特許 7621073 接合体

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2025-01-16

(45)【発行日】2025-01-24

(54)【発明の名称】接合体

(51)【国際特許分類】

   H05B 3/02 20060101AFI20250117BHJP

   H05B 3/74 20060101ALI20250117BHJP

   H01L 21/683 20060101ALI20250117BHJP

   C04B 37/02 20060101ALI20250117BHJP

   H01R 4/02 20060101ALI20250117BHJP

【ＦＩ】

H05B3/02 B

H05B3/74

H01L21/68 N

C04B37/02 B

H01R4/02 Z

【請求項の数】 2

(21)【出願番号】P 2020138527

(22)【出願日】2020-08-19

(65)【公開番号】P2022034701

(43)【公開日】2022-03-04

【審査請求日】2023-05-25

【前置審査】

(73)【特許権者】

【識別番号】000004547

【氏名又は名称】日本特殊陶業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100160691

【弁理士】

【氏名又は名称】田邊 淳也

(72)【発明者】

【氏名】小川 貴道

【審査官】井古田 裕昭

(56)【参考文献】

【文献】特開２０２０－１１３６６７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平１０－２７３３７１（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０５Ｂ ３／０２

Ｈ０５Ｂ ３／７４

Ｈ０１Ｌ ２１／６８３

Ｃ０４Ｂ ３７／０２

Ｈ０１Ｒ ４／０２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

接合体であって、
受電電極を有するセラミックス部材と、
導電性を有する金属端子と、
前記セラミックス部材と前記金属端子との間に配置される応力緩和部と、
を備え、
前記応力緩和部は、
第１面において、ろう材を介して前記受電電極に接合されると共に、前記第１面に接続していない第２面において、ろう材を介して前記金属端子に接合される本体部であって、Ｗ（タングステン）を主成分とし、結合相としてＮｉ（ニッケル）と、Ｆｅ（鉄）と、Ｃｕ（銅）とを少なくとも一種類含むタングステン基焼結合金で形成される本体部と、
前記第１面と前記第２面とを接続する前記本体部の側面を被覆する酸化物保護膜と、
を有し、
前記酸化物保護膜の厚さが１００ｎｍ以上かつ１０００ｎｍ以下である、
ことを特徴とする、接合体。

【請求項2】

請求項１に記載の接合体であって、
前記酸化物保護膜は、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ａｌ，Ｖ，Ｔａの酸化物を１種類以上含むことを特徴とする、接合体。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、接合体に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体を製造する際に使用され、支持した半導体ウェハーを加熱するための給電パッドを備えるセラミック基板構造体が知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載されたセラミック基板構造体は、セラミック基体に埋設された給電パッドと、電源に接続されて電力を供給するための給電端子と、の間に配置され、給電パッドと給電端子とを電気的に接続する緩衝部材を備えている。この緩衝部材は、外周面全面が金属により被膜されており、この金属が給電パッドよりも先に酸化することにより、給電パッドの酸化を抑制する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１９－１６５１２６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１に記載の構成では、緩衝部材の接合面と側面とが同じ部材で構成されているため、ろう材が接合面とは異なる側面に回り込んでしまう場合がある。このような場合、接合面のろう材が不足して、給電パッドと緩衝部材との接合強度が低下する。また、緩衝部材を被膜する金属が酸化していると、ろう材が酸化被膜を介して緩衝部材と接合される。このような場合、金属である緩衝部材と金属であるろう材の接合であるにも関わらず、緩衝部材とろう材との間の酸化被膜により緩衝部材とろう材との接合強度が低下する。そのため、特許文献１に記載のセラミック基板構造体において、給電パッドと緩衝部材との接合部における接合強度を向上させることが望まれていた。なお、セラミック基板構造体は接合体とも呼ばれ、緩衝部材は応力緩和部とも呼ばれ、給電パッドは受電電極とも呼ばれる。

