特許 7627814 アンテナ及びその準備方法、ミリ波センサー、及び端末

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2025-01-30

(45)【発行日】2025-02-07

(54)【発明の名称】アンテナ及びその準備方法、ミリ波センサー、及び端末

(51)【国際特許分類】

   H01Q 1/38 20060101AFI20250131BHJP

   H01Q 21/06 20060101ALI20250131BHJP

   H01Q 13/08 20060101ALI20250131BHJP

【ＦＩ】

H01Q1/38

H01Q21/06

H01Q13/08

【請求項の数】 21

(21)【出願番号】P 2023519650

(86)(22)【出願日】2021-08-26

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2023-10-17

(86)【国際出願番号】 CN2021114809

(87)【国際公開番号】W WO2022068482

(87)【国際公開日】2022-04-07

【審査請求日】2023-05-30

(31)【優先権主張番号】202011066537.X

(32)【優先日】2020-09-30

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(73)【特許権者】

【識別番号】524397185

【氏名又は名称】深▲ジェン▼引望智能技術有限公司

(74)【代理人】

【識別番号】110004381

【氏名又は名称】弁理士法人ＩＴＯＨ

(72)【発明者】

【氏名】ユイ，ティーンティーン

(72)【発明者】

【氏名】リー，ハオウエイ

(72)【発明者】

【氏名】ガオ，シアーン

(72)【発明者】

【氏名】リウ，イーティーン

(72)【発明者】

【氏名】イエン，チェン

【審査官】麻生 哲朗

(56)【参考文献】

【文献】韓国登録特許第１０－２００７８７６（ＫＲ，Ｂ１）

【文献】中国特許出願公開第１１０３９１４９６（ＣＮ，Ａ）

【文献】英国特許出願公開第０２０６４８７７（ＧＢ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｑ １／３８

Ｈ０１Ｑ ２１／０６

Ｈ０１Ｑ １３／０８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

誘電体プレートの１つの表面に配置されているマイクロストリップフィーダを含むアンテナであって、
アンテナは、前記マイクロストリップフィーダの第１の側に位置する放射素子の第１グループ、又は前記マイクロストリップフィーダの第２の側に位置する放射素子の第２グループのうちの少なくとも１つをさらに備え、
放射素子の前記第１グループは少なくとも１つの第１結合スタブを含み、放射素子の前記第２グループは少なくとも１つの第２結合スタブを含み、
少なくとも１つの前記第１結合スタブ及び／又は少なくとも１つの前記第２結合スタブと、前記マイクロストリップフィーダとの間に、ギャップが存在し、
放射素子の前記第１グループと放射素子の前記第２グループとは、隣接する第１結合スタブと第２結合スタブとの２つのグループを含み、前記２つのグループの中で隣接する第１結合スタブと第２結合スタブとの間の距離は異なり、前記第１結合スタブの長さは互いに等しく、前記第２結合スタブの長さは互いに等しい、
アンテナ。

【請求項2】

少なくとも１つの前記第１結合スタブの数量は３以上であり、及び／又は少なくとも１つの前記第２結合スタブの数量は３以上であり、
少なくとも１つの前記第１結合スタブと前記マイクロストリップフィーダとの間のギャップの幅は、前記マイクロストリップフィーダの第１端から第２端まで、最初に減少し、次いで増加する規則を満たし、及び／又は、
少なくとも１つの前記第２結合スタブと前記マイクロストリップフィーダとの間のギャップの幅は、前記マイクロストリップフィーダの第１端から第２端まで、最初に減少し、次いで増加する規則を満たす、請求項１記載のアンテナ。

【請求項3】

少なくとも１つの前記第１結合スタブの数量と少なくとも１つの前記第２結合スタブの数量との合計は、３以上であり、
少なくとも１つの前記第１結合スタブと前記マイクロストリップフィーダとの間のギャップの幅と、少なくとも１つの前記第２結合スタブと前記マイクロストリップフィーダとの間のギャップの幅とは、前記マイクロストリップフィーダの第１端から第２端まで、最初に減少し、次いで増加する規則を満たす、請求項１又は２記載のアンテナ。

【請求項4】

少なくとも１つの前記第１結合スタブと少なくとも１つの前記第２結合スタブとが、前記マイクロストリップフィーダの２つの側に交互に分布している、請求項１ないし３のいずれか１項に記載のアンテナ。

【請求項5】

少なくとも１つの前記第１結合スタブの数量は３以上であり、及び／又は少なくとも１つの前記第２結合スタブの数量は３以上であり、
少なくとも１つの前記第１結合スタブの幅は、前記マイクロストリップフィーダの第１端から第２端まで、最初に増加し、次いで減少する規則を満たし、及び／又は、
少なくとも１つの前記第２結合スタブの幅は、前記マイクロストリップフィーダの前記第１端から前記第２端まで、最初に増加し、次いで減少する規則を満たす、請求項１ないし４のいずれか１項に記載のアンテナ。

【請求項6】

少なくとも１つの前記第１結合スタブの数量と少なくとも１つの前記第２結合スタブの数量との合計は、３以上であり、
少なくとも１つの前記第１結合スタブの幅と、少なくとも１つの前記第２結合スタブの幅とは、前記マイクロストリップフィーダの第１端から第２端まで、最初に増加し、次いで減少する規則を満たす、請求項１ないし４のいずれか１項に記載のアンテナ。

【請求項7】

放射素子の前記第１グループと放射素子の前記第２グループとに含まれる任意の２つのグループの中で、隣接する第１結合スタブと第２結合スタブとの間の距離は異なる、請求項１ないし６のいずれか１項に記載のアンテナ。

【請求項8】

放射素子の前記第１グループと放射素子の前記第２グループとに含まれる任意のグループの中で、互いに隣接する第１結合スタブと第２結合スタブとの間の距離は、ｄ１ミリメートルであり、
ｄ１は、０．４λ_ｇ≦ｄ１≦０．６λ_ｇを満たし、λ_ｇは、前記第１結合スタブ又は前記第２結合スタブを使用して前記誘電体プレートを透過される電磁波の波長である、請求項１ないし７のいずれか１項に記載のアンテナ。

【請求項9】

前記マイクロストリップフィーダと任意の第１結合スタブとの間のギャップの幅は、０．０７６ｍｍ以上であり、０．９ｍｍ以下であり、及び／又は、
前記マイクロストリップフィーダと任意の第２結合スタブとの間のギャップの幅は、０．０７６ｍｍ以上であり、０．９ｍｍ以下である、請求項１ないし８のいずれか１項に記載のアンテナ。

【請求項10】

少なくとも１つのマッチングスタブが、少なくとも１つの前記第１結合スタブのうちの１つ以上の第１結合スタブの少なくとも一方の側に配置され、及び／又は、
少なくとも１つのマッチングスタブが、少なくとも１つの前記第２結合スタブのうちの１つ以上の第２結合スタブの少なくとも一方の側に配置され、
前記マッチングスタブと前記マイクロストリップフィーダとの間、及び前記マッチングスタブと、１つ以上の前記第１結合スタブ及び／又は１つ以上の前記第２結合スタブとの間に、ギャップが存在する、請求項１ないし９のいずれか１項に記載のアンテナ。

【請求項11】

少なくとも１つの前記第１結合スタブのうちの任意の第１結合スタブと、少なくとも１つの前記第２結合スタブのうちの任意の第２結合スタブとの少なくとも一方の側に、少なくとも１つのマッチングスタブが配置され、
前記マッチングスタブと前記マイクロストリップフィーダとの間、及び前記マッチングスタブと任意の第１結合スタブと任意の第２結合スタブとの間に、ギャップが存在する、請求項１ないし１０のいずれか１項に記載のアンテナ。

【請求項12】

マッチングスタブは、任意の第１結合スタブと任意の第２結合スタブとの上側及び下側に配置されている、請求項１ないし１１のいずれか１項に記載のアンテナ。

【請求項13】

少なくとも１つの前記第１結合スタブの長さと、少なくとも１つの前記第２結合スタブの長さとは、０．４λ_ｇ以上であり、０．６λ_ｇ以下であり、又は、
任意の第１結合スタブの長さと、任意の第２結合スタブの長さとは、０．４λ_ｇ以上であり、０．６λ_ｇ以下であり、λ_ｇは、前記第１結合スタブ又は前記第２結合スタブを使用して前記誘電体プレートを透過される電磁波の波長である、請求項１ないし１２のいずれか１項に記載のアンテナ。

【請求項14】

少なくとも１つの前記第１結合スタブの幅と少なくとも１つの前記第２結合スタブの幅とが、０．０７６ｍｍ以上であり、０．９ｍｍ以下であり、又は、
任意の第１結合スタブの幅と任意の第２結合スタブの幅とが、０．０７６ｍｍ以上であり、０．９ｍｍ以下である、請求項１ないし１３のいずれか１項に記載のアンテナ。

【請求項15】

少なくとも１つの前記第１結合スタブ又は少なくとも１つの前記第２結合スタブ又はその両方が、矩形又は台形のパッチであり、又は、
任意の第１結合スタブ又は任意の第２結合スタブ又はその両方が、矩形又は台形のパッチである、請求項１ないし１４のいずれか１項に記載のアンテナ。

【請求項16】

前記第１結合スタブの数量は５であり、及び／又は前記第２結合スタブの数量は５である、請求項１ないし１５のいずれか１項に記載のアンテナ。

【請求項17】

回路基板と、
前記回路基板の第１表面に配置されている金属接地層と、
前記回路基板の第２表面に配置されている少なくとも１つのアンテナアレイとを少なくとも備え、
少なくとも１つの前記アンテナアレイのうちの１つ以上のアンテナアレイは、請求項１ないし１６のいずれか１項に記載の少なくとも１つのアンテナを含む、ミリ波センサー。

【請求項18】

少なくとも１つの前記アンテナアレイは、少なくとも１つの送信アンテナアレイと少なくとも１つの受信アンテナアレイとを含み、
任意の送信アンテナアレイと任意の受信アンテナアレイとは、少なくとも１つのアンテナを含み、前記アンテナのマイクロストリップフィーダは、前記回路基板のフィードに電気的に接続されている、請求項１７記載のミリ波センサー。

【請求項19】

前記回路基板の厚みは、５ミル（０．１２７ｍｍ）である、請求項１７又は１８記載のミリ波センサー。

【請求項20】

前記回路基板の誘電定数は、２以上であり、４以下である、請求項１７ないし１９のいずれか１項に記載のミリ波センサー。

【請求項21】

本体と、
前記本体に配置されている少なくとも１つのセンサーとを少なくとも備えている端末であって、
少なくとも１つの前記センサーは、請求項１７ないし２０のいずれか１項に記載の少なくとも１つのミリ波センサーを含む、端末。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本出願は、「ＡＮＴＥＮＮＡ ＡＮＤ ＰＲＥＰＡＲＡＴＩＯＮ ＭＥＴＨＯＤ ＴＨＥＲＥＯＦ， ＭＩＬＬＩＭＥＴＥＲ－ＷＡＶＥ ＳＥＮＳＯＲ， ＡＮＤ ＴＥＲＭＩＮＡＬ」と題し、２０２０年９月３０日に中国国家知的所有権庁に出願された中国特許出願第２０２０１１０６６５３７．Ｘ号の優先権を主張し、これは全体が参照により本明細書に組み込まれる。

【0002】

本出願は、アンテナ技術の分野、特に、アンテナ及びその準備方法、ミリ波センサー、及び端末に関する。

【背景技術】

【0003】

レーダー（Ｒａｄａｒ）は、電磁波を使用して目標を探知する電子デバイスである。レーダーは、電磁波を放射して目標を照射し、目標のエコーを受信する。これにより、レーダーは、目標から電磁波放射点までの距離、距離変化率（放射速度）、方位角、高さなどの情報を取得する。レーダーは、レーダー周波数帯に基づいて、水平線上レーダー、マイクロ波レーダー、ミリ波レーダー、レーザーレーダーに分類されることが可能である。ミリ波レーダーは、ミリ波（ｍｉｌｌｉｍｅｔｅｒ ｗａｖｅ）帯で動作して探知するレーダーである。ミリ波帯とは、３０ＧＨｚないし３００ＧＨｚ（波長は１ｍｍないし１０ｍｍ）の周波数領域の帯域を指す。ミリ波の波長は、マイクロ波とセンチメートル波の間にある。ミリ波レーダーの送信波長は、ミリメートルの範囲内であるため、ミリ波信号に必要なアンテナのサイズは、非常に小さい。

【0004】

現在、このアンテナは、主に電磁波を送受信するためにミリ波レーダーで使用されている。このアンテナは、回路基板上に配置されている。複数列のアンテナは、アンテナアレイを形成する。しかし、既存のアンテナは、帯域幅が小さく、長距離シナリオと中距離シナリオとでのミリ波レーダーの使用要件を十分に満たすことができない。そのため、アンテナの帯域幅をどのように増加させるかが、ミリ波レーダーで解決されるべき緊急の課題である。

【発明の概要】

【0005】

ギャップ結合による二重共振を実現し、アンテナの帯域幅を拡大するため、また、既存のアンテナの帯域幅では、長距離シナリオと中距離シナリオとでのミリ波レーダーの使用要件を十分に満たすことができないという問題を解決するために、アンテナ及びその準備方法、ミリ波センサー、及び端末を、本出願は提供する。

【0006】

本出願の実施形態の第１の態様は、ミリ波センサーを提供する。これは、誘電体プレートの１つの表面に配置されているマイクロストリップフィーダを含み；アンテナは、マイクロストリップフィーダの第１の側に位置する放射素子の第１グループ、又はマイクロストリップフィーダの第２の側に位置する放射素子の第２グループのうちの少なくとも１つをさらに備え；放射素子の第１グループは少なくとも１つの第１結合スタブを含み、放射素子の第２グループは少なくとも１つの第２結合スタブを含む。

