特許 7622842 電子部品

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2025-01-20

(45)【発行日】2025-01-28

(54)【発明の名称】電子部品

(51)【国際特許分類】

   H01C 7/04 20060101AFI20250121BHJP

   H01C 7/02 20060101ALI20250121BHJP

   H01C 1/032 20060101ALI20250121BHJP

   H01G 4/224 20060101ALI20250121BHJP

   H01F 27/29 20060101ALI20250121BHJP

   H01F 27/32 20060101ALI20250121BHJP

   H01G 4/30 20060101ALI20250121BHJP

【ＦＩ】

H01C7/04

H01C7/02

H01C1/032

H01G4/224 100

H01G4/224

H01F27/29 123

H01F27/32 101

H01G4/30 201J

【請求項の数】 7

(21)【出願番号】P 2023529616

(86)(22)【出願日】2022-03-30

(86)【国際出願番号】 JP2022015950

(87)【国際公開番号】W WO2022264634

(87)【国際公開日】2022-12-22

【審査請求日】2023-11-29

(31)【優先権主張番号】P 2021099716

(32)【優先日】2021-06-15

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000006231

【氏名又は名称】株式会社村田製作所

(74)【代理人】

【識別番号】100087985

【弁理士】

【氏名又は名称】福井 宏司

(72)【発明者】

【氏名】大島 知也

(72)【発明者】

【氏名】星野 悠太

(72)【発明者】

【氏名】山田 耕市

(72)【発明者】

【氏名】佐々木 美希

(72)【発明者】

【氏名】久保田 博信

【審査官】田中 晃洋

(56)【参考文献】

【文献】特開２０２０－０３６００２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平１０－１０６８０９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２１－０８９９２４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｃ ７／０４

Ｈ０１Ｃ ７／０２

Ｈ０１Ｃ １／０３２

Ｈ０１Ｇ ４／２２４

Ｈ０１Ｆ ２７／２９

Ｈ０１Ｆ ２７／３２

Ｈ０１Ｇ ４／３０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

素体と、前記素体の外表面を覆う絶縁膜と、を備え、
前記絶縁膜は、ガラス及び粉粒体を含む混合層と、ガラスを含み、前記粉粒体の含有割合が前記混合層よりも小さいガラス層と、を有し、
前記混合層は、前記ガラス層から視て前記素体側に位置している
電子部品。

【請求項2】

前記絶縁膜に積層している外部電極をさらに備え、
前記外部電極は、金属層を含んでいる
請求項１に記載の電子部品。

【請求項3】

前記粉粒体の材質は、前記素体の材質と同一である
請求項１又は請求項２に記載の電子部品。

【請求項4】

前記粉粒体の平均粒径は、１００ｎｍ以上である
請求項１～請求項３のいずれか１項に記載の電子部品。

【請求項5】

前記素体の外表面に直交する断面視において、
前記素体の外表面から最も離れた前記粉粒体を、特定粉粒体としたとき、
前記素体の外表面から前記特定粉粒体のうちの最も前記素体の外表面から遠い特定点までの最短の距離は、前記特定点から前記ガラス層の表面までの最短の距離よりも、大きい
請求項１～請求項４のいずれか１項に記載の電子部品。

【請求項6】

前記絶縁膜は、前記ガラス層における前記混合層とは反対側の面に開口し、前記素体にまで至らないクラックを有する
請求項１～請求項５のいずれか１項に記載の電子部品。

【請求項7】

前記素体の材質は、セラミックスであり、
前記混合層は、他の層を介することなく前記素体の外表面を覆っている
請求項１～請求項６のいずれか１項に記載の電子部品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、電子部品に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１に記載された電子部品は、素体と、素体の外表面を覆う絶縁膜と、を備えている。絶縁膜は、ガラスからなるガラス層である。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２００２－０４３１６７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１に記載された電子部品には、外部からの衝撃が加わることがある。電子部品に外部からの衝撃が加わると、衝撃による荷重とガラス層の内部応力とが合わさって、ガラス層における特定の箇所に大きな力が作用することがある。そして、ガラス層に大きな力が作用した場合、当該ガラス層の一部が素体の外表面から剥がれるおそれがある。

【課題を解決するための手段】

【0005】

上記課題を解決するため、本発明は、素体と、前記素体の外表面を覆う絶縁膜と、を備え、前記絶縁膜は、ガラス及び粉粒体を含む混合層と、ガラスを含み、前記粉粒体の含有割合が前記混合層よりも小さいガラス層と、を有し、前記混合層は、前記ガラス層から視て前記素体側に位置している電子部品である。

【0006】

上記構成によれば、絶縁膜は、混合層と、ガラス層と、を有する。そして、混合層は、ガラス及び粉粒体を含んでいる。混合層では、ガラス層と比べて、粉粒体の含有割合が大きい分だけ、ガラスの内部応力が緩和される。さらに、粉粒体が存在する各箇所においてガラスの内部応力が各粉粒体に分断されるので、大きな内部応力が特定の箇所に集中して作用しにくい。したがって、電子部品に外部からの衝撃が加わった際に、内部応力に起因して絶縁膜が素体から剥がれることは抑制できる。

【発明の効果】

【0007】

絶縁膜が素体から剥がれることを抑制できる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】電子部品の斜視図。

【図2】電子部品の側面図。

【図3】図２の３－３線に沿う断面図。

【図4】図２の４－４線に沿う断面の拡大図。

【図5】電子部品の製造方法を説明する説明図。

【図6】電子部品の製造方法を説明する説明図。

【図7】電子部品の製造方法を説明する説明図。

【図8】電子部品の製造方法を説明する説明図。

【図9】電子部品の製造方法を説明する説明図。

【図10】電子部品の製造方法を説明する説明図。

【図11】変更例の電子部品の断面の拡大図。

【発明を実施するための形態】

【0009】

＜電子部品の一実施形態＞
以下、電子部品の一実施形態を、図面を参照して説明する。なお、図面は、理解を容易にするために構成要素を拡大して示している場合がある。構成要素の寸法比率は実際のものと、又は別の図面中のものと異なる場合がある。また、断面図ではハッチングを付しているが、理解を容易にするために一部の構成要素のハッチングを省略している場合がある。

【0010】

（全体構成について）
図１に示すように、電子部品１０は、例えば、回路基板等に実装される表面実装型の負特性サーミスタ部品である。なお、負特性サーミスタ部品は、温度が上がると抵抗値が下がるという特性を有するものである。

【0011】

電子部品１０は、素体２０を備えている。素体２０は、略四角柱状であり、中心軸線ＣＡを有する。なお、以下では、中心軸線ＣＡに沿って延びる軸を第１軸Ｘとする。また、第１軸Ｘに直交する軸の１つを第２軸Ｙとする。そして、第１軸Ｘ及び第２軸Ｙに直交する軸を第３軸Ｚとする。そして、第１軸Ｘに沿う方向の一方を第１正方向Ｘ１とし、第１軸Ｘに沿う方向のうち第１正方向Ｘ１と反対方向を第１負方向Ｘ２とする。また、第２軸Ｙに沿う方向の一方を第２正方向Ｙ１とし、第２軸Ｙに沿う方向のうち第２正方向Ｙ１と反対方向を第２負方向Ｙ２とする。さらに、第３軸Ｚに沿う方向の一方を第３正方向Ｚ１とし、第３軸Ｚに沿う方向のうち第３正方向Ｚ１と反対方向を第３負方向Ｚ２とする。

