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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2025-01-14
(45)【発行日】2025-01-22
(54)【発明の名称】含フッ素重合体、樹脂膜及び光電子素子
(51)【国際特許分類】
C08F 14/18 20060101AFI20250115BHJP
H10K 50/10 20230101ALI20250115BHJP
C08F 14/26 20060101ALI20250115BHJP
C08L 27/12 20060101ALI20250115BHJP
H05B 33/22 20060101ALN20250115BHJP
【ＦＩ】
C08F14/18
H05B33/14 A
C08F14/26
C08L27/12
H05B33/22 Z
【請求項の数】
11
(21)【出願番号】P 2022503658
(86)(22)【出願日】2021-02-24
(86)【国際出願番号】 JP2021006909
(87)【国際公開番号】W WO2021172371
(87)【国際公開日】2021-09-02
【審査請求日】2023-08-07
(31)【優先権主張番号】P 2020030460
(32)【優先日】2020-02-26
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(31)【優先権主張番号】P 2020112962
(32)【優先日】2020-06-30
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(31)【優先権主張番号】P 2021006634
(32)【優先日】2021-01-19
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000000044
【氏名又は名称】ＡＧＣ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001634
【氏名又は名称】弁理士法人志賀国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】阿部 岳文
(72)【発明者】
【氏名】鶴岡 薫
(72)【発明者】
【氏名】下平 哲司
(72)【発明者】
【氏名】武井 早希
(72)【発明者】
【氏名】別府 祥太朗
【審査官】佐藤 貴浩
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１５－０１０２０９（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２００８／１３３０８８（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２０１８－１２６９５３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平０８－２３９２４２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平０９－０２５５５９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平１１－００１５９３（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２００５／１００４２０（ＷＯ，Ａ１）
【文献】国際公開第２００９／０９６３４２（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特表２００９－５２６３５１（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１８／１１０６０９（ＷＯ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｃ０８Ｆ ６／００－２４６／００
Ｃ０８Ｌ １／００－１０１／１４
Ｈ１０Ｋ５０／１０
Ｈ０５Ｂ３３／２２
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
下記（１）～（３）を満たし、フルオロオレフィンに由来する単位を有する含フッ素重合体。（１）融点が２００℃未満、又は融点が観測されない。
（２）１×１０－３Ｐａの圧力下において昇温速度２℃／分で昇温させたときの熱重量減少率が、４００℃以下で実質的に１００％に達する。
（３）１×１０－３Ｐａの圧力下において昇温速度２℃／分で昇温させたとき、熱重量減少率が１０％となる温度から９０％になる温度までの温度幅が２００℃以内である。
【請求項2】
４０℃における貯蔵弾性率が４×１０７Ｐａ未満である、請求項１に記載の含フッ素重合体。
【請求項3】
少なくともテトラフルオロエチレンに由来する単位を有する、請求項１又は２に記載の含フッ素重合体。
【請求項4】
ペルフルオロアルキルビニルエーテルに由来する単位を有する、請求項１から３のいずれか１項に記載の含フッ素重合体。
【請求項5】
前記ペルフルオロアルキルビニルエーテルがペルフルオロプロピルビニルエーテルである、請求項４に記載の含フッ素重合体。
【請求項6】
全単位に対する前記ペルフルオロプロピルビニルエーテルに由来する単位の含有率が１１ｍｏｌ％以上である、請求項５に記載の含フッ素重合体。
【請求項7】
ヘキサフルオロプロピレンに由来する単位をさらに有する、請求項１から３のいずれか１項に記載の含フッ素重合体。
【請求項8】
全単位に対する前記ヘキサフルオロプロピレンに由来する単位の含有率が１８ｍｏｌ％以上である、請求項７に記載の含フッ素重合体。
【請求項9】
トリフルオロメチル部位を有し、前記トリフルオロメチル部位の含有量が０．１ｍｍｏｌ／ｇ以上である、請求項１から８のいずれか１項に記載の含フッ素重合体。
【請求項10】
請求項１から９のいずれか１項に記載の含フッ素重合体を材料とする樹脂膜。
【請求項11】
請求項１０に記載の樹脂膜を有する光電子素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、含フッ素重合体、樹脂膜及び光電子素子に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、光自発光型の素子として、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）等の有機光電子素子が知られている。こうした素子が有する導電膜として、光透過率が異なる２種の領域を有する導電膜が知られている。
【0003】
以下の説明では、光透過率が異なる２つの領域について、相対的に光透過率が低い領域を「第１領域」、光透過率が高い領域を「第２領域」と称することがある。有機ＥＬ素子を例に挙げると、第１領域は、例えば有機ＥＬ素子の配線が該当し、第２領域は、例えば有機ＥＬ素子の素子を構成する陰極層が該当する。
【0004】
特許文献１においては、上述のような導電膜の製造方法として、予め金属膜の形成を抑制する材料でパターン膜を形成した後、蒸着やスパッタ等でパターン膜に重ねて金属を成膜する方法が開示されている。
具体的には、特許文献１に記載の方法では、上記「金属膜の形成を抑制する材料」の一例としてpoly tetrafluoroethylene(ＰＴＦＥ)が挙げられている。上述の方法によれば、予め形成されたパターン膜を避けて金属が成膜される。その結果、金属膜の形成を抑制する材料でパターン膜を形成した領域には光透過率が高い第２領域が形成される。また、パターン膜を形成していない領域には多くの金属が成膜され、相対的に光透過率が低い第１領域が形成され、それぞれの領域が形成された導電膜が得られる。
具体的には、特許文献１に記載の方法では、上記「金属膜の形成を抑制する材料」の一例としてpoly tetrafluoroethylene(ＰＴＦＥ)が挙げられている。上述の方法によれば、予め形成されたパターン膜を避けて金属が成膜される。その結果、金属膜の形成を抑制する材料でパターン膜を形成した領域には光透過率が高い第２領域が形成される。また、パターン膜を形成していない領域には多くの金属が成膜され、相対的に光透過率が低い第１領域が形成され、それぞれの領域が形成された導電膜が得られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【文献】米国特許第１０２７００３３号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
特許文献１に記載されるような公知の含フッ素重合体は、蒸着時に解重合や熱分解しやすかった。さらに、こうした解重合や熱分解によって発生したアウトガスや部分分解物が導電膜に残存した場合、導電膜を有する有機ＥＬ素子の素子性能や素子寿命を低下させるおそれがあった。
上記課題は、有機ＥＬ素子の製造時に限らない。フッ素樹脂を蒸着させる工程を含む場合、表示素子、光電子素子及び有機発光素子においても同様の課題が生じ得る。
上記課題は、有機ＥＬ素子の製造時に限らない。フッ素樹脂を蒸着させる工程を含む場合、表示素子、光電子素子及び有機発光素子においても同様の課題が生じ得る。
【0007】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、蒸着に適し、好適に金属パターニングが可能な含フッ素重合体を提供することを目的とする。また、このような含フッ素重合体を材料として含む樹脂膜を提供することを併せて目的とする。また、このような樹脂膜を構造に有する光電子素子を提供することを併せて目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上記の課題を解決するため、本発明の一態様は、以下の態様を包含する。
［１］下記（１）～（３）を満たす含フッ素重合体。
（１）融点が２００℃未満、又は融点が観測されない。（２）１×１０－３Ｐａの圧力下において昇温速度２℃／分で昇温させたときの熱重量減少率が、４００℃以下で実質的に１００％に達する。（３）１×１０－３Ｐａの圧力下において昇温速度２℃／分で昇温させたとき、熱重量減少率が１０％となる温度から９０％になる温度までの温度幅が２００℃以内である。
［２］４０℃における貯蔵弾性率が４×１０７Ｐａ未満である、［１］に記載の含フッ素重合体。
［３］フルオロオレフィンに由来する単位を有する、［１］又は［２］に記載の含フッ素重合体。
［４］少なくともテトラフルオロエチレンに由来する単位を有する、［３］に記載の含フッ素重合体。
［１］下記（１）～（３）を満たす含フッ素重合体。
（１）融点が２００℃未満、又は融点が観測されない。（２）１×１０－３Ｐａの圧力下において昇温速度２℃／分で昇温させたときの熱重量減少率が、４００℃以下で実質的に１００％に達する。（３）１×１０－３Ｐａの圧力下において昇温速度２℃／分で昇温させたとき、熱重量減少率が１０％となる温度から９０％になる温度までの温度幅が２００℃以内である。
［２］４０℃における貯蔵弾性率が４×１０７Ｐａ未満である、［１］に記載の含フッ素重合体。
［３］フルオロオレフィンに由来する単位を有する、［１］又は［２］に記載の含フッ素重合体。
［４］少なくともテトラフルオロエチレンに由来する単位を有する、［３］に記載の含フッ素重合体。
【0009】
［５］ペルフルオロアルキルビニルエーテルに由来する単位を有する、［３］又は［４］に記載の含フッ素重合体。
［６］前記ペルフルオロアルキルビニルエーテルがペルフルオロプロピルビニルエーテルである、［５］に記載の含フッ素重合体。
［７］全単位に対する前記ペルフルオロプロピルビニルエーテルに由来する単位の含有率が１１ｍｏｌ％以上である、［６］に記載の含フッ素重合体。
［８］ヘキサフルオロプロピレンに由来する単位をさらに有する、［３］又は［４］に記載の含フッ素重合体。
［９］全単位に対する前記ヘキサフルオロプロピレンに由来する単位の含有率が１８ｍｏｌ％以上である、［８］に記載の含フッ素重合体。
［１０］トリフルオロメチル部位を有し、前記トリフルオロメチル部位の含有量が０．１ｍｍｏｌ／ｇ以上である、［１］から［９］のいずれかに記載の含フッ素重合体。
［６］前記ペルフルオロアルキルビニルエーテルがペルフルオロプロピルビニルエーテルである、［５］に記載の含フッ素重合体。
［７］全単位に対する前記ペルフルオロプロピルビニルエーテルに由来する単位の含有率が１１ｍｏｌ％以上である、［６］に記載の含フッ素重合体。
［８］ヘキサフルオロプロピレンに由来する単位をさらに有する、［３］又は［４］に記載の含フッ素重合体。
［９］全単位に対する前記ヘキサフルオロプロピレンに由来する単位の含有率が１８ｍｏｌ％以上である、［８］に記載の含フッ素重合体。
［１０］トリフルオロメチル部位を有し、前記トリフルオロメチル部位の含有量が０．１ｍｍｏｌ／ｇ以上である、［１］から［９］のいずれかに記載の含フッ素重合体。
【0010】
［１１］前記［１］から［１０］のいずれかに記載の含フッ素重合体を材料とする樹脂膜。
［１２］前記［１１］に記載の樹脂膜を有する光電子素子。
［１２］前記［１１］に記載の樹脂膜を有する光電子素子。
【発明の効果】
【0011】
本発明によれば、蒸着に適し、好適に金属パターニングが可能な含フッ素重合体を提供できる。また、このような含フッ素重合体を材料として含む樹脂膜を提供できる。また、このような樹脂膜を構造に有する光電子素子を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【発明を実施するための形態】
【0013】
本明細書における重合体を構成する「単位」とは、重合体中に存在して重合体を構成する、単量体１分子に由来する部分（すなわち、単量体単位）を意味する。以下、個々の単量体に由来する単位をその単量体名に「単位」を付した名称で呼ぶ場合がある。
【0014】
本明細書において重合体の「主鎖」とは、炭素－炭素不飽和二重結合を有する単量体の付加重合により生じる、単量体において炭素－炭素不飽和二重結合を構成していた炭素原子から構成される炭素原子鎖をいう。
【0015】
「反応性官能基」とは、加熱等を行った際に、含フッ素重合体の分子間、又は含フッ素重合体とともに配合されている他の成分と反応（ただし、ラジカル反応を除く。）して結合を形成し得る反応性を有する基を意味する。
【0016】
本明細書における「脂肪族環」は、環骨格が炭素原子のみから構成される炭素環構造のものに加えて、環骨格に炭素原子以外の原子（ヘテロ原子）を含む複素環構造のものも意味する。ヘテロ原子としては酸素原子、窒素原子、硫黄原子等が挙げられる。
【0017】
［第１実施形態］
以下、図１～図６を参照しながら、本発明の第１実施形態に係る含フッ素重合体、樹脂膜について説明する。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の寸法や比率などは適宜異ならせてある。
以下、図１～図６を参照しながら、本発明の第１実施形態に係る含フッ素重合体、樹脂膜について説明する。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の寸法や比率などは適宜異ならせてある。
【0018】
（含フッ素重合体）
本実施形態の含フッ素重合体は、下記の要件（１）～（３）を満たす。
要件（１）融点が２００℃未満、又は融点が観測されない。
要件（２）１×１０－３Ｐａの圧力下において昇温速度２℃／分で昇温させたときの熱重量減少率が、４００℃以下で実質的に１００％に達する。
要件（３）１×１０－３Ｐａの圧力下において昇温速度２℃／分で昇温させたとき、熱重量減少率が１０％となる温度から９０％になる温度までの温度幅が２００℃以内である。
本実施形態の含フッ素重合体は、下記の要件（１）～（３）を満たす。
要件（１）融点が２００℃未満、又は融点が観測されない。
要件（２）１×１０－３Ｐａの圧力下において昇温速度２℃／分で昇温させたときの熱重量減少率が、４００℃以下で実質的に１００％に達する。
要件（３）１×１０－３Ｐａの圧力下において昇温速度２℃／分で昇温させたとき、熱重量減少率が１０％となる温度から９０％になる温度までの温度幅が２００℃以内である。
【0019】
上記要件（１）～（３）を満たす含フッ素重合体は、蒸着に適した物性を有し、好適に蒸着膜を形成可能となる。また、得られた蒸着膜を用いて金属膜のパターニングを行うと、金属膜のパターニングが容易となる。
以下、順に説明する。
以下、順に説明する。
【0020】
（要件（１））
本実施形態の含フッ素重合体は、融点が２００℃未満、又は融点が観測されない。含フッ素重合体は融点が観測され、所定範囲にあることが好ましい。含フッ素重合体の融点が観測される場合、含フッ素重合体の融点は、１９０℃以下であることが好ましく、１８０℃以下であることがより好ましい。融点の下限は特に限定されないが、含フッ素重合体からなる膜の形状を保持しやすくするため、１００℃以上が好ましい。
本実施形態の含フッ素重合体は、融点が２００℃未満、又は融点が観測されない。含フッ素重合体は融点が観測され、所定範囲にあることが好ましい。含フッ素重合体の融点が観測される場合、含フッ素重合体の融点は、１９０℃以下であることが好ましく、１８０℃以下であることがより好ましい。融点の下限は特に限定されないが、含フッ素重合体からなる膜の形状を保持しやすくするため、１００℃以上が好ましい。
【0021】
本実施形態において、融点は、示差走査熱量計（例えば、ＮＥＴＺＳＣＨ製：ＤＳＣ ２０４ Ｆ１ Ｐｈｏｅｎｉｘ）を用いて測定する値を採用する。具体的には、含フッ素重合体９ｍｇを試料容器に仕込み、－７０℃から３５０℃まで毎分１０℃で昇温させた際の熱容量を測定し、得られた融解ピークより融点を求める。
【0022】
上述のような融点を有する含フッ素重合体は、結晶性が低いと判断することができる。含フッ素重合体を材料とする樹脂膜に対して金属材料を蒸着する場合、樹脂膜が含フッ素重合体の結晶を多く含むと、含フッ素重合体の結晶の結晶粒界（界面）が蒸着材料（金属）の核形成の起点となり、樹脂膜上に金属膜が成膜されやすい。逆に、樹脂膜に含まれる含フッ素重合体の結晶が少ないと、樹脂膜上に金属膜が成膜されにくい。
【0023】
すなわち、含フッ素重合体が要件（１）を満たし結晶性が低いほど、含フッ素重合体を材料とする樹脂膜の上には金属膜が成膜されにくく、相対的に金属膜が成膜されやすい樹脂膜の周囲との差に起因して、金属膜をパターニングしやすい。
【0024】
