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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B1)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2025-05-13
(45)【発行日】2025-05-21
(54)【発明の名称】電子部品及び電子部品の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01G 4/30 20060101AFI20250514BHJP
【ＦＩ】
H01G4/30 201C
H01G4/30 201A
H01G4/30 311
H01G4/30 513
H01G4/30 517
【請求項の数】
16
(21)【出願番号】P 2025506177
(86)(22)【出願日】2024-12-24
(86)【国際出願番号】 JP2024045748
【審査請求日】2025-02-21
【早期審査対象出願】
(73)【特許権者】
【識別番号】000006633
【氏名又は名称】京セラ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100135828
【弁理士】
【氏名又は名称】飯島 康弘
(72)【発明者】
【氏名】鈴木 竜也
(72)【発明者】
【氏名】紀 宏俊
(72)【発明者】
【氏名】直川 悟
【審査官】田中 晃洋
(56)【参考文献】
【文献】国際公開第２０２４／２１０１０３（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２０１７－２１６３６０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１８－１９８３２６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００６－０６０１４８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１４－１９９８９５（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｇ ４／３０
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
機能部と、前記機能部に対して第１方向の第１側に重なっている第１カバーと、
前記機能部に対して前記第１側とは反対側の第２側に重なっている第２カバーと、
を有しており、
前記第１カバーは、
１層以上の第１セラミック層と、
前記１層以上の第１セラミック層と交互に重なっている１層以上の第１導体層と、を有しており、
前記第２カバーは、
１層以上の第２セラミック層と、
前記１層以上の第２セラミック層と交互に重なっている１層以上の第２導体層と、を有しており、
前記１層以上の第１導体層は、
前記第１方向に交差する第２方向における前記第１カバーの中央に対して前記第２方向の第３側に位置する１層以上の第１電極と、
前記第１カバーの前記中央に対して前記第３側とは反対側の第４側に位置し、前記第２方向において前記１層以上の第１電極と離れている１層以上の第２電極と、を有しており、
前記１層以上の第２導体層は、
前記第２方向における前記第２カバーの中央に対して前記第３側に位置する１層以上の第３電極と、
前記第２カバーの前記中央に対して前記第４側に位置し、前記１層以上の第３電極から前記第４側に離れている１層以上の第４電極と、を有しており、
前記１層以上の第１電極の合計体積が前記１層以上の第３電極の合計体積よりも大きく、
前記１層以上の第２電極の合計体積が前記１層以上の第４電極の合計体積よりも大きい
電子部品。
【請求項2】
前記第１カバー及び前記第２カバーは、互いに対応する層の厚さ、互いに対応する層の材料、及び、導体層の層数の少なくとも１つが互いに異なる請求項１に記載の電子部品。
【請求項3】
前記第１カバーは、前記第２カバーよりも厚く、前記１層以上の第１導体層の合計厚さが、前記１層以上の第２導体層の合計厚さよりも厚い
請求項１に記載の電子部品。
【請求項4】
前記１層以上の第１導体層のうち、最も前記第１側に位置している第１導体層の厚さが、前記１層以上の第２導体層のうち、最も前記第２側に位置している第２導体層の厚さよりも厚い請求項１に記載の電子部品。
【請求項5】
