7638119 基板処理方法および基板処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2025-02-20

(45)【発行日】2025-03-03

(54)【発明の名称】基板処理方法および基板処理装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/308 20060101AFI20250221BHJP

   H01L 21/306 20060101ALI20250221BHJP

【ＦＩ】

H01L21/308 E

H01L21/306 D

【請求項の数】 26

(21)【出願番号】P 2021041310

(22)【出願日】2021-03-15

(65)【公開番号】P2022141138

(43)【公開日】2022-09-29

【審査請求日】2023-12-18

(73)【特許権者】

【識別番号】000207551

【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス

(74)【代理人】

【識別番号】100093056

【弁理士】

【氏名又は名称】杉谷 勉

(74)【代理人】

【識別番号】100142930

【弁理士】

【氏名又は名称】戸高 弘幸

(74)【代理人】

【識別番号】100175020

【弁理士】

【氏名又は名称】杉谷 知彦

(74)【代理人】

【識別番号】100180596

【弁理士】

【氏名又は名称】栗原 要

(74)【代理人】

【識別番号】100195349

【弁理士】

【氏名又は名称】青野 信喜

(72)【発明者】

【氏名】塙 洋祐

(72)【発明者】

【氏名】上田 大

(72)【発明者】

【氏名】春本 晶子

【審査官】長谷川 直也

(56)【参考文献】

【文献】特開平０１－１８４２８１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０８－２４１８７３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００３－２７７９５６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００８－２５２０２５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２０２０－５１５０４７（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／３０８

Ｈ０１Ｌ ２１／３０６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を処理する基板処理方法であって、
添加剤が溶解された第１処理液に含まれるヨウ化物イオン（Ｉ^－）が減少することを抑制する調整工程と、
前記調整工程によって調整された前記第１処理液、および、基板をエッチングするための第１エッチング液を基板に供給する供給工程と、
を備え、
前記調整工程は、前記第１処理液の溶存酸素の濃度を低下させる
基板処理方法。

【請求項2】

請求項１に記載の基板処理方法において、
前記調整工程は、前記第１処理液中に不活性ガスを供給し、前記第１処理液中に気泡を生成する
基板処理方法。

【請求項3】

基板を処理する基板処理方法であって、
添加剤が溶解された第１処理液に含まれるヨウ化物イオン（Ｉ^－）が減少することを抑制する調整工程と、
前記調整工程によって調整された前記第１処理液、および、基板をエッチングするための第１エッチング液を基板に供給する供給工程と、
を備え、
前記調整工程は、前記第１処理液を脱気する
基板処理方法。

【請求項4】

請求項３に記載の基板処理方法において、
前記調整工程は、気液分離部によって前記第１処理液を濾過して、前記第１処理液を脱気する
基板処理方法。

【請求項5】

基板を処理する基板処理方法であって、
添加剤が溶解された第１処理液に含まれるヨウ化物イオン（Ｉ^－）が減少することを抑制する調整工程と、
前記調整工程によって調整された前記第１処理液、および、基板をエッチングするための第１エッチング液を基板に供給する供給工程と、
を備え、
前記調整工程では、前記ヨウ化物イオン（Ｉ ^－ ）がヨウ素分子（Ｉ _２ ）および三ヨウ化物イオン（Ｉ _３ ^－ ）の少なくともいずれかになることを抑制する
基板処理方法。

【請求項6】

請求項１から５のいずれかに記載の基板処理方法において、
前記供給工程は、前記調整工程によって調整された前記第１処理液を前記第１エッチング液に加えた混合液を、基板に供給する
基板処理方法。

【請求項7】

請求項１から６のいずれかに記載の基板処理方法において、
前記第１処理液は、前記添加剤が純水に溶解した水溶液である
基板処理方法。

【請求項8】

基板を処理する基板処理方法であって、
添加剤が溶解された第１処理液に含まれるヨウ化物イオン（Ｉ^－）が減少することを抑制する調整工程と、
前記調整工程によって調整された第１処理液を基板に供給する供給工程と、
を備え、
前記第１処理液は、さらに、基板をエッチングするための第２エッチング液を含み、
前記調整工程は、前記第１処理液の溶存酸素の濃度を低下させる
基板処理方法。

【請求項9】

請求項８に記載の基板処理方法において、
前記調整工程は、前記第１処理液中に不活性ガスを供給し、前記第１処理液中に気泡を生成する
基板処理方法。

【請求項10】

基板を処理する基板処理方法であって、
添加剤が溶解された第１処理液に含まれるヨウ化物イオン（Ｉ^－）が減少することを抑制する調整工程と、
前記調整工程によって調整された第１処理液を基板に供給する供給工程と、
を備え、
前記第１処理液は、さらに、基板をエッチングするための第２エッチング液を含み、
前記調整工程は、前記第１処理液を脱気する
基板処理方法。

【請求項11】

請求項１０に記載の基板処理方法において、
前記調整工程は、気液分離部によって前記第１処理液を濾過して、前記第１処理液を脱気する
基板処理方法。

【請求項12】

基板を処理する基板処理方法であって、
添加剤が溶解された第１処理液に含まれるヨウ化物イオン（Ｉ^－）が減少することを抑制する調整工程と、
前記調整工程によって調整された第１処理液を基板に供給する供給工程と、
を備え、
前記第１処理液は、さらに、基板をエッチングするための第２エッチング液を含み、
前記調整工程では、前記ヨウ化物イオン（Ｉ ^－ ）がヨウ素分子（Ｉ _２ ）および三ヨウ化物イオン（Ｉ _３ ^－ ）の少なくともいずれかになることを抑制する
基板処理方法。

【請求項13】

請求項１から１２のいずれかに記載の基板処理方法において、
前記添加剤は、前記添加剤から前記第１処理液中に前記ヨウ化物イオン（Ｉ^－）を遊離させる
基板処理方法。

【請求項14】

請求項１から１３のいずれかに記載の基板処理方法において、
前記添加剤は、
テトラメチルアンモニウムヨージド（ＴＭＡＩ）、
テトラエチルアンモニウムヨージド（ＴＥＡＩ）、
テトラプロピルアンモニウムヨージド（ＴＰＡＩ）、
テトラブチルアンモニウムヨージド、
ヨウ化アンモニウム、および、
ヨウ化水素
の少なくともいずれかを含む
基板処理方法。

【請求項15】

請求項１から１４のいずれかに記載の基板処理方法において、
前記調整工程は、前記第１処理液中の前記ヨウ化物イオン（Ｉ^－）の濃度、前記第１処理液の酸化還元電位、および、前記第１処理液の溶存酸素の濃度の少なくともいずれかを検出する
基板処理方法。

【請求項16】

請求項１５に記載の基板処理方法において、
前記第１処理液中の前記ヨウ化物イオン（Ｉ^－）の濃度の検出結果、前記第１処理液の酸化還元電位の検出結果、および、前記第１処理液の溶存酸素の濃度の検出結果の少なくともいずれかに基づいて、前記調整工程は、開始し、かつ、終了する
基板処理方法。

【請求項17】

請求項１５または１６に記載の基板処理方法において、
前記第１処理液中の前記ヨウ化物イオン（Ｉ^－）の濃度の検出結果、前記第１処理液の酸化還元電位の検出結果、および、前記第１処理液の溶存酸素の濃度の検出結果の少なくともいずれかに基づいて、前記添加剤および前記添加剤の溶媒の少なくともいずれかを前記第１処理液に補充する
基板処理方法。

【請求項18】

基板処理装置であって、
添加剤が溶解され、かつ、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む第１処理液から、前記第１処理液の溶存酸素を除去する調整部と、
前記調整部によって調整された前記第１処理液、および、基板をエッチングするための第１エッチング液を基板に供給する供給部と、
を備える基板処理装置。

【請求項19】

請求項１８の記載の基板処理装置において、
前記供給部は、前記調整部によって調整された前記第１処理液を前記第１エッチング液に加えた混合液を、基板に供給する
基板処理装置。

【請求項20】

請求項１８または１９に記載の基板処理装置において、
前記第１処理液は、前記添加剤が純水に溶解した水溶液である
基板処理装置。

【請求項21】

基板処理装置であって、
添加剤が溶解され、かつ、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む第１処理液から、前記第１処理液の溶存酸素を除去する調整部と、
前記調整部によって調整された前記第１処理液を、基板に供給する供給部と、
を備え、
前記第１処理液は、基板をエッチングするための第２エッチング液を含む
基板処理装置。

【請求項22】

請求項１８から２１のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記第１処理液中の前記ヨウ化物イオン（Ｉ^－）の濃度を検出する第１センサと、
前記第１センサの検出結果を取得する制御部と、
を備える
基板処理装置。

【請求項23】

請求項２２に記載の基板処理装置において、
前記制御部は、前記第１センサの検出結果に基づいて、前記調整部を制御する
基板処理装置。

【請求項24】

請求項２２または２３に記載の基板処理装置において、
前記添加剤の溶媒を前記第１処理液に補充する第１補充部と、
を備え、
前記制御部は、前記第１センサの検出結果に基づいて、前記第１補充部によって前記第１処理液に前記溶媒を補充させる
基板処理装置。

【請求項25】

請求項１８から２４のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記調整部は、前記第１処理液中に不活性ガスを供給し、前記第１処理液中に気泡を生成する気泡生成部を備える
基板処理装置。

【請求項26】

請求項１８から２５のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記調整部は、前記第１処理液を濾過して、前記第１処理液を脱気する気液分離部を備える
基板処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

この発明は、基板に処理を行う基板処理方法および基板処理装置に関する。基板は、例えば、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、有機ＥＬ(Electroluminescence)用基板、ＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板である。

【背景技術】

【0002】

特許文献１、２の基板処理装置は、基板にエッチング液を供給して、基板をエッチングする。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開平９－２２８９１号公報

【文献】特開平９－１１５８７５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

近年、基板の表面に形成されるパターンは、微細化している。パターンは、複数の凸部（構造体）と、複数の凹部（空間）を含む。凸部は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）やシリコン窒化膜（ＳｉＮ）やポリシリコン膜で構成される。凹部は、凸部に隣接する。凸部は、凹部を区画する壁に相当する。パターンが微細になるにしたがって、凹部は狭小になる。例えば、隣り合う２つの凸部の間の離隔距離が、数十ナノメール以下になる場合がある。例えば、凹部は、たった、数十ナノメール以下の幅しか有しない場合がある。

【0005】

このため、エッチング処理では、狭小な凹部に対してエッチング液を供給する場合がある。エッチング液は、狭小な凹部において基板をエッチングする場合がある。しかしながら、エッチング処理の品質が、凹部のサイズによって、低下する場合があった。例えば、凹部が狭小である場合、基板を適切にエッチングできない場合があった。例えば、凹部が狭小である場合、エッチング機能が低下する場合があった。

【0006】

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板上の凹部のサイズに関係無く、基板を適切にエッチングできる基板処理方法および基板処理装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明者は、上記の課題を解決するために鋭意研究した。まず、本発明者らは、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）に注目した。ヨウ化物イオン（Ｉ^－）は、疎水性を有する。基板上の凸部も、疎水性を有する。このため、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）と凸部の間の相性は、水分子と凸部の間の相性に比べて、良好である。

【0008】

そこで、本発明者らは、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含むエッチング液を基板に供給することを検討した。エッチング液中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）は、基板上の凹部に容易に入る。凹部に対するヨウ化物イオン（Ｉ^－）の入り易さは、凹部のサイズに依存しない。仮に凹部が狭小であっても、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）は凹部に容易に入る。

【0009】

ここで、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）は、アニオンである。より詳しくは、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）は、１つのヨウ素原子からなる１価の単原子アニオンである。エッチング液は、水素イオン（Ｈ^＋）を含む。水素イオン（Ｈ^＋）は、カチオンである。このため、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）は、処理液に含まれる水素イオン（Ｈ^＋）を引き連れて、移動可能である。言い換えれば、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）は、水素イオン（Ｈ^＋）の移動を促進可能である。このため、凹部のサイズに関係無く、水素イオン（Ｈ^＋）も、容易に凹部に入る。

【0010】

水素イオン（Ｈ^＋）は、基板をエッチングするイオンの１つである。このため、凹部のサイズに関係無く、基板を適切にエッチングできる。

【0011】

しかしながら、本発明者らは、新たな問題を知見した。新たな問題は、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含むエッチング液を使用しても、エッチング機能がばらつく場合やエッチング機能が低下する場合があることである。そこで、本発明者らは、新たな問題について、さらに検討した。

【0012】

本発明は、これらの知見に基づいて、さらに鋭意検討することによって得られたものであり、次のような構成をとる。すなわち、本発明は、基板を処理する基板処理方法であって、添加剤が溶解された第１処理液に含まれるヨウ化物イオン（Ｉ^－）が減少することを抑制する調整工程と、前記調整工程によって調整された前記第１処理液、および、基板をエッチングするための第１エッチング液を基板に供給する供給工程と、を備える基板処理方法である。

