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特許7617028表示パネル

書誌要約請求の範囲詳細な説明課題実施例実施するための形態図面の説明

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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2025-01-08

(45)【発行日】2025-01-17

(54)【発明の名称】表示パネル

(51)【国際特許分類】

H10K 59/121 20230101AFI20250109BHJP

G09F 9/30 20060101ALI20250109BHJP

G09F 9/302 20060101ALI20250109BHJP

H10K 50/842 20230101ALI20250109BHJP

H10K 59/10 20230101ALI20250109BHJP

H10K 59/35 20230101ALI20250109BHJP

【ＦＩ】

H10K59/121

G09F9/30 365

G09F9/302 C

H10K50/842 428

H10K59/10

H10K59/35

【請求項の数】 18

(21)【出願番号】P 2021566062

(86)(22)【出願日】2021-07-23

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2023-08-23

(86)【国際出願番号】 CN2021108285

(87)【国際公開番号】W WO2023279450

(87)【国際公開日】2023-01-12

【審査請求日】2021-11-05

(31)【優先権主張番号】202110771752.8

(32)【優先日】2021-07-08

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

【前置審査】

(73)【特許権者】

【識別番号】517333336

【氏名又は名称】武漢華星光電半導体顕示技術有限公司

【氏名又は名称原語表記】ＷＵＨＡＮＣＨＩＮＡＳＴＡＲＯＰＴＯＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲＤＩＳＯＬＡＹＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹＣＯ．，ＬＴＤ

【住所又は居所原語表記】３０５Ｒｏｏｍ，ＢｕｉｌｄｉｎｇＣ５ＢｉｏｌａｋｅｏｆＯｐｔｉｃｓＶａｌｌｅｙ，Ｎｏ．６６６ＧａｏｘｉｎＡｖｅｎｕｅ，．ＷｕｈａｎＥａｓｔＬａｋｅＨｉｇｈ－ｔｅｃｈＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔＺｏｎｅＷｕｈａｎ，Ｈｕｂｅｉ４３００７９Ｃｈｉｎａ

(74)【代理人】

【識別番号】100204386

【弁理士】

【氏名又は名称】松村啓

(72)【発明者】

【氏名】▲張▼ 伸福

【審査官】横川美穂

(56)【参考文献】

【文献】米国特許出願公開第２０２０／０１９４５２０（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２０２０－０８０２２４（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０２０／２２７９３０（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２００２－２８９３４７（ＪＰ，Ａ）

【文献】韓国公開特許第１０－２０１５－０１０６６２２（ＫＲ，Ａ）

【文献】中国実用新案第２０４３３２９６１（ＣＮ，Ｕ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ１０Ｋ５０／００－１０２／２０

Ｈ０５Ｂ３３／００－３３／２８

Ｇ０９Ｆ９／３０２

Ｇ０９Ｆ９／３０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

表示パネルであって、第１色を表示する複数の第１サブ画素と、第２色を表示する複数の第２サブ画素と、第３色を表示する複数の第３サブ画素とを含み、
前記第１サブ画素は第１電極と前記第１電極上に設置される第１発光層とを含み、
前記第２サブ画素は第２電極と前記第２電極上に設置される第２発光層とを含み、
前記第３サブ画素は第３電極と前記第３電極上に設置される第３発光層とを含み、
前記表示パネルは複数の発光繰り返しユニットをさらに含み、各前記発光繰り返しユニットは、複数の前記第１サブ画素と、複数の前記第２サブ画素と、複数の前記第３サブ画素とを含み、
複数の前記第１サブ画素は、仮想矩形の中心点に近接する箇所に設置され、複数の前記第１サブ画素は隣接して設置され、隣接する複数の前記第１サブ画素の前記第１発光層は互いに接続され、隣接する複数の前記第１サブ画素の前記第１電極は互いに絶縁され、
複数の前記第２サブ画素は、前記仮想矩形の領域内に設置され、且つ前記仮想矩形の頂点に近接し、
複数の前記第３サブ画素は、隣接する前記第１サブ画素と前記第２サブ画素との間に設置され、且つ前記仮想矩形の中心点と頂点とを結ぶ線と互いに重なり、
前記第１サブ画素の面積及び前記第２サブ画素の面積はいずれも前記第３サブ画素の面積未満であり、
前記表示パネルは、隣接する２つの前記発光繰り返しユニットの第３サブ画素の間に設置される支持柱をさらに含み、前記支持柱は、前記発光繰り返しユニットに対応する仮想矩形の辺と重なり、それと隣接する前記第３サブ画素の間に位置し、かつ隣接する前記第３サブ画素と重ならない、表示パネル。

【請求項2】

各前記発光繰り返しユニットは複数の画素ユニットを含み、各前記画素ユニットは１つの前記第１サブ画素、１つの前記第２サブ画素及び１つの前記第３サブ画素を含む、請求項１に記載の表示パネル。

【請求項3】

各前記発光繰り返しユニットにおいて、前記第１サブ画素と前記第３サブ画素との間の最小間隔は固定して変わらないように維持され、
前記第２サブ画素と前記第３サブ画素との間の最小間隔は固定して変わらないように維持される、請求項２に記載の表示パネル。

【請求項4】

各画素ユニットにおいて、前記第１サブ画素と前記第３サブ画素との間の最小間隔は、前記第２サブ画素と前記第３サブ画素との間の最小間隔に等しい、請求項３に記載の表示パネル。

【請求項5】

各前記画素ユニットにおいて、前記第１サブ画素と前記第３サブ画素との間の最小間隔は１５．９ミクロン以上であり、前記第２サブ画素と前記第３サブ画素との間の最小間隔は１５．９ミクロン以上である、請求項３に記載の表示パネル。

【請求項6】

前記第１サブ画素の面積は前記第２サブ画素の面積未満である、請求項２に記載の表示パネル。

【請求項7】

各々の前記画素ユニットにおいて、前記第１サブ画素の面積、前記第２サブ画素の面積、及び前記第３サブ画素の面積の比は等しい、請求項６に記載の表示パネル。

【請求項8】

前記発光繰り返しユニットは前記仮想矩形の中心点に関して点対称に設置され、同一の前記発光繰り返しユニット中の前記画素ユニットは前記仮想矩形の中心点に関して点対称に設置される、請求項２に記載の表示パネル。

