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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2025-01-10
(45)【発行日】2025-01-21
(54)【発明の名称】フィルム特性を最適化するための磁気充填剤の配向
(51)【国際特許分類】
H05K 9/00 20060101AFI20250114BHJP
C08K 3/08 20060101ALI20250114BHJP
C08L 23/06 20060101ALI20250114BHJP
C08L 101/00 20060101ALI20250114BHJP
H01F 1/26 20060101ALI20250114BHJP
H01F 27/36 20060101ALI20250114BHJP
【ＦＩ】
H05K9/00 H
C08K3/08
C08L23/06
C08L101/00
H01F1/26
H01F27/36 101
H05K9/00 W
【請求項の数】
14
(21)【出願番号】P 2021567910
(86)(22)【出願日】2020-05-08
(65)【公表番号】
(43)【公表日】2022-07-14
(86)【国際出願番号】 IB2020054388
(87)【国際公開番号】W WO2020229975
(87)【国際公開日】2020-11-19
【審査請求日】2023-04-25
(31)【優先権主張番号】62/848,245
(32)【優先日】2019-05-15
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(73)【特許権者】
【識別番号】505005049
【氏名又は名称】スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー
(74)【代理人】
【識別番号】100130339
【弁理士】
【氏名又は名称】藤井 憲
(74)【代理人】
【識別番号】100110803
【弁理士】
【氏名又は名称】赤澤 太朗
(74)【代理人】
【識別番号】100135909
【弁理士】
【氏名又は名称】野村 和歌子
(74)【代理人】
【識別番号】100133042
【弁理士】
【氏名又は名称】佃 誠玄
(74)【代理人】
【識別番号】100171701
【弁理士】
【氏名又は名称】浅村 敬一
(72)【発明者】
【氏名】グラフ，ミカエル エス．
(72)【発明者】
【氏名】デヘン，デレク ジェイ．
(72)【発明者】
【氏名】ハインズ，ポール ティー．
(72)【発明者】
【氏名】ブルッゾーン，チャールズ エル．
(72)【発明者】
【氏名】アチャリャ，ブファラット アール．
(72)【発明者】
【氏名】ジェスメ，ロナルド ディー．
(72)【発明者】
【氏名】コペッキー，ウィリアム ジェイ．
(72)【発明者】
【氏名】ソコル，ジェニファー ジェイ．
(72)【発明者】
【氏名】マヌイロブ，セルゲイ エー．
【審査官】太田 義典
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１３－２５３１２２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００３－２２９６９４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００２－２１７５８６（ＪＰ，Ａ）
【文献】韓国公開特許第１０－２０１７－０１３１９３０（ＫＲ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１８／１１６１２７（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２０１７－０２７７３０（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０５Ｋ ９／００
Ｃ０８Ｋ ３／０８
Ｃ０８Ｌ ２３／０６
Ｃ０８Ｌ １０１／００
Ｈ０１Ｆ １／２６
Ｈ０１Ｆ ２７／３６
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
対向する第１及び第２の主面と、それらの間に分散された複数の粒子と、を含む、磁気遮蔽フィルムであって、各粒子は、磁気透過性、前記粒子の厚さ方向に沿った厚さＨ、前記厚さ方向に直交する前記粒子の長さ方向に沿った最長寸法Ｌ、２以上のＬ／Ｈを有し、前記粒子は、それらの間に複数の空隙を画定し、前記粒子の少なくとも６０％の前記長さ方向は、同じ配向方向の５．５度以内に配向されており、
前記第１及び第２の主面のうちの少なくとも１つに実質的に直交する垂直方向における前記磁気遮蔽フィルムの断面において、前記磁気遮蔽フィルムは、複数対の垂直に隣接する粒子を含み、複数の実質的に平行な細長ポリマー要素は、前記対の垂直に隣接する粒子のそれぞれにおいて前記粒子を接続する、磁気遮蔽フィルム。
【請求項2】
前記複数の空隙のうちの前記空隙の少なくとも一部が、相互接続されている、請求項１に記載の磁気遮蔽フィルム。
【請求項3】
前記対の垂直に隣接する粒子のそれぞれにおいて前記粒子を接続する前記実質的に平行な細長ポリマー要素が、前記垂直方向に沿って実質的に配向されている、請求項１に記載の磁気遮蔽フィルム。
【請求項4】
前記細長ポリマー要素が、ポリエチレンを含む、請求項１に記載の磁気遮蔽フィルム。
【請求項5】
前記粒子が、ロッド状である、請求項１に記載の磁気遮蔽フィルム。
【請求項6】
前記粒子が、鉄、ケイ素、アルミニウム、クロム、ニッケル、銅、コバルト、及びモリブデンのうちの１つ以上を含む、請求項１に記載の磁気遮蔽フィルム。
【請求項7】
前記粒子が、その最外面に磁性コーティングを含む、請求項１に記載の磁気遮蔽フィルム。
【請求項8】
前記コーティングされていない粒子が、磁気透過性を有さない、請求項７に記載の磁気遮蔽フィルム。
【請求項9】
約１ＭＨｚの周波数でμ’２／μ’１≧１００である、前記フィルムのそれぞれ厚さ方向及び面内方向に沿った相対透磁率μ’１及びμ’２の実数部を有する、請求項１に記載の磁気遮蔽フィルム。
【請求項10】
前記粒子が、約０．５ミクロン～約５ミクロンの範囲の平均厚さ、及び約２０ミクロン～約２００ミクロンの範囲の平均最長寸法を有する、請求項１に記載の磁気遮蔽フィルム。
【請求項11】
前記磁気遮蔽フィルムの厚さ方向に沿って、少なくとも０．１５Ｗ／（ｍ・Ｋ）、又は０．２Ｗ／（ｍ・Ｋ）、又は０．２５Ｗ／（ｍ・Ｋ）の平均熱伝導率を有する、請求項９に記載の磁気遮蔽フィルム。
【請求項12】
前記磁気遮蔽フィルムの面内方向に沿って、少なくとも５Ｗ／（ｍ・Ｋ）、又は７Ｗ／（ｍ・Ｋ）、又は９Ｗ／（ｍ・Ｋ）、又は１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）、又は１０．６Ｗ／（ｍ・Ｋ）の平均熱伝導率を有する、請求項９に記載の磁気遮蔽フィルム。
【請求項13】
前記第１及び第２の主面との間に配設された樹脂を更に含み、前記複数の粒子は、前記樹脂中に分散し、前記樹脂は、約１０４ｇ／ｍｏｌを超える数平均分子量を有する、請求項１に記載の磁気遮蔽フィルム。
【請求項14】
前記複数の粒子中の前記粒子が、前記第１及び第２の主面との間に、約５０％を超える体積容量で分散される、請求項１に記載の磁気遮蔽フィルム。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【0001】
本明細書のいくつかの態様において、対向する第１及び第２の主面と、それらの間に分散された複数の粒子と、を含む、磁気遮蔽フィルムであって、各粒子が、磁気透過性、厚さ方向に沿った厚さＨ、粒子の厚さ方向に直交する粒子の長さ方向に沿った最長寸法Ｌ、２以上のＬ／Ｈを有し、粒子が、それらの間に複数の空隙を画定し、粒子の少なくとも６０％の長さ方向が、同じ配向方向の５．５度以内に配向されている、磁気遮蔽フィルムを提供する。
【技術分野】
【0002】
本明細書のいくつかの態様において、約１０４ｇ／モルを超える数平均分子量を有する樹脂と、約５０％、又は５５％、又は６０％、又は６５％を超える体積容量でその中に分散された複数の異方性形状の粒子と、を含む、磁気遮蔽フィルムであって、約１ＭＨｚの周波数で、フィルムが、約６０００ガウスよりも大きい磁気飽和と、μ’１≦５及びμ’２≧１５０である、フィルムのそれぞれの厚さ方向及び面内方向に沿った相対透磁率μ’１及びμ’２の実数部と、を有する、磁気遮蔽フィルムを提供する。
【0003】
本明細書のいくつかの態様において、第１の周波数帯域の電磁波に含まれるエネルギーを実質的に減衰させるように構成されたプレートと、第１の周波数帯域内のデバイス内に配置されたバッテリを無線充電するための、プレート上に配置された受信アンテナと、プレートと受信アンテナとの間に配置された磁気遮蔽フィルムと、を含む、電子デバイスを提供する。磁気遮蔽フィルム（magnetic shield film）は、約５０％を超える体積容量で樹脂中に分散された複数の異方性形状の粒子を含み得、粒子は、実質的に同じ方向に沿って配向され、それらの間に複数の空隙を画定し、これにより、デバイスが、第１の周波数帯域の電力Ｐｔｘを受信アンテナに送信する送信アンテナに隣接して配置されると、受信アンテナが、送信アンテナから電力Ｐｒｘを受信し、Ｐｒｘの増加により、少なくとも１％のＰｒｘ／Ｐｔｘの初期減少をもたらした後、Ｐｒｘが更に増加すると、Ｐｒｘ／Ｐｔｘの減少は約５％未満であるため、Ｐｒｘは少なくとも２倍に増加する。
【0004】
本明細書のいくつかの態様において、樹脂と、約５０％を超える体積容量で樹脂中に分散された複数の異方性形状の粒子と、を含む、磁気遮蔽フィルムであって、樹脂が、粒子を相互接続する複数の繊維状の概ね平行なポリマー要素を含み、これにより、約１ＭＨｚの周波数で、磁気遮蔽フィルムの面内方向に沿った磁気遮蔽フィルムの相対透磁率の実数部が、量（４２０．０－０．０４Ｍ）を超え、Ｍが、ガウス単位の磁気遮蔽フィルムの磁気飽和である、磁気遮蔽フィルムを提供する。
【0005】
本明細書のいくつかの態様において、樹脂と、約５０％を超える体積容量で樹脂中に分散された複数の異方性形状の粒子と、を含む、磁気遮蔽フィルムであって、樹脂が、粒子を相互接続する複数の繊維状の概ね平行なポリマー要素を含み、これにより、約１ＭＨｚの周波数で、磁気遮蔽フィルムの面内方向に沿った磁気遮蔽フィルムの相対透磁率の実数部が、約１３０を超え、磁気遮蔽フィルムの磁気飽和が、約６，０００ガウスを超える、磁気遮蔽フィルムを提供する。
【0006】
本明細書のいくつかの態様において、ポリマー材料と、その中に分散された複数の粒子と、を含む、磁気遮蔽フィルムであって、粒子が、磁気透過性を有し、ポリマー材料が、磁気遮蔽フィルムの厚さ方向に沿って概ね配向され、複数の粒子を相互接続する複数の実質的に平行な繊維状の要素を含む、磁気遮蔽フィルムを提供する。
【0007】
本明細書のいくつかの態様において、磁気遮蔽フィルムを製造する方法であって、約１０４ｇ／ｍｏｌを超える数平均分子量を有するポリマー、ポリマーと混和性の希釈剤、及び磁気透過性を有する複数の異方性形状の粒子を提供することと、ポリマー、希釈剤、及び複数の異方性形状の粒子を混合して、混和性溶液を形成することと、混和性溶液の層を形成することと、磁場を層に適用して、実質的に同じ配向方向に沿って粒子を配向することと、磁場が層に適用され、粒子が実質的に配向方向に沿って配向されている間に、希釈剤からのポリマーの相分離を誘導することと、希釈剤の少なくとも一部分を除去して、磁気遮蔽フィルムを形成することと、を含み、粒子の少なくとも６０％が、配向方向の５度以内に配向される、方法を提供する。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】先行技術によるフィルム形成及び高密度化プロセスのプロセスフロー図である。
【図2A】本明細書の一実施形態による、フィルム形成及び高密度化プロセスのための主要な加工要素を説明する。
【図2B】本明細書の一実施形態による、フィルム形成プロセスで使用される磁石アセンブリの拡大図である。
【図3A】本明細書の一実施形態による、フィルム形成及び高密度化プロセスで使用するための粒子形状の例を提供する。
【図3B】本明細書の一実施形態による、フィルム形成及び高密度化プロセスで使用するための粒子形状の例を提供する。
【図3C】本明細書の一実施形態による、フィルム形成及び高密度化プロセスで使用するための粒子形状の例を提供する。
【図3D】本明細書の一実施形態による、フィルム形成及び高密度化プロセスで使用するための粒子形状の例を提供する。
【図4】本明細書の一実施形態による、磁気遮蔽フィルムを示す。
【図5A】典型的な先行技術のフィルムと比較した、本明細書の一実施形態による、磁気アライメント及び超音波高密度化を使用したフィルム形成プロセスによって作製されたフィルムを比較する情報を提供する。
【図5B】典型的な先行技術のフィルムと比較した、本明細書の一実施形態による、磁気アライメント及び超音波高密度化を使用したフィルム形成プロセスによって作製されたフィルムを比較する情報を提供する。
【図5C】典型的な先行技術のフィルムと比較した、本明細書の一実施形態による、磁気アライメント及び超音波高密度化を使用したフィルム形成プロセスによって作製されたフィルムを比較する情報を提供する。
【図6A】典型的な先行技術のフィルムと比較した、本明細書の一実施形態による、超音波高密度化を使用したフィルム形成プロセスによって作製されたフィルムを比較する情報を提供する。
【図6B】典型的な先行技術のフィルムと比較した、本明細書の一実施形態による、超音波高密度化を使用したフィルム形成プロセスによって作製されたフィルムを比較する情報を提供する。
【図6C】典型的な先行技術のフィルムと比較した、本明細書の一実施形態による、超音波高密度化を使用したフィルム形成プロセスによって作製されたフィルムを比較する情報を提供する。
【図7A】典型的な先行技術のフィルムと比較した、本明細書の一実施形態による、カレンダー加工を使用したフィルム形成プロセスによって作製されたフィルムを比較する情報を提供する。
