7647111 素子の製造方法及びウエハ切断装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2025-03-10

(45)【発行日】2025-03-18

(54)【発明の名称】素子の製造方法及びウエハ切断装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/301 20060101AFI20250311BHJP

【ＦＩ】

H01L21/78 F

【請求項の数】 8

(21)【出願番号】P 2021005192

(22)【出願日】2021-01-15

(65)【公開番号】P2022109725

(43)【公開日】2022-07-28

【審査請求日】2023-12-19

(73)【特許権者】

【識別番号】000005496

【氏名又は名称】富士フイルムビジネスイノベーション株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001519

【氏名又は名称】弁理士法人太陽国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】堀 恭彰

(72)【発明者】

【氏名】森川 慎吾

(72)【発明者】

【氏名】最上 逸生

【審査官】湯川 洋介

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１７－０３８０２８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００１－１２９８２２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－０９８５６７（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／３０１

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

ウエハを回転する刃で格子状に切断し、一辺の長さが該ウエハの厚み以下の矩形状の素子を切り出す素子の製造方法であって、
該刃を該一辺方向と交差する交差方向に相対移動させて該ウエハに深さが該ウエハの厚みの半分以下の凹溝を形成し、該凹溝を撮像する工程と、
該刃を該交差方向に相対移動させて、該凹溝で該ウエハを切断する工程と、
該凹溝の撮像画像から該一辺方向の該刃の送り量を補正し、該刃を該一辺方向に送る工程と、
を備えた素子の製造方法。

【請求項2】

該凹溝の形成及び撮像をしないで該刃を該交差方向に相対移動させて該ウエハを切断し、該補正をすることなく該刃を該一辺方向に送る他の工程を有している、
請求項１に記載の素子の製造方法。

【請求項3】

ウエハを回転する刃で格子状に切断し、一辺の長さが該ウエハの厚み以下の矩形状の素子を切り出す素子の製造方法であって、
該刃を該一辺方向と交差する交差方向に相対移動させて該ウエハに深さが該ウエハの厚みの半分以下の凹溝を形成し、該凹溝を撮像する工程と、
該凹溝の撮像画像から該一辺方向の該刃のずれ量を補正し、該刃を該交差方向に相対移動させて、該凹溝で該ウエハを切断する工程と、
該刃を該一辺方向に送る工程と、
を備えた素子の製造方法。

【請求項4】

該凹溝の形成及び撮像並びに該刃のずれ量の補正をしないで該刃を該交差方向に相対移動させて該ウエハを切断する他の工程を有している、
請求項３に記載の素子の製造方法。

【請求項5】

該他の工程は、該素子の角部から該交差方向の該ウエハの外周端までの距離が、該ウエハの厚み以下の場合に行う、
請求項２又は４に記載の素子の製造方法。

【請求項6】

該凹溝の深さは、該ウエハから切り出した該素子を実装する際に位置決めする位置決め部材の先端部の高さよりも大きく設定されている、
請求項１～請求項５のいずれか１項に記載の素子の製造方法。

【請求項7】

該ウエハは、該凹溝が形成される面と反対側の面にエッチング溝が予め形成されており、
該凹溝と該エッチング溝との合計の深さは、該ウエハの厚みの半分以下に設定されている、
請求項１～請求項６のいずれか１項に記載の素子の製造方法。

【請求項8】

ウエハを格子状に切断し、一辺の長さが該ウエハの厚み以下の矩形状の素子を切り出す回転刃と、
該ウエハに対して該回転刃を相対移動させる相対移動部と、
撮像装置と、
該相対移動部を制御し、該回転刃を該一辺方向と交差する方向に相対移動させて該ウエハに形成した深さが該ウエハの厚みの半分以下の凹溝を該撮像装置で撮像し、該撮像装置が撮像した撮像画像から該一辺方向の該回転刃の送り量又はずれ量を補正し、該回転刃を該一辺方向に送る制御部と、
を備えたウエハ切断装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、素子の製造方法及びウエハ切断装置に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、半導体の製造工程において、ウエハ上に正確に配列されて作られたチップをチップ間のストリートに沿って切溝を入れ分割するダイシング装置に関する技術が開示されている。この先行技術では、ダイシング装置は、テーブル上に載置された半導体ウエハの表面に配列されたチップ間のストリートに対して回転刃に並設した顕微鏡の基準線をアライメントし、回転刃又はテーブルをＸ方向に切削送りすることによって１ラインの溝切りを行い、続いてチップのＹ方向ピッチだけ回転刃又はテーブルをＹ方向にピッチ送りしたのち、回転刃又はテーブルをＸ方向に切削送りすることによって次のラインの溝切りを行う。このダイシング装置の溝切制御装置は、顕微鏡の視野を撮像する撮像手段と、所定のラインの溝切り後に撮像手段から得られる画像情報に基づいて所定のラインの切溝と顕微鏡の基準線とのずれ量を算出するずれ量算出手段と、算出したずれ量を補正データとして次のラインのＹ方向のピッチ送り量を補正する補正手段と、が備えられている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開平５－６９４３７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

矩形状の素子は、ウエハを回転する刃で格子状に切断して、ウエハから切り出している。刃の回転軸方向の送り量は、切り出した素子と素子（切り出す前の素子）との間隙を適宜撮像して、補正している。

【0005】

しかし、切り出す素子の一辺の長さがウエハの厚み以下の場合は、切り出した素子が倒れ易い。そして、素子が倒れると、切り出した素子と素子（切り出す前の素子）との間隙の幅（間隔）及び中心位置等が変化し、刃の回転軸方向の送り量の補正の精度が低下する。

【0006】

本発明の課題は、ウエハを切断した後の素子（切り出した素子）と、素子（切り出す前の素子）との間隙を撮像して回転する刃の送り量を補正する場合と比較し、補正の精度を向上させることである。

【課題を解決するための手段】

【0007】

第一態様は、ウエハを回転する刃で格子状に切断し、一辺の長さが該ウエハの厚み以下の矩形状の素子を切り出す素子の製造方法であって、該刃を該一辺方向と交差する交差方向に相対移動させて該ウエハに凹溝を形成し、該凹溝を撮像する工程と、該刃を該交差方向に相対移動させて、該凹溝で該ウエハを切断する工程と、該凹溝の撮像画像から該一辺方向の該刃の送り量を補正し、該刃を該一辺方向に送る工程と、を備えた素子の製造方法である。

【0008】

第二態様は、該凹溝の形成及び撮像をしないで該刃を該交差方向に相対移動させて該ウエハを切断し、該補正をすることなく該刃を該一辺方向に送る他の工程を有している、第一態様に記載の素子の製造方法である。

【0009】

第三態様は、ウエハを回転する刃で格子状に切断し、一辺の長さが該ウエハの厚み以下の矩形状の素子を切り出す素子の製造方法であって、該刃を該一辺方向と交差する交差方向に相対移動させて該ウエハに凹溝を形成し、該凹溝を撮像する工程と、該凹溝の撮像画像から該一辺方向の該刃のずれ量を補正し、該刃を該交差方向に相対移動させて、該凹溝で該ウエハを切断する工程と、該刃を該一辺方向に送る工程と、を備えた素子の製造方法である。

【0010】

第四態様は、該凹溝の形成及び撮像並びに該刃のずれ量の補正をしないで該刃を該交差方向に相対移動させて該ウエハを切断する他の工程を有している、第三態様に記載の素子の製造方法である。

【0011】

第五態様は、該他の工程は、該素子の角部から該交差方向の該ウエハの外周端までの距離が、該ウエハの厚み以下の場合に行う、第二態様又は第四態様に記載の素子の製造方法である。

【0012】

第六態様は、該凹溝の深さは、該ウエハから切り出した該素子を実装する際に位置決めする位置決め部材の先端部の高さよりも大きく設定されている、第一態様～第五態様のいずれか一態様に記載の素子の製造方法である。

【0013】

第七態様は、該凹溝の深さは、該ウエハの厚みの半分以下に設定されている、第一態様～第六態様のいずれか一態様に記載の素子の製造方法である。

【0014】

第八態様は、該ウエハは、該凹溝が形成される面と反対側の面にエッチング溝が予め形成されており、該凹溝と該エッチング溝との合計の深さは、該ウエハの厚みの半分以下に設定されている、第七態様に記載の素子の製造方法である。