例えば、含フッ素重合体が、ペルフルオロプロピルビニルエーテル（ＰＰＶＥ）に由来する単位（ＰＰＶＥ単位）を有する場合、ＰＰＶＥ単位の含有率が増えると、含フッ素重合体の結晶性が下がり、同時に融点が下がる。
また、含フッ素重合体が主鎖に脂肪族環構造を有する場合、脂肪族環構造が結晶性を崩しやすいことから、結晶性の低い、又は非晶性の性質を有する。含フッ素重合体が非晶性である場合、融点は観測されない。
また、含フッ素重合体が主鎖に脂肪族環構造を有する場合、脂肪族環構造が結晶性を崩しやすいことから、結晶性の低い、又は非晶性の性質を有する。含フッ素重合体が非晶性である場合、融点は観測されない。
【0025】
（要件（２））
以下の説明においては、「含フッ素重合体を１×１０－３Ｐａの圧力下において昇温速度２℃／分で昇温させたときに、熱重量減少率が実質的に１００％に達する温度」を「１００％熱重量減少温度」（℃）と称することがある。要件（２）は、１００％熱重量減少温度が４００℃以下であることを規定する。
以下の説明においては、「含フッ素重合体を１×１０－３Ｐａの圧力下において昇温速度２℃／分で昇温させたときに、熱重量減少率が実質的に１００％に達する温度」を「１００％熱重量減少温度」（℃）と称することがある。要件（２）は、１００％熱重量減少温度が４００℃以下であることを規定する。
【0026】
本実施形態において、含フッ素重合体の熱重量減少率は、真空示差熱天秤（アドバンス理工社製：ＶＰＥ－９０００）を用いて測定する値を採用する。具体的には、含フッ素重合体５０ｍｇを内径７ｍｍのセルに仕込み、１×１０－３Ｐａの真空度にて、室温から５００℃まで毎分２℃で昇温させた際の、含フッ素重合体の初期重量（５０ｍｇ）に対する重量減少率（％）を測定する。
【0027】
要件（２）の「実質的に」とは、上述した条件において熱重量減少率を測定したとき、４００℃以下の温度範囲において、熱重量減少が検出下限を下回っており、熱重量減少が確認できないことを意味する。
【0028】
本実施形態の含フッ素重合体は、上記要件（２）を満たす温度が低いほど分子量（重合度）が低いということができる。
仮に、上記要件（２）を満たさない含フッ素重合体を蒸着させようとすると、４００℃を超える温度にまで加熱する必要が生じる。一方で、４００℃を超えた温度範囲で加熱すると、高温のため含フッ素重合体が解重合や熱分解するおそれがある。その場合、解重合や熱分解で生じた生成物が、蒸着で用いる真空チャンバーの内部圧力を上昇させるおそれがある。このように真空チャンバーの内部圧力が上昇すると、蒸着条件が不安定となり、得られる蒸着膜（樹脂膜）の品質が安定しないおそれがある。
仮に、上記要件（２）を満たさない含フッ素重合体を蒸着させようとすると、４００℃を超える温度にまで加熱する必要が生じる。一方で、４００℃を超えた温度範囲で加熱すると、高温のため含フッ素重合体が解重合や熱分解するおそれがある。その場合、解重合や熱分解で生じた生成物が、蒸着で用いる真空チャンバーの内部圧力を上昇させるおそれがある。このように真空チャンバーの内部圧力が上昇すると、蒸着条件が不安定となり、得られる蒸着膜（樹脂膜）の品質が安定しないおそれがある。
【0029】
また、上記要件（２）を満たさない含フッ素重合体を、４００℃を超えた温度範囲で加熱すると、部分的に解重合又は熱分解した分子量の小さい含フッ素重合体が樹脂膜中に混入し、樹脂膜の耐熱性が低下するおそれがある。
さらに、上記要件（２）を満たさない含フッ素重合体を、４００℃を超えた温度範囲で加熱すると、解重合や熱分解によって生じた不安定末端を有する含フッ素重合体が樹脂膜中に混入し、樹脂膜及び樹脂膜を含む素子の品質が損なわれるおそれがある。
さらに、上記要件（２）を満たさない含フッ素重合体を、４００℃を超えた温度範囲で加熱すると、解重合や熱分解によって生じた不安定末端を有する含フッ素重合体が樹脂膜中に混入し、樹脂膜及び樹脂膜を含む素子の品質が損なわれるおそれがある。
【0030】
一方、上記要件（２）を満たす含フッ素重合体は、真空下で行う蒸着材料として用いたとき、４００℃以下の温度で加熱することで、好適に蒸着させることが可能となる。これにより、上述した解重合や熱分解のおそれがなく、安定した蒸着条件で蒸着可能となる。
【0031】
本実施形態の含フッ素重合体は、１×１０－３Ｐａの圧力下において昇温速度２℃／分で昇温させたときの熱重量減少率が、３５０℃以下で実質的に１００％に達する、すなわち熱重量減少率が実質的に１００％に達する温度が３５０℃以下であることが好ましい。
【0032】
（要件（３））
以下の説明においては、「含フッ素重合体を１×１０－３Ｐａの圧力下において昇温速度２℃／分で昇温させたときに、熱重量減少率が１０％となる温度から９０％になる温度までの温度幅」を「熱重量減少温度の範囲」（℃）と称することがある。要件（３）は、熱重量減少温度の範囲が２００℃以内であることを規定する。
以下の説明においては、「含フッ素重合体を１×１０－３Ｐａの圧力下において昇温速度２℃／分で昇温させたときに、熱重量減少率が１０％となる温度から９０％になる温度までの温度幅」を「熱重量減少温度の範囲」（℃）と称することがある。要件（３）は、熱重量減少温度の範囲が２００℃以内であることを規定する。
【0033】
本実施形態の含フッ素重合体は、上記要件（３）を満たす温度幅が狭いほど分子量分布が狭いということができる。
上記要件（３）を満たさない含フッ素重合体を用い樹脂膜を製造しようとすると、蒸着の始期に蒸着される含フッ素重合体の分子量と、蒸着の終期に蒸着される含フッ素重合体の分子量との差が大きく、同じ樹脂膜において、樹脂膜の厚み方向で含フッ素重合体の分子量が変化し、樹脂膜の物性が安定しないおそれがある。
また、同条件で連続的に樹脂膜を製造する場合、上記要件（３）を満たさない含フッ素重合体を用いると、製造される樹脂膜の品質がロット間でばらつくおそれがある。
さらに、含フッ素重合体に含有する低分子量体は、蒸着の際にアウトガスとして発生して真空チャンバー内に付着し、真空チャンバーを汚染するおそれがある。例えば、光電子素子作製の工程において、こうした汚染源が原因となり、素子の寿命の低下や短絡の原因となるなど、素子の品質を著しく損なうおそれがある。
上記要件（３）を満たさない含フッ素重合体を用い樹脂膜を製造しようとすると、蒸着の始期に蒸着される含フッ素重合体の分子量と、蒸着の終期に蒸着される含フッ素重合体の分子量との差が大きく、同じ樹脂膜において、樹脂膜の厚み方向で含フッ素重合体の分子量が変化し、樹脂膜の物性が安定しないおそれがある。
また、同条件で連続的に樹脂膜を製造する場合、上記要件（３）を満たさない含フッ素重合体を用いると、製造される樹脂膜の品質がロット間でばらつくおそれがある。
さらに、含フッ素重合体に含有する低分子量体は、蒸着の際にアウトガスとして発生して真空チャンバー内に付着し、真空チャンバーを汚染するおそれがある。例えば、光電子素子作製の工程において、こうした汚染源が原因となり、素子の寿命の低下や短絡の原因となるなど、素子の品質を著しく損なうおそれがある。
【0034】
一方、上記要件（３）を満たす含フッ素重合体は、蒸着の始期に蒸着される含フッ素重合体の分子量と、蒸着の終期に蒸着される含フッ素重合体の分子量との差が小さく、樹脂膜の厚み方向において含フッ素重合体の分子量の変化が小さい。そのため、得られる樹脂膜の物性が安定しやすい。
また、同条件で連続的に樹脂膜を製造する場合、製造される樹脂膜のロット間の品質ばらつきを抑制できる。
さらに、アウトガスの原因となる低分子量体を含まないため、蒸着チャンバーを汚染する懸念がない。
上記要件（３）を満たす分子量分布の狭い含フッ素重合体を得る方法としては、リビングラジカル重合等の制御重合による分子量調整や、昇華精製や超臨界抽出、サイズ排除クロマトグラフィにより分子量を分画する方法が挙げられる。
また、同条件で連続的に樹脂膜を製造する場合、製造される樹脂膜のロット間の品質ばらつきを抑制できる。
さらに、アウトガスの原因となる低分子量体を含まないため、蒸着チャンバーを汚染する懸念がない。
上記要件（３）を満たす分子量分布の狭い含フッ素重合体を得る方法としては、リビングラジカル重合等の制御重合による分子量調整や、昇華精製や超臨界抽出、サイズ排除クロマトグラフィにより分子量を分画する方法が挙げられる。
【0035】
図１は、要件（２）（３）を説明する模式図であり、測定温度に対する熱重量減少率の対応関係を示すグラフである。図１の横軸は測定温度（単位：℃）、縦軸は熱重量減少率（単位％）である。図１においては、要件（２）（３）を満たす含フッ素重合体の挙動を符号Ｐで示し、要件（２）（３）を満たさない含フッ素重合体の挙動を符号Ｐｘで示す。
【0036】
図１においては、本実施形態の含フッ素重合体の挙動について示すグラフＰは、４００℃よりも低い温度（Ｔｄ１００）で熱重量減少率が１００％に達している。対して、要件（２）（３）を満たさない含フッ素重合体の挙動について示すグラフＰｘは、４００℃において熱重量減少率が１００％に達していない。
また、図１において、本実施形態の含フッ素重合体の挙動について示すグラフＰは、Ｔｄ９０－Ｔｄ１０の値Ｗが２００℃以下である。
図１からは、本実施形態の含フッ素重合体は、温度Ｔｄ１０と温度Ｔｄ９０との間で急峻に熱重量減少を生じることが分かる。
また、図１において、本実施形態の含フッ素重合体の挙動について示すグラフＰは、Ｔｄ９０－Ｔｄ１０の値Ｗが２００℃以下である。
図１からは、本実施形態の含フッ素重合体は、温度Ｔｄ１０と温度Ｔｄ９０との間で急峻に熱重量減少を生じることが分かる。
【0037】
含フッ素重合体の蒸着の際の解重合や熱分解、アウトガスの有無は、真空チャンバーの内部圧力の変化に着目すると、以下のように評価できる。
（蒸着時のチャンバー圧変化の評価法）
真空蒸着機に含フッ素重合体を０．１g仕込み、チャンバー内の圧力を１０－４Ｐａ以下に減圧した上で、含フッ素重合体を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で２００ｎｍ成膜する。この際にチャンバー内の圧力をモニターし、蒸着時における圧力の最大値を計測する。
下記計算式より求められるチャンバー圧力の上昇倍率が１０倍以下の含フッ素重合体は、解重合や熱分解、アウトガスが少なく、好適に蒸着させることが可能となる。
蒸着時のチャンバー圧力の上昇倍率＝蒸着中の最大圧力／蒸着前の初期圧力
上昇倍率が１０倍を超える含フッ素重合体は、解重合や熱分解、アウトガスが多く、蒸着に用いるには不適と判断できる。
（蒸着時のチャンバー圧変化の評価法）
真空蒸着機に含フッ素重合体を０．１g仕込み、チャンバー内の圧力を１０－４Ｐａ以下に減圧した上で、含フッ素重合体を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で２００ｎｍ成膜する。この際にチャンバー内の圧力をモニターし、蒸着時における圧力の最大値を計測する。
下記計算式より求められるチャンバー圧力の上昇倍率が１０倍以下の含フッ素重合体は、解重合や熱分解、アウトガスが少なく、好適に蒸着させることが可能となる。
蒸着時のチャンバー圧力の上昇倍率＝蒸着中の最大圧力／蒸着前の初期圧力
上昇倍率が１０倍を超える含フッ素重合体は、解重合や熱分解、アウトガスが多く、蒸着に用いるには不適と判断できる。
【0038】
（分子量分画）
使用しようとする含フッ素重合体が、上記要件（２）（３）を満たしていない場合、含フッ素重合体分子量分画することで、上記要件（２）（３）を満たす本実施形態の含フッ素重合体とせしめることが出来る。
使用しようとする含フッ素重合体が、上記要件（２）（３）を満たしていない場合、含フッ素重合体分子量分画することで、上記要件（２）（３）を満たす本実施形態の含フッ素重合体とせしめることが出来る。
【0039】
上記要件（２）（３）を満たす含フッ素重合体は、重合体を分子量分画することで得られる。以下の説明では、分子量分画の対象となる重合体を、「原料重合体」と称することがある。
分子量分画の方法としては、例えば、昇華精製や超臨界抽出、サイズ排除クロマトグラフィにより、分子量を分画し、要件（２）（３）を満たす重合体に調整する方法が挙げられる。
分子量分画の方法としては、例えば、昇華精製や超臨界抽出、サイズ排除クロマトグラフィにより、分子量を分画し、要件（２）（３）を満たす重合体に調整する方法が挙げられる。
【0040】
（昇華精製）
昇華精製は、減圧下で精製対象物（原料重合体）を加熱して精製対象物の一部又は全部を昇華又は蒸発させた後に、気体状態の精製対象物に含まれる化合物の析出温度差を利用して、目的の化合物を固体として分離し、回収する手法である。このような昇華精製は、精製対象物を仕込む仕込み部と、気体状態の精製対象物を析出温度ごとに分離して固体として捕集する捕集部を有し、かつ高い真空度を保つことのできる昇華精製装置を用いて行うことができる。
昇華精製装置の構造は特に限定されないが、例えばガラス製の冷却管と冷却管を囲うフラスコ状のガラス容器と、ガラス容器の内部を減圧する真空排気装置からなる、いわゆるミル氏式の昇華精製装置を用いることができる。また、昇華精製装置としては、円筒状のガラス製の昇華管と、昇華管を内部に収容して昇華管を加熱する加熱装置と、昇華管の内部を減圧する高真空排気装置と、を備えたガラスチューブ式の昇華精製装置を用いることもできる。
以下、ガラスチューブ式の昇華精製装置を例に、含フッ素重合体の昇華精製及び昇華精製による分子量の分画方法を説明する。
昇華精製は、減圧下で精製対象物（原料重合体）を加熱して精製対象物の一部又は全部を昇華又は蒸発させた後に、気体状態の精製対象物に含まれる化合物の析出温度差を利用して、目的の化合物を固体として分離し、回収する手法である。このような昇華精製は、精製対象物を仕込む仕込み部と、気体状態の精製対象物を析出温度ごとに分離して固体として捕集する捕集部を有し、かつ高い真空度を保つことのできる昇華精製装置を用いて行うことができる。
昇華精製装置の構造は特に限定されないが、例えばガラス製の冷却管と冷却管を囲うフラスコ状のガラス容器と、ガラス容器の内部を減圧する真空排気装置からなる、いわゆるミル氏式の昇華精製装置を用いることができる。また、昇華精製装置としては、円筒状のガラス製の昇華管と、昇華管を内部に収容して昇華管を加熱する加熱装置と、昇華管の内部を減圧する高真空排気装置と、を備えたガラスチューブ式の昇華精製装置を用いることもできる。
以下、ガラスチューブ式の昇華精製装置を例に、含フッ素重合体の昇華精製及び昇華精製による分子量の分画方法を説明する。
【0041】
含フッ素重合体の昇華精製では、昇華管の仕込み部に原料重合体を仕込み、高真空排気装置を用いて、例えば、圧力を１×１０－３Ｐａ以下まで昇華管内の真空度を上げた後、加熱装置を用いて仕込み部を加熱する。これにより、原料重合体に含まれる含フッ素重合体が昇華又は蒸発する。
昇華管のうち、仕込み部よりも高真空排気装置による排気側にあたる領域は、「捕集部」に該当する。捕集部は、仕込み部の加熱温度よりも低い温度に設定されている。仕込み部で原料重合体から昇華又は蒸発させた含フッ素重合体は、捕集部の壁面で析出し固化、又は捕集部の壁面で液化して、捕集される。
昇華管のうち、仕込み部よりも高真空排気装置による排気側にあたる領域は、「捕集部」に該当する。捕集部は、仕込み部の加熱温度よりも低い温度に設定されている。仕込み部で原料重合体から昇華又は蒸発させた含フッ素重合体は、捕集部の壁面で析出し固化、又は捕集部の壁面で液化して、捕集される。
【0042】
捕集部の捕集温度は、含フッ素重合体が気体から固体へ昇華する温度（析出する温度）、又は含フッ素重合体が気体から液体へ凝集する温度に対応し、含フッ素重合体の分子量に対応する。昇華管において捕集温度を異ならせた複数の捕集部を設けることにより、原料重合体を、分子量の異なる含フッ素重合体に分画できる。
例えば、具体的には、仕込み部をＡ℃に加熱し、捕集部を仕込み部に近い側からＢ℃とＣ℃とに加熱した場合（Ａ＞Ｂ＞Ｃ）、Ｂ℃に設定した捕集部では、Ａ℃では気体、Ｂ℃では固体（又は液体）となる分子量範囲の含フッ素重合体が捕集される。
同様に、Ｃ℃に設定した捕集部では、Ｂ℃では気体、Ｃ℃では固体（又は液体）となる分子量範囲の含フッ素重合体が捕集される。すなわち、Ｃ℃に設定した捕集部では、原料重合体に含まれる含フッ素重合体のうち、Ｂ℃では気体でありＣ℃では固体（又は液体）となる捕集温度幅Ｂ℃－Ｃ℃の含フッ素重合体が捕集される。
例えば、具体的には、仕込み部をＡ℃に加熱し、捕集部を仕込み部に近い側からＢ℃とＣ℃とに加熱した場合（Ａ＞Ｂ＞Ｃ）、Ｂ℃に設定した捕集部では、Ａ℃では気体、Ｂ℃では固体（又は液体）となる分子量範囲の含フッ素重合体が捕集される。
同様に、Ｃ℃に設定した捕集部では、Ｂ℃では気体、Ｃ℃では固体（又は液体）となる分子量範囲の含フッ素重合体が捕集される。すなわち、Ｃ℃に設定した捕集部では、原料重合体に含まれる含フッ素重合体のうち、Ｂ℃では気体でありＣ℃では固体（又は液体）となる捕集温度幅Ｂ℃－Ｃ℃の含フッ素重合体が捕集される。
【0043】
上述の要件（３）は、上述のように捕集温度幅を制御し、例えば捕集温度幅２００℃となる捕集部で捕集することで満たすことができる。なお、捕集した含フッ素重合体について、要件（３）を満たすか否かを確認し、要件（３）を満たさない場合には、捕集部の温度条件を制御し、捕集温度幅を狭くするとよい。
捕集部において、低い設定温度の領域で捕集された含フッ素重合体ほど、１×１０－３Ｐａの圧力下における熱重量減少率が１００％に達する温度が低い、すなわち分子量が小さい含フッ素重合体となる。
捕集部において、低い設定温度の領域で捕集された含フッ素重合体ほど、１×１０－３Ｐａの圧力下における熱重量減少率が１００％に達する温度が低い、すなわち分子量が小さい含フッ素重合体となる。
【0044】
捕集温度幅は、２００℃以下であることが好ましく、１００℃以下であることがより好ましく、５０℃以下であることがさらに好ましい。捕集温度幅が小さいほど、蒸着条件の変動が少なくなり、また、樹脂膜の品質が安定しやすい。
【0045】
分子量分画した含フッ素重合体は、要件（２）（３）を満たすならば、捕集温度幅の異なる複数の含フッ素重合体を混合してもよい。
【0046】
（超臨界抽出）
超臨界抽出は、超臨界流体の高い溶解性と拡散性を利用して抽出物を得る技術である。超臨界抽出では、例えば、超臨界流体として超臨界ＣＯ２を用い、超臨界ＣＯ２に相対的に低分子量の含フッ素重合体を溶解させ、抽出物として得ることができる。
また、超臨界流体に対する添加剤（エントレーナー）として、含フッ素溶媒を用いることで、超臨界流体に対する含フッ素重合体の溶解性を高めることができる。
