特許 7644179 表示パネルおよびこれを含む表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2025-03-03

(45)【発行日】2025-03-11

(54)【発明の名称】表示パネルおよびこれを含む表示装置

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/30 20060101AFI20250304BHJP

   H10K 59/10 20230101ALI20250304BHJP

   H10K 59/122 20230101ALI20250304BHJP

   H10K 59/124 20230101ALI20250304BHJP

   H10K 77/10 20230101ALI20250304BHJP

   H10K 59/12 20230101ALI20250304BHJP

【ＦＩ】

G09F9/30 308Z

G09F9/30 365

H10K59/10

H10K59/122

H10K59/124

H10K77/10

H10K59/12

【請求項の数】 20

(21)【出願番号】P 2023122123

(22)【出願日】2023-07-27

(65)【公開番号】P2024019105

(43)【公開日】2024-02-08

【審査請求日】2023-07-27

(31)【優先権主張番号】10-2022-0094663

(32)【優先日】2022-07-29

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(73)【特許権者】

【識別番号】501426046

【氏名又は名称】エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】110002077

【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】ペク， スンハン

(72)【発明者】

【氏名】ハ， ヨンミン

(72)【発明者】

【氏名】パク， ヨンギン

(72)【発明者】

【氏名】チョン， ウィヒョン

【審査官】小野 博之

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２０１９／０８２５９２（ＷＯ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０２２／００６９２５５（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０２０／０２１２１４０（ＵＳ，Ａ１）

【文献】中国特許出願公開第１１１８１６６６４（ＣＮ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０９Ｆ ９／００－９／４６

Ｇ０２Ｆ １／１３－１／１４１

１／１５－１／１９

Ｈ０５Ｂ ３３／００－３３／２８

４４／００

４５／６０

Ｈ１０Ｋ ５０／００－９９／００

Ｈ１０Ｈ ２０／００－２０／８５８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

表示領域および透光領域を含むガラス基板、
前記表示領域上に配置される回路部、および
前記回路部上に配置される素子部を含み、
前記ガラス基板は前記透光領域と対応する位置に配置された第１開口部を含み、
表示パネルが、前記ガラス基板上に配置されて前記第１開口部を囲む第１エッチング防止層を含み、
前記第１エッチング防止層は、前記ガラス基板上に配置される第１サブ層、および前記第１サブ層上に配置される第２サブ層を含み、
前記第１エッチング防止層は、前記第１サブ層と前記第２サブ層との間に配置される第３サブ層を含む、表示パネル。

【請求項2】

表示領域および透光領域を含むガラス基板、
前記表示領域上に配置される回路部、および
前記回路部上に配置される素子部を含み、
前記ガラス基板は前記透光領域と対応する位置に配置された第１開口部を含み、
表示パネルが、前記ガラス基板上に配置されて前記第１開口部を囲む第１エッチング防止層を含み、
前記第１エッチング防止層は前記第１開口部の内側に突出する突出部を含み、
コーティング層が、前記ガラス基板の背面、前記第１開口部の内側面および前記突出部の下面に配置されている、表示パネル。

【請求項3】

前記第１エッチング防止層は有機物を含む、請求項１または２に記載の表示パネル。

【請求項4】

前記第１開口部の内側面の傾斜角度と前記突出部の側面の傾斜角度は異なる、請求項２に記載の表示パネル。

【請求項5】

前記第１サブ層は無機物を含み、
前記第２サブ層は有機物を含む、請求項１に記載の表示パネル。

【請求項6】

前記第３サブ層は金属を含む、請求項１に記載の表示パネル。

【請求項7】

前記第２サブ層は前記第１開口部の内側にさらに突出する、請求項１に記載の表示パネル。

【請求項8】

前記ガラス基板は縁に形成された第２傾斜面を含み、
前記第２傾斜面の角度は前記第１開口部の内側面の傾斜角度と同一である、請求項１または２に記載の表示パネル。

【請求項9】

前記コーティング層は有機物を含む、請求項２に記載の表示パネル。

【請求項10】

表示領域および透光領域を含むガラス基板、
前記表示領域上に配置される回路部、および
前記回路部上に配置される素子部を含み、
前記ガラス基板は前記透光領域と対応する位置に配置された第１開口部を含み、
表示パネルが、前記ガラス基板上に配置されて前記第１開口部を囲む第１エッチング防止層を含み、
前記第１エッチング防止層は、前記ガラス基板上に配置される第１サブ層、および前記第１サブ層上に配置される第２サブ層を含み、
前記第１サブ層は、前記第１サブ層の一部が除去されて形成された挿入溝を含み、
前記第２サブ層は、前記挿入溝に挿入されて前記ガラス基板と接触する第１突出部を含む、表示パネル。

【請求項11】

前記第２サブ層は前記第１開口部の内側に突出する第２突出部を含み、
前記第２突出部は前記ガラス基板の上面より高く配置される、請求項１０に記載の表示パネル。

【請求項12】

表示領域および透光領域を含むガラス基板、
前記表示領域上に配置される回路部、および
前記回路部上に配置される素子部を含み、
前記ガラス基板は前記透光領域と対応する位置に配置された第１開口部を含み、
表示パネルが、前記ガラス基板上に配置されて前記第１開口部を囲む第１エッチング防止層を含み、
前記第１エッチング防止層は、前記ガラス基板上に配置される第１サブ層、および前記第１サブ層上に配置される第２サブ層を含み、
前記表示領域は、
バッファ層、
前記バッファ層上に配置される半導体層、
前記半導体層上に配置されるゲート絶縁膜、
前記ゲート絶縁膜上に配置されるゲート電極、
前記ゲート電極上に配置される第１絶縁膜、
前記第１絶縁膜上に配置されるソース電極およびドレイン電極、
前記ソース電極およびドレイン電極上に配置される平坦化層、
前記平坦化層上に配置されるバンク層を含み、
前記第２サブ層は前記平坦化層またはバンク層が前記透光領域に延びて形成された、表示パネル。

【請求項13】

前記第１サブ層は前記バッファ層が前記透光領域に延びて形成された、請求項１２に記載の表示パネル。

【請求項14】

前記第２傾斜面上に配置される第２エッチング防止層をさらに含み、
前記第１エッチング防止層と前記第２エッチング防止層の層の構造は同一である、請求項８に記載の表示パネル。

【請求項15】

表示領域および透光領域を含むガラス基板、
前記表示領域上に配置される回路部、および
前記回路部上に配置される素子部を含み、
前記ガラス基板は前記透光領域に対応する位置に配置された第１開口部および側面に形成された第２傾斜面を含み、
表示パネルが、前記ガラス基板上に配置されて前記第１開口部を囲む第１エッチング防止層を含み、
前記表示領域は、複数の有機絶縁層および複数の金属層を含み、
前記第１エッチング防止層は、前記複数の有機絶縁層または前記複数の金属層が前記透光領域に延びて配置される、表示パネル。

【請求項16】

前記第２傾斜面上に配置される第２エッチング防止層を含む、請求項１５に記載の表示パネル。

【請求項17】

前記第１エッチング防止層と前記第２エッチング防止層の層の構造は同一である、請求項１６に記載の表示パネル。

【請求項18】

前記第１エッチング防止層は前記第１開口部の内側に突出する突出部を含む、請求項１６に記載の表示パネル。

【請求項19】

表示領域および透光領域を含むガラス基板、
前記表示領域上に配置される回路部、
前記回路部上に配置される素子部、および
前記透光領域の下方に配置される電子デバイスを含み、
前記ガラス基板は前記透光領域に対応する位置に配置された第１開口部を含み、
表示装置は、前記ガラス基板上に配置されて前記第１開口部を囲む第１エッチング防止層を含み、
前記第１エッチング防止層は、前記第１開口部の内側に突出する突出部を含み、
コーティング層が、前記ガラス基板の背面、前記第１開口部の内側面および前記突出部の下面に配置されている、表示装置。

【請求項20】

前記ガラス基板は縁に形成された第２傾斜面を含み、
前記第２傾斜面の角度は前記第１開口部の傾斜角度と同一である、請求項１９に記載の表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

