特許 7622147 熱アシスト磁気記録を改善するように構成された、選択された分離体を有する媒体構造

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2025-01-17

(45)【発行日】2025-01-27

(54)【発明の名称】熱アシスト磁気記録を改善するように構成された、選択された分離体を有する媒体構造

(51)【国際特許分類】

   G11B 5/66 20060101AFI20250120BHJP

   G11B 5/738 20060101ALI20250120BHJP

   G11B 5/84 20060101ALI20250120BHJP

   G11B 5/02 20060101ALI20250120BHJP

【ＦＩ】

G11B5/66

G11B5/738

G11B5/84 Z

G11B5/02 S

【請求項の数】 19

【外国語出願】

(21)【出願番号】P 2023110668

(22)【出願日】2023-07-05

(65)【公開番号】P2024031826

(43)【公開日】2024-03-07

【審査請求日】2023-07-07

(31)【優先権主張番号】17/895,566

(32)【優先日】2022-08-25

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(73)【特許権者】

【識別番号】504056130

【氏名又は名称】ウェスタン デジタル テクノロジーズ インコーポレーテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100207837

【弁理士】

【氏名又は名称】小松原 寿美

(72)【発明者】

【氏名】ホアン コン ホー

(72)【発明者】

【氏名】関 智孔

(72)【発明者】

【氏名】ポール クリストファー ドーシー

【審査官】松元 伸次

(56)【参考文献】

【文献】米国特許出願公開第２０１６／００９９０１７（ＵＳ，Ａ１）

【文献】国際公開第２０１４／０８７６７２（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０２１－１２８８１１（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１９／１８７２４３（ＷＯ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０２２／０１３９４２２（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ１１Ｂ５／００－５／０２４

５／６２－５／８５８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板；
前記基板上のヒートシンク層；及び
前記ヒートシンク層上の複数の磁気記録層であって、前記複数の磁気記録層は、第１磁性層と、前記第１磁性層上に配設され、ＦｅＰｔ－Ａｇ－Ｃｕ－Ｘ（式中、Ｘは、ＢＮを含む分離体である）を含む第２磁性層と、を含む複数の磁気記録層、
を含み、
前記分離体中のＢＮの量が、３４モルパーセント（モル％）以上で４２モル％以下である、磁気記録媒体。

【請求項2】

前記分離体中の炭素（Ｃ）の量が、０モルパーセント（モル％）以上で１０モル％以下である、請求項１に記載の磁気記録媒体。

【請求項3】

基板；
前記基板上のヒートシンク層；及び
前記ヒートシンク層上の複数の磁気記録層であって、前記複数の磁気記録層は、第１磁性層と、前記第１磁性層上に配設され、ＦｅＰｔ－Ａｇ－Ｃｕ－Ｘ（式中、Ｘは、ＢＮを含む分離体である）を含む第２磁性層と、を含む複数の磁気記録層、
を含み、
前記複数の磁気記録層と前記ヒートシンク層との間に配設され、ＭｇＯＴｉＯを含む第１下地層を含む、下地層構造を更に含み、
前記下地層構造は、前記第１下地層の上にある、ＭｇＯを含む第２下地層を更に含み、
前記第２下地層は、約１．１ナノメートル（ｎｍ）と約２．３ｎｍとの間の厚さを有する、磁気記録媒体。

【請求項4】

前記第２磁性層は、前記第１磁性層の直接上にあり、前記第１磁性層は、前記第２下地層の直接上にあり、前記第２下地層は、前記第１下地層の直接上にある、請求項３に記載の磁気記録媒体。

【請求項5】

基板；
前記基板上のヒートシンク層；及び
前記ヒートシンク層上の複数の磁気記録層であって、前記複数の磁気記録層は、第１磁性層と、前記第１磁性層上に配設され、ＦｅＰｔ－Ａｇ－Ｃｕ－Ｘ（式中、Ｘは、ＢＮを含む分離体である）を含む第２磁性層と、を含む複数の磁気記録層、
を含み、
前記第２磁性層の組成が、ＦｅＰｔＡｇＣｕ－１０Ｃ－３４ＢＮ、ＦｅＰｔＡｇＣｕ－５Ｃ－３７．４ＢＮ、又はＦｅＰｔＡｇＣｕ－４１ＢＮのうちの１つである、磁気記録媒体。

【請求項6】

前記第１磁性層と前記第２磁性層とは、それぞれの組成が互いに異なる、請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。

【請求項7】

前記第２磁性層は、前記第１磁性層の厚さより大きい厚さを有する、請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。

【請求項8】

基板；
前記基板上のヒートシンク層；及び
前記ヒートシンク層上の複数の磁気記録層であって、前記複数の磁気記録層は、第１磁性層と、前記第１磁性層上に配設され、ＦｅＰｔ－Ａｇ－Ｃｕ－Ｘ（式中、Ｘは、ＢＮを含む分離体である）を含む第２磁性層と、を含む複数の磁気記録層、
を含み、
前記複数の磁気記録層は、
前記第２磁性層上に配設された第３磁性層と、
前記第３磁性層上に配設された第４磁性層と、
を更に含み、
前記第１磁性層、前記第２磁性層、前記第３磁性層、及び前記第４磁性層は、それぞれの組成が互いに異なり、
前記第１磁性層は、ＦｅＰｔ－Ａｇを含み、
前記第２磁性層は、ＦｅＰｔ－Ａｇ－Ｃｕ－Ｃ－ＢＮを含み、
前記第３磁性層は、ＦｅＰｔ－ＢＮ－Ｃを含み、
前記第４磁性層は、ＦｅＰｔ－ＢＮ－ＳｉＯ２を含む、
磁気記録媒体。

【請求項9】

請求項１、請求項３、請求項５、請求項８のいずれか一項に記載の磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体にデータを書き込むように構成されているライトヘッドと、
を備えるデータ記憶デバイス。

【請求項10】

磁気記録媒体の製造方法であって、
基板を設けるステップと、
前記基板上にヒートシンク層を設けるステップと、
前記ヒートシンク層上に複数の磁気記録層を設けるステップであって、前記複数の磁気記録層は、第１磁性層と、前記第１磁性層上に配設され、ＦｅＰｔ－Ａｇ－Ｃｕ－Ｘ（式中、Ｘは、ＢＮを含む分離体である）を含む第２磁性層とを含む、ステップと、
を含み、
前記分離体中のＢＮの量が、３４モルパーセント（モル％）以上で４２モル％以下である、方法。

【請求項11】

前記分離体中の炭素（Ｃ）の量が、０モル％以上１０モル％以下である、請求項１０に記載の方法。

【請求項12】

磁気記録媒体の製造方法であって、
基板を設けるステップと、
前記基板上にヒートシンク層を設けるステップと、
前記ヒートシンク層上に複数の磁気記録層を設けるステップであって、前記複数の磁気記録層は、第１磁性層と、前記第１磁性層上に配設され、ＦｅＰｔ－Ａｇ－Ｃｕ－Ｘ（式中、Ｘは、ＢＮを含む分離体である）を含む第２磁性層とを含む、ステップと、
を含み、
前記複数の磁気記録層と前記ヒートシンク層との間に配設され、ＭｇＯＴｉＯを含む第１下地層を含む、下地層構造を設けるステップを更に含み、
前記下地層構造は、前記第１下地層上の、ＭｇＯを含む第２下地層であって、
約１．１ナノメートル（ｎｍ）と約２．３ｎｍとの間の厚さを有する前記第２下地層を更に含む、方法。

【請求項13】

前記第２磁性層は、前記第１磁性層の直接上にあり、前記第１磁性層は、前記第２下地層の直接上にあり、前記第２下地層は、前記第１下地層の直接上にある、請求項１２に記載の方法。

