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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B1)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2025-03-11
(45)【発行日】2025-03-19
(54)【発明の名称】研磨処理装置
(51)【国際特許分類】
B24B 37/015 20120101AFI20250312BHJP
B24B 37/32 20120101ALI20250312BHJP
B24B 37/30 20120101ALI20250312BHJP
B24B 37/00 20120101ALI20250312BHJP
B24B 37/12 20120101ALI20250312BHJP
B24B 49/14 20060101ALI20250312BHJP
H01L 21/304 20060101ALI20250312BHJP
B24B 37/005 20120101ALN20250312BHJP
【ＦＩ】
B24B37/015
B24B37/32 Z
B24B37/30 E
B24B37/00 K
B24B37/12 D
B24B49/14
H01L21/304 621D
H01L21/304 622R
B24B37/005 Z
【請求項の数】
13
(21)【出願番号】P 2024058846
(22)【出願日】2024-04-01
【審査請求日】2024-04-01
【早期審査対象出願】
(73)【特許権者】
【識別番号】500487837
【氏名又は名称】ミクロ技研株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001863
【氏名又は名称】弁理士法人アテンダ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】小村 明夫
(72)【発明者】
【氏名】桑野 貴史
(72)【発明者】
【氏名】冨澤 肇
【審査官】山本 忠博
(56)【参考文献】
【文献】国際公開第２０２３／２３３６８１（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開平１０－１５６７０８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０００－２２８３９１（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｂ２４Ｂ ３／００－３／６０，２１／００－５１／００；
Ｈ０１Ｌ ２１／３０４
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
表面にプラテンパッドが貼付されたプラテンと、研磨処理対象となるウェーハを保持してその被研磨面を当該プラテンパッドの表面に摺接させる研磨ヘッドと、を有する研磨処理装置であって、前記研磨処理対象となるウェーハの外周を囲むサイズの内周径を有する環状体と、
前記環状体の下端側開口部に被覆され、その表面側に貼着されたバッキングフイルムを介して前記ウェーハを保持する弾性体と、
前記弾性体に保持された前記ウェーハの外周を囲む形状に形成されたリテーナリングと、
前記環状体と前記リテーナリングを一体的に水平に回転させる駆動手段と、を有する前記研磨ヘッドと、
前記プラテンパッドの表面側に配設され、且つ、前記研磨ヘッドの外周の所定の領域を囲む形状に形成され、前記プラテンパッドの表面温度を調整する第１の補填熱源と、
前記弾性体の裏面側に配設され、当該弾性体に保持されたウェーハ、及び、リテーナリングの温度を調整する第２の補填熱源と、
前記プラテンの裏面側に配設され、前記プラテンパッドの温度を調整する第３の補填熱源と、を有し、
前記第１の補填熱源は、その一部が前記研磨ヘッドの外周の所定の領域を囲む円弧部を両側に有する錨形状に形成された補填熱源であり、一方の円弧部が前記研磨ヘッドの外周と対向して前記プラテンパッドの表面側に配設されることを特徴とする、
研磨処理装置。
【請求項2】
表面にプラテンパッドが貼付されたプラテンと、研磨処理対象となるウェーハを保持してその被研磨面を当該プラテンパッドの表面に摺接させる研磨ヘッドと、を有する研磨処理装置であって、
前記研磨処理対象となるウェーハの外周を囲むサイズの内周径を有する環状体と、
前記環状体の下端側開口部に被覆され、その表面側に貼着されたバッキングフイルムを介して前記ウェーハを保持する弾性体と、
前記弾性体に保持された前記ウェーハの外周を囲む形状に形成されたリテーナリングと、
前記環状体と前記リテーナリングを一体的に水平に回転させる駆動手段と、を有する前記研磨ヘッドと、
前記プラテンパッドの表面側に配設され、且つ、前記研磨ヘッドの外周の所定の領域を囲む形状に形成され、前記プラテンパッドの表面温度を調整する第１の補填熱源と、
前記弾性体の裏面側に配設され、当該弾性体に保持されたウェーハ、及び、リテーナリングの温度を調整する第２の補填熱源と、
前記プラテンの裏面側に配設され、前記プラテンパッドの温度を調整する第３の補填熱源と、を有し、
前記第２の補填熱源と、前記研磨ヘッドの外周を囲む２つの前記第１の補填熱源により前記プラテンパッドの表面に扇形状あるいは略扇形状の補填熱源領域を形成することを特徴とする、
研磨処理装置。
【請求項3】
前記プラテンの中心を基準に、当該中心からの距離の異なる複数の測定位置で前記プラテンパッドの表面温度を取得する第１の温度取得手段を有することを特徴とする、請求項１又は２に記載の研磨処理装置。
【請求項4】
前記第１の温度取得手段は複数の赤外線カメラから構成されており、それぞれの赤外線カメラの測定位置は、前記プラテンの中心から外方に向かう直線上に配置され、それぞれの位置において前記プラテンパッドの表面温度を取得することを特徴とする、請求項３に記載の研磨処理装置。
【請求項5】
前記第１の補填熱源は、前記プラテンパッドの表面に軽面圧で接触し、且つ、少なくとも当該プラテンパッドの表面に接する面は非金属性の素材を用いて形成されることを特徴とする、請求項１又は２に記載の研磨処理装置。
【請求項6】
前記第１の補填熱源は、前記プラテンパッドの表面と非接触に配設され、当該補填熱源からのふく射熱により当該プラテンパッドの表面温度を調整することを特徴とする、請求項１又は２記載の研磨処理装置。
【請求項7】
前記研磨処理装置は、研磨処理時における前記ウェーハの被研磨面の表面温度を疑似的に取得する第２の温度取得手段を有し、前記第２の温度取得手段は、
前記ウェーハと同質のものであり、且つ、当該ウェーハと比べて小型に形成された模擬ウェーハと、
前記模擬ウェーハの外周を囲むサイズの内周径を有する環状体と、
前記環状体の下端側開口部に被覆され、その表面側に貼着されたバッキングフイルムを介して前記模擬ウェーハを保持する弾性体と、
前記模擬ウェーハの温度を検知するセンサと、を有して構成され、
前記保持された模擬ウェーハの被研磨面を前記プラテンパッドの表面に摺接させ当該模擬ウェーハの温度を取得することを特徴とする、
請求項１又は２に記載の研磨処理装置。
【請求項8】
前記研磨ヘッドを基準に、前記第１の補填熱源と対向する位置で当該研磨ヘッドの外周の所定の領域を囲む形状に形成されたＬ字形状あるいは略Ｌ字形状の規制手段を有し、前記規制手段は、前記プラテンパッドに向けて供給された研磨液の流れを扇形状に形成することを特徴とする、
請求項１又は２に記載の研磨処理装置。
【請求項9】
前記第２の補填熱源は、前記弾性体の裏面側に配設された熱源であり、当該弾性体に保持されたウェーハの温度を調整する円形の補填熱源と前記リテーナリングの温度を調整するリング状の補填熱源とで構成されることを特徴とする、請求項１又は２に記載の研磨処理装置。
【請求項10】
表面にプラテンパッドが貼付されたプラテンと、研磨処理対象となるウェーハを保持してその被研磨面を当該プラテンパッドの表面に摺接させる研磨ヘッドと、を有する研磨処理装置であって、
前記研磨処理対象となるウェーハの外周を囲むサイズの内周径を有する環状体と、
前記環状体の下端側開口部に被覆され、その表面側に貼着されたバッキングフイルムを介して前記ウェーハを保持する弾性体と、
前記弾性体に保持された前記ウェーハの外周を囲む形状に形成されたリテーナリングと、
前記環状体と前記リテーナリングを一体的に水平に回転させる駆動手段と、を有する前記研磨ヘッドと、
前記プラテンの裏面に接して配設され、前記プラテンパッドの表面温度を調整する第１の補填熱源と、
前記弾性体の裏面側に配設され、当該弾性体に保持されたウェーハ、及び、リテーナリングの温度を調整する第２の補填熱源と、
前記プラテンの裏面側に配設され、前記プラテンパッドの温度を調整する第３の補填熱源と、を有し、