【0005】

本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、接合部の接合強度を向上させた接合体を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現できる。接合体であって、受電電極を有するセラミックス部材と、導電性を有する金属端子と、前記セラミックス部材と前記金属端子との間に配置される応力緩和部と、を備え、前記応力緩和部は、第１面において、ろう材を介して前記受電電極に接合されると共に、前記第１面に接続していない第２面において、ろう材を介して前記金属端子に接合される本体部であって、Ｗ（タングステン）を主成分とし、結合相としてＮｉ（ニッケル）と、Ｆｅ（鉄）と、Ｃｕ（銅）とを少なくとも一種類含むタングステン基焼結合金で形成される本体部と、前記第１面と前記第２面とを接続する前記本体部の側面を被覆する酸化物保護膜と、を有し、前記酸化物保護膜の厚さが１００ｎｍ以上かつ１０００ｎｍ以下である、ことを特徴とする、接合体。そのほか、本発明は、以下の形態としても実現可能である。

【0007】

（１）本発明の一形態によれば、接合体が提供される。この接合体は、受電電極を有するセラミックス部材と、導電性を有する金属端子と、前記セラミックス部材と前記金属端子との間に配置される応力緩和部と、を備え、前記応力緩和部は、第１面において、ろう材を介して前記受電電極に接合されると共に、前記第１面に接続していない第２面において、ろう材を介して前記金属端子に接合される本体部と、前記第１面と前記第２面とを接続する前記本体部の側面を被覆する酸化物保護膜と、を有する。

【0008】

この構成によれば、受電電極と金属端子との間に応力緩和部が装填されることにより、受電電極と金属端子との材質の違いに起因する熱膨張率の差によって生じる熱応力を減衰させることができる。また、本構成の接合体では、本体部の側面は、酸化物保護膜により被覆されている。これにより、ろう材が応力緩和部の側面にはい上がることが抑制され、この結果、はい上がりによる接合面でのろう材の減少によって生じる接合強度の低下を抑制できる。さらに、酸化物保護膜は、受電電極と本体部との接合部、および、本体部と金属端子との接合部には形成されていない。つまり、本体部とろう材とは酸化物保護膜を介することなく接合しているため、金属である本体部とろう材との間には接合強度の低下を引き起こす可能性がある酸化物保護膜がない。これにより、本体部とろう材との接合強度を確保することができる。すなわち、本構成の接合体によれば、本体部の酸化を抑制した上で、応力緩和部と受電電極との接合部、および、応力緩和部と金属端子との接合部の接合強度を向上させることができる。

【0009】

（２）上記態様の接合体において、前記酸化物保護膜は、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ａｌ，Ｖ，Ｔａの酸化物を１種類以上含んでいてもよい。
この構成によれば、酸化物保護膜が高温環境でも比較的安定であるため接合体の高温耐久性が向上する。

【0010】

なお、本発明は、種々の態様で実現することが可能であり、例えば、接合体、基板保持装置、半導体製造装置、セラミックスヒータ、およびこれらを備える部品、およびこれらの製造方法等の形態で実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】本発明の実施形態としての接合体を備える基板保持部材の概略断面図である。

【図2】受電電極と第２給電ロッドとの接合についての説明図である。

【図3】応力緩和部の保護膜が異なる接合体の実施例１～８および比較例１～３の評価試験結果について説明図である。

【図4】接合体の製造方法のフローチャートである。

【図5】セラミックス部材の製造方法のフローチャートである。

【図6】応力緩和部の製造方法のフローチャートである。

【図7】変形例の応力緩和部および保護膜についての説明図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

＜実施形態＞
図１は、本発明の実施形態としての接合体１０を備える基板保持部材１００の概略断面図である。基板保持部材１００は、プラズマエッチングやイオン注入、電子ビーム露光等を行う半導体製造装置の一部である。基板保持部材１００は、半導体ウェハーＷ（以下、単に「ウェハーＷ」とも呼ぶ）の固定・平面度矯正・搬送等を行い、かつ、ウェハーＷを所定の温度に加熱する加熱装置として利用される。