【請求項9】

各前記発光繰り返しユニット中に４つの前記画素ユニットが含まれ、
同一の前記発光繰り返しユニットにおいて、前記仮想矩形の中心点箇所に近接する４つの前記第１サブ画素は前記仮想矩形の中心点に対して点対称に設置され、
同一の前記発光繰り返しユニットにおいて、前記仮想矩形の頂点箇所に近接する４つの前記第２サブ画素は前記仮想矩形の中心点に対して点対称に設置され、
同一の前記発光繰り返しユニットにおいて、前記仮想矩形の中心点と頂点とを結ぶ線と互いに重なって設置された４つの第３サブ画素は、前記仮想矩形の中心点に対して点対称に設置される、請求項８に記載の表示パネル。

【請求項10】

前記発光繰り返しユニット及びそれと隣接する前記発光繰り返しユニットにおいて、前記第２発光層は少なくとも２つの隣接する前記第２電極と重なる、請求項１に記載の表示パネル。

【請求項11】

前記発光繰り返しユニット及びそれと隣接する前記発光繰り返しユニットは前記仮想矩形の１つの頂点の周りに設置され、複数の前記第２サブ画素は同一の前記頂点の周りに設置され、
同一の前記頂点の周りに設置された第２サブ画素において、前記第２発光層は少なくとも２つの前記第２サブ画素の前記第２電極と重なる、請求項１０に記載の表示パネル。

【請求項12】

前記第２発光層は、同一の前記頂点の周りに設置されたすべての前記第２サブ画素の前記第２電極と重なる、請求項１１に記載の表示パネル。

【請求項13】

隣接する２つの前記発光繰り返しユニットにおいて、隣接する２つの前記第２サブ画素の間の間隔は２ミクロン以上である、請求項１０に記載の表示パネル。

【請求項14】

同一の前記発光繰り返しユニット内であって、且つ２つの隣接して位置する前記画素ユニットにおいて、隣接する２つの前記第１サブ画素の間の間隔は２ミクロン以上である、請求項２に記載の表示パネル。

【請求項15】

同一の前記発光繰り返しユニットにおいて、前記第１発光層はすべての前記第１サブ画素の前記第１電極と重なる、請求項１４に記載の表示パネル。

【請求項16】

前記第３サブ画素は点対称図形であり、
前記第３サブ画素の中心点は前記仮想矩形の中心点と前記仮想矩形の頂点とを結ぶ線上に位置する、請求項１に記載の表示パネル。

【請求項17】

前記第１サブ画素及び前記第２サブ画素はいずれも三角形であり、
同一の前記発光繰り返しユニットにおいて、前記仮想矩形の中心箇所に位置する複数の前記第１サブ画素の組み合わせは矩形であり、
隣接する前記発光繰り返しユニットにおいて、複数の前記第２サブ画素の組み合わせは矩形である、請求項１６に記載の表示パネル。

【請求項18】

前記第１サブ画素は赤色サブ画素であり、前記第２サブ画素は緑色サブ画素であり、前記第３サブ画素は青色サブ画素である、請求項１に記載の表示パネル。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本願は表示の技術分野に関し、特に表示パネルに関する。

【背景技術】

【0002】

有機発光ダイオードディスプレイ（ＯＬＥＤ）は多層有機薄膜構造を利用して電界発光を発生させる素子であり、それは製造プロセスが簡単であるだけでなく、且つ駆動電圧が比較的低く、これらの特徴によりＯＬＥＤの平面表示技術での優勢は非常に目立っている。また、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）に比べて、ＯＬＥＤは、より軽くて薄く、輝度が高く、消費電力が低く、応答が速く、解像度が高く、可撓性が優れ、発光効率が高い等の特性をさらに有し、表示技術に対する消費者の新しいニーズを満たすことができる。従って、ＯＬＥＤディスプレイは各ディスプレイメーカーが先を争って開発する焦点となっている。

【0003】

ＯＬＥＤディスプレイの画素構造はその表示効果に対して重要な影響がある。実サブ画素の画素構造とは各画素ユニット中には相互に独立した赤色サブ画素（Ｒ）、緑色サブ画素（Ｇ）及び青色サブ画素（Ｂ）が含まれることを指し、この画素構造は作製過程で使用されるマスクの開口率が比較的低く、現在の高画素密度の表示ニーズを満たしにくい。サブ画素を組み合わせた画素構造は赤色サブ画素（Ｒ）と緑色サブ画素（Ｇ）とを組み合わせ、緑色サブ画素（Ｇ）と青色サブ画素（Ｂ）とを組み合わせて画素ユニットを形成し、この画素構造はマスクの開口率を向上させることができるが、その表示効果が比較的悪い。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

従来の実サブ画素の画素構造では作製に必要なマスクの開口率が低いという技術的課題が存在している。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本願は表示パネルを提供し、従来の実サブ画素の画素構造に存在している作製に必要なマスクの開口率が低いという技術的課題を軽減することに用いられる。

【0006】

本願は表示パネルを提供し、第１色を表示する複数の第１サブ画素と、第２色を表示する複数の第２サブ画素と、第３色を表示する複数の第３サブ画素とを含み、
前記第１サブ画素は第１電極と前記第１電極上に設置される第１発光層とを含み、
前記第２サブ画素は第２電極と前記第２電極上に設置される第２発光層とを含み、
前記第３サブ画素は第３電極と前記第３電極上に設置される第３発光層とを含み、
前記表示パネルは複数の発光繰り返しユニットをさらに含み、各前記発光繰り返しユニットは、複数の前記第１サブ画素と、複数の前記第２サブ画素と、複数の前記第３サブ画素とを含み、
複数の前記第１サブ画素は、仮想矩形の中心点に近接する箇所に設置され、前記第１発光層は少なくとも２つの前記第１電極と重なり、
複数の前記第２サブ画素は、前記仮想矩形の領域内に設置され、且つ前記仮想矩形の頂点に近接し、
複数の前記第３サブ画素は、隣接する前記第１サブ画素と前記第２サブ画素との間に設置され、且つ前記仮想矩形の中心点と頂点とを結ぶ線と互いに重なり、
前記第１サブ画素の面積及び前記第２サブ画素の面積はいずれも前記第３サブ画素の面積未満である。