【0012】

素体２０の外表面２１は、６個の平面状の平面２２を有している。６個の平面２２は、互いに異なる向きに広がっている。６個の平面２２は、第１正方向Ｘ１を向く第１端面２２Ａと、第１負方向Ｘ２を向く第２端面２２Ｂと、４つの側面２２Ｃに大別される。４つの側面２２Ｃは、それぞれ、第３正方向Ｚ１を向く面と、第３負方向Ｚ２を向く面と、第２正方向Ｙ１を向く面と、第２負方向Ｙ２を向く面と、である。

【0013】

素体２０の外表面２１は、１２個の境界面２３を有している。境界面２３は、隣り合う平面２２同士の境界に存在する曲面を含んでいる。すなわち、境界面２３は、例えば、隣り合う平面２２を形成される角をＲ面取り加工することで形成される曲面を含んでいる。

【0014】

また、素体２０の外表面２１は、８個の球面状のコーナ面２４を有している。コーナ面２４は、隣り合う３つの平面２２同士の境界部分である。換言すれば、コーナ面２４は、３つの境界面２３が交わる箇所の曲面を含んでいる。すなわち、コーナ面２４は、例えば、隣り合う３つの平面２２によって形成される角をＲ面取り加工することによって形成された曲面を含んでいる。

【0015】

なお、図１及び図２では、後述する絶縁膜５０の表面を素体２０の外表面２１と同一視して符号を付している。
図２に示すように、素体２０は、第１軸Ｘに沿う方向の寸法が、第３軸Ｚに沿う方向の寸法よりも大きい。また、図１に示すように、素体２０は、第１軸Ｘに沿う方向の寸法が、第２軸Ｙに沿う方向の寸法よりも大きい。また、素体２０の材質は、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｂａ、Ａｌ、及びＺｎの少なくとも１つを成分とする金属酸化物を焼成したセラミックスである。

【0016】

図３に示すように、電子部品１０は、２つの第１内部電極４１と、２つの第２内部電極４２と、を備えている。第１内部電極４１及び第２内部電極４２は、素体２０の内部に埋め込まれている。

【0017】

第１内部電極４１の材質は、導電性の材料である。例えば、第１内部電極４１の材質は、パラジウムである。また、第２内部電極４２の材質は、第１内部電極４１の材質と同一である。

【0018】

第１内部電極４１の形状は、長方形板状である。第１内部電極４１の主面は、第２軸Ｙに直交している。第２内部電極４２の形状は、第１内部電極４１と同じ長方形板状である。第２内部電極４２の主面は、第１内部電極４１と同様に、第２軸Ｙに直交している。

【0019】

第１内部電極４１の第１軸Ｘに沿う方向の寸法は、素体２０の第１軸Ｘに沿う方向の寸法より小さくなっている。また、図１に示すように、第１内部電極４１の第３軸Ｚに沿う方向の寸法は、素体２０の第３軸Ｚに沿う方向の寸法の略３分の２となっている。第２内部電極４２の各方向の寸法は、第１内部電極４１と同じ寸法となっている。

【0020】

図３に示すように、第１内部電極４１と第２内部電極４２とは、第２軸Ｙに沿う方向に互い違いに位置している。すなわち、第２正方向Ｙ１を向く側面２２Ｃから第２負方向Ｙ２に、第１内部電極４１、第２内部電極４２、第１内部電極４１、第２内部電極４２の順に並んでいる。この実施形態では、各内部電極間の第２軸Ｙに沿う方向の距離は、等しくなっている。

【0021】

図１に示すように、２つの第１内部電極４１及び２つの第２内部電極４２は、いずれも、第３軸Ｚに沿う方向において、素体２０の中央に位置している。その一方で、図３に示すように、第１内部電極４１は、第１正方向Ｘ１に寄って位置している。第２内部電極４２は、第１負方向Ｘ２に寄って位置している。

【0022】

具体的には、第１内部電極４１の第１正方向Ｘ１側の端は、素体２０の第１正方向Ｘ１側の端と一致している。第１内部電極４１の第１負方向Ｘ２側の端は、素体２０の内部に位置しており、素体２０の第１負方向Ｘ２側の端にまで至っていない。一方で、第２内部電極４２の第１負方向Ｘ２側の端は、素体２０の第１負方向Ｘ２側の端と一致している。第２内部電極４２の第１正方向Ｘ１側の端は、素体２０の内部に位置しており、素体２０の第１正方向Ｘ１側の端にまで至っていない。

【0023】

電子部品１０は、絶縁膜５０を備えている。絶縁膜５０は、素体２０の外表面２１を覆っている。本実施形態では、絶縁膜５０は、素体２０の外表面２１のすべての領域を覆っている。

【0024】

図３に示すように、電子部品１０は、第１外部電極６１と、第２外部電極６２と、を備えている。第１外部電極６１は、第１下地電極６１Ａと、第１金属層６１Ｂと、を有している。第１下地電極６１Ａは、素体２０の外表面２１のうち、第１端面２２Ａを含む一部分において、絶縁膜５０の上から積層されている。具体的には、第１下地電極６１Ａは、素体２０の第１端面２２Ａと、４つの側面２２Ｃの第１正方向Ｘ１側の一部を覆う、５面電極である。この実施形態では、第１下地電極６１Ａの材質は、銀とガラスとである。

【0025】

第１金属層６１Ｂは、第１下地電極６１Ａを外部から覆っている。そのため、第１金属層６１Ｂは、第１下地電極６１Ａに積層されている。具体的には、第１金属層６１Ｂは、ニッケルめっきと、錫めっきと、の２層構造となっている。

【0026】

第２外部電極６２は、第２下地電極６２Ａと、第２金属層６２Ｂと、を有している。第２下地電極６２Ａは、素体２０の外表面２１のうち、第２端面２２Ｂを含む一部分において、絶縁膜５０の上から積層されている。具体的には、第２下地電極６２Ａは、素体２０の第２端面２２Ｂと、４つの側面２２Ｃの第１負方向Ｘ２側の一部を覆う、５面電極である。この実施形態では、第２下地電極６２Ａの材質は、第１外部電極６１の材質と同一で、銀とガラスとである。

【0027】

第２金属層６２Ｂは、第２下地電極６２Ａを外部から覆っている。そのため、第２金属層６２Ｂは、第２下地電極６２Ａに積層されている。具体的には、第２金属層６２Ｂは、第１金属層６１Ｂと同様に、ニッケルめっきと、錫めっきと、の２層構造となっている。

【0028】

第２外部電極６２は、側面２２Ｃ上において、第１外部電極６１にまでは至っておらず、第１外部電極６１に対して第１軸Ｘに沿う方向に離れて配置されている。そして、素体２０の側面２２Ｃ上において、第１軸Ｘに沿う方向の中央部分は、第１外部電極６１及び第２外部電極６２が積層されておらず、絶縁膜５０が露出している。なお、図１～図３では、第１外部電極６１及び第２外部電極６２は、二点鎖線で図示している。