【0013】

添加剤は第１処理液に溶解される。第１処理液は、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む。基板処理方法は、調整工程と供給工程を備える。調整工程は、第１処理液に含まれるヨウ化物イオン（Ｉ^－）が減少することを抑制する。このため、第１処理液は十分なヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む。供給工程は、前記調整工程によって調整された第１処理液を基板に供給する。さらに、供給工程は、第１エッチング液を基板に供給する。上述の通り、前記調整工程によって調整された第１処理液は、十分なヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む。このため、基板上の凹部のサイズに関係無く、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）は、凹部に容易に入る。凹部のサイズに関係無く、第１エッチング液中の水素イオン（Ｈ^＋）も、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）とともに、凹部に容易に入る。その結果、凹部のサイズに関係無く、基板を適切にエッチングできる。

【0014】

以上の通り、本発明の基板処理方法によれば、基板上の凹部のサイズに関係無く、基板を適切にエッチングできる。

【0015】

上述した基板処理方法において、前記供給工程は、前記調整工程によって調整された前記第１処理液を前記第１エッチング液に加えた混合液を、基板に供給することが好ましい。供給工程は、混合液を基板に供給する。ここで、混合液は、調整工程によって調整された第１処理液を、第１エッチング液に加えたものである。すなわち、混合液は、第１処理液と第１エッチング液を含む。このため、混合液を供給することは、第１処理液および第１エッチング液を供給することに相当する。さらに、混合液が第１処理液と第１エッチング液を含むことは、混合液がヨウ化物イオン（Ｉ^－）と水素イオン（Ｈ^＋）を含むことに相当する。このため、混合液が基板に供給された直後から、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）は水素イオン（Ｈ^＋）の移動を好適に促進できる。よって、基板を一層適切にエッチングできる。

【0016】

上述した基板処理方法において、前記第１処理液は、前記添加剤が純水に溶解した水溶液であることが好ましい。このため、調整工程は、第１処理液に含まれるヨウ化物イオン（Ｉ^－）が減少することを容易に抑制できる。

【0017】

本発明は、基板を処理する基板処理方法であって、添加剤が溶解された第１処理液に含まれるヨウ化物イオン（Ｉ^－）が減少することを抑制する調整工程と、前記調整工程によって調整された第１処理液を基板に供給する供給工程と、を備え、前記第１処理液は、さらに、基板をエッチングするための第２エッチング液を含む基板処理方法である。

【0018】

添加剤は第１処理液に溶解される。第１処理液は、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む。基板処理方法は、調整工程と供給工程を備える。調整工程は、第１処理液に含まれるヨウ化物イオン（Ｉ^－）が減少することを抑制する。このため、第１処理液は十分なヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む。第１処理液は、さらに、第２エッチング液を含む。すなわち、第１処理液は、水素イオン（Ｈ^＋）を含む。供給工程は、調整工程によって調整された第１処理液を基板に供給する。上述の通り、調整工程によって調整された第１処理液は十分なヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む。第１処理液は、さらに、水素イオン（Ｈ^＋）を含む。このため、基板上の凹部のサイズに関係無く、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）は、水素イオン（Ｈ^＋）を引き連れて、容易に凹部に入る。第１処理液が基板に供給された直後から、水素イオン（Ｈ^＋）は、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）とともに、凹部に容易に入る。その結果、凹部のサイズに関係無く、基板を適切にエッチングできる。

【0019】

以上の通り、本発明の基板処理方法によれば、基板上の凹部のサイズに関係無く、基板を適切にエッチングできる。

【0020】

上述した基板処理方法において、前記添加剤は、前記添加剤から前記第１処理液中に前記ヨウ化物イオン（Ｉ^－）を遊離させることが好ましい。第１処理液は、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）を好適に含むことができる。

【0021】

上述した基板処理方法において、前記添加剤は、テトラメチルアンモニウムヨージド（ＴＭＡＩ）、テトラエチルアンモニウムヨージド（ＴＥＡＩ）、テトラプロピルアンモニウムヨージド（ＴＰＡＩ）、テトラブチルアンモニウムヨージド、ヨウ化アンモニウム、および、ヨウ化水素の少なくともいずれかを含むことが好ましい。第１処理液は、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）を好適に含むことができる。

【0022】

上述した基板処理方法において、前記調整工程は、前記第１処理液の溶存酸素の濃度を低下させることが好ましい。調整工程は、第１処理液に含まれるヨウ化物イオン（Ｉ^－）が減少することを好適に抑制できる。

【0023】

上述した基板処理方法において、前記調整工程は、前記第１処理液中に不活性ガスを供給し、前記第１処理液中に気泡を生成することが好ましい。調整工程は、第１処理液の溶存酸素の濃度を好適に低下させることができる。

【0024】

上述した基板処理方法において、前記調整工程は、前記第１処理液を脱気することが好ましい。調整工程は、第１処理液に含まれるヨウ化物イオン（Ｉ^－）が減少することを好適に抑制できる。

【0025】

上述した基板処理方法において、前記調整工程は、気液分離部によって前記第１処理液を濾過して、前記第１処理液を脱気することが好ましい。調整工程は、第１処理液を好適に脱気できる。

【0026】

上述した基板処理方法において、前記調整工程は、前記第１処理液中の前記ヨウ化物イオン（Ｉ^－）の濃度、前記第１処理液の酸化還元電位、および、前記第１処理液の溶存酸素の濃度の少なくともいずれかを検出することが好ましい。第１処理液中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の濃度を検出する場合、調整工程は、第１処理液中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の濃度を好適に把握できる。第１処理液の酸化還元電位を検出する場合、調整工程は、第１処理液中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の濃度を好適に推測できる。第１処理液の溶存酸素の濃度を検出する場合、調整工程は、第１処理液中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の濃度を好適に推測できる。

【0027】

上述した基板処理方法において、前記第１処理液中の前記ヨウ化物イオン（Ｉ^－）の濃度の検出結果、前記第１処理液の酸化還元電位の検出結果、および、前記第１処理液の溶存酸素の濃度の検出結果の少なくともいずれかに基づいて、前記調整工程は、開始し、かつ、終了することが好ましい。調整工程を、適切なタイミングで開始できる。調整工程を、適切なタイミングで終了できる。

【0028】

上述した基板処理方法において、前記第１処理液中の前記ヨウ化物イオン（Ｉ^－）の濃度の検出結果、前記第１処理液の酸化還元電位の検出結果、および、前記第１処理液の溶存酸素の濃度の検出結果の少なくともいずれかに基づいて、前記添加剤および前記添加剤の溶媒の少なくともいずれかを前記第１処理液に補充することが好ましい。第１処理液中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の濃度を、好適に調整できる。

【0029】

上述した基板処理方法において、基板は凹部を有することが好ましい。基板が凹部を有する場合であっても、基板上の凹部のサイズに関係無く、基板を適切にエッチングできる。

【0030】

本発明は、基板処理装置であって、添加剤が溶解され、かつ、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む第１処理液から、前記第１処理液の溶存酸素を除去する調整部と、前記調整部によって調整された前記第１処理液、および、基板をエッチングするための第１エッチング液を基板に供給する供給部と、を備える基板処理装置である。

【0031】

添加剤は、第１処理液に溶解される。第１処理液は、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む。基板処理装置は、調整部と供給部を備える。調整部は、第１処理液の溶存酸素を第１処理液から除去する。これにより、第１処理液に含まれるヨウ化物イオン（Ｉ^－）の減少が抑制される。よって、調整部によって調整された第１処理液は、十分なヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む。供給部は、調整部によって調整された第１処理液、および、第１エッチング液を、基板に供給する。上述の通り、調整部によって調整された第１処理液は、十分なヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む。このため、基板上の凹部のサイズに関係無く、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）は、凹部に容易に入る。凹部のサイズに関係無く、第１エッチング液中の水素イオン（Ｈ^＋）も、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）とともに、凹部に容易に入る。その結果、凹部のサイズに関係無く、基板を適切にエッチングできる。

【0032】

以上の通り、本発明の基板処理装置によれば、基板上の凹部のサイズに関係無く、基板を適切にエッチングできる。

【0033】

上述した基板処理装置において、前記供給部は、前記調整部によって調整された前記第１処理液を前記第１エッチング液に加えた混合液を、基板に供給することが好ましい。液供給部は、混合液を供給する。ここで、混合液は、調整部によって調整された第１処理液を、第１エッチング液に加えたものである。すなわち、混合液は、第１処理液と第１エッチング液を含む。このため、混合液を供給することは、第１処理液および第１エッチング液を供給することに相当する。さらに、混合液が第１処理液と第１エッチング液を含むことは、混合液がヨウ化物イオン（Ｉ^－）と水素イオン（Ｈ^＋）を含むことに相当する。このため、混合液が基板に供給された直後から、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）は水素イオン（Ｈ^＋）の移動を好適に促進できる。よって、基板を一層適切にエッチングできる。

【0034】

上述した基板処理装置において、前記第１処理液は、前記添加剤が純水に溶解した水溶液であることが好ましい。このため、調整部は、第１処理液に含まれるヨウ化物イオン（Ｉ^－）が減少することを容易に抑制できる。

【0035】

本発明は、基板処理装置であって、添加剤が溶解され、かつ、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む第１処理液から、前記第１処理液の溶存酸素を除去する調整部と、前記調整部によって調整された前記第１処理液を、基板に供給する供給部と、を備え、前記第１処理液は、基板をエッチングするための第２エッチング液を含む基板処理装置である。

【0036】

添加剤は、第１処理液に溶解される。第１処理液は、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む。基板処理装置は、調整部と供給部を備える。調整部は、第１処理液の溶存酸素を第１処理液から除去する。このため、第１処理液に含まれるヨウ化物イオン（Ｉ^－）の減少が抑制される。よって、調整部によって調整された第１処理液は、十分なヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む。第１処理液は、さらに、第２エッチング液を含む。すなわち、第１処理液は、水素イオン（Ｈ^＋）を含む。供給部は、調整部によって調整された第１処理液を、基板に供給する。上述の通り、調整部によって調整された第１処理液は、十分なヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む。第１処理液は、さらに、水素イオン（Ｈ^＋）を含む。このため、基板上の凹部のサイズに関係無く、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）は、水素イオン（Ｈ^＋）を引き連れて、凹部に容易に入る。第１処理液が基板に供給された直後から、水素イオン（Ｈ^＋）は、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）とともに、凹部に容易に入る。その結果、凹部のサイズに関係無く、基板を適切にエッチングできる。

【0037】

以上の通り、本発明の基板処理装置によれば、基板上の凹部のサイズに関係無く、基板を適切にエッチングできる。

【0038】

上述した基板処理装置において、前記第１処理液中の前記ヨウ化物イオン（Ｉ^－）の濃度を検出する第１センサと、前記第１センサの検出結果を取得する制御部と、を備えることが好ましい。制御部は、第１処理液中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の濃度を好適に監視できる。

【0039】

上述した基板処理装置において、前記制御部は、前記第１センサの検出結果に基づいて、前記調整部を制御することが好ましい。制御部は、調整部を適切に制御できる。

【0040】

上述した基板処理装置において、前記添加剤の溶媒を前記第１処理液に補充する第１補充部と、を備え、前記制御部は、前記第１センサの検出結果に基づいて、前記第１補充部によって前記第１処理液に前記溶媒を補充させることが好ましい。制御部は、第１処理液を好適に希釈できる。

【0041】

上述した基板処理装置において、前記調整部は、前記第１処理液中に不活性ガスを供給し、前記第１処理液中に気泡を生成する気泡生成部を備えることが好ましい。調整部は、気泡発生部を備える。よって、調整部は、第１処理液の溶存酸素の濃度を好適に低下させることができる。

【0042】

上述した基板処理装置において、前記調整部は、前記第１処理液を濾過して、前記第１処理液を脱気する気液分離部を備えることが好ましい。調整部は、気液分離部を備える。このため、調整部は、第１処理液を好適に脱気できる。よって、調整部は、第１処理液の溶存酸素の濃度を好適に低下させることができる。

【0043】

上述した基板処理装置において、基板は凹部を有することが好ましい。基板が凹部を有する場合であっても、基板上の凹部のサイズに関係無く、基板を適切にエッチングできる。

【発明の効果】

【0044】

本発明の基板処理方法および基板処理装置によれば、基板上の凹部のサイズに関係無く、基板を適切にエッチングできる。

【図面の簡単な説明】

【0045】

【図1】基板をエッチングする動作を模式的に示す図である。

【図2】基板をエッチングする動作を模式的に示す図である。

【図3】基板をエッチングする動作を模式的に示す図である。

【図4】基板処理装置の内部を示す平面図である。

【図5】基板処理装置の制御ブロック図である。

【図6】第１実施形態の処理ユニットおよび処理液調整ユニットの構成を示す図である。

【図7】第２実施形態の処理ユニットおよび処理液調整ユニットの構成を示す図である。

【図8】第３実施形態の処理ユニットおよび処理液調整ユニットの構成を示す図である。

【図9】第４実施形態の処理ユニットおよび処理液調整ユニットの構成を示す図である。

【図10】変形実施形態の処理ユニットおよび処理液調整ユニットの構成を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0046】

