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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2025-02-28
(45)【発行日】2025-03-10
(54)【発明の名称】合金金属板及びこれを含む蒸着用マスク
(51)【国際特許分類】
C23C 14/04 20060101AFI20250303BHJP
C22C 38/00 20060101ALI20250303BHJP
H10K 50/10 20230101ALI20250303BHJP
H10K 59/10 20230101ALI20250303BHJP
H10K 71/16 20230101ALI20250303BHJP
C22C 38/08 20060101ALN20250303BHJP
C22C 38/60 20060101ALN20250303BHJP
【ＦＩ】
C23C14/04 A
C22C38/00 302R
H10K50/10
H10K59/10
H10K71/16
C22C38/08
C22C38/60
【請求項の数】
6
(21)【出願番号】P 2023065574
(22)【出願日】2023-04-13
(62)【分割の表示】P 2021518143の分割
【原出願日】2019-11-06
(65)【公開番号】P2023106370
(43)【公開日】2023-08-01
【審査請求日】2023-04-13
(31)【優先権主張番号】10-2018-0142628
(32)【優先日】2018-11-19
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(31)【優先権主張番号】10-2018-0143405
(32)【優先日】2018-11-20
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(73)【特許権者】
【識別番号】517099982
【氏名又は名称】エルジー イノテック カンパニー リミテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100114188
【弁理士】
【氏名又は名称】小野 誠
(74)【代理人】
【識別番号】100119253
【弁理士】
【氏名又は名称】金山 賢教
(74)【代理人】
【識別番号】100129713
【弁理士】
【氏名又は名称】重森 一輝
(74)【代理人】
【識別番号】100137213
【弁理士】
【氏名又は名称】安藤 健司
(74)【代理人】
【識別番号】100143823
【弁理士】
【氏名又は名称】市川 英彦
(74)【代理人】
【識別番号】100183519
【弁理士】
【氏名又は名称】櫻田 芳恵
(74)【代理人】
【識別番号】100196483
【弁理士】
【氏名又は名称】川嵜 洋祐
(74)【代理人】
【識別番号】100160749
【弁理士】
【氏名又は名称】飯野 陽一
(74)【代理人】
【識別番号】100160255
【弁理士】
【氏名又は名称】市川 祐輔
(74)【代理人】
【識別番号】100146318
【弁理士】
【氏名又は名称】岩瀬 吉和
(72)【発明者】
【氏名】チョン，ヒョンジュン
(72)【発明者】
【氏名】ガン，ウヨン
(72)【発明者】
【氏名】パク，ダクフン
(72)【発明者】
【氏名】ペク，ジフン
【審査官】末松 佳記
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１７－１２５２５３（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１６／０１４５７６２（ＵＳ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｃ２３Ｃ １４，
Ｃ２２Ｃ ３８，
Ｈ１０Ｋ ５０，
Ｈ１０Ｋ ５９，
Ｈ１０Ｋ ７１
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
鉄（Ｆｅ）－ニッケル（Ｎｉ）を含むＯＬＥＤ画素を蒸着するための蒸着用マスクの金属板において、前記蒸着用マスクの金属板は、複数の結晶粒によって形成され、
前記蒸着用マスクの金属板全体面積において測定される結晶粒の最大面積は、６６０μｍ２～７００μｍ２以下であり、
前記蒸着用マスクの金属板全体面積において測定される全体結晶粒のうち小さい結晶粒から測定した時、９５％の結晶粒の最大面積は、６０μｍ ２ 以下であり、
前記蒸着用マスクの金属板全体面積において測定される結晶粒の最大粒子径は、３０μｍ以下であり、
前記蒸着用マスクの金属板全体面積において測定される全体結晶粒のうち小さい結晶粒から測定した時、９５％の結晶粒の最大粒子径は、９μｍ以下である、蒸着用マスクの金属板。
【請求項2】
前記蒸着用マスクの金属板全体面積において測定される結晶粒の最大面積は、６８０μｍ２～７００μｍ２である、請求項１に記載の蒸着用マスクの金属板。
【請求項3】
前記蒸着用マスクの金属板全体面積において測定される結晶粒の最大粒子径は、２５μｍ～３０μｍである、請求項１に記載の蒸着用マスクの金属板。
【請求項4】
前記蒸着用マスクの金属板全体面積において測定される結晶粒の最大粒子径は、２６μｍ～２９μｍである、請求項３に記載の蒸着用マスクの金属板。
【請求項5】
前記複数の結晶粒の単位面積当たりの数量は、０．２０ｅａ／μｍ２～０．２５ｅａ／μｍ２である、請求項１に記載の蒸着用マスクの金属板。
【請求項6】
前記結晶粒の単位面積当たりの数量は、全体蒸着用マスクの金属板の表面のうち３００μｍ＊３００μｍの面積における全体結晶粒の数を測定した後、１μｍ＊１μｍの面積を単位面積と定義し、前記単位面積当たりの結晶粒の数を測定する、請求項５に記載の蒸着用マスクの金属板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
実施例は、鉄(Fe)‐ニッケル(Ni)合金金属板及び前記合金金属板によって製造されるＯ
ＬＥＤ画素を蒸着するための蒸着用マスクに関するものである。
ＬＥＤ画素を蒸着するための蒸着用マスクに関するものである。
【背景技術】
【0002】
表示装置は、多様なデバイスに適用されて使用されている。例えば、表示装置は、スマ
ートフォン、タブレットＰＣ等のような小型デバイスのみならず、ＴＶ、モニター、パブ
リックディスプレイ(PD(Public Display))等のような大型デバイスに適用されて利用され
ている。特に、最近では、略５００PPI(Pixel Per Inch)級以上の超高解像度のＵＨＤ(Ul
tra High Definition)に対する需要が増えており、高解像度の表示装置が小型デバイス及
び大型デバイスに適用されている。よって、低電力及び高解像度を具現するための技術に
対する関心が高まっている。
ートフォン、タブレットＰＣ等のような小型デバイスのみならず、ＴＶ、モニター、パブ
リックディスプレイ(PD(Public Display))等のような大型デバイスに適用されて利用され
ている。特に、最近では、略５００PPI(Pixel Per Inch)級以上の超高解像度のＵＨＤ(Ul
tra High Definition)に対する需要が増えており、高解像度の表示装置が小型デバイス及
び大型デバイスに適用されている。よって、低電力及び高解像度を具現するための技術に
対する関心が高まっている。
【0003】
一般的に使用される表示装置は、駆動方法によって大きくＬＣＤ(Liquid Crystal Disp
lay)及びＯＬＥＤ(Organic Light Emitting Diode)等に区分される。
lay)及びＯＬＥＤ(Organic Light Emitting Diode)等に区分される。
【0004】
ＬＣＤは、液晶(Liquid Crystal)を利用して駆動される表示装置として、前記液晶の下
部にはＣＣＦＬ(Cold Cathode Fluorescent Lamp)またはＬＥＤ(Light Emitting Diode)
等を含む光源が配置される構造を有し、前記光源の上に配置される前記液晶を利用して、
前記光源から放出される光の量を調節して駆動される表示装置である。
部にはＣＣＦＬ(Cold Cathode Fluorescent Lamp)またはＬＥＤ(Light Emitting Diode)
等を含む光源が配置される構造を有し、前記光源の上に配置される前記液晶を利用して、
前記光源から放出される光の量を調節して駆動される表示装置である。
【0005】
また、ＯＬＥＤは、有機物を利用して駆動される表示装置として、別途の光源が必要と
せず、有機物そのものが光源の役割をして低電力で駆動される。また、ＯＬＥＤは、無限
の明暗比を表現することができ、ＬＣＤより略１０００倍以上の速い応答速度を有し、視
野角が優れるので、ＬＣＤを代替できる表示装置として注目されている。
せず、有機物そのものが光源の役割をして低電力で駆動される。また、ＯＬＥＤは、無限
の明暗比を表現することができ、ＬＣＤより略１０００倍以上の速い応答速度を有し、視
野角が優れるので、ＬＣＤを代替できる表示装置として注目されている。
【0006】
特に、ＯＬＥＤにおいて発光層に含まれた前記有機物は、ファインメタルマスク(FMM(F
ine Metal Mask))と呼ばれる蒸着用マスクよって基板上に蒸着され、蒸着された前記有機
物は、前記蒸着用マスクに形成されたパターンと対応するパターンに形成されて画素の役
割をすることができる。具体的に、前記蒸着用マスクは、画素パターンと対応する位置に
形成される貫通ホールを含み、赤色(Red)、緑色(Green)及び青色(Blue)有機物を前記貫通
ホールを通過させて基板上に蒸着することができる。これによって、前記基板上に画素パ
ターンを形成することができる。
ine Metal Mask))と呼ばれる蒸着用マスクよって基板上に蒸着され、蒸着された前記有機
物は、前記蒸着用マスクに形成されたパターンと対応するパターンに形成されて画素の役
割をすることができる。具体的に、前記蒸着用マスクは、画素パターンと対応する位置に
形成される貫通ホールを含み、赤色(Red)、緑色(Green)及び青色(Blue)有機物を前記貫通
ホールを通過させて基板上に蒸着することができる。これによって、前記基板上に画素パ
ターンを形成することができる。
【0007】
前記蒸着用マスクは、鉄(Fe)及びニッケル(Ni)合金からなった金属板で製造することが
できる。例えば、前記蒸着用マスクは、インバー(invar)と呼ばれる鉄‐ニッケル合金で
製造することができる。前記蒸着用マスクは、上述したように有機物蒸着のための貫通ホ
ールを含むことができ、前記貫通ホールは、エッチング工程により形成することができる
。
できる。例えば、前記蒸着用マスクは、インバー(invar)と呼ばれる鉄‐ニッケル合金で
製造することができる。前記蒸着用マスクは、上述したように有機物蒸着のための貫通ホ
ールを含むことができ、前記貫通ホールは、エッチング工程により形成することができる
。
【0008】
一方、金属板の表面に貫通ホールを形成する前に、酸性系のエッチング液を利用して金
属板の表面をエッチングすることで、金属板表面に残留する異物、サビ等の不純物を除去
する表面処理工程が行われる。
このような表面処理工程によって金属板の表面がエッチングされることで、前記不純物
が除去される。
この時、前記金属板の表面が均一にエッチングされない場合、金属板の表面に多数のピ
ット(pit)等が生じる窪み現象が発生する可能性がある。このような窪み現象は、ピット
の深さが大きくなるほど貫通ホール形成時の不良を引き起こすことになる。
属板の表面をエッチングすることで、金属板表面に残留する異物、サビ等の不純物を除去
する表面処理工程が行われる。
このような表面処理工程によって金属板の表面がエッチングされることで、前記不純物
が除去される。
この時、前記金属板の表面が均一にエッチングされない場合、金属板の表面に多数のピ
ット(pit)等が生じる窪み現象が発生する可能性がある。このような窪み現象は、ピット
の深さが大きくなるほど貫通ホール形成時の不良を引き起こすことになる。
【0009】
よって、前記金属板の表面に形成される貫通ホールの粒子径、形状及び深さ等の特性が
不均一な問題があり、これにより、前記貫通ホールを通過する有機物の量が減少して蒸着
効率が低下する問題点がある。また、前記基板上に蒸着される有機物も不均一となって蒸
着不良が発生する問題がある。
不均一な問題があり、これにより、前記貫通ホールを通過する有機物の量が減少して蒸着
効率が低下する問題点がある。また、前記基板上に蒸着される有機物も不均一となって蒸
着不良が発生する問題がある。
【0010】
よって、上記のような問題を解決できる新たな合金金属板及びこれを含む蒸着用マスク
が要求される。
が要求される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0011】
実施例は、金属板の表面ピットを減少させ、その深さを制御して金属板により製造され
る蒸着用マスクの効率を向上させることができる鉄及びニッケル合金金属板及びこれによ
って製造されるＯＬＥＤ画素を蒸着するための蒸着用マスクを提供しようとする。
る蒸着用マスクの効率を向上させることができる鉄及びニッケル合金金属板及びこれによ
って製造されるＯＬＥＤ画素を蒸着するための蒸着用マスクを提供しようとする。
【課題を解決するための手段】
【0012】
実施例に係る合金金属板は、合金金属板の(１１１)面に対する回折強度をＩ(１１１)、
前記合金金属板の(２００)面に対する回折強度をＩ(２００)、前記合金金属板の(２２０)
面に対する回折強度をＩ(２２０)と定義し、前記Ｉ(２００)の回折強度の比率を下記数式
１で定義し、前記Ｉ(２２０)の回折強度の比率を下記数式２で定義し、この時、前記Ａは
、０．５～０．６であり、前記Ｂは、０．３～０．５であり、前記Ａ値はＢ値より大きい
。
［数式１］
Ａ＝Ｉ(２００)／{Ｉ(２００)＋Ｉ(２２０)＋Ｉ(１１１)}
前記Ｉ(２２０)の回折強度の比率を下記数式２で定義し、
［数式２］
Ｂ＝Ｉ(２２０)／{Ｉ(２００)＋Ｉ(２２０)＋Ｉ(１１１)}
前記合金金属板の(２００)面に対する回折強度をＩ(２００)、前記合金金属板の(２２０)
面に対する回折強度をＩ(２２０)と定義し、前記Ｉ(２００)の回折強度の比率を下記数式
１で定義し、前記Ｉ(２２０)の回折強度の比率を下記数式２で定義し、この時、前記Ａは
、０．５～０．６であり、前記Ｂは、０．３～０．５であり、前記Ａ値はＢ値より大きい
。
［数式１］
Ａ＝Ｉ(２００)／{Ｉ(２００)＋Ｉ(２２０)＋Ｉ(１１１)}
前記Ｉ(２２０)の回折強度の比率を下記数式２で定義し、
［数式２］
Ｂ＝Ｉ(２２０)／{Ｉ(２００)＋Ｉ(２２０)＋Ｉ(１１１)}
【0013】
また、実施例に係るＯＬＥＤ画素を蒸着するための蒸着用マスクの鉄（Ｆｅ）－ニッケ
ル（Ｎｉ）合金金属板において、前記金属板は、複数の結晶粒によって形成され、前記金
属板の全体面積において測定される結晶粒の最大面積は、７００μｍ２以下である。
ル（Ｎｉ）合金金属板において、前記金属板は、複数の結晶粒によって形成され、前記金
属板の全体面積において測定される結晶粒の最大面積は、７００μｍ２以下である。
【0014】
実施例に係るＯＬＥＤ画素を蒸着するための蒸着用マスクの鉄（Ｆｅ）－ニッケル（Ｎ
ｉ）合金金属板において、前記金属板全体面積において測定される全体結晶粒のうち小さ
い結晶粒から測定した時、９５％の結晶粒の最大面積は、６０μｍ２以下である。
ｉ）合金金属板において、前記金属板全体面積において測定される全体結晶粒のうち小さ
い結晶粒から測定した時、９５％の結晶粒の最大面積は、６０μｍ２以下である。
【0015】
実施例に係るＯＬＥＤ画素を蒸着するための蒸着用マスクの鉄（Ｆｅ）－ニッケル（Ｎ
ｉ）合金金属板において、前記金属板の全体面積において測定される結晶粒の最大粒子径
は、３０μｍ以下である。
ｉ）合金金属板において、前記金属板の全体面積において測定される結晶粒の最大粒子径
は、３０μｍ以下である。
【0016】
実施例に係るＯＬＥＤ画素を蒸着するための蒸着用マスクの鉄（Ｆｅ）－ニッケル（Ｎ
ｉ）合金金属板において、前記金属板全体面積において測定される全体結晶粒のうち小さ
い結晶粒から測定した時、９５％の結晶粒の最大粒子径は、９μｍ以下である。
ｉ）合金金属板において、前記金属板全体面積において測定される全体結晶粒のうち小さ
い結晶粒から測定した時、９５％の結晶粒の最大粒子径は、９μｍ以下である。
【0017】
実施例に係るＯＬＥＤ画素を蒸着するための蒸着用マスクの鉄（Ｆｅ）－ニッケル（Ｎ
ｉ）合金金属板において、前記複数の結晶粒の単位面積当たりの数量は、０．２０ｅａ／
μｍ２～０．２５ｅａ／μｍ２である。
ｉ）合金金属板において、前記複数の結晶粒の単位面積当たりの数量は、０．２０ｅａ／
μｍ２～０．２５ｅａ／μｍ２である。
【発明の効果】
【0018】
実施例に係る金属板は、金属板が含む結晶面のそれぞれの比率を制御することで、エッ
チング方向に応じたエッチング速度の差を最小化することができる。
これによって、金属板をエッチングする時、原子密度が大きい結晶面と原子密度が小さ
い結晶面とでエッチング速度が異なり、これによるエッチング不均一による表面不良、即
ち、ピットの発生及びピットの深さが深くなることを最小化することができる。
チング方向に応じたエッチング速度の差を最小化することができる。
これによって、金属板をエッチングする時、原子密度が大きい結晶面と原子密度が小さ
い結晶面とでエッチング速度が異なり、これによるエッチング不均一による表面不良、即
ち、ピットの発生及びピットの深さが深くなることを最小化することができる。
【0019】
また、実施例に係るニッケル及び鉄合金金属板は、結晶粒の面積、粒子径及び大きさを
制御して、表面処理後に発生するピットの数を減らすことができる。
具体的に、結晶粒の最大面積を７００μｍ２以下に制御し、結晶粒の粒子径を３０μｍ
以下に制御することができる。また、結晶粒の大きさを最小化して単位面積当たりの結晶
粒の数を増やすことができる。
即ち、結晶粒の最大面積及び粒子径を一定大きさ以下に制御することで、結晶粒によっ
て形成される表面の結晶粒の密度が増加し、これによって、表面処理のエッチング工程中
に発生する表面の溝、即ち、ピットの形成を最小化することができる。
よって、前記金属板を利用して蒸着用マスクを製造する時、金属板に形成される貫通ホ
ールの粒子径、形状及び深さ等の特性を均一にすることができ、これによって、前記蒸着
用マスクの蒸着効率を向上させ、蒸着不良を防止することができる
制御して、表面処理後に発生するピットの数を減らすことができる。
具体的に、結晶粒の最大面積を７００μｍ２以下に制御し、結晶粒の粒子径を３０μｍ
以下に制御することができる。また、結晶粒の大きさを最小化して単位面積当たりの結晶
粒の数を増やすことができる。
即ち、結晶粒の最大面積及び粒子径を一定大きさ以下に制御することで、結晶粒によっ
て形成される表面の結晶粒の密度が増加し、これによって、表面処理のエッチング工程中
に発生する表面の溝、即ち、ピットの形成を最小化することができる。
よって、前記金属板を利用して蒸着用マスクを製造する時、金属板に形成される貫通ホ
ールの粒子径、形状及び深さ等の特性を均一にすることができ、これによって、前記蒸着
用マスクの蒸着効率を向上させ、蒸着不良を防止することができる
【図面の簡単な説明】
【0020】
【発明を実施するための形態】
【0021】
以下、添付された図面を参照して本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。なお、本
発明の技術思想は、説明される一部実施例に限定されるものではなく、多様な形態に具現
することができ、本発明の技術思想の範囲内であれば、実施例間の構成要素を選択的に結
合または置き換えて用いることができる。
発明の技術思想は、説明される一部実施例に限定されるものではなく、多様な形態に具現
することができ、本発明の技術思想の範囲内であれば、実施例間の構成要素を選択的に結
合または置き換えて用いることができる。
【0022】
また、本発明の実施例で用いられる用語(技術及び科学的用語を含む)は、明白に特定し
て記述されない限り、本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者に一般的に理解で
きる意味と解釈され、辞書に定義された用語のように一般的に使用される用語は、かかわ
る技術の文脈上の意味を考慮してその意味を解釈できるだろう。
て記述されない限り、本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者に一般的に理解で
きる意味と解釈され、辞書に定義された用語のように一般的に使用される用語は、かかわ
る技術の文脈上の意味を考慮してその意味を解釈できるだろう。
【0023】
また、本発明の実施例で用いられる用語は、実施例を説明するためのものであり、本発
明を制限しようとするものではない。本明細書において、単数形は、記載上特に限定しな
い限り複数形も含むことができ、「Ａ及びＢ、Ｃのうち少なくとも１つ(または１つ以上)
」と記載される場合、Ａ、Ｂ、Ｃで組合せることのできる全ての組合せのうち１つ以上を
含むことができる。
明を制限しようとするものではない。本明細書において、単数形は、記載上特に限定しな
い限り複数形も含むことができ、「Ａ及びＢ、Ｃのうち少なくとも１つ(または１つ以上)
」と記載される場合、Ａ、Ｂ、Ｃで組合せることのできる全ての組合せのうち１つ以上を
含むことができる。
【0024】
また、本発明の実施例の構成要素の説明において、第１、第２、Ａ、Ｂ、(ａ)、(ｂ)等
の用語を用いることができる。このような用語は、その構成要素を他の構成要素と区別す
るためのものであり、その用語によって当該構成要素の本質または順序等が限定されるも
のではない。
の用語を用いることができる。このような用語は、その構成要素を他の構成要素と区別す
るためのものであり、その用語によって当該構成要素の本質または順序等が限定されるも
のではない。
【0025】
