(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2025-02-13
(45)【発行日】2025-02-21
(54)【発明の名称】給電部材及びウエハ載置台
(51)【国際特許分類】
H01L 21/683 20060101AFI20250214BHJP
H05B 3/02 20060101ALI20250214BHJP
【FI】
H01L21/68 R
H05B3/02 B
(21)【出願番号】P 2022032564
(22)【出願日】2022-03-03
【審査請求日】2023-10-20
(73)【特許権者】
【識別番号】000004064
【氏名又は名称】日本碍子株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000017
【氏名又は名称】弁理士法人アイテック国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】小島 充
(72)【発明者】
【氏名】竹林 央史
【審査官】湯川 洋介
(56)【参考文献】
【文献】特開2016-062999(JP,A)
【文献】特開2015-228398(JP,A)
【文献】国際公開第2019/181525(WO,A1)
【文献】特開2018-016536(JP,A)
【文献】特開2012-216786(JP,A)
【文献】特開2002-016005(JP,A)
【文献】特許第3602582(JP,B2)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
H01L 21/683
H05B 3/02
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
セラミック基材に埋設された電極に給電するのに用いられる給電部材であって、
高融点金属含有材料で形成され、前記電極に接合される電極側端子と、
Cu含有材料で形成され、前記電極側端子とロウ材を介することなく直接接合された接合部及び該接合部とは反対側に設けられた穴部を有するインサートと、
Cu含有材料で形成され、前記給電部材とは別の導電部材と電気的に接続されるジョイント部及び前記ジョイント部とは反対側に設けられた凹部を有するコネクタと、
Cu含有材料で形成され、一端が前記インサートの前記穴部に差し込まれた状態で前記インサートに接合され、他端が前記コネクタの前記凹部に差し込まれた状態で前記コネクタに接合されたケーブルと、
を備えた給電部材。
【請求項2】
前記電極側端子は、Mo含有材料である、
請求項1に記載の給電部材。
【請求項3】
表面にウエハ載置面を有するセラミック基材と、
前記セラミック基材に埋設された電極と、
前記セラミック基材のうち前記ウエハ載置面とは反対側の面に差し込まれ、前記電極と接合された給電部材と、
を備えたウエハ載置台であって、
前記給電部材は、請求項1又は2に記載の給電部材であり、前記電極側端子が前記電極に接合されている、
ウエハ載置台。
【請求項4】
前記セラミック基材は、アルミナ含有材料で形成され、
前記電極側端子は、Mo含有材料で形成されている、
請求項3に記載のウエハ載置台。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、給電部材及びウエハ載置台に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体製造装置は、エッチング装置、イオン注入装置、電子ビーム露光装置などにおいて、ウエハを吸着したりウエハを加熱・冷却したりするのに用いられる。こうした半導体製造装置としては、ウエハ載置面を有し静電電極及びヒータ電極を内蔵したセラミック製の静電チャックと、この静電チャックのウエハ載置面とは反対側の面に接着された金属製のベース部材とを備えたものが知られている。特許文献1には、こうした半導体製造装置の静電チャックに埋設された電極(静電電極やヒータ電極)に給電するのに用いられる給電部材が開示されている。給電部材は、電極に接合される電極側端子と、上端が電極側端子に接続された可撓性のケーブルと、ケーブルの下端に接続された雌型コネクタと、を備える。雌型コネクタには、外部装置の雄型コネクタが接続される。この給電部材によれば、雌型コネクタに対して電極に向かって押圧する力が働いたとしても、ケーブルが撓んでその力を吸収するため、静電チャックが破損するのを防止できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ところで、上述した給電部材を作製する際に、Mo製の電極側端子にケーブル挿入用の穴を設け、その穴にCu製のケーブルの上端を挿入して電子ビーム溶接又はレーザビーム溶接で接合することがある。しかしながら、こうした溶接方法では、温度がMo融点付近まで上がらないためMoとCuとの合金が形成されにくく、ケーブルの溶けたCuが電極側端子の穴の内面と接合しておらず接触だけしていることがあった。また、溶けたCuが固化する際に、CuとMoとの界面に気孔が生じることがあった。そのため、Mo製の電極側端子とCu製のケーブルとの接合強度が十分得られないことがあった。
