特許 7666173 半導体装置および樹脂製構造体

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2025-04-14

(45)【発行日】2025-04-22

(54)【発明の名称】半導体装置および樹脂製構造体

(51)【国際特許分類】

   H01L 25/07 20060101AFI20250415BHJP

   H01L 25/18 20230101ALI20250415BHJP

【ＦＩ】

H01L25/04 C

【請求項の数】 12

(21)【出願番号】P 2021108511

(22)【出願日】2021-06-30

(65)【公開番号】P2023006103

(43)【公開日】2023-01-18

【審査請求日】2024-02-21

(73)【特許権者】

【識別番号】000002130

【氏名又は名称】住友電気工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100136098

【弁理士】

【氏名又は名称】北野 修平

(74)【代理人】

【識別番号】100137246

【弁理士】

【氏名又は名称】田中 勝也

(72)【発明者】

【氏名】江草 洋

【審査官】相澤 祐介

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１９－０７５４５９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１４－１３８０８０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０９－２３４７５７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１２－０２８５５２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－０１１１５２（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２５／０７

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、
前記基板を取り囲む樹脂製構造体と、
前記基板上に搭載される半導体チップと、を備え、
前記樹脂製構造体は、板状であって、厚さ方向に貫通する貫通孔が設けられた平板部を複数含み、
各前記平板部は、前記貫通孔の側壁面から前記平板部の厚さに相当する長さ以内に配置される部分を有するウェルド部を含み、
前記基板の厚さ方向に見て、前記ウェルド部のうちの少なくとも一つは、法線より内側の１８０度以内の範囲にあり、
前記法線は、複数の前記貫通孔の中心を結んで形成される図形の重心と、前記貫通孔の中心とを結ぶ直線の法線であり、かつ、
前記法線は、前記貫通孔の中心を通り、
前記法線よりも内側の１８０度以内の範囲に前記ウェルド部を有する前記平板部には、前記法線よりも外側の１８０度以内の範囲にウェルド部がない、半導体装置。

【請求項2】

複数の前記平板部の２つ以上は、前記ウェルド部を含む、請求項１に記載の半導体装置。

【請求項3】

全ての前記平板部は、前記ウェルド部を含む、請求項１または請求項２に記載の半導体装置。

【請求項4】

基板と、
前記基板を取り囲む樹脂製構造体と、
前記基板上に搭載される半導体チップと、を備え、
前記樹脂製構造体は、板状であって、厚さ方向に貫通する貫通孔が設けられた平板部を複数含み、
前記平板部のうちの少なくとも一つは、ゲート痕を含み、
前記基板の厚さ方向に見て、前記ゲート痕の少なくとも一部は、法線より外側の１８０度以内の範囲にあり、
前記法線は、複数の前記貫通孔の中心を結んで形成される図形の重心と、前記貫通孔の中心とを結ぶ直線の法線であり、かつ、
前記法線は、前記貫通孔の中心を通る、半導体装置。

【請求項5】

複数の前記平板部の２つ以上は、前記ゲート痕を含む、請求項４に記載の半導体装置。

【請求項6】

全ての前記平板部は、前記ゲート痕を含む、請求項４または請求項５に記載の半導体装置。

【請求項7】

前記樹脂製構造体は、熱可塑性樹脂から構成されている、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の半導体装置。

【請求項8】

前記樹脂製構造体は、前記貫通孔に取り付けられる金属製の筒状部をさらに含む、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の半導体装置。

【請求項9】

前記筒状部の外周面の少なくとも一部には、凹凸形状が形成されている、請求項８に記載の半導体装置。

【請求項10】

前記筒状部は、前記貫通孔から突出している突出領域を含む、請求項８または請求項９に記載の半導体装置。

【請求項11】

板状であって、厚さ方向に貫通する貫通孔が設けられた平板部を複数含み、
各前記平板部は、前記貫通孔の側壁面から前記平板部の厚さに相当する長さ以内に配置される部分を有するウェルド部を含み、
前記平板部の厚さ方向に見て、前記ウェルド部のうちの少なくとも一つは、法線より内側の１８０度以内の範囲にあり、
前記法線は、複数の前記貫通孔の中心を結んで形成される図形の重心と、前記貫通孔の中心とを結ぶ直線の法線であり、かつ、
前記法線は、前記貫通孔の中心を通り、
前記法線よりも内側の１８０度以内の範囲に前記ウェルド部を有する前記平板部には、前記法線よりも外側の１８０度以内の範囲にウェルド部がない、樹脂製構造体。

【請求項12】

板状であって、厚さ方向に貫通する貫通孔が設けられた平板部を複数含み、
前記平板部のうちの少なくとも一つは、ゲート痕を含み、
前記平板部の厚さ方向に見て、前記ゲート痕の少なくとも一部は、法線より外側の１８０度以内の範囲にあり、
前記法線は、複数の前記貫通孔の中心を結んで形成される図形の重心と、前記貫通孔の中心とを結ぶ直線の法線であり、かつ、
前記法線は、前記貫通孔の中心を通る、樹脂製構造体。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、半導体装置および樹脂製構造体に関するものである。

【背景技術】

【0002】

円筒状のカラーが嵌合される取り付け孔を備える樹脂成形体が開示されている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１によると、成形時に樹脂の合流により取り付け孔の周縁部に形成されるウェルド部が、周縁部のうちの接触突出部が形成された対応領域に設けられることとしている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１９－１５３８２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

半導体装置には、取り付け用の貫通孔が設けられた樹脂製構造体が備えられる場合がある。半導体装置は、樹脂製構造体に設けられた貫通孔を利用して、ボルトにより所定の箇所に締結され、固定される。特許文献１に開示の樹脂成形体によると、接触突出部が形成された対応領域にウェルド部が設けられ、この対応領域においてカラーと成形体とが接触する構成である。

【0005】

しかし、このような構成では、貫通孔において、カラーと接触する領域と接触しない領域とが生じることになる。そして、非接触領域を設けることにより接触領域が小さくなり、接触領域における面圧が大きくなってしまう。そうすると、接触領域に設けられるウェルド部において、カラーの全域で応力を受ける場合と比較して、ウェルド部には大きな応力がかかることになり、結果として破断が生ずるおそれがある。また、接触領域が小さくなることから、貫通孔の貫通方向における強度が低下し、ボルトを締結する時や貫通方向に応力が加わった場合に、貫通孔に嵌合されたカラーがずれてしまうおそれがある。このような状態では、半導体装置の取り付けが不十分となり、信頼性の低下を招くことになる。さらに、このような複雑な形状の樹脂成形体を射出成型で製造するには難易度が高く、生産性が悪化してしまう。

