特許 7672574 半導体装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2025-04-24

(45)【発行日】2025-05-07

(54)【発明の名称】半導体装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 25/07 20060101AFI20250425BHJP

   H01L 25/18 20230101ALI20250425BHJP

   H01L 23/48 20060101ALI20250425BHJP

   H01L 23/00 20060101ALI20250425BHJP

   H05K 1/02 20060101ALI20250425BHJP

   H01L 23/12 20060101ALI20250425BHJP

【ＦＩ】

H01L25/04 C

H01L23/48 H

H01L23/00 B

H05K1/02 J

H01L23/12 Q

【請求項の数】 7

(21)【出願番号】P 2024507337

(86)(22)【出願日】2022-03-17

(86)【国際出願番号】 JP2022012189

(87)【国際公開番号】W WO2023175823

(87)【国際公開日】2023-09-21

【審査請求日】2024-02-15

(73)【特許権者】

【識別番号】000006013

【氏名又は名称】三菱電機株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002941

【氏名又は名称】弁理士法人ぱるも特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】門脇 和丈

(72)【発明者】

【氏名】塩田 裕基

【審査官】齊藤 健一

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２０２１／００２１３２（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１６－６３０１５（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許第８１９９５１８（ＵＳ，Ｂ１）

【文献】特開平７－２１２０７７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１０－１０４４１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２０１１－５２９６３８（ＪＰ，Ａ）

【文献】中国実用新案第２１０５７５９４１（ＣＮ，Ｕ）

【文献】中国特許出願公開第１０６０３３７５５（ＣＮ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２５／０７

Ｈ０１Ｌ ２３／４８

Ｈ０１Ｌ ２３／４９８

Ｈ０１Ｌ ２３／００

Ｈ０１Ｌ ２３／５５２

Ｈ０１Ｌ ２３／６０

Ｈ０５Ｋ １／０２

Ｈ０１Ｌ ２３／１２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

絶縁基板と、前記絶縁基板の上面に形成された薄板状の金属からなるパターンと、前記パターンの上面に接合された半導体チップとを備え、
前記パターンの外周に沿って、前記パターンの上方に、前記パターンに複数の接続点において接続された金属製のワイヤを備え、
隣り合う前記接続点の間では、前記ワイヤは、前記パターンの上方の領域から、前記絶縁基板の端部側に向かって外側にせり出すように湾曲している半導体装置。

【請求項2】

２本の前記ワイヤを備え、
一方の前記ワイヤの隣り合う２つの前記接続点の間に、他方の前記ワイヤの前記接続点を設ける請求項１に記載の半導体装置。

【請求項3】

一方の前記ワイヤの前記接続点を結んだ線と、他方の前記ワイヤの前記接続点を結んだ線とは、前記パターンの外周に沿って平行に並ぶ請求項２に記載の半導体装置。

【請求項4】

前記パターンは、角部がＲ加工されている請求項３に記載の半導体装置。

【請求項5】

前記ワイヤの、前記パターンの上方の領域から、前記絶縁基板の端部側に向かって外側にせり出した部分と、前記絶縁基板との間に、絶縁性と硬化性を有する樹脂からなる絶縁コーティングを備える請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置。

【請求項6】

前記ワイヤは、アーチ状のワイヤループを形成している請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置。

【請求項7】

ケースと、前記ケースの一方の開口部を塞ぐように前記ケースの内側に設けられたベース板とを備え、
前記絶縁基板は、前記ベース板の上面に重ねられ、前記ワイヤは、前記ケースの内側面に対向する前記パターンの外周に沿って備えられている請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の半導体装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本願は、半導体装置に関するものである。

【背景技術】

【0002】

半導体装置では、接地されたベース板の上面に絶縁基板が接合され、絶縁基板の上面には電極が形成されている。この構造において、電極の端部は、電界集中により絶縁破壊が生じ易い。そこで、電極から見てベース板の対称位置に、電極と同電位の第２の金属基板を配置することにより、最大電界を緩和させて絶縁能力を向上させる半導体装置の構造が知られている（例えば、特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２００３－０８６７６３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、従来の半導体装置では、第２の金属基板を配置しなければならず、絶縁能力の向上と半導体装置のさらなる小型化を両立させることが困難であった。

