特許 7670192 静電チャック

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B1)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2025-04-21

(45)【発行日】2025-04-30

(54)【発明の名称】静電チャック

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/683 20060101AFI20250422BHJP

   H02N 13/00 20060101ALI20250422BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 R

H02N13/00 D

【請求項の数】 1

(21)【出願番号】P 2024044729

(22)【出願日】2024-03-21

【審査請求日】2024-10-16

【早期審査対象出願】

(73)【特許権者】

【識別番号】000010087

【氏名又は名称】ＴＯＴＯ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100140486

【弁理士】

【氏名又は名称】鎌田 徹

(74)【代理人】

【識別番号】100079108

【弁理士】

【氏名又は名称】稲葉 良幸

(74)【代理人】

【識別番号】100121843

【弁理士】

【氏名又は名称】村井 賢郎

(74)【代理人】

【識別番号】100170058

【弁理士】

【氏名又は名称】津田 拓真

(72)【発明者】

【氏名】森 達哉

(72)【発明者】

【氏名】上藤 淳平

(72)【発明者】

【氏名】梅津 智樹

(72)【発明者】

【氏名】糸山 哲朗

(72)【発明者】

【氏名】鈴木 健介

【審査官】湯川 洋介

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２０２３／１６６８６６（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１６－１１５９３３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２３－１４９６６０（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／６８３

Ｈ０２Ｎ １３／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

被吸着物が載置される載置面を有する誘電体基板と、
前記誘電体基板を支持するベースプレートと、を備え、
前記ベースプレートには、
冷媒の通る冷媒流路と、
前記載置面に対し垂直な方向に伸びる貫通穴と、が形成されており、
前記載置面に対し垂直な方向から見た場合において、
前記冷媒流路は、
第１流路と第２流路とに分岐する部分である分岐部と、
前記第１流路と前記第２流路とが再び合流する部分である合流部と、を有し、
前記貫通穴は、前記ベースプレートのうち、前記第１流路と前記第２流路との間の部分を貫くように形成されており、
前記載置面に対し垂直な方向から見た場合において、
前記貫通穴は、
前記第１流路と前記第２流路との間の部分を貫くように形成された第１貫通穴と、
前記第１流路を挟んで前記第１貫通穴とは反対側となる位置に形成された第２貫通穴と、を含み、
前記冷媒流路の幅が、前記第１流路において局所的に狭くなっており、
前記誘電体基板を加熱するためのヒーターを更に備え、
前記第１貫通穴及び前記第２貫通穴のそれぞれを通じて前記ヒーターへの給電が行われることを特徴とする静電チャック。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は静電チャックに関する。

【背景技術】

【0002】

例えばエッチング装置等の半導体製造装置には、処理の対象となるシリコンウェハ等の基板を吸着し保持するための装置として、静電チャックが設けられる。静電チャックは、吸着電極が設けられた誘電体基板と、誘電体基板を支持するベースプレートと、を備え、これらが互いに接合された構成を有する。吸着電極に電圧が印加されると静電力が生じ、誘電体基板上に載置された基板が吸着され保持される。

【0003】

エッチング等の処理中においては、基板の温度を適切な温度に維持する必要がある。このため、下記特許文献１に記載されているように、ベースプレートの内部には、冷媒を通すための冷媒流路が形成される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特開２０２１－０２８９６０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

ベースプレートには、上記の冷媒流路に加えて複数の貫通穴も形成される。このような貫通穴としては、例えば、リフトピンを通すための穴や、ヘリウムガスなどの不活性ガスを基板側に供給するための穴等が挙げられる。冷媒流路は、このような貫通穴を避けるような経路に沿って引き回す必要がある。

【0006】

例えば、互いに近接した一対の貫通穴の間を通るような経路に沿って冷媒流路を引き回す場合等には、冷媒流路の幅を局所的に狭くする必要がある。しかしながら、当該部分では冷媒の流速が局所的に上昇し、冷却性能が上昇するので、その直上において基板の温度低下を引き起こす可能性がある。その結果、基板の面内温度分布がばらついてしまう可能性がある。

