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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2025-04-11
(45)【発行日】2025-04-21
(54)【発明の名称】基板処理システム、及び群管理装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/02 20060101AFI20250414BHJP
G05B 19/418 20060101ALI20250414BHJP
【ＦＩ】
H01L21/02 Z
G05B19/418 Z
【請求項の数】
14
(21)【出願番号】P 2021155058
(22)【出願日】2021-09-24
(65)【公開番号】P2023046456
(43)【公開日】2023-04-05
【審査請求日】2024-06-17
(73)【特許権者】
【識別番号】000207551
【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス
(74)【代理人】
【識別番号】110002310
【氏名又は名称】弁理士法人あい特許事務所
(74)【代理人】
【識別番号】100168583
【弁理士】
【氏名又は名称】前井 宏之
(72)【発明者】
【氏名】木村 隆一
(72)【発明者】
【氏名】宮崎 稔久
(72)【発明者】
【氏名】松井 浩彬
【審査官】庄司 一隆
(56)【参考文献】
【文献】特開２００３－２８２３８６（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２００５／０１７７２７３（ＵＳ，Ａ１）
【文献】特開２０２０－２０５３３８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００２－０５５７１１（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２００１／００５１８８６（ＵＳ，Ａ１）
【文献】特開２００１－１０２４２５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００３－１００５７６（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２００３／００５５５２２（ＵＳ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２１／０２
Ｇ０５Ｂ １９／４１８
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板を処理する複数の基板処理装置と、前記複数の基板処理装置を管理する群管理装置とを備える基板処理システムであって、前記複数の基板処理装置はそれぞれ、
処理液を使用するタイミングと前記処理液の流量とを示す計画を作成する計画作成部と、
前記群管理装置と通信し、前記群管理装置に前記計画を送信する第１通信部と
を備え、
前記複数の基板処理装置には共通の用力設備から前記処理液が供給され、
前記群管理装置は、
前記用力設備から供給される前記処理液の流量に対する閾値を記憶する記憶部と、
前記複数の基板処理装置と通信し、前記複数の基板処理装置の各々から前記計画を受信する第２通信部と、
前記第２通信部が受信した前記計画に基づいて、前記複数の基板処理装置が使用する前記処理液の総流量を取得し、前記総流量が前記閾値を超えるか否かを判定する処理部と
を備え、
前記処理部は、前記総流量が前記閾値を超えると判定したことに応じて、前記複数の基板処理装置のうちのいずれかに、前記第２通信部を介して前記計画の調整を指示し、
前記複数の基板処理装置のうち、前記計画の調整を指示された基板処理装置である指示対象装置の前記計画作成部は、前記総流量が前記閾値以下となる前記計画を作成する、基板処理システム。
【請求項2】
前記処理部は、前記計画の調整を指示する際に、前記複数の基板処理装置の前記計画又は前記処理液の総流量を、前記第２通信部を介して前記指示対象装置に送信し、前記指示対象装置の前記計画作成部は、前記複数の基板処理装置の前記計画又は前記処理液の総流量に基づいて、前記総流量が前記閾値以下となる前記計画を作成する、請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項3】
前記処理部は、前記複数の基板処理装置の前記計画又は前記処理液の総流量に基づいて、前記総流量を前記閾値以下にする調整量を示す調整量情報を生成し、前記計画の調整を指示する際に、前記第２通信部を介して前記指示対象装置に前記調整量情報を送信し、前記指示対象装置の前記計画作成部は、前記調整量情報に基づいて、前記総流量が前記閾値以下となる前記計画を作成する、請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項4】
前記指示対象装置の前記計画作成部は、処理を開始する前の前記基板に対応する前記計画を調整する、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板処理システム。
【請求項5】
前記処理部は、前記複数の基板処理装置が前記群管理装置に前記計画を送信したタイミングである送信タイミングに基づいて前記指示対象装置を決定する、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の基板処理システム。
【請求項6】
前記処理部は、前記複数の基板処理装置のうち、前記送信タイミングが最も遅い基板処理装置を前記指示対象装置に決定する、請求項５に記載の基板処理システム。
【請求項7】
前記計画は、前記基板処理装置の外部から内部に前記基板が搬入されてから、前記基板処理装置の前記外部に前記基板が搬出されるまでの時間である基板処理時間を示し、前記処理部は、前記基板処理時間に基づいて前記指示対象装置を決定する、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の基板処理システム。
【請求項8】
前記処理部は、前記複数の基板処理装置のうち、前記基板処理時間が最も短い基板処理装置を前記指示対象装置に決定する、請求項７に記載の基板処理システム。
【請求項9】
前記計画は、前記基板の処理が終了する処理終了タイミング、又は前記基板が前記基板処理装置の外部に搬出される基板搬出タイミングを示し、前記処理部は、前記処理終了タイミング又は前記基板搬出タイミングに基づいて前記指示対象装置を決定する、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の基板処理システム。
【請求項10】
前記処理部は、前記複数の基板処理装置のうち、前記処理終了タイミング又は前記基板搬出タイミングが最も遅い基板処理装置を前記指示対象装置に決定する、請求項９に記載の基板処理システム。
【請求項11】
前記計画は、前記基板の処理が開始する処理開始タイミング、又は前記基板が前記基板処理装置の外部から内部に搬入される基板搬入タイミングを示し、前記処理部は、前記処理開始タイミング又は前記基板搬入タイミングに基づいて前記指示対象装置を決定する、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の基板処理システム。
【請求項12】
前記処理部は、前記複数の基板処理装置のうち、前記処理開始タイミング又は前記基板搬入タイミングが最も遅い基板処理装置を前記指示対象装置に決定する、請求項１１に記載の基板処理システム。
【請求項13】
基板を処理する複数の基板処理装置を管理する群管理装置であって、前記複数の基板処理装置にはそれぞれ、共通の用力設備から処理液が供給され、
前記群管理装置は、
前記用力設備から供給される前記処理液の流量に対する閾値を記憶する記憶部と、
前記複数の基板処理装置と通信し、前記複数の基板処理装置の各々から、前記処理液を使用するタイミングと前記処理液の流量とを示す計画を受信する通信部と、
前記通信部が受信した前記計画に基づいて、前記複数の基板処理装置が使用する前記処理液の総流量を取得し、前記総流量が前記閾値を超えるか否かを判定する処理部と
を備え、
前記処理部は、前記総流量が前記閾値を超えると判定したことに応じて、前記複数の基板処理装置のうちのいずれかに、前記通信部を介して前記計画の調整を指示する、群管理装置。
【請求項14】
前記処理部は、前記複数の基板処理装置の前記計画又は前記処理液の総流量に基づいて、前記総流量を前記閾値以下にする調整量を示す調整量情報を生成し、前記計画の調整を指示する際に、前記通信部を介して、前記計画の調整を指示する基板処理装置に前記調整量情報を送信する、請求項１３に記載の群管理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板処理システム、及び群管理装置に関する。
【背景技術】
【0002】
処理液を用いて基板を処理する基板処理装置が知られている。基板処理装置は、工場のクリーンルーム内に設置される。処理液は、工場に設置されている用力設備から基板処理装置に供給される（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開２００１－１０２４２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
一般的に工場内には複数の基板処理装置が設置される。したがって、複数の基板処理装置が同時に基板を処理した場合、工場の用力設備から複数の基板処理装置に同時に処理液が供給される。しかしながら、この場合、複数の基板処理装置が使用する処理液の総流量が、用力設備から供給可能な処理液の最大流量を超えることがある。複数の基板処理装置が使用する処理液の総流量が用力設備の最大流量を超えると、複数の基板処理装置から警報が発出されて、複数の基板処理装置が停止する。
【0005】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、複数の基板処理装置が使用する処理液の総流量が、用力設備から供給可能な処理液の最大流量を超えることを抑制できる基板処理システム、及び群管理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の一局面によれば、基板処理システムは、基板を処理する複数の基板処理装置と、前記複数の基板処理装置を管理する群管理装置とを備える。前記複数の基板処理装置はそれぞれ、計画作成部と、第１通信部とを備える。前記計画作成部は、処理液を使用するタイミングと前記処理液の流量とを示す計画を作成する。前記第１通信部は、前記群管理装置と通信し、前記群管理装置に前記計画を送信する。前記複数の基板処理装置には共通の用力設備から前記処理液が供給される。前記群管理装置は、記憶部と、第２通信部と、処理部とを備える。前記記憶部は、前記用力設備から供給される前記処理液の流量に対する閾値を記憶する。前記第２通信部は、前記複数の基板処理装置と通信し、前記複数の基板処理装置の各々から前記計画を受信する。前記処理部は、前記第２通信部が受信した前記計画に基づいて、前記複数の基板処理装置が使用する前記処理液の総流量を取得し、前記総流量が前記閾値を超えるか否かを判定する。前記処理部は、前記総流量が前記閾値を超えると判定したことに応じて、前記複数の基板処理装置のうちのいずれかに、前記第２通信部を介して前記計画の調整を指示する。前記複数の基板処理装置のうち、前記計画の調整を指示された基板処理装置である指示対象装置の前記計画作成部は、前記総流量が前記閾値以下となる前記計画を作成する。
