特許 7634773 表示装置およびその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2025-02-13

(45)【発行日】2025-02-21

(54)【発明の名称】表示装置およびその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H10K 50/115 20230101AFI20250214BHJP

   H05B 33/14 20060101ALI20250214BHJP

   H10K 71/13 20230101ALI20250214BHJP

   H10K 71/20 20230101ALI20250214BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20250214BHJP

   G09F 9/302 20060101ALI20250214BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20250214BHJP

【ＦＩ】

H10K50/115

H05B33/14 Z

H10K71/13

H10K71/20

G09F9/30 349Z

G09F9/30 338

G09F9/302 C

G09F9/00 338

【請求項の数】 31

(21)【出願番号】P 2024500806

(86)(22)【出願日】2022-02-17

(86)【国際出願番号】 JP2022006360

(87)【国際公開番号】W WO2023157170

(87)【国際公開日】2023-08-24

【審査請求日】2024-06-18

(73)【特許権者】

【識別番号】520487808

【氏名又は名称】シャープディスプレイテクノロジー株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002848

【氏名又は名称】弁理士法人ＮＩＰ＆ＳＢＰＪ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】榊原 裕介

(72)【発明者】

【氏名】上田 吉裕

【審査官】酒井 康博

(56)【参考文献】

【文献】米国特許出願公開第２０２１／００４３８６２（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０２０／０２５９１１０（ＵＳ，Ａ１）

【文献】韓国公開特許第１０－２０１６－０１３５８７４（ＫＲ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０２０／０３３５７１５（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０２１／００２０８５８（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０２１／０１３５１３９（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２０２０－１８０２７８（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０５Ｂ ３３／１４

Ｈ１０Ｋ ５０／００ － ５０／８８

Ｈ１０Ｋ ５９／００ － ５９／９５

Ｈ１０Ｋ ７１／００ － ７１／８０

ＪＳＴＰｌｕｓ／ＪＳＴ７５８０ （ＪＤｒｅａｍＩＩＩ）

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数のサブ画素を備え、
上記複数のサブ画素は、それぞれ、第１電極と、第２電極と、上記第１電極と上記第２電極との間に設けられた、少なくとも発光層を含む機能層と、を備え、
上記複数のサブ画素のうち、少なくとも１つのサブ画素の上記発光層は、
量子ドットと、有機リガンドおよび無機リガンドのうち少なくとも上記無機リガンドと、を含む第１領域と、
上記量子ドットと、上記有機リガンドおよび上記無機リガンドのうち少なくとも上記有機リガンドと、を含み、単位体積当たりに含まれる上記無機リガンドの数が、上記第１領域の上記単位体積当たりに含まれる上記無機リガンドの数よりも少ない第２領域と、を含み、
上記第１領域は、上記少なくとも１つのサブ画素の上記発光層の中央部を含み、
上記第２領域は、上記少なくとも１つのサブ画素の上記発光層における、該少なくとも１つのサブ画素にそれぞれ隣り合う他のサブ画素と隣り合う端部のうち少なくとも１つの端部を含むことを特徴とする表示装置。

【請求項2】

上記複数のサブ画素は、発光色が異なるサブ画素を含み、
上記第２領域は、上記少なくとも１つのサブ画素の上記発光層における、上記他のサブ画素と隣り合う端部のうち、該少なくとも１つのサブ画素とは発光色が異なるサブ画素と隣り合う端部のみを含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。

【請求項3】

上記複数のサブ画素は、発光色が異なるサブ画素を含み、
上記第２領域は、上記少なくとも１つのサブ画素の上記発光層における、上記他のサブ画素と隣り合う端部のうち、該少なくとも１つのサブ画素の発光ピーク波長よりも短波長の発光ピーク波長を有する光を発するサブ画素と隣り合う端部のみを含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。

【請求項4】

上記複数のサブ画素は、発光色が同じサブ画素を複数含み、
上記第２領域は、上記少なくとも１つのサブ画素の上記発光層における、上記他のサブ画素と隣り合う端部のうち、該少なくとも１つのサブ画素と発光色が同じサブ画素と隣り合う端部を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。

【請求項5】

上記第２領域は、上記少なくとも１つのサブ画素の上記発光層における、上記他のサブ画素と隣り合う全ての端部を含み、上記第１領域を取り囲んで形成されていることを特徴とする請求項１または４に記載の表示装置。

【請求項6】

上記少なくとも１つのサブ画素の上記発光層における上記第２領域に隣り合う上記他のサブ画素の端部から、該少なくとも１つのサブ画素における、上記第１領域の端部までの最短距離が、２．０μｍ以上、８．５μｍ以下の範囲内であることを特徴とする請求項１～５の何れか１項に記載の表示装置。

【請求項7】

上記少なくとも１つのサブ画素の上記発光層における上記第２領域に隣り合う、上記発光色が異なるサブ画素の端部から、該少なくとも１つのサブ画素における、上記第１領域の端部までの最短距離が、上記少なくとも１つのサブ画素の上記発光層と上記発光色が異なるサブ画素の上記発光層とのバンドギャップの差が大きいほど大きいことを特徴とする請求項２または３に記載の表示装置。

【請求項8】

上記複数のサブ画素は、赤色光を発する赤色サブ画素と、緑色光を発する緑色サブ画素と、青色光を発する青色サブ画素と、を含み、
上記赤色サブ画素の上記発光層における上記第２領域に隣り合う、上記青色サブ画素の端部から、該赤色サブ画素における上記第１領域の端部までの最短距離をＤ_ＲＢとし、
上記赤色サブ画素の上記発光層における上記第２領域に隣り合う、上記緑色サブ画素の端部から、該赤色サブ画素における上記第１領域の端部までの最短距離をＤ_ＲＧとし、
上記緑色サブ画素の上記発光層における上記第２領域に隣り合う、上記青色サブ画素の端部から、該緑色サブ画素における上記第１領域の端部までの最短距離をＤ_ＧＢとすると、
Ｄ_ＲＧ＜Ｄ_ＧＢ＜Ｄ_ＲＢ、かつ、２．３μｍ≦Ｄ_ＲＧ≦７．２μｍ、２．４μｍ≦Ｄ_ＧＢ≦７．７μｍ、２．７μｍ≦Ｄ_ＲＢ≦８．５μｍであることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。

【請求項9】

上記無機リガンドがハロゲン原子のイオンであることを特徴とする請求項１～８の何れか１項に記載の表示装置。

【請求項10】

上記無機リガンドがフッ化物イオンであることを特徴とする請求項１～９の何れか１項に記載の表示装置。

【請求項11】

上記第２領域における、上記有機リガンドと上記無機リガンドとの合計数に占める上記無機リガンドの割合が０％以上、４１％以下であることを特徴とする請求項１～１０の何れか１項に記載の表示装置。

【請求項12】

上記第２領域における、上記有機リガンドと上記無機リガンドとの合計数に占める上記無機リガンドの割合が０％以上、８．２％以下であることを特徴とする請求項１～１１の何れか１項に記載の表示装置。

【請求項13】

上記第１領域における、上記有機リガンドと上記無機リガンドとの合計数に占める上記無機リガンドの割合が８．２％以上、１００％以下であることを特徴とする請求項１～１２の何れか１項に記載の表示装置。

【請求項14】

上記第１領域は、上記有機リガンドを含み、
上記第１領域における、上記有機リガンドと上記無機リガンドとの合計数に占める上記無機リガンドの割合が８．２％以上、８２％以下であることを特徴とする請求項１～１３の何れか１項に記載の表示装置。

【請求項15】

上記第１領域は、上記有機リガンドを含み、
上記第１領域における、上記有機リガンドと上記無機リガンドとの合計数に占める上記無機リガンドの割合が４１％以上、８２％以下であることを特徴とする請求項１～１３の何れか１項に記載の表示装置。

【請求項16】

上記第１領域が、上記有機リガンドおよび上記無機リガンドのうち上記無機リガンドのみを含むことを特徴とする請求項１～１２の何れか１項に記載の表示装置。

【請求項17】

上記少なくとも１つのサブ画素の上記発光層における上記第２領域以外の領域が、上記第１領域であることを特徴とする請求項１～１６の何れか１項に記載の表示装置。

【請求項18】

上記少なくとも１つのサブ画素の上記発光層は、
上記量子ドットと、上記有機リガンドと、上記無機リガンドと、を含み、単位体積当たりに含まれる上記無機リガンドの数が、上記第１領域の上記単位体積当たりに含まれる上記無機リガンドの数よりも少なく、上記第２領域の上記単位体積当たりに含まれる上記無機リガンドの数よりも多い第３領域をさらに含み、
上記第３領域は、上記第１領域と上記第２領域との間に設けられていることを特徴とする請求項１～１６の何れか１項に記載の表示装置。

【請求項19】

上記第３領域における、上記有機リガンドと上記無機リガンドとの合計数に占める上記無機リガンドの割合が４１％以上、６２％以下であることを特徴とする請求項１８に記載の表示装置。

【請求項20】

複数のサブ画素を備え、上記複数のサブ画素が、それぞれ、第１電極と、第２電極と、上記第１電極と上記第２電極との間に設けられた、少なくとも発光層を含む機能層と、を備えた表示装置の製造方法であって、
上記第１電極を形成する第１電極形成工程と、
上記機能層を形成する機能層形成工程と、
上記第２電極を形成する第２電極形成工程と、を含み、
上記機能層形成工程は、上記発光層を形成する発光層形成工程を含み、
上記発光層形成工程では、
上記複数のサブ画素のうち、少なくとも１つのサブ画素に、上記発光層として、
量子ドットと、有機リガンドおよび無機リガンドのうち少なくとも上記無機リガンドと、を含む第１領域と、
上記量子ドットと、上記有機リガンドおよび上記無機リガンドのうち少なくとも上記有機リガンドと、を含み、単位体積当たりに含まれる上記無機リガンドの数が、上記第１領域の上記単位体積当たりに含まれる上記無機リガンドの数よりも少ない第２領域と、を含み、
上記第１領域は、上記少なくとも１つのサブ画素の上記発光層の中央部を含み、
上記第２領域は、上記少なくとも１つのサブ画素の上記発光層における、該少なくとも１つのサブ画素にそれぞれ隣り合う他のサブ画素と隣り合う端部のうち少なくとも１つの端部を少なくとも含む発光層を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。

【請求項21】

上記発光層形成工程では、上記少なくとも１つのサブ画素の上記発光層における、上記第１領域となる、上記少なくとも１つのサブ画素の上記発光層の中央部を含む領域に、上記無機リガンドを供給することを特徴とする請求項２０に記載の表示装置の製造方法。

【請求項22】

上記第２領域となる領域を金属マスクで被覆して上記無機リガンドの供給を行うことを特徴とする請求項２１に記載の表示装置の製造方法。

【請求項23】

インクジェット法により上記無機リガンドの供給を行うことを特徴とする請求項２１に記載の表示装置の製造方法。

【請求項24】

上記発光層形成工程では、上記複数のサブ画素のうち少なくとも２つのサブ画素の上記発光層における、上記第１領域となる、上記少なくとも２つのサブ画素の上記発光層の中央部を含む領域への上記無機リガンドの供給を並行して行うことを特徴とする請求項２１～２３の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。

【請求項25】

上記表示装置における上記複数のサブ画素は、上記発光層として第１発光層を有する第１サブ画素と、上記発光層として第２発光層を有する第２サブ画素と、上記発光層として第３発光層を有する第３サブ画素と、を含み、
上記第１発光層は、上記量子ドットとして第１量子ドットを含み、上記有機リガンドとして第１有機リガンドを含み、上記無機リガンドとして第１無機リガンドを含み、
上記第２発光層は、上記量子ドットとして第２量子ドットを含み、上記有機リガンドとして第２有機リガンドを含み、上記無機リガンドとして第２無機リガンドを含み、
上記第３発光層は、上記量子ドットとして第３量子ドットを含み、上記有機リガンドとして第３有機リガンドを含み、上記無機リガンドとして第３無機リガンドを含み、
上記発光層形成工程は、
上記第１サブ画素に上記第１発光層を形成する第１発光層形成工程と、
上記第２サブ画素に上記第２発光層を形成する第２発光層形成工程と、
上記第３サブ画素に上記第３発光層を形成する第３発光層形成工程と、を含み、
上記第１発光層形成工程は、
上記複数のサブ画素全体を覆う第１レジストを塗布して第１レジスト層を形成する第１レジスト層形成工程と、
上記第１レジスト層を露光および現像して、上記第１発光層の形成予定領域の上記第１レジスト層を除去する第１レジスト層パターニング工程と、
上記第１レジスト層パターニング工程後に、上記第１量子ドットと、上記第１有機リガンドおよび上記第１無機リガンドのうち少なくとも上記第１有機リガンドと、を含む第１量子ドット含有層を、上記複数のサブ画素全体を覆って形成する第１量子ドット含有層形成工程と、
上記第１レジスト層上の上記第１量子ドット含有層をリフトオフすることで、上記第１発光層の形成予定領域以外の上記第１量子ドット含有層を除去する第１量子ドット含有層パターニング工程と、
上記第１量子ドット含有層パターニング工程後に、上記複数のサブ画素全体を覆う第２レジストを塗布して第２レジスト層を形成する第２レジスト層形成工程と、
上記第２レジスト層を露光および現像して、上記第１発光層における上記第１領域となる、上記第１量子ドット含有層の中央部を含む領域を露出させる第１開口部を、該第２レジスト層に形成する第２レジスト層第１パターニング工程と、
上記第１量子ドット含有層における、上記第１開口部から露出している領域に、上記第１無機リガンドを供給する第１無機リガンド供給工程と、を含み、
上記第２発光層形成工程は、
上記第１無機リガンド供給工程後に、上記第１開口部内に上記第２レジストを再度塗布して上記第１開口部を上記第２レジストで埋め戻す第２レジスト再塗布工程と、
上記第２レジスト再塗布工程後に、上記第２レジスト層を露光および現像して、上記サブ画素における第２発光層の形成予定領域の上記第２レジスト層を除去する第２レジスト層第２パターニング工程と、
上記第２レジスト層第２パターニング工程後に、上記第２量子ドットと、上記第２有機リガンドおよび上記第２無機リガンドのうち少なくとも上記第２有機リガンドと、を含む第２量子ドット含有層を、上記複数のサブ画素全体を覆って形成する第２量子ドット含有層形成工程と、
上記第２レジスト層上の上記第２量子ドット含有層をリフトオフすることで、上記第２発光層の形成予定領域以外の上記第２量子ドット含有層を除去する第２量子ドット含有層パターニング工程と、を含むことを特徴とする請求項２０または２１に記載の表示装置の製造方法。

【請求項26】

上記第２発光層形成工程は、
上記第２量子ドット層パターニング工程後に、上記複数のサブ画素全体を覆う第３レジストを塗布して第３レジスト層を形成する第３レジスト層形成工程と、
上記第３レジスト層を露光および現像して、上記第２発光層における上記第１領域となる、上記第２量子ドット含有層の中央部を含む領域を露出させる第２開口部を形成する第３レジスト層第１パターニング工程と、
上記第２量子ドット含有層における、上記第２開口部から露出している領域に、上記第２無機リガンドを供給する第２無機リガンド供給工程と、をさらに含むことを特徴とする請求項２５に記載の表示装置の製造方法。

【請求項27】

上記第３発光層形成工程は、
上記第２無機リガンド供給工程後に、上記第２開口部内に上記第３レジストを再度塗布して上記第２開口部を上記第３レジストで埋め戻す第３レジスト再塗布工程と、
上記第３レジスト再塗布工程後に、上記第３レジスト層を露光および現像して、上記サブ画素における第３発光層の形成予定領域の上記第３レジスト層を除去する第３レジスト層第２パターニング工程と、
上記第３レジスト層第２パターニング工程後に、上記第３量子ドットと、上記第３有機リガンドおよび上記第３無機リガンドのうち少なくとも上記第３有機リガンドと、を含む第３量子ドット含有層を、上記複数のサブ画素全体を覆って形成する第３量子ドット含有層形成工程と、
上記第３レジスト層上の上記第３量子ドット含有層をリフトオフすることで、上記第３発光層の形成予定領域以外の上記第３量子ドット含有層を除去する第３量子ドット含有層パターニング工程と、
上記第３量子ドット含有層パターニング工程後に、上記複数のサブ画素全体を覆う第４レジストを塗布して第４レジスト層を形成する第４レジスト層形成工程と、
上記第４レジスト層を露光および現像して、上記第３発光層における上記第１領域となる、上記第３量子ドット含有層の中央部を含む領域を露出させる第３開口部を形成する第４レジスト層第１パターニング工程と、
上記第３量子ドット含有層における、上記第３開口部から露出している領域に、上記第３無機リガンドを供給する第３無機リガンド供給工程と、
上記第４レジスト層を除去する第４レジスト層除去工程と、を含むことを特徴とする請求項２６に記載の表示装置の製造方法。

【請求項28】

上記第３発光層形成工程は、
上記第２無機リガンド供給工程後に、上記第２開口部内に上記第３レジストを再度塗布して上記第２開口部を上記第３レジストで埋め戻す第３レジスト再塗布工程と、
上記第３レジスト再塗布工程後に、上記第３レジスト層を露光および現像して、上記サブ画素における第３発光層の形成予定領域の上記第３レジスト層を除去する第３レジスト層第２パターニング工程と、
上記第３レジスト層第２パターニング工程後に、上記第３量子ドットと、上記第３有機リガンドおよび上記第３無機リガンドのうち少なくとも上記第３有機リガンドと、を含む第３量子ドット含有層を、上記複数のサブ画素全体を覆って形成する第３量子ドット含有層形成工程と、
上記第３量子ドット含有層形成工程後に、上記複数のサブ画素全体を覆う第４レジストを塗布して第４レジスト層を形成する第４レジスト層形成工程と、
上記第４レジスト層を露光および現像して、上記第３発光層における上記第１領域となる、上記第３量子ドット含有層の中央部を含む領域を露出させる第３開口部を形成する第４レジスト層パターニング工程と、
上記第３量子ドット含有層における、上記第３開口部から露出している領域に、上記第３無機リガンドを供給する第３無機リガンド供給工程と、
上記第４レジスト層を除去するとともに上記第３レジスト層上の上記第３量子ドット含有層をリフトオフして上記第３発光層形成予定領域以外の上記第３量子ドット含有層を除去する第３量子ドット含有層パターニング工程と、を含むことを特徴とする請求項２６に記載の表示装置の製造方法。

【請求項29】

上記発光層形成工程は、
上記量子ドットと、上記有機リガンドと、上記無機リガンドと、溶媒とを含む第１量子ドット分散液を調液する工程と、
上記量子ドットと、上記有機リガンドおよび上記無機リガンドのうち少なくとも上記有機リガンドと、溶媒と、を含み、単位体積当たりに含まれる上記無機リガンドの数が、上記第１量子ドット分散液の上記単位体積当たりに含まれる上記無機リガンドの数よりも少ない第２量子ドット分散液を調液する工程と、
上記第１量子ドット分散液を、上記第１領域となる、上記少なくとも１つのサブ画素の上記発光層の中央部を含む領域に塗布する工程と、
塗布された上記第１量子ドット分散液から、該第１量子ドット分散液に含まれる上記溶媒を除去する工程と、
上記第２量子ドット分散液を、上記第２領域となる、上記少なくとも１つのサブ画素の上記発光層における、該少なくとも１つのサブ画素にそれぞれ隣り合う他のサブ画素と隣り合う端部のうち少なくとも１つの端部を少なくとも含む領域に塗布する工程と、
塗布された上記第２量子ドット分散液から、該第２量子ドット分散液に含まれる上記溶媒を除去する工程と、を含むことを特徴とする請求項２０に記載の表示装置の製造方法。

【請求項30】

上記第１量子ドット分散液の塗布および上記第２量子ドット分散液の塗布が、それぞれインクジェット法により行われることを特徴とする請求項２９に記載の表示装置の製造方法。

【請求項31】

上記発光層形成工程では、
上記複数のサブ画素のうち、少なくとも１つのサブ画素に、上記発光層として、
上記第１領域と上記第２領域との間に、
上記量子ドットと、上記有機リガンドと、上記無機リガンドと、を含み、単位体積当たりに含まれる上記無機リガンドの数が、上記第１領域の上記単位体積当たりに含まれる上記無機リガンドの数よりも少なく、上記第２領域の上記単位体積当たりに含まれる上記無機リガンドの数よりも多い第３領域をさらに含む発光層を形成することを特徴とする請求項２０に記載の表示装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、表示装置およびその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

量子ドットの表面には、該量子ドットの保護並びに溶媒への分散性の向上等を目的として、一般的に、リガンドが設けられている。上記リガンドとしては、一般的に有機リガンドが用いられている。一方で、近年、有機リガンドに代わるリガンドとして、無機リガンドが注目されている。

【0003】

無機リガンドは、有機リガンドに比べて安定性が高く、また、電流注入性に優れている。例えば、特許文献１には、ナノ構造と、無機リガンドとして、特定のフッ化物含有リガンドまたはフッ化物アニオンと、を含む、安定なナノ構造組成物が開示されている。特許文献１には、上記ナノ構造の一種として量子ドットが例示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】日本国特開２０２０－１８０２７８号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかしながら、フッ化物を含むハロゲンリガンド等の無機リガンドを含む量子ドットは、僅かなリーク電流でも発光してしまう。このため、このような量子ドットで形成された発光層を備えた表示装置は、一つのサブ画素が発光しているとき、該サブ画素からのリーク電流によって、該サブ画素に隣り合うサブ画素が発光することで、混色したり、不鮮明な画像が形成されたりする等の、光学的なクロストークが発生する。このようなクロストークは、表示装置の表示品位低下の原因となる。

【0006】

本開示の一態様は、上記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、無機リガンドによる発光効率、安定性および電流注入性の向上と、隣り合うサブ画素からのリーク電流による発光の抑制と、を両立することができる表示装置およびその製造方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0007】

上記の課題を解決するために、本開示の一態様に依れば、表示装置は、複数のサブ画素を備え、上記複数のサブ画素は、それぞれ、第１電極と、第２電極と、上記第１電極と上記第２電極との間に設けられた、少なくとも発光層を含む機能層と、を備え、上記複数のサブ画素のうち、少なくとも１つのサブ画素の上記発光層は、量子ドットと、有機リガンドおよび無機リガンドのうち少なくとも上記無機リガンドと、を含む第１領域と、上記量子ドットと、上記有機リガンドおよび上記無機リガンドのうち少なくとも上記有機リガンドと、を含み、単位体積当たりに含まれる上記無機リガンドの数が、上記第１領域の上記単位体積当たりに含まれる上記無機リガンドの数よりも少ない第２領域と、を含み、上記第１領域は、上記少なくとも１つのサブ画素の上記発光層の中央部を含み、上記第２領域は、上記少なくとも１つのサブ画素の上記発光層における、該少なくとも１つのサブ画素にそれぞれ隣り合う他のサブ画素と隣り合う端部のうち少なくとも１つの端部を含む。

【0008】

上記の課題を解決するために、本開示の一態様に依れば、表示装置の製造方法は、複数のサブ画素を備え、上記複数のサブ画素が、それぞれ、第１電極と、第２電極と、上記第１電極と上記第２電極との間に設けられた、少なくとも発光層を含む機能層と、を備えた表示装置の製造方法であって、上記第１電極を形成する第１電極形成工程と、上記機能層を形成する機能層形成工程と、上記第２電極を形成する第２電極形成工程と、を含み、上記機能層形成工程は、上記発光層を形成する発光層形成工程を含み、上記発光層形成工程では、上記複数のサブ画素のうち、少なくとも１つのサブ画素に、上記発光層として、量子ドットと、有機リガンドおよび無機リガンドのうち少なくとも上記無機リガンドと、を含む第１領域と、上記量子ドットと、上記有機リガンドおよび上記無機リガンドのうち少なくとも上記有機リガンドと、を含み、単位体積当たりに含まれる上記無機リガンドの数が、上記第１領域の上記単位体積当たりに含まれる上記無機リガンドの数よりも少ない第２領域と、を含み、上記第１領域は、上記少なくとも１つのサブ画素の上記発光層の中央部を含み、上記第２領域は、上記少なくとも１つのサブ画素の上記発光層における、該少なくとも１つのサブ画素にそれぞれ隣り合う他のサブ画素と隣り合う端部のうち少なくとも１つの端部を少なくとも含む発光層を形成する。

【発明の効果】

【0009】

本開示の一態様によれば、無機リガンドによる発光効率の向上と、隣り合うサブ画素からのリーク電流による発光の抑制と、を両立することができる表示装置およびその製造方法を提供する。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】実施形態１に係る表示装置の要部の概略構成の一例を示す平面図である。

