特許 7624297 ＣＺ用るつぼ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2025-01-22

(45)【発行日】2025-01-30

(54)【発明の名称】ＣＺ用るつぼ

(51)【国際特許分類】

   C30B 29/06 20060101AFI20250123BHJP

   C30B 15/12 20060101ALI20250123BHJP

   C03B 20/00 20060101ALI20250123BHJP

   F27B 14/10 20060101ALI20250123BHJP

【ＦＩ】

C30B29/06 502B

C30B15/12

C03B20/00 H

F27B14/10

【請求項の数】 3

(21)【出願番号】P 2020129012

(22)【出願日】2020-07-30

(65)【公開番号】P2022025867

(43)【公開日】2022-02-10

【審査請求日】2023-07-21

(73)【特許権者】

【識別番号】000190138

【氏名又は名称】信越石英株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100102532

【弁理士】

【氏名又は名称】好宮 幹夫

(74)【代理人】

【識別番号】100194881

【弁理士】

【氏名又は名称】小林 俊弘

(72)【発明者】

【氏名】友国 和樹

(72)【発明者】

【氏名】池田 吉謙

【審査官】神▲崎▼ 賢一

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１２－０１７２４２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１２－０６６９６９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１１－０８８７７６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－０９５２９９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００９－２９８６５２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１１－１２１８４２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００７－２６９５３３（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｃ３０Ｂ ２９／０６

Ｃ３０Ｂ １５／１２

Ｃ０３Ｂ ２０／００

Ｆ２７Ｂ １４／１０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

ＣＺ法により単結晶シリコンインゴットを育成するためのＣＺ用るつぼであって、
前記ＣＺ用るつぼは、有底筒状の黒鉛るつぼと、該黒鉛るつぼの内部に配置された有底筒状の石英ガラスるつぼを含み、
前記ＣＺ用るつぼの中心軸における前記黒鉛るつぼの底部の内面と、前記石英ガラスるつぼの底部の外面との間には、前記黒鉛るつぼの底部の内面と前記石英ガラスるつぼの底部の外面とが非接触となる隙間を有し、
前記石英ガラスるつぼは、円筒状の直胴部と、該直胴部の下端に連続し第一の曲率半径Ｒ１を有する第１の湾曲部と、該第１の湾曲部に連続し第二の曲率半径Ｒ２を有する第２の湾曲部と、該第２の湾曲部に連続する底部を有するものであり、
前記第一の曲率半径Ｒ１と前記第二の曲率半径Ｒ２はＲ１＜Ｒ２の関係にあり、
前記底部の外面が前記石英ガラスるつぼの中心軸に直交する平坦面形状を有するものであることを特徴とするＣＺ用るつぼ。

【請求項2】

前記ＣＺ用るつぼの中心軸における前記中心軸方向の前記隙間の高さが０．５ｍｍ～５．０ｍｍであることを特徴とする請求項１に記載のＣＺ用るつぼ。

【請求項3】

前記ＣＺ用るつぼの中心軸に直交する方向の前記隙間の大きさが直径６０ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載のＣＺ用るつぼ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、チョクラルスキー法（以下、「ＣＺ法」という。）により単結晶シリコンを引き上げるためのＣＺ用るつぼに関する。

【背景技術】

【0002】

単結晶の製造方法として、ＣＺ法が知られている。特に、半導体電子部品の材料となる単結晶シリコンの多くは、ＣＺ法が、広く工業的に採用されている。ＣＺ法は、石英ガラスるつぼ内に充填した多結晶シリコン等をヒータで溶解した後、このシリコンメルトの表面に種結晶を浸し、シリコンメルトに浸した種結晶と石英ガラスるつぼを回転させつつ種結晶を上方に引き上げることによって種結晶と同一の結晶方位をもつ単結晶を育成する方法である。

【0003】

図７は、上述のＣＺ法により単結晶を引き上げる際に用いられる引上げ装置を模式的に示した概念図である。図７に示すように、単結晶引上げ装置１０は、引上げ室１２と、引上げ室１２中に設けられたＣＺ用るつぼ１３と、ＣＺ用るつぼ１３の周囲に配置されたヒータ１４と、ＣＺ用るつぼ１３を回転・昇降させるるつぼ保持軸１５及びその回転・昇降機構（図示せず）と、シリコンの種結晶１６を保持するシードチャック１７と、シードチャック１７を引き上げるワイヤ１８と、ワイヤ１８を回転又は巻き取る巻取り機構（図示せず）を備えて構成されている。また、ヒータ１４の外側周囲には断熱材１９が配置されている。単結晶シリコン２０は、原料のシリコンメルト１１からワイヤ１８によって引き上げられる。

