特許 7622373 振動デバイス

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2025-01-20

(45)【発行日】2025-01-28

(54)【発明の名称】振動デバイス

(51)【国際特許分類】

   H03B 5/32 20060101AFI20250121BHJP

【ＦＩ】

H03B5/32 H

【請求項の数】 5

(21)【出願番号】P 2020136443

(22)【出願日】2020-08-12

(65)【公開番号】P2022032562

(43)【公開日】2022-02-25

【審査請求日】2023-07-19

(73)【特許権者】

【識別番号】000002369

【氏名又は名称】セイコーエプソン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100091292

【弁理士】

【氏名又は名称】増田 達哉

(74)【代理人】

【識別番号】100091627

【弁理士】

【氏名又は名称】朝比 一夫

(72)【発明者】

【氏名】笠原 昌一郎

【審査官】志津木 康

(56)【参考文献】

【文献】特開２０２０－０２８０９５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２０－１０８１０９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１２－０５００５７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１２－０７０４１８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２０－０３６２６２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００７－３００４１６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００９－０２７４７７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００７－１８０８８５（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１５／０１４５６１０（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２０１３－１９７８３２（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０３Ｂ５／３０－５／４２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体基板であるベースおよび半導体基板であるリッドを備え、収容部を有するパッケージと、
前記収容部に収容され、前記ベースに配置されている振動素子および受動素子と、
前記ベースに配置され、前記振動素子と電気的に接続される発振回路と、
前記パッケージに配置され、前記受動素子と電気的に接続される実装端子と、を有し、
前記収容部は、前記振動素子が収容されている第１収容部と、前記受動素子が収容されている第２収容部と、を有し、
前記ベースおよび前記リッドの少なくとも一方は、定電位に接続されており、
前記ベースの厚さ方向から見たとき、前記振動素子と前記受動素子とは、重ならずに、並んで配置されており、
前記振動素子と前記受動素子とが並んでいる方向から見たとき、前記振動素子と前記受動素子とが重なっていることを特徴とする振動デバイス。

【請求項2】

前記ベースおよび前記リッドは、それぞれ、前記定電位に接続されている請求項１に記載の振動デバイス。

【請求項3】

前記発振回路は、前記ベースの前記収容部と反対の面側に配置されている請求項１または２に記載の振動デバイス。

【請求項4】

前記パッケージは、前記ベースと前記リッドとの間に介在し、前記振動素子と一体形成されているスペーサーを有する請求項１ないし３のいずれか１項に記載の振動デバイス。

【請求項5】

前記受動素子は、前記ベースの前記収容部側の面に一体的に形成されている薄膜状である請求項１ないし４のいずれか１項に記載の振動デバイス。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、振動デバイスに関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、発振回路と、発振回路からの発振信号に基づいて動作する伝送制御部としてのＵＳＢ制御部と、を有するマイクロコントローラーが記載されている。また、特許文献１では、振動子は、発振回路に対して外付けで接続されている。また、ＵＳＢ制御部等の発振回路からの発振信号に基づいて動作する応用回路を含むＩＣには、回路の安定化等を図るために、通常、外付け部品としてコンデンサー、チップ抵抗、インダクター等が必要とされ、これら外付け部品は、ＩＣと共に基板上に実装される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２００２－１７５１２７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、外付け部品やそれらを実装する実装パッドに対して外部から印加される電磁ノイズの影響により、外付け部品が接続されている配線にノイズが重畳されてしまう。また、外付け部品やそれらを実装する実装パッドから放射される電磁ノイズが外部の回路に悪影響を与えてしまうという問題があった。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明に係る振動デバイスは、半導体基板であるベースおよび半導体基板であるリッドを備え、収容部を有するパッケージと、
前記収容部に収容され、前記ベースに配置されている振動素子および受動素子と、
前記ベースに配置され、前記振動素子と電気的に接続される発振回路と、
前記パッケージに配置され、前記受動素子と電気的に接続される実装端子と、を有し、
前記ベースおよび前記リッドの少なくとも一方は、定電位に接続されている。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1】第１実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。

【図2】図１の振動デバイスが有する振動素子および受動素子を示す平面図である。

【図3】図１の振動デバイスを搭載した回路基板を示す平面図である。

【図4】図３の回路基板が有する回路のブロック図である。

【図5】第２実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。

【図6】第３実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。

【図7】第４実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0007】

以下、本適用例に係る振動デバイスを添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。

【0008】

＜第１実施形態＞
図１は、第１実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。図２は、図１の振動デバイスが有する振動素子および受動素子を示す平面図である。図３は、図１の振動デバイスを搭載した回路基板を示す平面図である。図４は、図３の回路基板が有する回路のブロック図である。

