特許 7623125 コイル部品

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2025-01-20

(45)【発行日】2025-01-28

(54)【発明の名称】コイル部品

(51)【国際特許分類】

   H01F 17/00 20060101AFI20250121BHJP

【ＦＩ】

H01F17/00 C

【請求項の数】 6

(21)【出願番号】P 2020177158

(22)【出願日】2020-10-22

(65)【公開番号】P2022068467

(43)【公開日】2022-05-10

【審査請求日】2023-06-20

(73)【特許権者】

【識別番号】000003067

【氏名又は名称】ＴＤＫ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100115738

【弁理士】

【氏名又は名称】鷲頭 光宏

(74)【代理人】

【識別番号】100121681

【弁理士】

【氏名又は名称】緒方 和文

(72)【発明者】

【氏名】奥澤 信之

(72)【発明者】

【氏名】伊藤 一彦

(72)【発明者】

【氏名】高久 宗裕

(72)【発明者】

【氏名】占部 順一郎

【審査官】久保田 昌晴

(56)【参考文献】

【文献】特開２００３－１９７４２７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１８－０６１００８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００６－３２４４８９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００８－１９８９２３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２０－１４５２２３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－１１４７３５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１５－１０３７２３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００３－１８８０１９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００７－２６６１０５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００３－０８６４２６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０９－２４６０４６（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｆ １７／００－１９／０８、２７／２８－２７／２９、３７／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１の樹脂系絶縁材料及び前記第１の樹脂系絶縁材料よりも比誘電率の低い第２の樹脂系絶縁材料を含む樹脂素体と、
前記樹脂素体に埋め込まれ、複数ターンに亘ってヘリカル状に巻回されたコイルパターンと、
前記樹脂素体の表面に設けられ、前記コイルパターンの一端及び他端にそれぞれ接続された第１及び第２の端子電極と、を備え、
前記コイルパターンは、前記第１の樹脂系絶縁材料で覆われた部分と、前記第２の樹脂系絶縁材料で覆われた部分を有しており、
前記第１及び第２の端子電極と前記コイルパターンの間には、前記第２の樹脂系絶縁材料が設けられており、且つ、前記第１の樹脂系絶縁材料が設けられておらず、
前記第１及び第２の端子電極は、前記コイルパターンの軸方向に配列されており、
前記第１及び第２の端子電極は、前記軸方向に対して垂直な前記樹脂素体の表面に形成されることなく、前記軸方向に沿った前記樹脂素体の表面に形成されていることを特徴とするコイル部品。

【請求項2】

前記第２の樹脂系絶縁材料は、前記コイルパターンの隣接するターン間に設けられていることを特徴とする請求項１に記載のコイル部品。

【請求項3】

前記樹脂素体は、第１の樹脂層と、第２の樹脂層と、前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層の間に位置する第３の樹脂層とを含み、
前記コイルパターンは、
前記第１の樹脂層上に設けられ、前記第３の樹脂層に埋め込まれた複数の第１水平区間と、
前記第３の樹脂層上に設けられ、前記第２の樹脂層に埋め込まれた複数の第２水平区間と、
前記第３の樹脂層を貫通して設けられ、前記複数の第１水平区間の一端及びこれらに対応する前記複数の第２水平区間の一端を接続する複数の第１垂直区間と、
前記第３の樹脂層を貫通して設けられ、前記複数の第１水平区間の他端及びこれらに対応する前記複数の第２水平区間の他端を接続する複数の第２垂直区間と、を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載のコイル部品。

【請求項4】

前記第１及び第２の端子電極は、前記第２の樹脂層上に設けられており、
前記第２の樹脂層は、前記第２の樹脂系絶縁材料からなることを特徴とする請求項３に記載のコイル部品。

【請求項5】

前記第３の樹脂層のうち、前記複数の第１水平区間を埋め込む部分は前記第２の樹脂系絶縁材料からなり、残りの部分は前記第１の樹脂系絶縁材料からなることを特徴とする請求項３又は４に記載のコイル部品。