＜１．ヨウ化物イオン（Ｉ^－）を用いたエッチング処理の原理＞
ヨウ化物イオン（Ｉ^－）を用いたときにエッチング機能がばらつくメカニズムを、本発明者らは、以下のように推察した。

【0047】

図１、２、３はそれぞれ、基板Ｗをエッチングする動作を模式的に示す図である。基板Ｗは、例えば、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、有機ＥＬ(Electroluminescence)用基板、ＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板である。基板Ｗは、薄い平板形状を有する。基板Ｗは、平面視で略円形状を有する。

【0048】

図１を参照する。基板Ｗは、パターン形成面Ｗ１を有する。パターン形成面Ｗ１は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）やシリコン窒化膜（ＳｉＮ）やポリシリコン膜で構成される。パターン形成面Ｗ１は、凸部Ｗ２と凹部Ａを有する。凸部Ｗ２は、基板Ｗの一部である。凸部Ｗ２は、構造体である。凸部Ｗ２も、熱酸化膜（ＳｉＯ２）で構成される。凹部Ａは、空間である。凹部Ａは、凸部Ｗ２に隣接する。凸部Ｗ２は、凹部Ａを区画する壁に相当する。凸部Ｗ２は、疎水性を有する。

【0049】

処理液は、基板Ｗのパターン形成面Ｗ１に供給される。処理液は、エッチング液とヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む。処理液がエッチング液を含むので、処理液は水素イオン（Ｈ^＋）を含む。水素イオン（Ｈ^＋）は、基板Ｗをエッチングするイオンの１つである。水素イオン（Ｈ^＋）は、カチオンである。ヨウ化物イオン（Ｉ^－）は、アニオンである。より詳しくは、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）は、１価の単原子アニオンである。ヨウ化物イオン（Ｉ^－）は、疎水性を有する。

【0050】

凸部Ｗ２とヨウ化物イオン（Ｉ^－）はともに、疎水性である。このため、凸部Ｗ２とヨウ化物イオン（Ｉ^－）の間の相性は、凸部Ｗ２と水分子の間の相性よりも、良好である。よって、エッチング液中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）は、凹部Ａに容易に入る。凹部Ａに対するヨウ化物イオン（Ｉ^－）の入り易さは、凹部Ａのサイズに依存しない。凹部Ａは、凸部Ｗ２に隣接するからである。仮に凹部Ａが狭小であっても、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）は凹部Ａに容易に入る。

【0051】

ヨウ化物イオン（Ｉ^－）はアニオンであり、水素イオン（Ｈ^＋）はカチオンである。このため、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）と水素イオン（Ｈ^＋）は、互いに引き合う。ヨウ化物イオン（Ｉ^－）は、水素イオン（Ｈ^＋）を引き連れて、移動可能である。言い換えれば、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）は、水素イオン（Ｈ^＋）の移動を促進可能である。よって、凹部Ａのサイズに関係無く、水素イオン（Ｈ^＋）も、容易に凹部Ａに入る。その結果、凹部Ａにおける水素イオン（Ｈ^＋）の濃度は、低くならない。

【0052】

水素イオン（Ｈ^＋）は、基板をエッチングするイオンの１つである。このため、凹部のサイズに関係無く、基板Ｗを適切にエッチングできる。

【0053】

図２を参照する。２つのヨウ化物イオン（Ｉ^－）は、ヨウ素分子（Ｉ_２）になる場合がある。
２Ｉ^－ → Ｉ_２+２ｅ^－
これにより、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）は減少する。ヨウ素分子（Ｉ_２）は増える。

【0054】

ヨウ素分子（Ｉ_２）は、電気的に中性である。このため、ヨウ素分子（Ｉ_２）と水素イオン（Ｈ^＋）は、互いに引き合わない。ヨウ素分子（Ｉ_２）は、水素イオン（Ｈ^＋）を引き連れて、移動しない。言い換えれば、ヨウ素分子（Ｉ_２）は、水素イオン（Ｈ^＋）の移動を促進しない。よって、ヨウ素分子（Ｉ_２）は、水素イオン（Ｈ^＋）を引き連れずに、凹部Ａに入る。ヨウ素分子（Ｉ_２）が凹部Ａに入っても、水素イオン（Ｈ^＋）は凹部Ａに容易に入らない。その結果、凹部Ａにおける水素イオン（Ｈ^＋）の濃度は、低くなる。したがって、基板Ｗを適切にエッチングできない。すなわち、エッチング機能が低下する。

【0055】

さらに、ヨウ素分子（Ｉ_２）は、不純物またはゴミとして、基板Ｗに付着する場合がある。この場合、エッチング処理の品質が著しく低下する。

【0056】

図３を参照する。ヨウ化物イオン（Ｉ^－）は、三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）になる場合がある。
Ｉ^－ + Ｉ_２ → Ｉ_３ ^－
これにより、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）は減少する。三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）は増える。

【0057】

三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）は、アニオンである。このため、三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）と水素イオン（Ｈ^＋）は、互いに引き合う。三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）は、水素イオン（Ｈ^＋）を引き連れて、移動可能である。言い換えれば、三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）は、水素イオン（Ｈ^＋）の移動を促進可能である。よって、三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）は、水素イオン（Ｈ^＋）を引き連れて、凹部Ａに入る。但し、三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）は、３つのヨウ素原子からなる１価の多原子アニオンである。このため、三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）は、水素イオン（Ｈ^＋）の移動を効率良く促進できない。例えば、３つのヨウ化物イオン（Ｉ^－）は３つの水素イオン（Ｈ^＋）を引き連れることができるのに対し、１つの三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）はたった１つの水素イオン（Ｈ^＋）を引き連れるに過ぎない。その結果、凹部Ａにおける水素イオン（Ｈ^＋）の濃度は、低くなる。したがって、基板Ｗを適切にエッチングできない。すなわち、エッチング機能が低下する。

【0058】

上述の通り、エッチング機能が低下する原因がヨウ化物イオン（Ｉ^－）の減少であると、本発明者らは知見した。言い換えれば、エッチング機能が低下する原因がヨウ化物イオン（Ｉ^－）の組成変化であると、本発明者らは知見した。そこで、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）の減少を抑制するための工程および手段を、本発明者らはさらに検討した。以下、複数の実施形態を説明する。

【0059】

＜２．第１実施形態＞
＜２－１．基板処理装置の概要＞
図４は、基板処理装置１の内部を示す平面図である。基板処理装置１は、基板Ｗに処理を行う。処理は、エッチング処理を含む。処理は、常温の環境の下で行われる。常温は、例えば、５℃から３５℃の範囲内の温度である。

【0060】

基板処理装置１は、インデクサ部３と処理ブロック７を備える。処理ブロック７はインデクサ部３に接続される。インデクサ部３は、処理ブロック７に基板Ｗを供給する。処理ブロック７は、基板Ｗに処理を行う。インデクサ部３は、処理ブロック７から基板Ｗを回収する。

【0061】

本明細書では、便宜上、インデクサ部３と処理ブロック７が並ぶ方向を、「前後方向Ｘ」と呼ぶ。前後方向Ｘは水平である。前後方向Ｘのうち、処理ブロック７からインデクサ部３に向かう方向を「前方」と呼ぶ。前方と反対の方向を「後方」と呼ぶ。前後方向Ｘと直交する水平方向を、「幅方向Ｙ」と呼ぶ。「幅方向Ｙ」の一方向を適宜に「右方」と呼ぶ。右方とは反対の方向を「左方」と呼ぶ。水平方向に対して垂直な方向を「鉛直方向Ｚ」と呼ぶ。各図では、参考として、前、後、右、左、上、下を適宜に示す。

【0062】

インデクサ部３は、複数（例えば、４つ）のキャリア載置部４を備える。各キャリア載置部４はそれぞれ、１つのキャリアＣを載置する。キャリアＣは、複数枚の基板Ｗを収容する。キャリアＣは、例えば、ＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Interface）、ＯＣ（Open Cassette）である。

【0063】

インデクサ部３は、搬送機構５を備える。搬送機構５は、キャリア載置部４の後方に配置される。搬送機構５は、基板Ｗを搬送する。搬送機構５は、キャリア載置部４に載置されるキャリアＣにアクセス可能である。搬送機構５はハンド５ａとハンド駆動部５ｂを備える。ハンド５ａは、基板Ｗを支持する。ハンド駆動部５ｂは、ハンド５ａに連結される。ハンド駆動部５ｂは、ハンド５ａを移動させる。ハンド駆動部５ｂは、例えば、前後方向Ｘ、幅方向Ｙおよび鉛直方向Ｚにハンド５ａを移動させる。ハンド駆動部５ｂは、例えば、水平面内においてハンド５ａを回転させる。

【0064】

処理ブロック７は、搬送機構８を備える。搬送機構８は、基板Ｗを搬送する。搬送機構８と搬送機構５は、相互に、基板Ｗを受け渡し可能である。搬送機構８は、ハンド８ａとハンド駆動部８ｂを備える。ハンド８ａは、基板Ｗを支持する。ハンド駆動部８ｂは、ハンド８ａに連結される。ハンド駆動部８ｂは、ハンド８ａを移動させる。ハンド駆動部８ｂは、例えば、前後方向Ｘ、幅方向Ｙおよび鉛直方向Ｚにハンド８ａを移動させる。ハンド駆動部８ｂは、例えば、水平面内においてハンド８ａを回転させる。

【0065】

処理ブロック７は、複数の処理ユニット１１を備える。処理ユニット１１は、搬送機構８の側方に配置される。各処理ユニット１１は、基板Ｗに処理を行う。

【0066】

処理ユニット１１は、基板保持部１３を備える。基板保持部１３は、基板Ｗを保持する。

【0067】

搬送機構８は、各処理ユニット１１にアクセス可能である。搬送機構８は、基板保持部１３に基板Ｗを渡すことができる。搬送機構８は、基板保持部１３から基板Ｗを取ることができる。

【0068】

図５は、基板処理装置１の制御ブロック図である。基板処理装置１は、制御部１０を備える。制御部１０は、搬送機構５、８と処理ユニット１１を制御する。

【0069】

制御部１０は、各種処理を実行する中央演算処理装置（ＣＰＵ）、演算処理の作業領域となるＲＡＭ（Random-Access Memory）、固定ディスク等の記憶媒体等によって実現されている。制御部１０は、記憶媒体に予め格納される各種の情報を有する。制御部１０が有する情報は、例えば、搬送機構５、８を制御するための搬送情報である。制御部１０が有する情報は、例えば、処理ユニット１１を制御するための処理情報である。処理情報は、処理レシピとも呼ばれる。

【0070】

基板処理装置１の動作例を簡単に説明する。

【0071】

インデクサ部３は、処理ブロック７に基板Ｗを供給する。具体的には、搬送機構５は、キャリアＣから処理ブロック７の搬送機構８に基板Ｗを渡す。

【0072】

処理ブロック７は、インデクサ部３から、処理ユニット１１に基板Ｗを分配する。具体的には、搬送機構８は、搬送機構５から、各処理ユニット１１の基板保持部１３に基板Ｗを搬送する。

【0073】

処理ユニット１１は、基板保持部１３に保持された基板Ｗを処理する。処理ユニット１１は、例えば、基板Ｗをエッチングする。

【0074】

処理ユニット１１が基板Ｗを処理した後、処理ブロック７は、処理ユニット１１からインデクサ部３に基板Ｗを戻す。具体的には、搬送機構８は、基板保持部１３から搬送機構５に基板Ｗを搬送する。

【0075】

インデクサ部３は、処理ブロック７から基板Ｗを回収する。具体的には、搬送機構５は、搬送機構８からキャリアＣに基板Ｗを搬送する。

【0076】

＜２－２．処理ユニット１１の構成＞
図６は、処理ユニット１１の構成を示す図である。各処理ユニット１１は、同一の構造を有する。処理ユニット１１は、枚葉式に分類される。すなわち、各処理ユニット１１は、一度に１枚の基板Ｗのみを処理する。

【0077】

基板保持部１３は、１枚の基板Ｗを保持する。基板保持部１３は、基板Ｗを水平姿勢で保持する。基板保持部１３は、基板Ｗの周縁部または基板Ｗの下面を保持する。基板Ｗが基板保持部１３に保持されるとき、基板Ｗのパターン形成面Ｗ１は上方を向く。基板Ｗが基板保持部１３に保持されるとき、基板Ｗのパターン形成面Ｗ１は基板Ｗの上面に位置する。

【0078】

処理ユニット１１は、回転駆動部１４を備える。回転駆動部１４は、基板保持部１３に連結される。回転駆動部１４は、基板保持部１３を回転させる。基板保持部１３に保持される基板Ｗは、基板保持部１３と一体に回転する。基板保持部１３に保持される基板Ｗは、回転軸線Ｂ回りに回転する。回転軸線Ｂは、例えば、基板Ｗの中心を通り、鉛直方向Ｚに延びる。