前記機能部の前記第１方向における厚さが、前記第２方向の長さ、及び、前記第１方向及び前記第２方向に直交する第３方向の長さのそれぞれよりも小さい請求項１に記載の電子部品。
【請求項6】
前記第１カバーを覆っている第１外部電極と、前記第２カバーを覆っている第２外部電極と、
を更に有しており、
前記１層以上の第１導体層それぞれは、前記第１カバーの外側に露出して前記第１外部電極と接合されている部分を有しており、
前記１層以上の第２導体層それぞれは、前記第２カバーの外側に露出して前記第２外部電極と接合されている部分を有している
請求項１に記載の電子部品。
【請求項7】
前記第１カバーを覆っている第１外部電極と、前記第２カバーを覆っている第２外部電極と、
を更に有しており、
前記第１外部電極は、前記１層以上の第１セラミック層に直接に接している部分を有しているとともに共材を含んでおらず、
前記第２外部電極は、前記１層以上の第２セラミック層に直接に接している部分を有しているとともに共材を含んでいない
請求項１に記載の電子部品。
【請求項8】
前記１層以上の第１導体層の主成分を構成する金属粒子の平均粒子径、及び、前記１層以上の第２導体層の主成分を構成する金属粒子の平均粒子径それぞれは、前記１層以上の第１セラミック層の主成分を構成するセラミック粒子の平均粒子径、及び、前記１層以上の第２セラミック層の主成分を構成するセラミック粒子の平均粒子径のいずれよりも大きい請求項１に記載の電子部品。
【請求項9】
前記１層以上の第１導体層のうち、最も前記第１側に位置して前記第１カバーから前記第１側に露出している第１導体層の厚さが、前記１層以上の第２導体層のうち、最も前記第２側に位置して前記第２カバーから前記第２側に露出している第２導体層の厚さの１．２倍以上２．５倍以下である請求項１に記載の電子部品。
【請求項10】
前記１層以上の第１導体層のうち、最も前記第１側に位置して前記第１カバーから前記第１側に露出している第１導体層は、前記１層以上の第１セラミック層のうち、最も前記第１側に位置している第１セラミック層に対して前記第１側から埋め込まれており、前記１層以上の第２導体層のうち、最も前記第２側に位置して前記第２カバーから前記第２側に露出している第２導体層は、前記１層以上の第２セラミック層のうち、最も前記第２側に位置している第２セラミック層に対して前記第２側から埋め込まれている
請求項１に記載の電子部品。
【請求項11】
前記機能部は、前記第１方向に交互に積層された複数の内部電極及び複数の誘電体層を有しており、前記第１方向に透視して、前記１層以上の第１導体層及び前記１層以上の第２導体層は、前記複数の内部電極が互いに重なっている領域に重なっている部分を有している
請求項１に記載の電子部品。
【請求項12】
前記１層以上の第１電極の合計厚さが、前記１層以上の第３電極の合計厚さよりも厚く、
前記１層以上の第２電極の合計厚さが、前記１層以上の第４電極の合計厚さよりも厚い
請求項１に記載の電子部品。
【請求項13】
前記１層以上の第１導体層の少なくとも１つは、前記第１電極の前記第２方向の長さが、前記１層以上の第３電極それぞれの前記第２方向の長さよりも長く、前記第２電極の前記第２方向の長さが、前記１層以上の第４電極それぞれの前記第２方向の長さよりも長い
請求項１に記載の電子部品。
【請求項14】
前記機能部は、前記第１方向に交互に積層された複数の内部電極及び複数の誘電体層を有しており、
前記１層以上の第１電極それぞれの厚さは、前記複数の内部電極それぞれの厚さよりも厚く、
前記１層以上の第２電極それぞれの厚さは、前記複数の内部電極それぞれの厚さよりも厚く、
前記１層以上の第３電極それぞれの厚さは、前記複数の内部電極それぞれの厚さよりも厚く、
前記１層以上の第４電極それぞれの厚さは、前記複数の内部電極それぞれの厚さよりも厚い
請求項１に記載の電子部品。
【請求項15】
前記第１カバーは、前記第２カバーよりも厚い
請求項１に記載の電子部品。
【請求項16】
未焼成状態の積層体を得るようにセラミックグリーンシートを積層すること、及び前記未焼成状態の積層体を焼成すること、
を含み、
前記未焼成状態の積層体は、
未焼成状態の機能部と、
前記未焼成状態の機能部に対して第１側に重なる未焼成状態の第１カバーと、
前記未焼成状態の機能部に対して前記第１側とは反対側の第２側に重なる未焼成状態の第２カバーと、を有し、
前記未焼成状態の第１カバーは、
１層以上の第１セラミックグリーンシートと、