超臨界抽出は、超臨界流体の高い溶解性と拡散性を利用して抽出物を得る技術である。超臨界抽出では、例えば、超臨界流体として超臨界ＣＯ２を用い、超臨界ＣＯ２に相対的に低分子量の含フッ素重合体を溶解させ、抽出物として得ることができる。
また、超臨界流体に対する添加剤（エントレーナー）として、含フッ素溶媒を用いることで、超臨界流体に対する含フッ素重合体の溶解性を高めることができる。
【0047】
エントレーナーとして用いる含フッ素溶媒は、特に限定されない。例えば、下記方法で求める親フッ素パラメータＰＦが１以上である含フッ素溶媒が好ましい。
（親フッ素パラメータＰＦ）
３ｇのトルエンと３ｇのペルフルオロメチルシクロヘキサンとの二相系に、３０μＬの前記含フッ素溶媒を滴下してよく混合し一晩静置した後、前記トルエンに含まれる前記含フッ素溶媒と、前記ペルフルオロメチルシクロヘキサンに含まれる前記含フッ素溶媒とをガスクロマトグラフィーにより測定する。前記トルエン中の前記含フッ素溶媒の濃度（単位：ｍＬ／Ｌ）をＭＰ、前記ペルフルオロメチルシクロヘキサン中の前記含フッ素溶媒の濃度（単位：ｍＬ／Ｌ）をＭＦとしたとき、下記式（Ａ）で求められる値を親フッ素パラメータＰＦとする。
ＰＦ＝ＭＦ／ＭＰ…（Ａ）
（親フッ素パラメータＰＦ）
３ｇのトルエンと３ｇのペルフルオロメチルシクロヘキサンとの二相系に、３０μＬの前記含フッ素溶媒を滴下してよく混合し一晩静置した後、前記トルエンに含まれる前記含フッ素溶媒と、前記ペルフルオロメチルシクロヘキサンに含まれる前記含フッ素溶媒とをガスクロマトグラフィーにより測定する。前記トルエン中の前記含フッ素溶媒の濃度（単位：ｍＬ／Ｌ）をＭＰ、前記ペルフルオロメチルシクロヘキサン中の前記含フッ素溶媒の濃度（単位：ｍＬ／Ｌ）をＭＦとしたとき、下記式（Ａ）で求められる値を親フッ素パラメータＰＦとする。
ＰＦ＝ＭＦ／ＭＰ…（Ａ）
【0048】
エントレーナーとして用いる含フッ素溶媒としては、例えば以下の化合物が挙げられる。
【0049】
１，１，１，２，２，３，３，４，４，５，５，６，６－トリデカフルオロヘキサン（ＡＣ－２０００、ＡＧＣ社製）（ＰＦ＝１２）
１，１，１，２，２，３，３，４，４，５，５，６，６－トリデカフルオロオクタン（ＡＣ－６０００、ＡＧＣ社製）（ＰＦ＝５．６）
サイトップＣＴ－ＳＯＬＶ１００Ｅ（ＡＧＣ社製）（ＰＦ＝８．２）
サイトップＣＴ－ＳＯＬＶ１８０（ＡＧＣ社製）（ＰＦ＝∞）
ＨＦＥ７３００（３Ｍ社製）（ＰＦ＝８．２）
１，１，１，２，２，３，４，５，５，５－Ｄｅｃａｆｌｕｏｒｏｐｅｎｔａｎｅ（Ｖｅｒｔｒｅ ＸＦ、Ｃｈｅｍｏｕｒｓ社製）（ＰＦ＝３．７）
１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－ペルフルオロオクタノール（ＰＦ＝１．１）
１，１，２，２－テトラフルオロエチル－２，２，２－トリフルオロエチルエーテル（ＡＥ－３０００、ＡＧＣ社製）（ＰＦ＝０．６）
ＨＣＦＣ－２２５ｃａ／ＨＣＦＣ－２２５ｃｂ（４５／５５）（ＰＦ＝０．３）
ペルフルオロベンゼン（ＰＦ＝０．３）
ヘキサフルオロ－２－プロパノール（ＰＦ＝０．２４）
１Ｈ，１Ｈ，７Ｈ－ペルフルオロヘプタノール（ＰＦ＝０．２３）
１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ－ペルフルオロペンタノール（ＰＦ＝０．１）
１，１，１，２，２，３，３，４，４，５，５，６，６－トリデカフルオロオクタン（ＡＣ－６０００、ＡＧＣ社製）（ＰＦ＝５．６）
サイトップＣＴ－ＳＯＬＶ１００Ｅ（ＡＧＣ社製）（ＰＦ＝８．２）
サイトップＣＴ－ＳＯＬＶ１８０（ＡＧＣ社製）（ＰＦ＝∞）
ＨＦＥ７３００（３Ｍ社製）（ＰＦ＝８．２）
１，１，１，２，２，３，４，５，５，５－Ｄｅｃａｆｌｕｏｒｏｐｅｎｔａｎｅ（Ｖｅｒｔｒｅ ＸＦ、Ｃｈｅｍｏｕｒｓ社製）（ＰＦ＝３．７）
１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－ペルフルオロオクタノール（ＰＦ＝１．１）
１，１，２，２－テトラフルオロエチル－２，２，２－トリフルオロエチルエーテル（ＡＥ－３０００、ＡＧＣ社製）（ＰＦ＝０．６）
ＨＣＦＣ－２２５ｃａ／ＨＣＦＣ－２２５ｃｂ（４５／５５）（ＰＦ＝０．３）
ペルフルオロベンゼン（ＰＦ＝０．３）
ヘキサフルオロ－２－プロパノール（ＰＦ＝０．２４）
１Ｈ，１Ｈ，７Ｈ－ペルフルオロヘプタノール（ＰＦ＝０．２３）
１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ－ペルフルオロペンタノール（ＰＦ＝０．１）
【0050】
抽出工程は、例えば超臨界ＣＯ２を用い、抽出圧力７．４ＭＰａ以上、抽出温度３１℃以上の条件で行うことができる。
抽出圧力は、３０ＭＰａ以上が好ましく、５０ＭＰａ以上がより好ましく、７０ＭＰａ以上がさらに好ましい。抽出圧力の上限値には特に制限はないが、１００ＭＰａ以下が好ましい。抽出圧力の上限値と下限値とは、任意に組み合わせることができる。
抽出温度は、４０℃以上が好ましく、８０℃以上がより好ましい。また、抽出温度は、３００℃以下が好ましく、２００℃以下がより好ましく、１００℃以下がさらに好ましい。抽出温度の上限値と下限値とは、任意に組み合わせることができる。
上記範囲であれば、目的とする含フッ素重合体の分子量分画を効率よく行うことができる。
抽出圧力は、３０ＭＰａ以上が好ましく、５０ＭＰａ以上がより好ましく、７０ＭＰａ以上がさらに好ましい。抽出圧力の上限値には特に制限はないが、１００ＭＰａ以下が好ましい。抽出圧力の上限値と下限値とは、任意に組み合わせることができる。
抽出温度は、４０℃以上が好ましく、８０℃以上がより好ましい。また、抽出温度は、３００℃以下が好ましく、２００℃以下がより好ましく、１００℃以下がさらに好ましい。抽出温度の上限値と下限値とは、任意に組み合わせることができる。
上記範囲であれば、目的とする含フッ素重合体の分子量分画を効率よく行うことができる。
【0051】
分子量分画は、含フッ素重合体の重合工程で使用した、開始剤、連鎖移動剤、溶媒や、副生物などの残留異物除去の目的からも有用である。こうした残留異物は、蒸着の際にアウトガスとして発生して真空チャンバー内に付着し、真空チャンバーを汚染するおそれがあるため、要件（２）（３）を満たしている場合においても、昇華精製や超臨界抽出を行うことがより好ましい。
分子量分画した含フッ素重合体は、要件（２）（３）を満たすならば、抽出条件の異なる複数の含フッ素重合体を混合してもよい。
分子量分画した含フッ素重合体は、要件（２）（３）を満たすならば、抽出条件の異なる複数の含フッ素重合体を混合してもよい。
【0052】
（その他の要件）
本実施形態の含フッ素重合体は、下記要件（４）を満たすことが好ましい。
要件（４）２５℃における貯蔵弾性率が４×１０７Ｐａ未満である。
上記要件（４）を満たす含フッ素重合体は、柔軟性が高く、形状変化時の追随性に優れる。そのため、屈曲可能な装置が備える樹脂膜の材料として、要件（４）を満たす含フッ素重合体を用いた場合、樹脂膜は、樹脂膜に接する層との界面において装置を曲げた時に生じるせん断応力を緩和する。これにより、装置を屈曲させたときの破損を抑制することが期待できる。
上記屈曲可能な装置としては、例えばフォルダブルディスプレイが挙げられる。
本実施形態の含フッ素重合体は、下記要件（４）を満たすことが好ましい。
要件（４）２５℃における貯蔵弾性率が４×１０７Ｐａ未満である。
上記要件（４）を満たす含フッ素重合体は、柔軟性が高く、形状変化時の追随性に優れる。そのため、屈曲可能な装置が備える樹脂膜の材料として、要件（４）を満たす含フッ素重合体を用いた場合、樹脂膜は、樹脂膜に接する層との界面において装置を曲げた時に生じるせん断応力を緩和する。これにより、装置を屈曲させたときの破損を抑制することが期待できる。
上記屈曲可能な装置としては、例えばフォルダブルディスプレイが挙げられる。
【0053】
また、要件（４）を満たす含フッ素重合体は、溶融粘度が低くなる。そのため、要件（４）を満たす含フッ素重合体は、蒸着材料として使用する際加熱下において低粘度となるため、対流によって材料の表面更新が円滑になり、優れた蒸着安定性を得ることができる。さらにこの対流による表面更新により蒸着材料の部分的な過加熱が抑制され、過度の加熱による熱分解を避けることができる。
【0054】
上記要件（４）を満たす含フッ素重合体は、例えば含フッ素重合体が有するＰＰＶＥ単位の含有率を変更することで得られる。ＰＰＶＥ単位の含有率が増えると、貯蔵弾性率は低下する傾向にある。
同様に、上記要件（４）を満たす含フッ素重合体は、例えば含フッ素重合体が有する、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）に由来する単位（ＨＦＰ単位）の含有率を変更することで得られる。ＨＦＰ単位の含有率が増えると、貯蔵弾性率は低下する傾向にある。
同様に、上記要件（４）を満たす含フッ素重合体は、例えば含フッ素重合体が有する、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）に由来する単位（ＨＦＰ単位）の含有率を変更することで得られる。ＨＦＰ単位の含有率が増えると、貯蔵弾性率は低下する傾向にある。
【0055】
本実施形態において、貯蔵弾性率は、動的粘弾性測定装置（例えば、アントンパール社製、ＭＣＲ５０２）、及び粘弾性測定装置用加熱炉（例えば、アントンパール社製、ＣＴＤ４５０）を用いて測定する値を採用する。具体的には、試料（含フッ素重合体）を融点以上に加熱した後、定速降温モードで２℃／分で降温させる。上記測定装置を用い、歪み０．０１％、周波数１Ｈｚの条件で貯蔵弾性率（Ｇ’）を測定する。
【0056】
（含フッ素重合体の構造）
本実施形態の含フッ素重合体としては、上記要件（１）～（３）を満たす含フッ素重合体であればその重合体を構成する単位に特に制限はない。
本実施形態の含フッ素重合体としては、上記要件（１）～（３）を満たす含フッ素重合体であればその重合体を構成する単位に特に制限はない。
【0057】
含フッ素重合体のフッ素原子含有率は、２０質量％以上が好ましく、４０質量％以上がより好ましく、６０質量％以上がさらに好ましく、７０質量％以上が特に好ましい。フッ素原子含有率が高いほど、含フッ素重合体を材料とした樹脂膜の表面エネルギーが低くなる傾向にあり、樹脂膜の表面に金属膜を成膜し難くなる。そのため、上記のフッ素原子含有率の含フッ素重合体を用いると金属膜をパターニングしやすい。
【0058】
なお、フッ素原子含有率（質量％）は、下式で求められる。
（フッ素原子含有率）＝［１９×ＮＦ／ＭＡ］×１００
ＮＦ：含フッ素重合体を構成する単位の種類毎に、単位を構成するフッ素原子の原子量の合計と、全単位に対する当該単位のモル比率とを乗じた値の総和。
ＭＡ：含フッ素重合体を構成する単位の種類毎に、単位を構成する全ての原子の原子量の合計と、全単位に対する当該単位のモル比率とを乗じた値の総和。
上記ＮＦ及びＭＡは、１Ｈ－ＮＭＲ、１9Ｆ－ＮＭＲ、元素分析、ＩＲにより得られる含フッ素重合体の構成単位のモル比率及び末端量から算出できる。また、ＮＦ及びＭＡは、含フッ素重合体の製造に使用する単量体、及び開始剤の仕込み量から算出することもできる。
（フッ素原子含有率）＝［１９×ＮＦ／ＭＡ］×１００
ＮＦ：含フッ素重合体を構成する単位の種類毎に、単位を構成するフッ素原子の原子量の合計と、全単位に対する当該単位のモル比率とを乗じた値の総和。
ＭＡ：含フッ素重合体を構成する単位の種類毎に、単位を構成する全ての原子の原子量の合計と、全単位に対する当該単位のモル比率とを乗じた値の総和。
上記ＮＦ及びＭＡは、１Ｈ－ＮＭＲ、１9Ｆ－ＮＭＲ、元素分析、ＩＲにより得られる含フッ素重合体の構成単位のモル比率及び末端量から算出できる。また、ＮＦ及びＭＡは、含フッ素重合体の製造に使用する単量体、及び開始剤の仕込み量から算出することもできる。
【0059】
含フッ素重合体は、トリフルオロメチル部位を含有することが好ましい。「トリフルオロメチル部位」とは、ＣＦ３－を指す。トリフルオロメチル部位には、トリフルオロメチル基の他、ペンタフルオロエチル基に含まれるＣＦ３－など、置換基の一部の構成も含む。
トリフルオロメチル部位の含有量は０．１ｍｍｏｌ／ｇ以上が好ましく、０．３ｍｍｏｌ／ｇ以上がより好ましく、０．６ｍｍｏｌ／ｇ以上がさらに好ましい。トリフルオロメチル部位の含有量が高いほど、含フッ素重合体を材料とした樹脂膜の表面エネルギーが低くなる傾向にある。これにより、樹脂膜の表面に金属膜を成膜し難く、金属膜をパターニングしやすい。
トリフルオロメチル部位の含有量は０．１ｍｍｏｌ／ｇ以上が好ましく、０．３ｍｍｏｌ／ｇ以上がより好ましく、０．６ｍｍｏｌ／ｇ以上がさらに好ましい。トリフルオロメチル部位の含有量が高いほど、含フッ素重合体を材料とした樹脂膜の表面エネルギーが低くなる傾向にある。これにより、樹脂膜の表面に金属膜を成膜し難く、金属膜をパターニングしやすい。
【0060】
なお、トリフルオロメチル部位の含有量（ｍｍｏｌ／ｇ）は、下式で求められる。
（トリフルオロメチル部位の含有量）＝［ＮＣＦ３／ＭＡ］×１０００
ＮＣＦ３：含フッ素重合体を構成する単位の種類毎に、単位を構成するトリフルオロメチル部位のモル数と、全単位に対する当該単位のモル比率とを乗じた値の総和。
ＭＡ：含フッ素重合体を構成する単位の種類毎に、単位を構成する全ての原子の原子量の合計と、全単位に対する当該単位のモル比率とを乗じた値の総和。
上記ＮＣＦ３及びＭＡは、１Ｈ－ＮＭＲ、１9Ｆ－ＮＭＲ、元素分析、ＩＲにより得られる含フッ素重合体の構成単位のモル比率及び末端量から算出できる。また、ＮＣＦ３及びＭＡは、含フッ素重合体の製造に使用する単量体、及び開始剤の仕込み量から算出することもできる。
（トリフルオロメチル部位の含有量）＝［ＮＣＦ３／ＭＡ］×１０００
ＮＣＦ３：含フッ素重合体を構成する単位の種類毎に、単位を構成するトリフルオロメチル部位のモル数と、全単位に対する当該単位のモル比率とを乗じた値の総和。
ＭＡ：含フッ素重合体を構成する単位の種類毎に、単位を構成する全ての原子の原子量の合計と、全単位に対する当該単位のモル比率とを乗じた値の総和。
上記ＮＣＦ３及びＭＡは、１Ｈ－ＮＭＲ、１9Ｆ－ＮＭＲ、元素分析、ＩＲにより得られる含フッ素重合体の構成単位のモル比率及び末端量から算出できる。また、ＮＣＦ３及びＭＡは、含フッ素重合体の製造に使用する単量体、及び開始剤の仕込み量から算出することもできる。
【0061】
含フッ素重合体としては、以下の重合体（１）及び重合体（２）が好ましい。
重合体（１）：主鎖に脂肪族環を有さず、フルオロオレフィン単位を有する含フッ素重合体。
重合体（２）：主鎖に脂肪族環を有する含フッ素重合体。
本発明では、含フッ素重合体として、重合体（１）、（２）のうちのいずれか１つのみを使用してもよく、重合体（１）、（２）を併用してもよい。
重合体（１）：主鎖に脂肪族環を有さず、フルオロオレフィン単位を有する含フッ素重合体。
重合体（２）：主鎖に脂肪族環を有する含フッ素重合体。
本発明では、含フッ素重合体として、重合体（１）、（２）のうちのいずれか１つのみを使用してもよく、重合体（１）、（２）を併用してもよい。
【0062】
≪重合体（１）≫
重合体（１）は、フルオロオレフィンの単独重合体であってもよく、２種以上のフルオロオレフィンから成る共重合体であってもよく、フルオロオレフィンと、フルオロオレフィンと共重合可能な他の単量体との共重合体であってもよい。
重合体（１）は、フルオロオレフィンの単独重合体であってもよく、２種以上のフルオロオレフィンから成る共重合体であってもよく、フルオロオレフィンと、フルオロオレフィンと共重合可能な他の単量体との共重合体であってもよい。
【0063】
フルオロオレフィンとしては、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）等のペルフルオロオレフィン、ペルフルオロメチルビニルエーテル（ＰＭＶＥ）、ペルフルオロエチルビニルエーテル（ＰＥＶＥ）、ペルフルオロプロピルビニルエーテル（ＰＰＶＥ）等のペルフルオロアルキルビニルエーテルが挙げられる。
【0064】
また、フルオロオレフィンとしては、クロロトリフルオロエチレン（ＣＴＦＥ）、トリフルオロエチレン（ＴｒＦＥ）、ビニリデンフルオライド（ＶｄＦ）、１，２－ジフルオロエチレン、１－フルオロエチレン等の水素原子や塩素原子を有するフルオロオレフィンも挙げられる。
【0065】
フルオロオレフィンと共重合可能な他の単量体としては、例えば、エチレン、プロピレン等のオレフィン、ビニルエーテル、ビニルエステル、スチレン等の芳香族ビニル化合物、アリルエーテル等のアリル化合物、アクリロイル化合物、メタクリロイル化合物等が挙げられる。
また、ペルフルオロアルキル基やペルフルオロポリエーテル基を有する、ビニルエーテル、ビニルエステル、芳香族ビニル化合物、アリル化合物、アクリロイル化合物、メタクリロイル化合物等の含フッ素単量体も使用できる。
また、ペルフルオロアルキル基やペルフルオロポリエーテル基を有する、ビニルエーテル、ビニルエステル、芳香族ビニル化合物、アリル化合物、アクリロイル化合物、メタクリロイル化合物等の含フッ素単量体も使用できる。
【0066】
なかでも、重合体（１）は、ペルフルオロアルキルビニルエーテル単位を有することが好ましい。より具体的には、含フッ素重合体は、ＰＰＶＥ単位を有することが好ましい。
【0067】
重合体（１）は、ＰＰＶＥ単位の含有率が変化すると、結晶性が変化する。具体的には、含フッ素重合体に対するＰＰＶＥ単位の含有率が増えると、含フッ素重合体の結晶性が下がる。
ＰＰＶＥ単位の含有率は、含フッ素重合体を構成する全ての単量体単位の総モル数に対して、１１ｍｏｌ％以上が好ましく、１２ｍｏｌ％以上がより好ましく、１４ｍｏｌ％がさらに好ましい。また、ＰＰＶＥ単位の含有率は、含フッ素重合体を構成する全ての単量体単位の総モル数に対して、２５ｍｏｌ％以下が好ましい。
ＰＰＶＥ単位の含有率が上記範囲に含まれると、含フッ素重合体の融点が要件（１）を満たし、好適に蒸着が可能となる。
ＰＰＶＥ単位の含有率は、含フッ素重合体を構成する全ての単量体単位の総モル数に対して、１１ｍｏｌ％以上が好ましく、１２ｍｏｌ％以上がより好ましく、１４ｍｏｌ％がさらに好ましい。また、ＰＰＶＥ単位の含有率は、含フッ素重合体を構成する全ての単量体単位の総モル数に対して、２５ｍｏｌ％以下が好ましい。
ＰＰＶＥ単位の含有率が上記範囲に含まれると、含フッ素重合体の融点が要件（１）を満たし、好適に蒸着が可能となる。
【0068】
また、重合体（１）は、ＨＦＰ単位を有することが好ましい。
重合体（１）は、ＨＦＰ単位の含有率が変化すると、結晶性が変化する。具体的には、含フッ素重合体に対するＨＦＰ単位の含有率が増えると、含フッ素重合体の結晶性が下がる。