【0005】
本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、十分な強度を有する給電部材を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の給電部材は、
セラミック基材に埋設された電極に給電するのに用いられる給電部材であって、
高融点金属含有材料で形成され、前記電極に接合される電極側端子と、
Cu含有材料で形成され、前記電極側端子とロウ材を介することなく直接接合された接合部及び該接合部とは反対側に設けられた穴部を有するインサートと、
Cu含有材料で形成され、前記給電部材とは別の導電部材と電気的に接続されるジョイント部及び前記ジョイント部とは反対側に設けられた凹部を有するコネクタと、
Cu含有材料で形成され、一端が前記インサートの前記穴部に差し込まれた状態で前記インサートに接合され、他端が前記コネクタの前記凹部に差し込まれた状態で前記コネクタに接合されたケーブルと、
を備えたものである。
【0007】
この給電部材では、高融点金属含有材料で形成された電極側端子に、Cu含有材料で形成されたインサートの接合部がロウ材を介することなく直接接合されている。そのため、電極側端子とインサートとは十分な強度で接合されている。また、Cu含有材料で形成されたケーブルの一端は、インサートの穴部に差し込まれた状態で接合され、ケーブルの他端は、Cu含有材料で形成されたコネクタの凹部に差し込まれた状態で接合されている。これらの接合は、Cu含有材料で形成された部材同士の接合のため、十分な強度が得られる。したがって、この給電部材は十分な強度を有する。
【0008】
本発明の給電部材において、前記電極側端子は、Mo含有材料であることが好ましい。こうすれば、セラミック基材がアルミナ含有材料の場合に、電極側端子とセラミック基材との間にクラック等が入るのを防止することができる。アルミナとMoとは熱膨張係数が近いため、熱膨張差によって発生する応力が小さくなるからである。
【0009】
本発明のウエハ載置台は、
表面にウエハ載置面を有するセラミック基材と、
前記セラミック基材に埋設された電極と、
前記セラミック基材のうち前記ウエハ載置面とは反対側の面に差し込まれ、前記電極と接合された給電部材と、
を備えたウエハ載置台であって、
前記給電部材は、上述した本発明の給電部材であり、前記電極側端子が前記電極に接合されている、
ものである。
【0010】
このウエハ載置台では、高融点金属含有材料で形成された電極側端子に、Cu含有材料で形成されたインサートの接合部がロウ材を介することなく直接接合されている。そのため、電極側端子とインサートとは十分な強度で接合されている。また、Cu含有材料で形成されたケーブルの一端は、インサートの穴部に差し込まれた状態で接合され、ケーブルの他端は、Cu含有材料で形成されたコネクタの凹部に差し込まれた状態で接合されている。これらの接合は、Cu含有材料で形成された部材同士の接合のため、十分な強度が得られる。したがって、この給電部材は十分な強度を有する。
【0011】
本発明のウエハ載置台において、前記セラミック基材は、アルミナ含有材料で形成され、前記電極側端子は、Mo含有材料で形成されていることが好ましい。こうすれば、電極側端子とセラミック基材との間にクラック等が入るのを防止することができる。アルミナとMoとは熱膨張係数が近いため、熱膨張差によって発生する応力が小さくなるからである。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【
図5】実施形態と比較形態の破断強度を示すグラフ。
【発明を実施するための形態】
【0013】
図1は本実施形態のウエハ載置台10の概略構成を示す断面図(ウエハ載置台10の中心軸を含む面でウエハ載置台10を切断したときの断面図)、
図2は給電部材50の概略構成を示す縦断面図(給電部材50の中心軸を含む面で給電部材50を切断したときの断面図)である。なお、以下の説明において、上下、左右、前後を用いることがあるが、上下、左右、前後は、相対的な位置関係に過ぎない。
【0014】
ウエハ載置台10は、ウエハWを処理するために用いられるものである。ウエハ載置台10は、