【図2】実施形態１に係る表示装置の画素領域におけるサブ画素の概略構成の一例を示す平面図である。

【図3】実施形態１に係る表示装置の要部の概略構成の一例を示す断面図である。

【図4】実施形態１に係る表示装置の一例に係る各色の発光層の一部を拡大して模式的に示す断面図である。

【図5】比較用の表示装置の第１サブ画素と第２サブ画素との間のリーク電流を説明する断面図である。

【図6】図５に示す比較用の表示装置の第１サブ画素と第２サブ画素との間のリーク電流を説明する回路図である。

【図7】実施形態１に係る表示装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。

【図8】図７に示す機能層形成工程の一例を示すフローチャートである。

【図9】図８に示す発光層形成工程の一例を示すフローチャートである。

【図10】図９に示す第１発光層形成工程の一部の一例を示す断面図である。

【図11】図９に示す第１発光層形成工程における図１０の後の工程を、一部拡大して模式的に示す断面図である。

【図12】図９に示す第２発光層形成工程の一部の一例を示す断面図である。

【図13】図９に示す第２発光層形成工程における図１２の後の工程を、一部拡大して模式的に示す断面図である。

【図14】図９に示す第３発光層形成工程の一部の一例を示す断面図である。

【図15】図９に示す第３発光層形成工程における図１４の後の工程を、一部拡大して模式的に示す断面図である。

【図16】実施形態１の変形例に係る第３発光層形成工程の一部の他の一例を示す断面図である。

【図17】実施形態２に係る発光層形成工程の一部の工程の一例を示す断面図である。

【図18】実施形態２に係る発光層形成工程における図１７の後の工程を示す断面図である。

【図19】実施形態２に係る発光層形成工程における図１８の後の工程を、一部拡大して模式的に示す断面図である。

【図20】実施形態２の変形例２に係る発光層形成工程の一部の工程を、一部拡大して模式的に示す断面図である。

【図21】実施形態２の変形例３に係る発光層形成工程の一部の工程を、一部拡大して模式的に示す断面図である。

【図22】実施形態２の変形例４に係る発光層形成工程の一例を示すフローチャートである。

【図23】実施形態３に係る表示装置の画素領域におけるサブ画素の概略構成の一例を示す平面図である。

【図24】実施形態４に係る表示装置の画素領域におけるサブ画素の概略構成の一例を示す平面図である。

【図25】実施形態５に係る表示装置の画素領域におけるサブ画素の概略構成の一例を示す平面図である。

【図26】実施形態６に係る表示装置の画素領域におけるサブ画素の概略構成の一例を示す平面図である。

【図27】自サブ画素内における、サブ画素端からの距離と、自サブ画素に隣り合うサブ画素の駆動による自サブ画素の電圧上昇量と、自サブ画素の発光閾値電圧上昇量との関係を示すグラフである。

【図28】実施形態７に係る表示装置の要部の概略構成の一例を示す断面図である。

【図29】実施形態８に係る発光層形成工程の一部の工程の一例を示す断面図である。

【図30】実施形態８に係る発光層形成工程の一部の工程の他の一例を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

以下に、本開示の実施形態について詳細に説明する。なお、以下の各実施形態では、先に説明した部材と同じ機能を有する部材については同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。また、実施形態２以降の実施形態では、先に説明した実施形態との相異点について説明する。なお、特に説明がない場合でも、実施形態２以降の実施形態において、先に説明した実施形態と同様の変形が可能であることは、言うまでもない。また、以下、２つの数ＡおよびＢについての「Ａ～Ｂ」という記載は、特に明示されない限り、「Ａ以上かつＢ以下」を意味するものとする。

【0012】

〔実施形態１〕
図１は、本実施形態に係る表示装置１の要部の概略構成の一例を示す平面図である。

【0013】

図１に示すように、表示装置１は、複数のサブ画素ＳＰを有する画素Ｐが複数設けられた画素領域ＤＡと、該画素領域ＤＡを取り囲むように該画素領域ＤＡの周囲に設けられた額縁領域ＮＤＡと、を備えている。

【0014】

額縁領域ＮＤＡには、各サブ画素ＳＰを駆動するための信号が入力される端子部ＴＳが設けられている。なお、端子部ＴＳには、例えば、ＩＣ（集積回路）チップ、ＦＰＣ（フレキシブル印刷回路基板）等の、図示しない電子回路基板が設けられていてよい。

【0015】

画素領域ＤＡには、一例として、複数のゲート配線ＧＨ、複数の発光制御線ＥＭ、および複数の初期化電位線ＩＬを含む複数の配線が、行方向に伸びるように延設されている。また、表示部ＤＡには、一例として、複数の電源線ＰＬおよび複数のソース配線ＳＨを含む複数の配線が、列方向に伸びるように延設されている。サブ画素ＳＰは、これらゲート配線ＧＨとソース配線ＳＨとの交差部にそれぞれ対応するように、例えばマトリクス状に複数設けられている。

【0016】

図２は、図１に示す表示装置１の画素領域ＤＡにおけるサブ画素ＳＰの概略構成の一例を示す平面図である。なお、図２では、図示の便宜上、サブ画素ＳＰの数を省略して示している。

【0017】

図１および図２に示すように、表示装置１は、サブ画素ＳＰとして、発光色が異なるサブ画素ＳＰを含んでいる。具体的には、表示装置１は、サブ画素ＳＰとして、例えば、赤色のサブ画素ＲＳＰ（赤色サブ画素）と、緑色のサブ画素ＧＳＰ（緑色サブ画素）と、青色のサブ画素ＢＳＰ（青色サブ画素）とを有している。

【0018】

サブ画素ＲＳＰは赤色（Ｒ）発光し、サブ画素ＧＳＰは緑色（Ｇ）発光し、サブ画素ＢＳＰは青色（Ｂ）発光する。本実施形態では、これらサブ画素ＲＳＰ、サブ画素ＧＳＰ、サブ画素ＢＳＰを特に区別する必要がない場合、これらを総称して単に「サブ画素ＳＰ」と称する。

【0019】

また、画素領域ＤＡに設けられた複数のサブ画素ＳＰは、発光色が同じサブ画素ＳＰを複数含んでいてもよい。以下では、図１および図２に示すように、表示装置１が、ＲＧＢの３つの異なる色を呈する３つの各色のサブ画素ＳＰで構成された画素Ｐを複数備え、これら複数の画素Ｐが、画素領域ＤＡにマトリクス状に設けられている場合を例に挙げて説明する。また、以下では、図１および図２に示すように、ＲＧＢの各色のサブ画素ＳＰが、ゲート配線ＧＨの延伸方向に、この順に繰り返し並べて配列されるとともに、ソース配線ＳＨの延伸方向に沿って、色毎に複数並べて配列されている場合を例に挙げて説明する。但し、上記例示は一例であり、表示装置１は、ＲＧＢ以外のサブ画素ＳＰを備えていてもよい。また、サブ画素ＳＰの配列も上記配列に限定されない。また、以下では、サブ画素ＳＰが何れも矩形状に形成されている場合を例に挙げて説明する。しかしながら、上記形状は一例であって、サブ画素ＳＰの形状（外形）は、上記形状に限定されるものではない。

【0020】

図３は、本実施形態に係る表示装置１の要部の概略構成の一例を示す断面図である。なお、図３は、図２に示すＡ－Ａ’線断面に相当する。

【0021】

図１に示すように、表示装置１は、基板２と、発光素子層３とを、下層側からこの順に備えている。なお、発光素子層３の上層には、発光素子層３への、水分、酸素、製造工程中に発生するダスト等の余分な有機物、等の異物の侵入を防止するために、発光素子層３を覆う、図示しない封止層が設けられていてもよい。また、封止層の上層には、必要に応じて、例えば、光学補償機能、タッチセンサ機能、および保護機能のうち少なくとも１つの機能を有する機能フィルム、タッチパネル、偏光板等を備えていてもよい。

【0022】

なお、「下層」とは、比較対象の層よりも先のプロセスで形成されていることを意味し、「上層」とは比較対象の層よりも後のプロセスで形成されていることを意味する。

【0023】

基板２は、アレイ基板である。基板２は、支持基板上に、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）層が設けられた構成を有している。支持基板は、該支持基板上に設けられる各層を支持する支持体である。支持基板には、絶縁性基板が使用される。該支持基板は、例えば、ガラス等の無機材料からなる非可撓性基板であってもよく、樹脂を主成分とする可撓性基板であってもよい。表示装置１がトップエミッション型の表示装置である場合、使用する支持基板は特に限定されない。一方、表示装置１がボトムエミッション型の表示装置である場合、支持基板としては、透明または半透明の透光性基板が用いられる。

【0024】

ＴＦＴ層には、サブ画素ＳＰ毎に設けられたサブ画素回路、および、これらサブ画素回路に接続された、ゲート配線ＧＨおよびソース配線ＳＨ等を含む複数の配線が形成されている。サブ画素回路は、後述する発光素子ＥＳを駆動する、複数のＴＦＴを備えている。これらＴＦＴは、ゲート配線ＧＨおよびソース配線ＳＨ等の配線を含む複数の配線に電気的に接続されている。これらＴＦＴとしては、公知の各種ＴＦＴを採用することができる。これらＴＦＴおよび配線は、これらＴＦＴおよび配線による凹凸を平坦化する平坦化膜で覆われており、該平坦化膜によって、ＴＦＴ層の表面が平坦化されている。上記平坦化膜には、アクリル樹脂等の有機絶縁膜が用いられる。

【0025】

発光素子層３は、サブ画素ＳＰ毎に設けられた複数の発光素子ＥＳを備え、基板２上に、これら発光素子ＥＳの各層が積層された構造を有している。サブ画素ＲＳＰには、発光素子ＥＳとして、赤色発光する、赤色の発光素子ＲＥＳ（赤色発光素子）が設けられている。サブ画素ＧＰＧには、発光素子ＥＳとして、緑色発光する、緑色の発光素子ＧＥＳ（緑色発光素子）が設けられている。サブ画素ＢＳＰには、発光素子ＥＳとして、青色発光する、青色の発光素子ＢＥＳ（青色発光素子）が設けられている。なお、本実施形態では、これら発光素子ＲＥＳ、発光素子ＧＥＳ、発光素子ＢＥＳを特に区別する必要がない場合、これらを総称して単に「発光素子ＥＳ」と称する。

【0026】

発光素子層３は、パターン化された複数の第１電極と、第２電極と、これら第１電極と第２電極との間に設けられた、少なくとも発光層を含む機能層と、各第１電極のエッジを覆う絶縁性のバンクと、を備えている。

【0027】

第１電極は、基板２上に、発光素子ＥＳ毎（言い替えれば、サブ画素ＳＰ毎）に島状に設けられた下層電極（サブ画素電極）である。第２電極は、上記機能層およびバンクを介して、下層電極よりも上層に、全発光素子ＥＳ（言い替えれば全サブ画素ＳＰ）に共通に設けられた、上層電極（共通電極）である。

【0028】

本実施形態では、第１電極と第２電極との間の層を総称して機能層と称する。表示装置１は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層等の、発光層以外の機能層をさらに含んでいてもよい。なお、以下では、発光層を「ＥＭＬ」と称する場合がある。また、正孔注入層を「ＨＩＬ」と称し、正孔輸送層を「ＨＴＬ」と称する。また、電子注入層を「ＥＩＬ」と称し、電子輸送層を「ＥＴＬ」と称する。

【0029】

第１電極および第２電極は、一方が陽極３１であり、他方が陰極３４である。第１電極は、それぞれ、基板２のＴＦＴと電気的に接続されている。

【0030】

図３では、一例として、第1電極が陽極３１であり、第２電極が陰極３４であり、表示装置１が、各サブ画素ＳＰにおいて、陽極３１、機能層３３、陰極３４を、下層側からこの順に備えている場合を例に挙げて図示している。また、図３では、各サブ画素ＳＰにおいて、機能層３３が、ＨＩＬ４１、ＨＴＬ４２、ＥＭＬ４３、ＥＴＬ４４を、下層側からこの順に備えている場合を例に挙げて図示している。

【0031】

但し、本実施形態は、これに限定されるものではない。例えば、表示装置１は、各サブ画素ＳＰにおいて、陰極３４、機能層３３、陽極３１を、下層側からこの順に備えていてもよい。このように、第1電極が陰極３４であり、第２電極が陽極３１である場合、機能層３３の積層順が、図３とは逆順になる。また、機能層３３は、ＨＩＬ４１、ＨＴＬ４２、ＥＭＬ４３、およびＥＴＬ４４以外の機能層を含んでいてもよい。

【0032】

陽極３１は、導電性材料からなり、電圧が印加されることにより、正孔（ホール）をＥＭＬ４３に供給する電極である。陰極３４は、導電性材料からなり、電圧が印加されることにより、電子をＥＭＬ４３に供給する電極である。

【0033】

これら陽極３１および陰極３４のうち、光の取出し面側となる電極は透光性を有している必要がある。このため、陽極３１および陰極３４の少なくとも一方は、透光性を有している。

【0034】

例えば、表示装置１が、封止層側から光を放射するトップエミッション型の表示装置である場合、上層側の陰極３４に透光性電極が使用され、下層側の陽極３１に、光反射性を有する、いわゆる反射電極が使用される。一方、表示装置１が、基板２側から光を放射するボトムエミッション型の表示装置である場合、上層側の陰極３４に不透明電極または反射電極が使用され、下層側の陽極３１に透光性電極が使用される。

【0035】

透光性電極は、例えば、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）、ＡｇＮＷ（銀ナノワイヤ）、ＭｇＡｇ（マグネシウム－銀）合金の薄膜、Ａｇ（銀）の薄膜等の、導電性の透光性材料で形成される。

【0036】

一方、反射電極は、例えば、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｕ（銅）等の金属、それら金属を含む合金等の、導電性の光反射性材料で形成される。なお、上記透光性材料と上記光反射性材料とを積層することで反射電極としてもよい。

【0037】

バンク３２は、可視光吸収性または遮光性を有する絶縁層である。バンク３２は、第１電極のエッジを覆うエッジカバーとして用いられ、第１電極のパターン端部で機能層３３が薄くなったり電界集中が起こったりすることで第１電極と第２電極とが短絡することを防止する。また、バンク３２は、各サブ画素ＳＰを分離するサブ画素分離膜としても機能する。第１電極と、機能層３３のうち少なくともＥＭＬ４３とは、バンク３２によって、サブ画素ＳＰ毎に島状に分離（パターン形成）されている。これにより、発光素子層３には、陽極３１、機能層３３、および陰極３４を含む発光素子ＥＳが、サブ画素ＳＰに対応してそれぞれ設けられている。

【0038】

バンク３２の材料としては、例えば、カーボンブラック等の光吸収剤が添加された感光性樹脂が挙げられる。上記感光性樹脂としては、ポリイミド、アクリル樹脂等の、感光性を有する有機絶縁材料が挙げられる。

【0039】

バンク３２は、断面視でテーパ状の断面を有している。言い換えれば、バンク３２には、開口サイズ（直径）が下側ほど小さくなる、断面視で逆テーパ状の開口部を有している。バンク３２の傾斜面（言い換えれば、傾斜した開口側壁）と、該バンク３２の下面（底面）とがなす角度（傾斜角度）をθ（°）とすると、θは、１０°≦θ≦９０°であることが好ましく、３０°≦θ≦８０°であることがより好ましい。これにより、バンク３２の製造不良を低下しつつ、上層の段切れを防止することができる。

【0040】

ＨＩＬ４１は、正孔輸送性を有し、陽極３１からＨＴＬ４２もしくはＥＭＬ４３への正孔の注入を促進する層である。ＨＩＬ４１には、公知の正孔輸送性材料を用いることができる。ＨＩＬ４１に用いられる正孔輸送性材料としては、例えば、ポリ(３，４－エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）との複合物（略称「ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ」）、ＮｉＯ（酸化ニッケル）、ＣｕＳＣＮ（チオシアン酸銅）等が挙げられる。なお、これら正孔輸送性材料は、一種類のみを用いてもよく、適宜二種類以上を混合して用いてもよい。

【0041】

ＨＴＬ４２は、正孔輸送性を有し、ＨＩＬ４１から注入された正孔をＥＭＬ４３に輸送する層である。ＨＴＬ４２には、公知の正孔輸送性材料を用いることができる。ＨＴＬ４２に用いられる正孔輸送性材料としては、例えば、ポリ［（９，９－ジオクチルフルオレニル－２，７－ジイル）－ｃｏ－（４，４’－（Ｎ－４－ｓｅｃ－ブチルフェニル））ジフェニルアミン）］（略称「ＴＦＢ」）、ポリ［Ｎ，Ｎ’－ビス（４－ブチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フェニル）－ベンジジン］（略称「ｐ－ＴＰＤ」）、ポリビニルカルバゾール（略称「ＰＶＫ」）等が挙げられる。これら正孔輸送性材料も、一種類のみを用いてもよく、適宜二種類以上を混合して用いてもよい。

【0042】

ＥＴＬ４４は、電子輸送性を有し、陰極３４からＥＭＬ４３に電子を輸送する層である。ＥＴＬ４４には、公知の電子輸送性材料を用いることができる。ＥＴＬ４４に用いられる電子輸送性材料としては、例えば、ＺｎＯ（酸化亜鉛）、ＭｇＺｎＯ（酸化亜鉛マグネシウム）等が挙げられる。これら電子輸送性材料は、一種類のみを用いてもよく、適宜二種類以上を混合して用いてもよい。

【0043】

ＥＭＬ４３は、陽極３１から輸送された正孔と、陰極３４から輸送された電子との再結合が発生することにより、光を発する層である。

【0044】

発光素子ＲＥＳは、ＥＭＬ４３として、赤色光を発する島状のＥＭＬ４３Ｒ（赤色ＥＭＬ）を備えている。発光素子ＧＥＳは、ＥＭＬ４３として、緑色光を発する島状のＥＭＬ４３Ｇ（緑色ＥＭＬ）を備えている。発光素子ＢＥＳは、ＥＭＬ４３として、青色光を発する島状のＥＭＬ４３Ｂ（青色ＥＭＬ）を備えている。本実施形態では、これらＥＭＬ４３Ｒ、ＥＭＬ４３Ｇ、ＥＭＬ４３Ｂを特に区別する必要がない場合、これらを総称して単に「ＥＭＬ４３」と称する。

【0045】

なお、上記青色光とは、例えば、４００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の波長帯域に発光ピーク波長（発光中心波長）を有する光である。また、上記緑色光とは、例えば、５００ｎｍを超えて、６００ｎｍ以下の波長帯域に発光ピーク波長を有する光である。また、上記赤色光とは、６００ｎｍを超得て、７８０ｎｍ以下の波長帯域に発光ピーク波長を有する光である。

【0046】

図４は、本実施形態に係る表示装置１の一例に係る各色のＥＭＬ４３の一部を拡大して模式的に示す断面図である。

【0047】

本実施形態に係る発光素子ＥＳは、量子ドット発光ダイオード（ＱＬＥＤ）である。したがって、図４に示すように、ＥＭＬ４３は、発光材料として、発光色に応じたナノサイズの量子ドット（以下、「ＱＤ」と記す）５１を含むＱＤ発光層である。

【0048】

ＥＭＬ４３Ｒは、赤色発光材料として、赤色光を発するＱＤ５１Ｒ（赤色ＱＤ）を備えている。ＥＭＬ４３Ｇは、緑色発光材料として、緑色光を発するＱＤ５１Ｇ（緑色ＱＤ）を備えている。ＥＭＬ４３Ｂは、青色発光材料として、青色光を発するＱＤ５１Ｂ（青色ＱＤ）を備えている。本実施形態では、これらＱＤ５１Ｒ、ＱＤ５１Ｇ、ＱＤ５１Ｂを特に区別する必要がない場合、これらを総称して単に「ＱＤ５１」と称する。

【0049】

本実施形態で用いられるＱＤ５１は、特に限定されるものではなく、公知の各種ＱＤを用いることができる。

【0050】

なお、本開示において、ＱＤとは、最大幅が１００ｎｍ以下のドットを意味する。ＱＤは、例えば蛍光を発し、そのサイズがナノオーダーのサイズであることから、蛍光ナノ粒子あるいはＱＤ蛍光体粒子と称される場合がある。また、ＱＤは、その組成が半導体材料由来であることから、半導体ナノ粒子と称される場合がある。また、ＱＤは、その構造が特定の結晶構造を有することからナノクリスタルと称される場合がある。

【0051】

ＱＤ５１の形状は、上記最大幅を満たす範囲であればよく、特に制約されず、球状の立体形状（円状の断面形状）に限定されるものではない。例えば、多角形状の断面形状、棒状の立体形状、枝状の立体形状、表面に凹凸を有す立体形状でもよく、または、それらの組合せでもよい。

【0052】

ＱＤ５１は、例えば、Ｃｄ（カドミウム）、Ｓ（硫黄）、Ｔｅ（テルル）、Ｓｅ（セレン）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｉｎ（インジウム）、Ｎ（窒素）、Ｐ（リン）、Ａｓ（ヒ素）、Ｓｂ（アンチモン）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｐｂ（鉛）、Ｓｉ（ケイ素）、Ｇｅ（ゲルマニウム）、Ｍｇ（マグネシウム）からなる群より選択される少なくとも一種の元素で構成されている半導体材料を含んでいてもよい。

【0053】

また、一例として、ＱＤ５１は、コアとシェルとを含むコアシェル構造を有していてもよく、コアシェル型またはコアマルチシェル型であってもよい。ＱＤ５１がシェルを含む場合、シェルは、コアの表面に設けられていればよい。シェルは、コア全体を覆っていることが望ましいが、シェルがコアを完全に覆っている必要はない。また、ＱＤ５１は、二成分コア型、三成分コア型、四成分コア型であってもよい。ＱＤ５１は、粒子の粒径、組成等によって、発光波長を種々変更することができる。

【0054】

図４に示すように、ＱＤ５１の表面近傍には、配位子として、多数のリガンドが配位している。なお、図４では、図示の便宜上、ＱＤ５１およびリガンドの数を省略して示している。

【0055】

ＱＤ５１の表面にリガンドを配位させることで、ＱＤ５１同士の凝集を抑制できるので、目的とする光学特性を発現させ易い。「リガンド」とは、配位する機能を有する化合物のことであり、リガンドとＱＤ５１とがともに含まれている場合は、リガンドの少なくとも一部がＱＤ５１に配位しているとみなす。また、「配位」とは、ＱＤ５１の表面にリガンドが吸着あるいはＱＤ５１の周辺に存在している（言い換えれば、リガンドがＱＤ５１の表面を修飾（表面修飾）している）ことを言う。そのため、上述したリガンドの説明のように、リガンドとＱＤ５１とがともに含まれている場合は、リガンドの少なくとも一部がＱＤ５１に配位しているとみなす。また、「吸着」とは、ＱＤ５１の表面において、リガンドの濃度が周囲よりも増加していることを示す。上記吸着は、ＱＤ５１とリガンドとの間に化学結合がある化学吸着であってもよいし、物理吸着あるいは静電吸着であってもよい。リガンドは、吸着によりＱＤ５１の表面に化学的な影響を与えていれば、配位結合、共通結合、イオン結合、水素結合等で結合していてもよいし、必ずしも結合していなくてもよい。上述したように、本実施形態では、ＱＤ５１の表面に配位している分子またはイオンだけでなく、配位可能だが配位していない分子またはイオンも含めて「リガンド」と称する。

【0056】

このようにＱＤ５１の表面には、それぞれリガンドが設けられている。このため、ＥＭＬ４３は、それぞれリガンドを含んでいる。各ＥＭＬ４３は、リガンドとして、有機リガンド５２と無機リガンド５３とを含んでいる。

【0057】

図２および図４に示すように、本実施形態に係るＥＭＬ４３Ｒは、単位体積当たりに含まれる無機リガンド５３Ｒの数が異なる、第１領域４３１Ｒと、第２領域４３２Ｒと、を含んでいる。同様に、本実施形態に係るＥＭＬ４３Ｇは、単位体積当たりに含まれる無機リガンド５３Ｇの数が異なる、第１領域４３１Ｇと、第２領域４３２Ｇと、を含んでいる。本実施形態に係るＥＭＬ４３Ｂは、単位体積当たりに含まれる無機リガンド５３Ｂの数が異なる、第１領域４３１Ｂと、第２領域４３２Ｂと、を含んでいる。

【0058】

第１領域４３１Ｒは、ＱＤ５１Ｒと、有機リガンド５２Ｒおよび無機リガンド５３Ｒのうち少なくとも無機リガンド５３Ｒと、を含み、単位体積当たりに含まれる無機リガンド５３Ｒの数が、第２領域４３２Ｒの上記単位体積当たりに含まれる無機リガンド５３Ｒの数よりも多い領域である。第２領域４３２Ｒは、ＱＤ５１Ｒと、有機リガンド５２Ｒおよび無機リガンド５３Ｒのうち少なくとも有機リガンド５２Ｒと、を含み、単位体積当たりに含まれる無機リガンド５３Ｒの数が、第１領域４３１Ｒの上記単位体積当たりに含まれる無機リガンド５３Ｒの数よりも少ない領域である。

【0059】

第１領域４３１Ｇは、ＱＤ５１Ｇと、有機リガンド５２Ｇおよび無機リガンド５３Ｇのうち少なくとも無機リガンド５３Ｇと、を含み、単位体積当たりに含まれる無機リガンド５３Ｇの数が、第２領域４３２Ｇの上記単位体積当たりに含まれる無機リガンド５３Ｇの数よりも多い領域である。第２領域４３２Ｇは、ＱＤ５１Ｇと、有機リガンド５２Ｇおよび無機リガンド５３Ｇのうち少なくとも有機リガンド５２Ｇと、を含み、単位体積当たりに含まれる無機リガンド５３Ｇの数が、第１領域４３１Ｇの単位体積当たりに含まれる無機リガンド５３Ｇの数よりも少ない領域である。

【0060】

第１領域４３１Ｂは、ＱＤ５１Ｂと、有機リガンド５２Ｂおよび無機リガンド５３Ｂのうち少なくとも無機リガンド５３Ｂと、を含み、単位体積当たりに含まれる無機リガンド５３Ｂの数が、第２領域４３２Ｂの単位体積当たりに含まれる無機リガンド５３Ｂの数よりも多い領域である。第２領域４３２Ｂは、ＱＤ５１Ｂと、有機リガンド５２Ｂおよび無機リガンド５３Ｂのうち少なくとも有機リガンド５２Ｂと、を含み、単位体積当たりに含まれる無機リガンド５３Ｂの数が、第１領域４３１Ｂの単位体積当たりに含まれる無機リガンド５３Ｂの数よりも少ない領域である。