前記プラテンの裏面に接して配設される第１の補填熱源は、同心円状に複数配置されたリング状のワイヤヒータであり、隣接する当該ワイヤヒータの間隔が粗な領域と密な領域を設けて発熱体密度を調整することで当該第１の補填熱源と前記第２の補填熱源との合体で扇形状あるいは略扇形状の補填熱源領域を形成することを特徴とする、
研磨処理装置。
【請求項11】
前記プラテンの裏面に接して配設される第１の補填熱源は、らせん状に巻かれたワイヤヒータであり、隣接する当該ワイヤヒータの間隔が粗な領域と密な領域を設けて発熱体密度を調整することで当該第１の補填熱源と前記第２の補填熱源との合体で扇形状あるいは略扇形状の補填熱源領域を形成することを特徴とする、請求項１０に記載の研磨処理装置。
【請求項12】
前記プラテンの裏面に接して配設される第１の補填熱源はシートヒータであり、当該シートヒータは複数の孔部を有し、
前記孔部を、前記第１の補填熱源と前記第２の補填熱源が重ならない領域に設けることで当該第１の補填熱源と当該第２の補填熱源との合体で扇形状あるいは略扇形状の補填熱源領域を形成することを特徴とする、
請求項１０に記載の研磨処理装置。
【請求項13】
表面にプラテンパッドが貼付されたプラテンと、研磨処理対象となるウェーハを保持してその被研磨面を当該プラテンパッドの表面に摺接させる研磨ヘッドと、を有する研磨処理装置であって、
前記研磨処理対象となるウェーハの外周を囲むサイズの内周径を有する環状体と、
前記環状体の下端側開口部に被覆され、その表面側に貼着されたバッキングフイルムを介して前記ウェーハを保持する弾性体と、
前記弾性体に保持された前記ウェーハの外周を囲む形状に形成されたリテーナリングと、
前記環状体と前記リテーナリングを一体的に水平に回転させる駆動手段と、を有する前記研磨ヘッドと、
前記プラテンパッドの表面側に配設され、且つ、前記研磨ヘッドの外周の所定の領域を囲む形状に形成され、前記プラテンパッドの表面温度を調整する第１の補填熱源と、
前記弾性体の裏面側に配設され、当該弾性体に保持されたウェーハ、及び、リテーナリングの温度を調整する第２の補填熱源と、
前記プラテンの裏面側に配設され、前記プラテンパッドの温度を調整する第３の補填熱源と、を有し、
前記第１の補填熱源は、前記研磨ヘッドの外周の所定の領域を囲む円弧部を有する半錨形状に形成された補填熱源であり、この円弧部が前記研磨ヘッドの外周と対向して前記プラテンパッドの表面側に配設されることを特徴とする、
研磨処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体ウェーハ又はガラス基板などの基板の研磨処理に用いる研磨処理装置に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、半導体デバイスの製造工程においては、半導体ウェーハやガラス基板のような基板（以下、ウェーハと称する）の高集積化に伴い、ウェーハ表面の平坦化技術がますます重要になっている。この平坦化技術のうち、最も重要な技術は、化学的機械的研磨（ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ））である。この化学的機械的研磨は、研磨処理装置（ポリッシング装置とも呼ばれる）を用いて、シリカ（ＳｉＯ２）等の砥粒を含んだ研磨液をプラテンパッド（研磨パッド）等の研磨面上に供給しつつ、ウェーハを研磨面に摺接させて研磨処理を行うものである。
【0003】
ＣＭＰシステムにおいて、研磨除去速度（ＭＲＲ（Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｒｅｍｏｖａｌ Ｒａｔｅ））は研磨面温度に対し、指数関数的（べき数）に大きく影響される。従来技術においては、研磨対象物であるウェーハ面内の温度分布が制御できず、 研磨レートの面内均一性に問題があった。また、従来の手法では、流体による温度制御のため、制御の応答性と熱源形状形成の精度に問題があった。
【0004】
例えば、特許文献１に開示されたＣＭＰ装置は、プラテンパッド（研磨パッド）を張り付ける研磨定盤の温度を均一化する、というものである。具体的には、低温度領域にパイプから蒸気などを噴射する手法であり、パイプ曲率や位置などの調整によりプラテンパッドの温度の均一化を狙っている。
【0005】
また、特許文献２、３に開示されたＣＭＰ装置は、メンブレンヘッドの空圧部を温度制御し、ウェーハ裏面よりウェーハ表面の温度均一化を狙っている
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【文献】特開２０２２－５２０８３４号公報
【文献】特開２０２２－５９７５９号公報
【文献】特開２００８－１６６４４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
ウェーハの面内温度均一化には、プラテンパッド側の面内温度均一化が必須条件であるが、従来技術ではプラテンパッド側の温度制御に不備があり研磨ムラが生じてしまう。その主たる要因は外部からの補填熱源形成の不備である。従来思考の熱源は、１）ウェーハとリテーナリング、２）蒸気などの外部熱源である。
一般的なＣＭＰシステムではリング形状のプラテンパッド面幅上に面幅と同径のリテーナリングに保持された円形状の被研磨物が搭載されるが、この円形状熱源のみではプラテンパッド面の温度均一化の達成は困難である。また、蒸気などの外部補填熱源では熱の形状形成が不十分でありプラテンパッドの温度均一化の達成は困難である、という課題が残る。
一般的なＣＭＰシステムではリング形状のプラテンパッド面幅上に面幅と同径のリテーナリングに保持された円形状の被研磨物が搭載されるが、この円形状熱源のみではプラテンパッド面の温度均一化の達成は困難である。また、蒸気などの外部補填熱源では熱の形状形成が不十分でありプラテンパッドの温度均一化の達成は困難である、という課題が残る。
【0008】
本発明の第１の課題は、ウェーハとリテーナリングの円形熱源と外部からの補填熱源により扇形状熱源（扇型熱源）を形成し、プラテンパッドの温度均一化を図ることである。第２の課題はＣＭＰ反応温度を制御することができる機構の検討である。
この二つの問題解決により、これまで考案されていなかったプラテンパッドの温度均一化への対処を可能とし、ウェーハ表面のＳＦＱＲ（Ｓｉｔｅ Ｆｒｏｎｔ ｌｅａｓｔ ｓＱｕａｒｅ Ｒａｎｇｅ）等の更なる向上を図ることができ、高品質で安定的に多数毎の研磨処理を行うことができる研磨処理装置を提供することを、主たる課題とする。
この二つの問題解決により、これまで考案されていなかったプラテンパッドの温度均一化への対処を可能とし、ウェーハ表面のＳＦＱＲ（Ｓｉｔｅ Ｆｒｏｎｔ ｌｅａｓｔ ｓＱｕａｒｅ Ｒａｎｇｅ）等の更なる向上を図ることができ、高品質で安定的に多数毎の研磨処理を行うことができる研磨処理装置を提供することを、主たる課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明は、表面にプラテンパッドが貼付されたプラテンと、研磨処理対象となるウェーハを保持してその被研磨面を当該プラテンパッドの表面に摺接させる研磨ヘッドと、を有する研磨処理装置であって、前記研磨処理対象となるウェーハの外周を囲むサイズの内周径を有する環状体と、前記環状体の下端側開口部に被覆され、その表面側に貼着されたバッキングフイルムを介して前記ウェーハを保持する弾性体と、前記弾性体に保持された前記ウェーハの外周を囲む形状に形成されたリテーナリングと、前記環状体と前記リテーナリングを一体的に水平に回転させる駆動手段と、を有する前記研磨ヘッドと、前記プラテンパッドの表面側に配設され、且つ、前記研磨ヘッドの外周の所定の領域を囲む形状に形成され、前記プラテンパッドの表面温度を調整する第１の補填熱源と、前記弾性体の裏面側に配設され、当該弾性体に保持されたウェーハ、及び、リテーナリングの温度を調整する第２の補填熱源と、前記プラテンの裏面側に配設され、前記プラテンパッドの温度を調整する第３の補填熱源と、を有し、前記第１の補填熱源は、その一部が前記研磨ヘッドの外周の所定の領域を囲む円弧部を両側に有する錨形状に形成された補填熱源であり、一方の円弧部が前記研磨ヘッドの外周と対向して前記プラテンパッドの表面側に配設されることを特徴とする。
【発明の効果】
【0010】
本発明によれば、これまで実現できなかった熱源の形状保持によりプラテンパッドの温度均一化への対処を可能とし、この基本条件を基としてウェーハ面内の温度均一化が構成されＭＲＲ（Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｒｅｍｏｖａｌ Ｒａｔｅ）の均一化によりＳＦＱＲ等の更なる向上と、高品質で安定的に多数毎の研磨処理を行うことができる研磨処理装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【図1】本実施形態に係る研磨処理装置の基本的な構成を説明するための図。
【図2】本実施形態に係る研磨処理装置のプラテン上の具体的な構成の一例を説明するための斜視図。
【図3】プラテン上の構成の一例を説明するための上面図。