図1に示すように、セラミック基材20と、静電電極22と、ヒータ電極24と、冷却基材30と、接合層40と、給電部材50A,50Bとを備える。
【0015】
セラミック基材20は、表面にウエハ載置面20aを有する円板状の部材である。セラミック基材20は、セラミック含有材料で形成されている。セラミック含有材料は、セラミックを主成分とする材料であり、セラミックの他に焼結助剤に由来する成分(例えば希土類元素等)や不可避成分などを含んでいてもよい。主成分とは、全体に占める割合が50質量%以上であることをいう(以下同じ)。セラミックとしては、例えばアルミナや窒化アルミニウムなどが挙げられる。
【0016】
静電電極22及びヒータ電極24は、セラミック基材20に埋設されている。静電電極22は、ヒータ電極24よりもウエハ載置面20aに近い側に埋設されている。これらの電極22,24は、例えばW、Mo、WC、MoCなどを含有する材料によって形成されている。静電電極22は、円板状又はメッシュ状の単極型の静電電極である。セラミック基材20のうち静電電極22よりも上側の層は誘電体層として機能する。静電電極22には、静電吸着用の直流電源62が給電部材50Aを介して接続されている。ヒータ電極24は、平面視でウエハ載置面20aの全面に行き渡るように、一端から他端まで一筆書きの要領で配線されている。ヒータ電極24の一端には、ヒータ電源64が給電部材50Bを介して接続されている。ヒータ電極24の他端も、図示しないが、ヒータ電極24の一端と同様にして給電部材50Bを介してヒータ電源64に接続されている。
【0017】
冷却基材30は、内部に冷媒が循環可能な冷媒流路32を備えた円板状の部材である。冷媒流路32は、平面視でセラミック基材20の全面に行き渡るように、一端から他端まで一筆書きの要領で形成されている。冷媒流路32の一端と他端は、冷媒の温度を調節する機能を有する冷媒循環ポンプ(図示せず)に接続されている。冷却基材30は、例えば金属を含有する導電材料で作製されている。導電材料としては、例えば、複合材料や金属などが挙げられる。複合材料としては、金属複合材料(メタル・マトリックス・コンポジット(MMC)ともいう)などが挙げられ、MMCとしては、Si,SiC及びTiを含む材料やSiC多孔質体にAl及び/又はSiを含浸させた材料などが挙げられる。Si,SiC及びTiを含む材料をSiSiCTiといい、SiC多孔質体にAlを含浸させた材料をAlSiCといい、SiC多孔質体にSiを含浸させた材料をSiSiCという。金属としては、Al,Ti,Mo又はそれらの合金などが挙げられる。
【0018】
接合層40は、セラミック基材20の下面と冷却基材30の上面とを接合している。接合層40は、例えば、はんだや金属ロウ材で形成された金属接合層であってもよい。金属接合層は、例えばTCB(Thermal compression bonding)により形成される。TCBとは、接合対象の2つの部材の間に金属接合材を挟み込み、金属接合材の固相線温度以下の温度に加熱した状態で2つの部材を加圧接合する公知の方法をいう。
【0019】
給電部材50Aは、冷却基材30を上下方向に貫通する貫通穴及び接合層40を上下方向に貫通する貫通穴を経て、セラミック基材20の下面から静電電極22に至る貫通穴22aに挿入された状態で、上端が静電電極22に接合されている。冷却基材30を上下方向に貫通する貫通穴及び接合層40を上下方向に貫通する貫通穴には、絶縁管42が挿入されている。給電部材50Aは、この絶縁管42の内部を通過している。
【0020】
給電部材50Bは、冷却基材30を上下方向に貫通する貫通穴及び接合層40を上下方向に貫通する貫通穴を経て、セラミック基材20の下面からヒータ電極24に至る貫通穴24aに挿入された状態で、上端がヒータ電極24に接合されている。冷却基材30を上下方向に貫通する貫通穴及び接合層40を上下方向に貫通する貫通穴には、絶縁管44が挿入されている。給電部材50Bは、この絶縁管44の内部を通過している。
【0021】
給電部材50A,50Bは、ケーブルの長さが異なる以外は同じ構造である。そのため、以下には、給電部材50A,50Bを区別することなく、給電部材50として説明する。
【0022】
給電部材50は、
図2に示すように、電極側端子51と、インサート52と、コネクタ53と、ケーブル56とを備える。
【0023】
