7635349 表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2025-02-14

(45)【発行日】2025-02-25

(54)【発明の名称】表示装置

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/30 20060101AFI20250217BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20250217BHJP

   H10K 77/10 20230101ALI20250217BHJP

   H10K 59/12 20230101ALI20250217BHJP

   H10K 50/86 20230101ALI20250217BHJP

   H10K 50/844 20230101ALI20250217BHJP

   H10K 71/00 20230101ALI20250217BHJP

【ＦＩ】

G09F9/30 348A

G09F9/30 308Z

G09F9/30 365

G09F9/30 310

G09F9/00 313

H10K77/10

H10K59/12

H10K50/86

H10K50/844

H10K71/00

【請求項の数】 21

(21)【出願番号】P 2023199845

(22)【出願日】2023-11-27

(65)【公開番号】P2024080648

(43)【公開日】2024-06-13

【審査請求日】2023-11-27

(31)【優先権主張番号】10-2022-0166375

(32)【優先日】2022-12-02

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(31)【優先権主張番号】10-2023-0117810

(32)【優先日】2023-09-05

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(73)【特許権者】

【識別番号】501426046

【氏名又は名称】エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100094112

【弁理士】

【氏名又は名称】岡部 讓

(74)【代理人】

【識別番号】100106183

【弁理士】

【氏名又は名称】吉澤 弘司

(74)【代理人】

【識別番号】100114915

【弁理士】

【氏名又は名称】三村 治彦

(74)【代理人】

【識別番号】100125139

【弁理士】

【氏名又は名称】岡部 洋

(74)【代理人】

【識別番号】100209808

【弁理士】

【氏名又は名称】三宅 高志

(72)【発明者】

【氏名】ペク スンハン

(72)【発明者】

【氏名】パク ヨンイン

(72)【発明者】

【氏名】アン ヒュンジン

(72)【発明者】

【氏名】ユン キュンジェ

(72)【発明者】

【氏名】ハン ジョンフィル

(72)【発明者】

【氏名】ヤン ユチョル

【審査官】武田 知晋

(56)【参考文献】

【文献】特開平１０－２８２５２９（ＪＰ，Ａ）

【文献】中国特許出願公開第１１１１６２１１２（ＣＮ，Ａ）

【文献】中国特許第１１０６３４９１５（ＣＮ，Ｂ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０９Ｆ ９／３０

Ｇ０９Ｆ ９／００

Ｈ１０Ｋ ７７／１０

Ｈ１０Ｋ ５９／１２

Ｈ１０Ｋ ５０／８６

Ｈ１０Ｋ ５０／８４４

Ｈ１０Ｋ ７１／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

表示領域、透光領域、および前記透光領域を囲む非表示領域を含むガラス基板と、
前記表示領域上に配置される回路部および発光素子部と、
前記非表示領域上に配置されるエッチストップ層と、
前記非表示領域上に配置される複数の突出パターンと
を含み、
前記ガラス基板は前記透光領域と対応する位置に配置された第１開口部を含み、
前記複数の突出パターンは前記エッチストップ層上に配置される、表示装置。

【請求項2】

前記複数の突出パターンはアンダーカットの形状を有する、請求項１に記載の表示装置。

【請求項3】

前記複数の突出パターンは前記回路部のソース電極と同一の層構造を有する、請求項１に記載の表示装置。

【請求項4】

前記エッチストップ層は前記第１開口部に隣接するように配置され、
前記エッチストップ層は有機絶縁層、無機絶縁層、および金属層のうち少なくとも一つ以上を含む、請求項１に記載の表示装置。

【請求項5】

前記非表示領域に配置されるダムを含み、
前記複数の突出パターンは、
前記表示領域と前記ダムの間に配置される複数の第１突出パターンと、
前記ダムと前記エッチストップ層の間に配置される複数の第２突出パターンと、
前記エッチストップ層上に配置される複数の第３突出パターンと
を含む、請求項１に記載の表示装置。

【請求項6】

前記複数の第１突出パターン、前記複数の第２突出パターン、および前記複数の第３突出パターンの形状は同一である、請求項５に記載の表示装置。

【請求項7】

前記複数の第１突出パターン、前記複数の第２突出パターン、および前記複数の第３突出パターンのうち少なくとも一つは、形状または材質が異なる、請求項５に記載の表示装置。

【請求項8】

前記複数の第１突出パターンは金属層を含み、
前記複数の第３突出パターンは有機絶縁層を含み、
前記複数の第３突出パターンの有機絶縁層は前記表示領域のバンク層のダミー層である、請求項７に記載の表示装置。

【請求項9】

前記複数の第１突出パターンは無機絶縁層を含み、
前記複数の第３突出パターンは金属層を含む、請求項７に記載の表示装置。

【請求項10】

前記複数の第１突出パターンは、
第１パターン層と、
前記第１パターン層上に配置された第２パターン層と
を含み、
前記第１パターン層は無機絶縁層であり、前記第２パターン層は有機絶縁層である、請求項９に記載の表示装置。

【請求項11】

前記第１開口部に配置される側面コーティング層、および前記ガラス基板の下部面と前記側面コーティング層の下部面に配置される背面コーティング層を含み、
前記側面コーティング層の下部面は曲率を有する、請求項１に記載の表示装置。

【請求項12】

表示領域、透光領域、および前記透光領域を囲む非表示領域を含むガラス基板と、
前記表示領域上に配置される回路部と発光素子部と、
前記非表示領域上に配置されるエッチストップ層と、
前記非表示領域上に配置される複数の突出パターンと
を含み、
前記ガラス基板は前記透光領域に対応する位置に配置された第１開口部を含み、
前記複数の突出パターンはそれぞれ第１パターン層、第３パターン層、および前記第１パターン層と前記第３パターン層間に配置された第２パターン層とを含み、
前記第２パターン層の幅は前記第１パターン層および前記第３パターン層の幅より小さい、表示装置。

【請求項13】

前記エッチストップ層は前記第１開口部に隣接するように配置される、請求項１２に記載の表示装置。

【請求項14】

前記非表示領域に配置されるダムを含み、
前記複数の突出パターンは前記表示領域と前記ダムの間に配置される複数の第１突出パターン、前記ダムと前記エッチストップ層の間に配置される複数の第２突出パターン、および前記エッチストップ層上に配置される複数の第３突出パターンを含み、
前記複数の第１突出パターン、前記複数の第２突出パターン、および前記複数の第３突出パターンのうち少なくとも一つは形状または材質が異なる、請求項１２に記載の表示装置。

【請求項15】

表示領域、透光領域、前記透光領域を囲む非表示領域、および前記透光領域と平面上で重なる第１開口部を含む基板と、
前記第１開口部に隣接して配置されるエッチストップ層と、
前記エッチストップ層と前記基板の間に配置されるコーティング層と
を含み、
前記エッチストップ層は前記基板と前記コーティング層上に配置される、表示装置。

【請求項16】

前記基板と前記コーティング層上に配置される偏光板を含み、
前記エッチストップ層は上部面、下部面、および前記上部面と下部面の間に配置される側面を有し、
前記エッチストップ層の下部面は前記基板と前記コーティング層に直接接触し、
前記偏光板は前記エッチストップ層の上面と側面に直接接触する、請求項１５に記載の表示装置。

【請求項17】

前記エッチストップ層上に配置される発光スタックを含み、
前記発光スタックは複数のトレンチ部を有し、
前記複数のトレンチ部は前記エッチストップ層に延びる、請求項１５に記載の表示装置。

【請求項18】

前記エッチストップ層に隣接して配置されるダムと、
前記エッチストップ層に隣接して配置され、前記第１開口部と前記ダムの間に配置される第１突出パターンと、
前記基板上に配置され、前記エッチストップ層と前記ダムに離隔して配置される第２突出パターンと
を含み、
前記ダムは前記第１突出パターンと前記第２突出パターンの間に配置される、請求項１５に記載の表示装置。

【請求項19】

前記第２突出パターンは第１パターン層および前記第１パターン層上に配置される第２パターン層を含み、
前記第１パターン層と前記第２パターン層のうち一つは台形の断面形状を有する、請求項１８に記載の表示装置。

【請求項20】

前記第２突出パターンは第１パターン層および前記第１パターン層上に配置される第２パターン層を含み、
前記第２パターン層の厚さは縁から中心に行くほど厚くなる、請求項１８に記載の表示装置。

【請求項21】

前記エッチストップ層に隣接して配置され、第１パターン層と前記第１パターン層上に配置される第２パターン層を含む第１突出パターンを含み、
前記第１突出パターンの前記第１パターン層および前記第２パターン層のうち少なくとも一つは台形の断面形状を有する、請求項１５に記載の表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