【0013】

図１に示されるように、基板保持部材１００は、載置面１０ＦでウェハーＷを保持する接合体１０と、接合体１０の載置面１０Ｆの反対側に接続されている中空のシャフト２０と、を備えている。接合体１０は、セラミックスを含む受電電極（図１では不図示）を有するセラミックス部材１１と、セラミックス部材１１内に配置された抵抗発熱体１３と、受電電極１２に電力を供給するための導電性の第２給電ロッド（金属端子）１５と、を備えている。

【0014】

セラミックス部材１１は、例えばアルミナ、窒化アルミニウム、ＹＡＧ、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、イットリア、スピネル、ムライト、チタン酸カルシウム、チタン酸バリウムといったセラミックスにより形成されている。受電電極は、Ｗ（タングステン）とセラミックスとで形成されている。抵抗発熱体１３は、ビア導体（図１では不図示）と受電電極と第２給電ロッド１５とを介して電力が供給され、接合体１０が保持しているウェハーＷを加熱するためのヒータ電極として機能する。図１では分割して示されている抵抗発熱体１３は、電気的に直列に接続されている。なお、図１に示される矩形状の抵抗発熱体１３は、簡略化されて示されたものである。

【0015】

第２給電ロッド１５は、シャフト２０内に配置されて、一端が抵抗発熱体１３に接続されて、他端が図示されていないヒータ電源に接続されている。なお、図１では、第２給電ロッド１５と抵抗発熱体１３との接続の詳細について図示されていないが、接続の詳細については、受電電極およびビア導体の形状も合わせて、図２と共に説明する。

【0016】

図２は、受電電極１２と第２給電ロッド１５との接合についての説明図である。図２には、図１のＸ１部を拡大した概略断面図である。図２に示されるように、接合体１０は、受電電極１２と、受電電極１２と抵抗発熱体１３とを電気的に接続しているビア導体１４と、セラミックス部材１１と第２給電ロッド１５との間に配置された応力緩和部１６と、を備えている。応力緩和部１６は、セラミックス部材１１と第２給電ロッド１５とを電気的に接続する。図２に示されるように、応力緩和部１６は、電極対向面（第１面）１６１Ｆ１が第１ろう材１７を介して受電電極１２に接合されると共に、電極対向面１６１Ｆ１とは接続していないロッド対向面（第２面）１６１Ｆ２が第２ろう材１８を介して第２給電ロッド１５に接合されている。なお、図２では、抵抗発熱体１３の図示を省略し、抵抗発熱体１３側のビア導体１４の一部の図示を省略している。

【0017】

図２に示されるように、応力緩和部１６の一部は、セラミックス部材１１に凹むように形成された凹部１１Ｍに挿入されている。凹部１１Ｍおよび応力緩和部１６の中心軸ＯＬに対する横断面は、略円形状である。応力緩和部１６の横断面は凹部１１Ｍの横断面よりも小さいため、応力緩和部１６と、凹部１１Ｍとの間には間隙が形成されている。

【0018】

図２に示されるように、応力緩和部１６は、受電電極１２および第２給電ロッド１５に接合される本体部１６１と、本体部１６１の外周側の側面１６１Ｓを被覆する保護膜（酸化物保護膜）１６２と、を備えている。本実施形態の本体部１６１は金属材料であり、Ｗを主成分とし、結合相としてＮｉ（ニッケル）と、鉄と、銅とを少なくとも一種類含むタングステン基焼結合金である。本実施形態の保護膜１６２は、Ｃｒ（クロム），Ｔｉ（チタン），Ｚｒ（ジルコニウム），Ｈｆ（ハフニウム），Ｎｂ（ニオブ），Ａｌ（アルミニウム），Ｖ（バナジウム），Ｔａ（タンタル）の酸化物を１種類以上含む酸化物保護膜である。なお、本実施形態における本体部１６１の側面１６１Ｓは、電極対向面１６１Ｆ１とロッド対向面１６１Ｆ２とを接続する面ともいえる。保護膜１６２の厚さは、１００ｎｍ～１０００ｎｍが好ましい。