前記１層以上の第１セラミックグリーンシートと交互に重なっている１層以上の第１導電ペーストと、を有しており、
前記未焼成状態の第２カバーは、
１層以上の第２セラミックグリーンシートと、
前記１層以上の第２セラミックグリーンシートと交互に重なっている１層以上の第２導電ペーストと、を有しており、
前記１層以上の第１導電ペーストは、
前記第１方向に交差する第２方向における前記第１カバーの中央に対して前記第２方向の第３側に位置する１層以上の第１電極用ペーストと、
前記第１カバーの前記中央に対して前記第３側とは反対側の第４側に位置し、前記第２方向において前記１層以上の第１電極用ペーストと離れている１層以上の第２電極用ペーストと、を有しており、
前記１層以上の第２導体導電ペーストは、
前記第２方向における前記第２カバーの中央に対して前記第３側に位置する１層以上の第３電極用ペーストと、
前記第２カバーの前記中央に対して前記第４側に位置し、前記第２方向において前記１層以上の第３電極用ペーストと離れている１層以上の第４電極用ペーストと、を有しており、
前記１層以上の第１電極用ペーストの合計体積が前記１層以上の第３電極用ペーストの合計体積よりも大きく、
前記１層以上の第２電極用ペーストの合計体積が前記１層以上の第４電極用ペーストの合計体積よりも大きい
電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、積層セラミックコンデンサ等の電子部品、及び、その製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
セラミック層と内部電極とを交互に積層した積層セラミックコンデンサが知られている（例えば下記特許文献１）。特許文献１では、セラミック層と内部電極とからなる機能部の上面に下地層を設けた構成を開示している。特許文献１では、セラミック成分と金属成分との焼結収縮率に起因してコンデンサに反りが生じるという課題を開示している。特許文献１では、上記課題を解決するために、金属粒子を含むセラミックスによって下地層を構成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】国際公開第２０１２／０４３７４０号
【発明の概要】
【0004】
本開示の一態様に係る電子部品は、機能部と、前記機能部に対して第１方向の第１側に重なっている第１カバーと、前記機能部に対して前記第１側とは反対側の第２側に重なっている第２カバーと、を有している。前記第１カバーは、１層以上の第１セラミック層と、前記１層以上の第１セラミック層と交互に重なっている１層以上の第１導体層と、を有している。第２カバーは、１層以上の第２セラミック層と、前記１層以上の第２セラミック層と交互に重なっている１層以上の第２導体層と、を有している。前記第１カバーの構成と前記第２カバーの構成とは前記機能部に対して互いに非対称である。
【0005】
本開示の一態様に係る電子部品の製造方法は、未焼成状態の積層体を得るようにセラミックグリーンシートを積層すること、及び未焼成状態の積層体を焼成すること、を含む。前記未焼成状態の積層体は、未焼成状態の機能部と、前記未焼成状態の機能部に対して第１側に重なる未焼成状態の第１カバーと、前記未焼成状態の機能部に対して前記第１側とは反対側の第２側に重なる未焼成状態の第２カバーと、を有する。前記未焼成状態の第１カバーは、１層以上の第１セラミックグリーンシートと、前記１層以上の第１セラミックグリーンシートと交互に重なっている１層以上の第１導電ペーストと、を有する。前記未焼成状態の第２カバーは、１層以上の第２セラミックグリーンシートと、前記１層以上の第２セラミックグリーンシートと交互に重なっている１層以上の第２導電ペーストと、を有する。前記未焼成状態の第１カバーの構成と前記未焼成状態の第２カバーの構成とは前記未焼成状態の機能部に対して非対称である。
【図面の簡単な説明】
【0006】
【図1】実施形態に係るコンデンサを示す斜視図。
【図4】コンデンサの製造方法を説明する模式図。
【図5】実施形態の作用の例を説明する模式図。
【図6】比較例及び実施例に係るコンデンサの反りを示す図。
【図7】他の比較例及び実施例に係るコンデンサの反りを示す図。
【図8】コンデンサの上下方向における非対称性に関して他の例を示す断面図。
【図9】端子の配置に関して他の例を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【0007】