実施例は表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

電界発光表示装置は発光層の材料により無機発光表示装置と有機発光表示装置に大別される。アクティブマトリクスタイプ（ａｃｔｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ ｔｙｐｅ）の有機発光表示装置は自ら発光する有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ：以下、「ＯＬＥＤ」という）を含み、応答速度が速く、発光効率、輝度および視野角が大きい長所がある。有機発光表示装置はＯＬＥＤがピクセルそれぞれに形成される。有機発光表示装置は応答速度が速く、発光効率、輝度、視野角などが優秀であるだけでなく、ブラック諧調を完全なブラックで表現できるので明暗比（ｃｏｎｔｒａｓｔ ｒａｔｉｏ）と色再現率に優れている。

【0003】

最近有機発光表示装置はフレキシブル（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）素材であるプラスチック基板上に構成されているが、多様な理由によってガラス基板上に構成されてもよい。

【0004】

しかし、ガラス基板上に構成される場合、ノッチまたはラウンドを加工したりパネルの内部にホールを形成する場合、剛性が低下し、多様な形状の加工が難しい問題がある。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

実施例はガラス基板の加工および多様な形状のホールが形成されながらも剛性が維持される表示装置を提供する。

【0006】

実施例はホール周辺で剥離が発生することが改善された表示装置を提供する。

【0007】

本発明の課題は以上で言及した課題に制限されず、言及されていないさらに他の課題は下記の記載から当業者に明確に理解され得るであろう。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明の一特徴に係る表示装置は、表示領域、透光領域、および前記透光領域を囲む非表示領域を含むガラス基板と、前記表示領域上に配置される回路部と発光素子部と、前記非表示領域上に配置されるエッチストップ層と、および前記非表示領域上に配置される複数の突出パターンとを含み、前記ガラス基板は前記透光領域と対応する位置に配置された第１開口部を含み、前記複数の突出パターンは前記エッチストップ層上に配置される。

【0009】

前記複数の突出パターンはアンダーカットの形状を有することができる。

【0010】

前記複数の突出パターンは前記回路部のソース電極と同一の層構造を有することができる。

【0011】

前記エッチストップ層は前記第１開口部の内側に突出する突出部を含むことができる。

【0012】

前記エッチストップ層は有機絶縁層または金属層を含むことができる。

【0013】

前記非表示領域に配置されるダムを含み、前記複数の突出パターンは、前記表示領域とダムの間に配置される複数の第１突出パターン、前記ダムと前記エッチストップ層の間に配置される複数の第２突出パターン、および前記エッチストップ層上に配置される複数の第３突出パターンを含むことができる。

【0014】

前記複数の第１突出パターン、前記複数の第２突出パターン、および前記複数の第３突出パターンの形状は同一であり得る。

【0015】

前記複数の第１突出パターン、前記複数の第２突出パターン、および前記複数の第３突出パターンのうち少なくとも一つは、形状または材質が異なり得る。

【0016】

前記複数の第１突出パターンは金属層を含み、前記複数の第３突出パターンは有機絶縁層を含むことができる。

【0017】

前記複数の第３突出パターンの有機絶縁層は表示領域のバンク層のダミー層であり得る。

【0018】

前記複数の第１突出パターンは無機絶縁層を含み、前記複数の第３突出パターンは金属層を含むことができる。

【0019】

前記複数の第１突出パターンは、第１パターン層、および前記第１パターン層上に配置された第２パターン層を含み、前記第１パターン層は無機絶縁層であり、前記第２パターン層は有機絶縁層であり得る。

【0020】

前記第１開口部に配置される側面コーティング層、および前記ガラス基板の下部面と前記側面コーティング層の下部面に配置される背面コーティング層を含むことができる。

【0021】

前記側面コーティング層の下部面は曲率を有することができる。

【0022】

本発明の他の特徴に係る表示装置は、表示領域、透光領域、および前記透光領域を囲む非表示領域を含むガラス基板と、前記表示領域上に配置される回路部と発光素子部と、前記非表示領域上に配置されるエッチストップ層と、および前記非表示領域上に配置される複数の突出パターンとを含み、前記ガラス基板は前記透光領域と対応する位置に配置された第１開口部を含み、前記複数の突出パターンは第１パターン層、第３パターン層、および前記第１パターン層と前記第３パターン層間に配置された第２パターン層を含み、前記第２パターン層の幅は前記第１パターン層および前記第３パターン層の幅より小さい。

【発明の効果】

【0023】

本実施例によると、マザーガラス基板カッティング時にパネルに多様な形状のホールを同時に形成できる工程最適化の長所がある。

【0024】

また、ガラス基板をエッチング時にパネルの内部にエッチング溶液が浸透することを防止することができる。

【0025】

また、透光領域を通じて水分が浸透することを防止することができる。

【0026】

また、透光領域周辺で層の剥離が発生することを防止することができる。

【0027】

本発明の効果は以上で言及した効果に制限されず、言及されていないさらに他の効果は請求の範囲の記載から当業者に明確に理解され得るであろう。

【図面の簡単な説明】

【0028】

【図1】本発明の一実施例に係る表示装置の概念図である。

【図2】図１のＩ－Ｉ’方向断面図である。

【図3】図２のＡ部分拡大図である。

【図4】図２のＢ部分拡大図である。

【図5a】図３の変形例である。

【図5b】図４の変形例である。

【図6】基板の透光領域と縁領域を囲んでいるエッチストップ層を示す図面である。

【図7】図１のＩＩ－ＩＩ’方向断面図である。

【図8】図６のＣ部分拡大図である。

【図9】図８のＤ部分拡大図である。

【図10】本発明の第１実施例に係る表示装置を示す図面である。

【図11】図１０のＥ部分拡大図である。

【図12】図１０のＦ部分拡大図である。

【図13】透光領域を形成する前表示パネルを示す図面である。

【図14a】表示パネルに透光領域を形成するために基板を食刻する過程を示す図面である。

【図14b】表示パネルに透光領域を形成するために基板を食刻する過程を示す図面である。

【図14c】表示パネルに透光領域を形成するために基板を食刻する過程を示す図面である。

【図14d】表示パネルに透光領域を形成するために基板を食刻する過程を示す図面である。

【図14e】表示パネルに透光領域を形成するために基板を食刻する過程を示す図面である。

【図15】本発明の第２実施例に係る表示装置を示す図面である。

【図16】図１５のＨ部分拡大図である。

【図17】本発明の第３実施例に係る表示装置を示す図面である。

【図18】図１５のＩ部分拡大図である。

【図19】本発明の第４実施例に係る表示装置を示す図面である。

【図20】本発明の第５実施例に係る表示装置を示す図面である。

【図21】本発明の第６実施例に係る表示装置を示す図面である。

【図22】本発明の第７実施例に係る表示装置を示す図面である。

【発明を実施するための形態】

【0029】

本発明の利点および特徴、そしてそれらを達成する方法は添付される図面と共に詳細に後述されている実施例を参照すると明確になるであろう。本発明は以下で開示される実施例に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で具現され得、ただし実施例は本発明の開示を完全なものとし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものであり、本発明は請求項の範疇によって定義されるのみである。

【0030】

本発明の実施例を説明するための図面に開示された形状、大きさ、比率、角度、個数等は例示的なものであるため、本発明は図面に図示された事項に限定されるものではない。明細書全体に亘って同一参照符号は実質的に同一構成要素を指し示す。また、本発明を説明するにおいて、関連した公知技術に対する具体的な説明が本発明の要旨を不要に曖昧にさせ得る恐れがあると判断される場合、その詳細な説明を省略する。

【0031】

本明細書上で言及された「具備する」、「含む」、「有する」、「なる」等が使われる場合「～のみ」が使われない以上他の部分が追加され得る。構成要素を単数で表現した場合、特に明示的な記載事項がない限り複数で解釈され得る。

【0032】

構成要素を解釈するということにおいて、別途の明示的記載がなくても誤差範囲を含むと解釈する。

【0033】

「～上に」、「～上部に」、「～下部に」、「～横に」、「～連結または結合（ｃｏｎｎｅｃｔ、ｃｏｕｐｌｅ）」、交差（ｃｒｏｓｓｉｎｇ、ｉｎｔｅｒｓｅｃｔｉｎｇ）等のように、二つの構成要素の間に位置関係と相互連結関係が説明される場合、「すぐに」または「直接」のような言及がない限り、その構成要素の間に一つ以上の他の構成要素が介在され得る。