【図7B】典型的な先行技術のフィルムと比較した、本明細書の一実施形態による、カレンダー加工を使用したフィルム形成プロセスによって作製されたフィルムを比較する情報を提供する。
【図7C】典型的な先行技術のフィルムと比較した、本明細書の一実施形態による、カレンダー加工を使用したフィルム形成プロセスによって作製されたフィルムを比較する情報を提供する。
【図8A】典型的な先行技術のフィルムと比較した、本明細書の一実施形態による、磁気アライメントを使用し、超音波高密度化を使用しないフィルム形成プロセスによって作製されたフィルムを比較する情報を提供する。
【図8B】典型的な先行技術のフィルムと比較した、本明細書の一実施形態による、磁気アライメントを使用し、超音波高密度化を使用しないフィルム形成プロセスによって作製されたフィルムを比較する情報を提供する。
【図8C】典型的な先行技術のフィルムと比較した、本明細書の一実施形態による、磁気アライメントを使用し、超音波高密度化を使用しないフィルム形成プロセスによって作製されたフィルムを比較する情報を提供する。
【図9】本明細書の一実施形態による、磁気遮蔽フィルムに対する相対透磁率対磁気飽和誘導値をプロットするグラフである。
【図10】本明細書の一実施形態による、磁気遮蔽フィルムに対する無線電力伝達効率対受信電力値をプロットするグラフである。
【図11】本明細書の一実施形態による、磁気遮蔽フィルムを使用する電子デバイスの斜視図である。
【図12】本明細書の一実施形態による、磁気遮蔽フィルムの製造方法のフロー図である。
【図13】本明細書の一実施形態による、４つの例示的な磁気遮蔽フィルムの実験的性能を示す表である。
【図14】本明細書の一実施形態による、例示的な磁気遮蔽フィルムの磁気透過性に対する様々な設計パラメータの効果を示すパレート図である。
【図15】本明細書の一実施形態による、例示的な磁気遮蔽フィルムの磁気透過性に対する様々な設計パラメータの効果を示すキューブプロットである。
【図16】本明細書の一実施形態による、例示的な磁気遮蔽フィルムの磁気透過性に対する様々な設計パラメータの効果を示すプロットである。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下の説明では、本明細書の一部を形成し様々な実施形態が例示として示されている添付図面が参照される。図面は、必ずしも比率の縮尺ではない。他の実施形態が想到され、本明細書の範囲又は趣旨から逸脱することなく実施されてもよい点を理解されたい。したがって、以下の発明を実施するための形態は、限定的な意味では解釈されない。
【0010】
磁気遮蔽フィルムは、好適な樹脂によって一緒に結合された磁気フレーク形状又はロッド状充填材粒子を有する、高充填複合材料から形成されてもよい。最良の結果を得るには、このような複合体は、次の特性を備えている必要がある：（１）磁気飽和誘導を最大化するためのフレーク形状又は細長い充填材粒子の大量の割合（６０体積％を超える）、及び（２）磁気透過性を最大化し、機械的に敏感な充填材粒子への損傷を制限しながら高い充填密度を促進するために、フィルム面と同一平面上にある高度な粒子配向。これは、より効果的な遮蔽及びより高い電力伝達効率につながる。加えて、理想的には複合体は、良好な機械的一体性を提供するのに十分な結合剤体積分率を有する、最小の空隙体積分率を有するべきである。高飽和誘導は、最終用途のアプリケーションでの無線充電速度の高速化につながる。
【0011】
この複合体を実現するには、克服しなければならないいくつかの固有の課題がある。例えば、固体の容量が高い混合物は、高粘度を有する傾向があり、処理が困難であり得る。加えて、フレーク粒子の容量が高い混合物を配向させることは、固体粒子の立体的相互作用のために困難である。最後に、任意の手段を介して、所望の構造が作り出されると、その構造体は次いで、適所に「ロック」されなければならない。
【0012】
従来技術は、フレークが十分な移動性を有する比較的流動的な状態でフレークのフィルム形成及び配向を実行することによって、これらの課題に対処しようと試みてきた。例えば、これは、溶媒及び／又は低分子量反応性樹脂で希釈することにより流体混合物を生成することと、フィルムを形成することと、磁場をフィルムに適用して、磁気フレークを内部に配向させる（配向構造を生成する）のを助けることと、溶媒を蒸発させる、及び／又は樹脂マトリックスを硬化させることにより、構造を所定の位置にロックすることと、によって達成され得る。
【0013】
しかしながら、これらの先行技術のアプローチは、対処されなければならないいくつかの欠陥を有する。例えば、溶媒の蒸発及び硬化は、比較的緩やかな（遅い）プロセスであり、その間、秩序付けられたシステムは、通常の機械的取り扱い及び振動によって不規則になる。また、フィルムが一時的な状態にある間に磁場を継続的に適用すると、配向の秩序を維持するのに役立つ可能性があるが、半液体材料の物理的移動、又は比較的液化したポリマー／希釈剤からの磁気フレークの分離によって、望ましくないフィルム変形を引き起こす可能性もある。
【0014】
これらの課題に対処し、克服する磁気遮蔽フィルムを作製する新しい方法が提示される。本方法は、配向磁場を比較的短時間、磁気遮蔽フィルムに適用し、次いで、一次相転移を使用して秩序付けられた構造を所定の位置に迅速にロックすることによって、これらの課題に対処する。いくつかの実施形態において、一次相転移は、単一のポリマー／希釈剤ゲル相から二相系への熱誘起相分離（すなわち、ＴＩＰＳ）である。ＴＩＰＳプロセスでは、ポリマーは数秒で強力な分離相を形成し、分離相は、細長い磁性粒子を連続希釈相内のネットワーク構造に結合するミクロフィブリル構造を有する。いくつかの実施形態において、希釈剤は揮発性が低く、高度に秩序化されたフレーク配列を乱すことなく、フィルム形成後のある時点で行われるインライン又はオフライン工程のいずれかですぐに抽出することができる。いくつかの実施形態において、希釈剤が抽出されると、空隙体積は高密度化工程によって除去され得る。本明細書に記載の方法は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる米国特許第１０，２８７，４１３号に記載されているフィルム形成及び高密度化プロセスに基づいており、改善を提供している。このプロセスは、通常、熱誘起相分離（ＴＩＰＳ）プロセスと組み合わせて高い充填材充填を伴う一連のプロセスとして最もよく説明される。
【0015】
図１は、前述のようなフィルム形成及び高密度化プロセスに典型的な一連のプロセスの概要を提供する。プロセス工程Ａでは、粒子１０、希釈剤（溶媒）１２、及び結合剤ポリマー１４は、室温で、分散体中で混合される。典型的なフィルム形成プロセスで使用される粒子１０の例は、典型的には、音響活性粒子、軟磁性粒子、熱伝導性粒子、断熱性粒子、発泡性粒子（intumescent particle）、機能性粒子、誘電体粒子、インジケータ粒子、極性溶媒可溶性粒子、極性溶媒膨潤性粒子、又は吸熱粒子が挙げられる。しかしながら、明らかな理由により、本明細書に記載の新しいフィルム及び方法は、細長い磁性粒子を使用するであろう。プロセス工程Ｂにおいて、粒子１０、結合剤ポリマー１４、及び希釈剤１２は、高温で能動的に混合されて、ポリマー１４及び希釈剤１２を溶解する。いくつかの実施形態において、次いで、混合物をホットプレスすること（例えば、実験室規模で）、又は加熱されたダイを通して押し出すこと（例えば、大規模又は製造規模で）のいずれかによって、ブレンドを所望の形状因子に成形することができる。
【0016】
次いで、高温のフィルムは、プロセス工程Ｃで相分離が起こるより低い温度に急冷される。相分離を誘導した後、溶媒の少なくとも一部分は、プロセス工程Ｄでポリマー複合体から除去され、それにより、熱可塑性ポリマー、ネットワーク構造、及び熱可塑性ポリマー、ネットワーク構造内に分布した粒子状材料を有するポリマー複合体シートを形成する。いくつかの実施形態において、溶媒は、蒸発によって除去することができ、蒸気圧の高い溶媒は、この除去方法に特に適している。
【0017】
相分離を誘導し、希釈剤１２の少なくとも一部分を除去した後、形成された熱可塑性ポリマーネットワーク構造は、いくつかの実施形態において、ポリマー複合体を高密度化するために、引き伸ばされる（プロセス工程Ｅ）及び／又は圧縮される（プロセス工程Ｆ）場合がある。これは、圧縮力及び引張力のうちの少なくとも１つをポリマー複合体に適用することによって達成することができる。いくつかの実施形態において、ポリマー複合体の製造方法は、溶媒を除去する工程の後に、圧縮力及び引張力のうちの少なくとも１つを適用し、これにより、ポリマー複合体シートを高密度化すること、を更に含む。圧縮力及び引張力のうちの少なくとも１つは、当該技術分野において既知の技術によって適用され得る。例えば、圧縮力は、ポリマー複合体、例えば、ポリマー複合体シートを、ポリマー複合体の厚さよりも小さい間隙を有する一対のニップロールのニップに通すことによって、例えば、カレンダー加工することによって、達成することができる。
【0018】
本明細書のいくつかの態様によれば、上記の相転移工程中の磁気遮蔽フィルムの形成中に磁場が適用され、次いで、このように生成された秩序化された構造は、フィルムを冷却することによって所定の位置に急速にロックされ、磁気遮蔽フィルムを作製する。いくつかの実施形態において、磁気遮蔽フィルムは、対向する第１及び第２の主面と、それらの間に分散された複数の粒子と、を含み、各粒子は、磁気透過性（すなわち、磁場の発生をサポートする磁性材料の能力）を有する。いくつかの実施形態において、各粒子は、粒子の厚さ方向に沿って厚さＨを有し得、比Ｌ／Ｈが２以上であるように、厚さ方向に直交する粒子の長さ方向に沿って最長寸法Ｌを有し得る。いくつかの実施形態において、磁気遮蔽フィルム内の粒子の少なくとも６０％の長さ方向は、同じ配向方向から５．５度以内、又は５度以内、又は４．５度以内、又は４度以内に配向する（すなわち、実質的に同じ方向に整列する）。
【0019】
いくつかの実施形態において、配向方向は、第１及び第２の主面に実質的に平行であり得る。いくつかの実施形態において、粒子は、それらの間に複数の空隙を画定する。いくつかの実施形態において、複数の空隙のうちの空隙の少なくとも一部は、相互接続されてもよい。
【0020】
いくつかの実施形態において、磁気遮蔽フィルムは、第１及び第２の主面との間に配置された樹脂を更に含み得、ここで、複数の粒子が、樹脂中に分散されている。いくつかの実施形態において、樹脂は、約１０４ｇ／ｍｏｌを超える数平均分子量を有し得る。いくつかの実施形態において、樹脂の数平均分子量は、約１０７ｇ／ｍｏｌ未満であり得る。
【0021】
磁気遮蔽フィルムのいくつかの実施形態において、第１及び第２の主面のうちの少なくとも１つに実質的に直交する垂直方向に取られた磁気遮蔽フィルムの断面において、磁気遮蔽フィルムが、複数対の垂直に隣接する粒子を含み得、複数の実質的に平行な細長ポリマー要素が、対の垂直に隣接する粒子のそれぞれにおいて粒子を接続する。いくつかの実施形態において、実質的に平行な細長ポリマー要素は、熱可塑性フィブリルであり得、これは、隣接する粒子に直接付着し、結合剤として作用し得る。いくつかの実施形態において、隣接する粒子を接続する実質的に平行な細長ポリマー要素は、垂直方向に沿って実質的に配向されている（すなわち、粒子の配向方向に実質的に直交するか、又は第１及び第２の主面に実質的に直交する）。いくつかの実施形態において、細長ポリマー要素は、ポリエチレンを含んでもよい。
【0022】
いくつかの実施形態において、磁気遮蔽フィルムは、約１ＭＨｚの周波数での比μ’２／μ’１が１００以上であるように、フィルムのそれぞれの厚さ方向及び面内方向に沿った相対透磁率μ’１及びμ’２の実数部を有し得る。いくつかの実施形態において、約１ＭＨｚでの磁気遮蔽フィルムのμ’１は、約５以下であってもよい。
【0023】
いくつかの実施形態において、粒子は、約５０パーセントを超える体積容量で、磁気遮蔽フィルムの第１及び第２の主面との間に分散され得る。いくつかの実施形態において、粒子には、フレークが含まれ得る（すなわち、薄くて平らな材料のビットのように、粒子の長さ及び幅よりも実質的に薄い厚さを有する）。いくつかの実施形態において、粒子は、約０．５ミクロン～約５ミクロンの範囲の平均厚さ、及び約２０ミクロン～約２００ミクロンの範囲の平均最長寸法を有し得る。いくつかの実施形態において、粒子は、実質的にロッド状であり得る。いくつかの実施形態において、粒子は、実質的にディスク状であり得る。いくつかの実施形態において、粒子は、回転楕円体型であり得る。いくつかの実施形態において、粒子は、より低い熱伝導性の内側部分と、より高い熱伝導性の外側部分と、を有し得る。いくつかの実施形態において、粒子は、それらの最外面上に熱伝導性コーティングを有し得る。
【0024】
いくつかの実施形態において、粒子は、強磁性材料であり得る。いくつかの実施形態において、粒子は、以下の材料のうちの１つ以上を含み得るが、これらに限定されない：鉄、ケイ素、アルミニウム、クロム、ニッケル、銅、コバルト、及びモリブデン。いくつかの実施形態において、粒子は、磁性コーティングを含んでもよく、コーティングされていない粒子は、それ自体が磁気透過性を有してもよく、又は有さなくてもよい。いくつかの実施形態において、粒子は、熱伝導性であり得る。いくつかの実施形態において、磁気遮蔽フィルムは、磁気遮蔽フィルムの厚さ方向に沿って、少なくとも０．１５Ｗ／（ｍ・Ｋ）、又は少なくとも０．２Ｗ／（ｍ・Ｋ）、又は少なくとも０．２５Ｗ／（ｍ・Ｋ）の平均熱伝導率を有し得る。いくつかの実施形態において、磁気遮蔽フィルムは、磁気遮蔽フィルムの面内方向に沿って、少なくとも５Ｗ／（ｍ・Ｋ）、又は少なくとも７Ｗ／（ｍ・Ｋ）、又は少なくとも９Ｗ／（ｍ・Ｋ）、又は少なくとも１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）、又は少なくとも１０．６Ｗ／（ｍ・Ｋ）の平均熱伝導率を有し得る。
【0025】