【0015】

第八態様は、ウエハを格子状に切断し、一辺の長さが該ウエハの厚み以下の矩形状の素子を切り出す回転刃と、該ウエハに対して該回転刃を相対移動させる相対移動部と、撮像装置と、該相対移動部を制御し、該回転刃を該一辺方向と交差する方向に相対移動させて該ウエハに形成した凹溝を該撮像装置で撮像し、該撮像装置が撮像した撮像画像から該一辺方向の該回転刃の送り量又はずれ量を補正し、該回転刃を該一辺方向に送る制御部と、を備えたウエハの切断装置である。

【発明の効果】

【0016】

第一態様の素子の製造方法によれば、ウエハを切断した後の素子と素子との間隙を撮像して回転する刃の送り量を補正する場合と比較し、補正の精度が向上する。

【0017】

第二態様の素子の製造方法によれば、ウエハを切断する際常に凹溝を形成して補正する場合と比較し、ウエハから素子を切り出す切断効率が向上する。

【0018】

第三態様の素子の製造方法によれば、ウエハを切断した後の素子と素子との間隙を撮像して回転する刃のずれ量を補正する場合と比較し、補正の精度が向上する。

【0019】

第四態様の素子の製造方法によれば、ウエハを切断する際常に凹溝を形成して補正する場合と比較し、ウエハから素子を切り出す切断効率が向上する。

【0020】

第五態様の素子の製造方法によれば、角部から交差方向のウエハの外周端までの距離が、ウエハの厚み以下の場合にも凹溝を形成する場合と比較し、素子の破損が抑制される。

【0021】

第六態様の素子の製造方法によれば、凹溝の深さが位置決め部材の先端部の高さ以下の場合と比較し、素子を実装する際の位置決め精度の低下が抑制される。

【0022】

第七態様の素子の製造方法によれば、凹溝の深さが、ウエハの厚みの半分よりも大きい場合と比較し、凹溝を形成した際のウエハのひび割れが抑制される。

【0023】

第八態様の素子の製造方法によれば、凹溝とエッチング溝との合計の深さが、ウエハの厚みの半分よりも大きい場合と比較し、凹溝を形成した際のウエハのひび割れが抑制される。

【0024】

第九態様のウエハ切断装置によれば、ウエハを切断した後に素子と素子との間隙を撮像して回転刃の送り量を補正する場合と比較し、補正の精度が向上する。

【図面の簡単な説明】

【0025】

【図1】ウエハ切断装置の斜視図である。

【図2】ウエハ切断装置の切断ユニット及び撮像ユニットをＹ方向から見た正面図である。

【図3】半導体ウエハの平面図である。

【図4】（Ａ）は第一切断工程を説明するための平面図であり、（Ｂ）は第二切断工程を説明するための平面図である。

【図5】基板製造装置の斜視図である。

【図6】基板製造装置において半導体素子を実装する工程の工程図である。

【図7】ウエハ切断装置のブロック図である。

【図8】第一切断工程の補正ラインにおいて凹溝を形成したのち切断する工程の工程図である。

【図9】第一切断工程後の半導体素子の傾きを模式的に示す断面図である。

【図10】撮像ユニットで凹溝を撮像した撮像画像の模式図（平面図）である。

【図11】図３の半導体ウエハの要部を拡大した拡大平面図である。

【図12】図８（Ｄ）の補正ラインの拡大図である。

【図13】図６（Ｂ）の半導体素子と位置決め部材の接触部分の拡大図である。

【図14】（Ａ）は待機位置のブレードをＸ方向から見た側面図であり、（Ｂ）は切断位置のブレードをＸ方向から見た側面図であり、（Ｃ）は凹溝形成位置のブレードをＸ方向から見た側面図である。

【発明を実施するための形態】

【0026】

＜実施形態＞
一実施形態の素子の製造方法、この素子の製造方法に用いられるウエハ切断装置及び切り出された素子を基板に実装して基板装置を製造する基板製造装置について説明する。ここで、実装とは、何等かの機能を実現させるために対象物に取り付けることである。本実施形態では、素子の一例としての発光素子を発光できる状態にするために配線基板５４４に取り付けることである。

【0027】

［ウエハ切断装置］
まずウエハ切断装置について説明する。なお、各図において適宜示される矢印Ｘ及び矢印Ｙは水平方向における直交する二方向を示し、矢印Ｚは鉛直方向を示している。

【0028】

（全体構成）
図１に示すように、ウエハ切断装置１０は、ウエハの一例としての半導体ウエハ２２が積載される収納ボックス１８と、切断される半導体ウエハ２２が固定される固定台の一例としてのチャックテーブル１２と、収納ボックス１８に収納されている半導体ウエハ２２をチャックテーブル１２に搬送する搬送ユニット１４と、チャックテーブル１２を移動させる移動ユニット３２と、移動ユニット３２によって移動するチャックテーブル１２に固定された半導体ウエハ２２を切断する切断ユニット３６と、切断ユニット３６に向けて切削水を吐出する吐出ユニット６２（図２参照）と、撮像ユニット３８と、切断装置制御部８４（図７参照）と、を含んで構成されている。

【0029】

〔収納ボックス〕
ウエハ切断装置１０の筐体２０は、直方体状とされた本体部位２０Ａと、本体部位２０Ａの一端側から鉛直方向上方に突出した突出部位２０Ｂと、を備えている。

【0030】

半導体ウエハ２２が積載される収納ボックス１８は、本体部位２０Ａの他端側の角部に配置され、収納ボックス１８の上部は開放されている。

【0031】

また、収納ボックス１８には、積載された半導体ウエハ２２を昇降させる図示せぬ昇降部材が備えられており、最上位の半導体ウエハ２２が一定の位置に配置されるようになっている。

【0032】

〔半導体ウエハ〕
図３に示すように、収納ボックス１８（図１参照）に収納される半導体ウエハ２２は、円形の一部が切りかかれた形状とされ、ダイシングテープ２６の上に貼り付けられている。このダイシングテープ２６の外周側は、リング状の基本リング２８に貼り付けられている。このように、半導体ウエハ２２は、基本リング２８にダイシングテープ２６を介して支持された状態で、前述した収納ボックス１８に積載されている。

【0033】

図３における半導体ウエハ２２に図示されている平面視で格子状の二点鎖線は、切断ユニット３６によって切断される第一切断ラインＳＣ及び第二切断ラインＳＴである。なお、これら第一切断ラインＳＣ及び第二切断ラインＳＴは、直交しており、実際に線が引かれているものではなく、仮想線である。

【0034】

これら二点鎖線の第一切断ラインＳＣ及び第二切断ラインＳＴは格子状である。よって、半導体ウエハ２２を格子状の第一切断ラインＳＣ及び第二切断ラインＳＴに沿って切断することで切り出される素子の一例としての半導体素子３０は、平面視で矩形状である。なお、本実施形態の素子の一例としての半導体素子３０は、発光素子であるが、発光素子に限定されるものではない。

【0035】

矩形状の半導体素子３０の長辺の長さはＬ１であり、短辺の長さはＬ２である。よって、第一切断ラインＳＣの間隔はＬ２である。また、Ｌ２は、後述する切断ユニット３６の短辺方向の送り量である。

【0036】

本実施形態では、半導体ウエハ２２の厚みｔ（図１２参照）は０．５０ｍｍであり、半導体素子３０の長辺の長さＬ１は１．２０ｍｍであり、短辺の長さＬ２は０．１２ｍｍである。よって、半導体素子３０の短辺の長さＬ２は、半導体ウエハ２２の厚みｔ以下である。更に、本実施形態では、半導体素子３０の短辺の長さＬ２は、半導体ウエハ２２の厚みｔの１／２以下になっている。なお、これらの数値は一例であって、これらに限定されるものではない。

【0037】

また、本実施形態の半導体ウエハ２２の一方の面は、第一切断ラインＳＣ及び第二切断ラインＳＴに沿って予めエッチングによってエッチング溝１００（図８（Ａ）参照）が格子状に形成されている。

【0038】

〔搬送ユニット〕
図１に示すように、チャックテーブル１２に半導体ウエハ２２を搬送する搬送ユニット１４は、基端部が突出部位２０Ｂの内部に支持されると共に水平方向に移動可能とされるアーム部位１４Ａと、アーム部位１４Ａの先端部に基端部が取り付けられると共に鉛直方向に伸縮可能とされる伸縮部位１４Ｂと、伸縮部位１４Ｂの先端部に取り付けられると共に基本リング２８を吸着する吸着部位１４Ｃと、を備えている。