【0029】

図３に示すように、第１外部電極６１と第１内部電極４１における第１正方向Ｘ１側の端とは、絶縁膜５０を貫通する第１貫通部７１を介して接続している。なお、詳細は後述するが、第１貫通部７１は、電子部品１０の製造過程において、第１内部電極４１を構成するパラジウムが第１外部電極６１側へと延びることによって形成される。

【0030】

また、第２外部電極６２と第２内部電極４２における第１負方向Ｘ２側の端とは、絶縁膜５０を貫通する第２貫通部７２を介して接続している。第２貫通部７２も、第１貫通部７１と同様に、電子部品１０の製造過程において、第１内部電極４１を構成するパラジウムが第２外部電極６２側へと延びることによって形成される。なお、図３では、第１内部電極４１と第１貫通部７１とを境界のある別の部材として図示しているが、実際には両者の間に明確な境界は存在しない。この点、第２貫通部７２についても同様である。また、図１及び図２においては、第１貫通部７１の図示を省略する。

【0031】

（絶縁膜について）
図４に示すように、絶縁膜５０は、混合層５１と、ガラス層５６と、を有している。混合層５１は、ガラス５２と粉粒体５３と、を含んでいる。混合層５１は、素体２０の外表面２１に積層されている。すなわち、混合層５１は、他の層を介することなく素体２０の外表面２１を覆っている。また、混合層５１は、ガラス層５６から視て素体２０側に位置している。

【0032】

混合層５１を断面視すると、粉粒体５３は、ガラス５２内に分散している。粉粒体５３の材質は、素体２０と同じ材質である。また、粉粒体５３の熱膨張係数は、ガラス５２の熱膨張係数よりも大きい。粉粒体５３の平均粒径は、１００ｎｍ以上である。なお、平均粒径は、断面視する１枚の画像中において、ランダムに抽出される複数個、例えば１０個の粉粒体５３の粒径の平均値として算出されればよい。なお、粉粒体５３は、複数の粒子が凝集して１つの塊になっていることがある。この場合、凝集した塊の内部に、粒子の界面が観察できれば、その境界によって囲まれる部分が１つの粉粒体５３である。また、粒径は、１つの粉粒体５３を断面視したときに当該粉粒体５３の幾何中心を通る最大の寸法である。

【0033】

ガラス層５６は、粉粒体５３の含有割合が混合層５１よりも小さい層である。本実施形態では、ガラス層５６は、略ガラス５７のみで構成されている。なお、ガラス層５６のガラス５７と混合層５１のガラス５２とは、一体化しており、明確な境界線を有していない。

【0034】

ガラス層５６は、クラック５８を有している。クラック５８は、ガラス層５６における混合層５１とは反対側の面に開口している。そして、クラック５８は、素体２０まで至っていない。クラック５８の先端は、混合層５１内に存在している。そのため、クラック５８の先端の近傍には、粉粒体５３が存在している。なお、上述のとおり、混合層５１中には、ガラス５２及び粉粒体５３が存在する。そして、粉粒体５３の熱膨張係数はガラス５２の熱膨張係数よりも大きい。したがって、混合層５１が加熱されたときに、ガラス５２のうち粉粒体５３の近傍の部分では、膨張しようとする粉粒体５３から力をうける。このような力に起因して、絶縁膜５０、特にガラス５２のうちの粉粒体５３の近傍に、クラック５８が発生する。

【0035】

素体２０の外表面２１に直交する断面視において、素体２０の外表面２１から最も離れた粉粒体５３を特定粉粒体５３Ｓとする。また、特定粉粒体５３Ｓのうちの最も素体２０の外表面２１から遠い点を特定点Ｐとする。さらに、素体２０の外表面２１から特定点Ｐまでの最短の距離を、第１厚さＴ１とする。また、特定点Ｐから当該粉粒体５３を覆うガラス層５６の表面までの最短の距離を、第２厚さＴ２とする。このとき、第１厚さＴ１は、第２厚さＴ２よりも大きい。

【0036】

＜電子部品の製造方法の一実施形態＞
（全体構成について）
次に、電子部品１０の製造方法について説明する。

【0037】

図５に示すように、電子部品１０の製造方法は、積層体準備工程Ｓ１１と、Ｒ面取り加工工程Ｓ１２と、溶媒投入工程Ｓ１３と、触媒投入工程Ｓ１４と、素体投入工程Ｓ１５と、ポリマー投入工程Ｓ１６と、金属アルコキシド投入工程Ｓ１７と、を備えている。また、電子部品１０の製造方法は、成膜工程Ｓ１８と、乾燥工程Ｓ１９と、導電体塗布工程Ｓ２０と、硬化工程Ｓ２１と、めっき工程Ｓ２２と、をさらに備えている。

【0038】

先ず、素体２０を形成するにあたって、積層体準備工程Ｓ１１では、境界面２３及びコーナ面２４を備えない素体２０である積層体を準備する。すなわち、積層体は、Ｒ面取りする前の状態であり、６つの平面２２を有する直方体状である。例えば、先ず、素体２０となる複数のセラミックスのシートを準備する。当該シートは、薄い板状である。当該シート上に、第１内部電極４１となる導電性ペーストを積層する。当該導電性ペースト上に、素体２０となるセラミックスのシートを積層する。当該シート上に、第２内部電極４２となる導電性ペーストを積層する。このように、セラミックスのシートと導電性ペーストとを積層する。そして、所定のサイズにカットすることで、未焼成の積層体を形成する。その後、未焼成の積層体を高温で焼成することで、積層体を準備する。

【0039】

次に、Ｒ面取り加工工程Ｓ１２を行う。Ｒ面取り加工工程Ｓ１２では、積層体準備工程Ｓ１１で準備した積層体に対して境界面２３及びコーナ面２４を形成する。例えば、バレル研磨により、積層体の角がＲ面取り加工されることによって、曲面を有する境界面２３及び曲面を有するコーナ面２４が形成される。これにより、素体２０が形成される。また、積層体を構成していたセラミックスのシートの一部が粉粒体５３として、素体２０の外表面２１に付着する。したがって、粉粒体５３の材質は、素体２０と同一である。

【0040】

次に、溶媒投入工程Ｓ１３を行う。図６に示すように、溶媒投入工程Ｓ１３では、反応容器８１内に、溶媒８２として、２－プロパノールを投入する。
次に、図５に示すように、触媒投入工程Ｓ１４を行う。図７に示すように、触媒投入工程Ｓ１４では、先ず、反応容器８１内の溶媒８２の撹拌を開始する。そして、反応容器８１内に、触媒を含む水溶液８３として、アンモニア水を投入する。この実施形態における触媒は、水酸化物イオンであり、後述する金属アルコキシド８５の加水分解を促進する触媒として機能する。

【0041】

次に、図５に示すように、素体投入工程Ｓ１５を行う。図８に示すように、素体投入工程Ｓ１５では、反応容器８１内に、上述したようにＲ面取り加工工程Ｓ１２において予め形成した複数の素体２０を投入する。

【0042】

次に、図５に示すように、ポリマー投入工程Ｓ１６を行う。図９に示すように、ポリマー投入工程Ｓ１６では、反応容器８１内に、ポリマー８４として、ポリビニルピロリドンを投入する。これにより、反応容器８１内に投入されたポリマー８４は、素体２０の外表面２１に吸着する。