本明細書のいくつかの態様によれば、磁気遮蔽フィルムは、樹脂を含み得、樹脂は、約１０４ｇ／ｍｏｌを超える数平均分子量、及び約１ＭＨｚの周波数で、その中に高体積容量（例えば、約５０％、又は５５％、又は６０％、又は６５％を超える）で分散された複数の異方性形状の粒子（例えば、粒子の第１の寸法が第２の寸法よりも著しく大きくなるように細長い）を有する。いくつかの実施形態において、磁気遮蔽フィルムは、約６０００ガウスを超える磁気飽和（すなわち、適用された外部磁場の増加がもはやフィルムの磁化の増加を引き起こさない状態）、及びμ’１が約５以下であり、μ’２が約１５０以上であるように、フィルムのそれぞれの厚さ方向及び面内方向に沿った相対透磁率μ’１及びμ’２の実数部を有し得る。いくつかの実施形態において、樹脂は、粒子を相互接続する複数の繊維状の概ね平行なポリマー要素（例えば、熱可塑性フィブリル）を含み得る。
【0026】
磁気遮蔽フィルムのいくつかの実施形態において、異方性形状の粒子の少なくとも一部は、磁場に応答して磁気モーメント（すなわち、粒子の磁気強度及び配向、又は磁場と位置合わせする粒子の傾向の尺度を定義する）を発生するように構成される。いくつかの実施形態において、異方性形状の粒子の少なくとも一部は、永久磁気モーメントを含み得る。いくつかの実施形態において、異方性形状の粒子の少なくとも一部は、磁気的に導電性であり、電気絶縁性である。
【0027】
いくつかの実施形態において、樹脂は、熱可塑性ポリマーのネットワーク構造へと形成される熱可塑性ポリマーであり得る。熱可塑性ポリマーは、特に限定されない。いくつかの実施形態において、熱可塑性ポリマーとしては、ポリウレタン、ポリエステル（例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート及びポリ乳酸）、ポリアミド（例えば、ナイロン６、ナイロン６，６及びポリペプチド）、ポリエーテル（ポリエチレンオキシド及びポリプロピレンオキシド）、ポリカーボネート（ビスフェノール－Ａ－ポリカーボネート）、ポリイミド、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリアクリレート（例えば、アクリレート官能基を含有するモノマーの付加重合から形成される熱可塑性ポリマー）、ポリメタクリレート（例えば、メタクリレート官能基を含有するモノマーの付加重合から形成される熱可塑性ポリマー）、ポリオレフィン（ポリエチレン及びポリプロピレン）、スチレン及びスチレン系ランダムコポリマー及びブロックコポリマー、塩素化ポリマー（ポリ塩化ビニル）、フッ素化ポリマー（ポリフッ化ビニリデン；テトラフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン及びフッ化ビニリデンのポリマー；エチレン、テトラフルオロエチレン、及びヘキサフルオロプロピレンのコポリマー；並びにポリテトラフルオロエチレン）、並びにエチレン及びクロロトリフルオロエチレンのコポリマーのうちの少なくとも１つが挙げられるが、これらに限定されない。いくつかの実施形態において、熱可塑性ポリマーは、ホモポリマー及びコポリマー（例えば、ブロックコポリマー又はランダムコポリマー）のうちの少なくとも１つであってよい。いくつかの実施形態において、熱可塑性ポリマーは、２種以上の熱可塑性ポリマーの混合物（例えば、ポリエチレンとポリプロピレンとの混合物又はポリエチレンとポリアクリレートとの混合物）である。いくつかの実施形態において、ポリマーは、ポリエチレン（例えば、超高分子量ポリエチレン）、ポリプロピレン（例えば、超高分子量ポリプロピレン）、ポリ乳酸、ポリ（エチレン－ｃｏ－クロロトリフルオロエチレン）、及びポリフッ化ビニリデンのうちの少なくとも１つであってよい。いくつかの実施形態において、熱可塑性ポリマーは、単一の熱可塑性ポリマーであり、すなわち、２種以上の熱可塑性ポリマーの混合物ではない。
【0028】
熱可塑性ポリマーの分子量は、溶媒から相分離することができ、ネットワーク構造の形成をもたらすのに十分な分子量を有する必要があることを除き、特に限定されない。一般に、熱可塑性ポリマーの数平均分子量は、１０４ｇ／ｍｏｌより高いことを必要とし得る。超高分子量を有する熱可塑性ポリマーが特に有用であり得る。いくつかの実施形態において、超高分子量とは、少なくとも３×１０６ｇ／モルの数平均分子量を有する熱可塑性ポリマーと定義される。数平均分子量は、限定するものではないが、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）を含む、当該技術分野において既知の技術によって測定することができる。ＧＰＣは、熱可塑性ポリマーに対しての良溶媒中、分子量分布の狭いポリマー標準、例えば、分子量分布の狭いポリスチレン標準の使用を伴って、実施することができる。熱可塑性ポリマーは、概ね、部分的に結晶質であることを特徴とし、融点を示す。いくつかの実施形態において、熱可塑性ポリマーは、１２０℃～３５０℃の間、１２０℃～３００℃の間、１２０℃～２５０℃の間又は更には１２０℃～２００℃の間に融点を有し得る。熱可塑性ポリマーの融点は、当該技術分野において既知の技術によって測定することができ、これには、５ｍｇ～１０ｍｇの試料を用いて、試料が窒素雰囲気下にある間、１０℃／分の加熱走査速度で実施される示差走査熱量測定（ＤＳＣ）試験にてオンセット温度を測定することが挙げられるが、これらに限定されない。
【0029】
いくつかの実施形態において、熱可塑性ポリマーは、熱可塑性ポリマーと適切な溶媒とを混合して混和性熱可塑性ポリマー溶媒溶液を形成することと、続いて、熱可塑性ポリマーを溶媒から相分離することと、次いで溶媒の少なくとも一部分を除去することと、を含む、プロセスを介して、熱可塑性ポリマーのネットワーク構造に形成され得る。このプロセスは、典型的には、相分離の前に、粒子材料を混和性ポリマー溶媒溶液に添加することによって実施される。いくつかの実施形態において、粒子材料は、強磁性粒子であり得る。熱可塑性ポリマーのネットワーク構造は、このプロセスの相分離工程中に形成され得る。いくつかの実施形態において、熱可塑性ポリマーのネットワーク構造は、混和性熱可塑性ポリマー溶媒溶液の誘起相分離によって製造される。熱可塑性ポリマーのネットワーク構造は、本質的に多孔性（すなわち、孔）である。孔は連続的であってもよく、これにより、熱可塑性ポリマーのネットワーク構造の内側領域から熱可塑性ポリマーのネットワーク構造の表面への流体連通、及び／又は熱可塑性ポリマーのネットワーク構造の第１の表面と熱可塑性ポリマーのネットワーク構造の反対側の第２の表面との間の流体連通が可能になる。
【0030】
熱可塑性ポリマーのネットワーク構造の孔径は、特に限定されない。いくつかの実施形態において、孔径は、マイクロメートル尺度（すなわち、約１マイクロメートル～１０００マイクロメートル）のものである。いくつかの実施形態において、孔径は、ナノメートル尺度（すなわち、約１０ナノメートル～１０００ナノメートル）のものである。いくつかの実施形態において、熱可塑性ポリマーのネットワーク構造の平均孔径又はメジアン孔径Ｐ、は、１０ナノメートル～１０００マイクロメートル、１０ナノメートル～５００マイクロメートル、１０ナノメートル～２５０マイクロメートル、１０ナノメートル～１００マイクロメートル、１０ナノメートル～５０マイクロメートル、１０ナノメートル～２５マイクロメートル、１００ナノメートル～１０００マイクロメートル、５０ナノメートル～１０００マイクロメートル、５０ナノメートル～５００マイクロメートル、５０ナノメートル～２５０マイクロメートル、５０ナノメートル～１００マイクロメートル、５０ナノメートル～５０マイクロメートル、５０ナノメートル～２５マイクロメートル、１００ナノメートル～１０００マイクロメートル、１００ナノメートル～５００マイクロメートル、１００ナノメートル～２５０マイクロメートル、１００ナノメートル～１００マイクロメートル、１００ナノメートル～５０マイクロメートル、１００ナノメートル～２５マイクロメートル、２５０ナノメートル～１０００マイクロメートル、２５０ナノメートル～５００マイクロメートル、２５０ナノメートル～２５０マイクロメートル、２５０ナノメートル～１００マイクロメートル、２５０ナノメートル～５０マイクロメートル又は更には２５０ナノメートル～２５マイクロメートルである。断面の撮像（例えば、光学顕微鏡、走査型電子顕微鏡又は原子間力顕微鏡）及び適切なソフトウェアを使用した画像解析を含む、従来の孔径分析技術を使用して、孔径及び孔径分布を統計的に分析することができる。また、Ｘ線マイクロトモグラフィ及び水銀ポロシメトリ－、バブルポイント及びキャピラリーフローポロシメトリーを使用して、孔径及び／又は孔径分布を分析することができる。熱可塑性ポリマーのネットワーク構造の孔の連続的性質は熱可塑性ポリマーのネットワーク構造からの溶媒の除去を促進し得る。本開示において、「熱可塑性ポリマーのネットワーク構造」という用語は、熱可塑性ポリマーのネットワーク構造の孔の少なくとも一部分が液体及び固体を含まない（例えば、空気などの１つ以上の気体を含有する）ことを本質的に意味する。いくつかの実施形態において、熱可塑性ポリマーのネットワーク構造の孔の１０体積パーセント～１００体積パーセント、３０体積パーセント～１００体積パーセント、５０体積パーセント～１００体積パーセント、６０体積パーセント～１００体積パーセント、７０体積パーセント～１００体積パーセント、８０体積パーセント～１００体積パーセント、９０体積パーセント～１００体積パーセント、９５体積パーセント～１００体積パーセント、又は更には９８体積パーセント～１００体積パーセントは、液体及び固体を含まない（例えば、空気などの１つ以上の気体を含有する）。
【0031】
混和性熱可塑性ポリマー溶媒溶液を形成するために、溶媒は、熱可塑性ポリマーを溶解することが必要とされる。したがって、特定の熱可塑性ポリマーに対する溶媒は、この要件に基づいて選択される。熱可塑性ポリマー溶媒混合物は、熱可塑性ポリマーの溶媒中への溶解を促進するために加熱してもよい。熱可塑性ポリマーを溶媒から相分離した後、溶媒の蒸発、又は蒸気圧の低い第２の溶媒による溶媒の抽出と、それに続く第２の溶媒の蒸発と、を含む、当該技術分野において既知の技術を使用して、溶媒の少なくとも一部分を熱可塑性ポリマーのネットワーク構造から除去する。いくつかの実施形態において、少なくとも１０重量パーセント～１００重量パーセント、少なくとも３０重量パーセント～１００重量パーセント、少なくとも５０重量パーセント～１００重量パーセント、少なくとも６０重量パーセント～１００重量パーセント、少なくとも７０重量パーセント～１００重量パーセント、少なくとも８０重量パーセント～１００重量パーセント、少なくとも９０重量パーセント～１００重量パーセント、少なくとも９５重量パーセント～１００重量パーセント又は更には少なくとも９８重量パーセント～１００重量パーセントの溶媒及び第２の溶媒（使用される場合）が、熱可塑性ポリマーのネットワーク構造から除去される。
【0032】
本明細書のいくつかの態様によれば、電子デバイス（例えば、無線充電システム）は、第１の周波数帯域の電磁波に含まれるエネルギーを実質的に減衰させるように構成されたプレートと、第１の周波数帯域内のデバイス内に配置されたバッテリを無線充電するための、プレート上に配置された受信アンテナと、プレートと受信アンテナとの間に配置された磁気遮蔽フィルムと、を含み得る。いくつかの実施形態において、プレートは、エネルギーを吸収することによって電磁波に含有されるエネルギーを減衰させることができる。いくつかの実施形態において、磁気遮蔽フィルムフィルムは、磁気シールドフィルムは、約５０％を超える体積容量で樹脂中に分散された複数の異方性形状の粒子（例えば、フレーク状若しくはロッド状の粒子、又は第１の方向に直交する第２の方向よりも第１の方向に長い粒子）を含み得る。いくつかの実施形態において、粒子は、実質的に同じ方向に沿って配向されてもよく、それらの間に複数の空隙を画定してもよい。いくつかの実施形態において、空隙の少なくとも一部は、相互接続されてもよい。
【0033】
いくつかの実施形態において、デバイスが、第１の周波数帯域の電力Ｐｔｘを受信アンテナに送信する送信アンテナに隣接して配置されると、受信アンテナが、送信アンテナから電力Ｐｒｘを受信し、Ｐｒｘの増加により、少なくとも１％のＰｒｘ／Ｐｔｘの初期減少をもたらした後、Ｐｒｘが更に増加すると、Ｐｒｘ／Ｐｔｘの減少は約５％未満であり得、Ｐｒｘは少なくとも２倍に増加する。いくつかの実施形態において、少なくとも１％のＰｒｘ／Ｐｔｘが初期減少をもたらすＰｒｘの増加の場合、Ｐｒｘは、少なくとも５ワットの初期値から増加する。本明細書の目的のために、句「第１の周波数帯域」は、電力を用いて無線で送信することができる任意の適切な周波数帯域を表すことを意図しており、限定することを意味するものではない。
【0034】
本明細書のいくつかの態様によれば、樹脂と、約５０％を超える体積容量で樹脂中に分散された複数の異方性形状の粒子と、を含む、磁気遮蔽フィルムを提供する。いくつかの実施形態において、樹脂は、粒子を相互接続する複数の繊維状の概ね平行なポリマー要素を含み得、これにより、約１ＭＨｚの周波数で、磁気遮蔽フィルムの面内方向に沿った磁気遮蔽フィルムの相対透磁率の実数部が、量（４２０．０－０．０４Ｍ）を超え、Ｍが、ガウス単位の磁気遮蔽フィルムの磁気飽和である。いくつかの実施形態において、粒子は、約１０超、約５０超、又は約１００超の磁気透過性を有する。いくつかの実施形態において、繊維状の概ね平行なポリマー要素は、熱可塑性フィブリルであり得、これは、分散した粒子に直接付着し、結合剤として作用し得る。
【0035】
本明細書のいくつかの態様によれば、樹脂と、約５０％を超える体積容量で樹脂中に分散された複数の異方性形状の粒子と、を含む、磁気遮蔽フィルムを提供する。いくつかの実施形態において、樹脂は、粒子を相互接続する複数の繊維状の概ね平行なポリマー要素を含み得、これにより、約１ＭＨｚの周波数で、磁気遮蔽フィルムの面内方向に沿った磁気遮蔽フィルムの相対透磁率の実数部が、約１３０を超え、磁気遮蔽フィルムの磁気飽和が、約６，０００ガウスを超える。
【0036】
本明細書のいくつかの態様によれば、ポリマー材料と、その中に分散された複数の粒子と、を含む、磁気遮蔽フィルムを提供し、粒子は、磁気透過性を有する。いくつかの実施形態において、ポリマー材料は、磁気遮蔽フィルムの厚さ方向に沿って概ね配向され、複数の粒子を相互接続する複数の実質的に平行な繊維状の要素（例えば、フィブリル）を含み得る。
【0037】