【0019】

受電電極１２は、凹部１１Ｍで一部が露出していて、第１ろう材１７により電極対向面１６１Ｆ１で応力緩和部１６と接合されている。一方で、応力緩和部１６は、中心軸ＯＬに沿って第１ろう材１７の反対側のロッド対向面１６１Ｆ２で、第２ろう材１８により第２給電ロッド１５に接合されている。本実施形態の第２給電ロッド１５は、柔軟性のある純ニッケルで形成されている。

【0020】

本実施形態の第１ろう材１７およびろう材２としては、Ｎｉ系ろう材箔（例えば日立金属・Ｍｅｔｇｌａｓ（登録商標）のアルモルファスＮｉろう材箔）や金系ろう材箔（例えばＪＩＳ規格のＢＡｕ－４）が用いられる。

【0021】

図３は、応力緩和部１６の保護膜１６２が異なる接合体１０の実施例１～８および比較例１～３の評価試験結果について説明図である。図３には、実施例１～８および比較例１～３における本体部１６１および保護膜１６２の材質と、３つの評価試験結果とが示されている。なお、図３に示されていない接合体１０を構成する各材質は同じである。例えば、受電電極１２の材質は、タングステンと、セラミックスとしての窒化アルミとの混合物である。

【0022】

図３に示される評価試験では、接合体１０の接合強度と、ろう材のはい上がりと、高温耐久性との３つが評価される。接合強度の評価試験では、実施例８種類と比較例３種類との計１１種類の接合体におけるそれぞれのサンプル１０個に対して引張強度試験を行った。サンプル１０個の内、２０ＭＰａ以上で１つも破壊されなかった接合体１０を「○」と評価し、１つでも破壊された接合体１０を「×」と評価した。

【0023】

ろう材のはい上がりの評価試験では、第１ろう材１７および第２ろう材１８の接合後に、第１ろう材１７と第２ろう材１８との少なくとも一方が保護膜１６２にはい上がっていない接合体１０を「○」と評価し、はい上がっている接合体１０を「×」と評価した。なお、図３における比較例２は、本体部１６１の側面１６１Ｓに加えて、電極対向面１６１Ｆ１とロッド対向面１６１Ｆ２とにも酸化クロムが被覆された、すなわち、本体部１６１の全面が被覆された接合体である。比較例２では、第１ろう材１７および第２ろう材１８によりろう付けできず、ろう材のはい上がりの評価ができなかったため、評価結果が「－」と示されている。

【0024】

高温耐久性の評価試験では、６００℃、１０００時間（ｈ）の空気中で接合体１０を放置した後の状態を評価した。第２給電ロッド１５と応力緩和部１６とが外れるなどの不具合があった場合には「×」と評価し、不具合がなかった場合には「○」と評価した。なお、放置後の比較例３の応力緩和部に色の変化があったため、応力緩和部に酸化が進行したと判定して「×」と評価した。

【0025】

図３に示される実施例１～８のように、本体部１６１の側面１６１Ｓを被覆している保護膜１６２が酸化物保護膜の場合には、３つの評価試験の結果が良好であった。一方で、比較例１のように保護膜１６２がない接合体と、比較例２のように側面１６１Ｓに加えて電極対向面１６１Ｆ１およびロッド対向面１６１Ｆ２も酸化物保護膜で被覆されている接合体と、および比較例３のように側面１６１Ｓが窒化物保護膜で被覆されている接合体とでは、３つの評価試験の内の少なくとも１つで不具合が発生している。

