(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2025-02-20
(45)【発行日】2025-03-03
(54)【発明の名称】パワーエレクトロニクスシステム用のコールドプレート
(51)【国際特許分類】
H05K 7/20 20060101AFI20250221BHJP
H01L 23/473 20060101ALI20250221BHJP
H02M 3/00 20060101ALI20250221BHJP
【FI】
H05K7/20 N
H01L23/46 Z
H02M3/00 Y
【外国語出願】
(21)【出願番号】P 2022113765
(22)【出願日】2022-07-15
【審査請求日】2022-10-28
(32)【優先日】2021-07-16
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(73)【特許権者】
【識別番号】525027067
【氏名又は名称】フォード グローバル テクノロジーズ,リミテッド ライアビリティ カンパニー
(74)【代理人】
【識別番号】100092783
【氏名又は名称】小林 浩
(74)【代理人】
【識別番号】100120134
【氏名又は名称】大森 規雄
(74)【代理人】
【識別番号】100221327
【氏名又は名称】大川 亮
(72)【発明者】
【氏名】ヒッバード,マイケル
(72)【発明者】
【氏名】パーラキヤン,アレッグ
(72)【発明者】
【氏名】ランドール,ゲイリー
【審査官】吉川 直也
(56)【参考文献】
【文献】米国特許出願公開第2015/0334874(US,A1)
【文献】特開2013-247218(JP,A)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
H05K 7/20
H01L 23/473
H02M 3/00
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
エネルギー管理ユニット(EMU)であって、
第1のプリント回路基板(PCB)と第2のPCBとの間に挟まれたコールドプレートであって、1又はそれ以上の磁性体を備える、コールドプレートと、
前記コールドプレートの磁性体インターフェースであって、前記磁性体インターフェ
ースは、
前記1又はそれ以上の磁性体と前記第1のPCBとの間の電気的接続と、前記第1のPCBを前記コールドプレートに固定する機械的接続と、の両方を備えるねじ付きインターフェースを備える、
磁性体インターフェースと、
を備え、
前記コールドプレートが、前記第1のPCB及び前記第2のPCBの両方を冷却するように構成される、
エネルギー管理ユニット(EMU)。
【請求項2】
前記第1のPCBが、DC-DC PCBを含み、前記第2のPCBが、オンボード充電器(OBC)PCBを含む、請求項1に記載のEMU。
【請求項3】
前記コールドプレートが、前記1又はそれ以上の磁性体を保持するように構成された1又はそれ以上の磁気ポケットを備える、請求項1に記載のEMU。
【請求項4】
前記コールドプレートが、
上部外側層及び底部外側層を含む、
複数の層を備える、請求項3に記載のEMU。
【請求項5】
前記コールドプレートが、前記上部外側層の内側の第1のシーリングガスケットと、前記底部外側層の内側の第2のシーリングガスケットとをさらに備える、請求項4に記載のEMU。
【請求項6】
前記第1のシーリングガスケットが、Oリングガスケットを含む、請求項5に記載のEMU。
【請求項7】
前記第2のシーリングガスケットが、両側に非対称のシール面を有するガスケットプレートを備える、請求項5に記載のEMU。
【請求項8】
前記第1のシーリングガスケットが、前記1又はそれ以上の磁気ポケットの上側の周りをシールするように構成される、請求項5に記載のEMU。
【請求項9】
前記第2のシーリングガスケットが、前記1又はそれ以上の磁性体の1又はそれ以上の磁気リードの周りをシールするように構成される、請求項5に記載のEMU。
【請求項10】
前記第2のシーリングガスケットが、冷却剤が前記1又はそれ以上の磁性体の上を流れ、かつ前記底部外側層の外側に実装された電界効果トランジスタ(FET)の底部の直下を流れることを可能にするように構成される、請求項9に記載のEMU。
【請求項11】