本明細書のいくつかの態様によれば、磁気遮蔽フィルムを製造する方法であって、約１０４ｇ／ｍｏｌ、又は約１０５ｇ／ｍｏｌ、又は約１０６ｇ／ｍｏｌを超える数平均分子量を有するポリマー、ポリマーと混和性の希釈剤、及び磁気透過性を有する複数の異方性形状の粒子を提供することと、ポリマー、希釈剤、及び複数の異方性形状の粒子を混合して、混和性溶液を形成することと、混和性溶液の層を形成することと、磁場を層に適用して、実質的に同じ配向方向に沿って粒子を配向することと、磁場が層に適用され、粒子が実質的に配向方向に沿って配向されている間に、希釈剤からのポリマーの相分離を誘導することと、希釈剤の少なくとも一部分を除去して、磁気遮蔽フィルムを形成することと、を含み、粒子の少なくとも６０％が、配向方向の５度以内に配向される、方法を提供する。
【0038】
いくつかの実施形態において、希釈剤の少なくとも一部分を除去する工程は、中間磁気遮蔽フィルムをもたらし、本方法は、中間磁気遮蔽フィルム内の粒子の体積容量を増加させて、磁気遮蔽フィルムを形成する工程を更に含む。いくつかの実施形態において、体積容量は、ポリマーに振動エネルギー及び圧縮力を与えることによって増加される。いくつかの実施形態において、振動エネルギーは、超音波エネルギーである。いくつかの実施形態において、中間磁気遮蔽フィルム内の粒子の少なくとも５０％は、配向方向の５～２０度以内に配向される。実施形態のいくつかにおいて、中間磁気遮蔽フィルム内の粒子の少なくとも６０％は、配向方向の５～２０度以内に配向される。いくつかの実施形態において、中間磁気遮蔽フィルム内の粒子の少なくとも５０％は、配向方向の５～１５度以内に配向される。
【0039】
図に戻ると、図２Ａは、図１に概説されるフィルム形成プロセス上に構築される、磁気アライメントを使用したフィルム形成及び高密度化プロセスのための主要な処理要素を説明する。いくつかの実施形態において、１つ以上の材料押出機５０を使用して原材料を混合する。いくつかの実施形態において、原材料は、少なくとも約１０４ｇ／ｍｏｌの平均分子量を有するポリマー、ポリマーと混和性の希釈剤（例えば、溶媒）、及び磁気透過性を有する複数の異方性形状の粒子を含み得る。本明細書で使用するとき、「混和性」とは、溶液を形成する全ての割合で（すなわち、任意の濃度で互いに完全に溶解する）物質の混合能を指す。いくつかの溶媒ポリマー系では、ポリマーが溶媒と混和性であるために熱が必要とされ得る。対照的に、かなりの割合で溶液を形成しない場合、物質は非混和性である。例えば、ブタノンは水に著しく可溶であるが、これらの２種の溶媒は、全ての割合で可溶ではないため、混和性ではない。場合によっては、成分は、より高い温度ではポリマーのための溶媒であるが、より低い温度ではポリマーのための溶媒ではない。高温では、ポリマー及び成分は、混和性ポリマー溶媒溶液を形成する。温度が低下すると、成分は、もはやポリマーのための溶媒ではなく、ポリマーは、次いで、成分から相分離して、ポリマーネットワークを形成し得る。相転移が温度の変化によって誘導される場合、相分離は、熱誘導相分離（ＴＩＰＳ）プロセスと呼ばれることがある。
【0040】
いくつかの実施形態において、２つの押出機５０が使用され得る。例えば、原材料は、第１の押出機５０内で混合されてもよく、次いで、第２の押出機内で更なる混合が行われて、最終希釈剤濃度を達成する。いくつかの実施形態において、２つの押出機５０の代わりに、十分な混合を可能にする単一のより大きな押出機５０が使用されてもよい。いくつかの実施形態において、任意の適切な数の押出機が使用され得る。
【0041】
いくつかの実施形態において、押出機５０で混和性溶液が形成された後、溶液は、押出ダイ５２に通過し、そこでスリットを通って平坦化された形態に押し出されてから、キャスティングドラム５６を通過し、そこで急冷されてフィルムにキャストされる。いくつかの実施形態において、キャスティングドラム５６を通過する前に、平坦化された溶液は、磁性部品５４によって生成された磁場の間を通過し、成形フィルム内に含有される異方性形状の粒子は、実質的に同じ配向方向に沿って配向される（すなわち、整列される）。すなわち、粒子は同じ方向に整列するように磁場によって引っ張られる。いくつかの実施形態において、その同じ方向は、フィルムに実質的に平行であり得る（すなわち、フィルムがシステムを通過するときのフィルムの進行方向と整列する）。いくつかの実施形態において、同じ方向は、フィルムに実質的に直交し得る。いくつかの実施形態において、整列の方向（すなわち、同じ方向）は、任意の適切な方向にすることができる。いくつかの実施形態において、溶液は、以下のプロセス工程を通して溶液を運ぶキャリアフィルム（例えば、ポリエチレンテレフタレート、又はＰＥＴのライナー）５５上に供給され得る。
【0042】
磁場がまだ適用されている間に、フィルムがキャスティングドラム５６を通過するときに相分離が誘導され、ポリマーを希釈剤から分離し、整列した粒子を所定の位置にロックする。いくつかの実施形態において、フィルムが固化した後、インライン油抽出プロセス５８で希釈剤を抽出することができる。いくつかの実施形態において、希釈剤は、別のオフラインシステムで抽出できる。いくつかの実施形態において、希釈剤がフィルムから抽出された後、フィルムは高密度化され得る（図示せず）。いくつかの実施形態において、高密度化は、振動エネルギー（例えば、超音波エネルギー）を使用して行われる。フィルムの高密度化は、フィルムの磁気飽和誘導特性を増加させる場合がある。
【0043】
図２Ｂは、図２Ａに示すフィルム形成実施形態で使用される磁石アセンブリの拡大図である。磁石アセンブリは、図２Ａの向きとは異なる向きで図２Ｂに示されていることに留意されたい。磁性部品５４は、Ｕ字型のスキッドプレート５７で装着される。スキッドプレート５７及び磁性部品５４の位置（標識された距離Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、及びＥ）は、所望の磁場強度、配向、及び位置を生成して、フィルム内の粒子を適切に整列させるように計算される。フィルムは、下部スキッドプレート５７（図２Ｂの左側に示されている）上に置かれ、したがって、このスキッドプレート５７の位置は、その表面上を通過するフィルムが、生成された磁場内の最適な位置にあるように決定される（例えば、上部及び下部の磁性部品５４からほぼ等距離にある）。
【0044】
いくつかの実施形態において、磁性部品５４は、永久磁石であり得る。いくつかの実施形態において、磁性部品５４は、電磁石であり得る。いくつかの実施形態において、北向きの北極構造（すなわち、図２Ａに示されるように、上部磁石のＮ極は、下部磁石のＮ極に面している）を使用して、下部スキッドプレート５７の位置に実質的に平面の磁場を生成することができる。他の実施形態において、南向きの南極構造が使用され得る。
【0045】
本明細書のフィルム形成プロセスの実施形態で使用される粒子は、異方性形状であり得る。すなわち、それらは、少なくとも１つの寸法でより長く、その後、それらは少なくとも１つの他の寸法にある。これにより、磁気モーメントを示す粒子を磁場の存在下で整列させることができる（すなわち、粒子の最長寸法を、適用された平面磁場と実質的に整列させることを可能にする）。図３Ａ～図３Ｄは、本明細書のフィルム形成及び高密度化プロセス実施形態で使用され得る粒子形状のいくつかの例を提供する。これらの実施例は、例示目的のためであり、限定することを意図するものではない。図３Ａは、平坦なフレーク形状を呈する粒子を示す。いくつかの実施形態において、フレーク形状の粒子は、フレークの平面が磁場に平行であるように、平面磁場に整列されてもよい。図３Ｂは、円筒形状又はロッド形状を呈する粒子を示す。図３Ｃは、ディスク状の粒子を示し、図３Ｄは、球状の粒子を示す。本明細書の後続の図に示される画像は、図３Ａに示されるものと同様のフレーク形状の粒子を使用する。しかしながら、同様の効果を有する任意の適切な異方性形状の粒子を使用してもよい。
【0046】
図４は、本明細書のフィルム形成方法の一実施形態から作製された磁気遮蔽フィルムの断面画像を提供する。いくつかの実施形態において、磁気遮蔽フィルムは、磁気透過性を呈する（すなわち、磁場を支持することができる）多数の異方性形状の粒子６０（例えば、フレーク）を含んでもよく、多数の空隙６２によって分離されてもよい。いくつかの実施形態において、垂直に隣接する粒子６０の対は、実質的に平行な細長ポリマー要素（すなわち、ポリマーのフィブリル）６４によって互いに接続されてもよい。いくつかの実施形態において、細長ポリマー要素６４は、実質的に垂直に配向されてもよい（すなわち、粒子６０の配向方向に実質的に直交する）。各粒子６０（図４の例示的な粒子６０ａなど）は、粒子の厚さ方向に沿った厚さＨと、厚さ方向に直交する粒子の長さ方向に沿った最長寸法Ｌと、を有する。いくつかの実施形態において、Ｌ／Ｈの比は、約２以上、又は約４以上、又は約６以上であってもよい。いくつかの実施形態において、粒子の少なくとも６０％又は少なくとも７０％又は少なくとも８０％の長さ方向は、同じ配向方向の５．５度以内に配向され得る（例えば、磁気遮蔽フィルムの長さ方向に実質的に平行に整列される）。
【0047】
図５Ａ～図８Ｃは、従来技術において市販のフィルムを用いて本明細書に記載される磁気フィルム形成プロセスの様々な実施形態によって作製されたフィルムを比較する情報を提供する。図５Ａ～図８Ｃのフィルムの各画像では、明るい色の線は粒子（例えば、磁気ダスト／フレーク）又は接続するポリマー要素を表し、暗い領域は粒子間の空隙を表す（これには、ポリマー樹脂などの結合剤が含まれる場合がある）。
【0048】
図５Ａ～図５Ｃは、従来技術の市販の磁気フィルムに対する、磁気アライメント及び超音波高密度化を使用した、本明細書の磁気フィルム形成プロセスの実施形態を用いて作製されたフィルムを比較する。図５Ａは、先行技術のフィルム７０ａの画像を示し、図５Ｂは、本明細書の一実施形態によるプロセスを使用して作製されたフィルム７０ｂの画像を示す。具体的には、図５Ｂは、超音波高密度化と組み合わせて磁気アライメントプロセスを使用して作製されたフィルムを示す。図５Ａの従来技術のフィルム７０ａは、本明細書のプロセスの一実施形態を使用して作製された図５Ｂのフィルム７０ｂよりもアライメントの程度はるかに小さく（フィルムと整列していない角度でより多くの明るい色の線）及び空隙（隣接する粒子間のより暗い領域）がより大きいことが分かる。図５Ｃは、従来技術のフィルム７２に対する、磁気的に整列され、超音波により高密度化されたフィルム７４の配向分布関数の比較を示す。この例示的なグラフから、本明細書に記載のプロセスによって作製されたフィルム７４は、従来技術のフィルム７２よりもはるかにタイトで高い分布グラフ（すなわち、粒子の割合が高いほど、より密接に整列する）を有することが分かる。
【0049】
図６Ａ～図６Ｃは、磁気アライメント及び超音波高密度化を使用する磁気フィルム形成プロセスの実施形態を使用して作製されたフィルム（フィルム８０ｂ）を、実質的に同じフィルム形成プロセスによって作製されたが磁気アライメントなしのフィルム（フィルム８０ａ）と比較する。図６Ａは、磁気アライメントが使用されなかったフィルム８０ａの画像を示し、図６Ｂは、磁気アライメントを使用するプロセスを使用して作製されたフィルム８０ｂの画像を示す。フィルム８０ａ及び８０ｂの両方は、超音波高密度化を受けた。画像は、フィルム８０ａ（磁気的に整列されていない）は、フィルム８０ｂ（磁気的に整列されている）よりもアライメントの程度が小さく、空隙がより大きいことを示した。図６Ｃは、磁気的に整列され高密度化されたフィルム８４と磁気的に整列されず高密度化されたフィルム８２との配向分布関数の比較を提示する。この例示的なグラフから、磁気アライメントを使用して作製されたフィルム８４は、磁気アライメントを使用せずに作製されたフィルム８２よりもはるかにタイトで高い分布グラフ（すなわち、粒子の割合が高いほど、より密接に整列する）を有することが分かる。
【0050】
図７Ａ～図７Ｃは、磁気アライメント及びカレンダー加工化を使用する磁気フィルム形成プロセスの実施形態を使用して作製されたフィルム（フィルム７０ｂ）を、実質的に同じフィルム形成プロセスによって作製されたが磁気アライメントなしのフィルム（フィルム７０ａ）と比較する。図７Ａ及び図７Ｂの画像を作製するために使用されるプロセスは、超音波高密度化の代わりに両方のフィルムを高密度化するためにカレンダー加工プロセスが使用されたことを除いて、図６Ａ及び図６Ｂの画像を作製するために使用されるプロセスと同様である。図７Ａは、磁気アライメントが使用されなかったフィルム９０ａの画像を示し、図７Ｂは、磁気アライメントを使用するプロセスを使用して作製されたフィルム９０ｂの画像を示す。フィルム９０ａ及び９０ｂの両方は、カレンダー加工によって高密度化された。画像は、フィルム９０ａ（磁気的に整列されていない）は、フィルム９０ｂ（磁気的に整列されている）よりもアライメントの程度が小さく、空隙がより大きいことを示した。図７Ｃは、磁気的に整列されず高密度化されたフィルム９２に対して、磁気的に整列され高密度化されたフィルム９４の配向分布関数の比較を示す。この例示的なグラフから、磁気アライメントを使用して作製されたフィルム９４は、磁気アライメントを使用せずに作製されたフィルム９２よりもはるかにタイトで高い分布グラフ（すなわち、粒子の割合が高いほど、より密接に整列する）を有することが分かる。
【0051】
最後に、図８Ａ～図８Ｃは、磁気アライメントを使用し、高密度化工程を使用しない磁気フィルム形成プロセスの実施形態を使用して作製されたフィルム（フィルム１１０ｂ）を、実質的に同じフィルム形成プロセスによって作製されたが磁気アライメントなしのフィルム（フィルム１１０ａ）と比較する。図８Ａは、磁気アライメントが使用されなかったフィルム１１０ａの画像を示し、図８Ｂは、磁気アライメントを使用するプロセスを使用して作製されたフィルム１１０ｂの画像を示す。フィルム１１０ａ及び１１０ｂのいずれも高密度化を受けなかった。画像は、フィルム１１０ａ（磁気的に整列されていない）は、フィルム１１０ｂ（磁気的に整列されている）よりもアライメントの程度が小さく、空隙がより大きいことを示した。図８Ｃは、磁気的に整列されず高密度化されなかったフィルム１１２に対して、磁気的に整列され高密度化されなかったフィルム１１４の配向分布関数の比較を示す。この例示的なグラフから、磁気アライメントを使用して作製されたフィルム１１４は、磁気アライメントを使用せずに作製されたフィルム１１２よりもはるかにタイトで高い分布グラフ（すなわち、粒子の割合が高いほど、より密接に整列する）を有することが分かる。