【0007】

本願の表示パネルでは、各前記発光繰り返しユニットは複数の画素ユニットを含み、各前記画素ユニットは１つの前記第１サブ画素、１つの前記第２サブ画素及び１つの前記第３サブ画素を含む。

【0008】

本願の表示パネルでは、各前記発光繰り返しユニットにおいて、前記第１サブ画素と前記第３サブ画素との間の最小間隔は固定して変わらないように維持され、
前記第２サブ画素と前記第３サブ画素との間の最小間隔は固定して変わらないように維持される。

【0009】

本願の表示パネルでは、各画素ユニットにおいて、前記第１サブ画素と前記第３サブ画素との間の最小間隔は、前記第２サブ画素と前記第３サブ画素との間の最小間隔に等しい。

【0010】

本願の表示パネルでは、各前記画素ユニットにおいて、前記第１サブ画素と前記第３サブ画素との間の最小間隔は１５．９ミクロン以上であり、前記第２サブ画素と前記第３サブ画素との間の最小間隔は１５．９ミクロン以上である。

【0011】

本願の表示パネルでは、前記第１サブ画素の面積は前記第２サブ画素の面積未満である。

【0012】

本願の表示パネルでは、各々の前記画素ユニットにおいて、前記第１サブ画素の面積、前記第２サブ画素の面積、及び前記第３サブ画素の面積の比は等しい。

【0013】

本願の表示パネルでは、前記発光繰り返しユニットは前記仮想矩形の中心点に関して点対称に設置され、同一の前記発光繰り返しユニット中の前記画素ユニットは前記仮想矩形の中心点に関して点対称に設置される。

【0014】

本願の表示パネルでは、各前記発光繰り返しユニット中に４つの前記画素ユニットが含まれ、
同一の前記発光繰り返しユニットにおいて、前記仮想矩形の中心点箇所に近接する４つの前記第１サブ画素は前記仮想矩形の中心点に対して点対称に設置され、
同一の前記発光繰り返しユニットにおいて、前記仮想矩形の頂点箇所に近接する４つの前記第２サブ画素は前記仮想矩形の中心点に対して点対称に設置され、
同一の前記発光繰り返しユニットにおいて、前記仮想矩形の中心点と頂点とを結ぶ線と互いに重なって設置された４つの第３サブ画素は、前記仮想矩形の中心点に対して点対称に設置される。

【0015】

本願の表示パネルでは、前記発光繰り返しユニット及びそれと隣接する前記発光繰り返しユニットにおいて、前記第２発光層は少なくとも２つの隣接する前記第２電極と重なる。

【0016】

本願の表示パネルでは、前記発光繰り返しユニット及びそれと隣接する前記発光繰り返しユニットは前記仮想矩形の１つの頂点の周りに設置され、複数の前記第２サブ画素は同一の前記頂点の周りに設置され、
同一の前記頂点の周りに設置された第２サブ画素において、前記第２発光層は少なくとも２つの前記第２サブ画素の前記第２電極と重なる。

【0017】

本願の表示パネルでは、前記第２発光層は、同一の前記頂点の周りに設置されたすべての前記第２サブ画素の前記第２電極と重なる。

【0018】

本願の表示パネルでは、隣接する２つの前記発光繰り返しユニットにおいて、隣接する２つの前記第２サブ画素の間の間隔は２ミクロン以上である。

【0019】

本願の表示パネルでは、同一の前記発光繰り返しユニット内であって、且つ２つの隣接して位置する前記画素ユニットにおいて、隣接する２つの前記第１サブ画素の間の間隔は２ミクロン以上である。

【0020】

本願の表示パネルでは、同一の前記発光繰り返しユニットにおいて、前記第１発光層はすべての前記第１サブ画素の前記第１電極と重なる。

【0021】

本願の表示パネルでは、前記表示パネルは、
隣接する２つの前記発光繰り返しユニットの第３サブ画素の間に設置される支持柱をさらに含み、且つ前記支持柱は前記発光繰り返しユニットに対応する仮想矩形の辺と重なる。

【0022】

本願の表示パネルでは、前記支持柱はそれと隣接する前記第３サブ画素の間に位置し、且つ前記支持柱は隣接する前記第３サブ画素と重ならない。

【0023】

本願の表示パネルでは、前記第３サブ画素は点対称図形であり、
前記第３サブ画素の中心点は前記仮想矩形の中心点と前記仮想矩形の頂点とを結ぶ線上に位置する。

【0024】

本願の表示パネルでは、前記第１サブ画素及び前記第２サブ画素はいずれも三角形であり、
同一の前記発光繰り返しユニットにおいて、前記仮想矩形の中心箇所に位置する複数の前記第１サブ画素の組み合わせは矩形であり、
隣接する前記発光繰り返しユニットにおいて、複数の前記第２サブ画素の組み合わせは矩形である。

【0025】

本願の表示パネルでは、前記第１サブ画素は赤色サブ画素であり、前記第２サブ画素は緑色サブ画素であり、前記第３サブ画素は青色サブ画素である。

【発明の効果】

【0026】

［有益な効果］
本願は表示パネルを提供し、該表示パネルは第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素を含み、第１サブ画素は第１電極と第１電極上に設置される第１発光層とを含み、第２サブ画素は第２電極と第２電極上に設置される第２発光層とを含み、第３サブ画素は第３電極と第３電極上に設置される第３発光層とを含み、該表示パネルは複数の発光繰り返しユニットをさらに含み、各発光繰り返しユニットは、仮想矩形の中心に近接する箇所に設置される複数の第１サブ画素と、仮想矩形の頂点に近接して設置される複数の第２サブ画素と、隣接する第１サブ画素と第２サブ画素との間に設置される複数の第３サブ画素とを含み、ここで、第１発光層は少なくとも２つの第１電極と重なる。本願は複数の第１サブ画素を１つの仮想矩形の中心箇所に設置し、且つ第１発光層と少なくとも２つの第１電極とを互いに重ねることによって、仮想矩形の中心箇所に位置する複数の第１サブ画素の発光層をマスク上の１つの開口によって作製することができ、それによりマスクの開口率を向上させ、マスクの開口難度を低減させ、且つ表示パネルの画素密度を向上させ、表示効果を向上させる。

