7649127 半導体装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2025-03-11

(45)【発行日】2025-03-19

(54)【発明の名称】半導体装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/48 20060101AFI20250312BHJP

   H01L 25/07 20060101ALI20250312BHJP

   H01L 25/18 20230101ALI20250312BHJP

【ＦＩ】

H01L23/48 G

H01L23/48 P

H01L25/04 C

【請求項の数】 18

(21)【出願番号】P 2020184220

(22)【出願日】2020-11-04

(65)【公開番号】P2022074290

(43)【公開日】2022-05-18

【審査請求日】2023-10-05

(73)【特許権者】

【識別番号】000116024

【氏名又は名称】ローム株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100135389

【弁理士】

【氏名又は名称】臼井 尚

(74)【代理人】

【識別番号】100168044

【弁理士】

【氏名又は名称】小淵 景太

(72)【発明者】

【氏名】川嶋 菜穂子

【審査官】木下 直哉

(56)【参考文献】

【文献】特開２０００－２９４７０７（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２００６／０１４５３１８（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２００９－０３８１３８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２０－０４７７５８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００９－２３１８０５（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２００５／００７３０１２（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１４／０２３９４１３（ＵＳ，Ａ１）

【文献】国際公開第２０１９／１０２６９４（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２００５－１６７０１３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００７－０１２８５７（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２３／４８－２３／５０

Ｈ０１Ｌ ２５／０４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

スイッチング素子であり、かつ、厚さ方向において互いに反対側を向く素子主面および素子裏面と、前記素子主面に配置された第１電極および第２電極と、を各々が有する第１半導体素子および第２半導体素子と、
前記第１半導体素子が搭載され、かつ、前記第１半導体素子に導通する第１リードと、
前記第２半導体素子が搭載され、かつ、前記第２半導体素子に導通する第２リードと、
前記第１半導体素子の前記第１電極および前記第２半導体素子の前記第１電極に導通する第３リードと、
前記第１半導体素子および前記第２半導体素子を覆う封止樹脂と、
前記第１リードおよび前記第２リードに対して、前記厚さ方向に直交する第１方向に離間して配置され、前記封止樹脂から露出し、かつ、前記第１半導体素子の第１電極に導通する第１端子と、
前記第１方向において、前記第１リードおよび前記第２リードに対して、前記第１端子と同じ側に離間して配置され、前記封止樹脂から露出し、かつ、前記第２半導体素子の第１電極に導通する第２端子と、
前記第１方向において、前記第１リードおよび前記第２リードに対して、前記第１端子とは反対側に離間して配置され、前記封止樹脂から露出し、かつ、前記第１半導体素子の第２電極に導通する第３端子と、
前記第１方向において、前記第１リードおよび前記第２リードに対して、前記第３端子と同じ側に離間して配置され、前記封止樹脂から露出し、かつ、前記第２半導体素子の第２電極に導通する第４端子と、
を備え、
前記封止樹脂は、前記厚さ方向において互いに反対側を向く樹脂主面および樹脂裏面と、前記樹脂主面および前記樹脂裏面につながり、かつ、前記第１端子および前記第２端子が露出する第１樹脂側面と、前記樹脂主面および前記樹脂裏面につながり、かつ、前記第３端子および前記第４端子が露出する第２樹脂側面とを備え、
前記第１リードは、前記第１樹脂側面から露出し、
前記第２リードは、前記第２樹脂側面から露出し、
前記第３リードが、前記第１端子および前記第２端子を兼ねている、
半導体装置。

【請求項2】

前記第３リードは、前記厚さ方向において互いに反対側を向く第３リード主面および第３リード裏面と、前記第３リード主面および前記第３リード裏面につながり、かつ、前記第１樹脂側面から露出する第３リード端面と、を備えている、
請求項１に記載の半導体装置。

【請求項3】

前記第３リード端面は、前記第１樹脂側面によって隔てられた２個の部位からなる、
請求項２に記載の半導体装置。

【請求項4】

前記第３リード裏面の形状は、Ｕ字形状である、
請求項２または３に記載の半導体装置。

【請求項5】

前記第３リード裏面は、前記樹脂裏面によって隔てられた２個の部位からなる、
請求項２または３に記載の半導体装置。

【請求項6】

スイッチング素子であり、かつ、厚さ方向において互いに反対側を向く素子主面および素子裏面と、前記素子主面に配置された第１電極および第２電極と、を各々が有する第１半導体素子および第２半導体素子と、
前記第１半導体素子が搭載され、かつ、前記第１半導体素子に導通する第１リードと、
前記第２半導体素子が搭載され、かつ、前記第２半導体素子に導通する第２リードと、
前記第１半導体素子および前記第２半導体素子を覆う封止樹脂と、
前記第１リードおよび前記第２リードに対して、前記厚さ方向に直交する第１方向に離間して配置され、前記封止樹脂から露出し、かつ、前記第１半導体素子の第１電極に導通する第１端子と、
前記第１方向において、前記第１リードおよび前記第２リードに対して、前記第１端子と同じ側に離間して配置され、前記封止樹脂から露出し、かつ、前記第２半導体素子の第１電極に導通する第２端子と、
前記第１方向において、前記第１リードおよび前記第２リードに対して、前記第１端子とは反対側に離間して配置され、前記封止樹脂から露出し、かつ、前記第１半導体素子の第２電極に導通する第３端子と、
前記第１方向において、前記第１リードおよび前記第２リードに対して、前記第３端子と同じ側に離間して配置され、前記封止樹脂から露出し、かつ、前記第２半導体素子の第２電極に導通する第４端子と、
前記第１半導体素子の前記第１電極に導通する、前記第１端子としての第３リードと、
前記第２半導体素子の前記第１電極に導通し、かつ、前記第３リードに対して離間して配置された、前記第２端子としての第４リードと、
を備え、
前記封止樹脂は、前記厚さ方向において互いに反対側を向く樹脂主面および樹脂裏面と、前記樹脂主面および前記樹脂裏面につながり、かつ、前記第１端子および前記第２端子が露出する第１樹脂側面と、前記樹脂主面および前記樹脂裏面につながり、かつ、前記第３端子および前記第４端子が露出する第２樹脂側面とを備え、
前記第１リードは、前記第１樹脂側面から露出し、
前記第２リードは、前記第２樹脂側面から露出し、
前記第３リードと前記第４リードとは隣接して配置されている、
半導体装置。

【請求項7】

前記第１半導体素子の前記第２電極および前記第２半導体素子の前記第２電極に導通する第５リードをさらに備え、
前記第５リードが、前記第３端子および前記第４端子を兼ねている、
請求項１ないし６のいずれかに記載の半導体装置。

【請求項8】

前記第１半導体素子の前記第２電極に導通する、前記第３端子としての第５リードと、
前記第２半導体素子の前記第２電極に導通し、かつ、前記第５リードに対して離間して配置された、前記第４端子としての第６リードと、
をさらに備えている、
請求項１ないし６のいずれかに記載の半導体装置。

【請求項9】

前記第５リードと前記第６リードとは隣接して配置されている、
請求項８に記載の半導体装置。

【請求項10】

スイッチング素子であり、かつ、厚さ方向において互いに反対側を向く素子主面および素子裏面と、前記素子主面に配置された第１電極および第２電極と、を各々が有する第１半導体素子および第２半導体素子と、
前記第１半導体素子が搭載され、かつ、前記第１半導体素子に導通する第１リードと、
前記第２半導体素子が搭載され、かつ、前記第２半導体素子に導通する第２リードと、
前記第１半導体素子および前記第２半導体素子を覆う封止樹脂と、
前記第１リードおよび前記第２リードに対して、前記厚さ方向に直交する第１方向に離間して配置され、前記封止樹脂から露出し、かつ、前記第１半導体素子の第１電極に導通する第１端子と、
前記第１方向において、前記第１リードおよび前記第２リードに対して、前記第１端子と同じ側に離間して配置され、前記封止樹脂から露出し、かつ、前記第２半導体素子の第１電極に導通する第２端子と、
前記第１方向において、前記第１リードおよび前記第２リードに対して、前記第１端子とは反対側に離間して配置され、前記封止樹脂から露出し、かつ、前記第１半導体素子の第２電極に導通する第３端子と、
前記第１方向において、前記第１リードおよび前記第２リードに対して、前記第３端子と同じ側に離間して配置され、前記封止樹脂から露出し、かつ、前記第２半導体素子の第２電極に導通する第４端子と、
前記第１半導体素子と前記第１リードとを接合させる導電性接合材と、
を備え、
前記封止樹脂は、前記厚さ方向において互いに反対側を向く樹脂主面および樹脂裏面と、前記樹脂主面および前記樹脂裏面につながり、かつ、前記第１端子および前記第２端子が露出する第１樹脂側面と、前記樹脂主面および前記樹脂裏面につながり、かつ、前記第３端子および前記第４端子が露出する第２樹脂側面とを備え、
前記第１リードは、前記第１樹脂側面から露出し、
前記第２リードは、前記第２樹脂側面から露出し、
前記第１半導体素子は、前記素子裏面に配置された第３電極をさらに備え、
前記第３電極は、前記導電性接合材を介して、前記第１リードに導通接続されている、半導体装置。

【請求項11】

前記第１半導体素子および前記第２半導体素子は、バイポーラトランジスタであって、
前記第１電極はエミッタ電極であり、前記第２電極はベース電極であり、前記第３電極はコレクタ電極である、
請求項１０に記載の半導体装置。

【請求項12】

前記第１半導体素子はＮＰＮ型であって、
前記第２半導体素子はＰＮＰ型である、
請求項１１に記載の半導体装置。

【請求項13】

前記第１樹脂側面および前記第２樹脂側面は、前記第１方向において互いに反対側を向いている、
請求項１ないし１２のいずれかに記載の半導体装置。

【請求項14】

前記第１樹脂側面からは、前記第１リード、前記第１端子および前記第２端子のみが露出し、
前記第２樹脂側面からは、前記第２リード、前記第３端子および前記第４端子のみが露出している、
請求項１ないし１３のいずれかに記載の半導体装置。

【請求項15】

前記第１リードは、前記第１半導体素子が搭載される第１ダイパッド部を備え、
前記第２リードは、前記第２半導体素子が搭載される第２ダイパッド部を備え、
前記第１ダイパッド部および前記第２ダイパッド部は、前記樹脂裏面から露出している、
請求項１ないし１４のいずれかに記載の半導体装置。