【0004】

単結晶引上げ装置１０内に配置されるＣＺ用るつぼ１３は、シリコンメルト１１を収容する有底筒状の石英ガラスるつぼと、石英ガラスるつぼを内部に収容する有底筒状の黒鉛るつぼ（「カーボンサセプター」と呼ばれることもある）から構成される（例えば、特許文献１，２等）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【文献】特開２０１２－１７２４５号公報

【文献】特開２０１３－１３９３５６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

石英ガラスるつぼは、黒鉛るつぼの内部に収容可能な寸法で作製されるが、それぞれの作製誤差等により、石英ガラスるつぼの外面と黒鉛るつぼの内面とが完全に接触するように作製することは困難である。本発明者が鋭意調査を行ったところ、石英ガラスるつぼの外面は黒鉛るつぼの内面の形状に沿うように、凸状の曲面形状とされているが、石英ガラスるつぼの外面と黒鉛るつぼの内面の形状の製造誤差等の個体差によっては、図８に示すように、石英ガラスるつぼ１３Ａを黒鉛るつぼ１３Ｂの内部に設置してＣＺ用るつぼ１３としたときに、石英ガラスるつぼ１３Ａの外面の底部と黒鉛るつぼ１３Ｂの内面とが中心軸において点接触し、石英ガラスるつぼ１３Ａが不安定となることがわかった。石英ガラスるつぼ１３Ａが黒鉛るつぼ１３Ｂ内で揺れると、石英ガラスるつぼ１３Ａを黒鉛るつぼ１３Ｂの内部で破損する恐れがある。また、単結晶製造時には、シリコンメルトが揺れ、単結晶シリコンの引上げが困難となる湯面振動を引き起こすだけでなく、単結晶シリコンの引上げ時に石英ガラスるつぼ１３Ａが偏心状態となり、シリコンインゴットへの均一な熱供給が不可能となるため、シリコンインゴットの品質劣化にも繋がる。

【0007】

上記のような問題に対し、石英ガラスるつぼ１３Ａと黒鉛るつぼ１３Ｂの相性の良いものを選択して組み合わせることで、安定性の良いＣＺ用るつぼとすることが考えられる。しかしながら、相性の良い石英ガラスるつぼ１３Ａと黒鉛るつぼ１３Ｂの組合せを試行錯誤的に探すほかないため、非常に効率が悪いばかりでなく、必ずしも好ましい組合せが得られるわけではなかった。

【0008】

本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、ＣＺ法により単結晶シリコンインゴットを育成するための有底筒状の石英ガラスるつぼが有底筒状の黒鉛るつぼの内部に配置されたときに、石英ガラスるつぼが安定して自立できるものとなるＣＺ用るつぼを提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0009】

本発明は、上記目的を達成するためになされたものであり、ＣＺ法により単結晶シリコンインゴットを育成するためのＣＺ用るつぼであって、前記ＣＺ用るつぼは、有底筒状の黒鉛るつぼと、該黒鉛るつぼの内部に配置された有底筒状の石英ガラスるつぼを含み、前記ＣＺ用るつぼの中心軸における前記黒鉛るつぼの底部の内面と、前記石英ガラスるつぼの底部の外面との間には、前記黒鉛るつぼの底部の内面と前記石英ガラスるつぼの底部の外面とが非接触となる隙間を有するＣＺ用るつぼを提供する。