以下、本開示に係る実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものである。従って、例えば、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。また、寸法比率等が図面同士で一致しないこともある。特定の形状及び／又は寸法等が誇張されたり、細部が省略されたりすることがある。ただし、上記は、実際の形状及び／又は寸法が図面のとおりとされたり、図面から形状及び／又は寸法の特徴が抽出されたりしてもよいことを否定するものではない。
【0008】
相対的に後に説明される態様については、基本的に、相対的に先に説明される態様との相違点についてのみ述べる。特に言及が無い事項については、先に説明される態様と同様とされたり、先に説明される態様から類推されたりしてよい。異なる態様同士で互いに対応する構成要素については、便宜上、相違点があっても、同一の符号を用いることがある。
【0009】
実施形態の説明において、形状の語は、寸法を含まない場合と、寸法を含む場合とがある。矛盾等が生じない限り、いずれと解釈されてもよい。矩形（若しくは矩形状）又は直方体（若しくは直方体状）というとき、角部が面取りされていてもよい。また、比較的小さい凹部又は凸部（誤差ではなく、意図的なもの）が形成されていてもよい。他の形状についても同様である。所定の層が一定の厚さを有するというとき、製造誤差に起因する厚さの変化が存在しても構わない（一定の厚さが意図されていればよい。）。
【0010】
種々の寸法が実施形態の説明において例示された範囲（μｍ等の絶対値又は他の寸法に対する相対値）に含まれるか否かの判断は合理的になされてよい。例えば、特異部分の寸法は考慮外とされてもよい。より具体的には、例えば、厚さが所定の範囲に収まるか否かの判断において、面取りされた部分は無視されてよい。また、例えば、一定の厚さが意図されている層において、端部の厚さが他の大部分（例えば面積の６０％以上又は８０％以上）の厚さに対して著しく異なる（例えば著しく薄くなる）場合においては、端部の厚さは考慮外とされてよい。また、上記の一定の厚さが意図されている所定の層の大部分において厚さの変動が存在する場合においては、例えば、平均値が参照されてよい。なお、例えば、厚さの最小値及び最大値の双方が数値範囲に収まっていれば、わざわざ平均値を特定して参照する必要がないことはもちろんである。
【0011】
材料（導電性材料又は絶縁性材料等）に関して、主成分は、例えば、６０ｗｔ％以上、８０ｗｔ％以上又は１００ｗｔ％（誤差は除く）を占める成分であってよい。実施形態の説明において、主成分の語は、矛盾等が生じない限り、６０ｗｔ％以上の成分、８０ｗｔ％以上の成分又は１００ｗｔ％の成分の語に置き換えられてよい。
【0012】
電子部品の製造過程の進行に伴って、電子部品の各部においては、材料の成分及び微細構造等が変化することがある。便宜上、その変化の前後で同一符号を参照したり、同一の用語を用いたりすることがある。
【0013】
（実施形態の概要）
図１は、実施形態に係るコンデンサ１（電子部品の一例）を示す斜視図である。図１及び後述する他の図には、便宜上、直交座標系Ｄ１Ｄ２Ｄ３が付されている。コンデンサ１は、いずれが上方又は下方とされて用いられてもよい。ただし、実施形態の説明では、便宜上、＋Ｄ３側を上方として、上面及び下面等の語を用いることがある。
図１は、実施形態に係るコンデンサ１（電子部品の一例）を示す斜視図である。図１及び後述する他の図には、便宜上、直交座標系Ｄ１Ｄ２Ｄ３が付されている。コンデンサ１は、いずれが上方又は下方とされて用いられてもよい。ただし、実施形態の説明では、便宜上、＋Ｄ３側を上方として、上面及び下面等の語を用いることがある。
【0014】
コンデンサ１は、例えば、積層セラミックコンデンサである。コンデンサ１は、概略直方体状の本体部３と、平面視において（Ｄ３方向に見て）本体部３の４隅に位置している４つの外部電極５とを有している。外部電極５は、コンデンサ１と他の電子部品（例えば不図示の回路基板）との電気的接続に寄与する。
【0015】
図３は、図１のIII－III線における断面図である。なお、図３は、＋Ｄ２側の外部電極５を切断するＤ１Ｄ３断面を示している。ただし、－Ｄ２側の外部電極５を切断するＤ１Ｄ３断面、－Ｄ１側の外部電極５を切断するＤ２Ｄ３断面、及び＋Ｄ１側の外部電極５を切断するＤ２Ｄ３断面も基本的に図３と同様である。実施形態の説明では、便宜上、特に断りなく、図３に例示した断面を前提として、Ｄ１、Ｄ２及びＤ３の語を用いて構成要素間の位置関係等を説明することがある。