【請求項16】

前記第１リードは、前記第１ダイパッド部につながる第１リード端子部をさらに備え、
前記第２リードは、前記第２ダイパッド部につながる第２リード端子部をさらに備え、
前記第１リード端子部および前記第２リード端子部は、前記樹脂裏面から露出している、
請求項１５に記載の半導体装置。

【請求項17】

前記第１リード端子部は、前記第１樹脂側面から露出する第１端子部端面を備え、
前記第２リード端子部は、前記第２樹脂側面から露出する第２端子部端面を備え、
前記第１端子部端面は、前記第１樹脂側面と面一であり、
前記第２端子部端面は、前記第２樹脂側面と面一である、
請求項１６に記載の半導体装置。

【請求項18】

前記第１方向の寸法、および、前記厚さ方向と前記第１方向とに直交する第２方向の寸法が、どちらも、１ｍｍ以上３ｍｍ以下である、
請求項１ないし１７のいずれかに記載の半導体装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、半導体素子を搭載した半導体装置に関する。

【背景技術】

【0002】

電気自動車やハイブリッド自動車などに使用されているインバータ装置は、たとえばＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）やＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）などのスイッチング素子と、これを駆動するためのゲートドライバ回路とを備えている。ゲートドライバ回路は、駆動素子と、駆動素子が出力する駆動信号を増幅して、スイッチング素子に出力するバッファ回路とを備えている。バッファ回路には、ＮＰＮ型のバイポーラトランジスタとＰＮＰ型のバイポーラトランジスタとを備え、両者のベース電極同士を接続し、また、両者のエミッタ電極同士を接続して用いるものがある。ゲートドライバ回路の小型化のために、バッファ回路に含まれる各部品の小型化が期待されている。ＮＰＮ型のバイポーラトランジスタである半導体素子とＰＮＰ型のバイポーラトランジスタである半導体素子とをリードフレームに搭載して封止樹脂で覆った半導体装置を用いることで、ゲートドライバ回路の小型化に寄与できる。

【0003】

特許文献１には、２個のバイポーラトランジスタを備える半導体装置が開示されている。当該半導体装置は、第１トランジスタ素子および第２トランジスタ素子と、リードフレームと封止樹脂とを備えている。当該半導体装置は、第１トランジスタ素子のベース電極に導通するリード、第１トランジスタ素子のコレクタ電極に導通するリード、および、第２トランジスタ素子のコレクタ電極に導通するリードが、封止樹脂の一方の側面から露出している。また、当該半導体装置は、第１トランジスタ素子のエミッタ電極に導通するリード、第２トランジスタ素子のベース電極に導通するリード、および、第２トランジスタ素子のエミッタ電極に導通するリードが、封止樹脂の反対側の側面から露出している。この場合、半導体装置を配線基板に実装して、配線基板上の配線で、両者のベース電極同士を接続し、また、両者のエミッタ電極同士を接続する場合、複雑な配線が必要になる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特開２００２－６４１０６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本開示は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、実装される配線基板上の配線を単純化できる半導体装置を提供することをその課題とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示によって提供される半導体装置は、スイッチング素子であり、かつ、厚さ方向において互いに反対側を向く素子主面および素子裏面と、前記素子主面に配置された第１電極および第２電極と、を各々が有する第１半導体素子および第２半導体素子と、前記第１半導体素子が搭載され、かつ、前記第１半導体素子に導通する第１リードと、前記第２半導体素子が搭載され、かつ、前記第２半導体素子に導通する第２リードと、前記第１半導体素子および前記第２半導体素子を覆う封止樹脂と、前記第１リードおよび前記第２リードに対して、前記厚さ方向に直交する第１方向に離間して配置され、前記封止樹脂から露出し、かつ、前記第１半導体素子の第１電極に導通する第１端子と、前記第１方向において、前記第１リードおよび前記第２リードに対して、前記第１端子と同じ側に離間して配置され、前記封止樹脂から露出し、かつ、前記第２半導体素子の第１電極に導通する第２端子と、前記第１方向において、前記第１リードおよび前記第２リードに対して、前記第１端子とは反対側に離間して配置され、前記封止樹脂から露出し、かつ、前記第１半導体素子の第２電極に導通する第３端子と、前記第１方向において、前記第１リードおよび前記第２リードに対して、前記第３端子と同じ側に離間して配置され、前記封止樹脂から露出し、かつ、前記第２半導体素子の第２電極に導通する第４端子と、を備えている。

【発明の効果】

【0007】

本開示によると、半導体装置が実装される配線基板上の配線を単純化できる。

【0008】

本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】本開示の第１実施形態にかかる半導体装置を示す斜視図である。

【図2】図１の半導体装置を示す斜視図であって、底面側を上側にした状態の図である。

【図3】図１の半導体装置を示す平面図であり、封止樹脂を透過して示している。

【図4】図１の半導体装置を示す底面図である。

【図5】図３のＶ－Ｖ線に沿う断面図である。

【図6】図３のＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図である。

【図7】図１の半導体装置を示す回路図である。

【図8】図１の半導体装置の配線基板への実装状態を示す図である。

【図9】本開示の第２実施形態にかかる半導体装置を示す平面図である。

【図10】本開示の第３実施形態にかかる半導体装置を示す平面図である。

【図11】図１０の半導体装置を示す底面図である。

【図12】本開示の第４実施形態にかかる半導体装置を示す底面図である。

【図13】本開示の第５実施形態にかかる半導体装置を示す底面図である。

【図14】本開示の第６実施形態にかかる半導体装置を示す平面図である。

【図15】本開示の第７実施形態にかかる半導体装置を示す底面図である。

【図16】本開示の第８実施形態にかかる半導体装置を示す底面図である。

【図17】本開示の第９実施形態にかかる半導体装置を示す平面図である。

【図18】本開示の第１０実施形態にかかる半導体装置を示す底面図である。

【図19】図１８の半導体装置の配線基板への実装状態を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下、本開示の好ましい実施の形態を、添付図面を参照して具体的に説明する。

【0011】

本開示において、「ある物Ａがある物Ｂに形成されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に形成されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接形成されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに形成されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂに配置されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に配置されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接配置されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに配置されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂ上に位置している」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに接して、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物が介在しつつ、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」を含む。また、「ある物Ａがある物Ｂにある方向に見て重なる」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂのすべてに重なること」、および、「ある物Ａがある物Ｂの一部に重なること」を含む。

【0012】

〔第１実施形態〕
図１～図８に基づき、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１について説明する。半導体装置Ａ１は、リード１，２，３１，４１，４２、２個の半導体素子６、ワイヤ７１，７２、および封止樹脂８を備えている。半導体素子６は、半導体素子６０１および半導体素子６０２を含んでいる。半導体装置Ａ１は、たとえば電気自動車やハイブリッド自動車などのインバータ装置のゲートドライバ回路に用いられている。半導体装置Ａ１は、図示しない駆動素子が出力する駆動信号を増幅して、図示しないスイッチング素子に出力するバッファ回路として機能する。なお、半導体装置Ａ１の用途や機能は限定されない。半導体装置Ａ１のパッケージ形式は、ＤＦＮ（Dual Flatpack No-leaded）である。なお、半導体装置Ａ１のパッケージ形式は、ＤＦＮに限定されない。

【0013】

図１は、半導体装置Ａ１を示す斜視図である。図２は、半導体装置Ａ１を示す斜視図であって、底面側を上側にした状態の図である。図３は、半導体装置Ａ１を示す平面図である。図３においては、理解の便宜上、封止樹脂８を透過して、封止樹脂８の外形を想像線（二点鎖線）で示している。図４は、半導体装置Ａ１を示す底面図である。図５は、図３のＶ－Ｖ線に沿う断面図である。図６は、図３のＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図である。図７は、半導体装置Ａ１を示す回路図である。図８は、半導体装置Ａ１の配線基板への実装状態を示す図である。

【0014】

半導体装置Ａ１は、厚さ方向視(平面視)の形状が矩形状である。説明の便宜上、半導体装置Ａ１の厚さ方向（平面視方向）をｚ方向とし、ｚ方向に直交する半導体装置Ａ１の一方の辺に沿う方向（図３における左右方向）をｘ方向、ｚ方向およびｘ方向に直交する方向（図３における上下方向）をｙ方向とする。また、ｚ方向の一方側（図５および図６における上側）をｚ１側とし、他方側（図５および図６における下側）をｚ２側とする。ｘ方向の一方側（図３および図４における右側）をｘ１側とし、他方側（図３および図４における左側）をｘ２側とする。ｙ方向の一方側（図３における上側）をｙ１側とし、他方側（図３における下側）をｙ２側とする。ｚ方向が本開示の「厚さ方向」に相当し、ｙ方向が本開示の「第１方向」に相当し、ｘ方向が本開示の「第２方向」に相当する。本実施形態では、半導体装置Ａ１の大きさは、たとえばｘ方向寸法が１ｍｍ以上３ｍｍ以下、ｙ方向寸法が１ｍｍ以上３ｍｍ以下、ｚ方向寸法が０.３ｍｍ以上１ｍｍ以下である。なお、半導体装置Ａ１の各寸法は限定されない。

【0015】

リード１，２，３１，４１，４２は、半導体素子６と導通している。リード１，２，３１，４１，４２は、たとえば、金属板にエッチング処理や打ち抜き加工等を施すことにより形成されている。リード１，２，３１，４１，４２は、金属からなり、好ましくはＣｕおよびＮｉのいずれか、またはこれらの合金や４２アロイなどからなる。本実施形態においては、リード１，２，３１，４１，４２が、Ｃｕからなる場合を例に説明する。リード１，２，３１，４１，４２の厚さは、たとえば０．０８～０．３ｍｍであり、本実施形態においては０．２ｍｍ程度である。以降の説明においては、第１リード１、第２リード２、第３リード３１、第５リード４１、および第６リード４２と記載する。なお、まとめて示す場合は、リード１，２，３１，４１，４２のように記載する。