重合体（１）は、ＨＦＰ単位の含有率が変化すると、結晶性が変化する。具体的には、含フッ素重合体に対するＨＦＰ単位の含有率が増えると、含フッ素重合体の結晶性が下がる。
【0069】
ＨＦＰ単位の含有率は、含フッ素重合体を構成する全ての単量体単位の総モル数に対して、１８ｍｏｌ％以上が好ましく、２０ｍｏｌ％がより好ましい。また、ＨＦＰ単位の含有率は、含フッ素重合体を構成する全ての単量体単位の総モル数に対して、２５ｍｏｌ％以下が好ましい。
ＨＦＰ単位の含有率が上記範囲に含まれると、含フッ素重合体の融点が要件（１）を満たし、好適に蒸着が可能となる。
ＨＦＰ単位の含有率が上記範囲に含まれると、含フッ素重合体の融点が要件（１）を満たし、好適に蒸着が可能となる。
【0070】
重合体（１）が共重合体である場合、フルオロオレフィン単位の含有率は、２０ｍｏｌ％以上が好ましく、４０ｍｏｌ％以上がより好ましく、８０ｍｏｌ％以上がさらに好ましい。
【0071】
重合体（１）としては、合成したものを用いてもよく、市販品を用いてもよい。
重合体（１）としては、以下の重合体等が挙げられる。
ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）
テトラフルオロエチレン／ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）共重合体（ＰＦＡ）
テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）
テトラフルオロエチレン／ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）／ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＥＰＡ）
エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体（ＥＴＦＥ）
ポリビニリデンフルオリド（ＰＶＤＦ）
ポリビニルフルオリド（ＰＶＦ）
ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）
エチレン／クロロトリフルオロエチレン共重合体（ＥＣＴＦＥ）
重合体（１）としては、以下の重合体等が挙げられる。
ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）
テトラフルオロエチレン／ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）共重合体（ＰＦＡ）
テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）
テトラフルオロエチレン／ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）／ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＥＰＡ）
エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体（ＥＴＦＥ）
ポリビニリデンフルオリド（ＰＶＤＦ）
ポリビニルフルオリド（ＰＶＦ）
ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）
エチレン／クロロトリフルオロエチレン共重合体（ＥＣＴＦＥ）
【0072】
これらの中でも、含フッ素重合体を材料とした膜の表面に金属膜を成膜し難くパターニングしやすいことから、炭素原子に結合しているすべての水素原子がフッ素に置換された重合体が好ましい。すなわち、ＰＴＦＥ、ＰＦＡ、ＦＥＰ、ＥＰＡが好ましい。
【0073】
重合体（１）は、公知の方法を用いて製造できる。
重合体（１）としては、合成したものを用いてもよく、市販品を用いてもよい。
重合体（１）としては、合成したものを用いてもよく、市販品を用いてもよい。
【0074】
≪重合体（２）≫
重合体（２）は、主鎖に脂肪族環を有する含フッ素重合体である。
「主鎖に脂肪族環を有する含フッ素重合体」とは、含フッ素重合体が脂肪族環構造を有する単位を有し、かつ、該脂肪族環を構成する炭素原子の１個以上が主鎖を構成する炭素原子であることを意味する。脂肪族環は酸素原子等のヘテロ原子を有する環であってもよい。
重合体（２）は、主鎖に脂肪族環を有する含フッ素重合体である。
「主鎖に脂肪族環を有する含フッ素重合体」とは、含フッ素重合体が脂肪族環構造を有する単位を有し、かつ、該脂肪族環を構成する炭素原子の１個以上が主鎖を構成する炭素原子であることを意味する。脂肪族環は酸素原子等のヘテロ原子を有する環であってもよい。
【0075】
重合体の「主鎖」とは、モノエンの重合体においては、重合性二重結合を構成した２つの炭素原子に由来する炭素原子の連鎖をいう。
また、環化重合しうるジエンの環化重合体においては、２つの重合性二重結合を構成した４つの炭素原子に由来する炭素原子の連鎖をいう。
さらに、モノエンと環化重合しうるジエンとの共重合体においては、該モノエンの上記２つの炭素原子と該ジエンの上記４つの炭素原子とに由来する炭素原子の連鎖をいう。
また、環化重合しうるジエンの環化重合体においては、２つの重合性二重結合を構成した４つの炭素原子に由来する炭素原子の連鎖をいう。
さらに、モノエンと環化重合しうるジエンとの共重合体においては、該モノエンの上記２つの炭素原子と該ジエンの上記４つの炭素原子とに由来する炭素原子の連鎖をいう。
【0076】
上記モノエンが脂肪族環の環骨格を構成する１つの炭素原子と環外の炭素原子との間に重合性二重結合を有するモノエンである場合は、主鎖に脂肪族環を有する重合体の主鎖は、モノエンの重合性二重結合を構成していた環骨格を構成する１つの炭素原子を有する。また、上記モノエンが脂肪族環の環骨格を構成する隣接した２つの炭素原子の間に重合性二重結合を有するモノエンである場合は、主鎖に脂肪族環を有する重合体の主鎖は、モノエンの重合性二重結合を構成していた環骨格を構成する２つの炭素原子を有する。
上記環化重合しうるジエンである場合は、主鎖に脂肪族環を有する重合体の主鎖は、そのジエンが有する２つの重合性二重結合を構成していた４つの炭素原子から構成され、その４つの炭素原子の２～４個が脂肪族環の環骨格を構成する。
上記環化重合しうるジエンである場合は、主鎖に脂肪族環を有する重合体の主鎖は、そのジエンが有する２つの重合性二重結合を構成していた４つの炭素原子から構成され、その４つの炭素原子の２～４個が脂肪族環の環骨格を構成する。
【0077】
重合体（２）中の脂肪族環の環骨格を構成する原子の数は、４～７個が好ましく、５～６個が特に好ましい。すなわち、脂肪族環は４～７員環が好ましく、５～６員環が特に好ましい。脂肪族環の環を構成する原子としてヘテロ原子を有する場合、ヘテロ原子としては、酸素原子、窒素原子等が挙げられ、酸素原子が好ましい。また、環を構成するヘテロ原子の数は１～３個が好ましく、１個又は２個であることがより好ましい。
脂肪族環は置換基を有していてもよく、有さなくてもよい。「置換基を有していてもよい」とは、該脂肪族環の環骨格を構成する原子に置換基が結合してもよいことを意味する。
脂肪族環は置換基を有していてもよく、有さなくてもよい。「置換基を有していてもよい」とは、該脂肪族環の環骨格を構成する原子に置換基が結合してもよいことを意味する。
【0078】
重合体（２）の脂肪族環を構成する炭素原子に結合した水素原子はフッ素原子に置換されていることが好ましい。また、脂肪族環が置換基を有する場合、その置換基に炭素原子に結合した水素原子を有する場合も、その水素原子はフッ素原子に置換されていることが好ましい。フッ素原子を有する置換基としては、ペルフルオロアルキル基、ペルフルオロアルコキシ基、＝ＣＦ２等が挙げられる。
重合体（２）中の脂肪族環としては、ペルフルオロ脂肪族環（置換基を含め、炭素原子に結合した水素原子のすべてがフッ素原子に置換されている脂肪族環）が好ましい。
重合体（２）中の脂肪族環としては、ペルフルオロ脂肪族環（置換基を含め、炭素原子に結合した水素原子のすべてがフッ素原子に置換されている脂肪族環）が好ましい。
【0079】
重合体（２）としては、下記の重合体（２１）、（２２）が挙げられる。
重合体（２１）：環状含フッ素モノエンに由来する単位を有する含フッ素重合体、
重合体（２２）：環化重合しうる含フッ素ジエン（以下、単に「含フッ素ジエン」ともいう。）の環化重合により形成される単位を有する含フッ素重合体。
重合体（２１）：環状含フッ素モノエンに由来する単位を有する含フッ素重合体、
重合体（２２）：環化重合しうる含フッ素ジエン（以下、単に「含フッ素ジエン」ともいう。）の環化重合により形成される単位を有する含フッ素重合体。
【0080】
重合体（２１）：
「含フッ素環状モノエン」とは、脂肪族環を構成する炭素原子間に重合性二重結合を１個有する含フッ素単量体、又は、脂肪族環を構成する炭素原子と脂肪族環外の炭素原子との間に重合性二重結合を１個有する含フッ素単量体である。
含フッ素環状モノエンとしては、下記の化合物（１）又は化合物（２）が好ましい。
［式中、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｙ１及びＹ２は、それぞれ独立に、フッ素原子、エーテル性酸素原子（－Ｏ－）を含んでいてもよいペルフルオロアルキル基、又はエーテル性酸素原子を含んでいてもよいペルフルオロアルコキシ基である。Ｘ３及びＸ４は相互に結合して環を形成してもよい。］
「含フッ素環状モノエン」とは、脂肪族環を構成する炭素原子間に重合性二重結合を１個有する含フッ素単量体、又は、脂肪族環を構成する炭素原子と脂肪族環外の炭素原子との間に重合性二重結合を１個有する含フッ素単量体である。
含フッ素環状モノエンとしては、下記の化合物（１）又は化合物（２）が好ましい。
【化1】
【0081】
Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｙ１及びＹ２におけるペルフルオロアルキル基は、炭素数が１～７であることが好ましく、炭素数が１～４であることが特に好ましい。前記ペルフルオロアルキル基は、直鎖状又は分岐鎖状が好ましく、直鎖状が特に好ましい。具体的には、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基等が挙げられ、特にトリフルオロメチル基が好ましい。
Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｙ１及びＹ２におけるペルフルオロアルコキシ基としては、前記ペルフルオロアルキル基に酸素原子（－Ｏ－）が結合したものが挙げられ、トリフルオロメトキシ基が特に好ましい。
Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｙ１及びＹ２におけるペルフルオロアルコキシ基としては、前記ペルフルオロアルキル基に酸素原子（－Ｏ－）が結合したものが挙げられ、トリフルオロメトキシ基が特に好ましい。
【0082】
式（１）中、Ｘ１は、フッ素原子であることが好ましい。
Ｘ２は、フッ素原子、トリフルオロメチル基、又は炭素数１～４のペルフルオロアルコキシ基であることが好ましく、フッ素原子又はトリフルオロメトキシ基であることが特に好ましい。
Ｘ３及びＸ４は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１～４のペルフルオロアルキル基であることが好ましく、フッ素原子又はトリフルオロメチル基であることが特に好ましい。
Ｘ３及びＸ４は相互に結合して環を形成してもよい。前記環の環骨格を構成する原子の数は、４～７個が好ましく、５～６個が特に好ましい。
Ｘ２は、フッ素原子、トリフルオロメチル基、又は炭素数１～４のペルフルオロアルコキシ基であることが好ましく、フッ素原子又はトリフルオロメトキシ基であることが特に好ましい。
Ｘ３及びＸ４は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１～４のペルフルオロアルキル基であることが好ましく、フッ素原子又はトリフルオロメチル基であることが特に好ましい。
Ｘ３及びＸ４は相互に結合して環を形成してもよい。前記環の環骨格を構成する原子の数は、４～７個が好ましく、５～６個が特に好ましい。
【0083】
化合物（１）の好ましい具体例として、化合物（１－１）～（１－５）が挙げられる。
【化2】
【0084】
式（２）中、Ｙ１及びＹ２は、それぞれ独立に、フッ素原子、炭素数１～４のペルフルオロアルキル基又は炭素数１～４のペルフルオロアルコキシ基であることが好ましく、フッ素原子又はトリフルオロメチル基であることが特に好ましい。
化合物（２）の好ましい具体例として、化合物（２－１），（２－２）が挙げられる。
化合物（２）の好ましい具体例として、化合物（２－１），（２－２）が挙げられる。
【化3】
【0085】
重合体（２１）は、前記の含フッ素環状モノエンの単独重合体であってもよく、含フッ素環状モノエンと共重合可能な他の単量体の共重合体であってもよい。
ただし、重合体（２１）中の全単位に対する含フッ素環状モノエンに由来する単位の含有率は、２０モル％以上が好ましく、４０モル％以上がより好ましく、１００モル％がさらに好ましい。
ただし、重合体（２１）中の全単位に対する含フッ素環状モノエンに由来する単位の含有率は、２０モル％以上が好ましく、４０モル％以上がより好ましく、１００モル％がさらに好ましい。
【0086】
含フッ素環状モノエンと共重合可能な他の単量体としては、たとえば、含フッ素ジエン、側鎖に反応性官能基を有する単量体、テトラフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン、ペルフルオロアルキルビニルエーテル等が挙げられる。
含フッ素ジエンとしては、後述する重合体（２２）の説明で挙げるものと同様のものが挙げられる。側鎖に反応性官能基を有する単量体としては、重合性二重結合及び反応性官能基を有する単量体が挙げられる。重合性二重結合としては、ＣＦ２＝ＣＦ－、ＣＦ２＝ＣＨ－、ＣＨ２＝ＣＦ－、ＣＦＨ＝ＣＦ－、ＣＦＨ＝ＣＨ－、ＣＦ２＝Ｃ－、ＣＦ＝ＣＦ－等が挙げられる。反応性官能基としては、後述する重合体（２２）の説明で挙げるものと同様のものが挙げられる。
含フッ素環状モノエンと含フッ素ジエンとの共重合により得られる重合体は、重合体（２１）とする。
含フッ素ジエンとしては、後述する重合体（２２）の説明で挙げるものと同様のものが挙げられる。側鎖に反応性官能基を有する単量体としては、重合性二重結合及び反応性官能基を有する単量体が挙げられる。重合性二重結合としては、ＣＦ２＝ＣＦ－、ＣＦ２＝ＣＨ－、ＣＨ２＝ＣＦ－、ＣＦＨ＝ＣＦ－、ＣＦＨ＝ＣＨ－、ＣＦ２＝Ｃ－、ＣＦ＝ＣＦ－等が挙げられる。反応性官能基としては、後述する重合体（２２）の説明で挙げるものと同様のものが挙げられる。
含フッ素環状モノエンと含フッ素ジエンとの共重合により得られる重合体は、重合体（２１）とする。
【0087】
重合体（２２）：
「含フッ素ジエン」とは、２個の重合性二重結合及びフッ素原子を有する環化重合しうる含フッ素単量体である。重合性二重結合としては、ビニル基、アリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基が好ましい。含フッ素ジエンとしては、下記化合物（３）が好ましい。
ＣＦ２＝ＣＦ－Ｑ－ＣＦ＝ＣＦ２ ・・・（３）
「含フッ素ジエン」とは、２個の重合性二重結合及びフッ素原子を有する環化重合しうる含フッ素単量体である。重合性二重結合としては、ビニル基、アリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基が好ましい。含フッ素ジエンとしては、下記化合物（３）が好ましい。
ＣＦ２＝ＣＦ－Ｑ－ＣＦ＝ＣＦ２ ・・・（３）
【0088】
式（３）中、Ｑは、エーテル性酸素原子を含んでいてもよく、フッ素原子の一部がフッ素原子以外のハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１～５、好ましくは１～３の、分岐を有してもよいペルフルオロアルキレン基である。該フッ素以外のハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子等が挙げられる。
Ｑは、エーテル性酸素原子を含むペルフルオロアルキレン基であることが好ましい。その場合、前記ペルフルオロアルキレン基におけるエーテル性酸素原子は、前記ペルフルオロアルキレン基の一方の末端に存在していてもよく、前記ペルフルオロアルキレン基の両末端に存在していてもよく、前記ペルフルオロアルキレン基の炭素原子間に存在していてもよい。環化重合性の点から、前記ペルフルオロアルキレン基の一方の末端にエーテル性酸素原子が存在していることが好ましい。
Ｑは、エーテル性酸素原子を含むペルフルオロアルキレン基であることが好ましい。その場合、前記ペルフルオロアルキレン基におけるエーテル性酸素原子は、前記ペルフルオロアルキレン基の一方の末端に存在していてもよく、前記ペルフルオロアルキレン基の両末端に存在していてもよく、前記ペルフルオロアルキレン基の炭素原子間に存在していてもよい。環化重合性の点から、前記ペルフルオロアルキレン基の一方の末端にエーテル性酸素原子が存在していることが好ましい。
【0089】
化合物（３）の具体例としては、下記化合物が挙げられる。
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ＝ＣＦ２、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ＝ＣＦ２、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ＝ＣＦ２、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ＝ＣＦ２、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＣＦ＝ＣＦ２、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦＣｌＣＦ２ＣＦ＝ＣＦ２、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＣｌ２ＣＦ２ＣＦ＝ＣＦ２、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＯＣＦ＝ＣＦ２、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣ（ＣＦ３）２ＯＣＦ＝ＣＦ２、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ（ＯＣＦ３）ＣＦ＝ＣＦ２、
ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２ＣＦ＝ＣＦ２、
ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２ＣＦ２ＣＦ＝ＣＦ２、
ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ＝ＣＦ２。
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ＝ＣＦ２、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ＝ＣＦ２、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ＝ＣＦ２、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ＝ＣＦ２、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＣＦ＝ＣＦ２、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦＣｌＣＦ２ＣＦ＝ＣＦ２、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＣｌ２ＣＦ２ＣＦ＝ＣＦ２、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＯＣＦ＝ＣＦ２、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣ（ＣＦ３）２ＯＣＦ＝ＣＦ２、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ（ＯＣＦ３）ＣＦ＝ＣＦ２、
ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２ＣＦ＝ＣＦ２、
ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２ＣＦ２ＣＦ＝ＣＦ２、
ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ＝ＣＦ２。
【0090】
化合物（３）の環化重合により形成される単位として、下記単位（３－１）～（３－４）が挙げられる。
【化4】
【0091】
重合体（２２）は、含フッ素ジエンの単独重合体であってもよく、含フッ素ジエンと共重合可能な他の単量体の共重合体であってもよい。
含フッ素ジエンと共重合可能な他の単量体としては、たとえば、側鎖に反応性官能基を有する単量体、テトラフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン、ペルフルオロ（メチルビニルエーテル）等が挙げられる。
含フッ素ジエンと共重合可能な他の単量体としては、たとえば、側鎖に反応性官能基を有する単量体、テトラフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン、ペルフルオロ（メチルビニルエーテル）等が挙げられる。
【0092】
重合体（２２）の具体例としては、たとえば、ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ＝ＣＦ２（ペルフルオロ（３－ブテニルビニルエーテル））を環化重合させて得られる、下式（３－１－１）で表される単位を有する重合体が挙げられる。
なお、以下、ペルフルオロ（３－ブテニルビニルエーテル）を「ＢＶＥ」という。
ただし、式（３－１－１）中、ｐは５～１０００の整数である。
ｐは、１０～８００の整数が好ましく、１０～５００の整数が特に好ましい。
なお、以下、ペルフルオロ（３－ブテニルビニルエーテル）を「ＢＶＥ」という。
【化5】
ｐは、１０～８００の整数が好ましく、１０～５００の整数が特に好ましい。
【0093】
重合体（２）としては、合成したものを用いてもよく、市販品を用いてもよい。
重合体（２）の具体例としては、ＢＶＥ環化重合体（ＡＧＣ社製：サイトップ（登録商標））、テトラフルオロエチレン／ペルフルオロ（４－メトキシ－１，３－ジオキソール）共重合体（ソルベイ社製：ハイフロン（登録商標）ＡＤ）、テトラフルオロエチレン／ペルフルオロ（２，２－ジメチル－１，３－ジオキソール）共重合体（Ｄｕｐｏｎｔ社製：テフロン（登録商標）ＡＦ）、ペルフルオロ（４－メチル－２－メチレン－１，３－ジオキソラン）重合体（ＭＭＤ重合体）が好ましい。
重合体（２）の具体例としては、ＢＶＥ環化重合体（ＡＧＣ社製：サイトップ（登録商標））、テトラフルオロエチレン／ペルフルオロ（４－メトキシ－１，３－ジオキソール）共重合体（ソルベイ社製：ハイフロン（登録商標）ＡＤ）、テトラフルオロエチレン／ペルフルオロ（２，２－ジメチル－１，３－ジオキソール）共重合体（Ｄｕｐｏｎｔ社製：テフロン（登録商標）ＡＦ）、ペルフルオロ（４－メチル－２－メチレン－１，３－ジオキソラン）重合体（ＭＭＤ重合体）が好ましい。
【0094】
（含フッ素重合体の末端構造）
含フッ素重合体は、通常、上述した各単量体を、ラジカル重合開始剤を用いたラジカル重合することにより重合される。この場合、重合終了時の含フッ素重合体は、分子鎖（主鎖）の末端の構造が、重合で用いたラジカル重合開始剤のフラグメントが付加した構造であることが考えられる。また、重合に際して連鎖移動剤を用いた場合、分子鎖（主鎖）の末端の構造は、連鎖移動剤のフラグメントが付加した構造を取り得る。
含フッ素重合体は、上記末端の構造が他の構造に変換されてもよい。例えば、上述した重合終了時の含フッ素重合体について２５０℃以上に熱処理することにより、主鎖の末端の構造は、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｆとなり、含フッ素重合体は酸フッ化物となる。
含フッ素重合体は、通常、上述した各単量体を、ラジカル重合開始剤を用いたラジカル重合することにより重合される。この場合、重合終了時の含フッ素重合体は、分子鎖（主鎖）の末端の構造が、重合で用いたラジカル重合開始剤のフラグメントが付加した構造であることが考えられる。また、重合に際して連鎖移動剤を用いた場合、分子鎖（主鎖）の末端の構造は、連鎖移動剤のフラグメントが付加した構造を取り得る。
含フッ素重合体は、上記末端の構造が他の構造に変換されてもよい。例えば、上述した重合終了時の含フッ素重合体について２５０℃以上に熱処理することにより、主鎖の末端の構造は、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｆとなり、含フッ素重合体は酸フッ化物となる。
【0095】
上記酸フッ化物をメタノール処理することにより、主鎖の末端の構造は、メチルエステル基となる。メチルエステル基は、簡便なメタノール処理により、反応性が高い酸フッ化物から変換可能である。そのため、得られる含フッ素重合体の安定性を向上させやすいため好ましい。
さらに、上記酸フッ化物をフッ化処理することで、主鎖の末端の構造は、トリフルオロメチル基となる。フッ化処理としては、例えば、特開平１１－１５２３１０号公報の段落００４０に記載された処理方法を挙げることができる。トリフルオロメチル基は、耐熱性が高く、得られる含フッ素重合体の耐熱性が向上しやすいため好ましい。また、末端をトリフルオロメチル基とすると、得られた樹脂膜の表面エネルギーが低くなり、含フッ素重合体を材料とした膜の表面に金属膜を成膜し難くパターニングしやすいため好ましい。
また、含フッ素重合体は、主鎖の末端の構造がメチルエステル基やトリフルオロメチル基であると、主鎖の末端における分子間相互作用が小さく、蒸着しやすくなるため好ましい。
上述した主鎖の末端の構造は、赤外線分光分析により確認できる。
さらに、上記酸フッ化物をフッ化処理することで、主鎖の末端の構造は、トリフルオロメチル基となる。フッ化処理としては、例えば、特開平１１－１５２３１０号公報の段落００４０に記載された処理方法を挙げることができる。トリフルオロメチル基は、耐熱性が高く、得られる含フッ素重合体の耐熱性が向上しやすいため好ましい。また、末端をトリフルオロメチル基とすると、得られた樹脂膜の表面エネルギーが低くなり、含フッ素重合体を材料とした膜の表面に金属膜を成膜し難くパターニングしやすいため好ましい。
また、含フッ素重合体は、主鎖の末端の構造がメチルエステル基やトリフルオロメチル基であると、主鎖の末端における分子間相互作用が小さく、蒸着しやすくなるため好ましい。
上述した主鎖の末端の構造は、赤外線分光分析により確認できる。
【0096】
（含フッ素重合体の分子量）
結晶性の高い含フッ素重合体は溶媒への溶解性が低いため分子量の測定が困難だが、非晶性の含フッ素重合体は含フッ素溶媒への溶解性が高いため、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）等による分子量測定が可能である。
結晶性の高い含フッ素重合体は溶媒への溶解性が低いため分子量の測定が困難だが、非晶性の含フッ素重合体は含フッ素溶媒への溶解性が高いため、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）等による分子量測定が可能である。
【0097】
含フッ素重合体の重量平均分子量（以下、「Ｍｗ」で表す。）は１０００～２００００が好ましく、１５００～１５０００がより好ましく、２０００～１００００がさらに好ましい。
【0098】
重量平均分子量が１０００より小さい場合は、含フッ素樹脂の軟化温度が低くなり、素子作製におけるプロセス温度や、素子の使用条件において、含フッ素重合体からなる膜の形状を保持できないおそれがある。
重量平均分子量が２００００より大きい場合は、蒸着の際に含フッ素重合体の主鎖が開裂し、含フッ素重合体が低分子量化してしまい、形成される層の強度が不十分となり、さらに分解物に由来する欠陥が発生し、平滑な表面を得にくい。また、主鎖の開裂により生じ意図せず混入した分子又はイオンが、含フッ素重合体を材料とする樹脂膜に隣接する導電膜の導電性に影響を与える可能性が想定される。また、本実施形態の含フッ素重合体を用いて樹脂膜を作製し、得られた樹脂膜を用いて後述するように導電膜のパターニングを行う場合に、導電膜を有する素子の寿命（例えば有機ＥＬ素子の発光寿命）を短くするおそれがある。
よって含フッ素重合体のＭｗが１０００～２００００の範囲であれば、含フッ素重合体の主鎖が開裂を起こすことなく、十分な強度と平滑な表面を有する層が形成できる。
重量平均分子量が２００００より大きい場合は、蒸着の際に含フッ素重合体の主鎖が開裂し、含フッ素重合体が低分子量化してしまい、形成される層の強度が不十分となり、さらに分解物に由来する欠陥が発生し、平滑な表面を得にくい。また、主鎖の開裂により生じ意図せず混入した分子又はイオンが、含フッ素重合体を材料とする樹脂膜に隣接する導電膜の導電性に影響を与える可能性が想定される。また、本実施形態の含フッ素重合体を用いて樹脂膜を作製し、得られた樹脂膜を用いて後述するように導電膜のパターニングを行う場合に、導電膜を有する素子の寿命（例えば有機ＥＬ素子の発光寿命）を短くするおそれがある。
よって含フッ素重合体のＭｗが１０００～２００００の範囲であれば、含フッ素重合体の主鎖が開裂を起こすことなく、十分な強度と平滑な表面を有する層が形成できる。
【0099】
含フッ素重合体の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて測定する値である。まず、分子量既知のＰＭＭＡ標準試料を、ＧＰＣを用いて測定し、ピークトップの溶出時間と分子量から、較正曲線を作成する。ついで、含フッ素重合体を測定し、較正曲線からＭｗとＭｎを求める。移動相溶媒には１，１，１，２，３，４，４，５，５，５－デカフルオロ－３－メトキシ－２－（トリフルオロメチル）ペンタン／ヘキサフルオロイソプロピルアルコール（体積比で８５／１５）の混合溶媒を用いる。
【0100】
「分子量分布」とは、数平均分子量（以下、「Ｍｎ」で表す。）に対するＭｗの割合、すなわち、Ｍｗ／Ｍｎをいう。形成される層における品質の安定性の観点から、含フッ素重合体の分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は小さい方が好ましく、２以下が好ましい。含フッ素重合体の分子量分布は、１．５以下がより好ましく、１．２以下がさらに好ましい。なお分子量分布の理論的な下限値は１である。
含フッ素重合体の分子量分布が小さいほど、蒸着条件の変動が少なくなり、また、膜厚方向において均質な相分離構造が形成されやすい。
含フッ素重合体の分子量分布が小さいほど、蒸着条件の変動が少なくなり、また、膜厚方向において均質な相分離構造が形成されやすい。
【0101】
分子量分布の小さい含フッ素重合体を得る方法としては、リビングラジカル重合等の制御重合による分子量調整や、昇華精製や超臨界抽出、サイズ排除クロマトグラフィによる分子量を分画する方法が挙げられる。
本明細書中、重量平均分子量及び分子量分布はゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定される値である。
本明細書中、重量平均分子量及び分子量分布はゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定される値である。
【0102】
（樹脂膜の表面エネルギー）
上記含フッ素重合体としては、含フッ素重合体を材料とする樹脂膜の表面エネルギーが３０ｍＮ／ｍ以下であるものが好ましく、２５ｍＮ／ｍ以下であるものがより好ましく、２０ｍＮ／ｍ以下であるものがさらに好ましい。樹脂膜がこのような表面エネルギーを有すると、金属材料をドライコーティングする際に、金属材料が樹脂膜の表面に付着し難く、パターニングが容易となる。
樹脂膜の表面エネルギーは、用いる含フッ素重合体のフッ素原子含有率や、トリフルオロメチル部位の含有率を変更することで調整可能である。含フッ素重合体のフッ素原子含有率や、トリフルオロメチル部位の含有率をそれぞれ高くすると、樹脂膜の表面エネルギーが小さくなる。
上記含フッ素重合体としては、含フッ素重合体を材料とする樹脂膜の表面エネルギーが３０ｍＮ／ｍ以下であるものが好ましく、２５ｍＮ／ｍ以下であるものがより好ましく、２０ｍＮ／ｍ以下であるものがさらに好ましい。樹脂膜がこのような表面エネルギーを有すると、金属材料をドライコーティングする際に、金属材料が樹脂膜の表面に付着し難く、パターニングが容易となる。
樹脂膜の表面エネルギーは、用いる含フッ素重合体のフッ素原子含有率や、トリフルオロメチル部位の含有率を変更することで調整可能である。含フッ素重合体のフッ素原子含有率や、トリフルオロメチル部位の含有率をそれぞれ高くすると、樹脂膜の表面エネルギーが小さくなる。
【0103】
（樹脂膜）
図２，３は、本実施形態の樹脂膜を示す説明図であり、詳しくは樹脂膜を用いて製造した導電膜の説明図である。図２は、樹脂膜を有する導電膜１の平面図、図３は、図２の線分III－IIIにおける矢視断面図である。
図２，３は、本実施形態の樹脂膜を示す説明図であり、詳しくは樹脂膜を用いて製造した導電膜の説明図である。図２は、樹脂膜を有する導電膜１の平面図、図３は、図２の線分III－IIIにおける矢視断面図である。
【0104】
図２，３に示すように導電膜１は、第１膜１０と、本実施形態の樹脂膜１５と、第２膜２０を有する。
導電膜１は、基材５０に設けられている。基材５０は、導電膜１を形成する対象である。基材５０は、光透過性を有している。
第２膜２０は、基材５０の上に設けられ、第１膜１０は、第２膜２０の上に設けられている。樹脂膜１５は、第１膜１０と第２膜２０との間に設けられている。すなわち、基材５０の上には、第１膜１０、樹脂膜１５、第２膜２０がこの順に積層している。
導電膜１は、基材５０に設けられている。基材５０は、導電膜１を形成する対象である。基材５０は、光透過性を有している。
第２膜２０は、基材５０の上に設けられ、第１膜１０は、第２膜２０の上に設けられている。樹脂膜１５は、第１膜１０と第２膜２０との間に設けられている。すなわち、基材５０の上には、第１膜１０、樹脂膜１５、第２膜２０がこの順に積層している。
【0105】
（第１膜）
第１膜１０は、第１導電性材料を材料とする金属膜である。第１膜１０の材料である第１導電性材料としては、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、マグネシウム銀（ＭｇＡｇ）及びイッテルビウム銀（ＹｂＡｇ）などの金属、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）及び酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の導電性酸化物を挙げることができる。
第１膜１０は、第１導電性材料を材料とする金属膜である。第１膜１０の材料である第１導電性材料としては、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、マグネシウム銀（ＭｇＡｇ）及びイッテルビウム銀（ＹｂＡｇ）などの金属、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）及び酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の導電性酸化物を挙げることができる。
【0106】
第１膜１０は、第１領域１０Ａと、第１領域１０Ａよりも光透過率が高い第２領域１０Ｂと、を有している。導電膜１では、第１領域１０Ａには導電膜１１が位置しており、第２領域１０Ｂには導電膜１２が位置している。導電膜１１と導電膜１２とは、一体となり第１膜１０を構成している。
図２に示すように、導電膜１では、複数の第２領域１０Ｂ、すなわち複数の導電膜１２がマトリクス状に配列しており、残る部分に格子状の第１領域１０Ａ、すなわち格子状の導電膜１１を有している。図２では第２領域１０Ｂが平面視で矩形であることとしているが、これに限らず、設計に応じた種々の平面視形状を採用可能である。
図２に示すように、導電膜１では、複数の第２領域１０Ｂ、すなわち複数の導電膜１２がマトリクス状に配列しており、残る部分に格子状の第１領域１０Ａ、すなわち格子状の導電膜１１を有している。図２では第２領域１０Ｂが平面視で矩形であることとしているが、これに限らず、設計に応じた種々の平面視形状を採用可能である。