【図4】（ａ）、（ｂ）は、第２の補填熱源の構成の一例を説明するための図。
【図5】プラテンパッド上の第１の補填熱源の構成の一例を説明するための図。
【図6】プラテン下の第３の補填熱源の構成の一例を説明するための図。
【図7】研磨処理時におけるウェーハの温度を疑似的に取得する温度センサの構成の一例を示す図。
【図8】（ａ）、（ｂ）は、第２の補填熱源の構成の別例を説明するための図。
【図9】（ａ）、（ｂ）は、研磨処理時のウェーハとリテーナ熱源及び補填熱源でのプラテンパッドの温度分布について説明するための図。
【図10】（ａ）、（ｂ）は、第１の補填熱源の形状・組み合わせの別例を説明するための図。
【図11】プラテンパッドに向けて供給された従来型スラリーの流れの一例を説明するための図。
【図12】ＣＭＰシステムの伝熱機構についての一例を説明するための図。
【図13】熱システム構成の一例を説明するための模式図。
【図14】研磨処理を実行する際の制御部による主要な制御手順の一例を説明するためのフローチャート。
【図17】プラテンの裏面側に第１の補填熱源を配置する場合の当該第１の補填熱源の構成の別例を説明するための上面図。
【図18】第１の補填熱源であるワイヤヒータによる略扇形状の熱源領域の形成ついて説明するための図。
【発明を実施するための形態】
【0012】
ＣＭＰシステムにおいては、プラテンパッドで研磨液（スラリー）の化学反応温度が、例えば３５［℃］前後で最適とされている場合がある。熱源の熱量：Ｑは、研磨条件であるパッド摩擦係数：μ、研磨圧力：Ｐ［ｋｇｆ/ｃｍ＾２］、相対速度：Ｖ［ｍ/ｍｉｎ］、J：単位運動当たりの摩擦熱量［≒４２７ｋｇｆ・ｍ/ｋｃａｌ］としたとき『Ｑ＝μＰＶ/Ｊ［ｋｃａｌ/ｍｉｎ］』で決定される。そのため、最適化学反応温度に対する自己発熱量の過不足分は外部熱源による制御が必要である。
【0013】
また、スラリー流れもプラテンパッドとウェーハの面内温度分布に影響を与え、熱源の一部として取り扱う必要がある。例えばスラリー温度をプラテンパッド温度と同一に制御することができればコリオリ流れ（従来の流し方・流れ）でも良い。しかしながら、スラリー温度をプラテンパッド温度と同一に制御することは応答性において困難である。そのため、スラリー流れ形状も扇形状が理想的である。したがって、スラリーの流れ形状も扇形状にする必要があり、温度均一化には『扇形状熱源』が最適である事が本発明者らにより解明された。
【0014】
また、プラテン任意半径上での温度は熱源との接触時間に左右されることになる。ここで、研磨処理時のウェーハ熱源及び補填熱源でのプラテンの温度について説明する。
【0015】
図９は、研磨処理時のウェーハとリテーナ熱源及び補填熱源でのプラテンパッドの温度分布について説明するための図である。
図９（ａ）は、熱源を円形熱源（ウェーハとリテーナリング）のみとしたとき、プラテンパッドの温度分布が不均一になることを示す図であり、図９（ｂ）は、本実施形態に係る研磨処理装置Ｓのように扇形状熱源としたときプラテンパッドの温度分布が均一になることを示す図である。
図９（ａ）は、熱源を円形熱源（ウェーハとリテーナリング）のみとしたとき、プラテンパッドの温度分布が不均一になることを示す図であり、図９（ｂ）は、本実施形態に係る研磨処理装置Ｓのように扇形状熱源としたときプラテンパッドの温度分布が均一になることを示す図である。
【0016】
図９に示すように、内径：Ｒｉ、外径：Ｒｏのプラテンパッド面上に内径と外径に接している円形熱源がある場合、プラテン回転によるプラテン半径：Ｒ３と熱源円板上の円弧ｇｈとの接触時間比：ＣｔはＣｔ＝Ｒ３＊θｉ/（２π＊Ｒ３）となる。
図９（ａ）の右図は上述の接触時間比をプラテン全半径上で計算したものであり、グラフに示すように、半径上での同一時間比にならない事が判明した。プラテン面幅において、プラテン内・外径接触部での時間比はゼロであり、時間比（温度）ピーク点は円板中心方向に偏向している。理想的な時間比は右部の矩形上破線で示されている。
図９（ａ）の右図は上述の接触時間比をプラテン全半径上で計算したものであり、グラフに示すように、半径上での同一時間比にならない事が判明した。プラテン面幅において、プラテン内・外径接触部での時間比はゼロであり、時間比（温度）ピーク点は円板中心方向に偏向している。理想的な時間比は右部の矩形上破線で示されている。
【0017】
これに対し図９（ｂ）では、扇形状熱源での接触時間比を示したものであり、図中右側のグラフに示すように、理想的な矩形状の同一時間比となる事が判明した。この現象によりプラテンパッド面上での温度均一化が可能となる。
【0018】
本発明は、回転しているプラテンにおいて、面上の熱源形状を扇形状に形成して面内の温度均一化を図り、同時にウェーハ及びプラテン裏面よりの熱源補填によるＣＭＰ反応温度を制御できる事を特徴とするものである。
【0019】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態例を説明する。なお、本実施形態の研磨処理装置は、半導体ウェーハやガラス基板のような基板（以下、ウェーハと称する。）を研磨対象とする。本明細書では、このウェーハの一方の表面を円形又は略円形の被研磨面と称す。また、プラテンパッド上においてウェーハの被研磨面が接する面を研磨面と称す。
［実施形態例］
［実施形態例］
【0020】
図１は、本実施形態に係る研磨処理装置Ｓの基本的な構成を説明するための図である。
図１に示す研磨処理装置Ｓは、リング状に形成された研磨テーブルであるプラテン５１を有し、このプラテン５１の表面（表面側）にプラテンパッド５０が接着されている。
図１に示す研磨処理装置Ｓは、リング状に形成された研磨テーブルであるプラテン５１を有し、このプラテン５１の表面（表面側）にプラテンパッド５０が接着されている。
【0021】
研磨処理装置Ｓは、更にウェーハＷを保持してその被研磨面をプラテンパッド５０の表面に押圧する研磨ヘッド１００、研磨液（スラリー）をプラテンパッド５０に向けて供給するためのノズルＮ、プラテン５１及び研磨ヘッド１００をそれぞれ水平に回転させるためのモータ（図示省略）、ノズルＮと接続されている研磨液供給機構（図示省略）、及び、モータを含む各駆動部を制御するためのコンピュータを含む制御部２０を有する。
【0022】
プラテンパッド５０はリング状のものであり、その半径は、ウェーハＷの被研磨面の最大径（直径）よりも大きいものである。この機構においてプラテン５１と研磨ヘッド１００それぞれの回転数及び回転方向を変化させ、ウェーハＷ面内の相対研磨速度を調整できる機構となっている。
なお、プラテンパッド５０は、それ自体で弾性を持つものであり、不織布からなるものや、発泡ウレタン製のものなど、市場で入手できる素材を用いることができる。
なお、プラテンパッド５０は、それ自体で弾性を持つものであり、不織布からなるものや、発泡ウレタン製のものなど、市場で入手できる素材を用いることができる。
【0023】
研磨ヘッド１００は、ウェーハＷを、その被研磨面がプラテンパッド５０の表面に摺接するように保持し、保持されたウェーハＷをその被研磨面の背面方向（背面側）からプラテンパッド５０の方向に向けて加工圧力Ｐ（図６参照）を付与する押圧機構を有する。
【0024】
制御部２０は、ノズルＮの位置決め、ノズルＮからの研磨液の供給開始又は停止制御、ノズルＮから噴出供給される研磨液の単位時間当たりの供給量制御、モータの始動開始や始動停止制御等を主として行う。
制御部２０により制御されたモータの回転力は、図示しない駆動部を介してプラテン５１に伝達される。これによりプラテン５１が水平に回転し、あるいは回転を停止する。
研磨ヘッド１００にも、図示しない駆動部（例えば自在継手）を介してモータの回転力（トルク）が伝達される。これにより研磨ヘッド１００が水平に回転し、あるいは回転を停止する。
制御部２０により制御されたモータの回転力は、図示しない駆動部を介してプラテン５１に伝達される。これによりプラテン５１が水平に回転し、あるいは回転を停止する。
研磨ヘッド１００にも、図示しない駆動部（例えば自在継手）を介してモータの回転力（トルク）が伝達される。これにより研磨ヘッド１００が水平に回転し、あるいは回転を停止する。
【0025】
プラテン５１の回転方向と研磨ヘッド１００の回転方向は同方向であることが一般的である。これは、逆方向にするとウェーハ面内の研磨相対速度が不均一となり、均等量研磨が不可能となるおそれがあるためである。プラテン５１の回転方向と研磨ヘッド１００の回転方向を同じ方向として、両者の回転速度を調整することで研磨精度を高めることができる。
【0026】
なお、単一のモータの回転力を、それぞれ異なるギア比のギアを介してプラテン５１及び研磨ヘッド１００に伝達するようにしても良く、それぞれ個別のモータを通じて回転力を伝達するようにしても良い。両者は任意に設計することができる。この制御部２０による制御手順については、後述する。
【0027】