【0016】

図３に示すように、第１リード１は、半導体装置Ａ１のｘ方向の中央よりｘ２側に全体が配置され、ｙ方向ｙ１側寄りに位置している。第２リード２は、半導体装置Ａ１のｘ方向の中央よりｘ１側に全体が配置され、ｙ方向ｙ２側寄りに位置している。第３リード３１は、半導体装置Ａ１のｙ方向y１側の端部のｘ方向ｘ１側寄りに配置されている。第３リード３１は、第１リード１および第２リード２に対して、ｙ方向ｙ１側に離間して配置されている。第５リード４１は、半導体装置Ａ１のｙ方向y２側の端部のｘ方向ｘ２側の端部に、第１リード１および第２リード２から離間して配置されている。第６リード４２は、半導体装置Ａ１のｙ方向y２側の端部の、ｘ方向において第２リード２と第５リード４１との間に、第１リード１、第２リード２、および第５リード４１から離間して配置されている。つまり、第５リード４１および第６リード４２は、ｙ方向において、第１リード１および第２リード２に対して、第３リード３１とは反対側に配置されている。また、第５リード４１および第６リード４２は、ｘ方向において互いに隣り合って配置されている。ｚ方向視寸法は、第１リード１および第２リード２が大きく、第５リード４１および第６リード４２が小さい。

【0017】

第１リード１は、半導体素子６（半導体素子６０１）を支持し、ダイパッド部１１０、端子部１２０、および複数の連結部１３０を備えている。

【0018】

ダイパッド部１１０は、ｚ方向視において、半導体装置Ａ１のｘ方向の中央よりｘ２側に全体が配置され、ｙ方向の中央に位置し、ｚ方向視略矩形状である。ダイパッド部１１０は、ダイパッド部主面１１１、ダイパッド部裏面１１２、およびダイパッド部裏面側凹部１１３を有する。ダイパッド部主面１１１およびダイパッド部裏面１１２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。ダイパッド部主面１１１は、z方向z１側を向いている。ダイパッド部主面１１１は、半導体素子６０１が搭載される面である。ダイパッド部裏面１１２は、z方向z２側を向いている。ダイパッド部裏面１１２は、封止樹脂８から露出して、裏面端子になる。

【0019】

ダイパッド部裏面側凹部１１３は、ダイパッド部１１０の一部がダイパッド部裏面１１２からダイパッド部主面１１１側に凹んだ部分である。ダイパッド部１１０のうちダイパッド部裏面側凹部１１３が位置する部分の厚さ（ｚ方向の寸法）は、ダイパッド部裏面１１２が位置する部分の厚さの半分程度である。ダイパッド部裏面側凹部１１３は、たとえばハーフエッチング処理により形成される。図４に示すように、ダイパッド部裏面側凹部１１３は、ダイパッド部裏面１１２の周囲に配置されている。図４に示すように、ダイパッド部裏面側凹部１１３は、封止樹脂８から露出せず、封止樹脂８によって覆われている。これにより、第１リード１が封止樹脂８からｚ方向のｚ２側に剥離することが抑制される。なお、ダイパッド部１１０の形状は限定されない。たとえば、ダイパッド部１１０は、ダイパッド部裏面側凹部１１３を備えなくてもよい。

【0020】

端子部１２０は、ダイパッド部１１０につながっており、ｚ方向視略矩形状である。本実施形態では、端子部１２０は、ダイパッド部１１０のｙ方向ｙ１側のｘ方向ｘ２側寄りに配置されている。端子部１２０は、端子部主面１２１、端子部裏面１２２、および端子部端面１２３を有する。端子部主面１２１および端子部裏面１２２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。端子部主面１２１は、z方向z１側を向いている。端子部主面１２１とダイパッド部主面１１１とは、面一になっている。端子部裏面１２２は、z方向z２側を向いている。端子部裏面１２２とダイパッド部裏面１１２とは、ｙ方向に離間しており、z方向での位置が互いに同じである。端子部端面１２３は、端子部主面１２１および端子部裏面１２２に直交し、端子部主面１２１および端子部裏面１２２につながる面であり、ｙ方向ｙ１側を向く面である。端子部端面１２３は、製造工程における切断工程でのダイシングにより形成される。端子部端面１２３および端子部裏面１２２は、封止樹脂８から露出してつながっており、端子になる（図４参照）。なお、端子部１２０の形状、配置位置および個数は限定されない。

【0021】

複数の連結部１３０は、それぞれ、ダイパッド部１１０につながっており、ｚ方向視略矩形状である。本実施形態では、２個の連結部１３０が、ダイパッド部１１０のｘ方向のｘ２側にｙ方向に並んで配置されている。各連結部１３０の厚さ（ｚ方向の寸法）は、ダイパッド部裏面側凹部１１３が位置するダイパッド部１１０の厚さと同程度である。連結部１３０は、たとえばハーフエッチング処理により形成される。各連結部１３０は、連結部主面１３１、連結部裏面１３２、および連結部端面１３３を有する。連結部主面１３１および連結部裏面１３２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。連結部主面１３１は、z方向z１側を向いている。連結部主面１３１とダイパッド部主面１１１とは、面一になっている。したがって、ダイパッド部主面１１１、端子部主面１２１および連結部主面１３１は、面一の一体となった面になっている（図３参照）。連結部裏面１３２は、z方向z２側を向いている。連結部裏面１３２とダイパッド部裏面側凹部１１３とは、面一になっている。連結部端面１３３は、連結部主面１３１および連結部裏面１３２をつなぐ面であり、ｘ方向ｘ２側を向く面である。連結部端面１３３は、製造工程における切断工程でのダイシングにより形成される。連結部端面１３３は、封止樹脂８から露出している。なお、連結部１３０の形状、配置位置および個数は限定されない。

【0022】

第２リード２は、半導体素子６（半導体素子６０２）を支持し、ダイパッド部２１０、端子部２２０、および複数の連結部２３０を備えている。

【0023】

ダイパッド部２１０は、ｚ方向視において、半導体装置Ａ１のｘ方向の中央よりｘ１側に全体が配置され、ｙ方向の中央に位置し、ｚ方向視略矩形状である。ダイパッド部２１０は、ダイパッド部主面２１１、ダイパッド部裏面２１２、およびダイパッド部裏面側凹部２１３を有する。ダイパッド部主面２１１およびダイパッド部裏面２１２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。ダイパッド部主面２１１は、z方向z１側を向いている。ダイパッド部主面２１１は、半導体素子６０２が搭載される面である。ダイパッド部裏面２１２は、z方向z２側を向いている。ダイパッド部裏面２１２は、封止樹脂８から露出して、裏面端子になる。

【0024】

ダイパッド部裏面側凹部２１３は、ダイパッド部２１０の一部がダイパッド部裏面２１２からダイパッド部主面２１１側に凹んだ部分である。ダイパッド部２１０のうちダイパッド部裏面側凹部１１３が位置する部分の厚さ（ｚ方向の寸法）は、ダイパッド部裏面２１２が位置する部分の厚さの半分程度である。ダイパッド部裏面側凹部２１３は、たとえばハーフエッチング処理により形成される。図４に示すように、ダイパッド部裏面側凹部２１３は、ダイパッド部裏面２１２の周囲に配置されている。図４および図６に示すように、ダイパッド部裏面側凹部２１３は、封止樹脂８から露出せず、封止樹脂８によって覆われている。これにより、第２リード２が封止樹脂８からｚ方向のｚ２側に剥離することが抑制される。なお、ダイパッド部２１０の形状は限定されない。たとえば、ダイパッド部２１０は、ダイパッド部裏面側凹部２１３を備えなくてもよい。

【0025】

端子部２２０は、ダイパッド部２１０につながっており、ｚ方向視略矩形状である。本実施形態では、端子部２２０は、ダイパッド部２１０のｙ方向ｙ２側のｘ方向ｘ１側寄りに配置されている。端子部２２０は、端子部主面２２１、端子部裏面２２２、および端子部端面２２３を有する。端子部主面２２１および端子部裏面２２２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。端子部主面２２１は、z方向z１側を向いている。端子部主面２２１とダイパッド部主面２１１とは、面一になっている。端子部裏面２２２は、z方向z２側を向いている。端子部裏面２２２とダイパッド部裏面２１２とは、ｙ方向に離間しており、z方向での位置が互いに同じである。端子部端面２２３は、端子部主面２２１および端子部裏面２２２に直交し、端子部主面２２１および端子部裏面２２２につながる面であり、ｙ方向ｙ２側を向く面である。端子部端面２２３は、製造工程における切断工程でのダイシングにより形成される。端子部端面２２３および端子部裏面２２２は、封止樹脂８から露出してつながっており、端子になる（図２、図４および図６参照）。なお、端子部２２０の形状、配置位置および個数は限定されない。

【0026】

複数の連結部２３０は、それぞれ、ダイパッド部２１０につながっており、ｚ方向視略矩形状である。本実施形態では、２個の連結部２３０が、ダイパッド部２１０のｘ方向のｘ１側にｙ方向に並んで配置されている。各連結部２３０の厚さ（ｚ方向の寸法）は、ダイパッド部裏面側凹部２１３が位置するダイパッド部２１０の厚さと同程度である。連結部２３０は、たとえばハーフエッチング処理により形成される。各連結部２３０は、連結部主面２３１、連結部裏面２３２、および連結部端面２３３を有する。連結部主面２３１および連結部裏面２３２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。連結部主面２３１は、z方向z１側を向いている。連結部主面２３１とダイパッド部主面２１１とは、面一になっている。したがって、ダイパッド部主面２１１、端子部主面２２１および連結部主面２３１は、面一の一体となった面になっている（図３参照）。連結部裏面２３２は、z方向z２側を向いている。連結部裏面２３２とダイパッド部裏面側凹部２１３とは、面一になっている。連結部端面２３３は、連結部主面２３１および連結部裏面２３２をつなぐ面であり、ｘ方向ｘ１側を向く面である。連結部端面２３３は、製造工程における切断工程でのダイシングにより形成される。連結部端面２３３は、封止樹脂８から露出している。なお、連結部２３０の形状、配置位置および個数は限定されない。

【0027】

第３リード３１は、ｚ方向視において、半導体装置Ａ１のｘ方向ｘ１側でｙ方向ｙ１側の角部（図３においては右上の角部）に配置され、主面３１１、裏面３１２、裏面側凹部３１３、および端面３１４を有する。