【0009】

なお、図１は、図２中のＡ－Ａ線断面図である。また、説明の便宜上、図１および図２の各図には、互いに直交する３軸をＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸として図示している。また、Ｚ軸方向の矢印が向く側を「上」とも言い、反対側を「下」とも言う。また、Ｚ軸方向からの平面視を単に「平面視」とも言う。また、以下の説明では、「上面に配置」とは、上面に直接配置する場合の他、上面から所定距離離間した位置に配置する場合、すなわち、「上面側に配置」する場合も含む。下面についても同様である。

【0010】

図１に示す振動デバイス１は、内部に収容部Ｓを有するパッケージ１０と、収容部Ｓ内に収容された振動素子４および受動素子５と、を有する。また、パッケージ１０は、振動素子４および受動素子５が配置されたベース２と、振動素子４および受動素子５を覆ってベース２の上面２ａに接合されたリッド３と、を有する。また、ベース２には集積回路６が形成されている。

【0011】

ベース２は、シリコン基板、特にＰ型のシリコン基板である。ただし、ベース２としては、特に限定されず、Ｎ型のシリコン基板であってもよい。また、シリコン以外の半導体基板、例えば、Ｇｅ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ等の半導体基板を用いてもよい。

【0012】

また、ベース２は、板状であり、表裏関係にある上面２ａおよび下面２ｂを有する。また、ベース２の表面は、絶縁膜２０で覆われている。また、ベース２の下面２ｂには振動素子４と電気的に接続された集積回路６が形成されている。このように、ベース２に集積回路６を形成することにより、ベース２のスペースを有効活用することができる。特に、下面２ｂに集積回路６を形成することにより、上面２ａに集積回路６を形成する場合と比べて、リッド３との接合領域がない分、集積回路６の形成スペースを広く確保することができる。ただし、集積回路６は、ベース２の下面２ｂではなく、上面２ａに形成してもよい。

【0013】

集積回路６には、振動素子４と電気的に接続され、振動素子４を発振させてクロック信号等の発振信号を生成する発振回路６Ａが含まれている。集積回路６には、発振回路６Ａの他にも回路が含まれていてもよい。このような回路としては、例えば、発振回路６Ａからの出力信号を処理する処理回路が挙げられ、このような処理回路としては、例えば、ＰＬＬ回路が挙げられる。

【0014】

また、ベース２の下面２ｂには、配線層６２、絶縁層６３、パッシベーション膜６４および端子層６５が積層された積層体６０が設けられている。そして、配線層６２に含まれる配線を介して、下面２ｂに形成された図示しない複数の能動素子が電気的に接続されて集積回路６が構成される。また、端子層６５は、複数の実装端子６５１を有する。複数の実装端子６５１は、発振回路６Ａや受動素子５と電気的に接続されており、電源に繋がる端子、グランドに繋がる端子、発振回路６Ａからの発振信号が出力される端子、受動素子５と電気的に接続された端子等が含まれている。特に、受動素子５と電気的に接続された端子を以下では実装端子６５１ａとも言う。

【0015】

なお、絶縁層６３は、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）で構成され、配線層６２および端子層６５は、導電性のポリシリコン、タングステン（Ｗ）等の導電性材料で構成されている。ただし、これら各部の構成材料は、その機能を発揮することができれば、特に限定されない。

【0016】

なお、説明の便宜上、積層体６０に１つの配線層６２が含まれた構成としているが、これに限定されず、複数の配線層６２が絶縁層６３を介して積層されていてもよい。つまり、配線層６２と絶縁層６３とが交互に複数回積層されていてもよい。これにより、例えば、回路内の配線の引き回し、複数の実装端子６５１の設置自由度を高めることができる。

【0017】

また、ベース２には、ベース２を厚さ方向に貫通する複数の貫通孔２１が形成されている。そして、各貫通孔２１内には導電性材料が充填され、これにより、貫通電極２１０が形成されている。また、図２に示すように、ベース２の上面２ａには、振動素子４および受動素子５と電気的に接続された複数の配線が配置されている。これら配線のうち、振動素子４と電気的に接続された配線は、貫通電極２１０を介して発振回路６Ａと電気的に接続されている。また、受動素子５と電気的に接続された配線は、貫通電極２１０を介して実装端子６５１ａと電気的に接続されている。