【0005】

本願は、上記のような課題を解決するための技術を開示するものであり、絶縁能力を向上しつつ、小型化が可能な半導体装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本願に開示される半導体装置は、
絶縁基板と、前記絶縁基板の上面に形成された薄板状の金属からなるパターンと、前記パターンの上面に接合された半導体チップとを備え、
前記パターンの外周に沿って、前記パターンの上方に、前記パターンに複数の接続点において接続された金属製のワイヤを備え、
隣り合う前記接続点の間では、前記ワイヤは、前記パターンの上方の領域から、前記絶縁基板の端部側に向かって外側にせり出すように湾曲しているものである。

【発明の効果】

【0007】

本願に開示される半導体装置によれば、絶縁能力を向上しつつ、小型化が可能な半導体装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】実施の形態１による半導体装置の断面模式図である。

【図2】実施の形態１による半導体装置の要部を示す斜視図である。

【図3】実施の形態１による半導体装置の要部であり、図２の破線Ａの部分において上下方向に切断した断面模式図である。

【図4】実施の形態２による半導体装置の要部を示す断面模式図である。

【図5】実施の形態３による半導体装置の要部を示す斜視図である。

【図6】実施の形態３による半導体装置の要部であり、図５の破線Ｂの部分において上下方向に切断した断面模式図である。

【図7】図７Ａ～図７Ｄは、パターンへのワイヤの設置工程を示す斜視図である。

【図8】実施の形態４によるパターンの１つの角部を示す平面模式図である。

【図9】実施の形態４による半導体装置の要部であり、ワイヤを取り付けたパターンの角部を示す平面模式図である。

【図10】実施の形態５による半導体装置の要部であり、パターンの外周の近傍を示す断面模式図である。

【図11】実施の形態６による半導体装置の断面模式図である。

【図12】実施の形態６によるパターンの外周の近傍を示す断面模式図である。

【図13】実施の形態６によるパターンの角部近傍を示す平面模式図である。

【図14】実施の形態６によるパターンの変形例の平面模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

実施の形態１．
以下、実施の形態１による半導体装置を、図を用いて説明する。
図１は、実施の形態１による半導体装置１００の断面模式図である。
本明細書において、内側、外側と言及するときは、半導体装置１００の中心側を内側、その反対側を外側とする。また、上下関係に言及するときは、半導体装置１００のベース板２０側を下、その反対側を上とする。

【0010】

半導体装置１００は、略直方体の金属からなるベース板２０と、ベース板２０の上面に接合された薄板状の絶縁基板３０とを備え、絶縁基板３０のうちベース板２０と接合されていないもう一方の面（上面）には薄板状の金属からなるパターン４０が形成されており、パターン４０の上面には薄板状の半導体チップ５０が接合されている。絶縁基板３０は、絶縁性のエポキシ樹脂に、同じく絶縁性のフィラーを混錬したものを薄板状に成形したものでも良いし、その他の構成として、例えばセラミックスを用いたものでも構わない。

【0011】

半導体チップ５０は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、パワーＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ－Ｏｘｉｄｅ－Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ－Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、フリー・ホイーリング・ダイオード（Ｆｒｅｅ Ｗｈｅｅｌｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ，ＦＷＤ）などのパワー半導体素子であり、これらのうち１種類でも２種類以上を組み合わせて用いても構わない。半導体チップ５０は、シリコン基板に形成したものでも良いし、炭化ケイ素、窒化ガリウム、その他の半導体材料に形成したものでも構わない。

【0012】

半導体装置１００は、外部回路との接続端子９０を備え、断面が口の字型のケース８０を備える。ケース８０は、内側壁の上下間の中央部に、内側に突出する係止部８１を有する。そして、ベース板２０と、ベース板２０の上面に重ねられた絶縁基板３０は、絶縁基板３０の上面の縁が、上述の係止部８１に当接するようにケース８０の内側に嵌め込まれ、ケース８０の一方の開口部を塞いでいる。なお、絶縁基板３０とケース８０とは接着してもよい。