【0061】

なお、図４は、一例として、第２領域４３２Ｒ、第２領域４３２Ｇ、および第２領域４３２Ｂが、何れも、無機リガンドを含んでいない場合を例に挙げて図示している。このように、第２領域４３２Ｒの単位体積当たりに含まれる無機リガンド５３Ｒの数とは、第２領域４３２Ｒの単位体積当たりに含まれる無機リガンド５３Ｒの数がゼロである場合を含む。同様に、第２領域４３２Ｇの単位体積当たりに含まれる無機リガンド５３Ｇの数とは、第２領域４３２Ｇの単位体積当たりに含まれる無機リガンド５３Ｇの数がゼロである場合を含む。また、第２領域４３２Ｂの単位体積当たりに含まれる無機リガンド５３Ｂの数とは、第２領域４３２Ｂの単位体積当たりに含まれる無機リガンド５３Ｂの数がゼロである場合を含む。

【0062】

また、図４は、一例として、第１領域４３１Ｒ、第１領域４３１Ｇ、および第１領域４３１Ｂが、何れも、リガンドとして、有機リガンド５２および無機リガンド５３を含んでいる場合を例に挙げて図示している。以下では、このように、第１領域４３１Ｒ、第１領域４３１Ｇ、および第１領域４３１Ｂが、何れも、リガンドとして、有機リガンド５２および無機リガンド５３の両方を含んでいる場合を例に挙げて説明する。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではなく、上述したように、第１領域４３１Ｒ、第１領域４３１Ｇ、および第１領域４３１Ｂは、ＱＤ５１と、有機リガンド５２および無機リガンド５３のうち少なくとも無機リガンド５３と、を含んでいればよい。

【0063】

本実施形態では、第１領域４３１Ｒと、第１領域４３１Ｇと、第１領域４３１Ｂと、を特に区別する必要がない場合、これらを総称して単に「第１領域４３１」と称する。同様に、本実施形態では、第２領域４３２Ｒと、第２領域４３２Ｇと、第２領域４３２Ｂと、を特に区別する必要がない場合、これらを総称して単に「第２領域４３２」と称する。

【0064】

また、本実施形態では、有機リガンド５２Ｒと、有機リガンド５２Ｇと、有機リガンド５２Ｂと、を特に区別する必要がない場合、これらを総称して、上述したように単に「有機リガンド５２」と称する。同様に、本実施形態では、無機リガンド５３Ｒと、無機リガンド５３Ｇと、無機リガンド５３Ｂと、を特に区別する必要がない場合、これらを総称して、上述したように単に「無機リガンド５３」と称する。有機リガンド５２Ｒと、有機リガンド５２Ｇと、有機リガンド５２Ｂとは、互いに同じリガンドであってもよく、異なるリガンドであってもよい。また、無機リガンド５３Ｒと、無機リガンド５３Ｇと、無機リガンド５３Ｂとは、互いに同じリガンドであってもよく、異なるリガンドであってもよい。

【0065】

有機リガンド５２としては、ＱＤ５１に配位可能な配位性官能基を少なくとも１つ有していればよく、公知の各種有機リガンドを用いることができる。

【0066】

上記配位性官能基としては、代表的には、例えば、チオール基、アミノ基、カルボキシ基、ホスホン基、およびホスフィン基からなる群より選ばれる少なくとも一種の官能基が挙げられる。

【0067】

上記有機リガンド５２としては、特に限定されるものではないが、代表的なものとして、例えば、アミン系、脂肪酸系、チオール系、ホスフィン系、ホスフィンオキシド系、アルコール系、等のリガンドが挙げられる。このような有機リガンドの一例としては、例えば、オレイルアミン、オレイン酸、ドデカンチオール、トリオクチルホスフィン、トリオクチルホスフィンオキシド、トリブチルホスフィンオキシド、オレイルアルコール、等が挙げられるが、特に限定されるものではない。

【0068】

なお、ＱＤは、商業的に入手が可能であり、市販のＱＤは、一般的に、有機リガンドを含むＱＤ分散液の状態で提供される。また、ＱＤは、任意の方法で合成することができる。ＱＤの合成には例えば湿式法が用いられ、ＱＤの表面に有機リガンドを配位させることでＱＤの粒径制御が行われる。なお、有機リガンドは、ＱＤ分散液中でのＱＤの分散性を向上させる分散剤として用いられるとともに、ＱＤの表面安定性の向上および保存安定性の向上にも使用される。

【0069】

このため、上記有機リガンド５２は、ＱＤ５１として合成もしくは商業的に入手したＱＤに配位している有機リガンドであってもよく、リガンド交換等により交換された、所望の有機リガンドであってもよい。

【0070】

一方、無機リガンドは、有機リガンドと比較して安定性が高く、ＱＤの表面を安定的に保護することができる。また、無機リガンドは、長い炭化水素鎖を有する有機リガンドよりもＱＤへの電流注入性に優れ、個々のＱＤ間のキャリア輸送が容易になる。

【0071】

本実施形態で用いられる無機リガンド５３は、特に限定されるものではなく、公知の各種無機リガンドを用いることができる。無機リガンド５３の一例としては、例えば、Ｆ^－、Ｃｌ^－、Ｂｒ^－、Ｉ^－、Ｓ^２－、Ｓｅ^２－、Ｔｅ^２－、ＨＳ^－、ＳｎＳ_４ ^４－、Ｓｎ_２Ｓ_６ ^４－等の無機陰イオンが挙げられる。これら無機陰イオンは、負に帯電していることから、リガンドとして、ＱＤ５１の正に帯電した表面に引き付けられる。

【0072】

上記無機陰イオンのなかでも、Ｆ^－、Ｃｌ^－、Ｂｒ^－、Ｉ^－、Ｓ^２－、Ｓｅ^２－、Ｔｅ^２－等の無機の単原子イオンからなる陰イオンの方が、無機の多原子イオンからなる陰イオンよりも安定性が高いことから好ましい。また、そのなかでも、Ｆ^－、Ｃｌ^－、Ｂｒ^－、Ｉ^－等の、ハロゲンリガンドと称される、ハロゲン原子のイオンが、安定性並びに電流注入性が高いことから、より好ましく、そのなかでも、Ｆ^－で示されるフッ化物イオン（フッ素原子のイオン）が、特に好ましい。Ｆ（フッ素）は、電気陰性度が特に大きく、ＱＤ５１から脱離し難いため、ＱＤ５１を強く保護することができる。

【0073】

図２に示すように、本実施形態に係るＥＭＬ４３は、何れも、第１領域４３１と、第２領域４３２とで構成されている。各サブ画素ＳＰにおいて、ＥＭＬ４３における、第２領域４３２以外の領域が、第１領域４３１である。

【0074】

本実施形態では、第２領域４３２が、第１領域４３１を枠状に取り囲んでいる。このため、各サブ画素ＳＰにおけるそれぞれのＥＭＬ４３の第１領域４３１は、各サブ画素ＳＰにおけるそれぞれのＥＭＬ４３の中央部を含む。なお、本実施形態において、「各サブ画素ＳＰにおけるそれぞれのＥＭＬ４３の中央部」とは、各サブ画素ＳＰにおけるそれぞれのＥＭＬ４３の重心点を示す。

【0075】

また、各サブ画素ＳＰにおけるそれぞれのＥＭＬ４３の第２領域４３２は、それぞれのＥＭＬ４３における、他のサブ画素ＳＰと隣り合う全ての端部を含む。したがって、本実施形態では、各サブ画素ＳＰにおけるそれぞれのＥＭＬ４３の第２領域４３２は、それぞれのＥＭＬ４３における、該ＥＭＬが設けられたサブ画素ＳＰと発光色が同じサブ画素ＳＰに隣り合う端部、および、該ＥＭＬが設けられたサブ画素ＳＰと発光色が異なるサブ画素ＳＰに隣り合う端部を、それぞれ含む。

【0076】

第１領域４３１は、各サブ画素ＳＰのＥＭＬ４３における、第２領域４３２に隣り合う他のサブ画素ＳＰの端部から、該ＥＭＬ４３における第１領域４３１の端部までの最短距離を、図３に示すようにΔａとすると、該Δａが、２．０μｍ以上、８．５μｍ以下の範囲内となるように設定される。

【0077】

つまり、本来発光させたい、発光対象のサブ画素ＳＰに隣り合うサブ画素ＳＰを自サブ画素ＳＰとすると、自サブ画素ＳＰに第１領域４３１と第２領域４３２とが設けられていない場合、自サブ画素ＳＰにおける、隣り合うサブ画素ＳＰの端部からΔａの距離の範囲内は、該自サブ画素ＳＰに隣り合う、発光対象のサブ画素ＳＰからのリーク電流によって、不本意に発光してしまう可能性がある。

【0078】

そこで、本実施形態では、自サブ画素ＳＰにおける、隣り合うサブ画素ＳＰの端部からΔａの位置を、自サブ画素ＳＰの第１領域４３１と第２領域４３２との境界位置とし、自サブ画素ＳＰにおいて、この境界位置を繋いだ境界線の内側の領域を、自サブ画素ＳＰの第１領域４３１とする。また、上記境界線の外側の領域を、自サブ画素ＳＰの第２領域４３２とする。なお、上記境界線の内側の領域とは、自サブ画素ＳＰの中央部を含む、自サブ画素ＳＰ内の２つの上記境界位置で挟まれた領域を示す。

【0079】

このように、本実施形態では、無機リガンド５３を含んでいても隣り合うサブ画素ＳＰからのリーク電流によってＱＤ５１が発光しない領域を、第１領域４３１とする。上述したように第１領域４３１では無機リガンド５３を含んでいても隣り合うサブ画素ＳＰからのリーク電流によってＱＤ５１が発光しないことから、単位体積当たりの無機リガンド５３の量を増加させることで、無機リガンド５３によるＱＤ５１の安定的な保護並びに電流注入性の向上を図ることができる。

【0080】

一方、第１領域４３１の外側の、他のサブ画素ＳＰに隣り合う端部を含む第２領域４３２では、単位体積当たりの無機リガンド５３の量を第１領域４３１よりも減らすことで、隣り合うサブ画素ＳＰからのリーク電流によるＱＤ５１の発光を抑制することができる。

【0081】

これにより、無機リガンド５３による発光効率の向上を図ることができる一方、隣り合うサブ画素ＳＰからのリーク電流による発光を抑制し、混色したり不鮮明な画像が形成されたりする等の光学的なクロストークの発生を抑えることができる。これにより、リーク電流によるサブ画素ＳＰの発光を低減し、高精細な映像を表示することができる。

【0082】

以下に、より詳しく説明する。図５は、図２および図３に示す表示装置１におけるＥＭＬ４３に第１領域４３１および第２領域４３２が設けられていない比較用の表示装置の第１サブ画素ＳＰ１と第２サブ画素ＳＰ２との間のリーク電流を説明する断面図である。

【0083】

なお、図５では、図３に示すＥＭＬ４３に第１領域４３１および第２領域４３２が設けられていない比較用の表示装置の断面構成を、簡易化して模式的に示している。図５で示す断面は、図２に示すＡ－Ａ’断面に相当する。また、図６は、図５に示す比較用の表示装置の第１サブ画素ＳＰ１と第２サブ画素ＳＰ２との間のリーク電流を説明する回路図である。図５および図６に示すように、第１サブ画素ＳＰ１には発光素子ＥＳ１が設けられており、第２サブ画素ＳＰ２には、発光素子ＥＳ２が設けられている。

【0084】

以下では、図５および図６に示すようにＥＭＬ４３に第１領域４３１および第２領域４３２が設けられていない場合の第１サブ画素ＳＰ１から第２サブ画素ＳＰ２に流れるリーク電流について論じる。

【0085】

以下では、各サブ画素ＳＰのサブ画素幅をａとし、各サブ画素ＳＰの奥行をｂとする。ａは、図５中、水平軸の１つであるＸ軸方向（行方向）におけるサブ画素ＳＰの幅を示し、ｂは、水平面においてＸ軸方向に直交するＹ軸方向（列方向）におけるサブ画素ＳＰの幅を示す。

【0086】

また、図５に示すように、第１サブ画素ＳＰ１からのリーク電流によって、第２サブ画素ＳＰ２が発光する位置までの、第１サブ画素ＳＰ１の端部からのＸ軸方向の幅を、Δａとする。つまり、この第１サブ画素ＳＰ１の端部からの距離Δａが、前記Δａとなる。

【0087】

そして、図６に示すように、第１サブ画素ＳＰ１の最大駆動電圧をＶｄとする。また、第２サブ画素ＳＰ２の発光閾値電圧をＶｔｈとし、リーク電流の電流密度をｊとする。また、ＨＩＬ４１の伝導率をσとし、ＨＩＬ４１の膜厚をｔとし、ＨＩＬ４１による抵抗をＲとすると、Ｒは、Ｒ＝Δａ／（σ×ｂ×ｔ）であり、第２サブ画素ＳＰ２にかかる電圧が発光閾値電圧Ｖｔｈと等しいとすると、Ｖｄ－ＲｊｂΔａ＝Ｖｔｈとなり、これを変形すると、次式（１）で示すようになる。

【0088】

Δａ＝√（（Ｖｄ－Ｖｔｈ）×σ×ｔ／ｊ）‥（１）
ここで、σ＝１０^－６～１０^－５Ｓ／ｃｍ、ｔ＝４０ｎｍとする。そして、第１サブ画素ＳＰ１と第２サブ画素ＳＰ２とが同色のサブ画素ＳＰであり、同色のサブ画素ＳＰ間で、Ｖｄ－Ｖｔｈ＝１Ｖ、ｊ＝０．１ｍＡ／ｃｍ^２とすると、同色のサブ画素ＳＰ間では、Δａ＝２．０～６．３μｍとなる。また、第１サブ画素ＳＰ１および第２サブ画素ＳＰ２のうち一方がサブ画素ＲＳＰであり、他方がサブ画素ＢＳＰであり、これらサブ画素ＲＳＰ－サブ画素ＢＳＰ間で、Ｖｄ－Ｖｔｈ＝１．８Ｖ、ｊ＝０．１ｍＡ／ｃｍ^２とすると、これらサブ画素ＲＳＰ－サブ画素ＢＳＰ間では、Δａ＝２．７～８．５μｍとなる。

【0089】

また、第１サブ画素ＳＰ１および第２サブ画素ＳＰ２のうち一方がサブ画素ＧＳＰであり、他方がサブ画素ＢＳＰであり、これらサブ画素ＧＳＰ－サブ画素ＢＳＰ間で、Ｖｄ－Ｖｔｈ＝１．５Ｖ、ｊ＝０．１ｍＡ／ｃｍ^２とすると、これらサブ画素ＧＳＰ－サブ画素ＢＳＰ間では、Δａ＝２．４～７．７μｍとなる。また、第１サブ画素ＳＰ１および第２サブ画素ＳＰ２のうち一方がサブ画素ＲＳＰであり、他方がサブ画素ＧＳＰであり、これらサブ画素ＲＳＰ－サブ画素ＧＳＰ間で、Ｖｄ－Ｖｔｈ＝１．３Ｖ、ｊ＝０．１ｍＡ／ｃｍ^２とすると、これらサブ画素ＲＳＰ－サブ画素ＧＳＰ間では、Δａ＝２．３～７．２μｍとなる。

【0090】

このため、自サブ画素ＳＰのＥＭＬ４３における、第２領域４３２に隣り合う他のサブ画素ＳＰの端部から、自サブ画素ＳＰの第１領域４３１の端部までの最短距離は、自サブ画素ＳＰの発光色と、自サブ画素ＳＰに隣り合うサブ画素ＳＰの発光色と、に応じて、前記Δａの範囲が上記Δａの範囲となるように設定されることが望ましい。これにより、リーク電流の低減に加え、用いる無機リガンド５３の量を必要最低限の量とすることができ、材料費を削減することができる。但し、上記Δａを、自サブ画素ＳＰの発光色と、自サブ画素ＳＰに隣り合うサブ画素ＳＰの発光色と、によらず同一とすることで、設計・製造が容易になる。

【0091】

次に、上記第１領域４３１における、有機リガンド５２と無機リガンド５３との合計数に占める無機リガンド５３の好ましい割合について説明する。

【0092】

無機リガンド５３は、有機リガンド５２に比べて安定性が高く、また、電流注入性に優れている。このため、上記第１領域４３１は、リガンドとして、前述したように、有機リガンド５２および無機リガンド５３のうち少なくとも無機リガンド５３を含んでいればよい。したがって、第１領域４３１における、有機リガンド５２と無機リガンド５３との合計数に占める無機リガンド５３の割合は、１００％であってもよい。言い換えれば、第１領域４３１は、有機リガンド５２および無機リガンド５３のうち無機リガンド５３のみを含んでいてもよい。なお、第１領域４３１がリガンドとして無機リガンド５３のみを含む場合については、後述する実施形態で説明する。しかしながら、ＱＤ５１同士の凝集を防ぐためには、第１領域４３１が、有機リガンド５２を含んでいることが望ましい。

【0093】

そこで、ＱＤ５１同士の凝集を防ぐ上で好ましい無機リガンド５３の最大割合を計算する。

【0094】

ＱＤ５１の粒径が例えば３ｎｍの場合、ＱＤを球体と想定するとＱＤ５１の粒径から計算したＱＤ５１の表面積は、２８ｎｍ^２となる。無機リガンド５３が例えばＦ^－である場合、該無機リガンド５３のリガンド径は、Ｆ^－のイオン半径の２倍で示されることから、０．２６ｎｍとなる。また、上記無機リガンド５３のリガンド径から、１個の無機リガンド５３が占める面積を計算すると、無機リガンド５３が例えばＦ^－である場合、０．０５ｎｍ^２となる。

【0095】

ＱＤ５１の１個当たりの無機リガンド５３の個数は、ＱＤ５１の表面積／１個の無機リガンド５３が占める面積で求めることができる。このため、本例の場合、ＱＤ５１の１個当たりの無機リガンド５３の個数は、５３３個となる。

【0096】

また、ＱＤ５１の１個当たりの有機リガンド５２の個数を考える。ＥＭＬ４３にＱＤ５１を最密充填した場合、１個のＱＤ５１につき、１２個のＱＤ５１が近接する。一般的に、有機リガンドは、熱や塗布工程等、環境要因で外れ易い。このため、ＱＤ５１同士の凝集を防ぐためには、近接するＱＤ５１の１個当たり、１０個程度の有機リガンド５２があることが望ましい。この場合、ＱＤ５１の１個当たりの有機リガンド５２の個数は、１２０個となる。

【0097】

このため、ＱＤ５１同士の凝集を防ぐ上で好ましい、有機リガンド５２と無機リガンド５３との合計数に占める無機リガンド５３の最大の割合（つまり、無機リガンド５３の個数／（無機リガンド５３の個数＋有機リガンド５２の個数）は、８２％となる。

【0098】

第１領域４３１では、無機リガンド５３の量が増えることで、ＱＤ５１に配位している有機リガンド５２の量が減り、電流注入し易くなる。一方、サブ画素周辺部に位置する第２領域４３２における、有機リガンド５２と無機リガンド５３との合計数に占める無機リガンド５３の割合を少なくする（言い換えれば、有機リガンド５２の割合を多くする）と、サブ画素周辺部のＱＤ５１にキャリアが注入され難くなる。このため、第１領域４３１となる、サブ画素中央部の発光閾値電圧をＶｔｈ１とし、第２領域４３２となる、サブ画素周辺部の発光閾値電圧をＶｔｈ２とすると、Ｖｔｈ２は、Ｖｔｈ１と比較して上昇する。

【0099】

実験結果によると、無機リガンド５３を添加しない場合（つまり、無機リガンド５３の割合が０％である場合）、発光閾値電圧Ｖｔｈ２が、無機リガンド５３を、上述した、無機リガンド５３の割合（８２％）まで添加した場合の発光閾値電圧Ｖｔｈ１と比較して、２Ｖ程度上昇した。

【0100】

有機リガンド５２と無機リガンド５３との合計数に占める無機リガンド５３の割合がｒのときの発光閾値電圧Ｖｔｈ２の上昇量Ｖ（ｒ）（発光閾値電圧上昇量）は、ＱＤ５１への電流注入のし難さ（ＱＤ５１の表面積に占める有機リガンド５２の割合）で決まる。なお、ここで、Ｖ（ｒ）＝Ｖｔｈ２－Ｖｔｈ１であり、上記Ｖ（ｒ）は、上記有機リガンド５２の割合に対して線形になる。このため、上記Ｖ（ｒ）は、上記ｒに対して線形となる。このため、Ｖ（ｒ）［単位：Ｖ］は、次式（２）で与えられる。

【0101】

Ｖ（ｒ）＝２．４４×（０．８２－ｒ）‥（２）
自サブ画素ＳＰに隣り合う、発光対象のサブ画素ＳＰの駆動により、自サブ画素ＳＰにおける上記サブ画素周辺部が発光しないためには、Ｖ（ｒ）が、１Ｖ以上であることが望ましい。ここで、１Ｖとは、各サブ画素ＳＰの最大駆動電圧をＶｄｍとし、各サブ画素ＳＰの発光閾値電圧をＶｔｈとしたときのＶｄｍとＶｔｈとの差を示し、具体的には、自サブ画素ＳＰに隣り合う、発光対象のサブ画素ＳＰの最大駆動電圧（Ｖｄｍ）と、自サブ画素ＳＰの発光閾値電圧（Ｖｔｈ）との差（Ｖｄｍ－Ｖｔｈ）を示す。

【0102】

なお、本実施形態において、発光閾値電圧とは、発光素子ＥＳにかける電圧を上げていった場合に、該発光素子ＥＳが発光を開始する電圧（例えば、該発光素子が１ｃｄ／ｍ^２で発光する際の電圧）を示す。ＨＴＬ４２およびＥＴＬ４４等の素子構造が最適化されており、理想的な場合、発光閾値電圧は、ＱＤ５１のバンドギャップ（Ｅｇ）を電圧換算した値となる。

【0103】

例えば、サブ画素ＲＳＰにおける発光ピーク波長（λ）が６２０ｎｍであり、Ｅｇ＝２．０ｅＶとすると、理想的な場合、サブ画素ＲＳＰの発光閾値電圧は、２．０Ｖとなる。また、サブ画素ＧＳＰにおける発光ピーク波長（λ）が５３０ｎｍであり、Ｅｇ＝２．３ｅＶとすると、理想的な場合、サブ画素ＧＳＰの発光閾値電圧は、２．３Ｖとなる。また、サブ画素ＢＳＰにおける発光ピーク波長（λ）が４５０ｎｍであり、Ｅｇ＝２．８ｅＶとすると、理想的な場合、サブ画素ＢＳＰの発光閾値電圧は、２．８Ｖとなる。

【0104】

有機リガンド５２の量が多い等、電流注入が阻害される場合には、発光閾値電圧が高くなり、高い電圧をかけないと、ＱＤ５１に電流注入ができず、発光しなくなる。

【0105】

また、最大駆動電圧とは、発光素子ＥＳを、表示装置仕様の最大輝度（例えば１００ｃｄ／ｍ^２）で発光させる場合の電圧であり、概ね、発光閾値電圧＋１Ｖとなる。このため、Ｖｄｍ－Ｖｔｈ＝１Ｖとなる。表示装置１における各発光素子ＥＳは、それぞれ、発光閾値電圧（Ｖｔｈ）以上、最大駆動電圧（Ｖｄｍ）以下の電圧で駆動される。

【0106】

リーク電流による発光は、自サブ画素ＳＰに隣り合う、発光対象のサブ画素ＳＰから漏れ出た最大駆動電圧（Ｖｄ）が自サブ画素ＳＰの発光閾値電圧（Ｖｔｈ）を超えてしまう場合、その超えてしまった差分の電圧に対する電流によって発生する。

【0107】

そこで、自サブ画素ＳＰに隣り合う、発光対象のサブ画素ＳＰの最大駆動電圧（Ｖｄｍ）と、自サブ画素ＳＰの発光閾値電圧（Ｖｔｈ）との差（Ｖｄｍ－Ｖｔｈ）から、自サブ画素ＳＰに隣り合う、発光対象のサブ画素ＳＰと、自サブ画素ＳＰとの間の電位差を求めて、該電位差とＨＩＬ４１の伝導率とから、リーク電流を見積もる。この電位差が、自サブ画素ＳＰの発光閾値電圧（Ｖｔｈ）を超える範囲の領域の無機リガンド５３の量（割合）を減らし、自サブ画素ＳＰの発光閾値電圧（Ｖｔｈ）を上昇させる。なお、ここで、上記電位差が自サブ画素ＳＰの発光閾値電圧（Ｖｔｈ）を超える範囲の領域とは、リーク電流の電流密度の値が０．１ｍＡ／ｃｍ^２を超える範囲の領域であり、自サブ画素ＳＰに隣り合うサブ画素ＳＰの端部を基点としたΔａの幅の領域を示す。

【0108】

なお、この場合の発光閾値電圧（Ｖｔｈ）は本開示を適用しない場合の値（つまり、自サブ画素ＳＰに均等に無機リガンド５３が含まれている場合の値）である。このため、上述した式（２）を用いて、本開示を用いた場合の発光閾値電圧（Ｖｔｈ）が無機リガンド５３の量の変化によって、本開示を適用しない場合の発光閾値電圧（Ｖｔｈ）よりいくら上昇するかを規定した。この発光閾値上昇量（Ｖ（ｒ））は、前述したように、少なくとも１Ｖ以上（すなわち、Ｖ（ｒ）≧１）であることが必要である。

