特許 7650749 マイクロストリップ線路、露光用マスクおよびマイクロストリップ線路の評価方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2025-03-14

(45)【発行日】2025-03-25

(54)【発明の名称】マイクロストリップ線路、露光用マスクおよびマイクロストリップ線路の評価方法

(51)【国際特許分類】

   H01P 3/08 20060101AFI20250317BHJP

   G01R 27/26 20060101ALI20250317BHJP

【ＦＩ】

H01P3/08 100

G01R27/26 H

G01R27/26 T

【請求項の数】 17

(21)【出願番号】P 2021131411

(22)【出願日】2021-08-11

(65)【公開番号】P2023025942

(43)【公開日】2023-02-24

【審査請求日】2024-07-04

(73)【特許権者】

【識別番号】512307000

【氏名又は名称】住ベリサーチ株式会社

(73)【特許権者】

【識別番号】000002141

【氏名又は名称】住友ベークライト株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100091292

【弁理士】

【氏名又は名称】増田 達哉

(74)【代理人】

【識別番号】100091627

【弁理士】

【氏名又は名称】朝比 一夫

(72)【発明者】

【氏名】馬路 哲

【審査官】佐藤 当秀

(56)【参考文献】

【文献】特表２０１１－５２４２１３（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｐ ３／０８

Ｇ０１Ｒ ２７／２６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

互いに表裏の関係を持つ第１面および第２面を有する誘電体層と、
前記第１面に設けられている接地導体と、
前記第２面に設けられ、線状に延在する第１ストリップ導体および第２ストリップ導体と、
前記第１ストリップ導体および前記第２ストリップ導体にそれぞれ隣り合うように前記第２面に設けられ、前記接地導体と導通しているパッド部と、
を備え、
前記第１ストリップ導体および前記第２ストリップ導体は、互いに幅が異なることを特徴とするマイクロストリップ線路。

【請求項2】

前記第１ストリップ導体および前記第２ストリップ導体は、互いに長さが等しい請求項１に記載のマイクロストリップ線路。

【請求項3】

前記第１ストリップ導体の長手方向の中心から一端に向かう方向を第１Ａ方向とし、前記中心から他端に向かう方向を第１Ｂ方向とするとき、
前記パッド部は、前記第１ストリップ導体の前記一端に隣り合う第１Ａパッドおよび前記第１ストリップ導体の前記他端に隣り合う第１Ｂパッドを有し、
前記第１Ａパッドは、前記第１ストリップ導体の前記一端よりも前記第１Ｂ方向の位置から前記一端よりも前記第１Ａ方向の位置に至るまで延在し、
前記第１Ｂパッドは、前記第１ストリップ導体の前記他端よりも前記第１Ａ方向の位置から前記他端よりも前記第１Ｂ方向の位置に至るまで延在している請求項１または２に記載のマイクロストリップ線路。

【請求項4】

前記パッド部は、前記第１Ａパッドおよび前記第１Ｂパッドをそれぞれ複数有する請求項３に記載のマイクロストリップ線路。

【請求項5】

前記第２ストリップ導体の長手方向の中心から一端に向かう方向を第２Ａ方向とし、前記中心から他端に向かう方向を第２Ｂ方向とするとき、
前記パッド部は、前記第２ストリップ導体の前記一端に隣り合う第２Ａパッドおよび前記第２ストリップ導体の前記他端に隣り合う第２Ｂパッドを有し、
前記第２Ａパッドは、前記第２ストリップ導体の前記一端よりも前記第２Ｂ方向の位置から前記一端よりも前記第２Ａ方向の位置に至るまで延在し、
前記第２Ｂパッドは、前記第２ストリップ導体の前記他端よりも前記第２Ａ方向の位置から前記他端よりも前記第２Ｂ方向の位置に至るまで延在している請求項３または４に記載のマイクロストリップ線路。

【請求項6】

前記パッド部は、前記第２Ａパッドおよび前記第２Ｂパッドをそれぞれ複数有する請求項５に記載のマイクロストリップ線路。

【請求項7】

前記パッド部の厚さは、前記第１ストリップ導体の厚さおよび前記第２ストリップ導体の厚さよりも厚い請求項１ないし６のいずれか１項に記載のマイクロストリップ線路。

【請求項8】

前記第１ストリップ導体および前記第２ストリップ導体は、互いに平行に延在している請求項１ないし７のいずれか１項に記載のマイクロストリップ線路。

【請求項9】

前記第１ストリップ導体と幅が等しく、長さが異なる第３ストリップ導体をさらに備える請求項１ないし８のいずれか１項に記載のマイクロストリップ線路。

【請求項10】

前記第２ストリップ導体と幅が等しく、長さが異なる第４ストリップ導体をさらに備える請求項１ないし９のいずれか１項に記載のマイクロストリップ線路。

【請求項11】

高周波の信号が入力され、高周波特性の評価に用いられる請求項１ないし１０のいずれか１項に記載のマイクロストリップ線路。

【請求項12】

遮蔽部および透過部を有し、金属箔張積層板に対する露光処理に用いる露光用マスクであって、
前記遮蔽部の形状または前記透過部の形状は、前記金属箔張積層板に形成する線路パターンに対応しており、
前記線路パターンは、
互いに幅が異なり、線状に延在する第１ストリップ導体および第２ストリップ導体と、
前記第１ストリップ導体および前記第２ストリップ導体にそれぞれ隣り合うように設けられているパッド部と、
を備えることを特徴とする露光用マスク。

【請求項13】

互いに表裏の関係を持つ第１面および第２面を有する誘電体層、前記第１面に設けられている接地導体、ならびに、前記第２面に設けられ、互いに幅が異なり、線状に延在する第１ストリップ導体および第２ストリップ導体、を備えるマイクロストリップ線路を用意する工程と、
前記第１ストリップ導体および前記第２ストリップ導体について、透過特性を測定し、共振周波数および無負荷Ｑ値を取得する工程と、
前記共振周波数および前記無負荷Ｑ値に基づいて、前記マイクロストリップ線路の実効誘電率および実効導電率を算出する工程と、
を有することを特徴とするマイクロストリップ線路の評価方法。

【請求項14】

前記実効導電率に基づいて、前記第１ストリップ導体および前記第２ストリップ導体に対応する導体損失を算出する工程を有する請求項１３に記載のマイクロストリップ線路の評価方法。

【請求項15】

前記導体損失に基づいて、前記第１ストリップ導体および前記第２ストリップ導体に対応する誘電体損失を算出する工程を有する請求項１４に記載のマイクロストリップ線路の評価方法。

【請求項16】

前記共振周波数、前記無負荷Ｑ値および前記誘電体損失に基づいて、前記誘電体層の比誘電率および誘電正接を算出する工程を有する請求項１５に記載のマイクロストリップ線路の評価方法。

【請求項17】

前記マイクロストリップ線路は、前記第１ストリップ導体に隣り合うように前記第２面に設けられ、前記接地導体と導通しているパッド部を備え、
前記共振周波数および前記無負荷Ｑ値を取得する工程は、
シグナル端子およびグランド端子を備える高周波プローブを前記マイクロストリップ線路に近づける操作と、
前記グランド端子を前記パッド部に接触させるとともに、前記シグナル端子を前記第１ストリップ導体から離れた位置に配置する操作と、
を含む請求項１３ないし１６のいずれか１項に記載のマイクロストリップ線路の評価方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、マイクロストリップ線路、露光用マスクおよびマイクロストリップ線路の評価方法に関するものである。

【背景技術】

【0002】

近年、マイクロ波帯よりも周波数が高いミリ波帯の電磁波を活用する取り組みが進んでいる。ミリ波帯の電磁波を利用する電子機器では、ミリ波帯に対応した高周波回路が用いられる。このような高周波回路では、高周波域における伝送損失の低減が課題となっている。

【0003】

このような背景から、ミリ波帯のような高周波域に対応する低損失材料の開発が進められている。高周波回路は、主に誘電体基板と導体線路とで構成されるが、これらの構成要素は、いずれも高周波域における伝送損失に影響を及ぼす。したがって、伝送損失が発生する原因を詳細に理解するためには、高周波域において高周波回路の導体損失および誘電体損失を個別に計測する技術が必要となる。

【0004】

従来、誘電体および導体について、それぞれ単体としての高周波特性を測定する方法は知られている。しかしながら、伝送損失は、誘電体基板の構造や導体線路の表面粗さといった高周波回路の構造に影響を受ける。そうすると、誘電体や導体の単体としての高周波特性から高周波回路の状態における誘電体損失や導体損失を精度よく算出することは困難である。

【0005】

そこで、特許文献１には、マイクロストリップ線路の伝送損失から、高周波回路の状態における誘電体損失と導体損失をそれぞれ個別に求める方法が開示されている。

【0006】

具体的には、特許文献１には、第１のマイクロストリップ線路および第２のマイクロストリップ線路の各全損失を測定する工程と、各マイクロストリップ線路が有するストリップ導体の導体損失を計算する工程と、計算結果から誘電体損失を求める工程と、を有する誘電特性の算出方法が開示されている。第１のマイクロストリップ線路および第２のマイクロストリップ線路は、誘電体材料の材質が互いに同じである一方、誘電体材料からなる絶縁基板の板厚が互いに異なっている。この関係を利用することで、各ストリップ導体の導体損失を計算することができる。

【0007】

また、第１のマイクロストリップ線路から求めた全損失とストリップ導体の導体損失との間に成り立つ関係式、および、第２のマイクロストリップ線路から求めた全損失とストリップ導体の導体損失との間に成り立つ関係式を用いて、誘電体損失を算出することができる。

【0008】

以上の算出方法によれば、マイクロストリップ線路の導体損失および誘電体損失の双方を求めることができる。このようにして伝送損失を要因ごとに分離することができれば、高周波回路に生じる伝送損失の原因を容易に理解することができ、新たな高周波回路の開発に資する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0009】

【文献】特開２００１－２５５３４６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0010】

特許文献１に記載の発明では、板厚が互いに異なる複数の絶縁基板を用意する必要がある。絶縁基板は、厚さが異なると、内部構造も異なることが多い。このため、板厚が異なる絶縁基板を用いた評価方法では、試料の準備に手間がかかるとともに、厚さの異なる絶縁基板の内部構造に影響を受けて、誘電体損失や導体損失の計測精度が低下するという課題がある。

【0011】

また、従来の評価方法として、トリプレート線路共振器法、誘電体共振器法等が知られている。これらは、マイクロ波帯における高周波回路の評価は可能であるが、ミリ波帯における高周波回路の評価は困難である。

【0012】

本発明の目的は、ミリ波帯のような高周波の信号が入力される場合でも、高周波回路の誘電特性および導電特性を高い精度で効率よく計測可能なマイクロストリップ線路およびその評価方法、ならびに、前記マイクロストリップ線路を製造するのに用いられる露光用マスクを提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0013】