実施例は表示パネルおよびこれを含む表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

電界発光表示装置は発光層の材料によって無機発光表示装置と有機発光表示装置に大別される。アクティブマトリックスタイプ（ａｃｔｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ ｔｙｐｅ）の有機発光表示装置は自ら発光する有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ：以下、「ＯＬＥＤ」という）を含み、応答速度が速くて発光効率、輝度および視野角が大きい長所がある。有機発光表示装置はＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤ」という）がピクセルそれぞれに形成される。有機発光表示装置は応答速度が速くて発光効率、輝度、視野角などが優秀なだけでなく、ブラック諧調を完全なブラックで表現できるため、明暗比（ｃｏｎｔｒａｓｔ ｒａｔｉｏ）と色再現率が優秀である。

【0003】

最近、有機発光表示装置はフレキシブル（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）素材であるプラスチック基板上に具現されているが、多様なイシューによってガラス基板上に具現されてもよい。

【0004】

しかし、ガラス基板上に具現される場合、ノッチまたはラウンドを加工したりパネルの内部にホールを形成する場合、剛性が低下し、多様な形状の加工が難しい問題がある。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

実施例はガラス基板の加工および多様な形状のホールが形成されながらも剛性が維持される表示パネルおよびこれを含む表示装置を提供する。

【0006】

本発明の課題は以上で言及した課題に制限されず、言及されていないさらに他の課題は下記の記載から当業者に明確に理解され得るであろう。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明の一特徴に係る表示パネルは、表示領域および透光領域を含むガラス基板、前記表示領域上に配置される回路部、および前記回路部上に配置される素子部を含み、前記ガラス基板は前記透光領域と対応する位置に配置された第１開口部を含み、前記ガラス基板上に配置されて前記第１開口部を囲む第１エッチング防止層を含む。

【0008】

本発明の他の特徴に係る表示パネルは、表示領域および透光領域を含むガラス基板、前記表示領域上に配置される回路部、および前記回路部上に配置される素子部を含み、前記ガラス基板は前記透光領域に対応する位置に配置された第１開口部および側面に形成された第２傾斜面を含み、前記第１開口部の内側面の傾斜角度と前記第２傾斜面の傾斜角度は同一である。

【発明の効果】

【0009】

実施例によると、マザーガラス基板のカッティング時にパネルに多様な形状のホールを同時に形成できる長所がある。

【0010】

また、ガラス基板をエッチング時にパネルの内部にエッチング液が浸透することを防止することができる。

【0011】

本発明の効果は以上で言及した効果に制限されず、言及されていないさらに他の効果は請求の範囲の記載から当業者に明確に理解され得るであろう。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】本発明の一実施例に係る表示装置の概念図である。

【図2】図１のＩ－Ｉ’方向断面図である。

【図3】図２のＡ部分拡大図である。

【図4】図２のＢ部分拡大図である。

【図5a】図３の変形例である。

【図5b】図４の変形例である。

【図6】基板の透光領域と縁領域を囲んでいるエッチング防止層を示す図面である。

【図7a】多様な形状の基板の開口部を示す図面である。

【図7b】多様な形状の基板の開口部を示す図面である。

【図7c】多様な形状の基板の開口部を示す図面である。

【図7d】多様な形状の基板の開口部を示す図面である。

【図8】表示領域の断面を示す図面である。

【図9】本発明の第１実施例に係る表示パネルを示す図面である。

【図10】透光領域を形成する前の表示パネルを示す図面である。

【図11a】表示パネルに透光領域を形成するために基板をエッチングする過程を示す図面である。

【図11b】表示パネルに透光領域を形成するために基板をエッチングする過程を示す図面である。

【図11c】表示パネルに透光領域を形成するために基板をエッチングする過程を示す図面である。

【図11d】コーティング層が第１開口部に全体的に充填された形態を示す図面である。

【図12a】多様な構造のエッチング防止層を示す図面である。

【図12b】多様な構造のエッチング防止層を示す図面である。

【図13】本発明の第２実施例に係る表示パネルを示す図面である。

【図14a】表示パネルに透光領域を形成するために基板をエッチングする過程を示す図面である。

【図14b】表示パネルに透光領域を形成するために基板をエッチングする過程を示す図面である。

【図14c】表示パネルに透光領域を形成するために基板をエッチングする過程を示す図面である。

【図15】本発明の第３実施例に係る表示パネルを示す図面である。

【図16】透光領域を形成する前の表示パネルを示す図面である。

【図17a】ダミー領域にエッチング防止層を形成する過程を示す図面である。

【図17b】ダミー領域にエッチング防止層を形成する過程を示す図面である。

【図17c】ダミー領域にエッチング防止層を形成する過程を示す図面である。

【図18a】表示パネルに透光領域を形成するために基板をエッチングする過程を示す図面である。

【図18b】表示パネルに透光領域を形成するために基板をエッチングする過程を示す図面である。

【図19】図１８ａの変形例である。

【図20】本発明の他の実施例に係る表示装置の概念図である。

【発明を実施するための形態】

【0013】

本発明の利点および特徴、そしてそれらを達成する方法は、添付される図面と共に詳細に後述されている実施例を参照すると明確になるであろう。しかし、本発明は以下で開示される実施例に限定されるものではなく互いに異なる多様な形態で具現され得、ただし本実施例は本発明の開示を完全なものとし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものであり、本発明は請求項の範疇によって定義されるのみである。

【0014】

本発明の実施例を説明するための図面に開示された形状、大きさ、比率、角度、個数等は例示的なものであるので、本発明が図示された事項に限定されるものではない。明細書全体に亘って同一の参照符号は同一の構成要素を指し示す。また、本発明の説明において、関連した公知技術に対する具体的な説明が本発明の要旨を不要に曖昧にさせ得る恐れがあると判断される場合、その詳細な説明は省略する。

【0015】

本明細書上で言及された「含む」、「有する」、「からなる」等が使われる場合、「～のみ」が使われない以上、他の部分が追加され得る。構成要素を単数で表現した場合、特に明示的な記載事項がない限り複数を含む場合を含む。

【0016】

構成要素の解釈において、別途の明示的記載がなくても誤差範囲を含むと解釈する。

【0017】

位置関係に対する説明の場合、例えば、「～上に」、「～上部に」、「～下部に」、「～そばに」などで二つの部分の位置関係が説明される場合、「すぐに」または「直接」が使われない以上、二つの部分間に一つ以上の他の部分が位置することもある。

【0018】

実施例の説明において、第１、第２等が多様な構成要素を叙述するために使われるが、これらの構成要素はこれらの用語によって制限されない。これらの用語は単に一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使うものである。したがって、以下で言及される第１構成要素は本発明の技術的思想内で第２構成要素であってもよい。

【0019】

明細書全体に亘って同一の参照符号は同一の構成要素を指し示す。

【0020】

多様な実施例の特徴が部分的にまたは全体的に互いに結合または組み合わせ可能であり、技術的に多様な連動および駆動が可能であり、各実施例が互いに対して独立的に実施可能であってもよく、関連関係で共に実施可能であってもよい。

【0021】

以下、添付された図面を参照して本発明の多様な実施例を詳細に説明する。

【0022】

図１は、本発明の一実施例に係る表示装置の概念図である。図２は、図１のＩ－Ｉ’方向断面図である。図３は、図２のＡ部分拡大図である。図４は、 図２のＢ部分拡大図である。

【0023】

図１および図２を参照すると、表示装置１は映像を出力する表示領域ＤＡと光が入射する透光領域ＴＡを含むことができる。透光領域ＴＡは表示パネルの下部に配置されたセンサ４０に光を入射させるためのホール構造であり得るが必ずしもこれに限定しない。

【0024】

表示パネルは基板１０上に配置された回路部１３と、回路部１３上に配置された素子部（発光部）１５を含むことができる。素子部１５上には偏光板１９が配置され、偏光板１９上にはカバーガラス２０が配置され得る。また、素子部１５と偏光板１９の間にはタッチ部１８が配置され得る。

【0025】

実施例によると、基板１０はガラス材質を含むことができる。すなわち、実施例に係る基板は所定の強度を有することができる。しかし、必ずしもこれに限定するものではなく、基板１０はポリイミドのようなフレキシブルな材質を含んでもよい。