【請求項6】

前記第１の樹脂系絶縁材料にはフィラーが添加されており、前記第２の樹脂系絶縁材料にはフィラーが添加されていないことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載のコイル部品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明はコイル部品に関し、特に、樹脂素体にヘリカル状のコイルパターンが埋め込まれた構造を有するコイル部品に関する。

【背景技術】

【0002】

樹脂素体にヘリカル状のコイルパターンが埋め込まれた構造を有するコイル部品としては、特許文献１に記載されたコイル部品が知られている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２００６－３２４４８９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、特許文献１に記載されたコイル部品においては、自己共振周波数（ＳＲＦ）を十分に高めることが困難であった。

【0005】

したがって、本発明は、樹脂素体にヘリカル状のコイルパターンが埋め込まれた構造を有するコイル部品において、自己共振周波数を高めることを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明によるコイル部品は、第１の樹脂系絶縁材料及び第１の樹脂系絶縁材料よりも比誘電率の低い第２の樹脂系絶縁材料を含む樹脂素体と、樹脂素体に埋め込まれ、複数ターンに亘ってヘリカル状に巻回されたコイルパターンと、樹脂素体の表面に設けられ、コイルパターンの一端及び他端にそれぞれ接続された第１及び第２の端子電極とを備え、コイルパターンは、第１の樹脂系絶縁材料で覆われた部分と、第２の樹脂系絶縁材料で覆われた部分を有していることを特徴とする。

【0007】

本発明によれば、第１の樹脂系絶縁材料によって十分な機械的強度を確保しつつ、比誘電率の低い第２の樹脂系絶縁材料によって浮遊容量を低減することができる。これにより、自己共振周波数を高めることが可能となる。

【0008】

本発明において、第２の樹脂系絶縁材料は、第１及び第２の端子電極とコイルパターンの間に設けられていても構わない。これによれば、第１及び第２の端子電極とコイルパターンの間に生じる浮遊容量を低減することが可能となる。

【0009】

本発明において、第２の樹脂系絶縁材料は、コイルパターンの隣接するターン間に設けられていても構わない。これによれば、コイルパターンの隣接するターン間に生じる浮遊容量を低減することが可能となる。

【0010】

本発明において、樹脂素体は、第１の樹脂層と、第２の樹脂層と、第１の樹脂層と第２の樹脂層の間に位置する第３の樹脂層とを含み、コイルパターンは、第１の樹脂層上に設けられ、第３の樹脂層に埋め込まれた複数の第１水平区間と、第３の樹脂層上に設けられ、第２の樹脂層に埋め込まれた複数の第２水平区間と、第３の樹脂層を貫通して設けられ、複数の第１水平区間の一端及びこれらに対応する複数の第２水平区間の一端を接続する複数の第１垂直区間と、第３の樹脂層を貫通して設けられ、複数の第１水平区間の他端及びこれらに対応する複数の第２水平区間の他端を接続する複数の第２垂直区間を含んでいても構わない。これによれば、コイルパターンのコイル軸を樹脂層の積層方向に対して垂直とすることが可能となる。

【0011】

この場合、第１及び第２の端子電極は第２の樹脂層上に設けられており、第２の樹脂層は第２の樹脂系絶縁材料からなるものであっても構わないし、第３の樹脂層のうち、複数の第１水平区間を埋め込む部分は第２の樹脂系絶縁材料からなり、残りの部分は第１の樹脂系絶縁材料からなるものであっても構わない。前者によれば、第１及び第２の端子電極とコイルパターンの第２水平区間との間に生じる浮遊容量や、隣接する第２水平区間の間に生じる浮遊容量を低減することが可能となる。後者によれば、隣接する第１水平区間の間に生じる浮遊容量を低減することが可能となる。

【0012】

本発明において、第１及び第２の端子電極はコイルパターンの軸方向に配列されていても構わない。これによれば、第１及び第２の端子電極とコイルパターンの間の電位差が抑えられることから、浮遊容量がより低減される。

【0013】

この場合、第１及び第２の端子電極は、軸方向に対して垂直な樹脂素体の表面に形成されることなく、軸方向に沿った樹脂素体の表面に形成されていても構わない。これによれば、磁束が第１及び第２の端子電極と干渉しにくいことから、渦電流の発生を抑制することが可能となる。