このような目的は、下記（１）～（１７）の本発明により達成される。
（１） 互いに表裏の関係を持つ第１面および第２面を有する誘電体層と、
前記第１面に設けられている接地導体と、
前記第２面に設けられ、線状に延在する第１ストリップ導体および第２ストリップ導体と、
前記第１ストリップ導体および前記第２ストリップ導体にそれぞれ隣り合うように前記第２面に設けられ、前記接地導体と導通しているパッド部と、
を備え、
前記第１ストリップ導体および前記第２ストリップ導体は、互いに幅が異なることを特徴とするマイクロストリップ線路。

【0014】

（２） 前記第１ストリップ導体および前記第２ストリップ導体は、互いに長さが等しい上記（１）に記載のマイクロストリップ線路。

【0015】

（３） 前記第１ストリップ導体の長手方向の中心から一端に向かう方向を第１Ａ方向とし、前記中心から他端に向かう方向を第１Ｂ方向とするとき、
前記パッド部は、前記第１ストリップ導体の前記一端に隣り合う第１Ａパッドおよび前記第１ストリップ導体の前記他端に隣り合う第１Ｂパッドを有し、
前記第１Ａパッドは、前記第１ストリップ導体の前記一端よりも前記第１Ｂ方向の位置から前記一端よりも前記第１Ａ方向の位置に至るまで延在し、
前記第１Ｂパッドは、前記第１ストリップ導体の前記他端よりも前記第１Ａ方向の位置から前記他端よりも前記第１Ｂ方向の位置に至るまで延在している上記（１）または（２）に記載のマイクロストリップ線路。

【0016】

（４） 前記パッド部は、前記第１Ａパッドおよび前記第１Ｂパッドをそれぞれ複数有する上記（３）に記載のマイクロストリップ線路。

【0017】

（５） 前記第２ストリップ導体の長手方向の中心から一端に向かう方向を第２Ａ方向とし、前記中心から他端に向かう方向を第２Ｂ方向とするとき、
前記パッド部は、前記第２ストリップ導体の前記一端に隣り合う第２Ａパッドおよび前記第２ストリップ導体の前記他端に隣り合う第２Ｂパッドを有し、
前記第２Ａパッドは、前記第２ストリップ導体の前記一端よりも前記第２Ｂ方向の位置から前記一端よりも前記第２Ａ方向の位置に至るまで延在し、
前記第２Ｂパッドは、前記第２ストリップ導体の前記他端よりも前記第２Ａ方向の位置から前記他端よりも前記第２Ｂ方向の位置に至るまで延在している上記（３）または（４）に記載のマイクロストリップ線路。

【0018】

（６） 前記パッド部は、前記第２Ａパッドおよび前記第２Ｂパッドをそれぞれ複数有する上記（５）に記載のマイクロストリップ線路。

【0019】

（７） 前記パッド部の厚さは、前記第１ストリップ導体の厚さおよび前記第２ストリップ導体の厚さよりも厚い上記（１）ないし（６）のいずれかに記載のマイクロストリップ線路。

【0020】

（８） 前記第１ストリップ導体および前記第２ストリップ導体は、互いに平行に延在している上記（１）ないし（７）のいずれかに記載のマイクロストリップ線路。

【0021】

（９） 前記第１ストリップ導体と幅が等しく、長さが異なる第３ストリップ導体をさらに備える上記（１）ないし（８）のいずれかに記載のマイクロストリップ線路。

【0022】

（１０） 前記第２ストリップ導体と幅が等しく、長さが異なる第４ストリップ導体をさらに備える上記（１）ないし（９）のいずれかに記載のマイクロストリップ線路。

【0023】

（１１） 高周波の信号が入力され、高周波特性の評価に用いられる上記（１）ないし（１０）のいずれかに記載のマイクロストリップ線路。

【0024】

（１２） 遮蔽部および透過部を有し、金属箔張積層板に対する露光処理に用いる露光用マスクであって、
前記遮蔽部の形状または前記透過部の形状は、前記金属箔張積層板に形成する線路パターンに対応しており、
前記線路パターンは、
互いに幅が異なり、線状に延在する第１ストリップ導体および第２ストリップ導体と、
前記第１ストリップ導体および前記第２ストリップ導体にそれぞれ隣り合うように設けられているパッド部と、
を備えることを特徴とする露光用マスク。

【0025】

（１３） 互いに表裏の関係を持つ第１面および第２面を有する誘電体層、前記第１面に設けられている接地導体、ならびに、前記第２面に設けられ、互いに幅が異なり、線状に延在する第１ストリップ導体および第２ストリップ導体、を備えるマイクロストリップ線路を用意する工程と、
前記第１ストリップ導体および前記第２ストリップ導体について、透過特性を測定し、共振周波数および無負荷Ｑ値を取得する工程と、
前記共振周波数および前記無負荷Ｑ値に基づいて、前記マイクロストリップ線路の実効誘電率および実効導電率を算出する工程と、
を有することを特徴とするマイクロストリップ線路の評価方法。

【0026】

（１４） 前記実効導電率に基づいて、前記第１ストリップ導体および前記第２ストリップ導体に対応する導体損失を算出する工程を有する上記（１３）に記載のマイクロストリップ線路の評価方法。

【0027】

（１５） 前記導体損失に基づいて、前記第１ストリップ導体および前記第２ストリップ導体に対応する誘電体損失を算出する工程を有する上記（１４）に記載のマイクロストリップ線路の評価方法。

【0028】

（１６） 前記共振周波数、前記無負荷Ｑ値および前記誘電体損失に基づいて、前記誘電体層の比誘電率および誘電正接を算出する工程を有する上記（１５）に記載のマイクロストリップ線路の評価方法。

【0029】

（１７） 前記マイクロストリップ線路は、前記第１ストリップ導体に隣り合うように前記第２面に設けられ、前記接地導体と導通しているパッド部を備え、
前記共振周波数および前記無負荷Ｑ値を取得する工程は、
シグナル端子およびグランド端子を備える高周波プローブを前記マイクロストリップ線路に近づける操作と、
前記グランド端子を前記パッド部に接触させるとともに、前記シグナル端子を前記第１ストリップ導体から離れた位置に配置する操作と、
を含む上記（１３）ないし（１６）のいずれかに記載のマイクロストリップ線路の評価方法。

【発明の効果】

【0030】

本発明によれば、ミリ波帯のような高周波の信号を伝送する場合でも、高周波回路の誘電特性および導電特性を高い精度で効率よく計測可能なマイクロストリップ線路が得られる。

【0031】

また、本発明によれば、高周波回路の誘電特性および導電特性を高い精度で求めることができるマイクロストリップ線路の評価方法を提供することができる。

【0032】

さらに、本発明によれば、露光処理を経てマイクロストリップ線路を製造するとき、高周波回路の誘電特性および導電特性を高い精度で効率よく計測し得るマイクロストリップ線路を製造可能な露光用マスクが得られる。

【図面の簡単な説明】

【0033】

【図1】実施形態に係るマイクロストリップ線路を示す平面図である。

【図2】図１のＸ１－Ｘ１線断面図である。

【図3】図１に示すマイクロストリップ線路を評価する方法を説明するための斜視図である。

【図4】実施形態に係るマイクロストリップ線路の評価方法を説明するためのフローチャートである。

【図5】マイクロストリップ線路の透過特性を示す波形の一例である。

【図6】互いに幅ｗが異なる５つのストリップ導体について測定した透過特性を示す波形の例を重ねた図である。

【図7】互いに幅ｗが異なる５つのストリップ導体から取得された無負荷Ｑ値Ｑ_０を直交座標系にプロットして作成したグラフである。

【図8】マイクロストリップ線路の製造方法の一例を説明するためのフローチャートである。

【図9】図８に示す露光工程を説明するための模式図である。

【図10】図９に示す露光工程に用いられる露光用マスクの一例を示す平面図である。

【図11】第１変形例に係るマイクロストリップ線路を示す平面図である。

【図12】共振周波数ｆ_ｒおよび無負荷Ｑ値Ｑ_０を取得する共振点の次数を、ストリップ導体同士で同じにした場合（ａ）と、ストリップ導体同士で異ならせた場合（ｂ）とで、透過特性を示す波形の例を比較した図である。

【図13】第２変形例に係るマイクロストリップ線路を示す平面図である。

【図14】第２変形例に係るマイクロストリップ線路の評価方法を説明するための斜視図である。

【図15】第３変形例に係るマイクロストリップ線路を示す平面図である。

【図16】第４変形例に係るマイクロストリップ線路を示す断面図である。

【図17】第５変形例に係るマイクロストリップ線路を示す平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0034】

以下、本発明のマイクロストリップ線路、露光用マスクおよびマイクロストリップ線路の評価方法について添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。

【0035】

１．マイクロストリップ線路
まず、実施形態に係るマイクロストリップ線路について説明する。

【0036】

図１は、実施形態に係るマイクロストリップ線路１を示す平面図である。図２は、図１のＸ１－Ｘ１線断面図である。図３は、図１に示すマイクロストリップ線路を評価する方法を説明するための斜視図である。

【0037】

なお、本願の各図では、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸を設定し、矢印で示している。そして、矢印の基端側を各軸の「マイナス側」、矢印の先端側を各軸の「プラス側」という。また、本願明細書では、Ｚ軸上の視点から見ることを「平面視」という。

【0038】

図１および図２に示すマイクロストリップ線路１は、誘電体層２と、導体部３と、を備える。本実施形態に係るマイクロストリップ線路１は、半波長共振器のような共振器として機能する。このようなマイクロストリップ線路１は、例えば、図３に示す高周波用プローブ８１、８２や図示しない同軸コネクター等を用い、ネットワークアナライザー９等の測定器と接続され、例えば透過特性Ｓ_２１が測定されることにより、高周波域における誘電体層２の誘電特性や導体部３の導電特性の評価、すなわち高周波特性の評価に用いられる。

【0039】

誘電体層２は、誘電体で構成され、例えばプリント配線基板の絶縁基板に相当する。誘電体層２は、図２に示すように、互いに表裏の関係を持つ第１面２０１および第２面２０２を有する。

【0040】

誘電体としては、例えば、フッ素樹脂、液晶ポリマー、ポリイミドのような樹脂材料、アルミナ、シリカのようなセラミックス材料、ホウケイ酸ガラスのようなガラス材料、ガラスエポキシ材料、ガラスセラミックス材料のような複合材料等が挙げられる。

【0041】

図２では、誘電体層２の厚さをｈとする。誘電体層２の厚さｈは、特に限定されないが、例えば、０．００１ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であるのが好ましく、０．０５ｍｍ以上０．３０ｍｍ以下であるのがより好ましい。

【0042】

導体部３は、導体で構成され、例えばプリント配線基板の配線に相当する。導体部３は、図１および図２に示すように、接地導体３０と、第１ストリップ導体３１１および第２ストリップ導体３１２と、パッド部３３と、ビア配線３４と、を備える。