【0028】

主面３１１および裏面３１２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。主面３１１は、z方向z１側を向いている。主面３１１は、ワイヤ７１がボンディングされる面である。本実施形態では、主面３１１の形状は、ｘ方向に長い長矩形からｙ方向ｙ１側に突出した部分を２か所有する形状である。２か所の突出した部分は、ｘ方向に並んでおり、ともに、半導体装置Ａ１のｙ方向ｙ１側の端縁まで達している。裏面３１２は、z方向z２側を向いている。裏面３１２は、封止樹脂８から露出して、裏面端子になる。本実施形態では、裏面３１２の形状は、y方向y１側が開放するＵ字形状である。Ｕ字形状の各端部は、ともに、半導体装置Ａ１のｙ方向ｙ１側の端縁まで達している。

【0029】

裏面側凹部３１３は、第３リード３１の一部が裏面３１２から主面３１１側に凹んだ部分である。第３リード３１のうち裏面側凹部３１３が位置する部分の厚さ（ｚ方向の寸法）は、裏面３１２が位置する部分の厚さの半分程度である。裏面側凹部３１３は、たとえばハーフエッチング処理により形成される。図４に示すように、裏面側凹部３１３は、封止樹脂８から露出せず、封止樹脂８によって覆われている。これにより、第３リード３１が封止樹脂８からｚ方向のｚ２側に剥離することが抑制される。

【0030】

端面３１４は、主面３１１および裏面３１２に直交し、主面３１１および裏面３１２につながる面であり、ｙ方向ｙ１側を向く面である。端面３１４は、製造工程における切断工程でのダイシングにより形成される。本実施形態では、端面３１４は、封止樹脂８によって隔てられた２個の部位からなる。端面３１４および裏面３１２は、封止樹脂８から露出してつながっており、端子になる（図２、図４、および図６参照）。なお、第３リード３１の形状は限定されない。たとえば、裏面側凹部３１３はなくてもよい。本実施形態では、第３リード３１が本開示の「第１端子」および「第２端子」に相当する。すなわち、本実施形態では、第３リード３１が、本開示の「第１端子」および「第２端子」を兼ねている。

【0031】

第５リード４１は、ｚ方向視において、半導体装置Ａ１のｘ方向ｘ２側でｙ方向ｙ２側の角部（図３においては左下の角部）に配置されている。第５リード４１は、ｚ方向視において略矩形状であり、主面４１１、裏面４１２、裏面側凹部４１３、および端面４１４を有する。

【0032】

主面４１１および裏面４１２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。主面４１１は、z方向z１側を向いている。主面４１１は、ワイヤ７２がボンディングされる面である。裏面４１２は、z方向z２側を向いている。裏面４１２は、封止樹脂８から露出して、裏面端子になる。

【0033】

裏面側凹部４１３は、第５リード４１の一部が裏面４１２から主面４１１側に凹んだ部分である。第５リード４１のうち裏面側凹部４１３が位置する部分の厚さ（ｚ方向の寸法）は、裏面４１２が位置する部分の厚さの半分程度である。裏面側凹部４１３は、たとえばハーフエッチング処理により形成される。図４に示すように、裏面側凹部４１３は、封止樹脂８から露出せず、封止樹脂８によって覆われている。これにより、第５リード４１が封止樹脂８からｚ方向のｚ２側に剥離することが抑制される。

【0034】

端面４１４は、主面４１１および裏面４１２に直交し、主面４１１および裏面４１２につながる面であり、ｙ方向ｙ２側を向く面である。端面４１４は、製造工程における切断工程でのダイシングにより形成される。端面４１４および裏面４１２は、封止樹脂８から露出してつながっており、端子になる（図２および図４参照）。なお、第５リード４１の形状は限定されない。たとえば、裏面側凹部４１３はなくてもよい。本実施形態では、第５リード４１が本開示の「第３端子」に相当する。

【0035】

第６リード４２は、ｚ方向視において、半導体装置Ａ１のｙ方向ｙ２側の端部に配置され、ｘ方向において、第５リード４１と第２リード２の端子部２２０との間に位置している。第６リード４２は、第５リード４１および第２リード２から離間し、半導体装置Ａ１内において、第５リード４１および第２リード２とは絶縁されている。第６リード４２は、ｚ方向視において略矩形状であり、主面４２１、裏面４２２、裏面側凹部４２３、および端面４２４を有する。

【0036】

主面４２１および裏面４２２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。主面４２１は、z方向z１側を向いている。主面４２１は、ワイヤ７２がボンディングされる面である。裏面４２２は、z方向z２側を向いている。裏面４２２は、封止樹脂８から露出して、裏面端子になる。

【0037】

裏面側凹部４２３は、第６リード４２の一部が裏面４２２から主面４２１側に凹んだ部分である。第６リード４２のうち裏面側凹部４２３が位置する部分の厚さ（ｚ方向の寸法）は、裏面４２２が位置する部分の厚さの半分程度である。裏面側凹部４２３は、たとえばハーフエッチング処理により形成される。図４に示すように、裏面側凹部４２３は、封止樹脂８から露出せず、封止樹脂８によって覆われている。これにより、第６リード４２が封止樹脂８からｚ方向のｚ２側に剥離することが抑制される。

【0038】

端面４２４は、主面４２１および裏面４２２に直交し、主面４２１および裏面４２２につながる面であり、ｙ方向ｙ２側を向く面である。端面４２４は、製造工程における切断工程でのダイシングにより形成される。端面４２４および裏面４２２は、封止樹脂８から露出してつながっており、端子になる（図２および図４参照）。なお、第６リード４２の形状は限定されない。たとえば、裏面側凹部４２３はなくてもよい。本実施形態では、第６リード４２が本開示の「第４端子」に相当する。

【0039】

なお、リード１，２，３１，４１，４２の表面には、めっき層が形成されてもよい。めっき層は、ワイヤ７１，７２を接合しやすくするための、Ｎｉめっき層、Ｐｄめっき層、およびＡｕめっき層が積層されたものでもよいし、はんだ濡れ性をよくするための、Ｓｎを主成分とする合金などからなるものでもよい。

【0040】

２個の半導体素子６は、半導体装置Ａ１の電気的機能を発揮する要素である。各半導体素子６は、スイッチング素子である。本実施形態では、半導体素子６は、バイポーラトランジスタである。なお、半導体素子６は、ＩＧＢＴや、ＭＯＳＦＥＴ、ＨＥＭＴ（High Electron Mobility Transistor：高電子移動度トランジスタ）などであってもよい。２個の半導体素子６は、半導体素子６０１および半導体素子６０２を含んでいる。本実施形態では、半導体素子６０１はＮＰＮ型であり、半導体素子６０２はＰＮＰ型である。なお、区別せずに示す場合は、半導体素子６と記載する。各半導体素子６は、素子本体６０、第１電極６１、第２電極６２および第３電極６３を備えている。

【0041】

素子本体６０は、ｚ方向視矩形状の板状である。素子本体６０は、半導体材料からなり、本実施形態では、Ｓｉ（シリコン）からなる。なお、素子本体６０の材料は限定されず、たとえばＳｉＣ（シリコンカーバイド）やＧａＮ(ガリウムナイトライド)などの他の材料であってもよい。素子本体６０は、素子主面６ａおよび素子裏面６ｂを有する。素子主面６ａおよび素子裏面６ｂは、ｚ方向において互いに反対側を向いている。素子主面６ａは、z方向z１側を向いている。素子裏面６ｂは、z方向z２側を向いている。第１電極６１および第２電極６２は、素子主面６ａに配置されている。第３電極６３は、素子裏面６ｂに配置されている。本実施形態においては、第１電極６１はエミッタ電極であり、第２電極６２はベース電極であり、第３電極６３はコレクタ電極である。

【0042】

半導体素子６０１は、図５に示すように、接合材７５を介して、第１リード１のダイパッド部主面１１１の中央に搭載されている。本実施形態では、接合材７５は、導電性の接合材であり、たとえばはんだである。なお、接合材７５は、銀ペーストまたは焼結銀接合材などの導電性接合材であってもよい。半導体素子６０１は、素子裏面６ｂを接合材７５によって第１リード１のダイパッド部主面１１１に接合されている。半導体素子６０１の第３電極６３は、接合材７５を介して、第１リード１に導通接続されている。これにより、第１リード１は、半導体素子６０１の第３電極６３（コレクタ電極）に導通接続されて、半導体素子６０１のコレクタ端子として機能する。半導体素子６０１の第２電極６２は、図３に示すように、ワイヤ７２を介して、第５リード４１に導通接続されている。これにより、第５リード４１は、半導体素子６０１の第２電極６２（ベース電極）に導通接続されて、半導体素子６０１のベース端子として機能する。

【0043】

半導体素子６０２は、図５および図６に示すように、接合材７５を介して、第２リード２のダイパッド部主面２１１の中央に搭載されている。半導体素子６０２は、素子裏面６ｂを接合材７５によって第２リード２のダイパッド部主面２１１に接合されている。半導体素子６０２の第３電極６３は、接合材７５を介して、第２リード２に導通接続されている。これにより、第２リード２は、半導体素子６０２の第３電極６３（コレクタ電極）に導通接続されて、半導体素子６０２のコレクタ端子として機能する。半導体素子６０２の第２電極６２は、図３に示すように、ワイヤ７２を介して、第６リード４２に導通接続されている。これにより、第６リード４２は、半導体素子６０２の第２電極６２（ベース電極）に導通接続されて、半導体素子６０２のベース端子として機能する。

【0044】

また、図３に示すように、半導体素子６０１の第１電極６１および半導体素子６０２の第１電極６１は、それぞれワイヤ７１を介して、第３リード３１に導通接続されている。これにより、第３リード３１は、半導体素子６０１の第１電極６１（エミッタ電極）および半導体素子６０２の第１電極６１（エミッタ電極）に導通接続されて、半導体素子６０１および半導体素子６０２の共通のエミッタ端子として機能する。

【0045】

ワイヤ７１，７２は、半導体素子６と第３リード３１、第５リード４１、または第６リード４２とを接続し、これらを導通させるものである。ワイヤ７１，７２は、たとえばＣｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ａｌなどの金属からなる。なお、ワイヤ７１，７２の材料は限定されない。図３に示すように、ワイヤ７１は、半導体素子６０１の第１電極６１と、第３リード３１の主面３１１とに接続されている。本実施形態では、半導体素子６０１の第１電極６１は、１本のワイヤ７１で、主面３１１に接続されているが、複数のワイヤ７１で接続されてもよい。他のワイヤ７１は、半導体素子６０２の第１電極６１と、第３リード３１の主面３１１とに接続されている。本実施形態では、半導体素子６０２の第１電極６１は、１本のワイヤ７１で、主面３１１に接続されているが、複数のワイヤ７１で接続されてもよい。ワイヤ７２は、半導体素子６０１の第２電極６２と、第５リード４１の主面４１１とに接続されている。本実施形態では、半導体素子６０１の第２電極６２は、１本のワイヤ７２で、主面４１１に接続されているが、複数のワイヤ７２で接続されてもよい。他のワイヤ７２は、半導体素子６０２の第２電極６２と、第６リード４２の主面４２１とに接続されている。本実施形態では、半導体素子６０２の第２電極６２は、１本のワイヤ７２で、主面４２１に接続されているが、複数のワイヤ７２で接続されてもよい。なお、ワイヤ７１，７２に代えて、たとえばＣｕなどの金属板が用いられてもよい。

