内径との差は、１μｍ以上であることが好ましい。
【0034】
高濃度不純物領域Ｉｒは、第２の層５００ｂ内に位置する部分Ｉｒ１と、該部分Ｉｒ１に連続し、第２の層５００ｂから第１の層５００ａ側とは反対側に突出する突出部Ｉｒ２を有する。突出部Ｉｒ２は、少なくとも一部がコンタクト層６００内に配置されている。
すなわち、高濃度不純物領域Ｉｒは、コンタクト層６００と第２の多層膜反射鏡５００とに跨るように設けられている。
高濃度不純物領域Ｉｒは、メサ構造ＭＳの高さ方向から見て、例えばアノード電極７００と略同径・同大である。
突出部Ｉｒ２は、アノード電極７００に接触している。
すなわち、突出部Ｉｒ２は、コンタクト層６００におけるアノード電極７００と接触する領域（コンタクト領域）に形成されている。
以上の説明から分かるように、高濃度不純物領域Ｉｒは、アノード電極７００と活性層３００との間の電流経路上に設けられている。
部分Ｉｒ１は、第２の層５００ｂにおける高濃度不純物領域Ｉｒが設けられていない部分に比べて、電気的に低抵抗である（導電性に優れる）。
突出部Ｉｒ２は、コンタクト層６００における高濃度不純物領域Ｉｒが設けられていない部分に比べて、電気的に低抵抗である（導電性に優れる）。
すなわち、高濃度不純物領域Ｉｒは、コンタクト層６００と第２の多層膜反射鏡５００とに跨るように設けられている。
高濃度不純物領域Ｉｒは、メサ構造ＭＳの高さ方向から見て、例えばアノード電極７００と略同径・同大である。
突出部Ｉｒ２は、アノード電極７００に接触している。
すなわち、突出部Ｉｒ２は、コンタクト層６００におけるアノード電極７００と接触する領域（コンタクト領域）に形成されている。
以上の説明から分かるように、高濃度不純物領域Ｉｒは、アノード電極７００と活性層３００との間の電流経路上に設けられている。
部分Ｉｒ１は、第２の層５００ｂにおける高濃度不純物領域Ｉｒが設けられていない部分に比べて、電気的に低抵抗である（導電性に優れる）。
突出部Ｉｒ２は、コンタクト層６００における高濃度不純物領域Ｉｒが設けられていない部分に比べて、電気的に低抵抗である（導電性に優れる）。
【0035】
（第１の層の構成）
第１の層５００ａは、少なくとも一方がＡｌを組成に含む屈折率層のペアを１ペア以上有する。当該ペアの各屈折率層は、屈折率が互いに異なる。当該ペアの各屈折率層は、例えばＡｌＧａＡｓ系化合物半導体からなる。
第１の層５００ａは、少なくとも一方がＡｌを組成に含む屈折率層のペアを１ペア以上有する。当該ペアの各屈折率層は、屈折率が互いに異なる。当該ペアの各屈折率層は、例えばＡｌＧａＡｓ系化合物半導体からなる。
【0036】
第１の層５００ａのペアのうちＡｌの組成が高い方の屈折率層（低屈折率層）のＡｌ組成は、０．７（７０％）以上であることが好ましく、０．８（８０％）以上であることがより好ましく、０．９（９０％）以上であることがより一層好ましい。当該Ａｌ組成は、０．９９以下であることが好ましい。
ここでは、当該Ａｌの組成は、例えば０．９～０．９３、０．９３～０．９６、０．９６～０．９９のいずれかの範囲内にある。なお、当該Ａｌの組成は、０．７（７０％）未満であってもよい。
ここでは、当該Ａｌの組成は、例えば０．９～０．９３、０．９３～０．９６、０．９６～０．９９のいずれかの範囲内にある。なお、当該Ａｌの組成は、０．７（７０％）未満であってもよい。
【0037】
第１の層５００ａのペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層（高屈折率層）のＡｌ組成は、０．０３（３％）以上であることが好ましく、０．０５（５％）以上であることがより好ましく、０．１（１０％）以上であることがより一層好ましく、０．３（３０％）以上であることがさらにより一層好ましい。当該Ａｌ組成は、０．４（４０％）以下であることが好ましい。
ここでは、当該Ａｌの組成は、例えば０．１～０．２、０．２～０．３、０．３～０．４のいずれかの範囲内にある。なお、当該Ａｌの組成は、０．０３未満であってもよい。
ここで、第１の層５００ａのペアの各屈折率層のＡｌの組成が高いほど放熱性が向上し、第１の層５００ａのペアの屈折率層間の屈折率差が高いほど（Ａｌ組成の差が大きいほど）反射率が向上するので、目標とする放熱性と反射率とのバランスを考慮して、第１の層５００ａのペアの各屈折率層のＡｌの組成を決定することが好ましい。
ここでは、当該Ａｌの組成は、例えば０．１～０．２、０．２～０．３、０．３～０．４のいずれかの範囲内にある。なお、当該Ａｌの組成は、０．０３未満であってもよい。
ここで、第１の層５００ａのペアの各屈折率層のＡｌの組成が高いほど放熱性が向上し、第１の層５００ａのペアの屈折率層間の屈折率差が高いほど（Ａｌ組成の差が大きいほど）反射率が向上するので、目標とする放熱性と反射率とのバランスを考慮して、第１の層５００ａのペアの各屈折率層のＡｌの組成を決定することが好ましい。
【0038】
第１の層５００ａのペアのうちＡｌの組成が高い方の屈折率層（低屈折率層）の光学厚さＯｔａ－Ｈは、例えば５６．９ｎｍである。
第１の層５００ａのペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層（高屈折率層）の光学厚さＯｔａ－Ｌは、例えば５１．２ｎｍである。
第１の層５００ａのペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層（高屈折率層）の光学厚さＯｔａ－Ｌは、例えば５１．２ｎｍである。
【0039】
（第２の層の構成）
第２の層５００ｂは、少なくとも一方がＡｌを組成に含む屈折率層のペアを１ペア以上有する。当該ペアの各屈折率層は、屈折率が互いに異なる。当該ペアの各屈折率層は、例えばＡｌＧａＡｓ系化合物半導体からなる。
第２の層５００ｂは、少なくとも一方がＡｌを組成に含む屈折率層のペアを１ペア以上有する。当該ペアの各屈折率層は、屈折率が互いに異なる。当該ペアの各屈折率層は、例えばＡｌＧａＡｓ系化合物半導体からなる。
【0040】
第２の層５００ｂのペアのうちＡｌの組成が高い方の屈折率層（低屈折率層）のＡｌ組成は、０．７（７０％）以上であることが好ましく、０．８（８０％）以上であることがより好ましく、０．９（９０％）以上であることがより一層好ましい。当該Ａｌ組成は、０．９９以下であることが好ましい。
ここでは、当該Ａｌの組成は、例えば０．９～０．９３、０．９３～０．９６、０．９６～０．９９のいずれかの範囲内にある。なお、当該Ａｌの組成は、０．７（７０％）未満であってもよい。
ここでは、当該Ａｌの組成は、例えば０．９～０．９３、０．９３～０．９６、０．９６～０．９９のいずれかの範囲内にある。なお、当該Ａｌの組成は、０．７（７０％）未満であってもよい。
【0041】
第２の層５００ｂのペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層（高屈折率層）のＡｌ組成は、０．０３（３％）以上であることが好ましく、０．０５（５％）以上であることがより好ましく、０．１（１０％）以上であることがより一層好ましく、０．３（３０％）以上であることがさらにより一層好ましい。当該Ａｌ組成は、０．４（４０％）以下であることが好ましい。
ここでは、当該Ａｌの組成は、例えば０．１～０．２、０．２～０．３、０．３～０．４のいずれかの範囲内にある。なお、当該Ａｌの組成は、０．０３未満であってもよい。
ここで、第２の層５００ｂのペアの各屈折率層のＡｌの組成が高いほど放熱性が向上し、第２の層５００ｂのペアの屈折率層間の屈折率差が高いほど（Ａｌ組成の差が大きいほど）反射率が向上するので、目標とする放熱性と反射率とのバランスを考慮して、第２の層５００ｂのペアの各屈折率層のＡｌの組成を決定することが好ましい。
ここでは、当該Ａｌの組成は、例えば０．１～０．２、０．２～０．３、０．３～０．４のいずれかの範囲内にある。なお、当該Ａｌの組成は、０．０３未満であってもよい。
ここで、第２の層５００ｂのペアの各屈折率層のＡｌの組成が高いほど放熱性が向上し、第２の層５００ｂのペアの屈折率層間の屈折率差が高いほど（Ａｌ組成の差が大きいほど）反射率が向上するので、目標とする放熱性と反射率とのバランスを考慮して、第２の層５００ｂのペアの各屈折率層のＡｌの組成を決定することが好ましい。
【0042】
第２の層５００ｂのペアのうちＡｌの組成が高い方の屈折率層（低屈折率層）の光学厚さＯｔｂ－Ｈは、例えば６９．３ｎｍである。
第２の層５００ｂのペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層（高屈折率層）の光学厚さＯｔｂ－Ｌは、例えば３９．１ｎｍである。
第２の層５００ｂのペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さＯｔｂ－Ｌに対する、Ａｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さＯｔｂ－Ｈの比率Ｒｂ－ＨＬは、例えば６９．３／３９．１≒１．７７である。
一方、第１の層５００ａのペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さＯｔａ－Ｌに対する、Ａｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さＯｔａ－Ｈの比率Ｒａ－ＨＬは、例えば５６．９／５１．２≒１．１１である。
すなわち、Ｒｂ－ＨＬ＞Ｒａ－ＨＬが成立する。
第２の層５００ｂのペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層（高屈折率層）の光学厚さＯｔｂ－Ｌは、例えば３９．１ｎｍである。
第２の層５００ｂのペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さＯｔｂ－Ｌに対する、Ａｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さＯｔｂ－Ｈの比率Ｒｂ－ＨＬは、例えば６９．３／３９．１≒１．７７である。
一方、第１の層５００ａのペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さＯｔａ－Ｌに対する、Ａｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さＯｔａ－Ｈの比率Ｒａ－ＨＬは、例えば５６．９／５１．２≒１．１１である。
すなわち、Ｒｂ－ＨＬ＞Ｒａ－ＨＬが成立する。
【0043】
第１の層５００ａのペアのうちＡｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さＯｔａ－Ｈに対する、第２の層５００ｂのペアのうちＡｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さＯｔｂ－Ｈの比率Ｒａｂ－ＨＨは、１．２以上であることが好ましい。
本実施形態では、比率Ｒａｂ－ＨＨは、例えば６９．３／５６．９≒１．２３である。
本実施形態では、比率Ｒａｂ－ＨＨは、例えば６９．３／５６．９≒１．２３である。
【0044】
第１の層５００ａのペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さＯｔａ－Ｌに対する、第２の層５００ｂのペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さＯｔｂ－Ｌの比率Ｒａｂ－ＬＬは、０．８以下であることが好ましい。
本実施形態では、比率Ｒａｂ－ＨＨは、例えば３９．１／５１．２≒０．７７である。
本実施形態では、比率Ｒａｂ－ＨＨは、例えば３９．１／５１．２≒０．７７である。
【0045】