【0079】

処理ユニット１１は、第１ノズル１５ａと第２ノズル１５ｂと第３ノズル１５ｃを備える。以下では、第１－第３ノズル１５ａ―１５ｃを区別しない場合には、単に、「ノズル１５」と呼ぶ。各ノズル１５はそれぞれ、液体または気体を基板Ｗに吐出する。各ノズル１５はそれぞれ、処理位置と待機位置に移動可能である。処理位置は、例えば、基板保持部１３に保持される基板Ｗの上方の位置である。待機位置は、例えば、基板保持部１３に保持される基板Ｗの上方から外れた位置である。

【0080】

処理ユニット１１は、筐体１６を備える。筐体１６は、略箱形状を有する。筐体１６は、筐体の１６の内部に、基板保持部１３と回転駆動部１４とノズル１５を収容する。

【0081】

処理ユニット１１は、さらに、不図示のカップを備えてもよい。カップは、筐体１６の内部に設置される。カップは、基板保持部１３の周囲に配置される。カップは、基板保持部１３に保持される基板Ｗから飛散した液体を受け止める。

【0082】

処理ユニット１１は、配管１７ａ、１７ｂ、１７ｃと弁１８ａ、１８ｂ、１８ｃを備える。配管１７ａ－１７ｃはそれぞれ、第１－第３ノズル１５ａ－１５ｃに接続される。弁１８ａ－１８ｃはそれぞれ、配管１７ａ－１７ｃに設けられる。配管１７ａの少なくとも一部は、筐体１６の外部に設けられてもよい。配管１７ｂ、１７ｃも、配管１７ａと同様に配置されてもよい。弁１８ａは、筐体１６の外部に設けられてもよい。弁１８ｂ、１８ｃも、弁１８ａと同様に配置されてもよい。

【0083】

基板処理装置１は、処理液調整ユニット２０を備える。処理液調整ユニット２０は、配管１７ａに接続される。処理液調整ユニット２０は、第１ノズル１５ａに連通接続される。

【0084】

処理液調整ユニット２０は、処理液を第１ノズル１５ａに送る。第１ノズル１５ａは、処理液を吐出する。処理液調整ユニット２０は、複数の処理ユニット１１に対して、処理液を供給してもよい。

【0085】

第１ノズル１５ａは、本発明における供給部の例である。

【0086】

配管１７ｂは、リンス液供給源１９ｂに接続される。リンス液供給源１９ｂは、第２ノズル１５ｂに連通接続される。リンス液供給源１９ｂは、リンス液を第２ノズル１５ｂに送る。第２ノズル１５ｂは、リンス液を吐出する。リンス液は、例えば、純水である。

【0087】

配管１７ｃは、気体供給源１９ｃに接続される。気体供給源１９ｃは、第３ノズル１５ｃに連通接続される。気体供給源１９ｃは、気体を第３ノズル１５ｃに送る。第３ノズル１５ｃは、気体を吐出する。第３ノズル１５ｃは、気体を吹き出す。気体は、例えば、不活性ガスである。気体は、例えば、窒素である。

【0088】

リンス液供給源１９ｂは、基板処理装置１の要素であってもよい。あるいは、リンス液供給源１９ｂは、基板処理装置１の要素でなくてもよい。例えば、リンス液供給源１９ｂは、基板処理装置１の外部に設置されるユーティリティ設備であってもよい。同様に、気体供給源１９ｃは、基板処理装置１の要素であってもよいし、基板処理装置の要素でなくてもよい。

【0089】

図５を参照する。制御部１０は、回転駆動部１４と、弁１８ａ－１８ｃを制御する。

【0090】

＜２－３．処理液調整ユニット２０の構成＞
図６を、参照する。第１実施形態では、処理液調整ユニット２０は、調整された第１処理液を第１ノズル１５ａに供給する。さらに、処理液調整ユニット２０は、第１エッチング液を第１ノズル１５ａに供給する。

【0091】

処理液調整ユニット２０は、第１槽２１を備える。第１槽２１は、第１処理液を貯留する。

【0092】

第１処理液は、添加剤を含む。添加剤は、第１処理液に溶解される。第１処理液は、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む。

【0093】

添加剤は、添加剤から第１処理液中にヨウ化物イオン（Ｉ^－）を遊離させる。添加剤は、例えば、以下の列挙する化合物ａ１）－ａ６）の少なくとも１つを含む。
ａ１） テトラメチルアンモニウムヨージド（ＴＭＡＩ）
ａ２） テトラエチルアンモニウムヨージド（ＴＥＡＩ）
ａ３） テトラプロピルアンモニウムヨージド（ＴＰＡＩ）
ａ４） テトラブチルアンモニウムヨージド
ａ５） ヨウ化アンモニウム
ａ６） ヨウ化水素

【0094】

第１処理液は、添加剤が純水に溶解した水溶液である。純水は、添加剤の溶媒に相当する。

【0095】

第１処理液は、エッチング液を含まない。第１処理液は、添加剤と純水のみからなる。

【0096】

処理液調整ユニット２０は、調整部２３を備える。調整部２３は、第１槽２１に連通接続される。

【0097】

調整部２３は、第１処理液に含まれるヨウ化物イオン（Ｉ^－）が減少することを抑制する。具体的には、調整部２３は、第１処理液から、第１処理液の溶存酸素を除去する。これにより、第１処理液中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の減少は、抑制される。

【0098】

調整部２３は、気泡生成部２４を備える。気泡生成部２４は、第１処理液中に不活性ガスを供給し、第１処理液中に気泡を生成する。すなわち、気泡生成部２４は、第１処理液を不活性ガスでバブリングする。これにより、第１処理液の溶存酸素は、不活性ガスに置換され、第１処理液から除去される。具体的には、気泡生成部２４は、第１槽２１内の第１処理液中に不活性ガスを供給する。不活性ガスは、例えば、窒素ガスである。

【0099】

気泡生成部２４は、配管２４ａと弁２４ｂを備える。配管２４ａは、第１槽２１に連通接続される。配管２４ａは、第１槽２１の第１処理液中に配置される第１端を有する。配管２４ａの第１端は、第１槽２１の第１処理液の液面よりも低い位置に配置される。配管２４ａは、不活性ガス供給源２５に接続される第２端を有する。弁２４ｂは、配管２４ａに設けられる。弁２４ｂが開くとき、配管２４ａは、配管２４ａの第１端から第１槽２１の第１処理液中に、不活性ガスを吹き出す。

【0100】

処理液調整ユニット２０は、排気部２７を備える。排気部２７は、第１槽２１内の気体を、第１槽２１の外部に排出する。

【0101】

排気部２７は、排気管２７ａと弁２７ｂを備える。排気管２７ａは、第１槽２１に連通接続される。排気管２７ａは、第１槽２１の上部に配置される第１端を有する。排気管２７ａの第１端は、第１槽２１の第１処理液の液面よりも高い位置に配置される。排気管２７ａは、第１槽２１の外部に開放される第２端を有する。弁２７ｂは、排気管２７ａに設けられる。弁２７ｂが開くとき、第１槽２１の内部は第１槽２１の外部に開放される。

【0102】

処理液調整ユニット２０は、第１補充部２８を備える。第１補充部２８は、添加剤の溶媒を、第１処理液に補充する。具体的には、第１補充部２８は、第１槽２１に添加剤の溶媒（すなわち、純水）を補充する。

【0103】

第１補充部２８は、配管２８ａと弁２８ｂを備える。配管２８ａは、第１槽２１に連通接続される。配管２８ａは、さらに、純水供給源２９に連通接続される。弁２８ｂは、配管２８ａに設けられる。弁２８ｂが開くとき、配管２８ａは第１槽２１に純水を供給する。

【0104】

処理液調整ユニット２０は、循環配管３６とポンプ３７を備える。循環配管３６は、第１処理液を循環させる。循環配管３６は、第１槽２１の外部において、第１処理液を循環させる。循環配管３６は、上流端３６ａと下流端３６ｂを有する。上流端３６ａと下流端３６ｂはそれぞれ、第１槽２１に連通接続される。ポンプ３７は循環配管３６に設けられる。ポンプ３７は、循環配管３６の上流端３６ａから循環配管３６の下流端３６ｂに、第１処理液を送る。ポンプ３７が運転するとき、第１処理液は、第１槽２１から、循環配管３６の上流端３６ａを通じて、循環配管３６に流出する。さらに、第１処理液は、循環配管３６から、循環配管３６の下流端３６ｂを通じて、第１槽２１に戻る。

【0105】

処理液調整ユニット２０は、フィルタ３８を備える。フィルタ３８は第１処理液を濾過する。フィルタ３８は、第１処理液から異物を除去する。フィルタ３８は循環配管３６に設けられる。フィルタ３８はポンプ３７の下流に配置される。フィルタ３８は、循環配管３６を流れる第１処理液を濾過する。

【0106】

処理液調整ユニット２０は、第１センサ４１を備える。第１センサ４１は、第１処理液中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の濃度を検出する。第１センサ４１は、例えば、吸光光度法によって、第１処理液中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の濃度を検出する。第１センサ４１は、例えば、紫外吸光光度検出器、または、紫外／可視吸光光度検出器である。第１センサ４１は、循環配管３６に設けられる。第１センサ４１は、フィルタ３８の下流に配置される。第１センサ４１は、循環配管３６を流れる第１処理液中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の濃度を検出する。

【0107】

処理液調整ユニット２０は、第２センサ４２を備える。第２センサ４２は、第１処理液の溶存酸素の濃度を検出する。第２センサ４２は、例えば、電気化学分析法（隔膜電極法）によって、第１処理液の溶存酸素の濃度を検出する。第２センサ４２は、循環配管３６に設けられる。第２センサ４２は、フィルタ３８の下流に配置される。第２センサ４２は、循環配管３６を流れる第１処理液の溶存酸素の濃度を検出する。

【0108】

処理液調整ユニット２０は、第３センサ４３を備える。第３センサ４３は、第１槽２１に貯留される第１処理液の量を検出する。第３センサ４３は、例えば、液面センサである。第３センサ４３は、例えば、第１槽２１に貯留される第１処理液の液面の高さ位置を検出する。第３センサ４３は、第１槽２１に取り付けられる。

【0109】

処理液調整ユニット２０は、第２槽５１を備える。第２槽５１は、基板Ｗをエッチングするための第１エッチング液を貯留する。第１エッチング液は、水素イオン（Ｈ^＋）を含む。第１エッチング液は、調整部２３によって調整されない。

【0110】

第１エッチング液は、フッ化水素酸（ＨＦ）およびバッファードフッ酸（ＢＨＦ）の少なくともいずれかを含む。

【0111】

第１エッチング液は、さらに、アルコールを含んでもよい。第１エッチング液は、例えば、以下に列挙するアルコールｂ１）－ｂ７）の少なくとも１つを含んでもよい。
ｂ１） メチルアルコール
ｂ２） エチルアルコール
ｂ３） ２－プロパノール
ｂ４） ｎ－ブチルアルコール
ｂ５） ｔｅｒｔ－ブチルアルコール
ｂ６） シクロヘキサノール
ｂ７） エチレングリコール

【0112】

第１エッチング液は、さらに、以下に列挙する酸ｃ１）－ｃ７）の少なくとも１つを含んでもよい。
ｃ１） 塩酸
ｃ２） 硫酸
ｃ３） 硝酸
ｃ４） 酢酸
ｃ５） リン酸
ｃ６） 過酸化水素
ｃ７） クエン酸

【0113】

処理液調整ユニット２０は、循環配管５２とポンプ５３を備える。循環配管５２は、第１エッチング液を循環させる。循環配管５２は、第２槽５１の外部で、第１エッチング液を循環させる。循環配管５２は、上流端５２ａと下流端５２ｂを有する。上流端５２ａと下流端５２ｂはそれぞれ、第２槽５１に連通接続される。ポンプ５３は循環配管５２に設けられる。ポンプ５３は、循環配管５２の上流端５２ａから循環配管５２の下流端５２ｂに、第１エッチング液を送る。ポンプ５３が運転するとき、第１エッチング液は、第２槽５１から、循環配管５２の上流端５２ａを通じて、循環配管５２に流出する。さらに、第１エッチング液は、循環配管５２から、循環配管５２の下流端５２ｂを通じて、第２槽５１に戻る。

【0114】

処理液調整ユニット２０は、フィルタ５４を備える。フィルタ５４は第１エッチング液を濾過する。フィルタ５４は、第１エッチング液から異物を除去する。フィルタ５４は循環配管５２に設けられる。フィルタ５４はポンプ５３の下流に配置される。フィルタ５４は、循環配管５２を流れる第１エッチング液を濾過する。

【0115】

処理液調整ユニット２０は、送液部５６を備える。送液部５６は、第１処理液および第１エッチング液を第１ノズル１５ａに送る。

【0116】

送液部５６は、配管５７ａと弁５７ｂを備える。配管５７ａは、循環配管３６から分岐する。配管５７ａは、循環配管３６に接続される。配管５７ａと循環配管３６の接続位置は、フィルタ３８の下流である。配管５７ａと循環配管３６の接続位置は、第１センサ４１および第２センサ４２よりも上流である。弁５７ｂは、配管５７ａに設けられる。

