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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2025-05-01
(45)【発行日】2025-05-13
(54)【発明の名称】発光表示装置
(51)【国際特許分類】
H10K 50/858 20230101AFI20250502BHJP
G02B 3/00 20060101ALI20250502BHJP
G02B 3/06 20060101ALI20250502BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20250502BHJP
G09F 9/40 20060101ALI20250502BHJP
G09G 3/20 20060101ALI20250502BHJP
G09G 3/3233 20160101ALI20250502BHJP
H05B 33/14 20060101ALI20250502BHJP
H10K 59/123 20230101ALI20250502BHJP
H10K 59/131 20230101ALI20250502BHJP
H10K 59/80 20230101ALI20250502BHJP
H10K 59/95 20230101ALI20250502BHJP
【ＦＩ】
H10K50/858
G02B3/00 A
G02B3/06
G09F9/30 349Z
G09F9/30 365
G09F9/40 301
G09G3/20 621E
G09G3/20 621K
G09G3/20 624B
G09G3/20 660R
G09G3/20 680G
G09G3/20 680H
G09G3/3233
H05B33/14 Z
H10K59/123
H10K59/131
H10K59/80
H10K59/95
【請求項の数】
27
(21)【出願番号】P 2023144128
(22)【出願日】2023-09-06
(65)【公開番号】P2024060574
(43)【公開日】2024-05-02
【審査請求日】2023-09-06
(31)【優先権主張番号】10-2022-0134901
(32)【優先日】2022-10-19
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(73)【特許権者】
【識別番号】501426046
【氏名又は名称】エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100094112
【弁理士】
【氏名又は名称】岡部 讓
(74)【代理人】
【識別番号】100106183
【弁理士】
【氏名又は名称】吉澤 弘司
(74)【代理人】
【識別番号】100114915
【弁理士】
【氏名又は名称】三村 治彦
(74)【代理人】
【識別番号】100125139
【弁理士】
【氏名又は名称】岡部 洋
(74)【代理人】
【識別番号】100209808
【弁理士】
【氏名又は名称】三宅 高志
(72)【発明者】
【氏名】イ プフン
(72)【発明者】
【氏名】シン キソブ
【審査官】横川 美穂
(56)【参考文献】
【文献】米国特許出願公開第２０１５／００４８３３３（ＵＳ，Ａ１）
【文献】特開２０２２－０８０５０７（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１１／１４５１７４（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特表２０１１－５１４５３８（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２００９／１０４８１６（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２００７－３２８９８６（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許第１０６６３７７６（ＵＳ，Ｂ１）
【文献】特開２０２２－０６８１０４（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ１０Ｋ ５０／００－１０２／２０
Ｈ０５Ｂ ３３／００－３３／２８
Ｇ０９Ｇ ３／２０
Ｇ０９Ｇ ３／３２３３
Ｇ０９Ｆ ９／３０
Ｇ０９Ｆ ９／４０
Ｇ０２Ｂ ３／００－３／０６
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１表示領域及び第２表示領域を含む複数の表示領域が定義された表示パネルと、前記複数の表示領域それぞれに配置された複数の副画素と、
前記複数の表示領域に実装され、前記表示パネルのゲートラインにゲート信号を供給するゲート駆動部とを含み、
前記複数の副画素のそれぞれは、
駆動電流により発光する第１発光素子と、
前記第１発光素子からの光を屈折させる第１レンズと、
前記駆動電流により発光する第２発光素子と、
前記第２発光素子からの光を屈折させ、前記第１レンズと異なる形状を有する第２レンズとを含み、
前記第１レンズは、半球形レンズ（Ｈａｌｆ－Ｓｐｈｅｒｉｃａｌ Ｌｅｎｓ）を含み、
前記第２レンズは、半円筒形レンズ（Ｈａｌｆ－Ｃｙｌｉｎｄｒｉｃａｌ Ｌｅｎｓ）を含む、発光表示装置。
【請求項2】
前記複数の表示領域それぞれは、狭視野モード及び広視野モードのいずれか一つで独立して駆動され、前記狭視野モードで、前記第１発光素子が発光し、前記第１発光素子からの光は前記第１レンズにより第１方向、及び前記第１方向と交差する第２方向に対して視野角が制限されて出力され、
前記広視野モードで、前記第２発光素子が発光し、前記第２発光素子からの光は前記第２レンズにより前記第１方向に対してのみ視野角が制限されて出力される、請求項１に記載の発光表示装置。
【請求項3】
複数の副画素それぞれは、イニシャル期間、サンプリング期間及びエミッション期間に分離駆動され、前記エミッション期間の間、前記第１発光素子または前記第２発光素子に前記駆動電流が印加される、請求項２に記載の発光表示装置。
【請求項4】
前記複数の副画素それぞれは、前記駆動電流を制御する駆動トランジスタと
前記駆動トランジスタと前記第１発光素子との間に電気的に接続され、前記駆動電流を前記第１発光素子に伝達する第１発光制御トランジスタと、
前記駆動トランジスタと前記第２発光素子との間に電気的に接続され、前記駆動電流を前記第２発光素子に伝達する第２発光制御トランジスタをさらに含み、
前記狭視野モードで、前記第１発光制御トランジスタはターン－オンされ、前記第２発光制御トランジスタはターン－オフされ、
前記広視野モードで、前記第１発光制御トランジスタはターン－オフされ、前記第２発光制御トランジスタはターン－オンされる、請求項３に記載の発光表示装置。
【請求項5】
前記第１発光制御トランジスタのゲート電極に発光信号を伝送する発光信号ラインをさらに含み、前記第１表示領域の前記発光信号ラインは、前記第２表示領域の前記発光信号ラインと分離された、請求項４に記載の発光表示装置。
【請求項6】
前記ゲート駆動部は、前記第１表示領域及び前記第２表示領域それぞれに実装され、前記第１表示領域及び前記第２表示領域それぞれの前記発光信号ラインに前記発光信号を出力する複数の発光信号発生部を含み、
一つの前記発光信号ラインは、前記複数の発光信号発生部から出力された複数個の前記発光信号の印加を受ける、請求項５に記載の発光表示装置。
【請求項7】
前記第２発光制御トランジスタのゲート電極に発光信号を伝送する発光信号ラインをさらに含み、前記第１表示領域の前記発光信号ラインは、前記第２表示領域の前記発光信号ラインと離隔された、請求項４に記載の発光表示装置。
【請求項8】
前記ゲート駆動部は、前記第１表示領域及び前記第２表示領域それぞれに実装され、前記第１表示領域及び前記第２表示領域それぞれの前記発光信号ラインに前記発光信号を出力する複数の発光信号発生部を含み、
前記第１表示領域に実装された前記複数の発光信号発生部で出力された前記発光信号は、前記第１表示領域の前記発光信号ラインにのみ伝送され、
前記第２表示領域に実装された前記複数の発光信号発生部で出力された前記発光信号は、前記第２表示領域の前記発光信号ラインにのみ伝送される、請求項７に記載の発光表示装置。
【請求項9】
第１表示領域及び第２表示領域を含む表示領域が定義された表示パネルと、前記第１表示領域及び前記第２表示領域それぞれに配置された複数の副画素と、
前記第１表示領域及び前記第２表示領域に実装され、前記表示パネルのゲートラインにゲート信号を供給するゲート駆動部とを含み、
前記複数の副画素それぞれは、
狭視野モードで駆動電流により発光する第１発光素子と、
前記第１発光素子からの光を屈折させて、第１方向、及び前記第１方向と交差する第２方向に対して視野角を制限するように構成された半球形レンズと、
広視野モードで前記駆動電流により発光する第２発光素子と、
前記第２発光素子からの光を屈折させて、前記第１方向に対してのみ視野角を制限するように構成された半円筒形レンズを含む、発光表示装置。
【請求項10】
前記第１方向は、上方向および下方向を含む垂直方向を含み、前記第２方向は、右方向および左方向を含む水平方向を含む、請求項９に記載の発光表示装置。
【請求項11】
前記複数の副画素それぞれは、前記駆動電流を制御し、第１ノードに電気的に接続されたソース電極、第２ノードに連結されたゲート電極及び第３ノードに電気的に接続されたドレイン電極を含む第１トランジスタと、
データ電圧を前記第１ノードに印加する第２トランジスタと、
前記第１トランジスタのゲート電極及びドレイン電極をダイオードコネクティングさせる第３トランジスタと、
初期化電圧を前記第１トランジスタのゲート電極に印加する第４トランジスタと、
高電位駆動電圧を前記第１ノードに印加する第５トランジスタと、
前記第１トランジスタと前記第１発光素子間の電流パスを形成する第６トランジスタと、
前記初期化電圧を前記第１発光素子のアノード電極に印加する第７トランジスタと、
前記第１トランジスタと前記第２発光素子間の電流パスを形成する第８トランジスタと、
前記初期化電圧を前記第２発光素子のアノード電極に印加する第９トランジスタと、
前記第２ノードに一端が電気的に接続され、第４ノードに他端が電気的に絶族されたキャパシタと、
基準電圧を前記第４ノードに印加する第１０トランジスタと第１１トランジスタと、
前記高電位駆動電圧を前記第４ノードに印加する第１２トランジスタとをさらに含む、請求項９に記載の発光表示装置。
【請求項12】
前記表示パネルは、前記複数の副画素それぞれの前記第５トランジスタのゲート電極及び前記第１２トランジスタのゲート電極に第１発光信号を印加する第１発光信号ラインと、
前記複数の副画素それぞれの前記第６トランジスタのゲート電極に第２発光信号を印加する第２発光信号ラインと、
前記複数の副画素それぞれの前記第８トランジスタのゲート電極に第３発光信号を印加する第３発光信号ラインとをさらに含む、請求項１１に記載の発光表示装置。
【請求項13】
前記ゲート駆動部は、前記第１発光信号ラインに前記第１発光信号を出力する複数の第１発光信号発生部と、
前記第２発光信号ラインに前記第２発光信号を出力する複数の第２発光信号発生部と、
前記第３発光信号ラインに前記第３発光信号を出力する複数の第３発光信号発生部とを含む、請求項１２に記載の発光表示装置。
【請求項14】
前記第２発光信号ラインは、前記第１表示領域の前記複数の副画素と電気的に接続された第２－１発光信号ライン及び前記第２表示領域の前記複数の副画素と電気的に接続された第２－２発光信号ラインを含み、前記複数の第２発光信号発生部のうち一部は、前記第２－１発光信号ラインに前記第２発光信号を出力し、前記複数の第２発光信号発生部のうち他の一部は、前記第２－２発光信号ラインに前記第２発光信号を出力する、請求項１２に記載の発光表示装置。
【請求項15】
前記第３発光信号ラインは、前記第１表示領域の前記複数の副画素と電気的に接続された第３－１発光信号ライン及び前記第２表示領域の前記複数の副画素と電気的に接続された第３－２発光信号ラインを含み、前記複数の第３発光信号発生部のうち一部は、前記第３－１発光信号ラインに前記第３発光信号を出力し、前記複数の第３発光信号発生部のうち他の一部は、前記第３－２発光信号ラインに前記第３発光信号を出力する、請求項１３に記載の発光表示装置。
【請求項16】
前記第１表示領域を前記広視野モードで駆動し、前記第２表示領域を前記狭視野モードで駆動する場合、前記ゲート駆動部は、前記第２－２発光信号ライン及び前記第３－１発光信号ラインにターン－オンレベルの前記第２発光信号及び前記第３発光信号を出力する、請求項１４に記載の発光表示装置。
【請求項17】
前記第１表示領域を前記狭視野モードで駆動し、前記第２表示領域を前記広視野モードで駆動する場合、前記ゲート駆動部は、前記第２－１発光信号ライン及び前記第３－２発光信号ラインにターン－オンレベルの前記第２発光信号及び前記第３発光信号を出力する、請求項１４に記載の発光表示装置。
【請求項18】
前記第１表示領域及び前記第２表示領域を前記広視野モードで駆動する場合、前記ゲート駆動部は、前記第２－２発光信号ライン及び前記第３－２発光信号ラインにターン－オンレベルの前記第２発光信号及び前記第３発光信号を出力し、前記第１表示領域及び前記第２表示領域を前記狭視野モードで駆動する場合、前記ゲート駆動部は、前記第２－１発光信号ライン及び前記第３－１発光信号ラインにターン－オンレベルの前記第２発光信号及び前記第３発光信号を出力する、請求項１４に記載の発光表示装置。