【0039】

この構成により、搬送ユニット１４は、収納ボックス１８に収納（収容）された最上位の半導体ウエハ２２を、基本リング２８を介して持ち上げてチャックテーブル１２に向けて搬送するようになっている。

【0040】

〔チャックテーブル〕
図１に示すチャックテーブル１２は、半導体ウエハ２２を下方から支持する図示されていない支持部を備えている。支持部は、半導体ウエハ２２を、ダイシングテープ２６を介して吸着するための図示されていない吸引孔が複数形成されている。また、チャックテーブル１２は、図示されていない支持部を周方向に回転移動させる回転移動装置２４（図７参照）を備えている。

【0041】

〔移動ユニット〕
図１に示すように、ウエハ切断装置１０は、前述した移動ユニット３２が備えられている。

【0042】

移動ユニット３２は、Ｘ方向にチャックテーブル１２を移動させる。

【0043】

そして、移動ユニット３２が、チャックテーブル１２をＸ方向に往復移動させることで、切断ユニット３６によって半導体ウエハ２２が切断されるようになっている。

【0044】

なお、半導体ウエハ２２を切断する工程については、詳細を後述する。

【0045】

〔切断ユニット〕
図１に示すように、切断ユニット３６は、移動ユニット３２の上方に配置されている。言い換えると、切断ユニット３６は、移動ユニット３２により突出部位２０Ｂ側（本体部位２０Ａの一端側）に移動したチャックテーブル１２の鉛直方向の上方に配置されている。

【0046】

図２に示すように、切断ユニット３６は、円筒状のハウジング４０（図１及び図４参照）によって回転可能に支持されたスピンドル４２と、スピンドル４２の先端に取り付けられたフランジ４４に固定された円形のブレード４６と、このブレード４６を上方から覆うカバー部材７０と、を備えている。なお、ブレード４６は、刃及び回転刃の一例である。

【0047】

図１に示すように、ハウジング４０は、鉛直方向及びＸ方向に対して直交するＹ方向に延びる円筒状に形成されている（図４も参照）。

【0048】

図１に示すように、ハウジング４０の基端側には、ハウジング４０の基端部を支持する駆動ユニット４８が備えられている。駆動ユニット４８は、突出部位２０Ｂの内部に固定（支持）されている。

【0049】

この駆動ユニット４８が、ハウジング４０をＺ方向（鉛直方向）及びＹ方向に移動させると共に、ブレード４６をＺ方向及びＹ方向に移動させる。また、駆動ユニット４８は、スピンドル４２（図２参照）を介して半導体ウエハ２２を切断するブレード４６を回転させる。

【0050】

Ｚ方向（鉛直方向）については、駆動ユニット４８は、ブレード４６を用いて半導体ウエハ２２を切断する切断位置（図１４（Ｂ）参照）と、ブレード４６を半導体ウエハ２２から退避させた退避位置（図１４（Ａ）参照）と、後述する凹溝１１０（図８参照）を形成するときの凹溝位置（図１４（Ｃ）参照）と、にハウジング４０を移動させるようになっている。

【0051】

Ｙ方向については、駆動ユニット４８は、切断ユニット３６をＹ方向に送り、Ｙ方向における半導体ウエハ２２の切断ラインを変えるようになっている。

【0052】

〔撮像ユニット〕
図１に示すように、撮像装置の一例としての撮像ユニット３８は、移動ユニット３２の上方に配置されている。言い換えると、撮像ユニット３８は、移動ユニット３２により突出部位２０Ｂ側に移動したチャックテーブル１２の鉛直方向の上方に配置されている。撮像ユニット３８は、その基端部が突出部位２０Ｂの側面に固定（支持）されており、後述する凹溝１１０（図８（Ｃ）参照）を撮像する機能を有している。

【0053】

〔吐出ユニット〕
図２に示すように、ウエハ切断装置１０は、切断ユニット３６の回転するブレード４６に向けて切削水を吐出する吐出ユニット６２を備えている。

【0054】

吐出ユニット６２はブレード４６に向けて切削水を吐出する吐出管７２と、ブレード４６の外周端面に向けて切削水を吐出する吐出管７４と、ブレード４６によって切断される半導体ウエハ２２の切断部位に向けて切削水を吐出する吐出管７６と、を備えている。なお、吐出管７２及び吐出管７６は、ブレード４６の両面に向けて切削水を吐出する必要があるため、図示されていないが、ブレード４６の両面のそれぞれに設けられている。

【0055】

そして、吐出管７２、吐出管７４及び吐出管７６は、カバー部材７０に固定されており、切断ユニット３６の移動に伴って一緒に移動するようになっている。

【0056】

更に、吐出管７２、吐出管７４及び吐出管７６には、図示されていないバルブが接続されている。バルブの開閉は、後述する切断装置制御部８４によって制御されるようになっている。

【0057】

〔切断装置制御部〕
図７に示すように、ウエハ切断装置１０は切断装置制御部８４を備えている。切断装置制御部８４は、ウエハ切断装置１０の全体を制御する機能を有している。

【0058】

つまり、切断装置制御部８４は、チャックテーブル１２（図１参照）を回転移動させる回転移動装置２４と、チャックテーブル１２をＸ方向に移動させる移動ユニット３２（図１参照）と、切断ユニット３６に備えられた駆動ユニット４８（図１参照）と、吐出管７２、吐出管７４及び吐出管７６の図示されていない各バルブの開閉と、撮像ユニット３８と、を制御する機能を有している。

【0059】

また、切断装置制御部８４は、後述する凹溝１１０を撮像後の切断ユニット３６の短辺方向の送り量であるＬ２（図３参照）を補正する補正部８３を備えている。言い換えると、切断装置制御部８４は、後述する凹溝１１０を撮像後の切断ユニット３６の短辺方向のずれ量であるΔＬ２（図１０参照）を補正する補正部８３を備えている。

【0060】

なお、切断装置制御部８４による各部材の制御については、後述する半導体素子３０の切断工程で説明する。

【0061】

［基板製造装置］
つぎに、基板製造装置について説明する。なお、各図において適宜示される矢印Ｘ及び矢印Ｙは水平方向における直交する二方向を示し、矢印Ｚは鉛直方向を示している。また、前述のウエハ切断装置１０と基板製造装置とのＸ方向及びＹ方向は一致していない。

【0062】

（基板製造装置の全体構成）
図５に示す基板製造装置１１は、基板装置の一例としてのプリント配線基板を製造する装置である。

【0063】

基板製造装置１１は、ウエハ切断装置１０（図１参照）により半導体ウエハ２２から切り出された複数の半導体素子３０（ウエハ切断装置１０で各半導体素子３０に切断された状態の半導体ウエハ２２）を供給する供給部５１３と、半導体素子３０を位置決めする位置決め装置５２０と、基板の一例としての配線基板５４４（ベアボード）を位置決めする基板位置決め部５４０と、供給部５１３から位置決め装置５２０へ半導体素子３０を移送する移送装置５５０と、位置決め装置５２０で位置決めされた半導体素子３０を基板位置決め部５４０で位置決めされた配線基板５４４へ移送する移送装置５６０と、を備えている。

【0064】

更に、基板製造装置１１は、供給部５１３、位置決め装置５２０、位置決め部５４０、移送装置５５０及び移送装置５６０等の動作を制御する製造装置制御部５８９を備えている。

【0065】

基板製造装置１１では、半導体素子３０を配線基板５４４に実装する実装装置５００が、位置決め装置５２０と、位置決め部５４０と、移送装置５６０と、を有して構成されている。

【0066】

〔供給部〕
図５に示すように、供給部５１３は半導体ウエハ２２を保持する保持部５１５と、保持部５１５をＸ方向及びＹ方向へ移動させる移動機構５１７と、を備えている。そして、移動機構５１７が保持部５１５をＸ方向及びＹ方向へ移動させることで、実装対象の半導体素子３０を移送装置５５０による予め定められたピックアップ位置に位置させる。