【0117】

送液部５６は、配管５８ａと弁５８ｂを備える。配管５８ａは、循環配管５２から分岐する。配管５８ａは、循環配管５２に接続される。配管５８ａと循環配管５２の接続位置は、フィルタ５４の下流である。弁５８ｂは、配管５８ａに設けられる。

【0118】

送液部５６は、継ぎ手５９を備える。継ぎ手５９は、配管１７ａ、５７ａ、５８ａに接続される。継ぎ手５９は、例えば、三方継ぎ手である。配管１７ａ、５７ａ、５８ａは互いに、継ぎ手５９を介して、連通する。

【0119】

図５を参照する。制御部１０は、処理液調整ユニット２０を制御する。制御部１０は、処理液調整ユニット２０と、通信可能に電気的に接続される。

【0120】

制御部１０は、第１－第３センサ４１－４３の検出結果を取得する。

【0121】

制御部１０は、調整部２３を制御する。制御部１０は、気泡生成部２４を制御する。制御部１０は、弁２４ｂを制御する。

【0122】

制御部１０は、排気部２７を制御する。制御部１０は、弁２７ｂを制御する。

【0123】

制御部１０は、第１補充部２８を制御する。制御部１０は、弁２８ｂを制御する。

【0124】

制御部１０は、ポンプ３７、５３を制御する。

【0125】

制御部１０は、送液部５６を制御する。制御部１０は、弁５７ｂ、５８ｂを制御する。

【0126】

制御部１０は、処理液調整ユニット２０を制御するための調整情報を有する。調整情報は、制御部１０の記憶媒体に予め記憶されている。

【0127】

＜２－４．処理液調整ユニット２０および処理ユニット１１の動作例＞
図６を参照する。まず、処理液調整ユニット２０の動作例を説明する。制御部１０の制御にしたがって、処理液調整ユニット２０は動作する。

【0128】

処理液調整ユニット２０は、調整工程を実行する。調整工程では、弁２４ｂは開く。調整工程では、気泡生成部２４は、第１処理液中に不活性ガスを供給し、第１処理液中に気泡を生成する。このため、調整工程は、第１処理液の溶存酸素を第１処理液から除去する。すなわち、調整工程は、第１処理液の溶存酸素の濃度を低下させる。その結果、調整工程は、第１処理液に含まれるヨウ化物イオン（Ｉ^－）の減少を抑制する。

【0129】

調整工程の実行中、弁２７ｂは開く。排気部２７は、第１槽２１内の気体を、第１槽２１の外部に排出する。排気部２７は、第１処理液から除去された酸素ガスを、第１槽２１の外部に排出する。

【0130】

調整工程の実行中、ポンプ３７は運転する。このため、第１処理液は、循環配管３６を循環する。フィルタ３８は、第１処理液を濾過する。第１センサ４１は、第１処理液中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の濃度を検出する。第２センサ４２は、第１処理液の溶存酸素の濃度を検出する。第３センサ４３は、第１槽２１に貯留される第１処理液の量を検出する。制御部１０は、第１－第３センサ４１－４３の検出結果を監視する。

【0131】

ここで、調整工程の実行期間は、第１センサ４１の検出結果および第２センサ４２の検出結果と無関係でもよい。例えば、処理液調整ユニット２０が第１ノズル１５ａに処理液を送るときを除いて、調整工程は、常に、実行されてもよい。

【0132】

あるいは、調整工程の実行期間は、第１センサ４１の検出結果および第２センサ４２の検出結果の少なくともいずれかに依存してもよい。

【0133】

例えば、第１センサ４１の検出結果および第２センサ４２の検出結果の少なくともいずれかに基づいて、調整工程は開始してもよい。例えば、第１処理液中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の濃度が低いとき、調整工程は開始してもよい。例えば、第１処理液の溶存酸素の濃度が高いとき、調整工程は開始してもよい。ここで、第１処理液中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の濃度が低いか否かは、制御部１０によって、判定される。第１処理液の溶存酸素の濃度が高いか否かも、制御部１０によって、判定される。制御部１０がこれらの判定を行う時、制御部１０は調整情報を適宜に参照してもよい。調整情報は、これらの判定に使用する目標値、閾値、または、基準値を含むことが好ましい。制御部１０は、第１センサ４１の検出結果および第２センサ４２の検出結果の少なくともいずれかに基づいて、調整工程を開始するタイミングを決定する。

【0134】

例えば、調整工程は、第１センサ４１の検出結果および第２センサ４２の検出結果の少なくともいずれかに基づいて、調整工程は終了してもよい。例えば、第１処理液中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の濃度が高いとき、調整工程は終了してもよい。例えば、第１処理液の溶存酸素の濃度が低いとき、調整工程は終了してもよい。ここで、第１処理液中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の濃度が高いか否かは、制御部１０によって、判定される。第１処理液の溶存酸素の濃度が低いか否かも、制御部１０によって、判定される。制御部１０は、第１センサ４１の検出結果および第２センサ４２の検出結果の少なくともいずれかに基づいて、調整工程を終了するタイミングを決定する。

【0135】

調整工程が実行されていないときであっても、ポンプ３７は運転することが好ましい。

【0136】

第１補充部２８は、制御部１０の制御にしたがって、第１槽２１に純水を補充する。

【0137】

例えば、第１センサ４１の検出結果に基づいて、第１補充部２８は第１槽２１に純水を補充してもよい。具体的には、第１処理液中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の濃度が過度に高いとき、第１補充部２８は第１槽２１に純水を補充してもよい。第１処理液中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の濃度が過度に高いか否かは、制御部１０によって、判定される。制御部１０は、第１センサ４１に基づいて、第１補充部２８を制御する。

【0138】

例えば、第３センサ４３の検出結果に基づいて、第１補充部２８は第１槽２１に純水を補充してもよい。具体的には、第１槽２１の第１処理液の量が少ないとき、第１補充部２８は第１槽２１に純水を補充してもよい。第１槽２１の第１処理液の量が少ないか否かは、制御部１０によって、判定される。制御部１０は、第３センサ４３に基づいて、第１補充部２８を制御する。

【0139】

第１補充部２８が第１槽２１に純水を補充するとき、調整工程は実行されていてもよいし、調整工程は実行されていなくてもよい。第１補充部２８が第１槽２１に純水を補充するとき、排気部２７は第１槽２１の内部を第１槽２１の外部に開放することが好ましい。第１補充部２８が第１槽２１に純水を補充するであっても、ポンプ３７は運転することが好ましい。

【0140】

調整工程の実行中、送液部５６は第１処理液を第１配管１７ａに送らないことが好ましい。弁２４ｂが開いているとき、弁５７ｂは閉じていることが好ましい。

【0141】

以上の通り、調整工程（調整部２３）は第１処理液を調整する。調整工程（調整部２３）によって調整された第１処理液は、十分なヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む。

【0142】

他方、第２槽５１においては、ポンプ５３は運転する。このため、第１エッチング液は、循環配管５２を循環する。フィルタ５４は、第１エッチング液を濾過する。

【0143】

送液部５６は、調整工程（調整部２３）によって調整された第１処理液を、第１エッチング液とともに、第１ノズル１５ａに送る。具体的には、ポンプ３７、５３が運転している状態で、弁５７ｂ、５８ｂは、開く。第１処理液は、循環配管３６から配管５７ａに流れる。第１エッチング液は、循環配管５２から配管５８ａに流れる。第１処理液と第１エッチング液は、継ぎ手５９において、合流する。第１処理液は、第１エッチング液に加えられる。第１処理液と第１エッチング液の混合液は、継ぎ手５９から配管１７ａに流れる。

【0144】

送液部５６が第１処理液を第１配管１７ａに送るとき、調整工程は実行されていないことが好ましい。具体的には、送液部５６が第１処理液を第１配管１７ａに送るとき、気泡生成部２４は第１処理液中に気泡を生成しないことが好ましい。弁２４ｂが閉じた後、弁５７ｂは開くことが好ましい。

【0145】

弁１８ａが開くとき、供給工程が実行される。供給工程では、第１ノズル１５ａは、第１処理液と第１エッチング液を基板Ｗに吐出する。第１ノズル１５ａは、第１処理液と第１エッチング液の混合液を基板Ｗに供給する。

【0146】

次に、処理ユニット１１の動作例を簡単に説明する。制御部１０の制御にしたがって、処理ユニット１１は動作する。

【0147】

基板保持部１３は、基板Ｗを保持する。回転駆動部１４は、基板保持部１３に保持される基板Ｗを回転させる。

【0148】

基板Ｗを洗浄する。弁１８ｂが開く。第２ノズル１５ｂは、基板保持部１３に保持される基板Ｗにリンス液を吐出する。リンス液は、パターン形成面Ｗ１に供給される。基板Ｗは、リンス液によって、洗浄される。そして、弁１８ｂが閉じる。第２ノズル１５ｂは、リンス液の吐出を停止する。

【0149】

基板Ｗをエッチングする。供給工程が開始する。具体的には、弁１８ａが開く。第１ノズル１５ａは、調整工程によって調整された第１処理液と、第１エッチング液を、基板Ｗに吐出する。具体的には、第１ノズル１５ａは、調整工程によって調整された第１処理液を、第１エッチング液に加えた混合液を、基板保持部１３に保持される基板Ｗに吐出する。混合液は、パターン形成面Ｗ１に供給される。基板Ｗは、混合液によって、エッチングされる。

【0150】

そして、供給工程が終了する。具体的には、弁１８ａが閉じる。第１ノズル１５ａは、混合液の吐出を停止する。

【0151】

基板Ｗを洗浄する。弁１８ｂが開く。第２ノズル１５ｂは、基板保持部１３に保持される基板Ｗにリンス液を吐出する。リンス液は、パターン形成面Ｗ１に供給される。基板Ｗは、リンス液によって、洗浄される。そして、弁１８ｂが閉じる。第２ノズル１５ｂは、リンス液の吐出を停止する。

【0152】

基板Ｗを乾燥する。弁１８ｃが開く。第３ノズル１５ｃは、基板保持部１３に保持される基板Ｗに気体を吐出する。気体は、パターン形成面Ｗ１に供給される。基板Ｗは、乾燥する。そして、弁１８ｃが閉じる。第３ノズル１５ｃは、気体の吐出を停止する。

【0153】

回転駆動部１４は、基板Ｗの回転を停止する。基板Ｗは、静止する。処理ユニット１１は、基板Ｗに対する処理を終了する。

【0154】

＜２－５．第１実施形態の効果＞
添加剤は第１処理液に溶解される。第１処理液は、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む。第１実施形態の基板処理方法は、調整工程と供給工程を備える。調整工程は、第１処理液に含まれるヨウ化物イオン（Ｉ^－）が減少することを抑制する。例えば、調整工程は、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）がヨウ素分子（Ｉ_２）になることを抑制する。例えば、調整工程は、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）が三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）になることを抑制する。このため、第１処理液は十分なヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む。供給工程は、調整工程によって調整された第１処理液を基板に供給する。さらに、供給工程は、第１エッチング液を基板に供給する。上述の通り、調整工程によって調整された第１処理液は、十分なヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む。このため、基板Ｗ上の凹部Ａのサイズに関係無く、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）は、凹部Ａに容易に入る。凹部Ａのサイズに関係無く、第１エッチング液中の水素イオン（Ｈ^＋）も、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）とともに、凹部Ａに容易に入る。その結果、凹部Ａのサイズに関係無く、基板Ｗを適切にエッチングできる。

【0155】

以上の通り、基板処理方法によれば、基板Ｗ上の凹部Ａのサイズに関係無く、基板Ｗを適切にエッチングできる。

【0156】

供給工程は、混合液を基板Ｗに供給する。ここで、混合液は、調整工程によって調整された第１処理液を、第１エッチング液に加えたものである。すなわち、混合液は、第１処理液と第１エッチング液を含む。このため、混合液を供給することは、第１処理液および第１エッチング液を供給することに相当する。さらに、混合液が第１処理液と第１エッチング液を含むことは、混合液がヨウ化物イオン（Ｉ^－）と水素イオン（Ｈ^＋）を含むことに相当する。このため、混合液が基板Ｗに供給された直後から、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）は水素イオン（Ｈ^＋）の移動を好適に促進できる。よって、基板Ｗを一層適切にエッチングできる。

【0157】

第１処理液は、添加剤が純水に溶解した水溶液である。このため、調整工程は、第１処理液に含まれるヨウ化物イオン（Ｉ^－）が減少することを容易に抑制できる。

【0158】

第１処理液は、添加剤と純水のみからなる。このため、調整工程は、第１処理液に含まれるヨウ化物イオン（Ｉ^－）が減少することを容易に抑制できる。

【0159】

第１処理液は、エッチング液を含まない。このため、調整工程は、第１処理液に含まれるヨウ化物イオン（Ｉ^－）が減少することを容易に抑制できる。

【0160】

添加剤は、添加剤から第１処理液中にヨウ化物イオン（Ｉ^－）を遊離させる。このため、第１処理液は、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）を好適に含むことができる。