【0006】

そこで、生産性および信頼性の向上を図ることができる半導体装置を提供することを目的の１つとする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本開示に従った半導体装置は、基板と、基板を取り囲む樹脂製構造体と、基板上に搭載される半導体チップと、を備える。樹脂製構造体は、板状であって、厚さ方向に貫通する貫通孔が設けられた平板部を複数含む。各平板部は、貫通孔の側壁面から平板部の厚さに相当する長さ以内に配置される部分を有するウェルド部を含む。基板の厚さ方向に見て、ウェルド部のうちの少なくとも一つは、法線より内側の１８０度以内の範囲にある。法線は、複数の貫通孔の中心を結んで形成される図形の重心と、貫通孔の中心とを結ぶ直線の法線であり、かつ、法線は、貫通孔の中心を通る。

【発明の効果】

【0008】

上記半導体装置によれば、生産性および信頼性の向上を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】図１は、実施の形態１における半導体装置の概略斜視図である。

【図2】図２は、図１に示す半導体装置をベース板の厚さ方向に見た場合の概略平面図である。

【図3】図３は、図２中の領域ＩＩＩで示す部分の拡大平面図である。

【図4】図４は、図１に示す半導体装置に含まれる樹脂製構造体を示す概略側面図である。

【図5】図５は、実施の形態２における半導体装置に含まれる樹脂製構造体の一部を示す概略平面図である。

【図6】図６は、実施の形態３における半導体装置に含まれる樹脂製構造体の一部を示す概略平面図である。

【図7】図７は、実施の形態４における半導体装置に含まれる筒状部を模式的に示す概略側面図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

［本開示の実施形態の説明］
最初に本開示の実施態様を列記して説明する。本開示に係る半導体装置は、基板と、基板を取り囲む樹脂製構造体と、基板上に搭載される半導体チップと、を備える。樹脂製構造体は、板状であって、厚さ方向に貫通する貫通孔が設けられた平板部を複数含む。各平板部は、貫通孔の側壁面から平板部の厚さに相当する長さ以内に配置される部分を有するウェルド部を含む。基板の厚さ方向に見て、ウェルド部のうちの少なくとも一つは、法線より内側の１８０度以内の範囲にある。法線は、複数の貫通孔の中心を結んで形成される図形の重心と、貫通孔の中心とを結ぶ直線の法線であり、かつ、法線は、貫通孔の中心を通る。

【0011】

半導体装置において、貫通孔は、ボルトで固定されるため、上記した樹脂製構造体を含む半導体装置には、温度サイクル時などにおいて貫通孔の周囲に非常に高い応力が、基板の中央から外周側、すなわち、樹脂製構造体の中央から外周側に向かって発生する。本開示の半導体装置によると、ウェルド部のうちの少なくとも一つが、上記したように、法線より内側の１８０度以内の範囲にある。法線は、複数の貫通孔の中心を結んで形成される図形の重心と、貫通孔の中心とを結ぶ直線の法線であり、かつ、法線は、貫通孔の中心を通る。このように構成することにより、上記したように基板の厚さ方向に見て基板の中央から外周側に向かって応力が加えられた場合に、平板部において、ウェルド部が配置された領域と異なる領域で加えられた応力を受けることができる。ウェルド部が配置された領域と異なる領域における強度は、ウェルド部が配置された領域における強度と比較して高いため、高い強度の領域で応力を受けることができる。そうすると、破断のおそれを低減することができる。また、上記樹脂製構造体は比較的単純な形状であり、複雑な形状ではないため、生産性が良好である。したがって、このような半導体装置は、生産性および信頼性の向上を図ることができる。

【0012】

上記半導体装置において、複数の平板部の２つ以上は、ウェルド部を含んでもよい。このようにすることにより、破断のおそれをより低減することができ、より信頼性の向上を図ることができる。

【0013】

上記半導体装置において、全ての平板部は、ウェルド部を含んでもよい。このようにすることにより、さらに破断のおそれを低減することができ、さらに信頼性の向上を図ることができる。

【0014】

また、本開示の半導体装置は、基板と、基板を取り囲む樹脂製構造体と、基板上に搭載される半導体チップと、を備える。樹脂製構造体は、板状であって、厚さ方向に貫通する貫通孔が設けられた平板部を複数含む。平板部のうちの少なくとも一つは、ゲート痕を含む。基板の厚さ方向に見て、ゲート痕の少なくとも一部は、法線より外側の１８０度以内の範囲にある。法線は、複数の貫通孔の中心を結んで形成される図形の重心と、貫通孔の中心とを結ぶ直線の法線であり、かつ、法線は、貫通孔の中心を通る。

【0015】

このような半導体装置によると、ゲート痕の少なくとも一部は、法線より外側の１８０度以内の範囲にある。法線は、複数の貫通孔の中心を結んで形成される図形の重心と、貫通孔の中心とを結ぶ直線の法線であり、かつ、法線は、貫通孔の中心を通る。このようにすることにより、貫通孔の周りを流れた樹脂が合流して形成されるウェルド部を、上記法線より内側の１８０度以内の範囲に配置することが容易となる。したがって、このような半導体装置は、生産性および信頼性の向上を図ることができる。ここで、ゲートについては、サイドゲートあるいはサブマリンゲートで注型され、注型後にゲートは切断され、ゲート痕として残る。ゲート痕は、射出成型金型のスプルーとランナーを通って樹脂製構造体に注型する位置を示すものであり、ゲート痕の大きさや形状にはよらない。

【0016】

上記半導体装置において、複数の平板部の２つ以上は、ゲート痕を含んでもよい。このようにすることにより、破断のおそれをより低減することができ、より信頼性の向上を図ることができる。

【0017】

上記半導体装置において、全ての平板部は、ゲート痕を含んでもよい。このようにすることにより、さらに破断のおそれを低減することができ、さらに信頼性の向上を図ることができる。

【0018】

上記半導体装置において、樹脂製構造体は、熱可塑性樹脂から構成されていてもよい。このようにすることにより、射出成型等により効率的に製造することができる。

【0019】

上記半導体装置において、樹脂製構造体は、貫通孔に取り付けられる金属製の筒状部をさらに含んでもよい。このようにすることにより、貫通孔を利用して半導体装置を固定する際の強固な固定を実現することができる。したがって、より信頼性の向上を図ることができる。

【0020】

上記半導体装置において、筒状部の外周面の少なくとも一部には、凹凸形状が形成されていてもよい。このようにすることにより、外周面の凹凸形状が貫通孔の側壁面との摩擦により引っ掛かり、筒状部が貫通孔から抜け出るおそれを大きく低減することができる。したがって、より信頼性の向上を図ることができる。

【0021】

上記半導体装置において、筒状部は、貫通孔から突出している突出領域を含んでもよい。このようにすることにより、筒状部は、貫通孔から突出しているため、挿入されるボルトは、座屈強度の高い金属製の筒状部で確実に受けることができ、ボルトによる締結力の向上を図ることができる。したがって、より信頼性の向上を図ることができる。