そして、ある構成要素が他の構成要素に「連結」、「結合」または「接続」されると記
載された場合、その構成要素は他の構成要素に直接的に連結または接続される場合と、各
構成要素の間にさらに他の構成要素が「連結」、「結合」または「接続」される場合を全
て含む。
載された場合、その構成要素は他の構成要素に直接的に連結または接続される場合と、各
構成要素の間にさらに他の構成要素が「連結」、「結合」または「接続」される場合を全
て含む。
【0026】
また、各構成要素の「上または下」に形成または配置されると記載される場合、「上ま
たは下」は、２つの構成要素が直接接触する場合だけではなく、１つ以上のさらに他の構
成要素が２つの構成要素の間に形成または配置される場合も含む。また「上または下」と
表現される場合、１つの構成要素を基準として、上側方向だけではなく下側方向の意味も
含むことができる。
たは下」は、２つの構成要素が直接接触する場合だけではなく、１つ以上のさらに他の構
成要素が２つの構成要素の間に形成または配置される場合も含む。また「上または下」と
表現される場合、１つの構成要素を基準として、上側方向だけではなく下側方向の意味も
含むことができる。
【0027】
以下、図面を参照して、実施例に係る鉄(Fe)‐ニッケル(Ni)合金金属板及びこれを利用
したＯＬＥＤ画素を蒸着するための蒸着用マスクを説明する。
したＯＬＥＤ画素を蒸着するための蒸着用マスクを説明する。
【0028】
【0029】
図１は、第１実施例に係る合金金属板の断面図を示した図面である。
【0030】
前記金属板１０は、金属物質を含むことができる。例えば、前記金属板１０は、ニッケ
ル（Ｎｉ）合金を含むことができる。具体的に、前記金属板１０は、鉄（Ｆｅ）とニッケ
ル（Ｎｉ）合金を含むことができる。
ル（Ｎｉ）合金を含むことができる。具体的に、前記金属板１０は、鉄（Ｆｅ）とニッケ
ル（Ｎｉ）合金を含むことができる。
【0031】
例えば、前記金属板１０には、前記鉄が略６０重量％～略６５重量％だけ含まれ、前記
ニッケルは略３５重量％～略４０重量％だけ含まれる。具体的に、前記金属板１０には、
前記鉄が略６３．５重量％～略６４．５重量％だけ含まれ、前記ニッケルは略３５．５重
量％～略３６．５重量％だけ含まれる。
ニッケルは略３５重量％～略４０重量％だけ含まれる。具体的に、前記金属板１０には、
前記鉄が略６３．５重量％～略６４．５重量％だけ含まれ、前記ニッケルは略３５．５重
量％～略３６．５重量％だけ含まれる。
【0032】
前記金属板１０の重量％は、前記金属板１０の平面上で特定領域(ａ＊ｂ)を選択して、
前記金属板１０の厚さｔに該当する試片(ａ＊ｂ＊ｔ)をサンプリングして強酸等に溶かし
て各成分の重量％を調査する方法を利用して確認することができる。なお、実施例はこれ
に制限されるものではなく、多様な方法で含有量を確認することができる。
前記金属板１０の厚さｔに該当する試片(ａ＊ｂ＊ｔ)をサンプリングして強酸等に溶かし
て各成分の重量％を調査する方法を利用して確認することができる。なお、実施例はこれ
に制限されるものではなく、多様な方法で含有量を確認することができる。
【0033】
また、前記金属板１０は、少量の炭素（Ｃ）、ケイ素（Ｓｉ）、硫黄（Ｓ）、リン（Ｐ
）、マンガン（Ｍｎ）、チタン（Ｔｉ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、
バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、インジウム（Ｉｎ）、アンチモン（Ｓｂ）のうち少
なくとも１つ以上の元素をさらに含むことができる。ここで、少量は、１重量％以下を意
味することができる。即ち、前記金属板１０は、インバー(Invar)を含むことができる。
）、マンガン（Ｍｎ）、チタン（Ｔｉ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、
バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、インジウム（Ｉｎ）、アンチモン（Ｓｂ）のうち少
なくとも１つ以上の元素をさらに含むことができる。ここで、少量は、１重量％以下を意
味することができる。即ち、前記金属板１０は、インバー(Invar)を含むことができる。
【0034】
前記インバーは、鉄及びニッケルを含む合金として、熱膨張係数が０に近い低熱膨張合
金である。前記インバーは、熱膨張係数が非常に小さいので、マスク等のような精密部品
、精密機器に利用されている。よって、前記金属板１０を利用して製造される蒸着用マス
クは、向上した信頼性を有することができるので、変形を防止することができ、寿命も増
加させることができる。
金である。前記インバーは、熱膨張係数が非常に小さいので、マスク等のような精密部品
、精密機器に利用されている。よって、前記金属板１０を利用して製造される蒸着用マス
クは、向上した信頼性を有することができるので、変形を防止することができ、寿命も増
加させることができる。
【0035】
前記鉄及びニッケル合金を含む金属板１０は、冷間圧延方式で製造することができる。
具体的に、前記金属板１０は、溶解、鍛造、熱間圧延、焼ならし、１次冷間圧延、１次ア
ニーリング、２次冷間圧延及び２次アニーリング工程を通じて形成することができ、３０
μｍ以下の厚さを有することができる。または、前記工程以外にさらなる厚さ減少工程を
通じて３０μｍ以下の厚さを有することができる。
具体的に、前記金属板１０は、溶解、鍛造、熱間圧延、焼ならし、１次冷間圧延、１次ア
ニーリング、２次冷間圧延及び２次アニーリング工程を通じて形成することができ、３０
μｍ以下の厚さを有することができる。または、前記工程以外にさらなる厚さ減少工程を
通じて３０μｍ以下の厚さを有することができる。
【0036】
一方、前記金属板１０は、四角形形態を有することができる。具体的に、前記金属板１
０は、長軸及び短軸を有する長方形形態を有することができ、略３０μｍ以下の厚さを有
することができる。
０は、長軸及び短軸を有する長方形形態を有することができ、略３０μｍ以下の厚さを有
することができる。
【0037】
先述したように、前記金属板１０は、鉄及びニッケルを含む合金を含み、鉄及びニッケ
ルを含む合金の場合、面心立方構造(Face centered cubic、FCC)の結晶構造を有すること
ができる。
ルを含む合金の場合、面心立方構造(Face centered cubic、FCC)の結晶構造を有すること
ができる。
【0038】
前記面心立方構造の場合、各面毎に異なる原子密度を有することができる。即ち、前記
金属板１０は、各結晶面毎に異なる原子密度を有することができる。具体的に、いずれか
１つの結晶面は、他の結晶面より大きいまたは小さい原子密度を有することができる。
金属板１０は、各結晶面毎に異なる原子密度を有することができる。具体的に、いずれか
１つの結晶面は、他の結晶面より大きいまたは小さい原子密度を有することができる。
【0039】
これにより、前記金属板１０がエッチングされる時、それぞれの結晶面方向に応じてエ
ッチング速度が異なってくる。このような結晶面方向に応じたエッチング速度の差によっ
て、金属板を表面処理する時、金属板の表面が不均一にエッチングされ、これにより、金
属板の表面処理後、図１のように金属板の表面（Ｓ）に多数の溝、即ち、ピット（Ｐ）が
発生することがある。
ッチング速度が異なってくる。このような結晶面方向に応じたエッチング速度の差によっ
て、金属板を表面処理する時、金属板の表面が不均一にエッチングされ、これにより、金
属板の表面処理後、図１のように金属板の表面（Ｓ）に多数の溝、即ち、ピット（Ｐ）が
発生することがある。
【0040】
上記のような問題を解決するために、実施例に係る金属板は、金属板の複数の結晶面の
比率を制御することで、不均一なエッチングによるピット等を減らすことができる。
比率を制御することで、不均一なエッチングによるピット等を減らすことができる。
【0041】
図２は、第１実施例に係る金属板のＸ線回折強度を測定して図示したグラフである。具
体的に、ＣｕＫαＸ－Ｒａｙを利用して鉄及びニッケル合金の金属板の(１１１)、(２０
０)、(２２０)面に対して回折強度をそれぞれ測定した。
体的に、ＣｕＫαＸ－Ｒａｙを利用して鉄及びニッケル合金の金属板の(１１１)、(２０
０)、(２２０)面に対して回折強度をそれぞれ測定した。
【0042】
図２を参照すると、第１実施例に係る金属板の(１１１)面、(２００)面及び(２２０)面
のピーク値は、全て異なることが分かる。
のピーク値は、全て異なることが分かる。
【0043】
具体的に、第１実施例に係る金属板１０のピーク値は、(２００)面が一番大きく、(２
２０)面が２番目に大きく、(１１１)面が一番小さいことが分かる。
２０)面が２番目に大きく、(１１１)面が一番小さいことが分かる。
【0044】
即ち、第１実施例に係る金属板１０は、(２００)面が(２２０)面及び(１１１)面より大
きく、(２２０)面が(１１１)面より大きいことが分かる。
きく、(２２０)面が(１１１)面より大きいことが分かる。
【0045】
具体的に、前記金属板１０の(２２０)面に対する回折強度はＩ(２２０)、前記金属板の
(２００)面に対する回折強度はＩ(２００)、前記金属板の(１１１)面に対する回折強度を
Ｉ(１１１)と定義することができる。
(２００)面に対する回折強度はＩ(２００)、前記金属板の(１１１)面に対する回折強度を
Ｉ(１１１)と定義することができる。
【0046】
この時、前記Ｉ(２００)の回折強度の比率は、下記数式１で定義することができる。
［数式１］
Ａ＝Ｉ(２００)／{Ｉ(２００)＋Ｉ(２２０)＋Ｉ(１１１)}
また、前記Ｉ(２２０)の回折強度の比率は、下記数式２で定義することができる。
［数式２］
Ｂ＝Ｉ(２２０)／{Ｉ(２００)＋Ｉ(２２０)＋Ｉ(１１１)}
［数式１］
Ａ＝Ｉ(２００)／{Ｉ(２００)＋Ｉ(２２０)＋Ｉ(１１１)}
また、前記Ｉ(２２０)の回折強度の比率は、下記数式２で定義することができる。
［数式２］
Ｂ＝Ｉ(２２０)／{Ｉ(２００)＋Ｉ(２２０)＋Ｉ(１１１)}
【0047】
この時、前記Ａ値はＢ値以上であってもよい。具体的に、前記Ａ値はＢ値より大きい。
【0048】
具体的に、前記Ａは、０．６以下であり、前記Ｂは、０．５以下であってもよい。より
具体的に、前記Ａは、０．５～０．６であり、前記Ｂは、０．３～０．５であってもよい
。
具体的に、前記Ａは、０．５～０．６であり、前記Ｂは、０．３～０．５であってもよい
。
【0049】
また、前記ＡとＢの比(Ａ／Ｂ)は１～２であってもよい。即ち、Ａ値の大きさはＢ値よ
り大きく、Ｂ値の２倍未満であってもよい。
り大きく、Ｂ値の２倍未満であってもよい。
【0050】
また、前記(１１１)面、前記(２００)面及び前記(２２０)面の方向は、前記金属板のエ
ッチング方向と対応することができる。
前記金属板の結晶面であるＩ(２２０)、Ｉ(２００)及びＩ(１１１)の回折強度の比率は
、金属板の表面に形成されるピットの数及びピットの深さと関係がある。
具体的に、前記金属板の結晶面であるＩ(２２０)、Ｉ(２００)及びＩ(１１１)の回折強
度の比率を満足する時、金属板の表面に形成されるピットの数を減らすことができ、ピッ
トの深さを小さくすることができる。
具体的に、前記鉄及びニッケル合金の金属板は、多様な方向の結晶面を有することがで
き、この時、(２２０)結晶面、(２００)結晶面及び(１１１)結晶面の比率が最も大きい。
この時、前記金属板の前記(２２０)結晶面、(２００)結晶面及び(１１１)結晶面の大き
さが異なり、これにより、それぞれの結晶面の原子の原子密度も異なる。
これによって、金属板をエッチングする時、原子密度が大きい結晶面と原子密度が小さ
い結晶面とでエッチング速度が異なり、これによって、エッチング不均一によるピットが
発生する可能性がある。
ッチング方向と対応することができる。
前記金属板の結晶面であるＩ(２２０)、Ｉ(２００)及びＩ(１１１)の回折強度の比率は
、金属板の表面に形成されるピットの数及びピットの深さと関係がある。
具体的に、前記金属板の結晶面であるＩ(２２０)、Ｉ(２００)及びＩ(１１１)の回折強
度の比率を満足する時、金属板の表面に形成されるピットの数を減らすことができ、ピッ
トの深さを小さくすることができる。
具体的に、前記鉄及びニッケル合金の金属板は、多様な方向の結晶面を有することがで
き、この時、(２２０)結晶面、(２００)結晶面及び(１１１)結晶面の比率が最も大きい。
この時、前記金属板の前記(２２０)結晶面、(２００)結晶面及び(１１１)結晶面の大き
さが異なり、これにより、それぞれの結晶面の原子の原子密度も異なる。
これによって、金属板をエッチングする時、原子密度が大きい結晶面と原子密度が小さ
い結晶面とでエッチング速度が異なり、これによって、エッチング不均一によるピットが
発生する可能性がある。
【0051】
よって、金属板の結晶面が全て同じ結晶方向を有することが最も理想的であるが、これ
は工程上不可能であるので、それぞれの結晶面の比率を制御することが重要である。
は工程上不可能であるので、それぞれの結晶面の比率を制御することが重要である。
【0052】
即ち、第１実施例に係る金属板は、それぞれの結晶面の比率を理想的に制御することで
、エッチング方向に応じたエッチング速度の差を最小化することで、エッチング不均一に
よる表面不良、即ち、ピットの発生及びピットの深さが深くなることを最小化することが
できる。
、エッチング方向に応じたエッチング速度の差を最小化することで、エッチング不均一に
よる表面不良、即ち、ピットの発生及びピットの深さが深くなることを最小化することが
できる。
【0053】
これにより、前記金属板を利用して蒸着用マスクを製造する時、金属板に形成される貫
通ホールの直径、形状及び深さ等の特性を均一にすることができ、これによって、前記蒸
着用マスクの蒸着効率を向上させ、蒸着不良を防止することができる。
通ホールの直径、形状及び深さ等の特性を均一にすることができ、これによって、前記蒸
着用マスクの蒸着効率を向上させ、蒸着不良を防止することができる。
【0054】
以下、実施例及び比較例に係る金属板を通じて、本発明をより詳しく説明する。このよ
うな製造例は、本発明をより詳しく説明するために例示として提示したものに過ぎない。
よって、本発明がこのような製造例に限定されるものではない。
うな製造例は、本発明をより詳しく説明するために例示として提示したものに過ぎない。
よって、本発明がこのような製造例に限定されるものではない。
【0055】
＜合金金属板の製造及び表面の測定＞
鉄－ニッケル合金で形成される合金金属板を用意した。
続いて、前記合金金属板の(２２０)結晶面、(２００)結晶面及び(１１１)結晶面の回折
強度の比率を下記表１のように制御した後、それぞれの例においてピットの深さ及び貫通
ホールの形成後不良の有無を測定した。
一方、前記合金金属板の(２２０)結晶面、(２００)結晶面及び(１１１)結晶面の比率の
制御は、合金金属板の製造工程のうち冷間圧延工程で制御される。
続いて、前記合金金属板の(１１１)面に対する回折強度をＩ(１１１)、前記合金金属板
の(２００)面に対する回折強度をＩ(２００)、前記合金金属板の(２２０)面に対する回折
強度をＩ(２２０)と定義し、前記Ｉ(２００)の回折強度の比率を下記数式１で定義し、前
記Ｉ(２２０)の回折強度の比率を下記数式２で定義し、Ｉ(２００)及びＩ(２２０)の回折
強度の比率を測定した。
続いて、合金金属板の表面を酸性系のエッチング液を利用して表面処理を実施した。
続いて、合金金属板の表面に形成されるピットの深さの測定及び貫通ホールの形成後エ
ッチング不良の有無を観察した。
鉄－ニッケル合金で形成される合金金属板を用意した。
続いて、前記合金金属板の(２２０)結晶面、(２００)結晶面及び(１１１)結晶面の回折
強度の比率を下記表１のように制御した後、それぞれの例においてピットの深さ及び貫通
ホールの形成後不良の有無を測定した。
一方、前記合金金属板の(２２０)結晶面、(２００)結晶面及び(１１１)結晶面の比率の
制御は、合金金属板の製造工程のうち冷間圧延工程で制御される。
続いて、前記合金金属板の(１１１)面に対する回折強度をＩ(１１１)、前記合金金属板
の(２００)面に対する回折強度をＩ(２００)、前記合金金属板の(２２０)面に対する回折
強度をＩ(２２０)と定義し、前記Ｉ(２００)の回折強度の比率を下記数式１で定義し、前
記Ｉ(２２０)の回折強度の比率を下記数式２で定義し、Ｉ(２００)及びＩ(２２０)の回折
強度の比率を測定した。
続いて、合金金属板の表面を酸性系のエッチング液を利用して表面処理を実施した。
続いて、合金金属板の表面に形成されるピットの深さの測定及び貫通ホールの形成後エ
ッチング不良の有無を観察した。
【0056】
エッチング不良の有無は、正常貫通ホールの大きさに比べて１０％以上の大きさを有す
る場合を不良と測定した。
［数式１］
Ａ＝Ｉ(２００)／{Ｉ(２００)＋Ｉ(２２０)＋Ｉ(１１１)}
［数式２］
Ｂ＝Ｉ(２２０)／{Ｉ(２００)＋Ｉ(２２０)＋Ｉ(１１１)}
る場合を不良と測定した。
［数式１］
Ａ＝Ｉ(２００)／{Ｉ(２００)＋Ｉ(２２０)＋Ｉ(１１１)}
［数式２］
Ｂ＝Ｉ(２２０)／{Ｉ(２００)＋Ｉ(２２０)＋Ｉ(１１１)}
【0057】
【表1】
【0058】
【表2】
【0059】
表１及び表２を参照すると、実施例に係る合金金属板は、Ａが０．５～０．６の範囲を
満足し、Ｂは０．３～０．５の範囲を満足し、Ａ／Ｂは１乃至２の範囲を満足することが
分かる。
満足し、Ｂは０．３～０．５の範囲を満足し、Ａ／Ｂは１乃至２の範囲を満足することが
分かる。
【0060】
反面、比較例に係る合金金属板は、前記Ａ、Ｂ及びＡ／Ｂのうち少なくとも１つを満足
できないことが分かる。
できないことが分かる。
【0061】
また、実施例に係る合金金属板は、表面処理後形成されるピットの深さが２μｍ以下で
あることが分かる。これによって、金属板に貫通ホールを形成する時金属板表面に形成さ
れるピットによる影響が微小となり、貫通ホールの品質を向上させることが分かる。
あることが分かる。これによって、金属板に貫通ホールを形成する時金属板表面に形成さ
れるピットによる影響が微小となり、貫通ホールの品質を向上させることが分かる。
【0062】
反面、比較例に係る合金金属板は、表面処理後形成されるピットの深さが２μｍを超過
することが分かる。ピットの深さが２μｍを超過する場合、小面積孔の高さＨ１よりピッ
トが大きくなるか、類似するように形成されて、ピットによる貫通ホールの影響が大きく
なる。これによって、金属板に貫通ホールを形成する時金属板表面に形成されるピットに
よる影響が増加して、貫通ホールの品質を低下させることが分かる。
することが分かる。ピットの深さが２μｍを超過する場合、小面積孔の高さＨ１よりピッ
トが大きくなるか、類似するように形成されて、ピットによる貫通ホールの影響が大きく
なる。これによって、金属板に貫通ホールを形成する時金属板表面に形成されるピットに
よる影響が増加して、貫通ホールの品質を低下させることが分かる。
【0063】
以下、図１、図３及び図１３を参照して、第２実施例に係る蒸着用マスクを説明する。
第２実施例に係る蒸着用マスクに対する説明では、先述した第１実施例に係る蒸着用マス
クと同一または類似する説明に対しては説明を省略し、同じ構成に対しては同じ図面符号
を付与する。
第２実施例に係る蒸着用マスクに対する説明では、先述した第１実施例に係る蒸着用マス
クと同一または類似する説明に対しては説明を省略し、同じ構成に対しては同じ図面符号
を付与する。
【0064】
前記金属板１０は、先述したように、鉄及びニッケル等複数の金属を含む合金金属を含
むことができる。
むことができる。
【0065】
前記金属板１０は、複数の金属を構成する複数の結晶粒が相互接触して形成される。
【0066】
このような複数の結晶粒は、相互異なる大きさを有することができる。具体的に、前記
複数の結晶粒は、相互異なる面積を有することができる。また、前記複数の結晶粒は、相
互異なる粒子径を有することができる。また、前記複数の結晶粒は、相互異なる形状を有
することができる。また、前記複数の結晶粒は、相互異なる形状及び大きさで形成される
ことで、単位面積当たりの結晶粒の数量も異なってくる。
複数の結晶粒は、相互異なる面積を有することができる。また、前記複数の結晶粒は、相
互異なる粒子径を有することができる。また、前記複数の結晶粒は、相互異なる形状を有
することができる。また、前記複数の結晶粒は、相互異なる形状及び大きさで形成される
ことで、単位面積当たりの結晶粒の数量も異なってくる。
【0067】
このような結晶粒の形状または大きさは、金属板１０の表面品質につながる。前記金属
板１０を利用して蒸着用マスクを製造する時、貫通ホールを形成する前に前記金属板１０
の表面の不純物を除去するために、酸性系のエッチング液を通じてエッチング工程が行わ
れる。
板１０を利用して蒸着用マスクを製造する時、貫通ホールを形成する前に前記金属板１０
の表面の不純物を除去するために、酸性系のエッチング液を通じてエッチング工程が行わ
れる。
【0068】
この時、前記金属板１０の表面毎に異なる形状または大きさの結晶粒が分布することで
、表面処理工程中金属板１０の表面には表面が窪む溝が形成される。このような溝をピッ
ト(pit)が形成されるといい、このようなピットは、以後の貫通ホール形成工程でエッチ
ング品質を低下させる要因となり得る。
、表面処理工程中金属板１０の表面には表面が窪む溝が形成される。このような溝をピッ
ト(pit)が形成されるといい、このようなピットは、以後の貫通ホール形成工程でエッチ
ング品質を低下させる要因となり得る。
【0069】
具体的に、金属板１０の表面毎に結晶粒が高密度で集まっている第１領域と、前記第１
領域に比べて結晶粒が低密度で集まっている第２領域が存在し得る。
この時、前記第２領域の場合、第１領域に比べて表面処理工程中エッチング速度が増加
してより多くエッチングされ、これにより、金属板１０の表面にピット等が発生する。
領域に比べて結晶粒が低密度で集まっている第２領域が存在し得る。