前記第2のシーリングガスケットが、冷却剤が前記コールドプレートを通過するとき、前記底部外側層の内外に前記冷却剤を送るように構成される、請求項9に記載のEMU。
【請求項12】
前記1又はそれ以上の磁性体の上部にエンドキャップをさらに備える、請求項1に記載のEMU。
【請求項13】
前記ねじ付きインターフェースが、前記第1のPCBとの適合性材料界面を含む、請求項1に記載のEMU。
【請求項14】
前記適合性材料界面が、無電解ニッケル浸漬金(ENIG)、銅、金、又はニッケルの組み合わせを含む、請求項13に記載のEMU。
【請求項15】
1又はそれ以上の磁性体を保持するように構成された1又はそれ以上の磁気ポケットと、
上部外側層及び底部外側層と、
前記上部外側層の内側の第1のシーリングガスケットであって、前記1又はそれ以上の磁気ポケットの上側の周りをシールするように構成された第1のシーリングガスケットと、
前記底部外側層の内側の第2のシーリングガスケットであって、前記1又はそれ以上の磁性体の1又はそれ以上の磁気リードの周りをシールするように構成された第2のシーリングガスケットと、
コールドプレートの磁性体インターフェースであって、前記磁性体インターフェ
ースは、
前記1又はそれ以上の磁性体と
第1のプリント回路基板(PCB)との間の電気的接続と、前記第1のPCBを前記コールドプレートに固定する機械的接続と、の両方を備えるねじ付きインターフェースを備える、
磁性体インターフェースと、
を備える、冷却装置。
【請求項16】
コールドプレートの磁気リードを組み立てる方法であって、前記方法が、
1又はそれ以上のねじ端子を固定具に挿入するステップと、
前記1又はそれ以上のねじ端子を磁性部品の上面に対して位置決めする、前記固定具内に前記磁性部品を配置するステップと、
前記磁性部品から出る1又はそれ以上のリードを前記1又はそれ以上のねじ端子に取り付けるステップと、
前記1又はそれ以上のリードが取り付けられた前記磁性部品を前記固定具から取り外すステップと、
前記磁性部品の上に磁気エンドキャップを設置するステップと、
1又はそれ以上のカップをねじ止めして、前記1又はそれ以上のねじ端子を同じ高さまで引き上げるステップと、
を含む、方法。
【請求項17】
1又はそれ以上のねじ端子を前記同じ高さに有する前記磁性部品を、押さえ固定具を用いて前記コールドプレート内に配置するステップをさらに含む、請求項16に記載の方法。
【請求項18】
前記1又はそれ以上のリードを前記1又はそれ以上のねじ端子に取り付ける1又はそれ以上の取付点にワニスを塗布するステップをさらに含む、請求項16に記載の方法。
【請求項19】
前記磁性部品から出る1又はそれ以上のリードを前記1又はそれ以上のねじ端子に取り付けるステップが、前記1又はそれ以上のリードを前記1又はそれ以上のねじ端子にはんだ付けするステップ又は溶接するステップのいずれかを含む、請求項16に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電気自動車のオンボード充電器(OBC)及びDC-DCコンバータに関し、特に、パワーエレクトロニクスサブアセンブリのための磁気的、機械的及び熱的インターフェースに関する。
【背景技術】
【0002】
典型的には、自動車用途では、パワー磁性体は空冷されるか、又は1つの表面が液冷されたコールドプレートに直接結合される。これらのようなパワーエレクトロニクス磁性体は、放熱磁束経路が一次元であるため、過大である。加えて、典型的な磁性体は、ブレードコネクタを含むサブアセンブリへの複雑なはんだ接続を必要とするか、又は基板に直接はんだ付けされる。
【0003】
高電力及び高密度電源は、典型的には、パワーシリコン及びパワー磁性体の両方が取り付けられるコールドプレートを含む。電源が組み立てられた後、プリント回路基板(PCB)へのアクセス、又は回線試験の終了のためにPCBを取り外す能力は、困難であるか、又は場合によっては全く不可能である。これは、スイッチングシリコンデバイスが、典型的には、コールドプレートに(直接、又はPCB取付ボルトを介して)ボルト止めされる一方で、磁性体が、熱伝導性材料を用いてコールドプレートにポッティングされ、両方の部品がPCBに直接はんだ付けされるためである。
【図面の簡単な説明】
【0004】
【
図1】本開示の一実施形態による、例示的なエネルギー管理ユニットの斜視図を提供する。
【0005】
【