【0161】

添加剤は、上述した化合物ａ１）－ａ６）の少なくとも１つを含む。このため、第１処理液は、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）を好適に含むことができる。

【0162】

調整工程は、第１処理液の溶存酸素の濃度を低下させる。このため、調整工程は、第１処理液に含まれるヨウ化物イオン（Ｉ^－）が減少することを好適に抑制できる。

【0163】

調整工程は、第１処理液中に不活性ガスを供給し、第１処理液中に気泡を生成する。このため、調整工程は、第１処理液の溶存酸素の濃度を好適に低下させることができる。

【0164】

調整工程は、第１処理液中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の濃度を検出する。このため、調整工程は、第１処理液中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の濃度を好適に把握できる。

【0165】

調整工程は、第１処理液の溶存酸素の濃度を検出する。このため、調整工程は、第１処理液中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の濃度を好適に推測できる。第１処理液の溶存酸素とヨウ化物イオン（Ｉ^－）の組成変化との間に一定の関係があることを、本発明者が知見したからである。例えば、第１処理液の溶存酸素の濃度が低いほど、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）はヨウ素分子（Ｉ_２）または三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）に組成変化し難い。

【0166】

第１処理液中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の濃度の検出結果、および、第１処理液の溶存酸素の濃度の検出結果の少なくともいずれかに基づいて、調整工程は開始する。このため、調整工程を、適切なタイミングで開始できる。

【0167】

第１処理液中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の濃度の検出結果、および、第１処理液の溶存酸素の濃度の検出結果の少なくともいずれかに基づいて、調整工程は終了する。このため、調整工程を、適切なタイミングで終了できる。

【0168】

第１処理液中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の濃度の検出結果に基づいて、添加剤の溶媒（すなわち、純水）を第１処理液に補充する。このため、第１処理液を好適に希釈できる。

【0169】

第１エッチング液は、水素イオン（Ｈ^＋）を含む。このため、基板Ｗを好適にエッチングできる。

【0170】

第１エッチング液は、フッ化水素酸（ＨＦ）およびバッファードフッ酸（ＢＨＦ）の少なくともいずれかを含む。このため、基板Ｗを好適にエッチングできる。

【0171】

第１エッチング液は、アルコールを含む。このため、基板Ｗを一層好適にエッチングできる。

【0172】

第１エッチング液は、上述したアルコールｂ１）－ｂ７）の少なくとも１つを含む。このため、基板Ｗを一層好適にエッチングできる。

【0173】

第１エッチング液は、上述した酸ｃ１）－ｃ７）の少なくとも１つを含む。このため、基板Ｗを一層好適にエッチングできる。

【0174】

基板処理装置１は、調整部２３を備える。調整部２３は、第１処理液の溶存酸素を第１処理液から除去する。これにより、第１処理液に含まれるヨウ化物イオン（Ｉ^－）の減少が抑制される。よって、調整部２３によって調整された第１処理液は、十分なヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む。基板処理装置１は、第１ノズル１５ａを備える。第１ノズル１５ａは、調整部２３によって調整された第１処理液を、基板Ｗに供給する。さらに、第１ノズル１５ａは、第１エッチング液を基板Ｗに供給する。上述の通り、調整部２３によって調整された第１処理液は、十分なヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む。このため、基板Ｗ上の凹部Ａのサイズに関係無く、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）は、凹部Ａに容易に入る。凹部Ａのサイズに関係無く、第１エッチング液中の水素イオン（Ｈ^＋）も、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）とともに、凹部Ａに容易に入る。その結果、凹部Ａのサイズに関係無く、基板Ｗを適切にエッチングできる。

【0175】

以上の通り、基板処理装置１によれば、基板Ｗ上の凹部Ａのサイズに関係無く、基板Ｗを適切にエッチングできる。

【0176】

第１ノズル１５ａは、混合液を供給する。ここで、混合液は、調整部２３によって調整された第１処理液を、第１エッチング液に加えたものである。すなわち、混合液は、第１処理液と第１エッチング液を含む。このため、混合液を供給することは、第１処理液および第１エッチング液を供給することに相当する。さらに、混合液が第１処理液と第１エッチング液を含むことは、混合液がヨウ化物イオン（Ｉ^－）と水素イオン（Ｈ^＋）を含むことに相当する。このため、混合液が基板Ｗに供給された直後から、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）は水素イオン（Ｈ^＋）の移動を好適に促進できる。よって、基板Ｗを一層適切にエッチングできる。

【0177】

第１処理液は、添加剤が純水に溶解した水溶液である。このため、調整部２３は、第１処理液に含まれるヨウ化物イオン（Ｉ^－）が減少することを容易に抑制できる。

【0178】

第１処理液は、添加剤と純水のみからなる。このため、調整部２３は、第１処理液に含まれるヨウ化物イオン（Ｉ^－）が減少することを容易に抑制できる。

【0179】

第１処理液は、エッチング液を含まない。このため、調整部２３は、第１処理液に含まれるヨウ化物イオン（Ｉ^－）が減少することを容易に抑制できる。

【0180】

基板処理装置１は、第１センサ４１と制御部１０を備える。第１センサ４１は、第１処理液のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の濃度を検出する。制御部１０は、第１センサ４１の検出結果を取得する。このため、制御部１０は、第１処理液中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の濃度を好適に監視できる。

【0181】

制御部１０は、第１センサ４１の検出結果に基づいて、調整部２３を制御する。このため、制御部１０は、調整部２３を適切に制御できる。

【0182】

基板処理装置１は、第１補充部２８を備える。第１補充部２８は、添加剤の溶媒（すなわち、純水）を第１処理液に補充する。制御部１０は、第１センサ４１の検出結果に基づいて、第１補充部２８によって第１処理液に添加剤の溶媒（すなわち、純水）を補充させる。このため、制御部１０は、第１処理液を適切に希釈できる。

【0183】

基板処理装置１は、第２センサ４２を備える。第２センサ４２は、第１処理液の溶存酸素の濃度を検出する。制御部１０は、第２センサ４２の検出結果を取得する。このため、制御部１０は、第１処理液の溶存酸素の濃度を好適に監視できる。

【0184】

制御部１０は、第２センサ４２の検出結果に基づいて、調整部２３を制御する。このため、制御部１０は、調整部２３を適切に制御できる。

【0185】

基板処理装置１は、第３センサ４３を備える。第３センサ４３は、第１槽２１に貯留される第１処理液の量を検出する。制御部１０は、第２センサ４２の検出結果を取得する。このため、制御部１０は、第１槽２１に貯留される第１処理液の量を好適に監視できる。

【0186】

制御部１０は、第３センサ４３の検出結果に基づいて、第１補充部２８を制御する。このため、制御部１０は、第１槽２１に貯留される第１処理液の量を適切に保つことができる。例えば、調整部２３が第１処理液から第１処理液の溶存酸素を除去するとき、第１処理液（例えば純水）が蒸発し、第１槽２１に貯留される第１処理液の量が減る場合がある。このような場合であっても、制御部１０は、第１槽２１に貯留される第１処理液の量を適切に保つことができる。

【0187】

調整部２３は、気泡生成部２４を備える。気泡生成部２４は、第１処理液中に不活性ガスを供給し、第１処理液中に気泡を生成する。よって、調整部２３は、第１処理液の溶存酸素の濃度を好適に低下させることができる。

【0188】

調整部２３は、気泡生成部２４を備える。このため、調整部２３を安価に実現できる。

【0189】

基板処理装置１は、排気部２７を備える。排気部２７は、第１処理液から除去された酸素ガスを、第１槽２１の外部に排出する。よって、調整部２３は、第１処理液の溶存酸素の濃度を効果的に低下させることができる。

【0190】

基板処理装置１は、継ぎ手５９を備える。継ぎ手５９は、調整部２３によって調整された第１処理液を、第１エッチング液に加える。よって、第１処理液と第１エッチング液の混合液を、第１ノズル１５ａに送ることができる。

【0191】

＜３．第２実施形態＞
図面を参照して、第２実施形態の基板処理装置１を説明する。なお、第１実施形態と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。

【0192】

第２実施形態は、基板処理装置１の概要および処理ユニット１１の構成に関しては、第１実施形態と略同じである。以下では、第２実施形態の処理液調整ユニット２０の構成を説明する。

【0193】

＜３－１．処理液調整ユニット２０の構成＞
図７は、第２実施形態の処理ユニット１１および処理液調整ユニット２０の構成を示す図である。第２実施形態では、処理液調整ユニット２０は、調整された第１処理液を第１ノズル１５ａに供給する。さらに、処理液調整ユニット２０は、第１エッチング液を第１ノズル１５ａに供給する。第２実施形態の処理液調整ユニット２０は、第１実施形態の処理液調整ユニット２０と、調整部２３の構成において異なる。

【0194】

第１槽２１は、第１処理液を貯留する。

【0195】

第２実施形態の第１処理液は、第１実施形態の第１処理液と実質的に同じである。すなわち、第１処理液は、添加剤を含む。添加剤は、第１処理液に溶解される。第１処理液は、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む。第１処理液は、添加剤が純水に溶解した水溶液である。第１処理液は、エッチング液を含まない。第１処理液は、添加剤と純水のみからなる。

【0196】

調整部２３は、第１処理液に含まれるヨウ化物イオン（Ｉ^－）が減少することを抑制する。具体的には、調整部２３は、第１処理液を脱気する。言い換えれば、調整部２３は、第１処理液の溶存ガスを、第１処理液から除去する。これにより、第１処理液中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の減少は、抑制される。

【0197】

調整部２３は、気液分離部２６を備える。気液分離部２６は、第１処理液を濾過して、第１処理液を脱気する。気液分離部２６は、循環配管３６に設けられる。気液分離部２６は、循環配管３６を流れる第１処理液を、脱気する。

【0198】

気液分離部２６は、脱気フィルタ２６ａと排気管２６ｂを備える。脱気フィルタ２６ａは、例えば、中空糸膜（不図示）を含む。脱気フィルタ２６ａは、循環配管３６に連通接続される。排気管２６ｂは、脱気フィルタ２６ａに連通接続される。排気管２６ｂは、第１処理液から除去された気体を、脱気フィルタ２６ａの外部に排出する。

【0199】

＜３－２．処理液調整ユニット２０の動作例＞
制御部１０の制御にしたがって、処理液調整ユニット２０は動作する。

【0200】

処理液調整ユニット２０は、調整工程を実行する。調整工程では、ポンプ３７は運転する。このため、第１処理液は、循環配管３６を循環する。気液分離部２６は、循環配管３６を流れる第１処理液を脱気する。脱気された第１処理液は、第１槽２１に戻る。

【0201】

以上の通り、調整工程では、調整工程（調整部２３）は第１処理液を調整する。調整工程（調整部２３）によって調整された第１処理液は、十分なヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む。

【0202】

送液部５６は、調整工程（調整部２３）によって調整された第１処理液を、第１エッチング液とともに、第１ノズル１５ａに送る。具体的には、ポンプ３７、５３が運転している状態で、弁５７ｂ、５８ｂは、開く。このため、送液部５６が第１処理液を第１ノズル１５ａに送るときであっても、調整工程は実行される。具体的には、送液部５６が第１処理液を第１ノズル１５ａに送るときであっても、気液分離部２６は循環配管３６を流れる第１処理液を脱気する。

【0203】

＜３－３．第２実施形態の効果＞
第２実施形態においても、第１実施形態と同様な効果を奏する。例えば、第２実施形態の基板処理方法および基板処理装置１によっても、第１処理液に含まれるヨウ化物イオン（Ｉ^－）が減少することを好適に抑制できる。よって、基板Ｗ上の凹部Ａのサイズに関係無く、基板Ｗを適切にエッチングできる。

【0204】

さらに、第２実施形態の基板処理方法では、調整工程は、第１処理液を脱気する。このため、調整工程は、第１処理液に含まれるヨウ化物イオン（Ｉ^－）が減少することを好適に抑制できる。

【0205】

調整工程は、気液分離部２６によって第１処理液を濾過して、第１処理液を脱気する。このため、調整工程は、第１処理液を好適に脱気できる。

【0206】

第２実施形態の調整部２３は、気液分離部２６を備える。このため、調整部２３は、第１処理液を好適に脱気できる。よって、調整部２３は、第１処理液の溶存酸素の濃度を好適に低下させることができる。

【0207】

さらに、気液分離部２６は、第１処理液（例えば純水）を蒸発させずに、第１処理液を脱気できる。よって、調整部２３は、第１槽２１に貯留される第１処理液の減少を抑制しつつ、第１処理液の溶存酸素の濃度を好適に低下させることができる。

【0208】

＜４．第３実施形態＞
図面を参照して、第３実施形態の基板処理装置１を説明する。なお、第１実施形態と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。

【0209】

第３実施形態は、基板処理装置の概要および処理ユニットの構成に関しては、第１実施形態と略同じである。以下では、第３実施形態の処理液調整ユニット２０の構成を説明する。