【0107】
導電膜１１の下面１１ａは、第２膜２０に接している。また、導電膜１１の側面１１ｂは、樹脂膜１５に接している。
導電膜１２の下面１２ａは、樹脂膜１５に接している。
導電膜１２は、導電膜１１よりも薄い。例えば、導電膜１１の膜厚は１０ｎｍ～１０００ｎｍであり、導電膜１２の膜厚は０ｎｍ～５０ｎｍである。５０ｎｍ以下にまで薄く成膜された導電膜１１は光透過性を有する。
導電膜１１は、導電膜１全体の導電性確保のため、導電膜１２よりも厚く形成されている。導電膜１１は、必要とする導電性を確保できるのであれば、光透過性を有していてもよく、光透過性を有さなくてもよい。
導電膜１２の下面１２ａは、樹脂膜１５に接している。
導電膜１２は、導電膜１１よりも薄い。例えば、導電膜１１の膜厚は１０ｎｍ～１０００ｎｍであり、導電膜１２の膜厚は０ｎｍ～５０ｎｍである。５０ｎｍ以下にまで薄く成膜された導電膜１１は光透過性を有する。
導電膜１１は、導電膜１全体の導電性確保のため、導電膜１２よりも厚く形成されている。導電膜１１は、必要とする導電性を確保できるのであれば、光透過性を有していてもよく、光透過性を有さなくてもよい。
【0108】
（第２膜）
第２膜２０は基材５０の表面５０ａに設けられている。第２膜２０は、第２導電性材料を材料とする金属膜である。第２膜２０の材料である第２導電性材料としては、上記第１導電性材料として使用可能な材料と同じ材料を挙げることができる。
第１膜１０の材料である第１導電性材料と、第２膜２０の材料である第２導電性材料とは、同じであってもよく、異なっていてもよい。第１膜１０と第２膜２０との界面における接触抵抗を抑制するため、第１導電性材料と第２導電性材料とは同じであることがより好ましい。
第２膜２０は基材５０の表面５０ａに設けられている。第２膜２０は、第２導電性材料を材料とする金属膜である。第２膜２０の材料である第２導電性材料としては、上記第１導電性材料として使用可能な材料と同じ材料を挙げることができる。
第１膜１０の材料である第１導電性材料と、第２膜２０の材料である第２導電性材料とは、同じであってもよく、異なっていてもよい。第１膜１０と第２膜２０との界面における接触抵抗を抑制するため、第１導電性材料と第２導電性材料とは同じであることがより好ましい。
【0109】
第２膜２０は、光透過性を有する。第２膜２０は、導電膜１１よりも光透過率が高い。第２膜２０の膜厚は５ｎｍ～６０ｎｍである。
また、第２膜２０は、導電膜１２と平面的に重なる。そのため、第２膜２０の膜厚及び導電膜１２の合計膜厚は、第２領域１０Ｂにおいて光透過性を有するように適宜調整するとよい。
また、第２膜２０は、導電膜１２と平面的に重なる。そのため、第２膜２０の膜厚及び導電膜１２の合計膜厚は、第２領域１０Ｂにおいて光透過性を有するように適宜調整するとよい。
【0110】
発光素子や受光素子等の各種の光電子素子に用いられる透明電極として、第２膜２０のみを用いることも可能である。一方で、光透過性を有するほど薄く形成された第２膜２０は、配線抵抗が高い。
これに対し、導電膜１は、第２膜２０と第１膜１０とが積層されている。
そのため、第１領域１０Ａと重なる位置においては、導電膜１１と第２膜２０とが積層して厚膜化される。これにより、第２領域１０Ｂと重なる位置において光透過性を確保しながら、導電膜１全体としては低抵抗化できる。
これに対し、導電膜１は、第２膜２０と第１膜１０とが積層されている。
そのため、第１領域１０Ａと重なる位置においては、導電膜１１と第２膜２０とが積層して厚膜化される。これにより、第２領域１０Ｂと重なる位置において光透過性を確保しながら、導電膜１全体としては低抵抗化できる。
【0111】
（樹脂膜）
樹脂膜１５は、上述した本実施形態の含フッ素重合体を材料とする。樹脂膜１５は、第２領域１０Ｂと重なって配置されている。樹脂膜１５は、後述する導電膜の製造方法において説明するように、第１膜１０の第１領域１０Ａと第２領域１０Ｂとをドライコーティングでパターニングするために用いられる。
樹脂膜１５の材料である含フッ素重合体は、吸光度が低く、また屈折率が低いことから、近赤外領域を含む広い波長範囲で光吸収が少なく、光学特性に優れるという特長を有する。そのため、樹脂膜１５は、光透過性を有する第２領域１０Ｂと重なっても、第２領域１０Ｂの光透過性を阻害しない。
樹脂膜１５は、上述した本実施形態の含フッ素重合体を材料とする。樹脂膜１５は、第２領域１０Ｂと重なって配置されている。樹脂膜１５は、後述する導電膜の製造方法において説明するように、第１膜１０の第１領域１０Ａと第２領域１０Ｂとをドライコーティングでパターニングするために用いられる。
樹脂膜１５の材料である含フッ素重合体は、吸光度が低く、また屈折率が低いことから、近赤外領域を含む広い波長範囲で光吸収が少なく、光学特性に優れるという特長を有する。そのため、樹脂膜１５は、光透過性を有する第２領域１０Ｂと重なっても、第２領域１０Ｂの光透過性を阻害しない。
【0112】
上述した本実施形態の含フッ素重合体は、後述する製造方法に適した物性を有する。そのため、本実施形態の含フッ素重合体を用いると、好適にパターニングされた導電膜１を製造できる。
【0113】
（導電膜の製造方法）
図４～６は、上述した導電膜１の製造方法を示す模式図である。以下に説明するように、上述の含フッ素重合体を材料とする樹脂膜を有することで、目的とする物性を有する導電膜１を容易に製造することができる。
まず、図４に示すように、基材５０の表面に上述した第２導電性材料を成膜し、第２膜２０を得る。第２膜２０は、例えば蒸着、スパッタ、ＣＶＤ（chemical vapor deposition）、ＡＬＤ（Atomic Layer. Deposition）等のドライコーティング法により成膜できる。第２膜２０は、本発明における「下地層」に該当する。
図４～６は、上述した導電膜１の製造方法を示す模式図である。以下に説明するように、上述の含フッ素重合体を材料とする樹脂膜を有することで、目的とする物性を有する導電膜１を容易に製造することができる。
まず、図４に示すように、基材５０の表面に上述した第２導電性材料を成膜し、第２膜２０を得る。第２膜２０は、例えば蒸着、スパッタ、ＣＶＤ（chemical vapor deposition）、ＡＬＤ（Atomic Layer. Deposition）等のドライコーティング法により成膜できる。第２膜２０は、本発明における「下地層」に該当する。
【0114】
次いで、図５に示すように、第２膜２０の表面２０ａに、マスクＭを介して本実施形態の含フッ素重合体Ｐを、減圧下で蒸着する。マスクＭは、マトリクス状に配列した開口部Ｍ２と、格子状に設けられた遮蔽部Ｍ１とを有する。
含フッ素重合体Ｐの蒸着は、例えば、１×１０－３Ｐａの圧力下において含フッ素重合体を加熱して行う。
含フッ素重合体Ｐの蒸着は、例えば、１×１０－３Ｐａの圧力下において含フッ素重合体を加熱して行う。
【0115】
含フッ素重合体Ｐは、マスクＭの開口部Ｍ２を通過して第２膜２０の表面２０ａに達する一方で、マスクＭの遮蔽部Ｍ１で遮蔽される。これにより、含フッ素重合体Ｐを材料とする樹脂膜１５が形成される。
樹脂膜１５は、表面２０ａ上にマトリクス状に配列している。また、樹脂膜１５が形成されていない箇所では、第２膜２０が格子状に露出している。
樹脂膜１５は、表面２０ａ上にマトリクス状に配列している。また、樹脂膜１５が形成されていない箇所では、第２膜２０が格子状に露出している。
【0116】
次いで、図６に示すように、樹脂膜１５の上から、上述した第１導電性材料１０Ｘをドライコーティングする。ドライコーティングとしては、蒸着、スパッタ、ＡＬＤ（Atomic Layer. Deposition）等を採用できる。
【0117】
第１導電性材料１０Ｘは、含フッ素重合体を材料とする樹脂膜１５の表面には付着しにくく、第２導電性材料を材料とする第２膜２０の表面には付着しやすい。そのため、マスクを使用することなく基材５０の上方から全面に第１導電性材料１０Ｘをドライコーティングすることにより、第２膜２０の表面には第１導電性材料１０Ｘが相対的に厚く成膜され、樹脂膜１５の表面には第１導電性材料１０Ｘが相対的に薄く成膜される。言い換えると、基材５０の上方から全面に第１導電性材料１０Ｘをドライコーティングすることにより、樹脂膜１５が設けられている箇所と、樹脂膜１５が設けられていない箇所とで、第１導電性材料１０Ｘがパターニングされる。
これにより、第２膜２０の表面には、格子状の導電膜１１が成膜される。また、樹脂膜１５の位置に対応して、マトリクス状に導電膜１２が成膜される。導電膜１１と導電膜１２とは、第１膜１０を構成する。
これにより、第２膜２０の表面には、格子状の導電膜１１が成膜される。また、樹脂膜１５の位置に対応して、マトリクス状に導電膜１２が成膜される。導電膜１１と導電膜１２とは、第１膜１０を構成する。
【0118】
これにより、導電膜１が得られる。導電膜１１が形成された位置は、第１領域１０Ａである。また、導電膜１２が形成された位置は、第２領域１０Ｂである。
仮に、マスク蒸着にて導電膜１１を直接製造しようとした場合、マトリクス状に遮蔽部を有するマスクを用いる必要がある。このようなマスクは、遮蔽部を保持するための保持部が必要となるため、保持部に遮蔽される部分では導電膜１１が形成されず、得られる導電膜１１の膜厚が変化しやすい。又は、ストライプ状のマスクを用い、複数回に分けて蒸着することで、格子状の導電膜１１を形成することも考えられるが、マスクの位置合わせが困難であり、作業が煩雑となる。
さらに、マスクの材料が金属である場合、蒸着にて導電膜１１を製造しようとすると、蒸着する第１導電性材料１０Ｘがメタルマスクに徐々に付着し、マスクの開口部の大きさが変化するおそれがある。この場合、メタルマスクに付着した第１導電性材料１０Ｘを洗浄して取り除くか、新規のマスクに取り換える必要があり、煩雑な作業と膨大なコストが必要となる。
仮に、マスク蒸着にて導電膜１１を直接製造しようとした場合、マトリクス状に遮蔽部を有するマスクを用いる必要がある。このようなマスクは、遮蔽部を保持するための保持部が必要となるため、保持部に遮蔽される部分では導電膜１１が形成されず、得られる導電膜１１の膜厚が変化しやすい。又は、ストライプ状のマスクを用い、複数回に分けて蒸着することで、格子状の導電膜１１を形成することも考えられるが、マスクの位置合わせが困難であり、作業が煩雑となる。
さらに、マスクの材料が金属である場合、蒸着にて導電膜１１を製造しようとすると、蒸着する第１導電性材料１０Ｘがメタルマスクに徐々に付着し、マスクの開口部の大きさが変化するおそれがある。この場合、メタルマスクに付着した第１導電性材料１０Ｘを洗浄して取り除くか、新規のマスクに取り換える必要があり、煩雑な作業と膨大なコストが必要となる。
【0119】
一方で、上述した製造方法では、図６に示すように上述した含フッ素重合体Ｐを材料とする樹脂膜１５を成膜した上から、全面に第１導電性材料１０Ｘを蒸着することにより、自然に導電膜１１と導電膜１２とのパターニングがなされた第１膜１０が得られる。樹脂膜１５はマスク蒸着により精密に成膜できる。そのため、上述した導電膜の製造方法によれば、精密にパターニングされた導電膜を容易に製造できる。
【0120】
以上のような構成の含フッ素重合体によれば、蒸着に適しており、好適に金属パターニングすることができる。
以上のような構成の樹脂膜によれば、好適に金属パターニングが可能となる。
以上のような構成の樹脂膜によれば、好適に金属パターニングが可能となる。
【0121】
［第２実施形態］
図７は、本発明の第２実施形態に係る光電子素子（有機ＥＬ素子）１００を示す断面模式図である。有機ＥＬ素子１００は、基板１１０、陽極１１１、隔壁１１２、機能層１１３、陰極１１５が積層した構造を有している。機能層１１３には、発光層が含まれる。
本実施形態の有機ＥＬ素子１００は、機能層１１３で生じた光が、陰極１１５を介して外部へ射出されるトップエミッション方式を採用している。
図７は、本発明の第２実施形態に係る光電子素子（有機ＥＬ素子）１００を示す断面模式図である。有機ＥＬ素子１００は、基板１１０、陽極１１１、隔壁１１２、機能層１１３、陰極１１５が積層した構造を有している。機能層１１３には、発光層が含まれる。
本実施形態の有機ＥＬ素子１００は、機能層１１３で生じた光が、陰極１１５を介して外部へ射出されるトップエミッション方式を採用している。
【0122】
（基板）
基板１１０は、光透過性を備えていてもよく、光透過性を備えなくてもよい。基板１１０の形成材料としては、ガラス、石英ガラス、窒化ケイ素等の無機物や、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等の有機高分子（樹脂）を用いることができる。また、表面の絶縁性が確保されるならば、基板１１０の形成材料として金属材料を採用することもできる。
また、基板１１０は、有機ＥＬ素子に電気的に接続される不図示の各種配線、駆動素子を備えている。
基板１１０は、光透過性を備えていてもよく、光透過性を備えなくてもよい。基板１１０の形成材料としては、ガラス、石英ガラス、窒化ケイ素等の無機物や、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等の有機高分子（樹脂）を用いることができる。また、表面の絶縁性が確保されるならば、基板１１０の形成材料として金属材料を採用することもできる。
また、基板１１０は、有機ＥＬ素子に電気的に接続される不図示の各種配線、駆動素子を備えている。
【0123】
（陽極）
陽極１１１は、基板１１０上に形成され、機能層１１３に正孔（ホール）を供給する。また、陽極１１１は、機能層１１３に含まれる発光層から発せられた光を反射する光反射性を有する。
陽極１１１の形成材料としては、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：インジウムドープ酸化錫）やＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ:インジウムドープ酸化亜鉛）等の導電性金属酸化物を用いることができる。また、陽極１１１に光反射性を付与するため、陽極１１１の基板１１０側又は陽極１１１の機能層１１３側に、金属材料を形成材料とする反射膜が設けられている。すなわち、陽極１１１は、導電性金属酸化物を形成材料とする層と、反射膜との積層構造を有する。
また、陽極１１１の形成材料として、銀を用いることとしてもよい。
陽極１１１の厚さは、特に制限されないが、３０～３００ｎｍが好ましい。陽極１１１の厚さは、たとえば１００ｎｍである。
陽極１１１は、基板１１０上に形成され、機能層１１３に正孔（ホール）を供給する。また、陽極１１１は、機能層１１３に含まれる発光層から発せられた光を反射する光反射性を有する。
陽極１１１の形成材料としては、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：インジウムドープ酸化錫）やＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ:インジウムドープ酸化亜鉛）等の導電性金属酸化物を用いることができる。また、陽極１１１に光反射性を付与するため、陽極１１１の基板１１０側又は陽極１１１の機能層１１３側に、金属材料を形成材料とする反射膜が設けられている。すなわち、陽極１１１は、導電性金属酸化物を形成材料とする層と、反射膜との積層構造を有する。
また、陽極１１１の形成材料として、銀を用いることとしてもよい。
陽極１１１の厚さは、特に制限されないが、３０～３００ｎｍが好ましい。陽極１１１の厚さは、たとえば１００ｎｍである。
【0124】
（隔壁）
隔壁１１２は、陽極１１１の周縁部に重なり、例えば格子状に形成されている。隔壁１１２の開口部分には、機能層１１３が形成されており、有機ＥＬ素子１００を区画している。
隔壁１１２は、例えばポリイミドを材料とする。
隔壁１１２は、陽極１１１の周縁部に重なり、例えば格子状に形成されている。隔壁１１２の開口部分には、機能層１１３が形成されており、有機ＥＬ素子１００を区画している。
隔壁１１２は、例えばポリイミドを材料とする。
【0125】
（機能層）
機能層１１３は、陽極１１１に重なって形成されている。機能層１１３は発光層を有する。発光層では、陽極１１１から注入された正孔及び陰極１１５から注入された電子が再結合し、光子を放出して発光する。その際の発光波長は、発光層の形成材料に応じて定まる。発光層は、本発明における「活性層」に該当する。
機能層１１３は、陽極１１１に重なって形成されている。機能層１１３は発光層を有する。発光層では、陽極１１１から注入された正孔及び陰極１１５から注入された電子が再結合し、光子を放出して発光する。その際の発光波長は、発光層の形成材料に応じて定まる。発光層は、本発明における「活性層」に該当する。
【0126】
発光層は、有機ＥＬ素子の発光層の材料として公知の材料を用いて形成できる。
発光層の形成材料は、単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよく、所望の発光波長に応じて適宜選択される。
発光層の形成材料は、単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよく、所望の発光波長に応じて適宜選択される。
【0127】
機能層１１３は、発光層と陽極１１１との間に、正孔注入層、正孔輸送層を有していてもよい。
正孔注入層は、陽極から正孔輸送層への正孔の注入を容易にする機能を有する。
正孔輸送層は、陽極１１１から注入された正孔を発光層に向けて良好に輸送する機能を有する。
また、機能層１１３は発光層と陰極１１５との間に、電子輸送層、電子注入層を有していてもよい。
電子輸送層は、陰極１１５から注入された電子を発光層に向けて良好に輸送する機能を有する。
電子注入層は、陰極１１５から電子輸送層への電子の注入を容易にする機能を有する。
正孔注入層は、陽極から正孔輸送層への正孔の注入を容易にする機能を有する。
正孔輸送層は、陽極１１１から注入された正孔を発光層に向けて良好に輸送する機能を有する。
また、機能層１１３は発光層と陰極１１５との間に、電子輸送層、電子注入層を有していてもよい。
電子輸送層は、陰極１１５から注入された電子を発光層に向けて良好に輸送する機能を有する。
電子注入層は、陰極１１５から電子輸送層への電子の注入を容易にする機能を有する。
【0128】
（陰極）
陰極１１５は、隔壁１１２及び機能層１１３を覆って全面に形成されている。陰極１１５は、機能層に電子を注入する機能を有する。