図2】本開示の一実施形態による、例示的な冷却マニホールドの分解図を提供する。
【0006】
【
図3】本開示の一実施形態による、PCBへの例示的な磁性体インターフェースの詳細を示す。
【0007】
【
図4a】本開示の一実施形態による、
図3のPCBへの磁石ねじ付きインターフェースの各特定の特徴の機能の詳細図を提供する。
【
図4b】本開示の一実施形態による、
図3のPCBへの磁石ねじ付きインターフェースの各特定の特徴の機能の詳細図を提供する。
【0008】
【
図5】本開示の一実施形態による、ねじ山インターフェース製造プロセスにおける例示的なステップを示す。
【0009】
【
図6a】本開示の一実施形態による、
図5の製造プロセスの異なる段階におけるねじ山インターフェースを示す。
【
図6b】本開示の一実施形態による、
図5の製造プロセスの異なる段階におけるねじ山インターフェースを示す。
【
図6c】本開示の一実施形態による、
図5の製造プロセスの異なる段階におけるねじ山インターフェースを示す。
【発明の概要】
【0010】
本開示の一態様は、パワーエレクトロニクスアセンブリの部品、コスト、及びサイズを低減する、各側の2つのパワーエレクトロニクスPCB、例えば、一方の側のDC-DC及び他方の側のOBCを冷却する共用コールドプレートマニホールドに関する。
【0011】
本開示の第2の態様は、低圧及び高流量の冷却剤が通過することを可能にし、エネルギー管理ユニット(EMU)がバッテリ冷却ループ及びバッテリパック筐体内に実装されることを可能にし、嵩張るコネクタ及び筐体を排除し、重量、空間、及びコストを低減し、信頼性を向上させる、コールドプレートマニホールドに関する。
【0012】
本開示の第3の態様は、磁性素子を包含し、複数(例えば、6つ)の磁気表面を確実に冷却及びシールし、エネルギー貯蔵又は転送デバイスの優れた冷却及びさらなる小型化を可能にする、コールドプレートマニホールドに関する。
【0013】
本開示の第4の態様は、ねじ付きインターフェースを含み、組み立てを容易にし、同時に磁性体とPCBとの間の低インピーダンス接触を可能にする一方で、同時に振動に対する堅牢な機械的接続を提供し、磁気ねじに対して局所的に熱界面材料の圧縮圧力に反応する、磁気アセンブリに関する。磁気ねじ端子は、同時にPCBのためのスタンドオフとしても機能する。
【0014】
本開示の第5の態様は、ねじ付きインターフェースを有する磁性体を構築するプロセスに関する。
【発明を実施するための形態】
【0015】
好ましい実施形態の以下の説明では、本明細書の一部を形成し、実施することができる特定の実施形態を例として示す添付の図面を参照する。本開示の実施形態の範囲から逸脱することなく、他の実施形態を使用することができ、構造的変更を行うことができることを理解されたい。
【0016】
図1は、本開示の一実施形態による、例示的なEMU110を示す。EMU110は、各側の2つのパワーエレクトロニクスPCB、例えば、一方の側のDC-DC PCB112及び他方の側のOBC102を冷却することができる共用コールドプレートマニホールド(「コールドプレート」)100を含む。コールドプレート100を多層にすることによって、磁性体108のフットプリントは、パワーシリコン及び他のPCB部品102のフットプリントと重なり合うことができる。これは、
図2に示すように、コールドプレート100を多層アセンブリに積層することによって達成される。
【0017】
図2に示すように、多層アセンブリ10の2つの外側層4、2は、パワーシリコンデバイスが取り付けられるエンドリッドマニホールドを含む。両側の次の2つの内側片3、5は、シーリングガスケットである。図示された実施形態では、シーリングガスケット5は単純なOリングであってもよく、シーリングガスケット3は、両側に非対称のシール面を有するガスケットプレートであってもよく、この非対称のシール面は、磁気リード9の周りを外部にシールするのを補助するとともに、冷却剤が磁性体の上、リードの周りを流れることを可能にする。シール要件に応じて、他のタイプのシーリングガスケットを使用することができることを理解されたい。
【0018】
ガスケットプレート5の内側は、コールドブロック(又はセンターブロック)1の磁気ポケットの上側の周りをシールし、外側は、エンドプレートマニホールド2の磁気リード9の周りをシールする。ガスケットプレート3は、冷却剤(