【0007】
ある実施形態において、前記処理部は、前記計画の調整を指示する際に、前記複数の基板処理装置の前記計画又は前記処理液の総流量を、前記第２通信部を介して前記指示対象装置に送信する。前記指示対象装置の前記計画作成部は、前記複数の基板処理装置の前記計画又は前記処理液の総流量に基づいて、前記総流量が前記閾値以下となる前記計画を作成する。
【0008】
ある実施形態において、前記処理部は、前記複数の基板処理装置の前記計画又は前記処理液の総流量に基づいて、前記総流量を前記閾値以下にする調整量を示す調整量情報を生成し、前記計画の調整を指示する際に、前記第２通信部を介して前記指示対象装置に前記調整量情報を送信する。前記指示対象装置の前記計画作成部は、前記調整量情報に基づいて、前記総流量が前記閾値以下となる前記計画を作成する。
【0009】
ある実施形態において、前記指示対象装置の前記計画作成部は、処理を開始する前の前記基板に対応する前記計画を調整する。
【0010】
ある実施形態において、前記処理部は、前記複数の基板処理装置が前記群管理装置に前記計画を送信したタイミングである送信タイミングに基づいて前記指示対象装置を決定する。
【0011】
ある実施形態において、前記処理部は、前記複数の基板処理装置のうち、前記送信タイミングが最も遅い基板処理装置を前記指示対象装置に決定する。
【0012】
ある実施形態において、前記計画は、前記基板処理装置の外部から内部に前記基板が搬入されてから、前記基板処理装置の前記外部に前記基板が搬出されるまでの時間である基板処理時間を示す。前記処理部は、前記基板処理時間に基づいて前記指示対象装置を決定する。
【0013】
ある実施形態において、前記処理部は、前記複数の基板処理装置のうち、前記基板処理時間が最も短い基板処理装置を前記指示対象装置に決定する。
【0014】
ある実施形態において、前記計画は、前記基板の処理が終了する処理終了タイミング、又は前記基板が前記基板処理装置の外部に搬出される基板搬出タイミングを示す。前記処理部は、前記処理終了タイミング又は前記基板搬出タイミングに基づいて前記指示対象装置を決定する。
【0015】
ある実施形態において、前記処理部は、前記複数の基板処理装置のうち、前記処理終了タイミング又は前記基板搬出タイミングが最も遅い基板処理装置を前記指示対象装置に決定する。
【0016】
ある実施形態において、前記計画は、前記基板の処理が開始する処理開始タイミング、又は前記基板が前記基板処理装置の外部から内部に搬入される基板搬入タイミングを示す。前記処理部は、前記処理開始タイミング又は前記基板搬入タイミングに基づいて前記指示対象装置を決定する。
【0017】
ある実施形態において、前記処理部は、前記複数の基板処理装置のうち、前記処理開始タイミング又は前記基板搬入タイミングが最も遅い基板処理装置を前記指示対象装置に決定する。
【0018】
本発明の他の局面によれば、群管理装置は、基板を処理する複数の基板処理装置を管理する。前記複数の基板処理装置にはそれぞれ、共通の用力設備から処理液が供給される。当該群管理装置は、記憶部と、通信部と、処理部とを備える。前記記憶部は、前記用力設備から供給される前記処理液の流量に対する閾値を記憶する。前記通信部は、前記複数の基板処理装置と通信し、前記複数の基板処理装置の各々から、前記処理液を使用するタイミングと前記処理液の流量とを示す計画を受信する。前記処理部は、前記通信部が受信した前記計画に基づいて、前記複数の基板処理装置が使用する前記処理液の総流量を取得し、前記総流量が前記閾値を超えるか否かを判定する。前記処理部は、前記総流量が前記閾値を超えると判定したことに応じて、前記複数の基板処理装置のうちのいずれかに、前記通信部を介して前記計画の調整を指示する。
【0019】
ある実施形態において、前記処理部は、前記複数の基板処理装置の前記計画又は前記処理液の総流量に基づいて、前記総流量を前記閾値以下にする調整量を示す調整量情報を生成し、前記計画の調整を指示する際に、前記通信部を介して、前記計画の調整を指示する基板処理装置に前記調整量情報を送信する。
【発明の効果】
【0020】
本発明に係る基板処理システム及び群管理装置によれば、複数の基板処理装置が使用する処理液の総流量が、用力設備から供給可能な処理液の最大流量を超えることを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【0021】
【図1】本発明の実施形態に係る基板処理システムを示す図である。
【図2】本発明の実施形態に係る基板処理システムを示す図である。
【図3】本発明の実施形態に係る基板処理システムを示す図である。
【図4】本発明の実施形態に係る基板処理システムを示す図である。
【図5】基板処理装置を示す模式的平面図である。
【図6】基板処理装置のコンピューターの構成を示すブロック図である。
【図7】本発明の実施形態に係る群管理装置の構成を示すブロック図である。
【図8】本発明の実施形態に係る群管理装置が備える処理部が実行する処理の流れを示すフローチャートである。
【図9】基板処理装置が備えるコンピューターの制御部が実行する処理の流れを示すフローチャートである。
【図10】決定処理の第１例を示す図である。
【図11】決定処理の第２例を示す図である。
【図12】決定処理の第３例を示す図である。
【図13】決定処理の第４例を示す図である。
【図14】決定処理の第５例を示す図である。
【図15】決定処理の第６例を示す図である。
【図16】基板処理装置の制御部が作成するタイムスケジュールの一例を示す図である。
【図17】基板処理装置の制御部が作成する調整後のタイムスケジュールの一例を示す図である。
【図18】基板処理装置の制御部が作成するタイムスケジュールの一例を示す図である。
【図19】基板処理装置の制御部が作成する調整後のタイムスケジュールの一例を示す図である。
【図20】本発明の他の実施形態に係る基板処理装置の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【0022】
以下、図面（図１～図２０）を参照して本発明の基板処理システム及び群管理装置に係る実施形態を説明する。但し、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である。なお、説明が重複する箇所については、適宜説明を省略する場合がある。また、図中、同一又は相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。
【0023】
本発明の実施形態における「基板」には、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、及び光磁気ディスク用基板などの各種基板を適用可能である。以下では主として、円盤状の半導体ウエハの処理に用いられる基板処理システム及び群管理装置を例に本発明の実施形態を説明するが、上に例示した各種の基板の処理にも同様に適用可能である。また、基板の形状についても各種のものを適用可能である。
【0024】
まず、図１～図４を参照して、本実施形態の基板処理システム１００及び群管理装置２を説明する。図１は、本実施形態の基板処理システム１００を示す図である。図１に示すように、基板処理システム１００は、複数の基板処理装置１と、群管理装置２とを備える。
【0025】
複数の基板処理装置１はそれぞれ、処理液を用いて基板Ｗ（図５参照）を処理する。群管理装置２は、複数の基板処理装置１を管理する。具体的には、群管理装置２は、ネットワークＮＷ（図６参照）を介して複数の基板処理装置１と通信可能に接続されており、複数の基板処理装置１から種々の情報を受信して、複数の基板処理装置１を管理する。群管理装置２は、例えば、ホストコンピューター又はサーバーである。
【0026】
詳しくは、群管理装置２は、複数のエリアＡに分けて複数の基板処理装置１を管理する。複数のエリアＡにはそれぞれ複数の基板処理装置１が設置されている。
【0027】
複数のエリアＡの各々に設置されている複数の基板処理装置１には、共通の用力設備ＰＦから共通のラインＬを介して処理液が供給される。群管理装置２は、共通の用力設備ＰＦから処理液が供給される複数の基板処理装置１単位でエリアＡを設定して、エリアＡごとに複数の基板処理装置１を管理する。
【0028】
本実施形態では、群管理装置２は、第１エリアＡ１に設置されている複数の基板処理装置１と、第２エリアＡ２に設置されている複数の基板処理装置１とを管理する。なお、本実施形態ではエリアＡの数は２つであるが、エリアＡの数は特に限定されない。エリアＡの数は、１つであってもよいし、３つ以上であってもよい。
【0029】
用力設備ＰＦは、第１用力設備ＰＦ１と、第２用力設備ＰＦ２とを含む。第１用力設備ＰＦ１は、第１エリアＡ１に設置されている複数の基板処理装置１に第１ラインＬ１を介して純水ＤＩＷを供給する。同様に、第２用力設備ＰＦ２は、第２エリアＡ２に設置されている複数の基板処理装置１に第２ラインＬ２を介して純水ＤＩＷを供給する。純水ＤＩＷは、例えば、脱イオン水（Ｄｅｉｏｎｚｉｅｄ Ｗａｔｅｒ）である。以下では、同一のエリアＡに設置されている複数の基板処理装置１に共通の用力設備ＰＦから純水ＤＩＷが供給される場合を例に、本発明の実施形態を説明する。純水ＤＩＷは、「処理液」の一例である。
【0030】
続いて、図２を参照して、本実施形態の基板処理システム１００を説明する。図２は、本実施形態の基板処理システム１００を示す図である。但し、説明の簡略化のため、図２では、図１に示す第１エリアＡ１に設置されている複数の基板処理装置１を示している。以下では、第１エリアＡ１に設置されている複数の基板処理装置１を例に本発明の実施形態を説明する。
【0031】
図２に示すように、本実施形態では、複数の基板処理装置１は、４つの基板処理装置１Ａ～基板処理装置１Ｄを含む。基板処理装置１Ａ～基板処理装置１Ｄは、第１エリアＡ１（同一のエリアＡ）に設置されており、第１用力設備ＰＦ１（図１参照）から純水ＤＩＷが供給される。基板処理装置１Ａ～基板処理装置１Ｄは、「同一のエリアＡに設置される基板処理装置１」の一例である。以下では、基板処理装置１Ａ～基板処理装置１Ｄを例に本発明の実施形態を説明する。
【0032】
なお、本実施形態では、第１エリアＡ１に設置される基板処理装置１の数は４つであるが、同一のエリアＡに設置される基板処理装置１の数は、複数である限り特に限定されない。同一のエリアＡに設置される基板処理装置１の数は２つ又は３つであってもよいし、５つ以上であってもよい。