【0014】

本発明において、第１の樹脂系絶縁材料にはフィラーが添加されており、第２の樹脂系絶縁材料にはフィラーが添加されていなくても構わない。これによれば、第１の樹脂系絶縁材料の強度をより高めることができるとともに、第２の樹脂系絶縁材料の比誘電率をより低減することが可能となる。

【発明の効果】

【0015】

本発明によれば、樹脂素体にヘリカル状のコイルパターンが埋め込まれた構造を有するコイル部品において、自己共振周波数を高めることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【0016】

【図1】図１は、本発明の第１の実施形態によるコイル部品１の構成を説明するための略透視斜視図であり、（ａ）は上面側から見た図、（ｂ）は実装面側から見た図である。

【図2】図２は、図１（ｂ）に示すＡ－Ａ線に沿った略断面図である。

【図3】図３は、樹脂素体１０に埋め込まれたコイルパターンＣの構造を説明するための略斜視図である。

【図4】図４は、コイルパターンＣをｚ方向から見た状態を示す略透視平面図である。

【図5】図５は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。

【図6】図６は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。

【図7】図７は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。

【図8】図８は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。

【図9】図９は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。

【図10】図１０は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。

【図11】図１１は、コイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。

【図12】図１２は、本発明の第２の実施形態によるコイル部品２の構成を説明するための略断面図である。

【図13】図１３は、本発明の第３の実施形態によるコイル部品３の構成を説明するための略断面図である。

【図14】図１４は、本発明の第４の実施形態によるコイル部品４の構成を説明するための略透視斜視図であり、（ａ）は上面側から見た図、（ｂ）は実装面側から見た図である。

【図15】図１５は、本発明の第５の実施形態によるコイル部品５の構成を説明するための略透視斜視図であり、（ａ）は上面側から見た図、（ｂ）は実装面側から見た図である。

【発明を実施するための形態】

【0017】

以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。

【0018】

＜第１の実施形態＞
図１は、本発明の第１の実施形態によるコイル部品１の構成を説明するための略透視斜視図であり、（ａ）は上面側から見た図、（ｂ）は実装面側から見た図である。また、図２は、図１（ｂ）に示すＡ－Ａ線に沿った略断面図である。

【0019】

第１の実施形態によるコイル部品１は、表面実装が可能なチップ型電子部品であり、図１及び図２に示すように、樹脂素体１０と、樹脂素体１０に埋め込まれたコイルパターンＣと、樹脂素体１０の表面に設けられた端子電極Ｅ１，Ｅ２を備えている。

【0020】

樹脂素体１０は、４層の樹脂層１１～１４がこの順にｚ方向に積層された構造を有している。このうち、樹脂層１１，１３は、エポキシ系又はアクリル系の樹脂材料にシリカなどのフィラーが添加された樹脂系絶縁材料からなる。樹脂層１１を構成する樹脂系絶縁材料と樹脂層１３を構成する樹脂系絶縁材料は、互いに同じであっても構わないし、互いに異なっていても構わない。これに対し、樹脂層１２，１４は、ビスマレイミドや液晶ポリマーなど、フィラーを含まない樹脂材料からなる。樹脂層１２を構成する樹脂系絶縁材料と樹脂層１４を構成する樹脂系絶縁材料は、互いに同じであっても構わないし、互いに異なっていても構わない。

【0021】

これにより、樹脂層１１，１３を構成する樹脂系絶縁材料は、樹脂層１２，１４を構成する樹脂系絶縁材料よりも強度が高く、且つ、加工性に優れる。一方、樹脂層１２，１４を構成する樹脂系絶縁材料は、比誘電率の低い樹脂材料からなるとともに、シリカなどのフィラーが添加されていないことから、樹脂層１１，１３を構成する樹脂系絶縁材料よりも比誘電率が低い。一例として、樹脂層１１，１３を構成する樹脂系絶縁材料の１ＧＨｚにおける比誘電率εは約３．３であり、樹脂層１２，１４を構成する樹脂系絶縁材料の１ＧＨｚにおける比誘電率εは約２．４である。