【請求項14】

磁気記録媒体の製造方法であって、
基板を設けるステップと、
前記基板上にヒートシンク層を設けるステップと、
前記ヒートシンク層上に複数の磁気記録層を設けるステップであって、前記複数の磁気記録層は、第１磁性層と、前記第１磁性層上に配設され、ＦｅＰｔ－Ａｇ－Ｃｕ－Ｘ（式中、Ｘは、ＢＮを含む分離体である）を含む第２磁性層とを含む、ステップと、
を含み、
前記第２磁性層の組成が、ＦｅＰｔＡｇＣｕ－１０Ｃ－３４ＢＮ、ＦｅＰｔＡｇＣｕ－５Ｃ－３７．４ＢＮ、又はＦｅＰｔＡｇＣｕ－４１ＢＮのうちの１つである、方法。

【請求項15】

前記第１磁性層と前記第２磁性層とは、それぞれの組成が互いに異なる、請求項１０乃至請求項１４のいずれか一項に記載の方法。

【請求項16】

前記第２磁性層は、前記第１磁性層の厚さより大きい厚さを有する、請求項１０乃至請求項１４のいずれか一項に記載の方法。

【請求項17】

前記複数の磁気記録層を設けることは、
前記第２磁性層上に第３磁性層を堆積するステップと、
前記第３磁性層上に第４磁性層を堆積するステップと、
を更に含み、
前記第１磁性層、前記第２磁性層、前記第３磁性層、及び前記第４磁性層は、それぞれの組成が互いに異なる、請求項１０乃至請求項１４のいずれか一項に記載の方法。

【請求項18】

磁気記録媒体であって、
基板；
前記基板上のヒートシンク層；及び
前記ヒートシンク層上の複数の磁気記録層であって、前記複数の磁気記録層は、第１磁性層と、前記第１磁性層上に配設され、ＦｅＰｔ－Ａｇ－Ｃｕ－Ｘ（式中、Ｘは、Ｂ４Ｃを含む分離体である）を含む第２磁性層と、を含む複数の磁気記録層、
を含み、
前記複数の磁気記録層と前記ヒートシンク層との間に配設され、ＭｇＯＴｉＯを含む第１下地層を含む、下地層構造を更に含み、
前記下地層構造は、前記第１下地層の上にある、ＭｇＯを含む第２下地層を更に含み、
前記第２下地層は、約１．１ナノメートル（ｎｍ）と約２．３ｎｍとの間の厚さを有する、磁気記録媒体。

【請求項19】

磁気記録媒体であって、
基板；
前記基板上のヒートシンク層；及び
前記ヒートシンク層上の複数の磁気記録層であって、前記複数の磁気記録層は、第１磁性層と、前記第１磁性層上に配設され、ＦｅＰｔ－Ａｇ－Ｃｕ－Ｘ（式中、Ｘは、Ｂ４Ｃを含む分離体である）を含む第２磁性層と、を含む複数の磁気記録層、
を含み、
前記複数の磁気記録層は、
前記第２磁性層上に配設された第３磁性層と、
前記第３磁性層上に配設された第４磁性層と、
を更に含み、
前記第１磁性層、前記第２磁性層、前記第３磁性層、及び前記第４磁性層は、それぞれの組成が互いに異なり、
前記第１磁性層は、ＦｅＰｔ－Ａｇを含み、
前記第３磁性層は、ＦｅＰｔ－ＢＮ－Ｃを含み、
前記第４磁性層は、ＦｅＰｔ－ＢＮ－ＳｉＯ２を含む、磁気記録媒体。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、いくつかの態様において、熱アシスト磁気記録と共に使用するための磁気記録媒体に関し、より詳細には、熱アシスト磁気記録（heat-assisted magnetic recording、ＨＡＭＲ）を改善するように構成された、選択された分離体を有する媒体構造に関する。

【0002】

序論
ハードディスクドライブ（hard disk drive、ＨＤＤ）などの磁気記憶システムは、静止及びモバイルコンピューティング環境の両方における多種多様なデバイスにおいて利用される。磁気記憶システムを組み込むデバイスの例としては、デスクトップコンピュータ、携帯型ノートブックコンピュータ、携帯型ハードディスクドライブ、デジタル多目的ディスク（digital versatile disc、ＤＶＤ）プレーヤー、高精細度テレビ（high definition television、ＨＤＴＶ）受信機、車両制御システム、セルラー若しくは携帯電話、テレビセットトップボックス、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ビデオゲームコンソール、ネットワーク記憶システム、及び携帯型メディアプレーヤが挙げられる。

【0003】

典型的なディスクドライブは、１つ以上のフラットディスクの形態の磁気記憶媒体を含む。ディスクは、一般に、２つの主要な実体、すなわち、それに構造及び剛性を与える基板材料と、磁気インパルス又はモーメントを保持する磁気媒体コーティングとを含み、この磁気インパルス又はモーメントは、コーティング内の記録層内のデータを表すものである。典型的なディスクドライブはまた、一般に、媒体の記録層に記憶された磁場を感知及び／又は変更することができる磁気変換器の形態の、読み取りヘッド及び書き込みヘッドを含む。

【0004】

エネルギーアシスト磁気記録（energy-assistant magnetic recording、ＥＡＭＲ）システムは、様々な磁気媒体上に磁気的に記録される情報の面密度を増加させることができる。磁気記憶のためのより高い面密度を達成するために、より小さい磁性粒子サイズ（例えば、６ｎｍ未満）の媒体が使用され得る。熱アシスト磁気記録（ＨＡＭＲ）は、ＥＡＭＲの一例である。ＨＡＭＲでは、小さな磁性粒子への記録を容易にするために、書き込み中に記録媒体に高温が加えられる。いくつかの例では、ＨＡＭＲ媒体の１つ以上の磁性層は、分離材料（例えば、炭素）及び下地層を含むことができる。下地層（例えば、ＭｇＯ層）の厚さは、媒体熱勾配及び磁性膜成長に影響を及ぼし得る。

【発明の概要】

【0005】

以下は、本開示のいくつかの態様の簡略化された概要を提示し、そのような態様の基本的な理解を提供するものである。この概要は、本開示のすべての企図される特徴の広範な概観ではなく、また本開示のすべての態様の鍵となる要素又は非常に重要な要素を識別することも、本開示のいずれか又はすべての態様の範囲の線引きすることも意図されていない。その唯一の目的は、後に提示されるより詳細な説明の前置きとして、本開示のいくつかの態様の様々な概念を簡略化された形で提示することである。

【0006】

一実施形態では、磁気記録媒体は、基板と、基板上のヒートシンク層と、ヒートシンク層上の複数の磁気記録層とを含む。複数の磁気記録層は、第１磁性層と、第１磁性層上に配設された第２磁性層とを含む。第２磁性層は、ＦｅＰｔ－Ａｇ－Ｃｕ－Ｘを含み、Ｘは、ＢＮを含む分離体である。

【0007】

一実施形態では、データ記憶デバイスは、磁気記録媒体と、磁気記録媒体にデータを書き込むように構成された書き込みヘッドとを含み、書き込みヘッドは、近接場トランスデューサ（near field transducer、ＮＦＴ）を含む。

【0008】

一実施形態では、磁気記録媒体の製造方法が提供される。この方法は、基板を設けるステップと、基板上にヒートシンク層を設けるステップとを含む。この方法は、ヒートシンク層上に複数の磁気記録層を設けるステップを更に含む。複数の磁気記録層は、第１磁性層と、第１磁性層上に配設された第２磁性層とを含む。第２磁性層は、ＦｅＰｔ－Ａｇ－Ｃｕ－Ｘを含み、Ｘは、ＢＮを含む分離体である。