この時、前記第２領域の場合、第１領域に比べて表面処理工程中エッチング速度が増加
してより多くエッチングされ、これにより、金属板１０の表面にピット等が発生する。
【0070】
上記のような問題を解決するために、第２実施例に係る金属板は、金属板を形成する結
晶粒の面積、粒子径及び大きさを制御して、不均一なエッチングによるピットの発生を減
らすことを目的とする。
具体的に、第２実施例に係る金属板は、金属板を形成する複数の結晶粒の面積、粒子径
及び単位面積当たりの結晶粒の数が制御される。
晶粒の面積、粒子径及び大きさを制御して、不均一なエッチングによるピットの発生を減
らすことを目的とする。
具体的に、第２実施例に係る金属板は、金属板を形成する複数の結晶粒の面積、粒子径
及び単位面積当たりの結晶粒の数が制御される。
【0071】
【0072】
一方、図３、４及び７は、第２実施例に係る金属板の表面処理前後の写真を示した図面
であり、図５、６及び８は、実施例に係る金属板と比較するための比較例に係る金属板の
表面処理前後の写真を示した図面である。
であり、図５、６及び８は、実施例に係る金属板と比較するための比較例に係る金属板の
表面処理前後の写真を示した図面である。
【0073】
第２実施例に係る金属板１０は、複数の結晶粒の面積が一定大きさに制御される。この
ような結晶粒の面積の制御は、合金金属板の製造工程のうち冷間圧延工程で制御される。
ような結晶粒の面積の制御は、合金金属板の製造工程のうち冷間圧延工程で制御される。
【0074】
この時、結晶粒の面積は、ＥＢＳＤ(Electron Backscattered Diffraction)を利用して
測定することができる。前記ＥＢＳＤ装備によって、図４及び図６の太線枠の領域の大き
さを測定して、結晶粒のそれぞれの面積を測定することができる。
測定することができる。前記ＥＢＳＤ装備によって、図４及び図６の太線枠の領域の大き
さを測定して、結晶粒のそれぞれの面積を測定することができる。
【0075】
【0076】
即ち、金属板１０の全体面積で測定した結晶粒の最大面積は、７００μｍ２以下を有す
ることができ、金属板の全体面積において全体結晶粒のうち小さい面積の結晶粒から測定
した時、９５％の結晶粒の最大面積は、６０μｍ２以下を有することができる。
ることができ、金属板の全体面積において全体結晶粒のうち小さい面積の結晶粒から測定
した時、９５％の結晶粒の最大面積は、６０μｍ２以下を有することができる。
【0077】
具体的に、金属板１０の全体面積で測定した結晶粒の最大面積は、６６０μｍ２～７０
０μｍ２を有することができる、より具体的に、金属板１０の全体面積で測定した結晶粒
の最大面積は、６８０μｍ２～７００μｍ２を有することができる。
０μｍ２を有することができる、より具体的に、金属板１０の全体面積で測定した結晶粒
の最大面積は、６８０μｍ２～７００μｍ２を有することができる。
【0078】
【0079】
即ち、金属板１０の全体面積で測定した結晶粒の最大面積は１５００μｍ２以下を有す
ることができ、金属板の全体面積において全体結晶粒のうち小さい面積の結晶粒から測定
した時、９５％の結晶粒の最大面積は９５μｍ２以下を有することができる。
ることができ、金属板の全体面積において全体結晶粒のうち小さい面積の結晶粒から測定
した時、９５％の結晶粒の最大面積は９５μｍ２以下を有することができる。
【0080】
具体的に、第２実施例と比較例に係る結晶粒の最大、最小及び平均大きさ等は、表３の
ようである。
ようである。
【0081】
【表3】
【0082】
図３、４及び７を参照すると、第２実施例に係る金属板の場合、表面処理後金属板の表
面で発生するピットの数が少なく、ピットのサイズが小さいことが分かる。
面で発生するピットの数が少なく、ピットのサイズが小さいことが分かる。
【0083】
【0084】
【0085】
即ち、図１０において結晶粒の面積が７００μｍ２を超過する領域は、ピットが多数発
生する領域であることが分かる。
生する領域であることが分かる。
【0086】
【0087】
【0088】
第２実施例に係る金属板１０は、複数の結晶粒の粒子径が一定の大きさに制御される。
このような結晶粒の直径の制御は、合金金属板の製造工程のうち冷間圧延工程で制御され
る。
このような結晶粒の直径の制御は、合金金属板の製造工程のうち冷間圧延工程で制御され
る。
【0089】
この時、結晶粒の粒子径は、先述した結晶粒の面積を通じて間接的に測定することがで
きる。具体的に、結晶粒の面積は、ＥＢＳＤ(Electron Backscattered Diffraction)を利
用して、図４及び図６の太線枠の領域の大きさを測定して、結晶粒のそれぞれの面積を測
定することができる。
きる。具体的に、結晶粒の面積は、ＥＢＳＤ(Electron Backscattered Diffraction)を利
用して、図４及び図６の太線枠の領域の大きさを測定して、結晶粒のそれぞれの面積を測
定することができる。
【0090】
また、結晶粒の粒子径は、下記数式によって測定することができる。
［数式］
［数式］
【0091】
具体的に、第２実施例と比較例に係る結晶粒の最大、最小及び平均大きさ等は、表４の
ようである。
ようである。
【0092】
【表4】
【0093】
【0094】
即ち、金属板１０の全体面積で測定した結晶粒の最大粒子径は、３０μｍ以下を有する
ことができ、金属板の全体面積において全体結晶粒のうち粒子径が小さい結晶粒から測定
した時、９５％の結晶粒の最大粒子径は、９μｍ以下を有することができる。
ことができ、金属板の全体面積において全体結晶粒のうち粒子径が小さい結晶粒から測定
した時、９５％の結晶粒の最大粒子径は、９μｍ以下を有することができる。
【0095】
金属板１０の全体面積で測定した結晶粒の最大粒子径は２５μｍ～３０μｍを有するこ
とができる。より具体的に、金属板１０の全体面積で測定した結晶粒の最大粒子径は２６
μｍ～２９μｍを有することができる。
とができる。より具体的に、金属板１０の全体面積で測定した結晶粒の最大粒子径は２６
μｍ～２９μｍを有することができる。
【0096】
【0097】
即ち、金属板１０の全体面積で測定した結晶粒の最大粒子径は４４μｍ以下を有するこ
とができ、金属板の全体面積において全体結晶粒のうち粒子径が小さい結晶粒から測定し
た時、９５％の結晶粒の最大粒子径は１１μｍ以下を有することができる。
とができ、金属板の全体面積において全体結晶粒のうち粒子径が小さい結晶粒から測定し
た時、９５％の結晶粒の最大粒子径は１１μｍ以下を有することができる。
【0098】
図３、４及び７を参照すると、第２実施例に係る金属板の場合、表面処理後金属板の表
面で発生するピットの数が少なく、ピットのサイズが小さいことが分かる。
面で発生するピットの数が少なく、ピットのサイズが小さいことが分かる。
【0099】
【0100】
【0101】
即ち、図１１において結晶粒の粒子径が３０μｍを超過する領域は、ピットが多数発生
する領域であることが分かる。
する領域であることが分かる。
【0102】
【0103】
一方、図３、４及び７は、第２実施例に係る金属板の表面処理前後の写真を示した図面
であり、図５、６及び８は、第２実施例に係る金属板と比較するための比較例に係る金属
板の表面処理前後の写真を示した図面である。
であり、図５、６及び８は、第２実施例に係る金属板と比較するための比較例に係る金属
板の表面処理前後の写真を示した図面である。
【0104】
第２実施例に係る金属板１０は、複数の結晶粒の単位面積当たりの数量が一定の大きさ
に制御される。
この時、結晶粒の単位面積当たりの数量は、全体金属板の表面のうち３００μｍ＊３０
０μｍの面積における全体結晶粒の数を測定した後、１μｍ＊１μｍの面積を単位面積と
定義し、前記単位面積当たりの結晶粒の数を測定した。
具体的に、第２実施例と比較例に係る結晶粒の全体数量及び単位面積当たりの数量は、
表５のようである。
に制御される。
この時、結晶粒の単位面積当たりの数量は、全体金属板の表面のうち３００μｍ＊３０
０μｍの面積における全体結晶粒の数を測定した後、１μｍ＊１μｍの面積を単位面積と
定義し、前記単位面積当たりの結晶粒の数を測定した。
具体的に、第２実施例と比較例に係る結晶粒の全体数量及び単位面積当たりの数量は、
表５のようである。
【0105】
【表5】
【0106】
表５を参照すると、第２実施例に係る金属板の結晶粒の単位面積当たりの数量は、比較
例に係る金属板の結晶粒の単位面積当たりの数量に比べて大きいことが分かる。
例に係る金属板の結晶粒の単位面積当たりの数量に比べて大きいことが分かる。
【0107】
即ち、単位面積当たりの結晶粒の数量が大きいということは、結晶粒の面積が小さいも
のが多く分布しているということを意味することができる。即ち、第２実施例に係る金属
板の結晶粒は、比較例に係る金属板の結晶粒に比べて小さい結晶粒がより多く分布してい
ることが分かる。
のが多く分布しているということを意味することができる。即ち、第２実施例に係る金属
板の結晶粒は、比較例に係る金属板の結晶粒に比べて小さい結晶粒がより多く分布してい
ることが分かる。
【0108】
図３、４及び７を参照すると、第２実施例に係る金属板の場合、表面処理後金属板の表
面で発生するピットの数が少なく、ピットのサイズが小さいことが分かる。
面で発生するピットの数が少なく、ピットのサイズが小さいことが分かる。
【0109】
反面、図５、６及び８を参照すると、比較例に係る金属板の場合、表面処理後金属板の
表面で発生するピットの数が第２実施例に比べて増加し、形成されるピットのサイズも第
２実施例に比べて大きくなることが分かる。
表面で発生するピットの数が第２実施例に比べて増加し、形成されるピットのサイズも第
２実施例に比べて大きくなることが分かる。
【0110】
即ち、図１３を参照すると、比較例に係る金属板において結晶粒の粒子径が大きいほど
ピットの数が増加し、ピットの大きさが増加することが分かる。
ピットの数が増加し、ピットの大きさが増加することが分かる。
【0111】
第２実施例に係るニッケル及び鉄合金金属板は、結晶粒の面積、粒子径及び大きさを制
御して、表面処理後に発生するピットの数を減らすことができる。
具体的に、結晶粒の最大面積を７００μｍ２以下に制御し、結晶粒の最大粒子径を３０
μｍ以下に制御することができる。また、結晶粒の大きさを最小化して単位面積当たりの
結晶粒の数を増やすことができる。
即ち、結晶粒の最大面積及び粒子径を一定の大きさ以下に制御することで、結晶粒によ
って形成される表面の結晶粒の密度または緻密度が増加し、これによって、表面処理のエ
ッチング工程中に発生する表面の溝、即ち、ピットの形成を最小化することができる。
よって、前記金属板を利用して蒸着用マスクを製造する時、金属板に形成される貫通ホ
ールの粒子径、形状及び深さ等の特性を均一にすることができ、これによって、前記蒸着
用マスクの蒸着効率を向上させ、蒸着不良を防止することができる。
御して、表面処理後に発生するピットの数を減らすことができる。
具体的に、結晶粒の最大面積を７００μｍ２以下に制御し、結晶粒の最大粒子径を３０
μｍ以下に制御することができる。また、結晶粒の大きさを最小化して単位面積当たりの
結晶粒の数を増やすことができる。
即ち、結晶粒の最大面積及び粒子径を一定の大きさ以下に制御することで、結晶粒によ
って形成される表面の結晶粒の密度または緻密度が増加し、これによって、表面処理のエ
ッチング工程中に発生する表面の溝、即ち、ピットの形成を最小化することができる。
よって、前記金属板を利用して蒸着用マスクを製造する時、金属板に形成される貫通ホ
ールの粒子径、形状及び深さ等の特性を均一にすることができ、これによって、前記蒸着
用マスクの蒸着効率を向上させ、蒸着不良を防止することができる。
【0112】
一方、先述した実施例に係る蒸着用マスク１００は、上述した金属板１０で製造するこ
とができる。以下、図面を参照して実施例に係る蒸着用マスク１００を説明する。
とができる。以下、図面を参照して実施例に係る蒸着用マスク１００を説明する。
【0113】
【0114】
図１４は、実施例に係る蒸着用マスク１００が含まれた有機物蒸着装置を示した図面で
あり、図１５は、実施例に係る蒸着用マスク１００がマスクフレーム２００の上に架設さ
れるために引張されることを示した図面である。また、図１６は、前記蒸着用マスク１０
０の複数の貫通ホールを通じて前記基板３００の上に複数の蒸着パターンが形成されるこ
とを示した図面である。
あり、図１５は、実施例に係る蒸着用マスク１００がマスクフレーム２００の上に架設さ
れるために引張されることを示した図面である。また、図１６は、前記蒸着用マスク１０
０の複数の貫通ホールを通じて前記基板３００の上に複数の蒸着パターンが形成されるこ
とを示した図面である。
【0115】
【0116】
前記蒸着用マスク１００は、金属を含むことができる。例えば、前記蒸着用マスク１０
０は、上述した金属板１０と同じ組成を有することができる。具体的に、前記蒸着用マス
ク１００は、鉄（Ｆｅ）及びニッケル（Ｎｉ）を含むインバー(invar)であってもよい。
より具体的に、前記蒸着用マスク１００は、鉄(Fe)を略６３．５重量％～略６４．５重量
％だけ含み、ニッケル(Ni)を略３５．５重量％～略３６．５重量％だけ含むインバー(Inv
ar)を含むことができる。
０は、上述した金属板１０と同じ組成を有することができる。具体的に、前記蒸着用マス
ク１００は、鉄（Ｆｅ）及びニッケル（Ｎｉ）を含むインバー(invar)であってもよい。
より具体的に、前記蒸着用マスク１００は、鉄(Fe)を略６３．５重量％～略６４．５重量
％だけ含み、ニッケル(Ni)を略３５．５重量％～略３６．５重量％だけ含むインバー(Inv
ar)を含むことができる。
【0117】
前記蒸着用マスク１００は、蒸着のための有効部を含むことができ、前記有効部は、複
数の貫通ホールＴＨを含むことができる。前記蒸着用マスク１００は、複数の貫通ホール
ＴＨを含む蒸着用マスク用基板であってもよい。この時、前記貫通ホールは、基板上に形
成されるパターンと対応するように形成されてもよい。前記貫通ホールＴＨは、前記有効
部の中心に位置する有効領域のみならず、前記有効部の外縁に位置して前記有効領域を取
り囲む外縁領域にも形成される。前記蒸着用マスク１００は、蒸着領域を含む前記有効部
以外の非有効部を含むことができる。前記非有効部には、前記貫通ホールが位置しなくて
もよい。
数の貫通ホールＴＨを含むことができる。前記蒸着用マスク１００は、複数の貫通ホール
ＴＨを含む蒸着用マスク用基板であってもよい。この時、前記貫通ホールは、基板上に形
成されるパターンと対応するように形成されてもよい。前記貫通ホールＴＨは、前記有効
部の中心に位置する有効領域のみならず、前記有効部の外縁に位置して前記有効領域を取
り囲む外縁領域にも形成される。前記蒸着用マスク１００は、蒸着領域を含む前記有効部
以外の非有効部を含むことができる。前記非有効部には、前記貫通ホールが位置しなくて
もよい。
【0118】
前記マスクフレーム２００は、開口部を含むことができる。前記蒸着用マスク１００の
複数の貫通ホールは、前記開口部と対応する領域上に配置される。よって、前記有機物蒸
着容器４００に供給される有機物質が前記基板３００の上に蒸着される。前記蒸着用マス
ク１００は、前記マスクフレーム２００の上に配置されて固定される。例えば、前記蒸着
用マスク１００は、一定な引張力で引張して前記マスクフレーム２００の上に溶接して固
定することができる。
複数の貫通ホールは、前記開口部と対応する領域上に配置される。よって、前記有機物蒸
着容器４００に供給される有機物質が前記基板３００の上に蒸着される。前記蒸着用マス
ク１００は、前記マスクフレーム２００の上に配置されて固定される。例えば、前記蒸着
用マスク１００は、一定な引張力で引張して前記マスクフレーム２００の上に溶接して固
定することができる。
【0119】
前記蒸着用マスク１００は、前記蒸着用マスク１００の最外縁に配置されたエッジから
相互反対となる方向に引張される。前記蒸着用マスク１００は、前記蒸着用マスク１００
の長さ方向に、前記蒸着用マスク１００の一端及び前記一端と反対となる他端が相互反対
となる方向に引っ張られる。前記蒸着用マスク１００の一端と前記他端は、対向して平行
するように配置されてもよい。
相互反対となる方向に引張される。前記蒸着用マスク１００は、前記蒸着用マスク１００
の長さ方向に、前記蒸着用マスク１００の一端及び前記一端と反対となる他端が相互反対
となる方向に引っ張られる。前記蒸着用マスク１００の一端と前記他端は、対向して平行
するように配置されてもよい。
【0120】
前記蒸着用マスク１００の一端は、前記蒸着用マスク１００の最外縁に配置された４つ
の側面をなす端部のうちいずれか１つであってもよい。例えば、前記蒸着用マスク１００
は、略０．１ｋｇｆ～略２ｋｇｆの引張力で引張される。具体的に、前記蒸着用マスク１
００は、略０．４ｋｇｆ～略１．５ｋｇｆの力で引張される。よって、引張された前記蒸
着用マスク１００は、前記マスクフレーム２００の上に架設される。
の側面をなす端部のうちいずれか１つであってもよい。例えば、前記蒸着用マスク１００
は、略０．１ｋｇｆ～略２ｋｇｆの引張力で引張される。具体的に、前記蒸着用マスク１
００は、略０．４ｋｇｆ～略１．５ｋｇｆの力で引張される。よって、引張された前記蒸
着用マスク１００は、前記マスクフレーム２００の上に架設される。
【0121】
続いて、前記蒸着用マスク１００は、前記蒸着用マスク１００の非有効部を溶接するこ
とで、前記マスクフレーム２００に前記蒸着用マスク１００を固定することができる。そ
の次に、前記マスクフレーム２００の外部に配置される前記蒸着用マスク１００の一部分
は切断等の方法で除去される。
とで、前記マスクフレーム２００に前記蒸着用マスク１００を固定することができる。そ
の次に、前記マスクフレーム２００の外部に配置される前記蒸着用マスク１００の一部分
は切断等の方法で除去される。
【0122】
前記基板３００は、表示装置の製造に使用される基板であってもよい。例えば、前記基
板３００は、ＯＬＥＤ画素パターン用有機物蒸着のための基板３００であってもよい。前
記基板３００の上には、光の三原色である画素を形成するために、赤色(Red)、緑色(Gree
d)及び青色(Blue)の有機物パターンが形成される。即ち、前記基板３００の上にはRGBパ
ターンが形成される。図面には図示していないが、前記基板３００の上には、前記赤色、
緑色及び青色の有機物パターン以外に、白色(White)の有機物パターンがさらに形成され
る。即ち、前記基板３００の上にはＷＲＧＢパターンが形成される。
板３００は、ＯＬＥＤ画素パターン用有機物蒸着のための基板３００であってもよい。前
記基板３００の上には、光の三原色である画素を形成するために、赤色(Red)、緑色(Gree
d)及び青色(Blue)の有機物パターンが形成される。即ち、前記基板３００の上にはRGBパ
ターンが形成される。図面には図示していないが、前記基板３００の上には、前記赤色、
緑色及び青色の有機物パターン以外に、白色(White)の有機物パターンがさらに形成され
る。即ち、前記基板３００の上にはＷＲＧＢパターンが形成される。
【0123】
前記有機物蒸着容器４００は、ルツボであってもよい。前記ルツボの内部には、有機物
質が配置される。
質が配置される。
【0124】
前記真空チャンバー５００内で前記ルツボに熱源及び／または電流が供給されることで
、前記有機物質は、前記基板３００の上に蒸着される。
、前記有機物質は、前記基板３００の上に蒸着される。
【0125】
図１６を参照すると、前記蒸着用マスク１００は、一面１０１及び前記第１面と対向す
る他面１０２を含むことができる。
る他面１０２を含むことができる。
【0126】
前記蒸着用マスク１００の前記一面１０１は、小面積孔Ｖ１を含み、前記蒸着用マスク
１００の前記他面１０２は、大面積孔Ｖ２を含むことができる。前記貫通ホールＴＨは、
前記小面積孔Ｖ１及び前記大面積孔Ｖ２の境界が連結される連通部ＣＡによって連通され
る。
１００の前記他面１０２は、大面積孔Ｖ２を含むことができる。前記貫通ホールＴＨは、
前記小面積孔Ｖ１及び前記大面積孔Ｖ２の境界が連結される連通部ＣＡによって連通され
る。
【0127】
前記蒸着用マスク１００は、前記小面積孔Ｖ１内の第１内側面ＥＳ１を含むことができ
る。前記蒸着用マスク１００は、前記大面積孔Ｖ２内の第２内側面ＥＳ２を含むことがで
きる。前記小面積孔Ｖ１内の第１内側面ＥＳ１及び前記大面積孔Ｖ２内の第２内側面ＥＳ
２は連通して貫通ホールを形成することができる。例えば、１つの小面積孔Ｖ１内の第１
内側面ＥＳ１は１つの大面積孔Ｖ２内の第２内側面ＥＳ２と連通して１つの貫通ホールを
形成することができる。
る。前記蒸着用マスク１００は、前記大面積孔Ｖ２内の第２内側面ＥＳ２を含むことがで
きる。前記小面積孔Ｖ１内の第１内側面ＥＳ１及び前記大面積孔Ｖ２内の第２内側面ＥＳ
２は連通して貫通ホールを形成することができる。例えば、１つの小面積孔Ｖ１内の第１
内側面ＥＳ１は１つの大面積孔Ｖ２内の第２内側面ＥＳ２と連通して１つの貫通ホールを
形成することができる。
【0128】
前記大面積孔Ｖ２の幅は、前記小面積孔Ｖ１の幅より大きい。この時、前記小面積孔Ｖ
１の幅は、前記一面１０１で測定され、前記大面積孔Ｖ２の幅は、前記他面１０２で測定
される。
１の幅は、前記一面１０１で測定され、前記大面積孔Ｖ２の幅は、前記他面１０２で測定
される。
【0129】
前記小面積孔Ｖ１は、前記基板３００に向かって配置される。前記小面積孔Ｖ１は、前
記基板３００に近く配置される。よって、前記小面積孔Ｖ１は、蒸着物質、即ち蒸着パタ
ーンＤＰと対応する形状を有することができる。
記基板３００に近く配置される。よって、前記小面積孔Ｖ１は、蒸着物質、即ち蒸着パタ
ーンＤＰと対応する形状を有することができる。
【0130】
前記大面積孔Ｖ２は、前記有機物蒸着容器４００に向かって配置される。よって、前記
大面積孔Ｖ２は、前記有機物蒸着容器４００から供給される有機物質を広い幅で収容する
ことができ、前記大面積孔Ｖ２より幅が小さい前記小面積孔Ｖ１を通じて前記基板３００
の上に微細なパターンを速く形成することができる。
大面積孔Ｖ２は、前記有機物蒸着容器４００から供給される有機物質を広い幅で収容する