第１の層５００ａのペアを構成する屈折率層の光学厚さの合計（Ｏｔａ－Ｈ＋Ｏｔａ－Ｌ）は、例えば５６．９ｎｍ＋５１．２＝１０８．１である。
第２の層５００ｂのペアを構成する屈折率層の光学厚さの合計（Ｏｔｂ－Ｈ＋Ｏｔｂ－Ｌ）は、例えば６９．３＋３９．１＝１０８．４である。
第１の層５００ａのペアを構成する屈折率層の光学厚さの合計（Ｏｔａ－Ｈ＋Ｏｔａ－Ｌ）と、第２の層５００ｂのペアを構成する屈折率層の光学厚さの合計（Ｏｔｂ－Ｈ＋Ｏｔｂ－Ｌ）とは、略同一である。
なお、第１の層５００ａのペアを構成する屈折率層の光学厚さの合計と、第２の層５００ｂのペアを構成する屈折率層の光学厚さの合計とは、多少異なっていてもよい。
第２の層５００ｂのペアを構成する屈折率層の光学厚さの合計（Ｏｔｂ－Ｈ＋Ｏｔｂ－Ｌ）は、例えば６９．３＋３９．１＝１０８．４である。
第１の層５００ａのペアを構成する屈折率層の光学厚さの合計（Ｏｔａ－Ｈ＋Ｏｔａ－Ｌ）と、第２の層５００ｂのペアを構成する屈折率層の光学厚さの合計（Ｏｔｂ－Ｈ＋Ｏｔｂ－Ｌ）とは、略同一である。
なお、第１の層５００ａのペアを構成する屈折率層の光学厚さの合計と、第２の層５００ｂのペアを構成する屈折率層の光学厚さの合計とは、多少異なっていてもよい。
【0046】
（２）本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法
以下、図２～図１８を参照して、第1の実施形態に係る面発光レーザ１０の製造方法について説明する。図２は、面発光レーザ１０の製造方法を説明するためのフローチャートである。図３は、面発光レーザ１０の製造方法における積層体生成工程を説明するためのフローチャートである。図４～図１８は、面発光レーザ１０の製造方法の工程毎の断面図（工程断面図）である。ここでは、一例として、半導体製造方法により、基板１００の基材である１枚のウェハ上に複数の面発光レーザアレイを同時に生成する（この際、各面発光レーザアレイの複数の面発光レーザ１０も同時に生成される）。次いで、一連一体の複数の面発光レーザアレイを互いに分離して、チップ状の複数の面発光レーザアレイ（面発光レーザアレイチップ）を得る。
以下、図２～図１８を参照して、第1の実施形態に係る面発光レーザ１０の製造方法について説明する。図２は、面発光レーザ１０の製造方法を説明するためのフローチャートである。図３は、面発光レーザ１０の製造方法における積層体生成工程を説明するためのフローチャートである。図４～図１８は、面発光レーザ１０の製造方法の工程毎の断面図（工程断面図）である。ここでは、一例として、半導体製造方法により、基板１００の基材である１枚のウェハ上に複数の面発光レーザアレイを同時に生成する（この際、各面発光レーザアレイの複数の面発光レーザ１０も同時に生成される）。次いで、一連一体の複数の面発光レーザアレイを互いに分離して、チップ状の複数の面発光レーザアレイ（面発光レーザアレイチップ）を得る。
【0047】
最初のステップＳ１では、積層体生成工程を実施する。この積層体生成工程では、化学気層成長（ＣＶＤ）法、例えば有機金属気層成長（ＭＯＣＶＤ）法を用いて積層体５０００を生成する。
積層体生成工程では、図３に示されるステップＳ１．１～Ｓ１．４を実行する。
ステップＳ１．１では、基板１００上にバッファ層１５０、第１の多層膜反射鏡２００、第１のスペーサ層２５０、活性層３００、第２のスペーサ層３５０をこの順に積層する。
ステップＳ１．２では、第２の多層膜反射鏡５００の第１の層５００ａを、被選択酸化層４００’を内部に含むように形成する。
ステップＳ１．３では、第１の層５００ａ上に、第２の多層膜反射鏡５００の第２の層５００ｂを形成する。
ステップＳ１．４では、第２の層５００ｂ上にコンタクト層６００を積層する。
この結果、図４に示す積層体５０００が生成される。
積層体生成工程では、図３に示されるステップＳ１．１～Ｓ１．４を実行する。
ステップＳ１．１では、基板１００上にバッファ層１５０、第１の多層膜反射鏡２００、第１のスペーサ層２５０、活性層３００、第２のスペーサ層３５０をこの順に積層する。
ステップＳ１．２では、第２の多層膜反射鏡５００の第１の層５００ａを、被選択酸化層４００’を内部に含むように形成する。
ステップＳ１．３では、第１の層５００ａ上に、第２の多層膜反射鏡５００の第２の層５００ｂを形成する。
ステップＳ１．４では、第２の層５００ｂ上にコンタクト層６００を積層する。
この結果、図４に示す積層体５０００が生成される。
【0048】
次のステップＳ２では、図５に示すように、積層体５０００上に絶縁膜６３０を成膜する。絶縁膜６３０は、例えばＳｉＮからなる。
【0049】
次のステップＳ３では、図６に示すように、絶縁膜６３０上にフォトリソグラフィにより、高濃度不純物領域Ｉｒが形成される領域に対応する領域が開口するレジストパターンＲＰ１を形成する。
【0050】
次のステップＳ４では、図７に示すように、レジストパターンＲＰ１をマスクとして、例えばフッ酸系のエッチャントを用いて絶縁膜６３０を選択的にエッチングして開口ＯＰを形成する。その後、図８に示すように、レジストパターンＲＰ１を除去する。
【0051】
次のステップＳ５では、図９に示すように、絶縁膜６３０をマスクとして、開口ＯＰから不純物を拡散させて高濃度不純物領域Ｉｒを形成する。
具体的には、開口ＯＰからコンタクト層６００を介して気相もしくは固相拡散等の手法により、例えばＺｎ等の不純物を注入し、拡散させる。例えば、高濃度不純物領域Ｉｒが、第２の多層膜反射鏡５００の表層を含む一部の層まで拡散するように不純物の注入量、注入速度及び注入時間を調整する。ここでは、第２の層５００ｂの厚さ方向の全域に不純物を拡散させている。この際、絶縁膜６３０が不純物拡散時のマスクとなる。
具体的には、開口ＯＰからコンタクト層６００を介して気相もしくは固相拡散等の手法により、例えばＺｎ等の不純物を注入し、拡散させる。例えば、高濃度不純物領域Ｉｒが、第２の多層膜反射鏡５００の表層を含む一部の層まで拡散するように不純物の注入量、注入速度及び注入時間を調整する。ここでは、第２の層５００ｂの厚さ方向の全域に不純物を拡散させている。この際、絶縁膜６３０が不純物拡散時のマスクとなる。
【0052】
次のステップＳ６では、図１０に示すように、絶縁膜６３０を除去する。
【0053】
次のステップＳ７では、高濃度不純物領域Ｉｒが設けられた積層体をエッチングしてメサ構造ＭＳを形成する。
具体的には、図１１に示すように、高濃度不純物領域Ｉｒが形成された積層体のコンタクト層６００上にメサ形成用のレジストパターンＲＰ２を形成する。次いで、図１２に示すように、例えば硫酸系のエッチャントを用いて積層体を選択的にエッチング（例えばウェットエッチング）してメサ構造ＭＳを形成する。ここでは、エッチング底面が第１の多層膜反射鏡２００内に位置するようにエッチングを行う。その後、図１３に示すように、レジストパターンＲＰ２を除去する。
具体的には、図１１に示すように、高濃度不純物領域Ｉｒが形成された積層体のコンタクト層６００上にメサ形成用のレジストパターンＲＰ２を形成する。次いで、図１２に示すように、例えば硫酸系のエッチャントを用いて積層体を選択的にエッチング（例えばウェットエッチング）してメサ構造ＭＳを形成する。ここでは、エッチング底面が第１の多層膜反射鏡２００内に位置するようにエッチングを行う。その後、図１３に示すように、レジストパターンＲＰ２を除去する。
【0054】
次のステップＳ８では、図１４に示すように、被選択酸化層４００’（図１３参照）の周囲部を酸化して電流狭窄層４００を生成する。
具体的には、メサ構造ＭＳを水蒸気雰囲気中にさらし、被選択酸化層４００’を側面から酸化（選択酸化）して、非酸化領域４００ａの周りが酸化領域４００ｂに取り囲まれた電流狭窄層４００を形成する。
具体的には、メサ構造ＭＳを水蒸気雰囲気中にさらし、被選択酸化層４００’を側面から酸化（選択酸化）して、非酸化領域４００ａの周りが酸化領域４００ｂに取り囲まれた電流狭窄層４００を形成する。
【0055】
次のステップＳ９では、図１５に示すように、メサ構造ＭＳ上に高濃度不純物領域Ｉｒに接触するようにアノード電極７００を形成する。
具体的には、例えば、ＥＢ蒸着法により、高濃度不純物領域Ｉｒ上に例えばＡｕ／Ｔｉ膜を成膜し、レジスト及びレジスト上の例えばＡｕ／Ｔｉをリフトオフすることにより、高濃度不純物領域Ｉｒ上にアノード電極７００を形成する。
具体的には、例えば、ＥＢ蒸着法により、高濃度不純物領域Ｉｒ上に例えばＡｕ／Ｔｉ膜を成膜し、レジスト及びレジスト上の例えばＡｕ／Ｔｉをリフトオフすることにより、高濃度不純物領域Ｉｒ上にアノード電極７００を形成する。
【0056】
次のステップＳ１０では、図１６に示すように、積層体上に絶縁膜６５０を形成した後、アノード電極７００上のみ開口したレジストパターンを用いて、例えばフッ酸系のエッチャントを用いたエッチングによりアノード電極７００上の絶縁膜６５０を除去する。
【0057】
次のステップＳ１１では、図１７に示すように、絶縁膜６５０上にアノード電極７００に接触するように配線層８００を形成する。
【0058】
最後のステップＳ１２では、図１８に示すように、基板１００の裏面にカソード電極９００を形成する。その後、アニール、ウェハの裏面を研磨することによる薄膜化、ウェハの裏面に対する無反射コート等の処理がなされ、１枚のウェハ上に複数の面発光レーザ１０が２次元配列された面発光レーザアレイが複数形成される。その後、ダイシングにより、複数の面発光レーザアレイチップに分離される。
【0059】
（３）本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの作用
面発光レーザ１０では、面発光レーザアレイの周辺に配置された電極パッドから配線層８００を介して、アノード電極７００に電流が注入される。アノード電極７００に注入された電流は、コンタクト層６００及び第２の多層膜反射鏡５００の第２の層５００ｂに跨って形成された低抵抗な高濃度不純物領域Ｉｒ、第１の層５００ａ、電流狭窄層４００及び第２のスペーサ層３５０を介して活性層３００に注入される。これにより、活性層３００が発光し、その光が第１及び第２の多層膜反射鏡２００、５００間で繰り返し反射しながら増幅されて発振条件を満たしたときに、メサ構造ＭＳの頂部からレーザ光として出射される。
面発光レーザ１０では、面発光レーザアレイの周辺に配置された電極パッドから配線層８００を介して、アノード電極７００に電流が注入される。アノード電極７００に注入された電流は、コンタクト層６００及び第２の多層膜反射鏡５００の第２の層５００ｂに跨って形成された低抵抗な高濃度不純物領域Ｉｒ、第１の層５００ａ、電流狭窄層４００及び第２のスペーサ層３５０を介して活性層３００に注入される。これにより、活性層３００が発光し、その光が第１及び第２の多層膜反射鏡２００、５００間で繰り返し反射しながら増幅されて発振条件を満たしたときに、メサ構造ＭＳの頂部からレーザ光として出射される。
【0060】
（４）本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの効果
第１の実施形態に係る面発光レーザ１０は、
第１の多層膜反射鏡２００と、
第２の多層膜反射鏡５００と、
第１の多層膜反射鏡と第２の多層膜反射鏡との間に配置された活性層３００と、
を備え、
第２の多層膜反射鏡５００は、他の領域よりも不純物濃度の高い高濃度不純物領域Ｉｒが厚さ方向に部分的に設けられている、面発光レーザである。
この場合、面発光レーザ１０を製造する際に、例えば高濃度不純物領域が第２の多層膜反射鏡５００の厚さ方向の全域に設けられる場合に比べて、同一条件下で不純物の注入を行う場合に、高濃度不純物領域を形成するために不純物を注入する時間を短縮できる。
この結果、面発光レーザ１０によれば、製造効率の低下を抑制しつつ低抵抗化を図ることができる面発光レーザを提供できる。