【0043】

接地導体３０は、誘電体層２の第１面２０１に設けられた導体である。接地導体３０は、第１面２０１側から第２面２０２を透視したとき、第１ストリップ導体３１１および第２ストリップ導体３１２を少なくとも覆う範囲に設けられていればよい。

【0044】

第１ストリップ導体３１１および第２ストリップ導体３１２は、誘電体層２の第２面２０２に設けられた導体である。第１ストリップ導体３１１および第２ストリップ導体３１２は、それぞれＹ軸方向に延在する線状をなしている。本明細書では、第１ストリップ導体３１１および第２ストリップ導体３１２のＹ軸に沿う長さを「長さ」といい、Ｘ軸に沿う長さを「幅」といい、Ｚ軸に沿う長さを「厚さ」という。また、第１ストリップ導体３１１および第２ストリップ導体３１２は、Ｘ軸に沿って並んでいる。

【0045】

図１では、第１ストリップ導体３１１の幅をｗ１とし、第２ストリップ導体３１２の幅をｗ２とする。本実施形態では、幅ｗ１および幅ｗ２が、ｗ１＜ｗ２の関係を満たしている。マイクロストリップ線路１が、互いに幅が異なる第１ストリップ導体３１１および第２ストリップ導体３１２を備えることにより、後述する評価方法において、誘電体層２の実効誘電率および導体部３の実効導電率を容易に求めることができる。なお、幅ｗ１および幅ｗ２は、特に限定されないが、２０～５０００μｍであるのが好ましく、５０～３００μｍであるのがより好ましい。

【0046】

図１では、第１ストリップ導体３１１の長さをＬ１とし、第２ストリップ導体３１２の長さをＬ２とする。本実施形態では、長さＬ１および長さＬ２が、Ｌ１＝Ｌ２の関係を満たしている。長さＬ１、Ｌ２は、高周波特性を測定する周波数に応じて適宜設定される。なお、長さＬ１および長さＬ２は、特に限定されないが、０．０５～１００ｍｍであるのが好ましく、０．５～４０ｍｍであるのがより好ましい。

【0047】

パッド部３３は、誘電体層２の第２面２０２に設けられた導体である。パッド部３３は、ビア配線３４を介して接地導体３０と電気的に接続されている。

【0048】

パッド部３３は、図１に示すように、２つの第１Ａパッド３３５Ａ、３３５Ａと、２つの第１Ｂパッド３３５Ｂ、３３５Ｂと、を有する。

【0049】

２つの第１Ａパッド３３５Ａ、３３５Ａは、第１ストリップ導体３１１の一端３３１に隣り合うように設けられている。具体的には、第１Ａパッド３３５Ａは、第１ストリップ導体３１１の一端３３１のＸ軸プラス側とＸ軸マイナス側にそれぞれ隣り合って設けられている。

【0050】

また、本実施形態では、第１ストリップ導体３１１の一端３３１と、２つの第１Ａパッド３３５Ａ、３３５Ａとで、Ｙ軸プラス側の端部の位置がずれている。具体的には、図１に示すように、第１Ａパッド３３５Ａの第１Ａ方向の端部が、第１ストリップ導体３１１の一端３３１よりも第１Ａ方向に位置している。第１Ａ方向は、第１ストリップ導体３１１の長手方向の中心から一端３３１に向かう方向である。なお、図１では、第１Ａ方向を「１Ａ」と表記している。

【0051】

２つの第１Ｂパッド３３５Ｂ、３３５Ｂは、第１ストリップ導体３１１の他端３３２に隣り合うように設けられている。具体的には、第１Ｂパッド３３５Ｂは、第１ストリップ導体３１１の他端３３２のＸ軸プラス側とＸ軸マイナス側にそれぞれ隣り合って設けられている。

【0052】

また、本実施形態では、第１ストリップ導体３１１の他端３３２と、２つの第１Ｂパッド３３５Ｂ、３３５Ｂとで、Ｙ軸マイナス側の端部の位置がずれている。具体的には、図１に示すように、第１Ｂパッド３３５Ｂの第１Ｂ方向の端部が、第１ストリップ導体３１１の他端３３２よりも第１Ｂ方向に位置している。第１Ｂ方向は、第１ストリップ導体３１１の長手方向の中心から他端３３２に向かう方向である。なお、図１では、第１Ｂ方向を「１Ｂ」と表記している。

【0053】

パッド部３３は、図１に示すように、２つの第２Ａパッド３３６Ａ、３３６Ａと、２つの第２Ｂパッド３３６Ｂ、３３６Ｂと、を有する。

【0054】

２つの第２Ａパッド３３６Ａ、３３６Ａは、第２ストリップ導体３１２の一端３３３に隣り合うように設けられている。具体的には、第２Ａパッド３３６Ａは、第２ストリップ導体３１２の一端３３３のＸ軸プラス側とＸ軸マイナス側にそれぞれ隣り合って設けられている。

【0055】

また、本実施形態では、第２ストリップ導体３１２の一端３３３と、２つの第２Ａパッド３３６Ａ、３３６Ａとで、Ｙ軸プラス側の端部の位置がずれている。具体的には、図１に示すように、第２Ａパッド３３６Ａの第２Ａ方向の端部が、第２ストリップ導体３１２の一端３３３よりも第２Ａ方向に位置している。第２Ａ方向は、第２ストリップ導体３１２の長手方向の中心から一端３３３に向かう方向である。なお、図１では、第２Ａ方向を「２Ａ」と表記している。

【0056】

２つの第２Ｂパッド３３６Ｂ、３３６Ｂは、第２ストリップ導体３１２の他端３３４に隣り合うように設けられている。具体的には、第２Ｂパッド３３６Ｂは、第２ストリップ導体３１２の他端３３４のＸ軸プラス側とＸ軸マイナス側にそれぞれ隣り合って設けられている。

【0057】

また、本実施形態では、第２ストリップ導体３１２の他端３３４と、２つの第２Ｂパッド３３６Ｂ、３３６Ｂとで、Ｙ軸マイナス側の端部の位置がずれている。具体的には、図１に示すように、第２Ｂパッド３３６Ｂの第２Ｂ方向の端部が、第２ストリップ導体３１２の他端３３４よりも第２Ｂ方向に位置している。第２Ｂ方向は、第２ストリップ導体３１２の長手方向の中心から他端３３４に向かう方向である。なお、図１では、第２Ｂ方向を「２Ｂ」と表記している。

【0058】

なお、ずれＧ１Ａ、Ｇ１Ｂ、Ｇ２Ａ、Ｇ２Ｂの長さは、それぞれ、特に限定されないが、３０μｍ以上３ｍｍ以下であるのが好ましく、１００μｍ以上１ｍｍ以下であるのがより好ましい。これにより、高周波特性の測定精度を低下させることなく、高周波プローブ８１、８２の位置合わせを容易に行うことができる。

【0059】

ビア配線３４は、第１Ａパッド３３５Ａ、第１Ｂパッド３３５Ｂ、第２Ａパッド３３６Ａおよび第２Ｂパッド３３６Ｂと、接地導体３０と、をそれぞれ電気的に接続するように、誘電体層２を貫通する配線である。

【0060】

このような導体部３を構成する導体としては、例えば、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ等の単体またはこれらの少なくとも１種を含む合金等が挙げられる。なお、導体部３は、単層であっても、組成の異なる層が積層された多層であってもよい。

【0061】

なお、パッド部３３の平面視形状は、図示した形状に限定されない。例えば、パッド部３３は、第１Ａパッド３３５Ａ、第１Ｂパッド３３５Ｂ、第２Ａパッド３３６Ａおよび第２Ｂパッド３３６Ｂ以外の部位を備えていてもよい。かかる部位としては、例えば、第１ストリップ導体３１１、第１Ａパッド３３５Ａおよび第１Ｂパッド３３５Ｂで構成される構造単位を取り囲む枠体、第２ストリップ導体３１２、第２Ａパッド３３６Ａおよび第２Ｂパッド３３６Ｂで構成される構造単位を取り囲む枠体、複数の構造単位をまとめて取り囲む枠体等が挙げられる。

【0062】

２．マイクロストリップ線路の評価方法
次に、マイクロストリップ線路の評価方法について説明する。以下の説明では、図１および図２に示すマイクロストリップ線路１を評価対象として説明する。なお、以下の説明では、マイクロストリップ線路１の第１ストリップ導体３１１および第２ストリップ導体３１２を、単に「ストリップ導体」ということがある。

【0063】

図４は、実施形態に係るマイクロストリップ線路の評価方法を説明するためのフローチャートである。

【0064】

図４に示すマイクロストリップ線路の評価方法は、準備工程Ｓ１０２と、測定工程Ｓ１０４と、第１演算工程Ｓ１０６と、第２演算工程Ｓ１０８と、第３演算工程Ｓ１１０と、第４演算工程Ｓ１１２と、を有する。

【0065】

２．１．準備工程
準備工程Ｓ１０２では、前述したマイクロストリップ線路１を用意する。また、マイクロストリップ線路１に高周波信号を入力するネットワークアナライザー９、および、ネットワークアナライザー９とマイクロストリップ線路１とを電気的に接続する高周波プローブ８１、８２、を用意する。

【0066】

ネットワークアナライザー９には、例えばベクトルネットワークアナライザーが用いられる。ネットワークアナライザー９において入出力される高周波信号の周波数は、特に限定されないが、０．１～１０００ＧＨｚであるのが好ましく、１～３００ＧＨｚであるのがより好ましく、１０～３００ＧＨｚであるのがさらに好ましい。

【0067】

高周波プローブ８１は、２つの接地プローブ８１Ｇ、８１Ｇと、１つの信号プローブ８１Ｓと、を備えるＧＳＧプローブである。高周波プローブ８２は、２つの接地プローブ８２Ｇ、８２Ｇと、１つの信号プローブ８２Ｓと、を備えるＧＳＧプローブである。

【0068】

なお、マイクロストリップ線路１が備える第１ストリップ導体３１１の長さＬ１および第２ストリップ導体３１２の長さＬ２は、それぞれ、測定しようとする高周波特性の周波数に応じて、下記式（１）により求められる。

【0069】

【数1】

【0070】

上記式（１）のＬは、第１ストリップ導体３１１の長さＬ１［ｍ］および第２ストリップ導体３１２の長さＬ２［ｍ］である。ε_ｅｆｆは、マイクロストリップ線路１の実効誘電率である。ｍは、正の整数であり、好ましくは１～１５の整数とされる。ｃは、光速（３×１０^８［ｍ／ｓ］）である。ｆ_ｒは、共振周波数［Ｈｚ］である。

【0071】

測定しようとする高周波特性の周波数に近い値を共振周波数ｆ_ｒとして選択することで、上記式（１）に基づいて、高周波特性の測定に適した長さＬ１、Ｌ２が求められる。
また、上記式（１）の実効誘電率ε_ｅｆｆは、下記式（２）により求められる。