ことができ、前記大面積孔Ｖ２より幅が小さい前記小面積孔Ｖ１を通じて前記基板３００
の上に微細なパターンを速く形成することができる。
【0131】
【0132】
前記蒸着領域ＤＡは、蒸着パターンを形成するための領域であってもよい。前記蒸着領
域ＤＡは、蒸着パターン形成のための有効部を含むことができる。前記蒸着領域ＤＡは、
パターン領域及び非パターン領域を含むことができる。
域ＤＡは、蒸着パターン形成のための有効部を含むことができる。前記蒸着領域ＤＡは、
パターン領域及び非パターン領域を含むことができる。
【0133】
前記パターン領域は、小面積孔Ｖ１、大面積孔Ｖ２、貫通ホールＴＨ及びアイランド部
ＩＳを含む領域であってもよく、前記非パターン領域は、小面積孔Ｖ１、大面積孔Ｖ２、
貫通ホールＴＨ及びアイランド部ＩＳを含まない領域であってもよい。ここで、前記蒸着
領域ＤＡは、後述する有効領域と外縁領域を含む有効部、及び蒸着が含まれない非有効部
を含むことができる。よって、前記有効部は、前記パターン領域であってもよく、前記非
有効部は、前記非パターン領域であってもよい。
ＩＳを含む領域であってもよく、前記非パターン領域は、小面積孔Ｖ１、大面積孔Ｖ２、
貫通ホールＴＨ及びアイランド部ＩＳを含まない領域であってもよい。ここで、前記蒸着
領域ＤＡは、後述する有効領域と外縁領域を含む有効部、及び蒸着が含まれない非有効部
を含むことができる。よって、前記有効部は、前記パターン領域であってもよく、前記非
有効部は、前記非パターン領域であってもよい。
【0134】
また、１つの蒸着用マスク１００は、複数の蒸着領域ＤＡを含むことができる。例えば
、実施例の前記蒸着領域ＤＡは、複数の蒸着パターンを形成できる複数の有効部を含むこ
とができる。前記有効部は、複数の有効領域ＡＡ１、ＡＡ２、ＡＡ３を含むことができる
。
、実施例の前記蒸着領域ＤＡは、複数の蒸着パターンを形成できる複数の有効部を含むこ
とができる。前記有効部は、複数の有効領域ＡＡ１、ＡＡ２、ＡＡ３を含むことができる
。
【0135】
前記複数の有効領域ＡＡ１、ＡＡ２、ＡＡ３は、前記有効部の中心領域に配置される。
前記複数の有効領域ＡＡ１、ＡＡ２、ＡＡ３は、第１有効領域ＡＡ１、第２有効領域ＡＡ
２及び第３有効領域ＡＡ３を含むことができる。ここで１つの蒸着領域ＤＡは、第１有効
領域ＡＡ１と前記第１有効領域ＡＡ１を取り囲む第１外縁領域ＯＡ１を含む第１有効部で
あってもよい。
前記複数の有効領域ＡＡ１、ＡＡ２、ＡＡ３は、第１有効領域ＡＡ１、第２有効領域ＡＡ
２及び第３有効領域ＡＡ３を含むことができる。ここで１つの蒸着領域ＤＡは、第１有効
領域ＡＡ１と前記第１有効領域ＡＡ１を取り囲む第１外縁領域ＯＡ１を含む第１有効部で
あってもよい。
【0136】
また、１つの蒸着領域ＤＡは、第２有効領域ＡＡ２と前記第２有効領域ＡＡ２を取り囲
む第２外縁領域ＯＡ２を含む第２有効部であってもよい。また、１つの蒸着領域ＤＡは、
第３有効領域ＡＡ３と前記第３有効領域ＡＡ３を取り囲む第３外縁領域ＯＡ３を含む第３
有効部であってもよい。
む第２外縁領域ＯＡ２を含む第２有効部であってもよい。また、１つの蒸着領域ＤＡは、
第３有効領域ＡＡ３と前記第３有効領域ＡＡ３を取り囲む第３外縁領域ＯＡ３を含む第３
有効部であってもよい。
【0137】
スマートフォンのような小型表示装置の場合、蒸着用マスク１００に含まれた複数の蒸
着領域のうちいずれか１つの有効部は、１つの表示装置を形成するためのものであること
がある。よって、１つの蒸着用マスク１００は、複数の有効部を含むことができるので、
複数の表示装置を同時に形成することができる。よって、実施例に係る蒸着用マスク１０
０は、工程効率を向上させることができる。
着領域のうちいずれか１つの有効部は、１つの表示装置を形成するためのものであること
がある。よって、１つの蒸着用マスク１００は、複数の有効部を含むことができるので、
複数の表示装置を同時に形成することができる。よって、実施例に係る蒸着用マスク１０
０は、工程効率を向上させることができる。
【0138】
これと違って、テレビのような大型表示装置の場合、１つの蒸着用マスク１００に含ま
れた複数の有効部が１つの表示装置を形成するための一部であることがある。この時、前
記複数の有効部は、マスクの荷重による変形を防止するためのものであってもよい。
れた複数の有効部が１つの表示装置を形成するための一部であることがある。この時、前
記複数の有効部は、マスクの荷重による変形を防止するためのものであってもよい。
【0139】
前記複数の有効領域ＡＡ１、ＡＡ２、ＡＡ３は、離隔して配置されてもよい。具体的に
、前記複数の有効領域ＡＡ１、ＡＡ２、ＡＡ３は、前記蒸着用マスク１００の長軸方向に
離隔して配置されてもよい。前記蒸着領域ＤＡは、１つの蒸着用マスク１００に含まれた
複数の分離領域ＩＡ１、ＩＡ２を含むことができる。隣接した有効部の間には分離領域Ｉ
Ａ１、ＩＡ２が配置される。
、前記複数の有効領域ＡＡ１、ＡＡ２、ＡＡ３は、前記蒸着用マスク１００の長軸方向に
離隔して配置されてもよい。前記蒸着領域ＤＡは、１つの蒸着用マスク１００に含まれた
複数の分離領域ＩＡ１、ＩＡ２を含むことができる。隣接した有効部の間には分離領域Ｉ
Ａ１、ＩＡ２が配置される。
【0140】
前記分離領域ＩＡ１、ＩＡ２は、複数の有効部の間の離隔領域であってもよい。例えば
、前記第１有効領域ＡＡ１を取り囲む前記第１外縁領域ＯＡ１及び前記第２有効領域ＡＡ
２を取り囲む前記第２外縁領域ＯＡ２の間には、第１分離領域ＩＡ１が配置される。また
、前記第２有効領域ＡＡ２を取り囲む前記第２外縁領域ＯＡ２及び前記第３有効領域ＡＡ
３を取り囲む第３外縁領域ＯＡ３の間には第２分離領域ＩＡ２が配置される。即ち、前記
分離領域ＩＡ１、ＩＡ２によって隣接した有効部を区別することができ、１つの蒸着用マ
スク１００が複数の有効部を支持することができる。
、前記第１有効領域ＡＡ１を取り囲む前記第１外縁領域ＯＡ１及び前記第２有効領域ＡＡ
２を取り囲む前記第２外縁領域ＯＡ２の間には、第１分離領域ＩＡ１が配置される。また
、前記第２有効領域ＡＡ２を取り囲む前記第２外縁領域ＯＡ２及び前記第３有効領域ＡＡ
３を取り囲む第３外縁領域ＯＡ３の間には第２分離領域ＩＡ２が配置される。即ち、前記
分離領域ＩＡ１、ＩＡ２によって隣接した有効部を区別することができ、１つの蒸着用マ
スク１００が複数の有効部を支持することができる。
【0141】
前記蒸着用マスク１００は、前記蒸着領域ＤＡの長さ方向の両側部に非蒸着領域ＮＤＡ
を含むことができる。実施例に係る蒸着用マスク１００は、前記蒸着領域ＤＡの水平方向
の両側に前記非蒸着領域ＮＤＡを含むことができる。
を含むことができる。実施例に係る蒸着用マスク１００は、前記蒸着領域ＤＡの水平方向
の両側に前記非蒸着領域ＮＤＡを含むことができる。
【0142】
前記蒸着用マスク１００の前記非蒸着領域ＮＤＡは、蒸着に関与しない領域であっても
よい。前記非蒸着領域ＮＤＡは、前記蒸着用マスク１００をマスクフレーム２００に固定
するためのフレーム固定領域ＦＡ１、ＦＡ２を含むことができる。また、前記非蒸着領域
ＮＤＡは、溝Ｇ１、Ｇ２及びオープン部を含むことができる。
よい。前記非蒸着領域ＮＤＡは、前記蒸着用マスク１００をマスクフレーム２００に固定
するためのフレーム固定領域ＦＡ１、ＦＡ２を含むことができる。また、前記非蒸着領域
ＮＤＡは、溝Ｇ１、Ｇ２及びオープン部を含むことができる。
【0143】
上述したように前記蒸着領域ＤＡは、蒸着パターンを形成するための領域であってもよ
く、前記非蒸着領域ＮＤＡは、蒸着に関与しない領域であってもよい。この時、前記蒸着
用マスク１００の前記蒸着領域ＤＡには、前記金属板１０の材質と異なる表面処理層を形
成することができ、前記非蒸着領域ＮＤＡには表面処理層を形成しなくてもよい。
く、前記非蒸着領域ＮＤＡは、蒸着に関与しない領域であってもよい。この時、前記蒸着
用マスク１００の前記蒸着領域ＤＡには、前記金属板１０の材質と異なる表面処理層を形
成することができ、前記非蒸着領域ＮＤＡには表面処理層を形成しなくてもよい。
【0144】
または、蒸着用マスク１００の一面１０１または前記一面１０１と反対となる他面１０
２のうちいずれか一面のみに前記金属板１０の材質と異なる表面処理層を形成することが
できる。
２のうちいずれか一面のみに前記金属板１０の材質と異なる表面処理層を形成することが
できる。
【0145】
または、蒸着用マスク１００の一面の一部分のみに前記金属板１０の材質と異なる表面
処理層を形成することができる。
処理層を形成することができる。
【0146】
例えば、蒸着用マスク１００の一面及び／または他面、蒸着用マスク１００の全体及び
／または一部は、前記金属板１０の材質よりエッチング速度が遅い表面処理層を含むこと
ができ、エッチングファクターを向上させることができる。よって、実施例の蒸着用マス
ク１００は、微細なサイズの貫通ホールを高い効率で形成することができる。
／または一部は、前記金属板１０の材質よりエッチング速度が遅い表面処理層を含むこと
ができ、エッチングファクターを向上させることができる。よって、実施例の蒸着用マス
ク１００は、微細なサイズの貫通ホールを高い効率で形成することができる。
【0147】
一例として、実施例の蒸着用マスク１００は、４００PPI以上の解像度を有することが
できる。具体的に、前記蒸着用マスク１００は、５００PPI以上の高い解像度を有する蒸
着パターンを高い効率で形成することができる。
できる。具体的に、前記蒸着用マスク１００は、５００PPI以上の高い解像度を有する蒸
着パターンを高い効率で形成することができる。
【0148】
ここで、前記表面処理層は、前記金属板１０の材質と異なる元素を含むか、同じ元素の
組成が異なる金属物質を含むことを意味することができる。これに関しては、後述される
蒸着用マスクの製造工程でより詳しく説明することにする。
組成が異なる金属物質を含むことを意味することができる。これに関しては、後述される
蒸着用マスクの製造工程でより詳しく説明することにする。
【0149】
前記非蒸着領域ＮＤＡは、溝Ｇ１、Ｇ２を含むことができる。例えば、前記蒸着用マス
ク１００の前記非蒸着領域ＮＤＡは、前記蒸着領域ＤＡの一側に第１溝Ｇ１を含むことが
でき、前記蒸着領域ＤＡの前記一側と反対となる他側に第２溝Ｇ２を含むことができる。
ク１００の前記非蒸着領域ＮＤＡは、前記蒸着領域ＤＡの一側に第１溝Ｇ１を含むことが
でき、前記蒸着領域ＤＡの前記一側と反対となる他側に第２溝Ｇ２を含むことができる。
【0150】
前記第１溝Ｇ１及び前記第２溝Ｇ２は、蒸着用マスク１００の深さ方向に溝が形成され
る領域であってもよい。前記第１溝Ｇ１及び前記第２溝Ｇ２は、蒸着用マスクの略１／２
の厚さの溝部を有することができ、蒸着用マスク１００の引張時の応力を分散させること
ができる。また、前記溝Ｇ１、Ｇ２は、前記蒸着用マスク１００の中心を基準としてＸ軸
方向またはＹ軸方向に対称となるように形成することが好ましい。これによって、両方向
への引張力を均一に調節することができる。
る領域であってもよい。前記第１溝Ｇ１及び前記第２溝Ｇ２は、蒸着用マスクの略１／２
の厚さの溝部を有することができ、蒸着用マスク１００の引張時の応力を分散させること
ができる。また、前記溝Ｇ１、Ｇ２は、前記蒸着用マスク１００の中心を基準としてＸ軸
方向またはＹ軸方向に対称となるように形成することが好ましい。これによって、両方向
への引張力を均一に調節することができる。
【0151】
前記溝Ｇ１、Ｇ２は、多様な形状を有することができる。前記溝Ｇ１、Ｇ２は、半円形
状の溝部を含むことができる。前記溝は、前記蒸着用マスク１００の一面１０１及び前記
一面１０１と反対となる他面１０２のうち少なくとも１つの面の上に形成されてもよい。
好ましくは、前記溝Ｇ１、Ｇ２は、小面積孔Ｖ１と対応する一面１０１上に形成されても
よい。
状の溝部を含むことができる。前記溝は、前記蒸着用マスク１００の一面１０１及び前記
一面１０１と反対となる他面１０２のうち少なくとも１つの面の上に形成されてもよい。
好ましくは、前記溝Ｇ１、Ｇ２は、小面積孔Ｖ１と対応する一面１０１上に形成されても
よい。
【0152】
これによって、前記溝Ｇ１、Ｇ２は、小面積孔Ｖ１と同時に形成されるので、工程効率
を向上させることができる。また、前記溝Ｇ１、Ｇ２は、大面積孔Ｖ２の間の寸法差によ
って発生し得る応力を分散させることができる。なお、実施例はこれに制限されるもので
はなく、前記溝Ｇ１、Ｇ２は四角形形状を有することができる。例えば、前記第１溝Ｇ１
及び前記第２溝Ｇ２は、長方形または正四角形形状を有することができる。これによって
、前記蒸着用マスク１００は、効果的に応力を分散させることができる。
を向上させることができる。また、前記溝Ｇ１、Ｇ２は、大面積孔Ｖ２の間の寸法差によ
って発生し得る応力を分散させることができる。なお、実施例はこれに制限されるもので
はなく、前記溝Ｇ１、Ｇ２は四角形形状を有することができる。例えば、前記第１溝Ｇ１
及び前記第２溝Ｇ２は、長方形または正四角形形状を有することができる。これによって
、前記蒸着用マスク１００は、効果的に応力を分散させることができる。
【0153】
また、前記溝Ｇ１、Ｇ２は、曲面及び平面を含むことができる。前記第１溝Ｇ１の平面
は、前記第１有効領域ＡＡ１と隣接するように配置され、前記平面は、蒸着用マスク１０
０の長さ方向の終端と水平とするように配置される。前記第１溝Ｇ１の曲面は、蒸着用マ
スク１００の長さ方向の一端に向かって膨らんだ形状を有することができる。例えば、前
記第１溝Ｇ１の曲面は、蒸着用マスク１００の垂直方向の長さの１／２地点に半円形状の
半径と対応するように形成されてもよい。
は、前記第１有効領域ＡＡ１と隣接するように配置され、前記平面は、蒸着用マスク１０
０の長さ方向の終端と水平とするように配置される。前記第１溝Ｇ１の曲面は、蒸着用マ
スク１００の長さ方向の一端に向かって膨らんだ形状を有することができる。例えば、前
記第１溝Ｇ１の曲面は、蒸着用マスク１００の垂直方向の長さの１／２地点に半円形状の
半径と対応するように形成されてもよい。
【0154】
また、前記第２溝Ｇ２の平面は、前記第３有効領域ＡＡ３と隣接するように配置され、
前記平面は、蒸着用マスク１００の長さ方向の終端と水平とするように配置される。前記
第２溝Ｇ２の曲面は、蒸着用マスク１００の長さ方向の他端に向かって膨らんだ形状を有
することができる。例えば、前記第２溝Ｇ２の曲面は、蒸着用マスク１００の垂直方向の
長さの１／２地点に半円形状の半径と対応するように形成されてもよい。
前記平面は、蒸着用マスク１００の長さ方向の終端と水平とするように配置される。前記
第２溝Ｇ２の曲面は、蒸着用マスク１００の長さ方向の他端に向かって膨らんだ形状を有
することができる。例えば、前記第２溝Ｇ２の曲面は、蒸着用マスク１００の垂直方向の
長さの１／２地点に半円形状の半径と対応するように形成されてもよい。
【0155】
前記溝Ｇ１、Ｇ２は、小面積孔Ｖ１または大面積孔Ｖ２を形成する時、同時に形成する
ことができる。これによって、工程効率を向上させることができる。また、前記蒸着用マ
スク１００の一面１０１及び他面１０２に形成される溝は、相互にずれるように形成する
ことができる。これによって、溝Ｇ１、Ｇ２が相互貫通しない。
ことができる。これによって、工程効率を向上させることができる。また、前記蒸着用マ
スク１００の一面１０１及び他面１０２に形成される溝は、相互にずれるように形成する
ことができる。これによって、溝Ｇ１、Ｇ２が相互貫通しない。
【0156】
また、実施例に係る蒸着用マスク１００は、４つのハーフエッチング部を含むことがで
きる。例えば、前記溝Ｇ１、Ｇ２は、偶数個の溝Ｇ１、Ｇ２を含むことができ、応力をよ
り効率的に分散することができる。
きる。例えば、前記溝Ｇ１、Ｇ２は、偶数個の溝Ｇ１、Ｇ２を含むことができ、応力をよ
り効率的に分散することができる。
【0157】
また、前記溝Ｇ１、Ｇ２は、蒸着領域ＤＡの非有効部ＵＡにさらに形成されてもよい。
例えば、前記溝Ｇ１、Ｇ２は、蒸着用マスク１００の引張時の応力を分散させるために、
非有効部ＵＡの全体または一部に分散して多数個配置されてもよい。
例えば、前記溝Ｇ１、Ｇ２は、蒸着用マスク１００の引張時の応力を分散させるために、
非有効部ＵＡの全体または一部に分散して多数個配置されてもよい。
【0158】
即ち、実施例に係る蒸着用マスク１００は、複数の溝を含むことができる。具体的に、
実施例に係る蒸着用マスク１００は非蒸着領域ＮＤＡのみに溝Ｇ１、Ｇ２を含むものと図
示したが、これに制限されるものではなく、前記蒸着領域ＤＡ及び前記非蒸着領域ＮＤＡ
のうち少なくとも１つの領域は、複数の溝をさらに含むことができる。よって、蒸着用マ
スク１００の応力を均一に分散させることができる。
実施例に係る蒸着用マスク１００は非蒸着領域ＮＤＡのみに溝Ｇ１、Ｇ２を含むものと図
示したが、これに制限されるものではなく、前記蒸着領域ＤＡ及び前記非蒸着領域ＮＤＡ
のうち少なくとも１つの領域は、複数の溝をさらに含むことができる。よって、蒸着用マ
スク１００の応力を均一に分散させることができる。
【0159】
前記非蒸着領域ＮＤＡは、前記蒸着用マスク１００を前記マスクフレーム２００に固定
するためのフレーム固定領域ＦＡ１、ＦＡ２を含むことができる。例えば、前記蒸着領域
ＤＡの一側に第１フレーム固定領域ＦＡ１を含むことができ、前記蒸着領域ＤＡの前記一
側と反対となる他側に第２フレーム固定領域ＦＡ２を含むことができる。前記第１フレー
ム固定領域ＦＡ１及び前記第２フレーム固定領域ＦＡ２は、溶接によってマスクフレーム
２００と固定される領域であってもよい。
するためのフレーム固定領域ＦＡ１、ＦＡ２を含むことができる。例えば、前記蒸着領域
ＤＡの一側に第１フレーム固定領域ＦＡ１を含むことができ、前記蒸着領域ＤＡの前記一
側と反対となる他側に第２フレーム固定領域ＦＡ２を含むことができる。前記第１フレー
ム固定領域ＦＡ１及び前記第２フレーム固定領域ＦＡ２は、溶接によってマスクフレーム
２００と固定される領域であってもよい。
【0160】
前記フレーム固定領域ＦＡ１、ＦＡ２は、前記非蒸着領域ＮＤＡの溝Ｇ１、Ｇ２及び前
記溝Ｇ１、Ｇ２と隣接した前記蒸着領域ＤＡの有効部の間に配置される。
記溝Ｇ１、Ｇ２と隣接した前記蒸着領域ＤＡの有効部の間に配置される。
【0161】
例えば、前記第１フレーム固定領域ＦＡ１は、前記非蒸着領域ＮＤＡの第１溝Ｇ１及び
前記第１溝Ｇ１と隣接した前記蒸着領域ＤＡの第１有効領域ＡＡ１及び第１外縁領域ＯＡ
１を含む第１有効部の間に配置される。
前記第１溝Ｇ１と隣接した前記蒸着領域ＤＡの第１有効領域ＡＡ１及び第１外縁領域ＯＡ
１を含む第１有効部の間に配置される。
【0162】
例えば、前記第２フレーム固定領域ＦＡ２は、前記非蒸着領域ＮＤＡの第２溝Ｇ２及び
前記第２溝Ｇ２と隣接した前記蒸着領域ＤＡの第３有効領域ＡＡ３及び第３外縁領域ＯＡ
３を含む第３有効部の間に配置される。よって、複数の蒸着パターン部を同時に固定する
ことができる。
前記第２溝Ｇ２と隣接した前記蒸着領域ＤＡの第３有効領域ＡＡ３及び第３外縁領域ＯＡ
３を含む第３有効部の間に配置される。よって、複数の蒸着パターン部を同時に固定する
ことができる。
【0163】
また、前記蒸着用マスク１００は、水平方向Ｘの両終端に半円形状のオープン部を含む
ことができる。前記蒸着用マスク１００の前記非蒸着領域ＮＤＡは、水平方向の両終端に
それぞれ１つの半円形状のオープン部を含むことができる。例えば、蒸着用マスク１００
の前記非蒸着領域ＮＤＡは、水平方向の一側には、垂直方向Ｙの中心がオープンされたオ
ープン部を含むことができる。
ことができる。前記蒸着用マスク１００の前記非蒸着領域ＮＤＡは、水平方向の両終端に
それぞれ１つの半円形状のオープン部を含むことができる。例えば、蒸着用マスク１００
の前記非蒸着領域ＮＤＡは、水平方向の一側には、垂直方向Ｙの中心がオープンされたオ
ープン部を含むことができる。
【0164】
例えば、蒸着用マスク１００の前記非蒸着領域ＮＤＡは、水平方向の前記一側と反対と
なる他側には、垂直方向の中心がオープンされたオープン部を含むことができる。即ち、
蒸着用マスク１００の両終端は、垂直方向の長さの１／２地点にオープン部を含むことが
できる。例えば、蒸着用マスク１００の両終端は馬の蹄のような形態を有することができ
る。
なる他側には、垂直方向の中心がオープンされたオープン部を含むことができる。即ち、
蒸着用マスク１００の両終端は、垂直方向の長さの１／２地点にオープン部を含むことが
できる。例えば、蒸着用マスク１００の両終端は馬の蹄のような形態を有することができ
る。
【0165】
この時、前記オープン部の曲面は、前記溝Ｇ１、Ｇ２に向かうことができる。よって、
蒸着用マスク１００の両終端に位置したオープン部は、前記第１溝Ｇ１または第２溝Ｇ２
と前記蒸着用マスク１００の垂直方向の長さの１／２地点で隔離距離が一番短い距離を有
することができる。
蒸着用マスク１００の両終端に位置したオープン部は、前記第１溝Ｇ１または第２溝Ｇ２
と前記蒸着用マスク１００の垂直方向の長さの１／２地点で隔離距離が一番短い距離を有
することができる。
【0166】
また、前記第１溝Ｇ１または前記第２溝Ｇ２の垂直方向の長さｄ１は、前記オープン部
の垂直方向の長さｄ２と対応することができる。よって、蒸着用マスク１００を引張する
場合に、応力が均一に分散され、蒸着用マスク１００の変形(wave deformation)を減らす
ことができる。
の垂直方向の長さｄ２と対応することができる。よって、蒸着用マスク１００を引張する
場合に、応力が均一に分散され、蒸着用マスク１００の変形(wave deformation)を減らす
ことができる。
【0167】
よって、実施例に係る蒸着用マスク１００は、均一な貫通ホールを有することができ、
パターンの蒸着効率が向上することができる。好ましくは、前記第１溝Ｇ１または前記第
２溝Ｇ２の垂直方向の長さｄ１は、前記オープン部の垂直方向の長さｄ２の略８０％～略
２００％を有することができる(ｄ１：ｄ２＝０．８～２：１)。
パターンの蒸着効率が向上することができる。好ましくは、前記第１溝Ｇ１または前記第
２溝Ｇ２の垂直方向の長さｄ１は、前記オープン部の垂直方向の長さｄ２の略８０％～略