【0109】

このためには、ｒ≦０．４１であることが望ましく、サブ画素周辺部のＥＭＬ４３の第２領域４３２における、有機リガンド５２と無機リガンド５３との合計数に占める無機リガンド５３の割合（ｒ）は、０％以上、４１％以下であることが望ましい。

【0110】

また、各色のサブ画素ＳＰにより、最大駆動電圧（Ｖｄｍ）が異なるので、この最大駆動電圧（Ｖｄ）の違いを考慮して上記発光閾値上昇量（Ｖ（ｒ））を規定することが望ましい。上述したように、隣り合うサブ画素ＳＰ間でのＱＤ５１のバンドギャップ（Ｅｇ）の差およびこれらバンドギャップ（Ｅｇ）を電圧換算した発光閾値電圧の差は、サブ画素ＲＳＰとサブ画素ＢＳＰとの間で最も大きくなる。したがって、上記発光閾値上昇量（Ｖ（ｒ））は、前記１Ｖに、サブ画素ＲＳＰとサブ画素ＢＳＰとにおける発光閾値電圧差（０．８Ｖ）による最大駆動電圧差０．８Ｖを考慮し、１．８Ｖ（つまり、１＋０．８Ｖ）以上（Ｖ（ｒ）≧１．８）であるとなお良い。それで、これらの条件を用いて、有機リガンド５２と無機リガンド５３との合計数に占める無機リガンド５３の割合（ｒ）を規定すると、ｒ≦０．０８２であることが望ましい。したがって、この場合、サブ画素周辺部のＥＭＬ４３の第２領域４３２における、有機リガンド５２と無機リガンド５３との合計数に占める無機リガンド５３の割合（ｒ）は、０％以上、８．２％以下であることが望ましい。

【0111】

したがって、サブ画素中央部のＥＭＬ４３の第１領域４３１における、有機リガンド５２と無機リガンド５３との合計数に占める無機リガンド５３の割合（ｒ）は、８．２％以上、１００％以下であることが好ましく、８．２％以上、８２％以下であることがより好ましい。また、上記第１領域４３１における、有機リガンド５２と無機リガンド５３との合計数に占める無機リガンド５３の割合（ｒ）は、４１％以上、８２％以下であることが、さらに好ましい。

【0112】

なお、上記第１領域４３１における上記無機リガンド５３の割合（ｒ）および上記第２領域４３２における上記無機リガンド５３の割合（ｒ）は、上述した範囲内において適宜設定（選択）することが可能である。但し、上記第１領域４３１と上記第２領域４３２とで、上記無機リガンド５３の割合（ｒ）が等しくなるか、または、上記第２領域４３２の方が上記第１領域４３１よりも上記無機リガンド５３の割合（ｒ）が大きくなるような組み合わせは除かれる。

【0113】

ＥＭＬ４３に上記第１領域４３１および上記第２領域４３２が形成されていることは、断面ＳＥＭ－ＥＤＸ（走査型電子顕微鏡－エネルギー分散型Ｘ線分光法）により、ＥＭＬ４３における上記無機リガンド５３の分布を調べることで確認することができる。また、上記第１領域４３１および上記第２領域４３２における上記無機リガンド５３の単位体積当たりの個数は、上記断面ＳＥＭ－ＥＤＸにより求めることができる。なお、ハロゲン等の無機リガンド５３は配位力が強いため、これらの無機リガンド５３がＥＭＬ４３中に存在すれば、該無機リガンド５３がＱＤ５１に配位しているとみなすことができる。

【0114】

本実施形態によれば、上述したようにＥＭＬ４３に上記第１領域４３１と上記第２領域４３２とを設けることで、無機リガンド５３による発光効率の向上と隣り合うサブ画素ＳＰからのリーク電流による発光の抑制とを両立することができるとともに、サブ画素ＳＰの間隔を狭くすることもできる。

【0115】

ＱＬＥＤ（ナノＬＥＤ）である上記発光素子ＥＳを表示装置１に用いる際にサブ画素ＳＰの間隔を狭くすることには大きな意義がある。例えば、サブ画素ＳＰの間隔を狭くすることで、同一面積の画素Ｐ内において、サブ画素ＳＰの面積を大きくすることができる。それにより、サブ画素ＳＰや画素Ｐの発光輝度が上昇し、より明るい表示装置１を実現できる。また、サブ画素ＳＰの面積を一定とし、表示装置１の画素数を一定とすると、サブ画素ＳＰの間隔を狭くすることによって表示装置１の面積を小さくすることができ、製造コストの低減、表示装置１の軽量化等を図ることができる。また、サブ画素ＳＰの面積を一定とし、表示装置１の面積を一定とすると、サブ画素ＳＰの間隔を狭くすることによって、表示装置１の画素数を増やすことが可能になり、映像の分解能の上昇等が見込まれる。

【0116】

しかし、サブ画素ＳＰの間隔を狭くすることにより上記のような利点がある一方で、隣り合うサブ画素ＳＰからのリーク電流による発光が問題となる。サブ画素ＳＰの不本意な発光が起こると、混色したり、不鮮明な画像が形成されたりする、光学的なクロストークが発生する。このようなクロストークは、表示装置の表示品位低下の原因となる。

【0117】

本実施形態によれば、上述したように、ＥＭＬ４３に、上述した第１領域４３１と第２領域４３２とを設けることで、サブ画素ＳＰの間隔を狭くしても、上述した光学的なクロストークが発生することを抑制することができる。したがって、本実施形態によれば、無機リガンド５３による発光効率の向上と、隣り合うサブ画素ＳＰからのリーク電流による発光の抑制と、を両立することができ、サブ画素ＳＰの間隔を、より狭くすることができるとともに、表示品位に優れた表示装置１を提供することができる。

【0118】

なお、上記表示装置１は、例えば、第１サブ画素（例えばサブ画素ＲＳＰ）と、第１サブ画素と第１方向（例えば横方向、行方向）に隣り合う第２サブ画素（例えばサブ画素ＧＳＰ）とを備え、第１サブ画素は、アノード（陽極３１）およびカソード（陰極３４）と、これらの間に位置し、ＱＤ５１および無機リガンド５３（例えば、ハロゲンリガンド）を含む第１発光層（例えばＥＭＬ４３Ｒ）を含み、該第１発光層は、上記第１方向に並ぶ、第１端部（例えば第２領域４３２Ｒのうち縦方向（列方向）に伸びる右側部）、中央部（例えば第１領域４３１Ｒの少なくとも一部）および第２端部（例えば第２領域４３２Ｒのうち縦方向に伸びる左側部）を含み、上記第１端部の単位体積当たりの無機リガンド５３の数が、上記中央部の単位体積当たりの無機リガンド５３の数よりも少ない構成であってもよい。また、上記第２サブ画素（例えばサブ画素ＧＳＰ）は、上記第１端部に隣接し、上記第１サブ画素（例えばサブ画素ＲＳＰ）とは異なる色（例えば、赤色発光の第１サブ画素よりも短波長域である緑の波長域）で発光する構成であってもよい。

【0119】

（表示装置１の製造方法）
次に、本実施形態にかかる表示装置１の製造方法について、図３に示す表示装置１の製造方法を例に挙げて以下に説明する。

【0120】

図７は、本実施形態に係る表示装置１の製造方法の一例を示すフローチャートである。

【0121】

図７に示すように、本実施形態では、まず、基板２を形成する（ステップＳ１、基板形成工程）。次いで、第１電極として図３に示すように例えば陽極３１を形成する（ステップＳ２、第１電極形成工程）。次いで、バンク３２を形成する（ステップＳ３、バンク形成工程）。次いで、機能層３３を形成する（ステップＳ４、機能層形成工程）。次いで、第２電極として図３に示すように例えば陰極３４を形成する（ステップＳ５、第２電極形成工程）。

【0122】

ステップＳ１において、基板２の形成は、表示装置１の各サブ画素ＳＰを形成する位置に合わせて、支持基板にＴＦＴを形成することにより実行されてもよい。

【0123】

第１電極は、サブ画素ＳＰ毎に島状に形成される。このため、ステップＳ２において、第１電極は、表示装置１の各サブ画素ＳＰを形成する位置に合わせて島状に形成される。第１電極は、前記導電性材料を、全サブ画素ＳＰにベタ状に成膜した後、該導電性材料からなる膜を、フォトリソグラフィによりサブ画素ＳＰ毎に島状にパターニングすることで形成してもよい。また、前記導電性材料からなる膜をサブ画素ＳＰ毎に島状にパターン形成することで第１電極を形成してもよい。

【0124】

一方、第２電極は、共通電極であり、ステップＳ５において、前記導電性材料を、全サブ画素ＳＰに共通してベタ状に成膜することで形成される。

【0125】

なお、ステップＳ２およびステップＳ５において、前記導電性材料の成膜には、例えば、スパッタリング法や真空蒸着法等の物理的気相成長法（ＰＶＤ）、スピンコート法、またはインクジェット法等を用いることができる。

【0126】

ステップＳ３において、バンク３２は、例えば、光吸収剤が添加された前記感光性樹脂を、基板２および第１電極上に塗布した後、フォトリソグラフィによりパターニングすることで、所望の形状に形成することができる。

【0127】

図８は、上記機能層形成工程（ステップＳ４）の一例を示すフローチャートである。

【0128】

上述したように第１電極が例えば陽極３１である場合、機能層形成工程（ステップＳ４）では、図８に示すように、まず、第１電流注入層として、ＨＩＬ４１を形成する（ステップＳ１１、正孔注入層形成工程）。次いで、第１キャリア輸送層として、ＨＴＬ４２を形成する（ステップＳ１２、正孔輸送層形成工程）。次いで、各色のＥＭＬ４３を形成する（ステップＳ１３、発光層形成工程）。次いで、第２キャリア輸送層として、ＥＴＬ４４を形成する（ステップＳ１４、電子輸送層形成工程）。

【0129】

ステップＳ１１において、ＨＩＬ４１が有機材料からなる場合、該ＨＩＬ４１の成膜には、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、またはインクジェット法等が好適に用いられる。一方、ＨＩＬ４１が無機材料からなる場合、該ＨＩＬ４１の成膜には、例えば、スパッタリング法や真空蒸着法等のＰＶＤ、スピンコート法、またはインクジェット法等が好適に用いられる。

【0130】

ステップＳ１２におけるＨＴＬ４２の成膜並びにステップＳ１４におけるＥＴＬ４４の成膜には、ステップＳ１１で例示した方法と同様の方法が用いられる。つまり、ＨＴＬ４２の成膜あるいはＥＴＬ４４の成膜に用いられる成膜材料が有機材料である場合、該有機材料の成膜には、例えば、スパッタリング法や真空蒸着法等のＰＶＤ、スピンコート法、またはインクジェット法等が好適に用いられる。また、ＥＴＬ４４が有機材料からなる場合、該ＥＴＬ４４の成膜には、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、またはインクジェット法等が好適に用いられる。

【0131】

なお、上記工程順は、上述したように第１電極が例えば陽極３１である場合のものであり、前述したように第１電極が陰極３４である場合、図８とは工程順が逆転する。また、ＥＴＬ４４の形成工程と、陰極３４の形成工程との間には、電子注入層（ＥＩＬ）を形成する工程を含んでいてもよい。

【0132】

図９は、上記発光層形成工程（ステップＳ１３）の一例を示すフローチャートである。

【0133】

発光層形成工程（ステップＳ１３）では、図９に示すように、まず、第１サブ画素としてのサブ画素ＳＰに、第１発光層としてのＥＭＬ４３を形成する（ステップＳ２１、第１発光層形成工程）。次いで、第２サブ画素としてのサブ画素ＳＰに、第２発光層としてのＥＭＬ４３を形成する（ステップＳ２２、第２発光層形成工程）。次いで、第３サブ画素としてのサブ画素ＳＰに、第３発光層としてのＥＭＬ４３を形成する（ステップＳ２３、第３発光層形成工程）。

【0134】

なお、第１発光層は、ＱＤ５１として第１ＱＤを含み、有機リガンド５２として第１有機リガンドを含み、無機リガンド５３として第１無機リガンドを含む。第２発光層は、ＱＤ５１として第２ＱＤを含み、有機リガンド５２として第２有機リガンドを含み、無機リガンド５３として第２無機リガンドを含む。第３発光層は、ＱＤ５１として第３ＱＤを含み、有機リガンド５２として第３有機リガンドを含み、無機リガンド５３として第３無機リガンドを含む。

【0135】

以下に、第１発光層がＥＭＬ４３Ｒであり、第２発光層がＥＭＬ４３Ｇであり、第３発光層がＥＭＬ４３Ｂである場合を例に挙げて、ステップＳ１３の発光層形成工程について、図１０～図１５を参照して、より詳細に説明する。

【0136】

但し、本実施形態は、以下の例示にのみ限定されるものではない。ＥＭＬ４３Ｒ、ＥＭＬ４３ＧおよびＥＭＬ４３Ｂの形成順は、特に限定されるものではなく、これらＥＭＬ４３Ｒ、ＥＭＬ４３ＧおよびＥＭＬ４３Ｂの形成順は、互いに入れ替えることができる。したがって、第１発光層は、ＥＭＬ４３ＧまたはＥＭＬ４３Ｂであってもよい。同様に、第２発光層は、ＥＭＬ４３ＲまたはＥＭＬ４３Ｂであってもよい。また、第３発光層は、ＥＭＬ４３ＲまたはＥＭＬ４３Ｇであってもよい。

【0137】

図１０は、上記第１発光層形成工程（ステップＳ２１）の一部の一例を示す断面図である。

【0138】

第１発光層形成工程では、まず、各色のＥＭＬ４３を支持する下地層となる例えばＨＴＬ４２上に、複数のサブ画素ＳＰ全体（つまり、画素領域ＤＡ全体）を覆う第１レジストを塗布する。これにより、上記ＨＴＬ４２上に、ベタ状の第１レジスト層ＲＬ１を形成する（ステップＳ３１、第１レジスト層形成工程）。

【0139】

なお、第１レジスト層ＲＬ１の層厚は、特に限定されるものではないが、例えば、１μｍ～２μｍの厚みとすればよい。

【0140】

次に、第１レジスト層ＲＬ１における、赤色ＥＭＬ形成予定領域４３ＰＲに対応する部分を露光および現像する。これにより、第１発光層としてのＥＭＬ４３Ｒの形成予定領域に対応する部分の第１レジスト層ＲＬ１を除去して該第１レジスト層ＲＬ１をパターニングする（ステップＳ３２、第１レジスト層パターニング工程）。

【0141】

ここで、赤色ＥＭＬ形成予定領域４３ＰＲとは、下地層であるＨＴＬ４２上における、ＥＭＬ４３Ｒの形成予定領域（第１発光層形成予定領域）を示す。

【0142】

上記第１レジスト層パターニング工程（ステップＳ３２）は、上述したように、第１レジスト層ＲＬ１における、赤色ＥＭＬ形成予定領域４３ＰＲに対応する部分を露光する第１レジスト層露光工程（ステップＳ４１）と、第１レジスト層ＲＬ１を現像液で現像する第１レジスト層現像工程（ステップＳ４２）と、を含んでいる。

【0143】

上記第１レジスト層パターニング工程では、まず、マスクＭ１を用いて、上記第１レジスト層ＲＬ１における、赤色ＥＭＬ形成予定領域４３ＰＲに対応する部分を露光する（ステップＳ４１、第１レジスト層露光工程）。

【0144】

図１０では、第１レジストに、ポジ型のフォトレジストを用いた場合を例に挙げて図示している。ポジ型のフォトレジストは、紫外線（ＵＶ）等による露光により、現像液に対する溶解性が増大する。そこで、マスクＭ１には、第１レジスト層ＲＬ１における、赤色ＥＭＬ形成予定領域４３ＰＲに対応する部分を露出させるマスクを使用する。言い換えれば、マスクＭ１には、該マスクＭ１における、赤色ＥＭＬ形成予定領域４３ＰＲに対応する部分が透光性を有し、赤色ＥＭＬ形成予定領域４３ＰＲに対応する部分以外の部分が遮光性を有するように開口（光学開口）が設けられたマスクを使用する。

【0145】

なお、上記ステップＳ４１における、ＵＶ照射強度等の光照射強度は、第１レジスト層ＲＬ１における赤色ＥＭＬ形成予定領域４３ＰＲに対応する部分が現像により除去されるように第１レジスト層ＲＬ１の層厚等に応じて適宜設定すればよく、特に限定されるものではない。

【0146】

次いで、第１レジスト層ＲＬ１を、現像液で現像する（ステップＳ４２、第１レジスト層現像工程）。これにより、第１レジスト層ＲＬ１における露光部分が除去され、ＨＴＬ４２上における、赤色ＥＭＬ形成予定領域４３ＰＲ以外の部分にのみ、第１レジスト層ＲＬ１からなる第１レジストパターンＲＰ１が形成される。

【0147】

上記現像液としては、例えば、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ)水溶液等の、アルカリ性の水系の現像液（アルカリ性水溶液）が用いられる。

【0148】

上記現像液の濃度は、第１レジスト層ＲＬ１における赤色ＥＭＬ形成予定領域４３ＰＲに対応する部分が現像により除去されるように第１レジスト層ＲＬ１の層厚、並びに現像液の種類等に応じて適宜設定すればよく、特に限定されるものではない。

【0149】

なお、図１０では、上述したように、第１レジスト層ＲＬ１に、ポジ型のフォトレジストを用いた場合を例に挙げて図示した。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではなく、ポジ型のフォトレジストに代えて、ネガ型のフォトレジストを用いてもよい。ネガ型のフォトレジストは、露光により、現像液に対する溶解性が低下する。このため、この場合、第１レジスト層ＲＬ１の露光に用いられるマスクＭ１としては、第１レジスト層ＲＬ１における、赤色ＥＭＬ形成予定領域４３ＰＲ以外の部分を露出させるマスクを用いればよい。

【0150】

このように、第１レジスト層ＲＬ１における、第１発光層の形成予定領域に対応する部分を露光および現像することで、第１発光層の形成予定領域に対応する部分の第１レジスト層ＲＬ１を除去して該第１レジスト層ＲＬ１をパターニングすることができる。

【0151】

上記第１レジスト層パターニング工程後、続いて、第１ＱＤ含有層としての赤色ＱＤ含有層１４３Ｒを、複数のサブ画素ＳＰ全体（つまり、画素領域ＤＡ全体）を覆ってベタ状に形成する（ステップＳ３３、第１ＱＤ含有層形成工程）。赤色ＱＤ含有層１４３Ｒは、第１ＱＤとしてのＱＤ５１Ｒと、第１有機リガンドとしての有機リガンド５２Ｒおよび第１無機リガンドとしての無機リガンド５３Ｒのうち少なくとも有機リガンド５２Ｒと、を含む。

【0152】

次いで、第１レジスト層ＲＬ１からなる第１レジストパターンＲＰ１を、レジスト溶剤で剥離する。これにより、第１レジストパターンＲＰ１上の赤色ＱＤ含有層１４３Ｒをリフトオフして、赤色ＥＭＬ形成予定領域４３ＰＲ以外の赤色ＱＤ含有層１４３Ｒを除去する（ステップＳ３４、第１ＱＤ含有層パターニング工程）。

【0153】

上記ステップＳ３１～Ｓ３４を行うことで、赤色ＥＭＬ形成予定領域４３ＰＲに、赤色ＱＤ含有層１４３Ｒからなる、第１ＱＤ含有層パターンとしての赤色ＱＤ含有層パターン１４３ＰＲが形成される。

【0154】

上記レジスト溶剤には、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）等の公知のレジスト溶剤を用いることができる。

【0155】

図１１は、上記第１発光層形成工程（ステップＳ２１）における図１０の後の工程を、一部拡大して模式的に示す断面図である。なお、図１１では、図示の便宜上、ＱＤ５１Ｒおよびリガンドの数を省略して示している。

【0156】

上記第１ＱＤ含有層パターニング工程後、本実施形態では、図１１に示すように、まず、下地層としてのＨＴＬ４２上に、上記赤色ＱＤ含有層パターン１４３ＰＲを覆うように、複数のサブ画素ＳＰ全体（つまり、画素領域ＤＡ全体）を覆う第２レジストを塗布する。これにより、上記赤色ＱＤ含有層パターン１４３ＰＲが形成されたＨＴＬ４２上に、ベタ状の第２レジスト層ＲＬ２を形成する（ステップＳ３５、第２レジスト層形成工程）。

【0157】

なお、第２レジスト層ＲＬ２の層厚は、特に限定されるものではないが、例えば、第１レジスト層ＲＬ１の層厚と同様に、例えば、１μｍ～２μｍの厚みとすればよい。

【0158】

次に、第２レジスト層ＲＬ２における、第１領域形成予定領域４３１ＰＲに対応する部分を露光および現像する。これにより、該第２レジスト層ＲＬ２に、赤色ＱＤ含有層パターン１４３ＰＲ（つまり、パターン化された赤色ＱＤ含有層１４３Ｒ）における第１領域形成予定領域４３１ＰＲを露出させる開口部ＯＰ２ａ（第１開口部）を形成する（ステップＳ３６、第２レジスト層第１パターニング工程）。ここで、第１領域形成予定領域４３１ＰＲとは、最終的に、第１発光層としてのＥＭＬ４３Ｒにおける第１領域４３１Ｒを形成する領域を示す。

【0159】

上記第２レジスト層第１パターニング工程（ステップＳ３６）は、上述したように、第２レジスト層ＲＬ２における、第１領域形成予定領域４３１ＰＲに対応する部分を露光する第２レジスト層第１露光工程（ステップＳ５１）と、第２レジスト層ＲＬ２を現像液で現像する第２レジスト層第１現像工程（ステップＳ５２）と、を含んでいる。

【0160】

上記第２レジスト層第１パターニング工程では、まず、マスクＭ２を用いて、上記第２レジスト層ＲＬ２における、第１領域形成予定領域４３１ＰＲに対応する部分を露光する（ステップＳ５１、第２レジスト層第１露光工程）。

【0161】

図１１では、第２レジストに、ポジ型のフォトレジストを用いた場合を例に挙げて図示している。そこで、マスクＭ２には、第２レジスト層ＲＬ２における、第１領域形成予定領域４３１ＰＲに対応する部分を露出させるマスクを使用する。言い換えれば、マスクＭ２には、該マスクＭ２における、第１領域形成予定領域４３１ＰＲに対応する部分が透光性を有し、第１領域形成予定領域４３１ＰＲに対応する部分以外の部分が遮光性を有するように開口（光学開口）が設けられたマスクを使用する。

【0162】

なお、上記ステップＳ５１における、ＵＶ照射強度等の光照射強度は、第２レジスト層ＲＬ２における、第１領域形成予定領域４３１ＰＲに対応する部分が現像により除去されるように第２レジスト層ＲＬ２の層厚等に応じて適宜設定すればよく、特に限定されるものではない。

【0163】

次いで、第２レジスト層ＲＬ２を、現像液で現像する（ステップＳ５２、第２レジスト層第１現像工程）。これにより、第２レジスト層ＲＬ２における露光部分が除去され、第２レジスト層ＲＬ２における、第１領域形成予定領域４３１ＰＲに対応する部分に、上記開口部ＯＰ２ａが形成される。

【0164】

上記現像液としては、例えば、前記例示の現像剤を用いることができる。該現像液の濃度もまた、レジスト層（本ステップＳ５２では第２レジスト層ＲＬ２）の層厚、並びに現像液の種類等に応じて適宜設定すればよく、特に限定されない。

【0165】

なお、図１１では、第１レジスト層ＲＬ１と同様に、第２レジスト層ＲＬ２に、ポジ型のフォトレジストを用いた場合を例に挙げて図示している。しかしながら、第２レジスト層ＲＬ２もまた、ポジ型のフォトレジストに代えて、ネガ型のフォトレジストを用いてもよい。この場合、上記マスクＭ２としては、第２レジスト層ＲＬ２における、第１領域形成予定領域４３１ＰＲに対応する部分以外の部分を露出させるマスクを用いればよい。

【0166】

なお、以下の工程でも、レジスト層としては、ネガ型のフォトレジストを用いてもよく、これらレジスト層の層厚、露光強度、現像液としては、上述した説明と同様であるため、以下、これらの説明を省略する。

【0167】

このように、第２レジスト層ＲＬ２における、第１領域形成予定領域４３１ＰＲに対応する部分を露光および現像して第２レジスト層ＲＬ２をパターニングすることで、赤色ＱＤ含有層パターン１４３ＰＲにおける、上記第１領域形成予定領域４３１ＰＲのみを露出させることができる。

【0168】

そこで、上記第２レジスト層第１パターニング工程後、続いて、赤色ＱＤ含有層パターン１４３ＰＲにおける、上記開口部ＯＰ２ａから露出している上記第１領域形成予定領域４３１ＰＲに、第１無機リガンドとして無機リガンド５３Ｒを含む第１無機リガンド溶液を塗布する。これにより、上記第１領域形成予定領域４３１ＰＲに、無機リガンド５３Ｒを供給する（ステップＳ３７、第１無機リガンド供給工程）。

【0169】

このように上記第１領域形成予定領域４３１ＰＲに無機リガンド５３Ｒを供給することで、該第１領域形成予定領域４３１ＰＲにおける単位体積当たりに含まれる無機リガンド５３Ｒの数が、上記第１領域形成予定領域４３１ＰＲ以外の領域における単位体積当たりに含まれる無機リガンド５３Ｒの数よりも多くなる。本実施形態では、上記赤色ＱＤ含有層パターン１４３ＰＲにおける、上記第１領域形成予定領域４３１ＰＲ以外の領域が、ＥＭＬ４３Ｒの第２領域４３２Ｒとなる。