研磨液は、制御部２０の制御によりプラテン５１の回転速度が所定値に達した状態で、ノズルＮから所定時間、プラテンパッド５０に向けて供給される。
【0028】
図２は、本実施形態に係る研磨処理装置Ｓのプラテン５１上の具体的な構成の一例を説明するための斜視図である。
図３は、本実施形態に係る研磨処理装置Ｓのプラテン５１上の構成の一例を説明するための上面図である。
図４は、本実施形態に係る研磨処理装置Ｓの研磨ヘッド１００における第２の補填熱源２００の構成の一例を説明するための図である。図４（ａ）に示すＡ部分を拡大したものが図４（ｂ）である。
図５は、本実施形態に係る研磨処理装置Ｓにおけるプラテン上の第１の補填熱源（ヒータブロック）３００ａ（３００ｂ）の構成の一例を説明するための図である。
図６は、本実施形態に係る研磨処理装置Ｓのプラテン下の第３の補填熱源の構成の一例を説明するための図であり、図３上のＡＡ線断面図である。
図７は、研磨処理時におけるウェーハＷの温度を疑似的に取得する温度センサ４００の構成の一例を示す図である。
以下、図２から図７を用いて本実施形態に係る研磨処理装置Ｓの特徴の一つである、第１の補填熱源、第２の補填熱源、第３の補填熱源などについて説明する。
図３は、本実施形態に係る研磨処理装置Ｓのプラテン５１上の構成の一例を説明するための上面図である。
図４は、本実施形態に係る研磨処理装置Ｓの研磨ヘッド１００における第２の補填熱源２００の構成の一例を説明するための図である。図４（ａ）に示すＡ部分を拡大したものが図４（ｂ）である。
図５は、本実施形態に係る研磨処理装置Ｓにおけるプラテン上の第１の補填熱源（ヒータブロック）３００ａ（３００ｂ）の構成の一例を説明するための図である。
図６は、本実施形態に係る研磨処理装置Ｓのプラテン下の第３の補填熱源の構成の一例を説明するための図であり、図３上のＡＡ線断面図である。
図７は、研磨処理時におけるウェーハＷの温度を疑似的に取得する温度センサ４００の構成の一例を示す図である。
以下、図２から図７を用いて本実施形態に係る研磨処理装置Ｓの特徴の一つである、第１の補填熱源、第２の補填熱源、第３の補填熱源などについて説明する。
【0029】
本実施形態に係る研磨処理装置Ｓは、表面にプラテンパッド５０が貼付されたプラテン５１、研磨処理対象となるウェーハＷを保持してその被研磨面を当該プラテンパッド５０の表面に摺接させる研磨ヘッド１００を有する。
また、研磨処理装置Ｓは、補填熱源（ヒータブロック）３００ａ、３００ｂ、この補填熱源の温度を取得する温度センサ３１０（図中では一例として補填熱源３００ａに配設している状態を示す）、温度センサ（ウェーハダミーセンサ）４００、スラリー規制枠５００、温度センサ６００を有する。
また、研磨処理装置Ｓは、補填熱源（ヒータブロック）３００ａ、３００ｂ、この補填熱源の温度を取得する温度センサ３１０（図中では一例として補填熱源３００ａに配設している状態を示す）、温度センサ（ウェーハダミーセンサ）４００、スラリー規制枠５００、温度センサ６００を有する。
【0030】
［第１の補填熱源／ヒータブロックの構成例］
図２、図３に示すように補填熱源３００ａ、３００ｂは、プラテン５１の表面側に配設され、且つ、研磨ヘッド１００の外周の所定の領域（所定の範囲）を囲む形状に形成されたヒータブロック（熱源、例えば電熱ヒータ）である。補填熱源３００ａ、３００ｂには、配線（不図示）を介して電力が供給され、供給される電力に応じて発熱する。なお、補填熱源３００ａ、３００ｂへの電力の供給あるいはその停止は、主として制御部２０により制御される。
また補填熱源３００ａ、３００ｂは、その一部が研磨ヘッド１００の外周の所定の領域を囲むように円弧部を両側に有する錨形状に形成された第１の補填熱源であり、一方の円弧部が研磨ヘッド１００の外周と対向するようにしてプラテン５１の表面側に配設される。
温度センサ３１０は、補填熱源３００ａの温度を取得する温度センサである。
図２、図３に示すように補填熱源３００ａ、３００ｂは、プラテン５１の表面側に配設され、且つ、研磨ヘッド１００の外周の所定の領域（所定の範囲）を囲む形状に形成されたヒータブロック（熱源、例えば電熱ヒータ）である。補填熱源３００ａ、３００ｂには、配線（不図示）を介して電力が供給され、供給される電力に応じて発熱する。なお、補填熱源３００ａ、３００ｂへの電力の供給あるいはその停止は、主として制御部２０により制御される。
また補填熱源３００ａ、３００ｂは、その一部が研磨ヘッド１００の外周の所定の領域を囲むように円弧部を両側に有する錨形状に形成された第１の補填熱源であり、一方の円弧部が研磨ヘッド１００の外周と対向するようにしてプラテン５１の表面側に配設される。
温度センサ３１０は、補填熱源３００ａの温度を取得する温度センサである。
【0031】
このように補填熱源３００ａ、３００ｂは、同じ形状のものを背中合わせのミラー対に配置し錨形状に形成された熱源であり、プラテンパッド５０の表面温度を調整する第１の補填熱源として機能する。
【0032】
補填熱源（ヒータブロック）３００ａ、３００ｂは、図５に示すように、枠体３０１、断熱材３０２、面状のフィルムヒータ３０３、樹脂系あるいはセラミック系の非金属性の材料で形成された均熱板３０４を有する。なお、均熱板３０４とフィルムヒータ３０３は、例えば熱伝導性が高い両面テープなどを用いて貼り合わせる。
【0033】
また、補填熱源（ヒータブロック）３００ａ、３００ｂは、プラテンパッド５０の表面に軽面圧で接触させる保持機構（不図示）を介して当該プラテン５１の表面側に保持される。
また、補填熱源（ヒータブロック）３００ａ、３００ｂを、プラテンパッド５０の表面と非接触に配設し、補填熱源からのふく射熱により当該プラテンの表面温度を調整するように構成しても良い。
また、補填熱源（ヒータブロック）３００ａ、３００ｂを、プラテンパッド５０の表面と非接触に配設し、補填熱源からのふく射熱により当該プラテンの表面温度を調整するように構成しても良い。
【0034】
なお、図２、図３に示す温度センサ３１０による温度検知のタイミングなどは、主として制御部２０により制御される。
温度センサ３１０により取得された温度情報は制御部２０に送られ、制御部２０は、取得した温度情報に基づいて第１の補填熱源、第２の補填熱源、第３の補填熱源それぞれにおいて生じさせる温度を調整する。
温度センサ３１０により取得された温度情報は制御部２０に送られ、制御部２０は、取得した温度情報に基づいて第１の補填熱源、第２の補填熱源、第３の補填熱源それぞれにおいて生じさせる温度を調整する。
【0035】
［第１の温度取得手段の構成例］
温度センサ６００は、図２、図３に示すように、例えば３つの赤外線カメラ（ＩＲカメラ）から構成され、プラテンパッド５０の中心を基準に当該中心からの距離の異なる複数の測定位置（図２に示す一点鎖線上）における当該プラテンパッド５０の表面温度を取得する。これによりプラテンパッド５０の表面の温度分布を捉える。
温度センサ６００は、図２、図３に示すように、例えば３つの赤外線カメラ（ＩＲカメラ）から構成され、プラテンパッド５０の中心を基準に当該中心からの距離の異なる複数の測定位置（図２に示す一点鎖線上）における当該プラテンパッド５０の表面温度を取得する。これによりプラテンパッド５０の表面の温度分布を捉える。
【0036】
このように温度センサ６００は、プラテンパッド５０上の複数の位置の当該プラテンパッド５０の表面温度を取得する第１の温度取得手段として機能する。
例えば、温度センサ６００それぞれの測定位置は、プラテンパッド５０の中心から外方に向かう直線上に位置するように配設される。
例えば、温度センサ６００それぞれの測定位置は、プラテンパッド５０の中心から外方に向かう直線上に位置するように配設される。
【0037】
また、温度センサ６００による温度検知のタイミングなどは、主として制御部２０により制御される。
温度センサ６００により取得された温度情報は制御部２０に送られ、制御部２０は、取得した温度情報に基づいて第１の補填熱源、第２の補填熱源、第３の補填熱源それぞれにおいて生じさせる温度を調整する。
温度センサ６００により取得された温度情報は制御部２０に送られ、制御部２０は、取得した温度情報に基づいて第１の補填熱源、第２の補填熱源、第３の補填熱源それぞれにおいて生じさせる温度を調整する。
【0038】
［第２の温度取得手段の構成例］
温度センサ４００は、研磨処理時におけるウェーハＷの被研磨面の表面温度を疑似的に取得するウェーハダミーセンサである。
前述した補填熱源（ヒーターブロック）３００ａ、３００ｂの加熱・温度制御には、研磨処理時におけるウェーハＷの研磨面の表面温度（被研磨面温度）を取得する必要がある。しかしながら研磨処理時におけるウェーハＷの被研磨面の表面温度の測定は困難である。
そこで、研磨処理時におけるウェーハＷの研磨面の表面温度（被研磨面温度）を疑似的にウェーハＷの研磨面と同じ環境を作りその表面より最短距離にある裏面で温度取得するウェーハダミーセンサが必要になる。
温度センサ４００は、研磨処理時におけるウェーハＷの被研磨面の表面温度を疑似的に取得するウェーハダミーセンサである。