【0210】

＜４－１．処理液調整ユニット２０の構成＞
図８は、第３実施形態の処理ユニット１１および処理液調整ユニット２０の構成を示す図である。第３実施形態では、処理液調整ユニット２０は、調整された第１処理液を第１ノズル１５ａに供給する。第３実施形態の第１処理液は、第１実施形態の第１処理液と部分的に異なる。

【0211】

第１槽２１は、第１処理液を貯留する。

【0212】

第１処理液は、添加剤を含む。添加剤は、第１処理液に溶解される。第１処理液は、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む。第１処理液は、さらに、基板Ｗをエッチングするための第２エッチング液を含む。このため、第２エッチング液は、調整部２３によって調整される。第２エッチング液は、水素イオン（Ｈ^＋）を含む。

【0213】

第２エッチング液は、フッ化水素酸（ＨＦ）およびバッファードフッ酸（ＢＨＦ）の少なくともいずれかを含む。

【0214】

第１処理液は、さらに、アルコールを含んでもよい。第１処理液は、例えば、上述したアルコールｂ１）－ｂ７）の少なくとも１つを含んでもよい。第１処理液は、さらに、上述した酸ｃ１）－ｃ７）の少なくとも１つを含んでもよい。

【0215】

処理液調整ユニット２０は、第２補充部３１を備える。第２補充部３１は、第１処理液に第２エッチング液を補充する。具体的には、第２補充部３１は、第１槽２１に第２エッチング液を補充する。

【0216】

第２補充部３１は、配管３１ａと弁３１ｂを備える。配管３１ａは、第１槽２１に連通接続される。配管３１ａは、さらに、エッチング液供給源３２に連通接続される。弁３１ｂは、配管３１ａに設けられる。弁３１ｂが開くとき、配管３１ａは第１槽２１に第２エッチング液を供給する。

【0217】

処理液調整ユニット２０は、第４センサ４４を備える。第４センサ４４は、例えば、第１処理液の水素イオン濃度を検出する。第４センサ４４は、例えば、第１処理液のｐＨを検出する。第４センサ４４は、例えば、ｐＨ計である。

【0218】

図示を省略するが、制御部１０は、第４センサ４４の検出結果を取得する。制御部１０は、第２補充部３１を制御する。制御部１０は、弁３１ｂを制御する。

【0219】

＜４－２．処理液調整ユニット２０の動作例＞
制御部１０の制御にしたがって、処理液調整ユニット２０は動作する。

【0220】

処理液調整ユニット２０は、調整工程を実行する。調整工程では、弁２４ｂは開く。調整工程では、気泡生成部２４は、第１処理液中に不活性ガスを供給し、第１処理液中に気泡を生成する。その結果、調整工程は、第１処理液に含まれるヨウ化物イオン（Ｉ^－）の減少を抑制する。

【0221】

調整工程の実行中、ポンプ３７は運転する。このため、第１処理液は、循環配管３６を循環する。第２センサ４２は、第１処理液の溶存酸素の濃度を検出する。第４センサ４４は、第１処理液の水素イオン濃度を検出する。制御部１０は、第２センサ４２の検出結果および第４センサ４４の検出結果を監視する。

【0222】

第１、第２補充部２８、３１はそれぞれ、制御部１０の制御にしたがって、第１槽２１に、純水および第２エッチング液を補充する。

【0223】

例えば、第４センサ４４の検出結果に基づいて、第１補充部２８は第１槽２１に純水を補充してもよい。具体的には、第１処理液の水素イオン濃度が高い（すなわち、第１処理液のｐＨが低い）とき、第１補充部２８は第１槽２１に純水を補充してもよい。ここで、第１処理液の水素イオン濃度が高いか否かは、制御部１０によって、判定される。第１処理液のｐＨが低いか否かも、制御部１０によって、判定される。制御部１０は、第４センサ４４の検出結果に基づいて、第１補充部２８を制御する。

【0224】

例えば、第４センサ４４の検出結果に基づいて、第２補充部３１は第１槽２１に第２エッチング液を補充してもよい。具体的には、第１処理液の水素イオン濃度が低い（すなわち、第１処理液のｐＨが高い）とき、第２補充部３１は第１槽２１に第２エッチング液を補充してもよい。ここで、第１処理液の水素イオン濃度が低いか否かは、制御部１０によって、判定される。第１処理液のｐＨが高いか否かも、制御部１０によって、判定される。制御部１０は、第４センサ４４の検出結果に基づいて、第２補充部３１を制御する。

【0225】

例えば、第３センサ４３の検出結果に基づいて、第１補充部２８および第２補充部３１はそれぞれ、純水および第２エッチング液を、第１槽２１に補充してもよい。具体的には、第１槽２１の第１処理液の量が少ないとき、第１補充部２８および第２補充部３１はそれぞれ、純水および第２エッチング液を、第１槽２１に補充してもよい。制御部１０は、第３センサ４３の検出結果に基づいて、第１補充部２８および第２補充部３１を制御する。

【0226】

第２補充部３１が第１槽２１に第２エッチング液を補充するとき、調整工程は実行されていてもよいし、調整工程は実行されていなくてもよい。第２補充部３１が第１槽２１に第２エッチング液を補充するとき、排気部２７は第１槽２１の内部を第１槽２１の外部に開放することが好ましい。第２補充部３１が第１槽２１に第２エッチング液を補充する場合であっても、ポンプ３７は運転することが好ましい。

【0227】

以上の通り、調整工程（調整部２３）は第１処理液を調整する。調整工程（調整部２３）によって調整された第１処理液は、十分なヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む。さらに、調整工程（調整部２３）によって調整された第１処理液は、第２エッチング液を含む。

【0228】

送液部５６は、調整工程（調整部２３）によって調整された第１処理液を、第１ノズル１５ａに送る。具体的には、ポンプ３７が運転している状態で、弁５７ｂは開く。第１処理液は、循環配管３６から配管５７ａに流れる。送液部５６は、第１処理液を、配管１７ａに送る。

【0229】

弁１８ａが開くとき、供給工程が実行される。供給工程では、第１ノズル１５ａは、第１処理液を基板Ｗに吐出する。

【0230】

＜４－３．第３実施形態の効果＞
第３実施形態においても、第１実施形態と同様な効果を奏する。

【0231】

添加剤は第１処理液に溶解される。第１処理液は、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む。第３実施形態の基板処理方法は、調整工程と供給工程を備える。調整工程は、第１処理液に含まれるヨウ化物イオン（Ｉ^－）が減少することを抑制する。このため、第１処理液は十分なヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む。第１処理液は、さらに、第２エッチング液を含む。すなわち、第１処理液は、水素イオン（Ｈ^＋）を含む。供給工程は、調整工程によって調整された第１処理液を基板に供給する。上述の通り、調整工程によって調整された第１処理液は、十分なヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む。第１処理液は、さらに、水素イオン（Ｈ^＋）を含む。このため、基板Ｗ上の凹部Ａのサイズに関係無く、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）は、水素イオン（Ｈ^＋）を引き連れて、容易に凹部Ａに入る。第１処理液が基板Ｗに供給された直後から、水素イオン（Ｈ^＋）は、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）とともに、凹部Ａに容易に入る。その結果、凹部Ａのサイズに関係無く、基板Ｗを適切にエッチングできる。

【0232】

以上の通り、第３実施形態の基板処理方法によれば、基板Ｗ上の凹部Ａのサイズに関係無く、基板Ｗを適切にエッチングできる。

【0233】

第２エッチング液は、水素イオン（Ｈ^＋）を含む。このため、基板Ｗを好適にエッチングできる。

【0234】

第２エッチング液は、フッ化水素酸（ＨＦ）およびバッファードフッ酸（ＢＨＦ）の少なくともいずれかを含む。このため、基板Ｗを好適にエッチングできる。

【0235】

第１処理液は、アルコールを含む。このため、基板Ｗを一層好適にエッチングできる。

【0236】

第１処理液は、上述したアルコールｂ１）－ｂ７）の少なくとも１つを含む。このため、基板Ｗを一層好適にエッチングできる。

【0237】

第１処理液は、上述した酸ｃ１）－ｃ７）の少なくとも１つを含む。このため、基板Ｗを一層好適にエッチングできる。

【0238】

調整部２３は、第１処理液の溶存酸素を第１処理液から除去する。このため、第１処理液に含まれるヨウ化物イオン（Ｉ^－）の減少が抑制される。よって、調整部２３によって調整された第１処理液は、十分なヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む。第１処理液は、さらに、第２エッチング液を含む。すなわち、第１処理液は、水素イオン（Ｈ^＋）を含む。第１ノズル１５ａは、調整部２３によって調整された第１処理液を、基板Ｗに供給する。上述の通り、調整部２３によって調整された第１処理液は、十分なヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む。第１処理液は、さらに、水素イオン（Ｈ^＋）を含む。このため、基板Ｗ上の凹部Ａのサイズに関係無く、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）は、水素イオン（Ｈ^＋）を引き連れて、凹部Ａに容易に入る。第１処理液が基板Ｗに供給された直後から、水素イオン（Ｈ^＋）は、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）とともに、凹部Ａに容易に入る。その結果、凹部Ａのサイズに関係無く、基板Ｗを適切にエッチングできる。

【0239】

以上の通り、第３実施形態の基板処理装置１によれば、基板Ｗ上の凹部Ａのサイズに関係無く、基板Ｗを適切にエッチングできる。

【0240】

基板処理装置１は、第４センサ４４を備える。第４センサ４４は、第１処理液の水素イオン濃度を検出する。制御部１０は、第４センサ４４の検出結果を取得する。このため、制御部１０は、第１処理液の水素イオン濃度を好適に監視できる。

【0241】

基板処理装置１は、第１補充部２８と第２補充部３１を備える。第１補充部２８は、純水を第１処理液に補充する。第２補充部３１は、第２エッチング液を第１処理液に補充する。制御部１０は、第４センサ４４の検出結果に基づいて、第１補充部２８と第２補充部３１を制御する。このため、制御部１０は、第１処理液における第２エッチング液の濃度を適切に保つことができる。

【0242】

基板処理装置１は、第３センサ４３を備える。制御部１０は、第３センサ４３の検出結果に基づいて、第１補充部２８と第２補充部３１を制御する。このため、制御部１０は、第１処理液における第２エッチング液の濃度を適切に保ちつつ、純水と第２エッチング液を第１槽２１に補充できる。例えば、調整部２３が第１処理液から第１処理液の溶存酸素を除去するとき、第１処理液が蒸発し、第１槽２１に貯留される第１処理液の量が減る場合がある。このような場合であっても、制御部１０は、第１槽２１に貯留される第１処理液の量を適切に保つことができる。

【0243】

＜５．第４実施形態＞
図面を参照して、第４実施形態の基板処理装置１を説明する。なお、第１実施形態と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。

【0244】

第４実施形態は、基板処理装置の概要および処理ユニットの構成に関しては、第１実施形態と略同じである。以下では、第４実施形態の処理液調整ユニット２０の構成を説明する。

【0245】

＜５－１．処理液調整ユニット２０の構成＞
図９は、第４実施形態の処理ユニット１１および処理液調整ユニット２０の構成を示す図である。第４実施形態では、処理液調整ユニット２０は、調整された第１処理液を第１ノズル１５ａに供給する。第４実施形態の処理液調整ユニット２０は、第３実施形態の処理液調整ユニット２０と、調整部２３の構成において異なる。

【0246】

第１槽２１は、第１処理液を貯留する。

【0247】

第４実施形態の第１処理液は、第３実施形態の第１処理液と実質的に同じである。第１処理液は、添加剤を含む。添加剤は、第１処理液に溶解される。第１処理液は、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む。第１処理液は、さらに、基板Ｗをエッチングするための第２エッチング液を含む。第２エッチング液は、調整部２３によって調整される。

【0248】

調整部２３は、第１処理液を脱気する。これにより、調整部２３は、第１処理液に含まれるヨウ化物イオン（Ｉ^－）が減少することを抑制する。具体的には、調整部２３は、気液分離部２６を備える。気液分離部２６は、循環配管３６に設けられる。気液分離部２６は、第２実施形態において、既に説明される。

【0249】

＜５－２．処理液調整ユニット２０の動作例＞
制御部１０の制御にしたがって、処理液調整ユニット２０は動作する。

【0250】

処理液調整ユニット２０は、調整工程を実行する。調整工程では、ポンプ３７は運転する。第１処理液は、循環配管３６を循環する。気液分離部２６は、循環配管３６を流れる第１処理液を脱気する。脱気された第１処理液は、第１槽２１に戻る。

【0251】

以上の通り、調整工程（調整部２３）は第１処理液を調整する。調整工程（調整部２３）によって調整された第１処理液は、十分なヨウ化物イオン（Ｉ^－）を含む。さらに、調整工程（調整部２３）によって調整された第１処理液は、第２エッチング液を含む。

【0252】

送液部５６は、調整工程（調整部２３）によって調整された第１処理液を、第１ノズル１５ａに送る。具体的には、ポンプ３７が運転している状態で、弁５７ｂは、開く。このため、送液部５６が第１処理液を第１ノズル１５ａに送るときであっても、調整工程は実行される。