また、面発光レーザ１０によれば、不純物が拡散する時間が短くなることにより、表面異常などの不具合の発生を抑制することができ、品質低下の抑制、歩留まりの向上に貢献する。
さらに、面発光レーザ１０によれば、第２の多層膜反射鏡５００側から電流を注入したときに、第２の多層膜反射鏡５００は高濃度不純物領域Ｉｒにおいて低抵抗化が図られているので、活性層３００に効率良く電流を流すことができる。これにより、低電圧駆動が可能となる。
第１の実施形態に係る面発光レーザ１０は、
第１の多層膜反射鏡２００と、
第２の多層膜反射鏡５００と、
第１の多層膜反射鏡と第２の多層膜反射鏡との間に配置された活性層３００と、
を備え、
第２の多層膜反射鏡５００は、他の領域よりも不純物濃度の高い高濃度不純物領域Ｉｒが厚さ方向に部分的に設けられている、面発光レーザである。
この場合、面発光レーザ１０を製造する際に、例えば高濃度不純物領域が第２の多層膜反射鏡５００の厚さ方向の全域に設けられる場合に比べて、同一条件下で不純物の注入を行う場合に、高濃度不純物領域を形成するために不純物を注入する時間を短縮できる。
この結果、面発光レーザ１０によれば、製造効率の低下を抑制しつつ低抵抗化を図ることができる面発光レーザを提供できる。
また、面発光レーザ１０によれば、不純物が拡散する時間が短くなることにより、表面異常などの不具合の発生を抑制することができ、品質低下の抑制、歩留まりの向上に貢献する。
さらに、面発光レーザ１０によれば、第２の多層膜反射鏡５００側から電流を注入したときに、第２の多層膜反射鏡５００は高濃度不純物領域Ｉｒにおいて低抵抗化が図られているので、活性層３００に効率良く電流を流すことができる。これにより、低電圧駆動が可能となる。
【0061】
高濃度不純物領域Ｉｒは、第２の多層膜反射鏡５００の面内方向に部分的に設けられている。これにより、例えば高濃度不純物領域Ｉｒを面発光レーザ１０内の光導波路（レーザ共振器の中央部）上に形成しないようにすることができる。これにより、上記光導波路における光吸収（光損失）を抑制することができる。
具体的には、第１の多層膜反射鏡２００の少なくとも一部、活性層３００及び第２の多層膜反射鏡５００を含んでメサ構造ＭＳが形成され、高濃度不純物領域Ｉｒは、メサ構造ＭＳの周囲部に設けられている。
より詳細には、第２の多層膜反射鏡５００内に、酸化領域４００ｂが非酸化領域４００ａを取り囲む電流狭窄層４００が配置され、高濃度不純物領域Ｉｒは、メサ構造ＭＳの高さ方向から見て、非酸化領域４００ａを取り囲むように設けられている。
具体的には、第１の多層膜反射鏡２００の少なくとも一部、活性層３００及び第２の多層膜反射鏡５００を含んでメサ構造ＭＳが形成され、高濃度不純物領域Ｉｒは、メサ構造ＭＳの周囲部に設けられている。
より詳細には、第２の多層膜反射鏡５００内に、酸化領域４００ｂが非酸化領域４００ａを取り囲む電流狭窄層４００が配置され、高濃度不純物領域Ｉｒは、メサ構造ＭＳの高さ方向から見て、非酸化領域４００ａを取り囲むように設けられている。
【0062】
高濃度不純物領域Ｉｒの外径と内径との差は、１μｍ以上である。これにより、面発光レーザ１０内の光導波路の径を高濃度不純物領域が形成されていない領域内で確保することができる。
【0063】
面発光レーザ１０は、高濃度不純物領域Ｉｒに接触するアノード電極７００を更に備える。これにより、アノード電極７００とコンタクト層６００との間の接触抵抗（コンタクト抵抗）の低減を図ることができる。
【0064】
高濃度不純物領域Ｉｒは、少なくとも、第２の多層膜反射鏡５００の活性層３００から遠い方の表層に設けられている。これにより、例えば第２の多層膜反射鏡５００側から電流を注入する際に、少なくとも電流注入時の接触抵抗（コンタクト抵抗）を低減することができる。
【0065】
高濃度不純物領域Ｉｒは、少なくとも、第２の多層膜反射鏡５００の活性層３００から近い方の表層には設けられていない。これにより、活性層３００へ不純物が流入するのを抑制することができ、余剰ドーパントによる欠陥の発生やフリーキャリア発生を抑制することができる。
【0066】
第２の多層膜反射鏡５００は、第１の層５００ａと、高濃度不純物領域Ｉｒが設けられた第２の層５００ｂとを含む。
【0067】
第１の層５００ａは相対的に活性層３００から近く、且つ、第２の層５００ｂは相対的に活性層３００から遠い。これにより、活性層３００へ不純物が流入するのを抑制することができ、余剰ドーパントによる欠陥の発生やフリーキャリア発生を抑制することができる。
【0068】
高濃度不純物領域Ｉｒは、第２の層５００ｂの厚さ方向の全域に設けられている。これにより、不純物の拡散に要する時間が長くなることを抑制しつつ、できるだけ低抵抗化を図ることができる。
【0069】
第１の層５００ａには、高濃度不純物領域Ｉｒが設けられていない。これにより、不純物の拡散に要する時間が長くなることを要する時間が長くなることを抑制でき、且つ、不純物が活性層に流入するのを抑制できる。
【0070】
第２の層５００ｂの光学厚さは、第１の層５００ａの光学厚さよりも薄い。これにより、面発光レーザ１０の製造の際、仮に第２の多層膜反射鏡５００の厚さ方向の全域に高濃度不純物領域を形成する場合に比べて、不純物を注入する時間を十分に短くすることができる。
【0071】
第１の層５００ａは、少なくとも一方がＡｌを組成に含む屈折率層のペアを１ペア以上有し、第２の層５００ｂは、少なくとも一方がＡｌを組成に含む屈折率層のペアを１ペア以上有し、第２の層５００ｂのペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さに対する、Ａｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さの比率は、第１の層５００ａのペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さに対する、Ａｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さの比率よりも大きい。
これにより、面発光レーザ１０の製造時において高濃度不純物領域Ｉｒを形成する際に、不純物の拡散を促進することができ、さらに製造効率を向上することができる。
これにより、面発光レーザ１０の製造時において高濃度不純物領域Ｉｒを形成する際に、不純物の拡散を促進することができ、さらに製造効率を向上することができる。
【0072】
第１の層５００ａのペアを構成する屈折率層の光学厚さの合計と、第２の層５００ｂのペアを構成する屈折率層の光学厚さの合計とが略同一である。これにより、第２の層５００ｂの光学厚さの増加を抑制しつつ不純物の拡散を促進できる。
【0073】
ところで、高濃度不純物領域Ｉｒは、第２の多層膜反射鏡５００に不純物を注入し拡散させることにより形成される。この際、第２の多層膜反射鏡５００の各屈折率層のＡｌの組成が高いほど、不純物の拡散が促進する。不純物の拡散が促進すると、高濃度不純物領域Ｉｒをより短時間に形成することができる。
ここで、不純物の拡散性のみを考慮した場合は、ペアを構成する高屈折率層及び低屈折率層のＡｌの組成を一律に上げればよいが、そうすると高屈折率層と低屈折率層との屈折率差が小さくなる。高屈折率層と低屈折率層との屈折率差が小さくなると反射率が低下するため、所望の反射率を得るためにはペア数を増加させる必要がある。しかし、ペア数の増加（第２の多層膜反射鏡５００の光学厚さの増加）は直列抵抗の増加につながってしまう。
そこで、ペアの各屈折率層のＡｌの組成及びペアを構成する屈折率層の光学厚さの合計が一定の条件下で、ペアにおいて、Ａｌの組成が低い屈折率層の光学厚さに対する、Ａｌの組成が高い屈折率層の光学厚さの比率を高くすることにより、直列抵抗の増加及び反射率の低下を抑制しつつ、不純物の拡散を促進することができる。
ここで、不純物の拡散性のみを考慮した場合は、ペアを構成する高屈折率層及び低屈折率層のＡｌの組成を一律に上げればよいが、そうすると高屈折率層と低屈折率層との屈折率差が小さくなる。高屈折率層と低屈折率層との屈折率差が小さくなると反射率が低下するため、所望の反射率を得るためにはペア数を増加させる必要がある。しかし、ペア数の増加（第２の多層膜反射鏡５００の光学厚さの増加）は直列抵抗の増加につながってしまう。
そこで、ペアの各屈折率層のＡｌの組成及びペアを構成する屈折率層の光学厚さの合計が一定の条件下で、ペアにおいて、Ａｌの組成が低い屈折率層の光学厚さに対する、Ａｌの組成が高い屈折率層の光学厚さの比率を高くすることにより、直列抵抗の増加及び反射率の低下を抑制しつつ、不純物の拡散を促進することができる。
【0074】
ところで、面発光レーザ１０の発振波長λが長波長であればあるほど、高屈折率層と低屈折率層とがλ／４の光学厚さで交互に形成される第２の多層膜反射鏡も厚くなるため、高濃度不純物領域Ｉｒを形成するための不純物の拡散に要する時間が長くなってしまう。
そこで、面発光レーザ１０の発振波長λが長波長側の場合、例えば発振波長λが９００ｎｍ以上である場合には、第２の多層膜反射鏡５００の第１及び第２の層５００ａ、５００ｂを含む層構成が特に有効である。
そこで、面発光レーザ１０の発振波長λが長波長側の場合、例えば発振波長λが９００ｎｍ以上である場合には、第２の多層膜反射鏡５００の第１及び第２の層５００ａ、５００ｂを含む層構成が特に有効である。
【0075】
高濃度不純物領域Ｉｒは、第２の層５００ｂから第１の層５００ａ側とは反対側に突出する突出部Ｉｒ２を有する。第２の多層膜反射鏡５００に対して活性層３００側とは反対側にコンタクト層６００が配置され、突出部Ｉｒ２の少なくとも一部がコンタクト層６００内に配置される。これにより、コンタクト層６００におけるアノード電極７００と接触する領域の低抵抗化を図ることができる。
【0076】
面発光レーザ１０が２次元配列されている面発光レーザアレイによれば、各面発光レーザ１０の低抵抗化が図られているので、低消費電力の面発光レーザアレイを提供できる。
【0077】
本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザ１０の製造方法は、少なくとも第１の多層膜反射鏡、活性層及び第２の多層膜反射鏡をこの順に積層して積層体５０００を生成する工程と、積層体５０００の第２の多層膜反射鏡５００に対して活性層３００側とは反対側に絶縁膜６５０を形成する工程と、絶縁膜６５０をエッチングして開口ＯＰを形成する工程と、開口ＯＰを介して、第２の多層膜反射鏡５００の活性層３００から遠い方の表層を含む一部の層に不純物を拡散させる工程と、
を含む、面発光レーザの製造方法である。
この場合、面発光レーザ１０を製造する際に、例えば高濃度不純物領域が第２の多層膜反射鏡５００の厚さ方向の全域に設けられる場合に比べて、高濃度不純物領域Ｉｒを形成するために不純物を注入、拡散させる時間を短縮できる。
この結果、第１の実施形態に係る面発光レーザ１０の製造方法によれば、低抵抗化を図ることができる面発光レーザを製造効率の低下を抑制しつつ製造できる。
を含む、面発光レーザの製造方法である。
この場合、面発光レーザ１０を製造する際に、例えば高濃度不純物領域が第２の多層膜反射鏡５００の厚さ方向の全域に設けられる場合に比べて、高濃度不純物領域Ｉｒを形成するために不純物を注入、拡散させる時間を短縮できる。
この結果、第１の実施形態に係る面発光レーザ１０の製造方法によれば、低抵抗化を図ることができる面発光レーザを製造効率の低下を抑制しつつ製造できる。
【0078】
上記拡散させる工程では、少なくとも、第２の多層膜反射鏡５００の相対的に活性層３００に近い方の表層には不純物を拡散させない。これにより、活性層３００へ不純物が流入するのを抑制することができ、余剰ドーパントによる欠陥の発生やフリーキャリア発生を抑制することができる。
