特許 7657167 半導体装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2025-03-27

(45)【発行日】2025-04-04

(54)【発明の名称】半導体装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/36 20060101AFI20250328BHJP

   H01L 23/29 20060101ALI20250328BHJP

【ＦＩ】

H01L23/36 D

H01L23/36 A

H01L23/36 Z

【請求項の数】 7

(21)【出願番号】P 2022022276

(22)【出願日】2022-02-16

(65)【公開番号】P2023119393

(43)【公開日】2023-08-28

【審査請求日】2024-02-06

(73)【特許権者】

【識別番号】000006013

【氏名又は名称】三菱電機株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100088672

【弁理士】

【氏名又は名称】吉竹 英俊

(74)【代理人】

【識別番号】100088845

【弁理士】

【氏名又は名称】有田 貴弘

(72)【発明者】

【氏名】松高 佑紀

(72)【発明者】

【氏名】石口 和博

【審査官】相澤 祐介

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１８－１１７０４８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－１４０３９８（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２３／３６

Ｈ０１Ｌ ２３／２９

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

ヒートシンクに接続可能な半導体装置であって、
第１の電極と第２の電極とを有する半導体素子と、
上面視で矩形状に形成され、前記半導体素子を封止する封止樹脂と、
前記第１の電極と電気的に接続され、上面視で前記封止樹脂の第１の辺から突出する第１の放熱板と、
前記第２の電極と電気的に接続され、上面視で前記封止樹脂の前記第１の辺と対向する第２の辺から突出する第２の放熱板と、
前記第１の電極と電気的に接続され、上面視で前記封止樹脂の前記第１の辺から突出する第１の端子と、
前記第２の電極と電気的に接続され、上面視で前記封止樹脂の前記第２の辺から突出する第２の端子と、を備え、
前記第１の放熱板と前記第２の放熱板は、前記ヒートシンクに固定可能である、半導体装置。

【請求項2】

前記第１の放熱板と前記第２の放熱板のうちの一方の放熱板は段差を有し、
前記一方の放熱板の先端部の下面の高さ位置と他方の放熱板の基端部の上面の高さ位置は同じである、請求項１に記載の半導体装置。

【請求項3】

前記第１の放熱板と前記第２の放熱板は、前記封止樹脂の同じ高さ位置から突出しており、かつ、段差を有していない、請求項１に記載の半導体装置。

【請求項4】

前記第１の放熱板と前記第２の放熱板には、それぞれ前記ヒートシンクに固定するためのネジ穴が設けられた、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置。

【請求項5】

前記第１の放熱板と前記第２の放熱板には、それぞれ前記ヒートシンクに固定するためのネジ穴が設けられていない、請求項３に記載の半導体装置。

【請求項6】

前記第２の放熱板の基端部は、前記封止樹脂の内周側へ延在し、前記封止樹脂における前記ヒートシンクに固定される面とは反対側の面から露出している、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置。

【請求項7】

前記半導体素子はトランジスタまたはダイオードである、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の半導体装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、半導体装置に関するものである。

【背景技術】

【0002】

スルーホール型パッケージの半導体装置を用いてブリッジ回路を構成する場合、ボンディングワイヤ、リード端子、および基板を介して複数の半導体装置を接続する必要がある。そのため、寄生インダクタンスが大きくなり、サージ電圧が発生しやすい。サージ電圧を抑制するためには、半導体装置が備える半導体素子のスイッチング速度を低下させる必要がある。特に半導体素子の半導体材料がワイドバンドギャップ半導体である場合、従来のＳｉの場合と比べてスイッチング速度が高速であるため、サージ電圧の抑制が課題となる。