【請求項19】
前記表示領域は、第３表示領域をさらに含み、前記第２発光信号ラインは、前記第３表示領域の前記複数の副画素と電気的に接続された第２－３発光信号ラインをさらに含み、
前記第３発光信号ラインは、前記第３表示領域の前記複数の副画素と電気的に接続された第３－３発光信号ラインをさらに含み、
前記複数の第２発光信号発生部のうちまた他の一部は、前記第２－３発光信号ラインに前記第２発光信号を出力し、前記複数の第３発光信号発生部のうちまた他の一部は、前記第３－３発光信号ラインに前記第３発光信号を出力する、請求項１４に記載の発光表示装置。
【請求項20】
画像を表示するように構成された表示パネルであって、前記表示パネルによって出力される画像は視野角を有し、前記表示パネルは、第１レンズを使用する狭視野モードと、前記第１レンズの視野角に対して１つ以上の方向に視野角を調整する第２レンズを使用する広視野モードとで選択的に動作するように構成された前記表示パネルを備える発光表示装置であって、前記視野角は、前記狭視野モードにおいて、左方向及び右方向の第１の値に制限され、
前記視野角は、前記広視野モードにおいて、左方向及び右方向において前記第１の値よりも大きくなる、発光表示装置。
【請求項21】
前記第１レンズの下方に配置された前記表示パネル内の副画素の第１発光領域と、前記第２レンズの下方に配置された前記表示パネル内の前記副画素の第２発光領域とを含む、請求項２０に記載の発光表示装置。
【請求項22】
前記狭視野モードにおいて、前記第１発光領域はオフにされ、前記第２発光領域はオンにされる請求項２１に記載の発光表示装置。
【請求項23】
前記狭視野モードにおいて、前記第２レンズにより視野角が上方向及び下方向に制限される、請求項２０に記載の発光表示装置。
【請求項24】
前記狭視野モードにおいて、前記第１発光領域は点灯され、前記第２発光領域は消灯される、請求項２１に記載の発光表示装置。
【請求項25】
前記狭視野モードにおいて、前記第１レンズにより視野角が上方向及び下方向に制限される、請求項２０に記載の発光表示装置。
【請求項26】
前記狭視野モードにおいて、前記左方向に制限される視野角の程度は、前記右方向に制限される視野角の程度と異なる、請求項２０に記載の発光表示装置。
【請求項27】
前記第１レンズは半球レンズを含み、前記第２レンズは半円柱レンズを含み、前記第１レンズは前記第１発光領域と少なくとも部分的に重なり、前記第２レンズは前記第２発光領域と少なくとも部分的に重なる、請求項２１に記載の発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、発光表示装置に関し、より詳細には、視野角を制御できる発光表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
自発光素子である有機発光素子（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ；ＯＬＥＤ）は、アノード電極及びカソード電極と、これらの間に形成された有機化合物層を含む。有機化合物層は、正孔輸送層（Ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）、発光層（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｌａｙｅｒ、ＥＭＬ）、及び電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）からなる。アノード電極とカソード電極に駆動電圧が印加されると正孔輸送層（ＨＴＬ）を通過した正孔と電子輸送層（ＥＴＬ）を通過した電子が発光層（ＥＭＬ）に移動されて励起子を形成し、その結果、発光層（ＥＭＬ）が可視光を発生することとなる。アクティブマトリックスタイプの発光表示装置は、自ら発光する有機発光素子（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ；ＯＬＥＤ）を含み、応答速度が速く、発光効率、輝度及び視野角が大きい長所によって多様に利用されている。
【0003】
発光表示装置は、有機発光素子をそれぞれ含んだ画素をマトリックス形態に配列し、ビデオデータの階調によって画素の輝度を調節する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
一般に、発光表示装置は視野角が制限されないが、プライバシー保護、情報保護などの理由から、視野角が制限されることが有益である。
【0005】
さらに、発光表示装置が車両運転情報の提供に使用される場合、発光表示装置によって表示される画像が車両の窓から反射され、運転者の視界を遮ることがある。このような車両における画像の映り込みは、特に夜間走行時に激しく、運転者の安全運転に悪影響を及ぼすおそれがある。したがって、車両に適用される発光表示装置には、視野角が制限されることが要求される。
【0006】
このような視野角の制限は、車両の走行の有無、運転者と同乗者の視聴の有無によって異なる。そのため、視野角を選択的に切り替える必要がある。
【0007】
また、国によっては、助手席前方で再生されたマルチメディアを運転者に見せることを禁止している場合がある。そのため、視野角を選択的に切り替える必要がある。
【0008】
本発明の１つ以上の実施形態によれば、表示パネルの複数の表示領域それぞれで選択的に視野角を制限できる発光表示装置が提供される。
【0009】
本発明の１つ以上の実施形態によれば、複数の表示領域それぞれで狭視野モード及び広視野モードを独立して駆動できる発光表示装置が提供される。
【0010】
本発明の他の実施形態によれば、ベゼルを減少させた発光表示装置が提供される。
【0011】
本発明の他の実施形態によれば、ゲート駆動部で出力された信号が信号ラインに伝達される過程で発生したディレイを低減した発光表示装置が提供される。
【0012】
本発明の技術的効果は、以上において言及した効果に制限されず、言及されていないまた他の効果は、下記の記載から当業者に明確に理解され得るだろう。
【課題を解決するための手段】
【0013】
本発明の一実施例に係る発光表示装置は、第１表示領域及び第２表示領域を含む複数の表示領域が定義された表示パネル、複数の表示領域それぞれに配置された複数の副画素、及び複数の表示領域に実装されたゲート駆動部を含み、複数の副画素それぞれは、駆動電流により発光する第１発光素子、第１発光素子からの光を屈折させる第１レンズ、駆動電流により発光する第２発光素子、及び第２発光素子からの光を屈折させ、第１レンズと異なる形状を有する第２レンズを含む。従って、本発明は、第１レンズ及び第２レンズを利用して発光表示装置を狭視野モード及び広視野モードのいずれか一つで駆動できる。
【0014】
本発明の他の実施例に係る発光表示装置は、第１表示領域及び第２表示領域を含む表示領域が定義された表示パネル、第１表示領域及び第２表示領域それぞれに配置された複数の副画素、及び第１表示領域及び第２表示領域に実装されたゲート駆動部を含み、複数の副画素それぞれは、狭視野モードで駆動電流により発光する第１発光素子、第１発光素子からの光を屈折させて、第１方向及び第２方向に対して視野角を制限するように構成された半球形レンズ、広視野モードで駆動電流により発光する第２発光素子、及び第２発光素子からの光を屈折させて、第１方向に対してのみ視野角を制限するように構成された半円筒形レンズを含む。従って、本発明は、第１表示領域及び第２表示領域それぞれを狭視野モード及び広視野モードのいずれか一つで独立して駆動できる。
【0015】
その他の実施例の具体的な事項は、詳細な説明及び図面に含まれている。
【発明の効果】
【0016】
本発明は、複数の表示領域それぞれで狭視野モード及び広視野モードを独立して駆動できる。
【0017】
本発明は、複数の表示領域それぞれで選択的に視野角を制限できる。
【0018】
本発明は、ゲート駆動部で出力された信号が信号ラインに伝達される過程で発生したディレイを低減できる。
【0019】
本発明は、ゲート駆動部を表示領域に実装してベゼルを最小化できる。
【0020】
本発明に係る効果は、以上において例示された内容により制限されず、さらに多様な効果が本発明内に含まれている。
【図面の簡単な説明】
【0021】
【図1】本発明の一実施例に係る発光表示装置の概略的な平面図である。
【図2】本発明の一実施例に係る発光表示装置の概略的な断面図である。
【図3】本発明の一実施例に係る発光表示装置の表示パネルの概略的な断面図である。
【図4A】本発明の一実施例に係る発光表示装置の第１レンズを概略的に示した図である。
【図4B】本発明の一実施例に係る発光表示装置の第２レンズを概略的に示した図である。
【図5A】本発明の一実施例に係る発光表示装置の第１レンズの視野角に対する光プロファイルを示した図である。
【図5B】本発明の一実施例に係る発光表示装置の第２レンズの視野角に対する光プロファイルを示した図である。
【図6】本発明の一実施例に係る発光表示装置の広視野モード及び狭視野モードの動作を概略的に示した図である。
【図7】本発明の一実施例に係る発光表示装置の副画素の回路図である。
【図8A】本発明の一実施例に係る発光表示装置の広視野モードにおける発光信号及びスキャン信号を示す波形図である。
【図8B】本発明の一実施例に係る発光表示装置の広視野モードにおける発光信号及びスキャン信号を示す波形図である。
【図9A】広視野モード及び狭視野モードそれぞれでイニシャル期間の間本発明の一実施例に係る発光表示装置の副画素の回路図である。
【図9B】広視野モード及び狭視野モードそれぞれでサンプリング期間の間本発明の一実施例に係る発光表示装置の副画素の回路図である。
【図9C】広視野モードでエミッション期間の間本発明の一実施例に係る発光表示装置の副画素の回路図である。
【図9D】狭視野モードでエミッション期間の間本発明の一実施例に係る発光表示装置の副画素の回路図である。
【図10】本発明の一実施例に係る発光表示装置の表示パネルの概略的な拡大平面図である。
【図11】広視野モード及び狭視野モードで動作される表示パネルの概略的な拡大平面図である。
【図12】本発明の他の実施例に係る発光表示装置の表示パネルの概略的な拡大平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0022】
本発明の利点及び特徴、そして、それらを達成する方法は、添付の図面と共に詳細に後述されている実施例を参照すると、明確になるだろう。しかし、本発明は、以下において開示される実施例に制限されるものではなく、互いに異なる多様な形状に構成され、単に、本実施例は、本発明の開示が完全なものとなるようにし、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものであり、本発明は、請求の範囲のみにより定義される。
【0023】
本発明の実施例を説明するための図面に開示された形状、面積、比率、角度、個数等は、例示的なものであるので、本発明は、図示された事項に制限されるものではない。明細書全体にわたって、同じ参照符号は、同じ構成要素を指す。また、本発明を説明するにあたって、関連した公知技術についての具体的な説明が本発明の要旨を不要に濁す恐れがあると判断される場合、その詳細な説明は省略する。本発明上において言及された「含む」、「有する」、「なされる」等が使用される場合、「～だけ」が使用されない以上、他の部分が加えられ得る。構成要素を単数で表現した場合、特に明示的な記載事項がない限り、複数を含む。
【0024】
構成要素を解釈するにあたって、別途の明示的な記載がなくても誤差範囲を含むものと解釈する。
【0025】
位置関係についての説明である場合、例えば、「～上に」、「～上部に」、「～下部に」、「～隣に」等と二部分の位置関係が説明される場合、「すぐ」または「直接」が使用されない以上、二部分の間に一つ以上の他の部分が位置してもよい。
【0026】
素子または層が他の素子または層の「上（ｏｎ）」と称されるものは、他の素子のすぐ上または中間に他の層または他の素子を介在した場合をいずれも含む。
【0027】
また、第１、第２等が多様な構成要素を述べるために使用されるが、これらの構成要素は、これらの用語により制限されない。これらの用語は、単に一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用するものである。従って、以下において言及される第１構成要素は、本発明の技術的思想内で第２構成要素であってもよい。
【0028】
明細書全体にわたって、同じ参照符号は、同じ構成要素を指す。
【0029】
図面で示された各構成の面積及び厚さは、説明の便宜のために示されたものであり、本発明は、示された構成の面積及び厚さに必ずしも限定されるものではない。
【0030】
本発明の様々な実施例のそれぞれの特徴は、部分的または全体的に互いに結合または組み合わせ可能であり、技術的に多様な連動及び駆動が可能であり、各実施例が互いに対して独立して実施可能であってもよく、関連関係で共に実施してもよい。
【0031】
以下においては、図面を参照して、本発明について説明する。
【0032】