【0170】

上記第１領域形成予定領域４３１ＰＲに供給された第１無機リガンド溶液中に含まれる無機リガンド５３Ｒの少なくとも一部は、上記第１領域形成予定領域４３１ＰＲにおけるＱＤ５１Ｒに配位する。

【0171】

上記第１無機リガンド溶液は、上記無機リガンド５３Ｒと、該無機リガンド５３Ｒを溶解または分散させる第１溶媒と、を含んでいる。ＥＭＬ４３Ｒは、上記第１領域形成予定領域４３１ＰＲに塗布された第１無機リガンド溶液に含まれる溶媒を除去して乾燥させることで形成される。

【0172】

上記第１溶媒としては、室温で液体の、水以外の極性溶媒が好適に用いられる。上記第１溶媒としては、例えば、ＤＭＳＯ（ジメチルスルホキシド）等の非水系極性溶媒、または、メタノール、エタノール等の両性溶媒が挙げられる。

【0173】

上記第１無機リガンド溶液における無機リガンド５３Ｒの濃度および上記第１無機リガンド溶液の供給にかける時間は、特に限定されるものではなく、第１領域４３１Ｒにおける、有機リガンド５２Ｒと無機リガンド５３Ｒとの合計数に占める無機リガンド５３Ｒの割合が前述した所望の割合になるように適宜設定すればよい。

【0174】

また、上記第１溶媒の除去温度（言い換えれば、乾燥温度）並びに乾燥時間も特に限定されるものではなく、上記第１溶媒が除去されるように適宜設定すればよい。

【0175】

これにより、第１領域４３１Ｒと、第２領域４３２Ｒと、を有するＥＭＬ４３Ｒが形成される。

【0176】

図１２は、上記第２発光層形成工程（ステップＳ２２）の一部の一例を示す断面図である。

【0177】

本実施形態に係る第２発光層形成工程では、上記ＥＭＬ４３Ｒにおける第１領域４３１Ｒの形成に用いた第２レジスト層ＲＬ２を、除去することなく、そのまま、第２発光層としてのＥＭＬ４３Ｇの形成に利用する。

【0178】

このため、第２発光層形成工程では、図１２に示すように、上記第１無機リガンド供給工程（ステップＳ３７）後、まず、上記開口部ＯＰ２ａ内に上記第２レジストを再度塗布して上記開口部ＯＰ２ａを上記第２レジストで埋め戻す（ステップＳ６１、第２レジスト再塗布工程）。これにより、ＨＴＬ４２上に、ＥＭＬ４３Ｒを覆うベタ状の第２レジスト層ＲＬ２が形成される。

【0179】

このように上記開口部ＯＰ２ａを上記第２レジストで埋め戻すことで、ＥＭＬ４３Ｒにおける第１領域４３１Ｒの形成に用いた第２レジスト層ＲＬ２を利用することができる。このため、第１領域４３１Ｒの形成後に、第１領域４３１Ｒの形成に用いた第２レジスト層ＲＬ２を剥離したり、該第２レジスト層ＲＬ２の剥離後に、ＥＭＬ４３Ｇを形成するために、一からレジスト層を形成したりする必要がない。したがって、そのような場合と比較して、レジストの塗布・剥離回数を低減することができる。

【0180】

上記第２レジスト再塗布工程（ステップＳ６１）後、続いて、上記第２レジスト層ＲＬ２における、緑色ＥＭＬ形成予定領域４３ＰＧに対応する部分を露光および現像する。これにより、第２発光層としてのＥＭＬ４３Ｇの形成予定領域に対応する部分の第２レジスト層ＲＬ２を除去して該第２レジスト層ＲＬ２をパターニングする（ステップＳ６２、第２レジスト層第２パターニング工程）。

【0181】

ここで、緑色ＥＭＬ形成予定領域４３ＰＧとは、下地層であるＨＴＬ４２上における、ＥＭＬ４３Ｇの形成予定領域（第２発光層形成予定領域）を示す。

【0182】

上記第２レジスト層第２パターニング工程（ステップＳ６２）は、上述したように、第２レジスト層ＲＬ２における、緑色ＥＭＬ形成予定領域４３ＰＧに対応する部分を露光する第２レジスト層第２露光工程（ステップＳ７１）と、第２レジスト層ＲＬ２を現像液で現像する第２レジスト層第２現像工程（ステップＳ７２）と、を含んでいる。

【0183】

上記第２レジスト層第２パターニング工程では、まず、第２レジスト層ＲＬ２における、緑色ＥＭＬ形成予定領域４３ＰＧに対応する部分を露出させるマスクＭ３を用いて、上記第２レジスト層ＲＬ２を露光する（ステップＳ７１、第２レジスト層第２露光工程）。マスクＭ３には、該マスクＭ３における、緑色ＥＭＬ形成予定領域４３ＰＧに対応する部分が透光性を有し、緑色ＥＭＬ形成予定領域４３ＰＧに対応する部分以外の部分が遮光性を有するように開口（光学開口）が設けられたマスクを使用する。

【0184】

次いで、上記第２レジスト層ＲＬ２を、現像液で現像する（ステップＳ７２、第２レジスト層第２現像工程）。これにより、第２レジスト層ＲＬ２における露光部分が除去され、ＨＴＬ４２上における、緑色ＥＭＬ形成予定領域４３ＰＧ以外の部分にのみ、第２レジスト層ＲＬ２からなる第２レジストパターンＲＰ２が形成される。

【0185】

上記第２レジスト層第２パターニング工程後、続いて、第２ＱＤ含有層としての緑色ＱＤ含有層１４３Ｇを、複数のサブ画素ＳＰ全体（つまり、画素領域ＤＡ全体）を覆ってベタ状に形成する（ステップＳ６３、第２ＱＤ含有層形成工程）。緑色ＱＤ含有層１４３Ｇは、第２ＱＤとしてのＱＤ５１Ｇと、第２有機リガンドとしての有機リガンド５２Ｇおよび第２無機リガンドとしての無機リガンド５３Ｇのうち少なくとも有機リガンド５２Ｇと、を含む。

【0186】

次いで、第２レジスト層ＲＬ２からなる第２レジストパターンＲＰ２を、例えば前述したレジスト溶剤で剥離する。これにより、第２レジストパターンＲＰ２上の緑色ＱＤ含有層１４３Ｇをリフトオフして、緑色ＥＭＬ形成予定領域４３ＰＧ以外の緑色ＱＤ含有層１４３Ｇを除去する（ステップＳ６４、第２ＱＤ含有層パターニング工程）。

【0187】

上記ステップＳ６１～Ｓ６４を行うことで、緑色ＥＭＬ形成予定領域４３ＰＧに、緑色ＱＤ含有層１４３Ｇからなる、第２ＱＤ含有層パターンとしての緑色ＱＤ含有層パターン１４３ＰＧが形成される。

【0188】

図１３は、上記第２発光層形成工程（ステップＳ２２）における図１２の後の工程を、一部拡大して模式的に示す断面図である。なお、図１３では、図示の便宜上、ＱＤ５１Ｒ、ＱＤ５１Ｇ、およびリガンドの数を省略して示している。

【0189】

上記第２ＱＤ含有層パターニング工程後、本実施形態では、図１３に示すように、まず、下地層としてのＨＴＬ４２上に、ＥＭＬ４３Ｒおよび上記緑色ＱＤ含有層パターン１４３ＰＧを覆うように、複数のサブ画素ＳＰ全体（つまり、画素領域ＤＡ全体）を覆う第３レジストを塗布する。これにより、上記ＥＭＬ４３Ｒおよび上記緑色ＱＤ含有層パターン１４３ＰＧが形成されたＨＴＬ４２上に、ベタ状の第３レジスト層ＲＬ３を形成する（ステップＳ６５、第３レジスト層形成工程）。

【0190】

次に、第３レジスト層ＲＬ３における、第１領域形成予定領域４３１ＰＧに対応する部分を露光および現像する。これにより、該第３レジスト層ＲＬ３に、緑色ＱＤ含有層パターン１４３ＰＧ（つまり、パターン化された緑色ＱＤ含有層１４３Ｇ）における第１領域形成予定領域４３１ＰＧを露出させる開口部ＯＰ４ａ（第２開口部）を形成する（ステップＳ６６、第３レジスト層第１パターニング工程）。ここで、第１領域形成予定領域４３１ＰＧとは、最終的に、第２発光層としてのＥＭＬ４３Ｇにおける第１領域４３１Ｇを形成する領域を示す。

【0191】

上記第３レジスト層第１パターニング工程（ステップＳ６６）は、上述したように、第３レジスト層ＲＬ３における、第１領域形成予定領域４３１ＰＧに対応する部分を露光する第３レジスト層第１露光工程（ステップＳ８１）と、第３レジスト層ＲＬ３を現像液で現像する第３レジスト層第１現像工程（ステップＳ８２）と、を含んでいる。

【0192】

上記第３レジスト層第１パターニング工程では、まず、マスクＭ４を用いて、上記第３レジスト層ＲＬ３における、第１領域形成予定領域４３１ＰＧに対応する部分を露光する（ステップＳ８１、第３レジスト層第１露光工程）。

【0193】

図１３では、第３レジストに、ポジ型のフォトレジストを用いた場合を例に挙げて図示している。そこで、マスクＭ４には、第３レジスト層ＲＬ３における、第１領域形成予定領域４３１ＰＧに対応する部分を露出させるマスクを使用する。言い換えれば、マスクＭ４には、該マスクＭ４における、第１領域形成予定領域４３１ＰＧに対応する部分が透光性を有し、第１領域形成予定領域４３１ＰＧに対応する部分以外の部分が遮光性を有するように開口（光学開口）が設けられたマスクを使用する。

【0194】

次いで、第３レジスト層ＲＬ３を、現像液で現像する（ステップＳ８２、第３レジスト層第１現像工程）。これにより、第３レジスト層ＲＬ３における露光部分が除去され、第３レジスト層ＲＬ３における、第１領域形成予定領域４３１ＰＧに対応する部分に、上記開口部ＯＰ４ａが形成される。

【0195】

このように、第３レジスト層ＲＬ３における、第１領域形成予定領域４３１ＰＧに対応する部分を露光および現像して第３レジスト層ＲＬ３をパターニングすることで、緑色ＱＤ含有層パターン１４３ＰＧにおける第１領域形成予定領域４３１ＰＧのみを露出させることができる。

【0196】

そこで、上記第３レジスト層第１パターニング工程後、続いて、緑色ＱＤ含有層パターン１４３ＰＧにおける、上記開口部ＯＰ４ａから露出している上記第１領域形成予定領域４３１ＰＧに、第２無機リガンドとして無機リガンド５３Ｇを含む第２無機リガンド溶液を塗布する。これにより、上記第１領域形成予定領域４３１ＰＧに、無機リガンド５３Ｇを供給する（ステップＳ６７、第２無機リガンド供給工程）。

【0197】

このように上記第１領域形成予定領域４３１ＰＧに無機リガンド５３Ｇを供給することで、該第１領域形成予定領域４３１ＰＧにおける単位体積当たりに含まれる無機リガンド５３Ｇの数が、上記第１領域形成予定領域４３１ＰＧ以外の領域における単位体積当たりに含まれる無機リガンド５３Ｇの数よりも多くなる。本実施形態では、上記緑色ＱＤ含有層パターン１４３ＰＧにおける、上記第１領域形成予定領域４３１ＰＧ以外の領域が、ＥＭＬ４３Ｇの第２領域４３２Ｇとなる。

【0198】

上記第１領域形成予定領域４３１ＰＧに供給された第２無機リガンド溶液中に含まれる無機リガンド５３Ｇの少なくとも一部は、上記第１領域形成予定領域４３１ＰＧにおけるＱＤ５１Ｇに配位する。

【0199】

上記第２無機リガンド溶液は、上記無機リガンド５３Ｇと、該無機リガンド５３Ｇを溶解または分散させる第２溶媒と、を含んでいる。ＥＭＬ４３Ｇは、上記第１領域形成予定領域４３１ＰＧに塗布された第２無機リガンド溶液に含まれる溶媒を除去して乾燥させることで形成される。

【0200】

上記第２溶媒としては、第１溶媒として例示した溶媒と同様の溶媒が挙げられる。上記第２無機リガンド溶液における無機リガンド５３Ｇの濃度および上記第２無機リガンド溶液の供給にかける時間も、特に限定されるものではなく、第１領域４３１Ｇにおける、有機リガンド５２Ｇと無機リガンド５３Ｇとの合計数に占める無機リガンド５３Ｇの割合が前述した所望の割合になるように適宜設定すればよい。

【0201】

また、上記第２溶媒の除去温度（言い換えれば、乾燥温度）並びに乾燥時間も特に限定されるものではなく、上記第２溶媒が除去されるように適宜設定すればよい。

【0202】

これにより、第１領域４３１Ｇと、第２領域４３２Ｇと、を有するＥＭＬ４３Ｇが形成される。

【0203】

図１４は、上記第３発光層形成工程（ステップＳ２３）の一部の一例を示す断面図である。

【0204】

本実施形態に係る第３発光層形成工程では、上記ＥＭＬ４３Ｇにおける第１領域４３１Ｇの形成に用いた第３レジスト層ＲＬ３を、除去することなく、そのまま、第３発光層としてのＥＭＬ４３Ｂの形成に利用する。

【0205】

このため、第３発光層形成工程では、図１４に示すように、上記第２無機リガンド供給工程（ステップＳ６７）後、まず、上記開口部ＯＰ４ａ内に上記第３レジストを再度塗布して上記開口部ＯＰ４ａを上記第３レジストで埋め戻す（ステップＳ９１、第３レジスト再塗布工程）。これにより、ＨＴＬ４２上に、ＥＭＬ４３ＲおよびＥＭＬ４３Ｇを覆うベタ状の第３レジスト層ＲＬ３が形成される。

【0206】

このように上記開口部ＯＰ４ａを上記第３レジストで埋め戻すことで、ＥＭＬ４３Ｇにおける第１領域４３１Ｇの形成に用いた第３レジスト層ＲＬ３を利用することができる。このため、第１領域４３１Ｇの形成後に、第１領域４３１Ｇの形成に用いた第３レジスト層ＲＬＧを剥離したり、該第３レジスト層ＲＬ３の剥離後に、ＥＭＬ４３Ｂを形成するために、一からレジスト層を形成したりする必要がない。したがって、そのような場合と比較して、レジストの塗布・剥離回数を低減することができる。

【0207】

上記第３レジスト再塗布工程（ステップＳ９１）後、続いて、上記第３レジスト層ＲＬ３における、青色ＥＭＬ形成予定領域４３ＰＢに対応する部分を露光および現像する。これにより、第３発光層としてのＥＭＬ４３Ｂの形成予定領域に対応する部分の第３レジスト層ＲＬ３を除去して該第３レジスト層ＲＬ３をパターニングする（ステップＳ９２、第３レジスト層第２パターニング工程）。

【0208】

ここで、青色ＥＭＬ形成予定領域４３ＰＢとは、下地層であるＨＴＬ４２上における、ＥＭＬ４３Ｂの形成予定領域（第３発光層形成予定領域）を示す。

【0209】

上記第３レジスト層第２パターニング工程（ステップＳ９２）は、上述したように、第３レジスト層ＲＬ３における、青色ＥＭＬ形成予定領域４３ＰＢに対応する部分を露光する第３レジスト層第２露光工程（ステップＳ１０１）と、第３レジスト層ＲＬ３を現像液で現像する第３レジスト層第２現像工程（ステップＳ１０２）と、を含んでいる。

【0210】

上記第３レジスト層第２パターニング工程では、まず、第３レジスト層ＲＬ３における、青色ＥＭＬ形成予定領域４３ＰＢに対応する部分を露出させるマスクＭ５を用いて、上記第３レジスト層ＲＬ３を露光する（ステップＳ１０１、第３レジスト層第３露光工程）。マスクＭ５には、該マスクＭ５における、青色ＥＭＬ形成予定領域４３ＰＢに対応する部分が透光性を有し、青色ＥＭＬ形成予定領域４３ＰＢに対応する部分以外の部分が遮光性を有するように開口（光学開口）が設けられたマスクを使用する。

【0211】

次いで、上記第３レジスト層ＲＬ３を、現像液で現像する（ステップＳ１０２、第３レジスト層第２現像工程）。これにより、第３レジスト層ＲＬ３における露光部分が除去され、ＨＴＬ４２上における、青色ＥＭＬ形成予定領域４３ＰＢ以外の部分にのみ、第３レジスト層ＲＬ３からなる第３レジストパターンＲＰ３が形成される。

【0212】

上記第３レジスト層第２パターニング工程後、続いて、第３ＱＤ含有層としての青色ＱＤ含有層１４３Ｂを、複数のサブ画素ＳＰ全体（つまり、画素領域ＤＡ全体）を覆ってベタ状に形成する（ステップＳ９３、第３ＱＤ含有層形成工程）。青色ＱＤ含有層１４３Ｂは、第３ＱＤとしてのＱＤ５１Ｂと、第３有機リガンドとしての有機リガンド５２Ｂおよび第３無機リガンドとしての無機リガンド５３Ｂのうち少なくとも有機リガンド５２Ｂと、を含む。

【0213】

次いで、第３レジスト層ＲＬ３からなる第３レジストパターンＲＰ３を、例えば前述したレジスト溶剤で剥離する。これにより、第３レジストパターンＲＰ３上の青色ＱＤ含有層１４３Ｂをリフトオフして、青色ＥＭＬ形成予定領域４３ＰＢ以外の青色ＱＤ含有層１４３Ｂを除去する（ステップＳ９４、第３ＱＤ含有層パターニング工程）。

【0214】

上記ステップＳ９１～Ｓ９４を行うことで、青色ＥＭＬ形成予定領域４３ＰＢに、青色ＱＤ含有層１４３Ｂからなる、第３ＱＤ含有層パターンとしての青色ＱＤ含有層パターン１４３ＰＢが形成される。

【0215】

図１５は、上記第３発光層形成工程（ステップＳ２３）における図１４の後の工程を、一部拡大して模式的に示す断面図である。なお、図１５では、図示の便宜上、ＱＤ５１Ｒ、ＱＤ５１Ｇ、ＱＤ５１Ｂ、およびリガンドの数を省略して示している。

【0216】

上記第３ＱＤ含有層パターニング工程後、本実施形態では、図１５に示すように、まず、下地層としてのＨＴＬ４２上に、ＥＭＬ４３Ｒ、ＥＭＬ４３Ｇ、および上記青色ＱＤ含有層パターン１４３ＰＢを覆うように、複数のサブ画素ＳＰ全体（つまり、画素領域ＤＡ全体）を覆う第４レジストを塗布する。これにより、上記ＥＭＬ４３Ｒ、ＥＭＬ４３Ｇ、および上記青色ＱＤ含有層パターン１４３ＰＢが形成されたＨＴＬ４２上に、ベタ状の第４レジスト層ＲＬ４を形成する（ステップＳ９５、第４レジスト層形成工程）。

【0217】

次に、第４レジスト層ＲＬ４における、第１領域形成予定領域４３１ＰＢに対応する部分を露光および現像する。これにより、該第４レジスト層ＲＬ４に、青色ＱＤ含有層パターン１４３ＰＢ（つまり、パターン化された青色ＱＤ含有層１４３Ｂ）における第１領域形成予定領域４３１ＰＢを露出させる開口部ＯＰ６ａ（第３開口部）を形成する（ステップＳ９６、第４レジスト層第１パターニング工程）。ここで、第１領域形成予定領域４３１ＰＢとは、最終的に、第３発光層としてのＥＭＬ４３Ｂにおける第１領域４３１Ｂを形成する領域を示す。

【0218】

上記第４レジスト層第１パターニング工程（ステップＳ９６）は、上述したように、第４レジスト層ＲＬ４における、第１領域形成予定領域４３１ＰＢに対応する部分を露光する第４レジスト層第１露光工程（ステップＳ１１１）と、第４レジスト層ＲＬ４を現像液で現像する第４レジスト層第１現像工程（ステップＳ１１２）と、を含んでいる。

【0219】

上記第４レジスト層第１パターニング工程では、まず、マスクＭ５を用いて、上記第４レジスト層ＲＬ４における、第１領域形成予定領域４３１ＰＢに対応する部分を露光する（ステップＳ１１１、第４レジスト層第１露光工程）。

【0220】

図１５では、第４レジストに、ポジ型のフォトレジストを用いた場合を例に挙げて図示している。そこで、マスクＭ６には、第４レジスト層ＲＬ４における、第１領域形成予定領域４３１ＰＢに対応する部分を露出させるマスクを使用する。言い換えれば、マスクＭ６には、該マスクＭ６における、第１領域形成予定領域４３１ＰＢに対応する部分が透光性を有し、第１領域形成予定領域４３１ＰＢに対応する部分以外の部分が遮光性を有するように開口（光学開口）が設けられたマスクを使用する。

【0221】

次いで、第４レジスト層ＲＬ４を、現像液で現像する（ステップＳ１１２、第４レジスト層第１現像工程）。これにより、第４レジスト層ＲＬ４における露光部分が除去され、第４レジスト層ＲＬ４における、第１領域形成予定領域４３１ＰＢに対応する部分に、上記開口部ＯＰ６ａが形成される。

【0222】

このように、第４レジスト層ＲＬ４における、第１領域形成予定領域４３１ＰＢに対応する部分を露光および現像して第４レジスト層ＲＬ４をパターニングすることで、青色ＱＤ含有層パターン１４３ＰＢにおける第１領域形成予定領域４３１ＰＢのみを露出させることができる。

【0223】

そこで、上記第４レジスト層第１パターニング工程後、続いて、青色ＱＤ含有層パターン１４３ＰＢにおける、上記開口部ＯＰ６ａから露出している上記第１領域形成予定領域４３１ＰＢに、第３無機リガンドとして無機リガンド５３Ｂを含む第３無機リガンド溶液を塗布する。これにより、上記第１領域形成予定領域４３１ＰＢに、無機リガンド５３Ｂを供給する（ステップＳ９７、第３無機リガンド供給工程）。

【0224】

このように上記第１領域形成予定領域４３１ＰＢに無機リガンド５３Ｂを供給することで、該第１領域形成予定領域４３１ＰＢにおける単位体積当たりに含まれる無機リガンド５３Ｂの数が、上記第１領域形成予定領域４３１ＰＢ以外の領域における単位体積当たりに含まれる無機リガンド５３Ｂの数よりも多くなる。本実施形態では、上記青色ＱＤ含有層パターン１４３ＰＢにおける、上記第１領域形成予定領域４３１ＰＢ以外の領域が、ＥＭＬ４３Ｂの第２領域４３２Ｂとなる。

【0225】

上記第１領域形成予定領域４３１ＰＢに供給された第３無機リガンド溶液中に含まれる無機リガンド５３Ｂの少なくとも一部は、上記第１領域形成予定領域４３１ＰＢにおけるＱＤ５１Ｂに配位する。

【0226】

上記第３無機リガンド溶液は、上記無機リガンド５３Ｂと、該無機リガンド５３Ｂを溶解または分散させる第３溶媒と、を含んでいる。ＥＭＬ４３Ｂは、上記第１領域形成予定領域４３１ＰＢに塗布された第３無機リガンド溶液に含まれる溶媒を除去して乾燥させることで形成される。

【0227】

上記第３溶媒としては、第１溶媒として例示した溶媒と同様の溶媒が挙げられる。上記第３無機リガンド溶液における無機リガンド５３Ｂの濃度および上記第３無機リガンド溶液の供給にかける時間も、特に限定されるものではなく、第１領域４３１Ｂにおける、有機リガンド５２Ｂと無機リガンド５３Ｂとの合計数に占める無機リガンド５３Ｂの割合が前述した所望の割合になるように適宜設定すればよい。

【0228】

また、上記第３溶媒の除去温度（言い換えれば、乾燥温度）並びに乾燥時間も特に限定されるものではなく、上記第３溶媒が除去されるように適宜設定すればよい。

【0229】

これにより、第１領域４３１Ｂと、第２領域４３２Ｂと、を有するＥＭＬ４３Ｂが形成される。

【0230】

次いで、上記第４レジスト層ＲＬ４を、例えば前述したレジスト溶剤で溶解することにより、除去する（ステップＳ９８、第４レジスト層除去工程）。これにより、ＨＴＬ４２上に、第１領域４３１Ｒと第２領域４３２Ｒとを有するＥＭＬ４３Ｒと、第１領域４３１Ｇと第２領域４３２Ｇとを有するＥＭＬ４３Ｇと、第１領域４３１Ｂと第２領域４３２Ｂとを有するＥＭＬ４３Ｂと、を含む、島状の複数のＥＭＬ４３を形成することができる。

【0231】

本実施形態によれば、上述したように、第１発光層における第１領域４３１の形成後、並びに、第２発光層における第１領域４３１の形成後に、これら第１領域４３１の形成に用いたレジスト層を剥離することなく、これらレジスト層に設けられた開口部のみに再度レジストを塗布して、これらレジスト層を埋め戻す。このため、上述したようにレジストの塗布・剥離回数を低減し、レジスト層で覆われたままのサブ画素周辺部のＱＤ５１を保護することができる。なお、第１領域４３１となるサブ画素中央部では、レジスト塗布・剥離の回数が増えるが、第１領域４３１のＱＤ５１は、無機リガンド５３で保護されるので、劣化し難い。

【0232】

また、本実施形態によれば、上述したように、各色のサブ画素ＳＰ毎に第１領域４３１を形成するため、サブ画素ＳＰの発光色に応じて、異なる無機リガンド５３を使用することができる。

