特許7667524IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

半導体レーザ素子

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

窒化物半導体層を有する半導体レーザ素子であって、発振波長の縦モードを単一化または単一に近づけることが可能な半導体レーザ素子を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

以下の形態を含む。 第１端面と、第２端面と、前記第１端面と前記第２端面を繋ぐ光導波路と、を有する窒化物半導体積層体を備え、前記窒化物半導体積層体は、第１ｎ側窒化物半導体層と、前記第１ｎ側窒化物半導体層の上方に配置された第２ｎ側窒化物半導体層と、前記第２ｎ側窒化物半導体層の上方に配置された１以上の井戸層及び１以上の障壁層を有する活性層と、前記活性層の上方に配置されたｐ側窒化物半導・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

上述の半導体レーザ素子によれば、発振波長の縦モードを単一化または単一に近づけることができる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 本発明の一実施形態の半導体レーザ素子を示す模式的な上面図である。
【図2】 図１のII－II線における断面図である。
【図3】 図１のIII－III線における断面図である。
【図4】 第１ｎ側窒化物半導体層を説明するための模式図である。
【図5】 第１コンタクト層および第２コンタクト層を説明するための模式図である。
【図6】 実施例１の半導体レーザ素子のスペクトルを示すグラフである。
【図7】 実施例１の半導体レーザ素子の一部のＺコントラスト像である。
【図8】 実施例２の半導体レーザ素子のスペクトルを示すグラフである。

代表図 図1本件の代表的な図

１０ 光導波路 ２０ 窒化物半導体積層体 ２０ａ 第１端面 ２０ｂ 第２端面 ２０ｃ リッジ ３０ ｎ側窒化物半導体層 ３１ 第１ｎ側窒化物半導体層 ３１ａ 第１半導体部 ３１ｂ 第２半導体部 ３１１ 回折格子部 ３１２ 非回折格子部 ３２ 第２ｎ側窒化物半導体層 ３３ 第３ｎ側窒化物半導体層 ３４ 第４ｎ側窒化物半導体層 ３５ 第５ｎ側窒化物半導体層 ４０ 活性層 ４１ 井戸層 ４２ 障壁層 ５０ ｐ側窒化物半導体層 ５１１ 第１コンタクト層 ５１２ 第２コンタクト層 ６０ 基板 ７１ 第１保護膜 ７２ 第２保護膜 ７３ 絶縁膜 ８１ ｎ電極 ８２ ｐ電極 ８２１ 第１ｐ電極 ８２２ 第２ｐ電極 ８２３ 第１導電性酸化物膜 ８２４ 第１金属膜 ８２５ 第２導電性酸化物膜 ８２６ 第２金属膜 １００ 半導体レーザ素子

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