【0016】
図３では、便宜上、後述するセラミック層１１及び誘電体層１７の境界線を示している。ただし、これらの境界線は、観察不可能であっても構わない。セラミック層１１及び誘電体層１７は、後述する導体層１３及び内部電極１９等によって区分されていることに基づいて、互いに異なる層として特定されてよい。
【0017】
本体部３は、例えば、機能部７と、当該機能部７の上面及び下面にそれぞれ重なる２つのカバー９（９Ａ及び９Ｂ）と、を有している。機能部７は、電子部品（ここではコンデンサ）としての機能を直接的に果たす部分（その少なくとも一部）である。カバー９は、例えば、機能部７の保護及び／又はコンデンサ１の強度向上に寄与する。
【0018】
２つのカバー９のうち、＋Ｄ３側のカバー９を第１カバー９Ａと称し、－Ｄ３側のカバー９を第２カバー９Ｂと称するものとする。また、第１カバー９Ａが有する構成要素については、「第１セラミック層１１Ａ」のように「第１」及び「Ａ」を付すことがある。同様に、第２カバー９Ｂが有する構成要素については、「第２セラミック層１１Ｂ」のように「第２」及び「Ｂ」を付すことがある。さらに、第１カバー９Ａ及び第２カバー９Ｂのいずれの構成要素であるかを特に区別しないときは、「セラミック層１１」のように、「第１」、「第２」、「Ａ」及び「Ｂ」を付さないことがある。
【0019】
各カバー９は、交互に積層された１層以上（図示の例では３層）のセラミック層１１と１層以上の導体層１３（図示の例では３層）とを有している。なお、便宜上、「交互」と表現しているが、１層のセラミック層１１及び１層の導体層１３のみが設けられていても構わない。セラミック層１１は、例えば、機能部７の絶縁に寄与する。導体層１３は、例えば、外部電極５となる金属をめっき法によって析出させたり、及び／又は外部電極５の本体部３に対する固着力を向上させたりすることに寄与する。
【0020】
そして、第１カバー９Ａの構成と第２カバー９Ｂの構成とは、機能部７に対して互いに非対称になっている（互いに上下非対称になっている。）。例えば、図示の例では、第１カバー９Ａの厚さｔ１Ａは、第２カバー９Ｂの厚さｔ１Ｂよりも厚い。また、最も＋Ｄ３側に位置する第１導体層１３Ａの厚さｔ３Ａは、最も－Ｄ３側に位置する第２導体層１３Ｂの厚さｔ３Ｂよりも厚い。このような上下非対称の構成によって、例えば、後に詳述するように、コンデンサ１の製造過程において、本体部３となる積層体を焼成したときに生じる反りが低減される。
【0021】
なお、上述の効果は、必ずしも奏されなくても構わない。また、本開示からは、上述した観点とは異なる技術的思想が抽出されてもよい。この場合、例えば、上記の説明とは異なる構成が採用されてもよい。例えば、カバー９は、導体層１３を含んでいなくてもよい。
【0022】
以上が実施形態の概要である。以下では、概略、下記の順で実施形態の説明を行う。
１．コンデンサの構成（図１～図３）
１．１．全体構成
１．２．機能部
１．３．カバー
１．３．１．カバー全体
１．３．２．セラミック層
１．３．３．導体層（ダミー電極及び下地電極）
１．３．４．下地電極の埋め込み構造
１．３．５．上下方向の非対称性及び寸法の例
１．４．外部電極
２．コンデンサの製造方法（図４）
３．非対称性による作用の例及び粒子径の例（図５）
４．実施例（図６及び図７）
５．他の態様（図８及び図９）
５．１．上下非対称に係る他の例
５．２．端子に係る他の例
５．３．コンデンサ以外の電子部品の他の例
６．実施形態のまとめ
１．コンデンサの構成（図１～図３）
１．１．全体構成
１．２．機能部
１．３．カバー
１．３．１．カバー全体
１．３．２．セラミック層
１．３．３．導体層（ダミー電極及び下地電極）
１．３．４．下地電極の埋め込み構造
１．３．５．上下方向の非対称性及び寸法の例
１．４．外部電極
２．コンデンサの製造方法（図４）
３．非対称性による作用の例及び粒子径の例（図５）
４．実施例（図６及び図７）
５．他の態様（図８及び図９）
５．１．上下非対称に係る他の例
５．２．端子に係る他の例
５．３．コンデンサ以外の電子部品の他の例
６．実施形態のまとめ
【0023】
（１．コンデンサの構成）
（１．１．全体構成）
図１に示すコンデンサ１は、例えば、表面実装されるチップ型部品として構成されている。具体的には、例えば、コンデンサ１は、不図示の回路基板に対して－Ｄ３側又は＋Ｄ３側の面を対向させて配置される。そして、回路基板の４つのパッドと４つの外部電極５とがそれぞれ不図示の導電性の接合材（例えばはんだ）によって接合されることによって、回路基板に実装される。