【0026】

回路部１３はデータライン、ゲートライン、電源ラインなどの配線に連結されたピクセル回路、ゲートラインに連結されたゲート駆動部などを含むことができる。

【0027】

回路部１３はＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）で具現されたトランジスタとキャパシタなどの回路素子を含むことができる。回路部１３の配線と回路素子は複数の絶縁層と、絶縁層を挟んで分離された二以上の金属層、そして半導体物質を含むアクティブ層で具現され得る。

【0028】

素子部１５はＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）ディスプレイ、クワンタム（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｏｔ）ディスプレイ、マイクロＬＥＤ（Ｍｉｃｒｏ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）ディスプレイなどの素子構造を有することができる。以下では、例示的に有機化合物層を含むＯＬＥＤ構造で説明する。

【0029】

有機化合物層は正孔注入層（Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ、ＨＩＬ）、正孔輸送層（Ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）、発光層（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｌａｙｅｒ、ＥＭＬ）、電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）および電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ、ＥＩＬ）を含むことができるがこれに限定されない。

【0030】

ＯＬＥＤのアノードとカソードに電圧が印加されると、正孔輸送層ＨＴＬを通過した正孔と電子輸送層ＥＴＬを通過した電子が発光層ＥＭＬに移動されて励起子を形成して発光層ＥＭＬから可視光が放出され得る。

【0031】

素子部１５は、画素上に配置され、赤色、緑色および青色の波長を選択的に透過させるカラーフィルタアレイをさらに含むことができる。

【0032】

素子部１５は保護膜によって覆われ得、保護膜は封止部１７により覆われ得る。保護膜と封止部１７は有機膜と無機膜が交互に積層された構造であり得る。無機膜は水分や酸素の浸透を遮断することができる。有機膜は無機膜の表面を平坦化することができる。したがって、有機膜と無機膜が多重で積層されると、単一層に比べて水分や酸素の移動経路が長くなって素子部１５に影響を与える水分／酸素の浸透が効果的に遮断され得る。

【0033】

素子部１５上には偏光板１９が配置され得る。偏光板１９は表示装置の野外視認性を改善することができる。偏光板１９は表示パネルの表面から反射する光を減らし、回路部１３の金属から反射する光を遮断してピクセルの明るさを向上させることができる。偏光板１９は線偏光板１９と位相遅延フィルムが接合された偏光板または円偏光板で具現され得る。

【0034】

透光領域ＴＡは表示領域ＤＡの間に形成され得る。第１非表示領域ＮＤＡ１は透光領域ＴＡを囲むように配置され得る。第１非表示領域ＮＤＡ１は複数のダム（Ｄａｍ）構造を具備することによって、透光領域ＴＡから流入され得る水分乃至酸素から表示領域ＤＡの発光素子を保護することができる。

【0035】

透光領域ＴＡはカメラのような撮像ユニットに光を注入するための貫通ホール構造を有することができる。しかし、必ずしもこれに限定するものではなく、透光領域ＴＡは密度が少ないピクセルが配置されてもよい。

【0036】

基板１０は透光領域ＴＡで配置された第１開口部１１を含むことができる。第１開口部１１はカバーガラス２０に近づくほど幅が狭くなるテーパー状を有することができる。しかし、必ずしもこれに限定するものではなく、第１開口部１１はカバーガラス２０に近づくほど幅が広くなる逆テーパー状を有してもよく、厚さ方向に幅が一定であってもよい。第１開口部１１のテーパー状はエッチング液の種類およびエッチング方法によって多様に変形され得る。

【0037】

図２を参照すると、基板１０の第１開口部１１上には第１エッチング防止層ＥＳ１が配置され得る。また、基板１０の縁には第２エッチング防止層ＥＳ２が配置され得る。第１エッチング防止層ＥＳ１と第２エッチング防止層ＥＳ２は基板１０のエッチング時にエッチング液がパネルの内部に浸透することを防止することができる。

【0038】

第１エッチング防止層ＥＳ１と第２エッチング防止層ＥＳ２はエッチング液に強い有機物質を含むことができる。例示的にエッチング防止層はポリエステル系高分子、シリコン系高分子、アクリル系高分子、ポリオレフィン系高分子およびこれらの共重合体からなる群から選択された一つを含むことができる。しかし、必ずしもこれに限定するものではなく、エッチング防止層はエッチング液に強い多様な材質を含むことができる。

【0039】

第１エッチング防止層ＥＳ１と第２エッチング防止層ＥＳ２は回路部１３、素子部１５、封止部１７、タッチ部１８を構成する層のうち少なくとも一つの層から延びて形成され得る。すなわち、第１エッチング防止層ＥＳ１と第２エッチング防止層ＥＳ２は回路部１３、素子部１５、封止部１７、タッチ部１８から延びたダミー層であり得る。このような構成によると、別途の工程を追加せずともエッチング防止層を形成することができる。

【0040】

実施例によると、第１エッチング防止層ＥＳ１は第１開口部１１の内側に突出する突出部Ｐ１を含むことができる。突出部Ｐ１は第１開口部１１の上面より内側に突出した部分と定義することができる。このような突出部Ｐ１はエッチング防止層をレーザー切削する過程で形成され得る。

【0041】

基板１０の背面にはコーティング層３０が形成され得る。コーティング層３０は例えば、ポリエステル系高分子、アクリル系高分子を含む有機物質で形成され得る。

【0042】

コーティング層３０の一部は第１開口部１１の内側面に形成され得る。この時、コーティング層３０の一部は第１エッチング防止層ＥＳ１の突出部Ｐ１の下面まで配置され得る。すなわち、第１エッチング防止層ＥＳ１の突出部Ｐ１は第１開口部１１内に形成されたコーティング層３０の上面に配置され得る。

【0043】

第１開口部１１の第１傾斜面１１ａと第１エッチング防止層の突出部Ｐ１の側面Ｓ１１は傾斜が異なり得る。例示的に突出部Ｐ１の側面Ｓ１１の傾斜角度は第１傾斜面１１ａの傾斜角度θ１より大きくてもよい。第１開口部１１はエッチング液によってエッチングされてテーパー状を有する反面、第１エッチング防止層ＥＳ１はレーザーによって切削されて相対的に垂直な断面が形成されるためである。突出部Ｐ１の下部に配置されたコーティング層３０の端部３１の側面Ｓ２１は突出部Ｐ１の側面Ｓ１１と同一の傾斜角度を有することができる。

【0044】

しかし、必ずしもこれに限定するものではなく、第１開口部１１がカバーガラス２０に近づくほど幅が大きくなる逆テーパー状を有する場合、第１傾斜面１１ａが第１エッチング防止層ＥＳ１の側面の傾斜よりさらに大きくてもよい。

【0045】

図２および図４を参照すると、表示パネルの縁には第２非表示領域ＮＤＡ２が配置され得る。第２非表示領域ＮＤＡ２はマザーガラス基板から複数個のパネルを分離時に必要なマージン部分であり得る。

【0046】

基板１０は縁に形成された第２傾斜面１２ａを含むことができる。第２傾斜面１２ａは第１開口部１１に形成された第１傾斜面１１ａと同じ角度および同一の深さを有することができる。第１開口部１１と第２傾斜面１２ａはエッチング液によって同時に形成されるので、傾斜角度およびエッチング深さが同一であり得る。

【0047】

実施例によると、エッチング液を利用してマザーガラス基板をエッチングして複数個の表示パネルに分離する過程で各表示パネルの基板に第１開口部１１を同時に形成することができる。したがって、剛性を低下させず、別途の追加装備なしに開口部を形成することができる。また、マスクパターンを変更して多様な形状の開口部を形成することができる。

【0048】

第２非表示領域ＮＤＡ２に配置された第２エッチング防止層ＥＳ２は、複数個の表示パネルを分離するためにマザーガラス基板エッチング時にエッチング液がパネルの内部に浸透することを防止することができる。

【0049】

第２エッチング防止層ＥＳ２は回路部１３、素子部１５、封止部１７、タッチ部１８のうち少なくとも一つの層から延長され得る。または第２エッチング防止層は回路部１３、素子部１５、封止部１７、タッチ部１８のうち少なくとも一つの層を形成する過程で同時に形成されてもよい。このような構成によると、別途の工程を追加せずとも第２エッチング防止層ＥＳ２を形成することができる。