図１は、本発明の一実施例に係る発光表示装置の概略的な平面図である。図１においては、説明の便宜のために、発光表示装置１００の多様な構成要素のうち表示パネルＰＮ、複数のフレキシブルフィルムＣＯＦ及び複数の印刷回路基板ＰＣＢだけを示した。
【0033】
図１を参照すると、本発明の一実施例に係る発光表示装置１００は、表示パネルＰＮ、複数のフレキシブルフィルムＣＯＦ及び複数の印刷回路基板ＰＣＢを含む。
【0034】
表示パネルＰＮは、ユーザに映像を表示するための構成であり、映像を表示するための発光素子、発光素子を駆動するための画素回路、発光素子及び画素回路に各種の信号を伝達する信号ライン等が配置され得る。
【0035】
表示パネルＰＮは、表示領域ＡＡ及び非表示領域ＮＡを含む。
【0036】
表示領域ＡＡは、表示パネルＰＮで映像が表示される領域である。表示領域ＡＡには、複数の画素を構成する複数の副画素ＳＰ及び複数の副画素ＳＰを駆動するための回路が配置され得る。複数の副画素ＳＰは、表示領域ＡＡを構成する最小単位であり、複数のスキャン信号ライン及び複数のデータラインが互いに交差し、複数の副画素ＳＰそれぞれは、スキャン信号ライン及びデータラインに連結され得る。
【0037】
表示領域ＡＡは、第１表示領域ＡＡ１及び第２表示領域ＡＡ２を含む。第１表示領域ＡＡ１及び第２表示領域ＡＡ２は、独立して駆動される領域であり、第１表示領域ＡＡ１と第２表示領域ＡＡ２それぞれは、左右方向の広視野（共有（ｓｈａｒｅ））モードと狭視野（プライベート（ｐｒｉｖａｔｅ））モードのいずれか一つで駆動され得る。第１表示領域ＡＡ１と第２表示領域ＡＡ２は、同じモードで駆動されてもよく、互いに異なるモードで駆動されてもよい。狭視野モードでは、左右方向に狭視野角を有して複数の視聴者のうち一部の視聴者だけが映像を視聴でき、広視野モードでは、左右方向に広視野角を有してより多くの視聴者が映像を視聴できる。狭視野モード及び広視野モードについてのより詳細な説明は、図４Ａ乃至図６を参照して後述する。
【0038】
非表示領域ＮＡは、映像が表示されない領域である。非表示領域ＮＡには、表示領域ＡＡの発光素子を駆動するための多様な信号ライン及び回路等が配置される。例えば、非表示領域ＮＡには、表示領域ＡＡの複数の副画素ＳＰ及び回路に信号を伝達するためのリンク配線等が配置され得るが、これに制限されない。
【0039】
一方、図示はしないが、表示パネルＰＮにゲート駆動部が配置される。例えば、ゲート駆動部は、ＧＩＡ（Ｇａｔｅ Ｉｎ Ａｃｔｉｖｅ ａｒｅａ）方式で表示パネルＰＮの第１表示領域ＡＡ１及び第２表示領域ＡＡ２それぞれに実装され得る。本発明の一実施例に係る発光表示装置１００においては、ゲート駆動部を表示領域ＡＡに実装して非表示領域ＮＡの面積を低減し、第１表示領域ＡＡ１及び第２表示領域ＡＡ２の広視野モード及び狭視野モードを独立して駆動でき、ゲート駆動部についてのより詳細な説明は、図１０及び図１１を参照して後述する。
【0040】
表示パネルＰＮの一端に一つ以上のフレキシブルフィルムＣＯＦが配置される。複数のフレキシブルフィルムＣＯＦは、表示パネルＰＮの非表示領域ＮＡに電気的に連結され得る。複数のフレキシブルフィルムＣＯＦは、延性を有するベースフィルムに各種の部品が配置され、表示領域ＡＡの複数の副画素ＳＰ及び駆動回路に信号を供給するためのフィルムであり、表示パネルＰＮと電気的に連結され得る。例えば、複数のフレキシブルフィルムＣＯＦは、電源電圧、データ電圧等を表示領域ＡＡの複数の副画素ＳＰ及び駆動回路に供給できる。
【0041】
一方、複数のフレキシブルフィルムＣＯＦには、データドライバＩＣのような駆動ＩＣが配置され得る。駆動ＩＣは、映像を表示するためのデータとそれを処理するための駆動信号を処理する部品である。駆動ＩＣは、実装される方式によってチップオングラス（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ；ＣＯＧ）、チップオンフィルム（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ；ＣＯＦ）、テープキャリアパッケージ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ；ＴＣＰ）等の方式で配置され得る。ただし、説明の便宜のために、駆動ＩＣが複数のフレキシブルフィルムＣＯＦ上に実装されたチップオンフィルム方式であるものと説明したが、これに制限されるものではない。また、駆動ＩＣは、タイミングコントローラと一体化されて単一チップで配置されてもよい。
【0042】
複数の印刷回路基板ＰＣＢそれぞれは、複数のフレキシブルフィルムＣＯＦに電気的に連結される。複数の印刷回路基板ＰＣＢは、駆動ＩＣに信号を供給する部品である。複数の印刷回路基板ＰＣＢは、駆動信号、データ信号等のような多様な信号を駆動ＩＣに供給するための各種の部品が配置され得る。
【0043】
【0044】
【0045】
図２を参照すると、本発明の一実施例に係る発光表示装置１００は、表示パネルＰＮ、遮光パターン２１０、光学ギャップ層２２０、レンズ層２３０、平坦化膜２４０、そして偏光層２５０を含む。
【0046】
【0047】
基板１１０上には、第１乃至第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３を含む複数の副画素ＳＰが定義される。そして、第１乃至第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のそれぞれは、第１発光部（発光領域）ＥＡ１と第２発光部（発光領域）ＥＡ２を有する。
【0048】
第１発光部ＥＡ１には、第１発光素子Ｄｅ１が備えられ、第２発光部ＥＡ２には、第２発光素子Ｄｅ２が備えられる。
【0049】
第１乃至第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３は、それぞれ赤色副画素、緑色副画素、青色副画素であってよい。従って、第１副画素ＳＰ１の第１発光素子Ｄｅ１及び第２発光素子Ｄｅ２は赤色光を放出し、第２副画素ＳＰ２の第１発光素子Ｄｅ１及び第２発光素子Ｄｅ２は緑色光を放出し、第３副画素ＳＰ３の第１発光素子Ｄｅ１及び第２発光素子Ｄｅ２は青色光を放出し得る。
【0050】
【0051】
具体的に、基板１１０上に、各副画素ＳＰは、第１発光部ＥＡ１と第２発光部ＥＡ２を含む。基板１１０は、ガラス基板やプラスチック基板であってよい。
【0052】
一例として、プラスチック基板としてポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ：ＰＩ）が使用され得、これに制限されない。
【0053】
基板１１０の上部には、バッファ層１２０が形成される。バッファ層１２０は、実質的に基板１１０の全面（ｅｎｔｉｒｅ ｓｕｒｆａｃｅ）に位置する。バッファ層１２０は、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のような無機物質で形成され得、単一層または多重層になされ得る。
【0054】
バッファ層１２０の上部の第１発光部ＥＡ１及び第２発光部ＥＡ２には、パターニングされた第１半導体層１２２及び第２半導体層１２４がそれぞれ形成される。
【0055】
第１半導体層１２２及び第２半導体層１２４それぞれは、酸化物半導体物質からなり得るが、この場合、第１半導体層１２２及び第２半導体層１２４の下部には、シールドパターンがさらに形成され得る。シールドパターンは、第１半導体層１２２及び第２半導体層１２４に入射する光を遮断して第１半導体層１２２及び第２半導体層１２４が光により劣化することを防止する。
【0056】
これとは異なり、第１半導体層１２２及び第２半導体層１２４それぞれは、多結晶シリコンからなってもよく、この場合、第１半導体層１２２及び第２半導体層１２４それぞれの両縁に不純物がドーピングされていることがある。
【0057】
第１半導体層１２２及び第２半導体層１２４の上部には、絶縁物質からなるゲート絶縁膜１３０が実質的に基板１１０の全面に形成される。ゲート絶縁膜１３０は、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質で形成され得る。
【0058】
このとき、第１半導体層１２２及び第２半導体層１２４が酸化物半導体物質からなる場合、ゲート絶縁膜１３０は、酸化シリコン（ＳｉＯ２）で形成され得る。これとは異なり、第１半導体層１２２及び第２半導体層１２４が多結晶シリコンからなる場合、ゲート絶縁膜１３０は、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）で形成され得る。
【0059】
ゲート絶縁膜１３０の上部には、金属のような導電性物質からなる第１ゲート電極１３２及び第２ゲート電極１３４が第１半導体層１２２及び第２半導体層１２４にそれぞれ対応して形成される。また、ゲート絶縁膜１３０の上部には、スキャン信号ライン（図示しない）が形成され得る。スキャン信号ラインは、一方向に沿って延び得る。
【0060】
一方、本発明の一実施例においては、ゲート絶縁膜１３０が基板１１０の全面に形成されているが、ゲート絶縁膜１３０は、第１ゲート電極１３２及び第２ゲート電極１３４と同じ模様にパターニングされ、第１ゲート電極１３２及び第２ゲート電極１３４の下部にのみ配置されてもよい。
【0061】
第１ゲート電極１３２及び第２ゲート電極１３４の上部には、絶縁物質からなる層間絶縁膜１４０が実質的に基板１１０の全面に形成される。層間絶縁膜１４０は、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質で形成されるか、フォトアクリル（ｐｈｏｔｏ ａｃｒｙｌ）やベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）のような有機絶縁物質で形成され得る。
【0062】
層間絶縁膜１４０は、第１半導体層１２２及び第２半導体層１２４それぞれの両側上面を露出するコンタクトホールを有する。コンタクトホールは、ゲート絶縁膜１３０内にも形成され得る。層間絶縁膜１４０の上部の第１発光部ＥＡ１及び第２発光部ＥＡ２には、金属のような導電性物質で第１ソース電極１４２及び第１ドレイン電極１４４と第２ソース電極１４６及び第２ドレイン電極１４８がそれぞれ形成される。また、層間絶縁膜１４０の上部には、一方向に垂直な方向に沿って延びるデータライン（図示しない）と電源ライン（図示しない）が形成され得る。
【0063】
第１ソース電極１４２及び第１ドレイン電極１４４は、層間絶縁膜１４０のコンタクトホールを通して第１半導体層１２２の両側と接触し、第２ソース電極１４６及び第２ドレイン電極１４８は、層間絶縁膜１４０のコンタクトホールを通して第２半導体層１２４の両側と接触する。図示しないが、データラインは、一方向に垂直な方向に沿って延び、スキャン信号ラインと交差して各副画素ＳＰに対応する画素領域を定義し、高電位電圧を供給する電源ラインは、データラインと離隔されて位置する。
【0064】
一方、第１半導体層１２２、第１ゲート電極１３２、第１ソース電極１４２及び第１ドレイン電極１４４は、第１薄膜トランジスタＴｒ１をなし、第２半導体層１２４、第２ゲート電極１３４、第２ソース電極１４６及び第２ドレイン電極１４８は、第２薄膜トランジスタＴｒ２をなす。
【0065】
このような第１薄膜トランジスタＴｒ１及び第２薄膜トランジスタＴｒ２と同じ構造を有する一つ以上の薄膜トランジスタが各副画素ＳＰの基板１１０上にさらに形成され得、これに制限されない。
【0066】
第１ソース電極１４２及び第１ドレイン電極１４４と第２ソース電極１４６及び第２ドレイン電極１４８の上部には、絶縁物質で保護膜１５０が実質的に基板１１０の全面に形成される。保護膜１５０は、フォトアクリルやベンゾシクロブテンのような有機絶縁物質で形成され得る。このような保護膜１５０は、平坦な上面を有する。
【0067】
一方、保護膜１５０の下部、即ち、第１薄膜トランジスタＴｒ１及び第２薄膜トランジスタＴｒ２と保護膜１５０との間には、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質からなる絶縁膜がさらに形成され得る。
【0068】
保護膜１５０は、第１ドレイン電極１４４及び第２ドレイン電極１４８をそれぞれ露出する第１ドレインコンタクトホール１５０ａ及び第２ドレインコンタクトホール１５０ｂを有する。
【0069】
保護膜１５０の上部には、比較的に仕事関数の高い導電性物質で第１アノード電極１６２及び第２アノード電極１６４が形成される。第１アノード電極１６２は、第１発光部ＥＡ１に位置し、第１ドレインコンタクトホール１５０ａを通して第１ドレイン電極１４４と接触する。そして、第２アノード電極１６４は、第２発光部ＥＡ２に位置し、第２ドレインコンタクトホール１５０ｂを通して第２ドレイン電極１４８と接触する。
【0070】
一例として、第１アノード電極１６２及び第２アノード電極１６４それぞれは、インジウム－ティン－オキサイド（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）やインジウム－ジンク－オキサイド（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ：ＩＺＯ）のような透明導電性物質で形成され得、これに制限されない。
【0071】