【0010】

このようなＣＺ用るつぼによれば、石英ガラスるつぼが黒鉛るつぼの内部に配置されたときに、点接触とはならず石英ガラスるつぼが安定して自立可能なものとなる。

【0011】

このとき、前記ＣＺ用るつぼの中心軸における前記中心軸方向の前記隙間の高さが０．５ｍｍ～５．０ｍｍであるＣＺ用るつぼとすることができる。

【0012】

これにより、石英ガラスるつぼがより安定して自立可能なものとなる。また、石英ガラスるつぼの変形を有効に抑制可能なものとなる。

【0013】

このとき、前記ＣＺ用るつぼの中心軸に直交する方向の前記隙間の大きさが直径６０ｍｍ以上であるＣＺ用るつぼとすることができる。

【0014】

これにより、石英ガラスるつぼがさらに安定して自立可能なものとなり、石英ガラスるつぼの設置が容易なものとなる。

【0015】

このとき、前記石英ガラスるつぼは、円筒状の直胴部と、該直胴部の下端に連続し第一の曲率半径Ｒ１を有する第１の湾曲部と、該第１の湾曲部に連続し第二の曲率半径Ｒ２を有する第２の湾曲部と、該第２の湾曲部に連続する底部を有するものであり、前記第一の曲率半径Ｒ１と前記第二の曲率半径Ｒ２はＲ１＜Ｒ２の関係にあり、前記底部の外面が前記石英ガラスるつぼの中心軸に直交する平坦面形状を有するものであるＣＺ用るつぼとすることができる。

【0016】

これにより、石英ガラスるつぼの底部を平坦面とする場合であっても、石英ガラスるつぼの内面の形状にほとんど影響を与えず、ＣＺ法による単結晶シリコンインゴットの育成時の、シリコンメルトの対流状態に与える影響がより小さなものとなる。

【発明の効果】

【0017】

以上のように、本発明の単結晶シリコン引き上げ用のＣＺ用るつぼによれば、石英ガラスるつぼが黒鉛るつぼの内部に配置されたときに、石英ガラスるつぼが安定して自立可能なものとなる。

【図面の簡単な説明】

【0018】

【図1】本発明に係るＣＺ用るつぼの一例を示す。

【図2】本発明に係るＣＺ用るつぼに使用する石英ガラスるつぼの底部の形状（断面）の例を示す。

【図3】本発明に係るＣＺ用るつぼに使用する石英ガラスるつぼの好適例を示す。

【図4】本発明に係るＣＺ用るつぼに使用する石英ガラスるつぼの他の好適例を示す。

【図5】石英ガラスるつぼと黒鉛るつぼの間の隙間の隙間測定冶具の一例を示す。

【図6】テーパーゲージの例を示す。

【図7】引上げ装置を模式的に示した概念図を示す。

【図8】従来のＣＺ用るつぼの一例を示す。

【発明を実施するための形態】

【0019】

以下、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

【0020】

上述のように、ＣＺ法により単結晶シリコンインゴットを育成するための有底筒状の石英ガラスるつぼが有底筒状の黒鉛るつぼの内部に配置されたときに、石英ガラスるつぼが安定して自立できるものとなるＣＺ用るつぼが求められていた。

【0021】

本発明者らは、上記課題について鋭意検討を重ねた結果、ＣＺ法により単結晶シリコンインゴットを育成するためのＣＺ用るつぼであって、前記ＣＺ用るつぼは、有底筒状の黒鉛るつぼと、該黒鉛るつぼの内部に配置された有底筒状の石英ガラスるつぼを含み、前記ＣＺ用るつぼの中心軸における前記黒鉛るつぼの底部の内面と、前記石英ガラスるつぼの底部の外面との間には、前記黒鉛るつぼの底部の内面と前記石英ガラスるつぼの底部の外面とが非接触となる隙間を有するＣＺ用るつぼにより、石英ガラスるつぼが黒鉛るつぼの内部に配置されたときに、石英ガラスるつぼが安定して自立できるものとなることを見出し、本発明を完成した。

【0022】

以下、図面を参照して説明する。

【0023】

まず、ＣＺ法により単結晶シリコンインゴットを育成するためのＣＺ用るつぼにおいて、有底筒状の石英ガラスるつぼが有底筒状の黒鉛るつぼの内部に配置されたときに、石英ガラスるつぼが黒鉛るつぼ内部でがたつき、安定しないものとなる原因について、調査を行ったところ、上述のように、石英ガラスるつぼを製造するときの底部の外面形状の製造誤差等の個体差により、石英ガラスるつぼの底部の外面と黒鉛るつぼの底部の内面とが中心軸において点接触するために、石英ガラスるつぼが不安定となることがわかった。そして、ＣＺ用るつぼの中心軸における黒鉛るつぼの底部の内面と、石英ガラスるつぼの底部の外面との間に、黒鉛るつぼの底部の内面と石英ガラスるつぼの底部の外面とが非接触となる隙間を有するものとすることで、上記のような問題が解決できることを見出した。