【0009】

一実施形態では、磁気記録媒体は、基板と、基板上のヒートシンク層と、ヒートシンク層上の複数の磁気記録層とを含む。複数の磁気記録層は、第１磁性層と、第１磁性層上に配設された第２磁性層とを含む。第２磁性層はＦｅＰｔ－Ａｇ－Ｃｕ－Ｘを含み、ＸはＢ４Ｃを含む分離体である。

【0010】

本開示のこれら及び他の態様は、以下の詳細な説明を検討することにより、より完全に理解されるであろう。本開示の他の態様、特徴、及び実装形態は、添付の図面とともに本開示の特定の実装形態の以下の説明を検討すると、当業者に明らかになるであろう。本開示の特徴は、以下のいくつかの実装形態及び図に関して説明され得るが、本開示のすべての実装形態は、本明細書で説明する有利な特徴のうちの１つ以上を含むことができる。言い換えれば、１つ以上の実装形態は、特定の有利な特徴を有するものとして説明され得るが、そのような特徴のうちの１つ以上はまた、本明細書で説明する本開示の様々な実装形態に従って使用され得る。同様に、特定の実装形態が、デバイスの実装形態、システムの実装形態、又は方法の実装形態として以下で説明され得るが、そのような実装形態は、様々なデバイス、システム、及び方法において実装され得るということを理解されたい。

【図面の簡単な説明】

【0011】

添付図面に示される特定の態様を参照したより詳しい説明を、以下に含める。これらの図面は本開示のある態様のみを示し、したがってその範囲を限定するものとして見なされるべきではないと理解した上で、以下の添付図面を使用して、付加的な特殊性及び詳細を伴って本開示を記述し説明する。

【図1】本開示の一態様による、スライダとエネルギーアシスト磁気記録（energy-assisted magnetic recording、ＥＡＭＲ）媒体とを含む、ＥＡＭＲのために構成されたディスクドライブの上面概略図である。

【図2】本開示の一態様による、図１のスライダ及びＥＡＭＲ媒体の側面概略図である。

【図3】本開示の一態様による、ＨＡＭＲ媒体の側面概略図である。

【図4】本開示のいくつかの態様による、例示的なＨＡＭＲ媒体及び対照媒体の温度勾配試験結果のチャートである。

【図5】本開示のいくつかの態様による、例示的なＨＡＭＲ媒体及び対照媒体のレーザパワー試験結果のチャートである。

【図6】例示的なＨＡＭＲ媒体及び対照媒体の信号対雑音比（ＳＮＲ）性能のチャートである。

【図7】例示的なＨＡＭＲ媒体及び対照媒体の信号対雑音比（ＳＮＲ）性能のチャートである。

【図8】本開示のいくつかの態様による、ＨＡＭＲ媒体を製造するためのプロセスのフローチャートである。

【図9】図３のＨＡＭＲ媒体を製造するためのスパッタリング装置を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下の詳細な説明では、その一部をなす添付図面を参照する。上述した例示的な態様、態様、及び特徴に加えて、更なる態様、態様、及び特徴を、図面及び以下の詳細な説明を参照することにより明らかにする。各図における要素の説明は、先の図の要素を参照し得る。同じ番号は、図において同じ要素を参照する場合があり、それは同じ要素の代替の態様を含む。

【0013】

本開示は、いくつかの態様では、例えば、熱アシスト磁気記録（ＨＡＭＲ）に使用され得る磁気記録媒体を提供するための様々な装置、システム、及び方法、並びに媒体に関する。いくつかの態様では、ＨＡＭＲ媒体は、磁性層においてＢＮ系分離体を使用して、高い面密度を達成することができる磁性層設計を有する。いくつかの実施形態では、ＨＡＭＲ媒体は複数の磁気記録層を有し、磁気記録層の少なくとも１つはＢＮ系分離体を使用する。より高い面密度を達成するためには、ＭｇＯ下地層又はシード層の厚さを薄くして、媒体の熱勾配を増加させる必要がある。しかしながら、下地層又はシード層も、適切な磁性膜成長のためには、十分な厚さを有する必要がある。いくつかの実施形態では、ＨＡＭＲ媒体は、高い面密度及び適切な磁性粒子成長のための、効果的な熱勾配を提供するように設計された厚さを有する、二層の下地層（例えば、ＭｇＯ／ＭｇＯＴｉＯ下地層）を有する。

【0014】

図１は、本開示の１つ以上の態様による、スライダ１０８と磁気記録媒体１０２とを含む、エネルギーアシスト磁気記録（ＥＡＭＲ）のために構成されたデータ記憶デバイス１００（例えば、ディスクドライブ又は磁気記録デバイス）の上面概略図である。磁気記録媒体１０２は、ＢＮ系分離体を使用することができる磁性層設計を有する。説明を簡単にするために、磁気記録媒体の様々な実施形態は、熱アシスト磁気記録（ＨＡＭＲ）に使用可能なものとして本開示で説明されるが、それらはＨＡＭＲ又はＥＡＭＲのみに限定されず、非ＥＡＭＲタイプの磁気記録にも使用することができる。レーザ（図１では見えていないが、図２の符号１１４を参照）は、ヘッド／スライダ１０８によって位置決めされる。ディスクドライブ１００は、データを記憶するための１つ以上のディスク／媒体１０２を含み得る。ディスク／媒体１０２は、ドライブハウジング１０６に取り付けられたスピンドルアセンブリ１０４上に存在する。データは、ディスク１０２の磁気記録層内のトラックに沿って記憶され得る。データの読み取り及び書き込みは、読み取り要素及び書き込み要素（１０８ａ及び１０８ｂ）の両方を有し得るヘッド１０８（スライダ）によって達成される。書き込み要素１０８ａは、ディスク１０２の磁気記録層の特性を変更し、それによって、そこに情報を書き込むために使用される。一態様では、ヘッド１０８は、読み取り用のトンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）素子などの磁気抵抗（ＭＲ）ベースの素子と、書き込み用に通電することができるコイルを有する書き込み磁極とを有し得る。動作中、スピンドルモータ（図示せず）は、スピンドルアセンブリ１０４を回転させ、それによってディスク１０２を回転させて、所望のディスクトラック１０７に沿った特定の場所に、ヘッド１０８を位置決めする。ディスク１０２に対するヘッド１０８の位置は、制御回路１１０（例えば、マイクロコントローラ）によって制御され得る。例示的なＨＡＭＲシステムが示されているが、記載された様々な実施形態は、垂直磁気記録（perpendicular magnetic recording、ＰＭＲ）ディスクドライブを含む、他のＥＡＭＲ又は非ＥＡＭＲ磁気データ記録システムにおいて使用され得るということに留意されたい。

【0015】

図２は、図１のスライダ１０８及び磁気記録媒体１０２の側面概略図である。磁気記録媒体１０２は、本開示の１つ以上の態様による、ＢＮ系分離体を使用する磁気記録層を含む１つ以上の層を有してもよい（例えば、図３に示される媒体）。スライダ１０８は、スライダ１０８の上面に取り付けられたサブマウント１１２を含み得る。レーザ１１４は、サブマウント１１２に、及び場合によってはスライダ１０８に取り付けられ得る。スライダ１０８は、それぞれ磁気記録媒体１０２に情報を書き込み、かつ磁気記録媒体１０２から情報を読み取るために、スライダの空気ベアリング表面（air bearing surface、ＡＢＳ）１０８ｃに沿って位置決めされた書き込み要素（例えば、ライタ）１０８ａ及び読み取り要素（例えば、リーダ）１０８ｂを備える。