【0018】

リッド３は、ベース２と同様、シリコン基板である。これにより、ベース２とリッド３との線膨張係数が等しくなり、熱膨張に起因する熱応力の発生が抑えられ、優れた振動特性を有する振動デバイス１となる。また、振動デバイス１を半導体プロセスによって形成することができるため、振動デバイス１を精度よく製造することができると共に、その小型化を図ることができる。ただし、リッド３としては、特に限定されず、シリコン以外の半導体基板、例えば、Ｇｅ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ等の半導体基板を用いてもよい。

【0019】

図１に示すように、リッド３は、その下面に開口し、内部に振動素子４および受動素子５を収容する有底の凹部３１を有する。そして、リッド３は、その下面において接合部材７を介してベース２の上面２ａに直接接合されている。これにより、リッド３とベース２との間に振動素子４および受動素子５を収容する空間である収容部Ｓが形成される。本実施形態では、直接接合の中でも金属同士の拡散を利用した拡散接合を用いて接合されている。ただし、リッド３とベース２との接合方法は、特に限定されない。

【0020】

収容部Ｓは、気密であり、減圧状態、好ましくはより真空に近い状態となっている。これにより、振動素子４の発振特性が向上する。ただし、収容部Ｓの雰囲気は、特に限定されず、例えば、窒素またはＡｒ等の不活性ガスを封入した雰囲気であってもよく、減圧状態でなく大気圧状態または加圧状態となっていてもよい。

【0021】

ここで、接合部材７は、導電性を有する。そのため、リッド３は、接合部材７を介してベース２と電気的に接続されている。前述したように、ベース２は、Ｐ型のシリコン基板であるため、振動デバイス１の駆動時には接地される。つまり、定電位であるＧＮＤに接続される。そのため、リッド３もＧＮＤに接続される。これにより、パッケージ１０全体がＧＮＤに接続され、シールドの機能を発揮し、外部からの電磁ノイズを遮蔽することができる。そのため、外部からの電磁ノイズが収容部Ｓ内の受動素子５や受動素子５に接続された配線に重畳することを効果的に抑制することができる。また、収容部Ｓ内から放射される電磁ノイズを遮蔽することができ、当該電磁ノイズがパッケージ１０外に配置された受動素子や配線に重畳することを効果的に抑制することができる。そのため、回路特性が安定化する。また、電磁ノイズの影響を受け難いため、各種回路部品をパッケージ１０に対して近接して配置することでき、振動デバイス１を含む回路全体の小型化を図ることができる。

【0022】

なお、本実施形態では、上述したようにベース２およびリッド３がＧＮＤに接続されているが、これに限定されず、ベース２およびリッド３の少なくとも一方がＧＮＤに接続されていればよい。これにより、上述した機能を発揮することができる。

【0023】

振動素子４は、図２に示すように、振動基板４１と、振動基板４１の表面に配置された電極と、を有する。振動基板４１は、厚みすべり振動モードを有し、本実施形態ではＡＴカット水晶基板から形成されている。ＡＴカット水晶基板は、三次の周波数温度特性を有しているため、優れた温度特性を有する振動素子４となる。また、電極は、振動基板４１の上面に配置された励振電極４２１と、下面に励振電極４２１と対向して配置された励振電極４２２と、を有する。また、電極は、振動基板４１の下面に配置された一対の端子４２３、４２４と、端子４２３と励振電極４２１とを電気的に接続する配線４２５と、端子４２４と励振電極４２２とを電気的に接続する配線４２６と、を有する。

【0024】

なお、振動素子４の構成は、上述の構成に限定されない。例えば、振動素子４は、励振電極４２１、４２２に挟まれた振動領域がその周囲から突出したメサ型となっていてもよいし、逆に、振動領域がその周囲から凹没した逆メサ型となっていてもよい。また、振動基板４１の周囲を研削するベベル加工や、上面および下面を凸曲面とするコンベックス加工が施されていてもよい。

【0025】

また、振動素子４としては、厚みすべり振動モードで振動するものに限定されず、例えば、複数の振動腕が面内方向に屈曲振動する振動片であってもよい。つまり、振動基板４１は、ＡＴカット水晶基板から形成されたものに限定されず、ＡＴカット水晶基板以外の水晶基板、例えば、Ｘカット水晶基板、Ｙカット水晶基板、Ｚカット水晶基板、ＢＴカット水晶基板、ＳＣカット水晶基板、ＳＴカット水晶基板等から形成されていてもよい。また、本実施形態では、振動基板４１が水晶で構成されているが、これに限定されず、例えば、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、四ホウ酸リチウム、ランガサイト、ニオブ酸カリウム、リン酸ガリウム等の圧電単結晶体により構成されていてもよいし、これら以外の圧電単結晶体で構成されていてもよい。更にまた、振動素子４は、圧電駆動型の振動片に限らず、静電気力を用いた静電駆動型の振動片であってもよい。