【0007】

少なくとも１つの第１結合スタブ及び／又は少なくとも１つの第２結合スタブと、マイクロストリップフィーダとの間に、ギャップが存在する。

【0008】

少なくとも１つの第１結合スタブ及び／又は少なくとも１つの第２結合スタブとマイクロストリップフィーダとの間に、ギャップが存在する。このようにして、少なくとも１つの第１結合スタブ及び／又は少なくとも１つの第２結合スタブとマイクロストリップフィーダとの間に共振構造（即ちＬＣ）が形成され、アンテナは別の共振を発生させる。このようにして、アンテナは、２つの共振点を発生させ、一層大きな帯域幅を実現し、ミリ波レーダーの距離分解能を増加させることができ、短距離シナリオ、中距離シナリオ、及び長距離シナリオでのレーダーの使用要件を満たすことができる。従って、本出願のこの実施形態で提供されるアンテナは、一層大きな帯域幅をカバーし、既存のアンテナの帯域幅では、長距離シナリオと中距離シナリオとでミリ波レーダーの使用要件を満たすことができないという問題を解決する。

【0009】

可能な実施では、少なくとも１つの第１結合スタブの数量は３以上であり、及び／又は少なくとも１つの第２結合スタブの数量は３以上である。

【0010】

少なくとも１つの第１結合スタブとマイクロストリップフィーダとの間のギャップの幅は、マイクロストリップフィーダの第１端から第２端まで、最初に減少し、次いで増加する規則を満たし、及び／又は、
少なくとも１つの第２結合スタブとマイクロストリップフィーダとの間のギャップの幅は、マイクロストリップフィーダの第１端から第２端まで、最初に減少し、次いで増加する規則を満たす。

【0011】

少なくとも１つの第１結合スタブ及び／又は少なくとも１つの第２結合スタブとマイクロストリップフィーダとの間のギャップの幅は、マイクロストリップフィーダの第１端から第２端まで、最初に減少し、次いで増加する。これは、低サイドローブ効果を実現し、ミリ波センサーのサイドローブレベルの誤警報確率を減らし、レーダーの誤警報問題を可能な限り回避する。そのため、本出願のこの実施形態で提供されるアンテナは、帯域幅を増加させて、低サイドローブ効果を実現し、既存のアンテナでの帯域幅と低サイドローブとを同時に満たすことができないという問題を解決する。

【0012】

可能な実施では、少なくとも１つの第１結合スタブの数量と少なくとも１つの第２結合スタブの数量との合計は、３以上である。

【0013】

少なくとも１つの第１結合スタブとマイクロストリップフィーダとの間のギャップの幅と、少なくとも１つの第２結合スタブとマイクロストリップフィーダとの間のギャップの幅とは、マイクロストリップフィーダの第１端から第２端まで、最初に減少し、次いで増加する規則を満たす。少なくとも１つの第１結合スタブ及び／又は少なくとも１つの第２結合スタブとマイクロストリップフィーダとの間のギャップの幅は、マイクロストリップフィーダの第１端から第２端まで、最初に減少し、次いで増加する。これは、低サイドローブ効果を実現し、ミリ波センサーのサイドローブレベルの誤警報確率を減らし、レーダーの誤警報問題を可能な限り回避する。

【0014】

可能な実施では、少なくとも１つの第１結合スタブと少なくとも１つの第２結合スタブとが、マイクロストリップフィーダの２つの側に交互に分布している。

【0015】

可能な実施では、少なくとも１つの第１結合スタブの数量は３以上であり、及び／又は少なくとも１つの第２結合スタブの数量は３以上である。

【0016】

可能な実施では、少なくとも１つの第１結合スタブの幅は、マイクロストリップフィーダの第１端から第２端まで、最初に増加し、次いで減少する規則を満たし、及び／又は、
少なくとも１つの第２結合スタブの幅は、マイクロストリップフィーダの第１端から第２端まで、最初に増加し、次いで減少する規則を満たす。

【0017】

少なくとも１つの第１結合スタブ及び／又は少なくとも１つの第２結合スタブの幅は、マイクロストリップフィーダの第１端から第２端まで、最初に増加し、次いで減少するこれは、低サイドローブ効果を実現し、ミリ波センサーのマイナーローブレベルの誤警報確率を低減し、レーダーの誤警報問題を可能な限り回避する。

【0018】

可能な実施では、少なくとも１つの第１結合スタブの数量と少なくとも１つの第２結合スタブの数量との合計は、３以上である。

【0019】

可能な実施では、少なくとも１つの第１結合スタブの幅と、少なくとも１つの第２結合スタブの幅とは、マイクロストリップフィーダの第１端から第２端まで、最初に増加し、次いで減少する規則を満たす。

【0020】

可能な実施では、放射素子の第１グループと放射素子の第２グループとは、隣接する第１結合スタブと第２結合スタブとの２つのグループを含み、２つのグループの中で隣接する第１結合スタブと第２結合スタブとの間の垂直距離は異なる。これにより、低サイドローブを実現することができる。

【0021】

可能な実施では、放射素子の第１グループと放射素子の第２グループとに含まれる任意の２つのグループの中で、隣接する第１結合スタブと第２結合スタブとの間の垂直距離は異なる。これにより、低サイドローブを実現することができる。

【0022】

可能な実施では、放射素子の第１グループと放射素子の第２グループとに含まれる任意のグループの中で、互いに隣接する第１結合スタブと第２結合スタブとの間の距離は、ｄ１ミリメートル（ｍｍ）であり；ｄ１は、０．４λ_ｇ≦ｄ１≦０．６λ_ｇを満たし、λ_ｇは、第１結合スタブ又は第２結合スタブを使用して誘電体プレートを透過される電磁波の波長である。これにより、結合スタブは高ゲインを実現するために、共方向の重ね合わせを実現することを確実にする。

【0023】

可能な実施では、マイクロストリップフィーダと任意の第１結合スタブとの間のギャップの幅は、０．０７６ｍｍ以上であり、０．９ｍｍ以下であり、及び／又は、
マイクロストリップフィーダと任意の第２結合スタブとの間のギャップの幅は、０．０７６ｍｍ以上であり、０．９ｍｍ以下である。これにより、各結合スタブとマイクロストリップフィーダとの間に結合フィードを実施して、過度に大きなギャップによる結合効果の低下や、過度に小さなギャップによる共振発生の困難を回避することを確実にすることができる。

【0024】

可能な実施では、少なくとも１つのマッチングスタブが、少なくとも１つの第１結合スタブのうちの１つ以上の第１結合スタブの少なくとも一方の側に配置され、及び／又は、
少なくとも１つのマッチングスタブが、少なくとも１つの第２結合スタブのうちの１つ以上の第２結合スタブの少なくとも一方の側に配置されている。

【0025】

マッチングスタブとマイクロストリップフィーダとの間、及びマッチングスタブと、１つ以上の第１結合スタブ及び／又は１つ以上の第２結合スタブとの間に、ギャップが存在する。

【0026】

アンテナの放射スタブが増加するように、マッチングスタブが配置されている。マッチングスタブと結合スタブとの間に結合が実施されるため、アンテナがカバーする帯域幅は一層大きい。

【0027】

可能な実施では、マッチングスタブは、任意の第１結合スタブと任意の第２結合スタブとの上側及び下側に配置されている。

【0028】

可能な実施では、少なくとも１つの第１結合スタブの長さと、少なくとも１つの第２結合スタブの長さとは、０．４λ_ｇ以上であり、０．６λ_ｇ以下であり、又は、
任意の第１結合スタブの長さと、任意の第２結合スタブの長さとは、０．４λ_ｇ以上であり、０．６λ_ｇ以下であり、λ_ｇは、第１結合スタブ又は第２結合スタブを使用して誘電体プレートを透過される電磁波の波長である。これにより、各結合スタブが必要な動作周波数帯域で動作することが確実にされ、アンテナの動作周波数が要件を満たすことが確実にされる。

【0029】

可能な実施では、少なくとも１つの第１結合スタブの幅と少なくとも１つの第２結合スタブの幅とが、０．０７６ｍｍ以上であり、０．９ｍｍ以下であり、又は、
任意の第１結合スタブの幅と任意の第２結合スタブの幅とが、０．０７６ｍｍ以上であり、０．９ｍｍ以下である。もし結合スタブの幅が０．０７６ｍｍ未満の場合には、通常、結合スタブの製造プロセスを実施することは困難である。従って、本出願のこの実施形態では、結合スタブの幅は、プロセス要件を満たすために０．０７６ｍｍ以上である。結合スタブの幅が０．９ｍｍを超える場合には、マイクロストリップフィーダの両側に第１結合スタブと第２結合スタブとが交互に配置されるため、隣接する第１結合スタブと第２結合スタブとが干渉してアンテナのゲインが増加してしまう。また、ビーム形状が変化するため、要件を満たすことができない。

【0030】

可能な実施では、少なくとも１つの第１結合スタブ、又は少なくとも１つの第２結合スタブ、又はその両方が、矩形又は台形のパッチである。又は、任意の第１結合スタブ、又は任意の第２結合スタブ、又はその両方が、矩形又は台形のパッチである。

【0031】

可能な実施では、第１結合スタブの数量は５であり、及び／又は第２結合スタブの数量は５である。

【0032】

本出願の実施形態の第２の態様は、ミリ波センサーを提供する。これは、回路基板と；回路基板の第１表面に配置されている金属接地層と；回路基板の第２表面に配置されている少なくとも１つのアンテナアレイとを少なくとも備え；少なくとも１つのアンテナアレイのうちの１つ以上のアンテナアレイは、前述の実施のいずれかに係る少なくとも１つのアンテナを含む。

【0033】

本出願のこの実施形態で提供されるミリ波センサーは、上記のアンテナを含み、一層大きな帯域幅を実現し、ミリ波レーダーの距離分解能を増加させ、長い距離分解能で５ＧＨｚの帯域幅を実現するための要件を満たす。これに加えて、低サイドローブ効果を実現し、ミリ波センサーのマイナーローブレベルの誤警報確率を低減し、ミリ波センサーの誤警報問題を可能な限り回避する。

【0034】

可能な実施では、少なくとも１つのアンテナアレイは、少なくとも１つの送信アンテナアレイと少なくとも１つの受信アンテナアレイとを含み；任意の送信アンテナアレイと任意の受信アンテナアレイとは、少なくとも１つのアンテナを含み、アンテナのマイクロストリップフィーダは、回路基板のフィードに電気的に接続されている。

【0035】

可能な実施では、回路基板の厚みは、５ミル（Ｍｉｌ）である。

【0036】

可能な実施では、回路基板の誘電定数は、２以上であり、４以下である。

【0037】

本出願の実施形態の第３の態様は、端末を提供する。これは、本体と；本体に配置されている少なくとも１つのセンサーとを少なくとも備えている端末であって；少なくとも１つのセンサーは、前述の実施のいずれかに係る少なくとも１つのミリ波センサーを含む。さらに任意には、端末は、車両、無人航空機、スマートホームデバイス、スマート製造デバイスなどであってよい。

【0038】

本出願のこの実施形態で提供される端末は、上記のミリ波センサーを含み、一層大きな帯域幅を実現し、ミリ波レーダーの距離分解能を増加させ、長い距離分解能で５ＧＨｚの帯域幅を実現するための要件を満たす。これに加えて、低サイドローブ効果を実現し、ミリ波センサーのマイナーローブレベルの誤警報確率を低減し、ミリ波センサーの誤警報問題を可能な限り回避し、最も正確な目標の検出を確実にする。

【0039】

可能な実施では、ミリ波センサーは、ミリ波レーダーである。

【0040】

本出願の実施形態の第４の態様は、アンテナを準備する方法を提供する。これは、
誘電体プレートの１つの表面に少なくとも１つのマイクロストリップフィーダを形成するステップと、
マイクロストリップフィーダの第１の側に放射素子の第１グループを形成し、及び／又は、マイクロストリップフィーダの第２の側に放射素子の第２グループを形成するステップであり、放射素子の第１グループは、少なくとも１つの第１結合スタブを含み、放射素子の第２グループは、少なくとも１つの第２結合スタブを含む、形成するステップとを備えている。

【0041】

少なくとも１つの第１結合スタブ及び／又は少なくとも１つの第２結合スタブと、マイクロストリップフィーダとの間に、ギャップが形成される。

【0042】

可能な実施では、方法は、
誘電体プレートの他方の表面に金属接地層を形成するステップをさらに備えている。

【0043】

可能な実施では、誘電体プレートは、プリント回路基板（Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ， ＰＣＢ）であってよい。

【0044】

可能な実施では、少なくとも１つの第１結合スタブの数量と少なくとも１つの第２結合スタブの数量との合計は、３以上である。

【0045】

少なくとも１つの第１結合スタブとマイクロストリップフィーダとの間のギャップの幅と、少なくとも１つの第２結合スタブとマイクロストリップフィーダとの間のギャップの幅とは、マイクロストリップフィーダの第１端から第２端まで、最初に減少し、次いで増加する規則を満たす。

【0046】

可能な実施では、少なくとも１つの第１結合スタブと少なくとも１つの第２結合スタブとが、マイクロストリップフィーダの２つの側に交互に分布している。

【0047】

可能な実施では、少なくとも１つの第１結合スタブの数量は３以上であり、及び／又は少なくとも１つの第２結合スタブの数量は３以上である。

【0048】

可能な実施では、少なくとも１つの第１結合スタブの幅は、マイクロストリップフィーダの第１端から第２端まで、最初に増加し、次いで減少する規則を満たし；及び／又は、少なくとも１つの第２結合スタブの幅は、マイクロストリップフィーダの第１端から第２端まで、最初に増加し、次いで減少する規則を満たす。

【0049】

可能な実施では、少なくとも１つの第１結合スタブの数量と少なくとも１つの第２結合スタブの数量との合計は、３以上である。

【0050】

可能な実施では、少なくとも１つの第１結合スタブの幅と、少なくとも１つの第２結合スタブの幅とは、マイクロストリップフィーダの第１端から第２端まで、最初に増加し、次いで減少する規則を満たす。

【0051】

可能な実施では、放射素子の第１グループと放射素子の第２グループとは、隣接する第１結合スタブと第２結合スタブとの２つのグループを含み、２つのグループの中で隣接する第１結合スタブと第２結合スタブとの間の距離は異なる。