（１．１．全体構成）
図１に示すコンデンサ１は、例えば、表面実装されるチップ型部品として構成されている。具体的には、例えば、コンデンサ１は、不図示の回路基板に対して－Ｄ３側又は＋Ｄ３側の面を対向させて配置される。そして、回路基板の４つのパッドと４つの外部電極５とがそれぞれ不図示の導電性の接合材（例えばはんだ）によって接合されることによって、回路基板に実装される。
【0024】
コンデンサ１の構成（内部構造及び外形）は、例えば、概略、Ｄ３方向に見て１８０°回転対称である。もちろん、コンデンサ１は、このような対称性を有していなくてもよい。
【0025】
本体部３の形状は、例えば、概略、薄型の直方体状である。薄型は、例えば、本体部３において、Ｄ３方向の長さが、Ｄ１方向の長さ及びＤ２方向の長さのそれぞれ（直方体状でない場合は例えば最大長さ）よりも短いことを指す。直方体は、平面視において、正方形であってもいし（図示の例）、長方形（正方形を除くものとする。以下、同様。）であってもよい。特に図示しないが、本体部３は、平面視及び／又は側面視において、角部が比較的大きく面取りされていてもよい。本体部３（又はコンデンサ１）の具体的な寸法は任意である。後に、カバー９の具体的な寸法の説明において、本体部３の具体的な寸法についても例示する。
【0026】
既述のとおり、第１カバー９Ａ及び第２カバー９Ｂは、上下方向において非対称性を有している。ただし、特に断りが無い限りは、同一種類の複数の構成要素（例えば５、１１、１３、１７及び１９等）は、基本的に、互いに同じ（又は対応する）形状、大きさ、材料及び位置等で設けられていてよい。従って、特に断りが無い限り、また、矛盾等が生じない限り、一の構成要素の説明は、同一種類の他の構成要素に共通していると捉えられてよい。
【0027】
１つの層状（膜状）の構成要素（例えば５、１１、１３、１７及び１９等）は、その全体が一種の材料によって構成されていてよい。ただし、１つの層状の構成要素は、互いに異なる材料を有する層が重ねられて構成されていても構わない。また、その全体が一種の材料によって構成されている１つの層状の構成要素は、製造過程に着目したときに、１つの層によって構成されていてもよいし、互いに同一の材料からなる複数の層が積層されて構成されていてもよい。
【0028】
（１．２．機能部）
図３に示す機能部７の形状は、例えば、概略、薄型の直方体状である。その平面形状は、基本的に本体部３の平面形状と同じである。機能部７の厚さは任意である。後に、カバー９の具体的な寸法の説明において、機能部７の具体的な厚さについても例示する。機能部７は、上下方向において、概略対称の構成を有している。ここでいう概略対称は、最上層の内部電極１９（後述）と最下層の内部電極１９とが非対称性を有している態様を含む。
図３に示す機能部７の形状は、例えば、概略、薄型の直方体状である。その平面形状は、基本的に本体部３の平面形状と同じである。機能部７の厚さは任意である。後に、カバー９の具体的な寸法の説明において、機能部７の具体的な厚さについても例示する。機能部７は、上下方向において、概略対称の構成を有している。ここでいう概略対称は、最上層の内部電極１９（後述）と最下層の内部電極１９とが非対称性を有している態様を含む。
【0029】
機能部７は、交互に重なっている複数の誘電体層１７と複数の内部電極１９とを有している。これにより、コンデンサとしての機能が実現されている。
【0030】
誘電体層１７は、基本的に（少なくとも内部電極１９間において）一定の厚さを有している層状である。誘電体層１７の平面視における形状及び寸法は、基本的に機能部７の平面視における形状及び寸法と同じである。誘電体層１７の厚さは、コンデンサ１に要求される特性等に応じて適宜に設定されてよい。比較的薄い厚さの例を挙げると、Ｄ３方向において互いに隣り合う内部電極１９の間の厚さは、０．１μｍ以上又は０．５μｍ以上とされてよく、また、３．０μｍ以下、２．０μｍ以下又は１．０μｍ以下とされてよい。上記の下限と上限とは、任意のもの同士が組み合わされてもよい。誘電体層１７（内部電極１９）の積層数は任意である。一例を挙げると、１０層以上３０層以下である。誘電体層の材料は、例えば、セラミックスであり、その具体的な種類も任意である。
【0031】