一方、本発明の一実施例に係る発光表示装置１００の表示パネルＰＮは、複数の発光素子の光が基板１１０の上部方向に出力される上部発光方式（ｔｏｐ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｔｙｐｅ）であってよく、これによって、第１アノード電極１６２及び第２アノード電極１６４それぞれは、透明導電性物質の下部に反射率の高い金属物質で形成される反射電極または反射層をさらに含むことができる。例えば、反射電極または反射層は、アルミニウム－パラジウム－銅（ａｌｕｍｉｎｕｍ－ｐａｌｌａｄｉｕｍ－ｃｏｐｐｅｒ：ＡＰＣ）合金や銀（Ａｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）からなり得る。このとき、第１アノード電極１６２及び第２アノード電極１６４それぞれは、ＩＴＯ／ＡＰＣ／ＩＴＯやＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯまたはＩＴＯ／Ａｌ／ＩＴＯの３重層構造を有し得、これに制限されない。
【0072】
第１アノード電極１６２及び第２アノード電極１６４の上部には、絶縁物質でバンク１６５が形成される。バンク１６５は、第１アノード電極１６２及び第２アノード電極１６４の縁と重畳し、第１アノード電極１６２及び第２アノード電極１６４の縁を覆う。バンク１６５は、第１アノード電極１６２及び第２アノード電極１６４を露出する第１開口部１６５ａ及び第２開口部１６５ｂを有する。
【0073】
バンク１６５は、少なくとも上面が疎水性であり、バンク１６５の側面は、疎水性または親水性であってよい。このようなバンク１６５は、疎水性特性を有する有機絶縁物質で形成され得る。これとは異なり、バンク１６５は、親水性特性を有する有機絶縁物質で形成され、疎水性処理されてもよい。
【0074】
本発明においては、バンク１６５が単一層構造を有するが、バンク１６５は、二重層構造を有してもよい。即ち、バンク１６５は、下部の親水性バンク１６５と上部の疎水性バンク１６５を含む二重層構造を有してもよい。
【0075】
次に、バンク１６５の第１開口部１６５ａ及び第２開口部１６５ｂを通して露出された第１アノード電極１６２及び第２アノード電極１６４の上部には、発光層１７０が形成される。第１アノード電極１６２の上部の発光層１７０と第２アノード電極１６４の上部の発光層１７０は、連結されて一体になされる。しかし、本発明は、これに制限されず、第１アノード電極１６２の上部の発光層１７０と第２アノード電極１６４の上部の発光層１７０は、互いに分離されてもよい。
【0076】
図示しないが、発光層１７０は、第１アノード電極１６２及び第２アノード電極１６４の上部から順次に位置する第１電荷補助層と、発光物質層（ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｍａｔｅｒｉａｌ ｌａｙｅｒ）、そして第２電荷補助層を含むことができる。発光物質層は、赤、緑、青色発光物質のいずれか一つからなり得、これに制限されない。このような発光物質は、燐光化合物または蛍光化合物のような有機発光物質であってよい。しかし、本発明は、これに制限されず、量子ドット（ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔ）のような無機発光物質が使用されてもよい。
【0077】
第１電荷補助層は、正孔補助層（ｈｏｌｅ ａｕｘｉｌｉａｒｙ ｌａｙｅｒ）であってよく、正孔補助層は、正孔注入層（ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ：ＨＩＬ）と正孔輸送層（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ：ＨＴＬ）のうち少なくとも一つを含むことができる。また、第２電荷補助層は、電子補助層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ａｕｘｉｌｉａｒｙ ｌａｙｅｒ）であってよく、電子補助層は、電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ：ＥＩＬ）と電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ：ＥＴＬ）のうち少なくとも一つを含むことができる。
【0078】
このような発光層１７０は、蒸着工程（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓ）を通して形成され得る。このとき、各副画素ＳＰ別に発光層１７０をパターニングするために、微細金属マスク（ｆｉｎｅ ｍｅｔａｌ ｍａｓｋ：ＦＭＭ）が使用され得る。これとは異なり、発光層１７０は、溶液工程（ｓｏｌｕｔｉｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓ）を通して形成されてもよく、このような場合、発光層１７０は、第１開口部１６５ａ及び第２開口部１６５ｂ内にのみ備えられ得、バンク１６５の近くで発光層１７０はバンク１６５に近くなるほどその高さが高くなり得る。
【0079】
発光層１７０の上部には、比較的に仕事関数の低い導電性物質からなるカソード電極１８０が実質的に基板１１０の全面に形成される。ここで、カソード電極１８０は、アルミニウム（ａｌｕｍｉｎｕｍ）やマグネシウム（ｍａｇｎｅｓｉｕｍ）、銀（ｓｉｌｖｅｒ）またはこれらの合金で形成され得る。このとき、カソード電極１８０は、発光層１７０からの光が透過され得るように相対的に薄い厚さを有する。
【0080】
これとは異なり、カソード電極１８０は、インジウム－ガリウム－オキサイド（ｉｎｄｉｕｍ－ｇａｌｌｉｕｍ－ｏｘｉｄｅ：ＩＧＯ）のような透明導電性物質で形成され得、これに制限されない。
【0081】
第１発光部ＥＡ１の第１アノード電極１６２と発光層１７０及びカソード電極１８０は、第１発光素子Ｄｅ１をなし、第２発光部ＥＡ２の第２アノード電極１６４と発光層１７０及びカソード電極１８０は、第２発光素子Ｄｅ２をなす。
【0082】
先に言及したように、本発明の一実施例に係る表示パネルＰＮは、第１発光素子Ｄｅ１及び第２発光素子Ｄｅ２の発光層１７０からの光が基板１１０と反対方向、例えば、カソード電極１８０を通して外部に出力される上部発光方式であってよく、このような上部発光方式は、同じ面積の下部発光方式に対比してより広い発光領域を有することができるので、輝度を向上させ、消費電力を下げることができる。
【0083】
カソード電極１８０の上部の実質的に基板１１０の全面には、平坦な上面を有する封止層１９０が形成される。封止層１９０は、外部から水分や酸素が第１発光素子Ｄｅ１及び第２発光素子Ｄｅ２に流入することを防止する。そこで、封止層１９０は、エンカプシュレーション層（ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）とも称され得る。
【0084】
このような封止層１９０は、第１無機膜１９２と有機膜１９４、そして第２無機膜１９６の積層構造を有し得る。ここで、有機膜１９４は、製造工程中に発生する異物をカバーする膜であってよい。
【0085】
また図２を参照すると、表示パネルＰＮの上部、具体的に、封止層１９０の上部には、遮光パターン２１０が備えられる。遮光パターン２１０は、隣接した第１乃至第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の間に対応して形成されるか、第１発光部ＥＡ１及び第２発光部ＥＡ２の間に対応して形成される。
【0086】
このような遮光パターン２１０は、ブラックマトリックスであってよく、ブラック樹脂や酸化クロム等からなり得る。これとは異なり、遮光パターン２１０は、タッチ電極であってよく、金属からなり得る。このとき、タッチ電極は、交差する多数の送信電極と多数の受信電極を含み、多数の送信電極と多数の受信電極との間のキャパシタンスの変動量からタッチを感知できる。
【0087】
遮光パターン２１０の上部には、光学ギャップ層２２０（ｏｐｔｉｃａｌ ｇａｐ ｌａｙｅｒ）が備えられる。光学ギャップ層２２０は、第１発光素子Ｄｅ１及び第２発光素子Ｄｅ２とレンズ層２３０のレンズ２３２、２３４との間の光学ギャップを確保して第１発光素子Ｄｅ１及び第２発光素子Ｄｅ２からの光がレンズ２３２、２３４により特定の方向に屈折するようにすることでレンズ２３２、２３４の効率を向上させる。このような光学ギャップ層２２０は、数～数十μｍの厚さを有し得、有機絶縁物質からなり得る。
【0088】
一例として、光学ギャップ層２２０は、フォトアクリル（ｐｈｏｔｏ ａｃｒｙｌ）やベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ：ＢＣＢ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ：ＰＩ）、またはポリアミド（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ：ＰＡ）からなり得るが、これに制限されない。
【0089】
光学ギャップ層２２０の上部には、レンズ層２３０が備えられる。レンズ層２３０は、第１レンズ２３２と第２レンズ２３４を含む。第１レンズ２３２は、第１発光部ＥＡ１に配置され、第１発光素子Ｄｅ１からの光を特定の方向に屈折させる。そして、第２レンズ２３４は、第２発光部ＥＡ２に配置され、第２発光素子Ｄｅ２からの光を特定の方向に屈折させる。このような第１レンズ２３２及び第２レンズ２３４のそれぞれの一部分は、遮光パターン２１０と重畳し得る。
【0090】
第１レンズ２３２は、半球形レンズ（Ｈａｌｆ－Ｓｐｈｅｒｉｃａｌ Ｌｅｎｓ）であり、第２レンズ２３４は、半円筒形レンズ（Ｈａｌｆ－Ｃｙｌｉｎｄｒｉｃａｌ Ｌｅｎｓ）である。これによって、各副画素ＳＰの第１発光素子Ｄｅ１から放出された第１光Ｌ１は、第１レンズ２３２により特定の角度に屈折して出力される。そして、各副画素ＳＰの第２発光素子Ｄｅ２から放出された第２光Ｌ２は、第２レンズ２３４により特定の角度に屈折して出力される。これによって、副画素ＳＰそれぞれの視野角を制限できる。
【0091】
図２に示すように、一実施形態では、第１レンズ２３２は少なくとも部分的に第１発光部ＥＡ１と重なり、第２レンズ２３４は少なくとも部分的に第２発光部ＥＡ２と重なる。
【0092】
レンズ層２３０の上部には平坦化膜２４０が備えられ、第１レンズ２３２及び第２レンズ２３４を保護する。平坦化膜２４０は、有機絶縁物質からなり、平坦な上面を有する。そして、平坦化膜２４０の屈折率は、第１レンズ２３２及び第２レンズ２３４の屈折率より小さい。
【0093】
一例として、平坦化膜２４０は、フォトアクリル（ｐｈｏｔｏ ａｃｒｙｌ）やベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ：ＢＣＢ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ：ＰＩ）、またはポリアミド（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ：ＰＡ）からなり得、これに制限されない。
【0094】
平坦化膜２４０の上部には、偏光層２５０が備えられる。偏光層２５０は、線形偏光層と位相差層を含むことができ、表示パネルＰＮに入射する外部光の偏光状態を変換することで、外部光が表示パネルＰＮで反射した後、また外部に放出されることを防止する役割を果たす。
【0095】
一方、本発明の一実施例に係る発光表示装置１００は、各副画素ＳＰが第１発光部ＥＡ１及び第２発光部ＥＡ２を有し、第１発光部ＥＡ１の上部に半球形の第１レンズ２３２を備え、第２発光部ＥＡ２の上部に半円筒形の第２レンズ２３４を備えて視野角を制限することで、広視野モード及び狭視野モードを実現できる。
【0096】
【0097】
図４Ａに示したように、第１レンズ２３２は、半球形レンズ（Ｈａｌｆ－Ｓｐｈｅｒｉｃａｌ Ｌｅｎｓ）であり、Ｘ方向及びＹ方向に半円形状の断面を有する。従って、第１レンズ２３２は、Ｘ方向及びＹ方向の視野角を制限する。
【0098】
これに対して、図４Ｂに示したように、第２レンズ２３４は、半円筒形レンズ（Ｈａｌｆ－Ｃｙｌｉｎｄｒｉｃａｌ Ｌｅｎｓ）であり、Ｘ方向に矩形状の断面を有し、Ｙ方向に半円形状の断面を有する。従って、第２レンズ２３４は、Ｙ方向の視野角を制限し、第２レンズ２３４の長手方向、例えば、Ｘ方向の視野角は制限されない。
【0099】
【0100】
図５Ａは、本発明の一実施例に係る発光表示装置の第１レンズの視野角に対する光プロファイルを示した図である。図５Ｂは、本発明の一実施例に係る発光表示装置の第２レンズの視野角に対する光プロファイルを示した図である。
【0101】
図５Ａと図５Ｂに示したように、半球形の第１レンズ２３２が備えられた第１発光部ＥＡ１は、上下左右のいずれも３０度以下の狭視野角を有するのに対し、半円筒形の第２レンズ２３４が備えられた第２発光部ＥＡ２は、上下方向に３０度以下の狭視野角を有し、左右方向に６０度以上の広視野角を有することが分かる。
【0102】
従って、第１発光部ＥＡ１の駆動により上下狭視野モード及び左右狭視野モードを実現し、第２発光部ＥＡ２の駆動により上下狭視野モード及び左右広視野モードを実現できる。
【0103】