【0052】
図９は、本明細書の一実施形態による、磁気遮蔽フィルムに関する相対透磁率対磁気飽和誘導値をプロットするグラフである。グラフでは、いくつかの従来技術の比較遮蔽フィルム１２０の測定値が、本明細書の１つ以上の実施形態による方法を使用して作製された磁気遮蔽フィルム１２６の測定値に対してプロットされている。本明細書に記載の方法を使用して作製された従来技術のフィルム結果１２０とフィルム１２６との間の差をより明確に描写するために、２つの境界線がグラフ上に提供されている。第１の境界１２２は、式（４２０．０－０．０４Ｍ）によって定義され、ここで、Ｍは、ガウス単位の磁気遮蔽フィルムの磁気飽和値を定義する変数である。境界１２２は、従来技術のフィルム１２０の値を、本方法によって作製されたフィルム１２６の値から明確に分割する。すなわち、約１ＭＨｚの周波数で測定した場合、磁気遮蔽フィルムの面内方向に沿った磁気遮蔽フィルム１２６の相対透磁率の実数部は、（４２０．０－０．０４Ｍ）よりも大きくなる。
【0053】
第２の境界１２４は、約１ＭＨｚで測定された相対透磁率が約１３０以上であり、磁気飽和誘導値が約６０００ガウス以上である、グラフの右上隅の領域を画定する。従来技術のフィルム１２０について測定された値は、境界領域の外側にのみ現れる。本明細書の方法を使用して作製された磁気遮蔽フィルム１２６は、境界１２４によって境界が定められた領域内にのみ存在する。すなわち、磁気遮蔽フィルム１２６は、約６０００ガウスを超える磁気飽和を呈することが示されており、フィルムのそれぞれの厚さ方向及び面内方向に沿った相対透磁率の実数部μ’１及びμ’２を有し、μ’１は約５以下であり、μ’２は約１５０以上、又は約１４０以上、又は約１３０以上である。
【0054】
図１０は、本明細書の一実施形態による、磁気遮蔽フィルムに関する無線電力伝達効率対受信電力値をプロットするグラフである。本明細書の方法の実施形態を使用して作製されたフィルム１３５に対する、いくつかの従来技術の比較フィルム１３０について値がプロットされている。Ｙ軸（グラフの左垂直縁部に沿った）は、フィルムについて測定された電力伝達効率値を表す。電力伝達効率は、比率Ｐｒｘ／Ｐｔｘに基づき、ここで、Ｐｔｘは、無線充電システムの送信アンテナによって送信される電力を表し、Ｐｒｘは、受信アンテナによって受信される電力（すなわち、実際に伝達される電力）を表す。図１０のグラフは、特にＰｒｘのより高い値において、従来技術の比較フィルム１３０に対する、本明細書のフィルム１３５の受信電力Ｐｒｘの各レベルでの優れた性能（より高い電力伝達効率値）を示す。示されているように、Ｐｒｘの増加により、少なくとも１％の電力伝達効率（Ｐｒｘ／Ｐｔｘ）の初期減少をもたらした後、Ｐｒｘ／Ｐｔｘの値は、Ｐｒｘが少なくとも２倍に増加するようにＰｒｘが更に増加すると、本明細書のフィルム１３５において約５％未満減少する場合がある。
【0055】
図１１は、本明細書の一実施形態による、磁気遮蔽フィルムを使用する電子デバイスの斜視図である。電子デバイス２００（例えば、無線充電システムを備えたスマートフォン）は、送信デバイス３００によって送信される電磁波３０５に含まれるエネルギーを実質的に減衰させる（例えば、エネルギーを吸収する、又はエネルギーを逆磁場で打ち消す）ことができる導電性プレート１６０を含み得、それにより、受信アンテナ１６４によって受信される電力の量を低減する。例えば、いくつかの実施形態において、導電性プレート１６０は、バッテリの金属部品などの電子デバイス２００内の金属要素を表し得る。電磁波３０５は、導電性プレート１６０に渦電流を誘導させることができ、それらの渦電流は、導電性プレート１６０内にそれら自身の磁場を生成することができ、それは、送信デバイス３００から伝達される電力の量をキャンセルし、少なくとも部分的に減少させることができる。
【0056】
いくつかの実施形態において、電子デバイス２００は、他の機能の中でもとりわけ、バッテリの充電に使用するために受信エネルギー（すなわち、受信電力）を調整することができる受信電子機器１６８を含むことができる。いくつかの実施形態において、電子デバイス２００はまた、磁気遮蔽フィルム１６２、本明細書の一実施形態に従って作製されたフィルム１６２（すなわち、実質的に整列された異方性形状の粒子を含有するか又は含む遮蔽フィルム）を含み得る。いくつかの実施形態において、送信デバイス３００（例えば、無線充電パッド）は、送信アンテナ３００ａ及び送信機電子機器３００ｂを含み得る。いくつかの実施形態において、磁気遮蔽フィルムの存在１６２は、電磁波３０５（すなわち、磁場）を受信アンテナ１６４に向けて集束させ、波３０５が導電性プレート１６０に到達するのを防ぎ（導電性プレート１６０における渦電流の誘導を防止する）、電力伝達効率を高める。図１１に示すように、本明細書の実施形態に従って作製された磁気遮蔽フィルムは、より高い電力伝達効率を提供し、充電時間を短縮することが示されている。
【0057】
最後に、図１２は、本明細書の一実施形態による、磁気遮蔽フィルムの製造方法のフロー図である。工程１４０で、本明細書に記載のポリマー、ポリマーと混和性の希釈剤（すなわち、溶媒）、及び磁気透過性を有する複数の異方性形状の粒子（例えば、図３Ａ～図３Ｄの粒子）が組み合わされる。工程１４２で、ポリマー、希釈剤、及び粒子が組み合わされて混和性溶液を形成し、工程１４４で混和性溶液から層が形成される（例えば、混和性溶液が押出ダイを通して押し出されてフィルム層を作製する）。工程１４６で、実質的に同じ配向方向に沿って粒子を配向する（すなわち、整列させる）ために、磁場が層に適用される（すなわち、粒子の磁気モーメントにより、粒子は、最長寸法が適用された磁場と整列するように配向される）。工程１４８で、磁場がまだ層に適用されている間に、希釈剤からのポリマーの相分離が誘導され、粒子がまだ整列している間に、粒子を所定の位置に「ロック」する。工程１５０で、希釈剤の少なくとも一部が抽出されて、最終磁気遮蔽フィルムを形成する。
【0058】
いくつかの実施形態において、希釈剤の抽出後又は抽出と同時に、追加の高密度化工程（図示せず）を適用することができる。この高密度化は、カレンダー加工又はフィルムへの超音波エネルギーの導入を含む、様々な方法で行うことができる。高密度化は、磁気遮蔽フィルム内の粒子の体積容量を更に増加させる手段として使用することができる。
【実施例】
【0059】
一般的な押出プロセス：磁性複合体の連続ロールは、図２Ａに示される装置を使用して調製された。押出機＃１は、２７ｍｍの共回転ツインスクリューであった（Ｗｅｒｎｅｒ Ｐｆｌｅｉｄｅｒｅｒ（Ｄｕｓｓｅｌｄｏｒｆ，Ｇｅｒｍａｎｙ）から商品名「ＺＳＫ－２５」で入手）。押出機＃１は、次の温度プロファイルで、２００ｒｐｍで動作した：ゾーン１ ９３℃、ゾーン２ １０４℃、ゾーン３～６ １９３℃、ゾーン７及び８ ２１０℃、ゾーン９ ２２１℃。超高分子量ポリエチレン（ＵＨＭＷ－ＰＥ）を供給漏斗に供給した。鉱油は加熱されたゾーン２に注入され、粒子はゾーン４にサイドスタッフィングされた。溶融物は、加熱されたチューブを介して、２５ｍｍの共回転二軸スクリュー、押出機＃２に運ばれた（Ｂｅｒｓｔｏｒｆｆ（Ｍｕｎｉｃｈ，Ｇｅｒｍａｎｙ）から商品名「ＺＥ２５ｘ４８Ｄ」で入手）。押出機＃２は、次の温度プロファイルで、２２５ｒｐｍで動作した：ゾーン１～１２ １７７℃。鉱油は加熱されたゾーン４に注入された。ポリマー、粒子、及び鉱油の重量分析による供給速度を表１に示し、これは、図１３に示す目標重量パーセント比と一致する。溶融組成物を均一に混合し、続いて１７７℃に維持された２インチ幅のスロットフィルムダイにポンプで送り、熱安定化された３ミルのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）ライナーにキャストし、次いで、図２Ｂの磁気アセンブリを介して運ばれ、その後、３７℃のホイール温度に維持されたキャスティングホイールで、１．５２ｍ／分の速度で急冷された。
【0060】
【表1】
【0061】
最初のサンプルフィルムがフィルム内の粒子の磁気アライメントによる磁気透過性の増加を証明した後、透過性といくつかの要因との間の実験的関係を決定するために、新しい一連の計画実験が実行された。これらの要因には、溶媒充填率、フィルム内の粒子の重量パーセント、及び適用された平面磁場内でのフィルムの配置が含まれた（少なくとも、フィルムが磁石間を移動するときにフィルムが置かれる下部スキッドプレートの位置に基づく）。実験では、使用した溶媒は鉱油であり、フィルム内の粒子はセンダストＳＰ－８５粉末（フレーク状）であり、ポリマー樹脂は超高分子量ポリエチレン（ＵＨＭＷ－ＰＥ）ＧＵＲ（登録商標）２１２６であった。表２は、本明細書で参照されている主要な材料特性及び使用されている測定方法を示す。
【0062】
【表2】
【0063】
実行された一連の実験では、各設計ポイントの総供給量は一定に保たれた。目的は、ダイのせん断に関連する効果からの配合による複雑な効果を最小限に抑えるために、同様のダイ出口速度（実際のライン速度は毎分４．７～５．５フィートの範囲であった）を有する同様の厚さのフィルムを製造することであった。この試験の結果を、図１３～図１６にまとめる。
【0064】
実験計画（ＤＯＥ）変数：
１．油充填
２．粒子（センダスト）対ポリマー比
３．下側（底部）磁気スキッドプレート位置
１．油充填
２．粒子（センダスト）対ポリマー比
３．下側（底部）磁気スキッドプレート位置
【0065】
実験のために、４枚のサンプルフィルムを作製し、測定した。図１３は、各ＤＯＥ変数に使用される値、及び４つの磁気遮蔽フィルムの例の測定された性能を要約した表である。例は、追加のプロセスの詳細を提供し、配合が磁場に応答する材料の能力にどのように影響するかを示した。フレーク（粒子）の配向を促進する配合は、その方向における増加した粒子のアラインメントを通じて平面内でより高い透過性を示す。特に断りのない限り、これらの例は、押出し及び超音波高密度化工程で同じプロセス条件を有した。
【0066】
４つの例の最も重要な配合の違いは次のとおりである。
・例１、２、及び４は磁気的に整列された。例３は磁気アライメントがなかった。
・例１及び２は、油含有量が最も高く、透過性が高い。例１と例２との主な違いは、スキッドプレートの設定である。例１のフィルムは、磁石の幾何学的中心に近づいた（すなわち、平面磁場の中心に近づいた）。例２よりわずかに高い透過性を有する。
・例３の油含有量は中程度で、磁気アライメントはない。透過性の値は低くなるが、例４ほど低くはない。
・例４は、磁気的に整列しているにもかかわらず、油含有量が最も低く、透過性が最も低い。例４のより低い透過性は、せん断流における立体相互作用など、フレークのアラインメントに影響を与える他の要因の影響によって引き起こされているようであり、これも濃度依存性を有する場合がある。
・例１、２、及び４は磁気的に整列された。例３は磁気アライメントがなかった。
・例１及び２は、油含有量が最も高く、透過性が高い。例１と例２との主な違いは、スキッドプレートの設定である。例１のフィルムは、磁石の幾何学的中心に近づいた（すなわち、平面磁場の中心に近づいた）。例２よりわずかに高い透過性を有する。
・例３の油含有量は中程度で、磁気アライメントはない。透過性の値は低くなるが、例４ほど低くはない。
・例４は、磁気的に整列しているにもかかわらず、油含有量が最も低く、透過性が最も低い。例４のより低い透過性は、せん断流における立体相互作用など、フレークのアラインメントに影響を与える他の要因の影響によって引き起こされているようであり、これも濃度依存性を有する場合がある。
【0067】
図１４～図１６は、４つの実験の結果の要約を示す。図１４は、例示的な磁気遮蔽フィルムの磁気透過性に対する様々な設計パラメータの効果を示すパレート図である。横棒で示されている応答は、１ＭＨｚで測定された磁気透過性である。３つの変数（Ａ－センダスト重量％、Ｂ－油充填率、Ｃ－スキッドプレート位置）の実際的な目的の範囲内で、油充填がはるかに重要な要因であった。より高い油充填はより高い透過性と関連しており、それはより良いフレークアラインメントと相関するであろう。
【0068】
図１５は、例示的な磁気遮蔽フィルムの１ＭＨｚで測定された磁気透過性（Ｍｕ）に対する様々な設計パラメータの効果を示すキューブプロットである。立方体の幅（左から右）は、９３％～９６％までのセンダストの重量％の変化を表す。立方体の高さ（上から下）は、４３％充填から６０％充填までの鉱油の割合の変化を表す。立方体の深さ（立方体の前面から背面まで）は、－０．１５～０インチまでの下部スキッドプレートの位置を表し（磁石間を通過するフィルムのおおよその位置に対応）、ここで、０インチは２つの磁石間の幾何学的中心に対応する。キューブプロットは、３つの要因のどの組み合わせが最高の透過性の値につながるかを特定するのに役立つ。測定された透過性の値は、立方体の頂点、中心点、及び立方体の右上端にある１つの追加の点（透過性の値２２５．２でラベル付けされる）の近くにある長方形のボックス内の数値として表示される。
【0069】
図１６は、例示的な磁気遮蔽フィルムの磁気透過性に対する様々な設計パラメータの効果を示す、１２の設計点（完全実施要因計画、２３点＋４つの中心点）の適合平均のプロットである。図１６から、油充填が測定された磁気透過性に単一の最大効果を与えるのに対し、スキッドプレートの位置は最小効果を与えることがわかる。
【0070】
実施例フィルムの測定
以下の項は、本明細書及び特許請求の範囲に記載されるように、透過性、磁気モーメント、及び電力効率の測定が完了したかについて説明する。
以下の項は、本明細書及び特許請求の範囲に記載されるように、透過性、磁気モーメント、及び電力効率の測定が完了したかについて説明する。
【0071】
Ｉ．静的磁気特性：