【0026】

図４は、接合体１０の製造方法のフローチャートである。図４に示される接合体１０の製造フローでは、初めに、受電電極１２を有するセラミックス部材１１が作製される（ステップＳ１０）。次に、受電電極１２とセラミックス部材１１とに接合される応力緩和部１６が作成される（ステップＳ２０）。作製されたセラミックス部材１１内の受電電極１２と、応力緩和部１６と、第２給電ロッド１５とが接合されて（ステップＳ３０）、接合体１０が製造される。

【0027】

図５は、セラミックス部材１１の製造方法のフローチャートである。図５に示されるように、セラミックス部材１１の製造フローでは、初めに、セラミックス部材１１の元となるグリーンシート用のスラリーが作製される（ステップＳ１１）。本実施形態では、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）粉末１００重量部に、酸化イットリウム（Ｙ₂Ｏ₃（イットリア））粉末０．５重量部と、アクリル系バインダ２０重合部と、適量の分散剤および可塑剤とが加えられた混合物に、有機溶剤（例えばトルエン）が加えられる。この混合物が、ボールミルにて２０時間混合されることにより、グリーンシート用スラリーが作製される。

【0028】

キャスティング装置により、作製されたスラリーがシート上に成形され、乾燥させられてグリーンシートが作製される（ステップＳ１２）。作製されたグリーンシートに設けられた貫通孔に電極用ペーストが印刷されることにより、グリーンシートにビア導体１４が形成される（ステップＳ１３）。

【0029】

ビア導体１４が形成されたグリーンシートには、ヒータや分配等の電極パターンを有する受電電極１２が形成される（ステップＳ１４）。受電電極１２は、メタライズ層の印刷および貫通孔を設けた後のビアの印刷により形成される。メタライズ層の印刷に用いられるペーストは、例えば、ＷやＭｏの粉末と、窒化アルミニウム粉末と、アクリル系バインダと、テルピネオール等の有機溶剤とを混合したペーストである。なお、ペーストとして混合される窒化アルミニウム粉末の量は、ＷおよびＭｏの量に対して調整される。

【0030】

受電電極１２が形成された複数（例えば２０枚）のグリーンシートが積層されることにより、グリーンシート積層体（例えば厚さ８ｍｍ）が作製される（ステップＳ１５）。グリーンシート積層体は、複数のグリーンシートが圧着され、必要に応じて外周が切断されることにより作製される。グリーンシート積層体は、マシニングにより周囲が切削加工されて、円板状の成形体として作製される。

【0031】

作製された成形体の積層体は、４５０℃～６００℃の範囲で脱脂された後、焼成される（ステップＳ１６）。これにより、受電電極１２を有するセラミックス部材１１が作製され、セラミックス部材１１の製造フローが終了する。

【0032】

図６は、応力緩和部１６の製造方法のフローチャートである。図６に示されるように、応力緩和部１６の製造フローでは、応力緩和部１６の元となる本体部１６１の棒材を準備する（ステップＳ２１）。準備される本体部１６１の棒材は、横断面が接合体１０に用いられる場合と同じ形状に加工された材料である。

【0033】

準備された本体部１６１の棒材の表面が、保護膜１６２を形成する酸化物で被覆される（ステップＳ２２）。酸化物で被覆された本体部１６１の棒材は、応力緩和部１６としての所定の厚さに切断されることにより（ステップＳ２３）、保護膜１６２で被覆された応力緩和部１６が作成される。例えば、図３に示される実施例１の応力緩和部１６は、本体部１６１としてのタングステン合金の棒材に金属のクロムが被覆された後に酸化熱処理が行われ、所定の厚さに切断されて製造される。また、実施例２の応力緩和部１６は、４２アロイの棒材に金属のチタンがＰＶＤ（physical vapor deposition）等で被覆された後に酸化熱処理が行われ、所定の厚さに切断されて製造される。また、実施例３の応力緩和部１６は、ＳＵＳ４３０の棒材に酸化ジルコニウムがＰＶＤやＣＶＤ（chemical vapor deposition）等で被覆されて、所定の厚さに切断されて製造される。なお、実施例４～８の応力緩和部１６は、実施例３と同様の製造方法で材質を変えて製造される。