前述した補填熱源（ヒーターブロック）３００ａ、３００ｂの加熱・温度制御には、研磨処理時におけるウェーハＷの研磨面の表面温度（被研磨面温度）を取得する必要がある。しかしながら研磨処理時におけるウェーハＷの被研磨面の表面温度の測定は困難である。
そこで、研磨処理時におけるウェーハＷの研磨面の表面温度（被研磨面温度）を疑似的にウェーハＷの研磨面と同じ環境を作りその表面より最短距離にある裏面で温度取得するウェーハダミーセンサが必要になる。
【0039】
温度センサ４００の素材構成は、図７に示すように、ウェーハＷと同質のものであり、且つ、当該ウェーハＷと比べて小型に形成された模擬ウェーハ４０１（例えばφ２０×ｔ０．０７５［ｍｍ］）を有する。
また、温度センサ４００は、模擬ウェーハ４０１の外周を囲むサイズの内周径を有する環状体４０５、環状体４０５の下端側開口部に被覆され、その表面側に貼着されたバッキングフイルム４０３を介して模擬ウェーハ４０１を保持する弾性体４０４を有する。また、温度センサ４００は、模擬ウェーハ４０１の温度を検知するセンサ４０２（例えば、熱電対）を有する。
また、温度センサ４００は、模擬ウェーハ４０１の外周を囲むサイズの内周径を有する環状体４０５、環状体４０５の下端側開口部に被覆され、その表面側に貼着されたバッキングフイルム４０３を介して模擬ウェーハ４０１を保持する弾性体４０４を有する。また、温度センサ４００は、模擬ウェーハ４０１の温度を検知するセンサ４０２（例えば、熱電対）を有する。
【0040】
上記のように素材構成された温度センサ４００は、保持された模擬ウェーハ４０１の被研磨面をプラテンパッド５０の表面に摺接させて当該模擬ウェーハ４０１の温度を検知する。このように温度センサ（ウェーハダミーセンサ）４００は、研磨処理時におけるウェーハＷの温度を疑似的に取得する第２の温度取得手段として機能する。
【0041】
温度センサ４００による温度検知のタイミングなどは、主として制御部２０により制御される。温度センサ４００により取得された温度情報は制御部２０に送られ、制御部２０は、取得した温度情報に基づいて第１の補填熱源、第２の補填熱源、第３の補填熱源それぞれにおいて生じさせる温度を調整する。
なお、温度センサ４００は、ウェーハＷの半径中心と等距離の位置のプラテンパッド５０の表面に載置することが良い。
なお、温度センサ４００は、ウェーハＷの半径中心と等距離の位置のプラテンパッド５０の表面に載置することが良い。
【0042】
温度センサ４００においては、模擬ウェーハ４０１を、その被研磨面がプラテンパッド５０の表面に摺接するように保持し、保持された模擬ウェーハ４０１をその被研磨面の背面方向（背面側）からプラテンパッド５０の方向に向けてウェーハと同一の加工圧力Ｐを付与するように構成される。
【0043】
［スラリーの流れコントロール／スラリー規制枠の構成例］
上述の過程で熱源形状を扇形状にする必要性を説明したが、スラリー流れの形状も温度均一に影響する。
スラリー規制枠５００は、図２，３に示すように研磨ヘッド１００を基準に、補填熱源３００ａ、３００ｂと対向する位置で当該研磨ヘッド１００の外周の所定の領域を囲む形状に形成されたＬ字形状あるいは略Ｌ字形状の枠体である。
上述の過程で熱源形状を扇形状にする必要性を説明したが、スラリー流れの形状も温度均一に影響する。
スラリー規制枠５００は、図２，３に示すように研磨ヘッド１００を基準に、補填熱源３００ａ、３００ｂと対向する位置で当該研磨ヘッド１００の外周の所定の領域を囲む形状に形成されたＬ字形状あるいは略Ｌ字形状の枠体である。
【0044】
研磨ヘッド１００とスラリー規制枠５００に囲まれた領域に向けてノズルＮから供給された研磨液（スラリー）は、当該スラリー規制枠５００によってスラリーの流れ形状も図３の２点鎖線で示したような扇形状にすることができる。なお、スラリー流れはウェーハとパッド間の流れも含むものである。
このようにスラリー規制枠５００は、プラテンパッド５０に向けて供給された研磨液（スラリー）の流れを扇形状に形成する規制手段として機能する。
このようにスラリー規制枠５００は、プラテンパッド５０に向けて供給された研磨液（スラリー）の流れを扇形状に形成する規制手段として機能する。
【0045】
［研磨ヘッド１００及び第２の補填熱源の構成例］
本実施形態に係る研磨処理装置Ｓの研磨ヘッド１００は、図４、図６に示すように、研磨処理対象となるウェーハＷの外周を囲むサイズの内周径を有する環状体１０１、環状体１０１の下端側開口部に被覆され、その表面側に貼着されたバッキングフイルム１０２を介してウェーハＷを保持する弾性体１０３、弾性体１０３に保持されたウェーハＷの外周を囲む形状に形成されたリテーナリング１０４を有する。
本実施形態に係る研磨処理装置Ｓの研磨ヘッド１００は、図４、図６に示すように、研磨処理対象となるウェーハＷの外周を囲むサイズの内周径を有する環状体１０１、環状体１０１の下端側開口部に被覆され、その表面側に貼着されたバッキングフイルム１０２を介してウェーハＷを保持する弾性体１０３、弾性体１０３に保持されたウェーハＷの外周を囲む形状に形成されたリテーナリング１０４を有する。
【0046】
研磨ヘッド１００には、図４（ａ）に示すように、弾性体１０３の裏面側に円形の補填熱源２００が配設され、当該弾性体１０３に保持されたウェーハＷ、及び、リテーナリング１０４の温度を調整する。この補填熱源２００は、第２の補填熱源として機能する。
【0047】
補填熱源２００は、図４に示すように、例えば面状の加熱用ヒータを用いて構成することができる。補填熱源２００には、配線２００ａを介して電力が供給され、供給される電力に応じて発熱する。
なお、補填熱源２００への電力の供給あるいはその停止は、主として制御部２０により制御される。
なお、補填熱源２００への電力の供給あるいはその停止は、主として制御部２０により制御される。
【0048】
［第３の補填熱源／プラテン下の流体熱源の構成例］
本実施形態に係る研磨処理装置Ｓは、図６に示すように、プラテン５１、プラテン５１と同じ形状に形成された上ベース板５５、下ベース板５６、リング状に形成された直径サイズの異なる環状体５２、５３、５４、流体ポンプ２１を含んで構成される。
本実施形態に係る研磨処理装置Ｓは、図６に示すように、プラテン５１、プラテン５１と同じ形状に形成された上ベース板５５、下ベース板５６、リング状に形成された直径サイズの異なる環状体５２、５３、５４、流体ポンプ２１を含んで構成される。
【0049】
上ベース板５５と下ベース板５６は、リング状に形成された直径サイズの異なる環状体５２、５３、５４を介して接続され、図６に示すように、環状体５２と環状体５３、環状体５３と環状体５４、環状体５４の内径側それぞれに空間が形成される。
【0050】
環状体５２と環状体５３、環状体５３と環状体５４、環状体５４の内径側それぞれの空間には、配管６０、流体ポンプ２１を介して流体（例えば水）が循環するように構成される。また、流体は、流体ポンプ２１が有する温調装置により所定の温度に調温されてから研磨処理装置Ｓに向けて供給される。
なお、流体ポンプ２１による流体の調温、及び、流体の供給開始又はその停止、所定時間当たりの供給量などは、主として制御部２０により制御される。
なお、流体ポンプ２１による流体の調温、及び、流体の供給開始又はその停止、所定時間当たりの供給量などは、主として制御部２０により制御される。
【0051】
流体ポンプ２１を介して供給される流体がプラテン５１の裏面側に配設された補填熱源となり、この流体を含む一連の構成が当該プラテンパッド５０の表面温度を調整する第３の補填熱源として機能する。
【0052】
図８は、第２の補填熱源の構成の別例を説明するための図である。図８（ａ）に示すＡ部分を拡大したものが図８（ｂ）である。
図８に示す補填熱源（第２の補填熱源）は、弾性体１０３の裏面側に配設された熱源であり、当該弾性体１０３に保持されたウェーハＷの温度を調整する円形の補填熱源２０１、リテーナリング１０４の温度を調整するリング状の補填熱源２０２とで構成される。
図８に示す補填熱源（第２の補填熱源）は、弾性体１０３の裏面側に配設された熱源であり、当該弾性体１０３に保持されたウェーハＷの温度を調整する円形の補填熱源２０１、リテーナリング１０４の温度を調整するリング状の補填熱源２０２とで構成される。
【0053】
補填熱源２０１、２０２は、図８に示すように、例えば面状の加熱用ヒータを用いて構成することができる。補填熱源２０１には、配線２０１ａを介して電力が供給され、供給される電力に応じて発熱する。補填熱源２０２には、配線２０２ａを介して電力が供給され、供給される電力に応じて発熱する。
なお、補填熱源２０１、２０２への電力の供給あるいはその停止は、主として制御部２０により制御される。
なお、補填熱源２０１、２０２への電力の供給あるいはその停止は、主として制御部２０により制御される。
【0054】