図2に図示せず)が磁性体6、8の上部を流れることを可能にし、コモンモードチョーク(CMC)11、12は、冷却剤がリッドマニホールド2の外側に実装された電界効果トランジスタ(FET)の底部の真下に流れることを可能にする。このガスケットプレート3は、冷却剤がセンタープレート1を通過するとき、冷却剤をリッドマニホールド2の内外に送る。コールドプレートの最後の層は、センターブロック1である。磁性体6、8及びCMC11、12は、センタープレートにポッティングされる。この多層コールドプレート10により、より高い実装及び電力密度が実現される。
【0019】
図1に戻って参照すると、大きな入口104及び出口106が、低圧で大容量の冷却剤流を支えることにも気付くであろう。本開示の実施形態では、磁性体108は浸漬され、周囲並びに上部及び底部を含むすべての表面で冷却される。加えて、シーラントガスケット、例えば
図2に示すようなシーラントガスケットを有するマニホールドにより、高い流量が可能になる。これらの特徴を組み合わせることにより、磁性体108を小型化することができる。
【0020】
自動変速装置で使用される同様のシーリングガスケットプレートに対して従来の製造プロセスを使用することにより、製造コストを低く抑えることができる。
図2に示すガスケット3、5は、複雑な冷却チャネルの高圧シールを維持することができる。これらの実施形態において開示される例示的なエネルギー管理ユニットは、超高流量(最大約30LPM)を可能にし、EMU冷却剤をバッテリパックと直列にすることができる。これにより、EMUがバッテリパック筐体内に実装される場合に利点が得られる。
【0021】
図3は、PCBへの多層アセンブリ10の例示的な磁性体インターフェースの詳細を示す。この実施形態では、コールドブロック310の組み立てを容易にするために、磁性素子には、磁性素子300とPCB308との間の電気的接続と、PCB308をコールドブロック310に固定する機械的接続と、の両方を行うねじインターフェース304を可能にするねじ付きインターフェース302が取り付けられる。この機械的インターフェースは、従来のスタンドオフに取って代わることができ、また、パワーシリコンデバイスの下で使用される熱インターフェースギャップパッド材料の圧縮力に達する局所的手段を提供することができる。
【0022】
図4a及び
図4bは、磁性体のPCBへの例示的な磁石ねじ付きインターフェース(
図3の302)の詳細図を提供する。
図4a及び
図4bに示すように、PCBを磁性体の磁気端子404に容易に組み付け、この磁気端子から取り外し可能(はんだなし)にするために、固定ねじ付き(ねじ)端子404が利用される。磁性体406がコールドプレートに深く埋め込まれる(ポッティングされる)場合、磁気端子404は、PCB(
図4には図示せず)をコールドプレートに固定するために利用することもできる。磁気ねじ端子402がPCBの取付け位置としても機能する場合、パワーシリコンの締結ねじ408も取り外すことができ、PCBは、パワーシリコーンパッケージの下の熱界面材料410に予圧を付与して、パワーシリコーンパッケージを定位置に保持することができる。これはすべて、
図4に示すようにABSプラスチックの磁気エンドキャップ412を用いて達成される。
【0023】
エンドキャップ412は、磁性コア406の上部に位置し、底部プレート(
図2の2)によって定位置に保持される。さらに、ねじ端子404は、PCBとの適合性材料界面を有するようにめっきすることができる。これは、無電解ニッケル浸漬金(ENIG)、銅、金又はニッケルの任意の組み合わせを含むことができる。磁気エンドキャップは、
図4に示す特定の形状によってこれらの機能のすべてを達成する。特に、この実施形態では、六角ねじ端子404は、基部の六角形状を介してプラスチックのエンドキャップ412にねじトルクを伝達することができる。次に、エンドキャップ412は、外周の外側形状を介してコールドブロック406にトルクを伝達することができる。
【0024】
図5は、本開示の一実施形態による、ねじ山インターフェース製造プロセスにおける例示的なステップを示すフローチャートである。具体的には、