【0046】

封止樹脂８は、各リード１，２，３１，４１，４２の一部ずつと、各半導体素子６と、接合材７５と、各ワイヤ７１，７２とを覆っている。封止樹脂８は、たとえば黒色のエポキシ樹脂からなる。なお、封止樹脂８の材料は限定されない。

【0047】

封止樹脂８は、樹脂主面８１、樹脂裏面８２、および４個の樹脂側面８３を有する。樹脂主面８１および樹脂裏面８２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。樹脂主面８１は、z方向z１側を向く面であり、樹脂裏面８２は、z方向z２側を向く面である。

【0048】

４個の樹脂側面８３は、それぞれ、樹脂主面８１および樹脂裏面８２に直交し、樹脂主面８１および樹脂裏面８２をつなぐ面であり、ｘ方向またはｙ方向の外側を向く面である。各樹脂側面８３は、製造工程における切断工程でのダイシングにより形成される。４個の樹脂側面８３は、第１樹脂側面８３１、第２樹脂側面８３２、第３樹脂側面８３３、および第４樹脂側面８３４を含んでいる。第１樹脂側面８３１および第２樹脂側面８３２は、ｙ方向において互いに反対側を向いている。第１樹脂側面８３１は、ｙ方向ｙ１側に配置されてｙ方向ｙ１側を向く面であり、第２樹脂側面８３２は、ｙ方向ｙ２側に配置されてｙ方向ｙ２側を向く面である。第３樹脂側面８３３および第４樹脂側面８３４は、ｘ方向において互いに反対側を向いている。第３樹脂側面８３３は、ｘ方向ｘ１側に配置されてｘ方向ｘ１側を向く面であり、第４樹脂側面８３４は、ｘ方向ｘ２側に配置されてｘ方向ｘ２側を向く面である。

【0049】

第１リード１の端子部端面１２３および第３リード３１の端面３１４は、第１樹脂側面８３１から露出し、第１樹脂側面８３１と互いに面一である。第２リード２の端子部端面２２３、第５リード４１の端面４１４、および第６リード４２の端面４２４は、第２樹脂側面８３２から露出し、第２樹脂側面８３２と互いに面一である。第１リード１の各連結部端面１３３は、第４樹脂側面８３４から露出し、第４樹脂側面８３４と互いに面一である。第２リード２の各連結部端面２３３は、第３樹脂側面８３３から露出し、第３樹脂側面８３３と互いに面一である。また、第１リード１のダイパッド部裏面１１２および端子部裏面１２２と、第２リード２のダイパッド部裏面２１２および端子部裏面２２２とが、封止樹脂８の樹脂裏面８２から露出し、樹脂裏面８２と互いに面一である。また、第３リード３１の裏面３１２と、第５リード４１の裏面４１２と、第６リード４２の裏面４２２とが、封止樹脂８の樹脂裏面８２から露出し、樹脂裏面８２と互いに面一である。

【0050】

半導体装置Ａ１は、たとえばゲートドライバ回路のバッファ回路の部品として用いられる。半導体装置Ａ１は、図７に示すように、半導体素子６０１のコレクタ端子として機能する第１リード１の端子部１２０が電源に接続され、半導体素子６０２のコレクタ端子として機能する第２リード２の端子部２２０がグランドに接続される。半導体装置Ａ１は、半導体素子６０１のベース端子として機能する第５リード４１と、半導体素子６０２のベース端子として機能する第６リード４２とが共通の配線（後述する配線９４）に接続される。半導体装置Ａ１は、当該配線（配線９４）を介して、図示しない駆動素子から駆動信号を入力される。そして、半導体装置Ａ１は、半導体素子６０１および半導体素子６０２の共通のエミッタ端子として機能する第３リード３１から増幅した駆動信号を出力し、電流制限回路を介して、図示しないスイッチング素子に入力する。

【0051】

スイッチング素子を駆動するために、半導体装置Ａ１は、第３リード３１から、１０Ａ以上３０Ａ以下の大電流を出力する必要がある。ただし、半導体装置Ａ１は、パルス状の電流を出力するのであって、一定の電流を出力し続けるわけではない。半導体装置Ａ１が出力する電流のパルス幅は数μ秒以下と短いので、半導体装置Ａ１は、最大電流が１０Ａ以上３０Ａ以下の大電流を出力するが、この電流による損失は大きくならない。

【0052】

図８に示すように、半導体装置Ａ１は、配線基板９に実装される。なお、図８に示す半導体装置Ａ１においては、理解の便宜上、リード１，２，３１，４１，４２のうち樹脂裏面８２から露出している面を破線で示している。図８に示すように、半導体装置Ａ１は、配線基板９に実装され、リード１，２，３１，４１，４２が配線基板９に形成された配線９１～９６に、はんだ９９によって接合されている。第１リード１の端子部裏面１２２および端子部端面１２３は、はんだ９９を介して、配線９１に接合されている。第２リード２の端子部裏面２２２および端子部端面２２３は、はんだ９９を介して、配線９３に接合されている。第３リード３１の裏面３１２および端面３１４は、はんだ９９を介して、配線９２に接合されている。第５リード４１の裏面４１２および端面４１４と、第６リード４２の裏面４２２および端面４２４とは、はんだ９９を介して、配線９４に接合されている。第１リード１のダイパッド部裏面１１２は、図示しないはんだ９９を介して、配線９５に接合されている。第２リード２のダイパッド部裏面２１２は、図示しないはんだ９９を介して、配線９６に接合されている。

【0053】

次に、半導体装置Ａ１の作用効果について説明する。

【0054】

本実施形態によると、半導体素子６０１の第１電極６１と、半導体素子６０２の第１電極６１とは、それぞれワイヤ７１によって、第３リード３１に導通接続されている。また、半導体素子６０１の第２電極６２は、ワイヤ７２によって、第５リード４１に導通接続されている。半導体素子６０２の第２電極６２は、ワイヤ７２によって、第６リード４２に導通接続されている。第５リード４１および第６リード４２は、第１リード１および第２リード２のｙ方向ｙ２側に隣り合って配置されている。したがって、図８に示すように、半導体装置Ａ１が実装される配線基板９において、第３リード３１に接続する配線９２、および、第５リード４１および第６リード４２に接続する配線９４は、単純な配線になる。

【0055】

また、本実施形態によると、第１リード１のダイパッド部１１０は、樹脂裏面８２から露出するダイパッド部裏面１１２を備えている。また、第２リード２のダイパッド部２１０は、樹脂裏面８２から露出するダイパッド部裏面２１２を備えている。ダイパッド部裏面１１２およびダイパッド部裏面２１２が配線基板９に接合されることで、第１リード１および第２リード２は、半導体素子６が発する熱を配線基板９に伝達させて放熱させることができる。

【0056】

また、本実施形態によると、第１リード１は、端子部１２０がダイパッド部１１０のｙ方向ｙ１側のｘ方向ｘ２側寄りに配置されている。また、第２リード２は、端子部２２０がダイパッド部２１０のｙ方向ｙ２側のｘ方向ｘ１側寄りに配置されている。このことは、半導体装置Ａ１のｚ方向視における形状を小型化することに寄与する。

【0057】

また、本実施形態によると、第１リード１のダイパッド部裏面１１２と端子部裏面１２２とは離間しており、その間に位置するダイパッド部裏面側凹部１１３が封止樹脂８によって覆われている。これにより、ダイパッド部裏面１１２と端子部裏面１２２とがつながっている場合と比較して、第１リード１が封止樹脂８からｚ方向のｚ２側に剥離することをさらに抑制できる。また、第２リード２のダイパッド部裏面２１２と端子部裏面２２２とは離間しており、その間に位置するダイパッド部裏面側凹部２１３が封止樹脂８によって覆われている。これにより、ダイパッド部裏面２１２と端子部裏面２２２とがつながっている場合と比較して、第２リード２が封止樹脂８からｚ方向のｚ２側に剥離することをさらに抑制できる。

【0058】

また、本実施形態によると、第３リード３１は、広く一体となった主面３１１を有する。したがって、主面３１１が複数の部位に分かれている場合と比較して、第３リード３１に多数のワイヤ７１をボンディングすることが可能である。また、本実施形態によると、第３リード３１の裏面３１２の形状は、y方向y１側が開放するＵ字形状である。つまり、Ｕ字形状の内側部分で裏面側凹部３１３が封止樹脂８によって覆われている。これにより、第３リード３１の裏面３１２が矩形状である場合と比較して、第３リード３１が封止樹脂８からｚ方向のｚ２側に剥離することをさらに抑制できる。また、第３リード３１は、広く一体となった裏面３１２を有する。主面３１１のうちｚ方向視において裏面３１２に重なる領域は、ワイヤ７１を安定してボンディングできる。したがって、第３リード３１は、裏面３１２が複数の部位に分かれることで、主面３１１のうち裏面３１２に重なる領域が狭くなる場合と比較して、ワイヤ７１を安定してボンディングできる領域が広い。

【0059】

また、本実施形態によると、第５リード４１と第６リード４２とが離間されて、互いに絶縁されている。したがって、半導体装置Ａ１は、搭載された半導体素子６０１および半導体素子６０２の個別検査が可能である。

【0060】

また、本実施形態によると、半導体装置Ａ１では、端子部端面１２３、端子部端面２２３、端面３１４、端面４１４、および端面４２４が封止樹脂８から露出している。したがって、図８に示すように、半導体装置Ａ１がはんだ９９によって配線基板９に実装された状態において、端子部端面１２３、端子部端面２２３、端面３１４、端面４１４、および端面４２４にはんだ９９のはんだフィレットが形成される。したがって、実装後の外観からでも、各リード１，２，３１，４１，４２の接合状態を確認できる。