第２の補填熱源の構成を上記したうように補填熱源２０１（ウェーハ裏面用ヒータ）と補填熱源２０２（リテーナリング裏面用ヒータ）として構成することで、ウェーハとリテーナリングの各面圧力が異なったり、熱伝導率が異なる各素材を組み合わせた場合であったりしてもより正確に温度調整を行うことが可能になる。
【0055】
図１０は、第１の補填熱源の形状・組み合わせの図２、図３とは別例を説明するための図である。
図１０（ａ）に示すように、２体の第１の補填熱源３００ａ、３００ｂを組み合わせてプラテンパッド５０の表面側に配設しても良い。つまり、第１の温調機構の熱源と、研磨ヘッドの外周を囲む２つの第２の温調機構の熱源によりプラテンパッド５０の表面に略扇形状の熱源領域を形成する。
このように、扇形状あるいは略扇形状の補填熱源領域を形成するときの第１の補填熱源の形状や組み合わせは、第２の補填熱源（研磨ヘッド／円形熱源）との合体で扇形状と同面積及び同熱源容量であれば形状は任意に設定することもできる。
図１０（ａ）に示すように、２体の第１の補填熱源３００ａ、３００ｂを組み合わせてプラテンパッド５０の表面側に配設しても良い。つまり、第１の温調機構の熱源と、研磨ヘッドの外周を囲む２つの第２の温調機構の熱源によりプラテンパッド５０の表面に略扇形状の熱源領域を形成する。
このように、扇形状あるいは略扇形状の補填熱源領域を形成するときの第１の補填熱源の形状や組み合わせは、第２の補填熱源（研磨ヘッド／円形熱源）との合体で扇形状と同面積及び同熱源容量であれば形状は任意に設定することもできる。
【0056】
また、図１０（ｂ）に示すように、補填熱源（ヒーターブロック）を１体とすることも可能である。図１０（ｂ）に示す第１の補填熱源は、研磨ヘッド１００の外周の所定の領域を囲むように円弧部を有する扇形状に形成された補填熱源である。
なお、この場合、補填熱源（ヒーターブロック）の表面温度は２体時の倍になる。このように第１の補填熱源は１体とすることも分割体とすることも可能である。
なお、この場合、補填熱源（ヒーターブロック）の表面温度は２体時の倍になる。このように第１の補填熱源は１体とすることも分割体とすることも可能である。
【0057】
また、本実施形態に係る研磨処理装置Ｓのように、プラテン５１の表面側に配設され、且つ、研磨ヘッド１００の外周の所定の領域を囲む形状に形成された錨形状の補填熱源（ヒーターブロック）として構成しても良い。
この場合、同じ形状のものを背中合わせのミラー対に配置し錨形状あるいは略錨形状に形成する他に、例えば錨形状あるいは略錨形状に一体的に形成しても良い。
この場合、同じ形状のものを背中合わせのミラー対に配置し錨形状あるいは略錨形状に形成する他に、例えば錨形状あるいは略錨形状に一体的に形成しても良い。
【0058】
図１１は、プラテンパッドに向けて供給された研磨液（スラリー）の流れの一例を説明するための図である。
図１１に示すように従来のスラリー流路形状はコリオリ流れになる。しかしながら前述したように、スラリー温度をプラテン温度と同一に制御できればコリオリ流れでもよいが応答性において困難なため、スラリー流れ形状も扇形状が理想的である。そのため、スラリー規制枠５００によってスラリーの流れ形状も扇形状にすることが最良である。
図１１に示すように従来のスラリー流路形状はコリオリ流れになる。しかしながら前述したように、スラリー温度をプラテン温度と同一に制御できればコリオリ流れでもよいが応答性において困難なため、スラリー流れ形状も扇形状が理想的である。そのため、スラリー規制枠５００によってスラリーの流れ形状も扇形状にすることが最良である。
【0059】
図１２は、ＣＭＰシステムの伝熱機構についての一例を説明するための図である。
なお、初期熱源はウェーハとリテーナリングがパッドとの擦過で生じる摩擦熱である。
ウェーハ側、プラテン側とも初期状態では表面温度が上昇し、数十秒後には一定温度となるが、両者の熱伝播容積差によりプラテン側が低温度となる。理想的な状態は両者の温度差が小さな状態である。つまり、ＣＭＰ反応熱だけで目標の表面温度にならない場合は、それぞれの裏面側からの熱量補填が必要となる。
なお、初期熱源はウェーハとリテーナリングがパッドとの擦過で生じる摩擦熱である。
ウェーハ側、プラテン側とも初期状態では表面温度が上昇し、数十秒後には一定温度となるが、両者の熱伝播容積差によりプラテン側が低温度となる。理想的な状態は両者の温度差が小さな状態である。つまり、ＣＭＰ反応熱だけで目標の表面温度にならない場合は、それぞれの裏面側からの熱量補填が必要となる。
【0060】
図１３は、熱システム構成の一例を説明するための模式図である。
ＣＭＰ反応熱はウェーハ側、プラテン側への２方向に流れることは前述した通りである。また、ウェーハ側への熱移動は固定熱源での熱伝導扱いである。また、プラテン側への熱移動は移動熱源での熱伝導扱いとなる。
ＣＭＰシステムにおいて、研磨除去速度（ＭＲＲ）は研磨面温度に対し、指数関数的（べき数）に大きく影響される。そのため、最適化学反応温度に対する自己発熱温度の過不足分は外部熱源による制御が必要となる。
ＣＭＰ反応熱はウェーハ側、プラテン側への２方向に流れることは前述した通りである。また、ウェーハ側への熱移動は固定熱源での熱伝導扱いである。また、プラテン側への熱移動は移動熱源での熱伝導扱いとなる。
ＣＭＰシステムにおいて、研磨除去速度（ＭＲＲ）は研磨面温度に対し、指数関数的（べき数）に大きく影響される。そのため、最適化学反応温度に対する自己発熱温度の過不足分は外部熱源による制御が必要となる。
【0061】
［研磨処理の制御手順］
次に、本実施形態の研磨処理装置Ｓによる処理手順について説明する。図１４は、研磨処理を実行する際の制御部２０による主要な制御手順の一例を説明するためのフローチャートである。以下説明する処理手順は、前述した運転条件に基づいて連続してウェーハの研磨処理（量産）を実施するものである。
次に、本実施形態の研磨処理装置Ｓによる処理手順について説明する。図１４は、研磨処理を実行する際の制御部２０による主要な制御手順の一例を説明するためのフローチャートである。以下説明する処理手順は、前述した運転条件に基づいて連続してウェーハの研磨処理（量産）を実施するものである。
【0062】
制御部２０は、研磨処理装置Ｓのオペレータによる開始指示の入力受付を契機に制御を開始する（Ｓ１００）。
制御部２０は、所定の初期加工後、研磨ヘッド１００の保持機構によるウェーハＷの保持を開始する（Ｓ１０１）。
制御部２０は、所定の初期加工後、研磨ヘッド１００の保持機構によるウェーハＷの保持を開始する（Ｓ１０１）。
【0063】
制御部２０は、ウェーハＷをウェーハ受け渡しテーブル（不図示）からウェーハＷを保持し、研磨ヘッド１００を研磨処理の開始位置へ移動させる（Ｓ１０２）。
制御部２０は、所定量の圧力流体を供給して加工圧力Ｐを整える（Ｓ１０３）。
制御部２０は、所定量の圧力流体を供給して加工圧力Ｐを整える（Ｓ１０３）。
【0064】
制御部２０は、圧力流体の供給量に応じた各圧力が適切であることを確認した場合は（Ｓ１０４：Ｙｅｓ）、プラテン５１、並びに、研磨ヘッド１００の回転を開始するように、図示しないモータへ指示を出す（Ｓ１０５）。これにより、プラテン５１と研磨ヘッド１００が、水平に回転を開始する。
【0065】
プラテン５１と研磨ヘッド１００の回転開始を指示した後、制御部２０は、ノズルＮの位置決めを指示するとともに、研磨液供給機構に対して研磨液の供給を開始させるように指示を出す（Ｓ１０６）。これにより、研磨液がノズルＮからプラテンパッド５０の表面に向けて供給される。このようにして制御部２０は、研磨を開始する（Ｓ１０７）
【0066】
制御部２０は、各温度センサの検知結果に基づいて第１の補填熱源、第２の補填熱源、第３の補填熱源それぞれにおいて生じさせる温度を調整する（Ｓ１０８）。
【0067】
その後制御部２０は、研磨が終了したか否かを判別する（Ｓ１０９）。この判別は、例えばセンサの検出結果に基づき、ウェーハＷが所望の厚みに研磨されたと判断した場合に研磨を終了する。また、そうでない場合（Ｓ１０９：Ｎｏ）、ステップＳ１０８の処理へ戻る。
【0068】
制御部２０は、研磨が終了したと判別した場合（Ｓ１０９：Ｙｅｓ）、研磨液供給機構に対して研磨液の供給停止を指示する（Ｓ１１０）。
【0069】
その後、制御部２０は、プラテン５１と研磨ヘッド１００の回転を止めるように、モータへ停止指示を出す（Ｓ１１１）。その後、研磨後のウェーハＷを載置するテーブルまで研磨ヘッド１００を移動させる（Ｓ１１２）。これにより、一連の研磨処理の処理が終了する。
【0070】
なお、保持が解除されたか否かの判別は、例えば図示しない各種センサを用いて検知するように構成することもできる。なお、プラテン５１と研磨ヘッド１００の回転停止後に、供給した圧力流体を回収しても良い。このように制御することにより、研磨後のウェーハＷが搬送途中において意図せず脱落してしまうことを防ぐことができる。
【0071】
ここで、各温度センサの検知結果に基づいて第１の補填熱源、第２の補填熱源、第３の補填熱源それぞれにおいて生じさせる温度を調整するステップＳ１０８の処理の一例について説明する。