【0043】

次に、図５に示すように、金属アルコキシド投入工程Ｓ１７を行う。図１０に示すように、金属アルコキシド投入工程Ｓ１７では、反応容器８１内に、金属アルコキシド８５として、液状のオルトケイ酸テトラエチルを投入する。なお、オルトテトラケイ酸テトラエチルは、テトラエトキシシランと呼称されることもある。本実施形態において、金属アルコキシド投入工程Ｓ１７において投入する金属アルコキシド８５の量は、素体投入工程Ｓ１５において投入した素体２０の外表面２１の面積を基に算出している。具体的には、素体２０の外表面２１を覆う絶縁膜５０を形成するために必要な素体２０の１個当たりの金属アルコキシド８５の量に、素体２０の数を乗算して算出する。

【0044】

次に、図５に示すように、成膜工程Ｓ１８を行う。成膜工程Ｓ１８では、上述した溶媒投入工程Ｓ１３で開始した溶媒８２の撹拌を、金属アルコキシド投入工程Ｓ１７によって金属アルコキシド８５が反応容器８１内に投入されてから、所定時間だけ続ける。

【0045】

次に、乾燥工程Ｓ１９を行う。乾燥工程Ｓ１９では、成膜工程Ｓ１８において所定時間だけ撹拌を続けた後に、素体２０を反応容器８１から取り出して、乾燥させる。これにより、ゾル状の絶縁膜５０は乾燥され、ゲル状の絶縁膜５０となる。このとき、特に、素体２０の外表面２１に付着した粉粒体５３も覆うようにガラス５２が成長する。そのため、混合層５１とガラス層５６とを有する絶縁膜５０が形成される。なお、本実施形態においては、溶媒投入工程Ｓ１３と、触媒投入工程Ｓ１４と、素体投入工程Ｓ１５と、ポリマー投入工程Ｓ１６と、金属アルコキシド投入工程Ｓ１７と、成膜工程Ｓ１８と、によって、素体２０に絶縁膜５０を製膜する成膜方法が構成されている。

【0046】

次に、導電体塗布工程Ｓ２０を行う。導電体塗布工程Ｓ２０では、絶縁膜５０の表面のうち、素体２０の第１端面２２Ａを覆う部分を含む一部分と、素体２０の第２端面２２Ｂを覆う部分を含む一部分と、の２箇所に導電体ペーストを塗布する。具体的には、導電体ペーストを、第１端面２２Ａの全域と４つの側面２２Ｃ上の一部との絶縁膜５０を覆うように塗布する。また、導電体ペーストを、第２端面２２Ｂの全域と４つの側面２２Ｃ上の一部との絶縁膜５０を覆うように塗布する。

【0047】

次に、硬化工程Ｓ２１を行う。具体的には、硬化工程Ｓ２１は、絶縁膜５０及び導電体ペーストが塗布された素体２０を加熱する。これにより、ゲル状の絶縁膜５０から水及びポリマー８４が気化することで、図３に示すように、素体２０の外表面２１を覆う絶縁膜５０が焼成され、硬化する。これとともに、導電体塗布工程Ｓ２０において塗布された導電体ペーストが焼成されることによって、第１下地電極６１Ａ及び第２下地電極６２Ａが形成される。このように、導電体塗布工程Ｓ２０と硬化工程Ｓ２１とによって、下地電極形成工程が構成されている。つまり、本実施形態において硬化工程Ｓ２１は、絶縁膜５０を硬化させる工程としてだけではなく、下地電極形成工程の一部工程も兼ねている。

【0048】

本実施形態においては、硬化工程Ｓ２１における加熱の際に、第１内部電極４１と第１下地電極６１Ａとの拡散速度の違いから生じるカーケンドール効果により、銀を含む第１下地電極６１Ａ側に、第１内部電極４１側に含まれるパラジウムが引き寄せられる。これにより、第１内部電極４１から第１下地電極６１Ａに向かって第１貫通部７１が絶縁膜５０を貫通して延びることで、第１内部電極４１と第１下地電極６１Ａとが接続する。この点、第２内部電極４２と第２下地電極６２Ａとを接続する第２貫通部７２においても同様である。

【0049】

次に、めっき工程Ｓ２２を行う。第１下地電極６１Ａ及び第２下地電極６２Ａの部分に、電気めっきを行う。これにより、第１下地電極６１Ａの表面に、第１金属層６１Ｂが形成される。また、第２下地電極６２Ａの表面に、第２金属層６２Ｂが形成される。図示は省略するが、第１金属層６１Ｂ及び第２金属層６２Ｂは、ニッケル、錫の２種類で電気めっきされることで、２層構造となる。このようにして、電子部品１０が形成される。

【0050】

（実施形態の作用について）
仮に、絶縁膜５０が、ガラス５７のみからなっているとする。この場合、ガラス５７の各箇所での内部応力が合わさって、特定の箇所において大きな内部応力が発生することがある。そのため、外部から衝撃が加わると、その外部からの衝撃と内部応力とが重畳して、ガラス５７が変形しようとする。その結果、ガラス５７にき裂が進展したり、ガラス５７が厚さ方向に湾曲したりすることで、ガラス５７が素体２０の外表面２１から剥がれる。

【0051】

（実施形態の効果について）
（１）上記実施形態によれば、絶縁膜５０は、混合層５１と、ガラス層５６を備えている。そして、混合層５１は、ガラス５２及び粉粒体５３を含んでいる。そのため、混合層５１では、ガラス層５６と比べて、粉粒体５３の含有割合が大きい分だけ、ガラス５２の内部応力が緩和される。さらに、粉粒体５３が存在する各箇所においては、微小な空隙が発生しやすい。具体的には、粉粒体５３内における粒子間、及び、粉粒体５３とガラス５２との間には、微小な空隙が発生することで、ガラス５２同士の密着性よりも、密着性の低い箇所が生じる。このような微小な空隙により、粉粒体５３が存在する各箇所においては、ガラス５２の内部応力が各粉粒体５３に分断されるので、大きな内部応力が特定の箇所に集中して作用しにくい。したがって、電子部品１０に外部からの衝撃が加わった際に、内部応力に起因して絶縁膜５０が素体２０から剥がれることは抑制できる。

【0052】

（２）仮に、製造過程において、絶縁膜５０が素体２０の外表面２１から剥がれた状態で、第１金属層６１Ｂ及び第２金属層６２Ｂを形成すると、絶縁膜５０がはがれた箇所に第１金属層６１Ｂ及び第２金属層６２Ｂとなるめっき液が入り込む。これにより、素体２０がめっき液に溶解するおそれがある。上記実施形態によれば、絶縁膜５０が素体２０の外表面２１の全体を覆っている。そのため、素体２０とめっき液との接触を防止することで、めっき工程Ｓ２２において、素体２０がめっき液に溶解することを防止できる。

【0053】

（３）上記実施形態によれば、粉粒体５３の材質は、素体２０と同じ材質である。そのため、粉粒体５３として、特別な材料を準備する手間を省ける。また、上記実施形態では、Ｒ面取り加工工程Ｓ１２で生じるセラミックスのシートの一部を、そのまま粉粒体５３として活用している。したがって、絶縁膜５０中に粉粒体５３を含有させる手間も不要である。