【0022】

図３は、樹脂素体１０に埋め込まれたコイルパターンＣの構造を説明するための略斜視図である。また、図４は、コイルパターンＣをｚ方向から見た状態を示す略透視平面図である。

【0023】

図２～図４に示すように、コイルパターンＣは、ｘｙ平面に延在する第１水平区間３１～３４及び第２水平区間４１～４５と、ｚ方向に延在する第１垂直区間５１～５４及び第２垂直区間６１～６４によって構成されている。図２に示すように、第１水平区間３１～３４は樹脂層１１の表面に設けられ、樹脂層１２に埋め込まれている。また、第２水平区間４１～４５は樹脂層１３の表面に設けられ、樹脂層１４に埋め込まれている。第１垂直区間５１～５４及び第２垂直区間６１～６４は、樹脂層１２，１３を貫通して設けられている。このうち、第１垂直区間５１～５４は、第１水平区間３１～３４の一端及びこれらに対応する第２水平区間４１～４４の一端を接続する。また、第２垂直区間６１～６４は、第１水平区間３１～３４の他端及びこれらに対応する第２水平区間４２～４５の一端を接続する。

【0024】

かかる構成により、複数ターンに亘ってヘリカル状に巻回されたコイルパターンＣが構成される。コイルパターンＣのコイル軸はｘ方向である。第２水平区間４１の他端はコイルパターンＣの一端を構成し、樹脂層１４を貫通して設けられたビア導体７１を介して端子電極Ｅ１に接続される。一方、第２水平区間４５の一端はコイルパターンＣの他端を構成し、樹脂層１４を貫通して設けられたビア導体７２を介して端子電極Ｅ２に接続される。端子電極Ｅ１，Ｅ２は、樹脂素体１０のｘｙ表面にのみ形成された底面端子である。つまり、端子電極Ｅ１，Ｅ２は樹脂素体１０のｙｚ表面を覆っておらず、これにより、ハンダを用いて回路基板に実装した場合、樹脂素体１０のｙｚ表面がハンダのフィレットで覆われることがない。これにより、実装密度を高めることができるとともに、コイルパターンＣによって生じる磁束が端子電極Ｅ１，Ｅ２やハンダと干渉しにくいことから、渦電流の発生を抑制することが可能となる。

【0025】

図４に示すように、端子電極Ｅ１は少なくとも第２水平区間４１と重なりを有しており、端子電極Ｅ２は少なくとも第２水平区間４５と重なりを有している。このため、端子電極Ｅ１と第２水平区間４１との間、並びに、端子電極Ｅ２と第２水平区間４５との間には浮遊容量が発生する。しかしながら、本実施形態においては、両者間に位置する樹脂層１４が比誘電率の低い樹脂系絶縁材料からなることから、端子電極Ｅ１，Ｅ２と第２水平区間４１，４５との間に生じる浮遊容量を低減することが可能となる。しかも、第２水平区間４１～４５は樹脂層１４に埋め込まれていることから、ｘ方向に隣接する第２水平区間４１～４５間における浮遊容量、つまり、コイルパターンＣの隣接するターン間において生じる浮遊容量を低減することが可能となる。これにより、浮遊容量に起因する自己共振周波数の低下を防止することが可能となる。

【0026】

また、本実施形態においては、端子電極Ｅ１が第２水平区間４２の一部とも重なりを有し、端子電極Ｅ２が第２水平区間４４の一部とも重なりを有している。このため、端子電極Ｅ１と第２水平区間４２との間、並びに、端子電極Ｅ２と第２水平区間４４との間にも浮遊容量が発生する。ここで、第２水平区間４２は、第２水平区間４１よりも端子電極Ｅ１からの配線距離が離れていることから、電圧降下の影響により、端子電極Ｅ１と第２水平区間４２の単位面積当たりの浮遊容量は、端子電極Ｅ１と第２水平区間４１の単位面積当たりの浮遊容量よりも大きくなる。同様に、第２水平区間４４は、第２水平区間４５よりも端子電極Ｅ２からの配線距離が離れていることから、電圧降下の影響により、端子電極Ｅ２と第２水平区間４４の単位面積当たりの浮遊容量は、端子電極Ｅ２と第２水平区間４５の単位面積当たりの浮遊容量よりも大きくなる。このように、端子電極Ｅ１，Ｅ２のそれぞれが複数本の第２水平区間４１～４５と重なりを有している場合、樹脂層１４の材料として比誘電率の低い樹脂系絶縁材料を用いる効果はより大きくなる。