【0072】
ステップＳ１０８の処理における制御部２０による制御手順は、温度センサ４００と温度センサ３１０により第１の補填熱源の補填熱量を制御する。
制御例として、制御部２０は、温度センサ４００の３０秒間データでウェーハ研磨面の４０秒後の温度値：Ｔｗを予測する（ウェーハ擦過のみ温度に到達）。
制御部２０は、ＣＭＰ目標温度：Ｔｃと異なる場合、「Ｔｃ-Ｔｗ」をゼロとする第２の補填熱源の補填熱量を制御する（ＣＭＰ目標温度を目指す）。
制御部２０は、温度センサ６００の３０秒間データでプラテンパッド５０の４０秒後の温度値：Ｔｐを予測する（ウェーハ擦過熱量のみでの到達温度）。
制御部２０は、ＣＭＰ目標温度：Ｔｃと異なる場合、「Ｔｃ-Ｔｐ」を小さくする第３の補填熱源の補填熱量を制御する（循環水温度の制御）。
制御例として、制御部２０は、温度センサ４００の３０秒間データでウェーハ研磨面の４０秒後の温度値：Ｔｗを予測する（ウェーハ擦過のみ温度に到達）。
制御部２０は、ＣＭＰ目標温度：Ｔｃと異なる場合、「Ｔｃ-Ｔｗ」をゼロとする第２の補填熱源の補填熱量を制御する（ＣＭＰ目標温度を目指す）。
制御部２０は、温度センサ６００の３０秒間データでプラテンパッド５０の４０秒後の温度値：Ｔｐを予測する（ウェーハ擦過熱量のみでの到達温度）。
制御部２０は、ＣＭＰ目標温度：Ｔｃと異なる場合、「Ｔｃ-Ｔｐ」を小さくする第３の補填熱源の補填熱量を制御する（循環水温度の制御）。
【0073】
このように本実施形態に係る研磨処理装置Ｓでは、プラテンパッド表面の温度均一化への対処を可能とし、ウェーハ表面のＳＦＱＲ等の更なる向上を図ることができ、高品質で安定的に多数毎の研磨処理を行うことができる。
【0074】
［第２の温度取得手段の変形例］
図１５は、図７とは異なる、研磨処理時におけるウェーハの温度を疑似的に取得する温度センサの構成の一例を示す図である。
以下、図７に示す温度センサ４００と異なる構成を中心に説明をする。
図１５は、図７とは異なる、研磨処理時におけるウェーハの温度を疑似的に取得する温度センサの構成の一例を示す図である。
以下、図７に示す温度センサ４００と異なる構成を中心に説明をする。
【0075】
図１５に示す温度センサ４２０は、研磨処理時におけるウェーハＷの被研磨面の表面温度を疑似的に取得するウェーハダミーセンサである。
温度センサ４２０の素材構成は、図１５に示すように、ウェーハＷと同質のものであり、且つ、当該ウェーハＷと比べて小型に形成された模擬ウェーハ４０１（例えばφ２０×ｔ０．０７５［ｍｍ］）を有する。
また、温度センサ４２０は、模擬ウェーハ４０１の外周を囲むサイズの内周径を有する環状体４０５、環状体４０５の下端側開口部に被覆され、その表面側に貼着されたバッキングフイルム４０３を介して模擬ウェーハ４０１を保持する弾性体４０４を有する。また、温度センサ４００は、模擬ウェーハ４０１の温度を検知するセンサ４０２（例えば、熱電対）を有する。
また、温度センサ４２０は、弾性体４０４の裏面側に円形のヒータ（補填熱源）４１０が配設され、当該弾性体４０４に模擬ウェーハ４０１の温度を調整する。
温度センサ４２０の素材構成は、図１５に示すように、ウェーハＷと同質のものであり、且つ、当該ウェーハＷと比べて小型に形成された模擬ウェーハ４０１（例えばφ２０×ｔ０．０７５［ｍｍ］）を有する。
また、温度センサ４２０は、模擬ウェーハ４０１の外周を囲むサイズの内周径を有する環状体４０５、環状体４０５の下端側開口部に被覆され、その表面側に貼着されたバッキングフイルム４０３を介して模擬ウェーハ４０１を保持する弾性体４０４を有する。また、温度センサ４００は、模擬ウェーハ４０１の温度を検知するセンサ４０２（例えば、熱電対）を有する。
また、温度センサ４２０は、弾性体４０４の裏面側に円形のヒータ（補填熱源）４１０が配設され、当該弾性体４０４に模擬ウェーハ４０１の温度を調整する。
【0076】
このように温度センサ４２０を構成し、補填熱源２００（第２の補填熱源）とヒータ（補填熱源）４１０を同じ温度にすることで、疑似的にウェーハＷの研磨面と同じ環境をより精密に再現することが可能になる。
上記のように素材構成された温度センサ４２０は、保持された模擬ウェーハ４０１の被研磨面をプラテンパッド５０の表面に摺接させて当該模擬ウェーハ４０１の温度を検知する。このように温度センサ（ウェーハダミーセンサ）４２０は、研磨処理時におけるウェーハＷの温度を疑似的に取得する第２の温度取得手段として機能する。
上記のように素材構成された温度センサ４２０は、保持された模擬ウェーハ４０１の被研磨面をプラテンパッド５０の表面に摺接させて当該模擬ウェーハ４０１の温度を検知する。このように温度センサ（ウェーハダミーセンサ）４２０は、研磨処理時におけるウェーハＷの温度を疑似的に取得する第２の温度取得手段として機能する。
【0077】
温度センサ４２０による温度検知のタイミングなどは、主として制御部２０により制御される。温度センサ４２０により取得された温度情報は制御部２０に送られ、制御部２０は、取得した温度情報に基づいて第１の補填熱源、第２の補填熱源、第３の補填熱源それぞれにおいて生じさせる温度を調整する。
なお、ヒータ（補填熱源）４１０への電力の供給あるいはその停止は、主として制御部２０により制御される。また、温度センサ４２０は、ウェーハＷの半径中心と等距離の位置のプラテンパッド５０の表面に載置することが良い。
なお、ヒータ（補填熱源）４１０への電力の供給あるいはその停止は、主として制御部２０により制御される。また、温度センサ４２０は、ウェーハＷの半径中心と等距離の位置のプラテンパッド５０の表面に載置することが良い。
【0078】
［第１の補填熱源／ヒータブロックの変形例］
図１６は、図２、図３に示す第１の補填熱源（補填熱源３００ａ、３００ｂ）の別例を示す図である。
ここで、ウェーハダミーセンサを前述した温度センサ４２０として構成する場合、この温度センサ４２０は熱源ともなるため、プラテンパッド５０の表面温度に影響を及ぼすことになる。そこで、第１の補填熱源の形状を、図１６に示す第１の補填熱源（補填熱源３２０ａ、３２０ｂ）のような形状とすることで、温度センサ４２０によるプラテンパッド５０の表面温度の影響を打ち消すことについて説明する。
以下、図２、図３に示す第１の補填熱源（補填熱源３００ａ、３００ｂ）と異なる構成を中心に説明をする。
図１６は、図２、図３に示す第１の補填熱源（補填熱源３００ａ、３００ｂ）の別例を示す図である。
ここで、ウェーハダミーセンサを前述した温度センサ４２０として構成する場合、この温度センサ４２０は熱源ともなるため、プラテンパッド５０の表面温度に影響を及ぼすことになる。そこで、第１の補填熱源の形状を、図１６に示す第１の補填熱源（補填熱源３２０ａ、３２０ｂ）のような形状とすることで、温度センサ４２０によるプラテンパッド５０の表面温度の影響を打ち消すことについて説明する。
以下、図２、図３に示す第１の補填熱源（補填熱源３００ａ、３００ｂ）と異なる構成を中心に説明をする。
【0079】
図１６に示す補填熱源３２０ａ、３２０ｂは、プラテン５１の表面側に配設され、且つ、研磨ヘッド１００の外周の所定の領域を囲む形状に形成されたヒータブロック（熱源）である。温度センサ３１０は、補填熱源３２０ａの温度を取得する温度センサである。
補填熱源３２０ａ、３２０ｂは、その一部が研磨ヘッド１００の外周の所定の領域を囲む円弧部を両側に有する錨形状に形成された第１の補填熱源であり、一方の円弧部が研磨ヘッド１００の外周と対向してプラテン５１の表面側に配設される。
補填熱源３２０ａ、３２０ｂは、その一部が研磨ヘッド１００の外周の所定の領域を囲む円弧部を両側に有する錨形状に形成された第１の補填熱源であり、一方の円弧部が研磨ヘッド１００の外周と対向してプラテン５１の表面側に配設される。
【0080】
補填熱源３２０ａ、３２０ｂは、同じ形状のものを背中合わせのミラー対に配置し錨形状に形成された熱源である。また、補填熱源３２０ａ、３２０ｂは背中合わせの位置にそれぞれ半円の窪み３２１ａ、半円の窪み３２１ｂを有する。それぞれの半円の窪みの面積を合算した孔部（円形）の面積は、温度センサ４２０の模擬ウェーハ４０１（例えばφ２０［ｍｍ］）の面積と同じ面積になるようにする。
補填熱源３２０ａ、３２０ｂのように構成することで、温度センサ４２０によるプラテンパッド５０の表面温度への影響を打ち消すことが可能になり、より精緻にプラテンパッド５０の表面温度の温度調整を可能にする。
なお、補填熱源３２０ａ、３２０ｂには、配線（不図示）を介して電力が供給され、供給される電力に応じて発熱する。また、補填熱源３２０ａ、３２０ｂへの電力の供給あるいはその停止は、主として制御部２０により制御される。
補填熱源３２０ａ、３２０ｂのように構成することで、温度センサ４２０によるプラテンパッド５０の表面温度への影響を打ち消すことが可能になり、より精緻にプラテンパッド５０の表面温度の温度調整を可能にする。