【0034】

「～後に」、「～に引き続き」、「～次に」、「～前に」等で時間的前後関係が説明される場合、「すぐに」または「直接」が使われない以上時間軸上で連続的でなくてもよい。

【0035】

構成要素を区分するために構成要素の名称の前に第１、第２等が使われ得るが、この序数や構成要素の名称でその機能や構造が制限されない。説明の便宜のために実施例間で同じ構成要素の名称の前についた序数が異なり得る。

【0036】

以下の実施例は部分的にまたは全体的に互いに結合または組み合わせ可能であり、技術的に多様な連動および駆動が可能である。各実施例が互いに対して独立的に実施可能であってもよく、関連関係で共に実施可能であってもよい。

【0037】

以下、添付された図面を参照して本発明の多様な実施例を詳細に説明する。

【0038】

図１は、本発明の一実施例に係る表示装置の概念図である。図２は、図１のＩ－Ｉ’方向断面図である。図３は、図２のＡ部分拡大図である。図４は、図２のＢ部分拡大図である。図５ａは、図３の変形例である。図５ｂは、図４の変形例である。

【0039】

図１および図２を参照すると、表示装置１は映像を出力する表示領域ＤＡと光が入射する透光領域ＴＡを含むことができる。透光領域ＴＡは表示パネルの下部に配置されたセンサ４０に光を入射させるためのホール構造であり得るが、必ずしもこれに限定しない。

【0040】

表示パネルは基板１０上に配置された回路部１３と、回路部１３上に配置された発光素子部１５を含むことができる。発光素子部１５上には偏光板１９が配置され、偏光板１９上にはカバーグラス２０が配置され得る。また、発光素子部１５と偏光板１９の間にはタッチ部１８が配置され得る。

【0041】

実施例によると、基板１０は所定の強度を有するガラス基板であり得る。しかし、必ずしもこれに限定するものではなく、基板１０はポリイミドのようなフレキシブルな材質を含んでもよい。

【0042】

回路部１３はデータライン、ゲートライン、電源ラインなどの配線に連結されたピクセル回路、ゲートラインに連結されたゲート駆動部などを含むことができる。

【0043】

回路部１３はＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）で具現されたトランジスタとキャパシタなどの回路素子を含むことができる。回路部１３の配線と回路素子は複数の絶縁層と、絶縁層を挟んで分離された二以上の金属層、そして半導体物質を含むアクティブ層で具現され得る。

【0044】

発光素子部１５はＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）ディスプレイ、量子ドット（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｏｔ）ディスプレイ、マイクロＬＥＤ（Ｍｉｃｒｏ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）ディスプレイなどの素子構造を有することができる。以下では、例示的に有機化合物層を含むＯＬＥＤ構造で説明する。

【0045】

有機化合物層は正孔注入層（Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ、ＨＩＬ）、正孔輸送層（Ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）、発光層（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｌａｙｅｒ、ＥＭＬ）、電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）および電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ、ＥＩＬ）を含むことができるがこれに限定されない。

【0046】

ＯＬＥＤのアノードとカソードに電圧が印加されると、正孔輸送層ＨＴＬを通過した正孔と電子輸送層ＥＴＬを通過した電子が発光層ＥＭＬに移動されて励起子を形成して発光層ＥＭＬで可視光が放出され得る。

【0047】

発光素子部１５は赤色、緑色および青色の波長を選択的に透過させるピクセル上に配置され、カラーフィルタアレイをさらに含むことができる。

【0048】

発光素子部１５は保護膜によって覆われ得、保護膜は封止部１７により覆われ得る。保護膜と封止部１７は有機絶縁層と無機絶縁層が交互に積層された構造であり得る。無機絶縁層は水分や酸素の浸透を遮断することができる。有機絶縁層は無機絶縁層の表面を平坦化することができる。したがって、有機絶縁層と無機絶縁層が多重に積層されると、単一層に比べて水分や酸素の移動経路が長くなって発光素子部１５に影響を与える水分／酸素の浸透が効果的に遮断され得る。

【0049】

発光素子部１５上には偏光板１９が配置され得る。偏光板１９は表示装置の野外視認性を改善することができる。偏光板１９は表示パネルの表面から反射する光を減らし、回路部１３の金属から反射する光を遮断してピクセルの明るさを向上させることができる。

【0050】

透光領域ＴＡは表示領域ＤＡの間に形成され得る。第１非表示領域ＮＤＡ１は透光領域ＴＡを囲むように配置され得る。第１非表示領域ＮＤＡ１は複数のダム（Ｄａｍ）構造を具備することによって，透光領域ＴＡから流入し得る数分乃至酸素から表示領域ＤＡの発光素子を保護することができる。

【0051】

透光領域ＴＡはカメラのようなセンサ４０に光を注入するための貫通ホール構造を有することができる。しかし、必ずしもこれに限定するものではなく、透光領域ＴＡは密度が少ないピクセルが配置されてもよい。

【0052】

基板１０は透光領域ＴＡで配置された第１開口部１１を含むことができる。第１開口部１１はカバーグラス２０に近づくほど幅が狭くなるテーパー状を有することができる。しかし、必ずしもこれに限定するものではなく、第１開口部１１はカバーグラス２０に近づくほど幅が広くなるテーパー状を有してもよく、厚さ方向に幅が一定であってもよい。第１開口部１１のテーパー状はエッチング溶液の種類およびエッチング方法によって多様に変形され得る。

【0053】

基板１０の第１開口部１１上には第１エッチストップ層ＥＳ１が配置され得る。また、基板１０の縁には第２エッチストップ層ＥＳ２が配置され得る。第１エッチストップ層ＥＳ１と第２エッチストップ層ＥＳ２は基板１０のエッチング時にエッチング溶液がパネルの内部に浸透することを防止することができる。
第１エッチストップ層ＥＳ１と第２エッチストップ層ＥＳ２はエッチング溶液に強い有機物質を含むことができる。例示的にエッチストップ層はポリエーテル系高分子、シリコン系高分子、アクリル系高分子、ポリオレフィン系高分子およびこれらの共重合体からなる群から選択された一つを含むことができる。しかし、必ずしもこれに限定するものではなく、エッチストップ層はエッチング溶液に強い多様な材質を含むことができる。

【0054】

第１エッチストップ層ＥＳ１と第２エッチストップ層ＥＳ２は回路部１３、発光素子部１５、封止部１７、タッチ部１８を構成する層のうち少なくとも一つの層から延びて形成され得る。すなわち、第１エッチストップ層ＥＳ１と第２エッチストップ層ＥＳ２は回路部１３、発光素子部１５、封止部１７、タッチ部１８のダミー層であり得る。このような構成によると、別途の工程を追加せずともエッチストップ層を形成することができる。

【0055】

実施例によると、第１エッチストップ層ＥＳ１は第１開口部１１の内側に突出する突出部Ｐ１を含むことができる。突出部Ｐ１は第１開口部１１の上面より透光領域ＴＡに向かって突出した部分と定義することができる。このような突出部Ｐ１はエッチストップ層をレーザー切削する過程で形成され得る。

【0056】

図３を参照すると、基板１０は第１開口部１１を含む。基板１０の透光領域は平面上で基板１０の第１開口部１１と重なる。ここで、エッチストップ層ＥＳ１は第１開口部１１に隣接している。図３に図示された通り、コーティング層３０はエッチストップ層ＥＳ１と基板１０の間にある。一部の実施例において、エッチストップ層ＥＳ１は基板１０とコーティング層３０のすべての上に存在する。エッチストップ層ＥＳ１は上部面ＵＳ、下部面ＬＳ、および上部面ＵＳと下部面ＬＳの間の側面ＳＳＳを含む。一部の実施例において、エッチストップ層ＥＳ１の下部面ＬＳは基板１０およびコーティング層３０と直接接触する。

【0057】

また、図示された通り、基板１０およびコーティング層３０上には偏光板１９が配置され得る。場合によっては偏光板１９がエッチストップ層ＥＳ１の上面ＵＳおよび側面ＳＳＳに直接接触されてもよい。しかし、必ずしもこれに限定されるものではない。

【0058】

基板１０の背面にはコーティング層３０が形成され得る。コーティング層３０は例えば、ポリエーテル系高分子、アクリル系高分子を含む有機物質で形成され得る。

【0059】

コーティング層３０は第１開口部１１の内側面に形成される側面コーティング層３１と基板の下部に配置された背面コーティング層３２を含むことができる。側面コーティング層３１の下面３１ａはエッチストップ層に向かって凹んでいるように形成され得る。しかし、必ずしもこれに限定するものではなく、側面コーティング層３１は材料により収縮しなくてもよい。したがって、硬化完了後にも側面コーティング層３１の下面３１ａは実質的に平坦であってもよい。