【0026】

このような振動素子４は、一対の導電性の接合部材Ｂ１によってベース２の上面２ａに固定されていると共に、上面２ａに配置された配線と電気的に接続されている。

【0027】

受動素子５は、例えば、コンデンサー、インダクター、抵抗等、供給された電力を消費・蓄積・放出する素子である。受動素子５の数、受動素子５として何を用いるかは、振動デバイス１の用途に応じて適宜設定することができる。このような受動素子５は、チップ状であり、導電性の接合部材Ｂ２によってベース２の上面２ａに固定されていると共に対応する配線と電気的に接続されている。

【0028】

接合部材Ｂ１、Ｂ２としては、導電性と接合性とを兼ね備えていれば、特に限定されず、例えば、金バンプ、銀バンプ、銅バンプ、半田バンプ等の各種金属バンプ、ポリイミド系、エポキシ系、シリコーン系、アクリル系の各種接着剤に銀フィラー等の導電性フィラーを分散させた導電性接着剤等を用いることができる。接合部材Ｂ１、Ｂ２として前者の金属バンプを用いると、接合部材Ｂ１、Ｂ２からのガスの発生を抑制でき、収容部Ｓの環境変化、特に圧力の上昇を効果的に抑制することができる。一方、接合部材Ｂ１、Ｂ２として後者の導電性接着剤を用いると、接合部材Ｂ１、Ｂ２が金属バンプに比べて柔らかくなり、振動素子４に応力が伝わり難くなる。

【0029】

以上、振動デバイス１について説明した。次に、この振動デバイス１を搭載した回路基板１００について説明する。図３に示すように、回路基板１００は、プリント配線基板１１０と、プリント配線基板１１０に搭載された回路素子１２０、レギュレーター回路素子１３０、振動デバイス１および複数の受動素子１４０と、を有する。

【0030】

回路素子１２０は、発振回路６Ａで生成された発振信号に基づいて作動する回路である。回路素子１２０としては、特に限定されないが、本実施形態では、ＵＳＢコネクターを通じた信号の送受信を制御する伝送回路であるＵＳＢコントローラーＩＣである。このように、回路素子１２０として伝送回路を用いることにより、振動デバイス１を様々な電子機器に搭載することができ、振動デバイス１の利便性が向上する。レギュレーター回路素子１３０は、回路素子１２０および振動デバイス１に安定した電源を供給する。

【0031】

また、図４に示すように、回路素子１２０は、一対のアップストリーム端子１２１、１２２、一対のダウンストリーム端子１２３、１２４と、電源端子１２５と、マイナス電源端子１２６と、を有する。そして、一対のアップストリーム端子１２１、１２２に上位端末Ｑ１が接続され、一対のダウンストリーム端子１２３、１２４に周辺端末Ｑ２が接続される。このような回路素子１２０は、上位端末Ｑ１および周辺端末Ｑ２からの伝送信号に同期動作するように、発振回路６Ａからの発振信号を使用する。なお、本実施形態では、一対のダウンストリーム端子１２３、１２４を設けているが、ＵＳＢ－ＨＵＢのように複数対のダウンストリーム端子を設けてもよい。

【0032】

また、複数の受動素子１４０は、回路素子１２０の特性安定化を図るための素子であり、例えば、コンデンサー、インダクター、抵抗等、供給された電力を消費・蓄積・放出する素子である。

【0033】

本実施形態では、受動素子１４０として、アップストリーム端子１２１に接続されたコンデンサーＣ１およびインダクターＩ１と、アップストリーム端子１２２に接続されたコンデンサーＣ２およびインダクターＩ２と、ダウンストリーム端子１２３に接続されたコンデンサーＣ３およびインダクターＩ３と、ダウンストリーム端子１２４に接続されたコンデンサーＣ４およびインダクターＩ４と、を有する。これにより、コモンモードフィルター（ノイズ低減フィルター）が構成され、回路素子１２０を介して伝送される信号からノイズを除去することができ、回路素子１２０の特性が向上する。