【0034】

図４のステップＳ３０では、作製されたセラミックス部材１１の受電電極１２と応力緩和部１６との間に第１ろう材１７（例えばＭＢＦ－６７）を挟み、かつ、応力緩和部１６と第２給電ロッド１５との間に第２ろう材１８（例えばＢＡｕ－４）を挟んだ状態で、加熱されることによりろう付けによる接合が行われる（ステップＳ３０）。加熱条件としては、例えば、真空中において、１０分間（ｍｉｎ）～３０分間で９５０℃～１１５０℃で加熱する。

【0035】

なお、受電電極１２と応力緩和部１６との間、および、応力緩和部１６と第２給電ロッド１５との間に、ろう材を挟む代わりに、ろう材ペーストを塗布してもよい。また、第１ろう材１７および第２ろう材１８は、同じ加熱条件でろう付けされなくてもよく、例えば、第１ろう材１７がろう付けされた後に、異なる加熱条件で第２ろう材１８がろう付けされてもよい。

【0036】

以上説明したように、本実施形態の接合体１０は、セラミックス部材１１と第２給電ロッド１５との間に配置された応力緩和部１６を備えている。応力緩和部１６は、本体部１６１と、本体部１６１の側面１６１Ｓを被覆する保護膜１６Ｃと、を備えている。本体部１６１は、電極対向面１６１Ｆ１において第１ろう材１７を介して受電電極１２に接合され、ロッド対向面１６１Ｆ２において第２ろう材１８を介して第２給電ロッド１５に接合されている。受電電極１２と第２給電ロッド１５との間に応力緩和部１６が装填されることにより、低熱膨張の受電電極１２と高熱膨張の第２給電ロッド１５との材質の違いに起因する熱膨張率の差によって生じる熱応力を減衰させることができる。本体部１６１の側面１６１Ｓは、酸化物保護膜である保護膜１６２により被覆されている。保護膜１６２は、本体部１６１の酸化を抑制できる。さらに、第１ろう材１７および第２ろう材１８が応力緩和部１６の側面にはい上がることが抑制される。この結果、各ろう材１７，１８のはい上がりによるろう材の減少によって生じる接合部の接合強度の低下を抑制できる。また、保護膜１６２は、受電電極１２と本体部１６１との接合部、および、本体部１６１と第２給電ロッド１５との接合部には形成されていない。これにより、本体部１６１とろう材との接合強度を確保できる。すなわち、本実施形態の接合体１０によれば、本体部１６１の酸化を抑制した上で、応力緩和部１６と受電電極１２との接合部、および、応力緩和部１６と第２給電ロッド１５との接合部の接合強度を向上させることができる。

【0037】

また、本実施形態の応力緩和部１６が有する保護膜１６２は、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ａｌ，Ｖ，Ｔａの酸化物を１種類以上含んでいる。そのため、図３に示される実施例１～８と比較例１～３の比較のように、接合体１０の高温耐久性が向上する。

【0038】

＜本実施形態の変形例＞
本発明は上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。

【0039】

上記実施形態では接合体１０の一例について説明したが、接合体１０は、セラミックス部材１１と第２給電ロッド１５との間に配置される応力緩和部１６を備え、本体部１６１の側面１６１Ｓが酸化物により形成された保護膜１６２で被覆されている範囲で変形可能である。例えば、セラミックス部材１１、第２給電ロッド１５、応力緩和部１６、第１ろう材１７、および第２ろう材１８の形状および材質については変形可能である。接合体１０の載置面１０Ｆには、ウェハーＷを保持しやすいような加工が施されていてもよい。図３に示される実施例１～８以外の本体部１６１の材質と保護膜１６２の材質との組み合わせであってもよく、本体部１６１がタングステン合金で形成され、保護膜１６２が酸化チタンで形成されていてもよい。