【0060】

第１開口部１１の第１傾斜面１１ａと第１エッチストップ層の突出部Ｐ１の側面Ｓ１１は傾斜が異なり得る。例示的に突出部Ｐ１の側面Ｓ１１の傾斜角度は第１傾斜面１１ａの傾斜角度より大きくてもよい。第１開口部１１はエッチング溶液によって食刻されてテーパー状を有する反面、第１エッチストップ層ＥＳ１はレーザーによって切削されて相対的に垂直な断面が形成されるためである。突出部Ｐ１の下部に配置されたコーティング層３０の側面Ｓ２１は突出部Ｐ１の側面Ｓ１１と同じ傾斜角度を有することができる。

【0061】

しかし、必ずしもこれに限定するものではなく、第１傾斜面１１ａは第１エッチストップ層ＥＳ１の側面の傾斜と同一であってもよい。または第１傾斜面１１ａはラウンド状を有してもよい。

【0062】

図２および図４を参照すると、表示パネルの縁には第２非表示領域ＮＤＡ２が配置され得る。第２非表示領域ＮＤＡ２はマザーガラス基板で複数のパネルを分離時に必要なマージン部分であり得る。

【0063】

基板１０は縁に形成された第２傾斜面１２ａを含むことができる。第２傾斜面１２ａは第１開口部１１に形成された第１傾斜面１１ａと同じ角度を有することができる。第１開口部１１と第２傾斜面１２ａはエッチング溶液によって同時に形成されるため傾斜角度および食刻深さが同一であり得る。

【0064】

実施例によると、マザーガラス基板を食刻して複数の表示パネルに分離する過程で、各表示パネルの基板に第１開口部１１を同時に形成することができる。したがって、剛性を低下させず、別途の追加装備なしに開口部を形成することができる。また、マスクパターンを変更して多様な形状の開口部を形成することができる。

【0065】

第２非表示領域ＮＤＡ２に配置された第２エッチストップ層ＥＳ２は、複数の表示パネルを分離するために、マザーガラス基板エッチング時にエッチング溶液がパネルの内部に浸透することを防止することができる。

【0066】

第２エッチストップ層ＥＳ２は回路部１３、発光素子部１５、封止部１７、タッチ部１８のうち少なくとも一つの層から延長され得る。または第２エッチストップ層は回路部１３、発光素子部１５、封止部１７、タッチ部１８のうち少なくとも一つの層を形成する過程で同時に形成されてもよい。このような構成によると、別途の工程を追加せずとも第２エッチストップ層ＥＳ２を形成することができる。

【0067】

実施例によると、第２エッチストップ層ＥＳ２は第２傾斜面１２ａの外側に突出する突出部Ｐ２を含むことができる。このような突出部Ｐ２により第２エッチストップ層ＥＳ２をレーザー切削する時に表示パネルが損傷することを防止することができる。

【0068】

突出部Ｐ２の下部に配置されたコーティング層３０の側面Ｓ２２は突出部Ｐ２の側面Ｓ１２と同じ傾斜角度を有することができる。
図５ａを参照すると、第１エッチストップ層ＥＳ１は第１サブ層～第３サブ層ＥＳ１１、ＥＳ１２、ＥＳ１３を含むことができる。第１サブ層ＥＳ１１は無機絶縁層であり得、第３サブ層ＥＳ１３は有機絶縁層であり得る。有機絶縁層は基板１０との接着力が相対的に弱いので無機絶縁層によって基板１０と有機絶縁層の接着力を向上させることができる。無機絶縁層は基板食刻過程でエッチング溶液と接触すれば食刻され得る。

【0069】

第２サブ層ＥＳ１２は金属層であり得る。第２サブ層ＥＳ１２は第１サブ層ＥＳ１１に比べて相対的にエッチング溶液に対する耐化学性が大きいモリブデン（Ｍｏ）等を含むことができる。しかし、必ずしもこれに限定するものではなく、第２サブ層ＥＳ１２は場合によって省略されてもよい。

【0070】

コーティング層３０は第１開口部１１に全体的に充填されてもよい。したがって、第１エッチストップ層ＥＳ１をレーザーで切削時、第１開口部１１に形成されたコーティング層３０も同一断面を有するように切削され得る。したがって、第１エッチストップ層ＥＳ１の断面と第１開口部１１に形成されたコーティング層３０は断面が平行であり得る。

【0071】

基板１０は第１傾斜面１１ａがテーパー状でないラウンド状を有してもよい。すなわち、第１サブ層ＥＳ１１が食刻されて基板の上面が露出されて、基板の上面も食刻されて開口部の第１傾斜面１１ａはラウンド状を有することができる。

【0072】

図５ｂを参照すると、第２エッチストップ層ＥＳ２は第１サブ層ＥＳ２１および第２サブ層ＥＳ２２を含むことができる。第１サブ層ＥＳ２１は無機絶縁層であり得、第２サブ層ＥＳ２２は有機絶縁層であり得る。しかし、必ずしもこれに限定するものではなく、第２エッチストップ層は図５ａのような層構造を有してもよい。

【0073】

第１エッチストップ層ＥＳ１と第２エッチストップ層ＥＳ２は層構造が同一であってもよく、異なってもよい。例示的に表示領域ＤＡの一部の層を第１非表示領域ＮＤＡ１に延長することは可能である反面、第２非表示領域ＮＤＡ２に延長することは難しい場合もある。この場合、第１エッチストップ層ＥＳ１と第２エッチストップ層ＥＳ２は層構造が変わり得る。

【0074】

また、第１エッチストップ層ＥＳ１は表示領域ＤＡで連続的に延びて形成される反面、第２エッチストップ層ＥＳ２は表示領域ＤＡと断絶された形態であり得る。または、これとは反対に第２エッチストップ層ＥＳ２は表示領域ＤＡで延びて形成される反面、第１エッチストップ層ＥＳ１は表示領域ＤＡと断絶された形態であり得る。

【0075】

図６は、エッチストップ層が透光領域を囲んでいる形状を示す図面である。

【0076】

図６を参照すると、第１エッチストップ層ＥＳ１は第１開口部１１の周辺を全体的に囲むように配置され得る。また、第２エッチストップ層ＥＳ２は表示パネルの外周面を全体的に囲むように配置され得る。

【0077】

実施例によると、第１エッチストップ層ＥＳ１が第１開口部１１の周辺を全体的に囲むように配置され、第２エッチストップ層ＥＳ２が表示パネルの外周面を全体的に囲むように配置されるので、マザーガラス基板の切削と同時に基板の内側に貫通ホールを形成する場合、エッチング溶液がパネルの内部に浸透することを防止することができる。

【0078】

実施例によると、食刻を利用してガラス基板に多様な形状の開口部１１を形成することができる。したがって、既存のスクライビンググ、ブレーキング、グラインディング技術に比べて、基板の剛性をそのまま維持しながらも多様な開口を形成することが可能となる長所がある。また、基板１０の側面にノッチまたはラウンディングを形成するために、基板１０の側面を加工すると同時に開口部１１を形成できる長所がある。

【0079】

図７は、図１のＩＩ－ＩＩ’方向断面図である。

【0080】

図７を参照すると、表示領域ＤＡは基板１０、マルチバッファ層１０２、アクティブバッファ層１０３を具備でき、アクティブバッファ層１０３上に第１トランジスタ１２０が配置され得る。

【0081】

第１トランジスタ１２０を構成する第１半導体層１２３と第１半導体層１２３上に第１ゲート電極１２２と絶縁のための下部ゲート絶縁層１０４が配置され得る。第１ゲート電極１２２上に第１下部層間絶縁層１０５と第２下部層間絶縁層１０６が順次配置され得、上部バッファ層１０７が配置され得る。

【0082】

マルチバッファ層１０２は基板１０に浸透した水分または酸素が広がることを遅延させることができ、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）および酸化シリコン（ＳｉＯｘ）が少なくとも１回交互に積層されてなり得る。

【0083】

アクティブバッファ層１０３は第１半導体層１２３を保護し、基板１０から流入する多様な種類の欠陥を遮断する機能を遂行することができる。このアクティブバッファ層１０３はａ－Ｓｉ、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）等で形成され得る。

【0084】

第１薄膜トランジスタ１２０の第１半導体層１２３は多結晶半導体層からなり得、第１半導体層１２３はチャネル領域、ソース領域およびドレイン領域を具備することができる。

【0085】

多結晶半導体層は非晶質半導体層および酸化物半導体層より移動度が高く、エネルギー消費電力が低く信頼性が優秀である。このような長所のため駆動トランジスタに多結晶半導体層が使われ得る。