【0067】

なお、供給部５１３では、ウエハ切断装置１０（図１参照）で各半導体素子３０に切断された状態の半導体ウエハ２２とは、上下が逆に保持されている。

【0068】

〔移送装置〕
図５に示す移送装置５５０は、半導体素子３０を保持する保持具の一例としてのコレット５９０を有している。また、移送装置５５０は、コレット５９０が装着されコレット５９０が半導体素子３０を保持するための吸引力を発生させる吸引器５５２と、吸引器５５２を移動させる移動機構５５３と、を備えている。

【0069】

〔位置決め装置〕
図５に示すように、位置決め装置５２０は、半導体素子３０が載せられる位置決め台５３０と、位置決め台５３０上に仮置きされた半導体素子３０を予め定められた位置決め位置に位置決めする位置決め部材５２２と、位置決め部材５２２をＸ方向及びＹ方向へ移動させる移動機構５２９と、を備えている。

【0070】

位置決め台５３０は、上部に図示しない開口部を有する円筒部５３２と、円筒部５３２の開口部に設けられたプレート５３４と、円筒部５３２の内部空間の空気を吸引して該内部空間を負圧にする吸引装置５３６と、を備えている。プレート５３４には、複数の吸引孔５３８が形成されている。

【0071】

なお、半導体素子３０は、半導体ウエハ２２のエッチング溝１００（図８（Ａ）参照）側が上方としてプレート５３４に載せられている。

【0072】

位置決め部材５２２は、板状をしており、本体部５２２Ａと、本体部５２２ＡからＸ方向に延び出た一対の爪部５２２Ｂと、を備えて構成されている。一対の爪部５２２Ｂは、その間に半導体素子３０を配置可能にＹ方向に離れて設けられている。この一対の爪部５２２Ｂと本体部５２２Ａとによって、位置決め部材５２２は、平面視（－Ｚ方向視）にてコの字状（Ｕの字状）に構成されている。

【0073】

なお、位置決め部材５２２は、プレート５３４に吸着されて移動抵抗を受けないように、プレート５３４に対して非接触な状態を保って移動するようになっている。

【0074】

図６に示す、位置決め部材５２２は、爪部５２２Ｂに半導体素子３０の側面３０Ａを突き当てて、半導体素子３０を移動させ、予め定められた位置に半導体素子３０を位置決めする。

【0075】

なお、各爪部５２２Ｂには、下面に溝部５２３が形成されており、吸引孔５３８を通じた吸引力が溝部５２３を介して半導体素子３０の一方の側面３０Ａに作用する。このため、爪部５２２Ｂに突き当てられた半導体素子３０の一方の側面３０Ａは、爪部５２２Ｂに吸引されるようになっている。

【0076】

また、本実施形態では、一対の爪部５２２Ｂのいずれか一方を選択して半導体素子３０の位置決めを行うようになっている。従って、位置決め部材５２２としては、一対の爪部５２２Ｂの一方を有さない構成であってもよい。

【0077】

〔位置決め部〕
図５に示す位置決め部５４０は、配線基板５４４をＸ方向に搬送するコンベア等の一対の搬送部材５４２を備えている。一対の搬送部材５４２は、その間に配線基板５４４が導入可能にＹ方向に離れて配置されている。

【0078】

位置決め部５４０では、一対の搬送部材５４２の間に導入された配線基板５４４が、一対の搬送部材５４２に対してＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向に位置決めされるようになっている。そして、一対の搬送部材５４２が配線基板５４４をＸ方向に搬送することで、配線基板５４４は、後述のコレット５７０に対して、Ｙ方向に位置決めされた状態でＸ方向へ相対移動するようになっている。

【0079】

〔移送装置〕
図５に示す移送装置５６０は、半導体素子３０を保持する保持具の一例としてのコレット５７０と、コレット５７０が装着されコレット５７０が半導体素子３０を保持するための吸引力を発生させる吸引器５６２と、吸引器５６２を配線基板５４４に対して相対移動させる移動機構５６３と、を備えている。

【0080】

吸引器５６２は、コレット５７０が装着される吸引ノズル５６４を有している。コレット５７０では、吸引器５６２によって半導体素子３０が吸引されて、Ｙ方向、Ｚ方向及びＸ方向で位置決めされた状態の半導体素子３０が保持されるようになっている。また、コレット５７０は、吸引器５６２による吸引を停止することにより、コレット５７０による半導体素子３０の保持状態が解除されるようになっている。

【0081】

移動機構５６３は、吸引器５６２をＹ方向に移動させることにより、コレット５７０を配線基板５４４に対してＹ方向へ相対移動させるようになっている。

【0082】

このように、本実施形態では、移動機構５６３によって吸引器５６２がＹ方向に移動し、基板位置決め部５４０の搬送部材５４２によって配線基板５４４がＸ方向に移動することで、コレット５７０を配線基板５４４に対してＸ方向、Ｙ方向に相対移動させるようになっている。

【0083】

また、移動機構５６３は、吸引器５６２を上下方向であるＺ方向に移動させることにより、コレット５７０を配線基板５４４に対してＺ方向に相対移動させるようになっている。本実施形態では、コレット５７０を配線基板５４４に対して、Ｘ方向及びＹ方向に相対移動させた後、コレット５７０を下方に降下させることで、半導体素子３０を配線基板５４４に置き実装する。

【0084】

なお、移動機構５６３としては、例えば、Ｙ方向及びＺ方向に移動可能な二軸ロボットが用いられる。

【0085】

［切断工程の概要］
次に、切断工程の概要について説明する。

【0086】

〔準備工程〕
図１及び図３に示すように、略円形で板状の半導体ウエハ２２は、ダイシングテープ２６を介して基本リング２８に支持され、収納ボックス１８に積載されている。

【0087】

チャックテーブル１２は、予め突出部位２０Ｂとは反対側の受取可能位置に配置されている（図１参照）。搬送ユニット１４は、収納ボックス１８に積載された最上位の半導体ウエハ２２を、基本リング２８を介して持ち上げ、受取可能位置に配置されるチャックテーブル１２に向けて搬送する。

【0088】

チャックテーブル１２に搬送された半導体ウエハ２２は、チャックテーブル１２に吸着されて固定される。なお、この状態で、半導体ウエハ２２から切り出される半導体素子３０の長手方向がＸ方向に沿うように、半導体ウエハ２２は、チャックテーブル１２に固定されている。

【0089】

〔第一切断工程〕
図４（Ａ）に示すように、第一切断工程では、半導体ウエハ２２を半導体素子３０の長辺方向である第一切断ラインＳＣに沿って切断する。なお、半導体ウエハ２２はＸ方向に往復移動するが、切断ユニット３６の半導体ウエハ２２に対する相対移動方向がＸ方向に沿うＦ方向のときにのみ切断する。言い換えると、切断ユニット３６が半導体ウエハ２２に対してＦ方向（矢印Ｆの向き）に相対移動するときの移動方向が切断方向である。なお、半導体素子３０の長辺方向およびＸ方向は、交差方向の一例である。

【0090】

図７に示す切断装置制御部８４は、駆動ユニット４８及び移動ユニット３２を制御し、図４（Ａ）に示すように、ブレード４６を切断位置（図１４（Ｂ）参照）とした状態で、チャックテーブル１２をＦ方向と反対方向に移動させる。言い換えると、切断装置制御部８４は、駆動ユニット４８を用いて回転するブレード４６を切断位置に移動させた後（このときブレード４６は半導体ウエハ２２に接触していない）、移動ユニット３２を用いてチャックテーブル１２を矢印Ｆの向きとは反対の向き（受取可能位置から突出部位２０Ｂ側）に移動させる。これにより、回転するブレード４６は、半導体ウエハ２２の一方の外周端の外側（図４（Ａ）の紙面上方側）から半導体ウエハ２２の他方の外周端の外側（図４（Ａ）の紙面下方側）に通り抜ける。このため、半導体ウエハ２２が、第一切断ラインＳＣに沿って切断される。