【0072】

【数2】

【0073】

上記式（２）のε_ｒは、誘電体層２の比誘電率である。ｈは、誘電体層２の厚さ［ｍ］である。ｗは、第１ストリップ導体３１１の幅ｗ１［ｍ］および第２ストリップ導体３１２の幅ｗ２［ｍ］である。Ｂは、厚さｈ、幅ｗおよび比誘電率ε_ｒから決まる定数であり、特に限定されないが、例えば０．５～０．６程度とできる。

【0074】

また、幅ｗ１［ｍ］および幅ｗ２［ｍ］は、それぞれ、誘電体層２の厚さｈ［ｍ］およびマイクロストリップ線路１の特性インピーダンスＺ_０に応じて適宜設定されるのが好ましい。

【0075】

マイクロストリップ線路１の特性インピーダンスＺ_０は、下記式（３）により求められる。

【0076】

【数3】

【0077】

上記式（３）で求められるマイクロストリップ線路１の特性インピーダンスＺ_０は、ネットワークアナライザー９や高周波プローブ８１、８２の特性を踏まえて、例えば３０～３００Ωの範囲内に収められるのが好ましい。Ａは、厚さｈおよび幅ｗから決まる定数であり、特に限定されないが、例えば６．０程度とできる。これらの値と誘電体層２の一般的な比誘電率ε_ｒとを踏まえると、ｗ／ｈは、０．００１～８．０程度に設定されるのが好ましい。これにより、高周波特性の測定に適した幅ｗ１および幅ｗ２が求められる。

【0078】

以上、長さＬ１、Ｌ２および幅ｗ１、ｗ２の設定方法について説明したが、これらの設定方法は上記の方法に限定されない。

【0079】

２．２．測定工程
測定工程Ｓ１０４では、マイクロストリップ線路１について、透過特性を測定する。具体的には、高周波プローブ８１、８２をマイクロストリップ線路１に接触させる。そして、ネットワークアナライザー９から高周波プローブ８１を介して、マイクロストリップ線路１に高周波信号を供給し、共振を生じさせる。次に、高周波プローブ８２を介してネットワークアナライザー９で透過特性Ｓ_２１を測定する。そして、透過特性から共振周波数ｆ_ｒおよび無負荷Ｑ値Ｑ_０を取得する。

【0080】

測定工程Ｓ１０４では、まず、第１ストリップ導体３１１について透過特性を測定する。

【0081】

具体的には、高周波プローブ８１の２つの接地プローブ８１Ｇ、８１Ｇを、２つの第１Ａパッド３３５Ａ、３３５Ａに接触させ、高周波プローブ８１の信号プローブ８１Ｓを、第１ストリップ導体３１１から離した位置に配置する。同様に、高周波プローブ８２の２つの接地プローブ８２Ｇ、８２Ｇを、２つの第１Ｂパッド３３５Ｂ、３３５Ｂに接触させ、高周波プローブ８２の信号プローブ８２Ｓを、第１ストリップ導体３１１から離した位置に配置する。

【0082】

そして、マイクロストリップ線路１を通過した高周波信号をネットワークアナライザー９で検出すると、例えば、図５に示すような透過特性を示す波形が得られる。なお、上述したマイクロストリップ線路１と高周波プローブ８１、８２との間の接触状態の再現性を高めるという観点から、第１ストリップ導体３１１、第２ストリップ導体３１２およびパッド部３３の厚さは、互いに同じであるのが好ましい。

【0083】

図５は、マイクロストリップ線路１の透過特性を示す波形の一例である。図５に示す波形では、２つのピークＰ１、Ｐ２が認められる。ピークＰ１は、基本共振（１次共振モード）に対応する共振点である。ピークＰ２は、高次共振（２次共振モード）に対応する共振点である。

【0084】

次に、ピークＰ１、Ｐ２のいずれかの周波数を共振周波数ｆ_ｒとして取得する。ここでは、一例として、ピークＰ１の周波数を共振周波数ｆ_ｒとして取得する。

【0085】

次に、ピークＰ１の波形から無負荷Ｑ値Ｑ_０を取得する。無負荷Ｑ値Ｑ_０の取得には、例えば半値幅法が用いられる。

【0086】

以上により、第１ストリップ導体３１１について透過特性が測定され、共振周波数ｆ_ｒおよび無負荷Ｑ値Ｑ_０を取得することができる。

【0087】

測定工程Ｓ１０４では、続いて、第２ストリップ導体３１２について透過特性を測定する。

【0088】

第２ストリップ導体３１２についての透過特性の測定は、第１ストリップ導体３１１についての透過特性の測定と同様にして行う。

【0089】

以上により、第２ストリップ導体３１２について透過特性が測定され、共振周波数ｆ_ｒおよび無負荷Ｑ値Ｑ_０を取得することができる。

【0090】

なお、以上の説明では、第１ストリップ導体３１１と第２ストリップ導体３１２について、それぞれ共振周波数ｆ_ｒおよび無負荷Ｑ値Ｑ_０を取得しているが、互いに幅ｗが異なる３つ以上のストリップ導体について、それぞれ共振周波数ｆ_ｒおよび無負荷Ｑ値Ｑ_０を取得するのが好ましい。これにより、後述する演算工程において求められる実効導電率等の算出精度を高めることができる。

【0091】

一例として、図６は、互いに幅ｗが異なる５つのストリップ導体について測定した透過特性を示す波形の例を重ねた図である。この例では、各透過特性が８０ＧＨｚ付近に共振周波数ｆ_ｒを持つ。ストリップ導体の幅ｗを８０μｍから２４０μｍにかけて変化させることにより、図６に示す波形では、共振点に対応するピークの位置がシフトしていること、および、ピークの鋭さが変化していることがわかる。つまり、ストリップ導体の幅ｗに応じて共振周波数ｆ_ｒおよび無負荷Ｑ値Ｑ_０が変化することが読み取れる。したがって、マイクロストリップ線路１は、幅ｗが異なるストリップ導体を３つ以上備えているのが好ましく、５つ以上備えているのがより好ましい。

【0092】

２．３．第１演算工程
第１演算工程Ｓ１０６では、まず、測定工程Ｓ１０４で取得した共振周波数ｆ_ｒを用いて、下記式（５）により、位相定数βを算出する。

【0093】

【数4】

【0094】

上記式（５）のｍは、正の整数であり、取得した共振周波数ｆ_ｒに対応する共振モードの次数である。例えば、１次共振（基本共振）モードであれば、次数ｍは１であり、２次共振モードであれば、次数ｍは２である。

【0095】

上記式（５）から、マイクロストリップ線路１の位相定数βおよび実効誘電率ε_ｅｆｆが求められる。実効誘電率ε_ｅｆｆは、誘電体層２の厚さ方向に発生させた電界に基づいて求められた値である。このため、上記式（５）に基づいて求められた実効誘電率ε_ｅｆｆは、面方向と厚さ方向とで内部構造に異方性がある誘電体層２であっても、この異方性を良好に反映したものとなる。

【0096】

第１演算工程Ｓ１０６では、次に、求めた実効誘電率ε_ｅｆｆを用いて、下記式（３）により、各ストリップ導体の特性インピーダンスＺ_０を算出する。

【0097】

【数5】

【0098】

以上のようにして、位相定数β、実効誘電率ε_ｅｆｆ、および特性インピーダンスＺ_０を求める。

【0099】

ここで、無負荷Ｑ値Ｑ_０と、導体Ｑ値Ｑ_ｃおよび誘電体Ｑ値Ｑ_ｄと、位相定数β、導体損失α_ｃおよび誘電体損失α_ｄとの間には、下記式（６）が成り立つ。

【0100】

【数6】

【0101】

一方、導体Ｑ値Ｑ_ｃと導体損失α_ｃとの間には、下記式（７）が成り立つ。

【0102】

【数7】

【0103】

また、導体損失α_ｃとストリップ導体の幅ｗとの間には、下記式（８）が成り立つ。

【0104】

【数8】

【0105】

そうすると、上記式（７）および上記式（８）により、導体Ｑ値Ｑ_ｃの逆数は、ストリップ導体の幅ｗの逆数に比例することが導かれる。マイクロストリップ線路１は、幅ｗが異なる複数のストリップ導体を備えている。したがって、マイクロストリップ線路１が備える複数の幅ｗのストリップ導体を用いることで、ストリップ導体の幅ｗの逆数の変化に対する導体Ｑ値Ｑ_ｃの逆数の変化の割合を算出することができる。

【0106】

なお、上記式（８）のσ_ｅｆｆは、マイクロストリップ線路１の実効導電率である。Ｋ_ｃは、比例係数である。

【0107】

ここで、上述した割合は、ストリップ導体の幅ｗの逆数の変化に対する無負荷Ｑ値Ｑ_０の逆数の変化の割合とほぼ等しいことがわかっている。すなわち、ストリップ導体の幅ｗの逆数の変化に対する無負荷Ｑ値Ｑ_０の逆数の変化は、主に、導体Ｑ値Ｑ_ｃに起因していることがわかっている。そこで、この関係を利用し、第１演算工程Ｓ１０６では、複数の幅ｗ、および、複数のストリップ導体から取得した無負荷Ｑ値Ｑ_０から、ストリップ導体の幅ｗの逆数の変化に対する無負荷Ｑ値Ｑ_０の逆数の変化の割合を求める。そして、それを用いて上記式（８）のＫ_ｃ／√σ_ｅｆｆを導出する。

【0108】

この導出には、例えば、直交座標系の各軸にストリップ導体の幅ｗの逆数および無負荷Ｑ値Ｑ_０の逆数をとり、値をプロットして作成したグラフを用いることができる。

【0109】

図７は、互いに幅ｗが異なる５つのストリップ導体から取得された無負荷Ｑ値Ｑ_０を直交座標系にプロットして作成したグラフである。なお、図７のグラフの横軸は、ストリップ導体の幅ｗの逆数１／ｗであり、縦軸は、無負荷Ｑ値Ｑ_０の逆数１／Ｑ_０である。また、図７には、５つのプロットマークから求められた回帰直線を実線にて示している。さらに、図７では、製造条件を変えて導体部３の導電率を大・中・小の３水準に振った場合のデータ、つまり、製造条件の異なる複数のマイクロストリップ線路から取得されたデータも併せて示している。

【0110】

図７に示すように、ストリップ導体の幅ｗの逆数１／ｗと、無負荷Ｑ値Ｑ_０の逆数１／Ｑ_０と、の間には、導体部３の導電率によらず、一定の傾きａで増加する正の相関関係が成り立っている。したがって、図７に示すグラフの回帰直線の傾きａから、下記式（９）により、各マイクロストリップ線路における上記式（８）のＫ_ｃ／√σ_ｅｆｆを導出することができる。