【図面の簡単な説明】

【0052】

【図1】アンテナの構造の概略図である。

【図2A】本出願の一実施形態によるアンテナの構造の概略図である。

【図2B】本出願の一実施形態によるアンテナの構造の概略図である。

【図2C】本出願の一実施形態によるアンテナの構造の概略図である。

【図3A】本出願の一実施形態によるアンテナの構造の概略図である。

【図3B】本出願の一実施形態によるアンテナの構造の概略図である。

【図3C】本出願の一実施形態によるアンテナの構造の概略図である。

【図3D】本出願の一実施形態によるアンテナの構造の概略図である。

【図3E】本出願の一実施形態によるアンテナの概略的なシミュレーション図である。

【図4】本出願の一実施形態によるアンテナの構造の概略図である。

【図5】本出願の一実施形態によるアンテナの構造の概略図である。

【図6】本出願の一実施形態によるアンテナの構造の概略図である。

【図7A】本出願の一実施形態によるアンテナの構造の概略図である。

【図7B】本出願の一実施形態によるアンテナの構造の概略図である。

【図8A】本出願の別の一実施形態によるアンテナの構造の概略図である。

【図8B】本出願の別の一実施形態によるアンテナの構造の概略図である。

【図8C】本出願の別の一実施形態によるアンテナの構造の概略図である。

【図8D】本出願の別の一実施形態によるアンテナの構造の概略図である。

【図8E】本出願の別の一実施形態によるアンテナの構造の概略図である。

【図9】本出願の一実施形態によるアンテナの構造の概略図である。

【図10】本出願の一実施形態によるアンテナの構造の概略図である。

【図11】本出願の一実施形態によるアンテナの構造の概略図である。

【図12A】本出願の一実施形態によるアンテナの準備方法の中で、誘電体プレートの１つの表面に形成されたアンテナの構造の概略図である。

【図12B】本出願の一実施形態によるアンテナの準備方法の中で、誘電体プレートの他方の表面に形成された金属接地層の概略図である。

【図13A】本出願の一実施形態によるミリ波センサーの構造の概略図である。

【図13B】図１３ＡのＡ－Ａ方向の断面構造の概略図である。

【図14】本出願の一実施形態による端末の構造の概略図である。

【発明を実施するための形態】

【0053】

参照番号の説明：
１０：マイクロストリップフィーダ；１０ａ：第１端；１０ｂ：第２端；２１：放射素子の第１グループ；
２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ，２１ｅ：第１結合スタブ；２２：放射素子の第２グループ；
２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄ，２２ｅ：第２結合スタブ；２３：マッチングスタブ；１００：ミリ波センサー；
１０１：送信アンテナアレイ；１０２：受信アンテナアレイ；２００：回路基板；２００ａ：誘電体プレート；
２１０：誘電体プレートの第１表面；２２０：誘電体プレートの第２表面；
２０１，２０２，２０３，２０４，２０５，２０６：フィードポイント；３００：金属接地層；４００：端末；４０１：本体。

【0054】

本出願の実施形態で使用される用語は、本出願の特定の実施形態を説明するためにのみ使用されるが、本出願を制限することは意図されない。

【0055】

メインローブ：アンテナの放射パターンの中で、最大放射方向のローブを、メインローブと称し、メインローブのちょうど後ろのローブを、バックローブと称する。

【0056】

マイナーローブ（サイドローブ）：アンテナの放射パターンの中で、メインローブとバックローブとの間のローブを、マイナーローブと称する。

【0057】

マイナーローブレベル:マイナーローブレベルは、最大放射方向のメインローブのパワー密度に対する、最大放射方向のマイナーローブのパワー密度の比の対数値を示す。

【0058】

図１は、レーダーに適用されたアンテナの構造の概略図である。図１に示すように、アンテナは、フィーダ１と、フィーダ１に電気的に接触する複数の放射パッチ２とを含む。複数の放射パッチ２の幅は、フィーダ１の中央からフィーダ１の両端まで減少する。しかし、この構造のアンテナをレーダーに使用した場合に、帯域幅が小さく（１ＧＨｚ）、中距離及び長距離シナリオでのレーダーの使用要件を満たすことができず、長距離分解能で５ＧＨｚの帯域幅を実現するための要件を満たすには十分ではない。

【0059】

前述の問題を解決するために、本出願の実施形態は、アンテナ、ミリ波センサー、及び端末を提供する。マイクロストリップフィーダと複数の結合スタブとの間では、結合フィードを実施する。このように、結合スタブとマイクロストリップフィーダとの間には、ギャップがある。このギャップを利用することで、結合スタブとマイクロストリップフィーダとの間に共振構造（即ち、インダクタ（Ｌ）とコンデンサ（Ｃ）とを含む共振回路であり、簡単にＬＣと呼ぶ）が形成される。その結果、別の共振が結合され、アンテナは、２つの共振点を生成することができ、一層大きな帯域幅が実現できる。そのため、本出願のこの実施形態で提供されるアンテナは、帯域幅を増加させて、短距離シナリオ、中距離シナリオ、及び長距離シナリオでのレーダーの使用要件を満たし、既存のアンテナの帯域幅では、中距離シナリオと長距離シナリオとでのミリ波レーダーの使用要件を満たすことができないという問題を解決する。

【0060】

以下、本出願の実施形態の中で、アンテナ、ミリ波センサー及び端末について、添付図面を参照して詳細に説明する。

【0061】

［実施形態１］
図２Ａに示すように、本出願のこの実施形態で提供されるアンテナは、直列給電アンテナであってよい。直列給電アンテナは、レーダーなどのセンサーに適用されてよい。アンテナは、マイクロストリップフィーダ１０を含んでよい。マイクロストリップフィーダ１０は、誘電体プレート２００ａ（図１２Ａの後述の説明の中の）の１つの表面に配置されてよい。具体的には、誘電体プレート２００ａは、プリント回路基板（ＰＣＢ）であってよい。アンテナはさらに、マイクロストリップフィーダ１０の第１の側に位置する放射素子２１の第１グループ、又はマイクロストリップフィーダ１０の第２の側に位置する放射素子２２の第２グループの少なくとも１つを含む。例えば、図２Ａに示すように、アンテナは、マイクロストリップフィーダ１０の第１の側（例えば図２Ａでの右側）に位置する放射素子２１の第１グループと、マイクロストリップフィーダ１０の第２の側（例えば図２Ａでの左側）に位置する放射素子２２の第２グループとを含んでよい。これに代えて、図２Ｂに示すように、アンテナは、マイクロストリップフィーダ１０の第１の側（例えば図２Ｂでの右側）に位置する放射素子２１の第１グループを含んでよい。これに代えて、図２Ｃに示すように、アンテナはさらに、マイクロストリップフィーダ１０の第２の側（例えば図２Ｃでの左側）に位置する放射素子２２の第２グループを含む。

【0062】

当然、いくつかの例では、放射素子２１の第１グループは、マイクロストリップフィーダ１０の左側に位置してよい。放射素子２２の第２グループは、マイクロストリップフィーダ１０の右側に位置する。マイクロストリップフィーダ１０の一端は、フィード（即ち、信号源）に電気的に接続されている。フィードは、マイクロストリップフィーダ１０を介して２つのグループの放射素子に電流を供給する。電流は、例えば高周波電流であってよい。高周波電流とは、具体的には周波数が５０Ｈｚ以上の交流による電流であり、放射素子から電磁波の方式で放射されることに留意するものとする。

【0063】

放射素子２１の第１グループは、少なくとも１つの第１結合スタブを含む。放射素子２２の第２グループは、少なくとも１つの第２結合スタブを含む。一例では、図２Ａに示すように、放射素子２１の第１グループは、５つの第１結合スタブを含む。５つの第１結合スタブは、それぞれ、第１結合スタブ２１ａ、第１結合スタブ２１ｂ、第１結合スタブ２１ｃ、第１結合スタブ２１ｄ、及び第１結合スタブ２１ｅである。放射素子２２の第２グループは、５つの第２結合スタブを含んでよい。５つの第２結合スタブは、それぞれ第２結合スタブ２２ａ、第２結合スタブ２２ｂ、第２結合スタブ２２ｃ、第２結合スタブ２２ｄ、及び第２結合スタブ２２ｅである。当然、いくつかの例では、放射素子２１の第１グループと放射素子２２の第２グループとは、５つの結合スタブを含むが、それに限定されない。これに代えて、放射素子の第１グループ又は放射素子の第２グループは、１つ以上の結合スタブを含んでよい。

【0064】

さらに任意には、図２Ａに示すように、マイクロストリップフィーダ１０の両側に第１結合スタブと第２結合スタブとを分布させると、マイクロストリップフィーダ１０の両側で、少なくとも１つの第１結合スタブと少なくとも１つの第２結合スタブは、交互に分布される。例えば、図２Ａに示すように、第２結合スタブ２２ａ，第１結合スタブ２１ａ，第２結合スタブ２２ｂ，第１結合スタブ２１ｂ，第２結合スタブ２２ｃ，第１結合スタブ２１ｃ，第２結合スタブ２２ｄ，第１結合スタブ２１ｄ，第２結合スタブ２２ｅ，及び第１結合スタブ２１ｅが、マイクロストリップフィーダ１０の第１端から第２端へ順次配置されてよい。

【0065】

本出願の設計では、少なくとも１つの第１結合スタブ及び／又は少なくとも１つの第２結合スタブと、マイクロストリップフィーダ１０との間に、ギャップが存在する。このようにして、複数の第１結合スタブと複数の第２結合スタブとの両方と、マイクロストリップフィーダ１０との間に、結合フィードが実施される。つまり、少なくとも１つの第１結合スタブと少なくとも１つの第２結合スタブとは、マイクロストリップフィーダ１０と直接接触しない。マイクロストリップフィーダ１０は、少なくとも１つの第１結合スタブと少なくとも１つの第２結合スタブとに、結合フィード方式で電流を供給する。

【0066】

例えば、図２Ａに示すように、第１結合スタブ２１ａとマイクロストリップフィーダ１０との間に、ギャップａ１が存在し、第１結合スタブ２１ｂとマイクロストリップフィーダ１０との間に、ギャップｂ１が存在し、第１結合スタブ２１ｃとマイクロストリップフィーダ１０との間に、ギャップｃ１が存在し、第１結合スタブ２１ｄとマイクロストリップフィーダ１０との間に、ギャップｄ１が存在し、第１結合スタブ２１ｅとマイクロストリップフィーダ１０との間に、ギャップｅ１が存在する。第２結合スタブ２２ａとマイクロストリップフィーダ１０との間に、ギャップａ２が存在し、第２結合スタブ２２ｂとマイクロストリップフィーダ１０との間に、ギャップｂ２が存在し、第２結合スタブ２２ｃとマイクロストリップフィーダ１０との間に、ギャップｃ２が存在し、第２結合スタブ２２ｄとマイクロストリップフィーダ１０との間に、ギャップｄ２が存在し、第２結合スタブ２２ｅとマイクロストリップフィーダ１０との間に、ギャップｅ２が存在する。

【0067】

代替的には、図２Ｂに示すように、第１結合スタブ２１ａとマイクロストリップフィーダ１０との間に、ギャップａ１が存在し、第１結合スタブ２１ｂとマイクロストリップフィーダ１０との間に、ギャップｂ１が存在し、第１結合スタブ２１ｃとマイクロストリップフィーダ１０との間に、ギャップｃ１が存在し、第１結合スタブ２１ｄとマイクロストリップフィーダ１０との間に、ギャップｄ１が存在し、第１結合スタブ２１ｅとマイクロストリップフィーダ１０との間に、ギャップｅ１が存在する。

【0068】

代替的には、図２Ｃに示すように、第２結合スタブ２２ａとマイクロストリップフィーダ１０との間に、ギャップａ２が存在し、第２結合スタブ２２ｂとマイクロストリップフィーダ１０との間に、ギャップｂ２が存在し、第２結合スタブ２２ｃとマイクロストリップフィーダ１０との間に、ギャップｃ２が存在し、第２結合スタブ２２ｄとマイクロストリップフィーダ１０との間に、ギャップｄ２が存在し、第２結合スタブ２２ｅとマイクロストリップフィーダ１０との間に、ギャップｅ２が存在する。

【0069】

結合スタブは、具体的には、結合された方式（即ち、非接触方式）でマイクロストリップフィーダ１０に電力を供給するタイプの放射器であることに留意するものとする。例えば、結合スタブは、金属パッチや金属層などのアンテナ放射器であってよい。

【0070】

本出願のこの実施形態では、結合スタブとマイクロストリップフィーダ１０との間にギャップがある。ギャップを使用することで、結合スタブとマイクロストリップフィーダ１０との間に共振構造（即ち、インダクタ（Ｌ）とコンデンサ（Ｃ）とを含む共振回路であり、簡単にＬＣと呼ぶ）が形成され、別の共振が結合され、アンテナは一層大きな帯域幅を実現するために、２つの共振点（図３Ｄの以下の説明で）を生成することができる。そのため、本出願のこの実施形態で提供されるアンテナは、帯域幅を増加させ、短距離シナリオ、中距離シナリオ、及び長距離シナリオでのレーダーの使用要件を満たし、既存のアンテナの帯域幅では、中距離シナリオと長距離シナリオとでのミリ波レーダーの使用要件を満たすことができないという問題を解決する。

【0071】

可能なシナリオ及び環境では、本出願のこの実施形態で提供されるアンテナはテスト済みである。図３Ｄに示すように、帯域幅は５ＧＨｚに拡張することができる。結合スタブとマイクロストリップフィーダ１０との間にギャップが形成され、帯域幅を増加させることができる。