【0003】

例えば、特許文献１には、表面実装型パッケージの半導体装置が開示されている。特許文献１に記載の半導体装置は、封止樹脂と、封止樹脂から突出する複数のリードと、複数のリードと電気的に接続される複数の半導体素子とを備え、複数のリードのうちの金属板（放熱板に相当する）を介して複数の半導体装置が接続可能である。特許文献１に記載の半導体装置では、スルーホール型パッケージの場合と比べて寄生インダクタンスが低減するため、サージ電圧の発生を抑制することが可能となる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】国際公開第２０２０／２５５６６３号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかしながら、特許文献１に記載の半導体装置では、金属板として入力リードと出力リードが設けられているが、これらをヒートシンクに固定することは想定されていない。そのため、半導体装置の放熱性を向上させることは難しかった。

【0006】

そこで、本開示は、半導体装置において、サージ電圧の発生を抑制すると共に放熱性を向上させることが可能な技術を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本開示に係る半導体装置は、ヒートシンクに接続可能な半導体装置であって、第１の電極と第２の電極とを有する半導体素子と、上面視で矩形状に形成され、前記半導体素子を封止する封止樹脂と、前記第１の電極と電気的に接続され、上面視で前記封止樹脂の第１の辺から突出する第１の放熱板と、前記第２の電極と電気的に接続され、上面視で前記封止樹脂の前記第１の辺と対向する第２の辺から突出する第２の放熱板と、前記第１の電極と電気的に接続され、上面視で前記封止樹脂の前記第１の辺から突出する第１の端子と、前記第２の電極と電気的に接続され、上面視で前記封止樹脂の前記第２の辺から突出する第２の端子と、を備え、前記第１の放熱板と前記第２の放熱板は、前記ヒートシンクに固定可能である。

【発明の効果】

【0008】

本開示によれば、例えば２つの半導体装置を接続する場合に、一方の半導体装置の第１の放熱板と、他方の半導体装置の第２の放熱板とを接続することができるため、寄生インダクタンスが低減し、サージ電圧の発生を抑制することができる。

【0009】

また、第１の放熱板と第２の放熱板とをヒートシンクに固定することで、半導体装置の放熱性を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】実施の形態１に係る半導体装置の斜視図である。

【図2】実施の形態１に係る半導体装置の上面図および正面図である。

【図3】実施の形態１に係る半導体装置を複数接続してヒートシンクに固定した状態を示す正面図である。

【図4】実施の形態１の変形例に係る半導体装置の斜視図である。

【図5】実施の形態１の変形例に係る半導体装置の上面図および正面図である。

【図6】実施の形態２に係る半導体装置の斜視図である。

【図7】実施の形態２に係る半導体装置の上面図および正面図である。

【図8】実施の形態２に係る半導体装置を複数接続してヒートシンクに固定した状態を示す正面図である。

【図9】実施の形態３に係る半導体装置の斜視図である。

【図10】実施の形態３に係る半導体装置の上面図および正面図である。

【図11】実施の形態３に係る半導体装置を複数接続してヒートシンクに固定した状態を示す正面図である。

【図12】実施の形態４に係る半導体装置の斜視図である。

【図13】実施の形態４に係る半導体装置の上面図および正面図である。

【図14】実施の形態４に係る半導体装置を複数接続してヒートシンクに固定した状態を示す正面図である。

【図15】実施の形態５に係る半導体装置の斜視図である。

【図16】実施の形態５に係る半導体装置の上面図および正面図である。

【図17】実施の形態５に係る半導体装置を複数接続してヒートシンクに固定した状態を示す正面図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

＜実施の形態１＞
実施の形態１について、図面を用いて以下に説明する。図１は、実施の形態１に係る半導体装置１の斜視図である。図２（ａ）は、半導体装置１の上面図であり、図２（ｂ）は、半導体装置１の正面図である。図３は、半導体装置１を複数接続してヒートシンク９に固定した状態を示す正面図である。

【0012】

図１において、Ｘ方向、Ｙ方向およびＺ方向は、互いに直交する。以下の図に示されるＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向も、互いに直交する。以下においては、Ｘ方向と、当該Ｘ方向の反対の方向である－Ｘ方向とを含む方向を「Ｘ軸方向」ともいう。また、以下においては、Ｙ方向と、当該Ｙ方向の反対の方向である－Ｙ方向とを含む方向を「Ｙ軸方向」ともいう。また、以下においては、Ｚ方向と、当該Ｚ方向の反対の方向である－Ｚ方向とを含む方向を「Ｚ軸方向」ともいう。