【0091】

次に、図７に示す切断装置制御部８４は、駆動ユニット４８及び移動ユニット３２を制御して、図４（Ａ）に示す切断ユニット３６を上方の退避位置（図１４（Ａ）参照）へ移動させると共にチャックテーブル１２をＦ方向に向けて移動させる。言い換えると、切断装置制御部８４は、駆動ユニット４８を用いて回転するブレード４６を退避位置に移動させた後、移動ユニット３２を用いてチャックテーブル１２を矢印Ｆの向き（突出部位２０Ｂ側から受取可能位置側）に移動させる。これにより、回転するブレード４６は、半導体ウエハ２２に接触することなく、半導体ウエハ２２の他方の外周端の外側（図４（Ａ）の紙面下方側）から半導体ウエハ２２の一方の外周端の外側（図４（Ａ）の紙面上方側）に相対移動される。

【0092】

また、切断ユニット３６が退避位置（図１４（Ａ）参照）へ移動した後、図７に示す切断装置制御部８４は、駆動ユニット４８を制御して退避位置の切断ユニット３６を、退避位置を維持したまま、図４（Ａ）におけるＹ方向に送り、切断するライン（切断ライン）を図４（Ａ）における紙面左右方向の右側の次の第一切断ラインＳＣに変える。なお、このときの切断ユニット３６の送り量は、Ｌ２である。この送り量Ｌ２は、ブレード４６の厚み方向の中心位置の移動量である。また、送り量Ｌ２は、前述したように半導体素子３０の短辺の長さＬ２である。

【0093】

そして、切断装置制御部８４が、切断ユニット３６を切断位置（図１４（Ｂ）参照）へ移動させた後、チャックテーブル１２をＦ方向と反対方向に移動させて第一切断ラインＳＣに沿って切断する。言い換えると、切断装置制御部８４は、駆動ユニット４８を用いて回転するブレード４６を切断位置に移動させた後（このときブレード４６は半導体ウエハ２２に接触していない）、移動ユニット３２を用いてチャックテーブル１２を矢印Ｆの向きとは反対の向き（受取可能位置側から突出部位２０Ｂ側）に移動させる。これにより、回転するブレード４６は、半導体ウエハ２２の一方の外周端の外側（図４（Ａ）の紙面上方側）から半導体ウエハ２２の他方の外周端の外側（図４（Ａ）の紙面下方側）に通り抜ける。このため、半導体ウエハ２２は、第一切断ラインＳＣに沿って切断される。

【0094】

この手順を繰り返すことで、半導体ウエハ２２の全ての第一切断ラインＳＣが順に切断され、半導体素子３０の長辺が形成される。

【0095】

なお、図７に示す切断装置制御部８４は、ブレード４６で第一切断ラインＳＣに沿って半導体ウエハ２２を切断する際、図示されていないバルブを開閉し、図２の吐出ユニット６２を構成する各吐出管７２、７４、７６、７８から切削水を適宜吐出させる。

【0096】

〔第二切断工程〕
図４（Ｂ）に示すように、第二切断工程では、第一切断工程が終了したのち、半導体ウエハ２２をＺ方向から見て９０°回転させて半導体ウエハ２２を半導体素子３０の短辺方向である第二切断ラインＳＴに沿って切断する。第一切断工程と同様に、第二切断工程における半導体ウエハ２２を切断する切断方向は、Ｆ方向である。

【0097】

具体的には、図７に示す切断装置制御部８４は、駆動ユニット４８を制御して、切断ユニット３６を退避位置（図１４（Ａ）参照）へ移動させ、移動ユニット３２を制御して、チャックテーブル１２を移動させて半導体ウエハ２２を切断ユニット３６から離間させ、回転移動装置２４を制御して、チャックテーブル１２を９０度回転させる。換言すると、切断装置制御部８４は、駆動ユニット４８を用いて回転するブレード４６を切断位置から退避位置に移動させる。その後、移動ユニット３２は、チャックテーブル１２を矢印Ｆの向き（突出部位２０Ｂ側から受取可能位置側）に移動させる。回転移動装置２４は、受取可能位置にあるチャックテーブル１２を平面視で９０度回転させる。

【0098】

そして、第一切断工程と同様に、第二切断工程では、半導体ウエハ２２の全ての第二切断ラインＳＴを順に切断し、半導体素子３０の短辺を形成する。

【0099】

なお、このときの切断ユニット３６の送り量は、Ｌ１である。この送り量Ｌ１は、ブレード４６の厚み方向の中心位置の移動量である。

【0100】

また、第一切断工程と同様に、第二切断工程でも図７に示す切断装置制御部８４は、ブレード４６で第二切断ラインＳＴに沿って半導体ウエハ２２を切断する際、図示されていないバルブを開閉し、図２に示す吐出ユニット６２を構成する各吐出管７２、７４、７６、７８から切削水を適宜吐出させる。

【0101】

［補正制御１］
次に、図７に示す切断装置制御部８４が、第一切断工程での切断ユニット３６のブレード４６（図１及び図２参照）のＹ方向の送り量Ｌ２（図３参照）を補正する補正制御について説明する。

【0102】

既に説明したように、ウエハ切断装置１０は、半導体ウエハ２２を切断ユニット３６のブレード４６（図１及び図２参照）で格子状に切断し、短辺Ｌ２の長さがウエハの厚みｔ以下の矩形状の半導体素子３０を切り出す。

【0103】

第一切断工程において、複数の第一切断ラインＳＣの内、予め定めた第一切断ラインＳＣが送り量を補正する補正ラインＨＬ（図８参照）となっている。補正ラインＨＬとなっていない第一切断ラインＳＣは、前述した「第一切断工程」により半導体ウエハ２２を切断する。補正ラインＨＬとなっている第一切断ラインＳＣは、後述する「補正ラインＨＬでの切断工程」により半導体ウエハ２２を切断する。本実施形態では、第一切断ラインＳＣの４０ライン毎に１ラインの補正ラインＨＬとしているが、これに限定されるものではない。

【0104】

また、図１１に示すように、補正ラインＨＬ（図８参照）は、切り出される半導体素子３０の角部３１から第一切断ラインＳＣ方向の半導体ウエハ２２の外周端２２Ｅまでの距離Ｗが、半導体ウエハ２２の厚みｔ（図１２参照）以下の場合には、適用しないようになっている。図１１では、第一切断ラインＳＣＡは、距離Ｗが半導体ウエハ２２の厚みｔ以下であるので、補正ラインＨＬとしない。換言すると、補正ラインＨＬは、複数の第一切断ラインの内、距離Ｗが半導体ウエハ２２の厚みｔよりも大きい第一切断ラインが設定される。

【0105】

図８（Ｂ）～（Ｄ）は、補正ラインＨＬでの切断工程を示している。図８（Ａ）及び図８（Ｂ）のように補正ラインＨＬでない第一切断ラインＳＣでは、切断ユニット３６のブレード４６（図１及び図２参照）の一回のＦ方向（図４参照）の相対移動で半導体ウエハ２２を切断する（前述した第一切断工程）。

【0106】

図８（Ｃ）に示すように、補正ラインＨＬにおいては、切断装置制御部８４は、駆動ユニット４８及び移動ユニット３２（図７参照）を制御し、切断ユニット３６のブレード４６（図１及び図２）を凹溝形成位置（図１４（Ｃ）参照）にし、Ｆ方向（図４参照）に相対移動させて凹溝１１０を形成する。

【0107】

言い換えると、切断装置制御部８４は、駆動ユニット４８を用いて回転するブレード４６を凹溝形成位置に移動させた後（このときブレード４６は半導体ウエハ２２に接触していない）、移動ユニット３２を用いてチャックテーブル１２を矢印Ｆの向きとは反対の向き（受取可能位置側から突出部位２０Ｂ側）に移動させる。これにより、回転するブレード４６は、半導体ウエハ２２の一方の外周端の外側（図４（Ａ）の紙面上方側）から半導体ウエハ２２の他方の外周端の外側（図４（Ａ）の紙面下方側）に通り抜ける。このため、半導体ウエハ２２には、補正ラインＨＬに沿って凹溝１１０が形成される。

【0108】

次に、切断装置制御部８４は、駆動ユニット４８を用いて回転するブレード４６を退避位置に移動させた後、移動ユニット３２を用いてチャックテーブル１２を矢印Ｆの向き（突出部位２０Ｂ側から受取可能位置側）に移動させる。このチャックテーブル１２の矢印Ｆの向きへの移動の際に、切断装置制御部８４は、後述するように、撮像ユニット３８を用いて凹溝１１０を撮像する。これにより、回転するブレード４６は、半導体ウエハ２２に接触することなく、半導体ウエハ２２の他方の外周端の外側（図４（Ａ）の紙面下方側）から半導体ウエハ２２の一方の外周端の外側（図４（Ａ）の紙面上方側）に相対移動される。また、当該相対移動時に、撮像ユニット３８は、凹溝１１０の一端から他端までを撮像する。