【0050】

実施例によると、第２エッチング防止層ＥＳ２は第２傾斜面１２ａの外側に突出する突出部Ｐ２を含むことができる。このような突出部Ｐ２によって、第２エッチング防止層ＥＳ２をレーザー切削する時に表示パネルが損傷することを防止することができる。

【0051】

コーティング層３０は第２傾斜面１２ａに形成され得る。この時、コーティング層３０の一部は突出部Ｐ２の下面まで延長され得る。

【0052】

基板１０の第２傾斜面１２ａと第２エッチング防止層ＥＳ２の突出部Ｐ２の側面Ｓ１２は傾斜が異なり得る。例示的に突出部Ｐ２の側面Ｓ１２の傾斜角度は第２傾斜面１２ａの傾斜角度より大きくてもよい。第２傾斜面１２ａはエッチング液によってエッチングされてテーパー状を有する反面、第２エッチング防止層ＥＳ２はレーザー切削によって側面Ｓ１２が形成されるためである。突出部Ｐ２の下部に配置されたコーティング層３０の端部３１の側面Ｓ２２は突出部Ｐ２の側面Ｓ１２と同一の傾斜角度を有することができる。

【0053】

しかし、必ずしもこれに限定するものではなく、第２傾斜面１２ａが逆テーパー状を有する場合、第２傾斜面１２ａが第２エッチング防止層ＥＳ２の傾斜よりさらに大きくてもよい。

【0054】

図５ａを参照すると、第１エッチング防止層ＥＳ１は第１サブ層～第３サブ層ＥＳ１１、ＥＳ１２、ＥＳ１３を含むことができる。第１サブ層ＥＳ１１は無機膜であり得、第３サブ層ＥＳ１３は有機膜であり得る。有機膜はガラス基板１０との接着力が相対的に弱いため、無機膜によって基板１０と有機膜の接着力を向上させることができる。

【0055】

また、第２サブ層ＥＳ１２は金属層であり得る。第２サブ層ＥＳ１２は第１サブ層ＥＳ１１に比べて相対的にエッチング液に対する耐化学性が大きいモリブデン（Ｍｏ）等を含むことができる。しかし、必ずしもこれに限定するものではなく、第２サブ層ＥＳ１２は必要に応じて省略されてもよい。

【0056】

コーティング層３０は第１開口部１１に全体的に充填されてもよい。したがって、第１エッチング防止層ＥＳ１をレーザーで切削時、第１開口部１１に形成されたコーティング層３０も同一の断面を有するように切削され得る。したがって、第１エッチング防止層ＥＳ１の断面と第１開口部１１に形成されたコーティング層３０は断面が平行であり得る。

【0057】

図５ｂを参照すると、第２エッチング防止層ＥＳ２は第１サブ層ＥＳ２１および第２サブ層ＥＳ２２を含むことができる。第１サブ層ＥＳ２１は無機膜であり得、第２サブ層ＥＳ２２は有機膜であり得る。しかし、必ずしもこれに限定するものではなく、第２エッチング防止層は図５ａのような構造を有してもよい。

【0058】

第１エッチング防止層ＥＳ１と第２エッチング防止層ＥＳ２は層の構造が同一であってもよく、異なってもよい。例示的に表示領域ＤＡの一部の層を第１非表示領域ＮＤＡ１に延長することは可能である反面、第２非表示領域ＮＤＡ２に延長することは難しい場合もある。この場合、第１エッチング防止層ＥＳ１と第２エッチング防止層ＥＳ２は層の構造が変わり得る。

【0059】

また、第１エッチング防止層ＥＳ１は表示領域ＤＡで連続的に延びて形成される反面、第２エッチング防止層ＥＳ２は表示領域ＤＡと断絶された形態であり得る。またはこれとは反対に、第２エッチング防止層ＥＳ２は表示領域ＤＡで延びて形成される反面、第１エッチング防止層ＥＳ１は表示領域ＤＡと断絶された形態である場合もある。

【0060】

図６は、エッチング防止層が透光領域を囲んでいる形状を示す図面である。図７ａ～図７ｄは、多様な形状の透光領域を示す図面である。

【0061】

図６を参照すると、第１エッチング防止層ＥＳ１は第１開口部１１の周辺を全体的に囲むように配置され得る。また、第２エッチング防止層ＥＳ２は表示パネルの外周面を全体的に囲むように配置され得る。

【0062】

実施例によると、第１エッチング防止層ＥＳ１が第１開口部１１の周辺を全体的に囲むように配置され、第２エッチング防止層ＥＳ２が表示パネルの外周面を全体的に囲むように配置されるので、マザーガラス基板の切削と同時に基板の内側に貫通ホールを形成する場合、エッチング液がパネルの内部に浸透することを防止することができる。

【0063】

図７ａ～図７ｄを参照すると、湿式エッチングを利用してガラス基板１０に多様な形状の開口部１１を形成することができる。したがって、既存のスクライビング、ブレーキング、グラインディング技術に比べて、基板の剛性をそのまま維持しながらも多様な開口を形成することが可能となる長所がある。また、基板１０の側面にノッチまたはラウンディングを形成するために、基板１０の側面を加工するとともに開口部１１を形成できる長所がある。

【0064】

図８は、表示領域の断面を示す図面である。

【0065】

図８を参照すると、表示領域ＤＡは基板１０、マルチバッファ層１０２、アクティブバッファ層１０３を具備することができ、アクティブバッファ層１０３上に第１トランジスタ１２０が配置され得る。

【0066】

第１トランジスタ１２０を構成する第１半導体層１２３と第１半導体層１２３上に第１ゲート電極１２２と絶縁のための下部ゲート絶縁膜１０４が配置され得る。第１ゲート電極１２２上に第１下部層間絶縁膜１０５と第２下部層間絶縁膜１０６が順次配置され得、上部バッファ層１０７が配置され得る。

【0067】

マルチバッファ層１０２は基板１０に浸透した水分または酸素が拡散することを遅延させることができ、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）および酸化シリコン（ＳｉＯｘ）が少なくとも１回交互に積層されて形成され得る。

【0068】

アクティブバッファ層１０３は第１半導体層１２３を保護し、基板１０から流入する多様な種類の欠陥を遮断する機能を遂行することができる。このアクティブバッファ層１０３はａ－Ｓｉ、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）等で形成され得る。

【0069】

第１トランジスタ１２０の第１半導体層１２３は多結晶半導体層からなり得、第１半導体層１２３はチャネル領域、ソース領域およびドレイン領域を具備することができる。

【0070】

多結晶半導体層は非晶質半導体層および酸化物半導体層より移動度が高いため、エネルギー消費電力が低く信頼性が優秀である。このような長所により、駆動トランジスタに多結晶半導体層が使われ得る。

【0071】

第１ゲート電極１２２は下部ゲート絶縁膜１０４上に配置され得、第１半導体層１２３と重なるように配置され得る。

【0072】

上部バッファ層１０７の上に第２トランジスタ１３０が配置され得、第２トランジスタ１３０に対応する領域の下部に遮光層１３６が配置され得る。

【0073】

第２トランジスタ１３０に対応する領域の第１下部層間絶縁膜１０５上に遮光層１３６が配置され、第２トランジスタ１３０の第２半導体層１３３が遮光層１３６と重なるように第２下部層間絶縁膜１０６と上部バッファ層１０７上に配置され得る。

【0074】

第２半導体層１３３の上部に第２ゲート電極１３２と第２半導体層１３３を絶縁させるための上部ゲート絶縁層１３７が配置され得る。

【0075】

上部層間絶縁膜１０８は第２ゲート電極１３２上に配置され得る。第１ゲート電極１２２と第２ゲート電極１３２はモリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、および銅（Ｃｕ）のうちいずれか一つまたはこれらの合金からなる単一層または多重層であり得るが、これに限定されない。

【0076】

第１および第２下部層間絶縁膜１０５、１０６は上部層間絶縁膜１０８に比べて水素粒子含有量が高い無機膜で形成され得る。例えば、第１および第２下部層間絶縁膜１０５、１０６はＮＨ_３ガスを利用した蒸着工程で形成される窒化シリコン（ＳｉＮｘ）からなり、上部層間絶縁膜１０８は酸化シリコン（ＳｉＯｘ）で形成され得る。第１および第２下部層間絶縁膜１０５、１０６に含まれた水素粒子は、水素化工程時に多結晶半導体層に拡散して多結晶半導体層内の空隙を水素で満たすことができる。これに伴い、多結晶半導体層は安定化をなすことができるため、第１トランジスタ１２０の特性の低下を防止することができる。