【0007】

本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、処理中における基板の面内温度分布のばらつきを抑制することのできる静電チャック、を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0008】

上記課題を解決するために、本発明に係る静電チャックは、被吸着物が載置される載置面を有する誘電体基板と、誘電体基板を支持するベースプレートと、を備える。ベースプレートには、冷媒の通る冷媒流路と、載置面に対し垂直な方向に伸びる貫通穴と、が形成されている。載置面に対し垂直な方向から見た場合において、冷媒流路は、第１流路と第２流路とに分岐する部分である分岐部と、第１流路と第２流路とが再び合流する部分である合流部と、を有する。貫通穴は、ベースプレートのうち、第１流路と第２流路との間の部分を貫くように形成されている。

【0009】

このような構成の静電チャックでは、冷媒流路が、貫通穴の近傍において第１流路と第２流路とに分岐している。このため、一方の第１流路を、貫通穴との干渉を避けるために狭くした場合でも、冷媒は第１流路のみならず第２流路をも通るため、第１流路における局所的な流速の上昇が抑制される。その結果、冷媒流路の各部における冷却性能は概ね均等なままとなるので、処理中における基板の面内温度分布のばらつきが抑制される。

【発明の効果】

【0010】

本発明によれば、処理中における基板の面内温度分布のばらつきを抑制することのできる静電チャック、を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】本実施形態に係る静電チャックの構成を模式的に示す断面図である。

【図2】ベースプレートに形成された冷媒流路の構成を示す図である。

【図3】図２の冷媒流路のうち、貫通穴の近傍の部分の構成を拡大して示す図である。

【図4】図２の冷媒流路のうち、貫通穴の近傍の部分の構成を拡大して示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下、添付図面を参照しながら本実施形態について説明する。説明の理解を容易にするため、各図面において同一の構成要素に対しては可能な限り同一の符号を付して、重複する説明は省略する。

【0013】

本実施形態に係る静電チャック１０は、例えばエッチング装置のような不図示の半導体製造装置の内部において、処理対象となる基板Ｗを静電力によって吸着し保持するものである。被吸着物である基板Ｗは、例えばシリコンウェハである。静電チャック１０は、半導体製造装置以外の装置に用いられてもよい。

【0014】

図１には、基板Ｗを吸着保持した状態の静電チャック１０の構成が、模式的な断面図として示されている。静電チャック１０は、誘電体基板１００と、ベースプレート２００と、ヒーターユニット３００と、を備える。

【0015】

誘電体基板１００は、セラミック焼結体からなる略円盤状の部材である。誘電体基板１００は、例えば高純度の酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）を含むが、他の材料を含んでもよい。誘電体基板１００におけるセラミックスの純度や種類、添加物等は、半導体製造装置において誘電体基板１００に求められる耐プラズマ性等を考慮して、適宜設定することができる。

【0016】

誘電体基板１００のうち図１における上方側の面１１０は、基板Ｗが載置される「載置面」となっている。また、誘電体基板１００のうち図１における下方側の面１２０は、接合層４１０を介してヒーターユニット３００に接合される「被接合面」となっている。面１１０に対し垂直な方向に沿って、面１１０側から静電チャック１０を見た場合の視点のことを、以下では「上面視」のようにも表記する。

【0017】

誘電体基板１００の内部には吸着電極１３０が埋め込まれている。吸着電極１３０は、例えばタングステン等の金属材料により形成された薄い平板状の層であり、面１１０に対し平行となるように配置されている。吸着電極１３０の材料としては、タングステンの他、モリブデン、白金、パラジウム等を用いてもよい。外部から吸着電極１３０に電圧が印加されると、面１１０と基板Ｗとの間に静電力が生じ、これにより基板Ｗが吸着保持される。吸着電極１３０は、所謂「双極」の電極として２つ設けられていてもよいが、所謂「単極」の電極として１つだけ設けられていてもよい。