【0027】

実施例又は従来技術中の技術的手段をより明確に説明するために、以下、実施例又は従来技術の記述中に使用される必要がある図面を簡単に紹介し、明らかなように、以下に記述される図面は出願のいくつかの実施例に過ぎず、当業者にとって、創造的な労働を必要とせずに、これらの図面に基づいて他の図面を取得することもできる。

【図面の簡単な説明】

【0028】

【図1】本願の実施例が提供する表示パネルの部分断面構造模式図である。

【図2】本願の実施例が提供する表示パネルの第１種の画素構造模式図である。

【図3】図２に示される画素構造中の１つの発光繰り返しユニットの構造模式図である。

【図4】図３に示される発光繰り返しユニット中の１つの画素ユニットの構造模式図である。

【図5】本願の実施例が提供する表示パネルの第２種の画素構造模式図である。

【図6】図５に示される画素構造中の１つの発光繰り返しユニットの構造模式図である。

【図7】図６に示される発光繰り返しユニット中の１つの画素ユニットの構造模式図である。

【図8】本願の実施例が提供する表示パネルの第３種の画素構造模式図である。

【図9】図８に示される画素構造中の１つの発光繰り返しユニットの構造模式図である。

【図10】図９に示される発光繰り返しユニット中の１つの画素ユニットの構造模式図である。

【図11】本願の実施例が提供する表示パネルの第４種の画素構造模式図である。

【図12】図１１に示される画素構造中の１つの発光繰り返しユニットの構造模式図である。

【図13】図１２に示される発光繰り返しユニット中の１つの画素ユニットの構造模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0029】

以下の各実施例の説明は添付の図示を参照して、本願の実施できる特定の実施例を例示することに用いられるものである。本願に言及される方向用語、例えば「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」、「内」、「外」、及び「側面」等は、添付の図面を参照する方向に過ぎない。従って、使用される方向用語は本願を説明及び理解することに用いられるものであり、本願を制限することに用いられるものではない。図中において、構造が類似するユニットは同一符号で表される。

【0030】

本願の実施例は表示パネルを提供し、該表示パネルは第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素を含み、第１サブ画素は第１電極と第１電極上に設置される第１発光層とを含み、第２サブ画素は第２電極と第２電極上に設置される第２発光層とを含み、第３サブ画素は第３電極と第３電極上に設置される第３発光層とを含み、該表示パネルは複数の発光繰り返しユニットをさらに含み、各発光繰り返しユニットは、１つの仮想矩形の中心箇所に設置される複数の第１サブ画素と、仮想矩形の頂点に近接して設置される複数の第２サブ画素と、隣接する第１サブ画素と第２サブ画素との間に設置される複数の第３サブ画素とを含み、ここで、第１発光層は少なくとも２つの第１電極と互いに重なる。本願の実施例は、複数の第１サブ画素を１つの仮想矩形の中心箇所に設置し、且つ第１発光層と少なくとも２つの第１電極とを重ねることによって、仮想矩形の中心箇所に位置する複数の第１サブ画素の発光層をマスク上の１つの開口によって作製することができ、それによりマスクの開口率を向上させ、マスクの開口難度を低減させ、且つ表示パネルの画素密度を向上させ、表示効果を向上させる。

【0031】

以下、具体的な実施例と併せて本願が提供する表示パネルの構造特徴を説明する。

【0032】

１種の実施例では、図１～図４に参照されるように、図１は本願の実施例が提供する表示パネルの部分断面構造模式図であり、図２は本願の実施例が提供する表示パネルの第１種の画素構造模式図であり、図３は図２に示される画素構造中の１つの発光繰り返しユニットの構造模式図であり、図４は図３に示される発光繰り返しユニット中の１つの画素ユニットの構造模式図である。

【0033】

上記表示パネルは、アレイ基板１０１、及び上記アレイ基板１０１上に設置される発光素子層を含み、上記アレイ基板１０１中に駆動回路が設置され、上記駆動回路は上記発光素子層中の各々の発光素子のために駆動信号を提供し、且つ各々の発光素子の発光機能を制御することに用いられる。

【0034】

選択可能に、上記アレイ基板１０１は、ベース層、及び上記ベース層上に設置される薄膜トランジスタ層を含み、上記薄膜トランジスタ層中には上記駆動回路を構成するのに必要な複数の走査線、複数のデータ線、及び複数の薄膜トランジスタ等が設置される。

【0035】

上記発光素子層は、上記アレイ基板１０１上に設置される画素定義層１０２、及び上記画素定義層１０２の各々の開口に対応して設置される発光素子を含み、各々の上記発光素子は上記表示パネル上の１つのサブ画素に対応する。

【0036】

具体的に、上記表示パネルは、第１色を表示する複数の第１サブ画素２１、第２色を表示する複数の第２サブ画素２２、及び第３色を表示する複数の第３サブ画素２３を含む。

【0037】

選択可能に、単一の上記第１サブ画素２１の面積及び単一の上記第２サブ画素２２の面積はいずれも単一の上記第３サブ画素２３の面積未満である。

【0038】

上記第１サブ画素２１は、上記アレイ基板１０１上に設置される第１電極２１１、及び上記第１電極２１１上に設置される第１発光層２１２を含み、上記第１電極２１１の少なくとも一部の領域は上記画素定義層１０２上の開口によって露出され、上記第１発光層２１２の少なくとも一部の領域は、上記画素定義層１０２上の開口に対応して設置され、且つ上記第１電極２１１と接触する。