【0077】

第１トランジスタ１２０の第１半導体層１２３の活性化および水素化工程以後に第２トランジスタ１３０の第２半導体層１３３が形成され得、この時、第２半導体層１３３は酸化物半導体で形成され得る。第２半導体層１３３は第１半導体層１２３の活性化および水素化工程の高温の雰囲気に露出しないので、第２半導体層１３３の損傷を防止することができるため信頼性が向上し得る。

【0078】

上部層間絶縁膜１０８が配置された後、第１トランジスタのソースおよびドレイン領域に対応するように第１ソースコンタクトホール１２５Ｓと第１ドレインコンタクトホール１２５Ｄが形成され、第２トランジスタ１３０のソースおよびドレイン領域に対応するように第２ソースコンタクトホール１３５Ｓと第２ドレインコンタクトホール１３５ｄがそれぞれ形成され得る。

【0079】

第１ソースコンタクトホール１２５Ｓと第１ドレインコンタクトホール１２５Ｄは上部層間絶縁膜１０８から下部ゲート絶縁膜１０４まで連続的にホールが形成され得、第２トランジスタ１３０にも第２ソースコンタクトホール１３５Ｓと第２ドレインコンタクトホール１３５Ｄを形成することができる。

【0080】

第１トランジスタ１２０に対応する第１ソース電極１２１、第１ドレイン電極１２４と第２トランジスタ１３０に対応する第２ソース電極１３１、第２ドレイン電極１３４を同時に形成でき、これを通じて第１トランジスタ１２０と第２トランジスタ１３０それぞれのソースおよびドレイン電極を形成する工程回数を減らすことができる。

【0081】

第１ソースおよびドレイン電極１２１、１２４と第２ソースおよびドレイン電極１３１、１３４はモリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）および銅（Ｃｕ）のうちいずれか一つまたはこれらの合金からなる単一層または多重層であり得るが、これに限定されない。

【0082】

第１ソースおよびドレイン電極１２１、１２４と第２ソースおよびドレイン電極１３１、１３４は３層構造からなり得、例えば、第１ソース電極１２１は第１層１２１ａ、第２層１２１ｂ、第３層１２１ｃで構成され得、他のソースおよびドレイン電極も同じ構造であり得る。

【0083】

第１トランジスタ１２０と第２トランジスタ１３０の間にストレージキャパシタ１４０が配置され得る。ストレージキャパシタ１４０は第１下部層間絶縁膜１０５を挟んでストレージ下部電極１４１とストレージ上部電極１４２が重なることによって形成され得る。

【0084】

ストレージ下部電極１４１は下部ゲート絶縁膜１０４上に位置し、第１ゲート電極１２２と同一層に同一材質で形成され得る。ストレージ上部電極１４２はストレージ供給ライン１４３を通じてピクセル回路と電気的に連結され得る。ストレージ上部電極１４２は遮光層１３６と同一層に同一材質で形成され得る。このようなストレージ上部電極１４２は第２下部層間絶縁膜１０６、上部バッファ層１０７、上部ゲート絶縁層１３７、および上部層間絶縁膜１０８を貫通するストレージコンタクトホール１４４を通じて露出してストレージ供給ライン１４３と接続される。

【0085】

ストレージ上部電極１４２は遮光層１３６と離隔しているが、互いに連結された一体型で形成されてもよい。ストレージ供給ライン１４３は第１ソースおよびドレイン電極１２１、１２４～第２ソースおよびドレイン電極１３１、１３４と同一平面上に同一材質で形成され得、これによってストレージ供給ライン１４３は第１ソースおよびドレイン電極１２１、１２４～第２ソースおよびドレイン電極１３１、１３４と同一のマスク工程で同時に形成可能である。

【0086】

第１ソースおよびドレイン電極１２１、１２４、第２ソースおよびドレイン電極１３１、１３４、ストレージ供給ライン１４３が形成された基板１０上にＳｉＮｘまたはＳｉＯｘのような無機絶縁物質が全面蒸着されることによって、保護膜１０９が形成され得る。

【0087】

保護膜１０９の上部には第１平坦化層１１０が形成され得る。具体的には、保護膜１０９上にアクリル系樹脂のような有機絶縁物質が全面塗布されることによって第１平坦化層１１０が配置され得る。

【0088】

保護膜１０９と第１平坦化層１１０を配置し、フォトリソグラフィ工程を通じて第１トランジスタ１２０の第１ソース電極１２１または第１ドレイン電極１２４を露出するコンタクトホールを形成することができる。第１ドレイン電極１２４を露出するコンタクトホール領域にＭｏ、Ｔｉ、Ｃｕ、ＡｌＮｄ、ＡｌおよびＣｒまたはこれらの合金からなる物質で連結電極１４５を配置することができる。

【0089】

連結電極１４５上に第２平坦化層１１１が配置され得、第２平坦化層１１１に連結電極１４５を露出させるコンタクトホールを形成して第１トランジスタ１２０と連結される発光素子１５０を配置することができる。

【0090】

発光素子１５０は第１トランジスタ１２０の第１ドレイン電極１２４と接続されたアノード電極１５１と、アノード電極１５１上に形成される少なくとも一つの発光スタック１５２と、発光スタック１５２上に形成されたカソード電極１５３を具備することができる。

【0091】

発光スタック１５２は正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を含むことができ、複数の発光層が重なったタンデム（Ｔａｎｄｅｍ）構造では、発光層と発光層の間に電荷生成層が追加で配置され得る。発光層の場合、サブ画素ごとに異なる色を発光する場合があり得る。

【0092】

アノード電極１５１は第２平坦化層１１１を貫通するコンタクトホールを通じて露出した連結電極１４５と接続され得る。アノード電極１５１は透明導電膜および反射効率が高い不透明導電膜を含む多層構造で形成され得る。透明導電膜としては、インジウム－ティン－オキサイド（ＩＴＯ）またはインジウム－ジンク－オキサイド（ＩＺＯ）のような仕事関数値が比較的大きい材質からなり、不透明導電膜としては、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｍｏ、Ｔｉまたはこれらの合金を含む単層または多層構造で形成され得る。

【0093】

例えば、アノード電極１５１は透明導電膜、不透明導電膜および透明導電膜が順次積層された構造で形成されたり、透明導電膜および不透明導電膜が順次積層された構造で形成され得る。

【0094】

アノード電極１５１はバンク１５４により設けられた発光領域だけでなく、第１および第２トランジスタ１２０、１３０とストレージキャパシタ１４０が配置された画素回路領域と重なるように第２平坦化層１１１上に配置されることによって発光面積が増加し得る。

【0095】

発光スタック１５２はアノード電極１５１上に正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層の順でまたは逆順で積層されて形成され得る。その他にも発光スタック１５２は電荷生成層をさらに具備および挟んで対向する第１および第２発光スタックを具備してもよい。

【0096】

バンク１５４はアノード電極１５１を露出させるように形成され得る。このようなバンク１５４はフォトアクリルのような有機物質で形成され得、半透明な材質であり得るがこれに限定されず、サブ画素間の光干渉を防止するために不透明材質で形成されてもよい。

【0097】

カソード電極１５３は発光スタック１５２を挟んでアノード電極１５１と対向するように発光スタック１５２の上部面に形成され得る。カソード電極１５３は前面発光型有機発光表示装置に適用される場合、インジウム－ティン－オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム－ジンク－オキサイド（ＩＺＯ）またはマグネシウム－銀（Ｍｇ－Ａｇ）を薄く形成して透明導電膜で形成され得る。

【0098】

カソード電極１５３上に発光素子１５０を保護するための封止部１７を形成することができる。発光素子１５０は発光スタック１５２の有機物特性上外部の水分乃至酸素と反応して黒点（ｄａｒｋ－ｓｐｏｔ）乃至ピクセル収縮現象（ｐｉｘｅｌ ｓｈｒｉｎｋａｇｅ）が発生し得るため、これを防止するためにカソード電極１５３上に配置され得る。