【0016】

動作中、レーザ１１４は、光エネルギーを発生させて、スライダ１０８の空気軸受面（例えば、底面）１０８ｃの近くの近接場トランスデューサ（ＮＦＴ）１２２に、（例えば、破線に沿って）光を方向付けるスライダ内の導波管に方向付けるように構成されている。導波管を介してレーザ１１４から光を受信すると、ＮＦＴ１２２は、書き込み要素１０８ａ内又は書き込み要素１０８ａ近くであって、かつ読み取り要素１０８ｂの近くの媒体１０２の一部を加熱する、局所的な熱エネルギーを生成する。予想される記録温度は、約３５０℃～４００℃の範囲内であり得る。図２に示す態様では、レーザ指向光は、ライタ１０８ａ内であってスライダの後縁の近くに配設されている。他の態様では、上のようにする代わりに、レーザ指向光は、ライタ１０８ａとリーダ１０８ｂとの間に配置され得る。図１及び図２は、ＨＡＭＲシステムの具体的一例を示す。他の例では、本開示の態様による磁気記録媒体１０２は、他の好適なＨＡＭＲシステム（例えば、ＨＡＭＲ用に構成された他のスライダを有するもの）において使用することができる。

【0017】

本開示のいくつかの態様は、ＢＮ系分離体を使用する磁気記録層を有するＨＡＭＲ媒体を提供し、また、そのようなＨＡＭＲ媒体を製造する方法を提供する。いくつかの態様では、ＨＡＭＲ媒体の１つ以上の磁気記録層は、ＢＮ系分離体を使用することができるが、そのＢＮ系分離体は、より良好な面密度能力（areal density capability、ＡＤＣ）のためにＨＡＭＲ媒体の熱勾配を改善することを可能にし、より薄い厚さを有するＭｇＯ下地層の使用を可能にするものである。

【0018】

図３は、本開示のいくつかの態様による、ＢＮ系分離体を使用するＨＡＭＲ媒体３００の側面概略図である。ＨＡＭＲ媒体３００は、積層構造を有し、底部／ベース層には基板３０２を、基板３０２上には接着層３０４を、接着層３０４上には軟性下地層（soft underlayer、ＳＵＬ）３０６を、ＳＵＬ３０６上にはシード層３０８を、シード層３０８上にはヒートシンク層３１０を、ヒートシンク層３１０上には熱抵抗層（thermal resistance layer、ＴＲＬ）３１２を、ＴＲＬ３１２上には下地層構造３１４を有する。一例では、下地層構造３１４は、ＴＲＬ３１２上の第１下地層（例えば、ＭｇＯＴｉＯ（ＭＴＯ）層３１６）と、第１下地層（ＭＴＯ層３１６）上の第２下地層（例えば、ＭｇＯ層３１８）とを含み得る。いくつかの実施形態では、下地層構造３１４は、ＭｇＯ層を伴わないＭＴＯ層３１６と置き換えられてもよい。いくつかの例において、ＭＴＯ層３１６は、約１．３ナノメートル（ｎｍ）から約３．５ｎｍの間の厚さを有し得る。いくつかの例では、ＭｇＯ層３１８は、約１．１ｎｍ～約２．３ｎｍ（例えば、約１．７ｎｍ）の厚さを有し得る。ＨＡＭＲ媒体３００は、下地層構造３１４上の多層磁気記録層（ＭＲＬ）構造３２０と、ＭＲＬ構造３２０上のキャッピング層３２２と、キャッピング層３２２上のオーバーコート層３２４とを更に含む。いくつかの例では、ＨＡＭＲ媒体３００は、オーバーコート層３２４上に潤滑剤層３２６を有し得る。いくつかの態様では、ＨＡＭＲ媒体３００の１つ以上の層（例えば、下地層構造３１４及びＭＲＬ構造３２０）は、反応性ガスを使用して堆積（例えば、スパッタリング）され得る。

【0019】

いくつかの態様では、基板３０２は、Ａｌ合金、ＮｉＰめっきＡｌ、ガラス、ガラスセラミック、それらの組み合わせ、及び／又は当該技術分野で知られている他の好適な材料などの、１つ以上の材料から作製され得る。いくつかの態様では、接着層３０４は、ＮｉＴａ及び／又は当該技術分野で知られている他の好適な材料から作られ得る。いくつかの態様では、ＳＵＬ３０６は、高透磁率、高飽和磁化、及び低保磁力を有し得るが、例えば、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｂＢ、ＦｅＡｌＳｉ、ＣｏＦｅＢ、ＦｅＴａＮ、ＦｅＴａＣ、及びＣｏＦｅ、又は当該技術分野で知られている他の好適な材料などである。いくつかの態様では、シード層３０８は、ＲｕＡｌ及び／又は当該技術分野で知られている他の好適な材料から作製され得る。

【0020】

いくつかの態様では、ヒートシンク層３１０は、例えばＡｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｗ、ＣｕＺｒ、ＭｏＣｕ、ＡｇＰｄ、ＣｒＲｕ、ＣｒＶ、ＣｒＷ、ＣｒＭｏ、ＣｒＮｄ、ＮｉＡｌ、ＮｉＴａ、それらの組み合わせ、及び／又は当該技術分野で知られている他の好適な材料などの、１つ以上の材料から作製され得る。いくつかの態様では、熱抵抗層３１２は、ＲｕＡｌ、ＲｕＡｌＣｒＯ２、及び／又は当該技術分野で知られている他の好適な材料から作製され得る。一例では、熱抵抗層３１２は、約２ｎｍの厚さを有し得る。

【0021】

図示のように、ＭＲＬ構造３２０は、４つの磁気記録層（ＭＡＧ０、ＭＡＧ１、ＭＡＧ２、ＭＡＧ３）を含む。いくつかの例では、ＭＲＬ構造３２０のこれらの副層又は磁気記録層は、ＦｅＰｔ又はＦｅＰｔＸから選択される合金から作製され得るが、ここで、Ｘは、Ａｇ、Ｃｕ、及びそれらの組み合わせから選択される材料であり得る。いくつかの態様において、ＭＲＬ構造３２０の副層は、ＣｏＰＴｘ合金から作製され得るが、ここで、Ｘは、Ａｇ、Ｃｕ、及びそれらの組み合わせから選択される材料であり得る。いくつかの例では、ＭＲＬ構造３２０の副層の各々は、ＨＡＭＲ媒体に適切であるような、所定の厚さ、所定の粒状構造、所定の小さい粒径、所望の均一性、所望の高い保磁力、所望の高い磁束、及び所望の良好な原子配列を有し得る。例えば、Ａｕ又はＮｉなどの、他の添加元素が、前述のＭＲＬ構造３２０に添加されてもよい。他の実施形態では、ＭＲＬ構造３２０には、４以外の異なる数のＭＲＬがあってもよい。