【0072】

レーダー誤警報を減らすための低サイドローブをさらに実現するために、本出願のこの実施形態では、結合スタブとマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップの幅は、マイクロストリップフィーダ１０の第１端から第２端まで、最初に減少し、次いで増加する規則を満たす。又は、結合スタブの幅は、マイクロストリップフィーダ１０の第１端から第２端まで、最初に増加し、次いで減少する規則を満たす。これは、低サイドローブ効果を実現し、ミリ波センサーのサイドローブレベルの誤警報確率を減らし、レーダーの誤警報問題を可能な限り回避する。そのため、本出願のこの実施形態で提供されるアンテナは、帯域幅を増加させ、低サイドローブ効果を実現し、ミリ波センサーの誤警報問題を解決する。ここで、最初に減少し、次いで増加する規則は、連続的な減少と連続的な増加とに限定されないことに留意するものとする。マイクロストリップフィーダと、第１端から第２端までの延長方向に互いに隣接する結合スタブとの間のギャップの幅は、幅が全体として最初に減少し、次いで増加する傾向がある場合には、同じであってよい。同様に、最初に増加し、次いで減少する規則は、特定の傾向が満たされる場合には、連続増加と連続減少とに限定されない。後述する、最初に減少し、次いで増加する規則や、最初に増加し、次いで減少する規則については、本段落の記述を参照するものとする。

【0073】

以下では、低サイドローブ効果を実現するための各実施を、具体的に詳細に説明する。

【0074】

実施では、結合スタブとマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップの幅が、変更される。これは、低サイドローブ効果を実現する。具体的には、第１結合スタブの数量は、３以上である。例えば、図２Ｂに示すように、放射要素２１の第１グループは、５つの第１結合スタブを含んでよい。５つの第１結合スタブは、それぞれ、第１結合スタブ２１ａ，第１結合スタブ２１ｂ，第１結合スタブ２１ｃ，第１結合スタブ２１ｄ，及び第１結合スタブ２１ｅである。第１結合スタブ２１ａとマイクロストリップフィーダ１０との間に、ギャップａ１が存在し、第１結合スタブ２１ｂとマイクロストリップフィーダ１０との間に、ギャップｂ１が存在し、第１結合スタブ２１ｃとマイクロストリップフィーダ１０との間に、ギャップｃ１が存在し、第１結合スタブ２１ｄとマイクロストリップフィーダ１０との間に、ギャップｄ１が存在し、第１結合スタブ２１ｅとマイクロストリップフィーダ１０との間に、ギャップｅ１が存在する。

【0075】

低サイドローブ効果を実現するために、第１結合スタブとマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップは、マイクロストリップフィーダ１０の第１端から第２端まで、最初に減少し、次いで増加する。例えば、図３Ａに示すように、第１結合スタブ２１ｅとマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップｅ１の幅は、ｈ１であり、第１結合スタブ２１ｄとマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップｄ１の幅は、ｈ２であり、第１結合スタブ２１ｃとマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップｃ１の幅は、ｈ３であり、第１結合スタブ２１ｂとマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップｂ１の幅は、ｈ４であり、第１結合スタブ２１ａとマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップａ１の幅は、ｈ５であり、ｈ１＞ｈ２＞ｈ３＜ｈ４＜ｈ５である。言い換えれば、放射素子２１の第１グループの中では、中間の第１結合スタブ２１ｃとマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップｃ１の幅が、最も小さい。両端の、第１結合スタブ２１ａとマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップａ１の幅と、第１結合スタブ２１ｅとマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップｅ１の幅とが、最も大きい。このように、放射素子２１の第１グループの中では、中間のギャップが小さく両端のギャップが大きい重み付け設計が、第１結合スタブとマイクロストリップフィーダ１０との間に形成されている。

【0076】

第１結合スタブとマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップの幅は、マイクロストリップフィーダ１０の第１端１０ａから第２端１０ｂまで、最初に減少し、次いで増加する規則を満たす。これは、低サイドローブ効果を実現し、ミリ波センサーのマイナーローブレベルの誤警報確率を低減し、レーダーの誤警報問題を可能な限り回避する。

【0077】

又は、第２結合スタブの数量は、３以上である。例えば、図２Ｃに示すように、放射素子２２の第２グループは、５つの第２結合スタブを含んでよい。５つの第２結合スタブは、それぞれ、第２結合スタブ２２ａ，第２結合スタブ２２ｂ，第２結合スタブ２２ｃ，第２結合スタブ２２ｄ，及び第２結合スタブ２２ｅである。

【0078】

図２Ｃに示すように、放射素子２２の第２グループの中では、第２結合スタブ２２ｅとマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップｅ２の幅は、ｆ１であり、第２結合スタブ２２ｄとマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップｄ２の幅は、ｆ２であり、第２結合スタブ２２ｃとマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップｃ２の幅は、ｆ３であり、第２結合スタブ２２ｂとマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップｂ２の幅は、ｆ４であり、第２結合スタブ２２ａとマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップａ２の幅は、ｆ５であり、ｆ１＞ｆ２＞ｆ３＜ｆ４＜ｆ５である。言い換えれば、放射素子２２の第２グループの中では、中間の第２結合スタブ２２ｃとマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップｃ２の幅が、最も小さい。両端の、第２結合スタブ２２ａとマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップａ２の幅と、第２結合スタブ２２ｅとマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップｅ２の幅とが、最も大きい。このように、放射素子２２の第２グループの中では、中間のギャップが小さく両端のギャップが大きい重み付け設計が、第２結合スタブとマイクロストリップフィーダ１０との間に形成されている。

【0079】

第２結合スタブとマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップの幅は、マイクロストリップフィーダ１０の第１端１０ａから第２端１０ｂまで、最初に減少し、次いで増加する規則を満たす。これは、低サイドローブ効果を実現し、ミリ波センサーのマイナーローブレベルの誤警報確率を低減し、レーダーの誤警報問題を可能な限り回避する。

【0080】

あるいは、第１結合スタブの数量は、３以上であり、さらに、第２結合スタブの数量は、３以上である。例えば、図３Ａに示すように、放射素子２１の第１グループは、５つの第１結合スタブを含んでよい。５つの第１結合スタブは、それぞれ、第１結合スタブ２１ａ，第１結合スタブ２１ｂ，第１結合スタブ２１ｃ，第１結合スタブ２１ｄ，及び第１結合スタブ２１ｅである。放射素子２２の第２グループは、５つの第２結合スタブを含んでよい。５つの第２結合スタブは、それぞれ、第２結合スタブ２２ａ，第２結合スタブ２２ｂ，第２結合スタブ２２ｃ，第２結合スタブ２２ｄ，及び第２結合スタブ２２ｅである。

【0081】

第１結合スタブと第２結合スタブとは、マイクロストリップフィーダ１０に沿って交互に分布される。例えば、図３Ａに示すように、マイクロストリップフィーダ１０の第１端１０ａから第２端１０ｂまで、５つの第１結合スタブと５つの第２結合スタブとが交互に、第２結合スタブ２２ａ，第１結合スタブ２１ａ，第２結合スタブ２２ｂ，第１結合スタブ２１ｂ，第２結合スタブ２２ｃ，第１結合スタブ２１ｃ，第２結合スタブ２２ｄ，第１結合スタブ２１ｄ，第２結合スタブ２２ｅ，及び第１結合スタブ２１ｅの順に、分布される。

【0082】

マイクロストリップフィーダ１０と、第１結合スタブ及び第２結合スタブの両方との間には、ギャップが存在する。例えば、図３Ａに示すように、第１結合スタブ２１ａとマイクロストリップフィーダ１０との間には、ギャップａ１が存在し、第１結合スタブ２１ｂとマイクロストリップフィーダ１０との間には、ギャップｂ１が存在し、第１結合スタブ２１ｃとマイクロストリップフィーダ１０との間には、ギャップｃ１が存在し、第１結合スタブ２１ｄとマイクロストリップフィーダ１０との間には、ギャップｄ１が存在し、第１結合スタブ２１ｅとマイクロストリップフィーダ１０との間には、ギャップｅ１が存在する。第２結合スタブ２２ａとマイクロストリップフィーダ１０との間には、ギャップａ２が存在し、第２結合スタブ２２ｂとマイクロストリップフィーダ１０との間には、ギャップｂ２が存在し、第２結合スタブ２２ｃとマイクロストリップフィーダ１０との間には、ギャップｃ２が存在し、第２結合スタブ２２ｄとマイクロストリップフィーダ１０との間には、ギャップｄ２が存在し、第２結合スタブ２２ｅとマイクロストリップフィーダ１０との間には、ギャップｅ２が存在する。

【0083】

第１結合スタブとマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップは、マイクロストリップフィーダ１０の第１端１０ａから第２端１０ｂまで、最初に減少し、次いで増加する。例えば、図３Ａに示すように、第１結合スタブ２１ｅとマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップｅ１の幅は、ｈ１であり、第１結合スタブ２１ｄとマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップｄ１の幅は、ｈ２であり、第１結合スタブ２１ｃとマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップｃ１の幅は、ｈ３であり、第１結合スタブ２１ｂとマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップｂ１の幅は、ｈ４であり、第１結合スタブ２１ａとマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップａ１の幅は、ｈ５であり、ｈ１＞ｈ２＞ｈ３＜ｈ４＜ｈ５である。言い換えれば、放射素子２１の第１グループの中では、中間の第１結合スタブ２１ｃとマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップｃ１の幅が、最も小さい。両端の、第１結合スタブ２１ａとマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップａ１の幅と、第１結合スタブ２１ｅとマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップｅ１の幅とが、最も大きい。このように、放射素子２１の第１グループの中では、中間のギャップが小さく両端のギャップが大きい重み付け設計が、第１結合スタブとマイクロストリップフィーダ１０との間に形成されている。

【0084】

第２結合スタブとマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップは、マイクロストリップフィーダ１０の第１端１０ａから第２端１０ｂまで、最初に減少し、次いで増加する。図３Ａに示すように、放射素子２２の第２グループの中では、第２結合スタブ２２ｅとマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップｅ２の幅は、ｆ１であり、第２結合スタブ２２ｄとマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップｄ２の幅は、ｆ２であり、第２結合スタブ２２ｃとマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップｃ２の幅は、ｆ３であり、第２結合スタブ２２ｂとマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップｂ２の幅は、ｆ４であり、第２結合スタブ２２ａとマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップａ２の幅は、ｆ５であり、ｆ１＞ｆ２＞ｆ３＜ｆ４＜ｆ５である。言い換えれば、放射素子２２の第２グループの中では、中間の第２結合スタブ２２ｃとマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップｃ２の幅が、最も小さい。両端の、第２結合スタブ２２ａとマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップａ２の幅と、第２結合スタブ２２ｅとマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップｅ２の幅とが、最も大きい。このように、放射素子２２の第２グループの中では、中間のギャップが小さく両端のギャップが大きい重み付け設計が、第２結合スタブとマイクロストリップフィーダ１０との間に形成されている。

【0085】

図３Ａに示すアンテナで、シミュレーションテストを行う。テスト結果を図３Ｄに示す。図３Ｄの曲線は、アンテナのリターンロス曲線である。この曲線から、アンテナが７６ＧＨｚと８１ＧＨｚとの２つの共振点を生成することが分かる。その結果、帯域幅を５ＧＨｚに拡張して、一層大きな帯域幅が実現できる。図３Ｅは、アンテナの放射パターンである。図３Ｅに示すように、低サイドローブは、７６ＧＨｚ，７７ＧＨｚ，７８ＧＨｚ，７９ＧＨｚ，８０ＧＨｚ，及び８１ＧＨｚの動作周波数で実施される。これにより、ミリ波センサーのマイナーローブレベルの誤警報確率が低減される。言い換えれば、誤警報が発生しにくい。

【0086】

従って、第１結合スタブと第２結合スタブとの両方とマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップの幅は、マイクロストリップフィーダ１０の第１端１０ａから第２端１０ｂまで、最初に減少し、次いで増加する規則を満たす。これは、低サイドローブ効果を実現し、ミリ波センサーのマイナーローブレベルの誤警報確率を低減し、レーダーの誤警報問題を可能な限り回避する。

【0087】

いくつかの例では、放射素子２１の第１グループは、５つの第１結合スタブを含むが、これに限定されず、放射素子２２の第２グループは、５つの第２結合スタブを含むが、これに限定されないことに留意するものとする。例えば、放射素子２１の第１グループは代替的に、１０ないし２０の第１結合スタブを含んでよく、放射素子２２の第２グループは代替的に、１０ないし２０の第２結合スタブを含んでよい。

【0088】

放射素子２１の第１グループの中の第１結合スタブの数量は、放射素子２２の第２グループの中の第２結合スタブの数量と同じであってよいことに留意するものとする。当然、いくつかの例では、放射素子２１の第１グループの中の第１結合スタブの数量は代替的に、放射素子２２の第２グループの中の第２結合スタブの数量と異なっていてよい。例えば、放射素子２１の第１グループの中の第１結合スタブの数量は、８であってよく、放射素子２２の第２グループの中の第２結合スタブの数量は、９であってよい。

【0089】

別の実施では、第１結合スタブの数量と第２結合スタブの数量との合計は、３以上である。例えば、図３Ｂに示すように、第２結合スタブの数量は、２であり、第１結合スタブの数量は、１であってよく、又は、図３Ｂに示すように４であってよい。このように、第１結合スタブの数量と第２結合スタブの数量との合計は、６である。低サイドローブ効果を実現するために、マイクロストリップフィーダ１０の両側に第１結合スタブと第２結合スタブとが交互に分布している。さらに、第１結合スタブと第２結合スタブとの両方とマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップの幅は、マイクロストリップフィーダ１０の第１端１０ａから第２端１０ｂまで、最初に減少し、次いで増加する規則を満たす。例えば、図３Ｂに示すように、第２結合スタブ２２ｂとマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップｂ２の幅は、ｆ４であり、第２結合スタブ２２ａとマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップａ２の幅は、ｆ５であり、第１結合スタブ２１ｄとマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップｄ１の幅は、ｈ２であり、第１結合スタブ２１ｃとマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップｃ１の幅は、ｈ３であり、第１結合スタブ２１ｂとマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップｂ１の幅は、ｈ４であり、第１結合スタブ２１ａとマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップａ１の幅は、ｈ５であり、ｈ２＞ｈ３＜ｈ４＜ｆ４＜ｈ５＜ｆ５である。