２００％を有することができる(ｄ１：ｄ２＝０．８～２：１)。
【0168】
前記第１溝Ｇ１または前記第２溝Ｇ２の垂直方向の長さｄ１は、前記オープン部の垂直
方向の長さｄ２の略９０％～略１５０％を有することができる(ｄ１：ｄ２＝０．９～１
．５：１)。
方向の長さｄ２の略９０％～略１５０％を有することができる(ｄ１：ｄ２＝０．９～１
．５：１)。
【0169】
前記第１溝Ｇ１または前記第２溝Ｇ２の垂直方向の長さｄ１は、前記オープン部の垂直
方向の長さｄ２の略９５％～略１１０％を有することができる(ｄ１：ｄ２＝０．９５～
１．１：１)。
方向の長さｄ２の略９５％～略１１０％を有することができる(ｄ１：ｄ２＝０．９５～
１．１：１)。
【0170】
また、図面には図示していないが、前記溝Ｇ１、Ｇ２は、蒸着領域ＤＡの非有効部ＵＡ
にさらに形成されてもよい。前記溝は、蒸着用マスク１００の引張時の応力を分散させる
ために、非有効部ＵＡの全体または一部に分散して多数個配置されてもよい。
にさらに形成されてもよい。前記溝は、蒸着用マスク１００の引張時の応力を分散させる
ために、非有効部ＵＡの全体または一部に分散して多数個配置されてもよい。
【0171】
また、前記溝Ｇ１、Ｇ２は、フレーム固定領域ＦＡ１、ＦＡ２及び／またはフレーム固
定領域ＦＡ１、ＦＡ２の周辺領域にも形成される。よって、蒸着用マスク１００をマスク
フレーム２００に固定する時、及び／または蒸着用マスク１００をマスクフレーム２００
に固定した後に蒸着物を蒸着する時に発生する蒸着用マスク１００の応力を均一に分散さ
せることができる。よって、蒸着用マスク１００が均一な貫通ホールを有するように維持
することができる。
定領域ＦＡ１、ＦＡ２の周辺領域にも形成される。よって、蒸着用マスク１００をマスク
フレーム２００に固定する時、及び／または蒸着用マスク１００をマスクフレーム２００
に固定した後に蒸着物を蒸着する時に発生する蒸着用マスク１００の応力を均一に分散さ
せることができる。よって、蒸着用マスク１００が均一な貫通ホールを有するように維持
することができる。
【0172】
前記蒸着用マスク１００は、長さ方向に離隔した複数の有効部と、前記有効部以外の非
有効部ＵＡを含むことができる。具体的に、前記蒸着領域ＤＡは、複数の有効部と、前記
有効部以外の非有効部ＵＡを含むことができる。
有効部ＵＡを含むことができる。具体的に、前記蒸着領域ＤＡは、複数の有効部と、前記
有効部以外の非有効部ＵＡを含むことができる。
【0173】
前記複数の有効部は、第１有効部、第２有効部及び第３有効部を含むことができる。
【0174】
また、前記第１有効部は、第１有効領域ＡＡ１及び前記第１有効領域ＡＡ１の周囲を取
り囲む第１外縁領域ＯＡ１を含むことができる。前記第２有効部は、第２有効領域ＡＡ２
及び前記第２有効領域ＡＡ２の周囲を取り囲む第２外縁領域ＯＡ２を含むことができる。
前記第３有効部は、第３有効領域ＡＡ３及び前記第３有効領域ＡＡ３の周囲を取り囲む第
３外縁領域ＯＡ３を含むことができる。
り囲む第１外縁領域ＯＡ１を含むことができる。前記第２有効部は、第２有効領域ＡＡ２
及び前記第２有効領域ＡＡ２の周囲を取り囲む第２外縁領域ＯＡ２を含むことができる。
前記第３有効部は、第３有効領域ＡＡ３及び前記第３有効領域ＡＡ３の周囲を取り囲む第
３外縁領域ＯＡ３を含むことができる。
【0175】
前記有効部は、前記蒸着用マスク１００の一面上に形成された複数の小面積孔Ｖ１、前
記一面と反対となる他面上に形成された複数の大面積孔Ｖ２、前記小面積孔Ｖ１及び前記
大面積孔Ｖ２の境界が連結される連通部ＣＡによって形成される複数の貫通ホールＴＨを
含むことができる。
記一面と反対となる他面上に形成された複数の大面積孔Ｖ２、前記小面積孔Ｖ１及び前記
大面積孔Ｖ２の境界が連結される連通部ＣＡによって形成される複数の貫通ホールＴＨを
含むことができる。
【0176】
また、前記有効領域ＡＡ１、ＡＡ２、ＡＡ３は、複数の前記貫通ホールＴＨの間を支持
するアイランド部ＩＳを含むことができる。
するアイランド部ＩＳを含むことができる。
【0177】
前記アイランド部ＩＳは、複数の貫通ホールＴＨのうち隣接した貫通ホールＴＨの間に
位置することができる。即ち、前記蒸着用マスク１００の前記有効領域ＡＡ１、ＡＡ２、
ＡＡ３において貫通ホールＴＨ以外の領域は、アイランド部ＩＳであってもよい。
位置することができる。即ち、前記蒸着用マスク１００の前記有効領域ＡＡ１、ＡＡ２、
ＡＡ３において貫通ホールＴＨ以外の領域は、アイランド部ＩＳであってもよい。
【0178】
前記アイランド部ＩＳは、前記蒸着用マスク１００の有効部の一面１０１または他面１
０２においてエッチングされない部分を意味することができる。具体的に、前記アイラン
ド部ＩＳは、前記蒸着用マスク１００の有効部の大面積孔Ｖ２が形成された他面１０２に
おいて貫通ホールと貫通ホールの間のエッチングされない領域であってもよい。よって前
記アイランド部ＩＳは、前記蒸着用マスク１００の一面１０１と平行するように配置され
てもよい。
０２においてエッチングされない部分を意味することができる。具体的に、前記アイラン
ド部ＩＳは、前記蒸着用マスク１００の有効部の大面積孔Ｖ２が形成された他面１０２に
おいて貫通ホールと貫通ホールの間のエッチングされない領域であってもよい。よって前
記アイランド部ＩＳは、前記蒸着用マスク１００の一面１０１と平行するように配置され
てもよい。
【0179】
前記アイランド部ＩＳは、前記蒸着用マスク１００の他面１０２と同一平面に配置され
る。よって、前記アイランド部ＩＳは、前記蒸着用マスク１００の他面１０２において非
有効部ＵＡの少なくとも一部分と厚さが同一であってもよい。具体的に、前記アイランド
部ＩＳは、前記蒸着用マスク１００の他面１０２において非有効部のうちエッチングされ
ない部分と厚さが同一であってもよい。よって、前記蒸着用マスク１００を通じてサブピ
クセルの蒸着均一性を向上させることができる。
る。よって、前記アイランド部ＩＳは、前記蒸着用マスク１００の他面１０２において非
有効部ＵＡの少なくとも一部分と厚さが同一であってもよい。具体的に、前記アイランド
部ＩＳは、前記蒸着用マスク１００の他面１０２において非有効部のうちエッチングされ
ない部分と厚さが同一であってもよい。よって、前記蒸着用マスク１００を通じてサブピ
クセルの蒸着均一性を向上させることができる。
【0180】
または、前記アイランド部ＩＳは、前記蒸着用マスク１００の他面１０２と平行した平
面に配置される。ここで、平行した平面とは、前記アイランド部ＩＳ周囲のエッチング工
程によってアイランド部ＩＳが配置される蒸着用マスク１００の他面１０２と非有効部の
うちエッチングされていない蒸着用マスク１００の他面１０２の高さの段差が±１μｍ以
下であるものを含むことができる。
面に配置される。ここで、平行した平面とは、前記アイランド部ＩＳ周囲のエッチング工
程によってアイランド部ＩＳが配置される蒸着用マスク１００の他面１０２と非有効部の
うちエッチングされていない蒸着用マスク１００の他面１０２の高さの段差が±１μｍ以
下であるものを含むことができる。
【0181】
前記アイランド部ＩＳは、多角形形状を有することができる。または、前記アイランド
部ＩＳは、曲線図形形状を有することができる。即ち、蒸着用マスク１００の他面１０２
において平面で見る時、前記アイランド部ＩＳは、多角形または曲線図形形状を有するこ
とができる。
部ＩＳは、曲線図形形状を有することができる。即ち、蒸着用マスク１００の他面１０２
において平面で見る時、前記アイランド部ＩＳは、多角形または曲線図形形状を有するこ
とができる。
【0182】
例えば、前記アイランド部ＩＳの上部面は、多角形または曲線図形形状を有することが
できる。即ち、前記アイランド部ＩＳは、多角形または曲線図形形態の平面形状を有する
ことができる。曲線図形形状とは、複数の辺及び内角を有する多角形であり、少なくとも
１つの辺が曲線を有する形態を意味することができる。例えば、平面から見た時、前記ア
イランド部ＩＳは、複数の曲線を含み、前記曲線が連結された曲線図形形状を有すること
ができる。即ち、前記アイランド部ＩＳの上面は、大面積孔Ｖ２を形成するエッチング工
程によって多角形形状または曲線図形形状を有することができる。
できる。即ち、前記アイランド部ＩＳは、多角形または曲線図形形態の平面形状を有する
ことができる。曲線図形形状とは、複数の辺及び内角を有する多角形であり、少なくとも
１つの辺が曲線を有する形態を意味することができる。例えば、平面から見た時、前記ア
イランド部ＩＳは、複数の曲線を含み、前記曲線が連結された曲線図形形状を有すること
ができる。即ち、前記アイランド部ＩＳの上面は、大面積孔Ｖ２を形成するエッチング工
程によって多角形形状または曲線図形形状を有することができる。
【0183】
前記蒸着用マスク１００は、前記有効領域ＡＡ１、ＡＡ２、ＡＡ３を取り囲んで配置さ
れ、前記有効領域ＡＡ１、ＡＡ２、ＡＡ３の外縁に配置される外縁領域ＯＡ１、ＯＡ２、
ＯＡ３を含むことができる。前記有効領域ＡＡは、複数の貫通ホールのうち有機物質を蒸
着するための最外縁に位置した貫通ホールの外縁を連結した時の内側領域であってもよい
。
れ、前記有効領域ＡＡ１、ＡＡ２、ＡＡ３の外縁に配置される外縁領域ＯＡ１、ＯＡ２、
ＯＡ３を含むことができる。前記有効領域ＡＡは、複数の貫通ホールのうち有機物質を蒸
着するための最外縁に位置した貫通ホールの外縁を連結した時の内側領域であってもよい
。
【0184】
前記非有効部ＵＡは、複数の貫通ホールのうち有機物質を蒸着するための最外縁に位置
した貫通ホールの外縁を連結した時の外側領域であってもよい。例えば、前記非有効部Ｕ
Ａは、前記外縁領域ＯＡで最外縁に位置した貫通ホールの外縁を連結した時の外側領域で
あってもよい。
した貫通ホールの外縁を連結した時の外側領域であってもよい。例えば、前記非有効部Ｕ
Ａは、前記外縁領域ＯＡで最外縁に位置した貫通ホールの外縁を連結した時の外側領域で
あってもよい。
【0185】
前記非有効部ＵＡは、前記蒸着領域ＤＡの有効領域ＡＡ１、ＡＡ２、ＡＡ３、前記有効
領域を取り囲む外縁領域ＯＡ１、ＯＡ２、ＯＡ３を含む有効部を除いた領域及び前記非蒸
着領域ＮＤＡである。前記第１有効領域ＡＡ１は、第１外縁領域ＯＡ１内に位置すること
ができる。前記第１有効領域ＡＡ１は、蒸着物質を形成するための複数の貫通ホールＴＨ
を含むことができる。前記第１有効領域ＡＡ１の外縁を取り囲む前記第１外縁領域ＯＡ１
は、複数の貫通ホールを含むことができる。
領域を取り囲む外縁領域ＯＡ１、ＯＡ２、ＯＡ３を含む有効部を除いた領域及び前記非蒸
着領域ＮＤＡである。前記第１有効領域ＡＡ１は、第１外縁領域ＯＡ１内に位置すること
ができる。前記第１有効領域ＡＡ１は、蒸着物質を形成するための複数の貫通ホールＴＨ
を含むことができる。前記第１有効領域ＡＡ１の外縁を取り囲む前記第１外縁領域ＯＡ１
は、複数の貫通ホールを含むことができる。
【0186】
例えば、前記第１外縁領域ＯＡ１に含まれる複数の貫通ホールは、前記第１有効領域Ａ
Ａ１の最外縁に位置した貫通ホールＴＨのエッチング不良を減少させるためのものである
。よって、実施例に係る蒸着用マスク１００は、有効領域ＡＡ１、ＡＡ２、ＡＡ３に位置
した複数の貫通ホールＴＨの均一性を向上させることができ、これによって製造される蒸
着パターンの品質を向上させることができる。
Ａ１の最外縁に位置した貫通ホールＴＨのエッチング不良を減少させるためのものである
。よって、実施例に係る蒸着用マスク１００は、有効領域ＡＡ１、ＡＡ２、ＡＡ３に位置
した複数の貫通ホールＴＨの均一性を向上させることができ、これによって製造される蒸
着パターンの品質を向上させることができる。
【0187】
また、前記第１有効領域ＡＡ１の貫通ホールＴＨの形状は、前記第１外縁領域ＯＡ１貫
通ホールの形状と対応することができる。よって、前記第１有効領域ＡＡ１に含まれた貫
通ホールＴＨの均一性を向上させることができる。
通ホールの形状と対応することができる。よって、前記第１有効領域ＡＡ１に含まれた貫
通ホールＴＨの均一性を向上させることができる。
【0188】
一例として、前記第１有効領域ＡＡ１の貫通ホールＴＨの形状及び前記第１外縁領域Ｏ
Ａ１貫通ホールの形状は、円形を有することができる。なお、実施例はこれに制限される
ものではなく、前記貫通ホールＴＨは、ダイヤモンドパターン、楕円形パターン等多様な
形状を有することができる。
Ａ１貫通ホールの形状は、円形を有することができる。なお、実施例はこれに制限される
ものではなく、前記貫通ホールＴＨは、ダイヤモンドパターン、楕円形パターン等多様な
形状を有することができる。
【0189】
前記第２有効領域ＡＡ２は、第２外縁領域ＯＡ２内に位置することができる。前記第２
有効領域ＡＡ２は、前記第１有効領域ＡＡ１と対応する形状を有することができる。前記
第２外縁領域ＯＡ２は、前記第１外縁領域ＯＡ１と対応する形状を有することができる。
有効領域ＡＡ２は、前記第１有効領域ＡＡ１と対応する形状を有することができる。前記
第２外縁領域ＯＡ２は、前記第１外縁領域ＯＡ１と対応する形状を有することができる。
【0190】
前記第２外縁領域ＯＡ２は、前記第２有効領域ＡＡ２の最外縁に位置した貫通ホールか
ら水平方向及び垂直方向にそれぞれ２つの貫通ホールをさらに含むことができる。例えば
、前記第２外縁領域ＯＡ２は、前記第２有効領域ＡＡ２の最外縁に位置した貫通ホールの
上部及び下部の位置にそれぞれ２つの貫通ホールが水平方向に一列に配置される。
ら水平方向及び垂直方向にそれぞれ２つの貫通ホールをさらに含むことができる。例えば
、前記第２外縁領域ＯＡ２は、前記第２有効領域ＡＡ２の最外縁に位置した貫通ホールの
上部及び下部の位置にそれぞれ２つの貫通ホールが水平方向に一列に配置される。
【0191】
例えば、前記第２外縁領域ＯＡ２は、前記第２有効領域ＡＡ２の最外縁に位置した貫通
ホールの左側及び右側にそれぞれ２つの貫通ホールが垂直方向に一列に配置される。前記
第２外縁領域ＯＡ２に含まれる複数の貫通ホールは、有効部の最外縁に位置した貫通ホー
ルのエッチング不良を減少させるためのものである。よって、実施例に係る蒸着用マスク
は、有効部に位置した複数の貫通ホールの均一性を向上させることができ、これによって
製造される蒸着パターンの品質を向上させることができる。
ホールの左側及び右側にそれぞれ２つの貫通ホールが垂直方向に一列に配置される。前記
第２外縁領域ＯＡ２に含まれる複数の貫通ホールは、有効部の最外縁に位置した貫通ホー
ルのエッチング不良を減少させるためのものである。よって、実施例に係る蒸着用マスク
は、有効部に位置した複数の貫通ホールの均一性を向上させることができ、これによって
製造される蒸着パターンの品質を向上させることができる。
【0192】
前記第３有効領域ＡＡ３は、第３外縁領域ＯＡ３内に含まれる。前記第３有効領域ＡＡ
３は、蒸着物質を形成するための複数の貫通ホールを含むことができる。前記第３有効領
域ＡＡ３の外縁を取り囲む前記第３外縁領域ＯＡ３は、複数の貫通ホールを含むことがで
きる。
３は、蒸着物質を形成するための複数の貫通ホールを含むことができる。前記第３有効領
域ＡＡ３の外縁を取り囲む前記第３外縁領域ＯＡ３は、複数の貫通ホールを含むことがで
きる。
【0193】
前記第３有効領域ＡＡ３は、前記第１有効領域ＡＡ１と対応する形状を有することがで
きる。前記第３外縁領域ＯＡ３は、前記第１外縁領域ＯＡ１と対応する形状を有すること
ができる。
きる。前記第３外縁領域ＯＡ３は、前記第１外縁領域ＯＡ１と対応する形状を有すること
ができる。
【0194】
また、前記有効領域ＡＡ１、ＡＡ２、ＡＡ３に含まれた貫通ホールＴＨは、前記外縁領
域ＯＡ１、ＯＡ２、ＯＡ３に含まれた貫通ホールと部分的に対応する形状を有することが
できる。一例として、前記有効領域ＡＡ１、ＡＡ２、ＡＡ３に含まれた貫通ホールは、前
記外縁領域ＯＡ１、ＯＡ２、ＯＡ３のエッジ部に位置した貫通ホールと異なる形状を含む
ことができる。よって、蒸着用マスク１００の位置に応じた応力の差を調節することがで
きる。
域ＯＡ１、ＯＡ２、ＯＡ３に含まれた貫通ホールと部分的に対応する形状を有することが
できる。一例として、前記有効領域ＡＡ１、ＡＡ２、ＡＡ３に含まれた貫通ホールは、前
記外縁領域ＯＡ１、ＯＡ２、ＯＡ３のエッジ部に位置した貫通ホールと異なる形状を含む
ことができる。よって、蒸着用マスク１００の位置に応じた応力の差を調節することがで
きる。
【0195】
【0196】
図１８及び図１９は、実施例に係る蒸着用マスク１００の第１有効領域ＡＡ１、第２有
効領域ＡＡ２及び第３有効領域ＡＡ３のうちいずれか１つの平面図であってもよい。また
、図１８及び図１９は、貫通ホールＴＨの形状及び前記貫通ホールＴＨの間の配列を説明
するためのものとして、実施例に係る蒸着用マスク１００は、図面に図示された貫通ホー
ルＴＨの個数に限定されるものではない。
効領域ＡＡ２及び第３有効領域ＡＡ３のうちいずれか１つの平面図であってもよい。また
、図１８及び図１９は、貫通ホールＴＨの形状及び前記貫通ホールＴＨの間の配列を説明
するためのものとして、実施例に係る蒸着用マスク１００は、図面に図示された貫通ホー
ルＴＨの個数に限定されるものではない。
【0197】
図１８及び図１９を参照すると、前記蒸着用マスク１００は、複数の貫通ホールＴＨを
含むことができる。この時、前記貫通ホールＴＨは、方向に応じて一列に配置または相互
交錯して配置される。例えば、前記貫通ホールＴＨは、縦軸及び横軸において一列に配置
され、縦軸または横軸において一列に配置される。
含むことができる。この時、前記貫通ホールＴＨは、方向に応じて一列に配置または相互
交錯して配置される。例えば、前記貫通ホールＴＨは、縦軸及び横軸において一列に配置
され、縦軸または横軸において一列に配置される。
【0198】
図１８及び図１９を参照すると、前記蒸着用マスク１００は、複数の貫通ホールＴＨを
含むことができる。この時、前記複数の貫通ホールＴＨは、円形形状を有することができ
る。具体的に、前記貫通ホールＴＨの水平方向の粒子径Ｃｘと垂直方向の粒子径Ｃｙは対
応することができる。
含むことができる。この時、前記複数の貫通ホールＴＨは、円形形状を有することができ
る。具体的に、前記貫通ホールＴＨの水平方向の粒子径Ｃｘと垂直方向の粒子径Ｃｙは対
応することができる。
【0199】
前記貫通ホールＴＨは、方向に応じて一列に配置される。例えば、前記貫通ホールＴＨ
は、縦軸及び横軸において一列に配置される。
は、縦軸及び横軸において一列に配置される。
【0200】
具体的に、第１貫通ホールＴＨ１及び第２貫通ホールＴＨ２は横軸において一列に配置
され、第３貫通ホールＴＨ３及び第４貫通ホールＴＨ４は横軸において一列に配置される
。
され、第３貫通ホールＴＨ３及び第４貫通ホールＴＨ４は横軸において一列に配置される
。
【0201】
また、第１貫通ホールＴＨ１及び第３貫通ホールＴＨ３は縦軸において一列に配置され
、第２貫通ホールＴＨ２及び第４貫通ホールＴＨ４は横軸において一列に配置される。
、第２貫通ホールＴＨ２及び第４貫通ホールＴＨ４は横軸において一列に配置される。
【0202】
即ち、貫通ホールＴＨが縦軸及び横軸においてそれぞれ一列に配置される場合には、縦
軸及び横軸の両方とも交差する方向である対角方向に隣接した２つの貫通ホールＴＨの間
にアイランド部ＩＳが位置することができる。即ち、相互対角線方向に位置した２つの隣
接した貫通ホールＴＨの間にはアイランド部ＩＳが位置することができる。
軸及び横軸の両方とも交差する方向である対角方向に隣接した２つの貫通ホールＴＨの間
にアイランド部ＩＳが位置することができる。即ち、相互対角線方向に位置した２つの隣
接した貫通ホールＴＨの間にはアイランド部ＩＳが位置することができる。
【0203】
例えば、第１貫通ホールＴＨ１及び第４貫通ホールＴＨ４の間にはアイランド部ＩＳが
配置される。また、第２貫通ホールＴＨ２及び第３貫通ホールＴＨ３の間にはアイランド
部ＩＳが配置される。隣接した２つの貫通ホールを横切る横軸を基準として、略＋４５度
前後の傾斜角方向及び略－４５度前後の傾斜角方向にアイランド部ＩＳがそれぞれ位置す
ることができる。ここで、略±４５前後の傾斜角方向は、横軸と縦軸の間の対角方向を意
味することができ、前記対角方向の傾斜角は、横軸及び縦軸の同一平面で測定したもので
ある。
配置される。また、第２貫通ホールＴＨ２及び第３貫通ホールＴＨ３の間にはアイランド
部ＩＳが配置される。隣接した２つの貫通ホールを横切る横軸を基準として、略＋４５度
前後の傾斜角方向及び略－４５度前後の傾斜角方向にアイランド部ＩＳがそれぞれ位置す
ることができる。ここで、略±４５前後の傾斜角方向は、横軸と縦軸の間の対角方向を意
味することができ、前記対角方向の傾斜角は、横軸及び縦軸の同一平面で測定したもので
ある。
【0204】
また、図１９を参照すると、実施例に係る別の蒸着用マスク１００は、複数の貫通ホー
ルを含むことができる。この時、複数の貫通ホールは、楕円形形状を有することができる
。具体的に、前記貫通ホールＴＨの水平方向の粒子径Ｃｘと垂直方向の粒子径Ｃｙは、異
なってもよい。例えば、貫通ホールの水平方向の粒子径Ｃｘは、垂直方向の粒子径Ｃｙよ
り大きい。なお、実施例はこれに制限されるものではなく、貫通ホールは長方形形状また
は八角形形状またはラウンドを有する八角形形状を有することができる。
ルを含むことができる。この時、複数の貫通ホールは、楕円形形状を有することができる
。具体的に、前記貫通ホールＴＨの水平方向の粒子径Ｃｘと垂直方向の粒子径Ｃｙは、異
なってもよい。例えば、貫通ホールの水平方向の粒子径Ｃｘは、垂直方向の粒子径Ｃｙよ
り大きい。なお、実施例はこれに制限されるものではなく、貫通ホールは長方形形状また
は八角形形状またはラウンドを有する八角形形状を有することができる。
【0205】
前記貫通ホールＴＨは、縦軸または横軸のうちいずれか１つの軸において一列に配置さ
れ、他の１つの軸において交錯して配置される。
れ、他の１つの軸において交錯して配置される。
【0206】
具体的に、第１貫通ホールＴＨ１及び第２貫通ホールＴＨ２は横軸において一列に配置
され、第３貫通ホールＴＨ３及び第４貫通ホールＴＨ４は第１貫通ホールＴＨ１及び第２
貫通ホールＴＨ２とそれぞれ縦軸において交錯して配置される。