【0033】
基板処理装置１はそれぞれ、ネットワークＮＷ（図６参照）を介して群管理装置２に純水ＤＩＷの使用計画を送信する。以下、純水ＤＩＷの使用計画を、「ＤＩＷ使用計画」と記載する場合がある。ＤＩＷ使用計画は、基板処理装置１が純水ＤＩＷを使用するタイミングと、純水ＤＩＷの単位時間当たりの流量とを示す。具体的には、ＤＩＷ使用計画は、基板処理装置１が純水ＤＩＷを使用するタイミングを時系列に沿って示す。つまり、ＤＩＷ使用計画は、基板処理装置１が純水ＤＩＷを使用する時刻を示す。純水ＤＩＷの単位時間当たりの流量は、基板処理装置１が単位時間当たりに使用する純水ＤＩＷの使用量を示す。以下、純水ＤＩＷの単位時間当たりの流量を、「純水ＤＩＷの流量」と記載する場合がある。
【0034】
詳しくは、ＤＩＷ使用計画は、現在の時刻よりも後の計画において純水ＤＩＷを使用するタイミングと、純水ＤＩＷの流量とを示す。各基板処理装置１は、例えば、自機のロードポートＬＰ（図５参照）に新たな基板Ｗが載置される度にＤＩＷ使用計画を作成して群管理装置２に送信する。
【0035】
本実施形態では、基板処理装置１はそれぞれ、自機の各構成要素のタイムスケジュールＰを作成して群管理装置２に送信する。基板処理装置１の各構成要素は、例えば、図５を参照して後述する投入部３、払出部７、バッファユニットＢＵ、搬送機構ＣＶ、及び処理ユニットＳＰを含む。タイムスケジュールＰは、各構成要素の動作の開始予定時刻と各構成要素の動作の終了予定時刻とを示す。タイムスケジュールＰには、純水ＤＩＷを使用するタイミングと、純水ＤＩＷの流量とが含まれる。
【0036】
図２に示すように、群管理装置２は、基板処理装置１Ａ～基板処理装置１Ｄから送信されたＤＩＷ使用計画（タイムスケジュールＰ）に基づいて、基板処理装置１Ａ～基板処理装置１Ｄが使用する純水ＤＩＷの単位時間当たりの総流量を時系列に沿って示す総流量情報ＡＦＲを生成する。以下、純水ＤＩＷの単位時間当たりの総流量を、「純水ＤＩＷの総流量」又は「ＤＩＷ総流量」と記載する場合がある。ＤＩＷ総流量は、同一のエリアＡに設置されている複数の基板処理装置１によって使用される単位時間当たりの純水ＤＩＷの使用量の合計を示す。総流量情報ＡＦＲは、時間軸に沿ってＤＩＷ総流量を示す。詳しくは、総流量情報ＡＦＲは、現在の時刻よりも後に計画されているＤＩＷ総流量を示す。
【0037】
具体的には、群管理装置２は、基板処理装置１Ａ～基板処理装置１Ｄから送信されたＤＩＷ使用計画（タイムスケジュールＰ）を纏めた管理情報ＡＳＣを生成し、管理情報ＡＳＣに基づいて基板処理装置１Ａ～基板処理装置１Ｄを管理する。更に、群管理装置２は、管理情報ＡＳＣに基づいて、総流量情報ＡＦＲを生成する。
【0038】
図３は、本実施形態の基板処理システム１００を示す図である。図３に示すように、群管理装置２は、総流量情報ＡＦＲに基づいて、ＤＩＷ総流量が閾値ＴＨを超えるか否かを判定する。ここで、閾値ＴＨは、用力設備ＰＦ（図１参照）から供給される純水ＤＩＷの流量に対する閾値を示す。例えば、閾値ＴＨは、用力設備ＰＦ（図１参照）から供給可能な純水ＤＩＷの単位時間当たりの最大流量に対する閾値を示してもよい。以下、純水ＤＩＷの総流量が閾値ＴＨを超えるか否かを判定する処理を、「閾値判定処理」と記載する場合がある。また、純水ＤＩＷの単位時間当たりの最大流量を、「純水ＤＩＷの最大流量」と記載する場合がある。なお、閾値ＴＨは、用力設備ＰＦごとに設定される。
【0039】
群管理装置２は、閾値判定処理の結果、ＤＩＷ総流量が閾値ＴＨを超えると判定した場合、基板処理装置１Ａ～基板処理装置１Ｄのうちのいずれかに、ＤＩＷ使用計画の調整を指示する再調整命令ＲＡを送信する。以下、純水ＤＩＷの使用計画の調整を指示された基板処理装置１を、「指示対象装置」と記載する場合がある。
【0040】
具体的には、群管理装置２は、管理情報ＡＳＣに基づいて、ＤＩＷ総流量が閾値ＴＨを超える時間帯に純水ＤＩＷを使用する基板処理装置１を特定する。そして、ＤＩＷ総流量が閾値ＴＨを超えるタイミングで純水ＤＩＷを使用する基板処理装置１のうちの１つを指示対象装置に決定する。以下、指示対象装置を決定する処理を「決定処理」と記載する場合がある。
【0041】
図３に示す例において、群管理装置２は、再調整命令ＲＡを基板処理装置１Ｂに送信している。以下では、基板処理装置１Ｂが指示対象装置である場合を例に、本発明の実施形態を説明する。
【0042】
【0043】
図４に示すように、本実施形態では、群管理装置２は、図２を参照して説明した管理情報ＡＳＣを基板処理装置１Ｂ（指示対象装置）に送信する。基板処理装置１Ｂ（指示対象装置）は、管理情報ＡＳＣを参照してＤＩＷ使用計画（タイムスケジュールＰ）を調整する。詳しくは、基板処理装置１Ｂは、第１エリアＡ１に設置されている他の基板処理装置１（基板処理装置１Ａ、１Ｃ、及び１Ｄ）のＤＩＷ使用計画（タイムスケジュールＰ）を参照して、自機のＤＩＷ使用計画（タイムスケジュールＰ）を調整する。
【0044】
基板処理装置１Ｂは、調整後のＤＩＷ使用計画（タイムスケジュールＰ）を群管理装置２に送信する。群管理装置２は、基板処理装置１ＢのＤＩＷ使用計画（タイムスケジュールＰ）を調整後のＤＩＷ使用計画（タイムスケジュールＰ）に更新して、図３を参照して説明した閾値判定処理を再度実施する。その結果、ＤＩＷ総流量が閾値ＴＨを超えると判定した場合、群管理装置２は、再調整命令ＲＡを基板処理装置１Ｂ（指示対象装置）に送信する。つまり、群管理装置２は、ＤＩＷ総流量が閾値ＴＨを超えなくなるまで、再調整命令ＲＡを基板処理装置１Ｂ（指示対象装置）に送信する。したがって、本実施形態によれば、複数の基板処理装置１が使用する純水ＤＩＷの総流量が、用力設備ＰＦから供給可能な純水ＤＩＷの最大流量を超えることを抑制することができる。
【0045】
続いて、図５～図１９を参照して、本実施形態の基板処理システム１００及び群管理装置２を更に説明する。まず、図５を参照して、基板処理装置１の構成を説明する。図５は、基板処理装置１を示す模式的平面図である。図５に示すように、本実施形態において、基板処理装置１はバッチ式であり、複数の基板Ｗを一括して処理する。具体的には、基板処理装置１は、ロット単位で基板Ｗを処理する。ロットは複数の基板Ｗからなる。例えば、１ロットは２５枚の基板Ｗからなる。本実施形態では、基板処理装置１は、各ロットの基板Ｗに対して、前処理、洗浄処理、エッチング処理、及び乾燥処理を実行する。
【0046】
図５に示すように、基板処理装置１は、投入部３と、払出部７と、バッファユニットＢＵと、搬送機構ＣＶと、処理ユニットＳＰと、コンピューターＣＭ１とを備える。
【0047】
処理ユニットＳＰは複数の槽ＴＡを含む。本実施形態において、複数の槽ＴＡは、２つの第１薬液槽ＣＨＢ１、ＣＨＢ２と、４つの第２薬液槽ＯＮＢ１～ＯＮＢ４と、２つの乾燥槽ＬＰＤ１、ＬＰＤ２とを含む。すなわち、本実施形態において、処理ユニットＳＰは、８つの槽ＴＡを含む。なお、槽ＴＡの数は８つに限定されるものではなく、１つ～７つのうちのいずれかであってもよいし、９つ以上であってもよい。
【0048】
搬送機構ＣＶは、第１搬送機構ＣＴＣと、第２搬送機構ＷＴＲとを含む。更に、搬送機構ＣＶは、副搬送機構ＬＦ１と、副搬送機構ＬＦ２と、副搬送機構ＬＦ３と、副搬送機構ＬＦ４と、副搬送機構ＬＦ５と、副搬送機構ＬＦ６とを含む。副搬送機構の数は、槽ＴＡの数に応じて変更される。
【0049】
コンピューターＣＭ１は、複数の収容部１０、投入部３、払出部７、バッファユニットＢＵ、搬送機構ＣＶ、及び処理ユニットＳＰを制御する。
【0050】
複数の収容部１０の各々は、複数の基板Ｗを収容する。各基板Ｗは水平姿勢で収容部１０に収容される。具体的には、収容部１０はそれぞれ、１ロットの基板Ｗを収容する。収容部１０は、例えば、ＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ）である。
【0051】
未処理の基板Ｗを収納する収容部１０は、投入部３に載置される。具体的には、投入部３は複数のロードポートＬＰを含む。未処理の基板Ｗを収納する収容部１０は、投入部３のロードポートＬＰに載置される。
【0052】
処理済みの基板Ｗを収納する収容部１０は、払出部７に載置される。具体的には、払出部７は複数のロードポートＬＰを含む。処理済みの基板Ｗを収納する収容部１０は、払出部７のロードポートＬＰに載置される。
【0053】
バッファユニットＢＵは、投入部３及び払出部７に隣接して配置される。バッファユニットＢＵは、投入部３に載置された収容部１０を内部に取り込む。バッファユニットＢＵの内部には、棚（不図示）が設置されており、バッファユニットＢＵは、投入部３に載置された収容部１０を棚に載置する。バッファユニットＢＵは、棚に載置された収容部１０から未処理の基板Ｗを取り出して、搬送機構ＣＶに受け渡す。
【0054】
また、バッファユニットＢＵは、払出部７に載置された収容部１０を内部に取り込み、棚に載置する。バッファユニットＢＵは、搬送機構ＣＶから処理済みの基板Ｗを受け取り、棚に載置された収容部１０に収納する。更に、バッファユニットＢＵは、処理済みの基板Ｗを収納した収容部１０を払出部７に払い出す。
【0055】
詳しくは、バッファユニットＢＵは、受け渡し機構１１を有する。受け渡し機構１１は、投入部３及び払出部７と棚との間で収容部１０の受け渡しを行う。また、受け渡し機構１１は、搬送機構ＣＶと棚との間で基板Ｗの受け渡しを行う。具体的には、受け渡し機構１１は、棚に載置された２つの収容部１０から未処理の基板Ｗを取り出して、搬送機構ＣＶに渡す。つまり、受け渡し機構１１は、２ロット分の未処理の基板Ｗを一組にして搬送機構ＣＶに渡す。また、受け渡し機構１１は、２ロット分の処理済み基板Ｗを搬送機構ＣＶから受け取り、棚に載置された２つの収容部１０のそれぞれに処理済み基板Ｗをロット単位で収容する。以下、２ロット分の基板Ｗを、「一組の基板Ｗ」と記載する場合がある。一組の基板Ｗは、例えば、５０枚の基板Ｗからなる。
【0056】
搬送機構ＣＶは、処理ユニットＳＰに一組の基板Ｗを搬入する。また、搬送機構ＣＶは、処理ユニットＳＰから一組の基板Ｗを搬出する。具体的には、搬送機構ＣＶは、処理ユニットＳＰの槽ＴＡの各々に一組の基板Ｗを搬入する。また、搬送機構ＣＶは、処理ユニットＳＰの槽ＴＡの各々から一組の基板Ｗを搬出する。処理ユニットＳＰは、一組の基板Ｗに対して、前処理、洗浄処理、エッチング処理、及び乾燥処理を実行する。前処理、洗浄処理、エッチング処理、及び乾燥処理は、「基板処理」の一例である。
【0057】
より詳しくは、受け渡し機構１１は、第１搬送機構ＣＴＣとの間で一組の基板Ｗの受け渡しを行う。第１搬送機構ＣＴＣは、受け渡し機構１１から受け取った一組の基板Ｗの姿勢を水平姿勢から垂直姿勢に変換した後、第２搬送機構ＷＴＲに一組の基板Ｗを受け渡す。また、第１搬送機構ＣＴＣは、第２搬送機構ＷＴＲから処理済みの一組の基板Ｗを受け取った後、一組の基板Ｗの姿勢を垂直姿勢から水平姿勢へと変換して、受け渡し機構１１に受け渡す。
【0058】