本発明の一実施例に係る発光表示装置１００においては、第１及び第２レンズ２３２、２３４により上下方向には常に狭視野角を実現できる。また、左右方向に広視野モードと狭視野モードを選択的に実現できる。
【0104】
このような左右方向の広視野モードと狭視野モードについて図６を参照して説明する。
【0105】
図６は、本発明の一実施例に係る発光表示装置の広視野モード及び狭視野モードの動作を概略的に示した図である。
【0106】
図６に示したように、本発明の一実施例に係る視野角転換発光表示装置１００の一画素は、複数の副画素ＳＰ、例えば、第１乃至第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３を含み、第１乃至第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３それぞれは、第１発光部ＥＡ１及び第２発光部ＥＡ２を有する。
【0107】
第１発光部ＥＡ１に対応して半球形の第１レンズ２３２が備えられ、第２発光部ＥＡ２に対応して半円筒形の第２レンズ２３４が備えられる。
【0108】
広視野モードで動作時、第１発光部ＥＡ１の第１発光素子Ｄｅ１は、ターン－オフ状態となり、第２発光部ＥＡ２の第２発光素子Ｄｅ２は、ターン－オン状態となり、第２発光素子Ｄｅ２から放出された光は、第２レンズ２３４によりＹ方向、例えば、上下方向に視野角が制限され、Ｘ方向、例えば、左右方向に視野角の制限なしに出力される。すなわち、第２レンズ２３４の視野角は、第１レンズ２３２の視野角とは異なり、ほとんどの場合、第１レンズ２３２の視野角よりも大きい。
【0109】
これに対して、狭視野モードで動作時、第１発光部ＥＡ１の第１発光素子Ｄｅ１は、ターン－オン状態となり、第２発光部ＥＡ２の第２発光素子Ｄｅ２は、ターン－オフ状態となり、第１発光素子Ｄｅ１から放出された光は、第１レンズ２３２により上下方向及び左右方向に視野角が制限されて出力される。
【0110】
このように、本発明の一実施例に係る発光表示装置１００は、上下方向には常に狭視野角を有することができる。そして、上下方向（例えば垂直方向）に狭視野角を有する本発明の一実施例に係る発光表示装置１００を車両に適用すれば、映像が車両のフロントガラスに反射して運転視野が妨害されることを防止できる。
【0111】
また、広視野モードで左右方向に広視野角を有する映像を表示し、狭視野モードで左右方向（例えば水平方向）に狭視野角を有する映像を表示できるが、広視野モードでは、運転席と助手席のユーザが皆映像を視聴でき、狭視野モードでは、運転席と助手席のユーザのうち一人が映像を視聴できる。例えば、狭視野モードの一実施形態によれば、表示装置は、運転席または助手席のいずれか一方に座っているユーザのみが画像を見ることができるが、両方を同時に見ることはできないように、画像を表示することができる。すなわち、一実施形態では、狭視野モード中に、左方向に制限される視野角の程度を、右方向に制限される視野角の程度と異ならせて、運転席または助手席のいずれか一方に座っているユーザのみが表示装置から画像を見ることができるようにすることができる。例えば、助手席に座っているユーザのみが表示装置から画像を見ることができるように、視野角を左方向（例えば、運転席の方向）に限定し、右方向（例えば、助手席の方向）には限定しないことができる。そのため、視野角の値は異なり、狭視野モードよりも広視野モードの方が大きくなる。さらに、左右方向に広視野モードと狭視野モードを選択的に実現できる。
【0112】
以下においては、複数の副画素ＳＰの構成及び駆動方式について具体的に説明する。
【0113】
【0114】
図７を参照すると、副画素ＳＰは、第１トランジスタＴ１、第２トランジスタＴ２、第３トランジスタＴ３、第４トランジスタＴ４、第５トランジスタＴ５、第６トランジスタＴ６、第７トランジスタＴ７、第８トランジスタＴ８、第９トランジスタＴ９、第１０トランジスタＴ１０、第１１トランジスタＴ１１及び第１２トランジスタＴ１２、ストレージキャパシタＣｓｔ、第１発光素子Ｄｅ１及び第２発光素子Ｄｅ２を含む。
【0115】
まず、複数の副画素ＳＰそれぞれを構成するスイッチ素子は、ｎタイプまたはｐタイプのＭＯＳＦＥＴ構造のトランジスタに構成され得る。以下の実施例において、ｐタイプのトランジスタを例示したが、本発明は、これに限定されない。
【0116】
付加的に、トランジスタは、ゲート（ｇａｔｅ）電極、ソース（ｓｏｕｒｃｅ）電極及びドレイン（ｄｒａｉｎ）電極を含む３電極素子である。ソース電極は、キャリア（ｃａｒｒｉｅｒ）をトランジスタに供給する電極である。トランジスタ内でキャリアはソース電極から流れ始める。ドレイン電極は、トランジスタでキャリアが外部に出る電極である。即ち、ＭＯＳＦＥＴでのキャリアの流れは、ソース電極からドレイン電極に流れる。ｎタイプのＭＯＳＦＥＴ（ＮＭＯＳ）の場合、キャリアが電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）であるため、ソース電極からドレイン電極に電子が流れることができるようにソース電極の電圧がドレイン電極の電圧より低い。ｎタイプのＭＯＳＦＥＴで電子がソース電極からドレイン電極の方に流れるため、電流の方向は、ドレイン電極からソース電極の方に流れる。ｐタイプのＭＯＳＦＥＴ（ＰＭＯＳ）の場合、キャリアが正孔（ｈｏｌｅ）であるため、ソース電極からドレイン電極に正孔が流れることができるようにソース電極の電圧がドレイン電極の電圧より高い。ｐタイプのＭＯＳＦＥＴで正孔がソース電極からドレイン電極の方に流れるため、電流がソース電極からドレイン電極の方に流れる。ＭＯＳＦＥＴのソース電極とドレイン電極は、固定されたものではないということに注意すべきである。例えば、ＭＯＳＦＥＴのソース電極とドレイン電極は、印加電圧によって変更され得る。従って、以下の実施例において、トランジスタのソース電極とドレイン電極によって発明が限定されてはならない。
【0117】
図７を参照すると、第１トランジスタＴ１は、ソース－ゲート電圧（Ｖｓｇ）によって複数の発光素子に印加される駆動電流を制御する。第１トランジスタＴ１は、第１ノードＮ１に連結されたソース電極、第２ノードＮ２に連結されたゲート電極、第３ノードＮ３に連結されたドレイン電極を含む。発光素子Ｄｅ１、Ｄｅ２に印加される駆動電流を制御する第１トランジスタＴ１は、駆動トランジスタとも称され得る。
【0118】
第２トランジスタＴ２は、データラインからデータ電圧Ｖｄａｔａを第１ノードＮ１に印加する。第２トランジスタＴ２は、データラインに連結されたソース電極、第１ノードＮ１に連結されたドレイン電極、及び第Ｎスキャン信号Ｓｃａｎ（Ｎ）を伝送する第Ｎスキャン信号ラインに連結されたゲート電極を含む。第２トランジスタＴ２は、ターン－オンレベルであるローレベルの第Ｎスキャン信号Ｓｃａｎ（Ｎ）に応答してデータラインからデータ電圧Ｖｄａｔａを第１ノードＮ１に伝達できる。
【0119】
第３トランジスタＴ３は、駆動トランジスタである第１トランジスタＴ１のゲート電極及びドレイン電極をダイオードコネクティングさせる。第３トランジスタＴ３は、第２ノードＮ２に接続されるドレイン電極、第３ノードＮ３に接続されるソース電極、及び第Ｎスキャン信号Ｓｃａｎ（Ｎ）を伝送する第Ｎスキャン信号Ｓｃａｎ（Ｎ）ラインに接続するゲート電極を含む。そこで、第３トランジスタＴ３は、ターン－オンレベルであるローレベルの第Ｎスキャン信号Ｓｃａｎ（Ｎ）に応答して、第１トランジスタＴ１のゲート電極及びドレイン電極をダイオードコネクティングさせる。
【0120】
第４トランジスタＴ４は、初期化電圧Ｖｉｎｉを第２ノードＮ２に印加する。第４トランジスタＴ４は、初期化電圧Ｖｉｎｉを伝送する初期化ラインに連結されたソース電極、第２ノードＮ２に連結されたドレイン電極、及び第Ｎ－１スキャン信号Ｓｃａｎ（Ｎ－１）を伝送する第Ｎ－１スキャン信号ラインに連結されたゲート電極を含む。第４トランジスタＴ４は、ローレベルの第Ｎ－１スキャン信号Ｓｃａｎ（Ｎ－１）に応答して初期化電圧Ｖｉｎｉを第２ノードＮ２に印加する。
【0121】
第５トランジスタＴ５は、高電位駆動電圧ラインから供給を受ける高電位駆動電圧ＶＤＤを第１ノードＮ１に印加する。第５トランジスタＴ５は、高電位駆動電圧ラインに連結されるソース電極、第１ノードＮ１に連結されるドレイン電極、及び第１発光信号ＥＭ１（Ｎ）を伝送する第１発光信号ラインに連結されるゲート電極を含む。そこで、第２トランジスタＴ２は、ターン－オンレベルであるローレベルの第１発光信号ＥＭ１（Ｎ）に応答して、高電位駆動電圧ラインから供給を受ける高電位駆動電圧ＶＤＤを第１ノードＮ１に印加する。
【0122】
第６トランジスタＴ６は、第１トランジスタＴ１と第１発光素子Ｄｅ１間の電流パスを形成する。第６トランジスタＴ６は、第３ノードＮ３に接続するソース電極、第１発光素子Ｄｅ１のアノード電極に接続するドレイン電極、及び第２発光信号ＥＭ２（Ｎ）を伝送する第２発光信号ラインＥＭＬ２に接続するゲート電極を含む。第６トランジスタＴ６は、第２発光信号ＥＭ２（Ｎ）に応答して第６トランジスタＴ６のソース電極である第３ノードＮ３と第１発光素子Ｄｅ１間の電流パスを形成する。そこで、第６トランジスタＴ６は、ターン－オンレベルであるローレベルの第２発光信号ＥＭ２（Ｎ）に応答して駆動トランジスタである第１トランジスタＴ１と第１発光素子Ｄｅ１間の電流パスを形成する。そこで、第６トランジスタＴ６は、第１発光素子Ｄｅ１の発光を制御する第１発光制御トランジスタとも称され得る。
【0123】
第７トランジスタＴ７は、初期化電圧Ｖｉｎｉを第１発光素子Ｄｅ１のアノード電極に印加する。第７トランジスタＴ７は、初期化電圧Ｖｉｎｉを伝送する初期化ラインに接続するソース電極、第１発光素子Ｄｅ１のアノード電極に接続するドレイン電極、及び第Ｎスキャン信号Ｓｃａｎ（Ｎ）を伝送する第Ｎスキャン信号Ｓｃａｎ（Ｎ）ラインに接続するゲート電極を含む。そこで、第７トランジスタＴ７は、ターン－オンレベルであるローレベルの第Ｎスキャン信号Ｓｃａｎ（Ｎ）に応答して初期化電圧Ｖｉｎｉを第１発光素子Ｄｅ１のアノード電極に印加する。
【0124】
第８トランジスタＴ８は、第１トランジスタＴ１と第２発光素子Ｄｅ２間の電流パスを形成する。第８トランジスタＴ８は、第３ノードＮ３に接続するソース電極、第２発光素子Ｄｅ２のアノード電極に接続するドレイン電極、及び第３発光信号ＥＭ３（Ｎ）を伝送する第３発光信号ラインに接続するゲート電極を含む。第８トランジスタＴ８は、第３発光信号ＥＭ３（Ｎ）に応答して第８トランジスタＴ８のソース電極である第３ノードＮ３と第２発光素子Ｄｅ２間の電流パスを形成する。そこで、第８トランジスタＴ８は、ターン－オンレベルであるローレベルの第３発光信号ＥＭ３（Ｎ）に応答して駆動トランジスタである第１トランジスタＴ１と第２発光素子Ｄｅ２間の電流パスを形成する。そこで、第８トランジスタＴ８は、第２発光素子Ｄｅ２の発光を制御する第２発光制御トランジスタとも称され得る。
【0125】
第９トランジスタＴ９は、初期化電圧Ｖｉｎｉを第２発光素子Ｄｅ２のアノード電極に印加する。第９トランジスタＴ９は、初期化電圧Ｖｉｎｉを伝送する初期化ラインに接続するソース電極、第２発光素子Ｄｅ２のアノード電極に接続するドレイン電極、及び第Ｎスキャン信号Ｓｃａｎ（Ｎ）を伝送する第Ｎスキャン信号Ｓｃａｎ（Ｎ）ラインに接続するゲート電極を含む。そこで、第９トランジスタＴ９は、ターン－オンレベルであるローレベルの第Ｎスキャン信号Ｓｃａｎ（Ｎ）に応答して初期化電圧Ｖｉｎｉを第２発光素子Ｄｅ２のアノード電極に印加する。
【0126】
第１０トランジスタＴ１０は、基準電圧Ｖｒｅｆを第４ノードＮ４に印加する。第１０トランジスタＴ１０は、基準電圧Ｖｒｅｆを伝送する基準ラインに接続するソース電極、第４ノードＮ４に接続するドレイン電極、及び第Ｎ－１スキャン信号Ｓｃａｎ（Ｎ－１）を伝送する第Ｎ－１スキャン信号Ｓｃａｎ（Ｎ－１）ラインに接続するゲート電極を含む。そこで、第１０トランジスタＴ１０は、ターン－オンレベルであるローレベルの第Ｎ－１スキャン信号Ｓｃａｎ（Ｎ－１）に応答して基準電圧Ｖｒｅｆを第４ノードＮ４に印加する。
【0127】
第１１トランジスタＴ１１は、基準電圧Ｖｒｅｆを第４ノードＮ４に印加する。第１１トランジスタＴ１１は、基準電圧Ｖｒｅｆを伝送する基準ラインに接続するソース電極、第４ノードＮ４に接続するドレイン電極、及び第Ｎスキャン信号Ｓｃａｎ（Ｎ）を伝送する第Ｎスキャン信号Ｓｃａｎ（Ｎ）ラインに接続するゲート電極を含む。そこで、第１１トランジスタＴ１１は、ターン－オンレベルであるローレベルの第Ｎスキャン信号Ｓｃａｎ（Ｎ）に応答して基準電圧Ｖｒｅｆを第４ノードＮ４に印加する。
【0128】
第１２トランジスタＴ１２は、高電位駆動電圧ラインから供給を受ける高電位駆動電圧ＶＤＤを第４ノードＮ４に印加する。第１２トランジスタＴ１２は、高電位駆動電圧ラインに連結されるソース電極、第４ノードＮ４に連結されるドレイン電極、及び第１発光信号ＥＭ１（Ｎ）を伝送する第１発光信号ラインＥＭＬ１に連結されるゲート電極を含む。そこで、第１２トランジスタＴ１２は、ターン－オンレベルであるローレベルの第１発光信号ＥＭ１（Ｎ）に応答して、高電位駆動電圧ラインから供給を受ける高電位駆動電圧ＶＤＤを第４ノードＮ４に印加する。
【0129】
キャパシタＣｓｔは、第２ノードＮ２に連結される第１電極及び第２ノードＮ２に連結される第２電極を含む。即ち、キャパシタＣｓｔの一電極は、駆動トランジスタである第１トランジスタＴ１のゲート電極に連結され、キャパシタＣｓｔの他の電極は、第１２トランジスタＴ１２に連結される。