【0013】

図１と図２（ａ），（ｂ）に示すように、半導体装置１は、表面実装型パッケージの半導体装置であり、半導体素子（図示しない）と、封止樹脂２と、ゲート端子３と、第１の端子としての２本のドレイン端子４と、第２の端子としての２本のソース端子５と、ドライバソース端子６と、第１の放熱板としての放熱板７と、第２の放熱板としての放熱板８とを備えている。

【0014】

実施の形態１では、半導体素子は、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）であり、ゲート電極から信号が入力されることでソース電極からドレイン電極へ電流を流す。封止樹脂２は、上面視で矩形状に形成され、半導体素子を封止している。封止樹脂２は、上面視で第１の辺と、第２の辺と、第３の辺と、第４の辺とを有している。ここで、第１の辺とは、封止樹脂２におけるＸ方向の辺であり、第２の辺とは、封止樹脂２における－Ｘ方向の辺である。第３の辺とは、封止樹脂２における－Ｙ方向の辺であり、第４の辺とは、封止樹脂２におけるＹ方向の辺である。

【0015】

２本のドレイン端子４は、半導体素子のドレイン電極と電気的に接続され、上面視で封止樹脂２の第１の辺と交差する第３の辺から上方（Ｚ方向）へ突出している。２本のソース端子５は、半導体素子のソース電極と電気的に接続され、上面視で封止樹脂２の第３の辺から上方（Ｚ方向）へ突出している。ゲート端子３は、半導体素子のゲート電極と電気的に接続され、上面視で封止樹脂２の第３の辺と対向する第４の辺から上方（Ｚ方向）へ突出している。ドライバソース端子６は、半導体素子のドライバソース電極と電気的に接続され、上面視で封止樹脂２の第４の辺から上方（Ｚ方向）へ突出している。ここで、ドレイン電極が第１の電極に相当し、ソース電極が第２の電極に相当する。

【0016】

図３に示すように、放熱板７と放熱板８は、絶縁シート１０を介してヒートシンク９に固定され、半導体素子で発生する熱をヒートシンク９へ伝える。図１と図２（ａ），（ｂ）に示すように、放熱板７は、半導体素子のドレイン電極と電気的に接続され、上面視で封止樹脂２の第１の辺からＸ方向へ突出している。放熱板８は、半導体素子のソース電極と電気的に接続され、上面視で封止樹脂２の第１の辺と対向する第２の辺から－Ｘ方向へ突出している。２本のドレイン端子４は、封止樹脂２の第３の辺における放熱板７側（Ｘ方向）に設けられ、２本のソース端子５は、封止樹脂２の第３の辺における放熱板８側（－Ｘ方向）に設けられている。

【0017】

放熱板７は、例えば銅製の板状部材により形成され、段差を有していない。放熱板７の先端部には、上面から下面に貫通するネジ穴７ａが設けられている。図３に示すように、ネジ穴７ａにはネジ１２が挿通される。ネジ１２は、半導体装置１をヒートシンク９に固定する機能と、Ｘ軸方向に沿って配置された複数の半導体装置１同士を接続する機能を有している。ここで、放熱板７の基端部は、放熱板７におけるネジ穴７ａよりも－Ｘ方向の部分である。

【0018】

図１と図２（ａ），（ｂ）に示すように、放熱板８は、例えば銅製の２つの板状部材の端部をＺ方向に重ねた状態で接合することで段差８ｂを有するように形成されている。放熱板８の先端部には、上面から下面に貫通するネジ穴８ａが設けられている。図３に示すように、ネジ穴８ａにはネジ１２が挿通される。ここで、放熱板８の基端部は、放熱板８におけるネジ穴８ａよりもＸ方向の部分である。

【0019】

放熱板７と放熱板８は、封止樹脂２の同じ高さ位置から突出している。放熱板８の先端部の下面と基端部の下面との間には段差８ｂが設けられており、放熱板８の先端部の下面の高さ位置と、放熱板７の基端部の上面の高さ位置は同じである。