本実施形態の光電子素子においては、陰極１１５は、上述した本発明における樹脂膜を含み、パターニングされている。陰極１１５は、第１膜１１６と、樹脂膜１１７と、第２膜１１８とを有する。
陰極１１５は、隔壁１１２及び機能層１１３を覆って全面に形成されている。陰極１１５は、機能層に電子を注入する機能を有する。
本実施形態の光電子素子においては、陰極１１５は、上述した本発明における樹脂膜を含み、パターニングされている。陰極１１５は、第１膜１１６と、樹脂膜１１７と、第２膜１１８とを有する。
【0129】
第２膜１１８は、隔壁１１２及び機能層１１３を覆って形成されている。第２膜１１８の構成、材料については、第１実施形態の第２膜２０について示した構成及び材料を採用できる。
樹脂膜１１７は、機能層１１３と平面的に重なり第２膜１１８の上面１１８ａに形成されている。樹脂膜１１７の構成、材料については、第１実施形態の樹脂膜１５と同様、本実施形態に係る含フッ素重合体を採用できる。
樹脂膜１１７は、機能層１１３と平面的に重なり第２膜１１８の上面１１８ａに形成されている。樹脂膜１１７の構成、材料については、第１実施形態の樹脂膜１５と同様、本実施形態に係る含フッ素重合体を採用できる。
【0130】
第１膜１１６は、隔壁１１２と平面的に重なって形成されている。第１膜１１６の構成、材料については、第１実施形態の第１膜１０について示した構成及び材料を採用できる。
すなわち、陰極１１５の第１領域は隔壁１１２に重なっており、陰極１１５の第２領域は発光層を含む機能層１１３に重なっている。
すなわち、陰極１１５の第１領域は隔壁１１２に重なっており、陰極１１５の第２領域は発光層を含む機能層１１３に重なっている。
【0131】
（マイクロキャビティ構造）
本実施形態の有機ＥＬ素子１００においては、陽極１１１と陰極１１５が、陽極１１１と陰極１１５との間、すなわち陽極１１１の反射膜の上面と第２膜１１８の下面との間で光を共振させる光共振構造（マイクロキャビティ）を構成している。陽極１１１と陰極１１５との間では、発光層で生じた光が反射を繰り返し、陽極１１１と陰極１１５との間の光路長と合致した波長の光が共振して増幅される。一方で、陽極１１１と陰極１１５との間の光路長と合致しない波長の光は減衰する。
ここでいう「光路長」は、素子外部に射出される所望の光の波長と、当該所望の光の波長における各層の屈折率と、を用いて算出されるものとする。
本実施形態の有機ＥＬ素子１００においては、陽極１１１と陰極１１５が、陽極１１１と陰極１１５との間、すなわち陽極１１１の反射膜の上面と第２膜１１８の下面との間で光を共振させる光共振構造（マイクロキャビティ）を構成している。陽極１１１と陰極１１５との間では、発光層で生じた光が反射を繰り返し、陽極１１１と陰極１１５との間の光路長と合致した波長の光が共振して増幅される。一方で、陽極１１１と陰極１１５との間の光路長と合致しない波長の光は減衰する。
ここでいう「光路長」は、素子外部に射出される所望の光の波長と、当該所望の光の波長における各層の屈折率と、を用いて算出されるものとする。
【0132】
陽極１１１と陰極１１５との間の光路長は、たとえば機能層１１３に含まれる発光層で生じる光Ｌの中心波長の整数倍に設定されている。この場合、発光層で発せられた光Ｌは、中心波長に近いほど増幅され、中心波長から離れるほど減衰して有機ＥＬ素子１００の外部に射出される。このようにして、有機ＥＬ素子１００から射出される光Ｌは、発光スペクトルの半値幅が狭く、色純度が向上したものとなる。
【0133】
このような構成の有機ＥＬ素子１００においては、樹脂膜１１７として本発明における含フッ素重合体を材料とする樹脂層を有するため、第２領域において好適に金属（第１膜１１６）のパターニングが可能となる。そのため、第２領域において高い光取出し効率を維持しながら陰極１１５の配線抵抗を低減することができ、良好な駆動を実現できる。
【0134】
なお、上述の実施形態においては、光電子素子として有機ＥＬ素子を例示して説明したが、本発明の一態様に係る樹脂膜が適用される光電子素子は、有機ＥＬ素子に限らない。
【0135】
本発明の一態様に係る光電子素子は、例えば半導体レーザーであってもよい。半導体レーザーとしては公知の構成を採用できる。半導体レーザーが有する陰極に上述の樹脂膜を用いて導電膜をパターニングすることにより、陰極が低抵抗化され、出力が向上した半導体レーザーとなる。
【0136】
また、本発明の一態様に係る光電子素子は、例えば、光センサ、太陽電池などの受光素子であってもよい。光センサ及び太陽電池としては、活性層（受光層）が受光した光の強度に応じて活性層で生じた正孔及び電子を、半導体層を介してカソード及びアノードに伝える公知の構成を採用できる。
光センサ及び太陽電池が有する電極（アノード、カソード）に上述の樹脂膜を用いて導電膜をパターニングすることにより、検出性能を向上させた光センサや、発電効率を向上させた有機太陽電池となる。
光センサ及び太陽電池が有する電極（アノード、カソード）に上述の樹脂膜を用いて導電膜をパターニングすることにより、検出性能を向上させた光センサや、発電効率を向上させた有機太陽電池となる。
【0137】
さらに、本発明の一態様に係る光電子素子は、上述の樹脂膜を用いることで好適に金属膜のパターニングができ、素子全体としての透過性が高くなることから、透明ディスプレイ等の用途において有用である。また、アンダーディスプレイカメラやアンダーディスプレイセンサ等においては、カメラ及びセンサ上部のディスプレイの透過率を上げる必要があり、本発明の樹脂膜を用いたパターニングが非常に有用である。
すなわち本発明の含フッ素重合体は、優れた光透過性を有するため、上記光電子素子に好適に適用できる。
すなわち本発明の含フッ素重合体は、優れた光透過性を有するため、上記光電子素子に好適に適用できる。
【0138】
さらに、本発明の樹脂膜は、光電子素子の他にもパターニングされた電極及び配線を形成する際に使用することもできる。
【0139】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【実施例】
【0140】
以下に本発明を実施例により説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【0141】
＜評価方法＞
本実施形態においては、以下の各方法により評価を行った。
本実施形態においては、以下の各方法により評価を行った。
【0142】
［含フッ素重合体の真空下における熱重量減少率の測定］
真空示差熱天秤（アドバンス理工社製：ＶＰＥ－９０００）を用いて測定した。含フッ素重合体５０ｍｇを内径７ｍｍのセルに仕込み、１×１０－３Ｐａの真空度にて、室温から５００℃まで毎分２℃で昇温させた際の、含フッ素重合体の初期重量（５０ｍｇ）に対する重量減少率（％）を測定した。
真空示差熱天秤（アドバンス理工社製：ＶＰＥ－９０００）を用いて測定した。含フッ素重合体５０ｍｇを内径７ｍｍのセルに仕込み、１×１０－３Ｐａの真空度にて、室温から５００℃まで毎分２℃で昇温させた際の、含フッ素重合体の初期重量（５０ｍｇ）に対する重量減少率（％）を測定した。
【0143】
重量減少率が１００％となる温度（Ｔｄ１００）、重量減少率が１０％となる温度（Ｔｄ１０）及び重量減少率が９０％となる温度（Ｔｄ９０）を求めた。
【0144】
［融点の測定］
示差走査熱量計（ＮＥＴＺＳＣＨ製：ＤＳＣ ２０４ Ｆ１ Ｐｈｏｅｎｉｘ）を用いて測定した。含フッ素重合体９ｍｇを試料容器に仕込み、－７０℃から３５０℃まで毎分１０℃で昇温させた際の熱容量を測定し、得られた融解ピークより融点を求めた。
示差走査熱量計（ＮＥＴＺＳＣＨ製：ＤＳＣ ２０４ Ｆ１ Ｐｈｏｅｎｉｘ）を用いて測定した。含フッ素重合体９ｍｇを試料容器に仕込み、－７０℃から３５０℃まで毎分１０℃で昇温させた際の熱容量を測定し、得られた融解ピークより融点を求めた。
【0145】
（ＣＦ３濃度の測定）
トリフルオロメチル部位の含有量（ｍｍｏｌ／ｇ）は、下式より求めた。
（フルオロメチル部位の含有量）＝［ＮＣＦ３／ＭＡ］×１０００
ＮＣＦ３：含フッ素重合体を構成する単位の種類毎に、単位を構成するトリフルオロメチル部位のモル数と、全単位に対する当該単位のモル比率とを乗じた値の総和。
ＭＡ：含フッ素重合体を構成する単位の種類毎に、単位を構成する全ての原子の原子量の合計と、全単位に対する当該単位のモル比率とを乗じた値の総和。
なお、上述の式に用いるトリフルオロメチル部位のモル数、単位を構成する全ての原子の原子量の合計、モル比率等は、含フッ素重合体をＮＭＲ分析及びＩＲ分析して得られた、含フッ素重合体の構成単位のモル比率及び末端量を用いて算出した。
トリフルオロメチル部位の含有量（ｍｍｏｌ／ｇ）は、下式より求めた。
（フルオロメチル部位の含有量）＝［ＮＣＦ３／ＭＡ］×１０００
ＮＣＦ３：含フッ素重合体を構成する単位の種類毎に、単位を構成するトリフルオロメチル部位のモル数と、全単位に対する当該単位のモル比率とを乗じた値の総和。
ＭＡ：含フッ素重合体を構成する単位の種類毎に、単位を構成する全ての原子の原子量の合計と、全単位に対する当該単位のモル比率とを乗じた値の総和。
なお、上述の式に用いるトリフルオロメチル部位のモル数、単位を構成する全ての原子の原子量の合計、モル比率等は、含フッ素重合体をＮＭＲ分析及びＩＲ分析して得られた、含フッ素重合体の構成単位のモル比率及び末端量を用いて算出した。
【0146】
（フッ素原子含有率の測定）
フッ素原子含有率（質量％）は、下式で求めた。
（フッ素原子含有率）＝［１９×ＮＦ／ＭＡ］×１００
ＮＦ：含フッ素重合体を構成する単位の種類毎に、単位を構成するフッ素原子の原子量の合計と、全単位に対する当該単位のモル比率とを乗じた値の総和。
ＭＡ：含フッ素重合体を構成する単位の種類毎に、単位を構成する全ての原子の原子量の合計と、全単位に対する当該単位のモル比率とを乗じた値の総和。
なお、上述の式に用いるフッ素原子の原子量、単位を構成する全ての原子の原子量の合計、モル比率等は、含フッ素重合体をＮＭＲ分析及びＩＲ分析して得られた、含フッ素重合体の構成単位のモル比率及び末端量を用いて算出した。
フッ素原子含有率（質量％）は、下式で求めた。
（フッ素原子含有率）＝［１９×ＮＦ／ＭＡ］×１００
ＮＦ：含フッ素重合体を構成する単位の種類毎に、単位を構成するフッ素原子の原子量の合計と、全単位に対する当該単位のモル比率とを乗じた値の総和。
ＭＡ：含フッ素重合体を構成する単位の種類毎に、単位を構成する全ての原子の原子量の合計と、全単位に対する当該単位のモル比率とを乗じた値の総和。
なお、上述の式に用いるフッ素原子の原子量、単位を構成する全ての原子の原子量の合計、モル比率等は、含フッ素重合体をＮＭＲ分析及びＩＲ分析して得られた、含フッ素重合体の構成単位のモル比率及び末端量を用いて算出した。
【0147】
＜含フッ素重合体の合成＞
評価に用いた含フッ素重合体は、以下のように合成した。
評価に用いた含フッ素重合体は、以下のように合成した。
【0148】
［合成例１］
内容積１００６ｍＬのステンレス製オートクレーブに、ＰＰＶＥを１５２．９ｇ、ＡＣ２０００（ＡＧＣ社製）を８０５ｇ、メタノールを２．４０ｇ、アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）を１．１５ｇ仕込み、液体窒素で凍結脱気をした。
オートクレーブを７０℃に昇温した後、オートクレーブ内にＴＦＥを５６．３ｇ導入し、重合を開始させた。重合の進行により、オートクレーブ内の圧力が低下するため、ＴＦＥを連続的に供給し、オートクレーブの温度と圧力を一定に保持しながら重合させた。重合開始から５時間後にオートクレーブを冷却して重合を停止し、系内のガスを排出して反応溶液を得た。
内容積１００６ｍＬのステンレス製オートクレーブに、ＰＰＶＥを１５２．９ｇ、ＡＣ２０００（ＡＧＣ社製）を８０５ｇ、メタノールを２．４０ｇ、アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）を１．１５ｇ仕込み、液体窒素で凍結脱気をした。
オートクレーブを７０℃に昇温した後、オートクレーブ内にＴＦＥを５６．３ｇ導入し、重合を開始させた。重合の進行により、オートクレーブ内の圧力が低下するため、ＴＦＥを連続的に供給し、オートクレーブの温度と圧力を一定に保持しながら重合させた。重合開始から５時間後にオートクレーブを冷却して重合を停止し、系内のガスを排出して反応溶液を得た。
【0149】
反応溶液にメタノールを８００ｇ加えて混合し反応溶液に溶解する重合体を析出させた後、層分離させ、重合体が分散している下層を回収した。得られた重合体の分散液を８０℃で１６時間温風乾燥し、次に１００℃で１６時間真空乾燥して、重合体を得た。
得られた重合体の組成は、ＰＰＶＥ単位：ＴＦＥ単位＝１４：８６（モル％）であった。
得られた重合体の組成は、ＰＰＶＥ単位：ＴＦＥ単位＝１４：８６（モル％）であった。
【0150】
次いで、得られた重合体を３３０℃のオーブンで加熱した後、メタノールに浸漬し、７５℃のオーブンで４０時間加熱することで、末端基をメチルエステル基に置換し、含フッ素重合体Ｃを得た。
【0151】
得られた含フッ素重合体Ｃを上述したガラスチューブ式の昇華精製装置の原料仕込み部に仕込み、捕集部内を３．０×１０－３Ｐａに減圧した。次いで、原料仕込み部を３３０℃まで徐々に加温し、含フッ素重合体Ｃを昇華させた。昇華精製装置では、捕集部を仕込み部に近い側から３１０℃、２８０℃、２５０℃、２００℃の設定温度で加熱した。
このうち、設定温度２８０℃の捕集部に析出させた物質を回収し、精製した２ｇの含フッ素重合体Ｃ１を得た。
このうち、設定温度２８０℃の捕集部に析出させた物質を回収し、精製した２ｇの含フッ素重合体Ｃ１を得た。
【0152】
［合成例２］
内容積１．３５１Ｌのジャケット付きの重合槽（ステンレス鋼製）を脱気し、重合槽内に、ＡＥ－３０００（ＡＧＣ社製）を４３３ｇ、ＰＰＶＥを３６０ｇ、ＴＦＥを１２０ｇ、メタノールを１５ｇ、それぞれ秤量して仕込んだ。温度を６０℃に保持して、ｔ－ブチルパーオキシピバレート（ＰＢＰＶ）の３．３３質量％溶液（溶媒：ＡＥ－３０００）の１５ｍＬを仕込み、重合を開始させた。重合中、重合槽内にＴＦＥを導入し、重合圧力をゲージ圧で１．００ＭＰａに保持した。
重合の進行に伴い重合圧力が低下するため、重合圧力がほぼ一定になるようにＴＦＥを連続的に仕込んだ。ＴＦＥの導入量が１２１ｇになった時点で重合を終了させ、含フッ素共重合体を得た。
内容積１．３５１Ｌのジャケット付きの重合槽（ステンレス鋼製）を脱気し、重合槽内に、ＡＥ－３０００（ＡＧＣ社製）を４３３ｇ、ＰＰＶＥを３６０ｇ、ＴＦＥを１２０ｇ、メタノールを１５ｇ、それぞれ秤量して仕込んだ。温度を６０℃に保持して、ｔ－ブチルパーオキシピバレート（ＰＢＰＶ）の３．３３質量％溶液（溶媒：ＡＥ－３０００）の１５ｍＬを仕込み、重合を開始させた。重合中、重合槽内にＴＦＥを導入し、重合圧力をゲージ圧で１．００ＭＰａに保持した。
重合の進行に伴い重合圧力が低下するため、重合圧力がほぼ一定になるようにＴＦＥを連続的に仕込んだ。ＴＦＥの導入量が１２１ｇになった時点で重合を終了させ、含フッ素共重合体を得た。
【0153】
次いで、得られた重合体を３００℃のオーブンで加熱した後、メタノールに浸漬し、７５℃のオーブンで４０時間加熱することで、末端基をメチルエステル基に置換し、含フッ素重合体Ｘを得た。
得られた含フッ素重合体Ｘの組成は、ＰＰＶＥ単位：ＴＦＥ単位＝１２：８８（モル％）であった。
得られた含フッ素重合体Ｘの組成は、ＰＰＶＥ単位：ＴＦＥ単位＝１２：８８（モル％）であった。
【0154】
合成例１と同様にして含フッ素重合体Ｘを昇華させた。捕集部を仕込み部に近い側から３１０℃、２８０℃、２２０℃、１６０℃の設定温度で加熱し、設定温度２２０℃及び２８０℃の捕集部に析出させた物質を回収して、精製した２ｇの含フッ素重合体Ｘ１を得た。
【0155】
［合成例３］
ＰＰＶＥを７８．９ｇ、ＡＣ２０００を７６７ｇ、メタノールを４．２３ｇ、ＡＩＢＮを１．２７ｇ、ＴＦＥを４８．４ｇ用いたこと以外は、合成例１と同様にして重合体を得た。
得られた重合体の組成は、ＰＰＶＥ単位：ＴＦＥ単位＝９：９１（モル％）であった。
ＰＰＶＥを７８．９ｇ、ＡＣ２０００を７６７ｇ、メタノールを４．２３ｇ、ＡＩＢＮを１．２７ｇ、ＴＦＥを４８．４ｇ用いたこと以外は、合成例１と同様にして重合体を得た。
得られた重合体の組成は、ＰＰＶＥ単位：ＴＦＥ単位＝９：９１（モル％）であった。
【0156】
次いで、合成例１と同様にして重合体の末端基をメチルエステル基に置換し、含フッ素重合体Ｄを得た。
合成例１と同様にして含フッ素重合体Ｄを昇華させた。設定温度２５０℃及び２８０℃の捕集部に析出させた物質を回収し、精製した４ｇの含フッ素重合体Ｄ１を得た。
合成例１と同様にして含フッ素重合体Ｄを昇華させた。設定温度２５０℃及び２８０℃の捕集部に析出させた物質を回収し、精製した４ｇの含フッ素重合体Ｄ１を得た。
【0157】
［合成例４］
ＰＰＶＥを５７．９ｇ、メタノールを４．１３ｇ、ＡＩＢＮを１．２４ｇ用いたこと以外は、合成例１と同様にして重合体を得た。
得られた重合体の組成は、ＰＰＶＥ単位：ＴＦＥ単位＝６：９４（モル％）であった。
ＰＰＶＥを５７．９ｇ、メタノールを４．１３ｇ、ＡＩＢＮを１．２４ｇ用いたこと以外は、合成例１と同様にして重合体を得た。
得られた重合体の組成は、ＰＰＶＥ単位：ＴＦＥ単位＝６：９４（モル％）であった。
【0158】
次いで、合成例１と同様にして重合体の末端基をメチルエステル基に置換し、含フッ素重合体Ｅを得た。
合成例１と同様にして含フッ素重合体Ｅを昇華させた。設定温度２００℃、２５０℃及び２８０℃の捕集部に析出させた物質を回収し、精製した５ｇの含フッ素重合体Ｅ１を得た。
合成例１と同様にして含フッ素重合体Ｅを昇華させた。設定温度２００℃、２５０℃及び２８０℃の捕集部に析出させた物質を回収し、精製した５ｇの含フッ素重合体Ｅ１を得た。
【0159】
［合成例５］
内容積１．３５１Ｌのジャケット付きの重合槽（ステンレス鋼製）を脱気し、重合槽内に、ＡＥ－３０００を６４９ｇ、ＰＰＶＥを１５２ｇ、ＴＦＥを１０９ｇ、メタノールを１５．５ｇ、それぞれ秤量して仕込んだ。
重合槽の温度を６０℃に保持して、ｔ－ブチルパーオキシピバレート（ＰＢＰＶ）の０．７９質量％溶液（溶媒：ＡＥ－３０００）の１８．９ｍＬを仕込み、重合を開始させた。
内容積１．３５１Ｌのジャケット付きの重合槽（ステンレス鋼製）を脱気し、重合槽内に、ＡＥ－３０００を６４９ｇ、ＰＰＶＥを１５２ｇ、ＴＦＥを１０９ｇ、メタノールを１５．５ｇ、それぞれ秤量して仕込んだ。