【0111】

【数9】

【0112】

ところで、導体損失α_ｃは、理論的に、下記式（１０）で定義される。

【0113】

【数10】

【0114】

上記式（１０）のｇ_ｃ（ｗ，ｔ，ｈ）は、マイクロストリップ線路１の形状因子であって、特に限定されないが、ストリップ導体の幅ｗに対する依存性が大きくない値であるため、例えば０．６～０．７程度に収まる。ωは、共振周波数ｆ_ｒの角周波数であり、ω＝２πｆ_ｒである。μ_０は、真空の透磁率である。

【0115】

そうすると、前記式（８）および上記式（１０）により、下記式（１１）が導かれる。

【0116】

【数11】

【0117】

特性インピーダンスＺ_０は算出できているので、上記式（１１）により、比例係数Ｋ_ｃが求められる。そうすると、前記式（９）により、マイクロストリップ線路１の実効導電率σ_ｅｆｆが求められる。

【0118】

２．４．第２演算工程
第２演算工程Ｓ１０８では、第１演算工程Ｓ１０６で求めた比例係数Ｋ_ｃおよびマイクロストリップ線路１の実効導電率σ_ｅｆｆを、前記式（８）または前記式（１０）に代入する。これにより、各ストリップ導体に対応する導体損失α_ｃが求められる。

【0119】

２．５．第３演算工程
第３演算工程Ｓ１１０では、まず、前記式（６）から下記式（１２）を導く。

【0120】

【数12】

【0121】

次に、第１演算工程Ｓ１０６で求めた位相定数βおよび第２演算工程Ｓ１０８で求めた各ストリップ導体の導体損失α_ｃを、上記式（１２）に代入する。これにより、マイクロストリップ線路１の導体Ｑ値Ｑ_ｃが求められる。

【0122】

次に、測定工程Ｓ１０４で取得した無負荷Ｑ値Ｑ_０および本工程で求めた導体Ｑ値Ｑ_ｃを前記式（６）に代入する。これにより、マイクロストリップ線路１の誘電体Ｑ値Ｑ_ｄが求められる。

【0123】

第３演算工程Ｓ１１０では、次に、前記式（６）から下記式（１３）を導く。

【0124】

【数13】

【0125】

次に、第１演算工程Ｓ１０６で求めた位相定数βおよび本工程で求めた誘電体Ｑ値Ｑ_ｄを前記式（１３）に代入する。これにより、各ストリップ導体に対応する誘電体損失α_ｄが求められる。

【0126】

２．６．第４演算工程
前述した第１演算工程Ｓ１０６で求めた実効誘電率ε_ｅｆｆは、下記式（２）で表される。

【0127】

【数14】

【0128】

上記式（２）では、誘電体層２の比誘電率ε_ｒ以外のパラメーターがすでにわかっている。そうすると、上記式（２）から、誘電体層２の比誘電率ε_ｒが求められる。

【0129】

一方、前述した第３演算工程Ｓ１１０で求めた誘電体損失α_ｄは、理論的に、下記式（１４）で定義される。

【0130】

【数15】

【0131】

そこで、第３演算工程Ｓ１１０で求めた誘電体損失α_ｄ、第１演算工程Ｓ１０６で求めた実効誘電率ε_ｅｆｆ、および、本工程で求めた誘電体層２の比誘電率ε_ｒを、上記式（１４）に代入する。これにより、誘電体層２の誘電正接ｔａｎδが求められる。なお、上記式（１４）のλ_０は、マイクロストリップ線路１に入力する高周波信号の自由空間における波長である。

【0132】

以上のように、本実施形態に係るマイクロストリップ線路の評価方法は、準備工程Ｓ１０２と、測定工程Ｓ１０４と、第１演算工程Ｓ１０６と、を有する。準備工程Ｓ１０２では、例えばマイクロストリップ線路１を用意する。マイクロストリップ線路１は、互いに表裏の関係を持つ第１面２０１および第２面２０２を有する誘電体層２、第１面２０１に設けられている接地導体３０、ならびに、第２面２０２に設けられ、互いに幅が異なり、線状に延在する第１ストリップ導体３１１および第２ストリップ導体３１２、を備える。測定工程Ｓ１０４では、第１ストリップ導体３１１および第２ストリップ導体３１２について、透過特性を測定し、共振周波数ｆ_ｒおよび無負荷Ｑ値Ｑ_０を取得する。第１演算工程Ｓ１０６では、共振周波数ｆ_ｒおよび無負荷Ｑ値Ｑ_０に基づいて、マイクロストリップ線路１の実効誘電率ε_ｅｆｆおよび実効導電率σ_ｅｆｆを算出する。

【0133】

このような構成によれば、ミリ波帯のような高周波の信号が入力される場合でも、従来のように板厚が異なる複数の絶縁基板を用意するといった手間をかけることなく、マイクロストリップ線路１の誘電特性と導電特性の双方を効率よく測定することができる。誘電特性とは、マイクロストリップ線路１の実効誘電率ε_ｅｆｆの他、そこから導出される、ストリップ導体に対応する誘電体損失α_ｄ、誘電体層２の比誘電率ε_ｒおよび誘電正接ｔａｎδ等を指す。導電特性とは、マイクロストリップ線路１の実効導電率σ_ｅｆｆの他、そこから導出される、ストリップ導体に対応する導体損失α_ｃ等を指す。これにより、例えば、高周波回路の伝送損失の主たる原因が、誘電体層２側にあるのか、導体部３側にあるのかを、容易に理解することができる。その結果、新たな高周波回路を効率よく開発することができる。

【0134】

また、上記方法では、誘電体層２の厚さ方向に電界を印加して、誘電特性および導電特性を測定する。このため、誘電体層２の内部構造に異方性がある場合でも、この異方性を反映した誘電特性および導電特性を精度よく測定することができる。その結果、内部構造に異方性がある誘電体層２を備えた高周波回路を効率よく開発することができる。

【0135】

また、本実施形態に係るマイクロストリップ線路の評価方法は、第２演算工程Ｓ１０８を有する。第２演算工程Ｓ１０８では、前述したように、実効導電率σ_ｅｆｆに基づいて、第１ストリップ導体３１１および第２ストリップ導体３１２、すなわち各ストリップ導体に対応する導体損失α_ｃを算出する。

【0136】

このような第２演算工程Ｓ１０８を有することにより、互いに幅ｗが異なるストリップ導体ごとに、導体損失α_ｃを求めることができる。これにより、高周波回路の伝送損失の原因をより厳密に理解するための基礎データを取得することができる。

【0137】

さらに、本実施形態に係るマイクロストリップ線路の評価方法は、第３演算工程Ｓ１１０を有する。第３演算工程Ｓ１１０では、前述したように、導体損失α_ｃに基づいて、第１ストリップ導体３１１および第２ストリップ導体３１２、すなわち各ストリップ導体に対応する誘電体損失α_ｄを算出する。

【0138】

このような第３演算工程Ｓ１１０を有することにより、互いに幅ｗが異なるストリップ導体ごとに、誘電体損失α_ｄを求めることができる。これにより、高周波回路の伝送損失の原因をより厳密に理解するための基礎データを取得することができる。

【0139】

また、本実施形態に係るマイクロストリップ線路の評価方法は、第４演算工程Ｓ１１２を有する。第４演算工程Ｓ１１２では、前述したように、共振周波数ｆ_ｒ、無負荷Ｑ値Ｑ_０および誘電体損失α_ｄに基づいて、誘電体層２の比誘電率ε_ｒおよび誘電正接ｔａｎδを算出する。

【0140】

このような第４演算工程Ｓ１１２を有することにより、高周波域における誘電体層２の単体の物性値を取得することができる。このため、誘電体の材料開発に必要な基礎データを取得することができる。

【0141】

以上、本実施形態に係るマイクロストリップ線路の評価方法について説明したが、各工程の順序は、上記の順序に限定されず、入れ替わっていてもよい。また、第２演算工程Ｓ１０８、第３演算工程Ｓ１１０および第４演算工程Ｓ１１２のうちの少なくとも１つは、省略されていてもよい。さらに、実効誘電率ε_ｅｆｆ、実効導電率σ_ｅｆｆ、導体損失α_ｃ、誘電体損失α_ｄ、比誘電率ε_ｒ、および、誘電正接ｔａｎδの算出方法は、上記の方法に限定されず、別の算出方法が採用されていてもよい。

【0142】

また、本実施形態に係るマイクロストリップ線路１は、誘電体層２と、接地導体３０と、第１ストリップ導体３１１および第２ストリップ導体３１２と、パッド部３３と、を備える。誘電体層２は、互いに表裏の関係を持つ第１面２０１および第２面２０２を有する。接地導体３０は、第１面２０１に設けられている。第１ストリップ導体３１１および第２ストリップ導体３１２は、第２面２０２に設けられ、線状に延在している。パッド部３３は、第１ストリップ導体３１１および第２ストリップ導体３１２にそれぞれ隣り合うように第２面２０２に設けられ、接地導体３０と導通している。そして、第１ストリップ導体３１１および第２ストリップ導体３１２は、互いに幅ｗが異なっている。

【0143】

このような構成によれば、ミリ波帯のような高周波の信号が入力される場合でも、従来のように板厚が異なる複数の絶縁基板を用意するといった手間をかけることなく、高周波回路の誘電特性と導電特性の双方を効率よく測定可能なマイクロストリップ線路１が得られる。

【0144】

また、マイクロストリップ線路１では、誘電体層２の厚さ方向に電界が印加されるため、誘電体層２の内部構造に異方性がある場合でも、この異方性を反映した誘電特性および導電特性を精度よく測定することができる。

【0145】

本実施形態に係るマイクロストリップ線路１では、第１ストリップ導体３１１および第２ストリップ導体３１２において、互いに長さが等しくなっている。

【0146】

このような構成によれば、無負荷Ｑ値Ｑ_０を取得する共振点の次数を同じにしたとき、第１ストリップ導体３１１について取得される共振周波数ｆ_ｒと、第２ストリップ導体３１２について取得される共振周波数ｆ_ｒと、を互いに近づけることができる。これにより、同じ次数の共振点から無負荷Ｑ値Ｑ_０を取得することで、測定しようとする周波数におけるマイクロストリップ線路１の誘電特性や導電特性を、より精度よく測定することができる。

【0147】

なお、第１ストリップ導体３１１および第２ストリップ導体３１２は、互いに長さが異なっていてもよい。この場合、演算時の補正により、誘電特性や導電特性を算出することは可能である。

