特許 7658477 静電チャック

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B1)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2025-03-31

(45)【発行日】2025-04-08

(54)【発明の名称】静電チャック

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/683 20060101AFI20250401BHJP

   H01L 21/3065 20060101ALI20250401BHJP

   H02N 13/00 20060101ALI20250401BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 R

H01L21/302 101G

H02N13/00 D

【請求項の数】 4

(21)【出願番号】P 2024009229

(22)【出願日】2024-01-25

【審査請求日】2024-07-08

【早期審査対象出願】

(73)【特許権者】

【識別番号】000010087

【氏名又は名称】ＴＯＴＯ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100140486

【弁理士】

【氏名又は名称】鎌田 徹

(74)【代理人】

【識別番号】100079108

【弁理士】

【氏名又は名称】稲葉 良幸

(74)【代理人】

【識別番号】100121843

【弁理士】

【氏名又は名称】村井 賢郎

(74)【代理人】

【識別番号】100170058

【弁理士】

【氏名又は名称】津田 拓真

(72)【発明者】

【氏名】佐々木 雄基

(72)【発明者】

【氏名】白石 純

(72)【発明者】

【氏名】籾山 大

(72)【発明者】

【氏名】板倉 郁夫

(72)【発明者】

【氏名】佐々木 均

【審査官】杢 哲次

(56)【参考文献】

【文献】特開２０２３－１３０６７８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１６－９６３３６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２３－１４９６５９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２０－１５００７１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特許第６７２９７３５（ＪＰ，Ｂ１）

【文献】特許第６５０４５３２（ＪＰ，Ｂ１）

【文献】特開２０２３－４４７０４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／６８３

Ｈ０１Ｌ ２１／３０６５

Ｈ０２Ｎ １３／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

被吸着物が載置される載置面を有する誘電体基板と、
前記誘電体基板に接合されたベースプレートと、を備え、
前記ベースプレートは、
前記誘電体基板側の部分である第１部分と、
前記第１部分に対し前記誘電体基板とは反対側から隣り合う部分であって、前記載置面に対し垂直な方向から見たときの外形が前記第１部分の外形よりも大きな第２部分と、を有し、
前記ベースプレートは、
複数の部材を接合することにより構成されており、最も前記誘電体基板側の接合境界が前記第２部分にあり、
前記ベースプレートを構成する複数の前記部材のうち、
前記接合境界よりも前記誘電体基板側にある部材を第１部材とし、
前記接合境界を挟んで前記第１部材に接合されている部材を第２部材としたときに、
前記第１部材には、前記載置面側にガスを供給するための供給流路が、前記載置面に対して垂直な方向に伸びるように形成されており、
前記供給流路は複数形成されており、
前記ベースプレートには、
複数の前記供給流路にガスを分配するための分配流路が更に形成されており、
前記分配流路は、前記第１部材又は前記第２部材のいずれかにおいて、前記接合境界となる面に形成された溝であることを特徴とする静電チャック。

【請求項2】

前記供給流路の内部には多孔質部材が配置されていることを特徴とする、請求項１に記載の静電チャック。

【請求項3】

前記分配流路は、前記第１部材において前記接合境界となる面に形成された溝であることを特徴とする、請求項１に記載の静電チャック。

【請求項4】

前記ベースプレートを構成する複数の前記部材のうち、
前記第２部材に対し、前記第１部材とは反対側から接合されている部材を第３部材とし
たときに、
前記ベースプレートの内部には冷媒を通すための冷媒流路が形成されており、
前記冷媒流路は、前記第２部材において、前記第３部材に接合される面に形成された溝であることを特徴とする、請求項１に記載の静電チャック。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は静電チャックに関する。

【背景技術】

【0002】

例えばエッチング装置のような半導体製造装置には、処理の対象となるシリコンウェハ等の基板を吸着し保持するための装置として、静電チャックが設けられる。静電チャックは、吸着電極が設けられた誘電体基板と、誘電体基板を支持するベースプレートと、を備え、これらが互いに接合された構成を有する。吸着電極に電圧が印加されると静電力が生じ、誘電体基板上に載置された基板が吸着され保持される。