され、第３貫通ホールＴＨ３及び第４貫通ホールＴＨ４は第１貫通ホールＴＨ１及び第２
貫通ホールＴＨ２とそれぞれ縦軸において交錯して配置される。
【0207】
前記貫通ホールＴＨが縦軸または横軸のうちいずれか１つの方向に一列に配置され、他
の１つの方向に交錯して配置される場合には、縦軸または横軸のうち他の１つの方向への
隣接した２つの貫通ホールＴＨ１、ＴＨ２の間にアイランド部ＩＳが位置することができ
る。または、相互隣接するように位置した３つの貫通ホールＴＨ１、ＴＨ２、ＴＨ３の間
にアイランド部ＩＳが位置することができる。隣接した３つの貫通ホールＴＨ１、ＴＨ２
、ＴＨ３のうち２つの貫通ホールＴＨ１、ＴＨ２は一列に配置される貫通ホールであり、
残りの１つの貫通ホールＴＨ３は、前記一列方向と対応する方向の隣接した位置で、前記
２つの貫通ホールＴＨ１、ＴＨ２の間の領域に配置される貫通ホールを意味することがで
きる。第１貫通ホールＴＨ１、第２貫通ホールＴＨ２及び第３貫通ホールＴＨ３の間には
アイランド部ＩＳが配置される。または、第２貫通ホールＴＨ２、第３貫通ホールＴＨ３
及び第４貫通ホールＴＨ４の間にはアイランド部ＩＳが配置される。
の１つの方向に交錯して配置される場合には、縦軸または横軸のうち他の１つの方向への
隣接した２つの貫通ホールＴＨ１、ＴＨ２の間にアイランド部ＩＳが位置することができ
る。または、相互隣接するように位置した３つの貫通ホールＴＨ１、ＴＨ２、ＴＨ３の間
にアイランド部ＩＳが位置することができる。隣接した３つの貫通ホールＴＨ１、ＴＨ２
、ＴＨ３のうち２つの貫通ホールＴＨ１、ＴＨ２は一列に配置される貫通ホールであり、
残りの１つの貫通ホールＴＨ３は、前記一列方向と対応する方向の隣接した位置で、前記
２つの貫通ホールＴＨ１、ＴＨ２の間の領域に配置される貫通ホールを意味することがで
きる。第１貫通ホールＴＨ１、第２貫通ホールＴＨ２及び第３貫通ホールＴＨ３の間には
アイランド部ＩＳが配置される。または、第２貫通ホールＴＨ２、第３貫通ホールＴＨ３
及び第４貫通ホールＴＨ４の間にはアイランド部ＩＳが配置される。
【0208】
また、実施例に係る蒸着用マスク１００において任意のいずれか１つの貫通ホールであ
る基準ホールの水平方向の粒子径Ｃｘと垂直方向の粒子径Ｃｙを測定する場合、前記基準
ホールに隣接する貫通ホールＴＨの間のそれぞれの水平方向の粒子径Ｃｘの間の偏差と、
垂直方向の粒子径Ｃｙの間の偏差は略２％～略１０％に具現することができる。即ち、１
つの基準ホールの隣接ホールの間の大きさの偏差を略２％～略１０％に具現する場合には
、蒸着の均一度を確保することができる。例えば、前記基準ホールと前記隣接ホールの間
の大きさの偏差は略４％～略９％を有することができる。
る基準ホールの水平方向の粒子径Ｃｘと垂直方向の粒子径Ｃｙを測定する場合、前記基準
ホールに隣接する貫通ホールＴＨの間のそれぞれの水平方向の粒子径Ｃｘの間の偏差と、
垂直方向の粒子径Ｃｙの間の偏差は略２％～略１０％に具現することができる。即ち、１
つの基準ホールの隣接ホールの間の大きさの偏差を略２％～略１０％に具現する場合には
、蒸着の均一度を確保することができる。例えば、前記基準ホールと前記隣接ホールの間
の大きさの偏差は略４％～略９％を有することができる。
【0209】
例えば、前記基準ホールと前記隣接ホールの間の大きさの偏差は略５％～略７％を有す
ることができる。例えば、前記基準ホールと前記隣接ホールの間の大きさの偏差は略２％
～略５％を有することができる。前記基準ホールと前記隣接ホールの間の大きさの偏差が
略２％未満である場合には、蒸着後のＯＬＥＤパネルにおいてモアレ発生率が高くなる。
前記基準ホールと前記隣接ホールの間の大きさの偏差が略１０％を超過する場合、蒸着後
のＯＬＥＤパネルにおいて色ムラの発生率が高くなる。前記貫通ホールの粒子径の平均偏
差は±５μｍであってもよい。例えば、前記貫通ホールの粒子径の平均偏差は±３μｍで
あってもよい。例えば、前記貫通ホールの粒子径の平均偏差は±１μｍであってもよい。
実施例は、前記基準ホールと前記隣接ホールの間の大きさの偏差を±３μｍ以内で具現す
ることで、蒸着効率を向上させることができる。
ることができる。例えば、前記基準ホールと前記隣接ホールの間の大きさの偏差は略２％
～略５％を有することができる。前記基準ホールと前記隣接ホールの間の大きさの偏差が
略２％未満である場合には、蒸着後のＯＬＥＤパネルにおいてモアレ発生率が高くなる。
前記基準ホールと前記隣接ホールの間の大きさの偏差が略１０％を超過する場合、蒸着後
のＯＬＥＤパネルにおいて色ムラの発生率が高くなる。前記貫通ホールの粒子径の平均偏
差は±５μｍであってもよい。例えば、前記貫通ホールの粒子径の平均偏差は±３μｍで
あってもよい。例えば、前記貫通ホールの粒子径の平均偏差は±１μｍであってもよい。
実施例は、前記基準ホールと前記隣接ホールの間の大きさの偏差を±３μｍ以内で具現す
ることで、蒸着効率を向上させることができる。
【0210】
図１８及び図１９のアイランド部ＩＳは、有効領域ＡＡの大面積孔Ｖ２が形成される蒸
着用マスク１００の他面において、貫通ホールＴＨの間のエッチングされない面を意味す
ることができる。具体的に、アイランド部ＩＳは、蒸着用マスクの有効領域ＡＡにおいて
、大面積孔内に位置した第２内側面ＥＳ２及び貫通ホールＴＨを除いたエッチングされな
い蒸着用マスク１００の他面であってもよい。実施例の蒸着用マスク１００は、４００PP
I以上、詳しくは４００PPI～８００PPI以上の解像度を有する高解像度ないし超高解像度
のＯＬＥＤ画素を蒸着するためのものであってもよい。
着用マスク１００の他面において、貫通ホールＴＨの間のエッチングされない面を意味す
ることができる。具体的に、アイランド部ＩＳは、蒸着用マスクの有効領域ＡＡにおいて
、大面積孔内に位置した第２内側面ＥＳ２及び貫通ホールＴＨを除いたエッチングされな
い蒸着用マスク１００の他面であってもよい。実施例の蒸着用マスク１００は、４００PP
I以上、詳しくは４００PPI～８００PPI以上の解像度を有する高解像度ないし超高解像度
のＯＬＥＤ画素を蒸着するためのものであってもよい。
【0211】
例えば、実施例の蒸着用マスク１００は、４００PPI以上の解像度を有するＦｕｌｌ‐
ＨＤ(High Definition)の高解像度を有する蒸着パターンを形成するためのものであって
もよい。例えば、実施例の蒸着用マスク１００は、水平方向及び垂直方向における画素数
が１９２０＊１０８０以上であり、４００PPI以上の解像度であるＯＬＥＤ画素を蒸着す
るためのものであってもよい。即ち、実施例の蒸着用マスク１００に含まれた１つの有効
領域は、解像度１９２０＊１０８０以上のピクセル数を形成するためのものであってもよ
い。
ＨＤ(High Definition)の高解像度を有する蒸着パターンを形成するためのものであって
もよい。例えば、実施例の蒸着用マスク１００は、水平方向及び垂直方向における画素数
が１９２０＊１０８０以上であり、４００PPI以上の解像度であるＯＬＥＤ画素を蒸着す
るためのものであってもよい。即ち、実施例の蒸着用マスク１００に含まれた１つの有効
領域は、解像度１９２０＊１０８０以上のピクセル数を形成するためのものであってもよ
い。
【0212】
例えば、実施例の蒸着用マスク１００は、５００PPI以上の解像度を有するＱＨＤ(Quad
High Definition)の高解像度を有する蒸着パターンを形成するためのものであってもよ
い。例えば、実施例の蒸着用マスク１００は、水平方向及び垂直方向における画素数が２
５６０＊１４４０以上であり、５３０PPI以上の解像度であるＯＬＥＤ画素を蒸着するた
めのものであってもよい。実施例の蒸着用マスク１００を通じて、インチ当たりのピクセ
ル数は５．５インチＯＬＥＤパネルを基準として５３０PPI以上であってもよい。即ち、
実施例の蒸着用マスク１００に含まれた１つの有効領域は、解像度２５６０＊１４４０以
上のピクセル数を形成するためのものであってもよい。
High Definition)の高解像度を有する蒸着パターンを形成するためのものであってもよ
い。例えば、実施例の蒸着用マスク１００は、水平方向及び垂直方向における画素数が２
５６０＊１４４０以上であり、５３０PPI以上の解像度であるＯＬＥＤ画素を蒸着するた
めのものであってもよい。実施例の蒸着用マスク１００を通じて、インチ当たりのピクセ
ル数は５．５インチＯＬＥＤパネルを基準として５３０PPI以上であってもよい。即ち、
実施例の蒸着用マスク１００に含まれた１つの有効領域は、解像度２５６０＊１４４０以
上のピクセル数を形成するためのものであってもよい。
【0213】
例えば、実施例の蒸着用マスク１００は、７００PPI以上の解像度を有するＵＨＤ(Ultr
a High Definition)の超高解像度を有する蒸着パターンを形成するためのものであっても
よい。例えば、実施例の蒸着用マスク１００は、水平方向及び垂直方向における画素数が
３８４０＊２１６０以上であり、７９４PPI以上のＯＬＥＤ画素を蒸着するためのＵＨＤ(
Ultra High Definition)級の解像度を有する蒸着パターンを形成するためのものであって
もよい。
a High Definition)の超高解像度を有する蒸着パターンを形成するためのものであっても
よい。例えば、実施例の蒸着用マスク１００は、水平方向及び垂直方向における画素数が
３８４０＊２１６０以上であり、７９４PPI以上のＯＬＥＤ画素を蒸着するためのＵＨＤ(
Ultra High Definition)級の解像度を有する蒸着パターンを形成するためのものであって
もよい。
【0214】
前記貫通ホールＴＨの粒子径は、前記連通部ＣＡの間の幅であってもよい。具体的に、
前記貫通ホールＴＨの粒子径は、小面積孔Ｖ１内のエッチング面の終端と大面積孔Ｖ２内
のエッチング面の終端が会う地点で測定することができる。前記貫通ホールＴＨの粒子径
の測定方向は、水平方向、垂直方向、対角方向のうちいずれか１つであってもよい。水平
方向で測定された前記貫通ホールＴＨの粒子径は、３３μｍ以下を有することができる。
または、水平方向で測定された前記貫通ホールＴＨの粒子径は、３３μｍ以下を有するこ
とができる。または、前記貫通ホールＴＨの粒子径は、水平方向、垂直方向、対角方向で
それぞれ測定した値の平均値であってもよい。
前記貫通ホールＴＨの粒子径は、小面積孔Ｖ１内のエッチング面の終端と大面積孔Ｖ２内
のエッチング面の終端が会う地点で測定することができる。前記貫通ホールＴＨの粒子径
の測定方向は、水平方向、垂直方向、対角方向のうちいずれか１つであってもよい。水平
方向で測定された前記貫通ホールＴＨの粒子径は、３３μｍ以下を有することができる。
または、水平方向で測定された前記貫通ホールＴＨの粒子径は、３３μｍ以下を有するこ
とができる。または、前記貫通ホールＴＨの粒子径は、水平方向、垂直方向、対角方向で
それぞれ測定した値の平均値であってもよい。
【0215】
これによって、実施例に係る蒸着用マスク１００は、ＱＨＤ級の解像度を具現すること
ができる。例えば、前記貫通ホールＴＨの粒子径は、略１５μｍ～略３３μｍを有するこ
とができる。例えば、前記貫通ホールＴＨの粒子径は、略１９μｍ～略３３μｍを有する
ことができる。例えば、前記貫通ホールＴＨの粒子径は、略２０μｍ～略２７μｍを有す
ることができる。前記貫通ホールＴＨの粒子径が略３３μｍを超過する場合には、５００
PPI級以上の解像度を具現することが困難となる。一方、前記貫通ホールＴＨの粒子径が
略１５μｍ未満である場合には、蒸着不良が発生する可能性がある。
ができる。例えば、前記貫通ホールＴＨの粒子径は、略１５μｍ～略３３μｍを有するこ
とができる。例えば、前記貫通ホールＴＨの粒子径は、略１９μｍ～略３３μｍを有する
ことができる。例えば、前記貫通ホールＴＨの粒子径は、略２０μｍ～略２７μｍを有す
ることができる。前記貫通ホールＴＨの粒子径が略３３μｍを超過する場合には、５００
PPI級以上の解像度を具現することが困難となる。一方、前記貫通ホールＴＨの粒子径が
略１５μｍ未満である場合には、蒸着不良が発生する可能性がある。
【0216】
図１８及び図１９を参照すると、水平方向において複数の貫通ホールのうち隣接した２
つの貫通ホールＴＨの間の間隔(pitch)は、略４８μｍ以下を有することができる。例え
ば、水平方向において複数の貫通ホールＴＨのうち隣接した２つの貫通ホールＴＨの間の
間隔(pitch)は、略２０μｍ～略４８μｍを有することができる。
つの貫通ホールＴＨの間の間隔(pitch)は、略４８μｍ以下を有することができる。例え
ば、水平方向において複数の貫通ホールＴＨのうち隣接した２つの貫通ホールＴＨの間の
間隔(pitch)は、略２０μｍ～略４８μｍを有することができる。
【0217】
例えば、水平方向において複数の貫通ホールＴＨのうち隣接した２つの貫通ホールＴＨ
の間の間隔(pitch)は、略３０μｍ～略３５μｍを有することができる。ここで、前記間
隔は、水平方向において２つの隣接した第１貫通ホールＴＨ１の中心と第２貫通ホールＴ
Ｈ２の中心の間の間隔Ｐ１を意味することができる。これとは違って、前記間隔は、水平
方向において２つの隣接した第１アイランド部の中心と第２アイランド部の中心の間の間
隔Ｐ２を意味することができる。ここで、アイランド部ＩＳの中心は、水平方向及び垂直
方向において隣接した４つの貫通ホールＴＨの間のエッチングされていない他面における
中心であってもよい。
の間の間隔(pitch)は、略３０μｍ～略３５μｍを有することができる。ここで、前記間
隔は、水平方向において２つの隣接した第１貫通ホールＴＨ１の中心と第２貫通ホールＴ
Ｈ２の中心の間の間隔Ｐ１を意味することができる。これとは違って、前記間隔は、水平
方向において２つの隣接した第１アイランド部の中心と第２アイランド部の中心の間の間
隔Ｐ２を意味することができる。ここで、アイランド部ＩＳの中心は、水平方向及び垂直
方向において隣接した４つの貫通ホールＴＨの間のエッチングされていない他面における
中心であってもよい。
【0218】
例えば、アイランド部ＩＳの中心は、水平方向において隣接した２つの第１貫通ホール
ＴＨ１及び第２貫通ホールＴＨ２を基準として、前記第１貫通ホールＴＨ１と垂直方向に
おいて隣接した第３貫通ホールＴＨ３及び前記第２貫通ホールＴＨ２と垂直方向において
隣接した第４貫通ホールＴＨ４の間の領域に位置した１つのアイランド部ＩＳのエッジを
つなぐ横軸とエッジをつなぐ縦軸が交差する地点を意味することができる。
ＴＨ１及び第２貫通ホールＴＨ２を基準として、前記第１貫通ホールＴＨ１と垂直方向に
おいて隣接した第３貫通ホールＴＨ３及び前記第２貫通ホールＴＨ２と垂直方向において
隣接した第４貫通ホールＴＨ４の間の領域に位置した１つのアイランド部ＩＳのエッジを
つなぐ横軸とエッジをつなぐ縦軸が交差する地点を意味することができる。
【0219】
また、図１８及び図１９を参照すると、水平方向において複数の貫通ホールのうち隣接
した２つの貫通ホールＴＨの間の間隔(pitch)は、略４８μｍ以下を有することができる
。例えば、水平方向において複数の貫通ホールＴＨのうち隣接した２つの貫通ホールＴＨ
の間の間隔(pitch)は、略２０μｍ～略４８μｍを有することができる。
した２つの貫通ホールＴＨの間の間隔(pitch)は、略４８μｍ以下を有することができる
。例えば、水平方向において複数の貫通ホールＴＨのうち隣接した２つの貫通ホールＴＨ
の間の間隔(pitch)は、略２０μｍ～略４８μｍを有することができる。
【0220】
例えば、水平方向において複数の貫通ホールＴＨのうち隣接した２つの貫通ホールＴＨ
の間の間隔(pitch)は、略３０μｍ～略３５μｍを有することができる。ここで、前記間
隔は、水平方向において２つの隣接した第１貫通ホールＴＨ１の中心と第２貫通ホールＴ
Ｈ２の中心の間の間隔Ｐ１を意味することができる。
の間の間隔(pitch)は、略３０μｍ～略３５μｍを有することができる。ここで、前記間
隔は、水平方向において２つの隣接した第１貫通ホールＴＨ１の中心と第２貫通ホールＴ
Ｈ２の中心の間の間隔Ｐ１を意味することができる。
【0221】
また、前記間隔は、水平方向において２つの隣接した第１アイランド部の中心と第２ア
イランド部の中心の間の間隔Ｐ２を意味することができる。ここで、アイランド部ＩＳの
中心は、１つの貫通ホールと垂直方向において隣接した２つの貫通ホールの間のエッチン
グされていない他面における中心であってもよい。
イランド部の中心の間の間隔Ｐ２を意味することができる。ここで、アイランド部ＩＳの
中心は、１つの貫通ホールと垂直方向において隣接した２つの貫通ホールの間のエッチン
グされていない他面における中心であってもよい。
【0222】
または、ここで、アイランド部ＩＳの中心は、２つの貫通ホールと垂直方向において隣
接した１つの貫通ホールの間のエッチングされていない他面における中心であってもよい
。即ち、アイランド部ＩＳの中心は、隣接した３つの貫通ホールの間のエッチングされて
いない他面における中心であり、隣接した３つの貫通ホールとは、その中心をつないだ時
三角形形状を形成できることを意味することができる。
接した１つの貫通ホールの間のエッチングされていない他面における中心であってもよい
。即ち、アイランド部ＩＳの中心は、隣接した３つの貫通ホールの間のエッチングされて
いない他面における中心であり、隣接した３つの貫通ホールとは、その中心をつないだ時
三角形形状を形成できることを意味することができる。
【0223】
前記貫通ホールＴＨの粒子径の測定方向と隣接した２つの貫通ホールＴＨの間の間隔の
測定方向は、同一であってもよい。前記貫通ホールＴＨの間隔は、水平方向または垂直方
向において隣接した２つの貫通ホールＴＨの間の間隔を測定したものであってもよい。
測定方向は、同一であってもよい。前記貫通ホールＴＨの間隔は、水平方向または垂直方
向において隣接した２つの貫通ホールＴＨの間の間隔を測定したものであってもよい。
【0224】
即ち、実施例に係る蒸着用マスク１００は、４００PPI以上の解像度を有するＯＬＥＤ
画素を蒸着することができる。具体的に、実施例に係る蒸着用マスク１００は、貫通ホー
ルＴＨの粒子径が略３３０μｍ以下であり、前記貫通ホールＴＨの間の間隔(pitch)が略
４８０μｍ以下であることで、５００ＰＰＩ以上の解像度を有するＯＬＥＤ画素を蒸着す
ることができる。より具体的に、５００PPI以上の解像度を有する緑色有機物を蒸着する
ことができる。即ち、実施例に係る蒸着用マスク１００を利用してＱＨＤ級の解像度を具
現することができる。
画素を蒸着することができる。具体的に、実施例に係る蒸着用マスク１００は、貫通ホー
ルＴＨの粒子径が略３３０μｍ以下であり、前記貫通ホールＴＨの間の間隔(pitch)が略
４８０μｍ以下であることで、５００ＰＰＩ以上の解像度を有するＯＬＥＤ画素を蒸着す
ることができる。より具体的に、５００PPI以上の解像度を有する緑色有機物を蒸着する
ことができる。即ち、実施例に係る蒸着用マスク１００を利用してＱＨＤ級の解像度を具
現することができる。
【0225】
前記貫通ホールＴＨの粒子径及び前記貫通ホールＴＨの間の間隔は、緑色サブピクセル
を形成するための大きさであってもよい。例えば、前記貫通ホールＴＨの粒子径は、緑色
(G)パターンを基準として測定することができる。前記緑色（Ｇ）パターンは、視覚を通
じた認識率が低いので、赤色（Ｒ）パターン及び青色（Ｂ）パターンより多い数が要求さ
れ、前記貫通ホールＴＨの間の間隔が赤色（Ｒ）パターン及び青色（Ｂ）パターンより狭
い。前記蒸着用マスク１００は、ＱＨＤディスプレイピクセルを具現するためのＯＬＥＤ
蒸着用マスクであってもよい。
を形成するための大きさであってもよい。例えば、前記貫通ホールＴＨの粒子径は、緑色
(G)パターンを基準として測定することができる。前記緑色（Ｇ）パターンは、視覚を通
じた認識率が低いので、赤色（Ｒ）パターン及び青色（Ｂ）パターンより多い数が要求さ
れ、前記貫通ホールＴＨの間の間隔が赤色（Ｒ）パターン及び青色（Ｂ）パターンより狭
い。前記蒸着用マスク１００は、ＱＨＤディスプレイピクセルを具現するためのＯＬＥＤ
蒸着用マスクであってもよい。
【0226】
例えば、前記蒸着用マスク１００は、赤色（Ｒ）、第１緑色Ｇ１、青色（Ｂ）及び第２
緑色Ｇ２のうち少なくとも１つのサブピクセルを蒸着するためのものであってもよい。具
体的に、前記蒸着用マスク１００は、赤色（Ｒ）サブピクセルを蒸着するためのものであ
ってもよい。または、前記蒸着用マスク１００は、青色（Ｂ）サブピクセルを蒸着するた
めのものであってもよい。または、前記蒸着用マスク１００は、第１緑色Ｇ１サブピクセ
ル及び第２緑色Ｇ２サブピクセルを同時に形成するためのものであってもよい。
緑色Ｇ２のうち少なくとも１つのサブピクセルを蒸着するためのものであってもよい。具
体的に、前記蒸着用マスク１００は、赤色（Ｒ）サブピクセルを蒸着するためのものであ
ってもよい。または、前記蒸着用マスク１００は、青色（Ｂ）サブピクセルを蒸着するた
めのものであってもよい。または、前記蒸着用マスク１００は、第１緑色Ｇ１サブピクセ
ル及び第２緑色Ｇ２サブピクセルを同時に形成するためのものであってもよい。
【0227】
有機発光表示装置のピクセル配列は、「赤色（Ｒ）－第１緑色Ｇ１－青色（Ｂ）－第２
緑色Ｇ２」順（ＲＧＢＧ）に配置されてもよい。この場合、赤色（Ｒ）－第１緑色Ｇ１が
１つのピクセル（ＲＧ）をなすことができ、青色（Ｂ）－第２緑色Ｇ２が他の１つのピク
セル（ＢＧ）をなすことができる。このような配列の有機発光表示装置では、赤色発光有
機物及び青色発光有機物より緑色発光有機物の蒸着間隔が狭くなるので、本発明のような
形態の蒸着用マスク１００が必要となる。
緑色Ｇ２」順（ＲＧＢＧ）に配置されてもよい。この場合、赤色（Ｒ）－第１緑色Ｇ１が
１つのピクセル（ＲＧ）をなすことができ、青色（Ｂ）－第２緑色Ｇ２が他の１つのピク
セル（ＢＧ）をなすことができる。このような配列の有機発光表示装置では、赤色発光有
機物及び青色発光有機物より緑色発光有機物の蒸着間隔が狭くなるので、本発明のような
形態の蒸着用マスク１００が必要となる。
【0228】
また、実施例に係る蒸着用マスク１００は、貫通ホールＴＨの粒子径が水平方向におい