【0039】

上記第２サブ画素２２は、上記アレイ基板１０１上に設置される第２電極２２１、及び上記第２電極２２１上に設置される第２発光層２２２を含み、上記第２電極２２１の少なくとも一部の領域は上記画素定義層１０２上の開口によって露出され、上記第２発光層２２２の少なくとも一部の領域は、上記画素定義層１０２上の開口に対応して設置され、且つ上記第２電極２２１と接触する。

【0040】

上記第３サブ画素２３は、上記アレイ基板１０１上に設置される第３電極２３１、及び上記第３電極２３１上に設置される第３発光層２３２を含み、上記第３電極２３１の少なくとも一部の領域は上記画素定義層１０２上の開口によって露出され、上記第３発光層２３２の少なくとも一部の領域は、上記画素定義層１０２上の開口に対応して設置され、且つ上記第３電極２３１と接触する。

【0041】

上記表示パネルは上記画素定義層１０２上に設置される第４電極１０３をさらに含み、上記第４電極１０３は上記第１発光層２１２、上記第２発光層２２２、及び上記第３発光層２３２のすべてと接触する。

【0042】

選択可能に、上記第１電極２１１、上記第２電極２２１及び上記第３電極２３１はいずれも陽極であり、且つそれらの間は電気的絶縁が維持され、上記第４電極１０３は陰極であり、上記第１発光層２１２、上記第２発光層２２２及び上記第３発光層２３２はいずれも発光機能材料によって作製して形成される発光機能層である。

【0043】

選択可能に、上記表示パネルは上記画素定義層１０２上に設置される支持柱ＰＳをさらに含み、上記支持柱ＰＳは上記第１発光層２１２、上記第２発光層２２２及び上記第３発光層２３２を作製する時にマスクを支持することに用いられ、上記マスクと上記表示パネルとの間に一定の隙間が残されることを確保し、それにより、各々の発光層材料を上記マスク上の開口によって上記画素定義層１０２の開口中に正確に堆積させることが容易になる。

【0044】

さらに、上記表示パネルは複数の発光繰り返しユニット１０を含み、各上記発光繰り返しユニット１０は、複数の上記第１サブ画素２１、複数の上記第２サブ画素２２及び複数の上記第３サブ画素２３を含む。選択可能に、上記第１サブ画素２１は赤色サブ画素であり、上記第２サブ画素２２は緑色サブ画素であり、上記第３サブ画素２３は青色サブ画素である。

【0045】

ここで、上記第１サブ画素２１及び上記第２サブ画素２２はいずれも三角形であり、上記第３サブ画素２３は矩形又は他の多角形構造であってもよく、さらに円形又は楕円形構造であってもよい。説明する必要がある点として、本願の実施例で記述されるサブ画素の構造とは各々のサブ画素の上記アレイ基板１０１の表面上での正投影の形状を指す。

【0046】

同一の上記発光繰り返しユニット１０内において、複数の上記第１サブ画素２１は１つの仮想矩形Ｔの中心点Ｐ箇所に設置され、且つ上記第１発光層２１２は少なくとも２つの上記第１電極２１１と重なる。本実施例は２つ又は２つ以上の第１サブ画素２１を上記仮想矩形Ｔの中心点Ｐ箇所に設置し、且つ上記第１発光層２１２と少なくとも２つの上記第１電極２１１とを互いに重ねることによって、仮想矩形Ｔの中心箇所に位置する複数の上記第１サブ画素２１の発光層をマスク上の１つの開口によって作製することができ、それによりマスクの開口率を向上させ、マスクの開口難度を低減させ、且つ表示パネルの画素密度を向上させ、表示効果を向上させる。

【0047】

同一の上記発光繰り返しユニット１０内において、複数の上記第２サブ画素２２は上記仮想矩形Ｔの領域内に設置され、且つ上記仮想矩形Ｔの頂点に近接し、複数の上記第３サブ画素２３は隣接する上記第１サブ画素２１と上記第２サブ画素２２との間に設置され、且つ上記仮想矩形Ｔの中心と頂点とを結ぶ線と互いに重なる。且つ各上記発光繰り返しユニット１０はいずれも該発光繰り返しユニット１０に対応する仮想矩形Ｔの中心点Ｐに関して点対称に設置され、同一の上記発光繰り返しユニット１０中の上記画素ユニット２０は上記仮想矩形Ｔの中心点Ｐに関して点対称に設置される。上記第３サブ画素２３の中心点は上記仮想矩形Ｔの中心点Ｐと該仮想矩形Ｔの頂点とを結ぶ線上に位置する。

【0048】

さらに、各上記発光繰り返しユニット１０は複数の画素ユニット２０を含み、各上記画素ユニット２０は１つの上記第１サブ画素２１、１つの上記第２サブ画素２２及び１つの上記第３サブ画素２３を含む。同一の上記発光繰り返しユニット１０内において、隣接する２つの上記画素ユニット２０内の上記第１サブ画素２１は隣接して設置され、且つ隣接する複数の上記第１サブ画素２１の第１発光層２１２は互いに接続され、隣接する複数の上記第１サブ画素２１の第１電極２１１は互いに絶縁される。

【0049】

選択可能に、各々の上記画素ユニット２０において、上記第１サブ画素２１の面積、上記第２サブ画素２２の面積、及び上記第３サブ画素２３の面積の比は等しい。ここで、上記第１サブ画素２１の面積とは上記第１サブ画素２１の上記アレイ基板１０１の表面上での正投影の面積を指し、上記第２サブ画素２２の面積とは上記第２サブ画素２２の上記アレイ基板１０１の表面上での正投影の面積を指し、上記第３サブ画素２３の面積とは上記第３サブ画素２３の上記アレイ基板１０１の表面上での正投影の面積を指す。

【0050】

さらに、上記第１サブ画素２１の面積は上記第２サブ画素２２の面積未満であり、且つ上記第１サブ画素２１の面積及び上記第２サブ画素２２の面積はいずれも上記第３サブ画素２３の面積未満である。