【0020】

図３に示すように、絶縁シート１０を介してヒートシンク９の上面（＋Ｚ方向の面）に２つの半導体装置１を固定する際、左側（－Ｘ方向）の半導体装置１では、放熱板８の段差８ｂ、つまり、放熱板８の先端部と絶縁シート１０との間の距離を解消するためにスペーサー１１ｂが放熱板８の先端部の下面（－Ｚ方向の面）に配置され、スペーサー１１ｂは放熱板８と共にネジ１２でヒートシンク９に固定されている。また、ネジ１２とヒートシンク９とを絶縁するために、ネジ１２とヒートシンク９との間にスペーサー１１ａが介在されている。

【0021】

左側（－Ｘ方向）の半導体装置１における放熱板７の基端部の上面（Ｚ方向の面）に右側（Ｘ方向）の半導体装置１における放熱板８の先端部の下面（－Ｚ方向の面）を密着させる。放熱板７と放熱板８とを密着させた状態では、放熱板７のネジ穴７ａと放熱板８のネジ穴８ａは連通している。放熱板８と放熱板７は、ネジ１２でヒートシンク９に固定されている。また、ネジ１２とヒートシンク９とを絶縁するために、ネジ１２とヒートシンク９との間にスペーサー１１ａが介在されている。

【0022】

右側（Ｘ方向）の半導体装置１では、当該半導体装置１の放熱板７に使用されるネジ１２の高さ位置を他のネジ１２の高さ位置を合わせるためにスペーサー１１ｂが放熱板７の上面（Ｚ方向の面）に配置され、スペーサー１１ｂは放熱板７と共にネジ１２で固定されている。また、ネジ１２とヒートシンク９とを絶縁するために、ネジ１２とヒートシンク９との間にスペーサー１１ａが介在されている。なお、図示しないが、各リード端子３～６は、半導体装置１が実装される基板に設けられたパターンに電気的に接続される。

【0023】

上記のように、放熱板７の先端部の下面の高さ位置と、放熱板８の基端部の上面の高さ位置は同じであることから、２つの半導体装置１が取付箇所から浮き上がることなく、右側（Ｘ方向）の半導体装置１が備える放熱板８と左側（－Ｘ方向）の半導体装置１が備える放熱板７とを密着させた状態で接続することができる。

【0024】

なお、放熱板７の先端部の下面の高さ位置と、放熱板８の基端部の上面の高さ位置が同じとは、完全に同じである場合だけではなく製造誤差などにより多少の違いがある場合も含むものとする。

【0025】

また、放熱板７，８のうちの一方に段差が設けられていればよく、放熱板７に段差が設けられていてもよい。

【0026】

以上のように、実施の形態１に係る半導体装置１は、ヒートシンク９に接続可能な半導体装置１であって、ドレイン電極とソース電極とを有する半導体素子と、上面視で矩形状に形成され、半導体素子を封止する封止樹脂２と、ドレイン電極と電気的に接続され、上面視で封止樹脂２の第１の辺から突出する放熱板７と、ソース電極と電気的に接続され、上面視で封止樹脂２の第１の辺と対向する第２の辺から突出する放熱板８と、ドレイン電極と電気的に接続され、上面視で封止樹脂２の第１の辺と交差する第３の辺から突出するドレイン端子４と、ソース電極と電気的に接続され、上面視で封止樹脂の第３の辺から突出するソース端子５とを備え、放熱板７と放熱板８は、ヒートシンク９に固定可能である。

【0027】

したがって、例えば２つの半導体装置１を接続する場合に、一方の半導体装置１の放熱板７と、他方の半導体装置１の放熱板８とを接続することができるため、寄生インダクタンスが低減し、サージ電圧の発生を抑制することができる。

【0028】

また、放熱板７と放熱板８とをヒートシンク９に固定することで、半導体装置１の放熱性を向上させることができる。

【0029】

また、複数の製品を用いてブリッジ回路等を構成する際に、製品間または並列アーム間の回路パターンの対称性を保持しやすいため、製品間または並列アーム間の電流アンバランスを抑制することができる。