【0090】

マイクロストリップフィーダ１０と、マイクロストリップフィーダ１０の両側の第１結合スタブ及び第２結合スタブの両方との間のギャップの幅は、マイクロストリップフィーダ１０の第１端１０ａから第２端１０ｂまで、最初に減少し、次いで増加する規則を満たす。これは、低サイドローブ効果を実現し、ミリ波センサーのマイナーローブレベルの誤警報確率を低減し、レーダーの誤警報問題を可能な限り回避する。

【0091】

上記の２つの実施では、第１結合スタブ及び／又は第２結合スタブとマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップの幅が、マイクロストリップフィーダ１０の第１端１０ａから第２端１０ｂまで、最初に減少し、次いで増加する規則を満たす場合に、具体的には、第１結合スタブ及び／又は第２結合スタブとマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップの幅は、マイクロストリップフィーダ１０の第１端１０ａから第２端１０ｂまで、全体として、最初に減少し、次いで増加するという変化傾向があることに留意するものとする。例えば、第１結合スタブ及び／又は第２結合スタブとマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップの幅は、マイクロストリップフィーダ１０の第１端１０ａから第２端１０ｂまで、最初に順次減少し、次いで順次増加するという変化傾向があってよい。又は、第１結合スタブ及び／又は第２結合スタブとマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップの幅は、マイクロストリップフィーダ１０の第１端１０ａから第２端１０ｂまで、最初に減少し、次いで同じであり、次いで増加するという変化傾向があってよい。

【0092】

代替的に、減少又は増加のプロセスでギャップの同じ幅が存在してよい。例えば、図３Ｃに示すように、ｈ０＝ｈ１＞ｈ２＞ｈ３＜ｈ４＜ｈ５であり、またｆ１＞ｆ２＞ｆ３＜ｆ４＜ｆ５である。代替的に、他のいくつかの例では、ｈ０＞ｈ１＝ｈ２＞ｈ３＜ｈ４＜ｈ５であり、またｆ１＞ｆ２＞ｆ３＝ｆ４＜ｆ５である。従って、第１結合スタブと第２結合スタブとの両方とマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップの幅は、全体として最初に減少し、次いで増加する変化傾向を有するが、最初に順次減少し、次いで順次増加する変化傾向に限定されない。

【0093】

可能な実施では、マイクロストリップフィーダ１０と任意の第１結合スタブとの間のギャップの幅は、０．０７６ｍｍ以上であり、０．９ｍｍ以下である。例えば、ｈ１は０．８ｍｍ，ｈ２は０．７ｍｍ，ｈ３は０．６ｍｍ，ｈ４は０．５ｍｍ，ｈ５は０．４ｍｍであってよい。ギャップの幅は、マイクロストリップフィーダ１０の第１端１０ａから第２端１０ｂまで、最初に減少し、次いで増加する規則を満たす。あるいは、マイクロストリップフィーダ１０と任意の第２結合スタブとの間のギャップの幅は、０．０７６ｍｍ以上であり、０．９ｍｍ以下である。例えば、ｆ１は０．８５ｍｍ，ｆ２は０．７５ｍｍ，ｆ３は０．６５ｍｍ，ｆ４は０．５５ｍｍ，ｆ５は０．４５ｍｍであってよい。ギャップの幅は、マイクロストリップフィーダ１０の第１端１０ａから第２端１０ｂまで、最初に減少し、次いで増加する規則を満たす。又は、マイクロストリップフィーダ１０と任意の第１結合スタブとの間のギャップの幅と、マイクロストリップフィーダ１０と任意の第２結合スタブとの間のギャップの幅とは、０．０７６ｍｍ以上であり、０．９ｍｍ以下である。マイクロストリップフィーダ１０と第１結合スタブとの間のギャップの幅と、マイクロストリップフィーダ１０と第２結合スタブとの間のギャップの幅とは、０．０７６ｍｍ以上であり、０．９ｍｍ以下である。これにより、各結合スタブとマイクロストリップフィーダ１０との間に結合フィードを実施して、過度に大きなギャップによる結合効果の低下や、過度に小さなギャップによる共振発生の困難を回避することができることを確実にしてよい。ここで、本出願に含まれる値と値の範囲とは近似値であることに留意するものとする。製造プロセスの影響により、特定の範囲内に誤差が存在する場合があり、当業者はその誤差が無視されると考えてよい。

【0094】

放射素子２１の第１グループの結合スタブの間のギャップは、放射素子２２の第２グループの結合スタブの間のギャップと等しくてよいことに留意するものとする。例えば、ギャップｅ１のサイズは、ギャップｅ２のサイズと等しくてよい。つまり、ｆ１＝ｈ１である。ギャップｄ１のサイズは、ギャップｄ２のサイズと等しくてよい。つまり、ｆ２＝ｈ２である。ギャップｃ１のサイズは、ギャップｃ２のサイズと等しくてよい。つまり、ｆ３＝ｈ３である。ギャップｂ１のサイズは、ギャップｂ２のサイズと等しくてよい。つまり、ｆ４＝ｈ４である。ギャップａ１のサイズは、ギャップａ２のサイズと等しくてよい。つまり、ｆ５＝ｈ５である。これに代えて、当然、いくつかの例では、放射要素２１の第１グループの結合スタブの間のギャップは、放射要素２２の第２グループの結合スタブの間のギャップとは異なってよい。例えば、ｆ１≠ｈ１，ｆ２≠ｈ２，ｆ３≠ｈ３，ｆ４≠ｈ４，及びｆ５≠ｈ５である。

【0095】

可能な実施では、放射素子２１の第１グループと放射素子２２の第２グループとは、隣接する第１結合スタブと第２結合スタブとの少なくとも２つのグループを含む。例えば、放射素子２１の第１グループは、第１結合スタブ２１ａを含んでよく、放射素子２２の第２グループは、第２結合スタブ２２ａと第２結合スタブ２２ｂとを含んでよく、第１結合スタブ２１ａは、第２結合スタブ２２ａと第２結合スタブ２２ｂとに別々に隣接する。このように、隣接する第１結合スタブと第２結合スタブとの２つのグループは、それぞれ第１結合スタブ２１ａと第２結合スタブ２２ａとを有する一方のグループと、第１結合スタブ２１ａと第２結合スタブ２２ｂとを有する他方のグループである。また、第１結合スタブ２１ａと第２結合スタブ２２ａとの距離は、ｍ９であり、第１結合スタブ２１ａと第２結合スタブ２２ｂとの間の距離は、ｍ８であり、ｍ８≠ｍ９である。これにより、さらに、低サイドローブを実現することができる。

【0096】

任意の設計では、第１結合スタブと第２結合スタブとの間の距離は、第１結合スタブの中心と第２結合スタブの中心との間の垂直距離であってよい。上記の実施は、隣接する第１結合スタブと第２結合スタブとの２つのグループの中心間の垂直距離が異なることとして、代替的に理解可能である。さらに、特定の製品設計と測定とでは、第１結合スタブと第２結合スタブとの間の距離を決定するために複数の方式があってよいことに留意するものとする。これは、本出願では特に制限されない。その他の部分の結合スタブの間の距離に関する内容については、本段落の説明を参照するものとする。

【0097】

本出願のこの実施形態では、隣接する第１結合スタブと第２結合スタブとは、特に第１結合スタブと１つ又は２つの最も近い第２結合スタブとを示す。又は、マイクロストリップフィーダの延長方向に隣接する第１結合スタブ及び第２結合スタブとして、理解可能である。

【0098】

本出願のこの実施形態では、放射素子２１の第１グループと放射素子２２の第２グループとは、隣接する第１結合スタブと第２結合スタブとの２つのグループを含むが、これらに限定されない。放射素子２１の第１グループと放射素子２２の第２グループとは、隣接する第１結合スタブと第２結合スタブとの少なくとも２つのグループを含んでよい。任意には、放射素子２１の第１グループと放射素子２２の第２グループとが、隣接する第１結合スタブと第２結合スタブとの少なくとも２つのグループを含む場合に、放射素子２１の第１グループと放射素子２２の第２グループとに含まれる、任意の２つのグループの中の隣接する第１結合スタブと第２結合スタブとの間の距離は、異なる。

【0099】

例えば、図４に示すように、第２結合スタブ２２ａと第１結合スタブ２１ａとの間の距離は、ｍ９であり、第２結合スタブ２２ｂと第１結合スタブ２１ａとの間の距離は、ｍ８であり、第２結合スタブ２２ｂと第１結合スタブ２１ｂとの間の距離は、ｍ７であり、第２結合スタブ２２ｃと第１結合スタブ２１ｂとの間の距離は、ｍ６であり、第２結合スタブ２２ｃと第１結合スタブ２１ｃとの間の距離は、ｍ５であり、第１結合スタブ２１ｃと第２結合スタブ２２ｄとの間の距離は、ｍ４であり、第２結合スタブ２２ｄと第１結合スタブ２１ｄとの間の距離は、ｍ３であり、第１結合スタブ２１ｄと第２結合スタブ２２ｅとの間の距離は、ｍ２であり、第２結合スタブ２２ｅと第１結合スタブ２１ｅとの間の距離は、ｍ１であり、ｍ１≠ｍ２≠ｍ３≠ｍ４≠ｍ５≠ｍ６≠ｍ７≠ｍ８≠ｍ９である。

【0100】

放射素子２１の第１グループと放射素子２２の第２グループとに含まれるいずれかのグループの中で、互いに隣接する第１結合スタブと第２結合スタブとの間の距離は、０．４λ_ｇ以上であり、０．６λ_ｇ以下であり、λ_ｇは、第１結合スタブ又は第２結合スタブを使用して誘電体プレート２００ａを透過する電磁波の波長であるか、又は、λ_ｇは、誘電体材料内の波長であると理解可能である。誘電体材料は、マイクロストリップフィーダ１０と結合スタブとを支持するように構成された誘電体プレート２００ａである。任意の設計では、λ_ｇは２．２６ミリメートル（ｍｍ）であってよく、及び／又は任意のグループの中で互いに隣接する第１結合スタブと第２結合スタブとの間の距離は、０．９０４ｍｍ以上、また１．３５６ｍｍ以下であってよい。例えば、ｍ１＝１ｍｍ，ｍ２＝１．０５ｍｍ，ｍ２＝１．１ｍｍ，ｍ４＝１．１５ｍｍ，ｍ５＝１．１８ｍｍ，ｍ６＝１．２ｍｍ，ｍ７＝１．２５ｍｍ，ｍ８＝１．２８ｍｍ，及びｍ９＝１．３ｍｍである。

【0101】

可能な実施では、放射素子２１の第１グループと放射素子２２の第２グループに含まれる任意のグループの中で、互いに隣接する第１結合スタブと第２結合スタブとの間の距離は、１．０ｍｍ以上、また１．３ｍｍ以下であってよい。

【0102】

図４に示すように、放射素子２１の第１グループの中の隣接する２つの第１結合スタブの間の距離は、０．４λ_ｇ以上、また１．２λ_ｇ以下であってよい。任意には、λ_ｇが２．２６ｍｍの場合に、放射素子２１の第１グループの中の隣接する２つの第１結合スタブの間の距離ｍ１１は、０．９０４ｍｍ以上であり、２．７ｍｍ以下である。図４に示すように、放射素子２１の第１グループの中の第１結合スタブ２１ｃと第１結合スタブ２１ｄとの間の距離ｍ１１は、２．０ｍｍであってよく、又は、放射素子２１の第１グループの中の第１結合スタブ２１ｃと第１結合スタブ２１ｄとの間の距離ｍ１１は、２．４ｍｍであってよい。

【0103】

放射素子２２の第２グループの中の隣接する２つの第２結合スタブの間の距離は、０．４λ_ｇ以上、また１．２λ_ｇ以下であってよい。任意には、λ_ｇが２．２６ｍｍの場合に、放射素子２２の第２グループの中の隣接する２つの第２結合スタブの間の距離ｍ１０は、０．９０４ｍｍ以上であり、２．７ｍｍ以下である。例えば、放射素子２２の第２グループの中の第２結合スタブ２２ｂと第２結合スタブ２２ｃとの間の距離ｍ１０は、１．８ｍｍであってよく、又は、放射素子２２の第２グループの中の第２結合スタブ２２ｂと第２結合スタブ２２ｃとの間の距離ｍ１０は、２．３ｍｍであってよい。

【0104】

本出願のこの実施形態では、第１結合スタブと第２結合スタブとは、マイクロストリップフィーダ１０に沿って交互に分布しているため、隣接する２つの第１結合スタブの間の距離、又は隣接する２つの第２結合スタブの間の距離は、互いに隣接する第１結合スタブと第２結合スタブとの間の距離よりも大きくてよいことに留意するものとする。例えば、ｍ１１は、ｍ４よりも大きくてよい。又は、ｍ１０は、ｍ６よりも大きくてよい。

【0105】

可能な実施では、アンテナはさらに、マッチングスタブ２３を含む。少なくとも１つのマッチングスタブは、少なくとも１つの第１結合スタブのうちの１つ以上の第１結合スタブの少なくとも一方の側に配置されている。例えば、図５に示すように、１つのマッチングスタブ２３は、各第１結合スタブの一方の側に配置されている。これに代えて、当然、いくつかの例では、マッチングスタブ２３は、いくつかの第１結合スタブの一方の側又は両側に配置されてよい。又は、少なくとも１つのマッチングスタブは、少なくとも１つの第２結合スタブのうちの１つ以上の第２結合スタブの少なくとも一方の側に配置されている。例えば、図５に示すように、１つのマッチングスタブ２３は、各第２結合スタブの一方の側に配置されている。これに代えて、当然、いくつかの例では、マッチングスタブ２３は、いくつかの第２結合スタブの一方の側又は両側に配置されてよい。又は、少なくとも１つのマッチングスタブ２３は、少なくとも１つの第１結合スタブのうちの１つ以上の第１結合スタブの少なくとも一方の側と、少なくとも１つの第２結合スタブのうちの１つ以上の第２結合スタブの少なくとも一方の側とに配置されてよい。