【0233】

本実施形態によれば、図７～図１５に示す各工程を行うことで、本実施形態に係る表示装置１を製造することができる。なお、本実施形態に係る表示装置１の製造方法は、図７に示す第２電極形成工程（ステップＳ５）の後に、発光素子層３の上層に、封止層等を形成する工程をさらに備えていてもよい。

【0234】

以上のように、本実施形態に係る表示装置１の製造方法は、第１電極を形成する第１電極形成工程と、機能層３３を形成する機能層形成工程と、第２電極を形成する第２電極形成工程と、を含んでいる。また、上記機能層形成工程は、ＥＭＬ４３を形成する発光層形成工程を含んでいる。そして、上記発光層形成工程では、各サブ画素ＳＰに、発光層として、以下の構成を有するＥＭＬ４３を形成する。上記発光層形成工程で形成されるＥＭＬ４３は、（１）ＱＤ５１と、有機リガンド５２と、無機リガンド５３と、を含む第１領域４３１と、（２）上記ＱＤ５１と、上記有機リガンド５２および上記無機リガンド５３のうち少なくとも上記有機リガンド５２と、を含み、単位体積当たりに含まれる上記無機リガンド５３の数が、上記第１領域４３１の上記単位体積当たりに含まれる上記無機リガンド５３の数よりも少ない第２領域４３２と、を含んでいる。そして、上記第１領域４３１は、それぞれのサブ画素ＳＰにおける上記ＥＭＬ４３の中央部を含んでいる。上記第２領域４３２は、各サブ画素ＳＰのＥＭＬ４３における、他のサブ画素ＳＰと隣り合う端部を少なくとも含んでいる。

【0235】

これにより、本実施形態によれば、無機リガンド５３による発光効率の向上と、隣り合うサブ画素ＳＰからのリーク電流による発光の抑制と、を両立することができ、サブ画素ＳＰの間隔を、より狭くすることができるとともに、表示品位に優れた表示装置１を製造する方法を提供することができる。

【0236】

（変形例）
但し、本実施形態に係る表示装置１の製造方法は、上記方法に限定されるものではない。図１６は、本実施形態に係る第３発光層形成工程（ステップＳ２３）の一部の他の一例を示す断面図である。図１６は、図１４に示すステップＳ９３（第３ＱＤ含有層形成工程）の後の工程を示す断面図である。

【0237】

本変形例では、図１４に示すステップＳ９３（第３ＱＤ含有層形成工程）の後、続いて、ベタ状の青色ＱＤ含有層１４３Ｂを覆うように、複数のサブ画素のＳＰ全体（つまり、画素領域ＤＡ全体）を覆う第４レジストを塗布する。これにより、上記青色ＱＤ含有層１４３Ｂ上に、ベタ状の第４レジスト層ＲＬ４を形成する（ステップＳ１２１、第４レジスト層形成工程）。

【0238】

次に、第４レジスト層ＲＬ４における、第１領域形成予定領域４３１ＰＢに対応する部分を露光および現像する。これにより、該第４レジスト層ＲＬ４に、青色ＱＤ含有層１４３Ｂにおける第１領域形成予定領域４３１ＰＢを露出させる開口部ＯＰ６ａ（第３開口部）を形成する（ステップＳ１２２、第４レジスト層第１パターニング工程）。

【0239】

上記第４レジスト層第１パターニング工程（ステップＳ１２２）は、上述したように、第４レジスト層ＲＬ４における、第１領域形成予定領域４３１ＰＢに対応する部分を露光する第４レジスト層第１露光工程（ステップＳ１３１）と、第４レジスト層ＲＬ４を現像液で現像する第４レジスト層第１現像工程（ステップＳ１３２）と、を含んでいる。

【0240】

上記第４レジスト層第１パターニング工程では、まず、マスクＭ５を用いて、上記第４レジスト層ＲＬ４における、第１領域形成予定領域４３１ＰＢに対応する部分を露光する（ステップＳ１３１、第４レジスト層第１露光工程）。

【0241】

次いで、第４レジスト層ＲＬ４を、現像液で現像する（ステップＳ１３２、第４レジスト層第１現像工程）。これにより、第４レジスト層ＲＬ４における露光部分が除去され、第４レジスト層ＲＬ４における、第１領域形成予定領域４３１ＰＢに対応する部分に、上記開口部ＯＰ６ａが形成される。

【0242】

なお、第４レジスト層ＲＬ４の下層が異なるだけで、操作そのものは、ステップＳ１２２はステップＳ９６と同じであり、ステップＳ１３１はステップＳ１１１と同じであり、ステップＳ１３２はステップＳ１１２と同じである。これにより、青色ＱＤ含有層１４３Ｂにおける第１領域形成予定領域４３１ＰＢのみを露出させることができる。

【0243】

そこで、上記第４レジスト層第１パターニング工程後、続いて、上記青色ＱＤ含有層１４３Ｂにおける、上記開口部ＯＰ６ａから露出している上記第１領域形成予定領域４３１ＰＢに、第３無機リガンドとして無機リガンド５３Ｂを含む第３無機リガンド溶液を塗布する。これにより、上記第１領域形成予定領域４３１ＰＢに、無機リガンド５３Ｂを供給する（ステップＳ１２３、第３無機リガンド供給工程）。

【0244】

これにより、上記第１領域形成予定領域４３１ＰＢにおける単位体積当たりに含まれる無機リガンド５３Ｂの数が、上記第１領域形成予定領域４３１ＰＢ以外の領域における単位体積当たりに含まれる無機リガンド５３Ｂの数よりも多くなる。このため、本変形例でも、上記第１領域形成予定領域４３１ＰＢに、第１領域４３１Ｂが形成される。

【0245】

その後、本変形例でも、上記第１領域形成予定領域４３１ＰＢに塗布された第３無機リガンド溶液に含まれる溶媒を除去して乾燥させた後、レジスト溶剤で、レジスト層を除去する。

【0246】

但し、本変形例ではステップＳ９３の後、ステップＳ９４（第３ＱＤ含有層パターニング工程）を行わずに、ステップＳ９５に対応する、第４レジスト層形成工程（ステップＳ１２１）を行っている。このため、青色ＥＭＬ形成予定領域４３ＰＢ以外の領域に、ＥＭＬ４３ＲおよびＥＭＬ４３Ｇを覆う第３レジスト層ＲＬ３および青色ＱＤ含有層１４３Ｂが残っている。

【0247】

このため、本変形例では、ここで、レジスト溶剤によって第４レジスト層ＲＬ４が除去されるとともに、レジスト溶剤による第３レジスト層ＲＬ３の剥離により、該第３レジスト層ＲＬ３上の青色ＱＤ含有層１４３Ｂがリフトオフされる。これにより、ここで、青色ＥＭＬ形成予定領域４３ＰＢ以外の領域の青色ＱＤ含有層１４３Ｂが除去される（ステップＳ１２４、第３ＱＤ含有層パターニング工程）。

【0248】

本変形例によれば、以上のように、第３レジスト層ＲＬ３の剥離による第３ＱＤ含有層パターニング工程と、第４レジスト層除去工程とを、同時（つまり、同じ工程）で行うことができる。このため、タクトタイムを短くすることができ、上述した、本実施形態にかかる表示装置１を、より簡便に製造することができる。

【0249】

〔実施形態２〕
実施形態１では、発光色が異なるＱＤ上にレジストを塗布する工程を利用してレジストの塗布・剥離回数を低減する場合を例に挙げて説明した。つまり、実施形態１では、第２発光層の形成に、第１発光層における第１領域４３１の形成に用いたレジスト層を利用し、第３発光層の形成に、第２発光層における第１領域４３１の形成に用いたレジスト層を利用する場合を例に挙げて説明した。しかしながら、表示装置１の製造方法は、これに限定されるものではなく、赤色ＱＤ含有層パターン１４３ＰＲ、緑色ＱＤ含有層パターン１４３ＰＧ、および青色ＱＤ含有層パターン１４３ＰＢをそれぞれ形成してから無機リガンド５３を供給してもよい。

【0250】

図１７および図１８は、それぞれ、本実施形態に係る発光層形成工程（ステップＳ１３）の一部の工程の一例を示す断面図である。図１９は、本実施形態に係る発光層形成工程（ステップＳ１３）の一部の工程の一例に係る各色のＥＭＬ４３の一部を拡大して模式的に示す断面図である。なお、図１８は、図１７の後の工程を示している。図１９は、図１８の後の工程を示している。

【0251】

本実施形態では、まず、図１０に示すステップＳ３１（第１レジスト層形成工程）～ステップＳ３４（第１ＱＤ含有層パターニング工程）を行う。これにより、図１０にＳ３４で示すように、赤色ＥＭＬ形成予定領域４３ＰＲに、赤色ＱＤ含有層１４３Ｒからなる赤色ＱＤ含有層パターン１４３ＰＲを形成する。

【0252】

次いで、図１１および図１７にＳ３５で示すように、複数のサブ画素ＳＰ全体（つまり、画素領域ＤＡ全体）を覆う第２レジストを塗布する。これにより、上記赤色ＱＤ含有層パターン１４３ＰＲが形成されたＨＴＬ４２上に、ベタ状の第２レジスト層ＲＬ２を形成する（ステップＳ３５、第２レジスト層形成工程）。ここまでは、実施形態１と同じである。

【0253】

本実施形態では、上記第２レジスト層形成工程（ステップＳ３４）の後、続いて、図１７に示すように、上記第２レジスト層ＲＬ２における、緑色ＥＭＬ形成予定領域４３ＰＧに対応する部分を露光および現像する。これにより、緑色ＥＭＬ形成予定領域４３ＰＧの第２レジスト層ＲＬ２を除去して該第２レジスト層ＲＬ２をパターニングする（ステップＳ１４１、第２レジスト層パターニング工程）。

【0254】

上記第２レジスト層パターニング工程（ステップＳ１４１）は、上述したように、第２レジスト層ＲＬ２における、緑色ＥＭＬ形成予定領域４３ＰＧに対応する部分を露光する第２レジスト層露光工程（ステップＳ１５１）と、第２レジスト層ＲＬ２を現像液で現像する第２レジスト層現像工程（ステップＳ１５２）と、を含んでいる。

【0255】

なお、ＥＭＬ４３Ｒの代わりに、第１領域４３１Ｒおよび第２領域４３２Ｒが設けられていない赤色ＱＤ含有層パターン１４３ＰＲが設けられていることを除けば、ステップＳ１４１は、図１２に示すステップＳ６２と同じである。このため、操作そのものは、ステップＳ１４１はステップＳ６２と同じであり、ステップＳ１５１はステップＳ７１と同じであり、ステップＳ１５２はステップＳ７２と同じである。

【0256】

このため、上記第２レジスト層露光工程（ステップＳ１５１）では、第２レジスト層ＲＬ２における、緑色ＥＭＬ形成予定領域４３ＰＧに対応する部分を露出させるマスクＭ３を用いて、上記第２レジスト層ＲＬ２を露光する。その後、第２レジスト層現像工程（ステップＳ１５２）で、上記第２レジスト層ＲＬ２を、現像液で現像する。

【0257】

次いで、緑色ＱＤ含有層１４３Ｇを、複数のサブ画素ＳＰ全体（つまり、画素領域ＤＡ全体）を覆ってベタ状に形成する（ステップＳ１４２、第２ＱＤ含有層形成工程）。

【0258】

次いで、第２レジスト層ＲＬ２からなる第２レジストパターンＲＰ２を、レジスト溶剤で剥離する。これにより、第２レジストパターンＲＰ２上の緑色ＱＤ含有層１４３Ｇをリフトオフして、緑色ＥＭＬ形成予定領域４３ＰＧ以外の緑色ＱＤ含有層１４３Ｇを除去する（ステップＳ１４３、第２ＱＤ含有層パターニング工程）。これにより、緑色ＥＭＬ形成予定領域４３ＰＧに、緑色ＱＤ含有層１４３Ｇからなる緑色ＱＤ含有層パターン１４３ＰＧが形成される。

【0259】

なお、ここでも、ＥＭＬ４３Ｒの代わりに上記赤色ＱＤ含有層パターン１４３ＰＲが設けられていることを除けば、ステップＳ１４２はステップＳ６３と同じであり、ステップＳ１４３はステップＳ６４と同じである。

【0260】

次いで、図１８に示すように、上記赤色ＱＤ含有層パターン１４３ＰＲおよび緑色ＱＤ含有層パターン１４３ＰＧが形成されたＨＴＬ４２上に、複数のサブ画素ＳＰ全体（つまり、画素領域ＤＡ全体）を覆うベタ状の第３レジスト層ＲＬ３を形成する（ステップＳ１６１、第３レジスト層形成工程）。

【0261】

続いて、上記第３レジスト層ＲＬ３における、青色ＥＭＬ形成予定領域４３ＰＢに対応する部分を露光および現像する。これにより、青色ＥＭＬ形成予定領域４３ＰＢの第３レジスト層ＲＬ３を除去して該第３レジスト層ＲＬ３をパターニングする（ステップＳ１６２、第３レジスト層パターニング工程）。

【0262】

上記第３レジスト層パターニング工程（ステップＳ１６２）は、上述したように、第３レジスト層ＲＬ３における、青色ＥＭＬ形成予定領域４３ＰＢに対応する部分を露光する第３レジスト層露光工程（ステップＳ１７１）と、第３レジスト層ＲＬ３を現像液で現像する第３レジスト層現像工程（ステップＳ１７２）と、を含んでいる。

【0263】

なお、ＥＭＬ４３ＲおよびＥＭＬ４３Ｇの代わりに、第１領域４３１および第２領域４３２が設けられていない、赤色ＱＤ含有層パターン１４３ＰＲおよび緑色ＱＤ含有層パターン１４３ＰＧが設けられていることを除けば、ステップＳ１６２は、図１４に示すステップＳ９２と同じである。このため、操作そのものは、ステップＳ１６２はステップＳ９２と同じであり、ステップＳ１７１はステップＳ１０１と同じであり、ステップＳ１７２はステップＳ１０２と同じである。

【0264】

このため、上記第３レジスト層露光工程（ステップＳ１７１）では、第３レジスト層ＲＬ３における、青色ＥＭＬ形成予定領域４３ＰＢに対応する部分を露出させるマスクＭ５を用いて、上記第３レジスト層ＲＬ３を露光する。その後、第３レジスト層現像工程（ステップＳ１７２）で、上記第３レジスト層ＲＬ３を、現像液で現像する。

【0265】

次いで、青色ＱＤ含有層１４３Ｂを、複数のサブ画素ＳＰ全体（つまり、画素領域ＤＡ全体）を覆ってベタ状に形成する（ステップＳ１６３、第３ＱＤ含有層形成工程）。

【0266】

次いで、第３レジスト層ＲＬ３からなる第３レジストパターンＲＰ３を、レジスト溶剤で剥離する。これにより、第３レジストパターンＲＰ３上の青色ＱＤ含有層１４３Ｂをリフトオフして、青色ＥＭＬ形成予定領域４３ＰＢ以外の青色ＱＤ含有層１４３Ｂを除去する（ステップＳ１６４、第３ＱＤ含有層パターニング工程）。

【0267】

なお、ここでも、ＥＭＬ４３ＲおよびＥＭＬ４３Ｇの代わりに上記赤色ＱＤ含有層パターン１４３ＰＲおよび上記緑色ＱＤ含有層パターン１４３ＰＧが設けられていることを除けば、ステップＳ１６３はステップＳ９３と同じであり、ステップＳ１６４はステップＳ９４と同じである。

【0268】

次いで、図１９に示すように、上記赤色ＱＤ含有層パターン１４３ＰＲ、緑色ＱＤ含有層パターン１４３ＰＧ、および青色ＱＤ含有層パターン１４３ＰＢが形成されたＨＴＬ４２上に、複数のサブ画素ＳＰ全体（つまり、画素領域ＤＡ全体）を覆うベタ状の第４レジスト層ＲＬ４を形成する（ステップＳ１８１、第３レジスト層形成工程）。

【0269】

続いて、上記第４レジスト層ＲＬ４における、第１領域形成予定領域４３１ＰＲ、第１領域形成予定領域４３１ＰＧ、および第１領域形成予定領域４３１ＰＢに対応する部分を露光および現像する。これにより、上記第４レジスト層ＲＬ４に、第１領域形成予定領域４３１ＰＲ、第１領域形成予定領域４３１ＰＧ、および第１領域形成予定領域４３１ＰＢをそれぞれ露出させる開口部ＯＰ７ａを形成する（ステップＳ１８２、第４レジスト層パターニング工程）。

【0270】

上記第４レジスト層パターニング工程（ステップＳ１８２）は、上述したように、第４レジスト層ＲＬ４における、第１領域形成予定領域４３１ＰＲ、第１領域形成予定領域４３１ＰＧ、および第１領域形成予定領域４３１ＰＢに対応する部分を露光する第４レジスト層露光工程（ステップＳ１９１）と、第４レジスト層ＲＬ４を現像液で現像する第４レジスト層現像工程（ステップＳ１９２）と、を含んでいる。

【0271】

上記第４レジスト層露光工程（ステップＳ１９１）では、マスクＭ７を用いて、第４レジスト層ＲＬ４における、第１領域形成予定領域４３１ＰＲ、第１領域形成予定領域４３１ＰＧ、および第１領域形成予定領域４３１ＰＢに対応する部分を露光する。

【0272】

上記第４レジスト層現像工程（ステップＳ１９２）では、上記露光部分を、現像剤で現像して除去することで、第４レジスト層ＲＬ４上に、上記開口部ＯＰ７ａを形成する。これにより、赤色ＱＤ含有層パターン１４３ＰＲにおける第１領域形成予定領域４３１ＰＲ、緑色ＱＤ含有層パターン１４３ＰＧにおける第１領域形成予定領域４３１ＰＧ、および青色ＱＤ含有層パターン１４３ＰＢにおける第１領域形成予定領域４３１ＰＢを露出させる。

【0273】

上記第４レジスト層パターニング工程後、続いて、上記開口部ＯＰ７ａから露出している、上記第１領域形成予定領域４３１ＰＲ、上記第１領域形成予定領域４３１ＰＧ、および上記第１領域形成予定領域４３１ＰＢに、無機リガンド５３を含む無機リガンド溶液をそれぞれ塗布する。これにより、上記第１領域形成予定領域４３１ＰＲ、上記第１領域形成予定領域４３１ＰＧ、および上記第１領域形成予定領域４３１ＰＢに、それぞれ無機リガンド５３を供給する（ステップＳ１８３、無機リガンド供給工程）。

【0274】

これにより、上記第１領域形成予定領域４３１ＰＲ、上記第１領域形成予定領域４３１ＰＧ、および上記第１領域形成予定領域４３１ＰＢにおける単位体積当たりに含まれる無機リガンド５３の数が、上記第１領域形成予定領域４３１ＰＲ、上記第１領域形成予定領域４３１ＰＧ、および上記第１領域形成予定領域４３１ＰＢ以外の領域における単位体積当たりに含まれる無機リガンド５３の数よりも多くなる。

【0275】

これにより、上記第１領域形成予定領域４３１ＰＲに第１領域４３１Ｒが形成され、上記第１領域形成予定領域４３１ＰＧに第１領域４３１Ｇが形成され、上記第１領域形成予定領域４３１ＰＢに第１領域４３１Ｂが形成される。そして、赤色ＱＤ含有層パターン１４３ＰＲにおける、上記第１領域形成予定領域４３１ＰＲ以外の領域が、ＥＭＬ４３Ｒの第２領域４３２Ｒとなる。また、緑色ＱＤ含有層パターン１４３ＰＧにおける、上記第１領域形成予定領域４３１ＰＧ以外の領域が、ＥＭＬ４３Ｇの第２領域４３２Ｇとなる。また、青色ＱＤ含有層パターン１４３ＰＢにおける、上記第１領域形成予定領域４３１ＰＢ以外の領域が、ＥＭＬ４３Ｂの第２領域４３２Ｂとなる。

【0276】

上記無機リガンド溶液は、無機リガンド５３と、該無機リガンド５３を溶解または分散させる溶媒と、を含んでいる。すなわち、図１９に示す例では、無機リガンド５３Ｒ、無機リガンド５３Ｇ、および無機リガンド５３Ｂとして、同じ無機リガンド５３を使用する。

【0277】

なお、上記無機リガンド溶液に用いられる溶媒としては、第１溶媒として例示した溶媒と同様の溶媒が挙げられる。上記無機リガンド溶液における無機リガンド５３の濃度および上記無機リガンド溶液の供給にかける時間も、特に限定されるものではなく、第１領域４３１における、各有機リガンド５２と無機リガンド５３との合計数に占める無機リガンド５３の割合が前述した所望の割合になるように適宜設定すればよい。

【0278】

その後、上記第１領域形成予定領域４３１ＰＲ、上記第１領域形成予定領域４３１ＰＧ、および上記第１領域形成予定領域４３１ＰＢに塗布された無機リガンド溶液に含まれる溶媒を除去して乾燥させた後、レジスト溶剤で、上記第４レジスト層ＲＬ４を除去する（ステップＳ１８４、第４レジスト層除去工程）。

【0279】

これにより、ＨＴＬ４２上に、第１領域４３１Ｒと第２領域４３２Ｒとを有するＥＭＬ４３Ｒと、第１領域４３１Ｇと第２領域４３２Ｇとを有するＥＭＬ４３Ｇと、第１領域４３１Ｂと第２領域４３２Ｂとを有するＥＭＬ４３Ｂと、を含む、島状の複数のＥＭＬ４３を形成することができる。

【0280】

なお、上記溶媒の除去温度（言い換えれば、乾燥温度）並びに乾燥時間も特に限定されるものではなく、上記溶媒が除去されるように適宜設定すればよい。

【0281】

上述したように、無機リガンド５３Ｒ、無機リガンド５３Ｇ、および無機リガンド５３Ｂとして同じ無機リガンド５３を使用する場合、第１領域形成予定領域４３１ＰＲ、第１領域形成予定領域４３１ＰＧ、および第１領域形成予定領域４３１ＰＢへの無機リガンド５３の供給を並行して行うことができる。これにより、レジストの塗布・剥離回数を低減し、タクトタイムを短くすることができ、本実施形態にかかる表示装置１を、より簡便に製造することができる。

【0282】

（変形例１）
図１９では、上述したように第１領域形成予定領域４３１ＰＲ、第１領域形成予定領域４３１ＰＧ、および第１領域形成予定領域４３１ＰＢへの無機リガンド５３の供給を並行して行う場合を例に挙げて説明したが、本実施形態は、これに限定されるものではない。

【0283】

例えば、ステップＳ１８２で、第４レジスト層ＲＬ４における、第１発光層の第１領域形成予定領域のみに開口部を形成して第１無機リガンドを含む第１無機リガンド溶液を供給した後、該開口部を第４レジストで埋め戻す。その後、第２発光層の第１領域形成予定領域のみに開口部を形成して第２無機リガンドを含む第２無機リガンド溶液を供給し、該開口部を第４レジストで埋め戻す。その後、第３発光層の第１領域形成予定陽域のみに開口部を形成して第３無機リガンドを含む第３無機リガンド溶液を供給する。最後に、第４レジスト層ＲＬ４を除去する。これにより、ＥＭＬ４３Ｒ、ＥＭＬ４３Ｇ、およびＥＭＬ４３Ｂを形成してもよい。この場合、第１無機リガンド溶液、第２無機リガンド溶液、および第３無機リガンド溶液に、互いに異なる種類あるいは濃度の無機リガンド溶液を用いることもできる。

【0284】

このように、図１８に示すステップＳ１６４の後、図１１に示すステップＳ３５～ステップＳ３７と同様の工程を行い、次いで、図１３に示すステップＳ６５～ステップＳ６７と同様の工程を行い、その後、図１５に示すステップＳ９５～ステップＳ９８と同様の工程を行ってもよい。なお、この場合、ＨＴＬ４２上に、ＱＤ含有層パターンとして、予め、赤色ＱＤ含有層パターン１４３ＰＲ、緑色ＱＤ含有層パターン１４３ＰＧおよび青色ＱＤ含有層パターン１４３ＰＢが形成されていることを除けば、図１１、図１３、および図１５と同じである。このため、本変形例では、図示を省略する。

【0285】

（変形例２）
図２０は、本実施形態に係る発光層形成工程（ステップＳ１３）の一部の工程の他の例に係る各色のＥＭＬ４３の一部を拡大して模式的に示す断面図である。なお、図２０は、図１８の後の工程を示している。

【0286】

本変形例では、図１９に示すステップＳ１８１～ステップＳ１８４に代えて、図２０に示すステップＳ２０１を行う。本変形例では、図２０に示すように、無機リガンド５３の供給に、マスクとして、レジスト層に代えて、金属マスクＭ８を使用する。

【0287】

本変形例では、金属マスクＭ８を精度良く位置合わせして、各サブ画素ＳＰにおける、サブ画素周辺部の第２領域４３２となる領域（領域４３２ＰＲ、領域４３２ＰＧ、領域４３２ＰＢ）を金属マスクＭ８で被覆する。そして、第１領域４３１となる、第１領域形成予定領域４３１ＰＲ、第１領域形成予定領域４３１ＰＧ、および第１領域形成予定領域４３１ＰＢにそれぞれ無機リガンド５３の供給を行う。これにより、図３および図４に示すＥＭＬ４３Ｒ、ＥＭＬ４３Ｇ、ＥＭＬ４３Ｂを形成することができる。

【0288】

なお、本変形例では、赤色ＥＭＬ形成予定領域４３ＰＲにおける、第１領域形成予定領域４３１ＰＲ以外の領域が、ＥＭＬ４３Ｒにおける第２領域４３２Ｒとなる領域４３２ＰＲになる。また、緑色ＥＭＬ形成予定領域４３ＰＧにおける、第１領域形成予定領域４３１ＰＧ以外の領域が、ＥＭＬ４３Ｇにおける第２領域４３２Ｇとなる領域４３２ＰＧになる。また、青色ＥＭＬ形成予定領域４３ＰＢにおける、第１領域形成予定領域４３１ＰＢ以外の領域が、ＥＭＬ４３Ｂにおける第２領域４３２Ｂとなる領域４３２ＰＢになる。