【0003】

下記特許文献１に記載されているように、ベースプレートの内部には、冷媒を通すための冷媒流路等が形成される。冷媒流路等の形成を容易なものとするために、ベースプレートは、複数の部材を接合した構成とされるのが一般的である。例えば、一つの部材の表面に溝を形成し、当該表面を覆うように他の部材を接合すれば、溝に沿った流路をベースプレートの内部に容易に形成することができる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特開２０１５－３５４４７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

ベースプレートには、上記の冷媒流路に加えて、誘電体基板の載置面側へとガスを導くための供給流路も形成される。また、当該供給流路の内部には、放電を防止するための多孔質部材が配置されることもある。このように、ベースプレートのうち誘電体基板の近傍部分における内部構造は、比較的複雑であることが多い。

【0006】

上記のように、ベースプレートは、複数の部材を互いに接合した構成とされるのが一般的である。上記のように複雑な内部構造を実現するにあたり、ベースプレートにおいて部材間の接合境界をどのような位置とすべきかについて、従来の静電チャックには更なる改良の余地があった。

【0007】

本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、ベースプレートの複雑な内部構造を容易に実現することのできる静電チャック、を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0008】

上記課題を解決するために、本発明に係る静電チャックは、被吸着物が載置される載置面を有する誘電体基板と、誘電体基板に接合されたベースプレートと、を備える。ベースプレートは、誘電体基板側の部分である第１部分と、第１部分に対し誘電体基板とは反対側から隣り合う部分であって、載置面に対し垂直な方向から見たときの外形が第１部分の外形よりも大きな第２部分と、を有する。ベースプレートは、複数の部材を接合することにより構成されており、最も誘電体基板側の接合境界が第２部分にある。

【0009】

上記構成の静電チャックでは、複数の部材を接合することによりベースプレートが構成されており、最も誘電体基板側の接合境界が、第１部分ではなく第２部分にある。接合境界が第１部分にある場合に比べて、最も誘電体基板側にある部材が厚くなるので、例えば、ガスの供給流路に多孔質部材を配置する作業等を容易なものとすることができる。これにより、ベースプレートにおける複雑な内部構造を容易に実現することができる。

【発明の効果】

【0010】

本発明によれば、ベースプレートの複雑な内部構造を容易に実現することのできる静電チャック、を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】本実施形態に係る静電チャックの構成を模式的に示す断面図である。

【図2】ベースプレートの内部における分配流路等の構成を模式的に示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下、添付図面を参照しながら本実施形態について説明する。説明の理解を容易にするため、各図面において同一の構成要素に対しては可能な限り同一の符号を付して、重複する説明は省略する。

【0013】

本実施形態に係る静電チャック１０は、例えばエッチング装置のような不図示の半導体製造装置の内部において、処理対象となる基板Ｗを静電力によって吸着し保持するものである。被吸着物である基板Ｗは、例えばシリコンウェハである。静電チャック１０は、半導体製造装置以外の装置に用いられてもよい。

【0014】

図１には、基板Ｗを吸着保持した状態の静電チャック１０の構成が、模式的な断面図として示されている。静電チャック１０は、誘電体基板１００と、ベースプレート２００と、を備える。

【0015】

誘電体基板１００は、セラミック焼結体からなる略円盤状の部材である。誘電体基板１００は、例えば高純度の酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）を含むが、他の材料を含んでもよい。誘電体基板１００におけるセラミックスの純度や種類、添加物等は、半導体製造装置において誘電体基板１００に求められる耐プラズマ性等を考慮して、適宜設定することができる。誘電体基板１００の直径は例えば２９０～３００ｍｍである。誘電体基板１００の厚さは例えば０．５～３．０ｍｍである。

【0016】

誘電体基板１００のうち図１における上方側の面１１０は、基板Ｗが載置される「載置面」となっている。また、誘電体基板１００のうち図１における下方側の面１２０は、接合層３００を介してベースプレート２００に接合される「被接合面」となっている。面１１０に対し垂直な方向に沿って、面１１０側から静電チャック１０を見た場合の視点のことを、以下では「上面視」のようにも表記する。

【0017】

誘電体基板１００の内部には吸着電極１３０が埋め込まれている。吸着電極１３０は、例えばタングステン等の金属材料により形成された薄い平板状の層であり、面１１０に対し平行となるように配置されている。吸着電極１３０の材料としては、タングステンの他、モリブデン、白金、パラジウム等を用いてもよい。不図示の給電路を介して外部から吸着電極１３０に電圧が印加されると、面１１０と基板Ｗとの間に静電力が生じ、これにより基板Ｗが吸着保持される。上記給電路の構成としては、公知となっている種々の構成を採用することができる。吸着電極１３０は、本実施形態のように所謂「単極」の電極として１つだけ設けられていてもよいが、所謂「双極」の電極として２つ設けられていてもよい。吸着電極１３０が配置されている位置の深さ、すなわち、後述の底面１１６から吸着電極１３０までの距離は、例えば０．１～０．５ｍｍである。