【0022】

本開示の樹脂製構造体は、板状であって、厚さ方向に貫通する貫通孔が設けられた平板部を複数含む。各平板部は、貫通孔の側壁面から平板部の厚さに相当する長さ以内に配置される部分を有するウェルド部を含む。平板部の厚さ方向に見て、法線より内側の１８０度以内の範囲にある。法線は、複数の貫通孔の中心を結んで形成される図形の重心と、貫通孔の中心とを結ぶ直線の法線であり、かつ、法線は、貫通孔の中心を通る。

【0023】

このような樹脂製構造体は、ウェルド部のうちの少なくとも一つが、上記したように、法線より内側の１８０度以内の範囲にある。法線は、複数の貫通孔の中心を結んで形成される図形の重心と、貫通孔の中心とを結ぶ直線の法線であり、かつ、法線は、貫通孔の中心を通る。このように構成することにより、平板部の厚さ方向に見て樹脂製構造体の中央から外周側に向かって応力が加えられた場合に、平板部において、ウェルド部が配置された領域と異なる領域で加えられた応力を受けることができる。ウェルド部が配置された領域と異なる領域における強度は、ウェルド部が配置された領域における強度と比較して高いため、高い強度の領域で応力を受けることができる。そうすると、破断のおそれを低減することができる。また、上記樹脂製構造体は比較的単純な形状であり、複雑な形状ではないため、生産性が良好である。したがって、このような樹脂製構造体は、生産性および信頼性の向上を図ることができる。

【0024】

また、本開示の樹脂製構造体は、板状であって、厚さ方向に貫通する貫通孔が設けられた平板部を複数含む。平板部のうちの少なくとも一つは、ゲート痕を含む。平板部の厚さ方向に見て、ゲート痕の少なくとも一部は、法線より外側の１８０度以内の範囲にある。法線は、複数の貫通孔の中心を結んで形成される図形の重心と、貫通孔の中心とを結ぶ直線の法線であり、かつ、法線は、貫通孔の中心を通る。

【0025】

このような樹脂製構造体は、法線より外側の１８０度以内の範囲にある。法線は、複数の貫通孔の中心を結んで形成される図形の重心と、貫通孔の中心とを結ぶ直線の法線であり、かつ、法線は、貫通孔の中心を通る。このようにすることにより、貫通孔の周りを流れた樹脂が合流して形成されるウェルド部を、貫通孔の中心を通り、隣り合う複数の貫通孔の中心を結んで形成される図形の重心と貫通孔の中心とを結ぶ直線の法線より内側の１８０度以内の範囲に配置することが容易となる。したがって、このような樹脂製構造体は、生産性および信頼性の向上を図ることができる。

【0026】

［本開示の実施形態の詳細］
次に、本開示の半導体装置の一実施形態を、図面を参照しつつ説明する。以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照符号を付しその説明は繰り返さない。

【0027】

（実施の形態１）
本開示の実施の形態１における半導体装置の構成について説明する。図１は、実施の形態１における半導体装置の概略斜視図である。図２は、図１に示す半導体装置をベース板の厚さ方向に見た場合の概略平面図である。図３は、図２中の領域ＩＩＩで示す部分の拡大平面図である。図４は、図１に示す半導体装置に含まれる樹脂製構造体を示す概略側面図である。図１～図３において、後述するゲート痕の図示を省略し、図４において、樹脂製構造体を簡略化して図示している。

【0028】

図１、図２、図３および図４を参照して、実施の形態１における半導体装置１１ａは、ベース板１２と、ベース板１２上に配置される樹脂製構造体２０ａと、ベース板１２上に配置される基板１７ａ，１７ｂと、板状の端子（バスバー）１９ａ，１９ｂ，１９ｃ，１９ｄと、コンデンサ１８ａ，１８ｂと、半導体チップ２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ，２１ｅ，２１ｆ，２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄ，２２ｅ，２２ｆと、プレスフィットピン２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇ，２６ｈと、を備える。ベース板１２および樹脂製構造体２０ａによって、半導体装置１１ａに備えられるケースが構成される。ベース板１２および樹脂製構造体２０ａによって構成されるケース内の空間３０には、図示しない樹脂が充填される。樹脂の種類としては、たとえばエポキシ樹脂やシリコーンゲル、ウレタン樹脂が選択される。

【0029】

ベース板１２は、金属製である。ベース板１２は、たとえば銅製である。ベース板１２の表面には、ニッケル等のめっき処理が施されてもよい。ベース板１２の外形形状は、厚さ方向に見て、Ｘ方向に延びる辺を長辺とし、Ｙ方向に延びる辺を短辺とした矩形状である。基板１７ａ，１７ｂはそれぞれ、ベース板１２の厚さ方向の一方に位置する第１の面１２ａ上に図示しないはんだ等によって接合される。ベース板１２の厚さ方向の他方に位置する裏面１２ｂには、たとえば、放熱を効率的に行う放熱フィン（図示しない）等が取り付けられる場合がある。ベース板１２の厚さ方向および基板１７ａ，１７ｂの厚さ方向は、Ｚ方向である。

【0030】

ベース板１２は、ベース板１２の厚さ方向に貫通する４つの第１貫通孔１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆを有する。第１貫通孔１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆはそれぞれ、矩形状のベース板１２の四隅に近い部分に設けられている。第１貫通孔１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆを構成する第１側壁面１２ｇ，１２ｈ，１２ｉ，１２ｊはそれぞれ、Ｚ方向に沿って延びるストレート形状である。すなわち、第１貫通孔１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆはそれぞれ、ベース板１２の四つの角部に近い領域をＺ方向に真っ直ぐに貫通するように形成されている。第１貫通孔１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆは、後述する第２貫通孔３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄおよび第３貫通孔４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，４２ｄを有する筒状部４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄと共に、例えば第３貫通孔４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，４２ｄに図示しないボルトの胴部を収容するようにして、半導体装置１１ａを所定の設置個所に取り付ける際に有効に利用される。

【0031】

基板１７ａは、絶縁性を有する絶縁板１４ａと、導電性を有する回路パターン１６ａと、を有する。回路パターン１６ａは、絶縁板１４ａの上に配置される。基板１７ａは、絶縁板１４ａの上に回路パターン１６ａを積層した構成である。回路パターン１６ａは、複数の回路板から構成される。本実施形態においては、回路パターン１６ａは、第１回路板１５ａと、第２回路板１５ｂと、第３回路板１５ｃと、第４回路板１５ｄと、第５回路板１５ｅと、第６回路板１５ｆと、を含む。本実施形態においては、回路パターン１６ａは、銅配線である。基板１７ａと同様に、基板１７ｂは、絶縁性を有する絶縁板１４ｂと、銅配線である回路パターン１６ｂと、を有する。回路パターン１６ｂは、第７回路板１５ｇと、第８回路板１５ｈと、第９回路板１５ｉと、第１０回路板１５ｊと、第１１回路板１５ｋと、を含む。