第２搬送機構ＷＴＲは、副搬送機構ＬＦ１と、副搬送機構ＬＦ２と、副搬送機構ＬＦ３と、副搬送機構ＬＦ４と、副搬送機構ＬＦ５と、副搬送機構ＬＦ６との間で一組の基板Ｗの受け渡しを行う。また、第２搬送機構ＷＴＲは、乾燥槽ＬＰＤ１、ＬＰＤ２へ一組の基板Ｗを搬入し、乾燥槽ＬＰＤ１、ＬＰＤ２から一組の基板Ｗを搬出する。
【0059】
副搬送機構ＬＦ１は、第２薬液槽ＯＮＢ１へ一組の基板Ｗを搬入し、第２薬液槽ＯＮＢ１から一組の基板Ｗを搬出する。副搬送機構ＬＦ２は、第１薬液槽ＣＨＢ１へ一組の基板Ｗを搬入し、第１薬液槽ＣＨＢ１から一組の基板Ｗを搬出する。副搬送機構ＬＦ３は、第２薬液槽ＯＮＢ２へ一組の基板Ｗを搬入し、第２薬液槽ＯＮＢ２から一組の基板Ｗを搬出する。副搬送機構ＬＦ４は、第１薬液槽ＣＨＢ２へ一組の基板Ｗを搬入し、第１薬液槽ＣＨＢ２から一組の基板Ｗを搬出する。副搬送機構ＬＦ５は、第２薬液槽ＯＮＢ３へ一組の基板Ｗを搬入し、第２薬液槽ＯＮＢ３から一組の基板Ｗを搬出する。副搬送機構ＬＦ６は、第２薬液槽ＯＮＢ４へ一組の基板Ｗを搬入し、第２薬液槽ＯＮＢ４から一組の基板Ｗを搬出する。
【0060】
第１薬液槽ＣＨＢ１、ＣＨＢ２は、一組の基板Ｗに対して、薬液による前処理を行う。前処理とは、エッチング処理（具体的にはウェットエッチング処理）よりも前に行われる薬液による処理のことである。本実施形態において、前処理は、自然酸化膜を基板Ｗから除去する処理である。この場合、薬液は、例えば、希フッ酸（ＤＨＦ：Ｄｉｌｕｔｅｄ ｈｙｄｒｏｆｌｕｏｒｉｃ ａｃｉｄ）であり得る。
【0061】
具体的には、第１薬液槽ＣＨＢ１、ＣＨＢ２はそれぞれ、薬液を貯留する処理槽を含む。副搬送機構ＬＦ２は、第１薬液槽ＣＨＢ１の内部に一組の基板Ｗを搬入して、処理槽内に貯留されている薬液に一組の基板Ｗを浸漬させる。この結果、一組の基板Ｗに対して前処理が行われる。その後、副搬送機構ＬＦ２は、処理槽内の薬液から一組の基板Ｗを引き上げて、第１薬液槽ＣＨＢ１の外部に一組の基板Ｗを搬出する。副搬送機構ＬＦ４も同様に動作する。
【0062】
第１薬液槽ＣＨＢ１、ＣＨＢ２は、超音波発生器を更に含む。超音波発生器は、超音波を発生して、処理槽に貯留されている薬液を振動させる。これにより、自然酸化膜を基板Ｗから効率的に除去することができる。
【0063】
詳しくは、超音波発生器は、処理槽の外部に配置される。超音波発生器と処理槽との間に、超音波を処理槽に伝搬するための純水ＤＩＷが流通される。以下、超音波を伝搬するための純水ＤＩＷを、「伝搬水ＤＩＷ」と記載する場合がある。本実施形態において、図２を参照して説明したＤＩＷ使用計画は、第１薬液槽ＣＨＢ１、ＣＨＢ２における伝搬水ＤＩＷの使用タイミングと、第１薬液槽ＣＨＢ１、ＣＨＢ２における伝搬水ＤＩＷの流量とを示す。すなわち、図２を参照して説明したタイムスケジュールＰは、第１薬液槽ＣＨＢ１、ＣＨＢ２における伝搬水ＤＩＷの使用タイミングと、第１薬液槽ＣＨＢ１、ＣＨＢ２における伝搬水ＤＩＷの流量とを示す。ここで、伝搬水ＤＩＷの使用タイミングは、伝搬水ＤＩＷの流通を開始する時刻と、伝搬水ＤＩＷの流通を終了する時刻とを示す。すなわち、伝搬水ＤＩＷの使用タイミングは、伝搬水ＤＩＷの流通を開始してから終了するまでの期間を示す。
【0064】
なお、第１薬液槽ＣＨＢ１、ＣＨＢ２の処理槽内の薬液は、適宜交換される。薬液の交換時には、洗浄のために純水ＤＩＷが処理槽に導入される。図２を参照して説明したＤＩＷ使用計画は、第１薬液槽ＣＨＢ１、ＣＨＢ２の洗浄時に使用される純水ＤＩＷの使用タイミングと、第１薬液槽ＣＨＢ１、ＣＨＢ２の洗浄時に使用される純水ＤＩＷの流量とを更に示してもよい。ここで、純水ＤＩＷの使用タイミングは、処理槽への純水ＤＩＷの導入を開始する時刻と、処理槽への純水ＤＩＷの導入を終了する時刻とを示す。すなわち、純水ＤＩＷの使用タイミングは、処理槽への純水ＤＩＷの導入を開始してから終了するまでの期間を示す。
【0065】
第２薬液槽ＯＮＢ１～第２薬液槽ＯＮＢ４は、一組の基板Ｗに対して、リンス液による洗浄処理と、エッチング液によるエッチング処理とを行う。具体的には、第２薬液槽ＯＮＢ１～第２薬液槽ＯＮＢ４はそれぞれ、シャワーノズルと、処理槽とを含む。
【0066】
シャワーノズルは、処理槽の上方に位置する一組の基板Ｗに向けてリンス液の液滴を吐出する。この結果、一組の基板Ｗに対して、リンス液による洗浄処理が行われる。リンス液は純水ＤＩＷを含有する。リンス液は、例えば、純水ＤＩＷ、オゾン水、窒素水、又は温純水である。オゾン水は、純水ＤＩＷにオゾンを混合させたリンス液である。窒素水は、純水ＤＩＷに窒素を混合させたリンス液である。温純水は、純水ＤＩＷを加熱して温めたリンス液である。
【0067】
処理槽は、エッチング液を貯留する。一組の基板Ｗは、処理槽内のエッチング液に浸漬される。この結果、一組の基板Ｗに対して、エッチング液によるエッチング処理が行われる。エッチング液は純水ＤＩＷを含有する。エッチング液は、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）を含む水溶液、トリメチル－２ヒドロキシエチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＹ）を含む水溶液、又は、水酸化アンモニウム（アンモニア水）である。
【0068】
副搬送機構ＬＦ１は、第２薬液槽ＯＮＢ１の内部に一組の基板Ｗを搬入して、処理槽の上方に一組の基板Ｗを移動させる。シャワーノズルは、副搬送機構ＬＦ１に保持されている一組の基板Ｗに向けてリンス液の液滴を吐出して、一組の基板Ｗをリンス液によって洗浄する。この結果、処理槽内にリンス液が溜まる。リンス液による洗浄後、処理槽内のリンス液が排出される。
【0069】
リンス液の排出後、処理槽内にエッチング液が供給される。この結果、処理槽内にエッチング液に貯留される。副搬送機構ＬＦ１は、処理槽内にエッチング液が貯留されると、一組の基板Ｗを処理槽内に移動させる。この結果、一組の基板Ｗが処理槽内のエッチング液に浸漬されて、一組の基板Ｗがエッチング処理される。その後、副搬送機構ＬＦ１は、処理槽内のエッチング液から一組の基板Ｗを引き上げて、第２薬液槽ＯＮＢ１の外部に一組の基板Ｗを搬出する。処理槽内のエッチング液は、一組の基板Ｗがエッチング液から引き上げられた後に処理槽から排出される。
【0070】
第２薬液槽ＯＮＢ２～第２薬液槽ＯＮＢ４及び副搬送機構ＬＦ３、ＬＦ５、ＬＦ６は、第２薬液槽ＯＮＢ１及び副搬送機構ＬＦ１と同様に動作するため、その説明は割愛する。
【0071】
本実施形態において、図２を参照して説明したＤＩＷ使用計画は、第２薬液槽ＯＮＢ１～第２薬液槽ＯＮＢ４におけるリンス液の吐出タイミング（シャワーノズルの使用タイミング）と、リンス液の吐出時に使用される純水ＤＩＷの流量とを示す。すなわち、図２を参照して説明したタイムスケジュールＰは、第２薬液槽ＯＮＢ１～第２薬液槽ＯＮＢ４におけるシャワーノズルの使用タイミングと、リンス液の吐出時に使用される純水ＤＩＷの流量とを示す。ここで、リンス液の吐出タイミングは、リンス液の吐出を開始する時刻と、リンス液の吐出を終了する時刻とを示す。すなわち、リンス液の吐出タイミングは、リンス液の吐出を開始してから終了するまでの期間を示す。
【0072】
また、図２を参照して説明したＤＩＷ使用計画は、第２薬液槽ＯＮＢ１～第２薬液槽ＯＮＢ４の処理槽にエッチング液を供給するタイミングと、エッチング液の供給時に使用される純水ＤＩＷの流量とを示す。すなわち、図２を参照して説明したタイムスケジュールＰは、第２薬液槽ＯＮＢ１～第２薬液槽ＯＮＢ４の処理槽にエッチング液を供給するタイミングと、エッチング液の供給時に使用される純水ＤＩＷの流量とを示す。ここで、エッチング液を供給するタイミングは、処理槽へのエッチング液の供給を開始する時刻と、処理槽へのエッチング液の供給を終了する時刻とを示す。すなわち、エッチング液を供給するタイミングは、処理槽へのエッチング液の供給を開始してから終了するまでの期間を示す。
【0073】
第２薬液槽ＯＮＢ１～第２薬液槽ＯＮＢ４は、第１薬液槽ＣＨＢ１、ＣＨＢ２と同様に、超音波発生器を更に含む。本実施形態において、図２を参照して説明したＤＩＷ使用計画は、第２薬液槽ＯＮＢ１～第２薬液槽ＯＮＢ４における伝搬水ＤＩＷの使用タイミングと、第２薬液槽ＯＮＢ１～第２薬液槽ＯＮＢ４における伝搬水ＤＩＷの流量とを示す。すなわち、図２を参照して説明したタイムスケジュールＰは、第２薬液槽ＯＮＢ１～第２薬液槽ＯＮＢ４における伝搬水ＤＩＷの使用タイミングと、第２薬液槽ＯＮＢ１～第２薬液槽ＯＮＢ４における伝搬水ＤＩＷの流量とを示す。
【0074】
乾燥槽ＬＰＤ１、ＬＰＤ２は、一組の基板Ｗに対して乾燥処理を行う。詳しくは、乾燥槽ＬＰＤ１、ＬＰＤ２は、ガスノズルと、処理槽とを含む。
【0075】
ガスノズルは、処理槽の上方に位置する一組の基板Ｗに向けて有機溶剤の蒸気を吐出する。この結果、一組の基板Ｗを乾燥させることができる。有機溶剤の蒸気は、例えば、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）の蒸気である。処理槽は純水ＤＩＷを貯留する。処理槽内の純水ＤＩＷに一組の基板Ｗが浸漬されて、一組の基板Ｗがリンスされる。
【0076】
第２搬送機構ＷＴＲは、乾燥槽ＬＰＤ１の内部に一組の基板Ｗを搬入して、処理槽内に貯留されている純水ＤＩＷに一組の基板Ｗを浸漬させる。この結果、一組の基板Ｗがリンスされる。その後、第２搬送機構ＷＴＲは、処理槽内の純水ＤＩＷから一組の基板Ｗを引き上げる。処理槽内の純水ＤＩＷから一組の基板Ｗを引き上げると、処理槽から純水ＤＩＷが排出される。処理槽から純水ＤＩＷが排出された後、ガスノズルから有機溶剤の蒸気が吐出される。この結果、一組の基板Ｗが乾燥される。第２搬送機構ＷＴＲは、乾燥後の一組の基板Ｗを乾燥槽ＬＰＤ１の外部に搬出する。
【0077】
乾燥槽ＬＰＤ２の動作と、第２搬送機構ＷＴＲの乾燥槽ＬＰＤ２に対する動作とは、乾燥槽ＬＰＤ１の動作と、第２搬送機構ＷＴＲの乾燥槽ＬＰＤ１に対する動作と同様であるため、その説明は割愛する。
【0078】
乾燥槽ＬＰＤ１、ＬＰＤ２の処理槽には、第２搬送機構ＷＴＲが乾燥槽ＬＰＤ１、ＬＰＤ２の内部に一組の基板Ｗを搬入する前に純水ＤＩＷが供給される。本実施形態において、図２を参照して説明したＤＩＷ使用計画は、乾燥槽ＬＰＤ１、ＬＰＤ２の処理槽に純水ＤＩＷを供給するタイミングと、乾燥槽ＬＰＤ１、ＬＰＤ２の処理槽へ供給する純水ＤＩＷの流量とを示す。すなわち、図２を参照して説明したタイムスケジュールＰは、乾燥槽ＬＰＤ１、ＬＰＤ２の処理槽に純水ＤＩＷを供給するタイミングと、乾燥槽ＬＰＤ１、ＬＰＤ２の処理槽へ供給する純水ＤＩＷの流量とを示す。ここで、純水ＤＩＷを供給するタイミングは、処理槽への純水ＤＩＷの供給を開始する時刻と、処理槽への純水ＤＩＷの供給を終了する時刻とを示す。すなわち、純水ＤＩＷを供給するタイミングは、処理槽への純水ＤＩＷの供給を開始してから終了するまでの期間を示す。
【0079】
続いて、図５を参照して、基板処理装置１を更に説明する。図５に示すように、基板処理装置１は、洗浄槽ＣＨＣＬを更に備える。洗浄槽ＣＨＣＬは、第２搬送機構ＷＴＲを洗浄する。本実施形態では、洗浄槽ＣＨＣＬにおいて、第２搬送機構ＷＴＲのハンドが純水ＤＩＷによって水洗処理される。したがって、基板処理装置１は、第２搬送機構ＷＴＲの洗浄時に純水ＤＩＷを使用する。