【0013】

接続端子９０は、パターン４０および半導体チップ５０と、所望の電気回路を構成するように金属製の導体（図示せず）によって電気的に接続されている。

【0014】

ケース８０の内部には、封止樹脂６０が充填されており、半導体チップ５０およびパターン４０の部材の保護と電気的な絶縁をとっている。封止樹脂６０としては、典型的には絶縁性のフィラーを混錬したエポキシ樹脂を用いるが、絶縁性を有する固体であれば良く、エポキシ樹脂の他の例としては、シリコーンゲルが挙げられる。

【0015】

ケース８０の内側面８０ｉｎに対向するパターン４０の外周４０Ｇに沿って、パターン４０の上方に、金属製のワイヤ７０が備えられており、このワイヤ７０は、パターン４０に複数箇所で接続されている。したがって、ワイヤ７０は、パターン４０と電気的に同電位となっている。ワイヤ７０の材質としては、例としてアルミ、銅等が挙げられるが、金属であれば良く、特に限定しない。

【0016】

図２は、半導体装置１００の要部を示す斜視図である。図２では、ケース８０、封止樹脂６０、接続端子９０を省略している。ワイヤ７０は、パターン４０の外周４０Ｇのうち、パターン４０の外側面４０ｏｕｔが、ケース８０の内側面８０ｉｎに対向する外周４０Ｇの部分に沿って、パターン４０の上方に備えられており、ワイヤ７０とパターン４０とは、上述のように複数箇所で電気的に接続されている。

【0017】

同じパターン４０に対して、図２に示すように、複数のワイヤ７０を配置しても良いし、単一のワイヤ７０のみを用いて連続して配置しても良い。ワイヤ７０とパターン４０との接続点Ｃ同士の間では、ワイヤ７０は、アーチ状のワイヤループを形成しており、ワイヤ７０とパターン４０との間の距離は、ワイヤ７０の直径の５倍以下とする。

【0018】

ワイヤ７０とパターン４０との接続点Ｃのうち、隣り合う接続点Ｃ間の間隔が長すぎる場合、半導体装置１００の製造プロセスにおいて、封止樹脂６０の注入時にワイヤ７０が樹脂と一緒に流れて、予め定められた位置から外れてしまうことがあるため、典型的には５ｍｍ以下の間隔で接続点Ｃを配置する。ワイヤ７０が流れないように、当該間隔は、封止樹脂６０の材質、注入手法と合わせて決定すれば良い。

【0019】

図３は、半導体装置１００の要部であり、図２の破線Ａの部分において上下方向に切断した断面模式図である。次に、図３を用いて、ワイヤ７０による絶縁能力の向上効果について説明する。図３において、ベース板２０の電位は、接地電位であり、パターン４０とワイヤ７０とには高電圧が印加される。したがって、絶縁基板３０とパターン４０との接合端部Ｓには、電界集中が発生する。

【0020】

その上、さらに悪いことに、接合端部Ｓは、封止樹脂６０の硬化時にボイドが残留したり、封止樹脂６０と絶縁基板３０との間で剥離が生じたりし易い部位となっており、絶縁上の弱点部分となっている。

【0021】

したがって、接合端部Ｓの電界を緩和することによって、半導体装置１００の絶縁能力を向上させることができる。ここで、パターン４０と同じ電位のワイヤ７０が、パターン４０の外周４０Ｇに沿って、その上方に設けられていることによって、ワイヤ７０が存在しない場合に比べて、パターン４０の外側面４０ｏｕｔの電界分布を平坦化することができ、接合端部Ｓの電界を緩和することができる。

【0022】

ワイヤ７０を設ける領域は、従来構造（ワイヤ７０を使用しない場合）でも封止樹脂６０で満たされていた領域であることから、ワイヤ７０を設けることによって何らの半導体装置１００の大型化を要しない。また、電界緩和効果を得られる分、従来と比較して絶縁基板３０の端部で、パターン４０が設けられていなかった領域を縮小することが可能となることから、半導体装置１００をさらに小型化できる。