【0018】

図１に示されるように、誘電体基板１００と基板Ｗとの間には空間ＳＰが形成されている。半導体製造装置においてエッチング等の処理が行われる際には、空間ＳＰには、後述の供給流路１４０を介して外部から温度調整用のヘリウムガスが供給される。誘電体基板１００と基板Ｗとの間にヘリウムガスを介在させることで、両者間の熱抵抗が調整され、これにより基板Ｗの温度が適温に保たれる。尚、空間ＳＰに供給される温度調整用のガスは、ヘリウムとは異なる種類のガスであってもよい。

【0019】

載置面である面１１０上にはシールリング１１１やドット１１２が設けられており、上記の空間ＳＰはこれらの周囲に形成されている。

【0020】

シールリング１１１は、最外周となる位置において空間ＳＰを区画する壁である。シールリング１１１は、面１１０側に形成された環状の突起である。シールリング１１１の先端（図１における上端）は面１１０の一部となっており、基板Ｗに当接する。シールリング１１１の先端は、載置面である面１１０のうち最も外周側の部分、ということができる。

【0021】

尚、空間ＳＰを分割するように複数のシールリング１１１が設けられていてもよい。このような構成とすることで、それぞれの空間ＳＰにおけるヘリウムガスの圧力を個別に調整し、処理中における基板Ｗの表面温度分布を均一に近づけることが可能となる。

【0022】

図１において符号「１１６」が付されている部分は、空間ＳＰの底面である。以下では、当該部分のことを「底面１１６」とも称する。シールリング１１１は、次に述べるドット１１２と共に、面１１０の一部を底面１１６の位置まで掘り下げた結果として形成されている。

【0023】

ドット１１２は、底面１１６から突出する円形の突起である。ドット１１２は複数設けられており、誘電体基板１００の載置面において略均等に分散配置されている。それぞれのドット１１２の先端は、面１１０の一部となっており、基板Ｗに当接する。このようなドット１１２を複数設けておくことで、基板Ｗの撓みが抑制される。

【0024】

誘電体基板１００には供給流路１４０が形成されている。供給流路１４０は、載置面である面１１０に対し垂直な方向に伸びるように形成された貫通穴である。供給流路１４０のうち面１１０側の端部は、空間ＳＰに繋がっている。供給流路１４０は、空間ＳＰに向けてヘリウムガスを供給するための流路の一部である。誘電体基板１００において、供給流路１４０は複数形成されているのであるが、図１においてはそのうちの１つのみが図示されている。

【0025】

図１に示されるように、供給流路１４０のうち面１２０側の部分は、面１１０側の部分に比べて拡径されており、その内側には多孔質部材１６０が配置されている。多孔質部材１６０は、例えばアルミナにより形成された多孔質体であり、全体が通気性を有している。このような多孔質部材１６０を供給流路１４０の内側に配置することで、多孔質部材１６０におけるヘリウムガスの流れを確保しながらも、供給流路１４０を通じた経路での絶縁破壊の発生を抑制することができる。

【0026】

ベースプレート２００は、誘電体基板１００を支持する略円盤状の部材である。ベースプレート２００は、例えばアルミニウムのような金属材料により形成されている。ベースプレート２００は、誘電体基板１００の面１２０に対して、接合層３００を介して接合されている。ベースプレート２００のうち、図１における上方側の面２１０は、誘電体基板１００に接合される「被接合面」となっている。

【0027】

接合層３００は、誘電体基板１００とベースプレート２００との間に設けられた層であって、両者を接合している。接合層３００は、絶縁性の材料からなる接着材を硬化させたものである。本実施形態では、上記接着剤としてシリコーン接着剤を用いている。ただし、接合層３００は、他の種類の接着剤を硬化させたものであってもよい。いずれの場合であっても、誘電体基板１００とベースプレート２００との間の熱抵抗が小さくなるように、接合層３００の材料としては、可能な限り熱伝導率が高い材料を用いるのが好ましい。