【0106】

マッチングスタブとマイクロストリップフィーダ１０との間、及び、マッチングスタブと１つ以上の第１結合スタブ及び／又は１つ以上の第２結合スタブとの間には、ギャップが存在する。このように、マッチングスタブ２３と第１結合スタブ及び／又は第２結合スタブとの間に結合が実施されるため、アンテナがカバーする帯域幅は一層大きい。

【0107】

別の実施では、図６に示すように、マッチングスタブ２３は、第１結合スタブと第２結合スタブとの両側に配置されている。第１結合スタブと第２結合スタブとの両方と、両側でのマッチングスタブ２３との間には、ギャップが存在する。マッチングスタブ２３とマイクロストリップフィーダ１０との間には、ギャップが存在する。マッチングスタブ２３は、結合スタブの両側に配置されるため、アンテナの放射性能は向上し、アンテナがカバーする帯域幅は一層大きい。マッチングスタブ２３は、特に、アンテナの帯域幅を増加させるための、マッチング放射器を指すことに留意するものとする。

【0108】

可能な実施では、結合スタブとマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップの幅を変更することに基づいて、結合スタブの幅を変更して、低サイドローブ効果をさらに実現することができる。本出願のこの実施形態では、第１結合スタブの数量は３以上であり、第２結合スタブの数量は３以上である。少なくとも１つの第２結合スタブの幅は、マイクロストリップフィーダ１０の第１端１０ａから第２端１０ｂまで、最初に増加し、次いで減少する規則を満たす。少なくとも１つの第１結合スタブの幅は、マイクロストリップフィーダ１０の第１端１０ａから第２端１０ｂまで、最初に増加し、次いで減少する規則を満たす。図７Ａに示すように、第１結合スタブ２１ａ、第１結合スタブ２１ｂ、第１結合スタブ２１ｃ、第１結合スタブ２１ｄ、及び第１結合スタブ２１ｅの幅は、それぞれｇ５，ｇ４，ｇ３，ｇ２，及びｇ１であり、ｇ５＜ｇ４＜ｇ３＞ｇ２＞ｇ１である。放射素子２１の第１グループでは、中間の第１結合スタブ２１ｃの幅が最も大きく、両端の第１結合スタブ２１ａと第１結合スタブ２１ｅとの幅が最も小さい。

【0109】

第２結合スタブ２２ａ、第２結合スタブ２２ｂ、第２結合スタブ２２ｃ、第２結合スタブ２２ｄ、第２結合スタブ２２ｅの幅は、それぞれｋ５，ｋ４，ｋ３，ｋ２，及びｋ１であり、ｋ５＜ｋ４＜ｋ３＞ｋ２＞ｋ１である。つまり、放射素子２２の第２グループは、中間の第２結合スタブ２２ｃの幅が最も大きく、両端の第２結合スタブ２２ａと第２結合スタブ２２ｅとの幅が最も小さい。

【0110】

本出願の実施形態では、第１結合スタブと第２結合スタブとの幅は、マイクロストリップフィーダ１０の第１端１０ａから第２端１０ｂまで、最初に増加し、次いで減少する規則を満たす。これは、低サイドローブ効果をさらに実現し、ミリ波センサーのマイナーローブレベルの誤警報確率を低減し、レーダーの誤警報問題を可能な限り回避する。

【0111】

あるいは、いくつかの例では、第２結合スタブの数量は３以上である。少なくとも１つの第２結合スタブの幅は、マイクロストリップフィーダ１０の第１端１０ａから第２端１０ｂまで、最初に増加し、次いで減少する規則を満たす。例えば、図７Ｂに示すように、第２結合スタブ２２ａ、第２結合スタブ２２ｂ、第２結合スタブ２２ｃ、第２結合スタブ２２ｄ、第２結合スタブ２２ｅの幅は、それぞれｋ５，ｋ４，ｋ３，ｋ２，及びｋ１であり、ｋ５＜ｋ４＜ｋ３＞ｋ２＞ｋ１である。放射素子２１の第１グループの中の第１結合スタブの幅は、同じであってよい。

【0112】

あるいは、いくつかの例では、第１結合スタブの数量は３以上である。少なくとも１つの第１結合スタブの幅は、マイクロストリップフィーダ１０の第１端１０ａから第２端１０ｂまで、最初に増加し、次いで減少する規則を満たす。図７Ａでは、放射素子２１の第１グループの中の第１結合スタブの幅の変化（例：ｇ５＜ｇ４＜ｇ３＞ｇ２＞ｇ１）を参照することができる。

【0113】

少なくとも１つの第２結合スタブの幅及び／又は少なくとも１つの第１結合スタブの幅は、マイクロストリップフィーダ１０の第１端１０ａから第２端１０ｂまで、最初に増加し、次いで減少する規則を満たすこと、具体的には、少なくとも１つの第２結合スタブの幅及び／又は少なくとも１つの第１結合スタブの幅は、マイクロストリップフィーダ１０の第１端１０ａから第２端１０ｂまで、全体として最初に増加し、次いで減少する規則を満たすことに留意するものとする。少なくとも１つの第２結合スタブの幅、及び／又は少なくとも１つの第１結合スタブの幅は、マイクロストリップフィーダ１０の第１端１０ａから第２端１０ｂまで、最初に順次増加し、次いで順次減少する規則を満たすことを意味するものではない。例えば、少なくとも１つの第２結合スタブの幅、及び／又は少なくとも１つの第１結合スタブの幅が、マイクロストリップフィーダ１０の第１端１０ａから第２端１０ｂまで減少又は増加した場合に、隣接する２つの結合スタブの同じ幅が存在してよい。

【0114】

可能な実施では、少なくとも１つの第１結合スタブと少なくとも１つの第２結合スタブとの幅が、０．０７６ｍｍ以上であり、０．９ｍｍ以下であり、又は、任意の第１結合スタブと任意の第２結合スタブとの幅が、０．０７６ｍｍ以上であり、０．９ｍｍ以下である。例えば、第１結合スタブ２１ａ，第１結合スタブ２１ｂ，第１結合スタブ２１ｃ，第１結合スタブ２１ｄ，及び第１結合スタブ２１ｅの幅は、それぞれｇ５，ｇ４，ｇ３，ｇ２，及びｇ１であり、ｇ５＝０．２，ｇ４＝０．４，ｇ３＝０．６，ｇ２＝０．４，及びｇ１＝０．２である。第２結合スタブ２２ａ，第２結合スタブ２２ｂ，第２結合スタブ２２ｃ，第２結合スタブ２２ｄ，及び第２結合スタブ２２ｅの幅は、それぞれｋ５，ｋ４，ｋ３，ｋ２，及びｋ１であり、ｋ５＝０．１，ｋ４＝０．５，ｋ３＝０．９，ｋ２＝０．５，及びｋ１＝０．１である。

【0115】

可能な実施では、少なくとも１つの第１結合スタブの長さ及び少なくとも１つの第２結合スタブの長さは、０．４λ_ｇ以上であり、０．６λ_ｇ以下であり、又は、任意の第１結合スタブの長さ及び任意の第２結合スタブの長さは、０．４λ_ｇ以上であり、０．６λ_ｇ以下であり、λ_ｇは、第１結合スタブ又は第２結合スタブを使用して誘電体プレート２００ａを透過する電磁波の波長であるか、又は、λ_ｇは、誘電体材料内の波長であると理解可能である。誘電体材料は、マイクロストリップフィーダ１０と結合スタブとを支持するように構成された誘電体プレート２００ａである。任意の設計では、λ_ｇは２．２６ミリメートル（ｍｍ）であってよく、及び／又は、少なくとも１つの第１結合スタブの長さ及び少なくとも１つの第２結合スタブの長さ、又は任意の第１結合スタブの長さ及び任意の第２結合スタブの長さは、０．９０４ｍｍ以上であり、１．３５６ｍｍ以下である。

【0116】

可能な実施では、第１結合スタブの長さと第２結合スタブの長さとは、同じであってよく、又は少なくとも１つの第１結合スタブの長さと少なくとも１つの第２結合スタブの長さは、同じである。第１結合スタブの長さと第２結合スタブの長さとは、１．０ｍｍ以上、また１．２ｍｍ以下であってよい。例えば、図７Ａに示すように、第１結合スタブ２１ａ，第１結合スタブ２１ｂ，第１結合スタブ２１ｃ，第１結合スタブ２１ｄ，及び第１結合スタブ２１ｅの長さは、それぞれＬ５，Ｌ４，Ｌ３，Ｌ２，及びＬ１であり、Ｌ５＝Ｌ４＝Ｌ３＝Ｌ２＝Ｌ１＝１．１ｍｍ，又はＬ５＝Ｌ４＝Ｌ３＝Ｌ２＝Ｌ１＝１．２ｍｍである。

【0117】

第２結合スタブ２２ａ，第２結合スタブ２２ｂ，第２結合スタブ２２ｃ，第２結合スタブ２２ｄ，及び第２結合スタブ２２ｅの長さは、それぞれＬ５，Ｌ４，Ｌ３，Ｌ２，及びＬ１であり、Ｌ５＝Ｌ４＝Ｌ３＝Ｌ２＝Ｌ１＝１．０ｍｍ，又はＬ５＝Ｌ４＝Ｌ３＝Ｌ２＝Ｌ１＝１．１５ｍｍである。

【0118】

当然、いくつかの例では、第１結合スタブの長さと第２結合スタブの長さとが異なってよい。例えば、第１結合スタブの長さは、さらに、マイクロストリップフィーダ１０の第１端１０ａから第２端１０ｂまで、最初に増加し、次いで減少してよい。第２結合スタブの長さは、さらに、マイクロストリップフィーダ１０の第１端１０ａから第２端１０ｂまで、最初に増加し、次いで減少してよい。

【0119】

可能な実施では、少なくとも１つの第１結合スタブ、又は少なくとも１つの第２結合スタブ、又はその両方が、矩形又は台形のパッチである。又は、任意の第１結合スタブ、又は任意の第２結合スタブ、又はその両方が、矩形又は台形のパッチであってよい。

【0120】

当然、いくつかの他の例では、第１結合スタブと第２結合スタブとの形状は、矩形又は台形を含むが、これらに限定されない。例えば、代わりに多角形又は円の形状であってよい。矩形パッチは、具体的には金属パッチ、例えば、銅シート又はアルミニウムシートであってよい。

【0121】

［実施形態２］
本出願のこの実施形態では、第１結合スタブ及び／又は第２結合スタブの幅を変更して、低サイドローブを実現する。例えば、少なくとも１つの第１結合スタブ及び／又は少なくとも１つの第２結合スタブと、マイクロストリップフィーダ１０との間のギャップは、同じである。例えば、図８Ａに示すように、５つの第１結合スタブ（即ち、第１結合スタブ２１ａ，第１結合スタブ２１ｂ，第１結合スタブ２１ｃ，第１結合スタブ２１ｄ，及び第１結合スタブ２１ｅ）とマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップａ１，ｂ１，ｃ１，ｄ１，及びｅ１は、同じであってよい。５つの第２結合スタブ（即ち、第２結合スタブ２２ａ，第２結合スタブ２２ｂ，第２結合スタブ２２ｃ，第２結合スタブ２２ｄ，及び第２結合スタブ２２ｅ）とマイクロストリップフィーダ１０との間のギャップａ２，ｂ２，ｃ２，ｄ２，及びｅ２は、同じであってよい。

【0122】

低サイドローブ効果を実現するために、第１結合スタブの数量は３以上であってよく、第２結合スタブの数量は３以上であってよい。また、少なくとも１つの第１結合スタブの幅は、マイクロストリップフィーダ１０の第１端１０ａから第２端１０ｂまで、最初に増加し、次いで減少する規則を満たす。少なくとも１つの第２結合スタブの幅は、マイクロストリップフィーダ１０の第１端１０ａから第２端１０ｂまで、最初に増加し、次いで減少する規則を満たす。

【0123】

例えば、図８Ａに示すように、第１結合スタブ２１ａ，第１結合スタブ２１ｂ，第１結合スタブ２１ｃ，第１結合スタブ２１ｄ，及び第１結合スタブ２１ｅの幅は、それぞれｇ５，ｇ４，ｇ３，ｇ２，及びｇ１であり、ｇ５＜ｇ４＜ｇ３＞ｇ２＞ｇ１である。放射素子２１の第１グループでは、中間の第１結合スタブ２１ｃの幅が最も大きく、両端の第１結合スタブ２１ａと第１結合スタブ２１ｅとの幅が最も小さい。

【0124】

第２結合スタブ２２ａ，第２結合スタブ２２ｂ，第２結合スタブ２２ｃ，第２結合スタブ２２ｄ，及び第２結合スタブ２２ｅの幅は、それぞれｋ５，ｋ４，ｋ３，ｋ２，及びｋ１であり、ｋ５＜ｋ４＜ｋ３＞ｋ２＞ｋ１である。言い換えれば、放射素子２２の第２グループでは、中間の第２結合スタブ２２ｃの幅が最も大きく、両端の第２結合スタブ２２ａと第２結合スタブ２２ｅとの幅が最も小さい。

【0125】

これに代えて、第１結合スタブの数量は３以上であってよく、少なくとも１つの第１結合スタブの幅は、マイクロストリップフィーダ１０の第１端１０ａから第２端１０ｂまで、最初に増加し、次いで減少する規則を満たす。図８Ｂに示すように、第１結合スタブ２１ａ，第１結合スタブ２１ｂ，第１結合スタブ２１ｃ，第１結合スタブ２１ｄ，及び第１結合スタブ２１ｅの幅は、それぞれｇ５，ｇ４，ｇ３，ｇ２，及びｇ１であり、ｇ５＜ｇ４＜ｇ３＞ｇ２＞ｇ１である。放射素子２１の第１グループでは、中間の第１結合スタブ２１ｃの幅が最も大きく、両端の第１結合スタブ２１ａと第１結合スタブ２１ｅとの幅が最も小さい。