電極側端子51は、高融点金属含有材料で形成された円板状の部材である。高融点金属含有材料は、高融点金属を主成分とする材料であり、高融点金属の他に不可避成分やセラミック基材20に含まれる成分などを含んでいてもよい。高融点金属としては、例えばMoやWなどが挙げられる。セラミック基材20がアルミナ含有材料で形成されている場合、電極側端子51はMo含有材料で形成されていることが好ましい。電極側端子51は、電極(静電電極22又はヒータ電極24)やその電極の周囲のセラミック基材20とロウ接合される。ロウ材としては、例えばAu含有合金が挙げられる。Au含有合金としては、AuGe合金、AuSn合金、AuSi合金などが挙げられる。電極側端子51がMo含有材料で形成されている場合、ロウ材はAuGe合金を用いることが好ましい。
【0024】
インサート52は、Cu含有材料で形成され、円柱状の部材である。Cu含有材料は、Cuを主成分とする材料であり、Cuの他に不可避成分などを含んでいてもよい。インサート52は、電極側端子51と接合される接合部52aと、接合部52aとは反対側に設けられた穴部52bとを有する。接合部52aは、本実施形態では円柱の上面であり、電極側端子51とロウ材を介することなく直接接合されている。そのため、接合部52aと電極側端子51との接合部分の強度は十分高くなる。接合部52aと電極側端子51との接合部分をSEM写真でみたときに、接合界面に隙間が見られないことが好ましい。
【0025】
コネクタ53は、Cu含有材料で形成され、ソケット部53a(本発明のジョイント部に相当)と凹部53bとを有する。ソケット部53aは、コネクタ53の下側に設けられ、外部装置(例えば直流電源62やヒータ電源64)の導電部材と電気的に接続される。本実施形態では、ソケット部53aはバナナジャックであり、外部装置の導電部材はそのバナナジャックに差し込まれるバナナプラグである。凹部53bは、コネクタ53の上側に設けられた穴である。コネクタ53は、ソケット部53aを有する下方部材54と凹部53bを有する上方部材55とを接合したものである。下方部材54と上方部材55との接合は、はんだ付け、電子ビーム溶接、レーザビーム溶接などで行うことができる。下方部材54と上方部材55はいずれもCu含有材料で形成されているため、両部材54,55の溶接部分の強度は十分高くなる。
【0026】
ケーブル56は、Cu含有材料で形成された可撓性を有するケーブルである。本実施形態では、ケーブル56は、Cu含有材料で形成された金属細線の撚り線である。ケーブル56の上端56aは、インサート52の穴部52bに差し込まれた状態でインサート52に接合されている。ケーブル56の下端56bは、コネクタ53の凹部53bに差し込まれた状態でコネクタ53に接合されている。ケーブル56とインサート52との接合やケーブル56とコネクタ53との接合は、電子ビーム溶接、レーザビーム溶接などで行うことができる。ケーブル56とインサート52とコネクタ53はいずれもCu含有材料で形成されているため、溶接部分の強度は十分高くなる。
【0027】
次に、給電部材50の製造例(電極への取付例を含む)を
図3を用いて説明する。
図3は給電部材50の製造工程図である。ここでは、電極側端子51はMo含有材料で形成され、インサート52とコネクタ53(下方部材54及び上方部材55)とケーブル56はCu含有材料で形成されているものとする。
【0028】
まず、電極側端子51とインサート52とを用意し、電極側端子51の下面とインサート52の上面である接合部52aとを直接接合する(
図3A参照)
。なお、インサート52の代わりに円柱体(穴部52bのないもの)を用意し、その円柱体と電極側端子51とを直接接合し、その後円柱体に穴部52bを形成して円柱体をインサート52としてもよい。
【0029】
次に、ケーブル56の上端56aをインサート52の下面に設けられた穴部52bに差し込んで溶接し、ケーブル56の下端56bを上方部材55の凹部53bに差し込んで溶接する(
図3B参照)。このときの溶接は、電子ビーム溶接、レーザビーム溶接などで行うことができる。
【0030】
次に、電極側端子51を、セラミック基材20に埋設された電極(静電電極22又はヒータ電極24)及びその電極の周りのセラミック基材20と接合する(
図3C参照)。このときの接合は、Au含有合金(例えばAuGe合金)を用いて行うことができる。これにより、電極側端子51は、電極やその電極の周りのセラミック基材20とロウ接合層23を介して接合される。
【0031】
最後に、上方部材55の下面と下方部材54の上面とを接合し(
図3D参照)、給電部材50を得る。このときの接合は、はんだ付け、電子ビーム溶接、レーザビーム溶接などで行うことができる。なお、上方部材55の下面に位置合わせ用の小突起を設け、下方部材54の上面にこの小突起と嵌まり合う小穴を設けておき、小突起と小穴とを嵌め込むようにしてもよい。こうすれば、上方部材55と下方部材54との位置合わせを容易に行うことができる。
【0032】
次に、ウエハ載置台10の電極に接合した給電