磁気測定の前に、サンプルを６ｍｍのディスクに切り出した。レイクショア振動試料型磁力計（ＶＳＭ）７４００－Ｓを使用して、磁気ヒステリシスループ（Ｍ－Ｈ曲線）を記録した。磁場Ｈをサンプルの平面に適用した。磁場範囲をＨ＝±４ｋＯｅに設定し、飽和磁化４πＭｓを完全飽和（｜Ｈ｜＝４ｋＯｅ）で測定した。磁場Ｈは、０．１４Ｏｅの工程で測定し、保磁力場Ｈｃは、６つの点に基づいた線形フィッティングにより、４πＭ＝０の近傍で特定した。
磁気測定の前に、サンプルを６ｍｍのディスクに切り出した。レイクショア振動試料型磁力計（ＶＳＭ）７４００－Ｓを使用して、磁気ヒステリシスループ（Ｍ－Ｈ曲線）を記録した。磁場Ｈをサンプルの平面に適用した。磁場範囲をＨ＝±４ｋＯｅに設定し、飽和磁化４πＭｓを完全飽和（｜Ｈ｜＝４ｋＯｅ）で測定した。磁場Ｈは、０．１４Ｏｅの工程で測定し、保磁力場Ｈｃは、６つの点に基づいた線形フィッティングにより、４πＭ＝０の近傍で特定した。
【0072】
ＩＩ．動的磁気特性：
サンプルを外径１８ｍｍ及び内径６ｍｍのトロイドに切り出した。Ｋｅｙｓｉｇｈｔの磁性試験治具１６４５４Ａ及びインピーダンス測定器Ｅ４９９０Ａを使用して、比透磁率μｒの実数部を測定した。Ｋｅｙｓｉｇｈｔの１６４５４Ａ用マニュアルに従って、データを解析した。
サンプルを外径１８ｍｍ及び内径６ｍｍのトロイドに切り出した。Ｋｅｙｓｉｇｈｔの磁性試験治具１６４５４Ａ及びインピーダンス測定器Ｅ４９９０Ａを使用して、比透磁率μｒの実数部を測定した。Ｋｅｙｓｉｇｈｔの１６４５４Ａ用マニュアルに従って、データを解析した。
【0073】
ＩＩＩ．無線電力伝達試験：
ａ．試験回路
無線電力伝達性能は、本明細書に記載される回路を使用して試験される。信号発生器を使用して、１２８ｋＨｚで清浄な正弦波信号を提供した。この信号はＲＦ増幅器によって増幅され、ＴＸマッチング回路に送られた。マッチング回路の電圧及び電流プローブは、ＴＸ（送信）コイルＰｔｘによって受け入れられる電力を測定するために使用される。次いで、この電力の大部分は、ＲＸ（受信）コイル及びＲＸマッチング回路を介して負荷に転送される。負荷Ｐｒｘが受け取る電力は、別の電圧及び電流プローブのセットを使用して測定される。
ａ．試験回路
無線電力伝達性能は、本明細書に記載される回路を使用して試験される。信号発生器を使用して、１２８ｋＨｚで清浄な正弦波信号を提供した。この信号はＲＦ増幅器によって増幅され、ＴＸマッチング回路に送られた。マッチング回路の電圧及び電流プローブは、ＴＸ（送信）コイルＰｔｘによって受け入れられる電力を測定するために使用される。次いで、この電力の大部分は、ＲＸ（受信）コイル及びＲＸマッチング回路を介して負荷に転送される。負荷Ｐｒｘが受け取る電力は、別の電圧及び電流プローブのセットを使用して測定される。
【0074】
ｂ．部品の電気的仕様
・自立型ＴＸ及びＲＸコイルの自己共振は、１２８ｋＨｚの試験周波数の少なくとも２０倍である必要がある。
・自立型ＴＸコイルのＡＣ抵抗は≦０．１Ωである必要があり、インダクタンスは約６μＨである必要がある。
・磁気遮蔽材を使用しない自立型ＲＸコイルのＡＣ抵抗は≦０．３Ω以下である必要がある。
・ＴＸ及びＲＸの配線のＡＣ抵抗は２０ｍΩを超えてはならない。
・ＴＸ配線インダクタンスは、自立型コイルで測定されたインダクタンスの≦３％である必要があり、ＲＸ配線インダクタンスは≦２％である必要がある。自立型コイルは、コイルの片側にのみ磁性材料のシートがあり、コイルの外径の少なくとも３倍だけ任意の金属又は磁性要素から離れているコイルである。
・負荷のインピーダンスの実数部が７．４８Ω±０．０５Ωで、インピーダンスの虚数部が≦±０．０１Ωであるように、負荷を選択又は変更する必要がある。
・信号発生器、増幅器、オシロスコープ、並びに電流及び電圧プローブは、テスト周波数、電流及び電圧振幅について製造元が指定した定格内にある必要がある、又は独立した当事者によって認定されている必要がある。
・自立型ＴＸ及びＲＸコイルの自己共振は、１２８ｋＨｚの試験周波数の少なくとも２０倍である必要がある。
・自立型ＴＸコイルのＡＣ抵抗は≦０．１Ωである必要があり、インダクタンスは約６μＨである必要がある。
・磁気遮蔽材を使用しない自立型ＲＸコイルのＡＣ抵抗は≦０．３Ω以下である必要がある。
・ＴＸ及びＲＸの配線のＡＣ抵抗は２０ｍΩを超えてはならない。
・ＴＸ配線インダクタンスは、自立型コイルで測定されたインダクタンスの≦３％である必要があり、ＲＸ配線インダクタンスは≦２％である必要がある。自立型コイルは、コイルの片側にのみ磁性材料のシートがあり、コイルの外径の少なくとも３倍だけ任意の金属又は磁性要素から離れているコイルである。
・負荷のインピーダンスの実数部が７．４８Ω±０．０５Ωで、インピーダンスの虚数部が≦±０．０１Ωであるように、負荷を選択又は変更する必要がある。
・信号発生器、増幅器、オシロスコープ、並びに電流及び電圧プローブは、テスト周波数、電流及び電圧振幅について製造元が指定した定格内にある必要がある、又は独立した当事者によって認定されている必要がある。
【0075】
ｃ．Ｒｘマッチング回路を調整する
・ＲＸマッチング回路の容量は、テストの前に調整する必要がある。システムは事前に組み立てられている必要がある。ＴＸコイルをマッチング回路から切り離し、インピーダンスアナライザを負荷ではなくＲＸ側に接続する必要がある。インピーダンスアナライザは、製造元のマニュアルに従って、回路のＲＸ側への接続点で校正する必要がある。ＲＸコンデンサは、１２８ｋＨｚの試験周波数で直列ＬＣＲ共振条件（合計測定インピーダンス｜Ｚ｜の最小値）が得られるように選択する必要がある。試験周波数に正確に調整することは困難であるが、主要なガイダンスは、インピーダンスアナライザによって測定された位相がゼロから±５度以内であることである。
・様々な磁気遮蔽フィルムの試験に使用される様々なコンデンサによる電力効率の違いは、０．５％を超えてはならない。
・ＲＸマッチング回路の容量は、テストの前に調整する必要がある。システムは事前に組み立てられている必要がある。ＴＸコイルをマッチング回路から切り離し、インピーダンスアナライザを負荷ではなくＲＸ側に接続する必要がある。インピーダンスアナライザは、製造元のマニュアルに従って、回路のＲＸ側への接続点で校正する必要がある。ＲＸコンデンサは、１２８ｋＨｚの試験周波数で直列ＬＣＲ共振条件（合計測定インピーダンス｜Ｚ｜の最小値）が得られるように選択する必要がある。試験周波数に正確に調整することは困難であるが、主要なガイダンスは、インピーダンスアナライザによって測定された位相がゼロから±５度以内であることである。
・様々な磁気遮蔽フィルムの試験に使用される様々なコンデンサによる電力効率の違いは、０．５％を超えてはならない。
【0076】
ｄ．試験信号
・試験信号の周波数は、１００Ｈｚ（すなわち、１２８ｋＨｚ±１００Ｈｚ）を予測して設定する必要がある。
・制御されていない加熱を最小限に抑えるために、試験信号は、９４μｓのパルス幅（電源オン段階）及び１０ミリ秒のパルス周期（電源オフ段階）でパルス変調することができる。この場合、全てのＴＸ及びＲＸ電力測定は、電源がオンの段階にあるときに約１６μ秒の測定ウィンドウ内で実行する必要がある。測定ウィンドウは、パワーパルスの立ち上がりエッジ及び立ち下がりエッジから少なくとも１６μ秒でなければならない。
・連続波信号を使用して測定を実行する場合は、システムコンポーネントを冷却して、ＴＸコイル要素の温度が≦３０℃になるようにする必要がある。ＴＸコイルは、通常、フェライト材料を使用しているため、高温になると性能が大幅に低下する場合がある。また、ＲＸチューニング回路のコンデンサは、温度がそれらの性能に与える影響が最小になるように選択する必要がある（すなわち、測定された電力効率の変化が≦０．５％になる）。
・試験信号の周波数は、１００Ｈｚ（すなわち、１２８ｋＨｚ±１００Ｈｚ）を予測して設定する必要がある。
・制御されていない加熱を最小限に抑えるために、試験信号は、９４μｓのパルス幅（電源オン段階）及び１０ミリ秒のパルス周期（電源オフ段階）でパルス変調することができる。この場合、全てのＴＸ及びＲＸ電力測定は、電源がオンの段階にあるときに約１６μ秒の測定ウィンドウ内で実行する必要がある。測定ウィンドウは、パワーパルスの立ち上がりエッジ及び立ち下がりエッジから少なくとも１６μ秒でなければならない。
・連続波信号を使用して測定を実行する場合は、システムコンポーネントを冷却して、ＴＸコイル要素の温度が≦３０℃になるようにする必要がある。ＴＸコイルは、通常、フェライト材料を使用しているため、高温になると性能が大幅に低下する場合がある。また、ＲＸチューニング回路のコンデンサは、温度がそれらの性能に与える影響が最小になるように選択する必要がある（すなわち、測定された電力効率の変化が≦０．５％になる）。
【0077】
ｅ．システムの線形性
試験対象の材料を使用したＲＸコイルを除くシステム性能は、試験対象のＲＸ電力範囲内の信号純度に最小限の影響を与える必要がある。ＲＸ及びＴＸプローブによって測定された試験信号の最高高調波は、メインの１２８ｋＨｚ信号の振幅（電流又は電圧）の少なくとも１０分の１である必要がある。これは、試験されたＲＸ電力範囲内で線形応答を有する適切なＲＸ及びＴＸコイル材料を選択することによって試験できる。
試験対象の材料を使用したＲＸコイルを除くシステム性能は、試験対象のＲＸ電力範囲内の信号純度に最小限の影響を与える必要がある。ＲＸ及びＴＸプローブによって測定された試験信号の最高高調波は、メインの１２８ｋＨｚ信号の振幅（電流又は電圧）の少なくとも１０分の１である必要がある。これは、試験されたＲＸ電力範囲内で線形応答を有する適切なＲＸ及びＴＸコイル材料を選択することによって試験できる。
【0078】
ｆ．電力測定
測定された電力は、
として定義され、ここで、Ｉｍ及びＶｍは電流と電圧の振幅であり、φＩＶは電流信号と電圧信号との位相差である。
測定された電力は、
【数1】
【0079】
システムの合計電流及び電圧測定精度は、≦１％、及び位相≦１度である必要がある。平均化は、電力分解能≦０．３％を達成するために使用する必要がある。
【0080】
ｇ．ＲＸ及びＴＸコイルの構造
・ＲＸ及びＴＸコイルは、絶縁電線で作製されたフラットコイルである必要がある。ＴＸの場合は２００μｍ以下の厚さの絶縁体であり、ＲＸコイルの場合は５０μｍ以下の厚さの絶縁体である。
・ＲＸ及びＴＸコイルは、円形である必要がある。
・ＴＸコイルの内径及び外径（ＯＤ）は、ＲＸコイルの内径及び外径の３０％以内である必要がある。
・ＴＸコイルには磁気遮蔽材を取り付ける必要がある。この材料は、後方の磁場を≧１０倍低減する必要がある。磁気遮蔽材料は、ＴＸコイルＯＤの約２０％の横方向寸法を有する平坦シートでなければならない。
・ＴＸコイル及びＲＸコイルは、Ｎ個の巻数を含む必要があり、３≦Ｎ≦１０である。
・ＲＸコイル磁気遮蔽シートは、ＲＸコイルＯＤの約２０％の横方向寸法を有しなければならない。磁気材料シートは、ＲＸ巻線上に直接存在するべきである。厚さｔ≧０．５ｍｍのアルミニウムプレートは、厚さ≦１０μｍの接着剤を介して磁気遮蔽シートに取り付けなければならない。アルミニウムプレートの横方向寸法は、磁気遮蔽シートのようなものでなければならない。最終アセンブリを以下に概略的に示す。
・ＲＸ及びＴＸコイル軸は、測定された電力効率が≦０．３％で変化しないように、横方向に整列する必要がある。
・ＲＸコイル及びＴＸコイルは、コイル軸に沿って１．６ｍｍ離す必要がある。
・ＲＸ及びＴＸコイルは、絶縁電線で作製されたフラットコイルである必要がある。ＴＸの場合は２００μｍ以下の厚さの絶縁体であり、ＲＸコイルの場合は５０μｍ以下の厚さの絶縁体である。
・ＲＸ及びＴＸコイルは、円形である必要がある。
・ＴＸコイルの内径及び外径（ＯＤ）は、ＲＸコイルの内径及び外径の３０％以内である必要がある。
・ＴＸコイルには磁気遮蔽材を取り付ける必要がある。この材料は、後方の磁場を≧１０倍低減する必要がある。磁気遮蔽材料は、ＴＸコイルＯＤの約２０％の横方向寸法を有する平坦シートでなければならない。
・ＴＸコイル及びＲＸコイルは、Ｎ個の巻数を含む必要があり、３≦Ｎ≦１０である。
・ＲＸコイル磁気遮蔽シートは、ＲＸコイルＯＤの約２０％の横方向寸法を有しなければならない。磁気材料シートは、ＲＸ巻線上に直接存在するべきである。厚さｔ≧０．５ｍｍのアルミニウムプレートは、厚さ≦１０μｍの接着剤を介して磁気遮蔽シートに取り付けなければならない。アルミニウムプレートの横方向寸法は、磁気遮蔽シートのようなものでなければならない。最終アセンブリを以下に概略的に示す。
・ＲＸ及びＴＸコイル軸は、測定された電力効率が≦０．３％で変化しないように、横方向に整列する必要がある。
・ＲＸコイル及びＴＸコイルは、コイル軸に沿って１．６ｍｍ離す必要がある。
【0081】
「約（about）」などの用語は、これらが本明細書に使用及び記載されている文脈において、当業者によって理解されよう。特徴部のサイズ、量、及び物理的特性を表す量に適用される「約」の使用が、これが本明細書に使用及び記載されている文脈において、当業者にとって明らかではない場合、「約」とは、特定の値の１０パーセント以内を意味すると理解されよう。約特定の値として与えられる量は、正確に特定の値であり得る。例えば、それが本明細書に使用及び記載されている文脈において、当業者にとって明らかではない場合、約１の値を有する量とは、当該量が０．９～１．１の値を有することを意味し、当該値が１であり得ることを意味する。
【0082】
「実質的に（substantially）」などの用語は、これらが本明細書に使用及び記載されている文脈において、当業者によって理解されよう。「実質的に等しい（substantially equal）」の使用が、本発明の記載に使用され記載されている文脈において、当業者にとって明らかではない場合、「実質的に等しい」は、ほぼ（about）が上記のとおりであるときには、ほぼ等しいことを意味する。「実質的に平行（substantially parallel）」の使用が、これが本明細書に使用及び記載されている文脈において、当業者にとって明らかではない場合、「実質的に平行」は、平行の３０度以内を意味する。互いに実質的に平行として記載されている方向又は表面は、いくつかの実施形態において、平行の２０度以内、若しくは１０度以内であり得、又は平行若しくは名目上平行であり得る。「実質的に位置合わせされる（substantially aligned）」の使用が、本発明の記載に使用され記載されている文脈において、当業者にとって明らかではない場合、「実質的に位置合わせされる」は、位置合わせされる対象の幅の２０％以内で位置合わせされることを意味する。実質的に位置合わせされると記載される対象は、いくつかの実施形態において、位置合わせされる対象の幅の１０％以内又は５％以内で位置合わせされてもよい。