【0086】

第１ゲート電極１２２は下部ゲート絶縁層１０４上に配置され得、第１半導体層１２３と重なるように配置され得る。

【0087】

上部バッファ層１０７の上に第２トランジスタ１３０が配置され得、第２トランジスタ１３０に対応する領域の下部に遮光層１３６が配置され得る。

【0088】

第２トランジスタ１３０に対応する領域の第１下部層間絶縁層１０５上に遮光層１３６が配置され、第２トランジスタ１３０の第２半導体層１３３が遮光層１３６と重なるように第２下部層間絶縁層１０６と上部バッファ層１０７上に配置され得る。

【0089】

第２半導体層１３３の上部に第２ゲート電極１３２と第２半導体層１３３を絶縁させるための上部ゲート絶縁層１３７が配置され得る。

【0090】

上部層間絶縁層１０８は第２ゲート電極１３２上に配置され得る。第１ゲート電極１２２と第２ゲート電極１３２はモリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、および銅（Ｃｕ）のうちいずれか一つまたはこれらの合金からなる単一層または多重層であり得るが、これに限定されない。

【0091】

第１および第２下部層間絶縁層１０５、１０６は上部層間絶縁層１０８に比べて水素粒子含有量が高い無機絶縁層で形成され得る。例えば、第１および第２下部層間絶縁層１０５、１０６はＮＨ_３ガスを利用した蒸着工程で形成される窒化シリコン（ＳｉＮｘ）からなり、上部層間絶縁層１０８は酸化シリコン（ＳｉＯｘ）で形成され得る。第１および第２下部層間絶縁層１０５、１０６に含まれた水素粒子は水素化工程時に多結晶半導体層に拡散して多結晶半導体層内の空隙を水素で満たすことができる。これに伴い、多結晶半導体層は安定化を達成することができるため、第１トランジスタ１２０の特性低下を防止することができる。

【0092】

第１トランジスタ１２０の第１半導体層１２３の活性化および水素化工程以後に第２トランジスタ１３０の第２半導体層１３３が形成され得、この時、第２半導体層１３３は酸化物半導体で形成され得る。第２半導体層１３３は第１半導体層１２３の活性化および水素化工程の高温の雰囲気に露出されないので、第２半導体層１３３の損傷を防止できるため信頼性が向上し得る。

【0093】

上部層間絶縁層１０８が配置された後、第１トランジスタのソースおよびドレイン領域に対応するように第１ソースコンタクトホール１２５Ｓと第１ドレインコンタクトホール１２５Ｄが形成され、第２トランジスタ１３０のソースおよびドレイン領域に対応するように第２ソースコンタクトホール１３５Ｓと第２ドレインコンタクトホール１３５ｄがそれぞれ形成され得る。

【0094】

第１ソースコンタクトホール１２５Ｓと第１ドレインコンタクトホール１２５Ｄは上部層間絶縁層１０８から下部ゲート絶縁層１０４まで連続的にホールが形成され得、第２トランジスタ１３０にも第２ソースコンタクトホール１３５Ｓと第２ドレインコンタクトホール１３５Ｄを形成することができる。

【0095】

第１トランジスタ１２０に対応する第１ソース電極１２１、第１ドレイン電極１２４と第２トランジスタ１３０に対応する第２ソース電極１３１、第２ドレイン電極１３４を同時に形成でき、これを通じて第１トランジスタ１２０と第２トランジスタ１３０それぞれのソースおよびドレイン電極を形成する工程回数を減らすことができる。

【0096】

第１ソースおよびドレイン電極１２１、１２４と第２ソースおよびドレイン電極１３１、１３４はモリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）および銅（Ｃｕ）のうちいずれか一つまたはこれらの合金からなる単一層または多重層であり得るが、これに限定されない。

【0097】

第１ソースおよびドレイン電極１２１、１２４、連結電極１４５と第２ソースおよびドレイン電極１３１、１３４は３層構造で構成され得、例えば、第１ソース電極１２１は第１層１２１ａ、第２層１２１ｂ、第３層１２１ｃで構成され得、他のソースおよびドレイン電極も同じ構造であり得る。

【0098】

一部の実施例において、突出パターンＳＴは回路部のソース電極または連結電極１４５と同一の層構造を有することができる。例えば、突出パターンＳＴは３層構造を有することができる。図１１に図示された通り、突出パターンＳＴはそれぞれ第１厚さＤ１の第１パターン層ＭＬ１、第２厚さＤ２の第２パターン層ＭＬ２、第３厚さＤ３の第３パターン層ＭＬ３が順次積層され得る。

【0099】

第１トランジスタ１２０と第２トランジスタ１３０の間にストレージキャパシタ１４０が配置され得る。ストレージキャパシタ１４０は第１下部層間絶縁層１０５を挟んでストレージ下部電極１４１とストレージ上部電極１４２が重なることによって形成され得る。

【0100】

ストレージ下部電極１４１は下部ゲート絶縁層１０４上に位置し、第１ゲート電極１２２と同一層に同一材質で形成され得る。ストレージ上部電極１４２はストレージ供給ライン１４３を通じてピクセル回路と電気的に連結され得る。ストレージ上部電極１４２は遮光層１３６と同一層に同一材質で形成され得る。このようなストレージ上部電極１４２は第２下部層間絶縁層１０６、上部バッファ層１０７、上部ゲート絶縁層１３７、および上部層間絶縁層１０８を貫通するストレージコンタクトホール１４４を通じて露出されてストレージ供給ライン１４３と接続される。

【0101】

ストレージ上部電極１４２は遮光層１３６と離隔しているが、互いに連結された一体型で形成されてもよい。ストレージ供給ライン１４３は第１ソースおよびドレイン電極１２１、１２４～第２ソースおよびドレイン電極１３１、１３４と同一平面上に同一材質で形成され得、これによってストレージ供給ライン１４３は第１ソースおよびドレイン電極１２１、１２４～第２ソースおよびドレイン電極１３１、１３４と同一マスク工程で同時に形成可能である。

【0102】

第１ソースおよびドレイン電極１２１、１２４、第２ソースおよびドレイン電極１３１、１３４、ストレージ供給ライン１４３が形成された基板１０上にＳｉＮｘまたはＳｉＯｘのような無機絶縁物質が全面蒸着されることによって、保護膜１０９が形成され得る。

【0103】

保護膜１０９の上部には第１平坦化層１１０が形成され得る。具体的には、保護膜１０９上にアクリル系樹脂のような有機絶縁物質が全面塗布されることによって第１平坦化層１１０が配置され得る。

【0104】

保護膜１０９と第１平坦化層１１０を配置し、フォトリソグラフィ工程を通じて第１トランジスタ１２０の第１ソース電極１２１または第１ドレイン電極１２４を露出するコンタクトホールを形成することができる。第１ドレイン電極１２４を露出するコンタクトホール領域にＭｏ、Ｔｉ、Ｃｕ、ＡｌＮｄ、ＡｌおよびＣｒまたはこれらの合金からなる物質で連結電極１４５を配置することができる。

【0105】

連結電極１４５上に第２平坦化層１１１が配置され得、第２平坦化層１１１に連結電極１４５を露出させるコンタクトホールを形成して第１トランジスタ１２０と連結される発光素子１５０を配置することができる

【0106】

発光素子１５０は第１トランジスタ１２０の第１ドレイン電極１２４と接続されたアノード電極１５１と、アノード電極１５１上に形成される少なくとも一つの発光スタック１５２と、発光スタック１５２上に形成されたカソード電極１５３を具備することができる。

【0107】

発光スタック１５２は正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を含むことができ、複数の発光層が重なったタンデム（Ｔａｎｄｅｍ）構造では発光層と発光層間に電荷生成層が追加で配置され得る。発光層の場合、サブ画素ごとに異なる色を発光する場合があり得る。

【0108】

アノード電極１５１は第２平坦化層１１１を貫通するコンタクトホールを通じて露出された連結電極１４５と接続され得る。アノード電極１５１は透明導電膜および反射効率が高い不透明導電膜を含む多層構造で形成され得る。透明導電膜ではインジウム－ティン－オキサイド（ＩＴＯ）またはインジウム－ジンク－オキサイド（ＩＺＯ）のような仕事関数値が比較的大きい材質からなり、不透明導電膜ではＡｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｍｏ、Ｔｉまたはこれらの合金を含む単層または多層構造からなり得る。

【0109】

例えば、アノード電極１５１は透明導電膜、不透明導電膜および透明導電膜が順次積層された構造で形成されるか、透明導電膜および不透明導電膜が順次積層された構造で形成され得る。

【0110】

アノード電極１５１はバンク１５４により設けられた発光領域だけでなく、第１および第２トランジスタ１２０、１３０とストレージキャパシタ１４０が配置された画素回路領域と重なるように第２平坦化層１１１上に配置されることによって発光面積が増加し得る。

