特許7641985半導体装置のエピタキシャル構造、装置及びエピタキシャル構造の製造方法

発明の名称　半導体装置のエピタキシャル構造、装置及びエピタキシャル構造の製造方法

出願人　蘇州能訊高能半導体有限公司　（識別番号 515295706）

　　　　特許公開件数ランキング 1788 位（0件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 1520 位（0件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-7641985

公報発行日　2025年3月7

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7641985

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