【0030】

また、放熱板７と放熱板８のうちの一方の放熱板は段差を有し、一方の放熱板の先端部の下面の高さ位置と他方の放熱板の基端部の上面の高さ位置は同じであるため、半導体装置１が取付箇所から浮き上がることなく、右側（Ｘ方向）の半導体装置１が備える放熱板８と左側（－Ｘ方向）の半導体装置１が備える放熱板７とを密着させた状態で接続することができる。

【0031】

また、放熱板７と放熱板８には、それぞれヒートシンク９に固定するためのネジ穴７ａ，８ａが設けられているため、放熱板７，８同士の接続をネジ１２により容易に行うことができる。

【0032】

＜実施の形態１の変形例＞
次に、実施の形態１の変形例について説明する。半導体素子は、ＭＯＳＦＥＴ以外のトランジスタであってもよい。ＭＯＳＦＥＴ以外のトランジスタとしては、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）等がある。または、半導体素子はダイオードであってもよい。以降の実施の形態においても同様である。

【0033】

次に、半導体素子がダイオードの場合の半導体装置１Ａについて説明する。図４は、実施の形態１の変形例に係る半導体装置１Ａの斜視図である。図５（ａ）は、半導体装置１Ａの上面図であり、図５（ｂ）は、半導体装置１Ａの正面図である。

【0034】

図４と図５（ａ），（ｂ）に示すように、半導体装置１Ａは、半導体素子（図示しない）と、封止樹脂２と、第１の端子としての２本のカソード端子２４と、第２の端子としての２本のアノード端子２５と、第１の放熱板としての放熱板７と、第２の放熱板としての放熱板８とを備えている。

【0035】

２本のカソード端子２４は、半導体素子のカソード電極と電気的に接続され、上面視で封止樹脂２の第１の辺と交差する第３の辺から上方（Ｚ方向）へ突出している。２本のアノード端子２５は、半導体素子のアノード電極と電気的に接続され、上面視で封止樹脂２の第３の辺から上方（Ｚ方向）へ突出している。

【0036】

放熱板７は、半導体素子のカソード電極と電気的に接続され、上面視で封止樹脂２の第１の辺からＸ方向へ突出している。放熱板８は、半導体素子のアノード電極と電気的に接続され、上面視で封止樹脂２の第１の辺と対向する第２の辺から－Ｘ方向へ突出している。なお、半導体装置１Ａのその他の構成については、半導体装置１の場合と同じであるため説明を省略する。

【0037】

＜実施の形態２＞
次に、実施の形態２に係る半導体装置１Ｂについて説明する。図６は、実施の形態２に係る半導体装置１Ｂの斜視図である。図７（ａ）は、半導体装置１Ｂの上面図であり、図７（ｂ）は、半導体装置１Ｂの正面図である。図８は、半導体装置１Ｂを複数接続してヒートシンク９に固定した状態を示す正面図である。なお、実施の形態２において、実施の形態１で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。

【0038】

図６～図８に示すように、実施の形態２に係る半導体装置１Ｂは、表面実装型パッケージの半導体装置であり、実施の形態２では、実施の形態１に対して各端子の位置が異なっている。

【0039】

第１の端子としての２本のドレイン端子４は、上面視で封止樹脂２の第１の辺から上方（Ｚ方向）に突出している。２本のドレイン端子４は、放熱板７よりも前側（－Ｙ方向）に設けられている。

【0040】

第２の端子としての２本のソース端子５は、上面視で封止樹脂２の第２の辺から上方（Ｚ方向）に突出している。２本のソース端子５は、放熱板７よりも前側（－Ｙ方向）に設けられている。

【0041】

ゲート端子３とドライバソース端子６は、上面視で封止樹脂２の第２の辺から上方（Ｚ方向）へ突出している。ゲート端子３とドライバソース端子６は、放熱板７よりも後側（Ｙ方向）に設けられている。