【0109】

次に、図８（Ｄ）に示すように、切断装置制御部８４は、駆動ユニット４８及び移動ユニット３２（図７参照）を制御し、切断ユニット３６（図１及び図２参照）を切断位置（図１４（Ｂ）参照）にして、同じようにＦ方向に切断ユニット３６を相対移動させて凹溝１１０で半導体ウエハ２２を切断する。言い換えると、切断装置制御部８４は、駆動ユニット４８を用いて回転するブレード４６を切断位置に移動させた後（このときブレード４６は半導体ウエハ２２に接触していない）、移動ユニット３２を用いてチャックテーブル１２を矢印Ｆの向きとは反対の向き（受取可能位置側から突出部位２０Ｂ側）に移動させる。これにより、凹溝１１０を形成したブレード４６は、半導体ウエハ２２の一方の外周端の外側（図４（Ａ）の紙面上方側）から半導体ウエハ２２の他方の外周端の外側（図４（Ａ）の紙面下方側）に凹溝１１０に沿って通り抜ける。このため、半導体ウエハ２２は、補正ラインＨＬに沿って凹溝１１０で切断される。

【0110】

つまり、補正ラインＨＬでの切断工程において、切断装置制御部８４は、駆動ユニット４８及び移動ユニット３２を制御して、ブレード４６の一回目の相対移動により半導体ウエハ２２に凹溝１１０を形成し、凹溝１１０を形成したブレード４６の二回目の相対移動により凹溝１１０において半導体ウエハ２２を切断する。なお、半導体ウエハ２２への凹溝１１０の形成と、当該凹溝１１０での半導体ウエハ２２の切断は同一のブレード４６を用いており、かつ、ブレード４６は回転軸方向（図４（Ａ）における紙面左右方向（Ｙ方向））に移動させていない。このため、理論的には、半導体ウエハ２２に形成される凹溝１１０のラインと、半導体ウエハ２２が切断されるラインは一致するはずである。しかし、ブレード４６（図１及び図２参照）の二回目の相対移動で半導体ウエハ２２を切断する際には、駆動ユニット４８及び移動ユニット３２の機械精度等により若干であるが凹溝１１０との位置がＹ方向にずれる場合がある。そして、このようなずれが生じた場合は、図８（Ｄ）及び図１２に示すように段差部１１２が形成される。

【0111】

図８（Ｃ）及び図１２に示す凹溝１１０の深さＫ１は、図１３に示すように、半導体ウエハ２２から切り出した半導体素子３０（図８（Ｄ）参照）を上下反転させて配線基板５４４に実装する際に、位置決め装置５２０における位置決め部材５２２の爪部５２２Ｂの先端部５２２Ｃの高さＳよりも大きく設定されている。つまり、段差部１１２の位置よりも先端部５２２Ｃの高さＳは低い。言い換えると、半導体ウエハ２２の他方の面が下になるように半導体素子３０を位置決め装置５２０の位置決め台５３０上に置いたとき（図６及び図１３参照）、位置決め台５３０の表面（上面）からの段差部１１２の高さＫ１（凹溝１１０の深さＫ１）は、位置決め台５３０の表面（上面）からの先端部５２２Ｃの高さＳよりも大きく設定されている。さらに換言すると、凹溝１１０の深さＫ１は、半導体ウエハ２２の他方の面が下になるように半導体素子３０を位置決め台５３０上に置いたとき（図６及び図１３参照）、先端部５２２Ｃの先端面を半導体素子３０に接触させても先端部５２２Ｃが段差部１１２に接触しないように設定されている。これは、先端部５２２Ｃの先端面を半導体素子３０に接触させた際に、先端部５２２Ｃが段差部１１２に接触すると、位置決め装置５２０の位置決め台５３０上において爪部５２２Ｂを用いて半導体素子３０を正確に位置決めできなくなるからである。

【0112】

また、凹溝１１０の深さＫ１とエッチング溝１００の深さＫ２との合計の深さは、半導体ウエハ２２の厚みｔの半分以下に設定されている。つまり、Ｋ１＋Ｋ２≦１／２ｔの関係になるように設定されている。凹溝１１０は半導体ウエハ２２の一方の面に形成されたエッチング溝１００と対向する補正ラインＨＬに沿って半導体ウエハ２２の他方の面に形成されるため、凹溝１１０を形成する際に、凹溝１１０で半導体ウエハ２２に割れが生じることを抑制するためである。本実施形態では、半導体ウエハ２２の厚みｔ（図１２参照）は０．５０ｍｍであり、凹溝１１０の深さＫ１は０．２０ｍｍであり、エッチング溝１００の深さＫ２は０．０５ｍｍであり、Ｋ１＋Ｋ２≦１／２ｔの関係に設定されている。なお、これらの数値は一例であって、これらに限定されるものではない。

【0113】

そして、切断ユニット３６が退避位置（図１４（Ａ）参照）へ移動した後、図７に示す切断装置制御部８４は、駆動ユニット４８を制御して、退避位置の切断ユニット３６を、図４のＹ方向（図４の紙面左右方向）の右側に送り、切断ラインを次の第一切断ラインＳＣに変える。言い換えると、切断装置制御部８４は、駆動ユニット４８を用いて回転するブレード４６を退避位置に移動させた後、ブレード４６を未切断の半導体ウエハ２２に向かって短辺方向にＬ２移動させる。Ｌ２は、半導体素子３０の短辺の長さであり、第一切断ラインＳＣの間隔である。

【0114】

ここで、このときの切断ユニット３６の送り量Ｌ２は、切断ユニット３６を送る前に補正されている。ここで、この送り量Ｌ２の補正について説明する。

【0115】

前述したように、切断装置制御部８４は、図８（Ｃ）に示す補正ラインＨＬで形成した凹溝１１０を、移動ユニット３２及び撮像ユニット３８を制御して撮像する。つまり、切断装置制御部８４は、移動ユニット３２を用いてチャックテーブル１２を矢印Ｆの向きへ移動させるときに、撮像ユニット３８を用いて凹溝１１０の一端から他端までを撮像する。切断装置制御部８４は、撮像ユニット３８が撮像した撮像画像を用いて、図４のＹ方向へのブレード４６の送り量Ｌ２を補正部８３で補正する。

【0116】

具体的には、補正部８３は、図１０に示す撮像画像から凹溝１１０の溝幅方向（図１０のＹ方向）の中心同士を結ぶ仮想直線である中心線ＣＡを求める。次に、補正部８３は、求めた中心線ＣＡと、切断装置制御部８４に記憶されている第一切断ラインＳＣの基準線ＫＡとを比較し、そのずれ量であるΔＬ２を求める。そして、そのずれ量ΔＬ２から次に送る際の送り量Ｌ２を補正して、切断ユニット３６を送る。例えば、切断ユニット３６を図１０の紙面上方に基準線ＫＡを基準にして送るとした場合の送り量は、Ｌ２＋ΔＬ２に補正する。また、例えば、切断ユニット３６を図１０の紙面下方に基準線ＫＡを基準にして送るとした場合の送り量は、Ｌ２－ΔＬ２に補正する。なお、送り量Ｌ２の補正は、補正ラインＨＬの次に切断する第一切断ラインＳＣのみである。つまり、当該第一切断ラインＳＣの次の第一切断ラインＳＣに図４のＹ方向へブレード４６を送る場合の送り量は、上記補正をすることなく、Ｌ２である。

【0117】

切断装置制御部８４は、求めたずれ量ΔＬ２から次に送る際の送り量Ｌ２を補正してブレード４６を図４のＹ方向に送ると共に、移動ユニット３２を用いてチャックテーブル１２を矢印Ｆの向き（突出部位２０Ｂ側から受取可能位置側）に移動させる。これにより、回転するブレード４６は、半導体ウエハ２２に接触することなく、半導体ウエハ２２の他方の外周端の外側（図４（Ａ）の紙面下方側）から半導体ウエハ２２の一方の外周端の外側（図４（Ａ）の紙面上方側）に相対移動される。