【0023】

実施の形態１による半導体装置１００によれば、絶縁能力を向上しつつ、小型化が可能な半導体装置を提供できる。

【0024】

実施の形態２．
以下、実施の形態２による半導体装置を、実施の形態１と異なる部分を中心に説明する。
図４は、半導体装置２００の要部を示す断面模式図である。パターン４０の外周４０Ｇの近傍を示す断面模式図であり、実施の形態１の図３に相当する。ケース８０の内側面８０ｉｎに対向するパターン４０の外周４０Ｇに沿って、パターン４０の上面にはワイヤ２７０が、実施の形態１と同様に接続点Ｃにおいて接続されている。そして隣り合う接続点Ｃの間では、ワイヤ２７０は、パターン４０の上方の領域から、絶縁基板３０の端部側に向かって外側にせり出すように湾曲している。このような構造とすることで、ワイヤ２７０のせり出した部位の直下では、パターン４０の外側面４０ｏｕｔの電界分布をさらに平坦化でき、接合端部Ｓの電界を緩和し、半導体装置２００の絶縁性を一層強化できる。ワイヤ２７０をこのような構造とするために、半導体装置１００の製造工程には、パターン４０の外周４０Ｇに沿ってワイヤを接続する工程と、ワイヤを所定の位置に湾曲させる工程を含む。

【0025】

実施の形態３．
以下、実施の形態３による半導体装置を、実施の形態２と異なる部分を中心に説明する。
図５は、半導体装置３００の要部を示す斜視図である。図５では、ケース８０、封止樹脂６０、接続端子９０を省略している。
ワイヤ３７０は、ケース８０の内側面８０ｉｎに対向するパターン４０の外周４０Ｇに沿って、パターン４０の上面に複数箇所で接続されている。ワイヤ３７０を取り付けるパターン４０の外周４０Ｇの一辺に対して、それぞれ２本のワイヤ３７０が接続されており、２本のワイヤ３７０は、互いに交差している。

【0026】

図６は、半導体装置３００の要部であり、図５の破線Ｂの部分において上下方向に切断した断面模式図である。
パターン４０の一辺に接続されている２本のワイヤ３７０のうち、図６の断面において、一方のワイヤ３７０ａがパターン４０と接続点Ｃと接続されている部分では、他方のワイヤ３７０ｂは、絶縁基板３０の水平方向にせり出して配置されるように、ワイヤ３７０ｂは外側に湾曲して配置されている。

【0027】

図７Ａ～図７Ｄは、パターン４０へのワイヤ３７０の設置工程を示す斜視図である。まず、図７Ａに示すように、パターン４０の外周４０Ｇに沿って、１本目のワイヤ３７０ａを、複数の接続点Ｃにて接続する。接続点Ｃの間は、予め定められた高さのワイヤループが形成されるように設定する。次に、図７Ｂに示すように、１本目のワイヤ３７０ａを、パターン４０の端部から外側に向かってせり出すように、予め定められた位置に湾曲させる。

【0028】

次に、図７Ｃに示すように、２本目のワイヤ３７０ｂをパターン４０に接続する。その際には、先に配置された１本目のワイヤ３７０ａとパターン４０との隣り合う２つの接続点Ｃの、パターン４０の外周方向の間に、新たに接続するワイヤ３７０ｂの接続点Ｃを設けるようにパターン４０に接続する。次に、図７Ｄに示すように、２本目のワイヤ３７０ｂを、１本目のワイヤ３７０ａと同様に、パターン４０の外周４０Ｇから外側にせり出すように湾曲させて配置する。

【0029】

実施の形態３による半導体装置３００によれば、ワイヤ３７０ｂを湾曲させた部分の直下でも、パターン４０の外側面４０ｏｕｔ全体において電界分布を平坦化できる領域を確保でき、接合端部Ｓの電界を緩和し、絶縁性を一層強化した半導体装置３００を提供できる。

【0030】

実施の形態４．
以下、実施の形態４による半導体装置を、実施の形態１～３と異なる部分を中心に説明する。
図８は、パターン４４０の１つの角部を示す平面模式図である。
図９は、半導体装置４００の要部であり、ワイヤ４７０ｉｎ、４７０ｏｕｔを取り付けたパターン４４０の角部を示す平面模式図である。
図８に示すように、パターン４４０は、外周４４０Ｇの四隅が同様にＲ加工されており、Ｒ加工部４４０Ｒを含む外周４４０Ｇに沿って、概ね平行に２本のワイヤ接続部４４１ｉｎ、４４１ｏｕｔが設定されている。図に示すワイヤ接続部４４１ｉｎ、４４１ｏｕｔは、２本のワイヤ４７０ｉｎ、４７０ｏｕｔについて、それぞれの接続点Ｃを結ぶ線である。