【0027】

さらに、本実施形態においては、第１水平区間３１～３４が樹脂層１２に埋め込まれており、樹脂層１２は比誘電率の低い樹脂系絶縁材料からなることから、ｘ方向に隣接する第１水平区間３１～３４間における浮遊容量、つまり、コイルパターンＣの隣接するターン間において生じる浮遊容量を低減することが可能となる。

【0028】

一方、第１垂直区間５１～５４及び第２垂直区間６１～６４の大部分は、強度の高い樹脂層１３を貫通して設けられていることから、樹脂素体１０全体の機械的強度を十分に確保することが可能となる。樹脂素体１０の機械的強度を確保するためには、樹脂層１３の厚みＴ１３を樹脂層１２，１４の厚みＴ１２，Ｔ１４の３倍以上とすることが好ましい。一例として、Ｔ１２＝約２０μｍ、Ｔ１３＝約１１５μｍ、Ｔ１４＝約３０μｍとすれば、樹脂素体１０の機械的強度を確保しつつ、浮遊容量を低減することが可能となる。

【0029】

このように、本実施形態によるコイル部品１は、コイルパターンＣが樹脂素体１０に埋め込まれた構造を有し、コイルパターンＣは、強度の高い樹脂系絶縁材料からなる樹脂層１１，１３と、比誘電率の低い樹脂系絶縁材料からなる樹脂層１２，１４で覆われた部分を有していることから、樹脂素体１０の機械的強度を確保しつつ、浮遊容量に起因する自己共振周波数の低下を防止することが可能となる。

【0030】

また、本実施形態においては、端子電極Ｅ１，Ｅ２がコイルパターンＣの軸方向（ｘ方向）に配列されていることから、端子電極Ｅ１が配線距離の離れた第２水平区間（例えば第２水平区間４４や４５）と重なることがなく、同様に、端子電極Ｅ２が配線距離の離れた第２水平区間（例えば第２水平区間４１や４２）と重なることがない。これにより、端子電極Ｅ１，Ｅ２及びこれらと重なる第２水平区間４１，４２，４４，４５の電位差が抑えられることから、端子電極Ｅ１，Ｅ２をｙ方向に配列した場合と比べて、浮遊容量をより低減することが可能となる。

【0031】

次に、本実施形態によるコイル部品１の製造方法について説明する。

【0032】

図５～図１１は、本実施形態によるコイル部品１の製造方法を説明するための工程図である。図６～図１１において、（ａ）は略斜視図、（ｂ）は略平面図、（ｃ）は（ｂ）に示すＢ－Ｂ線に沿った略断面図である。

【0033】

まず、図５に示すように、アルミナや非磁性フェライトなどのセラミック材料からなる支持基板８０を用意し、その表面に樹脂層１１を形成する。次に、図６に示すように、樹脂層１１の表面に第１水平区間３１～３４を形成する。第１水平区間３１～３４の形成方法としては、樹脂層１１の全面に薄い給電膜を形成した後、感光性フィルムを貼り付け、露光現像することによって感光性フィルムに開口部を形成し、電解メッキによって開口部に第１水平区間３１～３４を成長させることによって行うことができる。ここで、樹脂層１１は強度の高い樹脂系絶縁材料からなることから、その表面に形成する第１水平区間３１～３４の加工精度を高く保つことが可能である。