【0083】
上記において参照された参照文献、特許、又は特許出願の全ては、それらの全体が参照により本明細書に一貫して組み込まれている。組み込まれた参照文献の部分と本出願との間に不一致又は矛盾がある場合、前述の記載における情報が優先される。
【0084】
図中の要素についての説明は、別段の指示がない限り、他の図中の対応する要素に等しく適用されると理解されたい。特定の実施形態が本明細書において図示及び説明されているが、図示及び記載されている特定の実施形態は、本開示の範囲を逸脱することなく、様々な代替的実施態様及び／又は等価の実施態様によって置き換えられ得ることが、当業者には理解されよう。本出願は、本明細書で論じられた特定の実施形態のいずれの適応例又は変形例も包含することが意図されている。したがって、本開示は、特許請求の範囲及びその均等物によってのみ限定されることが意図されている。
なお、以上の各実施形態に加えて以下の態様について付記する。
（付記１）
対向する第１及び第２の主面と、それらの間に分散された複数の粒子と、を含む、磁気遮蔽フィルムであって、各粒子は、磁気透過性、前記粒子の厚さ方向に沿った厚さＨ、前記厚さ方向に直交する前記粒子の長さ方向に沿った最長寸法Ｌ、２以上のＬ／Ｈを有し、前記粒子は、それらの間に複数の空隙を画定し、前記粒子の少なくとも６０％の前記長さ方向は、同じ配向方向の５．５度以内に配向されている、磁気遮蔽フィルム。
（付記２）
前記粒子の少なくとも６０％の前記長さ方向が、前記同じ配向方向の５度以内に配向されている、付記１に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記３）
前記粒子の少なくとも６０％の前記長さ方向が、前記同じ配向方向の４．５度以内に配向されている、付記１に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記４）
前記粒子の少なくとも６０％の前記長さ方向が、前記同じ配向方向の４度以内に配向されている、付記１に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記５）
前記複数の空隙のうちの前記空隙の少なくとも一部が、相互接続されている、付記１に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記６）
前記第１及び第２の主面のうちの少なくとも１つに実質的に直交する垂直方向における前記磁気遮蔽フィルムの断面において、前記磁気遮蔽フィルムは、複数対の垂直に隣接する粒子を含み、複数の実質的に平行な細長ポリマー要素は、前記対の垂直に隣接する粒子のそれぞれにおいて前記粒子を接続する、付記１に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記７）
前記対の垂直に隣接する粒子のそれぞれにおいて前記粒子を接続する前記実質的に平行な細長ポリマー要素が、前記垂直方向に沿って実質的に配向されている、付記６に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記８）
前記細長ポリマー要素が、ポリエチレンを含む、付記６に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記９）
前記配向方向が、前記第１及び第２の主面に実質的に平行である、付記１に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記１０）
前記粒子が、ロッド状である、付記１に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記１１）
前記粒子が、ディスク状である、付記１に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記１２）
前記粒子が、鉄、ケイ素、アルミニウム、クロム、ニッケル、銅、コバルト、及びモリブデンのうちの１つ以上を含む、付記１に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記１３）
前記粒子が、その最外面に磁性コーティングを含む、付記１に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記１４）
前記コーティングされていない粒子が、磁気透過性を有さない、付記１３に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記１５）
約１ＭＨｚの周波数でμ’２／μ’１≧１００である、前記フィルムのそれぞれ厚さ方向及び面内方向に沿った相対透磁率μ’１及びμ’２の実数部を有する、付記１に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記１６）
約１ＭＨｚで、μ’１≦５である、付記１５に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記１７）
前記粒子が、約０．５ミクロン～約５ミクロンの範囲の平均厚さ、及び約２０ミクロン～約２００ミクロンの範囲の平均最長寸法を有する、付記１に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記１８）
前記粒子が、熱伝導性である、付記１に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記１９）
前記磁気遮蔽フィルムの厚さ方向に沿って、少なくとも０．１５Ｗ／（ｍ・Ｋ）、又は０．２Ｗ／（ｍ・Ｋ）、又は０．２５Ｗ／（ｍ・Ｋ）の平均熱伝導率を有する、付記１５に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記２０）
前記磁気遮蔽フィルムの面内方向に沿って、少なくとも５Ｗ／（ｍ・Ｋ）、又は７Ｗ／（ｍ・Ｋ）、又は９Ｗ／（ｍ・Ｋ）、又は１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）、又は１０．６Ｗ／（ｍ・Ｋ）の平均熱伝導率を有する、付記１５に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記２１）
前記粒子が、より低い熱伝導性の内側部分と、より高い熱伝導性の外側部分と、を含む、付記１に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記２２）
前記粒子が、その最外面に熱伝導性コーティングを含む、付記１に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記２３）
前記第１及び第２の主面との間に配設された樹脂を更に含み、前記複数の粒子は、前記樹脂中に分散し、前記樹脂は、約１０ ４ ｇ／ｍｏｌを超える数平均分子量を有する、付記１に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記２４）
前記樹脂の前記数平均分子量が、約１０ ７ ｇ／ｍｏｌ未満である、付記２３に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記２５）
前記複数の粒子中の前記粒子が、前記第１及び第２の主面との間に、約５０％を超える体積容量で分散される、付記１に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記２６）
約１０ ４ ｇ／モルを超える数平均分子量を有する樹脂と、約５０％、又は５５％、又は６０％、又は６５％を超える体積容量でその中に分散された複数の異方性形状の粒子と、を含む、磁気遮蔽フィルムであって、約１ＭＨｚの周波数で、前記フィルムが、
約６０００ガウスよりも大きい磁気飽和と、
μ’１≦５及びμ’２≧１５０である、前記フィルムのそれぞれの厚さ方向及び面内方向に沿った相対透磁率μ’１及びμ’２の実数部と、を有する、磁気遮蔽フィルム。
（付記２７）
前記異方性形状の粒子の少なくとも一部が、磁場に応答して磁気モーメントを発生させるように構成される、付記２６に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記２８）
前記異方性形状の粒子の少なくとも一部が、永久磁気モーメントを含む、付記２６に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記２９）
前記異方性形状の粒子の少なくとも一部が、磁気的に導電性であり、電気絶縁性である、付記２６に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記３０）
前記樹脂が、前記粒子を相互接続する複数の繊維状の概ね平行なポリマー要素を含む、付記２６に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記３１）
電子デバイスであって、
第１の周波数帯域の電磁波に含まれるエネルギーを実質的に減衰させるように構成されたプレートと、
前記第１の周波数帯域内の前記デバイス内に配置されたバッテリを無線充電するための、前記プレート上に配置された受信アンテナと、
前記プレートと前記受信アンテナとの間に配置され、約５０％を超える体積容量で樹脂中に分散された複数の異方性形状の粒子を含む磁気遮蔽フィルムであって、前記粒子が、実質的に同じ方向に沿って配向し、それらの間に複数の空隙を画定する、磁気遮蔽フィルムと、を備え、
これにより、前記デバイスが、前記第１の周波数帯域の電力Ｐｔｘを前記受信アンテナに送信する送信アンテナに隣接して配置されると、前記受信アンテナが、前記送信アンテナから電力Ｐｒｘを受信し、Ｐｒｘの増加により、少なくとも１％のＰｒｘ／Ｐｔｘの初期減少をもたらした後、Ｐｒｘが更に増加すると、Ｐｒｘ／Ｐｔｘの減少は約５％未満であるため、Ｐｒｘは少なくとも２倍に増加する、電子デバイス。
（付記３２）
少なくとも１％のＰｒｘ／Ｐｔｘが前記初期減少をもたらすＰｒｘの前記増加の場合、Ｐｒｘが、少なくとも５ワットの初期値から増加する、付記３１に記載の電子デバイス。
（付記３３）
前記複数の空隙のうちの前記空隙の少なくとも一部が、相互接続されている、付記３１に記載の電子デバイス。
（付記３４）
前記プレートが、主に前記エネルギーを吸収することにより、前記第１の周波数帯域の電磁波に含まれる前記エネルギーを実質的に減衰させるように構成される、付記３１に記載の電子デバイス。
（付記３５）
樹脂と、約５０％を超える体積容量で前記樹脂中に分散された複数の異方性形状の粒子と、を含む、磁気遮蔽フィルムであって、前記樹脂が、前記粒子を相互接続する複数の繊維状の概ね平行なポリマー要素を含み、これにより、約１ＭＨｚの周波数で、前記磁気遮蔽フィルムの面内方向に沿った前記磁気遮蔽フィルムの相対透磁率の実数部は、（４２０．０－０．０４Ｍ）を超え、Ｍは、ガウス単位の前記磁気遮蔽フィルムの磁気飽和である、磁気遮蔽フィルム。
（付記３６）
前記粒子が、約１０を超える磁気透過性を有する、付記３５に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記３７）
前記粒子が、約５０を超える磁気透過性を有する、付記３５に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記３８）
前記粒子が、約１００を超える磁気透過性を有する、付記３５に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記３９）
樹脂と、約５０％を超える体積容量で前記樹脂中に分散された複数の異方性形状の粒子と、を含む、磁気遮蔽フィルムであって、前記樹脂は、前記粒子を相互接続する複数の繊維状の概ね平行なポリマー要素を含み、これにより、約１ＭＨｚの周波数で、前記磁気遮蔽フィルムの面内方向に沿った前記磁気遮蔽フィルムの相対透磁率の実数部は、約１３０を超え、前記磁気遮蔽フィルムの磁気飽和は、約６，０００ガウスを超える、磁気遮蔽フィルム。
（付記４０）
ポリマー材料と、その中に分散された複数の粒子と、を含む、磁気遮蔽フィルムであって、前記粒子は、磁気透過性を有し、前記ポリマー材料は、前記磁気遮蔽フィルムの厚さ方向に沿って概ね配向され、前記複数の粒子を相互接続する複数の実質的に平行な繊維状の要素を含む、磁気遮蔽フィルム。
（付記４１）
磁気遮蔽フィルムを製造する方法であって、
約１０ ４ ｇ／ｍｏｌを超える数平均分子量を有するポリマー、前記ポリマーと混和性の希釈剤、及び磁気透過性を有する複数の異方性形状の粒子を提供することと、
前記ポリマー、前記希釈剤、及び前記複数の異方性形状の粒子を混合して、混和性溶液を形成することと、
前記混和性溶液の層を形成することと、
磁場を前記層に適用して、実質的に同じ配向方向に沿って前記粒子を配向することと、
前記磁場が前記層に適用され、前記粒子が実質的に前記配向方向に沿って配向されている間に、前記希釈剤からの前記ポリマーの相分離を誘導することと、
前記希釈剤の少なくとも一部分を除去して、磁気遮蔽フィルムを形成することと、を含み、前記粒子の少なくとも６０％が、前記配向方向の５度以内に配向される、方法。
（付記４２）
前記希釈剤の少なくとも一部分を除去する工程が、中間磁気遮蔽フィルムをもたらし、前記方法が、前記中間磁気遮蔽フィルム内の前記粒子の体積容量を増加させて、前記磁気遮蔽フィルムを形成する工程を更に含む、付記４１に記載の方法。
（付記４３）
前記体積容量が、前記ポリマーに振動エネルギー及び圧縮力を与えることによって増加される、付記４２に記載の方法。
（付記４４）
前記振動エネルギーが、超音波エネルギーを含む、付記４３に記載の方法。
（付記４５）
前記中間磁気遮蔽フィルム内の前記粒子の少なくとも５０％が、前記配向方向の５～２０度以内に配向される、付記４２に記載の方法。
（付記４６）
前記中間磁気遮蔽フィルム内の前記粒子の少なくとも６０％が、前記配向方向の５～２０度以内に配向される、付記４２に記載の方法。