【0018】

誘電体基板１００の面１２０には給電端子１３２が埋め込まれている。給電端子１３２は、吸着電極１３０に印可される電圧を外部から受け入れるための端子である。上面視における給電端子１３２の形状は円形である。給電端子１３２と吸着電極１３０との間は、ビア１３１によって電気的に接続されている。ビア１３１は、導電体の充填された細長い穴である。給電端子１３２には、棒状の導電性部材であるバスバー１３の一端が接続されている。吸着電極１３０に対する外部からの電圧の印可は、バスバー１３を介して行われる。バスバー１３は、ヒーターユニット３００に形成された貫通穴３０６、及びベースプレートに形成された貫通穴２４０を通じて、外部へと引き出されている。尚、吸着電極１３０に対し電圧を印可するための電路の構成は、上記とは異なる構成であってもよい。

【0019】

図１に示されるように、誘電体基板１００と基板Ｗとの間には空間ＳＰが形成されている。半導体製造装置においてエッチング等の処理が行われる際には、空間ＳＰには、ガス穴１１４を介して外部から温度調整用のヘリウムガスが供給される。誘電体基板１００と基板Ｗとの間にヘリウムガスを介在させることで、両者間の熱抵抗が調整され、これにより基板Ｗの温度が適温に保たれる。尚、空間ＳＰに供給される温度調整用のガスは、ヘリウムとは異なる種類のガスであってもよい。

【0020】

載置面である面１１０上にはシールリング１１１やドット１１２が設けられており、上記の空間ＳＰはこれらの周囲に形成されている。

【0021】

シールリング１１１は、最外周となる位置において空間ＳＰを区画する壁である。シールリング１１１の上端は面１１０の一部となっており、基板Ｗに当接する。尚、空間ＳＰを分割するように複数のシールリング１１１が設けられていてもよい。このような構成とすることで、それぞれの空間ＳＰにおけるヘリウムガスの圧力を個別に調整し、処理中における基板Ｗの表面温度分布を均一に近づけることが可能となる。

【0022】

図１において符号「１１６」が付されている部分は、空間ＳＰの底面である。以下では、当該部分のことを「底面１１６」とも称する。シールリング１１１は、次に述べるドット１１２と共に、面１１０の一部を底面１１６の位置まで掘り下げた結果として形成されている。

【0023】

ドット１１２は、底面１１６から突出する円形の突起である。ドット１１２は複数設けられており、誘電体基板１００の載置面において略均等に分散配置されている。それぞれのドット１１２の上端は、面１１０の一部となっており、基板Ｗに当接する。このようなドット１１２を複数設けておくことで、基板Ｗの撓みが抑制される。

【0024】

誘電体基板１００にはガス穴１１４が形成されている。ガス穴１１４は、空間ＳＰにヘリウムガスを供給するための穴であって、面１１０に対し垂直に伸びるように形成された円形の貫通穴である。ガス穴１１４は複数形成されているのであるが、図１においてはそのうちの１つのみが図示されている。外部から供給されたヘリウムガスは、ベースプレート２００に形成されたガス穴２１４、及びヒーターユニット３００に形成された貫通穴３０５を通った後、それぞれのガス穴１１４を通じて空間ＳＰへと供給される。

【0025】

ガス穴１１４の内部には、例えばアルミナ等により形成された多孔質体が配置されていてもよい。このような構成とすることで、ガス穴１１４におけるガスの流れを確保しながらも、ガス穴１１４を通じた経路での絶縁破壊の発生を抑制することが可能となる。

【0026】

ベースプレート２００は、誘電体基板１００及びヒーターユニット３００を支持する略円盤状の部材である。ベースプレート２００は、例えばアルミニウムのような金属材料により形成されている。ベースプレート２００のうち、図１における上方側の面２１０は、接合層４２０を介してヒーターユニット３００に接合される「被接合面」となっている。