【0099】

封止部１７は第１無機絶縁膜１７１、異物補償層１７２、および第２無機絶縁膜１７３で構成され得る。

【0100】

封止部１７を形成した上部にタッチ部１８が配置され得る。タッチ部１８は第１タッチ平坦化層１８１、タッチ電極１８２、および第２タッチ平坦化層１８３を含むことができる。第１タッチ平坦化層１８１と第２タッチ平坦化層１８３は、タッチ電極１８２が配置される地点の段差をなくし、電気的によく絶縁されるようにするために配置され得る。

【0101】

実施例によると、低温多結晶シリコンからなる第１トランジスタ１２０と酸化物半導体からなる第２トランジスタ１３０を互いに異なる層に配置することによって、ディスプレイ装置１００に互いに異なる駆動特性を有する薄膜トランジスタＴＦＴが配置され得る。しかし、必ずしもこれに限定するものではなく、同じ駆動特性を有する薄膜トランジスタのみを使ってもよい。

【0102】

図９は、本発明の第１実施例に係る表示パネルを示す図面である。図１０は、透光領域を形成する前の表示パネルを示す図面である。図１１ａ～図１１ｃは、表示パネルに透光領域を形成するために基板をエッチングする過程を示す図面である。

【0103】

図９を参照すると、第１非表示領域ＮＤＡ１は透光領域ＴＡを囲むように配置され得る。また、第１非表示領域ＮＤＡ１は複数個のダム部と防止部が交互に配置されるベゼル領域ＮＤＡ１１およびベゼル領域ＮＤＡ１１と透光領域ＴＡの間に配置されるダミー領域ＮＤＡ１２を含むことができる。

【0104】

ベゼル領域ＮＤＡ１１は表示領域ＤＡで延びた複数個の層を利用してダム部と防止部を形成することができる。

【0105】

例示的に第１防止部２１０は第１構造物２１１、第２構造物２１２、第３構造物２１３を含み、第２防止部２２０は第５構造物２２１および第６構造物２２２を含むことができる。しかし、ダム部と防止部の構造物の個数は多様に変形され得る。

【0106】

第１ダム３０１、第１防止部２１０および第２防止部２２０は透光領域ＴＡを囲む閉ループ（ｃｌｏｓｅｄ ｌｏｏｐ）の形状で配置され得る。このような構成によると、透光領域ＴＡを通じて表示領域ＤＡに水分が浸透することを防止することができる。

【0107】

ダミー領域ＮＤＡ１２はレーザー切削時、マージンのために形成された領域であり得る。ダミー領域ＮＤＡ１２がないと、レーザー切削時、ベゼル領域ＮＤＡ１１が損傷して水分の浸透に弱くなり得る。ダミー領域ＮＤＡ１２はレーザー切削が容易であるように基板１０上に最小限の層のみを配置させることができる。

【0108】

実施例でエッチング防止層はダミー領域ＮＤＡ１２に配置された有機膜、無機膜、金属層と定義することができる。すなわち、表示領域ＤＡと非表示領域NDAに形成された有機膜、無機膜、金属層がダミー領域ＮＤＡ１２にも形成されてエッチング防止層として機能することができる。したがって、同一の層であるが配置された領域により図面符号が異なり得る。

【0109】

本発明でエッチング防止層は複数個のサブ層を含むことができる。複数個のサブ層のエッチング防止性能は異なり得る。例示的に無機物で形成されたサブ層は時間の経過につれてエッチング液によってエッチングされ得る反面、有機物または金属で形成されたサブ層は無機物で形成されたサブ層に比べて相対的にエッチング防止性能が優秀であり得る。

【0110】

本実施例で第１サブ層ＥＳ１１は封止部の第１無機絶縁膜１７１と第２無機絶縁膜１７３が延びて形成され得、第２サブ層ＥＳ１２はタッチ部の第１タッチ平坦化層１８１と第２タッチ平坦化層１８３が延びて形成され得る。しかし、これは例示的なものに過ぎず、表示領域ＤＡの多様な無機膜と絶縁膜がエッチング防止層として使われ得る。

【0111】

透光領域ＴＡは基板１０の第１開口部１１により定義される第１透光領域Ｄ１、第１サブ層ＥＳ１１により定義される第２透光領域Ｄ２、および第２サブ層ＥＳ１２により定義される第３透光領域Ｄ３を含むことができる。

【0112】

基板１０の第１開口部１１により形成された第１透光領域Ｄ１では上部方向に次第に幅が狭くなるように形成され、第３透光領域Ｄ３では第１透光領域Ｄ１の最小幅より狭く形成され得る。また、第２透光領域Ｄ２は第３透光領域Ｄ３の幅より広い幅を有することができる。しかし、必ずしもこれに限定するものではなく、コーティング層３０が第１開口部１１に全体的に充填される場合、第１透光領域～第３透光領域Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３の幅は同一であってもよい（図５ａ参照）。

【0113】

実施例によると、基板１０はエッチング液を利用してエッチングする反面、第１エッチング防止層ＥＳ１はレーザーを利用して切削するので、透光領域ＴＡの幅が厚さ方向に異なり得る。また、第１開口部１１の上部に露出した第１エッチング防止層ＥＳ１をレーザーで切削するので、第１エッチング防止層ＥＳ１の一部は第１開口部１１の内側に残存して突出部Ｐ１を形成することができる。

【0114】

図１０を参照すると、透光領域ＴＡが形成される領域にはダミーダム構造ＯＢ１が形成され得る。したがって、基板１０の下部では透光領域ＴＡのダミーダム構造ＯＢ１を除去するために背面をエッチングし、上部ではレーザーを通じてダミーダム構造ＯＢ１を囲む第１エッチング防止層を切削してダミーダム構造ＯＢ１を除去することによって透光領域ＴＡを形成することができる。この時、基板１０の背面をエッチングする位置Ｓ１とレーザーで第１エッチング防止層を切削する位置Ｓ１は同一であり得る。

【0115】

図１１ａを参照すると、ダミー領域ＮＤＡ１２の基板１０上には第１サブ層ＥＳ１１と第２サブ層ＥＳ１２を含む第１エッチング防止層ＥＳ１が配置され得る。また、基板１０の縁である第２非表示領域ＮＤＡ２には第１サブ層ＥＳ２１と第２サブ層ＥＳ２２を含む第２エッチング防止層ＥＳ２が配置され得る。第１エッチング防止層ＥＳ１の構造と第２エッチング防止層ＥＳ２の構造は同一であり得るが必ずしもこれに限定されず、互いに異なってもよい。

【0116】

図１１ｂを参照すると、ダミー領域ＮＤＡ１２で基板１０の背面をエッチング液に露出させると、マスクにカバーされない部分はエッチング液によってエッチングされ得る。基板１０がエッチングされるとエッチング液が第１サブ層ＥＳ１１に接触することになり、時間が経過するにつれて第１サブ層ＥＳ１１がエッチングされ得る。第２非表示領域ＮＤＡ２も同様に第１サブ層ＥＳ２１がエッチングされ得る。

【0117】

図１１ｃを参照すると、基板１０の背面にコーティング層３０を形成することができる。この時、コーティング層３０はダミー領域ＮＤＡ１２に形成された第１開口部１１の内側および第２非表示領域ＮＤＡ２に配置された第２開口部１２の内側に全体的に形成され得る。以後、レーザーＬ１を照射して第１エッチング防止層ＥＳ１および第２エッチング防止層ＥＳ２を切削することができる。したがって、マザーガラス基板から複数個のパネル単位で分離するとともに、各表示パネルに透光領域ＴＡを形成することができる。

【0118】

この時、無機物である第１サブ層ＥＳ１１はレーザー照射位置からすでに除去されたので、レーザー切削時、無機膜にクラックが伝播する現象を改善することができる。

【0119】

図１１ｄを参照すると、コーティング層３０は第１開口部１１と第２開口部１２の内部に全体的に形成されてもよい。したがって、第１開口部１１と第２開口部１２を切った断面は「一」字状に平坦であり得る。したがって、透光領域ＴＡの幅は厚さ方向に一定であり得る。