【0054】

（４）上記実施形態によれば、粉粒体５３の平均粒径は、１００ｎｍ以上である。そのため、混合層５１において、１つの粉粒体５３とガラス５２との境界の面積として、十分な面積が確保できる。したがって、粉粒体５３の平均粒径が小さすぎて、粉粒体５３とガラス５２との境界において内部応力を十分に分断できない、といった事態は生じにくい。

【0055】

（５）第１厚さＴ１は、混合層５１の厚さに相当する。また、第２厚さＴ２は、ガラス層５６の厚さに相当する。すなわち、上記実施形態によれば、混合層５１の厚さは、ガラス層５６の厚さよりも大きい。このように、絶縁膜５０における混合層５１の割合が相当に大きいことで、絶縁膜５０が、素体２０の外表面２１からより剥がれにくくなる。

【0056】

（６）上記実施形態によれば、絶縁膜５０は、クラック５８を有する。クラック５８は、ガラス層５６における混合層５１とは反対側の面に開口している。絶縁膜５０の内部応力は、クラック５８の内部空間を避けるように合わさる。そのため、クラック５８がない場合と比べて、絶縁膜５０の内部応力が合わさりにくくなる。また、外部からの衝撃によって、新たなクラックが生じたときに、当該クラックの進展が、既存のクラック５８によって妨げられる。したがって、絶縁膜５０の剥がれの原因となるような大きなクラックは生じにくい。なお、クラック５８は、素体２０まで至っていない。したがって、クラック５８そのものが、絶縁膜５０の剥がれの原因となる可能性は低い。

【0057】

（７）上記実施形態によれば、素体２０の材質は、セラミックスである。また、混合層５１は、他の層を介することなく素体２０の外表面２１を覆っている。その結果、混合層５１は、外表面２１に直交する方向から視たときに、素体２０の粒子間の粒界を覆うように、粉粒体５３が位置する可能性が高い。そのため、絶縁膜５０の外部から衝撃が加わることで、絶縁膜５０に新たなクラックが進展したとしても、粉粒体５３が新たなクラックの進展を防ぐことで、素体２０の粒界まで新たなクラックが進展することを抑制できる。素体２０の粒界まで新たなクラックが進展することを抑制できれば、絶縁膜５０の新たなクラックが、素体２０の粒界に沿って進展することが防げる。

【0058】

＜その他の実施形態＞
上記実施形態は以下のように変更して実施することができる。上記実施形態及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で組み合わせて実施することができる。

【0059】

・上記実施形態において、電子部品１０は、負特性サーミスタ部品に限られない。例えば、負特性以外のサーミスタ部品であってもよいし、積層コンデンサ部品やインダクタ部品であってもよい。

【0060】

・素体２０の材質は、上記実施形態の例に限られない。例えば、素体２０の材質は、樹脂と金属粉体とのコンポジット体であってもよい。
・素体２０の形状は、上記実施形態の例に限られない。例えば、素体２０は、中心軸線ＣＡを有する四角形柱状以外の多角形柱状であってもよい。また、素体２０は、巻線型のインダクタ部品のコアであってもよい。例えば、コアは、いわゆるドラムコア形状であってもよい。具体的には、コアは、柱状の巻芯部と、巻芯部の各端部に設けられた鍔部とを有していてもよい。

【0061】

・素体２０の外表面２１は、曲面を含むコーナ面２４を有していなくてもよい。例えば、素体２０の外表面２１のうち、隣り合う平面２２の境界が面取り形状になっていない場合、当該境界には曲面が存在しない。そのため、このような境界が３つ交わった箇所においては、曲面を含むコーナ面２４が存在しないこともある。

【0062】

・粉粒体５３は、積層体を構成していたセラミックスシートに由来するのみではなく、例えば、積層体を研磨する際に使用する研磨剤に由来することもある。図１１に示す例では、素体２０は、微小な窪み部２６を有している。窪み部２６の内面は、素体２０の外表面２１に対して内側に窪んでいる。なお、窪み部２６は、Ｒ面取り加工工程Ｓ１２において、セラミックスの粒子が素体２０から脱落することにより形成され、その後、十分に研磨ができていないような場合に素体２０に残存する。図１１に示す例では、窪み部２６の内部空間には、Ｒ面取り加工工程Ｓ１２において使用する研磨剤の研磨粒子５３Ｂが存在している。１つの研磨粒子５３Ｂの一部は、素体２０に刺さるように固定されている。この場合、窪み部２６の内部空間に残る研磨粒子５３Ｂは、粉粒体５３として機能する。研磨粒子５３Ｂの材質は、例えば、アルミナ及びジルコニアが挙げられる。

【0063】

また、図１１に示す例では、窪み部２６は、外表面２１に直交する方向から視たときに、外表面２１における開口が、内部空間の最大範囲よりも小さくなっている。そのため、Ｒ面取り加工工程Ｓ１２において研磨された素体２０の一部である素体由来粒子５３Ａが、粉粒体５３となって窪み部２６の内部空間に存在している。このように、素体２０が窪み部２６を有すると、窪み部２６の内部空間に、素体由来粒子５３Ａを多く存在させやすい。そのため、混合層５１を形成しやすくするうえで、好適である。なお、図１１に示す窪み部２６の形状は簡略化したものであり、素体２０には、様々な形状の窪み部２６が形成され得る。

【0064】

・図１１に示す例において、研磨粒子５３Ｂは、素体２０に刺さるように固定されている場合だけでなく、研磨粒子５３Ｂが素体２０の表面に静電引力により付着している場合もあるし、両者が混在していることもある。

【0065】

・上記実施形態において、粉粒体５３の材質は、素体２０及び研磨剤と同じ材質でなくてもよい。例えば、予め、コーティング液に粉粒体５３を混入しておいてもよい。粉粒体５３の熱膨張係数が、ガラス５２の熱膨張係数よりも大きくなるように、０．６×１０^－６以上１５×１０^－６（／Ｋ）以下であればよい。

【0066】

・上記実施形態において、粉粒体５３の平均粒径は、１００ｎｍ以下であってもよい。この場合、複数の粉粒体５３が凝集していてもよいし、拡散していてもよい。なお、粉粒体５３の平均粒径が小さいほど、複数の粉粒体５３が互いに凝集しやすい。

【0067】

・上記実施形態において、第１内部電極４１及び第２内部電極４２の形状は、対応する第１外部電極６１及び第２外部電極６２との電気的導通を確保できる形状であれば問わない。また、第１内部電極４１及び第２内部電極４２の数は問わず、第１内部電極４１の数が１つであってもよいし、３つ以上であってもよい。

【0068】

・第１外部電極６１の構成は、上記実施形態の例に限られない。例えば、第１外部電極６１は、第１下地電極６１Ａのみから構成されていてもよいし、第１金属層６１Ｂが、２層構造でなくてもよい。なお、第１外部電極６１が、第１金属層６１Ｂを含んでいると、絶縁膜５０が素体２０の外表面２１の全体を覆うことによって、素体２０のめっき液への溶解を抑制できる効果が得られる。この点、第２外部電極６２についても同様である。