【0080】
本実施形態において、図２を参照して説明したＤＩＷ使用計画は、第２搬送機構ＷＴＲを洗浄するタイミングと、第２搬送機構ＷＴＲの洗浄時に使用される純水ＤＩＷの流量とを示す。すなわち、図２を参照して説明したタイムスケジュールＰは、第２搬送機構ＷＴＲを洗浄するタイミングと、第２搬送機構ＷＴＲの洗浄時に使用される純水ＤＩＷの流量とを示す。
【0081】
より詳しくは、洗浄槽ＣＨＣＬは、シャワーノズルと、処理槽とを含む。シャワーノズルは、処理槽の上方に位置する第２搬送機構ＷＴＲのハンドに向けて純水ＤＩＷの液滴を吐出する。処理槽は、純水ＤＩＷを貯留する。第２搬送機構ＷＴＲのハンドは、処理槽内の純水ＤＩＷに浸漬される。図２を参照して説明したＤＩＷ使用計画は、洗浄槽ＣＨＣＬにおける純水ＤＩＷの吐出タイミング（シャワーノズルの使用タイミング）と、純水ＤＩＷの吐出時に使用される純水ＤＩＷの流量とを示す。また、図２を参照して説明したＤＩＷ使用計画は、洗浄槽ＣＨＣＬの処理槽に純水ＤＩＷを供給するタイミングと、純水ＤＩＷの供給時に使用される純水ＤＩＷの流量とを示す。
【0082】
続いて、図６を参照して、基板処理装置１のコンピューターＣＭ１を説明する。図６は、基板処理装置１のコンピューターＣＭ１の構成を示すブロック図である。図６に示すように、コンピューターＣＭ１は、通信部５１と、記憶部５２と、制御部５３とを備える。以下、基板処理装置１の通信部５１を、「第１通信部５１」と記載する場合がある。また、基板処理装置１の記憶部５２を、「第１記憶部５２」と記載する場合がある。
【0083】
第１通信部５１は、有線又は無線でネットワークＮＷに接続される。ネットワークＮＷは、例えば、インターネット、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）、及び公衆電話網を含む。第１通信部５１は、通信機であり、例えば、ネットワークインターフェースコントローラーである。第１通信部５１は、ネットワークＮＷに接続された群管理装置２と通信を行う。
【0084】
第１通信部５１は、図２を参照して説明したＤＩＷ使用計画を群管理装置２に送信する。本実施形態では、第１通信部５１は、図２を参照して説明したタイムスケジュールＰを群管理装置２に送信する。また、第１通信部５１は、図３を参照して説明した再調整命令ＲＡを群管理装置２から受信する。更に、第１通信部５１は、図４を参照して説明したように、群管理装置２から管理情報ＡＳＣを受信する。
【0085】
第１記憶部５２は、各種のデータ及び各種のコンピュータプログラムを記憶する。各種のデータは、レシピデータを含む。レシピデータは、複数のレシピを示す。複数のレシピの各々は、例えば、基板Ｗの処理内容及び処理手順を規定する。例えば、複数のレシピの各々は、処理ユニットＳＰによる基板処理の際の処理液の使用タイミングと、処理液の単位時間当たり流量とを規定する。処理液の使用タイミングは、処理液の使用を開始する時刻と、処理液の使用を終了する時刻とを示す。すなわち、処理液の使用タイミングは、処理液の使用を開始してから終了するまでの期間を示す。処理液の単位時間当たり流量は、処理液の単位時間当たりの使用量を示す。
【0086】
第１記憶部５２は、主記憶装置を有する。主記憶装置は、例えば、半導体メモリである。第１記憶部５２は、補助記憶装置を更に有する。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリ及びハードディスクドライブの少なくも一方を含む。第１記憶部５２はリムーバブルメディアを含んでいてもよい。
【0087】
制御部５３は、プロセッサーを含む。制御部５３は、例えば、プロセッサーとして、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、又は、ＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）を含む。制御部５３は、第１記憶部５２に記憶されているコンピュータプログラム及びデータに基づいて、基板処理装置１の各部の動作を制御する。
【0088】
更に、制御部５３は、第１記憶部５２に記憶されているレシピデータに基づいて、図２を参照して説明したＤＩＷ使用計画を作成する。そして、作成したＤＩＷ使用計画を第１通信部５１に送信させる。本実施形態では、制御部５３は、レシピデータに基づいて、図２を参照して説明したタイムスケジュールＰを作成し、第１通信部５１にタイムスケジュールＰを送信させる。制御部５３は、「計画作成部」の一例である。
【0089】
また、制御部５３は、第１通信部５１を介して再調整命令ＲＡと管理情報ＡＳＣとを受信すると、管理情報ＡＳＣを参照して、ＤＩＷ総流量が閾値ＴＨ以下となるＤＩＷ使用計画（タイムスケジュールＰ）を作成する。詳しくは、図４を参照して説明したように、制御部５３は、同一のエリアＡに設置されている他の基板処理装置１のＤＩＷ使用計画（タイムスケジュールＰ）を参照して、自機のＤＩＷ使用計画（タイムスケジュールＰ）を調整する。また、図４を参照して説明したように、制御部５３は、ＤＩＷ使用計画（タイムスケジュールＰ）の更新（調整）を繰り返して、ＤＩＷ総流量が閾値ＴＨ以下となるＤＩＷ使用計画（タイムスケジュールＰ）を作成する。
【0090】
続いて、図７を参照して、群管理装置２を説明する。図７は、本実施形態の群管理装置２の構成を示すブロック図である。図７に示すように、群管理装置２は、通信部２０１と、記憶部２０２と、処理部２０３とを備える。以下、群管理装置２の通信部２０１を、「第２通信部２０１」と記載する場合がある。また、群管理装置２の記憶部２０２を、「第２記憶部２０２」と記載する場合がある。
【0091】
第２通信部２０１は、有線又は無線でネットワークＮＷに接続される。第２通信部２０１は、通信機であり、例えば、ネットワークインターフェースコントローラーである。第２通信部２０１は、ネットワークＮＷに接続された複数の基板処理装置１と通信を行う。
【0092】
第２通信部２０１は、複数の基板処理装置１の各々から、図２を参照して説明したＤＩＷ使用計画を受信する。本実施形態において、第２通信部２０１は、複数の基板処理装置１の各々から、図２を参照して説明したタイムスケジュールＰを受信する。また、第２通信部２０１は、図３を参照して説明した再調整命令ＲＡを指示対象装置に送信する。更に、第２通信部２０１は、図４を参照して説明したように、管理情報ＡＳＣを指示対象装置に送信する。
【0093】
第２記憶部２０２は、各種のデータ及び各種のコンピュータプログラムを記憶する。各種のデータは、図３を参照して説明した閾値ＴＨを含む。より具体的には、第２記憶部２０２は、用力設備ＰＦごとに閾値ＴＨを記憶する。第２記憶部２０２は、主記憶装置を有する。主記憶装置は、例えば、半導体メモリである。第２記憶部２０２は、補助記憶装置を更に有する。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリ及びハードディスクドライブの少なくも一方を含む。第２記憶部２０２は、リムーバブルメディアを含んでいてもよい。
【0094】
処理部２０３は、プロセッサーを含む。処理部２０３は、例えば、プロセッサーとして、ＣＰＵ又はＭＰＵを含む。処理部２０３は、第２記憶部２０２に記憶されているコンピュータプログラム及びデータに基づいて、各種の処理を実行する。具体的には、処理部２０３は、図２を参照して説明した総流量情報ＡＦＲ及び管理情報ＡＳＣを生成する。また、処理部２０３は、図３を参照して説明した閾値判定処理及び決定処理を実行する。更に、処理部２０３は、図３及び図４を参照して説明したように、第２通信部２０１を介して、再調整命令ＲＡ及び管理情報ＡＳＣを指示対象装置に送信する。
【0095】
続いて、図８を参照して、群管理装置２の処理部２０３が実行する処理を説明する。図８は、本実施形態の群管理装置２が備える処理部２０３が実行する処理の流れを示すフローチャートである。図８に示す処理は、第２通信部２０１がＤＩＷ使用計画（タイムスケジュールＰ）を受信したことに応じて開始する。以下では、理解を容易にするために、図１～図４を参照して説明した基板処理装置１Ａ～基板処理装置１Ｄを例に、図８に示す処理を説明する。
【0096】
図８に示すように、第２通信部２０１が基板処理装置１Ａ～基板処理装置１ＤのいずれかのＤＩＷ使用計画を受信すると、処理部２０３は、基板処理装置１Ａ～基板処理装置１Ｄから受信したＤＩＷ使用計画に基づいて第１エリアＡ１のＤＩＷ総流量を取得して、第１エリアＡ１の総流量情報ＡＦＲを生成する（ステップＳ１）。より具体的には、処理部２０３は、基板処理装置１Ａ～基板処理装置１ＤのＤＩＷ使用計画（タイムスケジュールＰ）を纏めて、第１エリアＡ１の管理情報ＡＳＣを生成する。そして、管理情報ＡＳＣに基づいて、第１エリアＡ１の総流量情報ＡＦＲを生成する。
【0097】
第１エリアＡ１の総流量情報ＡＦＲを生成すると、処理部２０３は、総流量情報ＡＦＲと閾値ＴＨとに基づいて、第１エリアＡ１のＤＩＷ総流量が閾値ＴＨを超えるか否かを判定する（ステップＳ２）。
【0098】
処理部２０３は、第１エリアＡ１のＤＩＷ総流量が閾値ＴＨを超えないと判定した場合（ステップＳ２のＮｏ）、図８に示す処理を終了する。一方、処理部２０３は、第１エリアＡ１のＤＩＷ総流量が閾値ＴＨを超えると判定した場合（ステップＳ２のＹｅｓ）、基板処理装置１Ａ～基板処理装置１Ｄのうちのいずれかを指示対象装置に決定する（ステップＳ３）。そして、第２通信部２０１を介して指示対象装置にＤＩＷ使用計画の調整を指示して（ステップＳ４）、図８に示す処理を終了する。
【0099】
より具体的には、処理部２０３は、管理情報ＡＳＣに基づいて、ＤＩＷ総流量が閾値ＴＨを超える時間帯に純水ＤＩＷを使用する基板処理装置１を特定する。そして、所定の条件に基づいて、ＤＩＷ総流量が閾値ＴＨを超えるタイミングで純水ＤＩＷを使用する基板処理装置１のうちの１つを指示対象装置に決定する（決定処理）。決定処理の実行後、処理部２０３は、指示対象装置に対し、第２通信部２０１を介して再調整命令ＲＡを送信する。
【0100】
本実施形態では、再調整命令ＲＡを送信する際に、処理部２０３が、第２通信部２０１を介して、第１エリアＡ１（指示対象装置が設置されているエリアＡ）の管理情報ＡＳＣを指示対象装置に送信する。この結果、第１エリアＡ１（指示対象装置が設置されているエリアＡ）に設置されている他の基板処理装置１のＤＩＷ使用計画（タイムスケジュールＰ）が、指示対象装置に送信される。
【0101】
続いて、図９を参照して、基板処理装置１が備えるコンピューターＣＭ１の制御部５３が実行する処理を説明する。図９は、基板処理装置１が備えるコンピューターＣＭ１の制御部５３が実行する処理の流れを示すフローチャートである。図９に示す処理は、第１通信部５１が再調整命令ＲＡを受信したことに応じて開始する。すなわち、図９に示す処理は、指示対象装置の制御部５３が実行する処理の流れを示す。以下では、理解を容易にするために、図１～図４を参照して説明した基板処理装置１Ｂが指示対象装置に決定された場合を例に、図９に示す処理を説明する。