【0061】

図９～図１７は、本開示の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。

【0062】

〔第２実施形態〕
図９は、本開示の第２実施形態にかかる半導体装置Ａ２を示す平面図であり、図３に対応する図である。図９においては、理解の便宜上、封止樹脂８を透過して、封止樹脂８の外形を想像線（二点鎖線）で示している。本実施形態にかかる半導体装置Ａ２は、第６リード４２を備えておらず、また、第５リード４１の形状が異なる点で、第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１と異なる。

【0063】

第２実施形態にかかる半導体装置Ａ２は、第６リード４２を備えていない。また、第２実施形態にかかる第５リード４１は、第１実施形態にかかる第５リード４１と第６リード４２とをつなげた形状であり、第３リード３１と同様の形状である。また、本実施形態では、半導体素子６０１の第２電極６２および半導体素子６０２の第２電極６２は、それぞれワイヤ７２を介して、第５リード４１に導通接続されている。これにより、第５リード４１は、半導体素子６０１の第２電極６２（ベース電極）および半導体素子６０２の第２電極６２（ベース電極）に導通接続されて、半導体素子６０１および半導体素子６０２の共通のベース端子として機能する。本実施形態では、第５リード４１が本開示の「第３端子」および「第４端子」に相当する。すなわち、本実施形態では、第５リード４１が、本開示の「第３端子」および「第４端子」を兼ねている。

【0064】

本実施形態によると、半導体素子６０１の第１電極６１と、半導体素子６０２の第１電極６１とは、それぞれワイヤ７１によって、第３リード３１に導通接続されている。また、半導体素子６０１の第２電極６２と、半導体素子６０２の第２電極６２とは、それぞれワイヤ７２によって、第５リード４１に導通接続されている。したがって、半導体装置Ａ２が実装される配線基板９において、第３リード３１に接続する配線９２、および、第５リード４１に接続する配線９４は、単純な配線になる。

【0065】

また、本実施形態によると、第５リード４１は、広く一体となった主面４１１を有する。したがって、第１実施形態のように、ワイヤ７２が第５リード４１の主面４１１および第６リード４２の主面４２１に分かれてボンディングされている場合と比較して、多数のワイヤ７２をボンディングすることが可能である。また、本実施形態によると、第５リード４１の裏面４１２の形状は、y方向y２側が開放するＵ字形状である。つまり、Ｕ字形状の内側部分で裏面側凹部４１３が封止樹脂８によって覆われている。これにより、第５リード４１の裏面４１２が矩形状である場合と比較して、第５リード４１が封止樹脂８からｚ方向のｚ２側に剥離することをさらに抑制できる。また、第５リード４１は、広く一体となった裏面４１２を有する。主面４１１のうちｚ方向視において裏面４１２に重なる領域は、ワイヤ７２を安定してボンディングできる。したがって、第５リード４１は、裏面４１２が複数の部位に分かれることで、主面４１１のうち裏面４１２に重なる領域が狭くなる場合と比較して、ワイヤ７２を安定してボンディングできる領域が広い。

【0066】

また、半導体装置Ａ２は、半導体装置Ａ１と共通する構成をとることにより、半導体装置Ａ１と同等の効果を奏する。

【0067】

〔第３実施形態〕
図１０および図１１は、本開示の第３実施形態にかかる半導体装置Ａ３を説明するための図である。図１０は、半導体装置Ａ３を示す平面図であり、図３に対応する図である。図１０においては、理解の便宜上、封止樹脂８を透過して、封止樹脂８の外形を想像線（二点鎖線）で示している。図１１は、半導体装置Ａ３を示す底面図であり、図４に対応する図である。本実施形態にかかる半導体装置Ａ３は、第３リード３１の形状が異なり、また、第４リード３２をさらに備えている点で、第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１と異なる。

【0068】

第３実施形態にかかる半導体装置Ａ３は、第１実施形態とは形状が異なる第３リード３１を備え、また、第４リード３２をさらに備えている。第３実施形態にかかる第３リード３１および第４リード３２は、第１実施形態にかかる第３リード３１をｘ方向に２個に分割したものであり、それぞれの形状が第５リード４１および第６リード４２と同様の形状である。第３実施形態にかかる第３リード３１は、ｚ方向視において略矩形状である。第４リード３２は、ｚ方向視において略矩形状であり、主面３２１、裏面３２２、裏面側凹部３２３、および端面３２４を有する。第３実施形態にかかる第３リード３１および第４リード３２は、半導体装置Ａ３内において、互いに離間され、絶縁されている。第４リード３２は、ｚ方向視において、半導体装置Ａ３のｘ方向ｘ１側でｙ方向ｙ１側の角部（図１０においては右上の角部）に配置されている。第３実施形態にかかる第３リード３１は、ｚ方向視において、半導体装置Ａ３のｙ方向ｙ１側の端部に配置され、ｘ方向において、第４リード３２と第１リード１の端子部１２０との間に位置している。

【0069】

また、本実施形態では、半導体素子６０１の第１電極６１は、ワイヤ７１を介して、第３リード３１に導通接続されている。これにより、第３リード３１は、半導体素子６０１の第１電極６１（エミッタ電極）に導通接続されて、半導体素子６０１のエミッタ端子として機能する。また、本実施形態では、半導体素子６０２の第１電極６１は、ワイヤ７１を介して、第４リード３２に導通接続されている。これにより、第４リード３２は、半導体素子６０２の第１電極６１（エミッタ電極）に導通接続されて、半導体素子６０１のエミッタ端子として機能する。本実施形態では、第３リード３１が本開示の「第１端子」に相当し、第４リード３２が本開示の「第２端子」に相当する。

【0070】

本実施形態によると、半導体素子６０１の第１電極６１は、ワイヤ７１によって、第３リード３１に導通接続されている。半導体素子６０２の第１電極６１は、ワイヤ７１によって、第４リード３２に導通接続されている。第３リード３１および第４リード３２は、第１リード１および第２リード２のｙ方向ｙ１側に隣り合って配置されている。また、半導体素子６０１の第２電極６２は、ワイヤ７２によって、第５リード４１に導通接続されている。半導体素子６０２の第２電極６２は、ワイヤ７２によって、第６リード４２に導通接続されている。第５リード４１および第６リード４２は、第１リード１および第２リード２のｙ方向ｙ２側に隣り合って配置されている。したがって、半導体装置Ａ２が実装される配線基板９において、第３リード３１および第４リード３２に接続する配線９２、および、第５リード４１および第６リード４２に接続する配線９４は、単純な配線になる。

【0071】

また、半導体装置Ａ３は、半導体装置Ａ１と共通する構成をとることにより、半導体装置Ａ１と同等の効果を奏する。

【0072】

〔第４実施形態〕
図１２は、本開示の第４実施形態にかかる半導体装置Ａ４を示す底面図であり、図４に対応する図である。本実施形態にかかる半導体装置Ａ４は、第３リード３１の形状が、第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１と異なる。

【0073】

第４実施形態にかかる第３リード３１は、裏面３１２が樹脂裏面８２によって隔てられた２個の部位からなる。

【0074】

本実施形態においても、半導体素子６０１の第１電極６１と、半導体素子６０２の第１電極６１とは、それぞれワイヤ７１によって、第３リード３１に導通接続されている。また、半導体素子６０１の第２電極６２は、ワイヤ７２によって、第５リード４１に導通接続されている。半導体素子６０２の第２電極６２は、ワイヤ７２によって、第６リード４２に導通接続されている。第５リード４１および第６リード４２は、第１リード１および第２リード２のｙ方向ｙ２側に隣り合って配置されている。したがって、半導体装置Ａ４が実装される配線基板９において、第３リード３１に接続する配線９２、および、第５リード４１および第６リード４２に接続する配線９４は、単純な配線になる。

【0075】

また、本実施形態においても、第３リード３１は、広く一体となった主面３１１を有する。したがって、主面３１１が複数の部位に分かれている場合と比較して、第３リード３１に多数のワイヤ７１をボンディングすることが可能である。また、本実施形態によると、第３リード３１の裏面３１２は、樹脂裏面８２によって隔てられた２個の部位からなる。つまり、裏面３１２の２個の部位の間で、裏面側凹部３１３が封止樹脂８によって覆われている。これにより、第１実施形態の場合と比較して、第３リード３１が封止樹脂８からｚ方向のｚ２側に剥離することをさらに抑制できる。

【0076】

また、半導体装置Ａ４は、半導体装置Ａ１と共通する構成をとることにより、半導体装置Ａ１と同等の効果を奏する。

【0077】

〔第５実施形態〕
図１３は、本開示の第５実施形態にかかる半導体装置Ａ５を示す底面図であり、図４に対応する図である。本実施形態にかかる半導体装置Ａ５は、第３リード３１の形状が、第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１と異なる。

【0078】

第５実施形態にかかる第３リード３１は、第１実施形態にかかる第３リード３１において、端面３１４からｙ２方向に凹んだ部分をなくしたものである。つまり、第３リード３１の形状は、第５リード４１（または第６リード４２）のｘ方向の寸法を大きくした形状である。第３リード３１の裏面３１２の形状は、第１実施形態ではy方向y１側が開放するＵ字形状であったのに対して、第５実施形態では樹脂裏面８２のy方向y１側の端縁まで広がる長矩形状になっている。第３リード３１の端面３１４の形状は、第１実施形態では２個の部位に分かれていたのに対して、第５実施形態では一体となったｘ方向に延びる長矩形状になっている。

【0079】

本実施形態においても、半導体素子６０１の第１電極６１と、半導体素子６０２の第１電極６１とは、それぞれワイヤ７１によって、第３リード３１に導通接続されている。また、半導体素子６０１の第２電極６２は、ワイヤ７２によって、第５リード４１に導通接続されている。半導体素子６０２の第２電極６２は、ワイヤ７２によって、第６リード４２に導通接続されている。第５リード４１および第６リード４２は、第１リード１および第２リード２のｙ方向ｙ２側に隣り合って配置されている。したがって、半導体装置Ａ５が実装される配線基板９において、第３リード３１に接続する配線９２、および、第５リード４１および第６リード４２に接続する配線９４は、単純な配線になる。