【0031】

パターン４４０の外周４４０Ｇに沿って接続される２本のワイヤ４７０ｉｎ、４７０ｏｕｔのうちの外側のワイヤ４７０ｏｕｔは、外側のワイヤ接続部４４１ｏｕｔのみに接続点Ｃを有するように設置されており、内側のワイヤ４７０ｉｎは、内側のワイヤ接続部４４１ｉｎのみに接続点Ｃを有するように設置されている。

【0032】

ワイヤ４７０ｉｎ、４７０ｏｕｔを設置する工程には、パターン４４０の外周４４０Ｇに近い方のワイヤ接続部４４１ｏｕｔに１本目のワイヤ４７０ｏｕｔを接続する工程と、当該ワイヤ４７０ｏｕｔをパターン４４０の外側に向かって、予め定められた位置に湾曲させる工程と、内側のワイヤ接続部４４１ｉｎに２本目のワイヤ４７０ｉｎを接続する工程と、パターン４４０の外側に向かって２本目のワイヤ４７０ｉｎを湾曲させる工程を備えている。

【0033】

実施の形態４による半導体装置４００によれば、ワイヤ４７０ｉｎ、４７０ｏｕｔの湾曲させた部分の直下で、パターン４４０の外側面４４０ｏｕｔの電界分布を平坦化することができる領域を、パターン４４０の外周４４０Ｇの全体に拡大できるため、接合端部Ｓの電界を緩和し、絶縁性を一層強化した半導体装置４００を提供できる。その上さらに、ワイヤ接続部４４１ｏｕｔ、４４１ｉｎをパターン４４０の外周４４０ＧのＲ加工部４４０Ｒに沿って平行に２本設けていることから、２本目のワイヤ４７０ｉｎをパターン４４０と接続する際に、１本目のワイヤ４７０ｏｕｔと２本目のワイヤ４７０ｉｎとが干渉することがなくなる。これにより、さらに信頼性の高い半導体装置４００と製造工程を実現できる。

【0034】

実施の形態５．
以下、実施の形態５による半導体装置を、実施の形態１～４と異なる部分を中心に説明する。
図１０は、半導体装置５００の要部であり、パターン５４０の外周５４０Ｇの近傍を示す断面模式図である。パターン５４０の外周５４０Ｇに沿ってワイヤ５７０が接続され、ワイヤ５７０は、パターン５４０の外側にせり出している。そして、ワイヤ５７０と絶縁基板３０との間には絶縁コーティングＧが設けられている。

【0035】

絶縁コーティングＧは、塗布後に何らかの手段で硬化させることが可能な樹脂であって、一例としては、シリコーンゴムが挙げられるが、シリコーンゴムに限らず、絶縁性と硬化性を兼ね備えていれば良い。硬化手段としてもシリコーンゴムのように熱硬化させられるものでも良いし、その他の例としては、紫外線の作用で硬化させるようなものであっても良く、特に限定しない。

【0036】

ワイヤ５７０の設置工程には、絶縁基板３０に絶縁コーティングＧを塗布する工程と、絶縁コーティングＧを硬化させる工程と、ワイヤ５７０をパターン５４０に接続する工程とが含まれる。実施の形態２で説明したワイヤ７０を湾曲させる構造、或いは、実施の形態３で説明した２本のワイヤ２７０を設けて交差させる構造、或いは、実施の形態４で説明した２本のワイヤの接続部を平行にずらして設ける構造とは、設計上の必要性に基づいて適切に組み合わせることが可能である。

【0037】

実施の形態５による半導体装置５００によれば、ワイヤ５７０を湾曲させる工程、および封止樹脂６０を注入して硬化させる工程において、ワイヤ５７０が必要以上に絶縁基板３０側に倒れ込んでしまい、電界緩和の効果が得られなくなることを防止できる。これにより、信頼性を一層高めた半導体装置５００を提供できる。