【0024】

図１に、本発明に係るＣＺ用るつぼの一例を示す。このＣＺ用るつぼ１は、有底筒状の黒鉛るつぼ１Ｂと、黒鉛るつぼの内部に配置された有底筒状の石英ガラスるつぼ１Ａを有している。そして、石英ガラスるつぼ１Ａが黒鉛るつぼ１Ｂ内に設置されたときに、底部５の拡大図に示すように、ＣＺ用るつぼ１の中心軸６における黒鉛るつぼ１Ｂの底部の内面と、石英ガラスるつぼ１Ａの底部の外面との間に、黒鉛るつぼ１Ｂの底部の内面と石英ガラスるつぼ１Ａの底部の外面とが非接触となる隙間７を有している。このようなＣＺ用るつぼ１は、石英ガラスるつぼ１Ａの底部の外面と黒鉛るつぼ１Ｂの底部の内面とが点接触（図８）することが回避され、好ましくは、石英ガラスるつぼ１Ａの底部の外縁と黒鉛るつぼ１Ｂの内面とが面接触状態となっているため、石英ガラスるつぼ１Ａが黒鉛るつぼ１Ｂの内部に配置されたときに、安定して自立できるものとなる。

【0025】

このようなＣＺ用るつぼ１とすることができる限り、石英ガラスるつぼ１Ａや黒鉛るつぼ１Ｂの形状は特に限定されない。図２に、石英ガラスるつぼ１Ａの底部５の形状（断面）の例を示す。図２に示すように、底部５の断面形状は、（Ａ）凸状、（Ｂ）平坦状、（Ｃ）凹状のいずれであってもよい。

【0026】

図３に、底部の形状を図２（Ｂ）に示した平坦状の断面形状とした場合の石英ガラスるつぼ１Ａを示す。石英ガラスるつぼ１Ａの底部５の外面の形状を、石英ガラスるつぼ１Ａの中心軸６に直交する平坦面（以下、単に「平坦面」という）５Ａとすることで、確実に安定して隙間７を有するＣＺ用るつぼ１とすることができる。

【0027】

また、図４に、底部の形状を図２（Ｃ）に示した凹状の断面形状とした場合の石英ガラスるつぼ１Ａを示す。石英ガラスるつぼ１Ａの底部５の外面の形状を、図４に示すように、上述の平坦面５Ａから凹んだ凹状面（以下、単に「凹状面」という）５Ｂとすることによっても、隙間７を有するＣＺ用るつぼとすることができる。この場合は、中心軸６に対称な形状、言い換えると、石英ガラスるつぼ１Ａを、底部５の外面側から中心軸６方向に見たときに、凹部の縁が中心軸６を中心とした円形となるような構造とすることが、最も安定する点で好ましい。

【0028】

また、石英ガラスるつぼ１Ａとして、さらに、円筒状の直胴部２の下端に連続し第一の曲率半径Ｒ１を有する第１の湾曲部３と、該第１の湾曲部３に連続し第二の曲率半径Ｒ２を有する第２の湾曲部４とを有し、Ｒ１＜Ｒ２の関係を満たすものとすることが、より好ましい。このような形状の石英ガラスるつぼ１Ａは、平坦面５Ａや凹状面５Ｂを形成する場合であっても、石英ガラスるつぼ１Ａの内面の形状にほとんど影響を与えない。したがって、ＣＺ法による単結晶シリコンインゴットの育成時の、シリコンメルトの対流状態にもほとんど影響を及ぼさない。

【0029】

なお、第一の曲率半径Ｒ１及び第二の曲率半径Ｒ２は特に限定されないが、１００ｍｍ≦Ｒ１≦２００ｍｍ、８００ｍｍ≦Ｒ２≦９００ｍｍとすることが好ましい。このようなものであれば、より安定して、シリコンメルトの対流状態の変化や乱れを抑制可能なものとなる。

【0030】

石英ガラスるつぼ１Ａの口径は特に限定されないが、本発明では、特に大口径のものとすることが好ましい。例えば、３２インチ（約８００ｍｍ）以上の口径のものとすることができる。