【0080】

また、本実施形態においても、第３リード３１は、広く一体となった主面３１１を有する。したがって、主面３１１が複数の部位に分かれている場合と比較して、第３リード３１に多数のワイヤ７１をボンディングすることが可能である。また、本実施形態によると、第３リード３１の裏面３１２が樹脂裏面８２のy方向y１側の端縁まで広がる長矩形状になっている。したがって、ワイヤ７１を安定してボンディングできる領域が、第１実施形態の場合よりさらに広くなっている。

【0081】

また、半導体装置Ａ５は、半導体装置Ａ１と共通する構成をとることにより、半導体装置Ａ１と同等の効果を奏する。

【0082】

なお、本実施形態では、第３リード３１の裏面３１２および端面３１４のｘ方向の寸法が、第５リード４１の裏面４１２および端面４１４のｘ方向の寸法の３倍程度の大きなものである場合について説明したが、これに限られない。たとえば、第３リード３１の裏面３１２および端面３１４のｘ方向の寸法は、第５リード４１の裏面４１２および端面４１４のｘ方向の寸法と同程度であってもよい。

【0083】

〔第６実施形態〕
図１４は、本開示の第６実施形態にかかる半導体装置Ａ６を示す平面図であり、図３に対応する図である。図１４においては、理解の便宜上、封止樹脂８を透過して、封止樹脂８の外形を想像線（二点鎖線）で示している。本実施形態にかかる半導体装置Ａ６は、第１リード１および第２リード２が同じ第２樹脂側面８３２から露出している点で、第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１と異なる。

【0084】

第６実施形態にかかる第１リード１は、端子部１２０がダイパッド部１１０のｙ方向ｙ２側のｘ方向ｘ２側寄りに配置されている。第５リード４１および第６リード４２は、第１リード１の端子部１２０と第２リード２の端子部２２０との間に配置されている。第３リード３１は、半導体装置Ａ６のｘ方向における両端部付近まで延びている。

【0085】

本実施形態においても、半導体素子６０１の第１電極６１と、半導体素子６０２の第１電極６１とは、それぞれワイヤ７１によって、第３リード３１に導通接続されている。また、半導体素子６０１の第２電極６２は、ワイヤ７２によって、第５リード４１に導通接続されている。半導体素子６０２の第２電極６２は、ワイヤ７２によって、第６リード４２に導通接続されている。第５リード４１および第６リード４２は、第１リード１および第２リード２のｙ方向ｙ２側に隣り合って配置されている。したがって、半導体装置Ａ６が実装される配線基板９において、第３リード３１に接続する配線９２、および、第５リード４１および第６リード４２に接続する配線９４は、単純な配線になる。また、半導体装置Ａ６は、半導体装置Ａ１と共通する構成をとることにより、半導体装置Ａ１と同等の効果を奏する。

【0086】

なお、本実施形態では、第１リード１の端子部１２０および第２リード２の端子部２２０が、ともにｙ方向ｙ２側に配置されて、第２樹脂側面８３２から露出している場合について説明したが、これに限られない。第１リード１の端子部１２０および第２リード２の端子部２２０が、ともにｙ方向ｙ１側に配置されて、第１樹脂側面８３１から露出してもよい。この場合、第３リード３１は、第１リード１の端子部１２０と第２リード２の端子部２２０との間に配置されればよい。また、第１リード１の端子部１２０は、ダイパッド部１１０のｘ方向ｘ２側に配置されて、第４樹脂側面８３４から露出してもよい。また、第２リード２の端子部２２０は、ダイパッド部２１０のｘ方向ｘ１側に配置されて、第３樹脂側面８３３から露出してもよい。また、第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１とは反対に、第１リード１の端子部１２０がダイパッド部１１０のｙ方向ｙ２側に配置されて第２樹脂側面８３２から露出し、第２リード２の端子部２２０がダイパッド部２１０のｙ方向ｙ１側に配置されて、第１樹脂側面８３１から露出してもよい。

【0087】

〔第７実施形態〕
図１５は、本開示の第７実施形態にかかる半導体装置Ａ７を示す底面図であり、図４に対応する図である。本実施形態にかかる半導体装置Ａ７は、第１リード１および第２リード２の形状が、第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１と異なる。

【0088】

第７実施形態にかかる第１リード１は、ダイパッド部１１０がダイパッド部裏面１１２を備えておらず、ダイパッド部１１０が樹脂裏面８２から露出していない。また、第７実施形態にかかる第２リード２は、ダイパッド部２１０がダイパッド部裏面２１２を備えておらず、ダイパッド部２１０が樹脂裏面８２から露出していない。

【0089】

本実施形態においても、半導体素子６０１の第１電極６１と、半導体素子６０２の第１電極６１とは、それぞれワイヤ７１によって、第３リード３１に導通接続されている。また、半導体素子６０１の第２電極６２は、ワイヤ７２によって、第５リード４１に導通接続されている。半導体素子６０２の第２電極６２は、ワイヤ７２によって、第６リード４２に導通接続されている。第５リード４１および第６リード４２は、第１リード１および第２リード２のｙ方向ｙ２側に隣り合って配置されている。したがって、半導体装置Ａ６が実装される配線基板９において、第３リード３１に接続する配線９２、および、第５リード４１および第６リード４２に接続する配線９４は、単純な配線になる。

【0090】

また、本実施形態によると、第１リード１のダイパッド部１１０および第２リード２のダイパッド部２１０が樹脂裏面８２から露出していない。したがって、第１リード１とリード２，３１，４１，４２とがショートしたり、第２リード２とリード１，３１，４１，４２とがショートしてしまうことを抑制できる。また、半導体装置Ａ７は、半導体装置Ａ１と共通する構成をとることにより、半導体装置Ａ１と同等の効果を奏する。

【0091】

〔第８実施形態〕
図１６は、本開示の第８実施形態にかかる半導体装置Ａ８を示す底面図であり、図４に対応する図である。本実施形態にかかる半導体装置Ａ８は、第１リード１および第２リード２の形状が、第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１と異なる。

【0092】

第８実施形態にかかる第１リード１は、ダイパッド部裏面１１２と端子部裏面１２２とがつながっている。また、第８実施形態にかかる第２リード２は、ダイパッド部裏面２１２と端子部裏面２２２とがつながっている。

【0093】

本実施形態においても、半導体素子６０１の第１電極６１と、半導体素子６０２の第１電極６１とは、それぞれワイヤ７１によって、第３リード３１に導通接続されている。また、半導体素子６０１の第２電極６２は、ワイヤ７２によって、第５リード４１に導通接続されている。半導体素子６０２の第２電極６２は、ワイヤ７２によって、第６リード４２に導通接続されている。第５リード４１および第６リード４２は、第１リード１および第２リード２のｙ方向ｙ２側に隣り合って配置されている。したがって、半導体装置Ａ６が実装される配線基板９において、第３リード３１に接続する配線９２、および、第５リード４１および第６リード４２に接続する配線９４は、単純な配線になる。

【0094】

また、本実施形態によると、ダイパッド部裏面１１２が端子部裏面１２２とつながるまで広がり、ダイパッド部裏面２１２が端子部裏面２２２とつながるまで広がっているので、第１実施形態の場合と比較して、放熱機能がさらに向上されている。また、半導体装置Ａ８は、半導体装置Ａ１と共通する構成をとることにより、半導体装置Ａ１と同等の効果を奏する。

【0095】

〔第９実施形態〕
図１７は、本開示の第９実施形態にかかる半導体装置Ａ９を示す平面図であり、図３に対応する図である。図１７においては、理解の便宜上、封止樹脂８を透過して、封止樹脂８の外形を想像線（二点鎖線）で示している。本実施形態にかかる半導体装置Ａ９は、各半導体素子６の構成が、第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１と異なる。

【0096】

第９実施形態にかかる各半導体素子６は、第３電極６３が素子裏面６ｂではなく、素子主面６ａに配置されている。なお、素子主面６ａにおける、第１電極６１、第２電極６２、および第３電極６３の各配置位置は限定されない。また、半導体装置Ａ９は、ワイヤ７３をさらに備えている。ワイヤ７３は、ワイヤ７１，７２と同様の材料からなる。ワイヤ７３は、半導体素子６０１の第３電極６３と、第１リード１の端子部主面１２１とに接続されている。これにより、第１リード１は、半導体素子６０１の第３電極６３（コレクタ電極）に導通接続されて、半導体素子６０１のコレクタ端子として機能する。本実施形態では、半導体素子６０１の第３電極６３は、１本のワイヤ７３で、端子部主面１２１に接続されているが、複数のワイヤ７３で接続されてもよい。他のワイヤ７３は、半導体素子６０２の第３電極６３と、第２リード２の端子部主面２２１とに接続されている。これにより、第２リード２は、半導体素子６０２の第３電極６３（コレクタ電極）に導通接続されて、半導体素子６０２のコレクタ端子として機能する。本実施形態では、半導体素子６０２の第３電極６３は、１本のワイヤ７３で、端子部主面２２１に接続されているが、複数のワイヤ７３で接続されてもよい。本実施形態の場合、接合材７５（図１６では図示なし）は、絶縁性の接合材であってもよい。

【0097】

本実施形態においても、半導体素子６０１の第１電極６１と、半導体素子６０２の第１電極６１とは、それぞれワイヤ７１によって、第３リード３１に導通接続されている。また、半導体素子６０１の第２電極６２は、ワイヤ７２によって、第５リード４１に導通接続されている。半導体素子６０２の第２電極６２は、ワイヤ７２によって、第６リード４２に導通接続されている。第５リード４１および第６リード４２は、第１リード１および第２リード２のｙ方向ｙ２側に隣り合って配置されている。したがって、半導体装置Ａ６が実装される配線基板９において、第３リード３１に接続する配線９２、および、第５リード４１および第６リード４２に接続する配線９４は、単純な配線になる。また、半導体装置Ａ９は、半導体装置Ａ１と共通する構成をとることにより、半導体装置Ａ１と同等の効果を奏する。

【0098】

〔第１０実施形態〕
図１８および図１９は、本開示の第１０実施形態にかかる半導体装置Ａ１０を説明するための図である。図１８は、半導体装置Ａ１０を示す底面図であり、図４に対応する図である。図１９は、半導体装置Ａ１０の配線基板９への実装状態を示す図であり、図８に対応する図である。本実施形態にかかる半導体装置Ａ１０は、第２リード２の端子部２２０および第６リード４２の配置位置が、第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１と異なる。