【0148】

また、本実施形態では、第１ストリップ導体３１１の一端３３１よりも第１Ｂ方向の位置から、一端３３１よりも第１Ａ方向の位置に至るまで、第１Ａパッド３３５Ａが延在している。また、本実施形態では、第１ストリップ導体３１１の他端３３２よりも第１Ａ方向の位置から、他端３３２よりも第１Ｂ方向の位置に至るまで、第１Ｂパッド３３５Ｂが延在している。これにより、一端３３１と第１Ａパッド３３５Ａの端部との間には、Ｙ軸方向に沿って「ずれＧ１Ａ」が生じる。また、他端３３２と第１Ｂパッド３３５Ｂとの間には、Ｙ軸方向に沿って「ずれＧ１Ｂ」が生じる。

【0149】

このような構成によれば、ずれＧ１Ａ、Ｇ１Ｂが存在しているため、図３に示すように、高周波プローブ８１、８２と第１ストリップ導体３１１との間を非接触状態に保ちやすくなる。つまり、接地プローブ８１Ｇ、８２Ｇをパッド部３３に接触させた状態で、信号プローブ８１Ｓ、８２Ｓを第１ストリップ導体３１１から離した位置に配置しやすくなる。これにより、第１ストリップ導体３１１の共振特性の測定が容易になる。すなわち、信号プローブ８１Ｓ、８２Ｓと第１ストリップ導体３１１とが電気的な疎結合となるため、透過特性Ｓ_２１がほぼ第１ストリップ導体３１１の特性のみを反映する状態となる。この状態は、図３に示すネットワークアナライザー９と高周波プローブ８１、８２とを含む回路のインピーダンス不整合や、高周波プローブ８１、８２と第１ストリップ導体３１１との接触抵抗の影響を低減させる。したがって、高周波プローブ８１、８２と第１ストリップ導体３１１との間を非接触状態に保つことで、測定精度の低下を抑制することができる。これにより、高周波特性の測定精度を高めることができる。また、高周波プローブ８１、８２の接触に伴う第１ストリップ導体３１１の損傷を避けることもできる。

【0150】

また、本実施形態では、パッド部３３が、第１Ａパッド３３５Ａおよび第１Ｂパッド３３５Ｂをそれぞれ複数有している。これにより、ＧＳＧプローブである高周波プローブ８１、８２を用いた高周波特性の測定が可能なマイクロストリップ線路１が得られる。その結果、高周波特性をより精度よく測定することができる。

【0151】

また、本実施形態では、第２ストリップ導体３１２の一端３３３よりも第２Ｂ方向の位置から、一端３３３よりも第２Ａ方向の位置に至るまで、第２Ａパッド３３６Ａが延在している。また、本実施形態では、第２ストリップ導体３１２の他端３３４よりも第２Ａ方向の位置から、他端３３４よりも第２Ｂ方向の位置に至るまで、第２Ｂパッド３３６Ｂが延在している。これにより、一端３３３と第２Ａパッド３３６Ａの端部との間には、Ｙ軸方向に沿って「ずれＧ２Ａ」が生じる。また、他端３３４と第２Ｂパッド３３６Ｂとの間には、Ｙ軸方向に沿って「ずれＧ２Ｂ」が生じる。

【0152】

このような構成によれば、ずれＧ２Ａ、Ｇ２Ｂが存在しているため、高周波プローブ８１、８２と第２ストリップ導体３１２との間を非接触状態に保ちやすくなる。つまり、接地プローブ８１Ｇ、８２Ｇをパッド部３３に接触させた状態で、信号プローブ８１Ｓ、８２Ｓを第２ストリップ導体３１２から離した位置に配置しやすくなる。これにより、第２ストリップ導体３１２の共振特性を容易に測定することができ、高周波プローブ８１、８２と第２ストリップ導体３１２との接触状態が、高周波特性の測定結果に影響を及ぼしにくくなる。これにより、高周波特性の測定精度を高めることができる。また、高周波プローブ８１、８２の接触に伴う第２ストリップ導体３１２の損傷を避けることもできる。

【0153】

また、本実施形態では、パッド部３３が、第２Ａパッド３３６Ａおよび第２Ｂパッド３３６Ｂをそれぞれ複数有している。これにより、ＧＳＧプローブである高周波プローブ８１、８２を用いた高周波特性の測定が可能なマイクロストリップ線路１が得られる。その結果、高周波特性をより精度よく測定することができる。

【0154】

また、第１ストリップ導体３１１および第２ストリップ導体３１２は、互いに非平行であってもよいが、本実施形態では互いに平行に延在している。

【0155】

誘電体層２の内部構造は、一般に、一方向に沿う均一性を有していることが多い。このため、第１ストリップ導体３１１および第２ストリップ導体３１２を互いに平行に配置すれば、誘電体層２の内部構造が、誘電特性および導電特性の測定精度に対して悪影響を及ぼしにくくなる。その結果、マイクロストリップ線路１の評価精度をより高めることができる。

【0156】

なお、マイクロストリップ線路１は、様々な目的に用いられるが、好ましくは高周波の信号が入力され、高周波特性の評価に用いられる。高周波特性とは、前述した誘電特性および導電特性を指す。このような目的に用いることで、幅ｗが異なる複数のストリップ導体を備えるというマイクロストリップ線路１の特徴をより有効に活かすことができる。

【0157】

また、図１に示すマイクロストリップ線路１は、前述したように、接地導体３０と導通しているパッド部３３を備えている。そして、本実施形態に係るマイクロストリップ線路の評価方法では、前述した共振周波数ｆ_ｒおよび無負荷Ｑ値Ｑ_０を取得する測定工程Ｓ１０４が、シグナル端子である信号プローブ８１Ｓ、８２Ｓおよびグランド端子である接地プローブ８１Ｇ、８２Ｇを備える高周波プローブ８１、８２をマイクロストリップ線路１に近づける操作と、接地プローブ８１Ｇ、８２Ｇをパッド部３３に接触させるとともに、信号プローブ８１Ｓ、８２Ｓを第１ストリップ導体３１１から離れた位置に配置する操作と、を含んでいる。

【0158】

このような操作を含むことにより、測定工程Ｓ１０４では、前述したように、高周波プローブ８１、８２と第１ストリップ導体３１１との間を非接触状態に保つことができる。これにより、インピーダンス不整合や接触抵抗という問題が顕在化しにくくなる。その結果、高周波特性の測定精度を高めることができる。

【0159】

３．マイクロストリップ線路の製造方法
次に、マイクロストリップ線路の製造方法の一例について説明する。

【0160】

マイクロストリップ線路の製造には、すでに知られているプリント配線基板の製造方法を用いることができる。

【0161】

図８は、マイクロストリップ線路の製造方法の一例を説明するためのフローチャートである。図９は、図８に示す露光工程を説明するための模式図である。図１０は、図９に示す露光工程に用いられる露光用マスク６の一例を示す平面図である。

【0162】

図８に示すマイクロストリップ線路の製造方法は、準備工程Ｓ２０２と、レジスト塗布工程Ｓ２０４と、露光工程Ｓ２０６と、現像工程Ｓ２０８と、エッチング工程Ｓ２１０と、レジスト除去工程Ｓ２１２と、を有する。

【0163】

準備工程Ｓ２０２では、図９に示すように、誘電体層２００の両面に金属箔３００が成膜された金属箔張積層板１００を用意する。金属箔３００は、単層であっても、組成の異なる層が積層された多層であってもよい。多層の場合、一部の層は、めっき法等の成膜法により形成された層であってもよい。

【0164】

レジスト塗布工程Ｓ２０４では、一方の金属箔３００にフォトレジストを塗布する。これにより、フォトレジスト膜７００を形成する。フォトレジスト膜７００は、ポジ型であっても、ネガ型であってもよい。

【0165】

露光工程Ｓ２０６では、図９に示すように、露光用マスク６を介して、フォトレジスト膜７００に光ＬＴを照射する露光処理を施す。これにより、フォトレジスト膜７００がポジ型である場合、光ＬＴが照射された部分の現像液に対する溶解性が増大する。また、フォトレジスト膜７００がネガ型である場合、光ＬＴが照射された部分の現像液に対する溶解性が低下する。

【0166】

露光工程Ｓ２０６で用いる露光用マスク６は、製造しようとするストリップ導体やパッド部の形状に応じて設計、製造される。図１０に示す露光用マスク６は、図１に示すマイクロストリップ線路１の製造に用いられるマスクパターンを有する。

【0167】

具体的には、図１０に示す露光用マスク６は、遮蔽部６１および透過部６２を有し、金属箔張積層板１００に対する露光処理に用いられるマスクである。遮蔽部６１は、光ＬＴを遮蔽し、透過部６２は、光ＬＴを透過させる。フォトレジスト膜７００がポジ型である場合には、図１０に示すように、遮蔽部６１の形状が、金属箔張積層板１００に形成する導体パターン、すなわち、図１に示す第１ストリップ導体３１１、第２ストリップ導体３１２、および、パッド部３３に対応している。また、フォトレジスト膜７００がネガ型である場合には、図示しないものの、透過部の形状が、上記導体パターン以外の領域に対応している。本明細書では、これらの双方を指して、遮蔽部６１の形状または透過部６２の形状が、金属箔張積層板１００に形成する線路パターンに対応している、という。

【0168】

そして、図１に示す第１ストリップ導体３１１および第２ストリップ導体３１２は、前述したように、それぞれ線状に延在し、互いに幅が異なっている。また、パッド部３３は、前述したように、第１ストリップ導体３１１および第２ストリップ導体３１２にそれぞれ隣り合うように設けられている。

【0169】

このような構成によれば、前述したような高周波回路の評価に好適に用いられるマイクロストリップ線路１を製造可能な露光用マスク６を得ることができる。つまり、露光用マスク６を用いれば、１つの誘電体層２に、互いに幅が異なる第１ストリップ導体３１１および第２ストリップ導体３１２を備える線路パターンを一括で形成することができる。

【0170】

現像工程Ｓ２０８では、露光処理を経た金属箔張積層板１００を現像液に接触させる。これにより、相対的に溶解性が大きくなっている領域が現像液に溶解する。その結果、フォトレジスト膜７００のうち、前述した線路パターンに対応する部分が残存し、それ以外の部分が除去される。これにより、フォトレジスト膜７００がパターニングされる。

【0171】

エッチング工程Ｓ２１０では、金属箔張積層板１００にエッチング処理を施す。これにより、フォトレジスト膜７００のパターンに応じて、金属箔３００が線路パターンの形状にパターニングされる。

【0172】

レジスト除去工程Ｓ２１２では、フォトレジスト膜７００を除去する。これにより、図１に示す導体部３が得られる。その後、洗浄処理を施すことにより、図１に示すマイクロストリップ線路１が得られる。

【0173】

４．第１変形例
次に、第１変形例に係るマイクロストリップ線路について説明する。
図１１は、第１変形例に係るマイクロストリップ線路１ａを示す平面図である。

【0174】

以下、第１変形例について説明するが、以下の説明では、前記実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。なお、各図において前記実施形態と同様の構成には、同一の符号を付している。