【0022】

いくつかの実施形態では、ＭＲＬ構造３２０の副層又は磁性層どうしは、それらの組成、厚さ、及び／又は分離体が異なり得る。一例では、ＭＲＬ構造３２０は、第１磁気記録層３２８（副層ＭＡＧ０）、ＭＡＧ０上の第２磁気記録層３３０（副層ＭＡＧ１）と、ＭＡＧ１上の第３の磁気記録層３３２（副層ＭＡＧ２）と、ＭＡＧ２上の第４の磁気記録層３３４（副層ＭＡＧ３）とを含み得る。一例では、ＭＡＧ１は、ＭＡＧ０よりも大きい厚さを有することができる。他の例では、ＭＲＬ構造３２０は、４つより多い又はより少ない磁気記録副層を有していてもよい。一実施形態では、ＭＡＧ１（第２磁気記録層３３０）は、ＦｅＰｔ－Ａｇ－Ｃｕ－Ｘを含み得る。いくつかの例において、Ｘは、ＢＮを含むか又はＢＮとＣとの組み合わせを含む、磁性粒子分離体であり得る。いくつかの例では、ＸはＢ４Ｃを含み得る。ＢＮ分離体の（例えば、副層ＭＡＧ１における）使用により、下地層（例えば、ＭｇＯ下地層３１８）の厚さを低減することが可能になり、それは、他の点では同一の（例えば、非ＢＮ分離体の使用以外は同一の）ＭＲＬ構造において分離体としてＢＮ（又はＢ４Ｃ）を使用しないＨＡＭＲ媒体と比較して、増加した熱勾配をもたらし得る。いかなる理論にも束縛されるものではないが、ＢＮは、第２磁気記録層（ＭＡＧ１）に使用される場合、磁性層のＦｅＰｔに影響を及ぼす代わりに、より下層のＭＴＯ層から逃れた（例えば、ＭＴＯ下地層からの）Ｔｉと反応してＴｉＮを形成し得ると考えられる。そうでなければ、Ｂを単独で使用すると、ＦｅＰｔと反応し（例えば、ＦｅＢを形成し）、それによって磁性層の記録性能を低下させ得る。様々な実施形態において、ＭＡＧ１は、Ｆｅ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃ、及びＢＮの様々な組成を有し得る。ＭＲＬ構造３２０（例えば、ＭＡＧ１）における分離体としてのＢＮの使用は、ＭｇＯ層３１８の厚さの低減を可能にし、その結果、媒体３００の熱勾配及びＡＤＣが、下地層構造３１４上（例えば、ＭｇＯ層３１８上）の磁性膜成長に著しい影響を及ぼすことなく改善され得る。

【0023】

一実施形態では、ＭＡＧ１は、約３４モル％～約４２モル％の間のＢＮを有し得る。いくつかの例では、ＭＡＧ１は、約０モル％～約１０モル％のＣを有し得る。いくつかの例では、他の磁気記録層（例えば、ＭＡＧ０、ＭＡＧ２、及び／又はＭＡＧ３）は、例えば、Ａｇ、ＳｉＯ２、Ｃ、ＢＮ、それらの組み合わせ、及び／又は当該技術分野で知られている他の好適な材料などの、同じ又は異なる分離体を有することができる。いくつかの例では、ＭＡＧ０は、ＢＮ分離体を含まなくてもよい。一実施形態において、ＭＡＧ１は、ＦｅＰｔＡｇＣｕ－１０Ｃ－３４ＢＮを含む組成を有することができる。一実施形態において、ＭＡＧ１は、ＦｅＰｔＡｇＣｕ－５Ｃ－３７．４ＢＮを含む組成を有することができる。一実施形態において、ＭＡＧ１は、ＦｅＰｔＡｇＣｕ－４１ＢＮを含む組成を有することができる。一実施形態において、ＭＡＧ１は、炭素（Ｃ）を含まないＢＮ系分離体を有する。

【0024】

いくつかの態様では、キャッピング層３２２は、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｐｄ、それらの組み合わせ、及び／又は当該技術分野で知られている他の好適な材料から作製され得る。一例では、キャッピング層３２２は、Ｃｏを含む最上層と、Ｐｔ又はＰｄを含む最下層とを有する二層構造とすることができる。最上層及び最下層の、Ｃｏ／Ｐｔ及びＣｏ／Ｐｄの組み合わせに加えて、最上層材料及び最下層材料の具体的な組み合わせとしては、例えば、Ｃｏ／Ａｕ、Ｃｏ／Ａｇ、Ｃｏ／Ａｌ、Ｃｏ／Ｃｕ、Ｃｏ／Ｉｒ、Ｃｏ／Ｍｏ、Ｃｏ／Ｎｉ、Ｃｏ／Ｏｓ、Ｃｏ／Ｒｕ、Ｃｏ／Ｔｉ、Ｃｏ／Ｖ、Ｆｅ／Ａｇ、Ｆｅ／Ａｕ、Ｆｅ／Ｃｕ、Ｆｅ／Ｍｏ、Ｆｅ／Ｐｄ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｃｕ、Ｎｉ／Ｍｏ、Ｎｉ／Ｐｄ、Ｎｉ／Ｒｅなどが挙げられ得る。追加的例では、最上層材料と最下層材料とは、Ｐｔ及びＰｄの任意の組み合わせ（例えば合金）、又は、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｏｓ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｖ、Ｆｅ、Ｒｅなどの元素のうちの任意のものを単独で若しくは組み合わせて含む。いくつかの態様では、オーバーコート層３２４は、炭素から作製され得る。一態様では、潤滑剤層３２６は、ポリマー系潤滑剤から作製され得る。

【0025】

本明細書で使用されるとき、「上方」、「下方」、「上」、及び「間」という用語は、他の層に対する１つの層の相対位置を指す。このように、例えば、別の層の上／上方又は下方に堆積又は配設された１つの層は、他の層と直接接触していてもよく、又は１つ以上の介在層を有していてもよい。更に、層の間に堆積又は配設された１つの層は、それらの層と直接接触していてもよく、又は１つ以上の介在層を有していてもよい。

【0026】

いくつかの実施形態では、ＨＡＭＲ媒体３００は、同様の構造を有するが磁気記録層（例えば、ＭＡＧ１）にＢＮ系分離体を使用しないＨＡＭＲ媒体（対照媒体）よりも、高い面密度（例えば、ＡＤＣ）、同等若しくはより良好な信号対雑音比（ＳＮＲ）、及び／又は改善された温度勾配を有し得る。

【0027】

図４は、ＢＮ系分離体を用いた例示的なＨＡＭＲ媒体（例えば、ＨＡＭＲ媒体３００）及び対照媒体の、温度勾配試験結果を示す。より具体的には、図４は、３つのＨＡＭＲ試験媒体及び対照媒体についての、媒体の平均熱勾配（ケルビン／ナノメートル（Ｋ／ｎｍ））（縦軸）対ＭｇＯ下地層の厚さ（横軸）のグラフを示す。図４において、曲線４０２、４０４、及び４０６は、ＢＮ系分離体を用いた３つの異なるＨＡＭＲ媒体の試験データに対応する。より具体的には、曲線４０６は、反応性ガスを使用せずに製造されたＢＮ系分離体を使用するＨＡＭＲ媒体に対応する。曲線４０２及び４０４は、異なる流量で反応性ガスを使用して製造されたＢＮ系分離体を使用する２つの他のＨＡＭＲ媒体に対応する。曲線４０８は、ＢＮ系分離体を使用しない対照媒体の試験データに対応する。この例では、曲線４０２に対応するＨＡＭＲ媒体（例えば、ＢＮ系分離体を有し、より高い流量の反応性ガスを使用して製造されたＨＡＭＲ媒体３００）は、ＭｇＯ下地層の厚さが減少する場合に、対照媒体の熱勾配と比較してより大きな熱勾配を有する。他のＨＡＭＲ媒体（例えば、曲線４０４及び４０６に対応するもの）は、曲線４０２に対応する媒体ほど良好には機能しない。より高い熱勾配は、ＨＡＭＲ媒体の面密度（例えば、ＡＤＣ）を改善することができる。一般に、ＨＡＭＲ媒体の熱勾配は、ＭｇＯ下地層が薄くなるにつれて改善する。しかしながら、ＭｇＯ下地層の厚さを低減することは、媒体の磁気性能（例えば、信号対雑音比）に悪影響を及ぼす可能性がある。ＢＮ系分離体を有する開示されたＨＡＭＲ媒体（特に、ＢＮ系分離体を有し、反応性ガスを使用して製造されたＨＡＭＲ媒体）は、以下の図６及び図７に図示され説明されるように、磁気性能を著しく損なうことなく、より薄いＭｇＯ下地層の使用（又はＭｇＯ下地層の不使用）を可能にする。