【0079】
上記積層体５０００を生成する工程では、さらに第２の多層膜反射鏡５００に対して活性層３００側とは反対側にコンタクト層６００を積層し、上記拡散させる工程では、不純物をコンタクト層６００及び第２の多層膜反射鏡５００の活性層３００から遠い方の表層を含む一部の層に拡散させる。
【0080】
以下、本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの変形例、他の実施形態の面発光レーザについて説明するが、以下の変形例、他の実施形態では、主に第１の実施形態と異なる点について説明する。
【0081】
ところで、面発光レーザの製造時に高濃度不純物領域を形成する際の不純物の注入速度、注入量及び注入時間を調整することにより、高濃度不純物領域の底面の位置、すなわち高濃度不純物領域の厚さを調整することができる。
【0082】
２．＜本技術の第１の実施形態の変形例１に係る面発光レーザ＞
図１９は、変形例１に係る面発光レーザ１０’の構成を示す断面図である。
変形例１に係る面発光レーザ１０’では、図１９に示すように、高濃度不純物領域Ｉｒ’が第２の多層膜反射鏡５００の第２の層５００ｂの一部（例えば上部）にのみに設けられている。
変形例１に係る面発光レーザ１０’によれば、上記第１の実施形態に係る面発光レーザ１０と比べて、低抵抗化には劣るが製造効率には優れる。
図１９は、変形例１に係る面発光レーザ１０’の構成を示す断面図である。
変形例１に係る面発光レーザ１０’では、図１９に示すように、高濃度不純物領域Ｉｒ’が第２の多層膜反射鏡５００の第２の層５００ｂの一部（例えば上部）にのみに設けられている。
変形例１に係る面発光レーザ１０’によれば、上記第１の実施形態に係る面発光レーザ１０と比べて、低抵抗化には劣るが製造効率には優れる。
【0083】
３．＜本技術の第１の実施形態の変形例２に係る面発光レーザ＞
図２０は、変形例２に係る面発光レーザ１０’’の構成を示す断面図である。
変形例２に係る面発光レーザ１０’’では、図２０に示すように、高濃度不純物領域Ｉｒ’’が第２の多層膜反射鏡５００の第２の層５００ｂの厚さ方向の全域及び第１の層５００ａの一部（例えば上部）にのみ設けられている。
変形例２に係る面発光レーザ１０’’によれば、上記第１の実施形態に係る面発光レーザ１０と比べて、製造効率には劣るが低抵抗化には優れる。
図２０は、変形例２に係る面発光レーザ１０’’の構成を示す断面図である。
変形例２に係る面発光レーザ１０’’では、図２０に示すように、高濃度不純物領域Ｉｒ’’が第２の多層膜反射鏡５００の第２の層５００ｂの厚さ方向の全域及び第１の層５００ａの一部（例えば上部）にのみ設けられている。
変形例２に係る面発光レーザ１０’’によれば、上記第１の実施形態に係る面発光レーザ１０と比べて、製造効率には劣るが低抵抗化には優れる。
【0084】
４．＜本技術の第２の実施形態に係る面発光レーザ＞
図２１は、第２の実施形態に係る面発光レーザ２０の構成を示す断面図である。
本技術の第２の実施形態に係る面発光レーザ２０では、図２１に示すように、第２の層５００ｂと活性層３００との間に、拡散抑制層１０００としての１ペア以上のアンドープもしくは低濃度ドープの屈折率層又はアンドープもしくは低濃度ドープのＧａＡｓ層が配置されている。当該屈折率層は、例えばＡｌＧａＡｓ系化合物半導体、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体、ＡｌＧａＮ系化合物半導体等からなる。
図２１は、第２の実施形態に係る面発光レーザ２０の構成を示す断面図である。
本技術の第２の実施形態に係る面発光レーザ２０では、図２１に示すように、第２の層５００ｂと活性層３００との間に、拡散抑制層１０００としての１ペア以上のアンドープもしくは低濃度ドープの屈折率層又はアンドープもしくは低濃度ドープのＧａＡｓ層が配置されている。当該屈折率層は、例えばＡｌＧａＡｓ系化合物半導体、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体、ＡｌＧａＮ系化合物半導体等からなる。
【0085】
拡散抑制層１０００は、例えば、第２の層５００ｂと第１の層５００ａとの間に配置されている。
拡散抑制層１０００は、面発光レーザ２０の製造時に高濃度不純物領域Ｉｒを形成する際の不純物の拡散を抑制する層として機能する。
拡散抑制層１０００は、面発光レーザ２０の製造時に高濃度不純物領域Ｉｒを形成する際の不純物の拡散を抑制する層として機能する。
【0086】
拡散抑制層１０００に１ペア以上のアンドープもしくは低濃度ドープの屈折率層を用いる場合には、該ペアのうちＡｌの組成が高い方の屈折率層は、第２の層５００ｂのペアのうちＡｌの組成が高い方の屈折率層よりもＡｌの組成が低いことが好ましい。
拡散抑制層１０００に１ペア以上のアンドープもしくは低濃度ドープの屈折率層を用いる場合には、該ペアのうちＡｌの組成が高い方の屈折率層は、第１の層５００ａのペアのうちＡｌの組成が高い方の屈折率層よりもＡｌの組成が低いことが好ましい。
拡散抑制層１０００に１ペア以上のアンドープもしくは低濃度ドープの屈折率層を用いる場合には、該ペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層は、第２の層５００ｂのペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層よりもＡｌの組成が低いことが好ましい。
拡散抑制層１０００に１ペア以上のアンドープもしくは低濃度ドープの屈折率層を用いる場合には、該ペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層は、第１の層５００ｂのペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層よりもＡｌの組成が低いことが好ましい。
拡散抑制層１０００に１ペア以上のアンドープもしくは低濃度ドープの屈折率層を用いる場合には、該ペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さに対する、Ａｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さの比率が、第２の層５００ｂのペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さに対する、Ａｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さの比率よりも低いことが好ましい。
拡散抑制層１０００に１ペア以上の低濃度ドープの屈折率層を用いる場合には、該屈折率層のドープ濃度を１ｘ１０１８ｃｍ－３以下とすることが好ましい。
拡散抑制層１０００に１ペア以上のアンドープもしくは低濃度ドープの屈折率層を用いる場合には、該ペアのうちＡｌの組成が高い方の屈折率層は、第１の層５００ａのペアのうちＡｌの組成が高い方の屈折率層よりもＡｌの組成が低いことが好ましい。
拡散抑制層１０００に１ペア以上のアンドープもしくは低濃度ドープの屈折率層を用いる場合には、該ペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層は、第２の層５００ｂのペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層よりもＡｌの組成が低いことが好ましい。
拡散抑制層１０００に１ペア以上のアンドープもしくは低濃度ドープの屈折率層を用いる場合には、該ペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層は、第１の層５００ｂのペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層よりもＡｌの組成が低いことが好ましい。
拡散抑制層１０００に１ペア以上のアンドープもしくは低濃度ドープの屈折率層を用いる場合には、該ペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さに対する、Ａｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さの比率が、第２の層５００ｂのペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さに対する、Ａｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さの比率よりも低いことが好ましい。
拡散抑制層１０００に１ペア以上の低濃度ドープの屈折率層を用いる場合には、該屈折率層のドープ濃度を１ｘ１０１８ｃｍ－３以下とすることが好ましい。
【0087】
拡散抑制層に低濃度ドープのＧａＡｓ層を用いる場合には、該ＧａＡｓのドープ濃度を１ｘ１０１８ｃｍ－３以下とすることが好ましい。
【0088】
拡散抑制層１０００に拡散抑制機能に加えて、後述する定在波調整機能を持たせることも可能である。
【0089】
以下に、第２の実施形態に係る面発光レーザ２０の製造方法における積層体生成工程について、図２２のフローチャートを参照して説明する。当該積層体生成工程では、化学気層成長（ＣＶＤ）法、例えば有機金属気層成長（ＭＯＣＶＤ）法を用いる。
当該積層体生成工程では、図２２に示されるステップＳ１．１～Ｓ１．４を実行する。
最初のステップＳ１．１では、基板１００上にバッファ層１５０、第１の多層膜反射鏡２００、第１のスペーサ層２５０、活性層３００、第２のスペーサ層３５０をこの順に積層する。
次のステップＳ１．２では、第２の多層膜反射鏡５００の第１の層５００ａを、被選択酸化層４００’を内部に含むように形成する。
次のステップＳ１．２５では、第１の層５００ａ上に、拡散抑制層１０００を形成する。
次のステップＳ１．３では、拡散抑制層１０００上に、第２の多層膜反射鏡５００の第２の層５００ｂを形成する。
最後のステップＳ１．４では、第２の多層膜反射鏡５００ｂ上に、コンタクト層６００を積層する。
当該積層体生成工程では、図２２に示されるステップＳ１．１～Ｓ１．４を実行する。
最初のステップＳ１．１では、基板１００上にバッファ層１５０、第１の多層膜反射鏡２００、第１のスペーサ層２５０、活性層３００、第２のスペーサ層３５０をこの順に積層する。
次のステップＳ１．２では、第２の多層膜反射鏡５００の第１の層５００ａを、被選択酸化層４００’を内部に含むように形成する。
次のステップＳ１．２５では、第１の層５００ａ上に、拡散抑制層１０００を形成する。
次のステップＳ１．３では、拡散抑制層１０００上に、第２の多層膜反射鏡５００の第２の層５００ｂを形成する。
最後のステップＳ１．４では、第２の多層膜反射鏡５００ｂ上に、コンタクト層６００を積層する。
【0090】
第２の実施形態に係る面発光レーザ２０によれば、第２の層５００ｂと活性層３００との間に拡散抑制層１０００が配置されるため、高濃度不純物領域Ｉｒを形成する際に第２の層５００ｂへ不純物を注入したときの活性層３００への不純物の流入を抑制することができる。拡散抑制層１０００により活性層３００への不純物の流入が抑制されることから、不純物注入時において、注入量、注入速度、注入時間等に精密な制御が要求されない。
さらに、第２の実施形態に係る面発光レーザ２０によれば、例えば第１の層５００ａと第２の層５００ｂとの間に拡散抑制層１０００が配置されるため、高濃度不純物領域Ｉｒを形成する際に第２の層５００ｂへ不純物を注入したときの第１の層５００ａへの不純物の拡散を抑制することができる。これにより、活性層３００への不純物の流入をより確実に抑制することができる。
上記積層体生成工程（積層体を生成する工程）では、活性層３００上に第２の多層膜反射鏡５００の全てを積層する前に、活性層３００上に不純物の拡散を抑制する拡散抑制層１０００を積層する。これにより、活性層３００への不純物の流入をより確実に抑制することができる。