【0027】

ベースプレート２００の内部には、冷媒を流すための冷媒流路２６０が形成されている。半導体製造装置においてエッチング等の処理が行われる際には、外部から冷媒が冷媒流路２６０に供給され、これによりベースプレート２００が冷却される。処理中において基板Ｗで生じた熱は、空間ＳＰのヘリウムガス、誘電体基板１００、及びベースプレート２００を介して冷媒へと伝えられ、冷媒と共に外部へと排出される。冷媒流路２６０への冷媒の供給及び排出は、ベースプレート２００のうち、面２１０とは反対側の面２２０に形成された開口２６６、２６７（図１においては不図示、図２を参照）を介して行われる。

【0028】

図２には、ベースプレート２００の内部に形成された冷媒流路２６０の構成が、上面視で模式的に描かれている。尚、図２に示される冷媒流路２６０の構成は模式的なものであり、一部において実際の構成と異なっている。当該部分の構成については、図３等を参照しながら後に説明する。

【0029】

上記のように、ベースプレート２００の面２２０には開口２６６、２６７が設けられている。冷媒流路２６０は、開口２６６と開口２６７との間を繋いでおり、上面視においてベースプレート２００の略全体を通るような経路に沿って形成されている。

【0030】

開口２６６、２６７はいずれも、上面視において円形の開口であり、面２２０から冷媒流路２６０に向けて、面２２０に対し垂直に伸びるように形成されている。本実施形態では、開口２６６に対して外部から冷媒が供給される。冷媒流路２６０を通り基板Ｗの冷却に供された冷媒は、開口２６７から外部へと排出される。

【0031】

図１に戻って説明を続ける。ベースプレート２００のうち、上面視において給電端子１３２と重なる部分には、貫通穴２４０が形成されている。貫通穴２４０は、面２１０から面２２０に向かって垂直に伸びるように形成された円形の貫通穴である。先に述べたように、貫通穴２４０の内側には、吸着電極１３０に電圧を印可するためのバスバー１３が配置される。ベースプレート２００のうち誘電体基板１００側の面２１０には、貫通穴２４０の上端である円形の開口が形成されている。

【0032】

ベースプレート２００のうち、上面視においてガス穴１１４と重なる部分には、ガス穴２１４が形成されている。ガス穴２１４は、面２１０から面２２０に向かって垂直に伸びるように形成された円形の貫通穴である。先に述べたように、ガス穴２１４は、空間ＳＰにヘリウムガスを供給するための経路の一部となっている。ガス穴１１４と共に、ガス穴２１４は複数形成されている。ベースプレート２００のうち誘電体基板１００側の面２１０には、ガス穴２１４の上端である円形の開口が複数形成されている。

【0033】

ベースプレート２００には貫通穴２３０が形成されている。貫通穴２３０は、面２１０から面２２０に向かって垂直に伸びるように形成された円形の貫通穴である。貫通穴２３０は、後述のヒーターユニット３００が備える給電端子３９０や、これに繋がる給電部材を収容するための貫通穴である。貫通穴２３０は複数形成されているのであるが、図１においてはそのうちの１つのみが図示されている。

【0034】

ベースプレート２００の表面には絶縁膜が形成されていてもよい。絶縁膜としては、例えば、溶射により形成されたアルミナの膜を用いることができる。ベースプレート２００の表面を絶縁膜で覆っておくことにより、ベースプレート２００の絶縁耐圧を高めることができる。

【0035】

ヒーターユニット３００は、外部から電力の供給を受けて発熱し、誘電体基板１００を加熱するものである。ヒーターユニット３００の内部には、線状に引き回された導体である不図示の発熱部が設けられている。外部から発熱部に電流が供給されると、発熱部ではジュール熱が生じる。発熱部は複数配置されており、それぞれの発熱部における発熱量を個別に調整することが可能となっている。各部の発熱量を個別に調整することで、処理中における基板Ｗの面内温度分布を均等に近づけることができる。