【0289】

上記無機リガンド５３の供給は、例えば、無機リガンド５３を含む無機リガンド溶液の滴下により行われてもよく、ミスト噴霧装置等を用いたスプレーコーティングにより行われてもよい。

【0290】

なお、図２０では、一例として、第１領域形成予定領域４３１ＰＲ、第１領域形成予定領域４３１ＰＧ、および第１領域形成予定領域４３１ＰＢへの無機リガンド５３の供給を並行して行う場合を例に挙げて図示している。しかしながら、本変形例は、これに限定されるものではなく、例えば、以下のようにしてＥＭＬ４３Ｒ、ＥＭＬ４３Ｇ、ＥＭＬ４３Ｂを形成してもよい。

【0291】

つまり、例えば、図１８に示すステップＳ１６４の後、まず、第１発光層の第１領域形成予定領域のみに開口部を有する金属マスクを使用して、該第１発光層の第１領域形成予定領域のみに第１無機リガンド溶液を供給する。その後、第２発光層の第１領域形成予定領域のみに開口部を有する金属マスクを使用して、該第２発光層の第１領域形成予定領域のみに第２無機リガンド溶液を供給する。次いで、第３発光層の第１領域形成予定領域のみに開口部を有する金属マスクを使用して、該第３発光層の第１領域形成予定領域のみに第３無機リガンドを供給する。この場合にも、第１無機リガンド溶液、第２無機リガンド溶液、および第３無機リガンド溶液に、互いに異なる種類あるいは濃度の無機リガンド溶液を用いることもできる。

【0292】

（変形例３）
図２１は、本実施形態に係る発光層形成工程（ステップＳ１３）の一部の工程の他の例に係る各色のＥＭＬ４３の一部を拡大して模式的に示す断面図である。なお、図２１は、図１８の後の工程を示している。

【0293】

本変形例では、図１９に示すステップＳ１８１～ステップＳ１８４に代えて、図２１に示すステップＳ２１１を行う。本変形例では、図２１に示すように、無機リガンド５３の供給に、インクジェット法を使用する。

【0294】

本変形例では、インクジェット装置におけるインクジェットヘッド２１０のノズルから、第１領域４３１となる、第１領域形成予定領域４３１ＰＲ、第１領域形成予定領域４３１ＰＧ、および第１領域形成予定領域４３１ＰＢにそれぞれ無機リガンド５３の供給を行う。

【0295】

本変形例では、上記無機リガンド５３を含む無機リガンド溶液の粘度および滴下量を調整することで、無機リガンド溶液が、サブ画素ＳＰにおける、サブ画素周辺部の第２領域４３２となる領域（つまり、領域４３２ＰＲ、領域４３２ＰＧ、および領域４３２ＰＢ）まで広がらないようにする。これにより、図３および図４に示すＥＭＬ４３Ｒ、ＥＭＬ４３Ｇ、ＥＭＬ４３Ｂを形成することができる。

【0296】

なお、図２１でも、一例として、第１領域形成予定領域４３１ＰＲ、第１領域形成予定領域４３１ＰＧ、および第１領域形成予定領域４３１ＰＢへの無機リガンド５３の供給を並行して行う場合を例に挙げて図示している。しかしながら、本変形例は、これに限定されるものではない。無機リガンド溶液として、第１無機リガンド溶液、第２無機リガンド溶液、および第３無機リガンド溶液を愛用し、これら無機リガンド溶液の供給に時間差を持たせるとともに、これら無機リガンド溶液の粘度および滴下量を調整して、これら無機リガンド溶液が、各サブ画素ＳＰにおける第２領域４３２となる部分まで広がらないようにしてもよい。この場合にも、第１無機リガンド溶液、第２無機リガンド溶液、および第３無機リガンド溶液に、互いに異なる種類あるいは濃度の無機リガンド溶液を用いることもできる。

【0297】

（変形例４）
図２２は、本変形例に係る発光層形成工程（ステップＳ１３）の一例を示すフローチャートである。

【0298】

図２２に示すように、本変形例では、まず、各色のＱＤ分散液として、第１ＱＤ分散液の調液（ステップＳ２２１ａ）を行う一方、第２ＱＤ分散液の調液（ステップＳ２２１ｂ）と、第３ＱＤ分散液の調液（ステップＳ２２１ｃ）と、第４ＱＤ分散液の調液（ステップＳ２２１ｄ）と、第５ＱＤ分散液の調液（ステップＳ２２１ｅ）と、第６ＱＤ分散液の調液（ステップＳ２２１ｆ）と、を行う。

【0299】

第１ＱＤ分散液は、第１ＱＤと、第１有機リガンドと、第１無機リガンドと、溶媒と、を含んでいる。第２ＱＤ分散液は、第１ＱＤと、第１有機リガンドおよび第１無機リガンドのうち少なくとも第１有機リガンドと、溶媒と、を含んでいる。第２ＱＤ分散液における、単位体積当たりに含まれる第１無機リガンドの数は、第１ＱＤ分散液の上記単位体積当たりに含まれる第１無機リガンドの数よりも少ない。

【0300】

また、第３ＱＤ分散液は、第２ＱＤと、第２有機リガンドと、第２無機リガンドと、溶媒と、を含んでいる。第４ＱＤ分散液は、第２ＱＤと、第２有機リガンドおよび第２無機リガンドのうち少なくとも第２有機リガンドと、溶媒と、を含んでいる。第４ＱＤ分散液における、単位体積当たりに含まれる第２無機リガンドの数は、第３ＱＤ分散液の上記単位体積当たりに含まれる第２無機リガンドの数よりも少ない。

【0301】

また、第５ＱＤ分散液は、第３ＱＤと、第３有機リガンドと、第３無機リガンドと、溶媒と、を含んでいる。第６ＱＤ分散液は、第３ＱＤと、第３有機リガンドおよび第３無機リガンドのうち少なくとも第３有機リガンドと、溶媒と、を含んでいる。第６ＱＤ分散液における、単位体積当たりに含まれる第３無機リガンドの数は、第５ＱＤ分散液の上記単位体積当たりに含まれる第３無機リガンドの数よりも少ない。

【0302】

次いで、上記第１ＱＤ分散液を第１発光層の第１領域形成予定領域に塗布した後（ステップＳ２２２ａ）、塗布された第１ＱＤ分散液から溶媒を除去する（ステップＳ２２３ａ）。また、上記ステップＳ２２２ａおよび上記ステップＳ２２３ａとそれぞれ前後もしくは並行して、上記第２ＱＤ分散液を第１発光層の第２領域形成予定領域に塗布した後（ステップＳ２２２ｂ）、塗布された第２ＱＤ分散液から溶媒を除去する（ステップＳ２２３ｂ）。

【0303】

次いで、上記第３ＱＤ分散液を第２発光層の第１領域形成予定領域に塗布した後（ステップＳ２２４ａ）、塗布された第３ＱＤ分散液から溶媒を除去する（ステップＳ２２５ａ）。また、上記ステップＳ２２４ａおよび上記ステップＳ２２５ａとそれぞれ前後もしくは並行して、上記第４ＱＤ分散液を第２発光層の第２領域形成予定領域に塗布した後（ステップＳ２２４ｂ）、塗布された第４ＱＤ分散液から溶媒を除去する（ステップＳ２２５ｂ）。

【0304】

次いで、上記第５ＱＤ分散液を第３発光層の第１領域形成予定領域に塗布した後（ステップＳ２２６ａ）、塗布された第５ＱＤ分散液から溶媒を除去する（ステップＳ２２７ａ）。また、上記ステップＳ２２６ａおよび上記ステップＳ２２７ａとそれぞれ前後もしくは並行して、上記第６ＱＤ分散液を第３発光層の第２領域形成予定領域に塗布した後（ステップＳ２２６ｂ）、塗布された第６ＱＤ分散液から溶媒を除去する（ステップＳ２２７ｂ）。

【0305】

なお、上記第１ＱＤ分散液～第６ＱＤ分散液の上記各領域への塗布には、例えば、それぞれ、インクジェット法による塗り分け塗布を用いることができる。

【0306】

これにより、図３および図４に示すＥＭＬ４３Ｒ、ＥＭＬ４３Ｇ、ＥＭＬ４３Ｂを形成することができる。

【0307】

〔実施形態３〕
図２３は、本実施形態に係る表示装置１の画素領域ＤＡにおけるサブ画素ＳＰの概略構成の一例を示す平面図であり、図１に示す表示装置１の画素領域ＤＡにおけるサブ画素ＳＰの概略構成の他の一例を示している。なお、図２３は、図示の便宜上、サブ画素ＳＰの数を省略して示している。

【0308】

図２３に示すように、本実施形態に係る表示装置１は、第２領域４３２が、自サブ画素ＳＰのＥＭＬ４３における、他のサブ画素ＳＰと隣り合う端部のうち、自サブ画素ＳＰとは発光色が異なるサブ画素ＳＰと隣り合う端部のみを含んでいる。

【0309】

同一色のサブ画素ＳＰ間の光学的なクロストークについては、混色に比べて問題になり難い。そこで、図２３に示すように、ＥＭＬ４３における、発光色が異なるサブ画素ＳＰと隣り合う端部に第２領域４３２が設けられていれば、混色を抑制することができる。

【0310】

なお、このようにＥＭＬ４３における、発光色が異なるサブ画素ＳＰと隣り合う端部にのみ第２領域４３２が設けられている場合であっても、自サブ画素ＳＰのＥＭＬ４３における第２領域４３２に隣り合う他のサブ画素ＳＰの端部から自サブ画素ＳＰの第１領域４３１の端部までの最短距離（Δａ）は、２．０μｍ以上、８．５μｍ以下の範囲内であることが望ましい。

【0311】

〔実施形態４〕
図２４は、本実施形態に係る表示装置１の画素領域ＤＡにおけるサブ画素ＳＰの概略構成の一例を示す平面図であり、図１に示す表示装置１の画素領域ＤＡにおけるサブ画素ＳＰの概略構成のさらに他の一例を示している。なお、図２４は、図示の便宜上、サブ画素ＳＰの数を省略して示している。

【0312】

図２４に示すように、本実施形態に係る表示装置１は、第２領域４３２が、自サブ画素ＳＰのＥＭＬ４３における、他のサブ画素ＳＰと隣り合う端部のうち、自サブ画素ＳＰの発光ピーク波長よりも短波長の発光ピーク波長を有する光を発するサブ画素ＳＰと隣り合う端部のみを含んでいる。

【0313】

一般的に、ＱＬＥＤ（ナノＬＥＤ）は、発光ピーク波長が短い発光色ほど最大駆動電圧（Ｖｄ）が高い。このため、自サブ画素ＳＰに隣り合う、発光対象のサブ画素ＳＰの方が発光ピーク波長が長波長である場合、該長波長のサブ画素ＳＰの駆動によるリーク電流で、発光ピーク波長が短い自サブ画素ＳＰは発光し難い。

【0314】

実施形態１で説明したように、サブ画素ＲＳＰにおける発光ピーク波長（λ）が６２０ｎｍであり、Ｅｇ＝２．０ｅＶとすると、サブ画素ＲＳＰの発光閾値電圧は、理想的な場合、２．０Ｖとなる。また、サブ画素ＧＳＰにおける発光ピーク波長（λ）が５３０ｎｍであり、Ｅｇ＝２．３ｅＶとすると、サブ画素ＧＳＰの発光閾値電圧は、理想的な場合、２．３Ｖとなる。また、サブ画素ＢＳＰにおける発光ピーク波長（λ）が４５０ｎｍであり、Ｅｇ＝２．８ｅＶとすると、サブ画素ＢＳＰの発光閾値電圧は、理想的な場合、２．８Ｖとなる。

【0315】

したがって、図２４に示す表示装置１では、サブ画素ＲＳＰのＥＭＬ４３Ｒにおける、サブ画素ＧＳＰに隣り合う端部およびサブ画素ＢＳＰに隣り合う端部に、それぞれ第２領域４３２Ｒが設けられている。また、サブ画素ＧＳＰのＥＭＬ４３Ｇには、サブ画素ＢＳＰに隣り合う端部にのみ、第２領域４３２Ｇが設けられている。しかしながら、サブ画素ＢＳＰのＥＭＬ４３Ｂには、第２領域４３２Ｂは設けられていない。

【0316】

なお、図２４に示す例では、ＥＭＬ４３Ｒにおける、第２領域４３２Ｒ以外の領域が第１領域４３１Ｒであり、ＥＭＬ４３Ｇにおける、第２領域４３２Ｇ以外の領域が第１領域４３１Ｇである。

【0317】

ＥＭＬ４３Ｂは、第２領域４３２Ｂを備えていなくとも、上述したようにサブ画素ＲＳＰおよびサブ画素ＧＳＰからのリーク電流によるサブ画素ＢＳＰでの混色は生じ難い。このため、ＥＭＬ４３Ｂでは、実施形態１～３における第１領域４３１Ｂと同様に、有機リガンド５２Ｂと無機リガンド５３Ｂとの合計数に占める無機リガンド５３Ｂの割合が、８．２％以上、１００％以下であることが好ましく、８．２％以上、８２％以下であることがより好ましく、４１％以上、８２％以下であることがさらに好ましい。このように、ＥＭＬ４３Ｂでは、領域によって単位体積当たりの無機リガンド５３Ｂの数の差がなく、ＥＭＬ４３Ｂ全体に概ね均一に無機リガンド５３Ｂが含まれていてもよい。

【0318】

（変形例）
実施形態１～３では、各サブ画素ＳＰにおけるＥＭＬ４３に、それぞれ第１領域４３１と第２領域４３２とが設けられている場合を例に挙げて説明した。しかしながら、一例として例えば図２４に示すように、本開示に係る表示装置１は、全てのサブ画素ＳＰが第１領域４３１と第２領域４３２とを備えている必要は必ずしもない。

【0319】

本開示に係る表示装置１は、複数のサブ画素ＳＰのうち、少なくとも１つのサブ画素ＳＰのＥＭＬ４３が、第１領域４３１と第２領域４３２とを含み、第１領域４３１が、上記少なくとも１つのサブ画素ＳＰのＥＭＬ４３の中央部を含み、第２領域４３２が、上記少なくとも１つのサブ画素ＳＰのＥＭＬ４３における、該少なくとも１つのサブ画素ＳＰにそれぞれ隣り合う他のサブ画素ＳＰと隣り合う端部のうち少なくとも１つの端部を含んでいればよい。これにより、該少なくとも１つのサブ画素ＳＰにおいて、隣り合う、発光対象のサブ画素ＳＰからのリーク電流による自サブ画素ＳＰのサブ画素周辺部における第２領域４３２の発光を低減することができる。これにより、上記少なくとも１つのサブ画素ＳＰにおいて、無機リガンド５３による発光効率の向上を図ることができるとともに、光学的なクロストークを抑制することができる。

【0320】

したがって、例えば図２３に示す例では、第２領域４３２が、少なくとも１つのサブ画素ＳＰのＥＭＬ４３における、他のサブ画素ＳＰと隣り合う端部のうち、該少なくとも１つのサブ画素ＳＰとは発光色が異なるサブ画素ＳＰと隣り合う端部のみを含んでいてもよい。これにより、上記少なくとも１つのサブ画素ＳＰにおいて、リーク電流による混色を低減することができる。

【0321】

また、例えば図２４に示す例では、第２領域４３２が、少なくとも１つのサブ画素ＳＰのＥＭＬ４３における、他のサブ画素ＳＰと隣り合う端部のうち、該少なくとも１つのサブ画素ＳＰの発光ピーク波長よりも短波長の発光ピーク波長を有する光を発するサブ画素ＳＰと隣り合う端部のみを含んでいてもよい。これにより、上記少なくとも１つのサブ画素ＳＰにおいて、無機リガンド５３による高発光効率・高信頼性とリーク電流による混色の低減と、を両立することができる。

【0322】

また、第２領域４３２は、少なくとも１つのサブ画素ＳＰのＥＭＬ４３における、他のサブ画素ＳＰと隣り合う端部のうち、該少なくとも１つのサブ画素ＳＰと発光色が同じサブ画素ＳＰと隣り合う端部を含んでいてもよい。これにより、上記少なくとも１つのサブ画素ＳＰにおいて、隣り合うサブ画素ＳＰからのリーク電流による発光を低減し、高精細な映像を表示することができる。例えば、図２に示す例において、第２領域４３２は、少なくとも１つのサブ画素ＳＰのＥＭＬ４３における、他のサブ画素ＳＰと隣り合う全ての端部を含み、第１領域４３１を取り囲んで形成されていてもよい。

【0323】

したがって、本開示に係る表示装置１の製造方法は、前記発光層形成工程において、複数のサブ画素ＳＰのうち、少なくとも１つのサブ画素ＳＰに、発光層として、下記（ｉ）～（iii）に示す構成を有するＥＭＬ４３を形成してもよい。（ｉ）第１領域４３１と第２領域４３２とを含む。（ii）第１領域４３１は、少なくとも１つのサブ画素ＳＰの発光層の中央部を含む。（iii）第２領域４３２は、上記少なくとも１つのサブ画素ＳＰの発光層における、該少なくとも１つのサブ画素ＳＰにそれぞれ隣り合う他のサブ画素ＳＰと隣り合う端部のうち少なくとも１つの端部を少なくとも含む。これにより、上記少なくとも１つのサブ画素ＳＰにおいて、無機リガンド５３による発光効率の向上を図ることができるとともに、光学的なクロストークを抑制することができる表示装置１を製造することができる。

【0324】

〔実施形態５〕
図２５は、本実施形態に係る表示装置１の画素領域ＤＡにおけるサブ画素ＳＰの概略構成の一例を示す平面図であり、図１に示す表示装置１の画素領域ＤＡにおけるサブ画素ＳＰの概略構成のさらに他の一例を示している。なお、図２５は、図示の便宜上、サブ画素ＳＰの数を省略して示している。

【0325】

図２５に示す表示装置１は、以下の点を除けば、図２４に示す表示装置１と同じ構成を有している。図２５に示す表示装置１は、自サブ画素ＳＰのＥＭＬ４３における第２領域４３２に隣り合う、発光色が異なるサブ画素ＳＰの端部から、自サブ画素ＳＰの第１領域４３１の端部までの最短距離（Δａ）が、自サブ画素ＳＰのＥＭＬ４３と上記発光色が異なるサブ画素ＳＰのＥＭＬ４３とのバンドギャップの差が大きいほど大きい。

【0326】

前記したようにサブ画素ＲＳＰにおけるバンドギャップ（Ｅｇ）が２．０ｅＶで、サブ画素ＧＳＰにおけるバンドギャップ（Ｅｇ）が２．３ｅＶで、サブ画素ＢＳＰにおけるバンドギャップ（Ｅｇ）が２．８ｅＶの場合、サブ画素ＲＳＰとサブ画素ＢＳＰとのバンドギャップ差をＥｇ（ＲＢ）とすると、Ｅｇ（ＲＢ）＝０．８ｅＶとなる。また、サブ画素ＧＳＰとサブ画素ＢＳＰとのバンドギャップ差をＥｇ（ＧＢ）とすると、Ｅｇ（ＧＢ）＝０．５ｅＶとなる。また、サブ画素ＲＳＰとサブ画素ＧＳＰとのバンドギャップ差をＥｇ（ＲＧ）とすると、Ｅｇ（ＲＧ）＝０．３ｅＶとなる。したがって、発光色が異なるサブ画素ＳＰ間でのバンドギャップの差は、Ｅｇ（ＲＢ）＞Ｅｇ（ＧＢ）＞Ｅｇ（ＲＧ）となる。

【0327】

この場合、発光閾値電圧（Ｖｔｈ）が、各色のサブ画素ＳＰの最大駆動電圧（Ｖｄｍ）（バンドギャップに相当）によって変化する。このため、Ｖｄｍ－Ｖｔｈが、各サブ画素ＳＰの発光色によって変わる。そこで、このバンドギャップ差によるＶｄｍ－Ｖｔｈの変化を、自サブ画素ＳＰのＥＭＬ４３における第２領域４３２に隣り合う、発光色が異なるサブ画素ＳＰの端部から、自サブ画素ＳＰの第１領域４３１の端部までの最短距離（Δａ）に反映させることが望ましい。

【0328】

本実施形態では、実施形態１に示す式（１）において、１ＶとしていたＶｄｍ－Ｖｔｈを、上記バンドギャップ差を加えた値に変更することで、上記最短距離（Δａ）を計算する。つまり、実施形態１では、Ｖｄｍ－Ｖｔｈを、自サブ画素ＳＰに隣り合うサブ画素ＳＰの発光色に拘らず、全て１Ｖとしていたが、本実施形態では、自サブ画素ＳＰに隣り合うサブ画素ＳＰの発光色による最大駆動電圧（Ｖｄｍ）の違いを反映させる。

【0329】

具体的には、サブ画素ＲＳＰ－サブ画素ＢＳＰ間でのＶｄｍ－Ｖｔｈを、Ｖｄｍ－Ｖｔｈ＝１．８Ｖとする。また、サブ画素ＧＳＰ－サブ画素ＢＳＰ間でのＶｄｍ－Ｖｔｈを、Ｖｄｍ－Ｖｔｈ＝１．５Ｖとする。また、サブ画素ＲＳＰ－サブ画素ＧＳＰ間でのＶｄｍ－Ｖｔｈを、Ｖｄｍ－Ｖｔｈ＝１．３Ｖとする。

【0330】

また、サブ画素ＲＳＰのＥＭＬ４３Ｒにおける第２領域４３２Ｒに隣り合う、サブ画素ＢＳＰの端部から、該ＥＭＬ４３Ｒの第１領域４３１Ｒの端部までの最短距離（Δａ）をＤ_ＲＢとする。また、サブ画素ＲＳＰのＥＭＬ４３Ｒにおける第２領域４３２Ｒに隣り合う、サブ画素ＧＳＰの端部から、該ＥＭＬ４３Ｒの第１領域４３１Ｒの端部までの最短距離（Δａ）をＤ_ＲＧとする。また、サブ画素ＧＳＰのＥＭＬ４３Ｇにおける第２領域４３２Ｇに隣り合う、サブ画素ＢＳＰの端部から、該ＥＭＬ４３Ｇの第１領域４３１Ｇの端部までの最短距離（Δａ）をＤ_ＧＢとする。

【0331】

この場合、Ｄ_ＲＧ＜Ｄ_ＧＢ＜Ｄ_ＲＢ、かつ、２．３μｍ≦Ｄ_ＲＧ≦７．２μｍ、２．４μｍ≦Ｄ_ＧＢ≦７．７μｍ、２．７μｍ≦Ｄ_ＲＢ≦８．５μｍであることが好ましい。

【0332】

このように上記最短距離（Δａ）を、自サブ画素ＳＰのＥＭＬ４３と上記発光色が異なるサブ画素ＳＰのＥＭＬ４３とのバンドギャップの差が大きいほど大きくすることで、最大駆動電圧の差が大きい部分について、効率的に混色を抑えることができる。

【0333】

（変形例）
なお、図２５では、図２４に示す表示装置１において、自サブ画素ＳＰのＥＭＬ４３と、該サブ画素ＳＰに隣り合う、発光色が異なるサブ画素ＳＰのＥＭＬ４３とのバンドギャップの差が大きいほどΔａが大きい場合を例に挙げて図示した。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではない。

【0334】

例えば、図２あるいは図２３に示す表示装置１において、自サブ画素ＳＰのＥＭＬ４３と、該サブ画素ＳＰに隣り合う、発光色が異なるサブ画素ＳＰのＥＭＬ４３とのバンドギャップの差が大きいほどΔａを大きくしてもよい。

【0335】

また、表示装置１は、少なくとも１つのサブ画素ＳＰのＥＭＬ４３における第２領域４３２に隣り合う、発光色が異なるサブ画素ＳＰの端部から、該少なくとも１つのサブ画素ＳＰのＥＭＬ４３における、第１領域４３１の端部までの最短距離（Δａ）が、上記少なくとも１つのサブ画素ＳＰのＥＭＬ４３と上記発光色が異なるサブ画素ＳＰのＥＭＬ４３とのバンドギャップの差が大きいほど大きい構成であってもよい。

【0336】

〔実施形態６〕
図２６は、本実施形態に係る表示装置１の画素領域ＤＡにおけるサブ画素ＳＰの概略構成の一例を示す平面図であり、図１に示す表示装置１の画素領域ＤＡにおけるサブ画素ＳＰの概略構成のさらに他の一例を示している。なお、図２６は、図示の便宜上、サブ画素ＳＰの数を省略して示している。

【0337】

図２６に示す表示装置１は、以下の点を除けば、図２に示す表示装置１と同じ構成を有している。図２６に示す表示装置１は、図２６に示すように、サブ画素ＲＳＰのＥＭＬ４３Ｒにおける、第１領域４３１Ｒと第２領域４３２Ｒとの間に、第３領域４３３Ｒを備えている。また、サブ画素ＲＳＰのＥＭＬ４３Ｇにおける、第１領域４３１Ｇと第２領域４３２Ｇとの間に、第３領域４３３Ｇを備えている。また、サブ画素ＲＳＰのＥＭＬ４３Ｇにおける、第１領域４３１Ｇと第２領域４３２Ｇとの間に、第３領域４３３Ｇを備えている。