【0130】
図８Ａ及び図８Ｂは、本発明の一実施例に係る発光表示装置の広視野モード及び狭視野モードそれぞれで発光信号及びスキャン信号を示す波形図である。図９Ａは、広視野モード及び狭視野モードそれぞれでイニシャル期間の間本発明の一実施例に係る発光表示装置の副画素の回路図である。図９Ｂは、広視野モード及び狭視野モードそれぞれでサンプリング期間の間本発明の一実施例に係る発光表示装置の副画素の回路図である。図９Ｃは、広視野モードでエミッション期間の間本発明の一実施例に係る発光表示装置の副画素の回路図である。図９Ｄは、狭視野モードでエミッション期間の間本発明の一実施例に係る発光表示装置の副画素の回路図である。
【0131】
【0132】
具体的に、広視野モード及び狭視野モードそれぞれでイニシャル期間Ｔｉの間、第Ｎ－１スキャン信号Ｓｃａｎ（Ｎ－１）は、ターン－オンレベルであるローレベルであり、第Ｎスキャン信号Ｓｃａｎ（Ｎ）は、ターン－オフレベルであるハイレベルであり、第１発光信号ＥＭ１（Ｎ）は、ターン－オフレベルであるハイレベルであり、第２発光信号ＥＭ２（Ｎ）は、ターン－オフレベルであるハイレベルであり、第３発光信号ＥＭ３（Ｎ）は、ターン－オフレベルであるハイレベルである。
【0133】
そこで、図９Ａを参照すると、広視野モード及び狭視野モードそれぞれでイニシャル期間Ｔｉの間第４トランジスタＴ４がターン－オンされ、第１トランジスタＴ１のゲート電極である第２ノードＮ２に初期化電圧Ｖｉｎｉを印加する。その結果、第１トランジスタＴ１のゲート電極は、初期化電圧Ｖｉｎｉに初期化される。
【0134】
初期化電圧Ｖｉｎｉは、第１トランジスタＴ１の閾値電圧より十分に低い電圧範囲内で選択でき、低電位駆動電圧ＶＳＳと同じであるか低い電圧に設定され得る。
【0135】
そして、広視野モード及び狭視野モードそれぞれでイニシャル期間Ｔｉの間第１０トランジスタＴ１０がターン－オンされ、第４ノードＮ４に基準電圧Ｖｒｅｆを印加する。そこで、キャパシタＣｓｔの第１電極には、初期化電圧Ｖｉｎｉが印加され、第２電極には、基準電圧Ｖｒｅｆが印加される。
【0136】
基準電圧Ｖｒｅｆは、第１トランジスタＴ１の閾値電圧より十分に低い電圧範囲内で選択でき、低電位駆動電圧ＶＳＳと同じであるか低い電圧に設定され得る。
【0137】
そして、図９Ｂを参照すると、広視野モード及び狭視野モードそれぞれでサンプリング期間Ｔｓの間、第Ｎ－１スキャン信号Ｓｃａｎ（Ｎ－１）は、ターン－オフレベルであるハイレベルであり、第Ｎスキャン信号Ｓｃａｎ（Ｎ）は、ターン－オンレベルであるローレベルであり、第１発光信号ＥＭ１（Ｎ）は、ターン－オフレベルであるハイレベルであり、第２発光信号ＥＭ２（Ｎ）は、ターン－オフレベルであるハイレベルであり、第３発光信号ＥＭ３（Ｎ）は、ターン－オフレベルであるハイレベルである。
【0138】
そこで、広視野モード及び狭視野モードそれぞれでサンプリング期間Ｔｓの間、第２トランジスタＴ２はターン－オンされ、データ電圧Ｖｄａｔａは第１ノードＮ１に印加される。そして、第３トランジスタＴ３もターン－オンされることで、第１トランジスタＴ１はダイオードコネクション（ｄｉｏｄｅ ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）され、第１トランジスタＴ１のゲート電極とドレイン電極がショートされることで、第１トランジスタＴ１がダイオードのように動作される。
【0139】
広視野モード及び狭視野モードそれぞれでサンプリング期間Ｔｓで、第１トランジスタＴ１のソース－ドレインの間には電流Ｉｄｓが流れる。第１トランジスタＴ１のゲート電極とドレイン電極は、ダイオードコネクションされた状態であるため、ソース電極からドレイン電極に流れる電流によって第２ノードＮ２の電圧は第１トランジスタＴ１のゲート－ソース間電圧ＶｇｓがＶｔｈになるまで上昇する。サンプリング期間Ｔｓの間に、第２ノードＮ２の電圧は、データ電圧Ｖｄａｔａと第１トランジスタＴ１の閾値電圧Ｖｔｈの和に該当する電圧（Ｖｄａｔａ＋Ｖｔｈ）に充電される。
【0140】
そして、広視野モード及び狭視野モードそれぞれでサンプリング期間Ｔｓの間第１１トランジスタＴ１１がターン－オンされ、第４ノードＮ４に基準電圧Ｖｒｅｆを印加する。そこで、キャパシタＣｓｔの第１電極には、第１トランジスタＴ１の閾値電圧Ｖｔｈの和に該当する電圧（Ｖｄａｔａ＋Ｖｔｈ）が印加され、第２電極には、基準電圧Ｖｒｅｆが印加される。
【0141】
一方、第７トランジスタＴ７及び第９トランジスタＴ９はターン－オンされ、第１発光素子Ｄｅ１のアノード電極に初期化電圧Ｖｉｎｉを印加し、第２発光素子Ｄｅ２のアノード電極に初期化電圧Ｖｉｎｉを印加する。その結果、第１発光素子Ｄｅ１のアノード電極及び第２発光素子Ｄｅ２のアノード電極は、いずれも初期化電圧Ｖｉｎｉに初期化される。初期化電圧Ｖｉｎｉは、発光素子Ｄｅ１、Ｄｅ２の動作電圧より十分に低い電圧範囲内で選択でき、低電位駆動電圧ＶＳＳと同じであるか低い電圧に設定され得る。
【0142】
そして、図９Ｃを参照すると、広視野モードでエミッション期間Ｔｅの間、第Ｎ－１スキャン信号Ｓｃａｎ（Ｎ－１）は、ターン－オフレベルであるハイレベルであり、第Ｎスキャン信号Ｓｃａｎ（Ｎ）は、ターン－オフレベルであるハイレベルであり、第１発光信号ＥＭ１（Ｎ）は、ターン－オンレベルであるローレベルであり、第２発光信号ＥＭ２（Ｎ）は、ターン－オフレベルであるハイレベルであり、第３発光信号ＥＭ３（Ｎ）は、ターン－オンレベルであるローレベルである。
【0143】
そこで、広視野モードでエミッション期間Ｔｅの間第５トランジスタＴ５はターン－オンされ、第１ノードＮ１に高電位駆動電圧ＶＤＤを印加する。そして、第１２トランジスタＴ１２はターン－オンされ、第４ノードＮ４に高電位駆動電圧ＶＤＤを印加する。即ち、第４ノードＮ４は、基準電圧Ｖｒｅｆから高電位駆動電圧ＶＤＤに電圧が上昇する。そして、第２ノードＮ２は、キャパシタＣｓｔを通して第４ノードＮ４とカップリングされているので、第２ノードＮ２には、第４ノードＮ４の電圧変化量（ＶＤＤ－Ｖｒｅｆ）が反映される。そこで、第１トランジスタＴ１のゲート電極である第２ノードＮ２の電圧は、Ｖｄａｔａ＋Ｖｔｈ＋（ＶＤＤ－Ｖｒｅｆ）に変わる。そこで、第１トランジスタＴ１のゲート－ソース間電圧Ｖｇｓは、Ｖｄａｔａ＋Ｖｔｈ－Ｖｒｅｆになり得る。そして、第８トランジスタＴ８もターン－オンされ、第３ノードＮ３及び第２発光素子Ｄｅ２の間の電流パスを形成する。結局、第１トランジスタＴ１のソース電極とドレイン電極を経由する駆動電流は、第２発光素子Ｄｅ２に印加される。
【0144】
広視野モードでエミッション期間Ｔｅの間、第２発光素子Ｄｅ２に流れる駆動電流Ｉｏｌｅｄに対する関係式は、下記式１のようになる。
【0145】
Ｉｏｌｅｄ＝ｋ（Ｖｇｓ－Ｖｔｈ）２
＝ｋ（Ｖｄａｔａ＋Ｖｔｈ－Ｖｒｅｆ－Ｖｔｈ）２
＝ｋ（Ｖｄａｔａ－Ｖｒｅｆ）２ ・・・（式１）
＝ｋ（Ｖｄａｔａ＋Ｖｔｈ－Ｖｒｅｆ－Ｖｔｈ）２
＝ｋ（Ｖｄａｔａ－Ｖｒｅｆ）２ ・・・（式１）
【0146】
式１において、ｋは、第１トランジスタＴ１の電子移動度、寄生キャパシタンス及びチャネル容量等により決定される比例定数を示す。
【0147】
式１から見られるように、駆動電流Ｉｏｌｅｄの関係式には、第１トランジスタＴ１の閾値電圧Ｖｔｈ成分及び高電位駆動電圧ＶＤＤ成分が全て消去される。これは、本発明による発光表示装置１００は、閾値電圧Ｖｔｈ及び高電位駆動電圧ＶＤＤが変わるとしても駆動電流Ｉｏｌｅｄは変わらないということを意味する。即ち、本発明の一実施例に係る発光表示装置１００は、閾値電圧Ｖｔｈ及び高電位駆動電圧ＶＤＤの変化量に関係なくデータ電圧Ｖｄａｔａをプログラミングできる。
【0148】
そして、図９Ｄを参照すると、狭視野モードでエミッション期間Ｔｅの間、第Ｎ－１スキャン信号Ｓｃａｎ（Ｎ－１）は、ターン－オフレベルであるハイレベルであり、第Ｎスキャン信号Ｓｃａｎ（Ｎ）は、ターン－オフレベルであるハイレベルであり、第１発光信号ＥＭ１（Ｎ）は、ターン－オンレベルであるローレベルであり、第２発光信号ＥＭ２（Ｎ）は、ターン－オンレベルであるローレベルであり、第３発光信号ＥＭ３（Ｎ）は、ターン－オフレベルであるハイレベルである。
【0149】
そこで、狭視野モードでエミッション期間Ｔｅの間第５トランジスタＴ５はターン－オンされ、第１ノードＮ１に高電位駆動電圧ＶＤＤを印加する。そして、第１２トランジスタＴ１２はターン－オンされ、第４ノードＮ４に高電位駆動電圧ＶＤＤを印加する。即ち、第４ノードＮ４は、基準電圧Ｖｒｅｆから高電位駆動電圧ＶＤＤに電圧が上昇する。そして、前述したキャパシタＣｓｔのカップリングにより第２ノードＮ２の電圧はＶｄａｔａ＋Ｖｔｈ＋（ＶＤＤ－Ｖｒｅｆ）に変わる。そこで、第１トランジスタＴ１のゲート－ソース間電圧Ｖｇｓは、Ｖｄａｔａ＋Ｖｔｈ－Ｖｒｅｆであり得る。そして、第６トランジスタＴ６もターン－オンされ、第３ノードＮ３及び第１発光素子Ｄｅ１の間の電流パスを形成する。結局、第１トランジスタＴ１のソース電極とドレイン電極を経由する駆動電流は、第１発光素子Ｄｅ１に印加される。
【0150】
狭視野モードでエミッション期間Ｔｅの間、第１発光素子Ｄｅ１に流れる駆動電流Ｉｏｌｅｄに対する関係式は、前述した数１のようになる。そこで、本発明の一実施例に係る発光表示装置１００は、閾値電圧Ｖｔｈ及び高電位駆動電圧ＶＤＤの変化量に関係なくデータ電圧Ｖｄａｔａをプログラミングできる。
【0151】
【0152】
図１０は、本発明の一実施例に係る発光表示装置の表示パネルの概略的な拡大平面図である。図１１は、広視野モード及び狭視野モードで動作される表示パネルの概略的な拡大平面図である。図１０及び図１１においては、説明の便宜のために、表示パネルの一部分だけを拡大して示した。
【0153】
図１０を参照すると、表示パネルＰＮの表示領域ＡＡにゲート駆動部ＧＤが実装される。ゲート駆動部ＧＤは、第１表示領域ＡＡ１及び第２表示領域ＡＡ２それぞれに実装された複数のスキャン信号発生部ＧＩＡＳ、複数の発光信号発生部ＧＩＡＥ１、ＧＩＡＥ２、ＧＩＡＥ３を含み、複数の発光信号発生部ＧＩＡＥ１、ＧＩＡＥ２、ＧＩＡＥ３は、複数の第１発光信号発生部ＧＩＡＥ１、複数の第２発光信号発生部ＧＩＡＥ２及び複数の第３発光信号発生部ＧＩＡＥ３を含む。ゲート駆動部ＧＤは、表示領域ＡＡで複数の副画素ＳＰの間に配置され得る。複数のスキャン信号発生部ＧＩＡＳと複数の発光信号発生部ＧＩＡＥ１、ＧＩＡＥ２、ＧＩＡＥ３それぞれの間に複数の副画素ＳＰが配置され得る。
【0154】
例えば、第１表示領域ＡＡ１には、複数のスキャン信号ラインＳＬに連結された複数のスキャン信号発生部ＧＩＡＳ、複数の第１発光信号ラインＥＭＬ１に連結された複数の第１発光信号発生部ＧＩＡＥ１、複数の第２発光信号ラインＥＭＬ２に連結された複数の第２発光信号発生部ＧＩＡＥ２、複数の第３発光信号ラインＥＭＬ３に連結された複数の第３発光信号発生部ＧＩＡＥ３が配置される。
【0155】
そして、第２表示領域ＡＡ２にも複数のスキャン信号ラインＳＬに連結された複数のスキャン信号発生部ＧＩＡＳ、複数の第１発光信号ラインＥＭＬ１に連結された複数の第１発光信号発生部ＧＩＡＥ１、複数の第２発光信号ラインＥＭＬ２に連結された複数の第２発光信号発生部ＧＩＡＥ２、複数の第３発光信号ラインＥＭＬ３に連結された複数の第３発光信号発生部ＧＩＡＥ３が配置される。
【0156】
この場合、複数のスキャン信号ラインＳＬそれぞれには、複数のスキャン信号発生部ＧＩＡＳからスキャン信号Ｓｃａｎがマルチ出力され得る。一つのスキャン信号ラインＳＬは、複数のスキャン信号発生部ＧＩＡＳと連結され、複数のスキャン信号発生部ＧＩＡＳそれぞれで生成されたスキャン信号Ｓｃａｎは、スキャン信号ラインＳＬに同時に印加され得る。例えば、一つのスキャン信号ラインＳＬは、第１表示領域ＡＡ１の複数のスキャン信号発生部ＧＩＡＳ及び第２表示領域ＡＡ２の複数のスキャン信号発生部ＧＩＡＳからスキャン信号Ｓｃａｎを同時に印加を受けることができる。この場合、スキャン信号ラインＳＬの複数の地点からスキャン信号ラインＳＬに同時にスキャン信号Ｓｃａｎが入力されるため、スキャン信号ラインＳＬを通して伝達されるスキャン信号Ｓｃａｎのディレイを低減し、一つのスキャン信号ラインＳＬに連結された複数の副画素ＳＰに伝達されるスキャン信号Ｓｃａｎのバラツキを低減できる。
【0157】
仮に、スキャン信号ラインＳＬの両端のうち一端でのみスキャン信号Ｓｃａｎを印加する場合、スキャン信号Ｓｃａｎがスキャン信号ラインＳＬの他端に伝達される過程でディレイが発生し得る。そこで、複数のスキャン信号ラインＳＬ間のスキャン信号Ｓｃａｎのディレイバラツキが発生し得、表示品質低下につながり得る。
【0158】
これに対して、本発明の一実施例に係る発光表示装置１００のように、表示領域ＡＡに複数のスキャン信号発生部ＧＩＡＳを形成して、複数の地点からスキャン信号ラインＳＬにスキャン信号Ｓｃａｎを印加することで、スキャン信号Ｓｃａｎのディレイを最小化できる。
【0159】