【0036】

ヒーターユニット３００は、誘電体基板１００とベースプレート２００との間に挟み込まれており、それぞれに対し接合されている。ヒーターユニット３００と誘電体基板１００との間は接合層４１０を介して接合されており、ヒーターユニット３００とベースプレート２００との間は接合層４２０を介して接合されている。接合層４１０、４２０は、例えばシリコーン接着剤を硬化させることにより形成された層である。それぞれの内部には、熱伝導率を高めるための粒子状の充填剤（フィラー）が複数配置されている。充填剤としては、例えばアルミナを主成分とする粒子を用いることができる。

【0037】

ヒーターユニット３００には給電端子３９０が設けられている。給電端子３９０は、発熱部に供給される電流を外部から受け入れるための端子である。給電端子３９０は細長い棒状のプラグとして形成されており、ヒーターユニット３００からベースプレート２００側に向けて突出している。給電端子３９０は複数設けられているのであるが、図１においてはそのうちの１つのみが図示されている。それぞれの給電端子３９０は、ベースプレート２００に形成された貫通穴２３０の内側に収容されている。つまり、ヒーターユニット３００への給電は、貫通穴２３０を通じて行われる。

【0038】

ヒーターユニット３００のうち、上面視において給電端子１３２と重なる部分には、貫通穴３０６が形成されている。貫通穴３０６は、面２１０に対し垂直な方向に伸びるように形成された円形の貫通孔である。先に述べたように、貫通穴３０６の内側には、吸着電極１３０に電圧を印可するためのバスバー１３が配置される。

【0039】

ヒーターユニット３００のうち、上面視においてガス穴１１４と重なる部分には、貫通穴３０５が形成されている。貫通穴３０５は、面２１０に対し垂直な方向に伸びるように形成された円形の貫通孔である。先に述べたように、貫通穴３０５は、空間ＳＰにヘリウムガスを供給するための経路の一部となっている。ガス穴１１４やガス穴２１４と共に、貫通穴３０５は複数形成されている。

【0040】

尚、誘電体基板１００を加熱するためのヒーターは、本実施形態のようにヒーターユニット３００としてユニット化され、誘電体基板１００の外側に配置されてもよいが、その一部または全部が誘電体基板１００に内蔵されていてもよい。

【0041】

静電チャック１０には、半導体製造装置に設けられたリフトピンを通すためのリフトピン穴が複数形成されているのであるが、図１においてはその図示が省略されている。リフトピン穴は、ガス穴１１４、貫通穴３０５、及びガス穴２１４と同様に、静電チャック１０の全体を上下に貫くように形成された円形の貫通穴である。ベースプレート２００のうち誘電体基板１００側の面２１０には、リフトピン穴の上端である円形の開口が複数形成されている。

【0042】

これまでに説明したように、ベースプレート２００には、面１１０（載置面）に対し垂直な方向に伸びる貫通穴が複数形成されている。このような貫通穴には、例えば、図１に示される貫通穴２３０、２４０やガス穴２１４、及び、不図示のリフトピン穴等が含まれる。また、誘電体基板１００の温度を面１２０側から測定できるように、ベースプレート２００に貫通穴が形成されることもある。図２においては、これら貫通穴２３０等の図示が省略されているが、冷媒流路２６０は、上面視において貫通穴２３０等を避けるような経路に沿って引き回す必要がある。

【0043】

例えば、互いに近接した一対の貫通穴２３０等の間を通るような経路に沿って冷媒流路２６０を引き回す場合等には、冷媒流路２６０の幅を局所的に狭くする必要がある。しかしながら、当該部分では冷媒の流速が局所的に上昇し、冷却性能が上昇するので、その直上において基板Ｗの温度低下を引き起こす可能性がある。その結果、基板Ｗの面内温度分布がばらついてしまう可能性がある。