【0102】
図９に示すように、制御部５３は、第１通信部５１が再調整命令ＲＡを受信すると、ＤＩＷ使用計画（タイムスケジュールＰ）を調整する（ステップＳ１１）。本実施形態において、制御部５３は、管理情報ＡＳＣを参照して、ＤＩＷ使用計画（タイムスケジュールＰ）を調整する。具体的には、第１エリアＡ１に設置されている他の基板処理装置１（基板処理装置１Ａ、１Ｃ、１Ｄ）のＤＩＷ使用計画（タイムスケジュールＰ）を参照して、基板処理装置１ＢのＤＩＷ使用計画（タイムスケジュールＰ）を調整する。
【0103】
ＤＩＷ使用計画（タイムスケジュールＰ）を調整すると、制御部５３は、第１通信部５１を介して、調整後のＤＩＷ使用計画（タイムスケジュールＰ）を群管理装置２に送信して（ステップＳ１２）、図９に示す処理を終了する。なお、群管理装置２の処理部２０３は、調整後のＤＩＷ使用計画（タイムスケジュールＰ）を受信すると、図８を参照して説明した処理を開始する。
【0104】
続いて、図１０～図１５を参照して、群管理装置２の処理部２０３が実行する決定処理（図８のステップＳ３）を説明する。以下では、理解を容易にするために、図１～図４を参照して説明した基板処理装置１Ａ～基板処理装置１Ｄを例に、決定処理を説明する。
【0105】
図１０は、決定処理の第１例を示す図である。決定処理の第１例では、処理部２０３は、基板処理装置１が群管理装置２にＤＩＷ使用計画（タイムスケジュールＰ）を送信したタイミングに基づいて指示対象装置を決定する。以下、基板処理装置１が群管理装置２にＤＩＷ使用計画（タイムスケジュールＰ）を送信したタイミングを、「送信タイミング」と記載する場合がある。
【0106】
具体的には、図１０に示すように、処理部２０３は、第１エリアＡ１のＤＩＷ総流量が閾値ＴＨを超えると判定した場合（図８のステップＳ２のＹｅｓ）、第２通信部２０１が基板処理装置１Ａ～基板処理装置１ＤからＤＩＷ使用計画を受信した受信時刻を取得する（ステップＳ３０１）。詳しくは、処理部２０３は、第２通信部２０１がＤＩＷ使用計画（タイムスケジュールＰ）を受信すると、ＤＩＷ使用計画（タイムスケジュールＰ）の受信時刻を第２記憶部２０２に記憶させる。処理部２０３は、第２記憶部２０２から受信時刻を取得する。
【0107】
処理部２０３は、基板処理装置１Ａ～基板処理装置１ＤからＤＩＷ使用計画を受信した受信時刻に基づいて、基板処理装置１Ａ～基板処理装置１Ｄのうちの１つを指示対象装置に決定する（ステップＳ３０２）。この結果、図１０に示す処理が終了する。
【0108】
例えば、処理部２０３は、基板処理装置１Ａ～基板処理装置１Ｄのうち、送信タイミングが最も遅い基板処理装置１を指示対象装置に決定してもよい。具体的には、処理部２０３は、基板処理装置１Ａ～基板処理装置１Ｄうち、ＤＩＷ使用計画を受信した受信時刻が最も遅い基板処理装置１を指示対象装置に決定してもよい。この結果、基板処理装置１Ａ～基板処理装置１Ｄのうち、タイムスケジュールＰを作成したタイミングが比較的早い基板処理装置１による基板処理を優先して実行させることができ、タイムスケジュールＰを作成したタイミングが比較的早い基板処理装置１のスループットの低下を抑制することができる。
【0109】
あるいは、処理部２０３は、基板処理装置１Ａ～基板処理装置１Ｄのうち、送信タイミングが最も早い基板処理装置１を指示対象装置に決定してもよい。具体的には、処理部２０３は、基板処理装置１Ａ～基板処理装置１Ｄのうち、ＤＩＷ使用計画を受信した受信時刻が最も早い基板処理装置１を指示対象装置に決定してもよい。この結果、基板処理装置１Ａ～基板処理装置１Ｄのうち、タイムスケジュールＰを作成したタイミングが比較的遅い基板処理装置１のスループットの低下を抑制して、指示対象装置が設置されているエリアＡ全体のスループットを均一化させることができる。
【0110】
図１１は、決定処理の第２例を示す図である。決定処理の第２例では、処理部２０３は、基板処理時間に基づいて指示対象装置を決定する。基板処理時間は、基板処理装置１の外部から内部に基板Ｗが搬入されてから、基板処理装置１の外部に基板Ｗが搬出されるまでの時間を含む。詳しくは、基板処理時間は、基板処理装置１のロードポートＬＰに載置された基板Ｗが基板処理装置１の内部に搬送されてから、基板処理装置１の内部で処理された後、基板処理装置１の他のロードポートＬＰに載置されるまでの時間を含む。
【0111】
図５に示す基板処理装置１において、基板処理時間は、投入部３からバッファユニットＢＵの内部に２つの収容部１０が搬入されてから、２つの収容部１０から取り出された未処理の基板Ｗ（一組の基板Ｗ）が処理ユニットＳＰによって処理された後、処理済みの基板Ｗ（一組の基板Ｗ）が２つの収容部１０に収容されて、処理済みの基板Ｗを収容した２つの収容部１０が払出部７に払い出されるまでの時間を示す。
【0112】
具体的には、図１１に示すように、処理部２０３は、第１エリアＡ１のＤＩＷ総流量が閾値ＴＨを超えると判定した場合（図８のステップＳ２のＹｅｓ）、基板処理装置１Ａ～基板処理装置１ＤのタイムスケジュールＰ（管理情報ＡＳＣ）から基板処理時間を算出する（ステップＳ３１１）。そして、処理部２０３は、基板処理時間に基づいて、基板処理装置１Ａ～基板処理装置１Ｄのうちの１つを指示対象装置に決定する（ステップＳ３１２）。この結果、図１１に示す処理が終了する。
【0113】
例えば、処理部２０３は、基板処理装置１Ａ～基板処理装置１Ｄのうち、基板処理時間が最も短い基板処理装置１を指示対象装置に決定してもよい。この結果、指示対象装置が設置されているエリアＡ全体のスループットを均一化させることができる。
【0114】
あるいは、処理部２０３は、基板処理装置１Ａ～基板処理装置１Ｄのうち、基板処理時間が最も長い基板処理装置１を指示対象装置に決定してもよい。この結果、基板処理装置１Ａ～基板処理装置１Ｄのうち、基板処理時間が比較的短い基板処理装置１による基板処理を優先して実行させることができ、基板処理時間が比較的短い基板処理装置１のスループットの低下を抑制することができる。
【0115】
図１２は、決定処理の第３例を示す図である。決定処理の第３例では、処理部２０３は、基板Ｗの処理が終了する処理終了タイミングに基づいて指示対象装置を決定する。図５に示す基板処理装置１において、処理終了タイミングは、処理ユニットＳＰによって処理された後の一組の基板Ｗが２つの収容部１０に収容されるタイミングを示す。
【0116】
具体的には、図１２に示すように、処理部２０３は、第１エリアＡ１のＤＩＷ総流量が閾値ＴＨを超えると判定した場合（図８のステップＳ２のＹｅｓ）、基板処理装置１Ａ～基板処理装置１ＤのタイムスケジュールＰ（管理情報ＡＳＣ）から、処理終了時刻を取得する（ステップＳ３２１）。図５に示す基板処理装置１において、処理終了時刻は、処理ユニットＳＰによって処理された後の一組の基板Ｗが２つの収容部１０に収容される時刻を示す。
【0117】
処理部２０３は、処理終了時刻に基づいて、基板処理装置１Ａ～基板処理装置１Ｄのうちの１つを指示対象装置に決定する（ステップＳ３２２）。この結果、図１２に示す処理が終了する。
【0118】
例えば、処理部２０３は、基板処理装置１Ａ～基板処理装置１Ｄのうち、処理終了タイミング（処理終了時刻）が最も遅い基板処理装置１を指示対象装置に決定してもよい。この結果、基板処理装置１Ａ～基板処理装置１Ｄのうち、処理終了タイミング（処理終了時刻）が比較的早い基板処理装置１による基板処理を優先して実行させることができ、処理終了タイミング（処理終了時刻）が比較的早い基板処理装置１のスループットの低下を抑制することができる。
【0119】
あるいは、処理部２０３は、基板処理装置１Ａ～基板処理装置１Ｄのうち、処理終了タイミング（処理終了時刻）が最も早い基板処理装置１を指示対象装置に決定してもよい。この結果、指示対象装置が設置されているエリアＡ全体のスループットを均一化させることができる。
【0120】
図１３は、決定処理の第４例を示す図である。決定処理の第４例では、処理部２０３は、基板処理装置１の外部に基板Ｗが搬出されるタイミングである基板搬出タイミングに基づいて指示対象装置を決定する。詳しくは、基板搬出タイミングは、基板処理装置１のロードポートＬＰに処理済みの基板Ｗが載置されるタイミングを示す。図５に示す基板処理装置１において、基板搬出タイミングは、処理ユニットＳＰによって処理された後の一組の基板Ｗを収容した２つの収容部１０が払出部７に払い出されるタイミングを示す。
【0121】
具体的には、図１３に示すように、処理部２０３は、第１エリアＡ１のＤＩＷ総流量が閾値ＴＨを超えると判定した場合（図８のステップＳ２のＹｅｓ）、基板処理装置１Ａ～基板処理装置１ＤのタイムスケジュールＰ（管理情報ＡＳＣ）から基板搬出時刻を取得する（ステップＳ３３１）。図５に示す基板処理装置１において、基板搬出時刻は、処理ユニットＳＰによって処理された後の一組の基板Ｗを収容した２つの収容部１０が払出部７に払い出される時刻を示す。
【0122】
処理部２０３は、基板搬出時刻に基づいて、基板処理装置１Ａ～基板処理装置１Ｄのうちの１つを指示対象装置に決定する（ステップＳ３３２）。この結果、図１３に示す処理が終了する。
【0123】
例えば、処理部２０３は、基板処理装置１Ａ～基板処理装置１Ｄのうち、基板搬出タイミング（基板搬出時刻）が最も遅い基板処理装置１を指示対象装置に決定してもよい。この結果、基板処理装置１Ａ～基板処理装置１Ｄのうち、基板搬出タイミング（基板搬出時刻）が比較的早い基板処理装置１による基板処理を優先して実行させることができ、基板搬出タイミング（基板搬出時刻）が比較的早い基板処理装置１のスループットの低下を抑制することができる。
【0124】
あるいは、処理部２０３は、基板処理装置１Ａ～基板処理装置１Ｄのうち、基板搬出タイミング（基板搬出時刻）が最も早い基板処理装置１を指示対象装置に決定してもよい。この結果、指示対象装置が設置されているエリアＡ全体のスループットを均一化させることができる。
【0125】
図１４は、決定処理の第５例を示す図である。決定処理の第５例では、処理部２０３は、基板Ｗの処理が開始する処理開始タイミングに基づいて指示対象装置を決定する。図５に示す基板処理装置１において、処理開始タイミングは、２ロット分の未処理の基板Ｗを組み合わせて一組にする処理を開始するタイミングを示す。
【0126】
具体的には、図１４に示すように、処理部２０３は、第１エリアＡ１のＤＩＷ総流量が閾値ＴＨを超えると判定した場合（図８のステップＳ２のＹｅｓ）、基板処理装置１Ａ～基板処理装置１ＤのタイムスケジュールＰ（管理情報ＡＳＣ）から、処理開始時刻を取得する（ステップＳ３４１）。図５に示す基板処理装置１において、処理開始時刻は、２ロット分の未処理の基板Ｗを組み合わせて一組にする処理を開始する時刻を示す。
【0127】
処理部２０３は、処理開始時刻に基づいて、基板処理装置１Ａ～基板処理装置１Ｄのうちの１つを指示対象装置に決定する（ステップＳ３４２）。この結果、図１４に示す処理が終了する。
【0128】