て略２０μｍ以下を有することができる。よって、実施例に係る蒸着用マスク１００は、
ＵＨＤ級の解像度を具現することができる。例えば、実施例に係る蒸着用マスク１００は
、前記貫通ホールＴＨの粒子径が略２０μｍ以下であり、前記貫通ホールの間の間隔が略
３２μｍ以下であることで、８００ＰＰＩ級の解像度を有するＯＬＥＤ画素を蒸着するこ
とができる。即ち、実施例に係る蒸着マスクを利用してＵＨＤ級の解像度を具現すること
ができる。
て略２０μｍ以下を有することができる。よって、実施例に係る蒸着用マスク１００は、
ＵＨＤ級の解像度を具現することができる。例えば、実施例に係る蒸着用マスク１００は
、前記貫通ホールＴＨの粒子径が略２０μｍ以下であり、前記貫通ホールの間の間隔が略
３２μｍ以下であることで、８００ＰＰＩ級の解像度を有するＯＬＥＤ画素を蒸着するこ
とができる。即ち、実施例に係る蒸着マスクを利用してＵＨＤ級の解像度を具現すること
ができる。
【0229】
前記貫通ホールの粒子径及び前記貫通ホールの間の間隔は、緑色サブピクセルを形成す
るための大きさであってもよい。前記蒸着用マスクは、ＵＨＤディスプレイピクセルを具
現するためのＯＬＥＤ蒸着マスクであってもよい。
るための大きさであってもよい。前記蒸着用マスクは、ＵＨＤディスプレイピクセルを具
現するためのＯＬＥＤ蒸着マスクであってもよい。
【0230】
【0231】
まず、図１８及び図１９のＡ－Ａ'方向における横断面を説明する。Ａ－Ａ'方向は、垂
直方向において隣接した２つの第１貫通ホールＴＨ１及び第３貫通ホールＴＨ３の間の中
心領域を横切る横断面である。即ち、Ａ－Ａ'方向における横断面は、貫通ホールＴＨを
含まなくてもよい。
直方向において隣接した２つの第１貫通ホールＴＨ１及び第３貫通ホールＴＨ３の間の中
心領域を横切る横断面である。即ち、Ａ－Ａ'方向における横断面は、貫通ホールＴＨを
含まなくてもよい。
【0232】
前記Ａ－Ａ'方向における横断面は、大面積孔内のエッチング面ＥＳ２及び大面積孔内
のエッチング面ＥＳ２の間にエッチングされない蒸着用マスクの他面であるアイランド部
ＩＳが位置することができる。よって、前記アイランド部ＩＳは、蒸着用マスクのエッチ
ングされない一面と平行な面を含むことができる。または、前記アイランド部ＩＳは、蒸
着用マスク１００のエッチングされない他面と同一または平行な面を含むことができる。
のエッチング面ＥＳ２の間にエッチングされない蒸着用マスクの他面であるアイランド部
ＩＳが位置することができる。よって、前記アイランド部ＩＳは、蒸着用マスクのエッチ
ングされない一面と平行な面を含むことができる。または、前記アイランド部ＩＳは、蒸
着用マスク１００のエッチングされない他面と同一または平行な面を含むことができる。
【0233】
次に、図１８及び図１９のＢ－Ｂ’方向における横断面を説明する。Ｂ－Ｂ’方向は、
水平方向において隣接した２つの第１貫通ホールＴＨ１及び第２貫通ホールＴＨ２のそれ
ぞれの中心を横切る横断面である。即ち、Ｂ－Ｂ’方向における横断面は、複数の貫通ホ
ールＴＨを含むことができる。
水平方向において隣接した２つの第１貫通ホールＴＨ１及び第２貫通ホールＴＨ２のそれ
ぞれの中心を横切る横断面である。即ち、Ｂ－Ｂ’方向における横断面は、複数の貫通ホ
ールＴＨを含むことができる。
【0234】
前記Ｂ－Ｂ’方向における隣接した第３貫通ホールＴＨ３と第４貫通ホールＴＨ４の間
に１つのリブＲＢが位置することができる。第４貫通ホールＴＨ４及び第４貫通ホールと
水平方向において隣接すると共に、第３貫通ホールＴＨ３と反対方向に位置した第５貫通
ホールの間には、他の１つのリブＲＢが位置することができる。前記１つのリブ及び前記
他の１つのリブの間には、１つの貫通ホールＴＨが位置することができる。即ち、水平方
向において隣接した２つのリブＲＢの間には、１つの貫通ホールＴＨが位置することがで
きる。
に１つのリブＲＢが位置することができる。第４貫通ホールＴＨ４及び第４貫通ホールと
水平方向において隣接すると共に、第３貫通ホールＴＨ３と反対方向に位置した第５貫通
ホールの間には、他の１つのリブＲＢが位置することができる。前記１つのリブ及び前記
他の１つのリブの間には、１つの貫通ホールＴＨが位置することができる。即ち、水平方
向において隣接した２つのリブＲＢの間には、１つの貫通ホールＴＨが位置することがで
きる。
【0235】
また、前記Ｂ－Ｂ’方向における横断面は、大面積孔内のエッチング面ＥＳ２、及び隣
接した大面積孔内のエッチング面ＥＳ２が相互連結される領域であるリブＲＢが位置する
ことができる。ここでリブＲＢは、隣接した２つの大面積孔の境界が連結される領域であ
ってもよい。前記リブＲＢは、エッチング面であるので、前記アイランド部ＩＳより小さ
い厚さを有することができる。例えば、前記アイランド部ＩＳの幅は、略２μｍ以上であ
ってもよい。即ち、前記他面においてエッチングされず残っている部分の前記他面と平行
な方向への幅が略２μｍ以上であってもよい。１つのアイランド部ＩＳの一端と他端の幅
が略２μｍ以上である場合、蒸着用マスク１００の全体体積を増やすことができる。この
ような構造の蒸着用マスク１００は、有機物蒸着工程等で付与される引張力に対して充分
な剛性を確保できるようにし、貫通ホールの均一度を維持することに有利である。
接した大面積孔内のエッチング面ＥＳ２が相互連結される領域であるリブＲＢが位置する
ことができる。ここでリブＲＢは、隣接した２つの大面積孔の境界が連結される領域であ
ってもよい。前記リブＲＢは、エッチング面であるので、前記アイランド部ＩＳより小さ
い厚さを有することができる。例えば、前記アイランド部ＩＳの幅は、略２μｍ以上であ
ってもよい。即ち、前記他面においてエッチングされず残っている部分の前記他面と平行
な方向への幅が略２μｍ以上であってもよい。１つのアイランド部ＩＳの一端と他端の幅
が略２μｍ以上である場合、蒸着用マスク１００の全体体積を増やすことができる。この
ような構造の蒸着用マスク１００は、有機物蒸着工程等で付与される引張力に対して充分
な剛性を確保できるようにし、貫通ホールの均一度を維持することに有利である。
【0236】
図２１は、図１８または図１９のＢ－Ｂ’方向における断面図を示した図面である。図
２１を参照して、図１８及び図１９のＢ－Ｂ’の横断面と図２０の有効領域のリブＲＢ及
び前記リブＲＢの間の貫通ホールＴＨを拡大した横断面を説明する。
２１を参照して、図１８及び図１９のＢ－Ｂ’の横断面と図２０の有効領域のリブＲＢ及
び前記リブＲＢの間の貫通ホールＴＨを拡大した横断面を説明する。
【0237】
実施例に係る蒸着用マスク１００は、エッチングによる貫通ホールＴＨが形成される有
効領域ＡＡにおける厚さと、エッチングされない非有効部ＵＡにおける厚さが異なっても
よい。具体的に、リブＲＢの厚さは、エッチングされない非有効部ＵＡにおける厚さより
小さくてもよい。
効領域ＡＡにおける厚さと、エッチングされない非有効部ＵＡにおける厚さが異なっても
よい。具体的に、リブＲＢの厚さは、エッチングされない非有効部ＵＡにおける厚さより
小さくてもよい。
【0238】
実施例に係る蒸着用マスク１００は、非有効部ＵＡの厚さが有効領域ＡＡ１、ＡＡ２、
ＡＡ３の厚さより大きくてもよい。この時、前記アイランド部ＩＳはエッチングされない
領域として、前記アイランド部ＩＳは、前記非有効部ＵＡないし非蒸着領域ＮＤＡの最大
厚さと対応することができる。例えば、前記蒸着用マスク１００は、非有効部ＵＡないし
非蒸着領域ＮＤＡの最大厚さが略３０μｍ以下を有することができる。よって、前記アイ
ランド部ＩＳの最大厚さは略３０μｍ以下を有することができ、前記アイランド部ＩＳを
除いた前記有効領域ＡＡ１、ＡＡ２、ＡＡ３の厚さは、前記非有効部ＵＡの厚さより小さ
くてもよい。具体的に、前記蒸着用マスク１００は、非有効部ＵＡないし非蒸着領域ＮＤ
Ａの最大厚さが略２５μｍ以下を有することができる。例えば、実施例の蒸着マスクは非
有効部～非蒸着領域の最大厚さが略１５μｍ～略２５μｍであってもよい。よって、前記
アイランド部ＩＳの最大厚さは略１５μｍ～略２５μｍであってもよい。実施例に係る蒸
着マスクの非有効部～非蒸着領域の最大厚さが略３０μｍを超過する場合には、前記蒸着
用マスク１００の原材料である金属板１０の厚さが厚くなるので、微細なサイズの貫通ホ
ールＴＨを形成することが困難となる。また、前記蒸着用マスク１００の非有効部ＵＡな
いし非蒸着領域ＮＤＡの最大厚さが略１５μｍ未満である場合には、金属板の厚さが薄い
ので、均一なサイズの貫通ホールを形成することが困難となる。
ＡＡ３の厚さより大きくてもよい。この時、前記アイランド部ＩＳはエッチングされない
領域として、前記アイランド部ＩＳは、前記非有効部ＵＡないし非蒸着領域ＮＤＡの最大
厚さと対応することができる。例えば、前記蒸着用マスク１００は、非有効部ＵＡないし
非蒸着領域ＮＤＡの最大厚さが略３０μｍ以下を有することができる。よって、前記アイ
ランド部ＩＳの最大厚さは略３０μｍ以下を有することができ、前記アイランド部ＩＳを
除いた前記有効領域ＡＡ１、ＡＡ２、ＡＡ３の厚さは、前記非有効部ＵＡの厚さより小さ
くてもよい。具体的に、前記蒸着用マスク１００は、非有効部ＵＡないし非蒸着領域ＮＤ
Ａの最大厚さが略２５μｍ以下を有することができる。例えば、実施例の蒸着マスクは非
有効部～非蒸着領域の最大厚さが略１５μｍ～略２５μｍであってもよい。よって、前記
アイランド部ＩＳの最大厚さは略１５μｍ～略２５μｍであってもよい。実施例に係る蒸
着マスクの非有効部～非蒸着領域の最大厚さが略３０μｍを超過する場合には、前記蒸着
用マスク１００の原材料である金属板１０の厚さが厚くなるので、微細なサイズの貫通ホ
ールＴＨを形成することが困難となる。また、前記蒸着用マスク１００の非有効部ＵＡな
いし非蒸着領域ＮＤＡの最大厚さが略１５μｍ未満である場合には、金属板の厚さが薄い
ので、均一なサイズの貫通ホールを形成することが困難となる。
【0239】
前記リブＲＢの中心で測定された最大厚さＴ３は略１５μｍ以下を有することができる
。例えば、前記リブＲＢの中心で測定された最大厚さＴ３は略７μｍ～略１０μｍであっ
てもよい。例えば、前記リブＲＢの中心で測定された最大厚さＴ３は略６μｍ～略９μｍ
であってもよい。前記リブＲＢの中心で測定された最大厚さＴ３が略１５μｍを超過する
場合、５００ＰＰＩ級以上の高解像度を有するＯＬＥＤ蒸着パターンを形成することが困
難となる。また、前記リブＲＢの中心で測定された最大厚さＴ３が略６μｍ未満である場
合には、蒸着パターンの均一な形成が困難となる。
。例えば、前記リブＲＢの中心で測定された最大厚さＴ３は略７μｍ～略１０μｍであっ
てもよい。例えば、前記リブＲＢの中心で測定された最大厚さＴ３は略６μｍ～略９μｍ
であってもよい。前記リブＲＢの中心で測定された最大厚さＴ３が略１５μｍを超過する
場合、５００ＰＰＩ級以上の高解像度を有するＯＬＥＤ蒸着パターンを形成することが困
難となる。また、前記リブＲＢの中心で測定された最大厚さＴ３が略６μｍ未満である場
合には、蒸着パターンの均一な形成が困難となる。
【0240】
前記蒸着用マスク１００の小面積孔の高さＨ１は、前記リブＲＢの中心で測定された最
大厚さＴ３の略０．２倍～略０．４倍であってもよい。一例として、前記リブＲＢの中心
で測定された最大厚さＴ３は略７μｍ～略９μｍであり、前記蒸着用マスク１００の一面
及び前記連通部の間の高さＨ１は略１．４μｍ～略３．５μｍであってもよい。前記蒸着
用マスク１００の小面積孔の高さＨ１は略３．５μｍ以下を有することができる。例えば
、前記小面積孔Ｖ１の高さは略０．１μｍ～略３．４μｍであってもよい。例えば、前記
蒸着用マスク１００の小面積孔Ｖ１の高さは略０．５μｍ～略３．２μｍであってもよい
。例えば、前記蒸着用マスク１００の小面積孔Ｖ１の高さは略１μｍ～略３μｍであって
もよい。ここで、高さは、蒸着用マスク１００の厚さ測定方向、即ち深さ方向で測定する
ことができ、蒸着用マスク１００の一面から連通部までの高さを測定したものであっても
よい。具体的に、図１８及び図１９の平面図で上述した水平方向(ｘ方向)と垂直方向(ｙ
方向)とそれぞれ９０度をなすｚ軸方向で測定したものであってもよい。
大厚さＴ３の略０．２倍～略０．４倍であってもよい。一例として、前記リブＲＢの中心
で測定された最大厚さＴ３は略７μｍ～略９μｍであり、前記蒸着用マスク１００の一面
及び前記連通部の間の高さＨ１は略１．４μｍ～略３．５μｍであってもよい。前記蒸着
用マスク１００の小面積孔の高さＨ１は略３．５μｍ以下を有することができる。例えば
、前記小面積孔Ｖ１の高さは略０．１μｍ～略３．４μｍであってもよい。例えば、前記
蒸着用マスク１００の小面積孔Ｖ１の高さは略０．５μｍ～略３．２μｍであってもよい
。例えば、前記蒸着用マスク１００の小面積孔Ｖ１の高さは略１μｍ～略３μｍであって
もよい。ここで、高さは、蒸着用マスク１００の厚さ測定方向、即ち深さ方向で測定する
ことができ、蒸着用マスク１００の一面から連通部までの高さを測定したものであっても
よい。具体的に、図１８及び図１９の平面図で上述した水平方向(ｘ方向)と垂直方向(ｙ
方向)とそれぞれ９０度をなすｚ軸方向で測定したものであってもよい。
【0241】
前記蒸着用マスク１００の一面及び前記連通部の間の高さが略３．５μｍを超過する場
合には、ＯＬＥＤ蒸着時に蒸着物質が貫通ホールの面積より大きい領域に広がるシャドウ
効果(shadow effect)による蒸着不良が発生する可能性がある。
合には、ＯＬＥＤ蒸着時に蒸着物質が貫通ホールの面積より大きい領域に広がるシャドウ
効果(shadow effect)による蒸着不良が発生する可能性がある。
【0242】
また、前記蒸着用マスク１００の小面積孔Ｖ１が形成される一面における孔径Ｗ１と小
面積孔Ｖ１と大面積孔Ｖ２の間の境界である連通部における孔径Ｗ２は相互類似または異
なってもよい。前記蒸着用マスク１００の小面積孔Ｖ１が形成される一面における孔径Ｗ
１は、連通部における孔径Ｗ２より大きくてもよい。
面積孔Ｖ１と大面積孔Ｖ２の間の境界である連通部における孔径Ｗ２は相互類似または異
なってもよい。前記蒸着用マスク１００の小面積孔Ｖ１が形成される一面における孔径Ｗ
１は、連通部における孔径Ｗ２より大きくてもよい。
【0243】
例えば、前記蒸着用マスク１００の一面における孔径Ｗ１と前記連通部における孔径Ｗ
２の差は略０．０１μｍ～略１．１μｍであってもよい。例えば、前記蒸着用マスクの一
面における孔径Ｗ１と前記連通部における孔径Ｗ２の差は略０．０３μｍ～略１．１μｍ
であってもよい。例えば、前記蒸着用マスクの一面における孔径Ｗ１と前記連通部におけ
る孔径Ｗ２の差は略０．０５μｍ～略１．１μｍであってもよい。
２の差は略０．０１μｍ～略１．１μｍであってもよい。例えば、前記蒸着用マスクの一
面における孔径Ｗ１と前記連通部における孔径Ｗ２の差は略０．０３μｍ～略１．１μｍ
であってもよい。例えば、前記蒸着用マスクの一面における孔径Ｗ１と前記連通部におけ
る孔径Ｗ２の差は略０．０５μｍ～略１．１μｍであってもよい。
【0244】
前記蒸着用マスク１００の一面における孔径Ｗ１と前記連通部における孔径Ｗ２の差が
略１．１μｍより大きい場合には、シャドウ効果による蒸着不良が発生する可能性がある
。
略１．１μｍより大きい場合には、シャドウ効果による蒸着不良が発生する可能性がある
。
【0245】
また、前記蒸着用マスク１００の前記一面１０１と反対となる他面１０２に位置した前
記大面積孔Ｖ２の一端Ｅ１及び前記小面積孔Ｖ１と大面積孔Ｖ２の間の連通部の一端Ｅ２
をつなぐ傾斜角θ１を有することができる。例えば、前記大面積孔Ｖ２の一端Ｅ１は、前
記大面積孔Ｖ２内の第２内側面ＥＳ２の境界であるリブＲＢが位置する地点を意味するこ
とができる。前記連通部の一端Ｅ２は、前記貫通ホールＴＨの終端を意味することができ
る。前記大面積孔Ｖ２の一端Ｅ１及び前記連通部の一端Ｅ２をつなぐ前記傾斜角θ１は４
０度～５５度を有することができる。よって、４００ＰＰＩ級以上、詳しくは５００ＰＰ
Ｉ級以上の高解像度の蒸着パターンを形成できると同時に、蒸着用マスク１００の他面１
０２上にアイランド部ＩＳが存在し得る。
記大面積孔Ｖ２の一端Ｅ１及び前記小面積孔Ｖ１と大面積孔Ｖ２の間の連通部の一端Ｅ２
をつなぐ傾斜角θ１を有することができる。例えば、前記大面積孔Ｖ２の一端Ｅ１は、前
記大面積孔Ｖ２内の第２内側面ＥＳ２の境界であるリブＲＢが位置する地点を意味するこ
とができる。前記連通部の一端Ｅ２は、前記貫通ホールＴＨの終端を意味することができ
る。前記大面積孔Ｖ２の一端Ｅ１及び前記連通部の一端Ｅ２をつなぐ前記傾斜角θ１は４
０度～５５度を有することができる。よって、４００ＰＰＩ級以上、詳しくは５００ＰＰ
Ｉ級以上の高解像度の蒸着パターンを形成できると同時に、蒸着用マスク１００の他面１
０２上にアイランド部ＩＳが存在し得る。
【0246】
以下、図２２を参照して、実施例に係る蒸着用マスクの製造方法を説明する。
【0247】
ＯＬＥＤ画素を蒸着するための金属材の蒸着用マスクの製造方法において、実施例に係
る蒸着用マスクは、２０μｍ～３０μｍの厚さのベース金属板を用意する第１ステップと
、前記ベース金属板の一面上にパターン化されたフォトレジスト層を配置し、前記フォト
レジスト層のオープン部をハーフエッチングして前記ベース金属板の一面上に溝を形成し
、前記ベース金属板の前記一面と反対となる他面上にパターン化されたフォトレジスト層
を配置し、前記フォトレジスト層のオープン部をエッチングして前記ベース金属板の一面
上の溝と連結される貫通ホールを形成する第２ステップと、前記フォトレジスト層を除去
して、前記一面上に形成された大面積孔、前記一面と反対となる他面上に形成された小面
積孔、前記大面積孔及び前記小面積孔の境界が連結される連通部によって形成される貫通
ホールを含む蒸着用マスクを形成する第３ステップと、を含んで製造することができる。
これによって、５００PPI以上の解像度を具現できる蒸着用マスクを製造することができ
る。
る蒸着用マスクは、２０μｍ～３０μｍの厚さのベース金属板を用意する第１ステップと
、前記ベース金属板の一面上にパターン化されたフォトレジスト層を配置し、前記フォト
レジスト層のオープン部をハーフエッチングして前記ベース金属板の一面上に溝を形成し
、前記ベース金属板の前記一面と反対となる他面上にパターン化されたフォトレジスト層
を配置し、前記フォトレジスト層のオープン部をエッチングして前記ベース金属板の一面
上の溝と連結される貫通ホールを形成する第２ステップと、前記フォトレジスト層を除去
して、前記一面上に形成された大面積孔、前記一面と反対となる他面上に形成された小面
積孔、前記大面積孔及び前記小面積孔の境界が連結される連通部によって形成される貫通
ホールを含む蒸着用マスクを形成する第３ステップと、を含んで製造することができる。
これによって、５００PPI以上の解像度を具現できる蒸着用マスクを製造することができ
る。
【0248】
ＯＬＥＤ画素を蒸着するための金属材の蒸着用マスクの製造方法において、実施例に係
る蒸着用マスクは、１５μｍ～２０μｍの厚さのベース金属板を用意する第１ステップと
、前記ベース金属板の一面上にパターン化されたフォトレジスト層を配置し、前記フォト
レジスト層のオープン部をハーフエッチングして前記ベース金属板の一面上に溝を形成し
、前記ベース金属板の前記一面と反対となる他面上にパターン化されたフォトレジスト層
を配置し、前記フォトレジスト層のオープン部をエッチングして前記ベース金属板の一面
上の溝と連結される貫通ホールを形成する第２ステップと、前記フォトレジスト層を除去
して、前記一面上に形成された大面積孔、前記一面と反対となる他面上に形成された小面
積孔、前記大面積孔及び前記小面積孔の境界が連結される連通部によって形成される貫通
ホールを含む蒸着用マスクを形成する第３ステップと、を含んで製造することができる。
これによって、８００ＰＰＩ以上の解像度を具現できる蒸着用マスクを製造することがで
きる。
る蒸着用マスクは、１５μｍ～２０μｍの厚さのベース金属板を用意する第１ステップと
、前記ベース金属板の一面上にパターン化されたフォトレジスト層を配置し、前記フォト
レジスト層のオープン部をハーフエッチングして前記ベース金属板の一面上に溝を形成し
、前記ベース金属板の前記一面と反対となる他面上にパターン化されたフォトレジスト層
を配置し、前記フォトレジスト層のオープン部をエッチングして前記ベース金属板の一面
上の溝と連結される貫通ホールを形成する第２ステップと、前記フォトレジスト層を除去
して、前記一面上に形成された大面積孔、前記一面と反対となる他面上に形成された小面
積孔、前記大面積孔及び前記小面積孔の境界が連結される連通部によって形成される貫通
ホールを含む蒸着用マスクを形成する第３ステップと、を含んで製造することができる。
これによって、８００ＰＰＩ以上の解像度を具現できる蒸着用マスクを製造することがで
きる。
【0249】
まず、２０μｍ～３０μｍの厚さのベース金属板ＢＭを用意する第１ステップを説明す
る。
る。
【0250】
前記ベース金属板ＢＭは、金属物質を含むことができる。前記ベース金属板ＢＭは、ニ
ッケル合金を含むことができる。例えば、前記ベース金属板ＢＭは、ニッケルと鉄の合金
であってもよい。この時、ニッケルは、略３５重量％～略３７重量％であってもよく、前
記鉄は、略６３重量％～略６５重量％を有することができる。一例として、前記ベース金
属板ＢＭは、ニッケルは略３５重量％～略３７重量％、鉄は略６３重量％～略６５重量％
と、微量のＣ、Ｓｉ、Ｓ、Ｐ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｇ、Ｎｂ
、Ｖ、Ｉｎ、Ｓｂのうち少なくとも１つ以上が含まれたインバー(Invar)を含むことがで
きる。ここで、微量は、１重量％以下を意味することができる。具体的に、ここで、微量
は、０．５重量％以下を意味することができる。ただし、前記ベース金属板ＢＭがこれに
制限されるものではなく、多様な金属物質を含むことができることはもちろんである。
ッケル合金を含むことができる。例えば、前記ベース金属板ＢＭは、ニッケルと鉄の合金
であってもよい。この時、ニッケルは、略３５重量％～略３７重量％であってもよく、前