【0034】

次に、図７に示すように、第１水平区間３１～３４が埋め込まれるよう、樹脂層１１の表面に樹脂層１２を形成する。これにより、ｘ方向に隣接する第１水平区間３１～３４は、比誘電率の低い樹脂系絶縁材料によって絶縁されることになる。次に、樹脂層１２に開口部３１ａ～３４ａ，３１ｂ～３４ｂを形成することによって、第１水平区間３１～３４の両端部を露出させる。

【0035】

次に、図８に示すように、開口部３１ａ～３４ａを介して第１水平区間３１～３４の一端にそれぞれ接続される第１垂直区間５１～５４、並びに、開口部３１ｂ～３４ｂを介して第１水平区間３１～３４の他端にそれぞれ接続される第２垂直区間６１～６４を形成する。第１垂直区間５１～５４及び第２垂直区間６１～６４の形成方法としては、樹脂層１２の全面に薄い給電膜を形成した後、感光性フィルムを貼り付け、露光現像することによって感光性フィルムに開口部を形成し、電解メッキによって開口部に第１垂直区間５１～５４及び第２垂直区間６１～６４を成長させることによって行うことができる。

【0036】

次に、図９に示すように、第１垂直区間５１～５４及び第２垂直区間６１～６４が埋め込まれるよう、樹脂層１３を形成する。樹脂層１３の形成方法としては、第１垂直区間５１～５４及び第２垂直区間６１～６４の形成に用いた感光性フィルムを剥離した後、樹脂層１３を構成する未硬化のシートをラミネートし、硬化させた後、表面を研磨することによって第１垂直区間５１～５４及び第２垂直区間６１～６４の頂部を露出させることにより行うことができる。第１垂直区間５１～５４及び第２垂直区間６１～６４の高さによっては、図８に示す工程と図９に示す工程を交互に複数回繰り返しても構わない。ここで、樹脂層１３は加工性の高い樹脂系絶縁材料からなることから、第１垂直区間５１～５４及び第２垂直区間６１～６４の加工精度を高く保つことが可能である。

【0037】

次に、図１０に示すように、樹脂層１３の表面に第２水平区間４１～４５を形成する。第２水平区間４１～４５の形成方法は、上述した第１水平区間３１～３４の形成方法と同じであっても構わない。ここで、樹脂層１３は強度の高い樹脂系絶縁材料からなることから、その表面に形成する第２水平区間４１～４５の加工精度を高く保つことが可能である。

【0038】

次に、図１１に示すように、第２水平区間４１～４５が埋め込まれるよう、樹脂層１３の表面に樹脂層１４を形成する。これにより、ｘ方向に隣接する第２水平区間４１～４５は、比誘電率の低い樹脂系絶縁材料によって絶縁されることになる。次に、樹脂層１４に開口部７１ａ，７２ａを形成することによって、第２水平区間４１の他端と第２水平区間４５の一端を露出させる。そして、開口部７１ａ，７２ａと重なる位置にそれぞれ端子電極Ｅ１，Ｅ２を形成すれば、本実施形態によるコイル部品１が完成する。

【0039】

このように、本実施形態によるコイル部品１の製造方法によれば、強度及び加工性の高い樹脂層１１，１３の表面にそれぞれ第１水平区間３１～３４及び第２水平区間４１～４５を形成するとともに、第１垂直区間５１～５４及び第２垂直区間６１～６４の大部分が強度及び加工性の高い樹脂層１３を貫通して設けられることから、樹脂素体１０の全体を比誘電率の低い樹脂系絶縁材料によって構成した場合とは異なり、高い加工精度を確保することが可能となる。

【0040】

＜第２の実施形態＞
図１２は、本発明の第２の実施形態によるコイル部品２の構成を説明するための略断面図である。

【0041】

図１２に示すように、第２の実施形態によるコイル部品２は、樹脂層１２が樹脂層１１，１３と同じ樹脂系絶縁材料によって構成されている点において、第１の実施形態によるコイル部品１と相違している。その他の基本的な構成は、第１の実施形態によるコイル部品１と同一であることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。本実施形態によるコイル部品２が例示するように、本発明において、第１水平区間３１～３４が比誘電率の低い樹脂系絶縁材料によって覆われている点は必須ではない。