【0126】

これに代えて、第２結合スタブの数量は３以上であってよく、少なくとも１つの第２結合スタブの幅は、マイクロストリップフィーダ１０の第１端１０ａから第２端１０ｂまで、最初に増加し、次いで減少する規則を満たす。図８Ｃに示すように、第２結合スタブ２２ａ，第２結合スタブ２２ｂ，第２結合スタブ２２ｃ，第２結合スタブ２２ｄ，及び第２結合スタブ２２ｅの幅は、それぞれｋ５，ｋ４，ｋ３，ｋ２，及びｋ１であり、ｋ５＜ｋ４＜ｋ３＞ｋ２＞ｋ１である。

【0127】

これに代えて、可能な実施では、少なくとも１つの第１結合スタブの数量と少なくとも１つの第２結合スタブの数量との合計は、３以上である。少なくとも１つの第１結合スタブと少なくとも１つの第２結合スタブとの幅は、マイクロストリップフィーダ１０の第１端１０ａから第２端１０ｂまで、最初に増加し、次いで減少する規則を満たす。例えば、図８Ｄに示すように、第１結合スタブ２１ｂ，第２結合スタブ２２ａ，及び第２結合スタブ２２ｂが、マイクロストリップフィーダ１０の両側に配置されている。第１結合スタブ２１ｂ，第２結合スタブ２２ａ，及び第２結合スタブ２２ｂの幅は、それぞれｇ４，ｋ５，及びｋ４である。３つの結合スタブの幅は、マイクロストリップフィーダ１０の第１端１０ａ（例えば、頂端）から第２端１０ｂ（例えば、底端）まで、最初に増加し、次いで減少する。即ち、ｋ５＜ｋ４＞ｇ４である。

【0128】

本出願のこの実施形態では、第１結合スタブと第２結合スタブとの両方とマイクロストリップフィーダ１０との間に、ギャップが存在する。このようにして、第１結合スタブと第２結合スタブとの両方とマイクロストリップフィーダ１０との間に、共振構造（即ちＬＣ）が形成され、アンテナは別の共振を発生させる。このようにして、アンテナは、２つの共振点を発生させ、一層大きな帯域幅を実現し、ミリ波レーダーの距離分解能を増加させることができる。第１結合スタブと第２結合スタブとの幅は、マイクロストリップフィーダ１０の第１端１０ａから第２端まで、最初に増加し、次いで減少するこれは、低サイドローブ効果を実現し、ミリ波センサーのマイナーローブレベルの誤警報確率を低減し、レーダーの誤警報問題を可能な限り回避する。

【0129】

可能な実施では、少なくとも１つの第２結合スタブの幅、及び／又は少なくとも１つの第１結合スタブの幅が、マイクロストリップフィーダ１０の第１端１０ａから第２端１０ｂまで、最初に増加し、次いで減少する規則を満たす場合に、具体的には、少なくとも１つの第２結合スタブの幅、及び／又は少なくとも１つの第１結合スタブの幅は、マイクロストリップフィーダ１０の第１端１０ａから第２端１０ｂまで、全体として最初に増加し、次いで減少する変化傾向を有する。例えば、図８Ｅに示すように、ｋ５＜ｋ４＜ｋ３＝ｋ０＞ｋ２＞ｋ１、またｇ５＜ｇ４＜ｇ３＞ｇ２＞ｇ１＝ｇ０である。従って、マイクロストリップフィーダ１０の第１端１０ａから第２端１０ｂまで、少なくとも１つの第２結合スタブの幅、及び／又は少なくとも１つの第１結合スタブの幅が、最初に増加し、次いで減少した場合に、隣接する結合スタブの同じ幅が存在してよい。しかし、結合スタブは、マイクロストリップフィーダ１０の第１端１０ａから第２端１０ｂまで、全体として最初に増加し、次いで減少する変化傾向を有する。

【0130】

可能な実施では、放射素子２１の第１グループと放射素子２２の第２グループとは、隣接する第１結合スタブと第２結合スタブとの少なくとも２つのグループを含む。例えば、図９に示すように、放射素子２１の第１グループは、第１結合スタブ２１ａを含み、放射素子２２の第２グループは、第２結合スタブ２２ａと第２結合スタブ２２ｂとを含んでよい。このように、隣接する第１結合スタブと第２結合スタブとの２つのグループは、それぞれ第１結合スタブ２１ａと第２結合スタブ２２ａとを有する一方のグループと、第１結合スタブ２１ａと第２結合スタブ２２ｂとを有する他方の隣接グループである。また、第１結合スタブ２１ａと第２結合スタブ２２ａとの間の距離は、ｎ９であり、第１結合スタブ２１ａと第２結合スタブ２２ｂとの間の距離は、ｎ８であり、ｎ８≠ｎ９である。これにより、さらに低サイドローブを実現することができる。任意には、距離は、２つの結合スタブの中心間の垂直距離であってよい。

【0131】

本出願のこの実施形態では、放射素子２１の第１グループと放射素子２２の第２グループとは、隣接する第１結合スタブと第２結合スタブとの２つのグループを含むが、これらに限定されない。放射素子２１の第１グループと放射素子２２の第２グループとは、隣接する第１結合スタブと第２結合スタブとの少なくとも２つのグループを含んでよい。放射素子２１の第１グループと放射素子２２の第２グループとが、隣接する第１結合スタブと第２結合スタブとの少なくとも２つのグループを含む場合に、放射素子２１の第１グループと放射素子２２の第２グループとに含まれる任意の２つのグループの中で、隣接する第１結合スタブと第２結合スタブとの間の距離は、異なる。

【0132】

例えば、図９に示すように、第２結合スタブ２２ａと第１結合スタブ２１ａとの間の距離は、ｎ９であり、第２結合スタブ２２ｂと第１結合スタブ２１ａとの間の距離は、ｎ８であり、第２結合スタブ２２ｂと第１結合スタブ２１ｂとの間の距離は、ｎ７であり、第２結合スタブ２２ｃと第１結合スタブ２１ｂとの間の距離は、ｎ６であり、第２結合スタブ２２ｃと第１結合スタブ２１ｃとの間の距離は、ｎ５であり、第１結合スタブ２１ｃと第２結合スタブ２２ｄとの間の距離は、ｎ４であり、第２結合スタブ２２ｄと第１結合スタブ２１ｄとの間の距離は、ｎ３であり、第１結合スタブ２１ｄと第２結合スタブ２２ｅとの間の距離は、ｎ２であり、第２結合スタブ２２ｅと第１結合スタブ２１ｅとの間の距離は、ｎ１であり、ｎ１≠ｎ２≠ｎ３≠ｎ４≠ｎ５≠ｎ６≠ｎ７≠ｎ８≠ｎ９である。

【0133】

放射素子２１の第１グループと放射素子２２の第２グループとに含まれる任意のグループの中で、互いに隣接する第１結合スタブと第２結合スタブとの間の距離は、０．４λ_ｇ以上であり、０．６λ_ｇ以下であり、λ_ｇは、第１結合スタブ又は第２結合スタブを使用して誘電体プレート２００ａを透過する電磁波の波長であるか、又は、λ_ｇは、誘電体材料内の波長であると理解可能である。誘電体材料は、マイクロストリップフィーダ１０と結合スタブとを支持するように構成された誘電体プレート２００ａである。任意の設計では、λ_ｇは２．２６ミリメートル（ｍｍ）であってよく、及び／又は任意のグループの中で互いに隣接する第１結合スタブと第２結合スタブとの間の距離は、０．９０４ｍｍ以上、また１．３５６ｍｍ以下であってよい。例えば、ｎ１＝１ｍｍ，ｎ２＝１．０５ｍｍ，ｎ２＝１．１ｍｍ，ｎ４＝１．１５ｍｍ，ｎ５＝１．１８ｍｍ，ｎ６＝１．２ｍｍ，ｎ７＝１．２５ｍｍ，ｎ８＝１．２８ｍｍ，及びｎ９＝１．３ｍｍである。

【0134】

可能な実施では、放射素子２１の第１グループと放射素子２２の第２グループとに含まれる任意のグループの中で、互いに隣接する第１結合スタブと第２結合スタブとの間の距離は、１．０ｍｍ以上、また１．３ｍｍ以下であってよい。

【0135】

可能な実施では、図９に示すように、放射素子２１の第１グループの中の隣接する２つの第１結合スタブ（例えば、第１結合スタブ２１ｅ及び第１結合スタブ２１ｄ）の間の距離ｎ１１は、０．４λ_ｇ以上、また１．２λ_ｇ以下であってよい。任意には、λ_ｇが２．２６ｍｍの場合に、放射素子２１の第１グループの中の隣接する２つの第１結合スタブの間の距離ｎ１１は、０．９０４ｍｍ以上であり、２．７ｍｍ以下である。例えば、放射素子２１の第１グループの中の第１結合スタブ２１ｃと第１結合スタブ２１ｄとの間の距離ｎ１１は、２．５ｍｍであってよく、又は、放射素子２１の第１グループの中の第１結合スタブ２１ｃと第１結合スタブ２１ｄとの間の距離ｎ１１は、２．３ｍｍであってよい。

【0136】

放射素子２２の第２グループの中の隣接する２つの第２結合スタブ（例えば、第２結合スタブ２２ｂ及び第２結合スタブ２２ｃ）の間の距離ｎ１０は、０．４λ_ｇ以上、また１．２λ_ｇ以下であってよい。任意には、λ_ｇが２．２６ｍｍの場合に、放射素子２２の第２グループの中の隣接する２つの第２結合スタブの間の距離は、０．９０４ｍｍ以上であり、２．７ｍｍ以下である。例えば、放射素子２２の第２グループの中の第２結合スタブ２２ｂと第２結合スタブ２２ｃとの間の距離ｎ１０は、２．２６ｍｍであってよく、又は、放射素子２２の第２グループの中の第２結合スタブ２２ｂと第２結合スタブ２２ｃとの間の距離ｎ１０は、２．５２ｍｍであってよい。

【0137】

本出願のこの実施形態では、第１結合スタブと第２結合スタブとは、マイクロストリップフィーダ１０に沿って交互に分布しているため、隣接する２つの第１結合スタブの間の距離、又は隣接する２つの第２結合スタブの間の距離は、互いに隣接する第１結合スタブと第２結合スタブとの間の距離よりも大きくてよい。例えば、ｎ１１は、ｎ２よりも大きくてよい。又は、ｎ１０は、ｎ６よりも大きくてよい。

【0138】

可能な実施では、アンテナはさらに、マッチングスタブ２３を含む。少なくとも１つのマッチングスタブは、少なくとも１つの第１結合スタブのうちの１つ以上の第１結合スタブの少なくとも一方の側に配置されている。例えば、図５に示すように、１つのマッチングスタブ２３は、各第１結合スタブの一方の側に配置されている。これに代えて、当然、いくつかの例では、マッチングスタブ２３は、いくつかの第１結合スタブの一方の側又は両側に配置されてよい。又は、少なくとも１つのマッチングスタブは、少なくとも１つの第２結合スタブのうちの１つ以上の第２結合スタブの少なくとも一方の側に配置されている。例えば、図１０に示すように、１つのマッチングスタブ２３は、各第２結合スタブの一方の側に配置されている。これに代えて、当然、いくつかの例では、マッチングスタブ２３は、いくつかの第２結合スタブの一方の側又は両側に配置されてよい。又は、少なくとも１つのマッチングスタブ２３は、少なくとも１つの第１結合スタブのうちの１つ以上の第１結合スタブの少なくとも一方の側と、少なくとも１つの第２結合スタブのうちの１つ以上の第２結合スタブの少なくとも一方の側とに配置されてよい。

【0139】

マッチングスタブとマイクロストリップフィーダ１０との間、また、マッチングスタブと、１つ以上の第１結合スタブ及び／又は１つ以上の第２結合スタブとの間には、ギャップが存在する。このように、マッチングスタブ２３と、第１結合スタブ及び／又は第２結合スタブとの間に結合が実施されるため、アンテナがカバーする帯域幅は一層大きい。

【0140】

別の実施では、図１１に示すように、マッチングスタブ２３は、第１結合スタブと第２結合スタブとの両側に配置されている。第１結合スタブと第２結合スタブとの両方と、両側でのマッチングスタブ２３との間には、ギャップが存在する。マッチングスタブ２３とマイクロストリップフィーダ１０との間には、ギャップが存在する。マッチングスタブ２３は結合スタブの両側に配置されるため、アンテナの放射性能が向上し、アンテナがカバーする帯域幅は一層大きい。

【0141】

本出願は、前述の実施形態で提供されたアンテナを準備する方法をさらに提供する。この方法は、次のステップを含む。

【0142】

ステップ（ａ）：誘電体プレート２００ａの１つの表面に、少なくとも１つのマイクロストリップフィーダ１０を形成する。例えば、図１２Ａに示すように、誘電体プレート２００ａの第１表面２１０に１つのマイクロストリップフィーダ１０を形成する。マイクロストリップフィーダ１０は、誘電体プレート２００ａの一方の端（例えば、図１２Ａの上端）から他方の端（例えば、図１２Ａの下端）まで延びて配置されてよい。

【0143】

ステップ（ｂ）：マイクロストリップフィーダ１０の第１の側に、放射素子２１の第１グループを形成し、及び／又はマイクロストリップフィーダ１０の第２の側に、放射素子２２の第２グループを形成する。放射素子２１の第１グループは、少なくとも１つの第１結合スタブを含む。放射素子２２の第２グループは、少なくとも１つの第２結合スタブを含む。例えば、図１２Ａに示すように、放射素子２１の第１グループは、マイクロストリップフィーダ１０の第１の側に形成され、放射素子２２の第２グループは、マイクロストリップフィーダ１０の第２の側に形成されている。当然、いくつかの例では、放射素子２１の第１グループは、マイクロストリップフィーダ１０の第１の側に形成されてよく（図２Ｂに示すように）、放射素子２２の第２グループは、マイクロストリップフィーダ１０の第２の側に形成されてよい（図２Ｃに示すように）。

【0144】

少なくとも１つの第１結合スタブ及び／又は少なくとも１つの第２結合スタブと、マイクロストリップフィーダ１０との間に、ギャップが形成されている。例えば、少なくとも１つの第１結合スタブとマイクロストリップフィーダ１０との間に、ギャップが形成され、又は、少なくとも１つの第２結合スタブとマイクロストリップフィーダ１０との間に、ギャップが形成され、又は、少なくとも１つの第１結合スタブと少なくとも１つの第２結合スタブとの両方と、マイクロストリップフィーダ１０との間に、ギャップが形成されている。