さらに、第２の実施形態に係る面発光レーザ２０によれば、例えば第１の層５００ａと第２の層５００ｂとの間に拡散抑制層１０００が配置されるため、高濃度不純物領域Ｉｒを形成する際に第２の層５００ｂへ不純物を注入したときの第１の層５００ａへの不純物の拡散を抑制することができる。これにより、活性層３００への不純物の流入をより確実に抑制することができる。
上記積層体生成工程（積層体を生成する工程）では、活性層３００上に第２の多層膜反射鏡５００の全てを積層する前に、活性層３００上に不純物の拡散を抑制する拡散抑制層１０００を積層する。これにより、活性層３００への不純物の流入をより確実に抑制することができる。
【0091】
なお、第２の実施形態に係る面発光レーザ２０では、拡散抑制層１０００が第１の層５００ａと第２の層５００ｂとの間に配置されているが、これに限らず、例えば、第１の層５００ａ内に配置されてもよいし、第２の層５００ｂ内に配置されてもよい。
【0092】
５．＜本技術の第３の実施形態に係る面発光レーザ＞
図２３は、第３の実施形態に係る面発光レーザ３０の構成を示す断面図である。
第３の実施形態に係る面発光レーザ３０は、第２の多層膜反射鏡５００において、第１の層５００ａと第２の層５００ｂとの間に配置された定在波調整層２０００を備える。
図２３は、第３の実施形態に係る面発光レーザ３０の構成を示す断面図である。
第３の実施形態に係る面発光レーザ３０は、第２の多層膜反射鏡５００において、第１の層５００ａと第２の層５００ｂとの間に配置された定在波調整層２０００を備える。
【0093】
定在波調整層２０００は、例えば１ペア以上のアンドープもしくは低濃度ドープの屈折率層からなる。当該屈折率層は、例えばＡｌを組成に含む層であり、例えばＡｌＧａＡｓ系化合物半導体、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体、ＡｌＧａＮ系化合物半導体等からなる。
【0094】
ところで、例えば図２９に示すように、第１の層５００ａと第２の層５００ｂとの間でのペアにおける屈折率層の光学厚さの比（膜厚比）の違いによって、第１の層５００ａにおける定在波と第２の層における定在波との間にずれが生じる。
定在波調整層２０００は、この定在波間のずれを抑制する機能を有する。
例えば、定在波調整層２０００のペアにおける各屈折率層の光学厚さは、第１の層５００ａの対応する屈折率層の光学厚さと、第２の層５００ｂの対応する屈折率層の光学厚さとの間の光学厚さであることが好ましい。
例えば、定在波調整層２０００のペアのうちＡｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さは、第１の層５００ａのペアのうちＡｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さよりも厚く、且つ、第２の層５００ｂのペアのうちＡｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さよりも薄いことが好ましい。
例えば、定在波調整層２０００のペアのうちＡｌを組成が低い方の屈折率層の光学厚さは、第１の層５００ａのペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さよりも厚く、且つ、第２の層５００ｂのペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さよりも薄いことが好ましい。
定在波調整層２０００は、この定在波間のずれを抑制する機能を有する。
例えば、定在波調整層２０００のペアにおける各屈折率層の光学厚さは、第１の層５００ａの対応する屈折率層の光学厚さと、第２の層５００ｂの対応する屈折率層の光学厚さとの間の光学厚さであることが好ましい。
例えば、定在波調整層２０００のペアのうちＡｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さは、第１の層５００ａのペアのうちＡｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さよりも厚く、且つ、第２の層５００ｂのペアのうちＡｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さよりも薄いことが好ましい。
例えば、定在波調整層２０００のペアのうちＡｌを組成が低い方の屈折率層の光学厚さは、第１の層５００ａのペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さよりも厚く、且つ、第２の層５００ｂのペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さよりも薄いことが好ましい。
【0095】
定在波調整層２０００に１ペア以上の低濃度ドープの屈折率層を用いる場合には、該屈折率層のドープ濃度を第２の多層膜反射鏡５００の高濃度不純物領域以外の領域を構成する例えばｐ型もしくはｎ型の化合物半導体のドープ濃度以下とすることが好ましい。
【0096】
定在波調整層２０００に、上述した拡散抑制層１０００の要素を導入して、不純物の拡散抑制機能を持たせることも可能である。
【0097】
以下に、第３の実施形態に係る面発光レーザ３０の製造方法における積層体生成工程について、図２４のフローチャートを参照して説明する。当該積層体生成工程では、化学気層成長（ＣＶＤ）法、例えば有機金属気層成長（ＭＯＣＶＤ）法が用いられる。
当該積層体生成工程では、図２４に示されるステップＳ１．１～Ｓ１．４を実行する。
最初のステップＳ１．１では、基板１００上にバッファ層１５０、第１の多層膜反射鏡２００、第１のスペーサ層２５０、活性層３００、第２のスペーサ層３５０をこの順に積層する。
次のステップＳ１．２では、第２の多層膜反射鏡５００の第１の層５００ａを、被選択酸化層４００’を内部に含むように形成する。
次のステップＳ１．２６では、第１の層５００ａ上に、定在波調整層２０００を形成する。
次のステップＳ１．３では、定在波調整層２０００上に、第２の多層膜反射鏡５００の第２の層５００ｂを形成する。
最後のステップＳ１．４では、第２の層５００ｂ上に、コンタクト層６００を積層する。
当該積層体生成工程では、図２４に示されるステップＳ１．１～Ｓ１．４を実行する。
最初のステップＳ１．１では、基板１００上にバッファ層１５０、第１の多層膜反射鏡２００、第１のスペーサ層２５０、活性層３００、第２のスペーサ層３５０をこの順に積層する。
次のステップＳ１．２では、第２の多層膜反射鏡５００の第１の層５００ａを、被選択酸化層４００’を内部に含むように形成する。
次のステップＳ１．２６では、第１の層５００ａ上に、定在波調整層２０００を形成する。
次のステップＳ１．３では、定在波調整層２０００上に、第２の多層膜反射鏡５００の第２の層５００ｂを形成する。
最後のステップＳ１．４では、第２の層５００ｂ上に、コンタクト層６００を積層する。
【0098】
第３の実施形態に係る面発光レーザ３０によれば、第１の層５００ａと第２の層５００ｂとの間に定在波調整層２０００が設けられるため、第１の層５００ａと第２の層５００ｂとの間でのペアの屈折率層の光学厚さの比（膜厚比）の違いによる定在波のずれを調整することができる。
【0099】
第３の実施形態に係る面発光レーザ３０の製造方法は、第２の層５００ｂのペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さに対する、Ａｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さの比率は、第１の層５００ａのペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さに対する、Ａｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さの比率よりも大きく、積層体５０００を生成する工程では、活性層３００上に第１の層５００ａを積層し、該第１の層５００ａ上に定在波調整層２０００を積層し、該定在波調整層２０００上に第２の層５００ｂを積層する。
【0100】
６．＜本技術の第４の実施形態に係る面発光レーザ＞
図２５は、第４の実施形態に係る面発光レーザ４０の構成を示す断面図である。
第４の実施形態に係る面発光レーザ４０は、図２５に示すように、第２の多層膜反射鏡５００内に拡散抑制層１０００及び定在波調整層２０００が設けられている。
具体的には、第２の多層膜反射鏡５００において、第１の層５００ａ内に拡散抑制層１０００が配置され、且つ、第１の層５００ａと第２の層５００ｂとの間に定在波調整層２０００が配置されている。
詳述すると、定在波調整層２０００が第１の層５００ａと第２の層５００ｂとの間に配置され、拡散抑制層１０００が第１の層５００ａにおける電流狭窄層４００と定在波調整層２０００との間に位置に配置されている。
ここでは、定在波調整層２０００に上述した拡散抑制機能は持たせておらず、不純物が第１の層５００ａ内まで流入している。
すなわち、面発光レーザ４０では、例えば高濃度不純物領域Ｉｒ４が第１の層５００ａと第２の層５００ｂとの間に跨るように設けられている。この高濃度不純物領域Ｉｒ４の底面が拡散抑制層１０００上に位置している。
図２５は、第４の実施形態に係る面発光レーザ４０の構成を示す断面図である。
第４の実施形態に係る面発光レーザ４０は、図２５に示すように、第２の多層膜反射鏡５００内に拡散抑制層１０００及び定在波調整層２０００が設けられている。
具体的には、第２の多層膜反射鏡５００において、第１の層５００ａ内に拡散抑制層１０００が配置され、且つ、第１の層５００ａと第２の層５００ｂとの間に定在波調整層２０００が配置されている。
詳述すると、定在波調整層２０００が第１の層５００ａと第２の層５００ｂとの間に配置され、拡散抑制層１０００が第１の層５００ａにおける電流狭窄層４００と定在波調整層２０００との間に位置に配置されている。
ここでは、定在波調整層２０００に上述した拡散抑制機能は持たせておらず、不純物が第１の層５００ａ内まで流入している。
すなわち、面発光レーザ４０では、例えば高濃度不純物領域Ｉｒ４が第１の層５００ａと第２の層５００ｂとの間に跨るように設けられている。この高濃度不純物領域Ｉｒ４の底面が拡散抑制層１０００上に位置している。
【0101】
以下に、第４の実施形態に係る面発光レーザ４０の製造方法における積層体生成工程について、図２６のフローチャートを参照して説明する。当該積層体生成工程では、化学気層成長（ＣＶＤ）法、例えば有機金属気層成長（ＭＯＣＶＤ）法を用いる。
当該積層体生成工程では、図２６に示されるステップＳ１．１～Ｓ１．４を実行する。
最初のステップＳ１．１では、基板１００上にバッファ層１５０、第１の多層膜反射鏡２００、第１のスペーサ層２５０、活性層３００、第２のスペーサ層３５０をこの順に積層する。
次のステップＳ１．２１では、第２の多層膜反射鏡５００の第１の層５００ａを、被選択酸化層４００’及び拡散抑制層１０００を内部に含むように形成する。
次のステップＳ１．２６では、第１の層５００ａ上に、定在波調整層２０００を形成する。
次のステップＳ１．３では、定在波調整層２０００上に、第２の多層膜反射鏡５００の第２の層５００ｂを形成する。
最後のステップＳ１．４では、第２の層５００ｂ上に、コンタクト層６００を積層する。
当該積層体生成工程では、図２６に示されるステップＳ１．１～Ｓ１．４を実行する。
最初のステップＳ１．１では、基板１００上にバッファ層１５０、第１の多層膜反射鏡２００、第１のスペーサ層２５０、活性層３００、第２のスペーサ層３５０をこの順に積層する。