【0032】

コンデンサ１８ａは、一方の電極と、他方の電極とを含む。一方の電極が、第５回路板１５ｅと接合され、他方の電極が、第６回路板１５ｆと接合される。コンデンサ１８ｂも同様に、一方の電極および他方の電極を含み、一方の電極が第１０回路板１５ｊと接合され、他方の電極が第１１回路板１５ｋと接合される。

【0033】

半導体チップ２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２２ａ，２２ｂ，２２ｃは、第１回路板１５ａ上に配置される。半導体チップ２１ｄ，２１ｅ，２１ｆ，２２ｄ，２２ｅ，２２ｆは、第７回路板１５ｇ上に配置される。半導体チップ２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ，２１ｅ，２１ｆ，２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄ，２２ｅ，２２ｆは、ワイドバンドギャップ半導体チップである。ワイドバンドギャップ半導体チップとは、バンドギャップがシリコンよりも大きい材質から構成される半導体層を動作層として有する半導体チップをいう。ワイドバンドギャップ半導体チップは、たとえば、炭化ケイ素、窒化ガリウムまたは酸化ガリウムから構成される半導体層を動作層として有する。このようなワイドバンドギャップ半導体チップは、絶縁破壊電圧が高く、ドリフト層の抵抗を小さくできることからオン抵抗を小さくすることができる。半導体チップ２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ，２１ｅ，２１ｆは、例えばショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）である。半導体チップ２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄ，２２ｅ，２２ｆは、例えば金属－酸化物－半導体電界効果型トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）である。

【0034】

樹脂製構造体２０ａは、ベース板１２の第１の面１２ａから立ち上がり、ベース板１２の厚さ方向に見て、基板１７ａ，１７ｂの外周を取り囲むようにベース板１２に取り付けられる。樹脂製構造体２０ａは、第１の面１２ａと対向する第２の面１３ｅを含む。樹脂製構造体２０ａは、たとえば接着剤によりベース板１２に固定される。すなわち、ベース板１２の第１の面１２ａと樹脂製構造体２０ａの第２の面１３ｅとが接着される。

【0035】

樹脂製構造体２０ａは、第１壁部１３ａと、第２壁部１３ｂと、第３壁部１３ｃと、第４壁部１３ｄと、を含む。第１壁部１３ａと第２壁部１３ｂとは、ベース板１２の厚さ方向に見てベース板１２の短辺に対応する方向（Ｙ方向）において対向して配置される。第３壁部１３ｃと第４壁部１３ｄとは、ベース板１２の厚さ方向に見てベース板１２の長辺に対応する方向（Ｘ方向）において対向して配置される。樹脂製構造体２０ａに含まれる第１壁部１３ａ、第２壁部１３ｂ、第３壁部１３ｃおよび第４壁部１３ｄはそれぞれ、第１の面１２ａに交差する方向に立ち上がる。具体的には、第１壁部１３ａ、第２壁部１３ｂ、第３壁部１３ｃおよび第４壁部１３ｄはそれぞれ、第１の面１２ａに対して垂直に立ち上がる。樹脂製構造体２０ａは、第１壁部１３ａの内壁面２７ａと、内壁面２７ａに対向する第３壁部１３ｃの内壁面２７ｂと、内壁面２７ａおよび内壁面２７ｂと連なる第２壁部１３ｂの内壁面２７ｃと、内壁面２７ａおよび内壁面２７ｂと連なり、内壁面２７ｃと対向する第４壁部１３ｄの内壁面２７ｄと、を含む。

【0036】

樹脂製構造体２０ａは、熱可塑性樹脂から構成される。樹脂製構造体２０ａの材質としては、絶縁性および強度が高い材質が用いられ、具体的には例えばＰＰＳ（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓｕｌｆｉｄｅ）樹脂が採用される。このような樹脂は、成形性が良好であり、絶縁性、耐湿性、耐熱性が優れており、強度も高い。なお、樹脂製構造体２０ａの材質として他にＰＢＴ（Ｐｏｌｙ Ｂｕｔｙｌｅｎｅ Ｔｅｒｅｐｈｔａｌａｔｅ）樹脂を用いてもよい。樹脂製構造体２０ａの具体的な構成については、後に詳述する。

【0037】

端子（バスバー）１９ａ，１９ｂ，１９ｃ，１９ｄはそれぞれ、板状であって、金属製である。端子１９ａ，１９ｂ，１９ｃ，１９ｄはそれぞれ、樹脂製構造体２０ａに取り付けられている。具体的には、端子１９ａ，１９ｂは、第３壁部１３ｃに取り付けられている。端子１９ｃ，１９ｄは、第４壁部１３ｄに取り付けられている。本実施形態においては、端子１９ａ，１９ｂ，１９ｃ，１９ｄは、インサート成型により、樹脂製構造体２０ａに取り付けられている。端子１９ａ，１９ｂ，１９ｃ，１９ｄは、それぞれ屈曲した帯状の形状を有する。本実施形態においては、端子１９ａ，１９ｂ，１９ｃ，１９ｄは、それぞれ例えば、帯状の銅板を折り曲げて形成される。半導体装置１１ａは、端子１９ａ，１９ｂ，１９ｃ，１９ｄによって外部との電気的な接続を確保する。

【0038】

端子１９ａと第１回路板１５ａとは、超音波接合により直接接合されている。端子１９ｂと第２回路板１５ｂとは、超音波接合により直接接合されている。端子１９ｃと第７回路板１５ｇとは、超音波接合により直接接合されている。端子１９ｄと第７回路板１５ｇとは、超音波接合により直接接合されている。なお、端子１９ａと第１回路板１５ａとの接合、端子１９ｂと第２回路板１５ｂとの接合、端子１９ｃと第７回路板１５ｇとの接合、端子１９ｄと第７回路板１５ｇとの接合についてはそれぞれ、はんだ等の接合材により接合されていてもよい。

【0039】

半導体チップ２１ａと半導体チップ２２ａとは、ワイヤ２４ａで接続されている。半導体チップ２１ｂと半導体チップ２２ｂとは、ワイヤ２４ｂで接続されている。半導体チップ２１ｃと半導体チップ２２ｃとは、ワイヤ２４ｃで接続されている。半導体チップ２１ｄと半導体チップ２２ｄとは、ワイヤ２４ｄで接続されている。半導体チップ２１ｅと半導体チップ２２ｅとは、ワイヤ２４ｅで接続されている。半導体チップ２１ｆと半導体チップ２２ｆとは、ワイヤ２４ｆで接続されている。半導体チップ２２ａと第４回路板１５ｄとは、ワイヤ２５ａで接続されている。半導体チップ２２ｂと第４回路板１５ｄとは、ワイヤ２５ｂで接続されている。半導体チップ２２ｃと第４回路板１５ｄとは、ワイヤ２５ｃで接続されている。半導体チップ２２ｄと第８回路板１５ｈとは、ワイヤ２５ｄで接続されている。半導体チップ２２ｅと第８回路板１５ｈとは、ワイヤ２５ｅで接続されている。半導体チップ２２ｆと第８回路板１５ｈとは、ワイヤ２５ｆで接続されている。