【0031】

なお、黒鉛るつぼ１Ｂの底部の内面と石英ガラスるつぼ１Ａの底部の外面とが非接触となる隙間７を有するものとするためには、上記のように石英ガラスるつぼ１Ａの底部の外面形状を調整する方法に限られず、黒鉛るつぼ１Ｂの内面形状を調整することももちろん可能である。単結晶シリコンインゴットを育成するときの熱的な条件への影響が小さい点で、石英ガラスるつぼ１Ａの底部の外面の形状の設定により、隙間７を有するＣＺ用るつぼ１とすることが好ましい。

【0032】

隙間７の大きさについて、ＣＺ用るつぼ１の中心軸６における中心軸方向の隙間７の高さ（図１のＨ）は、０．５ｍｍ～５．０ｍｍとすることが好ましい。隙間７の高さＨの測定誤差（測定下限）を考慮すると、０．５ｍｍ以上とすると安定して隙間７が確保できる。また、単結晶シリコンインゴット育成時に、隙間７に閉じ込められたガスが膨張し隙間７の圧力が上昇する恐れがあるが、Ｈが５．０ｍｍ以下の範囲であれば、隙間７に閉じ込められたガスの膨張の影響を小さくでき、石英ガラスるつぼ１Ａの変形を有効に抑制できるＣＺ用るつぼ１となる。

【0033】

また、中心軸６に直交する方向の隙間の大きさ（図１のＷ）は、直径６０ｍｍ以上とすることが好ましい。このような大きさＷとすることで、石英ガラスるつぼ１Ａがさらに安定して黒鉛るつぼ１Ｂ内に設置され、ガタツキがより抑制されたＣＺ用るつぼ１となる。また、石英ガラスるつぼの設置が容易になる。

【0034】

ここで、隙間７のサイズ（高さＨ、大きさＷ）の見積り方法について説明する。例えば、実際に組み合わせる石英ガラスるつぼ１Ａの外面形状と、黒鉛るつぼ１Ｂの内面形状とを、三次元形状測定機などにより測定し、それぞれのデータを解析することで、隙間７の大きさを見積もることが可能である。

【0035】

また、石英ガラスるつぼ１Ａの底部に対し、図５に示すような隙間測定冶具３０と、図６に示すようなテーパーゲージを用いれば、ＣＺ用るつぼ１の中心軸６における黒鉛るつぼ１Ｂの底部の内面と、石英ガラスるつぼ１Ａの底部の外面との間の隙間７を簡便かつ確実に測定することができる。具体的には、図５において、曲面が形成されている部分（断面形状部３１；ゲージ付き）が、黒鉛るつぼ１Ｂの内面の断面形状を反映した形状となっている。この断面形状部３１を石英ガラスるつぼ１Ａの底部５の外面にあてがうことで、隙間測定冶具３０の断面形状部３１と石英ガラスるつぼ１Ａの底部との間に隙間が生じる。この隙間のサイズを測定すれば、隙間の高さＨや大きさＷの値が容易に取得できる。このとき、図６に示すような円錐テーパーゲージを隙間に挿入し、円錐テーパーゲージの円錐面を、断面形状部３１と石英ガラスるつぼ１Ａの外面に接触させて、円錐テーパーゲージの円錐面と断面形状部及び石英ガラスるつぼ１Ａの外面との接触位置から、隙間７の高さＨを測定することできる。このようにして測定を行えば、熟練を要することなく、極めて簡便かつ正確に、隙間７の高さと直径を測定することができる。

【実施例】

【0036】

以下、実施例を挙げて本発明について詳細に説明するが、これは本発明を限定するものではない。

【0037】

比較例、実施例として、下記に示すＣＺ用るつぼを準備し、黒鉛るつぼ内で石英ガラスるつぼががたつくことなく自立するかを評価した。次に、実際にＣＺ法による単結晶シリコンインゴットの育成を行い、石英ガラスるつぼの変形、結晶化の乱れの程度（単結晶化率）を評価した。この単結晶化率は、投入原料の重量に対する、製品となった単結晶の重量の比率として計算した結果である。なお、比較例１の単結晶化率を基準の１．０とした。