図5は、磁気リードを組み立てるプロセスを示す。まず、ねじ端子を固定具に挿入する(ステップ501)。次に、磁性部品を固定具内に配置し、固定具はすべてのねじ端子を磁性コアの上面に対して位置決めする(ステップ502)。次に、磁性部品から出るリードをねじ端子にはんだ付け又は溶接する(ステップ503)。次いで、アセンブリを固定具から取り外し、任意選択でワニスをはんだ接合部に塗布する(ステップ504)。磁気エンドキャップを設置し、カップをねじ止めして、ポッティングプロセスの前にすべてのねじ端子を同じ高さまで引き上げる(ステップ505)。最後に、押さえ固定具を用いて、アセンブリをコールドブロック内に配置し、熱ポッティングを適用する(ステップ506)。
図5に示すステップのうちのいくつかは、同じ結果が達成され得る程度に、並行して、又は異なる順序で行われてもよいことを理解されたい。
【0025】
図6aは、
図5のステップ501~504が実行された後の固定具604内の部分的に製造されたねじ山インターフェース600を示す。ねじ端子(集合的に602)は、固定具604に挿入されている。磁性体606は、固定具604内に配置され、ボルト止めされている。固定具604は、すべてのねじ端子602を平面の上面に対して位置決めする。磁性部品から出るリードは、ねじ端子602にはんだ付け又は溶接される。
【0026】
図6bは、
図5のステップ505が実行された後の、さらに組み立てられたねじ山インターフェース600’を示す。部分的に組み立てられたねじ山インターフェース600’は固定具から取り外されており、ワニスが任意選択ではんだ接合部(集合的に608)に塗布されている。
【0027】
図6cは、
図5のステップ506の間のねじ山インターフェース600”を示す。磁気エンドキャップ610を設置し、カップ612をねじ止めして、ポッティングプロセスの前にすべてのねじ端子を同じ高さまで引き上げる。次に、ねじ山インターフェース600”をコールドブロック(
図6cに図示せず)内に配置する。
【0028】
本開示の実施形態は、添付の図面を参照して十分に説明されているが、様々な変更及び修正が当業者には明らかになることに留意されたい。このような変更及び修正は、添付の特許請求の範囲によって定義される本開示の実施形態の範囲内に含まれるものとして理解されるべきである。
なお、本発明には以下の態様が含まれ得ることを付記する。
[態様1]
エネルギー管理ユニット(EMU)であって、
第1のプリント回路基板(PCB)と第2のPCBとの間に挟まれたコールドプレートであって、1又はそれ以上の磁性体を備える、コールドプレートを備え、
前記コールドプレートが、前記第1のPCB及び前記第2のPCBの両方を冷却するように構成される、
エネルギー管理ユニット(EMU)。
[態様2]
前記第1のPCBが、DC-DC PCBを含み、前記第2のPCBが、オンボード充電器(OBC)PCBを含む、態様1に記載のEMU。
[態様3]
前記コールドプレートが、前記1又はそれ以上の磁性体を保持するように構成された1又はそれ以上の磁気ポケットを備える、態様1に記載のEMU。
[態様4]
前記コールドプレートが、
上部外側層及び底部外側層であって、両方ともパワーシリコンデバイスが取り付けられるエンドリッドマニホールドを備える、上部外側層及び底部外側層を含む、
複数の層を備える、態様3に記載のEMU。
[態様5]
前記コールドプレートが、前記上部外側層の内側の第1のシーリングガスケットと、前記底部外側層の内側の第2のシーリングガスケットとをさらに備える、態様4に記載のEMU。
[態様6]
前記第1のシーリングガスケットが、Oリングガスケットを含む、態様5に記載のEMU。
[態様6]
前記第2のシーリングガスケットが、両側に非対称のシール面を有するガスケットプレートを備える、態様4に記載のEMU。
[態様7]
前記第1のシーリングガスケットが、前記1又はそれ以上の磁気ポケットの上側の周りをシールするように構成される、態様4に記載のEMU。
[態様8]
前記第2のシーリングガスケットが、前記1又はそれ以上の磁性体の1又はそれ以上の磁気リードの周りをシールするように構成される、態様4に記載のEMU。
[態様9]
前記第2のシーリングガスケットが、冷却剤が前記1又はそれ以上の磁性体の上を流れ、かつ前記底部外側層の外側に実装された電界効果トランジスタ(FET)の底部の直下を流れることを可能にするように構成される、態様8に記載のEMU。
[態様10]
前記第2のシーリングガスケットが、冷却剤が前記コールドプレートを通過するとき、前記底部外側層の内外に前記冷却剤を送るように構成される、態様8に記載のEMU。
[態様11]
前記コールドプレートの磁性体インターフェースであって、