【0040】

第２回路板１５ｂと第８回路板１５ｈとは、ワイヤ２９ａで接続されている。第４回路板１５ｄと第７回路板１５ｇとは、ワイヤ２９ｂで接続されている。半導体チップ２２ａ，２２ｂ，２２ｃと第３回路板１５ｃとは、それぞれワイヤで接続されており、半導体チップ２２ｄ，２２ｅ，２２ｆと第９回路板１５ｉとは、それぞれワイヤで接続されている。ワイヤとして、アルミニウム太線を採用してもよいし、リボンワイヤを採用してもよい。

【0041】

プレスフィットピン２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇ，２６ｈは、外部との電気的な接続を確保するために設けられている。プレスフィットピン２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇ，２６ｈはそれぞれ、導電性であって、棒状である。プレスフィットピン２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇ，２６ｈはそれぞれ、回路パターン１６ａ，１６ｂから立ち上がるように回路パターン１６ａ，１６ｂに取り付けられている。具体的には、プレスフィットピン２６ａの一方の端部は、第３回路板１５ｃに接合されている。プレスフィットピン２６ｂの一方の端部は、第４回路板１５ｄに接合されている。プレスフィットピン２６ｃの一方の端部は、第５回路板１５ｅに接合されている。プレスフィットピン２６ｄの一方の端部は、第６回路板１５ｆに接合されている。プレスフィットピン２６ｅの一方の端部は、第９回路板１５ｉに接合されている。プレスフィットピン２６ｆの一方の端部は、第８回路板１５ｈに接合されている。プレスフィットピン２６ｇの一方の端部は、第１０回路板１５ｊに接合されている。プレスフィットピン２６ｈの一方の端部は、第１１回路板１５ｋに接合されている。回路パターン１６ａに接合されるプレスフィットピン２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄはそれぞれ、Ｘ方向に間隔をあけて配置される。回路パターン１６ｂに接合されるプレスフィットピン２６ｅ，２６ｆ，２６ｇ，２６ｈはそれぞれ、Ｘ方向に間隔をあけて配置される。なお、プレスフィットピン２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇ，２６ｈのそれぞれの他方の端部はそれぞれ自由端であり、フリーな状態となっている。プレスフィットピン２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇ，２６ｈの延びる方向は、Ｚ方向である。

【0042】

次に、樹脂製構造体２０ａの具体的な構成について説明する。樹脂製構造体２０ａは、第１の平板部３１ａと、第２の平板部３１ｂと、第３の平板部３１ｃと、第４の平板部３１ｄと、を含む。第１の平板部３１ａおよび第２の平板部３１ｂは、第３壁部１３ｃと連なって設けられている。第１の平板部３１ａは、第３壁部１３ｃの外側、すなわち、Ｘ方向において空間３０が位置する側と逆側であって第１壁部１３ａと連なって設けられている。第２の平板部３１ｂは、第３壁部１３ｃの外側、すなわち、Ｘ方向において空間３０が位置する側と逆側であって第２壁部１３ｂと連なって設けられている。第３の平板部３１ｃおよび第４の平板部３１ｄは、第４壁部１３ｄと連なって設けられている。第３の平板部３１ｃは、第４壁部１３ｄの外側、すなわち、Ｘ方向において空間３０が位置する側と逆側であって第２壁部１３ｂと連なって設けられている。第４の平板部３１ｄは、第４壁部１３ｄの外側、すなわち、Ｘ方向において空間３０が位置する側と逆側であって第１壁部１３ａと連なって設けられている。樹脂製構造体２０ａは、ベース板１２の厚さ方向において、第２の面１３ｅと反対側に位置する表面１３ｆを含む。表面１３ｆは、第１の平板部３１ａ、第２の平板部３１ｂ、第３の平板部３１ｃおよび第４の平板部３１ｄに設けられている。

【0043】

樹脂製構造体２０ａは、ベース板１２の厚さ方向に貫通する４つの第２貫通孔３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄを有する。第２貫通孔３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄはそれぞれ、第１の平板部３１ａ、第２の平板部３１ｂ、第３の平板部３１ｃおよび第４の平板部３１ｄに設けられている。第２貫通孔３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄを構成する第２側壁面３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄはそれぞれ、Ｚ方向に沿って延びるストレート形状である。第２貫通孔３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄはそれぞれ、第１の平板部３１ａ、第２の平板部３１ｂ、第３の平板部３１ｃおよび第４の平板部３１ｄをＺ方向に真っ直ぐに貫通するように形成されている。第２貫通孔３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄは、樹脂製構造体２０ａが第１の面１２ａ上に配置された状態で、第１貫通孔１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆの位置と一致するように配置される。

【0044】

樹脂製構造体２０ａは、ベース板１２の厚さ方向に貫通する第３貫通孔４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，４２ｄを有する４つの金属製の筒状部４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄを含む。第３貫通孔４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，４２ｄはそれぞれ、筒状部４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄに設けられている。第３貫通孔４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，４２ｄを構成する第３側壁面４３ａ，４３ｂ，４３ｃ，４３ｄはそれぞれ、Ｚ方向に沿って延びるストレート形状である。４つの筒状部４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄはそれぞれ、中空円筒状である。４つの筒状部４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄはそれぞれ、第２貫通孔３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄに取り付けられる。第３貫通孔４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，４２ｄはそれぞれ、第２貫通孔３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄに取り付けられた際に、Ｚ方向に真っ直ぐに貫通するように形成されている。筒状部４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄはそれぞれ、カラーとも呼ばれる部材である。

【0045】

樹脂製構造体２０ａに含まれる各平板部３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄは、第２貫通孔３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄの第２側壁面３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄから平板部１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄの厚さに相当する長さ以内に配置される部分を有するウェルド部４４ａ，４４ｂ，４４ｃ，４４ｄを含む。図２および図３において、ウェルド部４４ａ，４４ｂ，４４ｃ，４４ｄを太い破線で示す。本実施形態においては、ウェルド部４４ａ，４４ｂ，４４ｃ，４４ｄはそれぞれ、第２側壁面３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄに至っている。すなわち、ウェルド部４４ａ，４４ｂ，４４ｃ，４４ｄは、第２側壁面３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄの一部から延びている。ここで、ウェルドは、溶融した樹脂が合流するところに生ずる筋状の現象であり、この現象が生じている部分が、ウェルド部４４ａ，４４ｂ，４４ｃ，４４ｄである。筒状部４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄは、円筒状であるため、必ず第２貫通孔３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄの周囲にはウェルド部４４ａ，４４ｂ，４４ｃ，４４ｄができる。すなわち、平板部３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄは、第２貫通孔３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄの第２側壁面３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄから平板部３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄの厚さに相当する長さ以内に配置される部分を有するウェルド部４４ａ，４４ｂ，４４ｃ，４４ｄを含む。本実施形態においては、ウェルド部４４ａ，４４ｂ，４４ｃ，４４ｄの全てが平板部３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄに含まれることとしたが、これに限らず、ウェルド部４４ａ，４４ｂ，４４ｃ，４４ｄの全域が平板部３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄ内に収まらず、その一部が、例えば第１壁部１３ａ、第２壁部１３ｂ、第３壁部１３ｃ、第４壁部１３ｄに至っていてもよい。