次のステップＳ１．２１では、第２の多層膜反射鏡５００の第１の層５００ａを、被選択酸化層４００’及び拡散抑制層１０００を内部に含むように形成する。
次のステップＳ１．２６では、第１の層５００ａ上に、定在波調整層２０００を形成する。
次のステップＳ１．３では、定在波調整層２０００上に、第２の多層膜反射鏡５００の第２の層５００ｂを形成する。
最後のステップＳ１．４では、第２の層５００ｂ上に、コンタクト層６００を積層する。
【0102】
第４の実施形態に係る面発光レーザ４０によれば、第１及び第２の層５００ａ、５００ｂ間のペアの光学厚さの比（膜厚比）の違いによる定在波のずれを抑制でき、且つ、第３実施形態に比べて、製造効率には劣るものの低抵抗化及び拡散制御性には優れる。
【0103】
７．＜本技術の第５の実施形態に係る面発光レーザ＞
図２７は、第５の実施形態に係る面発光レーザ５０の構成を示す断面図である。
第５の実施形態に係る面発光レーザ５０では、図２７に示すように、第２の多層膜反射鏡５００’のペアの屈折率層の光学厚さの比が該ペア間で同一となっている。
したがって、第２の多層膜反射鏡５００’では、上記各実施形態及び各変形例のような第１及び第２の層の区別がない。
この場合であっても、第２の多層膜反射鏡５００’のペアの各屈折率層のＡｌの組成、光学厚さの比、不純物の注入量、注入速度、注入時間等を制御することにより、第２の多層膜反射鏡５００’に図２７に示すように部分的に高濃度不純物領域Ｉｒ５を形成することが可能である。
図２７は、第５の実施形態に係る面発光レーザ５０の構成を示す断面図である。
第５の実施形態に係る面発光レーザ５０では、図２７に示すように、第２の多層膜反射鏡５００’のペアの屈折率層の光学厚さの比が該ペア間で同一となっている。
したがって、第２の多層膜反射鏡５００’では、上記各実施形態及び各変形例のような第１及び第２の層の区別がない。
この場合であっても、第２の多層膜反射鏡５００’のペアの各屈折率層のＡｌの組成、光学厚さの比、不純物の注入量、注入速度、注入時間等を制御することにより、第２の多層膜反射鏡５００’に図２７に示すように部分的に高濃度不純物領域Ｉｒ５を形成することが可能である。
【0104】
８．＜本技術の第６の実施形態に係る面発光レーザ＞
図２８は、第６の実施形態に係る面発光レーザ６０の構成を示す断面図である。
第６の実施形態に係る面発光レーザ６０は、図２８に示すように、上記第５の実施形態と同様の構成の第２の多層膜反射鏡５００’を有するとともに、第２の多層膜反射鏡５００’内に拡散抑制層１０００を有する。
詳述すると、拡散抑制層１０００は、第２の多層膜反射鏡５００’内におけるコンタクト層６００と電流狭窄層４００との間に配置されている。
第６の実施形態に係る面発光レーザ６０によれば、高濃度不純物領域Ｉｒ６を形成する際に、拡散抑制層１０００で不純物の拡散を抑制できるので、上記第５の実施形態に比べ、拡散抑制層１０００を形成する必要があるものの、第２の多層膜反射鏡５００’のペアの設計（例えばＡｌ組成、膜厚比等）の自由度を向上でき、且つ、不純物注入時の制御が簡単である。
図２８は、第６の実施形態に係る面発光レーザ６０の構成を示す断面図である。
第６の実施形態に係る面発光レーザ６０は、図２８に示すように、上記第５の実施形態と同様の構成の第２の多層膜反射鏡５００’を有するとともに、第２の多層膜反射鏡５００’内に拡散抑制層１０００を有する。
詳述すると、拡散抑制層１０００は、第２の多層膜反射鏡５００’内におけるコンタクト層６００と電流狭窄層４００との間に配置されている。
第６の実施形態に係る面発光レーザ６０によれば、高濃度不純物領域Ｉｒ６を形成する際に、拡散抑制層１０００で不純物の拡散を抑制できるので、上記第５の実施形態に比べ、拡散抑制層１０００を形成する必要があるものの、第２の多層膜反射鏡５００’のペアの設計（例えばＡｌ組成、膜厚比等）の自由度を向上でき、且つ、不純物注入時の制御が簡単である。
【0105】
９．＜本技術の変形例＞
本技術は、上記各実施形態及び各変形例に限定されることなく、種々の変形が可能である。
本技術は、上記各実施形態及び各変形例に限定されることなく、種々の変形が可能である。
【0106】
上記各実施形態及び各変形例では、アノード電極７００と活性層３００との間の電流経路上にある第２の多層膜反射鏡に高濃度不純物領域を設けているが、これに代えて、例えば、カソード電極９００と活性層３００との間の電流経路上にある第１の多層膜反射鏡に高濃度不純物領域を設けてもよい。この場合にも、上記各実施形態及び各変形例と同様の効果を得ることができる。
【0107】
上記各実施形態及び各変形例では、アノード電極７００と活性層３００との間の電流経路上にある第２の多層膜反射鏡に高濃度不純物領域を設けているが、これに加えて、例えば、カソード電極９００と活性層３００との間の電流経路上にある第１の多層膜反射鏡に高濃度不純物領域を設けてもよい。この場合にも、上記各実施形態及び各変形例と比べて、製造効率は劣るもののアノード電極７００とカソード電極９００との間の電流経路がより低抵抗化されるので、活性層３００により効率的に電流を注入することができ、ひいてはさらなる低消費電力化を図ることができる。
【0108】
上記各実施形態及び各変形例に係る面発光レーザでは、主にＡｌＧａＡｓ系化合物半導体が材料に用いられているが、これに限らず、例えばＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体、ＡｌＧａＮ系化合物半導体等の他の化合物半導体を材料に用いてもよい。
【0109】
上記各実施形態及び各変形例に係る面発光レーザでは、発振波長が９００ｎｍ以上の長波長のものに特に有効であると説明したが、無論、発振波長が９００ｎｍ未満の中波長、短波長の面発光レーザにも本技術は適用可能であり、有効である。
【0110】
上記各実施形態及び各変形例では、第１及び第２の多層膜反射鏡２００、５００のいずれも半導体多層膜反射鏡であるが、これに限らない。
例えば、第１の多層膜反射鏡２００が半導体多層膜反射鏡であり、且つ、第２の多層膜反射鏡５００が誘電体多層膜反射鏡であってもよい。誘電体多層膜反射鏡も、分布型ブラッグ反射鏡の一種である。
例えば、第１の多層膜反射鏡２００が誘電体多層膜反射鏡であり、且つ、第２の多層膜反射鏡５００が半導体多層膜反射鏡であってもよい。
例えば、第１及び第２の多層膜反射鏡２００、５００のいずれも誘電体多層膜反射鏡であってもよい。
半導体多層膜反射鏡は、光吸収が少なく、且つ、導電性を有する。この観点からは、半導体多層膜反射鏡は、出射側にあり、且つ、アノード電極７００から活性層３００までの電流経路上にある第２の多層膜反射鏡５００に好適である。
一方、誘電体多層膜反射鏡は、光吸収が極めて少ない。この観点からは、誘電体多層膜反射鏡は、出射側にある第２の多層膜反射鏡５００に好適である。
例えば、第１の多層膜反射鏡２００が半導体多層膜反射鏡であり、且つ、第２の多層膜反射鏡５００が誘電体多層膜反射鏡であってもよい。誘電体多層膜反射鏡も、分布型ブラッグ反射鏡の一種である。
例えば、第１の多層膜反射鏡２００が誘電体多層膜反射鏡であり、且つ、第２の多層膜反射鏡５００が半導体多層膜反射鏡であってもよい。
例えば、第１及び第２の多層膜反射鏡２００、５００のいずれも誘電体多層膜反射鏡であってもよい。
半導体多層膜反射鏡は、光吸収が少なく、且つ、導電性を有する。この観点からは、半導体多層膜反射鏡は、出射側にあり、且つ、アノード電極７００から活性層３００までの電流経路上にある第２の多層膜反射鏡５００に好適である。
一方、誘電体多層膜反射鏡は、光吸収が極めて少ない。この観点からは、誘電体多層膜反射鏡は、出射側にある第２の多層膜反射鏡５００に好適である。
【0111】
上記各実施形態及び各変形例では、メサ構造ＭＳの頂部からレーザ光を出射する面発光レーザ（表面出射型の面発光レーザ）を例にとって説明したが、本技術は、基板の裏面側からレーザ光を出射する裏面出射型の面発光レーザにも適用可能である。
この場合には、基板に出射光の波長（発振波長）に対して透明又は半透明な基板を用いるか、基板に光を出射する出射窓を設ける必要がある。
この場合には、基板に出射光の波長（発振波長）に対して透明又は半透明な基板を用いるか、基板に光を出射する出射窓を設ける必要がある。
【0112】
本技術に係る面発光レーザにおいて、第１及び第２のスペーサ層２５０、３５０は、必ずしも設けられていなくてもよい。
本技術に係る面発光レーザにおいて、電流狭窄層４００は、第１の多層膜反射鏡５００の内部に配置されてもよい。
本技術に係る面発光レーザにおいて、電流狭窄層４００は、必ずしも設けられていなくてもよい。
本技術に係る面発光レーザにおいて、バッファ層１５０は、必ずしも設けられていなくてもよい。
本技術に係る面発光レーザにおいて、コンタクト層６００は、必ずしも設けられていなくてもよい。
本技術に係る面発光レーザにおいて、電流狭窄層４００は、第１の多層膜反射鏡５００の内部に配置されてもよい。
本技術に係る面発光レーザにおいて、電流狭窄層４００は、必ずしも設けられていなくてもよい。
本技術に係る面発光レーザにおいて、バッファ層１５０は、必ずしも設けられていなくてもよい。
本技術に係る面発光レーザにおいて、コンタクト層６００は、必ずしも設けられていなくてもよい。
【0113】
上記各実施形態及び各変形例では、面発光レーザ１０が２次元配列された面発光レーザアレイを例にとって説明したが、これに限らない。本技術は、面発光レーザ１０が１次元配列された面発光レーザアレイ、単一の面発光レーザ１０等にも適用可能である。
【0114】
１０．＜本技術を適用した面発光レーザの使用例＞
本技術の上記各実施形態及び上記各変形例に係る面発光レーザは、例えば、ＴＯＦ（Ｔｉｍｅ Ｏｆ Ｆｌｉｇｈｔ）センサなど、レーザ光を出射する電子機器へ適用することができる。ＴＯＦセンサへ適用する場合は、例えば、直接ＴＯＦ計測法による距離画像センサ、間接ＴＯＦ計測法による距離画像センサへ適用することが可能である。直接ＴＯＦ計測法による距離画像センサでは、フォトンの到来タイミングを各画素において直接時間領域で求めるため、短いパルス幅の光パルスを光源から送信し、受光素子で電気的パルスを生成する。その際の光源に本開示を適用することができる。また、間接ＴＯＦ法では、光で発生したキャリアーの検出と蓄積量が、光の到来タイミングに依存して変化する半導体素子構造を利用して光の飛行時間を計測する。本開示は、そのような間接ＴＦＯ法を用いる場合の光源としても適用することが可能である。
本技術の上記各実施形態及び上記各変形例に係る面発光レーザは、例えば、ＴＯＦ（Ｔｉｍｅ Ｏｆ Ｆｌｉｇｈｔ）センサなど、レーザ光を出射する電子機器へ適用することができる。ＴＯＦセンサへ適用する場合は、例えば、直接ＴＯＦ計測法による距離画像センサ、間接ＴＯＦ計測法による距離画像センサへ適用することが可能である。直接ＴＯＦ計測法による距離画像センサでは、フォトンの到来タイミングを各画素において直接時間領域で求めるため、短いパルス幅の光パルスを光源から送信し、受光素子で電気的パルスを生成する。その際の光源に本開示を適用することができる。また、間接ＴＯＦ法では、光で発生したキャリアーの検出と蓄積量が、光の到来タイミングに依存して変化する半導体素子構造を利用して光の飛行時間を計測する。本開示は、そのような間接ＴＦＯ法を用いる場合の光源としても適用することが可能である。
【0115】
本技術に係る面発光レーザは、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される上記ＴＯＦセンサの光源として実現されてもよい。
【0116】
本技術に係る面発光レーザは、レーザ光により画像を形成又は表示する機器（例えばレーザプリンタ、レーザ複写機、プロジェクタ、ヘッドマウントディスプレイ、ヘッドアップディスプレイ等）の光源として実現されてもよい。