前記1又はそれ以上の磁性体と前記第1のPCBとの間の電気的接続と、前記第1のPCBを前記コールドプレートに固定する機械的接続と、の両方を備えるねじ付きインターフェースを備える、
磁性体インターフェースをさらに備える、態様1に記載のEMU。
[態様12]
前記1又はそれ以上の磁性体の上部にエンドキャップをさらに備える、態様11に記載のEMU。
[態様13]
前記ねじ付きインターフェースが、前記第1のPCBとの適合性材料界面を含む、態様11に記載のEMU。
[態様14]
前記適合性材料界面が、無電解ニッケル浸漬金(ENIG)、銅、金、又はニッケルの組み合わせを含む、態様13に記載のEMU。
[態様15]
前記1又はそれ以上の磁性体を保持するように構成された1又はそれ以上の磁気ポケットと、
上部外側層及び底部外側層であって、両方ともパワーシリコンデバイスが取り付けられるエンドリッドマニホールドを備える、上部外側層及び底部外側層と、
前記上部外側層の内側の第1のシーリングガスケットであって、前記1又はそれ以上の磁気ポケットの上側の周りをシールするように構成された第1のシーリングガスケットと、
前記底部外側層の内側の第2のシーリングガスケットであって、前記1又はそれ以上の磁性体の1又はそれ以上の磁気リードの周りをシールするように構成された第2のシーリングガスケットと、
を備える、冷却装置。
[態様16]
前記1又はそれ以上の磁性体と前記第1のPCBとの間の電気的接続と、前記第1のPCBを前記コールドプレートに固定する機械的接続と、の両方を備えるねじ付きインターフェース
を備える磁性体インターフェースをさらに備える、態様15に記載の冷却装置。
[態様17]
コールドプレートの磁気リードを組み立てる方法であって、前記方法が、
1又はそれ以上のねじ端子を固定具に挿入するステップと、
前記1又はそれ以上のねじ端子を磁性部品の上面に対して位置決めする、前記固定具内に前記磁性部品を配置するステップと、
前記磁性部品から出る1又はそれ以上のリードを前記1又はそれ以上のねじ端子に取り付けるステップと、
前記1又はそれ以上のリードが取り付けられた前記磁性部品を前記固定具から取り外すステップと、
前記磁性部品の上に磁気エンドキャップを設置するステップと、
1又はそれ以上のカップをねじ止めして、前記1又はそれ以上のねじ端子を同じ高さまで引き上げるステップと、
を含む、方法。
[態様18]
1又はそれ以上のねじ端子を前記同じ高さに有する前記磁性部品を、押さえ固定具を用いて前記コールドプレート内に配置するステップをさらに含む、態様17に記載の方法。
[態様19]
前記1又はそれ以上のリードを前記1又はそれ以上のねじ端子に取り付ける1又はそれ以上の取付点にワニスを塗布するステップをさらに含む、態様17に記載の方法。
[態様20]
前記磁性部品から出る1又はそれ以上のリードを前記1又はそれ以上のねじ端子に取り付けるステップが、前記1又はそれ以上のリードを前記1又はそれ以上のねじ端子にはんだ付けするステップ又は溶接するステップのいずれかを含む、態様17に記載の方法。
【符号の説明】
【0029】
1 コールドブロック、センターブロック、センタープレート
2 エンドプレートマニホールド、リッドマニホールド
3 ガスケットプレート、シーリングガスケット
4 エンドプレートマニホールド
5 ガスケットプレート、シーリングガスケット
6 磁性体
8 磁性体
9 磁気リード
10 多層アセンブリ、多層コールドプレート
11 コモンモードチョーク(CMC)
12 コモンモードチョーク(CMC)
100 共用コールドプレートマニホールド(コールドプレート)
102 オンボード充電器(OBC)、PCB部品
104 入口
106 出口
108 磁性体
110 エネルギー管理ユニット(EMU)
112 DC-DC PCB
300 磁性素子
302 ねじ付きインターフェース
304 ねじインターフェース
308 PCB
310 コールドブロック
402 磁気ねじ端子
404 磁気端子、固定ねじ付き(ねじ)端子、六角ねじ端子
406 磁性コア、コールドブロック、磁性体
408 締結ねじ
410 熱界面材料
412 磁気エンドキャップ
600 ねじ山インターフェース
600’ ねじ山インターフェース
600” ねじ山インターフェース
602 ねじ端子
604 固定具
606 磁性体
608 はんだ接合部
610 磁気エンドキャップ
612 カップ