内部電極１９は、一定の厚さを有している層状である。内部電極１９の厚さは任意であり、例えば、誘電体層１７のうちの内部電極１９間の領域の厚さに対して、薄くてもよいし、同程度でもよいし、厚くてもよい。比較的薄い厚さの例を挙げると、内部電極１９の厚さは、０．３μｍ以上又は０．５μｍ以上とされてよく、また、３．０μｍ以下、２．０μｍ以下又は１．０μｍ以下とされてよい。上記の下限と上限とは、任意のもの同士が組み合わされてもよい。内部電極１９の材料（例えば主成分）は、例えば、金属である。金属の具体的な種類は任意であり、例えば、金属の全部又は主成分は卑金属である。卑金属は、例えば、Ｎｉ若しくはＣｕ又はこれらの少なくとも一方を主成分として含む合金である。内部電極１９の材料は、セラミックス（共材）を含んでいてもよい。
【0032】
【0033】
内部電極１９は、例えば、平面視において、矩形状（図示の例では正方形状）の電極本体１９ａと、電極本体１９ａの互いに対向する１対の角部から延び出ている１対の引出電極１９ｂとを有している。各部位の具体的な寸法は任意である。
【0034】
電極本体１９ａは、Ｄ３方向において互いに隣り合う内部電極１９同士で互いに重なり合う領域である。電極本体１９ａは、誘電体層１７の外縁よりも内側に位置しており、機能部７の側面から露出していない。
【0035】
１対の引出電極１９ｂは、誘電体層１７の外縁に至っており、本体部３の互いに対向する１対の角部に位置している１対の外部電極５に接続されている。Ｄ３方向において互いに隣り合う内部電極１９は、互いに異なる１対の外部電極５に接続されている。
【0036】
【0037】
既述のとおり、図示の例では、２つのカバー９は、カバー９の厚さ及び最外層の導体層１３の厚さが互いに異なっている。また、図示の例では、上記相違点に付随して、最外層のセラミック層１１のうちの導体層１３の非配置領域（Ｄ１方向の中央側）の厚さも２つのカバー９同士で異なっている。これらの相違点を除いて、２つのカバー９の構成は、互いに同一であってもよい。
【0038】
（１．３．２．セラミック層）
セラミック層１１は、例えば、導体層（１３及び１９）との重なりの有無に起因する厚みの変化を除いて、概略、一定の厚さを有している層状である。セラミック層１１の平面形状は、例えば、基本的に誘電体層１７の平面形状と同じである。
セラミック層１１は、例えば、導体層（１３及び１９）との重なりの有無に起因する厚みの変化を除いて、概略、一定の厚さを有している層状である。セラミック層１１の平面形状は、例えば、基本的に誘電体層１７の平面形状と同じである。
【0039】
セラミック層１１の数（別の観点では導体層１３の数）は任意である。図示の例では、３層が例示されているが、セラミック層１１の数は、１、２又は４以上であっても構わない。
【0040】
セラミック層１１の厚さは任意である。例えば、セラミック層１１（例えば導体に挟まれた部分の間）の厚さは、誘電体層１７の厚さ（内部電極１９の間）に対して、厚くてもよいし（図示の例）、同等でもよいし、薄くてもよい。また、例えば、複数のセラミック層１１の厚さは、互いに同じであってもよいし、互いに異なっていてもよい。
【0041】
セラミック層１１の材料は任意である。例えば、セラミック層１１の材料は、一般に誘電体に分類されるものであってもよいし、そうでなくてもよい。前者の場合、セラミック層１１の材料は、誘電体層１７の材料と同じであってもよいし、異なっていてもよい。複数のセラミック層１１の材料は、互いに同一であってもよいし、互いに異なっていてもよい。セラミックス（その全部又は主成分）及び誘電体の例としては、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）、チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ３）及びジルコン酸カルシウム（ＣａＺｒＯ３）が挙げられる。
【0042】
（１．３．３．導体層（ダミー電極及び下地電極））
図２及び図３に示すように、各導体層１３は、コンデンサ１の平面視における４隅に位置する電極（２１又は２３）を有している。ここで、最外層の導体層１３が有する電極については、下地電極２１（２１Ａ及び２１Ｂ）と称するものとする。他の導体層１３が有する電極については、ダミー電極２３（２３Ａ及び２３Ｂ）と称するものとする。
図２及び図３に示すように、各導体層１３は、コンデンサ１の平面視における４隅に位置する電極（２１又は２３）を有している。ここで、最外層の導体層１３が有する電極については、下地電極２１（２１Ａ及び２１Ｂ）と称するものとする。他の導体層１３が有する電極については、ダミー電極２３（２３Ａ及び２３Ｂ）と称するものとする。