【0253】

＜５－４．第４実施形態の効果＞
第４実施形態においても、第１実施形態と同様な効果を奏する。

【0254】

さらに、第４実施形態の基板処理方法では、調整工程は、第１処理液を脱気する。このため、調整工程は、第１処理液に含まれるヨウ化物イオン（Ｉ^－）が減少することを好適に抑制できる。

【0255】

調整工程は、気液分離部２６によって第１処理液を濾過して、第１処理液を脱気する。このため、調整工程は、第１処理液を好適に脱気できる。

【0256】

調整部２３は、気液分離部２６を備える。このため、調整部２３は、第１処理液を好適に脱気できる。よって、調整部２３は、第１処理液の溶存酸素の濃度を好適に低下させることができる。

【0257】

さらに、気液分離部２６は、第１処理液（例えば純水）を蒸発させずに、第１処理液を脱気できる。よって、調整部２３は、第１槽２１に貯留される第１処理液の減少を抑制しつつ、第１処理液の溶存酸素の濃度を好適に低下させることができる。

【0258】

本発明は、実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。

【0259】

（１）第１、第２実施形態では、第１処理液は、添加剤が純水に溶解した水溶液であった。但し、これに限られない。例えば、第１処理液は、さらに、第２エッチング液を含んでもよい。例えば、第１処理液は、上述したアルコールｂ１）－ｂ７）の少なくとも１つを含んでもよい。例えば、第１処理液は、上述した酸ｃ１）－ｃ７）の少なくとも１つを含んでもよい。

【0260】

（２）第１、２実施形態では、供給工程は、第１処理液と第１エッチング液の混合液を基板Ｗに供給する。但し、これに限られない。供給工程は、第１処理液と第１エッチング液を個別に、基板Ｗに供給してもよい。

【0261】

図１０は、変形実施形態の処理ユニット１１および処理液調整ユニット２０の構成を示す図である。なお、第１実施形態と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。処理ユニット１１は、第１ノズル１５ａに加えて、第４ノズル１５ｄを備える。なお、図１０は、第２－第３ノズル１５ｂ－１５ｃの図示を省略する。

【0262】

送液部５６の配管５７ａは、第１ノズル１５ａに接続される。送液部５６の配管５８ａは、第４ノズル１５ｄに接続される。配管５７ａは、配管５８ａに接続されない。配管５７ａは、第４ノズル１５ｄに接続されない。配管５８ａは、第１ノズル１５ａに接続されない。このため、送液部５６は、第１処理液を第１ノズル１５ａに送る。送液部５６は、第１エッチング液を第１ノズル１５ａに送らない。送液部５６は、第１エッチング液を第４ノズル１５ｄに送る。送液部５６は、第１処理液を第４ノズル１５ｄに送らない。

【0263】

その結果、第１ノズル１５ａは、基板保持部１３に保持される基板Ｗに、第１処理液を吐出する。第４ノズル１５ｄは、基板保持部１３に保持される基板Ｗに、第１エッチング液を吐出する。第１ノズル１５ａおよび第４ノズル１５ｄがそれぞれ第１処理液および第１エッチング液を吐出した後、第１処理液は第１エッチング液に加えられる。第１処理液は、基板Ｗ（パターン形成面Ｗ１）上において、第１エッチング液に加えられる。本変形実施形態によっても、基板Ｗを適切にエッチングできる。

【0264】

第１ノズル１５ａおよび第４ノズル１５ｄはともに、本発明における供給部の例である。

【0265】

（３）第１－第４実施形態では、処理ユニット１１は、枚葉式に分類された。但し、これに限られない。例えば、処理ユニット１１は、バッチ式に分類されてもよい。すなわち、処理ユニット１１は、一度に複数の基板Ｗを処理してもよい。

【0266】

図示を省略するが、処理ユニット１１は、処理槽と基板保持機構を備える。処理槽は、処理液を貯留する。処理液は、例えば、第１処理液と第１エッチング液の混合液である。あるいは、処理液は、例えば、第２エッチング液を含む第１処理液である。基板保持機構は、処理槽内において、複数の基板Ｗを保持する。基板保持機構は、処理槽に貯留される処理液中に、複数の基板Ｗを浸漬する。

【0267】

ここで、処理ユニット１１の処理槽は、処理液調整ユニット２０の第１槽２１および第２槽５１とは別に、設けられてもよい。あるいは、処理液調整ユニット２０の第１槽２１または第２槽５１を、処理ユニット１１の処理槽として、使用してもよい。

【0268】

処理槽は、本発明における供給部の例である。

【0269】

（４）第１－第４実施形態では、調整部２３は、気泡生成部２４および気液分離部２６のいずれか１つを備える。但し、これに限られない。調整部２３は、気泡生成部２４および気液分離部２６の両方を備えてもよい。

【0270】

（５）第１、第２実施形態では、第１、第２センサ４１、４２は、循環配管３６に設けられた。但し、これに限られない。例えば、第１、第２センサ４１、４２の少なくともいずれかを、第１槽２１に設けてもよい。例えば、第１センサ４１は、第１槽２１内の第１処理液のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の濃度を検出してもよい。例えば、第２センサ４２は、第１槽２１内の第１処理液の溶存酸素の濃度を検出してもよい。

【0271】

（６）第３、第４実施形態では、基板処理装置１は、第１センサ４１を備えなかった。但し、これに限られない。第３、第４実施形態において、基板処理装置１は、第１センサ４１を備えてもよい。

【0272】

（７）第１－第４実施形態において、第１処理液の酸化還元電位を検出してもよい。

【0273】

図１０を参照する。変形実施形態の処理液調整ユニット２０は、第５センサ４５を備える。第５センサ４５は、第１処理液の酸化還元電位を検出する。具体的には、第５センサ４５は、第１槽２１内の第１処理液の酸化還元電位を検出する。第５センサは、例えば、酸化還元電位計である。

【0274】

図示を省略するが、制御部１０は、第５センサ４５の検出結果を取得する。制御部１０は、例えば、第５センサ４５の検出結果を監視する。

【0275】

本変形実施形態では、調整工程は、第１処理液の酸化還元電位を検出する。このため、調整工程は、第１処理液中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の濃度を好適に推測できる。第１処理液の酸化還元電位とヨウ化物イオン（Ｉ^－）の組成変化との間に一定の関係があることを、本発明者が知見したからである。例えば、酸化還元電位が所定値以下であるあるとき、ヨウ化物イオン（Ｉ^－）はヨウ素分子（Ｉ_２）または三ヨウ化物イオン（Ｉ_３ ^－）に組成変化し難い。

【0276】

調整工程は、第１処理液中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の濃度、第１処理液の酸化還元電位、および、第１処理液の溶存酸素の濃度の少なくともいずれかを検出してもよい。

【0277】

例えば、第５センサ４５の検出結果に基づいて、調整工程は開始してもよい。例えば、第１処理液の酸化還元電位が高いとき、調整工程は開始してもよい。ここで、第１処理液の酸化還元電位が高いか否かは、制御部１０によって、判定される。制御部１０は、第５センサ４５の検出結果に基づいて、調整工程を開始するタイミングを決定する。

【0278】

例えば、第５センサ４５の検出結果に基づいて、調整工程は終了してもよい。例えば、第１処理液の酸化還元電位が低いとき、調整工程は終了してもよい。ここで、第１処理液の酸化還元電位が低いか否かは、制御部１０によって、判定される。制御部１０は、第５センサ４５の検出結果に基づいて、調整工程を終了するタイミングを決定する。

【0279】

例えば、第１処理液中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の濃度の検出結果、第１処理液の酸化還元電位の検出結果、および、第１処理液の溶存酸素の濃度の検出結果の少なくともいずれかに基づいて、調整工程は、開始してもよい。例えば、第１処理液中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の濃度の検出結果、第１処理液の酸化還元電位の検出結果、および、第１処理液の溶存酸素の濃度の検出結果の少なくともいずれかに基づいて、調整工程は、終了してもよい。

【0280】

例えば、調整工程は、第５センサ４５の検出結果に基づいて、添加剤の溶媒（すなわち、純水）を第１処理液に補充してもよい。例えば、第５センサ４５の検出結果に基づいて、第１補充部２８は第１槽２１に純水を補充してもよい。例えば、制御部１０は、第５センサ４５の検出結果に基づいて、第１補充部２８を制御してもよい。

【0281】

例えば、第１処理液中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の濃度の検出結果、第１処理液の酸化還元電位の検出結果、および、第１処理液の溶存酸素の濃度の検出結果の少なくともいずれかに基づいて、添加剤の溶媒（すなわち、溶媒）を第１処理液に補充してもよい。

【0282】

（８）第１－第４実施形態において、基板処理装置１は、さらに、添加剤を第１処理液に補充する構成を備えてもよい。

【0283】

図１０を参照する。処理液調整ユニット２０は、第３補充部３３を備える。第３補充部３３は、第１処理液に、添加剤を補充する。具体的には、第３補充部３３は、第１槽２１に添加剤を補充する。

【0284】

第３補充部３３は、配管３３ａと弁３３ｂを備える。配管３３ａは、第１槽２１に連通接続される。配管３３ａは、さらに、添加剤供給源３４に連通接続される。弁３３ｂは、配管３３ａに設けられる。弁３３ｂが開くとき、配管３３ａは第１槽２１に添加剤を供給する。

【0285】

制御部１０は、第３補充部３３を制御する。

【0286】

調整工程は、第１処理液中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の濃度の検出結果、第１処理液の酸化還元電位の検出結果、および、第１処理液の溶存酸素の濃度の検出結果の少なくともいずれかに基づいて、添加剤および添加剤の溶媒（純水）の少なくともいずれかを第１処理液に補充してもよい。制御部１０は、第１センサ４１、第２センサ４２、および、第５センサ４５の少なくともいずれかに基づいて、第１補充部２８および第３補充部３３の少なくともいずれかを制御してもよい。本変形実施形態によれば、第１処理液中のヨウ化物イオン（Ｉ^－）の濃度を、好適に調整できる。

【0287】

（９）第１、第３実施形態では、調整工程は、第１処理液中に不活性ガスを供給し、第１処理液中に気泡を生成した。第２、第４実施形態では、調整工程は、第１処理液を脱気した。但し、これに限られない。第１－第４実施形態において、調整工程は、第１処理液中に不活性ガスを供給し、第１処理液中に気泡を生成し、かつ、第１処理液を脱気してもよい。第１－第４実施形態において、調整工程は、第１処理液中に不活性ガスを供給し、第１処理液中に気泡を生成すること、および、第１処理液を脱気することの少なくともいずれかを実行してもよい。調整部２３は、気泡生成部２４と気液分離部２６の両方を備えてもよい。調整部２３は、気泡生成部２４と気液分離部２６の少なくともいずれかを備えてもよい。

【0288】

（１０）第１、第２実施形態では、第１処理液は、継ぎ手５９において、第１エッチング液に加えられた。但し、これに限られない。送液部５６は、第１処理液と第１エッチング液を混合するためのミキサーやミキシングバルブを備えてもよい。

【0289】

（１１）第１－第４実施形態では、配管５７ａは、循環配管３６に接続される。このため、送液部５６は、循環配管３６を流れる第１処理液を、第１ノズル１５ａに送る。但し、これに限られない。送液部５６の配管５７ａは、第１槽２１に接続されてもよい。送液部５６は、第１槽２１内の第１処理液を、第１ノズル１５ａに送ってもよい。第１―第２実施形態における送液部５６の配管５８ａも、同様に変更してもよい。

【0290】

（１２）第１－第４実施形態および上記（１）から（１１）で説明した各変形実施形態については、さらに各構成を他の変形実施形態の構成に置換または組み合わせるなどして適宜に変更してもよい。

【符号の説明】

【0291】

１ … 基板処理装置
１０ … 制御部
１１ … 処理ユニット
１３ … 基板保持部
１５ａ … 第１ノズル（供給部）
１５ｂ … 第２ノズル
１５ｃ … 第３ノズル
１５ｄ … 第４ノズル（供給部）
２０ … 処理液調整ユニット
２１ … 第１槽
２３ … 調整部
２４ … 気泡生成部
２４ａ … 配管
２４ｂ … 弁
２６ … 気液分離部
２６ａ … 脱気フィルタ
２６ｂ … 排気管
２７ … 排気部
２８ … 第１補充部（添加剤の溶媒（純水））
３１ … 第２補充部（第２エッチング液）
３３ … 第３補充部（添加剤）
４１ … 第１センサ（ヨウ化物イオンの濃度）
４２ … 第２センサ（溶存酸素の濃度）
４３ … 第３センサ（液面センサ）
４４ … 第４センサ（ｐＨ計）
４５ … 第５センサ（酸化還元電位計）
５１ … 第２槽
５６ … 送液部
５９ … 継ぎ手
Ａ … 凹部
Ｗ … 基板
Ｗ１ … パターン形成面
Ｗ２ … 凸部
Ｘ … 前後方向
Ｙ … 幅方向
Ｚ … 鉛直方向

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】