【0117】
以上説明したような面発光レーザを備える電子機器によれば、面発光レーザ１０を備えるので、低消費電力化を図ることができる。
【0118】
以上説明した各実施形態及び各変形例は、相互に矛盾しない範囲内で組合せることが可能である。
【0119】
以上説明した各実施形態及び各変形例において、記載した具体的な数値、形状、材料（組成を含む）等は、一例であって、これらに限定されるものではない。
【0120】
また、本技術は、以下のような構成をとることもできる。
（１）第１の多層膜反射鏡と、
第２の多層膜反射鏡と、
前記第１の多層膜反射鏡と前記第２の多層膜反射鏡との間に配置された活性層と、
を備え、
前記第１の多層膜反射鏡及び／又は前記第２の多層膜反射鏡は、他の領域よりも不純物濃度の高い高濃度不純物領域が厚さ方向に部分的に設けられている、面発光レーザ。
（２）前記高濃度不純物領域は、前記第１の多層膜反射鏡及び／又は前記第２の多層膜反射鏡の面内方向に部分的に設けられている、（１）に記載の面発光レーザ。
（３）前記高濃度不純物領域は、少なくとも、前記第１の多層膜反射鏡及び／又は前記第２の多層膜反射鏡の前記活性層から遠い方の表層に設けられている、（１）又は（２）に記載の面発光レーザ。
（４）前記高濃度不純物領域は、少なくとも、前記第１の多層膜反射鏡及び／又は前記第２の多層膜反射鏡の前記活性層から近い方の表層には設けられていない、（１）～（３）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（５）前記第１の多層膜反射鏡及び／又は前記第２の多層膜反射鏡は、第１の層と、前記高濃度不純物領域が設けられた第２の層と、を含む、（１）～（４）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（６）前記第１の層と前記第２の層とが積層されている、（５）に記載の面発光レーザ。
（７）前記第１の層と前記第２の層との積層方向は、前記第１及び第２の多層膜反射鏡と前記活性層との並び方向に一致する、（６）に記載の面発光レーザ。
（８）前記第１の層は相対的に前記活性層から近く、且つ、前記第２の層は相対的に前記活性層から遠い、（５）～（７）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（９）前記高濃度不純物領域は、前記第２の層の厚さ方向の全域に設けられている、（５）～（８）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１０）前記第１の層には、高濃度不純物領域が設けられていない、（５）～（９）のいずれか１つに記載に面発光レーザ。
（１１）前記第２の層の光学厚さは、前記第１の層の光学厚さよりも薄い、（５）～（１０）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１２）前記第２の層と前記活性層との間に、１ペア以上のアンドープもしくは１ｘ１０１８ｃｍ－３以下の低濃度ドープの屈折率層又はアンドープもしくは１ｘ１０１８ｃｍ－３以下の低濃度ドープのＧａＡｓ層が配置されている、（５）～（１１）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１３）前記屈折率層又は前記ＧａＡｓ層は、前記第２の層と前記第１の層との間に配置されている、（１２）に記載の面発光レーザ。
（１４）前記第１の層は、少なくとも一方がＡｌを組成に含む屈折率層のペアを１ペア以上有し、前記第２の層は、少なくとも一方がＡｌを組成に含む屈折率層のペアを１ペア以上有し、前記第２の層の前記ペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さに対する、Ａｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さの比率は、前記第１の層の前記ペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さに対するＡｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さの比率よりも大きい、（５）～（１３）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１５）前記第１の層の前記ペアを構成する前記屈折率層の光学厚さの合計と、前記第２の層の前記ペアを構成する前記屈折率層の光学厚さの合計とが等しい、（１４）に記載の面発光レーザ。
（１６）前記第１の層の前記ペアのうちＡｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さに対する、前記第２の層の前記ペアのうちＡｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さの比率は、１．２以上である、（５）～（１５）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１７）前記第１の層の前記ペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さに対する、前記第２の層の前記ペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さの比率は、０．８以下である、（５）～（１６）に記載の面発光レーザ。
（１８）前記第２の層と前記第１の層との間に配置された定在波調整層を更に備える、（１４）～（１７）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１９）前記定在波調整層は、Ａｌを組成に含む層を有し、前記Ａｌを組成に含む層の光学厚さは、前記第１の層の前記ペアのうちＡｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さよりも厚く、且つ、前記第２の層の前記ペアのうちＡｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さよりも薄い、（１８）に記載の面発光レーザ。
（２０）前記定在波調整層は、Ａｌを組成に含む層を有し、前記Ａｌを組成に含む層の光学厚さは、前記第１の層の前記ペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さよりも薄く、且つ、前記第２の層の前記ペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さよりも厚い、（１８）又は（１９）に記載の面発光レーザ。
（２１）前記第２の層のＡｌの組成が高い方の前記屈折率層は、Ａｌの組成が９０％以上である、（１４）～（２０）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（２２）前記第２の層のＡｌの組成が低い方の前記屈折率層は、Ａｌの組成が３％以上である、（１４）～（２１）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（２３）前記第１の多層膜反射鏡及び／又は前記第２の多層膜反射鏡は、ＡｌＧａＡｓ系化合物半導体、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体又はＡｌＧａＮ系化合物半導体を含む、（１）～（２２）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（２４）発振波長が９００ｎｍ以上である、（１）～（２３）に記載の面発光レーザ。
（２５）前記高濃度不純物領域は、前記第２の層から前記第１の層側とは反対側に突出する突出部を有する、（８）に記載の面発光レーザ。
（２６）前記第２の多層膜反射鏡に対して前記活性層側とは反対側にコンタクト層が配置され、前記突出部の少なくとも一部が前記コンタクト層内に配置される、（２５）に記載の面発光レーザ。
（２７）前記第１の多層膜反射鏡の少なくとも一部、前記活性層及び前記第２の多層膜反射鏡を含んでメサ構造が形成され、前記高濃度不純物領域は、前記メサ構造の周囲部に設けられている、（１）～（２６）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（２８）前記第２の多層膜反射鏡内に、酸化領域が非酸化領域を取り囲む電流狭窄層が配置され、前記高濃度不純物領域は、前記メサ構造の高さ方向から見て、前記非酸化領域を取り囲むように設けられている、（２７）に記載の面発光レーザ。
（２９）前記高濃度不純物領域の外径と内径との差は、１μｍ以上である、（２８）に記載の面発光レーザ。
（３０）前記高濃度不純物領域に接触する電極を更に備える、（１）～（２９）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（３１）（１）～（３０）のいずれか１つに記載の面発光レーザが２次元配列されている面発光レーザアレイ。
（３２）（１）～（３１）のいずれか１つに記載の面発光レーザを備える電子機器。
（３３）少なくとも第１の多層膜反射鏡、活性層及び第２の多層膜反射鏡をこの順に積層して積層体を生成する工程と、
前記積層体の前記第２の多層膜反射鏡に対して前記活性層側とは反対側に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜をエッチングして開口を形成する工程と、
前記開口を介して前記第２の多層膜反射鏡の前記活性層から遠い方の表層を含む一部の層に不純物を拡散させる工程と、
を含む、面発光レーザの製造方法。
（３４）前記拡散させる工程では、少なくとも、前記第２の多層膜反射鏡の相対的に前記活性層に近い方の表層には前記不純物を拡散させない、（３３）に記載の面発光レーザの製造方法。
（３５）前記積層体を生成する工程では、前記活性層上に前記第２の多層膜反射鏡の全てを積層する前に、前記活性層上に前記不純物の拡散を抑制する拡散抑制層を積層する、（３３）又は（３４）に記載の面発光レーザの製造方法。
（３６）前記積層体を生成する工程では、さらに前記第２の多層膜反射鏡に対して前記活性層側とは反対側にコンタクト層を積層し、
前記拡散させる工程では、前記不純物を前記コンタクト層及び前記第２の多層膜反射鏡の前記活性層から遠い方の表層を含む一部の層に不純物を拡散させる、（３３）～（３５）のいずれか１つに記載の面発光レーザの製造方法。
（３７）前記第２の多層膜反射鏡は、第１の層と、他の領域よりも不純物濃度の高い高濃度不純物領域が設けられた第２の層と、を含み、
前記第１の層は、少なくとも一方がＡｌを組成に含む屈折率層のペアを１ペア以上有し、
前記第２の層は、少なくとも一方がＡｌを組成に含む屈折率層のペアを１ペア以上有し、
前記第２の層の前記ペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さに対するＡｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さの比率は、前記第１の層の前記ペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さに対するＡｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さの比率よりも大きく、
前記積層体を生成する工程では、前記活性層上に前記第１の層を積層し、該第１の層上に定在波調整層を積層し、該定在波調整層上に前記第２の層を積層する、（３３）～（３６）のいずれか１つに記載の面発光レーザの製造方法。
（１）第１の多層膜反射鏡と、
第２の多層膜反射鏡と、