【0034】

ここで、振動デバイス１が有する受動素子５は、レギュレーター回路素子１３０に接続されたコンデンサーＣ５である。これにより、外部から供給される電源電圧からノイズを除去することができ、安定した電源電圧を発振回路６Ａおよび回路素子１２０に供給することができる。

【0035】

前述したようにＧＮＤに接続されたパッケージ１０によって外部からの電磁ノイズを遮蔽することができるため、外部からの電磁ノイズが収容部Ｓ内のコンデンサーＣ５やコンデンサーＣ５に接続された配線に重畳するのを効果的に抑制することができる。また、収容部Ｓ内から放射される電磁ノイズを遮蔽することができ、当該電磁ノイズが受動素子１４０やそれに接続された配線に重畳することを効果的に抑制することができる。そのため、回路素子１２０の安定した駆動が可能となる。また、振動デバイス１からの電磁ノイズの影響を受け難いため、回路素子１２０、コンデンサーＣ１～Ｃ４およびインダクターＩ１～Ｉ４を振動デバイス１に対して近接して配置することができ、回路基板１００の小型化を図ることができる。

【0036】

なお、パッケージ１０に収容する受動素子５としては、コンデンサーＣ５に限定されない。例えば、コンデンサーＣ１～Ｃ４およびインダクターＩ１～Ｉ４の少なくとも１つであってもよい。例えば、コンデンサーＣ１、Ｃ２およびインダクターＩ１、Ｉ２であってもよく、この場合は、コンデンサーＣ１およびインダクターＩ１で構成されるアップストリーム端子１２１用のコモンモードフィルターと、コンデンサーＣ２およびインダクターＩ２で構成されるアップストリーム端子１２２用のコモンモードフィルターと、をアップストリーム端子１２１、１２２に接続される配線を含めて対称的に配置することが好ましい。

【0037】

以上、振動デバイス１について説明した。このような振動デバイス１は、前述したように、半導体基板であるベース２および半導体基板であるリッド３を備え、収容部Ｓを有するパッケージ１０と、収容部Ｓに収容され、ベース２に配置されている振動素子４および受動素子５と、ベース２に配置され、振動素子４と電気的に接続される発振回路６Ａと、パッケージ１０に配置され、受動素子５と電気的に接続される実装端子６５１ａと、を有する。そして、ベース２およびリッド３の少なくとも一方は、定電位としてのＧＮＤに接続されている。

【0038】

このような構成によれば、パッケージ１０がシールドの機能を発揮し、外部からの電磁ノイズを遮蔽することができる。そのため、外部からの電磁ノイズが収容部Ｓ内の受動素子５や受動素子５に接続された配線に重畳することを効果的に抑制することができる。また、収容部Ｓ内から放射される電磁ノイズを遮蔽することができ、当該電磁ノイズがパッケージ１０外に配置された受動素子や配線に重畳することを効果的に抑制することができる。そのため、回路特性が安定化する。また、電磁ノイズの影響を受け難いため、各種回路部品をパッケージ１０に対して近接して配置することでき、振動デバイス１を含む回路全体の小型化を図ることができる。

【0039】

また、前述したように、ベース２およびリッド３は、それぞれ、定電位としてのＧＮＤに接続されている。これにより、パッケージ１０によるシールド効果が向上し、上述した効果をより顕著に発揮することができる。

【0040】

また、前述したように、発振回路６Ａは、ベース２の収容部Ｓと反対の面である下面２ｂ側に配置されている。このように、ベース２に発振回路６Ａを形成することにより、ベース２のスペースを有効活用することができる。特に、下面２ｂに発振回路６Ａを形成することにより、上面２ａに発振回路６Ａを形成する場合と比べて、リッド３との接合領域がない分、発振回路６Ａの形成スペースを広く確保することができる。

【0041】

＜第２実施形態＞
図５は、第２実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。

【0042】

本実施形態は、パッケージ１０の構成が異なること以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、以下の説明では、本実施形態に関し、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図５において、前述した実施形態と同様の構成については、同一符号を付している。

【0043】

図５に示すように、本実施形態の振動デバイス１では、リッド３が２つの有底の凹部３１１、３１２を有する。そのため、収容部Ｓは、振動素子４が収容されている第１収容部Ｓ１と、受動素子５が収容されている第２収容部Ｓ２と、を有する。このような構成によれば、振動素子４と受動素子５との間がリッド３で仕切られるため、振動素子４と受動素子５との電磁的な結合を抑制することができる。