【0051】

選択可能に、各上記発光繰り返しユニット１０において、上記第１サブ画素２１と上記第３サブ画素２３との間の最小間隔は固定して変わらないように維持され、上記第２サブ画素２２と上記第３サブ画素２３との間の最小間隔は固定して変わらないように維持される。本実施例は上記設置によって、各々のサブ画素を作製することに用いられるマスクの構造の複雑度を簡略化するという目的を達成し、それにより生産コストを低減させる。

【0052】

さらに、各画素ユニット２０において、上記第１サブ画素２１と上記第３サブ画素２３との間の最小間隔は、上記第２サブ画素２２と上記第３サブ画素２３との間の最小間隔に等しい。本実施例は各々のサブ画素を作製することに用いられるマスクの構造の複雑度をさらに簡略化する。

【0053】

さらに、各上記画素ユニット２０において、上記第１サブ画素２１と上記第３サブ画素２３との間の最小間隔は１５．９ミクロン以上であり、好ましくは１５．９ミクロンであり、上記第２サブ画素２２と上記第３サブ画素２３との間の最小間隔は１５．９ミクロン以上であり、好ましくは１５．９ミクロンである。本実施例では、上記第１サブ画素２１と上記第３サブ画素２３との間の間隔が最小値に達し、且つ上記第２サブ画素２２と上記第３サブ画素２３との間の間隔が最小値に達する時、上記画素ユニット２０内の上記第１サブ画素２１の面積、上記第２サブ画素２２の面積及び上記第３サブ画素２３の面積の和は最大に達し、それにより上記表示パネル中の各々のサブ画素の面積の和は最大値に達し、さらに該表示パネルの表示効果を向上させる。

【0054】

選択可能に、各上記発光繰り返しユニット１０は４つの上記画素ユニット２０を含み、これを基礎として、各上記発光繰り返しユニット１０はいずれも４つの上記第１サブ画素２１、４つの上記第２サブ画素２２及び４つの上記第３サブ画素２３を含む。同一の上記発光繰り返しユニット１０内において、４つの上記第１サブ画素２１は隣接して設置され、且つ上記仮想矩形Ｔの中心点Ｐ箇所に共同で設置され、且つ４つの上記第１サブ画素２１の第１発光層２１２は互いに接続され、４つの上記第１サブ画素２１の第１電極２１１は互いに絶縁される。

【0055】

同一の上記発光繰り返しユニット１０において、上記仮想矩形Ｔの中心点Ｐ箇所に近接する４つの上記第１サブ画素２１は上記仮想矩形Ｔの中心点Ｐに対して点対称に設置され、同一の上記発光繰り返しユニット１０において、上記仮想矩形Ｔの頂点箇所に近接する４つの上記第２サブ画素２２は上記仮想矩形Ｔの中心点Ｐに対して点対称に設置され、同一の上記発光繰り返しユニット１０において、上記仮想矩形Ｔの中心点Ｐと頂点とを結ぶ線と互いに重なって設置された４つの第３サブ画素２３は、上記仮想矩形Ｔの中心点Ｐに対して点対称に設置される。

【0056】

さらに、同一の上記発光繰り返しユニット１０内であって、且つ２つの隣接して位置する上記画素ユニット２０において、隣接する２つの上記第１サブ画素２１の間の間隔ｄ１は２ミクロン以上である。

【0057】

さらに、上記仮想矩形Ｔの対向する両辺の中点を結ぶ線は中心線Ｌである。同一の上記発光繰り返しユニット１０内において、隣接する２つの上記画素ユニット２０は上記中心線Ｌに関して対称であり、さらに隣接する２つの上記画素ユニット２０内の各々のサブ画素はそれぞれ上記中心線Ｌに関して対称である。

【0058】

選択可能に、上記発光繰り返しユニット１０及びそれと隣接する上記発光繰り返しユニット１０において、隣接して設置された上記第２サブ画素２２が少なくとも２つ存在し、且つ上記第２発光層２２２は少なくとも２つの隣接する上記第２電極２２１と重なる。本実施例は、２つ又は２つ以上の第２サブ画素２２を隣接して設置し、且つ上記第２発光層２２２と少なくとも２つの上記第２電極２２１とを互いに重ねることによって、隣接する複数の上記第２サブ画素２２の発光層をマスク上の１つの開口によって作製することができ、それによりマスクの開口率をさらに向上させ、且つ表示パネルの画素密度をさらに向上させる。

【0059】

さらに、上記発光繰り返しユニット１０及びそれと隣接する上記発光繰り返しユニット１０は上記仮想矩形Ｔの１つの頂点の周りに設置され、複数の上記第２サブ画素２２は同一の上記頂点の周りに設置され、ここで、同一の上記頂点の周りに設置された第２サブ画素２２において、上記第２発光層２２２は少なくとも２つの上記第２サブ画素２２の上記第２電極２２１と重なる。

【0060】

さらに、隣接する２つの上記発光繰り返しユニット１０において、隣接する２つの上記第２サブ画素２２の間の間隔ｄ２は２ミクロン以上である。

【0061】

さらに、同一の上記発光繰り返しユニット１０において、上記仮想矩形Ｔの中心箇所に位置する４つの上記第１サブ画素２１の組み合わせは矩形であり、且つ上記第１発光層２１２はすべての上記第１サブ画素２１の上記第１電極２１１と重なる。

【0062】

隣接する４つの上記発光繰り返しユニット１０において、４つの上記第２サブ画素２２の組み合わせは矩形であり、且つ上記第２発光層２２２はすべての上記第２サブ画素２２の上記第２電極２２１と重なる。

【0063】

さらに、上記支持柱ＰＳは隣接する２つの上記発光繰り返しユニット１０の第３サブ画素２３の間に設置され、且つ上記支持柱ＰＳは上記発光繰り返しユニット１０に対応する仮想矩形Ｔの辺と重なる。上記支持柱ＰＳは上記第３サブ画素２３と重ならず、すなわち上記支持柱ＰＳの上記アレイ基板１０１の表面上での正投影と上記第３サブ画素２３の上記アレイ基板１０１の表面上での正投影とは重なる領域がない。