【0028】

図５は、図４の例示的なＨＡＭＲ媒体（例えば、ＨＡＭＲ媒体３００）のレーザパワー試験結果を示す。より具体的には、図５は、３つのＨＡＭＲ試験媒体及び対照媒体について、媒体に印加される（書き込み動作中にスライダを介して印加される）平均レーザパワー（縦軸（ミリアンペア（ｍＡ））対ＭｇＯ下地層の厚さ（横軸）のグラフを示す。図５において、曲線５０２、５０４、及び５０６は、ＢＮ系分離体を用いた３つの異なるＨＡＭＲ媒体の試験データに対応する。より具体的には、曲線５０６は、反応性ガスを使用せずに製造されたＢＮ系分離体を使用するＨＡＭＲ媒体に対応する。曲線５０２及び５０４は、異なる流量で反応性ガスを使用して製造された、ＢＮ系分離体を有する他の２つのＨＡＭＲ媒体に対応する。曲線５０８は、ＢＮ系分離体を使用しない対照媒体の試験データに対応する。図５は、対照媒体と比較すると、曲線５０２に対応する試験ＨＡＭＲ媒体（例えば、ＢＮ系分離体を有し、より高い流量の反応性ガスを使用して製造されたＨＡＭＲ媒体３００）は、ＭｇＯ下地層の厚さが約１ｎｍ以上（例えば、約１．３ｎｍ）であるとき、レーザ電流を著しく増加させることなく（実際には減少する）、（図４に示すように）より高い熱勾配を有することを示す。図５は、ＢＮ系分離体を有し、反応性ガスを使用して製造されたＨＡＭＲ媒体（例えば、曲線５０２及び５０４）が、反応性ガスを使用せずに製造された、ＢＮ系分離体を使用するＨＡＭＲ媒体に対応する曲線５０６よりも、良好に機能することを更に示す。

【0029】

図６及び図７は、図４及び図５の例示的なＨＡＭＲ媒体（例えば、ＨＡＭＲ媒体３００）及び対照媒体の信号対雑音比（ＳＮＲ）性能を示すチャートである。より詳細には、図６は、３つのＨＡＭＲ試験媒体及び対照媒体についての、媒体の平均ｅＳＮＲｗｒｉｎｉｔ（縦軸）対ＭｇＯ下地層の厚さ（横軸）のグラフを示す。測定ｅＳＮＲｗｒｉｎｉｔは、記録パターン内の遷移（１から０又はその逆）に局在化されたリードバック信号の信号対雑音比を指す。図６において、曲線６０２、６０４、及び６０６は、ＢＮ系分離体を用いた３つの異なるＨＡＭＲ媒体の試験データに対応する。より具体的には、曲線６０６は、反応性ガスを使用せずに製造されたＢＮ系分離体を使用するＨＡＭＲ媒体に対応する。曲線６０２及び６０４は、異なる流量で反応性ガスを使用して製造されたＢＮ系分離体を使用する他の２つのＨＡＭＲ媒体に対応する。曲線６０８は、ＢＮ系分離体を使用しない対照媒体の試験データに対応する。

【0030】

図７は、３つのＨＡＭＲ試験媒体及び対照媒体についての、媒体の平均ｄｃＳＮＲ（縦軸）対ＭｇＯ下地層の厚さ（横軸）のグラフを示す。測定ｄｃＳＮＲとは、記録パターンに依存せず一様な再生信号の信号対雑音比である。図７において、曲線７０２、７０４、及び７０６は、ＢＮ系分離体を用いた３つの異なるＨＡＭＲ媒体の試験データに対応する。より具体的には、曲線７０６は、反応性ガスを使用せずに製造されたＢＮ系分離体を使用するＨＡＭＲ試験媒体に対応する。曲線７０２及び７０４は、異なる流量で反応性ガスを使用して製造されたＢＮ系分離体を使用する他の２つの試験ＨＡＭＲ媒体に対応する。曲線７０８は、ＢＮ系分離体を使用しない対照媒体の試験データに対応する。

【0031】

図６及び図７に示すように、曲線６０２及び７０２に対応する試験ＨＡＭＲ媒体（例えば、ＢＮ系分離体を有し、より高い流量の反応性ガスを使用して製造されたＨＡＭＲ媒体３００）は、ＭｇＯ下地層の厚さが減少するとき、対照媒体のものと比較して、より良好なＳＮＲ特性（例えば、ｅＳＮＲｗｒｉｎｉｔ及びｄｃＳＮＲ）を有する。他の試験ＨＡＭＲ媒体（例えば、曲線６０６及び７０６に対応するもの）は、曲線６０２、６０４、７０２、及び７０４に対応する媒体ほど良好に機能しない。曲線６０８及び７０８に対応する対照媒体のＳＮＲ性能は、ＭｇＯ層の厚さが減少するにつれて、ＢＮ系分離体を使用するＨＡＭＲ媒体よりも急速に劣化する。一例では、対照媒体は、磁気層において炭素系分離体を使用することができ、ＨＡＭＲ媒体は、磁気記録層（例えば、ＭＡＧ１、３３０）においてＢＮ系分離体を使用することができる。

【0032】

図８は、本開示のいくつかの態様による、ＢＮ系分離体を有するＨＡＭＲ媒体を製造するためのプロセス８００のフローチャートである。一態様では、プロセス８００は、図３～図７に関連して上述したＨＡＭＲ媒体のいずれかを製造するために使用又は修正され得る。ステップ８０２において、プロセスは、基板を設ける（例えば、好適な基板材料を堆積させる）。いくつかの態様では、基板は、Ａｌ合金、ＮｉＰめっきＡｌ、ガラス、ガラスセラミック、それらの組み合わせ、及び／又は当該技術分野で知られている任意の好適な材料などの、１つ以上の材料から作製することができる。

【0033】

ステップ８０４において、プロセス８００は、基板上にヒートシンク層を更に設ける（例えば、ヒートシンク層３１０を堆積させる）。一態様では、プロセス８００は、ヒートシンク層上に下地層を更に提供（例えば、下地層構造３１４を堆積）してもよい。一例では、下地層は、ＭＴＯ下地層及びＭｇＯ下地層を含み得る。一態様において、ＭｇＯ下地層は、約１．１ｎｍと約２．３ｎｍとの間の厚さを有する。

【0034】

ステップ８０６において、プロセスは、ヒートシンク層上に複数の磁気記録層を設ける（例えば、２つ以上の磁気記録層を堆積させる）。いくつかの態様では、プロセスはまた、磁気記録層（例えば、ＭＲＬ構造３２０）を設ける前に／堆積させる前に、接着層、ＳＵＬ、シード層、及び／又は熱抵抗層を、基板上に提供してもよい／堆積させてもよい。一例では、複数の磁気記録層は、データを磁気的に記憶するための１つ以上の磁気記録層を含み得る。一実施形態では、複数の磁気記録層は、第１磁気層（例えば、ＭＡＧ０、３２８）と、第１磁気層上に配設された第２磁気層（例えば、ＭＡＧ１、３３０）とを含む。第２磁性層は、ＦｅＰｔ－Ａｇ－Ｃｕ－Ｘを含むことができ、ここで、Ｘは、ＢＮを含む分離体（例えば、ＢＮ系分離体、Ｂ分離体とＣ分離体の組み合わせなど）である。一実施形態では、第２磁性層は第１磁性層の直接上にあり、第１磁性層はＭｇＯ下地層の直接上にあり、ＭｇＯ下地層はＭＴＯ下地層の直接上にある。ＢＮ分離体の使用は、同様の構造を有するものの、ＭＲＬ構造においてＢＮ分離体を含まないＨＡＭＲ媒体と比較して、ＭｇＯ下地層の厚さを低減（例えば、最大約２５％低減）することを可能にする。