次に、複数の第１発光信号ラインＥＭＬ１それぞれは、複数の第１発光信号発生部ＧＩＡＥ１と連結され、複数の第１発光信号ラインＥＭＬ１それぞれには、複数の第１発光信号発生部ＧＩＡＥ１から第１発光信号ＥＭ１（Ｎ）がマルチ出力され得る。一つの第１発光信号ラインＥＭＬ１は、複数の第１発光信号発生部ＧＩＡＥ１と連結され、複数の第１発光信号発生部ＧＩＡＥ１それぞれで生成された第１発光信号ＥＭ１（Ｎ）は、第１発光信号ラインＥＭＬ１に同時に印加され得る。例えば、一つの第１発光信号ラインＥＭＬ１は、第１表示領域ＡＡ１の複数の第１発光信号発生部ＧＩＡＥ１及び第２表示領域ＡＡ２の複数の第１発光信号発生部ＧＩＡＥ１から第１発光信号ＥＭ１（Ｎ）を同時に印加を受けることができる。この場合、第１発光信号ラインＥＭＬ１の複数の地点から第１発光信号ラインＥＭＬ１に同時に第１発光信号ＥＭ１（Ｎ）が入力されるため、第１発光信号ラインＥＭＬ１を通して伝達される第１発光信号ＥＭ１（Ｎ）のディレイを低減できる。また、第１発光信号ラインＥＭＬ１と連結された第１発光信号発生部ＧＩＡＥ１の位置を調整して第１表示領域ＡＡ１と第２表示領域ＡＡ２から第１発光信号ラインＥＭＬ１に伝達される第１発光信号ＥＭ１（Ｎ）のディレイバラツキを低減することもできる。
【0160】
そして、複数の第２発光信号ラインＥＭＬ２それぞれは、複数の第２発光信号発生部ＧＩＡＥ２と連結され、複数の第２発光信号ラインＥＭＬ２それぞれには、複数の第２発光信号発生部ＧＩＡＥ２から第２発光信号ＥＭ２（Ｎ）がマルチ出力され得る。即ち、第２発光信号ラインＥＭＬ２の複数の地点に同時に第２発光信号ＥＭ２（Ｎ）が入力され得る。一つの第２発光信号ラインＥＭＬ２は、複数の第２発光信号発生部ＧＩＡＥ２と連結され、複数の第２発光信号発生部ＧＩＡＥ２それぞれで生成された第２発光信号ＥＭ２（Ｎ）は、第２発光信号ラインＥＭＬ２に同時に印加され得る。
【0161】
複数の第３発光信号ラインＥＭＬ３それぞれは、複数の第３発光信号発生部ＧＩＡＥ３と連結され、複数の第３発光信号ラインＥＭＬ３それぞれには、複数の第３発光信号発生部ＧＩＡＥ３から第２発光信号ＥＭ２（Ｎ）がマルチ出力され得る。即ち、第３発光信号ラインＥＭＬ３の複数の地点に同時に第３発光信号ＥＭ３（Ｎ）が入力され得る。一つの第３発光信号ラインＥＭＬ３は、複数の第３発光信号発生部ＧＩＡＥ３と連結され、複数の第３発光信号発生部ＧＩＡＥ３それぞれで生成された第３発光信号ＥＭ３（Ｎ）は、第３発光信号ラインＥＭＬ３に同時に印加され得る。
【0162】
一方、複数のスキャン信号ラインＳＬ及び複数の第１発光信号ラインＥＭＬ１は、第１表示領域ＡＡ１及び第２表示領域ＡＡ２全体にわたって連続的に延びるが、複数の第２発光信号ラインＥＭＬ２及び複数の第３発光信号ラインＥＭＬ３は、第１表示領域ＡＡ１と第２表示領域ＡＡ２の境界で分離される。そこで、第１表示領域ＡＡ１に配置された第２発光信号ラインＥＭＬ２は、第２表示領域ＡＡ２に配置された第２発光信号ラインＥＭＬ２と分離されて互いに離隔され、第１表示領域ＡＡ１に配置された第３発光信号ラインＥＭＬ３もまた第２表示領域ＡＡ２に配置された第３発光信号ラインＥＭＬ３と分離されて互いに離隔され得る。
【0163】
例えば、複数の第２発光信号ラインＥＭＬ２は、第１表示領域ＡＡ１に配置され、第１表示領域ＡＡ１の副画素ＳＰに第２発光信号ＥＭ２（Ｎ）を伝達する複数の第２－１発光信号ラインＥＭＬ２－１、及び第２表示領域ＡＡ２に配置され、第２表示領域ＡＡ２の副画素ＳＰに第２発光信号ＥＭ２（Ｎ）を伝達する複数の第２－２発光信号ラインＥＭＬ２－２を含む。複数の第３発光信号ラインＥＭＬ３は、第１表示領域ＡＡ１に配置され、第１表示領域ＡＡ１の副画素ＳＰに第３発光信号ＥＭ３（Ｎ）を伝達する複数の第３－１発光信号ラインＥＭＬ３－１、及び第２表示領域ＡＡ２に配置され、第２表示領域ＡＡ２の副画素ＳＰに第３発光信号ＥＭ３（Ｎ）を伝達する複数の第３－２発光信号ラインＥＭＬ３－２を含む。
【0164】
この場合、第１表示領域ＡＡ１に配置された複数の第２発光信号発生部ＧＩＡＥ２から第２発光信号ＥＭ２（Ｎ）は複数の第２－１発光信号ラインＥＭＬ２－１に転送され、第２表示領域ＡＡ２に配置された複数の第２発光信号発生部ＧＩＡＥ２から第２発光信号ＥＭ２（Ｎ）は複数の第２－２発光信号ラインＥＭＬ２－２に転送され得る。そして、第１表示領域ＡＡ１に配置された複数の第３発光信号発生部ＧＩＡＥ３から第３発光信号ＥＭ３（Ｎ）は複数の第３－１発光信号ラインＥＭＬ３－１に転送され、第２表示領域ＡＡ２に配置された複数の第３発光信号発生部ＧＩＡＥ３から第３発光信号ＥＭ３（Ｎ）は複数の第３－２発光信号ラインＥＭＬ３－２に転送され得る。
【0165】
本発明の一実施例に係る発光表示装置１００においては、第１表示領域ＡＡ１と第２表示領域ＡＡ２それぞれに配置された第２発光信号ラインＥＭＬ２と第３発光信号ラインＥＭＬ３を分離することで、第１表示領域ＡＡ１と第２表示領域ＡＡ２を広視野モードまたは狭視野モードのいずれか一つで独立して駆動できる。例えば、第１表示領域ＡＡ１を広視野モードで駆動する間、第２表示領域ＡＡ２を狭視野モードまたは広視野モードのいずれか一つで駆動でき、第２表示領域ＡＡ２を狭視野モードで駆動する間、第１表示領域ＡＡ１を狭視野モードまたは広視野モードのいずれか一つで駆動できる。
【0166】
例えば、図１１に示されたように、第１表示領域ＡＡ１を広視野モードで駆動し、第２表示領域ＡＡ２を狭視野モードで駆動する場合、第１表示領域ＡＡ１の第２発光信号発生部ＧＩＡＥ２及び第３発光信号発生部ＧＩＡＥ３のうち第３発光信号発生部ＧＩＡＥ３だけがターン－オンレベルであるローレベルの第３発光信号ＥＭ３（Ｎ）を出力できる。この場合、第１発光素子Ｄｅ１と第１トランジスタＴ１との間の電流パスを形成する第６トランジスタＴ６はターン－オフされた状態を維持し、第２発光素子Ｄｅ２と第１トランジスタＴ１との間の電流パスを形成する第８トランジスタＴ８はターン－オンされて第２発光素子Ｄｅ２に駆動電流を伝達できる。即ち、第１表示領域ＡＡ１に配置された複数の副画素ＳＰは、エミッション期間の間図９Ｃのように動作でき、これによって第１表示領域ＡＡ１は広視野モードで動作できる。
【0167】
そして、第１表示領域ＡＡ１を広視野モードで駆動し、第２表示領域ＡＡ２を狭視野モードで駆動する場合、第２表示領域ＡＡ２の第２発光信号発生部ＧＩＡＥ２及び第３発光信号発生部ＧＩＡＥ３のうち第２発光信号発生部ＧＩＡＥ２だけがターン－オンレベルであるローレベルの第２発光信号ＥＭ２（Ｎ）を出力できる。この場合、第１発光素子Ｄｅ１と第１トランジスタＴ１との間の電流パスを形成する第６トランジスタＴ６はターン－オンされて第１発光素子Ｄｅ１に駆動電流を伝達でき、第２発光素子Ｄｅ２と第１トランジスタＴ１との間の電流パスを形成する第８トランジスタＴ８はターン－オフされた状態を維持できる。即ち、第２表示領域ＡＡ２に配置された複数の副画素ＳＰは、エミッション期間の間、図９Ｃのように動作でき、これによって第２表示領域ＡＡ２は狭視野モードで動作できる。
【0168】
このとき、第１表示領域ＡＡ１の第３発光信号発生部ＧＩＡＥ３でローレベルの第３発光信号ＥＭ３（Ｎ）を出力しても、第１表示領域ＡＡ１の第３－１発光信号ラインＥＭＬ３－１と第２表示領域ＡＡ２の第３－２発光信号ラインＥＭＬ３－２は互いに分離されているため、第２表示領域ＡＡ２にはローレベルの第３発光信号ＥＭ３（Ｎ）が伝達されない。そして、第２表示領域ＡＡ２の第２発光信号発生部ＧＩＡＥ２でローレベルの第２発光信号ＥＭ２（Ｎ）が出力されるが、第１表示領域ＡＡ１の第２－１発光信号ラインＥＭＬ２－１と第２表示領域ＡＡ２の第２－２発光信号ラインＥＭＬ２－２は互いに分離されているため、第１表示領域ＡＡ１にはローレベルの第２発光信号ＥＭ２（Ｎ）が伝達されない。従って、第１表示領域ＡＡ１及び第２表示領域ＡＡ２それぞれに複数の第２発光信号発生部ＧＩＡＥ２及び複数の第３発光信号発生部ＧＩＡＥ３を配置し、第１表示領域ＡＡ１と第２表示領域ＡＡ２に配置された複数の第２発光信号ラインＥＭＬ２と複数の第３発光信号ラインＥＭＬ３を分離することで、第１表示領域ＡＡ１と第２表示領域ＡＡ２を独立して広視野モード及び狭視野モードで駆動できる。
【0169】
他の例を挙げて、第１表示領域ＡＡ１を狭視野モードで駆動し、第２表示領域ＡＡ２を広視野モードで駆動する場合、ゲート駆動部ＧＤは、第１表示領域ＡＡ１の第２－１発光信号ラインＥＭＬ２－１及び第２表示領域ＡＡ２の第３－２発光信号ラインＥＭＬ３－２にのみターン－オンレベルであるローレベルの発光信号ＥＭ２（Ｎ）、ＥＭ３（Ｎ）を出力できる。
【0170】
また他の例を挙げて、第１表示領域ＡＡ１及び第２表示領域ＡＡ２を両方とも広視野モードで駆動する場合、ゲート駆動部ＧＤは、第１表示領域ＡＡ１の第２－２発光信号ラインＥＭＬ２－２及び第２表示領域ＡＡ２の第３－２発光信号ラインＥＭＬ３－２にのみターン－オンレベルであるローレベルの発光信号ＥＭ２（Ｎ）、ＥＭ３（Ｎ）を出力できる。
【0171】
また他の例を挙げて、第１表示領域ＡＡ１及び第２表示領域ＡＡ２を両方とも狭視野モードで駆動する場合、ゲート駆動部ＧＤは、第１表示領域ＡＡ１の第２－１発光信号ラインＥＭＬ２－１及び第２表示領域ＡＡ２の第３－１発光信号ラインＥＭＬ３－１にのみターン－オンレベルであるローレベルの発光信号ＥＭ２（Ｎ）、ＥＭ３（Ｎ）を出力できる。
【0172】
従って、本発明の一実施例に係る発光表示装置１００においては、第１表示領域ＡＡ１及び第２表示領域ＡＡ２に配置された第２発光信号ラインＥＭＬ２及び第３発光信号ラインＥＭＬ３を分離し、分離された第２発光信号ラインＥＭＬ２及び第３発光信号ラインＥＭＬ３それぞれに別途の第２発光信号発生部ＧＩＡＥ２及び第３発光信号発生部ＧＩＡＥ３を形成して第１表示領域ＡＡ１と第２表示領域ＡＡ２の広視野モード及び狭視野モードを独立して制御できる。第１表示領域ＡＡ１の第２発光信号ラインＥＭＬ２と第２表示領域ＡＡ２の第２発光信号ラインＥＭＬ２は互いに分離されているので、第１表示領域ＡＡ１のモードに関係なく第２表示領域ＡＡ２を狭視野モードで駆動でき、第１表示領域ＡＡ１もまた第２表示領域ＡＡ２のモードに制限されず狭視野モードで駆動できる。そして、第１表示領域ＡＡ１の第３発光信号ラインＥＭＬ３と第２表示領域ＡＡ２の第３発光信号ラインＥＭＬ３は互いに分離されているので、第１表示領域ＡＡ１のモードに関係なく第２表示領域ＡＡ２を広視野モードで駆動でき、第１表示領域ＡＡ１もまた第２表示領域ＡＡ２のモードに制限されず広視野モードで駆動できる。従って、本発明の一実施例に係る発光表示装置１００においては、画面の特定領域のみ選択的に広視野モード及び狭視野モードのいずれか一つに自由に転換できる。
【0173】
本発明の一実施例に係る発光表示装置１００においては、複数のスキャン信号発生部ＧＩＡＳ及び複数の発光信号発生部ＧＩＡＥ１、ＧＩＡＥ２、ＧＩＡＥ３を表示領域ＡＡに配置して複数の配線それぞれに伝達される信号のディレイを低減できる。例えば、一つのスキャン信号ラインＳＬに複数のスキャン信号発生部ＧＩＡＳからスキャン信号Ｓｃａｎが同時に印加され得る。即ち、一つのスキャン信号ラインＳＬにスキャン信号Ｓｃａｎがマルチ出力され得る。そこで、複数の地点から一つのスキャン信号ラインＳＬにスキャン信号Ｓｃａｎが印加されることで、スキャン信号ラインＳＬ全体に伝達されるスキャン信号Ｓｃａｎのディレイが低減され得る。従って、本発明の一実施例に係る発光表示装置１００においては、複数のスキャン信号ラインＳＬそれぞれに複数のスキャン信号発生部ＧＩＡＳを連結し、複数の発光信号ラインＥＭＬ１、ＥＭＬ２、ＥＭＬ３それぞれに複数の発光信号発生部ＧＩＡＥ１、ＧＩＡＥ２、ＧＩＡＥ３を連結して複数の副画素ＳＰに伝達されるスキャン信号Ｓｃａｎ及び発光信号のディレイ及びこれによるバラツキを低減できる。
【0174】
本発明の一実施例に係る発光表示装置１００においては、ゲート駆動部ＧＤを表示領域ＡＡに実装して、非表示領域ＮＡの面積、例えば、ベゼルの大きさを減少させることができる。ゲート駆動部ＧＤが表示領域ＡＡの内部に配置されるので、既存にゲート駆動部ＧＤが配置されていた非表示領域ＮＡの一部分を削除でき、非表示領域ＮＡの面積を減少させることができる。
【0175】
図１２は、本発明の他の実施例に係る発光表示装置の表示パネルの概略的な拡大平面図である。図１２の発光表示装置１２００は、図１乃至図１１の発光表示装置１００と比較して表示領域ＡＡ、ゲート駆動部ＧＤ、第２発光信号ラインＥＭＬ２及び第３発光信号ラインＥＭＬ３のみが異なるだけで、他の構成は実質的に同一であるので、重複した説明は省略する。
【0176】
図１２を参照すると、表示領域ＡＡは、第１表示領域ＡＡ１、第２表示領域ＡＡ２及び第３表示領域ＡＡ３を含む。第１表示領域ＡＡ１、第２表示領域ＡＡ２及び第３表示領域ＡＡ３は、順次に配置される。
【0177】
第１表示領域ＡＡ１、第２表示領域ＡＡ２及び第３表示領域ＡＡ３それぞれにゲート駆動部ＧＤが配置される。第１表示領域ＡＡ１、第２表示領域ＡＡ２及び第３表示領域ＡＡ３それぞれに一つ以上のスキャン信号発生部ＧＩＡＳ及び一つ以上の発光信号発生部ＧＩＡＥ１、ＧＩＡＥ２、ＧＩＡＥ３が配置される。
【0178】
表示領域ＡＡ全体を横切って延びるスキャン信号ラインＳＬ及び第１発光信号ラインＥＭＬ１が配置される。一つのスキャン信号ラインＳＬ及び第１発光信号ラインＥＭＬ１は、第１表示領域ＡＡ１、第２表示領域ＡＡ２及び第３表示領域ＡＡ３に配置された副画素ＳＰと連結され得る。即ち、第１表示領域ＡＡ１、第２表示領域ＡＡ２及び第３表示領域ＡＡ３それぞれは、スキャン信号ラインＳＬ及び第１発光信号ラインＥＭＬ１を共有する。
【0179】