【0338】

第３領域４３３Ｒは、ＱＤ５１Ｒと、有機リガンド５２Ｒと、無機リガンド５３Ｒと、を含み、単位体積当たりに含まれる無機リガンド５３Ｒの数が、第１領域４３１Ｒの上記単位体積当たりに含まれる無機リガンド５３Ｒの数よりも少なく、第２領域４３２Ｒの上記単位体積当たりに含まれる無機リガンド５３Ｒの数よりも多い領域である。

【0339】

第３領域４３３Ｇは、ＱＤ５１Ｇと、有機リガンド５２Ｇと、無機リガンド５３Ｇと、を含み、単位体積当たりに含まれる無機リガンド５３Ｇの数が、第１領域４３１Ｇの上記単位体積当たりに含まれる無機リガンド５３Ｇの数よりも少なく、第２領域４３２Ｇの上記単位体積当たりに含まれる無機リガンド５３Ｇの数よりも多い領域である。

【0340】

第３領域４３３Ｂは、ＱＤ５１Ｂと、有機リガンド５２Ｂと、無機リガンド５３Ｂと、を含み、単位体積当たりに含まれる無機リガンド５３Ｂの数が、第１領域４３１Ｂの上記単位体積当たりに含まれる無機リガンド５３Ｂの数よりも少なく、第２領域４３２Ｂの上記単位体積当たりに含まれる無機リガンド５３Ｂの数よりも多い領域である。

【0341】

なお、以下、第３領域４３３Ｒと、第３領域４３３Ｇと、第３領域４３３Ｂと、を特に区別する必要がない場合、これらを総称して単に「第３領域４３３」と称する。

【0342】

図２６では、図２に示す表示装置１において、第１領域４３１と第２領域４３２との間に第３領域４３３が設けられている場合を例に挙げて図示している。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではなく、例えば、図２３、図２４、あるいは図２６に示す表示装置１において、第１領域４３１と第２領域４３２との間に第３領域４３３が設けられていてもよい。

【0343】

また、表示装置１は、少なくとも１つのサブ画素ＳＰのＥＭＬ４３における第１領域４３１と第２領域４３２との間に第３領域４３３が設けられている構成であってもよい。

【0344】

このように第１領域４３１と第２領域４３２との間に第３領域４３３を設けることで、第３領域４３３を設けない場合（言い換えれば、サブ画素周辺部に第２領域４３２のみを設ける場合）と比較して、サブ画素周辺部の発光効率を高くすることができる。

【0345】

図２７は、自サブ画素ＳＰ内における、サブ画素端からの距離ｘと、自サブ画素ＳＰに隣り合う、発光対象のサブ画素ＳＰの駆動による自サブ画素ＳＰの電圧上昇量ｖ（ｘ）と、有機リガンド５２と無機リガンド５３との合計数に占める無機リガンド５３の割合がｒのときの、自サブ画素ＳＰの発光閾値電圧上昇量Ｖ（ｒ）との関係を示すグラフである。

【0346】

ここで、自サブ画素ＳＰ内における、サブ画素端部からの距離ｘとは、自サブ画素ＳＰの端部を基点として自サブ画素ＳＰの中央部に向かう方向の距離を示す。第２領域４３２の幅をａ１とし、第３領域４３３の幅をａ２とすると、自サブ画素ＳＰに隣り合うサブ画素ＳＰの駆動による自サブ画素ＳＰの電圧上昇量ｖ（ｘ）は、ｖ（ｘ）＝１×（１－ｘ／（ａ１＋ａ２））［単位：Ｖ］で示される。なお、ａ１＋ａ２は、実施形態１に示すΔａからサブ画素ＳＰ間の距離を引いた値に等しい。

【0347】

一方、有機リガンド５２と無機リガンド５３との合計数に占める無機リガンド５３の割合がｒのときの、自サブ画素ＳＰの発光閾値電圧上昇量Ｖ（ｒ）は、実施形態１で示した式（２）で与えられる。

【0348】

自サブ画素ＳＰに隣り合う、発光対象のサブ画素ＳＰの駆動により第２領域４３２および第３領域４３３が発光しないためには、０≦ｘ≦（ａ１＋ａ２）の範囲において、ｖ（ｘ）≦Ｖ（ｒ）であることが望ましい。

【0349】

上記ｖ（ｘ）は、大きいほどリーク電流が大きく、発光輝度も高くなり易い。しかしながら、図２７に示すようにＶ（ｒ）がｖ（ｘ）以上であれば、ｖ（ｘ）の電圧では、発光閾値電圧がＶ（ｒ）の発光素子ＥＳを発光させることができない。このため、ｖ（ｘ）≦Ｖ（ｒ）であれば、サブ画素ＳＰ間でのクロストークは問題にならなない。

【0350】

本実施形態では、自サブ画素ＳＰに隣り合う、発光対象のサブ画素ＳＰから自サブ画素ＳＰへの間の電圧降下を考えてｖ（ｘ）を規定している。ｖ（ｘ）は、図２７に示すように、実施形態１におけるΔａからサブ画素間距離を引いた値の逆数に比例して降下する。そのため、自サブ画素ＳＰのサブ画素周辺部において、段階的に無機リガンド５３の割合ｒを変化させることで、隣り合うサブ画素からのリーク電流による発光の抑制を図ることができる一方で、サブ画素周辺部に第２領域４３２のみを設ける場合）と比較して、サブ画素周辺部の発光効率を高くすることができる。

【0351】

本実施形態において、第２領域４３２における、有機リガンド５２と無機リガンド５３との合計数に占める無機リガンド５３の割合をｒ２とし、該第２領域４３２の発光閾値電圧上昇量をＶ（ｒ２）とし、ｘ＝０のときのｖ（ｘ）をｖ（０）とすると、自サブ画素ＳＰに隣り合うサブ画素ＳＰの駆動により第２領域４３２が発光しないためには、上記ｒ２に対し、上記Ｖ（ｒ２）が、ｖ（０）≦Ｖ（ｒ２）であることが望ましい。

【0352】

ここで、ｖ（０）は、ｖ（０）＝１Ｖである。このため、自サブ画素ＳＰに隣り合うサブ画素ＳＰの駆動により第２領域４３２が発光しないためには、Ｖ（ｒ２）≧１Ｖであることが望ましい。したかって、前述した式（２）において、ｒ＝ｒ２として計算すると、ｒ２は、ｒ２≦０．４１であることが望ましく、第２領域４３２における、上記無機リガンド５３の割合ｒ２は、０％以上、４１％以下であることが望ましい。

【0353】

また、上述したように０≦ｘ≦（ａ１＋ａ２）の範囲において、第２領域４３２の幅と第３領域４３３の幅とが等しく、ａ１＝ａ２とした場合、第３領域４３３における、有機リガンド５２と無機リガンド５３との合計数に占める無機リガンド５３の割合をｒ３とし、該第２領域４３２の発光閾値電圧上昇量をＶ（ｒ３）とし、第３領域４３３における、第２領域４３２との境界位置となるｘ＝０．５のときのｖ（ｘ）をｖ（０．５）とすると、自サブ画素ＳＰに隣り合うサブ画素ＳＰの駆動により第３領域４３３が発光しないためには、上記ｒ３に対し、上記Ｖ（ｒ３）が、ｖ（０．５）≦Ｖ（ｒ３）であることが望ましい。

【0354】

ここで、ｖ（０．５）は、ｖ（０．５）＝０．５Ｖである。このため、自サブ画素ＳＰに隣り合うサブ画素ＳＰの駆動により第３領域４３３が発光しないためには、Ｖ（ｒ３）≧０．５Ｖであることが望ましい。したかって、前述した式（２）において、ｒ＝ｒ３として計算すると、ｒ３は、ｒ３≦０．６２であることが望ましい。このため、第３領域４３３における、上記無機リガンド５３の割合ｒ３は、４１％以上、６２％以下であることが望ましい。

【0355】

また、実施形態１で説明したように、第１領域４３１における、有機リガンド５２と無機リガンド５３との合計数に占める無機リガンド５３の割合は、１００％であってもよい。しかしながら、ＱＤ５１同士の凝集を防ぐ上で好ましい、有機リガンド５２と無機リガンド５３との合計数に占める無機リガンド５３の最大の割合は、８２％である。

【0356】

したがって、第１領域４３１における、有機リガンド５２と無機リガンド５３との合計数に占める無機リガンド５３の割合をｒ１とすると、上述したように、ｒ２＜ｒ３＜ｒ１であり、ｒ１～ｒ３は、上述した関係を満足していればよい。しかしながら、ｒ１は、６２％以上、１００％以下の範囲内であることが好ましく、６２％以上、８２％以下の範囲内であることがより好ましい。また、ｒ３は、４１％以上、６２％以下の範囲内であることが好ましく、ｒ２は、０％以上、４１％以下の範囲内である（但し、ｒ２＜ｒ３＜ｒ１）ことが好ましい。

【0357】

本実施形態に係る表示装置１の製造方法は、前記発光層形成工程において、複数のサブ画素ＳＰのうち、少なくとも１つのサブ画素ＳＰに、発光層として、第１領域４３１と第２領域４３２との間に、第３領域４３３をさらに含むＥＭＬ４３を形成する点で、前記実施形態１～５に係る表示装置１の製造方法と異なっている。

【0358】

なお、第１領域４３１と第２領域４３２との間に、第３領域４３３を形成するには、ＥＭＬ４３における第３領域形成予定領域に、上述したようにｒ２＜ｒ３＜ｒ１となるように無機リガンド５３を供給すればよい。なお、ここで、第３領域形成予定領域とは、最終的に、ＥＭＬ４３における第３領域４３３を形成する領域を示す。

【0359】

また、ＥＭＬ４３における第３領域形成予定領域に、上述したようにｒ２＜ｒ３＜ｒ１となるように無機リガンド５３を供給する方法としては、実施形態１または実施形態２において、第２領域形成予定領域にｒ２＜ｒ１となるように無機リガンド５３を供給する方法と同様の方法を用いることができる。

【0360】

〔実施形態７〕
図２８は、本実施形態に係る表示装置１の要部の概略構成の一例を示す断面図である。なお、図２８は、図２に示すＡ－Ａ’線断面の他の一例を示す。

【0361】

図２８に示す表示装置１は、サブ画素ＳＰ間でＨＩＬ４１、ＨＴＬ４２、およびＥＴＬ４４が、バンク３２によって分断されており、これらＨＩＬ４１、ＨＴＬ４２、およびＥＴＬ４４が、サブ画素ＳＰ毎に島状に形成されている点で、図３に示す表示装置１と異なっている。

【0362】

このように例えサブ画素ＳＰ間で、ＨＩＬ４１およびＨＴＬ４２と、ＥＴＬ４４とのうち少なくとも一方がバンク３２等により分断されていたとしても、バンク３２上への、各層の材料溶液の飛び散りや、バンク３２上の異物等により、サブ画素ＳＰ間で思わぬリークパスが生じてしまう可能性がある。しかしながら、そのような場合であっても、ＥＭＬ４３に、少なくとも第１領域４３１と第２領域４３２とが形成されていることで、確実にサブ画素ＳＰ間のクロストークを抑制することができる。

【0363】

なお、図２８では、ＨＩＬ４１、ＨＴＬ４２、およびＥＴＬ４４が、サブ画素ＳＰ毎に島状に形成されている場合を例に挙げて図示している。しかしながら、図２８に示すように表示装置１が例えばコンベンショナル構造を有する場合には、ＥＴＬ４４が全サブ画素ＳＰに供給する共通層であり、ＨＩＬ４１およびＨＴＬ４２が島状に形成されている場合にも、同様の効果が得られる。また、表示装置１が例えばインバーテッド構造を有する場合には、ＨＩＬ４１およびＨＴＬ４２が全サブ画素ＳＰに供給する共通層であり、ＥＴＬ４４が島状に形成されている場合にも、同様の効果が得られる。

【0364】

〔実施形態８〕
前記実施形態、特に、実施形態１、２では、図４等に示すように、第１領域４３１Ｒ、第１領域４３１Ｇ、および第１領域４３１Ｂが、何れも、リガンドとして、有機リガンド５２および無機リガンド５３の両方を含んでいる場合を例に挙げて説明した。しかしながら、前述したように、第１領域４３１Ｒ、第１領域４３１Ｇ、および第１領域４３１Ｂは、ＱＤ５１と、有機リガンド５２および無機リガンド５３のうち少なくとも無機リガンド５３と、を含んでいればよい。そこで、本実施形態では、第１領域４３１Ｒ、第１領域４３１Ｇ、および第１領域４３１Ｂが、ＱＤ５１および無機リガンド５３を含み、有機リガンド５２を含まない場合について説明する。

【0365】

図２９は、本実施形態に係る発光層形成工程（ステップＳ１３）の一部の工程の一例を示す断面図である。図２９は、図１９に示す第４レジスト層パターニング工程（ステップＳ１８２）における、第４レジスト層現像工程（ステップＳ１９２）の後の工程を示している。

【0366】

図２９に示す方法では、上記ステップＳ１９２の後、ステップＳ１８３（無機リガンド供給工程）を行う前に、第４レジスト層ＲＬ４に形成された開口部ＯＰ７ａから露出している、第１領域形成予定領域４３１ＰＲ、第１領域形成予定領域４３１ＰＧ、および第１領域形成予定領域４３１ＰＢを、洗浄液で洗浄する。これにより、第１領域形成予定領域４３１ＰＲ、第１領域形成予定領域４３１ＰＧ、および第１領域形成予定領域４３１ＰＢに含まれる有機リガンド５２を除去する（ステップＳ１９３、有機リガンド除去工程、洗浄工程）。なお、以下、第１領域形成予定領域４３１ＰＲと、第１領域形成予定領域４３１ＰＧと、第１領域形成予定領域４３１ＰＢと、を特に区別する必要がない場合、これらを総称して単に「第１領域形成予定領域４３１Ｐ」と称する。

【0367】

有機リガンド５２の除去率は、例えば洗浄時間、洗浄液の供給量等によって調節することができる。本実施形態では、一例として、ステップＳ１９３において、有機リガンド５２が完全に除去されるまで洗浄を行う。但し、ステップＳ１９３では、有機リガンド５２の一部のみを除去してもよい。このように有機リガンド５２の少なくとも一部を除去することで、第１領域４３１において単位体積当たりに含まれる有機リガンド５２の数を、第２領域４３２の上記単位体積当たりに含まれる有機リガンド５２の数よりも少なくすることができる。これにより、第１領域４３１において単位体積当たりに含まれる無機リガンド５３Ｇの数を、第２領域４３２の上記単位体積当たりに含まれる有機リガンド５２の数よりも多くすることができる。したがって、このように有機リガンド５２の少なくとも一部を除去することで、第１領域形成予定領域４３１ＰのＱＤ５１に配位している有機リガンド５２の量を減らし、ステップＳ１８３で該ＱＤ５１に配位する無機リガンド５３Ｇの数を増やすことができる。

【0368】

上記洗浄液としては、第１領域形成予定領域４３１Ｐに含まれる有機リガンド５２を除去することができる溶媒であればよい。より具体的には、上記洗浄液としては、ＱＤ５１に配位した有機リガンド５２を溶解するとともに、ＱＤ５１に配位していない、余剰の有機リガンド５２を溶解する溶媒であればよい。上記洗浄液としては、例えば、メタノール、エタノール等のアルコールが挙げられる。

【0369】

なお、洗浄に用いた、有機リガンド５２を含む廃洗浄液は、必要に応じて、回収してもよい。上記廃洗浄液には、洗浄液として用いた溶媒および有機リガンド５２のみが含まれる。したがって、上記廃洗浄液を回収することで、上記廃洗浄液に含まれる有機リガンド５２を、再利用することが可能である。

【0370】

次いで、図１９に示すステップＳ１８３と同様にして、上記開口部ＯＰ７ａから露出している、各第１領域形成予定領域４３１Ｐに、無機リガンド５３を含む無機リガンド溶液をそれぞれ塗布する。これにより、上記第１領域形成予定領域４３１ＰＲ、上記第１領域形成予定領域４３１ＰＧ、および上記第１領域形成予定領域４３１ＰＢに、それぞれ無機リガンド５３を供給する（ステップＳ１８３、無機リガンド供給工程）。

【0371】

これにより、上記第１領域形成予定領域４３１ＰＲに第１領域４３１Ｒが形成され、上記第１領域形成予定領域４３１ＰＧに第１領域４３１Ｇが形成され、上記第１領域形成予定領域４３１ＰＢに第１領域４３１Ｂが形成される。そして、赤色ＱＤ含有層パターン１４３ＰＲにおける、上記第１領域形成予定領域４３１ＰＲ以外の領域が、ＥＭＬ４３Ｒの第２領域４３２Ｒとなる。また、緑色ＱＤ含有層パターン１４３ＰＧにおける、上記第１領域形成予定領域４３１ＰＧ以外の領域が、ＥＭＬ４３Ｇの第２領域４３２Ｇとなる。また、青色ＱＤ含有層パターン１４３ＰＢにおける、上記第１領域形成予定領域４３１ＰＢ以外の領域が、ＥＭＬ４３Ｂの第２領域４３２Ｂとなる。

【0372】

その後、上記第１領域形成予定領域４３１ＰＲ、上記第１領域形成予定領域４３１ＰＧ、および上記第１領域形成予定領域４３１ＰＢに塗布された無機リガンド溶液に含まれる溶媒を除去して乾燥させた後、レジスト溶剤で、上記第４レジスト層ＲＬ４を除去する（ステップＳ１８４、第４レジスト層除去工程）。

【0373】

これにより、ＨＴＬ４２上に、第１領域４３１Ｒと第２領域４３２Ｒとを有するＥＭＬ４３Ｒと、第１領域４３１Ｇと第２領域４３２Ｇとを有するＥＭＬ４３Ｇと、第１領域４３１Ｂと第２領域４３２Ｂとを有するＥＭＬ４３Ｂと、を含む、島状の複数のＥＭＬ４３を形成することができる。但し、図２９では、ステップＳ１９３において、有機リガンド５２を完全に除去している。このため、図２９では、ステップＳ１９３の後でステップＳ１８３およびステップＳ１８４を行うことで、ＱＤ５１および無機リガンド５３を含み、有機リガンド５２を含まない、第１領域４３１Ｒ、第１領域４３１Ｇ、第１領域４３１Ｂを形成することができる。

【0374】

以上のように、本実施形態によれば、上記有機リガンド除去工程を行うことにより、第１領域４３１における、有機リガンド５２と無機リガンド５３との比を、容易に調整することができる。

【0375】

（変形例１）
図３０は、本実施形態に係る発光層形成工程（ステップＳ１３）の一部の工程の他の一例を示す断面図である。図３０は、図１９に示す第４レジスト層パターニング工程（ステップＳ１８２）における、第４レジスト層現像工程（ステップＳ１９２）の後の工程を示している。

【0376】

図３０に示す方法では、上記ステップＳ１９２の後、続いて、第４レジスト層ＲＬ４に形成された開口部ＯＰ７ａから露出している第１領域形成予定領域４３１Ｐに、それぞれ過剰の無機リガンド５３を供給する。これにより、該第１領域形成予定領域４３１Ｐにおける有機リガンド５２を、無機リガンド５３に置換（リガンド置換）する（ステップＳ２３１、リガンド置換工程、無機リガンド供給工程）。

【0377】

ステップＳ２３１は、第１領域形成予定領域４３１Ｐに含まれる有機リガンド５２が全て無機リガンド５３にリガンド置換されるまで、無機リガンド５３を含む無機リガンド溶液を第１領域形成予定領域４３１Ｐに塗布（供給）することを除けば、図１９に示すステップＳ１８３と同じである。

【0378】

有機リガンド５２は、無機リガンド５３と比較してＱＤ５１への配位力が弱く、ＱＤ５１から外れ易い。したがって、前記無機リガンド供給工程において、過剰の無機リガンド５３（具体的には、過剰の無機リガンド溶液）を第１領域形成予定領域４３１Ｐに供給することで、該第１領域形成予定領域４３１ＰにおけるＱＤ５１に配位している有機リガンド５２を、無機リガンド５３に置換することができる。

【0379】

なお、無機リガンド溶液の供給量、濃度、およびリガンド置換に要する時間等は、第１領域４３１における、有機リガンド５２と無機リガンド５３との比が所望の割合になるように適宜設定すればよく、特に限定されるものではない。

【0380】

その後、本変形例でも、上記第１領域形成予定領域４３１Ｐに塗布された無機リガンド溶液に含まれる溶媒を除去して乾燥させた後、レジスト溶剤で、上記第４レジスト層ＲＬ４を除去する（ステップＳ１８４、第４レジスト層除去工程）。

【0381】

これにより、本変形例でも、例えば、ＱＤ５１および無機リガンド５３を含み、有機リガンド５２を含まない、第１領域４３１Ｒ、第１領域４３１Ｇ、第１領域４３１Ｂを形成することができる。なお、勿論、本変形例でも、ステップＳ２３１で、有機リガンド５２の一部のみを無機リガンド５３に置換してもよい。

【0382】

また、ステップＳ２３１の後、ステップＳ１８４の前に、必要に応じて、ＱＤ５１に配位していない、余剰の無機リガンド５３、および、第１領域形成予定領域４３１Ｐに含まれる有機リガンド５２を、洗浄液で洗浄して除去する洗浄工程を行ってもよい。この場合、上記洗浄工程で用いられる洗浄液としては、ＱＤ５１に配位した有機リガンド５２を溶解するとともに、ＱＤ５１に配位していない、余剰の有機リガンド５２および余剰の無機リガンド５３を溶解する溶媒であればよい。上記洗浄液としては、例えば、メタノール、エタノール等のアルコールが挙げられる。

【0383】

以上のように、本変形例によれば、第１領域形成予定領域４３１Ｐに、無機リガンド５３を含む無機リガンド溶液を供給してリガンド置換を行うことで、第１領域４３１における、有機リガンド５２と無機リガンド５３との比を、容易に調整することができる。

【0384】

（変形例３）
図２９および図３０では、第１領域形成予定領域４３１ＰＲ、第１領域形成予定領域４３１ＰＧ、および第１領域形成予定領域４３１ＰＢにおいて、有機リガンド除去工程（洗浄工程）あるいはリガンド置換工程（無機リガンド供給工程）を並行して行う場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではなく、第１領域形成予定領域４３１ＰＲ、第１領域形成予定領域４３１ＰＧ、および第１領域形成予定領域４３１ＰＢのそれぞれに、独立して、有機リガンド除去工程（洗浄工程）あるいはリガンド置換工程（無機リガンド供給工程）を行ってもよい。

【0385】

例えば、図１１に示すステップＳ５２の後、ステップＳ３７（第１無機リガンド供給工程）を行う前に、ステップＳ１９３と同様にして、第１領域形成予定領域４３１ＰＲにおける有機リガンド５２Ｒの少なくとも一部を除去してもよい。そして、図１３に示すステップＳ８２の後、ステップＳ６７（第２無機リガンド供給工程）を行う前に、ステップＳ１９３と同様にして、第１領域形成予定領域４３１ＰＧにおける有機リガンド５２Ｇの少なくとも一部を除去してもよい。そして、図１５に示すステップＳ１１２の後、ステップＳ９７（第３無機リガンド供給工程）を行う前に、ステップＳ１９３と同様にして、第１領域形成予定領域４３１ＰＢにおける有機リガンド５２Ｂの少なくとも一部を除去してもよい。勿論、図２０に示すようにマスクとして金属マスクＭ８を使用する場合にも、ステップＳ２０１における無機リガンド５３の供給前に、ステップＳ１９３と同様にして、第１領域形成予定領域４３１Ｐにおける有機リガンド５２の少なくとも一部を除去してもよい。また、上記方法に代えて、あるいは、上記方法に加えて、例えば、ステップＳ３７、ステップＳ６７、ステップＳ９７、ステップＳ２０１等において無機リガンド５３を供給する際に、過剰の無機リガンド５３による有機リガンド５２のリガンド置換を行ってもよい。

【0386】

本開示は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本開示の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。

【符号の説明】

【0387】

１ 表示装置
３１ 陽極（第１電極）
３３ 機能層
４３、４３Ｂ、４３Ｇ、４３Ｒ ＥＭＬ（発光層）
３４ 陰極（第２電極）
４３ＰＲ 赤色ＥＭＬ形成予定領域（第１発光層の形成予定領域）
４３ＰＧ 緑色ＥＭＬ形成予定領域（第２発光層の形成予定領域）
４３ＰＢ 青色ＥＭＬ形成予定領域（第３発光層の形成予定領域）
５１、５１Ｒ、５１Ｇ、５１Ｂ ＱＤ（量子ドット）
５２、５２Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂ 有機リガンド
５３、５３Ｒ、５３Ｇ、５３Ｂ 無機リガンド
１４３Ｒ 赤色ＱＤ含有層（第１量子ドット含有層）
１４３Ｇ 緑色ＱＤ含有層（第２量子ドット含有層）
１４３Ｂ 青色ＱＤ含有層（第３量子ドット含有層）
４３１、４３１Ｒ、４３１Ｇ、４３１Ｂ 第１領域
４３２、４３２Ｒ、４３２Ｇ、４３２Ｂ 第２領域
４３３、４３３Ｒ、４３３Ｇ、４３３Ｂ 第３領域
Ｍ８ 金属マスク
ＯＰ２ａ 開口部（第１開口部）
ＯＰ４ａ 開口部（第２開口部）
ＯＰ６ａ 開口部（第３開口部）
ＲＬ１ 第１レジスト層
ＲＬ２ 第２レジスト層
ＲＬ３ 第３レジスト層
ＲＬ４ 第４レジスト層
ＳＰ サブ画素

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】

【図26】

【図27】

【図28】

【図29】

【図30】