【0111】

発光スタック１５２はアノード電極１５１上に正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層順でまたは逆順で積層されて形成され得る。その他にも発光スタック１５２は電荷生成層をさらに具備および挟んで対向する第１および第２発光スタックを具備してもよい。

【0112】

バンク１５４はアノード電極１５１を露出させるように形成され得る。このようなバンク１５４はフォトアクリルのような有機物質で形成され得、半透明な材質であり得るが、これに限定されず、サブ画素間の光干渉を防止するために不透明材質で形成されてもよい。

【0113】

カソード電極１５３は発光スタック１５２を挟んでアノード電極１５１と対向するように発光スタック１５２の上部面に形成され得る。カソード電極１５３は前面発光型有機発光表示装置に適用される場合、インジウム－ティン－オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム－ジンク－オキサイド（ＩＺＯ）またはマグネシウム－銀（Ｍｇ－Ａｇ）を薄く形成して透明導電膜に形成され得る。

【0114】

カソード電極１５３上に発光素子１５０を保護するための封止部１７を形成することができる。発光素子１５０は発光スタック１５２の有機物特性上、外部の水分乃至酸素と反応して黒点（ｄａｒｋ－ｓｐｏｔ）乃至ピクセル収縮現象（ｐｉｘｅｌ ｓｈｒｉｎｋａｇｅ）が発生する可能性があるためこれを防止するためにカソード電極１５３上に配置され得る。

【0115】

封止部１７は第１無機絶縁層１７１、異物補償層１７２、および第２無機絶縁層１７３で構成され得る。

【0116】

封止部１７を形成した上部にタッチ部１８が配置され得る。タッチ部１８は第１タッチ平坦化層１８１、タッチ電極１８２、および第２タッチ平坦化層１８３を含むことができる。第１タッチ平坦化層１８１と第２タッチ平坦化層１８２はタッチ電極１８２が配置される地点の段差をなくし、電気的によく絶縁されるようにするために配置され得る。

【0117】

実施例によると、低温多結晶シリコンからなる第１トランジスタ１２０と酸化物半導体からなる第２トランジスタ１２０を互いに異なる層に配置することによって、ディスプレイ装置１００に互いに異なる駆動特性を有する薄膜トランジスタＴＦＴが配置され得る。しかし、必ずしもこれに限定するものではなく、同じ駆動特性を有する薄膜トランジスタのみを使ってもよい。

【0118】

図８は、図６のＣ部分拡大図である。図９は、図８のＤ部分拡大図である。図１０は、本発明の第１実施例に係る表示装置を示す図面である。図１１は、図１０のＥ部分拡大図である。図１２は、図１０のＦ部分拡大図である。

【0119】

図８および図９を参照すると、各種センサが配置される透光領域ＴＡは円の形状で形成され、周辺には第１非表示領域ＮＤＡ１が配置され得る。しかし、必ずしもこれに限定するものではなく、透光領域ＴＡは多角形、楕円形のような多様な形状を有することができ、それにより第１非表示領域ＮＤＡ１の形状も変わり得る。

【0120】

第１非表示領域ＮＤＡ１は透光領域ＴＡを迂回する配線ＴＬが配置される配線領域ＮＤＡ１３、配線領域ＮＤＡ１３と透光領域ＴＡの間に配置される透湿防止領域ＮＤＡ１１および第１エッチストップ層ＥＳ１が形成されるダミー領域ＮＤＡ１２を含むことができる。透湿防止領域ＮＤＡ１１およびダミー領域ＮＤＡ１２は透光領域ＴＡを囲むように配置され得る。ダミー領域ＮＤＡ１２も透湿を防止する役割を遂行することができる。

【0121】

図１０を参照すると、透湿防止領域ＮＤＡ１１は表示領域で延びた複数の層を利用してダムＤＡＭと複数の突出パターンＳＴを形成することができる。ダムＤＡＭと突出パターンＳＴの個数は特に限定しない。

【0122】

ダムＤＡＭおよび突出パターンＳＴは透光領域ＴＡを囲む閉ループ（ｃｌｏｓｅｄ ｌｏｏｐ）の形状で配置され得る。このような構成によると、透光領域ＴＡを通じて表示領域に水分が浸透することを防止することができる。透湿防止領域ＮＤＡ１１の幅は透湿を防止するための所定の距離を有することができる。

【0123】

ダミー領域ＮＤＡ１２は基板１０の食刻および／またはレーザー切削時にマージンのために形成された領域であり得る。ダミー領域ＮＤＡ１２がないと、レーザー切削時に透湿防止領域ＮＤＡ１１が損傷して水分の浸透に弱くなり得る。また、レーザーによって基板１０が損傷することもある。ダミー領域ＮＤＡ１２はレーザー切削が容易であるように基板１０上に最小限の層を配置することができる。

【0124】

ダミー領域ＮＤＡ１２には第１エッチストップ層ＥＳ１が配置されて基板１０のエッチング時にパネルの内部にエッチング溶液が浸透することを防止することができる。第１エッチストップ層ＥＳ１はエッチング溶液に食刻されない有機絶縁層または金属層で構成され得る。金属層はエッチング溶液に耐食性が強いモリブデン（Ｍｏ）を含むことができる。

【0125】

第１非表示領域ＮＤＡ１には複数の突出パターンＳＴが配置され得る。突出パターンＳＴはアンダーカットの形状を有するように形成されて第１非表示領域ＮＤＡ１上に形成される発光スタック１５２を断線させることができる。

【0126】

複数の突出パターンＳＴは透湿防止領域ＮＤＡ１１に配置される第１突出パターンＳＴ１と第２突出パターンＳＴ２、およびダミー領域ＮＤＡ１２に配置される第３突出パターンＳＴ３を含むことができる。

【0127】

複数の第１突出パターンＳＴ１は表示領域とダムＤＡＭの間に配置され得、複数の第２突出パターンＳＴ２はダムＤＡＭとダミー領域ＮＤＡ１２の間に配置され得る。第３突出パターンＳＴ３はダミー領域ＮＤＡ１２の第１エッチストップ層ＥＳ１上に配置され得る。

【0128】

複数の第１突出パターンＳＴ１、第２突出パターンＳＴ２、および第３突出パターンＳＴ３の形状はすべて同一であり得るが必ずしもこれに限定されない。例示的に第１突出パターンＳＴ１と第２突出パターンＳＴ２は同じ形状を有し得るが、第３突出パターンＳＴ３は異なる形状を有することができる。各突出パターンＳＴ１、ＳＴ２、ＳＴ３は発光スタック１５２を断線させることができる構造であれば多様に変形され得る。

【0129】

基板１０は透光領域ＴＡと対応する領域に第１開口部１１が形成され得る。第１開口部１１の直径は透光領域ＴＡより大きくてもよい。

【0130】

第１開口部１１の側面には側面コーティング層３１が形成され得る。側面コーティング層３１は第１開口部１１の側面をカバーすることができる。第１エッチストップ層ＥＳ１は側面コーティング層３１の上部に配置され得る。

【0131】

側面コーティング層３１は光を吸収する有機物質からなり得る。一実施例において、側面コーティング層３１は光学濃度（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｄｅｎｓｉｔｙ、ＯＤ）が１．０以上である有機物質を含むことができる。

【0132】

基板１０の下部と側面コーティング層３１の下部には背面コーティング層３２が配置され得る。背面コーティング層３２は基板１０の背面でさらに延びて側面コーティング層３１まで形成され得る。

【0133】

実施例に係る表示装置は背面コーティング層３２を側面コーティング層３１まで覆うように形成することによって、背面コーティング層３２の接合力を向上させることができる。背面コーティング層３２は基板１０を保護するために基板１０の背面にのみ形成され得る。しかし、有機物質からなる背面コーティング層３２は基板１０との接合力が相対的に低いので、外部環境または衝撃によって基板１０から剥離され得る。したがって、背面コーティング層３２が基板１０の外郭で有機物質からなる側面コーティング層３１と接するようにすることによって、背面コーティング層３２の接合力を向上させることができる。これを通じて、背面コーティング層３２が基板１０から剥離されることを防止することができる。

【0134】

実施例によると、透光領域ＴＡの側面は垂直に形成され得る。すなわち、透光領域ＴＡの側面を形成する背面コーティング層３２の側面、側面コーティング層３１の側面、第１エッチストップ層ＥＳ１の側面および偏光板１９の側面はレーザーで切削されて同じ垂直面を有するように形成され得る。

【0135】

図１１を参照すると、複数の突出パターンＳＴは第１パターン層ＭＬ１、第２パターン層ＭＬ２、および第３パターン層ＭＬ３が順に積層され得る。第１パターン層ＭＬ１と第３パターン層ＭＬ３はチタン（Ｔｉ）であり得、第２パターン層ＭＬ２はアルミニウム（Ａｌ）材質であり得る。