部材50の破断強度について説明する。給電
部材50の電極側端子51はMo製、インサート52とコネクタ53(下方部材54及び上方部材55)とケーブル56はCu製とした。給電
部材50は上述した製造例にしたがって製造して電極に取り付けた。なお、インサート52の接合部52aと電極側端子51との接合部分をSEM写真でみたときに接合界面に隙間は見られなかった。比較対象として、
図4に示す給電
部材150を作製し、それをウエハ載置台10の電極に接合したときの破断強度も測定した。給電
部材150は、上述した電極側端子51とインサート52とを一体物として作製したMo製の穴付き電極側端子151を用い、この穴付き電極側端子151の穴151aにケーブル56の上端56aを差し込んだ状態で電子ビーム溶接で接合した以外は、給電
部材50と同様にして作製し、ウエハ載置台10の電極に取り付けた。本実施形態と比較形態の破断強度は、「JIS Z 2241:金属材料引張試験方法」に準じて、同じ条件で測定した。その結果を
図5に示す。
図5からわかるように、本実施形態の破断強度は、比較形態の破断強度と比べて約4倍に向上した。比較形態では、穴付き電極側端子151とケーブル56との接合が外れて破断したのに対し、本実施形態では、ケーブル56自身が破断した。また、比較形態では、穴付き電極側端子151とケーブル56との接合界面に隙間(気孔)が見られた。
【0033】
以上詳述した給電部材50では、高融点金属含有材料で形成された電極側端子51に、Cu含有材料で形成されたインサート52の接合部52aがロウ材を介することなく直接接合されている。そのため、電極側端子51とインサート52とは十分な強度で接合されている。また、Cu含有材料で形成されたケーブル56の上端56aは、インサート52の穴部52bに差し込まれた状態で接合され、ケーブル56の下端56bは、Cu含有材料で形成されたコネクタ53の凹部53bに差し込まれた状態で接合されている。これらの接合は、Cu含有材料で形成された部材同士の接合のため、十分な強度が得られる。したがって、この給電部材50は十分な強度を有する。その結果、ウエハ載置台10の使用温度の上限を高温(例えば300℃)に設定しても問題なく使用することができる。
【0034】
また、電極側端子51は、Mo含有材料であることが好ましい。こうすれば、セラミック基材20がアルミナ含有材料の場合に、電極側端子51とセラミック基材20との間にクラック等が入るのを防止することができる。アルミナとMoとは熱膨張係数が近いため、熱膨張差によって発生する応力が小さくなるからである。
【0035】
なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。
【0036】
例えば、上述した実施形態では、コネクタ53は、下方部材54と上方部材55とをはんだ付け又は溶接して作製したが、このように複数の部材を接合して形成するのではなく、一体物として形成してもよい。こうすれば、給電部材50の製造工程において、下方部材54と上方部材55とをはんだ付け又は溶接する工程が不要になる。
【0037】
上述した実施形態において、給電部材50Aのコネクタ53を絶縁管42に固定してもよいし、給電部材50Bのコネクタ53を絶縁管44に固定してもよい。
【0038】
上述した実施形態では、セラミック基材20に静電電極22とヒータ電極24とを埋設したが、いずれか一方を埋設する構成としてもよい。また、セラミック基材20にプラズマ生成用電極を埋設してその電極に給電部材50を上述した実施形態と同様にして取り付けてもよい。
【0039】
上述した実施形態では、コネクタ53は、バナナジャックであるソケット部53aを有するものとしたが、ソケット部53aの代わりに、バナナプラグを設けてもよい。その場合、コネクタ53のバナナプラグは、外部装置(例えば直流電源62やヒータ電源64)の導電部材としてのバナナジャックに差し込まれて外部装置と電気的に接続される。
【0040】
上述した実施形態では、接合層40を金属接合層としたが、樹脂接着層としてもよい。
【符号の説明】
【0041】
10 ウエハ載置台、20 セラミック基材、20a ウエハ載置面、22 静電電極、22a 貫通穴、23 ロウ接合層、24 ヒータ電極、24a 貫通穴、30 冷却基材、32 冷媒流路、40 接合層、42,44 絶縁管、50,50A,50B 給電部材、51 電極側端子、52 インサート、52a 接合部、52b 穴部、53 コネクタ、53a ソケット部、53b 凹部、54 下方部材、55 上方部材、56 ケーブル、56a 上端、56b 下端、62 直流電源、64 ヒータ電源、150 給電部材、151 電極側端子、151a 穴、W ウエハ。