第１表示領域ＡＡ１、第２表示領域ＡＡ２及び第３表示領域ＡＡ３それぞれに複数の第２発光信号ラインＥＭＬ２及び複数の第３発光信号ラインＥＭＬ３が配置される。第１表示領域ＡＡ１、第２表示領域ＡＡ２及び第３表示領域ＡＡ３それぞれに対応する複数の第２発光信号ラインＥＭＬ２及び複数の第３発光信号ラインＥＭＬ３は、互いに分離される。第１表示領域ＡＡ１と第２表示領域ＡＡ２の境界及び第２表示領域ＡＡ２と第３表示領域ＡＡ３の境界で複数の第２発光信号ラインＥＭＬ２及び複数の第３発光信号ラインＥＭＬ３が分離され得る。
【0180】
具体的に、複数の第２発光信号ラインＥＭＬ２は、第１表示領域ＡＡ１の副画素ＳＰ及び第２発光信号発生部ＧＩＡＥ２と連結された第２－１発光信号ラインＥＭＬ２－１、第２表示領域ＡＡ２の副画素ＳＰ及び第２発光信号発生部ＧＩＡＥ２と連結された第２－２発光信号ラインＥＭＬ２－２、及び第３表示領域ＡＡ３の副画素ＳＰ及び第２発光信号発生部ＧＩＡＥ２と連結された第２－３発光信号ラインＥＭＬ２－３を含む。そして、第２－１発光信号ラインＥＭＬ２－１、第２－２発光信号ラインＥＭＬ２－２及び第２－３発光信号ラインＥＭＬ２－３は、互いに連結されずに分離される。
【0181】
複数の第３発光信号ラインＥＭＬ３は、第１表示領域ＡＡ１の副画素ＳＰ及び第３発光信号発生部ＧＩＡＥ３と連結された第３－１発光信号ラインＥＭＬ３－１、第２表示領域ＡＡ２の副画素ＳＰ及び第３発光信号発生部ＧＩＡＥ３と連結された第３－２発光信号ラインＥＭＬ３－２、及び第３表示領域ＡＡ３の副画素ＳＰ及び第３発光信号発生部ＧＩＡＥ３と連結された第３－３発光信号ラインＥＭＬ３－３を含む。そして、第３－１発光信号ラインＥＭＬ３－１、第３－２発光信号ラインＥＭＬ３－２及び第３－３発光信号ラインＥＭＬ３－３は、互いに連結されずに分離される。
【0182】
従って、第１表示領域ＡＡ１、第２表示領域ＡＡ２及び第３表示領域ＡＡ３それぞれの副画素ＳＰに互いに異なるレベルの第２発光信号ＥＭ２（Ｎ）及び第３発光信号ＥＭ３（Ｎ）を印加できる。この場合、第１表示領域ＡＡ１、第２表示領域ＡＡ２及び第３表示領域ＡＡ３それぞれを広視野モード及び狭視野モードのいずれか一つを選択して駆動できる。例えば、第１表示領域ＡＡ１にハイレベルの第２発光信号ＥＭ２（Ｎ）及びローレベルの第３発光信号ＥＭ３（Ｎ）を印加して第１表示領域ＡＡ１を広視野モードで駆動する間、第２表示領域ＡＡ２及び第３表示領域ＡＡ３にはローレベルの第２発光信号ＥＭ２（Ｎ）及びハイレベルの第３発光信号ＥＭ３（Ｎ）を印加して狭視野モードで駆動できる。
【0183】
従って、本発明の他の実施例に係る発光表示装置１２００においては、表示領域ＡＡを複数個に分離し、複数の領域それぞれで広視野モード及び狭視野モードを選択して独立して駆動できる。このとき、分離される表示領域ＡＡの数は、設計によって多様に変更され得、ゲート駆動部ＧＤと第２発光信号ラインＥＭＬ２及び第３発光信号ラインＥＭＬ３の設計もまた表示領域ＡＡと対応するように変更され得る。
【0184】
本発明の実施態様は、下記のように記載することもできる。
【0185】
本発明の態様によれば、本発明の一実施例に係る発光表示装置は、第１表示領域及び第２表示領域を含む複数の表示領域が定義された表示パネル、複数の表示領域それぞれに配置された複数の副画素、及び複数の表示領域に実装されたゲート駆動部を含み、複数の副画素それぞれは、駆動電流により発光する第１発光素子、第１発光素子からの光を屈折させる第１レンズ、駆動電流により発光する第２発光素子、及び第２発光素子からの光を屈折させ、第１レンズと異なる形状を有する第２レンズを含む。
【0186】
本発明の他の特徴によれば、第１レンズは、半球形レンズ（Ｈａｌｆ－Ｓｐｈｅｒｉｃａｌ Ｌｅｎｓ）であり、第２レンズは、半円筒形レンズ（Ｈａｌｆ－Ｃｙｌｉｎｄｒｉｃａｌ Ｌｅｎｓ）であってよい。
【0187】
本発明のまた他の特徴によれば、複数の表示領域それぞれは、狭視野モード及び広視野モードのいずれか一つで独立して駆動され、狭視野モードで、第１発光素子が発光して、第１発光素子からの光は第１レンズにより第１方向及び第２方向に対して視野角が制限されて出力され、広視野モードで、第２発光素子が発光し、第２発光素子からの光は第２レンズにより第１方向に対してのみ視野角が制限されて出力され得る。第２レンズの視野角は、第１レンズの視野角とは異なり、ほとんどの場合、第１レンズの視野角よりも大きい。
【0188】
本発明のまた他の特徴によれば、複数の副画素それぞれは、イニシャル期間、サンプリング期間及びエミッション期間に分離駆動され、エミッション期間の間、第１発光素子または第２発光素子に駆動電流が印加され得る。
【0189】
本発明のまた他の特徴によれば、複数の副画素それぞれは、駆動電流を制御する駆動トランジスタ、駆動トランジスタと第１発光素子との間に連結され、駆動電流を第１発光素子に伝達する第１発光制御トランジスタ、及び駆動トランジスタと第２発光素子との間に連結され、駆動電流を第２発光素子に伝達する第２発光制御トランジスタをさらに含み、狭視野モードで、第１発光制御トランジスタはターン－オンされ、第２発光制御トランジスタはターン－オフされ、広視野モードで、第１発光制御トランジスタはターン－オフされ、第２発光制御トランジスタはターン－オンされ得る。
【0190】
本発明のまた他の特徴によれば、第１発光制御トランジスタのゲート電極に発光信号を伝送する発光信号ラインをさらに含み、第１表示領域の発光信号ラインは、第２表示領域の発光信号ラインと分離され得る。
【0191】
本発明のまた他の特徴によれば、ゲート駆動部は、第１表示領域及び第２表示領域それぞれに実装され、第１表示領域及び第２表示領域それぞれの発光信号ラインに発光信号を出力する複数の発光信号発生部を含み、一つの発光信号ラインは、複数の発光信号発生部から出力された複数個の発光信号の印加を受けることができる。
【0192】
本発明のまた他の特徴によれば、第２発光制御トランジスタのゲート電極に発光信号を伝送する発光信号ラインをさらに含み、第１表示領域の発光信号ラインは、第２表示領域の発光信号ラインと離隔され得る。
【0193】
本発明のまた他の特徴によれば、ゲート駆動部は、第１表示領域及び第２表示領域それぞれに実装され、第１表示領域及び第２表示領域それぞれの発光信号ラインに発光信号を出力する複数の発光信号発生部を含み、第１表示領域に実装された複数の発光信号発生部で出力された発光信号は、第１表示領域の発光信号ラインにのみ伝送され、第２表示領域に実装された複数の発光信号発生部で出力された発光信号は、第２表示領域の発光信号ラインにのみ伝送され得る。
【0194】
本発明の他の態様によれば、本発明の他の実施例に係る発光表示装置は、第１表示領域及び第２表示領域を含む表示領域が定義された表示パネル、第１表示領域及び第２表示領域それぞれに配置された複数の副画素、及び第１表示領域及び第２表示領域に実装されたゲート駆動部を含み、複数の副画素それぞれは、狭視野モードで駆動電流により発光する第１発光素子、第１発光素子からの光を屈折させて、第１方向及び第２方向に対して視野角を制限するように構成された半球形レンズ、広視野モードで駆動電流により発光する第２発光素子、及び第２発光素子からの光を屈折させて、第１方向に対してのみ視野角を制限するように構成された半円筒形レンズを含む。
【0195】
本発明の他の特徴によれば、複数の副画素それぞれは、駆動電流を制御し、第１ノードに連結されたソース電極、第２ノードに連結されたゲート電極及び第３ノードに連結されたドレイン電極を含む第１トランジスタ、データ電圧を第１ノードに印加する第２トランジスタ、第１トランジスタのゲート電極及びドレイン電極をダイオードコネクティングさせる第３トランジスタ、初期化電圧を第１トランジスタのゲート電極に印加する第４トランジスタ、高電位駆動電圧を第１ノードに印加する第５トランジスタ、第１トランジスタと第１発光素子間の電流パスを形成する第６トランジスタ、初期化電圧を第１発光素子のアノード電極に印加する第７トランジスタ、第１トランジスタと第２発光素子間の電流パスを形成する第８トランジスタ、初期化電圧を第２発光素子のアノード電極に印加する第９トランジスタ、第２ノードに一端が連結され、第４ノードに他端が連結されたキャパシタ、基準電圧を第４ノードに印加する第１０トランジスタと第１１トランジスタ、及び高電位駆動電圧を第４ノードに印加する第１２トランジスタをさらに含むことができる。
【0196】
本発明のまた他の特徴によれば、表示パネルは、複数の副画素それぞれの第５トランジスタのゲート電極及び第１２トランジスタのゲート電極に第１発光信号を印加する第１発光信号ライン、複数の副画素それぞれの第６トランジスタのゲート電極に第２発光信号を印加する第２発光信号ライン、及び複数の副画素それぞれの第８トランジスタのゲート電極に第３発光信号を印加する第３発光信号ラインをさらに含むことができる。
【0197】
本発明のまた他の特徴によれば、ゲート駆動部は、第１発光信号ラインに第１発光信号を出力する複数の第１発光信号発生部、第２発光信号ラインに第２発光信号を出力する複数の第２発光信号発生部、及び第３発光信号ラインに第３発光信号を出力する複数の第３発光信号発生部を含むことができる。
【0198】
本発明のまた他の特徴によれば、第２発光信号ラインは、第１表示領域の複数の副画素と連結された第２－１発光信号ライン及び第２表示領域の複数の副画素と連結された第２－２発光信号ラインを含み、複数の第２発光信号発生部のうち一部は、第２－１発光信号ラインに第２発光信号を出力し、複数の第２発光信号発生部のうち他の一部は、第２－２発光信号ラインに第２発光信号を出力できる。
【0199】
本発明のまた他の特徴によれば、第３発光信号ラインは、第１表示領域の複数の副画素と連結された第３－１発光信号ライン及び第２表示領域の複数の副画素と連結された第３－２発光信号ラインを含み、複数の第３発光信号発生部のうち一部は、第３－１発光信号ラインに第３発光信号を出力し、複数の第３発光信号発生部のうち他の一部は、第３－２発光信号ラインに第３発光信号を出力できる。
【0200】
本発明のまた他の特徴によれば、第１表示領域を広視野モードで駆動し、第２表示領域を狭視野モードで駆動する場合、ゲート駆動部は、第２－２発光信号ライン及び第３－１発光信号ラインにターン－オンレベルの第２発光信号及び第３発光信号を出力できる。
【0201】
本発明のまた他の特徴によれば、第１表示領域を狭視野モードで駆動し、第２表示領域を広視野モードで駆動する場合、ゲート駆動部は、第２－１発光信号ライン及び第３－２発光信号ラインにターン－オンレベルの第２発光信号及び第３発光信号を出力できる。
【0202】
本発明のまた他の特徴によれば、第１表示領域及び第２表示領域を広視野モードで駆動する場合、ゲート駆動部は、第２－２発光信号ライン及び第３－２発光信号ラインにターン－オンレベルの第２発光信号及び第３発光信号を出力し、第１表示領域及び第２表示領域を狭視野モードで駆動する場合、ゲート駆動部は、第２－１発光信号ライン及び第３－１発光信号ラインにターン－オンレベルの第２発光信号及び第３発光信号を出力できる。
【0203】
本発明のまた他の特徴によれば、表示領域は、第３表示領域をさらに含み、第２発光信号ラインは、第３表示領域の複数の副画素と連結された第２－３発光信号ラインをさらに含み、第３発光信号ラインは、第３表示領域の複数の副画素と連結された第３－３発光信号ラインをさらに含み、複数の第２発光信号発生部のうちまた他の一部は、第２－３発光信号ラインに第２発光信号を出力し、複数の第３発光信号発生部のうちまた他の一部は、第３－３発光信号ラインに第３発光信号を出力できる。
【0204】
以上、添付の図面を参照して、本発明の実施例をさらに詳細に説明したが、本発明は、必ずしもこのような実施例に限定されるものではなく、本発明の技術思想を外れない範囲内で多様に変形実施され得る。従って、本発明に開示された実施例は、本発明の技術思想を制限するためのものではなく、説明するためのものであり、このような実施例によって本発明の技術思想の範囲が制限されるものではない。それゆえ、以上において記述した実施例は、全ての面で例示的なものであり、制限的ではないものと理解すべきである。本発明の保護範囲は、下記の請求の範囲によって解釈されるべきであり、それと同等な範囲内にある全ての技術思想は、本発明の権利範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
【0205】
これらおよび他の変更は、上記の詳細な説明に照らして実施形態に加えることができる。一般に、以下の特許請求の範囲において、使用される用語は、特許請求の範囲を明細書および特許請求の範囲に開示された特定の実施形態に限定するように解釈されるべきではなく、そのような特許請求の範囲が権利を有する等価物の全範囲と共に、全ての可能な実施形態を含むように解釈されるべきである。したがって、特許請求の範囲は、本開示によって限定されるものではない。
【符号の説明】
【0206】
１００ 発光表示装置
２１０ 遮光パターン
２２０ 光学ギャップ層
２３０ レンズ層
２１０ 遮光パターン
２２０ 光学ギャップ層
２３０ レンズ層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4A】
【図4B】
【図5A】
【図5B】
【図6】
【図7】
【図8A】
【図8B】
【図9A】
【図9B】
【図9C】
【図9D】
【図10】
【図11】
【図12】