例えば、処理部２０３は、基板処理装置１Ａ～基板処理装置１Ｄのうち、処理開始タイミング（処理開始時刻）が最も遅い基板処理装置１を指示対象装置に決定してもよい。この結果、基板処理装置１Ａ～基板処理装置１Ｄのうち、処理開始タイミング（処理開始時刻）が比較的早い基板処理装置１による基板処理を優先して実行させることができ、処理開始タイミング（処理開始時刻）が比較的早い基板処理装置１のスループットの低下を抑制することができる。
【0129】
あるいは、処理部２０３は、基板処理装置１Ａ～基板処理装置１Ｄのうち、処理開始タイミング（処理開始時刻）が最も早い基板処理装置１を指示対象装置に決定してもよい。この結果、指示対象装置が設置されているエリアＡ全体のスループットを均一化させることができる。
【0130】
図１５は、決定処理の第６例を示す図である。決定処理の第６例では、処理部２０３は、基板処理装置１の外部から内部に基板Ｗが搬入されるタイミングである基板搬入タイミングに基づいて指示対象装置を決定する。詳しくは、基板搬入タイミングは、基板処理装置１のロードポートＬＰに載置された基板Ｗが基板処理装置１の内部に搬送されるタイミングを示す。図５に示す基板処理装置１において、基板搬入タイミングは、投入部３からバッファユニットＢＵの内部に収容部１０が投入されるタイミングを示す。詳しくは、一組の基板Ｗに組み合わせる予定の基板Ｗを収容する２つの収容部１０の投入タイミングのうち、より早い投入タイミングが基板搬入タイミングに対応する。
【0131】
具体的には、図１５に示すように、処理部２０３は、第１エリアＡ１のＤＩＷ総流量が閾値ＴＨを超えると判定した場合（図８のステップＳ２のＹｅｓ）、基板処理装置１Ａ～基板処理装置１ＤのタイムスケジュールＰ（管理情報ＡＳＣ）から基板搬入時刻を取得する（ステップＳ３５１）。図５に示す基板処理装置１において、基板搬入時刻は、投入部３からバッファユニットＢＵの内部に収容部１０が投入される時刻を示す。詳しくは、一組の基板Ｗに組み合わせる予定の基板Ｗを収容する２つの収容部１０の投入時刻のうち、より早い投入時刻が基板搬入時刻に対応する。
【0132】
処理部２０３は、基板搬入時刻に基づいて、基板処理装置１Ａ～基板処理装置１Ｄのうちの１つを指示対象装置に決定する（ステップＳ３５２）。この結果、図１５に示す処理が終了する。
【0133】
例えば、処理部２０３は、基板処理装置１Ａ～基板処理装置１Ｄのうち、基板搬入タイミング（基板搬入時刻）が最も遅い基板処理装置１を指示対象装置に決定してもよい。この結果、基板処理装置１Ａ～基板処理装置１Ｄのうち、基板搬入タイミング（基板搬入時刻）が比較的早い基板処理装置１による基板処理を優先して実行させることができ、基板搬入タイミング（基板搬入時刻）が比較的早い基板処理装置１のスループットの低下を抑制することができる。
【0134】
あるいは、処理部２０３は、基板処理装置１Ａ～基板処理装置１Ｄのうち、基板搬入タイミング（基板搬入時刻）が最も早い基板処理装置１を指示対象装置に決定してもよい。この結果、指示対象装置が設置されているエリアＡ全体のスループットを均一化させることができる。
【0135】
続いて、図１６及び図１７を参照して、基板処理装置１の制御部５３が作成するタイムスケジュールＰについて、基板処理装置１Ｂを例に説明する。図１６は、基板処理装置１Ｂの制御部５３が作成するタイムスケジュールＰの一例を示す図である。図１７は、基板処理装置１Ｂの制御部５３が作成する調整後のタイムスケジュールＰの一例を示す図である。図１６及び図１７において、縦軸はリソースを示し、横軸は時間ｔを示す。リソースは制御部５３による制御対象を示す。図１６及び図１７に示すタイムスケジュールＰは、タイムスケジュールＰ１～Ｐ５を含む。
【0136】
【0137】
タイムスケジュールＰ１～タイムスケジュールＰ５はそれぞれ一組の基板Ｗに対する処理の流れを示す。具体的には、タイムスケジュールＰ１～タイムスケジュールＰ３、及びタイムスケジュールＰ５は、一組の基板Ｗが第１薬液槽ＣＨＢ２、第２薬液槽ＯＮＢ２、第２薬液槽ＯＮＢ４、乾燥槽ＬＰＤ２をこの順に経由する計画を示す。タイムスケジュールＰ４は、一組の基板Ｗが第１薬液槽ＣＨＢ１、第２薬液槽ＯＮＢ１、第２薬液槽ＯＮＢ３、乾燥槽ＬＰＤ１をこの順に経由する計画を示す。タイムスケジュールＰ１～タイムスケジュールＰ５で規定される処理の流れは、この順に開始する。
【0138】
図１６に示す例では、時刻ｔ１１から時刻ｔ１２にかけて、タイムスケジュールＰ３で規定される処理の一部と、タイムスケジュールＰ４で規定される処理の一部とが同時に実行されて、ＤＩＷ総流量が閾値ＴＨを超える。また、時刻ｔ１３から時刻ｔ１４にかけて、タイムスケジュールＰ３で規定される処理の一部と、タイムスケジュールＰ４で規定される処理の一部と、タイムスケジュールＰ５で規定される処理の一部とが同時に実行されて、ＤＩＷ総流量が閾値ＴＨを超える。基板処理装置１Ｂが指示対象装置に決定されると、基板処理装置１Ｂの制御部５３はタイムスケジュールＰを調整する。
【0139】
図１７に示す例において、基板処理装置１Ｂの制御部５３は、タイムスケジュールＰを調整して、タイムスケジュールＰ４、Ｐ５を遅延させる。具体的には、時刻ｔ１１から時刻ｔ１２にかけて、タイムスケジュールＰ３で規定される処理のみが実行されるように、タイムスケジュールＰ４、Ｐ５を遅延させる。また、基板処理装置１Ｂの制御部５３は、時刻ｔ１３から時刻ｔ１４にかけて、タイムスケジュールＰ３で規定される処理のみが実行されるように、タイムスケジュールＰ４、Ｐ５を遅延させる。この結果、図１７に示すように、ＤＩＷ総流量が全時刻において閾値ＴＨ以下となる。
【0140】
ここで、図１６及び図１７を参照して、基板処理装置１の制御部５３が実行する調整量算出処理について、基板処理装置１Ｂを例に説明する。基板処理装置１Ｂの制御部５３は、管理情報ＡＳＣに基づいて、時刻ｔ１１から時刻ｔ１２の期間のＤＩＷ総流量が閾値ＴＨとなるように、タイムスケジュールＰ４及びタイムスケジュールＰ５の調整量を算出する。調整量は、時間軸に沿ったタイムスケジュールＰ（ＤＩＷ使用計画）の移動量を示す。基板処理装置１Ｂの制御部５３は、調整量に基づいて、タイムスケジュールＰ４及びタイムスケジュールＰ５を調整する。つまり、基板処理装置１Ｂの制御部５３は、タイムスケジュールＰ４及びタイムスケジュールＰ５を調整量だけ時間軸に沿って移動させる。
【0141】
具体的には、基板処理装置１Ｂの制御部５３は、調整量として、タイムスケジュールＰ４の開始時刻を時刻ｔ１２以降にする遅延量（遅延時間）を算出する。そして、遅延量に基づいてタイムスケジュールＰ４及びタイムスケジュールＰ５を遅延させたタイムスケジュールＰを作成し、群管理装置２へ送信する。その後、制御部５３は、群管理装置２から再調整命令ＲＡ及び管理情報ＡＳＣを再度取得して、タイムスケジュールＰ４の開始時刻が時刻ｔ１４以降となる遅延量を算出する。そして、遅延量に基づいてタイムスケジュールＰ４及びタイムスケジュールＰ５を遅延させたタイムスケジュールＰを作成する。その結果、図１６及び図１７に示すように、タイムスケジュールＰが調整される。
【0142】
続いて、図１８及び図１９を参照して、基板処理装置１の制御部５３が作成するタイムスケジュールＰについて、基板処理装置１Ｂを例に説明する。図１８は、基板処理装置１Ｂの制御部５３が作成するタイムスケジュールＰの一例を示す図である。図１９は、基板処理装置１Ｂの制御部５３が作成する調整後のタイムスケジュールＰの一例を示す図である。図１８及び図１９において、縦軸はリソースを示し、横軸は時間ｔを示す。図１８及び図１９に示すタイムスケジュールＰは、タイムスケジュールＰ１～タイムスケジュールＰ３を含む。なお、「－」の後は、処理工程の番号を表す。
【0143】
図１８及び図１９に示すようにタイムスケジュールＰ１は、２つのロット１、２に対する処理の流れを示す。タイムスケジュールＰ２は、２つのロット３、４に対する処理の流れを示す。タイムスケジュールＰ３は、２つのロット５、６に対する処理の流れを示す。
【0144】
タイムスケジュールＰ１は、処理工程Ｐ１－１～処理工程Ｐ１－６を含む。タイムスケジュールＰ２は、処理工程Ｐ２－１～処理工程Ｐ２－６を含む。タイムスケジュールＰ３は、処理工程Ｐ３－１～処理工程Ｐ３－６を含む。タイムスケジュールＰ１～タイムスケジュールＰ３で規定される処理の流れは、この順に開始する。
【0145】
図１８及び図１９に示すように、タイムスケジュールＰ１は、純水ＤＩＷの使用計画を示す。具体的には、タイムスケジュールＰ１は、処理工程Ｐ１－３～処理工程Ｐ１－５において純水ＤＩＷを使用することを示す。詳しくは、タイムスケジュールＰ１は、純水ＤＩＷの使用を使用する期間を示す。タイムスケジュールＰ２、Ｐ３も同様に純水ＤＩＷの使用計画を示す。
【0146】
処理工程Ｐ１－１は、バッファユニットＢＵにおいてロット１、２の基板Ｗを一組に組み合わせる処理の工程を示す。処理工程Ｐ１－２は、第１薬液槽ＣＨＢ２による前処理工程を示す。処理工程Ｐ１－３は、第２薬液槽ＯＮＢ２による洗浄処理工程とエッチング処理工程とを示す。処理工程Ｐ１－４は、第２薬液槽ＯＮＢ４による洗浄処理工程とエッチング処理工程とを示す。処理工程Ｐ１－５は、乾燥槽ＬＰＤ２による乾燥処理工程を示す。処理工程Ｐ１－６は、バッファユニットＢＵにおいて一組の基板Ｗをロット１、２に分離する処理の工程を示す。
【0147】
処理工程Ｐ２－１は、バッファユニットＢＵにおいてロット３、４の基板Ｗを一組に組み合わせる処理の工程を示す。処理工程Ｐ２－２は、第１薬液槽ＣＨＢ１による前処理工程を示す。処理工程Ｐ２－３は、第２薬液槽ＯＮＢ１による洗浄処理工程とエッチング処理工程とを示す。処理工程Ｐ２－４は、第２薬液槽ＯＮＢ３による洗浄処理工程とエッチング処理工程とを示す。処理工程Ｐ２－５は、乾燥槽ＬＰＤ１による乾燥処理工程を示す。処理工程Ｐ２－６は、バッファユニットＢＵにおいて一組の基板Ｗをロット３、４に分離する処理の工程を示す。
【0148】
処理工程Ｐ３－１は、バッファユニットＢＵにおいてロット５、６の基板Ｗを一組に組み合わせる処理の工程を示す。処理工程Ｐ３－２は、第１薬液槽ＣＨＢ２による前処理工程を示す。処理工程Ｐ３－３は、第２薬液槽ＯＮＢ２による洗浄処理工程とエッチング処理工程とを示す。処理工程Ｐ３－４は、第２薬液槽ＯＮＢ４による洗浄処理工程とエッチング処理工程とを示す。処理工程Ｐ３－５は、乾燥槽ＬＰＤ１による乾燥処理工程を示す。処理工程Ｐ３－６は、バッファユニットＢＵにおいて一組の基板Ｗをロット５、６に分離する処理の工程を示す。
【0149】
図１８に示す例において、タイムスケジュールＰ３で規定される処理は、時刻ｔｓ１から開始する。つまり、処理工程Ｐ３－１が時刻ｔｓ１から開始する。したがって、時刻ｔｓ１は、タイムスケジュールＰ３で規定される処理の開始時刻を示す。また、タイムスケジュールＰ３で規定される処理は、時刻ｔE１で終了する。つまり、処理工程Ｐ３－６が時刻ｔE１で終了する。したがって、時刻ｔE１は、タイムスケジュールＰ３で規定される処理の終了時刻を示す。以下、タイムスケジュールＰ３で規定される処理の開始時刻を、「タイムスケジュールＰ３の処理開始時刻」と記載する場合がある。また、タイムスケジュールＰ３で規定される処理の終了時刻を、「タイムスケジュールＰ３の処理終了時刻」と記載する場合がある。