記鉄は、略６３重量％～略６５重量％を有することができる。一例として、前記ベース金
属板ＢＭは、ニッケルは略３５重量％～略３７重量％、鉄は略６３重量％～略６５重量％
と、微量のＣ、Ｓｉ、Ｓ、Ｐ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｇ、Ｎｂ
、Ｖ、Ｉｎ、Ｓｂのうち少なくとも１つ以上が含まれたインバー(Invar)を含むことがで
きる。ここで、微量は、１重量％以下を意味することができる。具体的に、ここで、微量
は、０．５重量％以下を意味することができる。ただし、前記ベース金属板ＢＭがこれに
制限されるものではなく、多様な金属物質を含むことができることはもちろんである。
【0251】
前記インバーのようなニッケル合金は、熱膨張係数が小さいので、蒸着用マスクの寿命
が増加できる長所を有する。
が増加できる長所を有する。
【0252】
ここで、前記第１ステップは、目標とするベース金属板の厚さによって、厚さ減少ステ
ップをさらに含むことができる。
ップをさらに含むことができる。
【0253】
例えば、ベース金属板ＢＭは、２５μｍ～３０μｍの厚さを有することができる。この
ようなベース金属板ＢＭは、圧延及び／またはエッチングによる厚さ減少ステップを経て
１５μｍ～２５μｍの厚さを有することができる。ここで、エッチングとは、電気的また
は化学的なエッチングを含むことができる。
ようなベース金属板ＢＭは、圧延及び／またはエッチングによる厚さ減少ステップを経て
１５μｍ～２５μｍの厚さを有することができる。ここで、エッチングとは、電気的また
は化学的なエッチングを含むことができる。
【0254】
前記ベース金属板ＢＭまたは厚さ減少ステップを経た前記ベース金属板ＢＭは、表面処
理ステップを選択的に含むことができる。
理ステップを選択的に含むことができる。
【0255】
例えば、インバーのようなニッケル合金は均一なエッチングが難しい問題点を有する。
即ち、インバーのようなニッケル合金は、エッチング初期にエッチング速度が速い。よっ
て、小面積孔のエッチングファクターが低下する問題を有する。小面積孔のエッチングフ
ァクターが低下する場合には、シャドウ効果による蒸着不良が発生する蒸着用マスクが形
成される問題が発生し得る。または、大面積孔のサイドエッチングによってフォトレジス
ト層の脱膜が発生する可能性がある。また、貫通ホールの大きさが大きくなることで、微
細なサイズの貫通ホールを形成することが困難となる。また、貫通ホールが不均一に形成
されて、蒸着用マスクの製造収率が低下する。
即ち、インバーのようなニッケル合金は、エッチング初期にエッチング速度が速い。よっ
て、小面積孔のエッチングファクターが低下する問題を有する。小面積孔のエッチングフ
ァクターが低下する場合には、シャドウ効果による蒸着不良が発生する蒸着用マスクが形
成される問題が発生し得る。または、大面積孔のサイドエッチングによってフォトレジス
ト層の脱膜が発生する可能性がある。また、貫通ホールの大きさが大きくなることで、微
細なサイズの貫通ホールを形成することが困難となる。また、貫通ホールが不均一に形成
されて、蒸着用マスクの製造収率が低下する。
【0256】
よって、実施例はベース金属板表面上に、成分、含有量、結晶構造及び腐食速度を異な
るようにする表面改質のための表面処理層を配置することができる。ここで、表面改質と
は、エッチングファクターを向上させるために表面に配置される多様な物質からなった層
を意味することができる。
るようにする表面改質のための表面処理層を配置することができる。ここで、表面改質と
は、エッチングファクターを向上させるために表面に配置される多様な物質からなった層
を意味することができる。
【0257】
即ち、表面処理層は、ベース金属板の表面上に速いエッチングを阻止するための層であ
ってもよい。前記表面処理層は、ベース金属板よりエッチング速度が遅いエッチングバリ
アー層であってもよい。前記表面処理層は、前記ベース金属板と結晶面及び結晶構造が異
なる。例えば、前記表面処理層は、前記ベース金属板と異なる元素を含むことで、結晶面
及び結晶構造が異なることができる。
ってもよい。前記表面処理層は、ベース金属板よりエッチング速度が遅いエッチングバリ
アー層であってもよい。前記表面処理層は、前記ベース金属板と結晶面及び結晶構造が異
なる。例えば、前記表面処理層は、前記ベース金属板と異なる元素を含むことで、結晶面
及び結晶構造が異なることができる。
【0258】
同じ腐食環境において、前記表面処理層は、前記ベース金属板と腐食電位が異なる。例
えば、同じ温度の同じエッチング液に同じ時間処理した時、前記表面処理層は、前記ベー
ス金属板と腐食電流ないし腐食電位が異なることができる。
えば、同じ温度の同じエッチング液に同じ時間処理した時、前記表面処理層は、前記ベー
ス金属板と腐食電流ないし腐食電位が異なることができる。
【0259】
前記ベース金属板ＢＭは、一面及び／または両面、全体及び／または有効領域に、表面
処理層ないし表面処理部を含むことができる。前記表面処理層ないし表面処理部は、ベー
ス金属板と異なる元素を含むか、腐食速度が遅い金属元素をベース金属板より大きい含有
量で含むことができる。
処理層ないし表面処理部を含むことができる。前記表面処理層ないし表面処理部は、ベー
ス金属板と異なる元素を含むか、腐食速度が遅い金属元素をベース金属板より大きい含有
量で含むことができる。
【0260】
例えば、前記表面処理層は、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、チタン
（Ｔｉ）、マンガン（Ｍｎ）、酸素（Ｏ）、モリブデン（Ｍｏ）、銀（Ａｇ）、亜鉛（Ｚ
ｎ）、窒素（Ｎ）、アルミニウム（Ａｌ）及びこれの合金のうち少なくとも１つの金属を
含むことができ、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、マ
ンガン（Ｍｎ）、酸素（Ｏ）、モリブデン（Ｍｏ）、銀（Ａｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、窒素（
Ｎ）、アルミニウム（Ａｌ）及びこれの合金のうち少なくとも１つの金属の含有量は、ベ
ース金属板より大きい。
（Ｔｉ）、マンガン（Ｍｎ）、酸素（Ｏ）、モリブデン（Ｍｏ）、銀（Ａｇ）、亜鉛（Ｚ
ｎ）、窒素（Ｎ）、アルミニウム（Ａｌ）及びこれの合金のうち少なくとも１つの金属を
含むことができ、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、マ
ンガン（Ｍｎ）、酸素（Ｏ）、モリブデン（Ｍｏ）、銀（Ａｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、窒素（
Ｎ）、アルミニウム（Ａｌ）及びこれの合金のうち少なくとも１つの金属の含有量は、ベ
ース金属板より大きい。
【0261】
このような表面処理ステップをさらに含む場合に、実施例に係るベース金属板の表面に
は表面処理層が配置される。このような表面処理ステップは、前記ベース金属板ＢＭと異
なる元素の表面処理層を配置することで、表面における腐食速度を前記ベース金属板ＢＭ
の元素材物質より遅くすることができる。よって、実施例に係る蒸着用マスクのエッチン
グファクターを増やすことができる。また、実施例に係る蒸着用マスクは、複数の貫通ホ
ールを均一に形成できることで、Ｒ、Ｇ、Ｂパターンの蒸着効率を向上させることができ
る。ここで、異なる元素を含むとは、前記ベース金属板ＢＭと前記表面処理層が少なくと
も１つの他の元素を含むか、全ての元素が同一であっても含有量が異なる合金を含むこと
を意味することができる。
は表面処理層が配置される。このような表面処理ステップは、前記ベース金属板ＢＭと異
なる元素の表面処理層を配置することで、表面における腐食速度を前記ベース金属板ＢＭ
の元素材物質より遅くすることができる。よって、実施例に係る蒸着用マスクのエッチン
グファクターを増やすことができる。また、実施例に係る蒸着用マスクは、複数の貫通ホ
ールを均一に形成できることで、Ｒ、Ｇ、Ｂパターンの蒸着効率を向上させることができ
る。ここで、異なる元素を含むとは、前記ベース金属板ＢＭと前記表面処理層が少なくと
も１つの他の元素を含むか、全ての元素が同一であっても含有量が異なる合金を含むこと
を意味することができる。
【0262】
次に、前記ベース金属板の一面上にパターン化されたフォトレジスト層ＰＲ１を配置す
るステップを説明する。小面積孔を形成するために前記ベース金属板の一面上にパターン
化されたフォトレジスト層ＰＲ１を配置することができる。前記ベース金属板の一面と反
対となる他面は、エッチングを阻止するためのコーティング層またはフィルム層のような
エッチング阻止層が配置される。
るステップを説明する。小面積孔を形成するために前記ベース金属板の一面上にパターン
化されたフォトレジスト層ＰＲ１を配置することができる。前記ベース金属板の一面と反
対となる他面は、エッチングを阻止するためのコーティング層またはフィルム層のような
エッチング阻止層が配置される。
【0263】
次に、前記フォトレジスト層ＰＲ１のオープン部をハーフエッチングして前記金属板の
一面上に溝を形成する第２ステップを説明する。
一面上に溝を形成する第２ステップを説明する。
【0264】
前記フォトレジスト層ＰＲ１のオープン部は、エッチング液等に露出されるので、ベー
ス金属板の一面のうち前記フォトレジスト層ＰＲ１が配置されていないオープン部でエッ
チングが行われる。
ス金属板の一面のうち前記フォトレジスト層ＰＲ１が配置されていないオープン部でエッ
チングが行われる。
【0265】
前記第２ステップは、２０μｍ～３０μｍの厚さＴ１の前記ベース金属板を略１／２の
厚さとなる時までエッチングするステップであってもよい。前記第２ステップを通じて形
成された溝の深さは略１０μｍ～１５μｍであってもよい。即ち、前記第２ステップの後
で溝の中心で測定したベース金属板の厚さＴ２は略１０μｍ～１５μｍであってもよい。
厚さとなる時までエッチングするステップであってもよい。前記第２ステップを通じて形
成された溝の深さは略１０μｍ～１５μｍであってもよい。即ち、前記第２ステップの後
で溝の中心で測定したベース金属板の厚さＴ２は略１０μｍ～１５μｍであってもよい。
【0266】
前記第２ステップは、異方性エッチングまたはセミアディティブ法(SAP：semi additiv
e process)であってもよい。具体的に、前記フォトレジスト層のオープン部をハーフエッ
チングするために、異方性エッチングまたはセミアディティブ法を利用することができる
。よって、ハーフエッチングを通じて形成された溝は、等方性エッチングより深さ方向へ
のエッチング速度(ｂ方向)がサイドエッチング(ａ方向)の速度より速い。
e process)であってもよい。具体的に、前記フォトレジスト層のオープン部をハーフエッ
チングするために、異方性エッチングまたはセミアディティブ法を利用することができる
。よって、ハーフエッチングを通じて形成された溝は、等方性エッチングより深さ方向へ
のエッチング速度(ｂ方向)がサイドエッチング(ａ方向)の速度より速い。
【0267】
小面積孔のエッチングファクターは２．０～３．０であってもよい。例えば、小面積孔
のエッチングファクターは２．１～３．０であってもよい。例えば、小面積孔のエッチン
グファクターは２．２～３．０であってもよい。
のエッチングファクターは２．１～３．０であってもよい。例えば、小面積孔のエッチン
グファクターは２．２～３．０であってもよい。
【0268】
ここで、エッチングファクターは、エッチングされた小面積孔の深さＢ／小面積孔上の
アイランド部から延長されて貫通ホールの中心方向に突出したフォトレジスト層の幅Ａ(E
tching Factor＝Ｂ／Ａ)を意味することができる。前記Ａは、前記１つの面孔上に突出し
たフォトレジスト層の一側の幅及び前記一側と反対となる他側の幅の平均値を意味する。
アイランド部から延長されて貫通ホールの中心方向に突出したフォトレジスト層の幅Ａ(E
tching Factor＝Ｂ／Ａ)を意味することができる。前記Ａは、前記１つの面孔上に突出し
たフォトレジスト層の一側の幅及び前記一側と反対となる他側の幅の平均値を意味する。
【0269】
次に、貫通ホールを形成するステップを説明する。
【0270】
まず、前記ベース金属板の前記一面と反対となる他面上にパターン化されたフォトレジ
スト層ＰＲ２を配置することができる。前記ベース金属板の前記一面と反対となる他面上
には、大面積孔を形成するためにオープン部を有するパターン化されたフォトレジスト層
ＰＲ２を配置することができる。前記ベース金属板の一面は、エッチングを阻止するため
のコーティング層またはフィルム層のようなエッチング阻止層が配置される。
スト層ＰＲ２を配置することができる。前記ベース金属板の前記一面と反対となる他面上
には、大面積孔を形成するためにオープン部を有するパターン化されたフォトレジスト層
ＰＲ２を配置することができる。前記ベース金属板の一面は、エッチングを阻止するため
のコーティング層またはフィルム層のようなエッチング阻止層が配置される。
【0271】
前記フォトレジスト層ＰＲ２のオープン部は、エッチング液等に露出されるので、ベー
ス金属板の他面のうち前記フォトレジスト層Ｐ２が配置されていないオープン部でエッチ
ングが行われる。前記ベース金属板の他面は、異方性エッチングまたは等方性エッチング
によってエッチングされる。
ス金属板の他面のうち前記フォトレジスト層Ｐ２が配置されていないオープン部でエッチ
ングが行われる。前記ベース金属板の他面は、異方性エッチングまたは等方性エッチング
によってエッチングされる。
【0272】
前記フォトレジスト層のオープン部をエッチングすることで、前記金属板の一面上の溝
は、大面積孔と連結されて貫通ホールを形成することができる。
は、大面積孔と連結されて貫通ホールを形成することができる。
【0273】
前記第２ステップは、１）前記ベース金属板の一面上にパターン化された前記フォトレ
ジスト層ＰＲ１と、前記ベース金属板の他面上にパターン化された前記フォトレジスト層
ＰＲ２を配置した後、２）前記ベース金属板の一面及び他面を同時にエッチングして貫通
ホールを形成することであってもよい。
ジスト層ＰＲ１と、前記ベース金属板の他面上にパターン化された前記フォトレジスト層
ＰＲ２を配置した後、２）前記ベース金属板の一面及び他面を同時にエッチングして貫通
ホールを形成することであってもよい。
【0274】
または、前記第２ステップは、１）前記ベース金属板の一面上にパターン化された前記
フォトレジスト層ＰＲ１を配置し、２）前記フォトレジスト層ＰＲ１のオープン部をハー
フエッチングして前記ベース金属板の一面上のみに溝を形成した後、３）前記ベース金属
板の他面上にパターン化された前記フォトレジスト層ＰＲ２を配置した後、４）前記ベー
ス金属板の他面で前記フォトレジスト層ＰＲ２のオープン部をエッチングして貫通ホール
を形成することであってもよい。
フォトレジスト層ＰＲ１を配置し、２）前記フォトレジスト層ＰＲ１のオープン部をハー
フエッチングして前記ベース金属板の一面上のみに溝を形成した後、３）前記ベース金属
板の他面上にパターン化された前記フォトレジスト層ＰＲ２を配置した後、４）前記ベー
ス金属板の他面で前記フォトレジスト層ＰＲ２のオープン部をエッチングして貫通ホール
を形成することであってもよい。
【0275】
または、前記第２ステップは、１）前記ベース金属板の他面上にパターン化された前記
フォトレジスト層ＰＲ２を配置し、２）前記フォトレジスト層ＰＲ２のオープン部をエッ
チングして前記ベース金属板の他面上のみに大面積孔を形成した後、３）前記ベース金属
板の一面上にパターン化された前記フォトレジスト層ＰＲ１を配置した後、４）前記ベー
ス金属板の一面で前記フォトレジスト層ＰＲ１のオープン部をハーフエッチングして前記
大面積孔と連結される貫通ホールを形成することであってもよい。
フォトレジスト層ＰＲ２を配置し、２）前記フォトレジスト層ＰＲ２のオープン部をエッ
チングして前記ベース金属板の他面上のみに大面積孔を形成した後、３）前記ベース金属
板の一面上にパターン化された前記フォトレジスト層ＰＲ１を配置した後、４）前記ベー
ス金属板の一面で前記フォトレジスト層ＰＲ１のオープン部をハーフエッチングして前記
大面積孔と連結される貫通ホールを形成することであってもよい。
【0276】
次に、前記フォトレジスト層を除去して、前記一面上に形成された大面積孔、前記一面
と反対となる他面上に形成された小面積孔、前記大面積孔及び前記小面積孔の境界が連結
される連通部によって形成される貫通ホールを含む蒸着用マスクを形成する第３ステップ
を経て、蒸着マスクが形成される。
と反対となる他面上に形成された小面積孔、前記大面積孔及び前記小面積孔の境界が連結
される連通部によって形成される貫通ホールを含む蒸着用マスクを形成する第３ステップ
を経て、蒸着マスクが形成される。
【0277】
前記第３ステップを経て形成された蒸着用マスク１００は、前記ベース金属板と同じ物
質を含むことができる。例えば、前記蒸着用マスクは、前記ベース金属板と同じ組成の物
質を含むことができる。例えば、前記蒸着用マスクのアイランド部は、先述した表面処理
層を含むことができる。
質を含むことができる。例えば、前記蒸着用マスクは、前記ベース金属板と同じ組成の物
質を含むことができる。例えば、前記蒸着用マスクのアイランド部は、先述した表面処理
層を含むことができる。
【0278】
前記第３ステップを経て形成された蒸着用マスクは、リブ中心における最大厚さがエッ
チングを経ていない非有効領域における最大厚さより小さくてもよい。例えば、リブ中心
における最大厚さは１５μｍであってもよい。例えば、リブ中心における最大厚さは１０
μｍ未満であってもよい。しかし、蒸着用マスクの非有効領域における最大厚さは２０μ
ｍ～３０μｍであってもよい。蒸着用マスクの非有効領域における最大厚さは、第１ステ
ップで用意されたベース金属板の厚さと同一であってもよい。または、蒸着用マスクの非
有効領域における最大厚さは、第１ステップで厚さ減少ステップを経た１５μｍ～２５μ
ｍであってもよい。
チングを経ていない非有効領域における最大厚さより小さくてもよい。例えば、リブ中心
における最大厚さは１５μｍであってもよい。例えば、リブ中心における最大厚さは１０
μｍ未満であってもよい。しかし、蒸着用マスクの非有効領域における最大厚さは２０μ
ｍ～３０μｍであってもよい。蒸着用マスクの非有効領域における最大厚さは、第１ステ
ップで用意されたベース金属板の厚さと同一であってもよい。または、蒸着用マスクの非
有効領域における最大厚さは、第１ステップで厚さ減少ステップを経た１５μｍ～２５μ
ｍであってもよい。
【0279】
【0280】
図２３を参照すると、実施例に係る蒸着用マスクは、小面積孔が形成された蒸着用マス
クの一面及び前記連通部の間の高さＨ１が３μｍ以下を有することができる。よって、前
記蒸着用マスクの一面と蒸着パターンが配置される基板の間の距離が近くなるので、シャ
ドウ効果による蒸着不良の減少させることができる。
クの一面及び前記連通部の間の高さＨ１が３μｍ以下を有することができる。よって、前
記蒸着用マスクの一面と蒸着パターンが配置される基板の間の距離が近くなるので、シャ
ドウ効果による蒸着不良の減少させることができる。
【0281】
図２４を参照すると、隣接したＲ、Ｇ、Ｂパターンのうち隣接した２つのパターンの間
の領域において異なる蒸着物質が同じ領域に置かれる蒸着不良が発生しなくなる。即ち、
実施例に係るＲ、Ｇ、Ｂパターンは、パターンの周囲に蒸着物質が広がるシャドウ現象を
最小化することができる。よって、実施例に係る蒸着用マスクは、小孔径の高さが３μｍ
以下を有することができ、ＯＬＥＤ画素の蒸着不良を防止することができる。
の領域において異なる蒸着物質が同じ領域に置かれる蒸着不良が発生しなくなる。即ち、
実施例に係るＲ、Ｇ、Ｂパターンは、パターンの周囲に蒸着物質が広がるシャドウ現象を
最小化することができる。よって、実施例に係る蒸着用マスクは、小孔径の高さが３μｍ
以下を有することができ、ＯＬＥＤ画素の蒸着不良を防止することができる。
【0282】
以上の実施例で説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも１つの実施例
に含まれ、必ず１つの実施例に限定されるものではない。また、各実施例に例示された特
徴、構造、効果などは、実施例が属する分野で通常の知識を有する者によって、他の実施
例に対して組合せまたは変形して実施可能である。よって、そのような組合せと変形に係
る内容は、本発明の範囲に含まれると解釈されるべきである。
に含まれ、必ず１つの実施例に限定されるものではない。また、各実施例に例示された特
徴、構造、効果などは、実施例が属する分野で通常の知識を有する者によって、他の実施
例に対して組合せまたは変形して実施可能である。よって、そのような組合せと変形に係
る内容は、本発明の範囲に含まれると解釈されるべきである。
【0283】
また、以上では実施例を中心に説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定す
るものではなく、本発明が属する分野で通常の知識を有した者であれば、本実施例の本質
的な特性を逸脱しない範囲内で、以上で例示されていない多様な変形と応用が可能である
。例えば、実施例に具体的に提示された各構成要素は、変形して実施することができる。
そして、そのような変形と応用に係る差異点は、添付される請求の範囲で規定する本発明
の範囲に含まれると解釈されるべきである。
るものではなく、本発明が属する分野で通常の知識を有した者であれば、本実施例の本質
的な特性を逸脱しない範囲内で、以上で例示されていない多様な変形と応用が可能である
。例えば、実施例に具体的に提示された各構成要素は、変形して実施することができる。
そして、そのような変形と応用に係る差異点は、添付される請求の範囲で規定する本発明
の範囲に含まれると解釈されるべきである。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】