【0069】

・上記実施形態において、第１内部電極４１と第１下地電極６１Ａとの材質の組み合わせは、パラジウム及び銀の組み合わせに限らない。例えば、銅及びニッケル、銅及び銀、銀及び金、ニッケル及びコバルト、又は、ニッケル及び金、の組み合わせであってもよい。また例えば、一方が銀で、他方が銀及びパラジウムの組み合わせであってもよい。また例えば、一方がパラジウムで、他方が銀及びパラジウムの組み合わせであってもよいし、一方が銅で、他方が銀及びパラジウムの組み合わせであってもよい。また例えば、一方が金で、他方が銀及びパラジウムの組み合わせであってもよい。

【0070】

なお、第１内部電極４１と第１下地電極６１Ａとの組み合わせによっては、カーケンドール効果を得られない場合がある。この場合には、外部電極形成工程の前に、第１内部電極４１が露出するように、例えば、素体２０の第１端面２２Ａ側を研磨して絶縁膜５０の一部を物理的に除去すればよい。その後、下地電極形成工程を行うことで、第１内部電極４１と第１下地電極６１Ａとを接続することができる。また例えば、第１下地電極６１Ａを形成した後に、第１下地電極６１Ａの表面も含めて絶縁膜５０を形成して、第１下地電極６１Ａの表面を覆う絶縁膜５０を除去してもよい。この点、第２内部電極４２と第２下地電極６２Ａとの材質の組み合わせにおいても同様である。

【0071】

・第１外部電極６１の配置箇所は、上記実施形態の例に限られない。例えば、第１外部電極６１が第１端面２２Ａと１つの側面２２Ｃとにのみ配置されていてもよい。この点、第２外部電極６２についても同様である。

【0072】

・絶縁膜５０について、ガラス層５６には、粉粒体５３が含まれていてもよい。少なくとも、ガラス層５６における粉粒体５３の含有割合は、混合層５１における粉粒体５３の含有割合よりも小さければよい。

【0073】

・第１厚さＴ１は第２厚さＴ２以下であってもよい。絶縁膜５０は、混合層５１とガラス層５６とを有していればよい。混合層５１とガラス層５６との境界は、明確でなくてもよく、粉粒体５３の含有割合が、絶縁膜５０の表面側の部分よりも、素体２０側の部分において大きければ、絶縁膜５０は、混合層５１とガラス層５６とを有しているといえる。

【0074】

・絶縁膜５０において、クラック５８の位置は、上記実施形態の例に限られない。また、絶縁膜５０において、クラック５８は省かれてもよい。さらに、クラック５８の数は、複数あってもよい。

【0075】

・絶縁膜５０は、素体２０の外表面２１のすべての領域を覆っていなくてもよい。すなわち、素体２０の外表面２１の一部が、絶縁膜５０から露出していてもよい。素体２０の形状、第１外部電極６１及び第２外部電極６２の位置等に併せて、絶縁膜５０が覆う範囲は、適宜変更されればよい。

【0076】

・絶縁膜５０のうち、第１下地電極６１Ａに覆われている部分について、絶縁膜５０におけるガラス５２は、第１下地電極６１Ａにおけるガラスに拡散することで、両者が一体化していることもある。

【0077】

・混合層５１は、素体２０の外表面２１を直接覆っていなくてもよい。例えば、混合層５１と外表面２１との間に、他の層が介在していてもよい。この場合であっても、混合層５１が、ガラス層５６から視て素体２０側に位置していれば、絶縁膜５０が他の層から剥がれることを抑制できる。その結果、素体２０の外表面２１から絶縁膜５０から剥がれることを抑制できる。

【0078】

・絶縁膜５０の材質は、上記実施形態の例に限られない。例えば、ガラス５２及びガラス５７は、二酸化ケイ素のみに限られず、Ｂ－Ｓｉ系、Ｓｉ－Ｚｎ系、Ｚｒ－Ｓｉ系、Ａｌ－Ｓｉ系の酸化物のように、Ｓｉを含む多成分系の酸化物であってもよい。また、ガラス５２及びガラス５７は、Ａｌ－Ｓｉ系、Ｎａ－Ｓｉ系、Ｋ－Ｓｉ系、Ｌｉ－Ｓｉ系の酸化物のように、アルカリ金属とＳｉを含む多成分系の酸化物であってもよい。さらに、ガラス５２及びガラス５７は、Ｍｇ－Ｓｉ系、Ｃａ－Ｓｉ系、Ｂａ－Ｓｉ系、Ｓｒ－Ｓｉ系のようにアルカリ土類金属とＳｉを含む多成分系の酸化物であってもよい。そして、ガラス５２及びガラス５７は、Ｓｉを含まなくてもよく、これらの混合物であってもよい。

【0079】

・また、絶縁膜５０の材質は、ガラス５２及びガラス５７に加えて、顔料、シリコーン系難燃剤、シランカップリング材、チタネートカップリング剤等の表面処理剤又は帯電防止剤を含んでいてもよい。

【0080】

より具体的には、絶縁膜５０には、ガラス５２及びガラス５７と、粉粒体５３と、に加えて、有機酸塩、酸化物、無機塩、有機塩、その他金属酸化物の微細な粒子及びナノ粒子の添加物を含んでいてもよい。

【0081】

有機酸塩としては、例えば、ソーダ灰、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、過炭酸ナトリウム、亜硫酸ナトリウム、亜硫酸水素ナトリウム、硫酸ナトリウム、チオ硫酸ナトリウム、硝酸ナトリウム、亜硫酸ナトリウムといったオキソ酸の塩やフッ化ナトリウム、塩化ナトリウム、臭化ナトリウム、ヨウ化ナトリウムといったハロゲン化合物が挙げられる。

【0082】

また、酸化物としては、例えば過酸化ナトリウム、水酸化物としては、例えば水酸化ナトリウムが挙げられる。
無機塩としては、例えば、水素化ナトリウム、硫化ナトリウム、硫化水素ナトリウム、珪酸ナトリウム、リン酸三ナトリウム、ほう酸ナトリウム、水素化ホウ素ナトリウム、シアン化ナトリウム、シアン酸ナトリウム、テトラクロロ金酸ナトリウムが挙げられる。

【0083】

無機塩としては、例えば、過酸化カルシウム、水酸化カルシウム、フッ化カルシウム、塩化カルシウム、臭化カルシウム、ヨウ化カルシウム、水素化カルシウム、炭化カルシウム、リン化カルシウムが挙げられる。

【0084】

また、添加物としては、炭酸カルシウム、炭酸水素カルシウム、硝酸カルシウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウム、ケイ酸カルシウム、リン酸カルシウム、ピロリン酸カルシウム、次亜塩素酸カルシウム、塩素酸カルシウム、過塩素酸カルシウム、臭素酸カルシウム、ヨウ素酸カルシウム、亜ヒ酸カルシウム、クロム酸カルシウム、タングステン酸カルシウムモリブデン酸カルシウム、炭酸カルシウムマグネシウム、ハイドロキシアパタイト、といったオキソ酸塩であってもよい。また、添加物は、酢酸カルシウム、グルコン酸カルシウム、クエン酸カルシウム、リンゴ酸カルシウム、乳酸カルシウム、安息香酸カルシウム、ステアリン酸カルシウム、アスパラギン酸カルシウムが挙げられる。

