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特許7671444導電性ＡｌＮエピタキシャル膜付き基板及びその製造方法
発明の名称 導電性ＡｌＮエピタキシャル膜付き基板及びその製造方法
出願人 国立大学法人 筑波大学 （識別番号 504171134）
特許公開件数ランキング 494 位（95件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 429 位（75件）（共同出願を含む）
出願人 ＤＯＷＡホールディングス株式会社 （識別番号 224798）
特許公開件数ランキング 1779 位（19件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 2166 位（12件）（共同出願を含む）
公報番号 特許-7671444
公報発行日 2025年5月2
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7671444
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