【0136】

実施例に係る突出パターンＳＴは表示領域のソース／ドレイン電極１２１、１２４または連結電極１４５と同じ材質であり得る。すなわち、複数の突出パターンＳＴは連結電極１４５を形成する時に同時に形成された後、複数で分離されるように食刻され得る。この時、食刻反応の速度差によってアルミニウム材質の第２パターン層ＭＬ２が相対的により多く食刻され得る。したがって、第２パターン層ＭＬ２の幅が第３パターン層ＭＬ２の幅より小さくなってアンダーカットの形状を有することができる。したがって、複数の突出パターンＳＴ上に形成される発光スタック１５２は連続的に形成できず、複数の突出パターンＳＴの間で断線され得る。したがって水分の浸透経路を遮断することができる。

【0137】

実施例によると、複数の突出パターンＳＴは上部に追加で配置される無機絶縁層の剥離を防止することができる。レーザーエッチング時にまたは外部衝撃によって無機絶縁層は相対的に容易に剥離され得る。しかし、実施例によると、無機絶縁層がアンダーカットの形状の複数の突出パターンＳＴの間間に充填されるので、剥離を防止することができる。したがって、水分の浸透を効果的に防止することができる。

【0138】

図１２を参照すると、第３突出パターンＳＴ３はエッチストップ層ＥＳ１上に配置される。ここで、第３突出パターンＳＴ３は第１厚さＤ１を有する第１パターン層ＭＬ１、第２厚さＤ２を有する第２パターン層ＭＬ２、第３厚さＤ３を有する第３パターン層ＭＬ３を含む。一部の実施例において、第２パターン層ＭＬ２の第２厚さＤ２は第３パターン層ＭＬ３の第３厚さＤ３または第１パターン層ＭＬ１の第１厚さＤ１より厚くてもよい。一部の実施例において、第１パターン層ＭＬ１の第１厚さＤ１は第３パターン層ＭＬ３の第３厚さＤ３と同じ厚さを有することができる。他の実施例において、第１パターン層ＭＬ１の第１厚さＤ１は第３パターン層ＭＬ３の第３厚さＤ３と異なる厚さを有してもよい。例えば、第１パターン層ＭＬ１の第１厚さＤ１は第３パターン層ＭＬ３の第３厚さＤ３より大きいか小さくてもよい。

【0139】

また、図示された通り、第３パターン層ＭＬ３は第２パターン層ＭＬ２と平面上完全に重なる。

【0140】

発光スタック１５２は突出パターンＳＴ３上に配置される。一部の実施例において、発光スタック（さらに具体的には、発光スタックの第１部分１５２ＦＰ）は平面上で第３パターン層ＭＬ３と完全に重なる。

【0141】

図１２を参照すると、発光スタック１５２は第１部分１５２ＦＰおよび第２部分１５２ＳＰを含む。発光スタック１５２の第２部分１５２ＳＰは発光スタック１５２の第１部分１５２ＦＰと離隔して配置される。ここで、発光スタックの第１部分１５２ＦＰは第３突出パターンＳＴ３の第３パターン層ＭＬ３に接触されている。発光スタック１５２の第２部分１５２ＳＰは第３突出パターンＳＴ３の第１パターン層ＭＬ１と隣接して離隔される。

【0142】

絶縁層１７１はエッチストップ層ＥＳ１および第３突出パターンＳＴ３上に位置する。一実施例において、絶縁層１７１は発光スタックの第２部分１５２ＳＰ、エッチストップ層ＥＳ１および第３突出パターンＳＴ３の第１パターン層ＭＬ１と直接的に接触される。

【0143】

図１２を参照すると、複数の第３突出パターンＳＴ３は第１エッチストップ層ＥＳ１上に配置され得る。複数の第３突出パターンＳＴ３の中で最も外側に配置された第３突出パターンＳＴ３は基板１０の第１開口部１１の第１傾斜面１１ａより透光領域ＴＡにさらに突出してもよい。しかし、必ずしもこれに限定するものではなく、第３突出パターンＳＴ３の中で最も外側に配置された第３突出パターンＳＴ３より基板１０の第１開口部１１の第１傾斜面１１ａが透光領域ＴＡにさらに突出してもよい。

【0144】

複数の第３突出パターンＳＴ３上に形成される発光スタック１５２は連続的に形成されず、複数の第３突出パターンＳＴ３の間で断線され得る。したがって水分浸透経路を遮断することができる。

【0145】

実施例によると、ダミー領域ＮＤＡ１２に複数の第３突出パターンＳＴ３が形成されることによって、レーザーエッチング時にまたは外部衝撃時に無機絶縁層に剥離されることを防止することができる。

【0146】

複数の第３突出パターンＳＴ３は第１エッチストップ層ＥＳ１上に直接形成されてもよく、第１エッチストップ層ＥＳ１上に配置されるダミー層上に配置されてもよい。

【0147】

図１３は、透光領域を形成する前表示パネルを示す図面である。図１４ａ～図１４ｅは、表示パネルに透光領域を形成するために基板を食刻する過程を示す図面である。

【0148】

図１３および図１４ａを参照すると、基板１０の下部にマスクパターンＭＰ１を形成することができる。実施例によると、基板１０の形成する第１開口部の個数および形状に応じてマスクパターンＭＰ１を形成し、エッチング溶液に露出させて複数の開口部を同時に形成することができる。また、開口部を形成すると同時にマザーガラス基板でパネル単位で分離され得る。

【0149】

図１４ｂのように、露出した領域にエッチング溶液を接触させるとマスクパターンＭＰ１の間に露出された基板１０は食刻され得る。この時、食刻された基板１０の上部に形成された無機絶縁層１０２、１０３はエッチング溶液によって食刻され得る。しかし、無機絶縁層１０２、１０３上に配置された第１エッチストップ層ＥＳ１によりパネルの内部にエッチング溶液が浸透しはしない。第１エッチストップ層ＥＳ１は表示領域に形成された多様な有機絶縁層または金属膜を利用して形成することができる。

【0150】

図１４ｃを参照すると、基板１０の第１開口部１１に側面コーティング層３１を充填することができる。以後、側面コーティング層３１を硬化させると、一定の高さｈ１だけ収縮して側面コーティング層３１の下面３１ａに曲率が形成され得る。しかし、側面コーティング層３１は材質により収縮しないこともある。

【0151】

図１４ｄを参照すると、基板１０の下部面と側面コーティング層３１の下部面に全体的に背面コーティング層３２を形成することができる。しかし、必ずしもこれに限定するものではなく、背面コーティング層３２は基板１０の下部面にのみ形成してもよい。

【0152】

図１４ｅを参照すると、基板１０の第１開口部にレーザーを照射して透光領域ＴＡを形成することができる。この時、基板１０の上部に配置された第１エッチストップ層ＥＳ１および第３突出パターンＳＴ３はレーザーによってカッティングされ得る。実施例によると、突出パターンＳＴと無機絶縁層の接触面積が増加してレーザー照射時に無機絶縁層が剥離される現象が改善され得る。

【0153】

図１５は、本発明の第２実施例に係る表示装置を示す図面である。図１６は、図１５のＨ部分拡大図である。

【0154】

図１５を参照すると、第１非表示領域ＮＤＡ１には複数の突出パターンＳＴが配置され得る。突出パターンＳＴはアンダーカットの形状を有するように形成されて第１非表示領域ＮＤＡ１上に形成される発光スタックを断線させることができる。

【0155】

複数の突出パターンＳＴは透湿防止領域ＮＤＡ１１に配置される第１突出パターンＳＴ１および第２突出パターンＳＴ２とダミー領域ＮＤＡ１２に配置される第３突出パターンＳＴ３を含むことができる。複数の第１突出パターンＳＴ１は表示領域とダムＤＡＭの間に配置され得、複数の第２突出パターンＳＴ２はダムＤＡＭとダミー領域ＮＤＡ１２の間に配置され得る。

【0156】

実施例によると、第１突出パターンＳＴ１と第２突出パターンＳＴ２は同じ形成を有することができるが、第３突出パターンＳＴ３は異なる形状を有することができる。第１突出パターンＳＴ１と第２突出パターンＳＴ２は図１１で説明した通り、第１パターン層ＭＬ１、第２パターン層ＭＬ２、および第３パターン層ＭＬ３が順次積層され得る。