【0085】

また例えば、添加物は、炭酸リチウム、塩化リチウム、チタン酸リチウム、窒化リチウム、過酸化リチウム、クエン酸リチウム、フッ化リチウム、ヘキサフルオロリン酸リチウム、酢酸リチウム、ヨウ化リチウム、次亜塩素酸リチウム、四ホウ酸リチウム、臭化リチウム、硝酸リチウム、水酸化リチウム、水素化アルミニウムリチウム、水素化トリエチルホウ素リチウム、水素化リチウム、リチウムアミド、リチウムイミド、リチウムジイソプロピルアミド、リチウムテトラメチルピペリジド、硫化リチウム、硫酸リチウム、リチウムチオフェノラート、リチウムフェノキシドであってもよい。

【0086】

また例えば、添加物は、三ヨウ化ホウ素、シアノ水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素ナトリウム、テトラフルオロほう酸、トリエチルボラン、硼砂、ほう酸であってもよい。

【0087】

また例えば、添加物は、ヒ化カリウム、臭化カリウム、炭化カリウム、塩化カリウム、フッ化カリウム、水素化カリウム、ヨウ化カリウム、三ヨウ化カリウム、アジ化カリウム、窒化カリウム、超酸化カリウム、オゾン化カリウム、過酸化カリウム、リン化カリウム、硫化カリウム、セレン化カリウム、テルル化カリウム、テトラフルオロアルミン酸カリウム、テトラフルオロホウ酸カリウム、テトラヒドロホウ酸カリウム、カリウムメタニド、シアン化カリウム、ギ酸カリウム、フッ化水素カリウム、テ、ラヨード水銀（ＩＩ）酸カリウム、硫化水素カリウム、オクタクロロ二モリブデン（ＩＩ）酸カリウム、カリウムアミド、水酸化カリウム、ヘキサフルオロリン酸カリウム、炭酸カリウム、テトラクロリド白金（ＩＩ）酸カリウム、ヘキサクロリド白金（ＩＶ）酸カリウム、ノナヒドリドレニウム（ＶＩＩ）酸カリウム、硫酸カリウム、酢酸カリウム、シアン化金（Ｉ）カリウム、ヘキサニトロコバルト（ＩＩＩ）酸カリウム、ヘキサシアノ鉄（ＩＩＩ）酸カリウム、ヘキサシアノ鉄（ＩＩ）酸カリウム、カリウムメトキシド、カリウムエトキシド、カリウムｔｅｒｔ－ブトキシド、シアン酸カリウム、雷酸カリウム、チオシアン酸カリウム、硫酸カリウムアルミニウム、アルミン酸カリウム、ヒ酸カリウム、臭素酸カリウム、次亜塩素酸カリウム、亜塩素酸カリウム、塩素酸カリウム、過塩素酸カリウム、炭酸カリウム、クロム酸カリウム、二クロム酸カリウム、テトラキス（ペルオキソ）クロム（Ｖ）酸カリウム、銅（ＩＩＩ）酸カリウム、鉄酸カリウム、ヨウ素酸カリウム、過ヨウ素酸カリウム、過マンガン酸カリウム、マンガン酸カリウム、次亜マンガン酸カリウム、モリブデン酸カリウム、亜硝酸カリウム、硝酸カリウム、リン酸三カリウム、過レニウム酸カリウム、セレン酸カリウム、ケイ酸カリウム、亜硫酸カリウム、硫酸カリウム、チオ硫酸カリウム、二亜硫酸カリウム、ジチオン酸カリウム、二硫酸カリウム、ペルオキソ二硫酸カリウム、ヒ酸二水素カリウム、ヒ酸水素二カリウム、炭酸水素カリウム、リン酸二水素カリウム、リン酸水素二カリウム、セレン酸水素カリウム、亜硫酸水素カリウム、硫酸水素カリウム、ペルオキソ硫酸水素カリウムであってもよい。

【0088】

また例えば、添加物は、亜硫酸バリウム、塩化バリウム、塩素酸バリウム、過塩素酸バリウム、過酸化バリウム、クロム酸バリウム、酢酸バリウム、シアン化バリウム、臭化バリウム、シュウ酸バリウム、硝酸バリウム、水酸化バリウム、水素化バリウム、炭酸バリウム、ヨウ化バリウム、硫化バリウム、硫酸バリウムであってもよい。他にも、添加物は、酢酸ナトリウム、クエン酸ナトリウムであってもよい。

【0089】

また、添加物は、金属酸化物の微細な粒子又はナノ粒子であってもよく、例えば、金属酸化物としては、酸化ナトリウム、酸化カルシウム、酸化リチウム、酸化ホウ素、酸化カリウム、酸化バリウム、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化ジルコン、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウムが挙げられる。

【0090】

・上記実施形態の電子部品１０の製造方法において、金属アルコキシド８５は、上記実施形態の例に限られない。金属アルコキシド８５を合成可能な元素としては、例えば、Ｌｉ，Ｂｅ，Ｂ，Ｃ，Ｎａ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｋ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｒｂ，Ｓｒ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｃｓ，Ｂａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｈｇ，Ｔｌ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｔｈ，Ｐａ，Ｕ，Ｐｕが挙げられる。これらの元素のアルコキシドは、ガラスの前駆体として利用し得る。

【0091】

金属アルコキシド８５は、例えば、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カルシウムジエトキシド、リチウムイソプロポキシド、リチウムエトキシド、リチウムｔｅｒｔ－ブトキシド、リチウムメトキシド、ホウ素アルコキシド、カリウムｔ－ブトキシド、オルトケイ酸テトラエチル、アリルトリメトキシシラン、イソブチル（トリメトキシ）シラン、オルトケイ酸テトラプロピル、オルトケイ酸テトラメチル、［３－（ジエチルアミノ）プロピル］トリメトキシシラン、トリエトキシ（オクチル）シラン、トリエトキシビニルシラン、トリエトキシフェニルシラン、トリメトキシフェニルシラン、トリメトキシメチルシラン、ブチルトリクロロシラン、ｎ－プロピルトリエトキシシラン、メチルトリクロロシラン、ジメトキシ（メチル）オクチルシラン、ジメトキシジメチルシラン、トリス（ｔｅｒｔ－ブトキシ）シラノール、トリス（ｔｅｒｔ－ペントキシ）シラノール、ヘキサデシルトリメトキシシラン、トリス（１，２－ベンゼンジオラート－Ｏ，Ｏ’)ケイ酸二カリウム、オルトケイ酸テトラブチル、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸テトラメチルアンモニウム溶液、クロロトリイソプロポキシチタン（ＩＶ）、チタン（ＩＶ）イソプロポキシド、チタン（ＩＶ）２－エチルヘキシルオキシド、チタン（ＩＶ）エトキシド、チタン（ＩＶ）ブトキシド、チタン（ＩＶ）ｔｅｒｔ－ブトキシド、チタン（ＩＶ）プロポキシド、チタン（ＩＶ）メトキシド、ジルコニウム（ＩＶ）ビス（ジエチルシトレート）ジプロポキシド、ジルコニウム（ＩＶ）ジブトキシド（ビス－２，４－ペンタンジオネート）、ジルコニウム（ＩＶ）２－エチルヘキサノエート、ジルコニウム（ＩＶ）イソプロポキシドイソプロパノール錯体、ジルコニウム（ＩＶ）エトキシド、ジルコニウム（ＩＶ）ブトキシド、ジルコニウム（ＩＶ）ｔｅｒｔ－ブトキシド、ジルコニウム（ＩＶ）プロポキシド、アルミニウムｔｅｒｔ－ブトキシド、アルミニウムイソプロポキシド、アルミニウムエトキシド、アルミニウム－トリ－ｓｅｃ－ブトキシド、アルミニウムフェノキシド、であってもよい。