【0028】

ベースプレート２００の表面には絶縁膜が形成されていてもよい。絶縁膜としては、例えば、溶射により形成されたアルミナの膜を用いることができる。ベースプレート２００の表面を絶縁膜で覆っておくことにより、ベースプレート２００の絶縁耐圧を高めることができる。

【0029】

ベースプレート２００は、第１部分２０１と第２部分２０２とを有している。第１部分２０１は、ベースプレート２００のうち誘電体基板１００側（図１における上方側）の部分であって、誘電体基板１００を下方から直接支持している略円柱形状の部分である。第１部分２０１の直径、すなわち面２１０の直径は、誘電体基板１００の直径と同一であってもよいが、誘電体基板１００の直径より僅かに小さくてもよい。第１部分２０１の直径は例えば２９０～３００ｍｍである。また、第１部分２０１の厚さ、すなわち、図１の上方側に向けた第１部分２０１の突出量（第２部分２０２からの突出量）は、例えば３～１５ｍｍである。

【0030】

第２部分２０２は、ベースプレート２００のうち、第１部分２０１に対し誘電体基板１００とは反対側（図１における下方側）から隣り合う部分である。本実施形態では、ベースプレート２００のうち第１部分２０１を除く部分の全体が第２部分２０２となっている。第２部分２０２の形状は略円柱形状であり、その中心軸は第１部分２０１の中心軸と一致している。第２部分２０２の厚さは例えば２５～４０ｍｍである。第２部分２０２の直径は第１部分２０１の直径よりも大きい。第１部分２０１の外側面からの第２部分２０２の突出量（つまり径方向に向けた突出量）は、例えば２０～３０ｍｍである。従って、上面視における第１部分２０１の外形は、上面視における第２部分２０２の外形よりも大きい。

【0031】

半導体製造装置において基板Ｗの処理が行われる際には、第２部分２０２の上面２０３には不図示のフォーカスリングが設置される。フォーカスリングは、例えば石英のような絶縁性の材料により形成された円環状且つ板状の部材であって、処理中におけるプラズマの分布を調整することを目的として設置されるものである。誘電体基板１００及び第１部分２０１の略全体は、フォーカスリングによって外周側から囲まれた状態となる。

【0032】

ベースプレート２００の内部には、冷媒を通すための冷媒流路２７０が形成されている。半導体製造装置においてエッチング等の処理が行われる際には、外部から冷媒が冷媒流路２７０に供給され、これによりベースプレート２００が冷却される。処理中において基板Ｗで生じた熱は、空間ＳＰのヘリウムガス、誘電体基板１００、及びベースプレート２００を介して冷媒へと伝えられ、冷媒と共に外部へと排出される。

【0033】

図１に示されるように、冷媒流路２７０は、ベースプレート２００のうち基板Ｗの直下となる部分のみならず、基板Ｗの直下よりも外側の部分においても引き回されている。外側の部分を通る冷媒により、上面２０３の直上にある不図示のフォーカスリング等が冷却され、これらを介して基板Ｗの外周側部分も冷却される。

【0034】

本実施形態では、第２部分２０２の直径が比較的大きくなっている。第２部分２０２を大きくし、その略全体に亘るよう冷媒流路２７０を形成した上で冷媒を循環させることにより、基板Ｗの外周側部分の温度上昇を抑制することが可能となっている。

【0035】

ベースプレート２００には供給流路２４０が形成されている。供給流路２４０は、載置面である面１１０に対し垂直な方向に伸びるように形成された穴であって、面２１０から、後述の分配流路２５０まで伸びている。供給流路２４０は、上面視において供給流路１４０と重なる位置、のそれぞれに形成されており、接合層３００に設けられた貫通穴３１０を介して供給流路１４０に連通されている。供給流路２４０は、誘電体基板１００の供給流路１４０と共に、載置面側の空間ＳＰに向けてヘリウムガスを供給するための流路の一部となっている。

【0036】

図１に示されるように、供給流路２４０のうち面２１０側の部分は、分配流路２５０側の部分に比べて拡径されており、その内側には多孔質部材２６０が配置されている。多孔質部材２６０は、例えばアルミナにより形成された多孔質体であり、全体が通気性を有している。このような多孔質部材２６０を供給流路２４０の内側に配置することで、供給流路２４０におけるヘリウムガスの流れを確保しながらも、供給流路２４０を通じた経路での絶縁破壊の発生を抑制することができる。