【0150】
図１８に示す例では、時刻ｔｃが現在時刻である。以下、時刻ｔｃを、「現在時刻ｔｃ」と記載する場合がある。現在時刻ｔｃにおいて、タイムスケジュールＰ１、Ｐ２で規定される処理は既に開始しており、タイムスケジュールＰ３で規定される処理は未だ開始していない。
【0151】
図１８に示す例では、時刻ｔ２１から時刻ｔ２２にかけて、処理工程Ｐ２－４と処理工程Ｐ３－４とが同時に実行されて、ＤＩＷ総流量が閾値ＴＨを超える。基板処理装置１Ｂが指示対象装置に決定されると、基板処理装置１Ｂの制御部５３はタイムスケジュールＰを調整する。
【0152】
基板処理装置１Ｂの制御部５３は、タイムスケジュールＰ１～タイムスケジュールＰ３のうち、現在時刻ｔｃにおいて処理が開始していないタイムスケジュールＰを調整する。つまり、基板処理装置１Ｂの制御部５３は、未処理の基板Ｗに対応するタイムスケジュールＰを調整する。図１８に示す例において、現在時刻ｔｃにおいて処理が開始していないタイムスケジュールＰは、タイムスケジュールＰ３である。したがって、図１９に示すように、基板処理装置１Ｂの制御部５３は、タイムスケジュールＰ３を遅延させる。
【0153】
具体的には、処理工程Ｐ３－４において純水ＤＩＷが使用される時刻が、処理工程Ｐ２－４において純水ＤＩＷが使用される時刻と異なる時刻になるように、タイムスケジュールＰ３を遅延させる。この結果、ＤＩＷ総流量が全時刻において閾値ＴＨ以下となる。また、タイムスケジュールＰ３を遅延させた結果、タイムスケジュールＰ３の処理開始時刻が時刻ｔｓ１から時刻ｔｓ２に遅延し、タイムスケジュールＰ３の処理終了時刻が時刻ｔE１から時刻ｔE２に遅延する。
【0154】
ここで、図１８及び図１９を参照して、基板処理装置１の制御部５３が実行する調整量算出処理について、基板処理装置１Ｂを例に説明する。基板処理装置１Ｂの制御部５３は、管理情報ＡＳＣに基づいて、時刻ｔ２１から時刻ｔ２２の期間のＤＩＷ総流量が閾値ＴＨとなるように、タイムスケジュールＰ３の調整量を算出する。そして、調整量に基づいて、タイムスケジュールＰ３を調整する。具体的には、基板処理装置１Ｂの制御部５３は、処理工程Ｐ３－４の開始時刻が時刻ｔ２２以降となる遅延量を算出する。あるいは、基板処理装置１Ｂの制御部５３は、処理工程Ｐ３－４の開始時刻が処理工程Ｐ２－４の終了時刻以降となる遅延量を算出する。そして、遅延量に基づいてタイムスケジュールＰ３を遅延させたタイムスケジュールＰを作成する。その結果、図１８及び図１９に示すように、タイムスケジュールＰが調整される。
【0155】
以上、図面（図１～図１９）を参照して本発明の実施形態について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、又は、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。
【0156】
図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。
【0157】
例えば、図１～図１９を参照して説明した実施形態では、用力設備ＰＦから供給される純水ＤＩＷの総流量が閾値ＴＨ以下となるようにＤＩＷ使用計画（タイムスケジュールＰ）を調整する構成を説明したが、制御対象は純水ＤＩＷの総流量に限定されない。例えば、用力設備から供給される薬液の総流量が制御されてもよい。
【0158】
また、図１～図１９を参照して説明した実施形態において、基板処理装置１（指示対象装置）の制御部５３は、管理情報ＡＳＣを参照してＤＩＷ使用計画（タイムスケジュールＰ）を調整したが、基板処理装置１（指示対象装置）の制御部５３は、ＤＩＷ総流量を参照してＤＩＷ使用計画（タイムスケジュールＰ）を調整してもよい。この場合、群管理装置２の処理部２０３は、第２通信部２０１を介して、再調整命令ＲＡと共に総流量情報ＡＦＲを指示対象装置に送信する。
【0159】
また、図１～図１９を参照して説明した実施形態では、基板処理装置１（指示対象装置）の制御部５３がＤＩＷ使用計画（タイムスケジュールＰ）の調整量（遅延量）を算出したが、群管理装置２の処理部２０３が管理情報ＡＳＣ又はＤＩＷ総流量に基づいてＤＩＷ使用計画（タイムスケジュールＰ）の調整量（遅延量）を算出してもよい。この場合、群管理装置２の処理部２０３は、第２通信部２０１を介して、ＤＩＷ使用計画（タイムスケジュールＰ）の調整量（遅延量）を示す調整量情報を、再調整命令ＲＡと共に指示対象装置に送信する。その結果、指示対象装置の制御部５３が、調整量情報に基づいて、ＤＩＷ総流量が閾値ＴＨ以下となるＤＩＷ使用計画（タイムスケジュールＰ）を作成する。
【0160】
また、図１～図１９を参照して説明した実施形態において、基板処理装置１はバッチ式であったが、基板処理装置１は枚葉式であってもよい。以下、図２０を参照して、他の実施形態の基板処理装置１を説明する。図２０は、他の実施形態の基板処理装置１の模式図である。詳しくは、図２０は、他の実施形態の基板処理装置１の模式的な平面図である。以下、図２０に示す基板処理装置１を、「基板処理装置１Ｅ」と記載する場合がある。基板処理装置１Ｅは、基板Ｗを処理する。より具体的には、基板処理装置１Ｅは、枚葉式であり、基板Ｗごとに基板処理を実行する。
【0161】
図２０に示すように、基板処理装置１Ｅは、複数の処理ユニット３０１と、流体キャビネット３０２と、複数の流体ボックス３０３と、複数のロードポートＬＰと、インデクサーロボットＩＲと、センターロボットＣＲと、コンピューターＣＭ２とを備える。
【0162】
ロードポートＬＰの各々には基板Ｗが載置される。より具体的には、ロードポートＬＰの各々には、図５を参照して説明した収容部１０が載置される。インデクサーロボットＩＲは、ロードポートＬＰとセンターロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。より具体的には、インデクサーロボットＩＲは、ロードポートＬＰに載置された収容部１０とセンターロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。センターロボットＣＲは、インデクサーロボットＩＲと処理ユニット３０１との間で基板Ｗを搬送する。なお、インデクサーロボットＩＲとセンターロボットＣＲとの間に、基板Ｗを一時的に載置する載置台（パス）を設けて、インデクサーロボットＩＲとセンターロボットＣＲとの間で載置台を介して間接的に基板Ｗを受け渡しする装置構成としてもよい。
【0163】
複数の処理ユニット３０１は、複数のタワーＴＷ（図２０では４つのタワーＴＷ）を形成している。複数のタワーＴＷは、平面視においてセンターロボットＣＲを取り囲むように配置される。各タワーＴＷは、上下に積層された複数の処理ユニット３０１（図２０では３つの処理ユニット３０１）を含む。
【0164】
流体キャビネット３０２は、処理液を収容する。流体ボックス３０３はそれぞれ、複数のタワーＴＷのうちの１つに対応している。流体キャビネット３０２内の処理液は、いずれかの流体ボックス３０３を介して、流体ボックス３０３に対応するタワーＴＷに含まれる全ての処理ユニット３０１に供給される。
【0165】
処理ユニット３０１の各々は、処理液を基板Ｗに供給して基板Ｗを処理する。処理液には、純水ＤＩＷ及び薬液が含まれる。
【0166】
コンピューターＣＭ２は、基板処理装置１Ｅの各部の動作を制御する。例えば、コンピューターＣＭ２は、ロードポートＬＰ、インデクサーロボットＩＲ、センターロボットＣＲ、及び処理ユニット３０１を制御する。
【0167】
コンピューターＣＭ２は、図１～図１９を参照して説明したコンピューターＣＭ１と同様に、ＤＩＷ使用計画（タイムスケジュールＰ）を作成して、群管理装置２に送信する。また、コンピューターＣＭ２は、図１～図１９を参照して説明したコンピューターＣＭ１と同様に、群管理装置２から再調整命令ＲＡと管理情報ＡＳＣとを受信すると、管理情報ＡＳＣを参照して、ＤＩＷ総流量が閾値ＴＨ以下となるＤＩＷ使用計画（タイムスケジュールＰ）を作成する。コンピューターＣＭ２の構成、及びコンピューターＣＭ２が実行する処理は、図１～図１９を参照して説明したコンピューターＣＭ１と同様であるため、その詳しい説明は割愛する。
【0168】
なお、基板処理装置１が枚葉式の場合、図１１を参照して説明した基板処理時間は、基板処理装置１のロードポートＬＰに載置された未処理の基板ＷがインデクサーロボットＩＲによって基板処理装置１の内部に搬送されてから、処理ユニット３０１によって処理された後、インデクサーロボットＩＲによって基板処理装置１の他のロードポートＬＰに載置されるまでの時間を含む。より具体的には、基板処理時間は、基板処理装置１のロードポートＬＰに載置された収容部１０に収容されている未処理の基板ＷがインデクサーロボットＩＲによって基板処理装置１の内部に搬送されてから、処理ユニット３０１によって処理された後、インデクサーロボットＩＲによって、基板処理装置１の他のロードポートＬＰに載置されている収容部１０に収容されるまでの時間を含む。
【0169】
また、基板処理装置１が枚葉式の場合、処理終了タイミングは基板搬出タイミングである。つまり、処理終了タイミングは、処理済みの基板ＷがインデクサーロボットＩＲによってロードポートＬＰに載置されるタイミングを示す。より具体的には、処理終了タイミングは、ロードポートＬＰに載置されている収容部１０に処理済みの基板Ｗが収容されるタイミングを示す。同様に、基板処理装置１が枚葉式の場合、処理開始タイミングは基板搬入タイミングである。つまり、処理開始タイミングは、ロードポートＬＰに載置されている未処理の基板ＷがインデクサーロボットＩＲによって基板処理装置１の内部に搬送されるタイミングを示す。より具体的には、処理開始タイミングは、未処理の基板Ｗが、インデクサーロボットＩＲによって、ロードポートＬＰに載置されている収容部１０から基板処理装置１の内部に搬送されるタイミングを示す。
【産業上の利用可能性】
【0170】
本発明は、基板を処理する分野に有用である。
【符号の説明】
【0171】
１ ：基板処理装置
２ ：群管理装置
５１ ：第１通信部
５２ ：第１記憶部
５３ ：制御部
１００ ：基板処理システム
２０１ ：第２通信部
２０２ ：第２記憶部
２０３ ：処理部
ＡＦＲ ：総流量情報
ＣＭ１ ：コンピューター
ＣＭ２ ：コンピューター
Ｐ ：タイムスケジュール
ＰＦ ：用力設備
ＲＡ ：再調整命令
Ｗ ：基板
２ ：群管理装置
５１ ：第１通信部
５２ ：第１記憶部
５３ ：制御部
１００ ：基板処理システム
２０１ ：第２通信部
２０２ ：第２記憶部
２０３ ：処理部
ＡＦＲ ：総流量情報
ＣＭ１ ：コンピューター
ＣＭ２ ：コンピューター
Ｐ ：タイムスケジュール
ＰＦ ：用力設備
ＲＡ ：再調整命令
Ｗ ：基板
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】