【0064】

別の実施例では、図１、及び図５～図７に参照されるように、図５は本願の実施例が提供する表示パネルの第２種の画素構造模式図であり、図６は図５に示される画素構造中の１つの発光繰り返しユニットの構造模式図であり、図７は図６に示される発光繰り返しユニット中の１つの画素ユニットの構造模式図である。説明する必要がある点として、本実施例で提供される表示パネルは上記実施例で提供された表示パネルと同じ又は類似の構造を有し、その相違点は一部のサブ画素の構造が異なることだけであり、以下、本実施例が提供する表示パネルの構造特徴を説明し、ここで詳述されていないことは上記実施例の記載を参照する。

【0065】

上記表示パネルは複数の発光繰り返しユニット１０を含み、各上記発光繰り返しユニット１０は、複数の第１サブ画素２１、複数の第２サブ画素２２及び複数の第３サブ画素２３を含む。上記第１サブ画素２１は赤色サブ画素であってもよく、上記第２サブ画素２２は緑色サブ画素であってもよく、上記第３サブ画素２３は青色サブ画素であってもよい。

【0066】

ここで、上記第１サブ画素２１は４分の１の円形構造であり、上記第２サブ画素２２は三角形であり、上記第３サブ画素２３は矩形又は他の多角形構造であってもよく、さらに円形又は楕円形構造であってもよい。

【0067】

同一の上記発光繰り返しユニット１０内において、複数の上記第１サブ画素２１は１つの仮想矩形Ｔの中心点Ｐ箇所に設置され、且つ上記第１発光層２１２は少なくとも２つの上記第１電極２１１と重なる。複数の上記第２サブ画素２２は上記仮想矩形Ｔの領域内に設置され、且つ上記仮想矩形Ｔの頂点に近接し、複数の上記第３サブ画素２３は隣接する上記第１サブ画素２１と上記第２サブ画素２２との間に設置され、且つ上記仮想矩形Ｔの中心点Ｐと頂点とを結ぶ線と互いに重なる。

【0068】

各上記発光繰り返しユニット１０はいずれも該発光繰り返しユニット１０に対応する仮想矩形Ｔの中心点Ｐに関して点対称に設置され、同一の上記発光繰り返しユニット１０中の上記画素ユニット２０は上記仮想矩形Ｔの中心点Ｐに関して点対称に設置される。上記仮想矩形Ｔの対向する両辺の中点を結ぶ線は中心線Ｌであり、同一の上記発光繰り返しユニット１０内において、隣接する２つの上記画素ユニット２０は上記中心線Ｌに関して対称であり、さらに隣接する２つの上記画素ユニット２０内の各々のサブ画素はそれぞれ上記中心線Ｌに関して対称である。上記第３サブ画素２３の中心点は上記仮想矩形Ｔの中心点Ｐと該仮想矩形Ｔの頂点とを結ぶ線上に位置する。

【0069】

各上記発光繰り返しユニット１０は複数の画素ユニット２０を含み、各上記画素ユニット２０は１つの上記第１サブ画素２１、１つの上記第２サブ画素２２及び１つの上記第３サブ画素２３を含む。同一の上記発光繰り返しユニット１０内において、隣接する２つの上記画素ユニット２０内の上記第１サブ画素２１は隣接して設置され、且つ隣接する複数の上記第１サブ画素２１の第１発光層２１２は互いに接続され、隣接する複数の上記第１サブ画素２１の第１電極２１１は互いに絶縁される。

【0070】

選択可能に、各々の上記画素ユニット２０において、上記第１サブ画素２１の面積、上記第２サブ画素２２の面積、及び上記第３サブ画素２３の面積の比は等しい。

【0071】

【0072】

選択可能に、各上記発光繰り返しユニット１０において、上記第１サブ画素２１と上記第３サブ画素２３との間の最小間隔は固定して変わらないように維持され、上記第２サブ画素２２と上記第３サブ画素２３との間の最小間隔は固定して変わらないように維持される。各画素ユニット２０において、上記第１サブ画素２１と上記第３サブ画素２３との間の最小間隔は、上記第２サブ画素２２と上記第３サブ画素２３との間の最小間隔に等しい。

【0073】

さらに、各上記画素ユニット２０において、上記第１サブ画素２１と上記第３サブ画素２３との間の最小間隔は１５．９ミクロン以上であり、好ましくは１５．９ミクロンであり、上記第２サブ画素２２と上記第３サブ画素２３との間の最小間隔は１５．９ミクロン以上であり、好ましくは１５．９ミクロンである。

【0074】

【0075】

【0076】

同一の上記発光繰り返しユニット１０内であって、且つ２つの隣接して位置する上記画素ユニット２０において、隣接する２つの上記第１サブ画素２１の間の間隔ｄ１は２ミクロン以上である。

【0077】

選択可能に、上記発光繰り返しユニット１０及びそれと隣接する上記発光繰り返しユニット１０において、隣接して設置された上記第２サブ画素２２が少なくとも２つ存在し、且つ上記第２発光層２２２は少なくとも２つの隣接する上記第２電極２２１と重なる。隣接する２つの上記発光繰り返しユニット１０において、隣接する２つの上記第２サブ画素２２の間の間隔ｄ２は２ミクロン以上である。

【0078】

さらに、上記仮想矩形Ｔの中心箇所に位置する４つの上記第１サブ画素２１の組み合わせは円形構造であり、隣接する４つの上記発光繰り返しユニット１０において、４つの上記第２サブ画素２２の組み合わせは矩形である。

【0079】

さらに、上記支持柱ＰＳは隣接する２つの上記発光繰り返しユニット１０の第３サブ画素２３の間に設置され、且つ上記支持柱ＰＳは上記発光繰り返しユニット１０に対応する仮想矩形Ｔの辺と重なり、上記支持柱ＰＳは上記第３サブ画素２３と重ならない。