【0038】

（比較例１）
石英ガラスるつぼとして、口径３２インチ（約８００ｍｍ）の直胴部に続く、曲率半径Ｒ１＝１８０ｍｍの第１の湾曲部及び曲率半径Ｒ２＝８１５ｍｍの第２の湾曲部を有し、底部形状が凸状面のものを用い、中心軸において石英ガラスるつぼの底部と黒鉛るつぼの間に隙間が存在しない（Ｈ＝０、Ｗ＝０）、ＣＺ用るつぼを準備した。

【0039】

（実施例１）
石英ガラスるつぼとして、口径３２インチ（約８００ｍｍ）の直胴部に続く、曲率半径Ｒ１＝１８０ｍｍの第１の湾曲部及び曲率半径Ｒ２＝８１５ｍｍの第２の湾曲部を有し、底部形状が平坦面のものを用い、石英ガラスるつぼの底部と黒鉛るつぼとの間の隙間の大きさがＨ＝１０．０ｍｍ、Ｗ＝２５５ｍｍの、ＣＺ用るつぼを準備した。

【0040】

（実施例２）
石英ガラスるつぼの底部と黒鉛るつぼとの間の隙間の大きさをＨ＝０．５ｍｍ、Ｗ＝６０ｍｍとしたこと以外は、実施例１と同じ条件としたＣＺ用るつぼを準備した。

【0041】

（実施例３）
石英ガラスるつぼとして、口径３２インチ（約８００ｍｍ）の直胴部に続く、曲率半径Ｒ１＝１８０ｍｍの第１の湾曲部及び曲率半径Ｒ２＝８１５ｍｍの第２の湾曲部を有し、底部形状が凹状面のものを用い、石英ガラスるつぼの底部と黒鉛るつぼとの間の隙間の大きさがＨ＝３．０ｍｍ、Ｗ＝７０ｍｍの、ＣＺ用るつぼを準備した。

【0042】

（実施例４）
石英ガラスるつぼの底部と黒鉛るつぼとの間の隙間の大きさをＨ＝３．０ｍｍ、Ｗ＝１４０ｍｍとしたこと以外は、実施例１と同じ条件としたＣＺ用るつぼを準備した。

【0043】

（実施例５）
石英ガラスるつぼの底部と黒鉛るつぼとの間の隙間の大きさをＨ＝３．０ｍｍ、Ｗ＝４４０ｍｍとしたこと以外は、比較例１と同じ条件としたＣＺ用るつぼを準備した。

【0044】

（実施例６）
石英ガラスるつぼの底部と黒鉛るつぼとの間の隙間の大きさをＨ＝１．０ｍｍ、Ｗ＝３０ｍｍとしたこと以外は、実施例３と同じ条件としたＣＺ用るつぼを準備した。

【0045】

（実施例７）
石英ガラスるつぼの底部と黒鉛るつぼとの間の隙間の大きさをＨ＝５．０ｍｍ、Ｗ＝１８０ｍｍとしたこと以外は、実施例１と同じ条件としたＣＺ用るつぼを準備した。

【0046】

表１に示すとおり、実施例のように、黒鉛るつぼの底部の内面と石英ガラスるつぼの底部の外面との間に隙間を有するＣＺ用るつぼであれば、石英ガラスるつぼが黒鉛るつぼの内部に配置されたときに、石英ガラスるつぼが安定して自立できるものとなることがわかる。

【0047】

【表1】

【0048】

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

【符号の説明】

【0049】

１…ＣＺ用るつぼ（本発明例）、 １Ａ…石英ガラスるつぼ、 １Ｂ…黒鉛るつぼ、
２…直胴部、 ３…第１の湾曲部、 ４…第２の湾曲部、 ５…底部、
５Ａ…平坦面、 ５Ｂ…凹状面、 ６…中心軸、 ７…隙間、
１０…単結晶引上げ装置、 １１…シリコンメルト、 １２…引上げ室、
１３…ＣＺ用るつぼ（従来例）、１３Ａ…石英ガラスるつぼ、 １３Ｂ…黒鉛るつぼ、
１４…ヒータ、 １５…るつぼ保持軸、 １６…種結晶、
１７…シードチャック、 １８…ワイヤ、 １９…断熱材、 ２０…単結晶シリコン、
３０…隙間測定冶具、 ３１…断面形状部。
Ｈ…中心軸方向の隙間の高さ、 Ｗ…中心軸直交方向の隙間の直径。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】