【0046】

平板部３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄの厚さ方向である基板１７ａ，１７ｂの厚さ方向に見て、ウェルド部４４ａ，４４ｂ，４４ｃ，４４ｄは、法線３８ａ，３８ｂ，３８ｃ，３８ｄより内側の１８０度以内の範囲にある。法線３８ａ，３８ｂ，３８ｃ，３８ｄは、複数の第２貫通孔３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄの中心３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄを結んで形成される図形３５ａの重心３７ａと、第２貫通孔３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄの中心３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄとを結ぶ直線３６ａ，３６ｂの法線３８ａ，３８ｂ，３８ｃ，３８ｄであり、かつ、法線３８ａ，３８ｂ，３８ｃ，３８ｄは、第２貫通孔３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄの中心３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄを通る。具体的には、基板１７ａ，１７ｂの厚さ方向に見て、ウェルド部４４ａ，４４ｂ，４４ｃ，４４ｄは、上記法線３８ａ，３８ｂ，３８ｃ，３８ｄよりも重心３７ａ側の領域３９ａ，３９ｂ，３９ｃ，３９ｄに配置される。本実施形態においては、隣り合う第２貫通孔３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄの中心３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄ同士を結んで図形３５ａが形成されている。なお、１８０度の角度については、図３中の角度θで図示している。また、第２貫通孔３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄの中心３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄを通り、複数の第２貫通孔３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄの中心３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄを結んで形成される図形３５ａの重心３７ａと、第２貫通孔３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄの中心３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄとを結ぶ直線３６ａ，３６ｂの法線３８ａ，３８ｂ，３８ｃ，３８ｄを第１の直線とすると、基板１７ａ，１７ｂの厚さ方向に見て、ウェルド部４４ａ，４４ｂ，４４ｃ，４４ｄは、第１の直線より内側の１８０度以内の範囲にある。本実施形態においては、図形３５ａは、長方形である。また、直線３６ａ，３６ｂは、長方形の図形３５ａの対角線となっている。そして、重心３７ａは、直線３６ａと直線３６ｂとの交点となっている。図２、図３および図４において図形３５ａを一点鎖線で示し、対角線である直線３６ａ，３６ｂを二点鎖線で示し、法線３８ａ，３８ｂ，３８ｃ，３８ｄを破線で示す。

【0047】

また、平板部３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄは、ゲート痕５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄを含む。基板１７ａ，１７ｂの厚さ方向に見て、ゲート痕５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄは、上記法線３８ａ，３８ｂ，３８ｃ，３８ｄより外側の１８０度以内の範囲にある。具体的には、基板１７ａ，１７ｂの厚さ方向に見て、平板部３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄは、上記法線３８ａ，３８ｂ，３８ｃ，３８ｄよりも重心３７ａ側と反対側の領域４０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄに配置されるゲート痕５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄを含む（特に図４参照）。また、第２貫通孔３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄの中心３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄを通り、複数の第２貫通孔３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄの中心３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄを結んで形成される図形３５ａの重心３７ａと、第２貫通孔３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄの中心３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄとを結ぶ直線３６ａ，３６ｂの法線３８ａ，３８ｂ，３８ｃ，３８ｄを第１の直線とすると、基板１７ａ，１７ｂの厚さ方向に見て、ゲート痕５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄは、第１の直線より外側の１８０度以内の範囲にある。

【0048】

次に、このような構成の樹脂製構造体２０ａの製造方法の一例について、簡単に説明する。最終的な樹脂製構造体２０ａの形状、すなわち、インサートにより端子１９ａ，１９ｂ，１９ｃ，１９ｄが取り付けられ、第１壁部１３ａ、第２壁部１３ｂ、第３壁部１３ｃおよび第４壁部１３ｄを含み、平板部３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄを含むよう金型を準備する。そして、射出成型を行う。ここで、溶融した樹脂の金型への注入については、図２中の矢印５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄの４か所から樹脂を注入する。すなわち、領域４０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄ側から樹脂を注入する。

【0049】

図３を参照して、第２貫通孔３２ｂが位置する領域には金型が配置されているため、注入された樹脂は、矢印Ｆ₁、Ｆ₂に沿って第２貫通孔３２ｂが位置する領域を回り込むようにして流れる。そして、ウェルド部４４ｂにおいて合流する。このようにして、樹脂製構造体２０ａを製造する。この樹脂製構造体２０ａを用いて、半導体装置１１ａを製造する。

【0050】

このような半導体装置１１ａによると、ウェルド部４４ａ，４４ｂ，４４ｃ，４４ｄが、上記したように、法線３８ａ，３８ｂ，３８ｃ，３８ｄより内側の１８０度以内の範囲にある。法線３８ａ，３８ｂ，３８ｃ，３８ｄは、第２貫通孔３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄの中心３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄを結んで形成される図形３５ａの重心３７ａと、第２貫通孔３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄの中心３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄとを結ぶ直線３６ａ，３６ｂの法線３８ａ，３８ｂ，３８ｃ，３８ｄであり、かつ、法線３８ａ，３８ｂ，３８ｃ，３８ｄは、第２貫通孔３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄの中心３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄを通る。本実施形態においては、例えば温度を繰り返し上下させる温度サイクルを行った場合に、対角線である直線３６ａ，３６ｂの半導体装置１１ａにおける外側に向かって応力がかかる。上記したように基板１７ａ，１７ｂの厚さ方向に見て基板１７ａ，１７ｂの中央から外周側に向かって応力が加えられた場合に、平板部３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄにおいて、ウェルド部４４ａ，４４ｂ，４４ｃ，４４ｄが配置された領域３９ａ，３９ｂ，３９ｃ，３９ｄと異なる領域４０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄで加えられた応力を受けることができる。ウェルド部４４ａ，４４ｂ，４４ｃ，４４ｄが配置された領域３９ａ，３９ｂ，３９ｃ，３９ｄと異なる領域４０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄにおける強度は、ウェルド部４４ａ，４４ｂ，４４ｃ，４４ｄが配置された領域３９ａ，３９ｂ，３９ｃ，３９ｄにおける強度と比較して高いため、高い強度の領域で応力を受けることができる。そうすると、破断のおそれを低減することができる。また、上記樹脂製構造体２０ａは比較的単純な形状であり、複雑な形状ではないため、生産性が良好である。したがって、このような半導体装置１１ａは、生産性および信頼性の向上を図ることができる。