【0044】

そこで、本実施形態に係る静電チャック１０では、貫通穴２３０等の近傍における冷媒流路２６０の構成を工夫することで、上記問題を解決することとしている。

【0045】

図３には、ベースプレート２００に形成された貫通穴２３０と、その近傍において引き回されている冷媒流路２６０とが、上面視で模式的に描かれている。当該部分においては、一対の貫通穴２３０が互いに近接する位置に形成されている。これらのうち、一方の貫通穴２３０のことを、以下では「第１貫通穴２３１」とも称する。他方の貫通穴２３０のことを、以下では「第２貫通穴２３２」とも称する。

【0046】

図３に示される矢印は、冷媒流路２６０において冷媒が流れる方向を表している。図３の例において、冷媒流路２６０は、途中で２つの流路に分岐しており、その下流側において再び合流し１つの流路となっている。分岐した２つの流路のうちの一方のことを、以下では「第１流路２６１」とも称し、他方のことを、以下では「第２流路２６２」とも称する。

【0047】

冷媒流路２６０のうち、冷媒の流れる方向に沿って第１貫通穴２３１や第２貫通穴２３２よりも上流側となる部分であって、第１流路２６１と第２流路２６２とに分岐している部分のことを、以下では「分岐部２６３」とも称する。分岐部２６３よりも下流側の部分であって、第１流路２６１と第２流路２６２とが再び合流する部分のことを、以下では「合流部２６４」とも称する。

【0048】

第１流路２６１は、上面視において第１貫通穴２３１と第２貫通穴２３２との間を通るように伸びている。第２流路２６２は、上面視において、第１流路２６１との間に第１貫通穴２３１を挟みこむように伸びている。換言すれば、第１貫通穴２３１は、上面視において、ベースプレート２００のうち第１流路２６１と第２流路２６２との間の部分を貫くように形成されている。第２貫通穴２３２は、第１流路２６１を挟んで第１貫通穴２３１とは反対側となる位置に形成されている。

【0049】

冷媒流路２６０のうち分岐部２６３よりも上流側の部分の幅や、合流部２６４よりも下流側の部分の幅に比べると、第１流路２６１のうち特に中央部分（流れ方向に沿った中央部分）における幅は狭くなっている。図３に示される点線ＤＬは、第１流路２６１の幅を上記のように狭くすることなく、第１貫通穴２３１と第２貫通穴２３２との間を通した場合における、当該第１流路２６１の形状を表している。尚、第１流路２６１の幅は、本実施形態のようにその途中において局所的に狭くなっていてもよいが、第１流路２６１の全体において幅が一様に狭くなっていてもよい。いずれの場合であっても、第１流路２６１のうち少なくとも一部における幅が、冷媒流路２６０のうち分岐部２６３よりも上流側における幅に比べて、狭くなっていればよい。換言すれば、冷媒流路２６０のうち幅が局所的に狭くなっている部分は、第１流路２６１の一部であってもよく全体であってもよい。

【0050】

本実施形態では、第１貫通穴２３１と第２貫通穴２３２とが互いに近接している。このため、両者の間を通るような経路に沿って冷媒流路２６０を引き回そうとすると、点線ＤＬのように、冷媒流路２６０と第１貫通穴２３１とが互いに干渉してしまう可能性が高い。このため、本実施形態における第１流路２６１のように、第１貫通穴２３１と第２貫通穴２３２との間において、冷媒流路２６０の幅を局所的に狭くする必要がある。その結果、先に述べたように、冷媒の流速が局所的に上昇し、基板Ｗの面内温度分布がばらついてしまうという問題が生じ得る。

【0051】

そこで、本実施形態では図３のように、第１貫通穴２３１と第２貫通穴２３２との間を通る第１流路２６１とは別に、当該部分を迂回するような第２流路２６２を別途設けることとしている。このような構成においては、一方の第１流路２６１を、第１貫通穴２３１等との干渉を避けるために狭くした場合でも、冷媒は第１流路２６１のみならず第２流路２６２をも通るため、第１流路２６１における局所的な流速の上昇が抑制される。その結果、冷媒流路２６０の各部における冷却性能は概ね均等なままとなるので、処理中における基板Ｗの面内温度分布のばらつきを抑制することができる。