【0042】

以上のように、実施の形態２に係る半導体装置１Ｂは、ヒートシンク９に接続可能な半導体装置１Ｂであって、ドレイン電極とソース電極とを有する半導体素子と、上面視で矩形状に形成され、半導体素子を封止する封止樹脂２と、ドレイン電極と電気的に接続され、上面視で封止樹脂２の第１の辺から突出する放熱板７と、ソース電極と電気的に接続され、上面視で封止樹脂２の第１の辺と対向する第２の辺から突出する放熱板８と、ドレイン電極と電気的に接続され、上面視で封止樹脂２の第１の辺から突出するドレイン端子４と、ソース電極と電気的に接続され、上面視で封止樹脂２の第２の辺から突出するソース端子５とを備え、放熱板７と放熱板８は、ヒートシンク９に固定可能である。

【0043】

したがって、実施の形態１の場合と同様に、半導体装置１Ｂにおいて、サージ電圧の発生を抑制すると共に放熱性を向上させることができる。さらに、実施の形態１の場合よりも、ドレイン端子４とソース端子５との間の沿面距離を長くすることができるため、半導体装置１Ｂの高耐圧化が可能となる。

【0044】

＜実施の形態３＞
次に、実施の形態３に係る半導体装置１Ｃについて説明する。図９は、実施の形態３に係る半導体装置１Ｃの斜視図である。図１０（ａ）は、半導体装置１Ｃの上面図であり、図１０（ｂ）は、半導体装置１Ｃの正面図である。図１１は、実施の形態３に係る半導体装置１Ｃを複数接続してヒートシンク９に固定した状態を示す正面図である。なお、実施の形態３において、実施の形態１，２で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。

【0045】

図９～図１１に示すように、実施の形態３に係る半導体装置１Ｃは、スルーホール型パッケージの半導体装置であり、実施の形態３では、実施の形態１に対して放熱板８の形状が異なっている。具体的には、放熱板７と放熱板８は、封止樹脂２の同じ高さ位置から突出しており、かつ、段差を有していない。

【0046】

図１１に示すように、ヒートシンク９の上面（＋Ｚ方向の面）には絶縁セラミック板１３が設けられ、絶縁セラミック板１３の上面（＋Ｚ方向の面）には銅パターン１４が設けられている。銅パターン１４と絶縁セラミック板１３とを介してヒートシンク９の上面（＋Ｚ方向の面）に複数の半導体装置１Ｃを接続する際、それぞれ放熱板７のネジ穴７ａと放熱板８のネジ穴８ａにネジ１２が挿通されている。また、ネジ１２とヒートシンク９とを絶縁するために、ネジ１２とヒートシンク９との間にスペーサー１１ａが介在されている。

【0047】

実施の形態３では、左側（－Ｘ方向）の半導体装置１Ｃが備える放熱板７と右側（Ｘ方向）の半導体装置１Ｃが備える放熱板８とが直接接続されていないが、これらは銅パターン１４を介して電気的に接続されている。これにより、ドレイン端子４とソース端子５のインダクタンスを低減可能であり、ドレイン端子４とソース端子５とを低インピーダンスで接続可能となる。

【0048】

なお、実施の形態３に実施の形態２の各端子の配置位置を採用することも可能である。

【0049】

以上のように、実施の形態３に係る半導体装置１Ｃでは、放熱板７と放熱板８は、封止樹脂２の同じ高さ位置から突出しており、かつ、段差を有していない。半導体装置１Ｃは、スルーホール型パッケージの半導体装置であり、ヒートシンク９の上面（＋Ｚ方向の面）には絶縁セラミック板１３が設けられ、絶縁セラミック板１３の上面（＋Ｚ方向の面）には銅パターン１４が設けられているため、ネジ締めにより、左側（－Ｘ方向）の半導体装置１Ｃが備える放熱板７と右側（Ｘ方向）の半導体装置１Ｃが備える放熱板８とを銅パターン１４を介して電気的に接続可能となる。