【0118】

その後、切断装置制御部８４は、駆動ユニット４８を用いて回転するブレード４６を退避位置から切断位置に移動させた後（このときブレード４６は半導体ウエハ２２に接触していない）、移動ユニット３２を用いてチャックテーブル１２を矢印Ｆの向きとは反対の向き（受取可能位置側から突出部位２０Ｂ側）に移動させる。これにより、回転するブレード４６は、半導体ウエハ２２の一方の外周端の外側（図４（Ａ）の紙面上方側）から半導体ウエハ２２の他方の外周端の外側（図４（Ａ）の紙面下方側）に通り抜ける。このため、半導体ウエハ２２は、第一切断ラインＳＣに沿って、より正確に切断される。

【0119】

［作用］
次に、本実施形態の作用について説明する。

【0120】

本実施形態の半導体素子３０の製造方法及びウエハ切断装置１０では、半導体ウエハ２２の凹溝１１０を撮像して、切断ユニット３６のブレード４６の送り量Ｌ２を補正している。よって、半導体ウエハ２２を切断した後の半導体素子３０と、この半導体素子３０に隣接し、半導体ウエハ２２を切断する前の半導体素子３０との間隙を撮像して送り量Ｌ２を補正する場合と比較し、補正の精度が向上する。

【0121】

ここで、図９は、第一切断ラインＳＣに沿って半導体ウエハ２２を切断した切断後の半導体素子３０の状態を模式的に図示している。

【0122】

半導体素子３０の短辺の長さＬ２は、半導体ウエハ２２の厚みｔ以下であり、上下方向に長く短辺方向の安定性が十分ではない。また、半導体素子３０は、柔らかく、弾性のあるダイシングテープ２６に張り付けられているので、この点においても安定性が十分ではない。よって、図９に示すように、切断後の半導体素子３０は、切断時の衝撃、切削水の水圧及び切削水が流れて排出される際の水流の影響等で短辺方向に傾き易い。

【0123】

また、本実施形態では、半導体ウエハ２２に予め第一切断ラインＳＣ及び第二切断ラインＳＴに沿ってエッチング溝１００が形成されている。よって、半導体ウエハ２２を切断する際に、ブレード４６からの圧力により、切断前にエッチング溝１００までクラックが入り、これにより半導体ウエハ２２の切断後に切断後の半導体素子３０が傾くことがある。

【0124】

なお、図９は、判りやすくするために、図におけるダイシングテープ２６の厚みは実際よりも厚く図示され、切断後の半導体素子３０の傾きは実際よりも大きく図示している。

【0125】

そして、このように半導体素子３０が傾いた状態で、切り出された半導体素子３０と、この半導体素子３０に隣接する切り出された半導体素子３０との間隙を撮像して送り量Ｌ２を補正すると、当該間隙の間隔が安定していない（ばらつく）ため、当該補正を正確に行うことができない。

【0126】

これに対して、前述したように補正ラインＨＬでは、半導体ウエハ２２を切断せずに、隣接する半導体素子３０の間にまず凹溝１１０を形成し、当該隣接する半導体素子３０の間隙の間隔（凹溝１１０の幅）が安定した状態で凹溝１１０を撮像することで、送り量Ｌ２の補正の精度が向上する。

【0127】

また、凹溝１１０を形成して補正する補正ラインＨＬは、第一切断ラインＳＣが４０ライン毎である。換言すると、補正ラインＨＬは、４０ラインの第一切断ラインＨＬ毎に１ラインが設定される。よって、半導体ウエハ２２を第一切断ラインＳＣ毎に凹溝１１０を形成して補正する場合と比較し、半導体ウエハ２２から半導体素子３０を切り出す切断効率が向上する。つまり、半導体ウエハ２２から全ての半導体素子３０を切り出す時間は、短くできる。

【0128】

また、図１１に示すように、補正ラインＨＬ（図８参照）は、切り出される半導体素子３０の角部３１から第一切断ラインＳＣ方向の半導体ウエハ２２の外周端２２Ｅまでの距離Ｗが、半導体ウエハ２２の厚みｔ以下の場合には、適用しないようになっている。

【0129】

ここで、前述したように補正ラインＨＬでは、ブレード４６により凹溝１１０の形成をした後に、凹溝１１０を形成したブレード４６と同一のブレード４６を再度凹溝１１０に侵入させて半導体ウエハ２２を切断する。しかし、駆動ユニット４８及び移動ユニット３２の機械精度等に起因して、ブレード４６は、凹溝１１０から第一切断ラインＳＣ方向とは交差する方向（第二切断ラインＳＴ方向）に若干ずれる場合がある。このようにずれが生じた場合、角部３１と外周端２２Ｅとの距離Ｗが近いと、凹溝１１０にブレード４６が再度侵入する際に、半導体素子３０の角部３１に割れ及び欠け等の破損が発生しやすい。

【0130】

しかし、前述したように、角部３１から第一切断ラインＳＣ方向の半導体ウエハ２２の外周端２２Ｅまでの距離Ｗが半導体ウエハ２２の厚みｔ以下の第一切断ラインＨＬは補正ラインＨＬとしないことで、半導体素子３０の破損が抑制される。

【0131】

また、凹溝１１０の深さＫ１は、半導体ウエハ２２から切り出した半導体素子３０を実装する際に位置決めする位置決め部材５２２の爪部５２２Ｂの先端部５２２Ｃの高さＳよりも大きく設定されている。

【0132】

ここで、前述したように、凹溝１１０を形成後にブレード４６で半導体ウエハ２２を切断する際には、ブレード４６の位置が補正ラインＨＬ方向（第一切断ラインＳＣ方向）とは交差する方向（第二切断ラインＳＴ方向）にずれた場合に、半導体ウエハ２２から切り出した半導体素子３０の側面に段差部１１２が形成される。仮に凹溝１１０の深さＫ１が位置決め部材５２２の先端部５２２Ｃの高さＳ以下の場合、半導体素子３０を実装する際に、段差部１１２の位置が先端部５２２Ｃの高さＳよりも低くなり、段差部１１２に先端部５２２Ｃが当たり、爪部５２２Ｂを用いた半導体素子３０の位置決め精度が低下する。そうすると、配線基板５４４への半導体素子３０の実装不良が多発することになる。

【0133】

しかし、凹溝１１０の深さＫ１は、半導体ウエハ２２から切り出した半導体素子３０を実装する際に位置決めする位置決め部材５２２の爪部５２２Ｂの先端部５２２Ｃの高さＳよりも大きく設定されているので、段差部１１２の位置が先端部５２２Ｃの高さＳよりも高くなり、段差部１１２に先端部５２２Ｃが当たることによる位置決め精度の低下が防止される。

【0134】

また、半導体ウエハ２２に形成する凹溝１１０の深さＫ１とエッチング溝１００の深さＫ２との合計の深さが、半導体ウエハ２２の厚みｔの１／２以下となるように凹溝１１０の深さＫ１が設定されているので、半導体ウエハ２２に凹溝１１０を形成した際に、当該凹溝１１０の底部における半導体ウエハ２２のひび割れが抑制される。

【0135】

＜その他＞
尚、本発明は、上記実施形態に限定されない。

【0136】

例えば、上記実施形態では、ブレード４６の送り量Ｌ２の補正は、補正ラインＨＬに隣接する第一切断ラインＳＣにブレード４６を送り量Ｌ２分送る際に実施していた。つまり、ブレード４６の図４のＹ方向への送り量は、Ｌ２ではなく、Ｌ２＋ΔＬ２又はＬ２－ΔＬ２にしていた。これは、言い方を変えると、ブレード４６のずれ量ΔＬ２の補正であるとも言える。しかし、このブレード４６のずれ量ΔＬ２の補正は、上記実施形態に限るものではなく、補正ラインＨＬにおける半導体ウエハ２２の凹溝１１０での切断において実施しても良い。すなわち、上記実施形態では、半導体ウエハ２２に形成した凹溝１１０を撮像した後、ブレード４６により半導体ウエハ２２を凹溝１１０で切断し、その後、ブレード４６を図４のＹ方向に送るときに、ずれ量ΔＬ２の補正をしていた。つまり、上記実施形態では、ブレード４６の第一切断ラインＳＣへの送り量をＬ２ではなく、Ｌ２＋ΔＬ２又はＬ２－ΔＬ２とすることにより、補正ラインＨＬに隣接する第一切断ラインＳＣを切断する精度を向上させていた。しかし、ブレード４６の図４のＹ方向へのずれ量ΔＬ２の補正は、凹溝１１０で半導体ウエハ２２を切断する際に行っても良い。次に、この点について詳細に説明する。なお、ブレード４６による凹溝１１０の形成及びその後の撮像ユニット３８による凹溝１１０の一端から他端までの撮像までは上記実施形態と同一であるため、説明は省略する。