【0035】

一実施形態では、プロセスは、スパッタリングを使用して、ＨＡＭＲ３００の１つ以上の層を形成することができる。一例では、プロセスは、反応性スパッタリングプロセスを使用して、１つ以上のＦｅＰｔ－Ａｇ－Ｃｕ－Ｘ磁気記録層を形成することができる。ＦｅＰｔ－Ａｇ－Ｃｕ－Ｘターゲットを反応性ガスで反応性スパッタリングして、ＦｅＰｔ－Ａｇ－Ｃｕ－Ｘを含有する磁気記録層を生成することができる。一例では、反応性スパッタリングプロセスは、反応性ガスを使用して実行することができる。

【0036】

図９は、本開示のいくつかの態様による、反応性スパッタリングを使用して磁気記録媒体を製造するための、反応性スパッタリング装置９００を示す図である。一例において、装置９００は、プロセス８００を用いて上述したＨＡＭＲ媒体３００を製造するために使用され得る。装置９００は、基板９０４上に膜９０２を堆積させるために使用することができる。例えば、膜９０２は、上述のＦｅＰｔ－Ａｇ－Ｃｕ－Ｘ磁性層又はＭＡＧ１（例えば、ＦｅＰｔ－Ａｇ－Ｃｕ－Ｃ－ＢＮ又はＦｅＰｔ－Ａｇ－Ｃｕ－ＢＮ）であってもよい。一例では、ＦｅＰｔ－Ａｇ－Ｃｕ－Ｘ磁性層は、ＦｅＰｔＡｇＣｕ－１０Ｃ－３４Ｂ、ＦｅＰｔＡｇＣｕ－５Ｃ－３７．４ＢＮ、又はＦｅＰｔＡｇＣｕ－４１ＢＮを含み得る。いくつかの実施形態において、ＦｅＰｔ－Ａｇ－Ｃｕ－Ｘ磁性層は、約３４モルパーセント（モル％）以上で約４２モル％以下のＢＮを有する。そのために、膜９０２を形成するための所望の材料のターゲット９０６を、装置９００内で使用することができる。装置９００の内部では、不活性ガス９０８（例えば、アルゴン、キセノン、又はクリプトン）によって形成されたプラズマに、反応性ガスが導入される。反応性ガスは、プラズマによって活性化され、その後基板９０４上に膜９０２として堆積されるスパッタリングされたターゲット材料９１０と、化学的に反応することができる。膜９０２の堆積中、基板９０４及びターゲット９０６は、膜９０２のスパッタリングを容易にするために、好適な電圧でバイアス印加され得る。

【0037】

一態様では、プロセスは、アクションのシーケンスを異なる順序で実行することができる。別の一態様では、プロセスは、１つ以上のアクションをスキップすることができる。他の態様では、１つ以上のアクションが同時に実行される。いくつかの態様では、追加のアクションを実行することができる。

【0038】

いくつかの態様では、そのような層の堆積は、様々な堆積サブプロセスを使用して行うことができ、例えば、物理蒸着（physical vapor deposition、ＰＶＤ）、スパッタ堆積、及びイオンビーム堆積、並びに、例えば、プラズマ強化化学蒸着（plasma enhanced chemical vapor deposition、ＰＥＣＶＤ）、低圧化学蒸着（low pressure chemical vapor deposition、ＬＰＣＶＤ）、及び原子層化学蒸着（atomic layer chemical vapor deposition、ＡＬＣＶＤ）などの、化学蒸着（chemical vapor deposition、ＣＶＤ）が挙げられるが、それらに限定されない。他の態様では、当該技術分野で既知の他の好適な堆積技法も使用され得る。

【0039】

追加の態様
本明細書に記載される例は、本開示の特定の概念を例示するために提供される。上に示された装置、デバイス、又は構成要素は、本明細書で説明される方法、特徴、又はステップのうちの１つ以上を実行するように構成され得る。当業者は、これらが本質的に単なる例示であり、他の例が本開示及び添付の請求項の範囲内に含まれ得るということを理解するであろう。本明細書の教示に基づいて、当業者ならば、本明細書で開示される態様が任意の他の態様から独立して実装され得るということ、及びこれらの態様のうちの２つ以上が様々な方法で組み合わせられ得るということを理解されたい。例えば、本明細書で説明する任意の数の態様を使用して、装置が実装され得るか、又は方法が実施され得る。更に、本明細書で説明される態様のうちの１つ以上に加えて又はそれら以外に、他の構造、機能、又は構造及び機能を使用して、上記のような装置が実装され得るか、又は上記のような方法が実施され得る。

【0040】

本開示の態様を、本開示の実施態様による、方法、装置、システム、及びコンピュータプログラムプロダクトの概略的なフローチャート図及び／又は概略的なブロック図を参照して上に説明してきた。概略的なフローチャート図及び／又は概略的なブロック図の各ブロック、並びに概略的なフローチャート図及び／又は概略的なブロック図におけるブロックの組み合わせは、コンピュータプログラム命令によって実装することができると理解される。これらのコンピュータプログラム命令は、コンピュータ又は他のプログラマブルデータ処理装置のプロセッサに提供されて、プロセッサ又は他のプログラマブルデータ処理装置を介して実行する命令が、概略的なフローチャート図及び／又は概略的なブロック図のブロック（複数可）で指定された機能及び／又は作用を実装するための手段を作成するように、マシンを生成してもよい。

【0041】

本明細書で説明される主題は、ハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア、又はそれらの任意の組み合わせで実装され得る。したがって、本明細書で使用される「機能」、「モジュール」などの用語は、説明されている特徴を実装するための、ハードウェアを指すが、ソフトウェア及び／又はファームウェア構成要素も含み得る。例示的な一実装形態では、本明細書で説明する主題は、コンピュータ可読媒体を使用して実装され得るが、その媒体は、コンピュータ（例えば、プロセッサ）によって実行されたときに本明細書で説明する機能を実行するようにコンピュータを制御するコンピュータ実行可能命令を記憶したものである。本明細書で説明される主題を実装するのに好適なコンピュータ可読媒体の例としては、ディスク型記憶デバイス、チップ型記憶デバイス、プログラム可能論理デバイス、及び特定用途向け集積回路などの、非一時的コンピュータ可読媒体が挙げられる。加えて、本明細書で説明される主題を実装するコンピュータ可読媒体は、単一のデバイス若しくはコンピューティングプラットフォーム上に位置してもよく、又は複数のデバイス若しくはコンピューティングプラットフォームにわたって分散されてもよい。

【0042】

また、いくつかの代替の実施形態では、ブロック内で示された機能は、図において示された順序とは異なって生じてもよいことに留意されたい。例えば、連続して示す２つのブロックが実質的に並行して実行されてもよいか、又はそれらのブロックが、関連する機能に応じて逆の順序で実行される場合があってもよい。他の工程及び方法として、機能、論理、又は効果の点で、示された図の１つ以上のブロック、又はその部分と同等なものを着想してもよい。様々な矢印のタイプ及び線のタイプがフローチャート及び／又はブロック図で採用され得るが、それらは対応する態様の範囲を限定しないものとして理解される。例えば、矢印は、図示された態様の列挙されたステップ間の待ち期間又は監視期間（その継続時間は特定されない）を示してもよい。