【0051】

なお、上記した製造方法によると、保圧を加えながら射出成型を行った際に、第２貫通孔３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄの周辺における平板部３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄ内のボイドの発生を抑制することができる。また、射出成型の金型内を流れる溶融樹脂がゲートから遠くなるほど溶融樹脂の温度は下がり、強度は低下する。上記製造方法によると、平板部３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄの近傍にゲートがあるため、溶融樹脂の温度は常に高い状態で平板部３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄを成形することができる。したがって、より破断のおそれを低減することができる。

【0052】

また、基板１７ａ，１７ｂの厚さ方向に見て、ゲート痕５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄは、上記法線３８ａ，３８ｂ，３８ｃ，３８ｄより外側の１８０度以内の範囲にある。このような樹脂製構造体２０ａを含む半導体装置１１ａによると、第２貫通孔３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄの周りを流れた樹脂が合流して形成されるウェルド部４４ａ，４４ｂ，４４ｃ，４４ｄを、上記法線３８ａ，３８ｂ，３８ｃ，３８ｄより内側の１８０度以内の範囲に配置することが容易となる。したがって、このような半導体装置１１ａは、生産性および信頼性の向上を図ることができる。

【0053】

（実施の形態２）
次に、他の実施の形態である実施の形態２について説明する。図５は、実施の形態２における半導体装置に含まれる樹脂製構造体の一部を示す概略平面図である。実施の形態２の半導体装置に含まれる樹脂製構造体は、第２貫通孔の数が２つである点において、実施の形態１の場合と異なっている。

【0054】

図５を参照して、半導体装置に含まれる樹脂製構造体２０ｂは、板状であって、厚さ方向に貫通する第２貫通孔３２ａ，３２ｂが設けられた平板部３１ａ，３１ｂを２つ含む。各平板部３１ａ，３１ｂは、第２貫通孔３２ａ，３２ｂの第２側壁面３３ａ，３３ｂから平板部３１ａ，３１ｂの厚さに相当する長さ以内に配置される部分を有するウェルド部４４ａ，４４ｂを含む。平板部３１ａ，３１ｂの厚さ方向である基板１７ａ，１７ｂの厚さ方向に見て、ウェルド部４４ａ，４４ｂは、法線３８ａ，３８ｂより内側の１８０度以内の範囲にある。法線３８ａ，３８ｂは、第２貫通孔３２ａ，３２ｂの中心３４ａ，３４ｂを結んで形成される図形３５ａの重心３７ａと、第２貫通孔３２ａ，３２ｂの中心３４ａ，３４ｂとを結ぶ直線３６ａの法線３８ａ，３８ｂであり、かつ、法線３８ａ，３８ｂは、第２貫通孔３２ａ，３２ｂの中心３４ａ，３４ｂを通る。具体的には、基板１７ａ，１７ｂの厚さ方向に見て、ウェルド部４４ａ，４４ｂは、上記法線３８ａ，３８ｂよりも重心３７ａ側の領域３９ａ，３９ｂに配置される。本実施形態においては、図形３５ａは、直線３６ａによって表れる。また、本実施形態においては、重心３７ａは、中心３４ａと中心３４ｂとを結ぶ線分の中点となっている。

【0055】

また、基板１７ａ，１７ｂの厚さ方向に見て、ゲート痕５２ａ，５２ｂは、上記法線３８ａ，３８ｂより外側の１８０度以内の範囲にある。具体的には、基板１７ａ，１７ｂの厚さ方向に見て、平板部３１ａ，３１ｂは、上記法線３８ａ，３８ｂよりも重心３７ａ側と反対側の領域４０ａ，４０ｂに配置されるゲート痕５２ａ，５２ｂを含む。

【0056】

このような樹脂製構造体２０ｂおよびこのような樹脂製構造体２０ｂを含む半導体装置においても、生産性および信頼性の向上を図ることができる。

【0057】

（実施の形態３）
次に、さらに他の実施の形態である実施の形態３について説明する。図６は、実施の形態３における半導体装置に含まれる樹脂製構造体の一部を示す概略平面図である。実施の形態３の半導体装置に含まれる樹脂製構造体は、第２貫通孔の数が３つである点において、実施の形態１の場合と異なっている。

【0058】

図６を参照して、半導体装置に含まれる樹脂製構造体２０ｃは、板状であって、厚さ方向に貫通する第２貫通孔３２ａ，３２ｂ，３２ｃが設けられた平板部３１ａ，３１ｂ，３１ｃを３つ含む。各平板部３１ａ，３１ｂ，３１ｃは、第２貫通孔３２ａ，３２ｂ，３２ｃの第２側壁面３３ａ，３３ｂ，３３ｃから平板部３１ａ，３１ｂ，３１ｃの厚さに相当する長さ以内に配置される部分を有するウェルド部４４ａ，４４ｂ，４４ｃを含む。基板の厚さ方向に見て、ウェルド部４４ａ，４４ｂ，４４ｃは、法線３８ａ，３８ｂ，３８ｃより内側の１８０度以内の範囲にある。法線３８ａ，３８ｂ，３８ｃは、第２貫通孔３２ａ，３２ｂ，３２ｃの中心３４ａ，３４ｂ，３４ｃを結んで形成される図形３５ａの重心３７ａと、第２貫通孔３２ａ，３２ｂ，３２ｃの中心３４ａ，３４ｂ，３４ｃとを結ぶ直線３６ａ，３６ｂ，３６ｃの法線３８ａ，３８ｂ，３８ｃであり、かつ、法線３８ａ，３８ｂ，３８ｃは、第２貫通孔３２ａ，３２ｂ，３２ｃの中心３４ａ，３４ｂ，３４ｃを通る。具体的には、基板１７ａ，１７ｂの厚さ方向に見て、ウェルド部４４ａ，４４ｂ，４４ｃは、上記法線３８ａ，３８ｂ，３８ｃよりも重心３７ａ側の領域３９ａ，３９ｂ，３９ｃに配置される。本実施形態においては、図形３５ａは、三角形によって表れる。

【0059】

また、基板１７ａ，１７ｂの厚さ方向に見て、ゲート痕５２ａ，５２ｂ，５２ｃは、上記法線３８ａ，３８ｂ，３８ｃより外側の１８０度以内の範囲にある。具体的には、基板１７ａ，１７ｂの厚さ方向に見て、平板部３１ａ，３１ｂ，３１ｃは、上記法線３８ａ，３８ｂ，３８ｃよりも重心３７ａ側と反対側の領域４０ａ，４０ｂ，４０ｃに配置されるゲート痕５２ａ，５２ｂ，５２ｃを含む。