【0137】

撮像ユニット３８による凹溝１１０の撮像後、ずれ量ΔＬ２は、上記実施形態で説明した方法と同じ方法で求めることができる。つまり、補正部８３は、図１０に示す撮像画像から凹溝１１０の溝幅方向（図１０のＹ方向）の中心同士を結ぶ仮想直線である中心線ＣＡを求める。次に、補正部８３は、求めた中心線ＣＡと、切断装置制御部８４に記憶されている第一切断ラインＳＣの基準線ＫＡとを比較し、そのずれ量であるΔＬ２を求める。

【0138】

その後、切断装置制御部８４は、駆動ユニット４８を用いて回転するブレード４６を切断位置に移動させる際に、ブレード４６を図４のＹ方向にずれ量ΔＬ２を補正して移動させる（このときブレード４６は半導体ウエハ２２に接触していない）。そして、移動ユニット３２を用いてチャックテーブル１２を矢印Ｆの向きとは反対の向き（受取可能位置側から突出部位２０Ｂ側）に移動させる。これにより、凹溝１１０を形成した後、ずれ量ΔＬ２の補正がされたブレード４６は、半導体ウエハ２２の一方の外周端の外側（図４（Ａ）の紙面上方側）から半導体ウエハ２２の他方の外周端の外側（図４（Ａ）の紙面下方側）に凹溝１１０に沿って通り抜ける。このため、半導体ウエハ２２は、補正ラインＨＬに沿って凹溝１１０で高精度に切断される。

【0139】

つまり、補正ラインＨＬでの切断工程において、切断装置制御部８４は、駆動ユニット４８及び移動ユニット３２を制御して、ブレード４６の一回目の相対移動により半導体ウエハ２２に凹溝１１０を形成した後、ずれ量ΔＬ２を補正したブレード４６の二回目の相対移動により、凹溝１１０において半導体ウエハ２２を切断する。なお、言うまでもなく、半導体ウエハ２２への凹溝１１０の形成と、当該凹溝１１０での半導体ウエハ２２の切断は同一のブレード４６を用いている。また、ブレード４６（図１及び図２参照）の二回目の相対移動で半導体ウエハ２２を切断する際には、ずれ量ΔＬ２分、切断位置（切断するライン）が図４のＹ方向にずれる場合がある。そして、このようなずれが生じた場合は、図８（Ｄ）及び図１２に示すように段差部１１２が形成される。この段差部１１２の構成及び取り扱い等は、上記実施形態と同じであるため、説明は省略する。なお、ずれ量ΔＬ２の補正は補正ラインＨＬでの切断工程で実施しているので、その後、ブレード４６を図４のＹ方向に（補正ラインＨＬに隣接する第一切断ラインＳＣに）送る際の送り量は、ΔＬ２の補正をしない（上記実施形態のようにＬ２＋ΔＬ２又はＬ２－ΔＬ２にするのではなく、Ｌ２である）。

【0140】

また、例えば、上記実施形態では、凹溝１１０の深さＫ１とエッチング溝１００の深さＫ２との合計の深さが、半導体ウエハ２２の厚みｔの１／２以下としたが、これに限定されるものではない。凹溝１１０の深さＫ１とエッチング溝１００の深さＫ２との合計の深さが、半導体ウエハ２２の厚みｔの１／２よりも大きくてもよい。

【0141】

また、例えば、上記実施形態では、半導体ウエハ２２は、第一切断ラインＳＣ及び第二切断ラインＳＴに沿って予めエッチングによってエッチング溝１００が格子状に形成されていた。しかし、エッチング溝１００が形成されていなくてもよい。なお、エッチング溝１００が形成されていない場合の凹溝１１０の深さＫ１は、半導体ウエハ２２の厚みｔの１／２以下が望ましい。また、エッチング溝１００が形成されている場合でも凹溝１１０の深さＫ１は、半導体ウエハ２２の厚みｔの１／２以下であってもよい。

【0142】

また、例えば、上記実施形態では、凹溝１１０の深さＫ１は、半導体ウエハ２２から切り出した半導体素子３０を実装する際に位置決めする位置決め部材５２２の爪部５２２Ｂの先端部５２２Ｃの高さＳよりも大きく設定されている。しかし、これに限定されるのではなく、凹溝１１０の深さＫ１は、位置決め部材５２２の先端部５２２Ｃの高さＳ以下であってもよい。

【0143】

要は、凹溝１１０の深さＫ１は、適宜設定されればよい。

【0144】

また、例えば、上記実施形態では、第一切断工程において、予め定めた第一切断ラインＳＣにおいてのみブレード４６の短辺方向の送り量Ｌ２を補正する補正ラインＨＬとした。しかし、これに限定されるのではなく、例えば、全ての第一切断ラインＳＣを補正ラインＨＬとして、半導体ウエハ２２の切断毎にブレード４６の短辺方向の送り量Ｌ２を補正してもよい。

【0145】

また、例えば、上記実施形態では、第一切断ラインＳＣに沿って切断する第一切断工程の際のブレード４６の短辺方向の送り量Ｌ２が半導体ウエハ２２の厚みｔ以下であるので、適宜凹溝１１０を形成して送り量Ｌ２を補正した。そして、第二切断ラインＳＣに沿って切断する第二切断工程の際のブレード４６の長辺方向の送り量Ｌ１は半導体ウエハ２２の厚みｔよりも大きいので、凹溝を形成した送り量Ｌ１の補正はしていない。しかし、第二切断ラインＳＴに沿って切断する第二切断工程の際のブレード４６の長辺方向の送り量Ｌ１が半導体ウエハ２２の厚み以下の場合は、第二切断工程においても適宜凹溝１１０を形成してブレード４６の長辺方向の送り量Ｌ１を補正してもよい。

【0146】

また、例えば、上記実施形態では、補正部８３は、撮像画像から凹溝１１０の溝幅方向の中心線ＣＡを求め、求めた中心線ＣＡと記憶されている第一切断ラインＳＣの基準線ＫＡとを比較し、そのずれ量であるΔＬ２を求め、そのずれ量ΔＬ２から次に送る際の送り量Ｌ２を補正していた。しかし、凹溝１１０の撮像画像から送り量を補正する方法は、前述の方法に限定されるものではない。例えば、撮像画像から求めた凹溝１１０の側壁位置と記憶された基準となる側壁位置とから補正してもよい。

【0147】

また、例えば、上記実施形態では、第一切断工程及び第二切断工程では、切断ユニット３６のブレード４６は、半導体ウエハ２２に対して図１及び図４（Ａ）のＸ方向に相対的に往復移動する。また、切断ユニット３６のブレード４６は、半導体ウエハ２２に対する相対移動方向がＦ方向のときにのみ切断する。しかし、切断ユニット３６のブレード４６は、半導体ウエハ２２に対する相対移動方向がＦ方向と反対方向のときも切断してもよい。つまり、切断ユニット３６のブレード４６が半導体ウエハ２２に対して図１及び図４（Ａ）のＸ方向の往方向に移動するときと復方向に移動するときとの両方で切断してもよい。また、例えば、切断ユニット３６のブレード４６が半導体ウエハ２２に対して図１及び図４（Ａ）のＸ方向の往方向に移動するときに半導体ウエハ２２に凹溝１１０を形成し、復方向に移動するときに当該凹溝１１０で半導体ウエハ２２を切断してもよい。

【0148】

更に、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々なる態様で実施し得る。

【符号の説明】

【0149】

１０ ウエハ切断装置
２２ 半導体ウエハ（ウエハの一例）
３０ 半導体素子（素子の一例）
３１ 角部
４６ ブレード（回転する刃の一例、回転刃の一例）
８３ 補正部
８４ 切断装置制御部（制御部の一例）
１００ エッチング溝
１１０ 凹溝
５２２ 位置決め部材
５２２Ｃ 先端部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】