【0038】

実施の形態６．
以下、実施の形態６による半導体装置を、実施の形態１～５と異なる部分を中心に説明する。
図１１は、実施の形態６による半導体装置６００の断面模式図である。
ケース８０の内側面８０ｉｎに対向するパターン６４０の外周６４０Ｇに沿って、パターン６４０の厚みを絶縁基板３０の上方側に厚くするように突出した金属製の突起６４０Ｐを設け、突起６４０Ｐとパターン６４０とを電気的に接続して同電位にする。突起６４０Ｐの形成にあたっては、絶縁基板３０に厚いパターン６４０を設けてから、突起６４０Ｐ以外の部分を削り込むことで形成しても良いし、薄いパターン６４０に対して金属製の部材を別途接合して形成しても良い。

【0039】

図１２は、パターン６４０の外周６４０Ｇの近傍を示す断面模式図である。
ケース８０の内側面８０ｉｎに対向するパターン６４０の外周部だけに突起６４０Ｐを設けることで、パターン６４０全体の厚みを増すことなく、絶縁基板３０とパターン６４０の接合端部Ｓの電界を緩和することができる。

【0040】

図１３は、パターン６４０の角部近傍を示す平面模式図である。
ケース８０の内側面８０ｉｎに対向するパターン６４０の外周６４０Ｇに沿って、突起６４０Ｐが形成されている。これにより、絶縁基板３０の全周にわたって電界を緩和する領域を設けることができる。したがって、絶縁性を一層強化した半導体装置６００を提供できる。

【0041】

パターン６４０をこのような構造とすることによって、さらに好ましいことに、電界緩和に影響しないパターン６４０の中央部の領域において、パターン６４０の厚みを薄くすることが可能であることから、半導体チップ５０の発熱をベース板２０に逃がすにあたって、パターン６４０の熱抵抗を下げることが可能になる。

【0042】

図１４は、実施の形態６の変型例であり、図１３とは異なったパターン６４０Ｂを示す平面模式図である。
絶縁基板３０の端部には、回路構成の都合で半導体チップ５０の搭載されない、幅の狭いパターンが設けられることがある。このように、パターン幅が狭くて突起を設けることができないケースが想定されるが、このような場合には、当該部分のパターン全体を厚くした厚パターン６４２とし、突起６４０Ｐを設けたパターン６４０Ｂと混在させても良い。厚パターン６４２の厚みは、パターン６４０Ｂの突起６４０Ｐを設けた部分の厚みと同じ厚みとすれば良い。

【0043】

本願は、様々な例示的な実施の形態及び実施例が記載されているが、１つ、または複数の実施の形態に記載された様々な特徴、態様、及び機能は特定の実施の形態の適用に限られるのではなく、単独で、または様々な組み合わせで実施の形態に適用可能である。
従って、例示されていない無数の変形例が、本願に開示される技術の範囲内において想定される。例えば、少なくとも１つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合、さらには、少なくとも１つの構成要素を抽出し、他の実施の形態の構成要素と組み合わせる場合が含まれるものとする。

【符号の説明】

【0044】

１００，２００，３００，４００，５００，６００ 半導体装置、２０ ベース板、３０ 絶縁基板、４０，４４０，５４０，６４０，６４０Ｂ パターン、４０ｏｕｔ，４４０ｏｕｔ 外側面、４０Ｇ，４４０Ｇ，５４０Ｇ，６４０Ｇ 外周、４４０Ｒ Ｒ加工部、４４１ｉｎ，４４１ｏｕｔ ワイヤ接続部、６４０Ｐ 突起、６４２ 厚パターン、５０ 半導体チップ、６０ 封止樹脂、７０，２７０，３７０，３７０ａ，３７０ｂ，４７０ｉｎ，４７０ｏｕｔ，５７０ ワイヤ、８０ ケース、８０ｉｎ 内側面、８１ 係止部、９０ 接続端子、Ａ，Ｂ 破線、Ｃ 接続点、Ｇ 絶縁コーティング、Ｓ 接合端部。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】