なお、補填熱源３２０ａ、３２０ｂには、配線（不図示）を介して電力が供給され、供給される電力に応じて発熱する。また、補填熱源３２０ａ、３２０ｂへの電力の供給あるいはその停止は、主として制御部２０により制御される。
【0081】
なお、ウェーハダミーセンサの構成の選択、第１の補填熱源に半円の窪みを設けることなどは、ＣＭＰ目標温度到達後の温度精度をどの程度に設定するか、あるいは研磨対象であるウェーハの種類に対応した研磨処理時の処理温度域に応じて任意に選択することができる。
また、第１の補填熱源に形成された孔部の位置に補填熱源付きのウェーハダミーセンサを配置するように構成しても良い。
また、第１の補填熱源に形成された孔部の位置に補填熱源付きのウェーハダミーセンサを配置するように構成しても良い。
【0082】
［第１の補填熱源／線状のワイヤヒータを用いた構成例］
図１７は、プラテン５１の裏面側に第１の補填熱源を配設する場合の当該第１の補填熱源の構成の別例を説明するための上面図である。
図１７に示すように、プラテン５１の裏面上に第１の補填熱源として線状のワイヤヒータ３５０が配置されている。なお、ワイヤヒータ３５０はプラテン５１の裏面に接して配置されているため破線で示している。
図１７は、プラテン５１の裏面側に第１の補填熱源を配設する場合の当該第１の補填熱源の構成の別例を説明するための上面図である。
図１７に示すように、プラテン５１の裏面上に第１の補填熱源として線状のワイヤヒータ３５０が配置されている。なお、ワイヤヒータ３５０はプラテン５１の裏面に接して配置されているため破線で示している。
【0083】
また、ワイヤヒータ３５０には、配線（不図示）を介して電力が供給され、供給される電力に応じて発熱する。なお、ワイヤヒータ３５０への電力の供給あるいはその停止は、主として制御部２０により制御される。
【0084】
ワイヤヒータ３５０は、図１７に示すように、例えばリング状のワイヤヒータを同心円状に複数配置して構成したものをプラテン５０の裏面に配置して構成する。また、ワイヤヒータ３５０は、いわゆるらせん状に巻いたワイヤヒータをプラテン５０の裏面に配置して構成したりすることができる。
以下、図１８を用いてワイヤヒータ３５０による略扇形状の熱源領域の形成について説明する。
以下、図１８を用いてワイヤヒータ３５０による略扇形状の熱源領域の形成について説明する。
【0085】
図１８は、ワイヤヒータ３５０による略扇形状の熱源領域の形成について説明するための図である。
ここで、扇形状あるいは略扇形状の補填熱源領域を形成するときの第１の補填熱源の形状や組み合わせは、第２の補填熱源（研磨ヘッド／円形熱源）との合体で扇形状と同面積及び同熱源容量であれば形状は任意に設定するこができる点は先述した通りである。
ここで、扇形状あるいは略扇形状の補填熱源領域を形成するときの第１の補填熱源の形状や組み合わせは、第２の補填熱源（研磨ヘッド／円形熱源）との合体で扇形状と同面積及び同熱源容量であれば形状は任意に設定するこができる点は先述した通りである。
【0086】
図１８に示すワイヤヒータ３５０は、補填熱源（ヒータブロック）３００ａ、３００ｂと同面積及び同熱源容量となるように発熱体密度が調整される。
具体的には、らせん状あるいは同心円状に配されたワイヤヒータ３５０がプラテン５１の裏面において隣接するワイヤヒータ３５０の間隔（隙間）が粗な領域（発熱体密度が低い領域）と密な領域（発熱体密度が高い領域）を設ける。これにより発熱体密度を調整することができる。
具体的には、らせん状あるいは同心円状に配されたワイヤヒータ３５０がプラテン５１の裏面において隣接するワイヤヒータ３５０の間隔（隙間）が粗な領域（発熱体密度が低い領域）と密な領域（発熱体密度が高い領域）を設ける。これにより発熱体密度を調整することができる。
【0087】
この粗密の関係は、例えば各線のピッチ：Ｐｉとし、ピッチ：Ｐｉはプラテン幅：Ｂと各線長比：（Ｘｉ／ΣＸｉ）の比例長さで計算することができる。各線長比：（ Ｘｉ／ΣＸｉ）の大きな部分ではピッチ：Ｐｉは小さくなり、各線長比：（Ｘｉ／ΣＸｉ）の小さな部分ではピッチ：Ｐｉは大きくなる。
【0088】
このようにして、補填熱源（ヒータブロック）３００ａ、３００ｂと同面積及び同熱源容量となるようにワイヤヒータ３５０を配することで、第２の補填熱源（研磨ヘッド／円形熱源）との合体で扇形状と同面積及び同熱源容量を確保することが可能になる。
これによりプラテンパッド５０の表面側の構成の自由度を増加させることができる。
これによりプラテンパッド５０の表面側の構成の自由度を増加させることができる。
【0089】
［第１の補填熱源／面状のシートヒータを用いた構成例］
図１９は、図１７、図１８とは異なる、プラテン５１の裏面側に第１の補填熱源を配設する場合の当該第１の補填熱源の構成の別例を説明するための上面図である。
図１９に示すように、プラテン５１の裏面側に第１の補填熱源として面状のシートヒータ３６０が配されている。なお、シートヒータ３６０はプラテン５１の裏面側に配されているため破線で示している。
図１９は、図１７、図１８とは異なる、プラテン５１の裏面側に第１の補填熱源を配設する場合の当該第１の補填熱源の構成の別例を説明するための上面図である。
図１９に示すように、プラテン５１の裏面側に第１の補填熱源として面状のシートヒータ３６０が配されている。なお、シートヒータ３６０はプラテン５１の裏面側に配されているため破線で示している。
【0090】
図１９に示す補填熱源領域では、第１の補填熱源としてプラテン５１の裏面に配置されたシートヒータ３６０と第２の補填熱源（研磨ヘッド／円形熱源）との合体で扇形状あるいは略扇形状の補填熱源領域が形成されている。そのため、第２の補填熱源（研磨ヘッド／円形熱源）による補填熱源領域部分がシートヒータ３６０では孔部になっている。つまり、第１の補填熱源と第２の補填熱源が重ならない領域を孔部として設けて、第１の補填熱源と第２の補填熱源との合体で扇形状あるいは略扇形状の補填熱源領域が形成されるようにシートヒータ３６０を形成している。
【0091】
また、シートヒータ３６０プラテン５１と共に回転するため、前述した第２の補填熱源（研磨ヘッド／円形熱源）との合体で扇形状あるいは略扇形状の補填熱源領域が形成されるように、図２０では６つの孔部が形成されたシートヒータ３６０が示されている。
これによりプラテンパッド５０の表面側の構成の自由度を増加させることができる。
これによりプラテンパッド５０の表面側の構成の自由度を増加させることができる。
【0092】
上記説明した実施形態は、本発明をより具体的に説明するためのものであり、本発明の範囲が、これらの例に限定されるものではない。
【符号の説明】
【0093】
５０…プラテンパッド、５１…プラテン、１００…研磨ヘッド、２００、２０１、２０２…第２の補填熱源、３００ａ、３００ｂ、３２０ａ、３２０ｂ…第１の補填熱源（ヒータブロック）、３５０…第１の補填熱源（ワイヤヒータ）、３６０…第１の補填熱源（シートヒータ）、３１０、６００…温度センサ、４００、４２０…温度センサ（ウェーハダミーセンサ）、４１０…ヒータ、５００…スラリー規制枠、Ｓ…研磨処理装置、Ｎ…ノズル、Ｗ…ウェーハ。
【要約】
【課題】プラテンパッドの表面温度均一化への対処を可能とし、ウェーハ表面のＳＦＱＲ等の更なる向上を図ることができ、高品質で安定的に多数毎の研磨処理を行うことができる研磨処理装置を提供する。
【解決手段】研磨処理装置は、研磨処理対象となるウェーハの外周を囲むサイズの内周径を有する環状体、環状体の下端側開口部に被覆され、その表面側に貼着されたバッキングフイルムを介してウェーハを保持する弾性体、弾性体に保持されたウェーハの外周を囲む形状に形成されたリテーナリング、環状体とリテーナリングを一体的に水平に回転させる駆動手段を有する研磨ヘッドを有する。また、プラテンパッドの表面側に配設され、且つ、研磨ヘッドの外周の所定の領域を囲む形状に形成され、プラテンパッドの表面温度を調整する第１の補填熱源、弾性体の裏面側に配設され、弾性体に保持されたウェーハ、及び、リテーナリングの温度を調整する第２の補填熱源、プラテンの裏面側に配設され、プラテンパッドの温度を調整する第３の補填熱源を有する。
【選択図】図２
【解決手段】研磨処理装置は、研磨処理対象となるウェーハの外周を囲むサイズの内周径を有する環状体、環状体の下端側開口部に被覆され、その表面側に貼着されたバッキングフイルムを介してウェーハを保持する弾性体、弾性体に保持されたウェーハの外周を囲む形状に形成されたリテーナリング、環状体とリテーナリングを一体的に水平に回転させる駆動手段を有する研磨ヘッドを有する。また、プラテンパッドの表面側に配設され、且つ、研磨ヘッドの外周の所定の領域を囲む形状に形成され、プラテンパッドの表面温度を調整する第１の補填熱源、弾性体の裏面側に配設され、弾性体に保持されたウェーハ、及び、リテーナリングの温度を調整する第２の補填熱源、プラテンの裏面側に配設され、プラテンパッドの温度を調整する第３の補填熱源を有する。
【選択図】図２
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】