【0175】

第１変形例は、幅ｗが異なる複数のストリップ導体に加え、長さＬが異なる複数のストリップ導体を備えること以外、前記実施形態と同様である。

【0176】

図１１に示すマイクロストリップ線路１ａが備える導体部３は、第１ストリップ導体３１１および第２ストリップ導体３１２に加え、第３ストリップ導体３１３および第４ストリップ導体３１４を備える。

【0177】

第３ストリップ導体３１３は、第１ストリップ導体３１１のＹ軸マイナス側に配置されている。第４ストリップ導体３１４は、第２ストリップ導体３１２のＹ軸マイナス側に配置されている。

【0178】

第３ストリップ導体３１３および第４ストリップ導体３１４は、誘電体層２の第２面２０２に設けられた導体である。第３ストリップ導体３１３および第４ストリップ導体３１４は、それぞれＹ軸方向に延在する線状をなしている。また、第３ストリップ導体３１３および第４ストリップ導体３１４は、Ｘ軸に沿って並んでいる。

【0179】

図１１では、第３ストリップ導体３１３の幅をｗ３とし、第４ストリップ導体３１４の幅をｗ４とする。第１変形例では、幅ｗ３および幅ｗ４が、ｗ３＜ｗ４の関係を満たしている。また、第１変形例では、幅ｗ１、幅ｗ２、幅ｗ３および幅ｗ４は、ｗ１＝ｗ３の関係およびｗ２＝ｗ４の関係を満たしている。

【0180】

図１１では、第３ストリップ導体３１３の長さをＬ３とし、第４ストリップ導体３１４の長さをＬ４とする。第１変形例では、長さＬ３および長さＬ４が、Ｌ３＝Ｌ４の関係を満たしている。長さＬ３、Ｌ４は、高周波特性を測定する周波数に応じて適宜設定される。また、第１変形例では、長さＬ１、長さＬ２、長さＬ３および長さＬ４は、Ｌ１＜Ｌ３の関係およびＬ２＜Ｌ４の関係を満たしている。

【0181】

マイクロストリップ線路１ａが、互いに幅ｗが異なるストリップ導体だけでなく、互いに長さＬが異なるストリップ導体を備えることにより、測定しようとする高周波特性の周波数に応じて、測定に用いるストリップ導体の選択が可能になる。これにより、様々な周波数で高周波特性を測定することができる。例えば、前記実施形態では、第１ストリップ導体３１１と第２ストリップ導体３１２とを用いて高周波特性を測定しているが、第１変形例では、それだけでなく、第３ストリップ導体３１３と第４ストリップ導体３１４とを用いて高周波特性を測定することもできる。このため、第１変形例では、４つの周波数（少なくとも２つの周波数）について、高周波特性を測定することができる。

【0182】

また、共振周波数ｆ_ｒおよび無負荷Ｑ値Ｑ_０を取得する共振点の次数は、ストリップ導体同士の間で、互いに同じであっても、互いに異なっていてもよい。

【0183】

図１２は、共振周波数ｆ_ｒおよび無負荷Ｑ値Ｑ_０を取得する共振点の次数を、ストリップ導体同士で同じにした場合（ａ）と、ストリップ導体同士で異ならせた場合（ｂ）とで、透過特性を示す波形の例を比較した図である。

【0184】

図１２（ａ）では、互いに幅ｗが異なり、互いに長さＬが同じである一対のストリップ導体Ｓ１、Ｓ２について、基本共振に対応する共振点の波形を重ねて示している。具体的には、ストリップ導体Ｓ１は、長さＬが４０ｍｍであり、幅ｗが１６０μｍである。ストリップ導体Ｓ２は、長さＬが４０ｍｍであり、幅ｗが１００μｍである。これらの透過特性の基本共振の共振周波数ｆ_ｒは、いずれも、約２．２ＧＨｚとなる。したがって、図１２（ａ）に示す透過特性では、ストリップ導体Ｓ１、Ｓ２の基本共振に対応する共振点から、共振周波数ｆ_ｒおよび無負荷Ｑ値Ｑ_０等のパラメーターを取得することができる。

【0185】

一方、図１２（ｂ）では、互いに幅ｗが同じで、互いに長さＬが異なる一対のストリップ導体Ｓ３、Ｓ４および一対のストリップ導体Ｓ５、Ｓ６について、基本共振に対応する共振点の波形、および、高次共振に対応する共振点の波形を、重ねて示している。具体的には、ストリップ導体Ｓ３は、長さＬが２０ｍｍであり、幅ｗが１６０μｍである。ストリップ導体Ｓ４は、長さＬが４０ｍｍであり、幅ｗが１６０μｍである。ストリップ導体Ｓ５は、長さＬが２０ｍｍであり、幅ｗが１００μｍである。ストリップ導体Ｓ６は、長さＬが４０ｍｍであり、幅ｗが１００μｍである。

【0186】

ストリップ導体Ｓ３、Ｓ５の透過特性の基本共振の共振周波数ｆ_ｒは、いずれも、約４．５ＧＨｚである。また、ストリップ導体Ｓ４、Ｓ６の透過特性の２次共振の共振周波数ｆ_ｒも、いずれも、約４．５ＧＨｚである。したがって、図１２（ｂ）に示す透過特性が得られる場合には、例えば、ストリップ導体Ｓ３の基本共振に対応する共振点、および、ストリップ導体Ｓ６の２次共振に対応する共振点から、前述したパラメーターを取得するようにしてもよい。同様に、ストリップ導体Ｓ４の２次共振に対応する共振点、および、ストリップ導体Ｓ５の基本共振に対応する共振点から、前述したパラメーターを取得するようにしてもよい。

【0187】

上記の例を踏まえると、前述した測定工程Ｓ１０４では、基本共振に対応する共振点から取得されるパラメーターと、高次共振に対応する共振点から取得されるパラメーターと、を混用するようにしてもよい。また、次数ｍが互いに異なる高次共振に対応する共振点から取得されるパラメーター同士を混用するようにしてもよい。図１１に示すマイクロストリップ線路１ａを用いることで、このような次数ｍが互いに異なる共振点からパラメーターを容易に取得することができる。

【0188】

なお、異なる次数ｍの共振点からこれらのパラメーターを取得することができるか否かは、無負荷Ｑ値Ｑ_０を互いに比較して判断することができる。例えば、ストリップ導体Ｓ３について取得される無負荷Ｑ値Ｑ_０と、ストリップ導体Ｓ４について取得される無負荷Ｑ値Ｑ_０と、を比較して、両者の一致度が高い場合には、上記のようなパラメーターの混用が可能になる。図１２（ｂ）では、ストリップ導体Ｓ３、Ｓ４の透過特性を示す波形が共振点近傍においてほぼ重なっているため、共振点から取得される無負荷Ｑ値Ｑ_０についても、一致度が高いといえる。ストリップ導体Ｓ５、Ｓ６についても同様である。

【0189】

以上のように、第１変形例に係るマイクロストリップ線路１ａは、第１ストリップ導体３１１と幅ｗが等しく、長さＬが異なる第３ストリップ導体３１３をさらに備えている。

【0190】

このような構成によれば、様々な周波数における高周波特性の測定、すなわち、次数ｍの異なる共振点からのパラメーターの取得が可能なマイクロストリップ線路１ａを得ることができる。

【0191】

また、第１変形例に係るマイクロストリップ線路１ａは、第２ストリップ導体３１２と幅ｗが等しく、長さＬが異なる第４ストリップ導体３１４をさらに備えている。

【0192】

このような構成によれば、様々な周波数における高周波特性の測定、すなわち、次数ｍの異なる共振点からのパラメーターの取得が可能なマイクロストリップ線路１ａを得ることができる。

【0193】

なお、マイクロストリップ線路１ａが備えるストリップ導体の数は、特に限定されないが、例えば、１０個以上であるのが好ましく、２０個以上であるのがより好ましい。また、ストリップ導体の数の上限値は、特に限定されないが、マイクロストリップ線路１ａが著しく大きくなってしまうのを避けるため、１０００個以下であるのが好ましく、５００個以下であるのがより好ましい。

【0194】

また、幅ｗの数は、３以上であるのが好ましく、５以上であるのがより好ましく、１０以上であるのがさらに好ましい。さらに、長さＬの数は、３以上であるのが好ましく、５以上であるのがより好ましく、１０以上であるのがさらに好ましい。
以上のような第１変形例においても、前記実施形態と同様の効果が得られる。

【0195】

５．第２変形例
次に、第２変形例に係るマイクロストリップ線路について説明する。

【0196】

図１３は、第２変形例に係るマイクロストリップ線路１ｂを示す平面図である。図１４は、第２変形例に係るマイクロストリップ線路の評価方法を説明するための斜視図である。

【0197】

以下、第２変形例について説明するが、以下の説明では、前記実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。なお、各図において前記実施形態と同様の構成には、同一の符号を付している。

【0198】

第２変形例は、ストリップ導体に対するパッド部の配置が異なること以外、前記実施形態と同様である。

【0199】

図１３に示すマイクロストリップ線路１ｂは、図１と同様、第１ストリップ導体３１１、第２ストリップ導体３１２およびパッド部３３を備える。

【0200】

前記実施形態では、第１ストリップ導体３１１の一端３３１と、２つの第１Ａパッド３３５Ａとで、Ｙ軸プラス側の端部の位置がずれている。

【0201】

これに対し、第２変形例では、図１３に示すように、第１Ａパッド３３５Ａの第１Ａ方向の端部が、第１ストリップ導体３１１の一端３３１とＹ軸方向で揃っている。

【0202】

また、前記実施形態では、第１ストリップ導体３１１の他端３３２と、２つの第１Ｂパッド３３５Ｂとで、Ｙ軸マイナス側の端部の位置がずれている。

【0203】

これに対し、第２変形例では、図１３に示すように、第１Ｂパッド３３５Ｂの第１Ｂ方向の端部が、第１ストリップ導体３１１の他端３３２とＹ軸方向で揃っている。

【0204】

このような構成によれば、図１４に示すように、高周波プローブ８１の２つの接地プローブ８１Ｇ、８１Ｇを、２つの第１Ａパッド３３５Ａ、３３５Ａに接触させ、高周波プローブ８１の信号プローブ８１Ｓを、第１ストリップ導体３１１に接触させることができる。同様に、高周波プローブ８２の２つの接地プローブ８２Ｇ、８２Ｇを、２つの第１Ｂパッド３３５Ｂ、３３５Ｂに接触させ、高周波プローブ８２の信号プローブ８２Ｓを、第１ストリップ導体３１１に接触させることができる。これにより、高周波プローブ８２を介してネットワークアナライザー９で透過特性Ｓ_２１を測定することができる。

【0205】

このとき、測定工程Ｓ１０４に代わり、ネットワークアナライザー９の透過特性Ｓ_２１の絶対値から伝送損失αを、透過特性Ｓ_２１の位相から位相定数βを得る工程を行うことができる。また、伝送の無負荷Ｑ値Ｑ_０は下記式（１６）で定義される。