重合槽の温度を６０℃に保持して、ｔ－ブチルパーオキシピバレート（ＰＢＰＶ）の０．７９質量％溶液（溶媒：ＡＥ－３０００）の１８．９ｍＬを仕込み、重合を開始させた。
【0160】
重合中、重合の進行に伴い重合圧力が低下するため、重合圧力がほぼ一定になるように重合槽内にＴＦＥを連続的に導入した。重合圧力は、１．０４±０．０４ＭＰａＧ（ゲージ圧）に保持した。
【0161】
ＴＦＥの導入量が１２１ｇになった時点で重合を終了させ、重合体を得た。
得られた重合体の組成は、ＰＰＶＥ単位：ＴＦＥ単位＝４：９６（モル％）であった。
得られた重合体の組成は、ＰＰＶＥ単位：ＴＦＥ単位＝４：９６（モル％）であった。
【0162】
次いで、得られた重合体の末端基を、合成例１と同様の条件でメチルエステル基に置換し、含フッ素重合体Ｇを得た。
合成例１と同様にして含フッ素重合体Ｇを昇華させた。設定温度２５０℃の捕集部に析出させた物質を回収し、精製した４ｇの含フッ素重合体Ｇ１を得た。
合成例１と同様にして含フッ素重合体Ｇを昇華させた。設定温度２５０℃の捕集部に析出させた物質を回収し、精製した４ｇの含フッ素重合体Ｇ１を得た。
【0163】
［合成例６］
ＡＥ－３０００を７０１ｇ、ＰＰＶＥを５７ｇ、ＴＦＥを１０８ｇ、メタノールを３５．７ｇ、ＰＢＰＶの０．５３質量％溶液（溶媒：ＡＥ－３０００）の１８．９ｍＬ用いたこと以外は合成例５と同様にして、重合体を得た。
ＡＥ－３０００を７０１ｇ、ＰＰＶＥを５７ｇ、ＴＦＥを１０８ｇ、メタノールを３５．７ｇ、ＰＢＰＶの０．５３質量％溶液（溶媒：ＡＥ－３０００）の１８．９ｍＬ用いたこと以外は合成例５と同様にして、重合体を得た。
【0164】
得られた含フッ素重合体の組成は、ＰＰＶＥ単位：ＴＦＥ単位＝２：９８（モル％）であった。
【0165】
次いで、得られた重合体の末端基を、合成例１と同様の条件でメチルエステル基に置換し、含フッ素重合体Ｉを得た。
合成例１と同様にして含フッ素重合体Ｉを昇華させた。設定温度２５０℃及び２８０℃の捕集部に析出させた物質を回収し、精製した４ｇの含フッ素重合体Ｉ１を得た。
合成例１と同様にして含フッ素重合体Ｉを昇華させた。設定温度２５０℃及び２８０℃の捕集部に析出させた物質を回収し、精製した４ｇの含フッ素重合体Ｉ１を得た。
【0166】
［合成例７］
内容積１．３５１Ｌのジャケット付きの重合槽（ステンレス鋼製）を脱気し、重合槽内に、Ｒ１１３（１，１，２－トリフルオロトリクロロエタン、ＡＧＣ社製）３３１ｇとメタノール１．１ｇとＨＦＰ７６５ｇ（５．１ｍｏｌ）を仕込んだ後、ＴＦＥを仕込んだ。ＴＦＥは、重合槽の温度５０℃で０．６２ＭＰａＧとなるよう仕込んだ。
内容積１．３５１Ｌのジャケット付きの重合槽（ステンレス鋼製）を脱気し、重合槽内に、Ｒ１１３（１，１，２－トリフルオロトリクロロエタン、ＡＧＣ社製）３３１ｇとメタノール１．１ｇとＨＦＰ７６５ｇ（５．１ｍｏｌ）を仕込んだ後、ＴＦＥを仕込んだ。ＴＦＥは、重合槽の温度５０℃で０．６２ＭＰａＧとなるよう仕込んだ。
【0167】
その後パーロイルＦＢの０．３質量％溶液（溶媒：Ｒ１１３）を仕込み、重合を開始させた。重合の進行に伴い重合圧力が低下するため、重合圧力がほぼ一定になるようにＴＦＥを連続的に仕込んだ。パーロイルＦＢの０．３質量％溶液（溶媒：Ｒ１１３）を間欠で仕込み、ＴＦＥが７１ｇ（０．７１ｍｏｌ）消費した時点で重合を終了させ、含フッ素共重合体を得た。
得られた重合体の組成は、ＨＦＰ単位：ＴＦＥ単位＝２０：８０（モル％）であった。
得られた重合体の組成は、ＨＦＰ単位：ＴＦＥ単位＝２０：８０（モル％）であった。
【0168】
次いで、得られた重合体を３３０℃のオーブンで加熱した後、メタノールに浸漬し、７５℃のオーブンで４０時間加熱することで、末端基をメチルエステル基に置換し、含フッ素重合体Ｙを得た。
合成例２と同様にして含フッ素重合体Ｙを昇華させた。設定温度１６０℃、２２０℃、２８０℃及び３１０℃の捕集部に析出させた物質を回収し、精製した４ｇの含フッ素重合体Ｙ１を得た。
合成例２と同様にして含フッ素重合体Ｙを昇華させた。設定温度１６０℃、２２０℃、２８０℃及び３１０℃の捕集部に析出させた物質を回収し、精製した４ｇの含フッ素重合体Ｙ１を得た。
【0169】
［市販の含フッ素重合体］
市販の含フッ素重合体として、以下の材料を評価に用いた。
・Ｆｌｕｏｎ ＰＴＦＥ Ｌ１７３ＪＥ（ＡＧＣ社製）：テトラフルオロエチレン重合体
・Ｆｌｕｏｎ ＰＦＡ Ｐ－６３（ＡＧＣ社製）：テトラフルオロエチレン／ペルフルオロプロピルビニルエーテル共重合体
・ＴＥＦＬＯＮ ＡＦ １６００（デュポン社製）：テトラフルオロエチレン／ペルフルオロ（２，２－ジメチル－１，３－ジオキソール）共重合体
・ｋｙｎａｒ３０１Ｆ（アルケマ社製）：ビニリデンフルオライド重合体
・ｋｙｎａｒ７２０（アルケマ社製）：ビニリデンフルオライド重合体
市販の含フッ素重合体として、以下の材料を評価に用いた。
・Ｆｌｕｏｎ ＰＴＦＥ Ｌ１７３ＪＥ（ＡＧＣ社製）：テトラフルオロエチレン重合体
・Ｆｌｕｏｎ ＰＦＡ Ｐ－６３（ＡＧＣ社製）：テトラフルオロエチレン／ペルフルオロプロピルビニルエーテル共重合体
・ＴＥＦＬＯＮ ＡＦ １６００（デュポン社製）：テトラフルオロエチレン／ペルフルオロ（２，２－ジメチル－１，３－ジオキソール）共重合体
・ｋｙｎａｒ３０１Ｆ（アルケマ社製）：ビニリデンフルオライド重合体
・ｋｙｎａｒ７２０（アルケマ社製）：ビニリデンフルオライド重合体
【0170】
＜評価＞
得られた含フッ素重合体を用い、以下評価１～４を行った。
得られた含フッ素重合体を用い、以下評価１～４を行った。
【0171】
［評価１：蒸着時のチャンバー圧変化］
真空蒸着装置に含フッ素重合体を０．１g仕込み、チャンバー内の圧力を１０－４Ｐａ以下に減圧した上で、含フッ素重合体を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で２００ｎｍ成膜した。この際にチャンバー内の圧力をモニターし、蒸着時における圧力の最大値を計測した。計測値を用い、下記計算式より圧力の上昇倍率を求めた。
［蒸着時のチャンバー圧力の上昇倍率］＝［蒸着中の最大圧力］／［蒸着前の初期圧力］
真空蒸着装置に含フッ素重合体を０．１g仕込み、チャンバー内の圧力を１０－４Ｐａ以下に減圧した上で、含フッ素重合体を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で２００ｎｍ成膜した。この際にチャンバー内の圧力をモニターし、蒸着時における圧力の最大値を計測した。計測値を用い、下記計算式より圧力の上昇倍率を求めた。
［蒸着時のチャンバー圧力の上昇倍率］＝［蒸着中の最大圧力］／［蒸着前の初期圧力］
【0172】
チャンバー圧力の上昇倍率が２倍以下である含フッ素重合体は「良品」と評価し、上昇倍率が２倍を超える含フッ素重合体は「不良」と評価した。
なお、本評価で不良と評価した含フッ素重合体については、チャンバーの汚染が懸念されることから、以下に続く導電膜の評価の実施を断念した。
なお、本評価で不良と評価した含フッ素重合体については、チャンバーの汚染が懸念されることから、以下に続く導電膜の評価の実施を断念した。
【0173】
［評価２：導電膜のパターニング性評価１］
（透過率測定用の試料の作製）
２５ｍｍ×２５ｍｍ×０．５２５ｍｍ石英基板を用いた。石英基板の平面視中央に、２１ｍｍ×５ｍｍの矩形の開口部を有するメタルマスクを用いて含フッ素重合体を蒸着し、樹脂膜を有する石英基板を作製した。
含フッ素重合体の蒸着は、蒸着速度０．１ｎｍ／秒の条件で行った。また、含フッ素重合体の蒸着は、蒸着装置に付随の膜厚計の測定値で１０ｎｍとなるまで行った。
（透過率測定用の試料の作製）
２５ｍｍ×２５ｍｍ×０．５２５ｍｍ石英基板を用いた。石英基板の平面視中央に、２１ｍｍ×５ｍｍの矩形の開口部を有するメタルマスクを用いて含フッ素重合体を蒸着し、樹脂膜を有する石英基板を作製した。
含フッ素重合体の蒸着は、蒸着速度０．１ｎｍ／秒の条件で行った。また、含フッ素重合体の蒸着は、蒸着装置に付随の膜厚計の測定値で１０ｎｍとなるまで行った。
【0174】
続いて、樹脂膜を有する石英基板に対し、樹脂膜の上から全面に、マスクを使用せずにＡｇを蒸着し、透過率測定用の導電膜試料を作製した。
Ａｇの蒸着は、蒸着速度０．０５ｎｍ／秒の条件で行った。また、Ａｇの蒸着は、蒸着装置に付随の膜厚計の測定値で、１５ｎｍとなるまで行った。
Ａｇの蒸着は、蒸着速度０．０５ｎｍ／秒の条件で行った。また、Ａｇの蒸着は、蒸着装置に付随の膜厚計の測定値で、１５ｎｍとなるまで行った。
【0175】
（透過率測定）
作製した導電膜試料の透過率測定は、分光光度計（島津製作所製、型番：ＵＶ－３６００ Ｐｌｕｓ）を用いて行った。得られた結果から、透過率が高いほど、パターニング性が良好（パターニングが容易）であると判断した。
作製した導電膜試料の透過率測定は、分光光度計（島津製作所製、型番：ＵＶ－３６００ Ｐｌｕｓ）を用いて行った。得られた結果から、透過率が高いほど、パターニング性が良好（パターニングが容易）であると判断した。
【0176】
［評価３：導電膜のパターニング性評価２］
（全光線透過率測定用の試料の作製）
２５ｍｍ×２５ｍｍ×０．５２５ｍｍ石英基板を用いた。石英基板の平面視中央に、２１ｍｍ×５ｍｍの矩形の開口部を有するメタルマスクを用いて含フッ素重合体を蒸着し、樹脂膜を有する石英基板を作製した。
含フッ素重合体の蒸着は、蒸着速度０．１ｎｍ／秒の条件で行った。また、含フッ素重合体の蒸着は、蒸着装置に付随の膜厚計の測定値で５０ｎｍとなるまで行った。
（全光線透過率測定用の試料の作製）
２５ｍｍ×２５ｍｍ×０．５２５ｍｍ石英基板を用いた。石英基板の平面視中央に、２１ｍｍ×５ｍｍの矩形の開口部を有するメタルマスクを用いて含フッ素重合体を蒸着し、樹脂膜を有する石英基板を作製した。
含フッ素重合体の蒸着は、蒸着速度０．１ｎｍ／秒の条件で行った。また、含フッ素重合体の蒸着は、蒸着装置に付随の膜厚計の測定値で５０ｎｍとなるまで行った。
【0177】
続いて、樹脂膜を有する石英基板に対し、樹脂膜の上から全面に、マスクを使用せずにＡｇを蒸着し、透過率測定用の導電膜試料を作製した。
Ａｇの蒸着は、蒸着速度０．０５ｎｍ／秒と０．２ｎｍ／秒の２条件で、蒸着装置に付随の膜厚計の測定値で、７０ｎｍとなるまで行った。
Ａｇの蒸着は、蒸着速度０．０５ｎｍ／秒と０．２ｎｍ／秒の２条件で、蒸着装置に付随の膜厚計の測定値で、７０ｎｍとなるまで行った。
【0178】
（全光線透過率測定）
全光線透過率測定用の導電膜試料について、第２領域の全光線透過率を、ヘイズメーター（スガ試験機製、型番：ＨＺ－Ｖ３、測定光：Ｄ６５光）を用いて測定した。
全光線透過率測定用の導電膜試料について、第２領域の全光線透過率を、ヘイズメーター（スガ試験機製、型番：ＨＺ－Ｖ３、測定光：Ｄ６５光）を用いて測定した。
【0179】
［評価４：含フッ素重合体の柔軟性評価］
含フッ素重合体の柔軟性は、動的粘弾性測定装置（アントンパール社製、ＭＣＲ５０２）、及び粘弾性測定装置用加熱炉（アントンパール社製、ＣＴＤ４５０）を用いて測定する貯蔵弾性率（Ｇ’）の値をもって評価した。
具体的には、上記測定装置を用い、試料（含フッ素重合体）を融点以上に加熱した後、定速降温モードで２℃／分で降温させ、歪み０．０１％、周波数１Ｈｚの条件で貯蔵弾性率（Ｇ’）を測定した。
得られた結果から、含フッ素重合体の柔軟性を以下の様に評価した。
Ａ：４０℃における貯蔵弾性率（Ｇ’）が４×１０７Ｐａ未満
Ｂ：４０℃における貯蔵弾性率（Ｇ’）が４×１０７Ｐａ以上
含フッ素重合体の柔軟性は、動的粘弾性測定装置（アントンパール社製、ＭＣＲ５０２）、及び粘弾性測定装置用加熱炉（アントンパール社製、ＣＴＤ４５０）を用いて測定する貯蔵弾性率（Ｇ’）の値をもって評価した。
具体的には、上記測定装置を用い、試料（含フッ素重合体）を融点以上に加熱した後、定速降温モードで２℃／分で降温させ、歪み０．０１％、周波数１Ｈｚの条件で貯蔵弾性率（Ｇ’）を測定した。
得られた結果から、含フッ素重合体の柔軟性を以下の様に評価した。
Ａ：４０℃における貯蔵弾性率（Ｇ’）が４×１０７Ｐａ未満
Ｂ：４０℃における貯蔵弾性率（Ｇ’）が４×１０７Ｐａ以上
【0180】
［例１～７］
上述の含フッ素重合体Ｃ１，Ｘ１，Ｄ１，Ｅ１，Ｇ１，Ｉ１，Ｙ１を用いて樹脂膜を成膜し、評価１～４を行った。
上述の含フッ素重合体Ｃ１，Ｘ１，Ｄ１，Ｅ１，Ｇ１，Ｉ１，Ｙ１を用いて樹脂膜を成膜し、評価１～４を行った。
【0181】
［例８］
含フッ素重合体としてＦｌｕｏｎ ＰＴＦＥ Ｌ１７３ＪＥを用いて樹脂膜を成膜したこと以外は、例１と同様にして評価した。
評価１にて蒸着時のチャンバー内上昇が著しく大きかったため、他の評価は行わなかった。
含フッ素重合体としてＦｌｕｏｎ ＰＴＦＥ Ｌ１７３ＪＥを用いて樹脂膜を成膜したこと以外は、例１と同様にして評価した。
評価１にて蒸着時のチャンバー内上昇が著しく大きかったため、他の評価は行わなかった。
【0182】
［例９］
含フッ素重合体としてＦｌｕｏｎ ＰＦＡ Ｐ－６３を用いて樹脂膜を成膜したこと以外は、例１と同様にして評価した。
評価１にて蒸着時のチャンバー内上昇が著しく大きかったため、他の評価は行わなかった。
含フッ素重合体としてＦｌｕｏｎ ＰＦＡ Ｐ－６３を用いて樹脂膜を成膜したこと以外は、例１と同様にして評価した。
評価１にて蒸着時のチャンバー内上昇が著しく大きかったため、他の評価は行わなかった。
【0183】
［例１０］
含フッ素重合体としてＴＥＦＬＯＮ ＡＦ １６００を用いて樹脂膜を成膜したこと以外は、例１と同様にして評価した。
評価１にて蒸着時のチャンバー内上昇が著しく大きかったため、他の評価は行わなかった。
含フッ素重合体としてＴＥＦＬＯＮ ＡＦ １６００を用いて樹脂膜を成膜したこと以外は、例１と同様にして評価した。
評価１にて蒸着時のチャンバー内上昇が著しく大きかったため、他の評価は行わなかった。
【0184】
［例１１］
含フッ素重合体としてｋｙｎａｒ３０１Ｆを用いて樹脂膜を成膜したこと以外は、例１と同様にして評価した。
評価１にて蒸着時のチャンバー内上昇が著しく大きかったため、他の評価は行わなかった。
含フッ素重合体としてｋｙｎａｒ３０１Ｆを用いて樹脂膜を成膜したこと以外は、例１と同様にして評価した。
評価１にて蒸着時のチャンバー内上昇が著しく大きかったため、他の評価は行わなかった。
【0185】
［例１２］
含フッ素重合体としてｋｙｎａｒ７２０を用いて樹脂膜を成膜したこと以外は、例１と同様にして評価した。
評価１にて蒸着時のチャンバー内上昇が著しく大きかったため、他の評価は行わなかった。
含フッ素重合体としてｋｙｎａｒ７２０を用いて樹脂膜を成膜したこと以外は、例１と同様にして評価した。
評価１にて蒸着時のチャンバー内上昇が著しく大きかったため、他の評価は行わなかった。
【0186】
上記例１～１２において、例１，２，７が実施例に該当し、例３～６が参考例に該当し、例８～１２が比較例に該当する。評価結果を表１～３に示す。表１は樹脂膜の材料についての物性値、表２は評価１，２の結果、表３は評価３，４の結果をそれぞれまとめた表である。なお、表中「－」は、データが存在しないことを示す。
【0187】
【表1】
【0188】
【表2】
【0189】
【表3】
【0190】
評価の結果、例１～７においては、蒸着時のチャンバー内圧上昇が無く、解重合や熱分解、アウトガスの発生が見られないことが分かった。
また、要件（１）～（３）を満たす例１，２，７は、評価３において８０％以上の高い透明性を示した。
また、要件（１）～（３）を満たす例１，２，７は、評価３において８０％以上の高い透明性を示した。
【0191】
さらに、評価４において、ＰＰＶＥ含有率が１１ｍｏｌ％以上である例１，２及び、ＨＦＰ含有率が１８ｍｏｌ％以上である例７は、４０℃における貯蔵弾性率（Ｇ’）が４×１０７Ｐａ未満であり、柔軟性の高いことが確認された。
【0192】
対して、例８～１２においては、蒸着時のチャンバー内圧上昇が認められ、蒸着中に解重合や熱分解、アウトガスの発生を伴うことが分かり、実質的に本実施形態の樹脂膜の作製には向かないことが分かった。
また、要件（１）を満たさない例３（参考例）は、評価２においては例１，２，７と明確な差が付かなかったが、評価３においては例１，２，７よりも明らかに劣る物性となった。要件（１）を満たさない例４～６についても、例４と同傾向の物性となると予想される。
また、要件（１）を満たさない例３（参考例）は、評価２においては例１，２，７と明確な差が付かなかったが、評価３においては例１，２，７よりも明らかに劣る物性となった。要件（１）を満たさない例４～６についても、例４と同傾向の物性となると予想される。
【0193】
以上の結果より、本発明が有用であることが確認できた。
【産業上の利用可能性】
【0194】
本発明は熱分解やアウトガスを伴うことなく蒸着可能な含フッ素重合体であり、電極等の金属パターニング材の他、ディスプレイ用のＯＣＡ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｌｅａｒ Ａｄｈｅｓｉｖｅ）や、ＯＣＲ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｌｅａｒ Ｒｅｓｉｎ）や光取り出しフィルムのような光学薄膜の材料としても利用可能である。本発明の含フッ素重合体を材料とする薄膜は、低屈折率の光学薄膜として利用することができる。
なお、２０２０年０２月２６日に出願された日本特許出願２０２０－０３０４６０号、２０２０年０６月３０日に出願された日本特許出願２０２０－１１２９６２号および２０２１年０１月１９日に出願された日本特許出願２０２１－００６６３４号の明細書、特許請求の範囲、要約書および図面の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。
なお、２０２０年０２月２６日に出願された日本特許出願２０２０－０３０４６０号、２０２０年０６月３０日に出願された日本特許出願２０２０－１１２９６２号および２０２１年０１月１９日に出願された日本特許出願２０２１－００６６３４号の明細書、特許請求の範囲、要約書および図面の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。
【符号の説明】
【0195】
１，１１，１２…導電膜、１０，１１６…第１膜、１０Ａ…第１領域、１０Ｂ…第２領域、１０Ｘ…第１導電性材料、１５，１１７…樹脂膜、２０，１１８…第２膜、２０ａ，５０ａ…表面、５０…基材、１１０…基板、１１１…陽極、１１５…陰極、Ｐ…含フッ素重合体、Ｍ…マスク
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】