【0092】

・上記実施形態の電子部品１０の製造方法において、金属アルコキシド８５に代えて、金属アルコキシド８５の前駆体である金属錯体や酢酸塩を用いてもよい。この場合、金属アルコキシド投入工程Ｓ１７では、金属アルコキシド前駆体である金属錯体や酢酸塩を投入すればよい。金属錯体としては、例えば、リチウムアセチルアセトナート、チタン（ＩＶ）オキシアセチルアセトナート、チタンジイソプロポキシドビス（アセチルアセトナート）、ジルコニウム（ＩＶ）トリフルオロアセチルアセトナート、ジルコニウム（ＩＶ）アセチルアセトナート、アセチルアセトン酸アルミニウム、アルミニウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート、カルシウム（ＩＩ）アセチルアセトナート、亜鉛（ＩＩ）アセチルアセトナートのようなアセチルアセトナートが挙げられる。また例えば、酢酸塩としては、酢酸ジルコニウム、酢酸水酸化ジルコニウム（ＩＶ）、塩基性酢酸アルミニウムが挙げられる。

【0093】

・上記電子部品１０の製造方法において、外部電極形成工程は、上記実施形態の例に限られない。例えば、成膜工程Ｓ１８の後に、加熱処理をすることで絶縁膜５０を硬化させた後に、導電体塗布工程Ｓ２０及び硬化工程Ｓ２１を行うことで、第１外部電極６１及び第２外部電極６２を形成してもよい。また例えば、上述した変更例のように、第１内部電極４１の一部が絶縁膜５０から露出している場合、露出している部分に、めっき工法によって第１外部電極６１を形成してもよい。

【0094】

・硬化工程Ｓ２１は、絶縁膜５０と導電体ペーストとを同時に硬化させる工程に限られない。例えば、導電体ペーストが紫外線照射によって硬化される材料であるならば、絶縁膜５０を硬化させる硬化工程として、加熱工程を行い、導電体ペーストを硬化させる工程として紫外線照射をしてもよい。

【0095】

・上記電子部品１０の製造方法において、乾燥工程Ｓ１９によって充分に水及びポリマー８４が気化されることで絶縁膜５０が硬化されてもよい。この場合、乾燥工程Ｓ１９が絶縁膜５０を硬化させる硬化工程として機能する。

【0096】

・上記電子部品１０の製造方法において、溶媒投入工程Ｓ１３、触媒投入工程Ｓ１４、素体投入工程Ｓ１５、の順番は問わない。反応容器８１内に、溶媒８２と素体２０とポリマー８４とが投入された状態で、反応容器８１内で金属アルコキシド８５と触媒とが反応を始めればよい。

【0097】

・上記電子部品１０の製造方法において、ポリマー８４は、ポリビニルピロリドンに限られない。例えば、ポリマー８４は、アクリル系であるアクリル酸、メタクリル酸又はそれらのエステルの単独重合体又は共重合体であってもよい。アクリル系は、例えば、アクリル酸エステル共重合体、メタクリル酸エステル共重合体、アクリル酸エステル－メタクリル酸エステル共重合体が挙げられる。また例えば、ポリマー８４は、セルロース系、ポリビニルアルコール系、ポリ酢酸ビニル系、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレンカーボネート系等の単独重合体又は共重合体が挙げられる。セルロース系は、例えば、ヒドロキシプロピルセルロース、セルロースエーテル、カルボキシメチルセルロース、アセチルセルロース、アセチルニトロセルロースが挙げられる。さらに、ポリマー８４は、複数種を含んでいてもよく、例示した中から選ばれる少なくとも１種を含有していればよい。

【0098】

・上記電子部品１０の製造方法において、溶媒８２は、２－プロパノールに限られない。溶媒８２は、金属アルコキシド８５を充分に分散させることができれば、適宜変更されればよい。

【0099】

・ところで、特開２０２０－３６００２号公報に記載の成膜方法は、溶媒投入工程と、触媒投入工程と、素体投入工程と、金属アルコキシド投入工程と、を備えている。また、当該成膜方法は、成膜工程を備えている。成膜工程では、金属アルコキシドの加水分解及び重縮合反応により、素体の外表面にシリコン酸化物からなる絶縁膜を形成している。

【0100】

特開２０２０－３６００２号公報に記載のような成膜方法では、成膜工程において、シリコン酸化物の大きさが過度に大きくなることがある。絶縁膜の表面に、サイズの大きいシリコン酸化物の粒子が存在していると、素体２０の外部からの衝撃が、当該粒子近傍に加わると、当該粒子が近傍の絶縁膜５０を素体２０の外表面２１から剥がしてしまうことがある。

【0101】

ここで、上記実施形態の電子部品１０の製造方法における成膜方法によれば、ポリマー投入工程Ｓ１６によって、ポリマー８４を投入している。絶縁膜５０の成膜過程において、ポリマー８４が、素体２０の外表面２１に吸着する。その後、金属アルコキシド投入工程Ｓ１７によって、金属アルコキシド８５由来のガラスの微粒子が、ポリマー８４に取り込まれる。そして、過度に大きく成長したガラスの粗大な粒子は、ポリマー８４に取り込まれることができなくなる。その結果、絶縁膜５０には、過度に大きい粒子が含まれなくなる。

【0102】

このように、ガラスの粗大な粒子の過度の成長を軽減するという観点では、絶縁膜５０における混合層５１は必須ではない。すなわち、例えば絶縁膜５０は、ガラス５７のみから構成されていてもよい。

【0103】

また、金属アルコキシド８５の濃度、アルカリ濃度、反応温度、反応時間、溶媒８２の種類、素体２０の表面電荷などを制御することで、ガラスの粗大な粒子のサイズをより小さくすることができる。

【0104】

上記実施形態及び変更例から把握できる技術的思想を以下に追記する。
＜付記１＞
素体の外表面に金属酸化物を含む絶縁膜を成膜する成膜方法であって、
反応容器内に前記素体を投入する素体投入工程と、
前記反応容器内に、前記素体の外表面に吸着するポリマーを投入するポリマー投入工程と、
前記容器内に金属アルコキシド又は金属アルコキシド前駆体を投入する金属アルコキシド投入工程と、
前記反応容器内に、前記金属アルコキシドの加水分解を促進する触媒を投入する触媒投入工程と、
前記金属アルコキシドを加水分解及び脱水縮合して前記素体の外表面に前記絶縁膜を製膜する成膜工程と、を備える
成膜方法。

【符号の説明】

【0105】

１０…電子部品
２０…素体
２１…外表面
４１…第１内部電極
４２…第２内部電極
５０…絶縁膜
５１…混合層
５２…ガラス
５３…粉粒体
５６…ガラス層
５７…ガラス
５８…クラック
６１…第１外部電極
６２…第２外部電極
７１…第１貫通部
７２…第２貫通部
８１…反応容器
８２…溶媒
８３…水溶液
８４…ポリマー
８５…金属アルコキシド

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】