【0157】

第１パターン層ＭＬ１と第３パターン層ＭＬ３はチタン（Ｔｉ）であり得、第２パターン層ＭＬ２はアルミニウム（Ａｌ）材質であり得る。実施例に係る第１突出パターンＳＴ１と第２突出パターンＳＴ２は表示領域のソース電極または連結電極１４５と同じ材質であり得る。すなわち、複数の突出パターンＳＴは第２連結電極１４５を形成する時、ダミー層として形成された後に複数に分離され得る。この時、食刻速度の差によって第２パターン層ＭＬ２が相対的にさらに食刻され得る。したがって、第２パターン層ＭＬ２の幅が第３パターン層ＭＬ３の幅より大きくなってアンダーカットの形状を有することができる。

【0158】

第３突出パターンＳＴ３は第１サブ層ＥＳ１１と第２サブ層ＥＳ１２上に配置され得る。第１サブ層ＥＳ１１は表示領域の第１平坦化層と同一の層であり得、第２サブ層ＥＳ１２は表示領域の第２平坦化層と同一の層であり得る。

【0159】

第３突出パターンＳＴ３は第２サブ層ＥＳ１２上に配置されるバンク層１５４を利用して形成され得る。実施例によると、第３突出パターンＳＴ３によって発光スタック１５２が凹凸の形成を有するようになるので、水分の浸透経路を長く形成することができる。しかし、必ずしもこれに限定するものではなく、第３突出パターンＳＴ３をアンダーカットの形状で形成することによって発光スタックを断線させてもよい。

【0160】

図１５に図示された通り、発光スタック１５２はダミー領域ＮＤＡ１２に複数のトレンチＴＲ（または、トレンチ部）を有することができる。ここで、発光スタック１５２はダミー領域ＮＤＡ１２で連続的に連結され得る。

【0161】

図１６を参照すると、発光スタック１５２のトレンチ部ＴＲは下面ＢＳＴＲを有する。一部の実施例において、トレンチ部ＴＲの底面ＢＳＴＲは食刻停止層ＥＳ１２内に延長され得る。例えば、食刻停止層ＥＳ１２は上部面ＴＳＳを有し、トレンチ部ＴＲの底面ＢＳＴＲは食刻停止層ＥＳ１２内に延びて底面ＢＳＴＲが上面ＴＳＳの下に位置することができる。

【0162】

図１７は、本発明の第３実施例に係る表示装置を示す図面である。図１８は、図１７のＩ部分拡大図である。

【0163】

図１７を参照すると、第１非表示領域ＮＤＡ１には複数の突出パターンＳＴが配置され得る。突出パターンＳＴはアンダーカットの形状を有するように形成されて第１非表示領域ＮＤＡ１上に形成される発光スタック１５２を断線させることができる。

【0164】

複数の突出パターンＳＴは透湿防止領域ＮＤＡ１１に配置される第１突出パターンＳＴ１と第２突出パターンＳＴ２、およびダミー領域ＮＤＡ１２に配置される第３突出パターンＳＴ３を含むことができる。複数の第１突出パターンＳＴ１は表示領域とダムＤＡＭの間に配置され得、複数の第２突出パターンＳＴ２はダムＤＡＭとダミー領域ＮＤＡ１２の間に配置され得る。

【0165】

実施例によると、第１突出パターンＳＴ１と第２突出パターンＳＴ２は互いに異なる同じ形状を有することができ、第２突出パターンＳＴ２と第３突出パターンＳＴ３は同じ形状を有することができる。

【0166】

第２突出パターンＳＴ２と第３突出パターンＳＴ３は、図１１のように、第１パターン層ＭＬ１、第２パターン層ＭＬ２、および第３パターン層ＭＬ３が順次積層され得る。第１パターン層ＭＬ１と第３パターン層ＭＬ３はチタン（Ｔｉ）であり得、第２パターン層ＭＬ２はアルミニウム（Ａｌ）材質であり得る。第３パターン層ＭＬ３の幅が第２パターン層ＭＬ２の幅より大きく形成されてアンダーカットの形状を有することができる。

【0167】

第１突出パターンＳＴ１はバッファ層１０２、１０３上に配置された第１－１パターン層１１２と第１－２パターン層１１３を含むことができる。第１－１パターン層１１２は無機絶縁層であり、第１－２パターン層１１３は有機絶縁層であり得る。例示的に第１－１パターン層１１２は表示領域の上部層間絶縁層と同一の層であり得、第１－２パターン層１１３を第２平坦化層と同一の層であり得る。しかし、第１－１パターン層１１２と第１－２パターン層１１３は多様な無機／有機絶縁層を利用して形成することができる。また、第１－１パターン層１１２と第１－２パターン層１１３はすべて無機絶縁層で形成されたりすべて有機絶縁層で形成されてもよい。

【0168】

第１－２パターン層１１３は上面に曲率が形成され得る。これは有機絶縁層の等方性食刻によって形成され得る。しかし、必ずしもこれに限定するものではなく、第１－２パターン層の上面は平坦面であってもよい。

【0169】

図１８を参照すると、第１－２パターン層１１３の厚さは第１突出パターンＳＴ１の縁ＥＧから第２突出パターンＳＴ１の中心ＣＴＲに行くほど厚くなる。例えば、第１－２パターン層１１３は断面が半円状であり、第１－２パターン層１１３は中心ＣＴＲを基準として縁ＥＧに行くほど厚さが減少することになる。すなわち、中心ＣＴＲに隣接した厚さＴ１が縁ＥＧに隣接した厚さＴ２より大きくてもよい。

【0170】

図１９は、本発明の第４実施例に係る表示装置を示す図面である。図２０は、本発明の第５実施例に係る表示装置を示す図面である。図２１は、本発明の第６実施例に係る表示装置を示す図面である。図２２は、本発明の第７実施例に係る表示装置を示す図面である。

【0171】

図１９を参照すると、透湿防止領域ＮＤＡ１１には複数の第１突出パターンＳＴ１と第２突出パターンＳＴ２が形成され得る。複数の第１突出パターンＳＴ１と第２突出パターンＳＴ２は上部が台形の形状を有し、アンダーカット構造で形成されて発光スタック１５２を断線させることができる。特に、複数の第１突出パターンＳＴ１と複数の第２突出パターンＳＴ２はそれぞれ断面が台形の形状を有する。

【0172】

ダミー領域ＮＤＡ１２には第１サブ層ＥＳ１１、第２サブ層ＥＳ１２、および第３サブ層ＥＳ１３が形成され得る。第１サブ層ＥＳ１１は表示領域の第１平坦化層と同一の層であり得、第２サブ層ＥＳ１２は表示領域の第２平坦化層と同一の層であり得、第３サブ層ＥＳ１３は表示領域のバンク層と同一の層であり得る。しかし、必ずしもこれに限定するものではなく、第１サブ層～第３サブ層ＥＳ１１、ＥＳ１２、ＥＳ１３はフッ酸溶液に耐食性がある多様な有機絶縁層と金属層で形成されてもよい。図２０を参照すると、第１サブ層ＥＳ１１が表示領域に向かって突出（ＰＥＳ）されてアンダーカットの形状を有することによって発光スタック１５２を断線させることができる。

【0173】

図２１を参照すると、第１エッチストップ層ＥＳ１はダムＤＡＭから延長形成され得る。このような構成によると、第１エッチストップ層ＥＳ１の長さが長くなって相対的に十分なダミー領域ＮＤＡ１２を確保することができる。または図２２のように、第１エッチストップ層ＥＳ１はダムＤＡＭと分離されてもよい。第３サブ層ＥＳ１３には凹凸を形成して発光スタックに沿って水分が浸透する経路を長く形成することができる。また、第３サブ層ＥＳ１３に形成される溝をアンダーカットの形状で形成して発光スタックを断線させてもよい。

【0174】

以上の解決しようとする課題、課題解決手段、効果に記載した明細書の内容が請求項の必須の特徴を特定するものではないので、請求項の権利範囲は明細書の内容に記載された事項によって制限されない。

【0175】

以上、添付された図面を参照して実施例をさらに詳細に説明したが、本発明は必ずしもこのような実施例に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱しない範囲内で多様に変形実施され得る。したがって、本発明に開示された実施例は本発明の技術思想を限定するためのものではなく説明するためのものであり、このような実施例によって本発明の技術思想の範囲が限定されるものではない。したがって、以上で記述した実施例はすべての面で例示的なものであり限定的ではないものと理解されるべきである。

【符号の説明】

【0176】

１０：基板
１１：第１開口部
１２：回路部
１５：発光素子部
ＴＡ：透光領域
ＥＳ１：第１エッチストップ層
ＥＳ２：第２エッチストップ層
ＥＳ３：第３エッチストップ層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5a】

【図5b】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14a】

【図14b】

【図14c】

【図14d】

【図14e】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】