【0042】

＜第３の実施形態＞
図１３は、本発明の第３の実施形態によるコイル部品３の構成を説明するための略断面図である。

【0043】

図１３に示すように、第３の実施形態によるコイル部品３は、樹脂層１４が樹脂層１１，１３と同じ樹脂系絶縁材料によって構成されている点において、第１の実施形態によるコイル部品１と相違している。その他の基本的な構成は、第１の実施形態によるコイル部品１と同一であることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。本実施形態によるコイル部品３が例示するように、本発明において、第２水平区間４１～４５が比誘電率の低い樹脂系絶縁材料によって覆われている点は必須ではない。

【0044】

＜第４の実施形態＞
図１４は、本発明の第４の実施形態によるコイル部品４の構成を説明するための略透視斜視図であり、（ａ）は上面側から見た図、（ｂ）は実装面側から見た図である。

【0045】

図１４に示すように、第４の実施形態によるコイル部品４は、樹脂素体１０に埋め込まれたコイルパターンＣの軸方向がｚ方向である点において、第１の実施形態によるコイル部品１と相違している。コイルパターンＣの一端は、引き出し配線Ｃａを介して端子電極Ｅ１に接続され、コイルパターンＣの他端は端子電極Ｅ２に接続される。

【0046】

そして、端子電極Ｅ１，Ｅ２と、端子電極Ｅ２を始点としたコイルパターンＣの第１ターンの間に位置する樹脂層１４の材料として、比誘電率の低い樹脂系絶縁材料を用いている。コイルパターンＣの大部分は、強度の高い樹脂層１３で埋め込まれている。さらに、コイルパターンＣの所定の隣接ターン間に位置する樹脂層１２についても、樹脂層１３よりも比誘電率の低い樹脂系絶縁材料を用いている。これにより、端子電極Ｅ１，Ｅ２とコイルパターンＣの第１ターンの間に生じる浮遊容量や、コイルパターンＣの所定の隣接ターン間に生じる浮遊容量を低減することが可能となる。

【0047】

本実施形態によるコイル部品４が例示するように、本発明において、コイルパターンＣのコイル軸は積層方向（ｚ方向）を向いていても構わない。

【0048】

＜第５の実施形態＞
図１５は、本発明の第５の実施形態によるコイル部品５の構成を説明するための略透視斜視図であり、（ａ）は上面側から見た図、（ｂ）は実装面側から見た図である。

【0049】

図１５に示すように、第５の実施形態によるコイル部品５は、樹脂層１２が省略されている点において、第４の実施形態によるコイル部品４と相違している。その他の基本的な構成は、第４の実施形態によるコイル部品４と同一であることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。本実施形態によるコイル部品５が例示するように、コイルパターンＣの全体を樹脂層１３で埋め込み、端子電極Ｅ１，Ｅ２とコイルパターンＣの第１ターンの間にのみ比誘電率の低い樹脂層１４を配置しても構わない。

【0050】

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。

【0051】

例えば、上述した各実施形態においては、樹脂層１１，１３を構成する樹脂系絶縁材料にはフィラーが添加され、樹脂層１２，１４を構成する樹脂系絶縁材料にはフィラーが添加されていないが、本発明においてこの点は必須ではない。また、樹脂層１１，１３と樹脂層１２，１４に同じ樹脂材料を用い、樹脂層１１，１３に対してはフィラーを添加することによって強度を高める一方、樹脂層１２，１４に対しては比誘電率が増加しないよう、フィラーを添加しなくても構わない。

【符号の説明】

【0052】

１～５ コイル部品
１０ 樹脂素体
１１～１４ 樹脂層
３１～３４ 第１水平区間
３１ａ～３４ａ，３１ｂ～３４ｂ 開口部
４１～４５ 第２水平区間
５１～５４ 第１垂直区間
６１～６４ 第２垂直区間
７１，７２ ビア導体
７１ａ，７２ａ 開口部
８０ 支持基板
Ｃ コイルパターン
Ｃａ 引き出し配線
Ｅ１，Ｅ２ 端子電極

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】