【0037】

ベースプレート２００の内部には分配流路２５０が形成されている。分配流路２５０は、それぞれの供給流路２４０に対しヘリウムガスを分配するための流路である。分配流路２５０は、面２１０に対し並行に引き回されており、それぞれの供給流路２４０の下端に繋がっている。

【0038】

図２には、ベースプレート２００の内部における分配流路２５０、及びこれに繋がる供給流路２４０等の構成が、模式的に描かれている。図２における矢印はヘリウムガスの流れを表している。図２において符号「２５１」が付されている部分は、外部から供給されるヘリウムガスを分配流路２５０へと導くよう、ベースプレート２００に形成されたヘリウムガスの流路を表している。当該流路のことを、以下では「流路２５１」とも称する。流路２５１の一端は分配流路２５０に繋がっている。流路２５１の他端は、ベースプレート２００のうち、面２１０とは反対側の面２２０において開口している。

【0039】

図２に示されるように、複数の供給流路２４０は、本実施形態では上面視において円形に並ぶように配置されている。分配流路２５０は、上面視においてそれぞれの供給流路２４０の直下を通るよう円形に引き回されている。それぞれの供給流路２４０は、その下端が分配流路２５０に繋がっている。このため、外部から供給されたヘリウムガスは、流路２５１を通って分配流路２５０に供給され、分配流路２５０からそれぞれの供給流路２４０へと分配される。その後、それぞれの供給流路２４０から、その直上にある供給流路１４０を通って空間ＳＰへと供給される。ベースプレート２００の内部に分配流路２５０を形成しておくことで、外部からヘリウムガスの供給を受ける部分（つまり流路２５１）の数を少なくすることができる。

【0040】

このように、ベースプレート２００は、その内部に冷媒流路２７０、分配流路２５０、及び供給流路２４０等が形成されており、比較的複雑な内部構造を有している。更に、それぞれの供給流路２４０には多孔質部材２６０が配置してあるので、ベースプレート２００のうち誘電体基板１００側の内部構造は更に複雑なものとなっている。

【0041】

冷媒流路２７０等の形成を容易なものとするために、本実施形態のベースプレート２００は、複数の部材を接合することによって形成されている。具体的には、ベースプレート２００は、第１部材Ｃ１と、第２部材Ｃ２と、第３部材Ｃ３と、からなる３つの部材を互いに接合し一体とすることにより形成されている。各部材は溶接により接合されているが、例えばろう接や締結固定等の方法で接合されていてもよい。ベースプレート２００を構成する部材の数は、４つ以上であってもよく、２つであってもよい。

【0042】

第１部材Ｃ１、第２部材Ｃ２、及び第３部材Ｃ３は、載置面である面１１０に対し垂直な方向に沿って、この順に並んでいる。第１部材Ｃ１は、ベースプレート２００を構成する部材のうち最も誘電体基板１００側にある部分である。先に述べた面２１０は第１部材Ｃ１の一部である。第３部材Ｃ３は、ベースプレート２００を構成する部材のうち誘電体基板１００とは反対側にある部分である。先に述べた面２２０は第３部材Ｃ３の一部である。第２部材Ｃ２は、第１部材Ｃ１と第３部材Ｃ３との間にある部材である。

【0043】

第１部材Ｃ１と第２部材Ｃ２との間の接合境界Ｂ１は、面１１０や面２１０に対し平行である。第２部材Ｃ２と第３部材Ｃ３との間の接合境界Ｂ２も、面１１０や面２１０に対し平行である。

【0044】

接合境界Ｂ１は、複数ある接合境界のうち、最も誘電体基板１００側にある接合境界である。第１部材Ｃ１は、接合境界Ｂ１よりも誘電体基板１００側にある部材である。第２部材Ｃ２は、接合境界Ｂ１を挟んで第１部材Ｃ１に接合されている部材である。

【0045】

図１に示されるように、本実施形態における分配流路２５０及び供給流路２４０は、いずれも、その全体が第１部材Ｃ１に形成されている。分配流路２５０は、各部材を接合する前において、第１部材Ｃ１のうち接合境界Ｂ１となる表面に沿って予め形成されていた円環状の溝である。このように、第１部材Ｃ１の表面に予め溝を形成し、当該表面を覆うように第２部材Ｃ２を接合することで、溝に沿った分配流路２５０をベースプレート２００の内部に容易に形成することができる。尚、分配流路２５０となる溝は、第１部材Ｃ１の表面ではなく、第２部材Ｃ２のうち接合境界Ｂ１となる表面の方に形成されていてもよい。