【0060】

このような樹脂製構造体２０ｃおよびこのような樹脂製構造体２０ｃを含む半導体装置においても、生産性および信頼性の向上を図ることができる。

【0061】

（実施の形態４）
次に、さらに他の実施の形態である実施の形態４について説明する。図７は、実施の形態４における半導体装置に含まれる筒状部を模式的に示す概略側面図である。実施の形態４の半導体装置は、筒状部の形状が異なる点において、実施の形態１の場合と異なっている。

【0062】

図７を参照して、半導体装置に備えられる樹脂製構造体に含まれる筒状部６１ａの外周面６２ａは、一方の端部側に位置する第１領域６３ａと、他方の端部側に位置する第２領域６４ａと、第１領域６３ａと第２領域６４ａとの間に位置する第３領域６５ａと、を含む。筒状部６１ａの長さ、すなわち、Ｚ方向の長さは、平板部３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄの厚さよりも長い。筒状部６１ａは、第２貫通孔３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄ内に配置した際に、第１領域６３ａが突出する。すなわち、筒状部６１ａは、第２貫通孔３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄから突出している突出領域を含む。また、第３領域６５ａには、凹凸形状が形成されている。本実施形態においては、第３領域６５ａに微小の凹凸形状が形成されている。第３領域６５ａには、ローレット加工が施されている。

【0063】

このようにすることにより、外周面６２ａの凹凸形状が第２貫通孔３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄの第２側壁面３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄとの摩擦により引っ掛かり、筒状部が貫通孔から抜け出るおそれを大きく低減することができる。したがって、より信頼性の向上を図ることができる。

【0064】

また、このようにすることにより、筒状部６１ａは、第２貫通孔３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄから突出しているため、挿入されるボルトは、座屈強度の高い金属製の筒状部６１ａで確実に受けることができ、ボルトによる締結力の向上を図ることができる。したがって、より信頼性の向上を図ることができる。

【0065】

（他の実施の形態）
なお、上記の実施の形態においては、ウェルド部は、第２貫通孔の側壁面に至る構成としたが、これに限らず、ウェルド部は、第２貫通孔の側壁面に至らず、第２貫通孔の第２側壁面から平板部の厚さに相当する長さ以内に配置される部分を有することとしてもよい。

【0066】

また、上記の実施の形態においては、全ての平板部が、上記ウェルド部を含むこととしたが、これに限らず、少なくとも複数の平板部のうちの一つが、上記ウェルド部を含むこととしてもよい。また、複数の平板部の２つ以上は、ウェルド部を含んでもよい。このようにすることにより、破断のおそれをより低減することができ、より信頼性の向上を図ることができる。

【0067】

なお、上記の実施の形態においては、全ての平板部が、上記ゲート痕を含むこととしたが、これに限らず、少なくとも複数の平板部のうちの一つが、上記ゲート痕を含むこととしてもよい。また、複数の平板部の２つ以上は、ゲート痕を含んでもよい。このようにすることにより、破断のおそれをより低減することができ、より信頼性の向上を図ることができる。

【0068】

なお、上記の実施の形態においては、基板の厚さ方向に見て、ウェルド部のうちの少なくとも一つは、法線より内側の１８０度以内の範囲にあることとしたが、これに限らず、ウェルド部の少なくとも一つは、貫通孔の中心を結んで形成される図形の重心と、前記貫通孔の中心とを結ぶ直線を中心として、法線より内側の１２０度以内の範囲にあることとしてもよく、さらに、法線より内側の９０度以内の範囲にあることとしてもよい。すなわち、実施の形態１に示す場合（図３）において、角度θは、直線３６ｂを中心として、１２０度以内の範囲、さらには９０度以内の範囲にあることとしてもよい。このようにすることにより、平板部において、ウェルド部が配置された領域と異なる領域で加えられた応力をより確実に受けることができる。したがって、破断のおそれをさらに低減することができる。

【0069】

また、上記の実施の形態においては、基板の厚さ方向に見て、ゲート痕のうちの少なくとも一つは、法線より外側の１８０度以内の範囲にあることとしたが、これに限らず、ウェルド部の少なくとも一つは、貫通孔の中心を結んで形成される図形の重心と、前記貫通孔の中心とを結ぶ直線を中心として、法線より外側の１２０度以内の範囲にあることとしてもよく、さらに、法線より外側の９０度以内の範囲にあることとしてもよい。このようにすることにより、貫通孔の周りを流れた樹脂が合流して形成されるウェルド部を、上記法線より内側の１８０度以内の範囲に配置することがより容易となる。

【0070】

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、どのような面からも制限的なものではないと理解されるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなく、特許請求の範囲によって規定され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

【産業上の利用可能性】

【0071】

本開示の半導体装置および樹脂製構造体は、生産性および信頼性の向上が求められる場合に特に有利に適用され得る。

【符号の説明】

【0072】

１１ａ 半導体装置
１２ ベース板
１２ａ 第１の面
１２ｂ 裏面
１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆ 第１貫通孔
１２ｇ，１２ｈ，１２ｉ，１２ｊ 第１側壁面
１３ａ 第１壁部
１３ｂ 第２壁部
１３ｃ 第３壁部
１３ｄ 第４壁部
１３ｅ 第２の面
１３ｆ 表面
１４ａ，１４ｂ 絶縁板
１５ａ 第１回路板
１５ｂ 第２回路板
１５ｃ 第３回路板
１５ｄ 第４回路板
１５ｅ 第５回路板
１５ｆ 第６回路板
１５ｇ 第７回路板
１５ｈ 第８回路板
１５ｉ 第９回路板
１５ｊ 第１０回路板
１５ｋ 第１１回路板
１６ａ，１６ｂ 回路パターン
１７ａ，１７ｂ 基板
１８ａ，１８ｂ コンデンサ
１９ａ，１９ｂ，１９ｃ，１９ｄ 端子
２０ａ，２０ｂ，２０ｃ 樹脂製構造体
２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ，２１ｅ，２１ｆ，２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄ，２２ｅ，２２ｆ 半導体チップ
２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄ，２４ｅ，２４ｆ，２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄ，２５ｅ，２５ｆ，２９ａ，２９ｂ ワイヤ
２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇ，２６ｈ プレスフィットピン
２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄ 内壁面
３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄ 平板部
３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄ 第２貫通孔
３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄ 第２側壁面
３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄ 中心
３５ａ 図形
３６ａ，３６ｂ，３６ｃ 直線
３７ａ 重心
３８ａ，３８ｂ，３８ｃ，３８ｄ 法線
３９ａ，３９ｂ，３９ｃ，３９ｄ，４０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄ 領域
４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄ，６１ａ 筒状部
４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，４２ｄ 第３貫通孔
４３ａ，４３ｂ，４３ｃ，４３ｄ 第３側壁面
４４ａ，４４ｂ，４４ｃ，４４ｄ ウェルド部
５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄ，Ｆ₁、Ｆ₂ 矢印
５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄ ゲート痕
６２ａ 外周面
６３ａ 第１領域
６４ａ 第２領域
６５ａ 第３領域
θ 角度

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】