【0120】

図１２ａを参照すると、無機膜で形成された第１サブ層ＥＳ１１の形状は無機膜の厚さまたはエッチング時間により多様であり得る。例示的に第１サブ層ＥＳ１１の下部層１７１ａがエッチングされる幅は第１サブ層ＥＳ１１の上部層１７２ａがエッチングされる幅より大きくてもよい。また、第１サブ層ＥＳ１１の上部層１７２ａの一部はエッチングされなくてもよい。

【0121】

図１２ｂを参照すると、エッチング防止層は無機膜と有機膜以外に金属膜で構成されたサブ層を含んでもよい。

【0122】

例示的に第１サブ層ＥＳ１１は無機物で構成され、第２サブ層ＥＳ１２は金属で構成され、第３サブ層ＥＳ１３は有機物で構成され得る。各サブ層は表示領域ＤＡに複数個の層を形成する時に共に形成され得る。

【0123】

例示的に第１サブ層ＥＳ１１は表示領域ＤＡにバッファ層、ゲート絶縁膜、平坦化層のような無機膜形成時に同時に形成することができる。第２サブ層ＥＳ１２はゲート電極、アノード電極などの多様な金属層形成時に同時に形成することができる。また、第３サブ層ＥＳ１３はソース／ドレイン電極を覆う平坦化層、バンク、スペーサ、封止部１７のような有機膜形成時に同時に形成することができる。

【0124】

図１３は、本発明の第２実施例に係る表示パネルを示す図面である。図１４ａ～図１４ｃは、表示パネルに透光領域を形成するために基板をエッチングする過程を示す図面である。

【0125】

図１３を参照すると、本実施例で第１エッチング防止層ＥＳ１の第１サブ層ＥＳ１１はアクティブバッファ層のような無機膜が延びて形成され得、第２サブ層ＥＳ１２は第１、第２平坦化層またはバンク層のような有機膜が延びて形成され得、第３サブ層ＥＳ１３は封止部の第１、第２無機絶縁膜が延びて形成され得、第４サブ層ＥＳ１４はタッチ部の第１、第２タッチ平坦化層のような有機膜が延びて形成され得る。

【0126】

このような構成によると、第１無機膜／第１有機膜／第２無機膜／第２有機膜の積層構造を有してエッチング防止効果がさらに優秀となり得る。しかし、必ずしもこれに限定するものではなく、第１エッチング防止層ＥＳ１は無機膜／有機膜構造のみ有してもよい。

【0127】

図１４ａを参照すると、ダミー領域ＮＤＡ１２の基板１０上には第１サブ層ＥＳ１１、第２サブ層ＥＳ１２、第３サブ層ＥＳ１３、および第４サブ層ＥＳ１４が順に積層され得る。前述した通り、第１サブ層ＥＳ１１は有機膜であり、第２サブ層ＥＳ１２は無機膜であり、第３サブ層ＥＳ１３は有機膜であり、第４サブ層ＥＳ１４は無機膜であり得る。第２非表示領域ＮＤＡ２に配置された第２エッチング防止層ＥＳ２も同一の層の構造を有することができる。マスクにカバーされない部分はエッチング液によってエッチングされ得る。基板１０がエッチングされると第１サブ層ＥＳ１１がエッチング液に接触することになり、時間が経過するにつれて第１サブ層ＥＳ１１がエッチングされ得る。

【0128】

図１４ｃを参照すると、基板１０の背面にコーティング層３０を形成することができる。この時、コーティング層３０は基板１０に形成された第１開口部１１の内側にも形成され得る。以後、レーザーを照射してエッチング防止層を切削することができる。このような構成によると、エッチング防止層の切断面は相対的に垂直な反面、基板１０の第１開口部１１はテーパー状を有する特徴がある。また、第２サブ層ＥＳ１２、第３サブ層ＥＳ１３および第４サブ層ＥＳ１４が相対的に第１開口部１１の内側に突出し得る。

【0129】

図１５は、本発明の第３実施例に係る表示パネルを示す図面である。図１６は、透光領域を形成する前の表示パネルを示す図面である。図１７ａ～図１７ｃは、ダミー領域にエッチング防止層を形成する過程を示す図面である。図１８ａおよび図１８ｂは、表示パネルに透光領域を形成するために基板をエッチングする過程を示す図面である。図１９は、図１８ａの変形例である。

【0130】

図１５を参照すると、第１非表示領域ＮＤＡ１は透光領域ＴＡを囲むように配置され得る。また、第１非表示領域ＮＤＡ１は複数個のダム部と防止部が交互に配置されるベゼル領域ＮＤＡ１１およびベゼル領域ＮＤＡ１１と透光領域ＴＡの間に配置されるダミー領域ＮＤＡ１２を含むことができる。

【0131】

ベゼル領域ＮＤＡ１１は表示領域ＤＡで延びた複数個の有機膜と無機膜をパターニングしてダム部と防止部を形成することができる。

【0132】

例示的に第１防止部２１０は第１構造物２１１、第２構造物２１２、第３構造物２１３を含み、第２防止部２２０は第５構造物２２１および第６構造物２２２を含むことができる。

【0133】

第１ダム３０１、第１防止部２１０および第２防止部２２０は透光領域ＴＡを囲む閉ループ（ｃｌｏｓｅｄ ｌｏｏｐ）の形状で配置され得る。このような構成によると、透光領域ＴＡを通じて表示領域ＤＡに水分が浸透することを防止することができる。

【0134】

本実施例で第１サブ層ＥＳ１１は封止部の第１無機絶縁膜と第２無機絶縁膜が延びて形成され得、第２サブ層ＥＳ１２はタッチ部の第１タッチ平坦化層と第２タッチ平坦化層が延びて形成され得る。しかし、必ずしもこれに限定するものではなく、第１サブ層ＥＳ１１は封止部の第１無機絶縁膜と第２無機絶縁膜のうちいずれか一つの層のみで形成され得る。また、第２サブ層ＥＳ１２はタッチ部の第１タッチ平坦化層と第２タッチ平坦化層のうちいずれか一つの層のみで形成され得る。

【0135】

第１サブ層ＥＳ１１はダミー領域ＮＤＡ１２の一部の領域にのみ形成され得る。すなわち、第１サブ層ＥＳ１１は透光領域ＴＡから所定間隔で離隔配置され得る。これに反し、第２サブ層ＥＳ１２は透光領域ＴＡまで延長され得る。すなわち、第１サブ層ＥＳ１１と透光領域ＴＡの間の離隔距離ｄ１１は第２サブ層ＥＳ１２と透光領域ＴＡの間の離隔距離より長くてもよい。

【0136】

第２サブ層ＥＳ１２は第１サブ層ＥＳ１１の終端から基板１０に向かって突出する第１突出部Ｐ１１および第１突出部Ｐ１１から基板１０の第１開口部１１に向かって突出する第２突出部Ｐ１２を含むことができる。

【0137】

この時、第２突出部Ｐ１２の高さは基板１０の上面より高く形成され得る。第２突出部Ｐ１２と基板１０の上面の間の垂直方向の離隔距離ｄ１２は第１サブ層ＥＳ１１の厚さと同一であり得る。

【0138】

第２突出部Ｐ１２の下部面にはコーティング層３０が形成され得る。コーティング層３０は基板１０の第１開口部１１と第２突出部Ｐ１２の下部面に一定の厚さで形成され得る。しかし、必ずしもこれに限定するものではなく、コーティング層３０は第１開口部１１に全体的に充填されてもよい。

【0139】

図１６を参照すると、第１サブ層ＥＳ１１はダミー領域ＮＤＡ１２で挿入溝Ｈ１が形成されて切断された部分を含む反面、第２サブ層ＥＳ１２はベゼル領域ＮＤＡ１１から透光領域ＴＡまで連続的に形成され得る。したがって、第２サブ層ＥＳ１２は挿入溝Ｈ１に対応する第１突出部Ｐ１１が形成され得る。第１突出部Ｐ１１は透光領域ＴＡのダミーダム構造ＯＢ１を囲むように閉ループ状に形成することができる。