【0080】

さらに別の実施例では、図１、及び図８～図１０に参照されるように、図８は本願の実施例が提供する表示パネルの第３種の画素構造模式図であり、図９は図８に示される画素構造中の１つの発光繰り返しユニットの構造模式図であり、図１０は図９に示される発光繰り返しユニット中の１つの画素ユニットの構造模式図である。説明する必要がある点として、本実施例で提供される表示パネルは上記実施例で提供された表示パネルと同じ又は類似の構造を有し、その相違点は一部のサブ画素の構造が異なることだけであり、以下、本実施例が提供する表示パネルの構造特徴を説明し、ここで詳述されていないことは上記実施例の記載を参照する。

【0081】

【0082】

ここで、上記第１サブ画素２１は三角形であり、上記第２サブ画素２２は４分の１の円形構造であり、上記第３サブ画素２３は矩形又は他の多角形構造であってもよく、さらに円形又は楕円形構造であってもよい。

【0083】

【0084】

【0085】

【0086】

【0087】

【0088】

【0089】

【0090】

選択可能に、各上記発光繰り返しユニット１０は４つの上記画素ユニット２０を含み、これを基礎として、各上記発光繰り返しユニット１０はいずれも４つの上記第１サブ画素２１、４つの上記第２サブ画素２２及び４つの上記第３サブ画素２３を含む。

【0091】

【0092】

同一の上記発光繰り返しユニット１０内であって、且つ２つの隣接して位置する上記画素ユニットにおいて、隣接する２つの上記第１サブ画素２１の間の間隔ｄ１は２ミクロン以上である。

【0093】

【0094】

さらに、上記仮想矩形Ｔの中心箇所に位置する４つの上記第１サブ画素２１の組み合わせは矩形であり、隣接する４つの上記発光繰り返しユニット１０において、４つの上記第２サブ画素２２の組み合わせは円形構造である。

【0095】

【0096】

別の実施例では、図１、及び図１１～図１３に参照されるように、図１１は本願の実施例が提供する表示パネルの第４種の画素構造模式図であり、図１２は図１１に示される画素構造中の１つの発光繰り返しユニットの構造模式図であり、図１３は図１２に示される発光繰り返しユニット中の１つの画素ユニットの構造模式図である。説明する必要がある点として、本実施例で提供される表示パネルは上記実施例で提供された表示パネルと同じ又は類似の構造を有し、その相違点は一部のサブ画素の構造が異なることだけであり、以下、本実施例が提供する表示パネルの構造特徴を説明し、ここで詳述されていないことは上記実施例の記載を参照する。

【0097】

【0098】

ここで、上記第１サブ画素２１及び上記第２サブ画素２２はいずれも４分の１の円形構造であり、上記第３サブ画素２３は矩形又は他の多角形構造であってもよく、さらに円形又は楕円形構造であってもよい。

【0099】

【0100】

【0101】

【0102】

各々の上記画素ユニット２０において、上記第１サブ画素２１の面積、上記第２サブ画素２２の面積、及び上記第３サブ画素２３の面積の比は等しい。

【0103】

選択可能に、上記第１サブ画素２１の面積は上記第２サブ画素２２の面積未満であり、且つ上記第１サブ画素２１の面積及び上記第２サブ画素２２の面積はいずれも上記第３サブ画素２３の面積未満である。

【0104】

【0105】

【0106】

選択可能に、各上記画素ユニット２０において、上記第３サブ画素２３のエッジから上記第１サブ画素２１のエッジまでの最小距離は上記第３サブ画素２３のエッジから上記第２サブ画素２２のエッジまでの最小距離に等しい。

【0107】

【0108】

【0109】

同一の上記発光繰り返しユニット１０内であって、且つ２つの隣接して位置上記画素ユニット２０において、隣接する２つの上記第１サブ画素２１の間の間隔ｄ１は２ミクロン以上である。

【0110】

【0111】

さらに、上記仮想矩形Ｔの中心箇所に位置する４つの上記第１サブ画素２１の組み合わせは円形構造であり、隣接する４つの上記発光繰り返しユニット１０において、４つの上記第２サブ画素２２の組み合わせは円形構造である。

【0112】

【0113】

以上のように、本願の実施例が提供する表示パネルは第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素を含み、第１サブ画素は第１電極と第１電極上に設置される第１発光層とを含み、第２サブ画素は第２電極と第２電極上に設置される第２発光層とを含み、第３サブ画素は第３電極と第３電極上に設置される第３発光層とを含み、該表示パネルは複数の発光繰り返しユニットをさらに含み、各発光繰り返しユニットは、１つの仮想矩形の中心箇所に設置される複数の第１サブ画素と、仮想矩形の頂点に近接して設置される複数の第２サブ画素と、隣接する第１サブ画素と第２サブ画素との間に設置される複数の第３サブ画素とを含み、ここで、第１発光層は少なくとも２つの第１電極と重なる。本願の実施例は、複数の第１サブ画素を１つの仮想矩形の中心箇所に設置し、且つ第１発光層と少なくとも２つの第１電極とを互いに重ねることによって、仮想矩形の中心箇所に位置する複数の第１サブ画素の発光層をマスク上の１つの開口によって作製することができ、それによりマスクの開口率を向上させるのに有利であり、且つ表示パネルの画素密度を向上させる。

【0114】

本願の実施例はさらに２つ又は２つ以上の第２サブ画素を隣接して設置し、且つ第２発光層と少なくとも２つの第２電極とを互いに重ねることにより、隣接する複数の第２サブ画素の発光層をマスク上の１つの開口によって作製することができ、それによりマスクの開口率をさらに向上させ、且つ表示パネルの画素密度をさらに向上させる。

【0115】

説明する必要がある点として、上記のように具体的な実施例によって本願を開示したが、上記実施例は本願を限定するためのものではなく、当業者は、本願の精神及び範囲から逸脱することなく、様々な変更や修飾を行うことができ、従って、本願の特許発明の技術的範囲は請求項で定められる範囲に準じる。

【符号の説明】

【0116】

１０ユニット
２０画素ユニット
２１第１サブ画素
２２第２サブ画素
２３第３サブ画素
１０１アレイ基板
１０２画素定義層
１０３第４電極
２１１第１電極
２１２第１発光層
２２１第２電極
２２２第２発光層
２３１第３電極
２３２第３発光層

【図1】