【0099】

第１０実施形態にかかる第２リード２は、端子部２２０がダイパッド部２１０のｙ方向ｙ２側のｘ方向ｘ２側寄りに配置されている。第１０実施形態にかかる第６リード４２は、ｚ方向視において、半導体装置Ａ１０のｘ方向ｘ１側でｙ方向ｙ２側の角部（図１８においては右上の角部）に配置されている。つまり、第５リード４１および第６リード４２は、どちらも、第１リード１および第２リード２に対してｙ方向ｙ２側に配置されているが、互いに隣り合っていない。ｘ方向において、第５リード４１と第６リード４２との間に、第２リード２の端子部２２０が配置されている。

【0100】

半導体装置Ａ１０は、図１９に示すように、配線基板９に実装される。なお、図１９に示す半導体装置Ａ１０においては、理解の便宜上、リード１，２，３１，４１，４２のうち樹脂裏面８２から露出している面を破線で示している。図１９に示すように、半導体装置Ａ１０は、配線基板９に実装され、リード１，２，３１，４１，４２が配線基板９に形成された配線９１～９６に、はんだ９９によって接合されている。本実施形態では、配線９４は、配線９３のｙ方向ｙ１側を迂回して形成され、第５リード４１および第６リード４２が接合されている。

【0101】

本実施形態においても、半導体素子６０１の第１電極６１と、半導体素子６０２の第１電極６１とは、それぞれワイヤ７１によって、第３リード３１に導通接続されている。したがって、半導体装置Ａ１０が実装される配線基板９において、第３リード３１に接続する配線９２は単純な配線になる。また、半導体素子６０１の第２電極６２は、ワイヤ７２によって、第５リード４１に導通接続されている。半導体素子６０２の第２電極６２は、ワイヤ７２によって、第６リード４２に導通接続されている。第５リード４１および第６リード４２は、第１リード１および第２リード２のｙ方向ｙ２側に配置されている。したがって、半導体装置Ａ１０が実装される配線基板９において、第５リード４１および第６リード４２に接続する配線９４は、第５リード４１と第６リード４２とが、ｙ方向において第１リード１および第２リード２に対して互いに反対側に配置されている場合と比較して、単純な配線になる。また、半導体装置Ａ１０は、半導体装置Ａ１と共通する構成をとることにより、半導体装置Ａ１と同等の効果を奏する。

【0102】

本開示にかかる半導体装置は、先述した実施形態に限定されるものではない。本開示にかかる半導体装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。

【0103】

〔付記１〕
スイッチング素子であり、かつ、厚さ方向において互いに反対側を向く素子主面および素子裏面と、前記素子主面に配置された第１電極および第２電極と、を各々が有する第１半導体素子および第２半導体素子と、
前記第１半導体素子が搭載され、かつ、前記第１半導体素子に導通する第１リードと、
前記第２半導体素子が搭載され、かつ、前記第２半導体素子に導通する第２リードと、
前記第１半導体素子および前記第２半導体素子を覆う封止樹脂と、
前記第１リードおよび前記第２リードに対して、前記厚さ方向に直交する第１方向に離間して配置され、前記封止樹脂から露出し、かつ、前記第１半導体素子の第１電極に導通する第１端子と、
前記第１方向において、前記第１リードおよび前記第２リードに対して、前記第１端子と同じ側に離間して配置され、前記封止樹脂から露出し、かつ、前記第２半導体素子の第１電極に導通する第２端子と、
前記第１方向において、前記第１リードおよび前記第２リードに対して、前記第１端子とは反対側に離間して配置され、前記封止樹脂から露出し、かつ、前記第１半導体素子の第２電極に導通する第３端子と、
前記第１方向において、前記第１リードおよび前記第２リードに対して、前記第３端子と同じ側に離間して配置され、前記封止樹脂から露出し、かつ、前記第２半導体素子の第２電極に導通する第４端子と、
を備えている、半導体装置。
〔付記２〕
前記封止樹脂は、前記厚さ方向において互いに反対側を向く樹脂主面および樹脂裏面と、前記樹脂主面および前記樹脂裏面につながり、かつ、前記第１端子および前記第２端子が露出する第１樹脂側面と、前記樹脂主面および前記樹脂裏面につながり、かつ、前記第３端子および前記第４端子が露出する第２樹脂側面とを備えている、
付記１に記載の半導体装置。
〔付記３〕
前記第１リードは、前記第１樹脂側面から露出し、
前記第２リードは、前記第２樹脂側面から露出している、
付記２に記載の半導体装置。
〔付記４〕
前記第１リードは、前記第１半導体素子が搭載される第１ダイパッド部を備え、
前記第２リードは、前記第２半導体素子が搭載される第２ダイパッド部を備え、
前記第１ダイパッド部および前記第２ダイパッド部は、前記樹脂裏面から露出している、
付記２または３に記載の半導体装置。
〔付記５〕
前記第１リードは、前記第１ダイパッド部につながる第１リード端子部をさらに備え、
前記第２リードは、前記第２ダイパッド部につながる第２リード端子部をさらに備え、
前記第１リード端子部および前記第２リード端子部は、前記樹脂裏面から露出している、
付記４に記載の半導体装置。
〔付記６〕
前記第１リード端子部は、前記第１樹脂側面から露出する第１端子部端面を備え、
前記第２リード端子部は、前記第２樹脂側面から露出する第２端子部端面を備え、
前記第１端子部端面は、前記第１樹脂側面と面一であり、
前記第２端子部端面は、前記第２樹脂側面と面一である、
付記５に記載の半導体装置。
〔付記７〕
前記第１半導体素子の前記第１電極および前記第２半導体素子の前記第１電極に導通する第３リードをさらに備え、
前記第３リードが、前記第１端子および前記第２端子を兼ねている、
付記２ないし６のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記８〕
前記第３リードは、前記厚さ方向において互いに反対側を向く第３リード主面および第３リード裏面と、前記第３リード主面および前記第３リード裏面につながり、かつ、前記第１樹脂側面から露出する第３リード端面と、を備えている、
付記７に記載の半導体装置。
〔付記９〕
前記第３リード端面は、前記第１樹脂側面によって隔てられた２個の部位からなる、
付記８に記載の半導体装置。
〔付記１０〕
前記第３リード裏面の形状は、Ｕ字形状である、
付記８または９に記載の半導体装置。
〔付記１１〕
前記第３リード裏面は、前記樹脂裏面によって隔てられた２個の部位からなる、
付記８または９に記載の半導体装置。
〔付記１２〕
前記第１半導体素子の前記第１電極に導通する、前記第１端子としての第３リードと、
前記第２半導体素子の前記第１電極に導通し、かつ、前記第３リードに対して離間して配置された、前記第２端子としての第４リードと、
をさらに備えている、
付記２ないし６のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１３〕
前記第３リードと前記第４リードとは隣接して配置されている、
付記１２に記載の半導体装置。
〔付記１４〕
前記第１半導体素子の前記第２電極および前記第２半導体素子の前記第２電極に導通する第５リードをさらに備え、
前記第５リードが、前記第３端子および前記第４端子を兼ねている、
付記２ないし１３のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１５〕
前記第１半導体素子の前記第２電極に導通する、前記第３端子としての第５リードと、
前記第２半導体素子の前記第２電極に導通し、かつ、前記第５リードに対して離間して配置された、前記第４端子としての第６リードと、
をさらに備えている、
付記２ないし１３のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１６〕
前記第５リードと前記第６リードとは隣接して配置されている、
付記１５に記載の半導体装置。
〔付記１７〕
前記第１半導体素子と前記第１リードとを接合させる導電性接合材をさらに備え、
前記第１半導体素子は、前記素子裏面に配置された第３電極をさらに備え、
前記第３電極は、前記導電性接合材を介して、前記第１リードに導通接続されている、
付記１ないし１６のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１８〕
前記第１半導体素子および前記第２半導体素子は、バイポーラトランジスタであって、
前記第１電極はエミッタ電極であり、前記第２電極はベース電極であり、前記第３電極はコレクタ電極である、
付記１７に記載の半導体装置。
〔付記１９〕
前記第１半導体素子はＮＰＮ型であって、
前記第２半導体素子はＰＮＰ型である、
付記１８に記載の半導体装置。
〔付記２０〕
前記第１方向の寸法、および、前記厚さ方向と前記第１方向とに直交する第２方向の寸法が、どちらも、１ｍｍ以上３ｍｍ以下である、
付記１ないし１９のいずれかに記載の半導体装置。

【符号の説明】

【0104】

Ａ１～Ａ１０：半導体装置
１ ：第１リード
１１０ ：ダイパッド部
１１１ ：ダイパッド部主面
１１２ ：ダイパッド部裏面
１１３ ：ダイパッド部裏面側凹部
１２０ ：端子部
１２１ ：端子部主面
１２２ ：端子部裏面
１２３ ：端子部端面
１３０ ：連結部
１３１ ：連結部主面
１３２ ：連結部裏面
１３３ ：連結部端面
２ ：第２リード
２１０ ：ダイパッド部
２１１ ：ダイパッド部主面
２１２ ：ダイパッド部裏面
２１３ ：ダイパッド部裏面側凹部
２２０ ：端子部
２２１ ：端子部主面
２２２ ：端子部裏面
２２３ ：端子部端面
２３０ ：連結部
２３１ ：連結部主面
２３２ ：連結部裏面
２３３ ：連結部端面
３１ ：第３リード
３１１ ：主面
３１２ ：裏面
３１３ ：裏面側凹部
３１４ ：端面
３２ ：第４リード
３２１ ：主面
３２２ ：裏面
３２３ ：裏面側凹部
３２４ ：端面
４１ ：第５リード
４１１ ：主面
４１２ ：裏面
４１３ ：裏面側凹部
４１４ ：端面
４２ ：第６リード
４２１ ：主面
４２２ ：裏面
４２３ ：裏面側凹部
４２４ ：端面
６，６０１，６０２：半導体素子
６０ ：素子本体
６ａ ：素子主面
６ｂ ：素子裏面
６１ ：第１電極
６２ ：第２電極
６３ ：第３電極
７１，７２，７３：ワイヤ
７５ ：接合材
８ ：封止樹脂
８１ ：樹脂主面
８２ ：樹脂裏面
８３ ：樹脂側面
８３１ ：第１樹脂側面
８３２ ：第２樹脂側面
８３３ ：第３樹脂側面
８３４ ：第４樹脂側面
９ ：配線基板
９１～９６：配線
９９ ：はんだ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】