【0140】

図１７ａ～図１７ｃを参照すると、図１７ａのようにダミー領域の基板１０上に第１サブ層ＥＳ１１を形成した後、図１７ｂのように第１サブ層ＥＳ１１の一部を除去して挿入溝Ｈ１を形成することができる。以後、図１７ｃのように第１サブ層ＥＳ１１上に第２サブ層ＥＳ１２を形成すれば第２サブ層ＥＳ１２の一部が挿入溝Ｈ１に挿入され得る。したがって、第２サブ層ＥＳ１２は挿入溝Ｈ１に挿入されて基板１０と接触する第１突出部Ｐ１１が形成され得る。

【0141】

図１８ａを参照すると、第１サブ層ＥＳ１１はダミーダム構造ＯＢ１を囲むように配置され、第２サブ層ＥＳ１２は第１サブ層ＥＳ１１を囲むように配置され得る。

【0142】

基板１０の背面にはダミーダム構造ＯＢ１を除去するために第１開口部１１を形成することができる。第１開口部１１はダミーダム構造ＯＢ１を囲むように形成され得る。例示的に基板１０の背面には第１開口部１１が形成される領域を除いた残りの領域にマスクを形成した後、エッチング液に接触させることができる。

【0143】

第２サブ層ＥＳ１２は基板１０の背面に第１開口部１１が形成されて無機膜である第１サブ層ＥＳ１１がエッチング液に露出し得る。

【0144】

図１８ｂを参照すると、所定時間経過後に第１サブ層ＥＳ１１はエッチング液によってエッチングされ得る。これに反し、有機膜である第２サブ層ＥＳ１２は時間が経過してもエッチング液によってエッチングされないことができる。したがって、透光領域ＴＡには第１サブ層ＥＳ１１で囲まれたダミーダム構造ＯＢ１が除去され得る。

【0145】

以後、基板１０の第１開口部１１の内側面と第２サブ層ＥＳ１２の内部面にコーティング層３０を形成することができる。コーティング層３０は第１開口部１１の内部に全体的に充填されてもよい。

【0146】

以後、レーザーＬ１を利用して第２サブ層ＥＳ１２を切断することによって透光領域ＴＡを形成することができる。

【0147】

図１９を参照すると、エッチング防止層は有機膜、無機膜、金属膜からなる複数個の層が積層されて形成され得る。例示的に第１サブ層ＥＳ１１は無機膜からなり得、第２サブ層ＥＳ１２は有機膜からなり得、第３サブ層ＥＳ１３は無機膜からなり得、第４サブ層ＥＳ１４は有機膜からなり得る。

【0148】

また、第１サブ層ＥＳ１１は無機膜からなり得、第２サブ層ＥＳ１２は金属膜からなり得、第３サブ層ＥＳ１３と第４サブ層ＥＳ１４は有機膜からなり得る。

【0149】

図２０は、本発明の他の実施例に係る表示装置の概念図である。

【0150】

図２０を参照すると、実施例に係る表示装置は表示パネルの前面が表示領域ＤＡで構成され得る。したがって、フルスクリーンディスプレイ（Ｆｕｌｌ－ｓｃｒｅｅｎ ｄｉｓｐｌａｙ）が可能となり得る。表示装置は表示パネル自体であってもよく、表示パネルと駆動部を含む概念であってもよい。

【0151】

表示領域ＤＡは第１表示領域ＤＡと第２表示領域ＣＡを含むことができる。第１表示領域ＤＡと第２表示領域ＣＡはすべて映像を出力するが解像度が異なり得る。例示的に第２表示領域ＣＡに配置された複数個の第２ピクセルの解像度は第１表示領域ＤＡに配置された複数個の第１ピクセルの解像度より低くてもよい。第２表示領域ＣＡに配置された複数個の第２ピクセルの解像度が低くなるだけ第２表示領域ＣＡに配置されたセンサ４０に相対的に多くの光量を注入することができる。

【0152】

しかし、必ずしもこれに限定するものではなく、第２表示領域ＣＡが十分な光透過率を有するか適切な補償アルゴリズムが具現され得るのであれば、第１表示領域ＤＡの解像度と第２表示領域ＣＡの解像度は同一であってもよい。

【0153】

第２表示領域ＣＡはセンサ４０が配置された領域であり得る。第２表示領域ＣＡは各種センサと重なる領域であるので、映像の大部分を出力する第１表示領域ＤＡより面積が小さくてもよい。

【0154】

センサ４０はイメージセンサ、近接センサ、照度センサ、ジェスチャーセンサ、モーションセンサ、指紋認識センサおよび生体センサのうち少なくとも一つを含むことができる。例示的に第１センサは照度センサまたは赤外線センサであり得、第２センサはイメージまたは動画を撮影するカメラであり得るが必ずしもこれに限定しない。

【0155】

第１表示領域ＤＡのピクセルアレイはＰＰＩが高い複数のピクセルグループが配置されたピクセル領域を含むことができる。第２表示領域ＣＡのピクセルアレイは透光領域によって離隔されて相対的にＰＰＩが低い複数のピクセルグループが配置されたピクセル領域を含むことができる。第２表示領域ＣＡで外部光は光透過率が高い透光領域を通じて表示パネルを透過して表示パネルの下のセンサに受光され得る。

【0156】

基板１０は第２表示領域ＣＡに配置された第１開口部１１を含むことができる。第１開口部１１はカバーガラス２０で近づくほど幅が狭くなるテーパー状を有することができる。しかし、必ずしもこれに限定するものではなく、第１開口部１１はカバーガラス２０で近づくほど幅が広くなってもよく、厚さ方向に幅が一定であってもよい。第１開口部１１のテーパー状は使われるエッチング液の種類およびエッチング方法によって多様に変形され得る。

【0157】

基板１０の第１開口部１１上には第１エッチング防止層ＥＳ１が配置され得る。また、基板１０の縁り上には第２エッチング防止層ＥＳ２が配置され得る。第１エッチング防止層ＥＳ１と第２エッチング防止層ＥＳ２は基板１０のエッチング時にエッチング液がパネルの内部に浸透することを防止することができる。

【0158】

第１エッチング防止層ＥＳ１と第２エッチング防止層ＥＳ２はエッチング液に強い有機物質を含むことができる。例示的にエッチング防止層はポリエステル系高分子、シリコン系高分子、アクリル系高分子、ポリオレフィン系高分子およびこれらの共重合体からなる群から選択された一つを含むことができる。

【0159】

第１エッチング防止層ＥＳ１と第２エッチング防止層ＥＳ２は回路部１３、素子部１５、封止部１７、タッチ部１８を構成する層のうち少なくとも一つの層から延びて形成され得る。このような構成によると、別途の工程を追加せずともエッチング防止層を形成することができる。

【0160】

基板１０の背面にはコーティング層３０が形成され得る。コーティング層３０は例えば、ポリエステル系高分子、アクリル系高分子を含む有機物質で形成され得る。

【0161】

表示パネルの縁には第２非表示領域ＮＤＡ２が配置され得る。第２非表示領域ＮＤＡ２はマザーガラス基板から複数個のパネルを分離時に必要なマージン部分であり得る。

【0162】

基板１０は縁に形成された第２傾斜面１２ａを含むことができる。第２傾斜面１２ａは第１開口部１１に形成された第１傾斜面１１ａと同じ角度および同一の深さを有することができる。第１開口部１１と第２傾斜面１２ａはエッチング液によって同時に形成されるので傾斜角度およびエッチング深さが同一であり得る。

【0163】

実施例によると、エッチング液を利用してマザーガラス基板をエッチングして複数個の表示パネルに分離する過程で各表示パネルの基板１０に第１開口部１１を形成することができる。したがって、剛性を低下させず、別途の追加装備なしに開口部を形成して透光効率を改善することができる。

【符号の説明】

【0164】

１０：基板

【0165】

１１：第１開口部

【0166】

１２：回路層

【0167】

１５：素子層

【0168】

ＴＡ：透光領域

【0169】

ＥＳ１：第１エッチング防止層

【0170】

ＥＳ２：第２エッチング防止層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5a】

【図5b】

【図6】

【図7a】

【図7b】

【図7c】

【図7d】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11a】

【図11b】

【図11c】

【図11d】

【図12a】

【図12b】

【図13】

【図14a】

【図14b】

【図14c】

【図15】

【図16】

【図17a】

【図17b】

【図17c】

【図18a】

【図18b】

【図19】

【図20】