【0040】

また、本体部１６１を被覆する保護膜１６２についても種々変形可能である。図７は、変形例の応力緩和部１６ａについての説明図である。図７には、上記実施形態の図２に示された部分に対応する変形例の接合体１０ａの拡大断面の概略図が示されている。変形例の接合体１０ａでは、上記実施形態の接合体１０と比較して、保護膜１６２ａが応力緩和部１６を被覆する部分が異なり、その結果、第１ろう材１７ａおよび第２ろう材１８ａが接合する接合部分が異なっている。なお、変形例では、上記実施形態と異なる形状等について説明し、同じ形状や材質等についての説明は省略する。

【0041】

図７に示されるように、変形例の保護膜１６２ａは、本体部１６１ａの側面１６１Ｓに加え、電極対向面１６１Ｆ１の外周側の一部と、ロッド対向面１６１Ｆ２の外周側の一部とを被覆している。このように、変形例の保護膜１６２ａは、本体部１６１ａの側面１６１Ｓのみに形成されていなくてもよく、側面１６１Ｓ以外の面に形成されていてもよい。保護膜１６２ａは、本体部１６１ａの表面の内、第１ろう材１７ａが接合されていない表面と、第２ろう材１８ａとが接合されていない表面とを被覆することが好ましい。

【0042】

応力緩和部１６および第２給電ロッド１５の横断面は、円形状である必要はなく、矩形状であってもよいし、一方が矩形状で、他方が円形状であってもよい。また、保護膜が被覆する本体部の側面とは、第１ろう材１７により接合される面と、第２ろう材１８により接合される面とを接続する面をいい、上記実施形態の円周面の側面１６１Ｓと異なる形状の面であってもよい。例えば、本体部１６１は、多面体形状を有し、一の面で受電電極１２にろう材により接合され、かつ、他の一の面で第２給電ロッド１５にろう材により接合されている場合に、ろう材により接合されていない本体部１６１の他の全ての面を側面とみなしてもよい。保護膜１６２は、本体部の側面の全面を必ずしも被覆していなくてもよい。例えば、上記実施形態の応力緩和部１６の製造フローの切断時に（図６のステップＳ３３）、側面１６１Ｓに被覆されていた保護膜１６２の一部が削られた結果、削られた部分以外の側面を被覆していてもよい。保護膜１６２は、本体部１６１の側面１６１Ｓの９０％以上を被覆することが好ましく、側面１６１Ｓの９５％以上を被覆することがより好ましい。

【0043】

接合体１０を備える基板保持部材１００は、接合体１０を備える範囲で種々変形可能である。例えば、基板保持部材１００は、シャフト２０を備えていなくてもよい。

【0044】

以上、実施形態、変形例に基づき本態様について説明してきたが、上記した態様の実施の形態は、本態様の理解を容易にするためのものであり、本態様を限定するものではない。本態様は、その趣旨並びに特許請求の範囲を逸脱することなく、変更、改良され得ると共に、本態様にはその等価物が含まれる。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することができる。

【符号の説明】

【0045】

１０，１０ａ…接合体
１０Ｆ…載置面
１１…セラミックス部材
１１Ｍ…凹部
１２…受電電極
１３…抵抗発熱体
１４…ビア導体
１５…第２給電ロッド（金属端子）
１６，１６ａ…応力緩和部
１６１…本体部
１６１Ｆ１…電極対向面（第１面）
１６１Ｆ２…ロッド対向面（第２面）
１６１Ｓ…本体部の側面
１６２，１６２ａ…保護膜（酸化物保護膜）
１７，１７ａ…第１ろう材
１８，１８ａ…第２ろう材
２０…シャフト
１００…基板保持部材
ＯＬ…中心軸
Ｗ…半導体ウェハー

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】