【0052】

本実施形態では、ベースプレート２００に形成された一対の貫通穴（第１貫通穴２３１や第２貫通穴２３２）が互いに近接しているため、両者の間を通る第１流路２６１の幅を、他の部分の幅に比べて狭くする必要性が生じている。今後、ヒーターユニット３００による温度調整がより細やかに行われるようになり、ヒーターユニット３００に設けられる発熱部の数が増加して行くのであれば、上記のように冷媒流路２６０の幅を局所的に狭くする必要性は更に高くなって行くものと考えられる。そのような場合であっても、冷媒流路２６０の幅が局所的に狭くなっている部分のそれぞれに、図３と同様の構成を適用すれば、冷媒の流速の局所的な上昇を抑制し、基板Ｗの面内温度分布のばらつきを抑制することができる。

【0053】

尚、冷媒流路２６０の幅を局所的に狭くする必要性は、第１貫通穴２３１と第２貫通穴２３２との間以外の部分でも生じ得る。例えば図４の例のように、貫通穴２３０が、ベースプレート２００の外周面２０１に近接する位置に設けられており、貫通穴２３０と外周面２０１との間を通るように冷媒流路２６０を引き回す場合には、当該部分において冷媒流路２６０の幅を狭くする必要がある。

【0054】

図４の例における冷媒流路２６０は、上面視において、貫通穴２３０と外周面２０１との間を通る第１流路２６１と、貫通穴２３０よりも内周側の部分を通る第２流路２６２と、に分岐している。この例においても、第１流路２６１はその途中において局所的に狭くなっている。また、貫通穴２３０は、ベースプレート２００のうち、第１流路２６１と第２流路２６２との間の部分を貫くように形成されている。このような構成においても、図３について説明したものと同様の効果を奏する。

【0055】

本実施形態では、給電端子３９０を配置するための貫通穴２３０（つまり、ヒーターユニット３００への給電を行うための貫通穴２３０）との干渉を避けるように、第１流路２６１及び第２流路２６２が設けられている。しかしながら、ベースプレート２００のうち、第１流路２６１及び第２流路２６２の近傍にある貫通穴は、上記とは異なる穴であってもよい。例えば、図１に示される貫通穴２４０やガス穴２１４、不図示のリフトピン穴、誘電体基板１００の温度を面１２０側から測定するための不図示の貫通穴、等との干渉を避けるように、第１流路２６１及び第２流路２６２が設けられてもよい。

【0056】

以上、具体例を参照しつつ本実施形態について説明した。しかし、本開示はこれらの具体例に限定されるものではない。これら具体例に、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本開示の特徴を備えている限り、本開示の範囲に包含される。前述した各具体例が備える各要素およびその配置、条件、形状などは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。前述した各具体例が備える各要素は、技術的な矛盾が生じない限り、適宜組み合わせを変えることができる。

【符号の説明】

【0057】

１０：静電チャック
１００：誘電体基板
１１０：面
２００：ベースプレート
２３０：貫通穴
２３１：第１貫通穴
２３２：第２貫通穴
２６０：冷媒流路
２６１：第１流路
２６２：第２流路
２６３：分岐部
２６４：合流部
Ｗ：基板

【要約】

【課題】処理中における基板の面内温度分布のばらつきを抑制することのできる静電チャック、を提供する。
【解決手段】静電チャック１０は、誘電体基板１００と、誘電体基板１００を支持するベースプレート２００と、を備える。ベースプレート２００には、冷媒の通る冷媒流路２６０と、貫通穴２３０と、が形成されている。上面視において、冷媒流路２６０は、第１流路２６１と第２流路２６２とに分岐する部分である分岐部２６３と、第１流路２６１と第２流路２６２とが再び合流する部分である合流部２６４と、を有する。貫通穴２３０は、ベースプレート２００のうち、第１流路２６１と第２流路２６２との間の部分を貫くように形成されている。
【選択図】図３

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】