【0145】

図１２Ａに示すように、放射素子２１の第１グループは、第１結合スタブ２１ａ、第１結合スタブ２１ｂ、第１結合スタブ２１ｃ、第１結合スタブ２１ｄ、及び第１結合スタブ２１ｅを含んでよい。放射素子２２の第２グループは、第２結合スタブ２２ａ、第２結合スタブ２２ｂ、第２結合スタブ２２ｃ、第２結合スタブ２２ｄ、及び第２結合スタブ２２ｅを含んでよい。マイクロストリップフィーダ１０と、第１結合スタブ２１ａ、第１結合スタブ２１ｂ、第１結合スタブ２１ｃ、第１結合スタブ２１ｄ、及び第１結合スタブ２１ｅのそれぞれとの間には、ギャップが存在する。マイクロストリップフィーダ１０と、第２結合スタブ２２ａ、第２結合スタブ２２ｂ、第２結合スタブ２２ｃ、第２結合スタブ２２ｄ、及び第２結合スタブ２２ｅのそれぞれとの間には、ギャップが存在する。

【0146】

少なくとも１つの第１結合スタブ及び／又は少なくとも１つの第２結合スタブと、マイクロストリップフィーダ１０との間に、ギャップが存在する。このようにして、第１結合スタブと第２結合スタブとの両方とマイクロストリップフィーダ１０との間に、共振構造（即ちＬＣ）が形成され、アンテナは別の共振を発生させる。このようにして、アンテナは、２つの共振点を発生させ、一層大きな帯域幅を実現し、ミリ波レーダーの距離分解能を増加させることができる。

【0147】

本出願のこの実施形態では、誘電体プレート２００ａは、プリント回路基板（ＰＣＢ）であってよい。誘電体プレート２００ａの誘電定数は、２以上であってよく、４以下であってよい。誘電体プレート２００ａの厚みは、５ミル（Ｍｉｌ）であってよい。

【0148】

別の可能な実施では、マイクロストリップフィーダ１０と少なくとも１つの放射素子のグループとが、誘電体プレート２００ａの第１表面２１０に形成される前又は後に、金属接地層３００が誘電体プレート２００ａの他方の表面に配置されることを、この方法はさらに含む。例えば、図１２Ｂに示すように、金属接地層３００は、誘電体プレート２００ａの第２表面２２０に形成される。各結合スタブは、ビアホールを介して金属接地層３００に電気的に接続されてよい。

【0149】

金属接地層３００は、誘電体プレート２００ａの第２表面２２０を完全に又は部分的に覆ってよい。

【0150】

金属接地層３００は、具体的には金属材料でできた金属層である。

【0151】

本出願で提供される準備方法を使用して準備したアンテナは、実施形態１又は実施形態２で提供したアンテナであることに留意するものとする。従って、アンテナの準備方法では、アンテナの中で、マイクロストリップフィーダ１０と、第１結合スタブと、第２結合スタブとの幅、長さ及びギャップの変更の規則や、他のパラメータや構造の変更については、実施形態１と実施形態２との記述を参照するものとする。詳細については、ここでは再度説明しない。

【0152】

本出願はさらに、ミリ波センサー１００を提供する。図１３Ａに示すように、ミリ波センサー１００は、少なくとも、回路基板２００と、回路基板２００の一方の表面に位置する金属接地層３００と、回路基板２００の他方の表面に位置する少なくとも１つのアンテナアレイとを含む。少なくとも１つのアンテナアレイのうちの１つ以上のアンテナアレイは、上記の任意の実施形態での少なくとも１つのアンテナを含む。例えば、各アンテナアレイは、１つのアンテナ（図１３Ａに示すように）を含んでよい。又は、各アンテナアレイは、２つのアンテナを含んでよい。図１３Ｂに示すように、金属接地層３００は、回路基板２００の裏面（即ち、図１３Ｂの下向きの面）に位置する。アンテナアレイは、回路基板２００の前面（即ち、図１３Ａの上向きの面）に位置する。フィードポイント（例えば、フィードポイント２０１、フィードポイント２０２、フィードポイント２０３、フィードポイント２０４、フィードポイント２０５、又はフィードポイント２０６）を介して、各マイクロストリップフィーダ１０は、無線周波数モジュールのフィードに電気的に接続されてよい。具体的には、フィードポイントは、フィーダを介してフィードに電気的に接続されている。フィードは、無線周波数モジュールの中の信号源であることに留意するものとする。

【0153】

可能な実施では、図１３Ａに示すように、少なくとも１つのアンテナアレイは、少なくとも１つの送信アンテナアレイ１０１と、少なくとも１つの受信アンテナアレイ１０２とを含む。任意の送信アンテナアレイと、任意の受信アンテナアレイとは、少なくとも１つのアンテナを含む。例えば、図１３Ａに示すように、送信アンテナアレイ１０１と受信アンテナアレイ１０２とは、間隔をおいて回路基板２００上に配置されている。各送信アンテナアレイ１０１と各受信アンテナアレイ１０２とは、上記のいずれかの実施形態の中の少なくとも１つのアンテナを含んでよい。さらに、アンテナのマイクロストリップフィーダ１０は、回路基板２００のフィードに電気的に接続される。アンテナのマイクロストリップフィーダ１０と、第１結合スタブと、第２結合スタブとは、回路基板２００の１つの表面に配置されている。従って、本出願のこの実施形態では、回路基板２００は、実施形態１、実施形態２、及び実施形態３の誘電体プレート２００ａであってよい。

【0154】

可能な実施では、回路基板２００は、高周波回路基板であってよい。高周波回路基板は、高い電磁周波数を有する特殊な回路基板である。一般に、高周波は、１ＧＨｚを超える周波数と定義されてよい。この回路基板は、物理的な性能、精度、技術的なパラメータの要求が高く、自動車の衝突防止システム、衛星システム、又は無線システムの分野で、しばしば使用される。本出願の実施形態では、回路基板２００の厚みＨは、５ｍｉｌであってよい。つまり、回路基板２００の厚みＨは、０．１２７ｍｍであってよい。

【0155】

可能な実施では、回路基板２００の誘電定数は、２以上であってよく、４以下であってよい。例えば、回路基板２００の誘電定数は、３又は２．５であってよい。

【0156】

本出願のこの実施形態のアンテナは、実施形態１と実施形態２との任意のもののアンテナであってよいことに留意するものとする。従って、アンテナの構造については、実施形態１と実施形態２との内容を参照するものとする。本出願の実施形態では、アンテナの構造については詳しく説明しない。

【0157】

本出願の実施形態で提供されるミリ波センサー１００は、上記の任意の実施形態のアンテナを含み、一層大きな帯域幅を実現し、ミリ波レーダーの距離分解能を増加させ、長い距離分解能で５ＧＨｚの帯域幅を実現するための要件を満たす。これに加えて、低サイドローブ効果を実現し、ミリ波センサー１００のマイナーローブレベルの誤警報確率を低減し、ミリ波センサー１００の誤警報問題を可能な限り回避する。このため、端末に使用する場合に、ミリ波センサー１００は、自動運転又はアシスト運転での端末の高度運転支援システム（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｄｒｉｖｉｎｇ Ａｓｓｉｓｔａｎｃｅ Ｓｙｓｔｅｍ， ＡＤＡＳ）能力を向上させることができる。ミリ波センサー１００は、例えば、車両対全て（Ｖｅｈｉｃｌｅ－ｔｏ－Ｅｖｅｒｙｔｈｉｎｇ，Ｖ２Ｘ），ロングタームエボリューション車両（Ｌｏｎｇ Ｔｅｒｍ Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ－Ｖｅｈｉｃｌｅ，ＬＴＥ－Ｖ），車車間（Ｖｅｈｉｃｌｅ－ｔｏ－Ｖｅｈｉｃｌｅ）などの車両のインターネットで使用することができる。

【0158】

さらに本出願は、端末４００を提供する。端末４００は、例えば、車両、無人航空機、ロボット、スマートホームデバイス、又はスマート製造デバイスなどの、センサーを伴う固定又は移動端末であってよい。

【0159】

本出願の実施形態では、端末４００が車両である例を、特に説明に使用する。車両は、電気自動車／電気自動車（Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｖｅｈｉｃｌｅ、略してＥＶ）又は電気配膳トロリー、又は電動の宅配用車両であってよい。これに代えて、端末４００は、純電気自動車（Ｐｕｒｅ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｖｅｈｉｃｌｅ／Ｂａｔｔｅｒｙ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｖｅｈｉｃｌｅ，略してＰＥＶ／ＢＥＶ），ハイブリッド電気自動車（Ｈｙｂｒｉｄ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｖｅｈｉｃｌｅ，略してＨＥＶ），航続距離延長電気自動車（Ｒａｎｇｅ Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｖｅｈｉｃｌｅ，略してＲＥＥＶ），プラグインハイブリッド電気自動車（Ｐｌｕｇ－ｉｎ Ｈｙｂｒｉｄ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｖｅｈｉｃｌｅ，略してＰＨＥＶ），及び新エネルギー自動車（Ｎｅｗ Ｅｎｅｒｇｙ Ｖｅｈｉｃｌｅ）であってよい。

【0160】

図１４に示すように、端末４００は、少なくとも本体４０１と、本体４０１に配置された少なくとも１つのセンサーとを含む。少なくとも１つのセンサーは、上記のいずれかの実施形態では、少なくとも１つのミリ波センサー１００を含む。例えば、図１４では、３つのセンサーが本体４０１に配置されている。３つのセンサーは、全て前述の実施形態でのミリ波センサー１００であってよく、又は、３つのセンサーのうち１つ又は２つが、前述の実施形態でのミリ波センサー１００であってよい。本出願の実施形態では、３つのセンサー全てがミリ波センサー１００である例を、特に説明に使用する。

【0161】

図１４に示すように、本体４０１のフロントバンパーに、２つのミリ波センサー１００を、本体４０１のリアバンパーに、１つのミリ波センサー１００を配置する。ミリ波センサー１００の数量は、３つであるが、これに限定されないことに留意するものとする。例えば、ミリ波センサー１００は、本体４０１の両側に別々に配置してよい。

【0162】

本体４０１の構造については、既存車両の構造を参照することに留意するものとする。本出願のこの実施形態では、詳細については再度説明しない。

【0163】

本出願のこの実施形態では、ミリ波センサー１００は、ミリ波レーダー、ミリ波距離センサー、又はミリ波周囲光センサーである。

【0164】

本出願のこの実施形態で提供される端末は、ミリ波センサー１００を含み、一層大きな帯域幅を実現し、ミリ波レーダーの距離分解能を増加させ、長い距離分解能で５ＧＨｚの帯域幅を実現するための要件を満たし、長距離シナリオと中距離シナリオとでの車両４０の正確な検出を確実にする。これに加えて、低サイドローブ効果を実現し、ミリ波センサー１００に対するマイナーローブレベルの誤警報確率を低減し、レーダーの誤警報問題を可能な限り回避し、端末の正確な検出を確実にする。さらに、ミリ波センサー１００は、一層大きな帯域幅と低サイドローブ効果とを実現するので、端末に含まれるミリ波センサー１００は、自動運転又はアシスト運転での端末の高度運転支援システム（ＡＤＡＳ）能力を向上させることができる。例えば、車両対全て（Ｖ２Ｘ）、ロングタームエボリューション車両（ＬＴＥ－Ｖ）、車車間（Ｖ２Ｖ）などの車両のインターネットで使用してよい。

【0165】

本出願の実施形態の説明では、他に特に明確かつ限定的でない限り、「設置」、「との接続」、及び「接続」という用語は広い意味で理解されるものとすることに留意するものとする。例えば、接続は固定接続であってよく、中間媒体を使用して間接接続であってよく、２つの要素間の内部接続、又は２つの要素間の相互作用関係であってよい。技術の通常の技能を有する者にとって、本出願の実施形態での前述の用語の特定の意味は、特定の状況に基づいて理解可能である。

【0166】

本出願の実施形態での装置又は要素、又は暗示される装置又は要素は、特定の方向を有し、特定の方向に構築及び操作される必要があるため、本出願の実施形態に対する制限として解釈することはできない。本出願の実施形態の説明で、「複数」の意味は、他に厳密かつ具体的に指定されない限り、２つ以上である。

【0167】

本出願の実施形態の明細書、請求項及び添付図面の中で、「第１」、「第２」、「第３」、「第４」等の用語（存在する場合）は、類似の対象を区別することを意図しているが、必ずしも特定の順序又は順序を示すものではない。そのように称したデータは、適切な状況において交換可能であり、その結果、本出願に記載された本出願の実施形態は、図示された又は記載された順序以外の順序で実施されてよいことを理解するものとする。これに加えて、「含む」、「有する」、及びその任意の変種は、非排他的包含物をカバーすることを意図している。例えば、一連のステップ又はユニットを含むプロセス、方法、システム、製品又はデバイスであり、これは、必ずしも明確に列挙されたステップ又はユニットに限定されないが、そのようなプロセス、方法、製品又はデバイスに明確に列挙されていない又は固有でない他のステップ又はユニットを含んでよい。

【0168】

最後に、上記の実施形態は、単に本出願の実施形態を限定する以外の、本出願の実施形態の技術的解決策を記述するためのものであることに留意するものとする。本出願の実施形態は、上記の実施形態を参照して詳細に記述されているが、本出願の実施形態の技術的解決策の範囲から逸脱することなく、上記の実施形態に記述された技術的解決策を修正したり、その技術的特徴の一部又は全部を同等に置換したりすることができることを、当業者は理解するものとする。

【図1】

【図2A】

【図2B】

【図2C】

【図3A】

【図3B】

【図3C】

【図3D】

【図3E】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7A】

【図7B】

【図8A】

【図8B】

【図8C】

【図8D】

【図8E】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12A】

【図12B】

【図13A】

【図13B】

【図14】