【0206】

【数16】

【0207】

これらを、第１演算工程Ｓ１０６に適用すると、共振周波数に限定されない任意の周波数での実効誘電率と実効導電率を得ることができる。以上のように第２変形例においても、前記実施形態と同様の効果が得られる。

【0208】

６．第３変形例
次に、第３変形例に係るマイクロストリップ線路について説明する。
図１５は、第３変形例に係るマイクロストリップ線路１ｃを示す平面図である。

【0209】

以下、第３変形例について説明するが、以下の説明では、第２変形例との相違点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。なお、各図において第２変形例と同様の構成には、同一の符号を付している。

【0210】

第３変形例は、幅ｗが異なる複数のストリップ導体に加え、長さＬが異なる複数のストリップ導体を備えること以外、第２変形例と同様である。

【0211】

図１５に示すマイクロストリップ線路１ｃが備える導体部３は、第１ストリップ導体３１１および第２ストリップ導体３１２に加え、第３ストリップ導体３１３および第４ストリップ導体３１４を備える。

【0212】

第３ストリップ導体３１３は、第１ストリップ導体３１１のＹ軸マイナス側に配置されている。第４ストリップ導体３１４は、第２ストリップ導体３１２のＹ軸マイナス側に配置されている。

【0213】

第３ストリップ導体３１３および第４ストリップ導体３１４は、誘電体層２の第２面２０２に設けられた導体である。第３ストリップ導体３１３および第４ストリップ導体３１４は、それぞれＹ軸方向に延在する線状をなしている。また、第３ストリップ導体３１３および第４ストリップ導体３１４は、Ｘ軸に沿って並んでいる。

【0214】

図１５では、第３ストリップ導体３１３の幅をｗ３とし、第４ストリップ導体３１４の幅をｗ４とする。第３変形例では、幅ｗ３および幅ｗ４が、ｗ３＜ｗ４の関係を満たしている。また、第３変形例では、幅ｗ１、幅ｗ２、幅ｗ３および幅ｗ４は、ｗ１＝ｗ３の関係およびｗ２＝ｗ４の関係を満たしている。

【0215】

図１５では、第３ストリップ導体３１３の長さをＬ３とし、第４ストリップ導体３１４の長さをＬ４とする。第３変形例では、長さＬ３および長さＬ４が、Ｌ３＝Ｌ４の関係を満たしている。長さＬ３、Ｌ４は、高周波特性を測定する周波数に応じて適宜設定される。また、第３変形例では、長さＬ１、長さＬ２、長さＬ３および長さＬ４は、Ｌ１＜Ｌ３の関係およびＬ２＜Ｌ４の関係を満たしている。

【0216】

マイクロストリップ線路１ｃが、互いに幅ｗが異なるストリップ導体だけでなく、互いに長さＬが異なるストリップ導体を備えることにより、ストリップ導体と高周波プローブの接触の影響を見積ることが可能になる。これにより、様々な周波数での高周波特性を高精度で測定することができる。例えば、第２変形例では、第１ストリップ導体３１１と第２ストリップ導体３１２とを用いて高周波特性を測定しているが、第３変形例では、それだけでなく、第３ストリップ導体３１３と第４ストリップ導体３１４とを用いて高周波特性を測定することもできる。いずれのストリップ導体もプローブの接触の影響が同じであるので、第３ストリップ導体３１３の透過特性から第１ストリップ導体３１１の透過特性を差し引いた値、および、第４ストリップ導体３１４の透過特性から第２ストリップ導体３１２の透過特性を差し引いた値は、高周波プローブとストリップ導体の接触による損失がキャンセルされたものとなる。このため、接触の影響を取り除いたより信頼性の高い測定をすることができる。

【0217】

なお、マイクロストリップ線路１ｃが備えるストリップ導体の数は、特に限定されないが、例えば、１０個以上であるのが好ましく、２０個以上であるのがより好ましい。なお、ストリップ導体の数の上限値は、特に限定されないが、マイクロストリップ線路１ｃが著しく大きくなってしまうのを避けるため、１０００個以下であるのが好ましく、５００個以下であるのがより好ましい。

【0218】

また、幅ｗの数は、前述したように３以上であるのが好ましく、５以上であるのがより好ましく、１０以上であるのがさらに好ましい。さらに、長さＬの数は、３以上であるのが好ましく、５以上であるのがより好ましく、１０以上であるのがさらに好ましい。

【0219】

以上のような第３変形例においても、第１変形例および第２変形例と同様の効果が得られる。

【0220】

７．第４変形例
次に、第４変形例に係るマイクロストリップ線路について説明する。
図１６は、第４変形例に係るマイクロストリップ線路１ｄを示す断面図である。

【0221】

以下、第４変形例について説明するが、以下の説明では、前記実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。なお、各図において前記実施形態と同様の構成には、同一の符号を付している。

【0222】

前記実施形態では、第１ストリップ導体３１１、第２ストリップ導体３１２およびパッド部３３の厚さが、互いに同じである。

【0223】

これに対し、第４変形例では、パッド部３３の厚さが、第１ストリップ導体３１１の厚さおよび第２ストリップ導体３１２の厚さよりも厚くなっている。これにより、例えば、高周波プローブ８１の２つの接地プローブ８１Ｇ、８１Ｇを、２つの第１Ａパッド３３５Ａ、３３５Ａに接触させたとき、高周波プローブ８１の信号プローブ８１Ｓは、第１ストリップ導体３１１から離れた位置に保持される。その結果、前記実施形態と同様、第１ストリップ導体３１１の共振特性の測定が容易になる。すなわち、信号プローブ８１Ｓ、８２Ｓと第１ストリップ導体３１１とが電気的な疎結合となるため、透過特性Ｓ_２１がほぼ第１ストリップ導体３１１の特性のみを反映する状態となる。これにより、高周波特性の測定精度を高めることができる。また、高周波プローブ８１の接触に伴う第１ストリップ導体３１１の損傷を避けることもできる。なお、第１Ｂパッド３３５Ｂ、第２Ａパッド３３６Ａおよび第２Ｂパッド３３６Ｂについても、第１Ａパッド３３５Ａと同様である。
以上のような第４変形例においても、前記実施形態と同様の効果が得られる。

【0224】

８．第５変形例
次に、第５変形例に係るマイクロストリップ線路について説明する。
図１７は、第５変形例に係るマイクロストリップ線路１ｅを示す平面図である。

【0225】

以下、第５変形例について説明するが、以下の説明では、前記実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。なお、各図において前記実施形態と同様の構成には、同一の符号を付している。

【0226】

前記実施形態では、第１ストリップ導体３１１に対し、２つの第１Ａパッド３３５Ａ、３３５Ａおよび２つの第１Ｂパッド３３５Ｂ、３３５Ｂが隣り合うように設けられている。また、第２ストリップ導体３１２に対し、２つの第２Ａパッド３３６Ａ、３３６Ａおよび２つの第２Ｂパッド３３６Ｂ、３３６Ｂが隣り合うように設けられている。

【0227】

これに対し、第５変形例では、図１７に示すように、第１ストリップ導体３１１に対して、１つの第１Ａパッド３３５Ａおよび１つの第１Ｂパッド３３５Ｂが隣り合っている。また、第２ストリップ導体３１２に対し、１つの第２Ａパッド３３６Ａおよび１つの第２Ｂパッド３３６Ｂが隣り合っている。

【0228】

このような構成によれば、図１に示す高周波プローブ８１、８２がＧＳＧプローブではなくＧＳプローブである場合でも、それに適したマイクロストリップ線路１ｅを提供することができる。これにより、高周波プローブ８１、８２の低コスト化を図ることができる。また、パッド部３３の面積を相対的に小さくすることができるので、マイクロストリップ線路１ｅの小型化を図ることができる。

【0229】

以上、本発明のマイクロストリップ線路、露光用マスクおよびマイクロストリップ線路の評価方法を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。

【0230】

例えば、本発明のマイクロストリップ線路および露光用マスクは、それぞれ、前記実施形態および前記変形例の各部が同様の機能を有する任意の構成物に置換されたものであってもよく、前記実施形態および前記変形例に任意の構成物が付加されたものであってもよい。また、本発明のマイクロストリップ線路は、前記実施形態および前記変形例のうち、少なくとも２つ以上が組み合わされたものであってもよい。

【0231】

また、本発明のマイクロストリップ線路の評価方法は、前記実施形態に任意の目的の工程が付加されたものであってもよい。

【符号の説明】

【0232】

１ マイクロストリップ線路
１ａ マイクロストリップ線路
１ｂ マイクロストリップ線路
１ｃ マイクロストリップ線路
１ｄ マイクロストリップ線路
１ｅ マイクロストリップ線路
２ 誘電体層
３ 導体部
６ 露光用マスク
９ ネットワークアナライザー
３０ 接地導体
３３ パッド部
３４ ビア配線
６１ 遮蔽部
６２ 透過部
８１ 高周波プローブ
８１Ｇ 接地プローブ
８１Ｓ 信号プローブ
８２ 高周波プローブ
８２Ｇ 接地プローブ
８２Ｓ 信号プローブ
１００ 金属箔張積層板
２００ 誘電体層
２０１ 第１面
２０２ 第２面
３００ 金属箔
３１１ 第１ストリップ導体
３１２ 第２ストリップ導体
３１３ 第３ストリップ導体
３１４ 第４ストリップ導体
３３１ 一端
３３２ 他端
３３３ 一端
３３４ 他端
３３５Ａ 第１Ａパッド
３３５Ｂ 第１Ｂパッド
３３６Ａ 第２Ａパッド
３３６Ｂ 第２Ｂパッド
７００ フォトレジスト膜
Ｇ１Ａ ずれ
Ｇ１Ｂ ずれ
Ｇ２Ａ ずれ
Ｇ２Ｂ ずれ
ｈ 厚さ
Ｌ１ 長さ
Ｌ２ 長さ
Ｌ３ 長さ
Ｌ４ 長さ
ＬＴ 光
Ｐ１ ピーク
Ｐ２ ピーク
Ｓ１ ストリップ導体
Ｓ２ ストリップ導体
Ｓ３ ストリップ導体
Ｓ４ ストリップ導体
Ｓ５ ストリップ導体
Ｓ６ ストリップ導体
Ｓ１０２ 準備工程
Ｓ１０４ 測定工程
Ｓ１０６ 第１演算工程
Ｓ１０８ 第２演算工程
Ｓ１１０ 第３演算工程
Ｓ１１２ 第４演算工程
Ｓ２０２ 準備工程
Ｓ２０４ レジスト塗布工程
Ｓ２０６ 露光工程
Ｓ２０８ 現像工程
Ｓ２１０ エッチング工程
Ｓ２１２ レジスト除去工程
ｗ１ 幅
ｗ２ 幅
ｗ３ 幅
ｗ４ 幅

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】