【0044】

このような第２実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。

【0045】

＜第３実施形態＞
図６は、第３実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。

【0046】

本実施形態は、パッケージ１０の構成が異なること以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、以下の説明では、本実施形態に関し、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図６において、前述した実施形態と同様の構成については、同一符号を付している。

【0047】

図６に示すように、本実施形態の振動デバイス１では、ベース２およびリッド３は、それぞれ、板状である。そして、パッケージ１０は、これら板状のベース２とリッド３との間に介在し、ベース２とリッド３との間に収容部Ｓを形成するスペーサー９を有する。また、スペーサー９は、振動素子４と一体形成されている。具体的に説明すると、振動デバイス１は、ベース２とリッド３との間に配置された水晶基板８を有し、この水晶基板８には、振動基板４１と、この振動基板４１を囲む枠状のスペーサー９と、振動基板４１とスペーサー９とを連結する連結部８１とが一体形成されている。そして、スペーサー９の上面が接合部材７を介してリッド３と接合され、下面が接合部材７を介してベース２と接合されている。このような構成によれば、リッド３に凹部３１を形成する必要がなくなるため、振動デバイス１の製造がより容易となる。

【0048】

以上のように、本実施形態のパッケージ１０は、ベース２とリッド３との間に介在し、振動素子４と一体形成されているスペーサー９を有する。これにより、リッド３に凹部３１を形成する必要がなくなるため、その分、振動デバイス１の製造がより容易となる。

【0049】

このような第３実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。

【0050】

＜第４実施形態＞
図７は、第４実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。

【0051】

本実施形態は、パッケージ１０の構成が異なること以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、以下の説明では、本実施形態に関し、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図７において、前述した実施形態と同様の構成については、同一符号を付している。

【0052】

図７に示すように、本実施形態の振動デバイス１では、前述した第１実施形態のように導電性の接合部材Ｂ２を介して受動素子５がベース２の上面２ａに接合されているのとは異なり、薄膜状の受動素子５がベース２の上面２ａにベース２と一体的に形成されている。より具体的には、受動素子５であるコンデンサーＣ５は、下部電極Ｃ５１と上部電極Ｃ５２との間に誘電体層Ｃ５３が挟み込まれた構成となっており、これらが上面２ａに順に積層されている。このような構成によれば、受動素子５を位置決めして実装する工程が不要となるため、振動デバイス１の製造が容易となる。また、受動素子５の厚みを抑えられるため、前述した第１実施形態と比べて振動デバイス１の低背化を図ることができる。

【0053】

なお、集積回路６がベース２の上面２ａに形成されている場合には、この集積回路６内に受動素子５を形成してもよい。

【0054】

以上のように、本実施形態の受動素子５は、ベース２の収容部Ｓ側の面である上面２ａに一体的に形成されている薄膜状である。このような構成によれば、受動素子５を位置決めして実装する工程が不要となるため、振動デバイス１の製造が容易となる。また、受動素子５の厚みを抑えられるため、前述した第１実施形態と比べて振動デバイス１の低背化を図ることができる。

【0055】

このような第４実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。

【0056】

以上、本発明の振動デバイスを図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。また、各実施形態を適宜組み合わせてもよい。

【符号の説明】

【0057】

１…振動デバイス、２…ベース、２ａ…上面、２ｂ…下面、３…リッド、４…振動素子、５…受動素子、６…集積回路、７…接合部材、８…水晶基板、９…スペーサー、１０…パッケージ、２０…絶縁膜、２１…貫通孔、３１…凹部、４１…振動基板、６Ａ…発振回路、６０…積層体、６２…配線層、６３…絶縁層、６４…パッシベーション膜、６５…端子層、８１…連結部、１００…回路基板、１１０…プリント配線基板、１２０…回路素子、１２１，１２２…アップストリーム端子、１２３，１２４…ダウンストリーム端子、１２５…電源端子、１２６…マイナス電源端子、１３０…レギュレーター回路素子、１４０…受動素子、２１０…貫通電極、３１１，３１２…凹部、４２１，４２２…励振電極、４２３，４２４…端子、４２５，４２６…配線、６５１，６５１ａ…実装端子、Ｂ１，Ｂ２…接合部材、Ｃ１～Ｃ５…コンデンサー、Ｃ５１…下部電極、Ｃ５２…上部電極、Ｃ５３…誘電体層、Ｉ１～Ｉ４…インダクター、Ｓ…収容部、Ｓ１…第１収容部、Ｓ２…第２収容部、Ｑ１…上位端末、Ｑ２…周辺端末

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】