前記第１の多層膜反射鏡と前記第２の多層膜反射鏡との間に配置された活性層と、
を備え、
前記第１の多層膜反射鏡及び／又は前記第２の多層膜反射鏡は、他の領域よりも不純物濃度の高い高濃度不純物領域が厚さ方向に部分的に設けられている、面発光レーザ。
（２）前記高濃度不純物領域は、前記第１の多層膜反射鏡及び／又は前記第２の多層膜反射鏡の面内方向に部分的に設けられている、（１）に記載の面発光レーザ。
（３）前記高濃度不純物領域は、少なくとも、前記第１の多層膜反射鏡及び／又は前記第２の多層膜反射鏡の前記活性層から遠い方の表層に設けられている、（１）又は（２）に記載の面発光レーザ。
（４）前記高濃度不純物領域は、少なくとも、前記第１の多層膜反射鏡及び／又は前記第２の多層膜反射鏡の前記活性層から近い方の表層には設けられていない、（１）～（３）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（５）前記第１の多層膜反射鏡及び／又は前記第２の多層膜反射鏡は、第１の層と、前記高濃度不純物領域が設けられた第２の層と、を含む、（１）～（４）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（６）前記第１の層と前記第２の層とが積層されている、（５）に記載の面発光レーザ。
（７）前記第１の層と前記第２の層との積層方向は、前記第１及び第２の多層膜反射鏡と前記活性層との並び方向に一致する、（６）に記載の面発光レーザ。
（８）前記第１の層は相対的に前記活性層から近く、且つ、前記第２の層は相対的に前記活性層から遠い、（５）～（７）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（９）前記高濃度不純物領域は、前記第２の層の厚さ方向の全域に設けられている、（５）～（８）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１０）前記第１の層には、高濃度不純物領域が設けられていない、（５）～（９）のいずれか１つに記載に面発光レーザ。
（１１）前記第２の層の光学厚さは、前記第１の層の光学厚さよりも薄い、（５）～（１０）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１２）前記第２の層と前記活性層との間に、１ペア以上のアンドープもしくは１ｘ１０１８ｃｍ－３以下の低濃度ドープの屈折率層又はアンドープもしくは１ｘ１０１８ｃｍ－３以下の低濃度ドープのＧａＡｓ層が配置されている、（５）～（１１）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１３）前記屈折率層又は前記ＧａＡｓ層は、前記第２の層と前記第１の層との間に配置されている、（１２）に記載の面発光レーザ。
（１４）前記第１の層は、少なくとも一方がＡｌを組成に含む屈折率層のペアを１ペア以上有し、前記第２の層は、少なくとも一方がＡｌを組成に含む屈折率層のペアを１ペア以上有し、前記第２の層の前記ペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さに対する、Ａｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さの比率は、前記第１の層の前記ペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さに対するＡｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さの比率よりも大きい、（５）～（１３）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１５）前記第１の層の前記ペアを構成する前記屈折率層の光学厚さの合計と、前記第２の層の前記ペアを構成する前記屈折率層の光学厚さの合計とが等しい、（１４）に記載の面発光レーザ。
（１６）前記第１の層の前記ペアのうちＡｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さに対する、前記第２の層の前記ペアのうちＡｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さの比率は、１．２以上である、（５）～（１５）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１７）前記第１の層の前記ペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さに対する、前記第２の層の前記ペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さの比率は、０．８以下である、（５）～（１６）に記載の面発光レーザ。
（１８）前記第２の層と前記第１の層との間に配置された定在波調整層を更に備える、（１４）～（１７）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１９）前記定在波調整層は、Ａｌを組成に含む層を有し、前記Ａｌを組成に含む層の光学厚さは、前記第１の層の前記ペアのうちＡｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さよりも厚く、且つ、前記第２の層の前記ペアのうちＡｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さよりも薄い、（１８）に記載の面発光レーザ。
（２０）前記定在波調整層は、Ａｌを組成に含む層を有し、前記Ａｌを組成に含む層の光学厚さは、前記第１の層の前記ペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さよりも薄く、且つ、前記第２の層の前記ペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さよりも厚い、（１８）又は（１９）に記載の面発光レーザ。
（２１）前記第２の層のＡｌの組成が高い方の前記屈折率層は、Ａｌの組成が９０％以上である、（１４）～（２０）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（２２）前記第２の層のＡｌの組成が低い方の前記屈折率層は、Ａｌの組成が３％以上である、（１４）～（２１）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（２３）前記第１の多層膜反射鏡及び／又は前記第２の多層膜反射鏡は、ＡｌＧａＡｓ系化合物半導体、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体又はＡｌＧａＮ系化合物半導体を含む、（１）～（２２）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（２４）発振波長が９００ｎｍ以上である、（１）～（２３）に記載の面発光レーザ。
（２５）前記高濃度不純物領域は、前記第２の層から前記第１の層側とは反対側に突出する突出部を有する、（８）に記載の面発光レーザ。
（２６）前記第２の多層膜反射鏡に対して前記活性層側とは反対側にコンタクト層が配置され、前記突出部の少なくとも一部が前記コンタクト層内に配置される、（２５）に記載の面発光レーザ。
（２７）前記第１の多層膜反射鏡の少なくとも一部、前記活性層及び前記第２の多層膜反射鏡を含んでメサ構造が形成され、前記高濃度不純物領域は、前記メサ構造の周囲部に設けられている、（１）～（２６）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（２８）前記第２の多層膜反射鏡内に、酸化領域が非酸化領域を取り囲む電流狭窄層が配置され、前記高濃度不純物領域は、前記メサ構造の高さ方向から見て、前記非酸化領域を取り囲むように設けられている、（２７）に記載の面発光レーザ。
（２９）前記高濃度不純物領域の外径と内径との差は、１μｍ以上である、（２８）に記載の面発光レーザ。
（３０）前記高濃度不純物領域に接触する電極を更に備える、（１）～（２９）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（３１）（１）～（３０）のいずれか１つに記載の面発光レーザが２次元配列されている面発光レーザアレイ。
（３２）（１）～（３１）のいずれか１つに記載の面発光レーザを備える電子機器。
（３３）少なくとも第１の多層膜反射鏡、活性層及び第２の多層膜反射鏡をこの順に積層して積層体を生成する工程と、
前記積層体の前記第２の多層膜反射鏡に対して前記活性層側とは反対側に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜をエッチングして開口を形成する工程と、
前記開口を介して前記第２の多層膜反射鏡の前記活性層から遠い方の表層を含む一部の層に不純物を拡散させる工程と、
を含む、面発光レーザの製造方法。
（３４）前記拡散させる工程では、少なくとも、前記第２の多層膜反射鏡の相対的に前記活性層に近い方の表層には前記不純物を拡散させない、（３３）に記載の面発光レーザの製造方法。
（３５）前記積層体を生成する工程では、前記活性層上に前記第２の多層膜反射鏡の全てを積層する前に、前記活性層上に前記不純物の拡散を抑制する拡散抑制層を積層する、（３３）又は（３４）に記載の面発光レーザの製造方法。
（３６）前記積層体を生成する工程では、さらに前記第２の多層膜反射鏡に対して前記活性層側とは反対側にコンタクト層を積層し、
前記拡散させる工程では、前記不純物を前記コンタクト層及び前記第２の多層膜反射鏡の前記活性層から遠い方の表層を含む一部の層に不純物を拡散させる、（３３）～（３５）のいずれか１つに記載の面発光レーザの製造方法。
（３７）前記第２の多層膜反射鏡は、第１の層と、他の領域よりも不純物濃度の高い高濃度不純物領域が設けられた第２の層と、を含み、
前記第１の層は、少なくとも一方がＡｌを組成に含む屈折率層のペアを１ペア以上有し、
前記第２の層は、少なくとも一方がＡｌを組成に含む屈折率層のペアを１ペア以上有し、
前記第２の層の前記ペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さに対するＡｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さの比率は、前記第１の層の前記ペアのうちＡｌの組成が低い方の屈折率層の光学厚さに対するＡｌの組成が高い方の屈折率層の光学厚さの比率よりも大きく、
前記積層体を生成する工程では、前記活性層上に前記第１の層を積層し、該第１の層上に定在波調整層を積層し、該定在波調整層上に前記第２の層を積層する、（３３）～（３６）のいずれか１つに記載の面発光レーザの製造方法。
【符号の説明】
【0121】
１０、１０’、１０’’、２０、３０、４０、５０、６０：面発光レーザ、１００：基板、２００：第１の多層膜反射鏡、３００：活性層、４００：電流狭窄層、５００、５００’：第２の多層膜反射鏡、５００ａ：第１の層、５００ｂ：第２の層、６００：コンタクト層、６５０：絶縁膜、７００：アノード電極（電極）、Ｉｒ：高濃度不純物領域。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
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【図16】
【図17】
【図18】
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【図20】
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【図28】
【図29】