【0050】

これにより、実施の形態１の場合と同様に、半導体装置１Ｃにおいて、サージ電圧の発生を抑制すると共に放熱性を向上させることができる。さらに、放熱板７と放熱板８とを直接接続しないため、スペーサー１１ｂが不要となり、実施の形態１の場合よりも、スペーサーの種類を削減することができる。

【0051】

＜実施の形態４＞
次に、実施の形態４に係る半導体装置１Ｄについて説明する。図１２は、実施の形態４に係る半導体装置１Ｄの斜視図である。図１３（ａ）は、半導体装置１Ｄの上面図であり、図１３（ｂ）は、半導体装置１Ｄの正面図である。図１４は、実施の形態４に係る半導体装置１Ｄを複数接続してヒートシンク９に固定した状態を示す正面図である。なお、実施の形態４において、実施の形態１～３で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。

【0052】

図１２～図１４に示すように、実施の形態４に係る半導体装置１Ｄは、スルーホール型パッケージの半導体装置であり、実施の形態４では、実施の形態３に対して放熱板７と放熱板８には、それぞれネジ穴７ａ，８ａが設けられていない。そのため、放熱板７と放熱板８は、はんだ１５を介して銅パターン１４に接合されている。

【0053】

なお、実施の形態４に実施の形態２の各端子の配置位置を採用することも可能である。

【0054】

以上のように、実施の形態４に係る半導体装置１Ｄでは、放熱板７と放熱板８には、それぞれヒートシンク９に固定するためのネジ穴７ａ，８ａが設けられていない。したがって、実施の形態１の場合と同様に、半導体装置１Ｄにおいて、サージ電圧の発生を抑制すると共に放熱性を向上させることができる。さらに、銅パターン１４を介して放熱板７と放熱板８をヒートシンク９に固定する際にネジ１２を使用しないため、スペーサー１１ａ，１１ｂが不要となる。

【0055】

＜実施の形態５＞
次に、実施の形態５に係る半導体装置１Ｅについて説明する。図１５は、実施の形態５に係る半導体装置１Ｅの斜視図である。図１６（ａ）は、半導体装置１Ｅの上面図であり、図１６（ｂ）は、半導体装置１Ｅの正面図である。図１７は、半導体装置１Ｅを複数接続してヒートシンク９に固定した状態を示す正面図である。なお、実施の形態５において、実施の形態１～４で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。

【0056】

図１５～図１７に示すように、実施の形態５に係る半導体装置１Ｅは、スルーホール型パッケージの半導体装置であり、実施の形態５では、実施の形態４に対して、放熱板８の基端部８ｃが封止樹脂２の内周側へ延在し、封止樹脂２におけるヒートシンク９に固定される面（－Ｚ方向の面）とは反対側の面（Ｚ方向の面）から露出している。すなわち、放熱板８の一部が封止樹脂２の上面（Ｚ方向の面）から露出している。これにより、実施の形態１～４の場合よりも、放熱板８の露出面積が増加する。

【0057】

なお、実施の形態１～３に実施の形態５の放熱板８の構造を採用することも可能である。

【0058】

以上のように、実施の形態５に係る半導体装置１Ｅでは、放熱板８の基端部８ｃが封止樹脂２の内周側へ延在し、封止樹脂２におけるヒートシンク９に固定される面（－Ｚ方向の面）とは反対側の面（Ｚ方向の面）から露出している。したがって、実施の形態１の場合と同様に、半導体装置１Ｅにおいて、サージ電圧の発生を抑制すると共に放熱性を向上させることができる。さらに、実施の形態１～４の場合よりも、放熱板８の露出面積が増加するため、半導体装置１Ｅの放熱性をさらに向上させることが可能となる。

【0059】

なお、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。

【符号の説明】

【0060】

１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ 半導体装置、２ 封止樹脂、４ ドレイン端子、５ ソース端子、７，８ 放熱板、７ａ，８ａ ネジ穴、８ｂ 段差、８ｃ 基端部、９ ヒートシンク、２４ カソード端子、２５ アノード端子。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】