【0043】

上述した様々な特徴及びプロセスは、互いに独立して使用されてもよく、又は様々な方法で組み合わされてもよい。全ての可能な組み合わせ及びその部分的組み合わせは、本開示の範囲内に含まれることが意図される。加えて、いくつかの実装形態では、特定の方法、イベント、状態、又はプロセスブロックが省略され得る。本明細書で説明される方法及びプロセスはまた、任意の特定の順序に限定されず、それに関連するブロック又は状態は、適切な他の順序で行われることができる。例えば、説明されたタスク又はイベントは、具体的に開示されたもの以外の順序で実行されてもよく、又は複数のタスク又はイベントが単一のブロック又は状態に組み合わされてもよい。例示的なタスク又はイベントは、連続的に、同時並行で、又は何らかの他の好適な方法で実行され得る。タスク又はイベントは、開示された例示的な態様に追加されてもよく、又は開示された例示的な態様から除去されてもよい。本明細書に説明された例示的なシステム及び構成要素は、説明されたものとは異なるように構成されてもよい。例えば、開示された例示的な態様と比較して、要素が追加されたり、除去されたり、又は再配置され得る。

【0044】

当業者ならば、情報及び信号は、様々な異なる技術及び技法のいずれかを使用して表され得るということを理解するであろう。例えば、上の説明全体にわたって参照され得るデータ、命令、コマンド、情報、信号、ビット、シンボル、及びチップは、電圧、電流、電磁波、磁場若しくは磁性粒子、光場若しくは光学粒子、又はそれらの任意の組み合わせによって表され得る。

【0045】

「例示的な」という語は、本明細書では、「例、事例、又は例示として機能すること」を意味するために使用される。本明細書において「例示的な」として記載されたいかなる実装形態又は態様も、本開示の他の態様よりも必ず好ましい又は有利であると解釈されるべきではない。同様に、「態様」という用語は、本開示のすべての態様が、論じられる特徴、利点、又は動作モードを含むことを要求しない。「結合された」という用語は、本明細書では、２つのオブジェクト間の直接的又は間接的結合を指すために使用される。例えば、オブジェクトＡがオブジェクトＢに物理的に接触し、オブジェクトＢがオブジェクトＣに接触する場合、オブジェクトＡ及びＣは、それらが互いに物理的に直接接触しない場合であっても、互いに結合されているとやはり見なされ得る。更に、１つの構成要素が別の構成要素上に位置する文脈において、本出願において使用される「上に」という用語は、別の構成要素上にあり及び／又は別の構成要素内にある（例えば、構成要素の表面上にあるか若しくは構成要素内に埋め込まれた）構成要素を意味するために使用され得ることに留意されたい。したがって、例えば、第２構成要素上にある第１構成要素は、（１）第１構成要素が第２構成要素上にあるが、第２構成要素に直接接触していないこと、（２）第１構成要素が第２構成要素上に（例えば、その表面上に）あること、及び／又は（３）第１構成要素が第２構成要素内にある（例えば、その中に埋め込まれている）ことを意味し得る。本開示において使用するとき、「約『値Ｘ』」、又は「およそ値Ｘ」という用語は、「値Ｘ」の１０パーセント以内を意味するものとする。例えば、約１又はおよそ１の値は、０．９～１．１の範囲内の値を意味し得る。本開示では、様々な値範囲が指定、記載、及び／又は特許請求され得る。本明細書及び／又は請求項では、範囲が指定、記載、及び／又は特許請求されているときはいつでも、（少なくとも一実施形態では）端点を含むことが意図されていることに留意されたい。別の実施形態では、範囲は、範囲の端点を含まなくてもよい。

【0046】

上記の説明は本発明の多くの特定の態様を含むが、これらは本発明の範囲を限定するものとして解釈されるべきではなく、むしろその特定の態様の例として解釈されるべきである。したがって、本発明の範囲は、例示された態様によってではなく、添付の請求項及びそれらの均等物によって決定されるべきである。また、本明細書の全体を通して、「一態様（one aspect）」、「（一）態様（an aspect）」、又はそれに類似した言葉の参照は、本態様に関連して記載される特定の特徴、構造、又は特性が、本開示の少なくとも１つの態様に含まれることを意味する。したがって、本明細書の全体を通して、「一態様では（in one aspect）」、「（一）態様では（in an aspect）」、及びそれに類似した言葉の語句の表記は、必ずしも全て同一の態様を参照するのではなく、特に明示しない限り、「１つ以上ではあるが全てではない態様」を意味し得る。

【0047】

本明細書で使用される用語は、特定の実施形態を説明するためだけのものであり、実施形態を限定することを意図するものではない。本明細書で使用される場合、単数形「１つの（a）」、「１つの（an）」及び「その（the）」は、文脈がそうでないことを明確に示さない限り、複数形（すなわち、１つ以上）も含むことが意図される。列挙された項目の一覧は、特に明示しない限り、それらの項目のいずれか又は全てを相互に排他する及び／又は相互に含めることを暗に意味するものではない。「備える／含む（comprises）」、「備えている／含んでいる（comprising）」、「含む（includes）」、「含んでいる（including）」、「有する（having）」という用語、及びそれらの変形は、本明細書で使用される場合、明示的に別段の定めがない限り、「含むが、それに限定されない」ことを意味するということが更に理解されるであろう。すなわち、これらの用語は、述べられた特徴、整数、ステップ、動作、要素、又は構成要素の存在を指定し得るが、１つ以上の他の特徴、整数、ステップ、動作、要素、構成要素、又はそれらのグループの存在又は追加を排除しない。更に、「又は」という語は、ブール演算子「ＯＲ」と同じ意味を有する、すなわち、「いずれか」及び「両方」の可能性を包含し、特に明記しない限り、「排他的論理和」（「ＸＯＲ」）に限定されないということを理解されたい。２つの隣接する単語の間の記号「／」は、特に明記しない限り、「又は」と同じ意味を有することも理解されたい。更に、「～に接続された」、「～に結合された」、又は「～と通信している」などの句は、別段に明記されていない限り、直接的な接続に限定されない。

【0048】

「第１」、「第２」などの指定を使用する本明細書における要素へのいかなる言及も、一般に、それらの要素の数量又は順序を限定しない。むしろ、これらの指定は、本明細書において、２つ以上の要素又は要素の事例を区別する原義的な方法として使用され得る。したがって、第１及び第２要素への言及は、２つの要素のみがそこで使用され得ることも、第１要素が何らかの方法で第２要素に先行しなければならないことも意味しない。また、別段の記載がない限り、要素のセットは、１つ以上の要素を含み得る。加えて、説明又は請求項で使用される「ａ、ｂ、又はｃのうちの少なくとも１つ」、又は「ａ、ｂ、ｃ、又はそれらの任意の組み合わせ」という形式の用語は、「ａ又はｂ又はｃ又はこれらの要素の任意の組み合わせ」を意味する。例えば、この用語は、ａ、又はｂ、又はｃ、又はａ及びｂ、又はａ及びｃ、又はａ及びｂ及びｃ、又は２つのａ、又は２つのｂ、又は２つのｃ、又は２つのａ及びｂなどを含み得る。

【0049】

本明細書で使用される場合、「決定すること」という用語は、多種多様なアクションを包含する。例えば、「決定すること」は、計算すること、算出すること、処理すること、導出すること、調査すること、ルックアップすること（例えば、テーブル、データベース、又は別のデータ構造をルックアップすること）、確認することなどを含み得る。また、「決定すること」は、受信すること（例えば、情報を受信すること）、アクセスすること（例えば、メモリ中のデータにアクセスすること）などを含み得る。また、「決定すること」は、解決すること、選択すること、選ぶこと、確立することなどを含み得る。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】