【0046】

図１に示されるように、本実施形態における冷媒流路２７０は、その全体が第２部材Ｃ２に形成されている。冷媒流路２７０は、各部材を接合する前において、第２部材Ｃ２のうち接合境界Ｂ２となる表面に沿って予め形成されていた溝である。このように、第２部材Ｃ２の表面に予め溝を形成し、当該表面を覆うように第３部材Ｃ３を接合することで、溝に沿った冷媒流路２７０をベースプレート２００の内部に容易に形成することができる。尚、冷媒流路２７０となる溝は、第２部材Ｃ２のうち接合境界Ｂ１となる表面の方に形成されてもよい。

【0047】

ところで、仮に、最も誘電体基板１００側の接合境界Ｂ１が第１部分２０１にある場合には、本実施形態に比べて第１部材Ｃ１が薄くなる。その結果、それぞれの多孔質部材２６０を、第１部分２０１と第２部分２０２の両方に跨るように配置する必要が生じてしまう。例えば、第２部材Ｃ２の凹部のそれぞれに多孔質部材２６０を挿入し、第２部材Ｃ２の表面からそれぞれの多孔質部材２６０を突出させた状態で、第２部材Ｃ２の当該表面を覆うように第１部材Ｃ１を接合することとなる。その際には、第２部材Ｃ２の表面から突出しているそれぞれの多孔質部材２６０が、第１部分２０１の凹部に収まるように位置合わせを行いながら接合しなければならない。しかしながら、多孔質部材２６０は非常に小さく且つ脆い部材であって、その数も多い。従って、多孔質部材２６０を傷つけることなく、上記のような位置合わせ等の作業を行うことは非常に困難である。

【0048】

そこで、本実施形態のベースプレート２００は、最も誘電体基板１００側の接合境界Ｂ１が、第１部分２０１ではなく第２部分２０２にあるような構成を採用している。つまり、第１部分２０１と、第２部分２０２の一部とが、接合境界を介すことなく一体の部材（第１部材Ｃ１）となっている構成を採用している。このような構成においては、接合境界Ｂ１が第１部分２０１にある場合に比べて、最も誘電体基板１００側にある第１部材Ｃ１が厚くなるので、本実施形態のように、多孔質部材２６０の全体を第１部分２０１の内部に配置することが可能となる。第１部材Ｃ１と第２部材Ｃ２とを接合する際に、多孔質部材２６０を傷つけてしまう可能性が無くなるので、上記のような位置合わせや接合等の作業を容易なものとすることができる。これにより、ベースプレート２００の複雑な内部構造を容易に実現することが可能となっている。

【0049】

以上、具体例を参照しつつ本実施形態について説明した。しかし、本開示はこれらの具体例に限定されるものではない。これら具体例に、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本開示の特徴を備えている限り、本開示の範囲に包含される。前述した各具体例が備える各要素およびその配置、条件、形状などは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。前述した各具体例が備える各要素は、技術的な矛盾が生じない限り、適宜組み合わせを変えることができる。

【符号の説明】

【0050】

１０：静電チャック
１００：誘電体基板
１１０：面
２００：ベースプレート
２０１：第１部分
２０２：第２部分
Ｃ１：第１部材
Ｃ２：第２部材
Ｂ１：接合境界
２４０：供給流路
２５０：分配流路
２６０：多孔質部材

【要約】

【課題】ベースプレートの複雑な内部構造を容易に実現することのできる静電チャック、を提供する。
【解決手段】静電チャック１０は、誘電体基板１００と、誘電体基板１００に接合されたベースプレート２００と、を備える。ベースプレート２００は、誘電体基板１００側の部分である第１部分２０１と、第１部分２０１に対し誘電体基板１００とは反対側から隣り合う部分であって、上面視における外形が第１部分２０１の外形よりも大きな第２部分２０２と、を有する。ベースプレート２００は、複数の部材を接合することにより構成されており、最も誘電体基板１００側の接合境界Ｂ１が第２部分２０２にある。
【選択図】図１

【図1】

【図2】