（付記４７）
前記中間磁気遮蔽フィルム内の前記粒子の少なくとも５０％が、前記配向方向の５～１５度以内に配向される、付記４２に記載の方法。
（付記４８）
前記ポリマーの前記数平均分子量が、約１０ ５ ｇ／ｍｏｌを超える、付記４１に記載の方法。
（付記４９）
前記ポリマーの前記数平均分子量が、約１０ ６ ｇ／ｍｏｌを超える、付記４１に記載の方法。
なお、以上の各実施形態に加えて以下の態様について付記する。
（付記１）
対向する第１及び第２の主面と、それらの間に分散された複数の粒子と、を含む、磁気遮蔽フィルムであって、各粒子は、磁気透過性、前記粒子の厚さ方向に沿った厚さＨ、前記厚さ方向に直交する前記粒子の長さ方向に沿った最長寸法Ｌ、２以上のＬ／Ｈを有し、前記粒子は、それらの間に複数の空隙を画定し、前記粒子の少なくとも６０％の前記長さ方向は、同じ配向方向の５．５度以内に配向されている、磁気遮蔽フィルム。
（付記２）
前記粒子の少なくとも６０％の前記長さ方向が、前記同じ配向方向の５度以内に配向されている、付記１に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記３）
前記粒子の少なくとも６０％の前記長さ方向が、前記同じ配向方向の４．５度以内に配向されている、付記１に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記４）
前記粒子の少なくとも６０％の前記長さ方向が、前記同じ配向方向の４度以内に配向されている、付記１に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記５）
前記複数の空隙のうちの前記空隙の少なくとも一部が、相互接続されている、付記１に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記６）
前記第１及び第２の主面のうちの少なくとも１つに実質的に直交する垂直方向における前記磁気遮蔽フィルムの断面において、前記磁気遮蔽フィルムは、複数対の垂直に隣接する粒子を含み、複数の実質的に平行な細長ポリマー要素は、前記対の垂直に隣接する粒子のそれぞれにおいて前記粒子を接続する、付記１に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記７）
前記対の垂直に隣接する粒子のそれぞれにおいて前記粒子を接続する前記実質的に平行な細長ポリマー要素が、前記垂直方向に沿って実質的に配向されている、付記６に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記８）
前記細長ポリマー要素が、ポリエチレンを含む、付記６に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記９）
前記配向方向が、前記第１及び第２の主面に実質的に平行である、付記１に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記１０）
前記粒子が、ロッド状である、付記１に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記１１）
前記粒子が、ディスク状である、付記１に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記１２）
前記粒子が、鉄、ケイ素、アルミニウム、クロム、ニッケル、銅、コバルト、及びモリブデンのうちの１つ以上を含む、付記１に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記１３）
前記粒子が、その最外面に磁性コーティングを含む、付記１に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記１４）
前記コーティングされていない粒子が、磁気透過性を有さない、付記１３に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記１５）
約１ＭＨｚの周波数でμ’２／μ’１≧１００である、前記フィルムのそれぞれ厚さ方向及び面内方向に沿った相対透磁率μ’１及びμ’２の実数部を有する、付記１に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記１６）
約１ＭＨｚで、μ’１≦５である、付記１５に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記１７）
前記粒子が、約０．５ミクロン～約５ミクロンの範囲の平均厚さ、及び約２０ミクロン～約２００ミクロンの範囲の平均最長寸法を有する、付記１に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記１８）
前記粒子が、熱伝導性である、付記１に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記１９）
前記磁気遮蔽フィルムの厚さ方向に沿って、少なくとも０．１５Ｗ／（ｍ・Ｋ）、又は０．２Ｗ／（ｍ・Ｋ）、又は０．２５Ｗ／（ｍ・Ｋ）の平均熱伝導率を有する、付記１５に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記２０）
前記磁気遮蔽フィルムの面内方向に沿って、少なくとも５Ｗ／（ｍ・Ｋ）、又は７Ｗ／（ｍ・Ｋ）、又は９Ｗ／（ｍ・Ｋ）、又は１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）、又は１０．６Ｗ／（ｍ・Ｋ）の平均熱伝導率を有する、付記１５に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記２１）
前記粒子が、より低い熱伝導性の内側部分と、より高い熱伝導性の外側部分と、を含む、付記１に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記２２）
前記粒子が、その最外面に熱伝導性コーティングを含む、付記１に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記２３）
前記第１及び第２の主面との間に配設された樹脂を更に含み、前記複数の粒子は、前記樹脂中に分散し、前記樹脂は、約１０ ４ ｇ／ｍｏｌを超える数平均分子量を有する、付記１に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記２４）
前記樹脂の前記数平均分子量が、約１０ ７ ｇ／ｍｏｌ未満である、付記２３に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記２５）
前記複数の粒子中の前記粒子が、前記第１及び第２の主面との間に、約５０％を超える体積容量で分散される、付記１に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記２６）
約１０ ４ ｇ／モルを超える数平均分子量を有する樹脂と、約５０％、又は５５％、又は６０％、又は６５％を超える体積容量でその中に分散された複数の異方性形状の粒子と、を含む、磁気遮蔽フィルムであって、約１ＭＨｚの周波数で、前記フィルムが、
約６０００ガウスよりも大きい磁気飽和と、
μ’１≦５及びμ’２≧１５０である、前記フィルムのそれぞれの厚さ方向及び面内方向に沿った相対透磁率μ’１及びμ’２の実数部と、を有する、磁気遮蔽フィルム。
（付記２７）
前記異方性形状の粒子の少なくとも一部が、磁場に応答して磁気モーメントを発生させるように構成される、付記２６に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記２８）
前記異方性形状の粒子の少なくとも一部が、永久磁気モーメントを含む、付記２６に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記２９）
前記異方性形状の粒子の少なくとも一部が、磁気的に導電性であり、電気絶縁性である、付記２６に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記３０）
前記樹脂が、前記粒子を相互接続する複数の繊維状の概ね平行なポリマー要素を含む、付記２６に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記３１）
電子デバイスであって、
第１の周波数帯域の電磁波に含まれるエネルギーを実質的に減衰させるように構成されたプレートと、
前記第１の周波数帯域内の前記デバイス内に配置されたバッテリを無線充電するための、前記プレート上に配置された受信アンテナと、
前記プレートと前記受信アンテナとの間に配置され、約５０％を超える体積容量で樹脂中に分散された複数の異方性形状の粒子を含む磁気遮蔽フィルムであって、前記粒子が、実質的に同じ方向に沿って配向し、それらの間に複数の空隙を画定する、磁気遮蔽フィルムと、を備え、
これにより、前記デバイスが、前記第１の周波数帯域の電力Ｐｔｘを前記受信アンテナに送信する送信アンテナに隣接して配置されると、前記受信アンテナが、前記送信アンテナから電力Ｐｒｘを受信し、Ｐｒｘの増加により、少なくとも１％のＰｒｘ／Ｐｔｘの初期減少をもたらした後、Ｐｒｘが更に増加すると、Ｐｒｘ／Ｐｔｘの減少は約５％未満であるため、Ｐｒｘは少なくとも２倍に増加する、電子デバイス。
（付記３２）
少なくとも１％のＰｒｘ／Ｐｔｘが前記初期減少をもたらすＰｒｘの前記増加の場合、Ｐｒｘが、少なくとも５ワットの初期値から増加する、付記３１に記載の電子デバイス。
（付記３３）
前記複数の空隙のうちの前記空隙の少なくとも一部が、相互接続されている、付記３１に記載の電子デバイス。
（付記３４）
前記プレートが、主に前記エネルギーを吸収することにより、前記第１の周波数帯域の電磁波に含まれる前記エネルギーを実質的に減衰させるように構成される、付記３１に記載の電子デバイス。
（付記３５）
樹脂と、約５０％を超える体積容量で前記樹脂中に分散された複数の異方性形状の粒子と、を含む、磁気遮蔽フィルムであって、前記樹脂が、前記粒子を相互接続する複数の繊維状の概ね平行なポリマー要素を含み、これにより、約１ＭＨｚの周波数で、前記磁気遮蔽フィルムの面内方向に沿った前記磁気遮蔽フィルムの相対透磁率の実数部は、（４２０．０－０．０４Ｍ）を超え、Ｍは、ガウス単位の前記磁気遮蔽フィルムの磁気飽和である、磁気遮蔽フィルム。
（付記３６）
前記粒子が、約１０を超える磁気透過性を有する、付記３５に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記３７）
前記粒子が、約５０を超える磁気透過性を有する、付記３５に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記３８）
前記粒子が、約１００を超える磁気透過性を有する、付記３５に記載の磁気遮蔽フィルム。
（付記３９）
樹脂と、約５０％を超える体積容量で前記樹脂中に分散された複数の異方性形状の粒子と、を含む、磁気遮蔽フィルムであって、前記樹脂は、前記粒子を相互接続する複数の繊維状の概ね平行なポリマー要素を含み、これにより、約１ＭＨｚの周波数で、前記磁気遮蔽フィルムの面内方向に沿った前記磁気遮蔽フィルムの相対透磁率の実数部は、約１３０を超え、前記磁気遮蔽フィルムの磁気飽和は、約６，０００ガウスを超える、磁気遮蔽フィルム。
（付記４０）
ポリマー材料と、その中に分散された複数の粒子と、を含む、磁気遮蔽フィルムであって、前記粒子は、磁気透過性を有し、前記ポリマー材料は、前記磁気遮蔽フィルムの厚さ方向に沿って概ね配向され、前記複数の粒子を相互接続する複数の実質的に平行な繊維状の要素を含む、磁気遮蔽フィルム。
（付記４１）
磁気遮蔽フィルムを製造する方法であって、
約１０ ４ ｇ／ｍｏｌを超える数平均分子量を有するポリマー、前記ポリマーと混和性の希釈剤、及び磁気透過性を有する複数の異方性形状の粒子を提供することと、
前記ポリマー、前記希釈剤、及び前記複数の異方性形状の粒子を混合して、混和性溶液を形成することと、
前記混和性溶液の層を形成することと、
磁場を前記層に適用して、実質的に同じ配向方向に沿って前記粒子を配向することと、
前記磁場が前記層に適用され、前記粒子が実質的に前記配向方向に沿って配向されている間に、前記希釈剤からの前記ポリマーの相分離を誘導することと、
前記希釈剤の少なくとも一部分を除去して、磁気遮蔽フィルムを形成することと、を含み、前記粒子の少なくとも６０％が、前記配向方向の５度以内に配向される、方法。
（付記４２）
前記希釈剤の少なくとも一部分を除去する工程が、中間磁気遮蔽フィルムをもたらし、前記方法が、前記中間磁気遮蔽フィルム内の前記粒子の体積容量を増加させて、前記磁気遮蔽フィルムを形成する工程を更に含む、付記４１に記載の方法。
（付記４３）
前記体積容量が、前記ポリマーに振動エネルギー及び圧縮力を与えることによって増加される、付記４２に記載の方法。
（付記４４）
前記振動エネルギーが、超音波エネルギーを含む、付記４３に記載の方法。
（付記４５）
前記中間磁気遮蔽フィルム内の前記粒子の少なくとも５０％が、前記配向方向の５～２０度以内に配向される、付記４２に記載の方法。
（付記４６）
前記中間磁気遮蔽フィルム内の前記粒子の少なくとも６０％が、前記配向方向の５～２０度以内に配向される、付記４２に記載の方法。
（付記４７）
前記中間磁気遮蔽フィルム内の前記粒子の少なくとも５０％が、前記配向方向の５～１５度以内に配向される、付記４２に記載の方法。
（付記４８）
前記ポリマーの前記数平均分子量が、約１０ ５ ｇ／ｍｏｌを超える、付記４１に記載の方法。
（付記４９）
前記ポリマーの前記数平均分子量が、約１０ ６ ｇ／ｍｏｌを超える、付記４１に記載の方法。
【図1】
【図2A】
【図2B】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図3D】
【図4】
【図5A】
【図5B】
【図5C】
【図6A】
【図6B】
【図6C】
【図7A】
【図7B】
【図7C】
【図8A】
【図8B】
【図8C】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