【0043】
ダミー電極２３及び下地電極２１は、Ｄ３方向の位置が異なる点を除いて、互いに同一の構成とされても構わない。従って、本節の説明では、便宜上、ダミー電極２３の説明を行い、下地電極２１の説明を省略することがある。特に断りが無い限り、また、矛盾が生じない限り、ダミー電極２３の語は、下地電極２１の語に置換されてよい。
【0044】
ダミー電極２３は、例えば、基本的に一定の厚さを有している層状である。各ダミー電極２３は、例えば、本体部３の側面（より詳細には２つの側面）にて露出している。各ダミー電極２３の露出部分は、１つの外部電極５と固着される。各下地電極２１は、本体部３の上面又は下面の一部領域を構成している。各下地電極２１は、１つの外部電極５と固着される。
【0045】
平面視において、ダミー電極２３の位置、形状及び寸法は任意である。図示の例では、ダミー電極２３の位置、形状及び寸法は、平面透視において、概略、外部電極５と過不足なく重なる位置、形状及び寸法とされている（ただし、外部電極５の方が若干広い。）。また、ダミー電極２３は、矩形状（図示の例では正方形）のセラミック層１１の４辺とそれぞれ平行な４辺を有する矩形状（図示の例では正方形）を呈している。
【0046】
また、図２及び図３から理解されるように、ダミー電極２３は、平面透視において、複数の内部電極１９（互いに異なる外部電極５に接続される内部電極１９）が互いに重なっている領域（電極本体１９ａ）と、一部同士が重なっている。なお、上記領域は、静電容量を確保するための領域ということができる。上記領域とダミー電極２３との重複面積は任意である。
【0047】
ダミー電極２３の厚さは、例えば、内部電極１９の厚さに対して、厚くてもよいし（図示の例）、同程度でもよいし、薄くてもよい。また、ダミー電極２３の厚さは、セラミック層１１の厚さ（例えば電極間における厚さ）に対して、薄くてもよいし、同等でもよいし、厚くてもよい。１以上のダミー電極２３及び下地電極２１の厚さは、互いに同じであってもよいし、互いに異なっていてもよい。図示の例では、複数のダミー電極２３の厚さは、互いに同一とされている。また、下地電極２１の厚さ（ｔ３Ａ及びｔ３Ｂそれぞれ）は、ダミー電極２３の厚さよりも厚くされている。
【0048】
ダミー電極２３の材料は任意である。例えば、ダミー電極２３の材料は、内部電極１９の材料と同一であってもよいし、異なっていてもよい。いずれにせよ、内部電極１９の材料の説明は、ダミー電極２３の材料に援用されてよい。
【0049】
（１．３．４．下地電極の埋め込み構造）
図３の例では、第１下地電極２１Ａは、最外層の第１セラミック層１１Ａに対して上方から埋め込まれている。さらに、第１下地電極２１Ａの上面は、最外層の第１セラミック層１１Ａの上面（ここでは第１下地電極２１Ａの非配置領域の上面。本節において以下同様）と面一となっている。
図３の例では、第１下地電極２１Ａは、最外層の第１セラミック層１１Ａに対して上方から埋め込まれている。さらに、第１下地電極２１Ａの上面は、最外層の第１セラミック層１１Ａの上面（ここでは第１下地電極２１Ａの非配置領域の上面。本節において以下同様）と面一となっている。
【0050】
面一というとき、例えば、第１下地電極２１Ａの上面と第１セラミック層１１Ａの上面とのＤ３方向の位置の差は、下地電極２１の厚さの２０％以下、１０％以下又は５％以下であってよい。なお、上面の位置は、既述のように合理的に特定されてよく、例えば、端部等の特異部分を除いた平均値であってよく、また、反りを考慮した基準面（平面状又は曲面状）からの距離によって表されてよい（下記の下面の位置も同様。）。
【0051】
第１下地電極２１Ａの上面と最外層の第１セラミック層１１Ａの上面とが面一でない態様も考慮したとき、前者の後者に対する埋め込み量は任意である。埋め込み量は、例えば、最外層の第１セラミック層１１Ａの上面の位置から第１下地電極２１Ａの下面の位置までの距離である。例えば、埋め込み量は、下地電極２１の厚さの５０％未満であってもよいし、５０％以上であってもよいし、８０％以上であってもよい。
【0052】
第１下地電極２１Ａを最外層の第１セラミック層１１Ａに埋め込ませる方法は任意である。例えば、最外層の第１セラミック層１１Ａを２層のセラミックグリーンシートによって形成することとする。そして、２層のうち下層のセラミックグリーンシートの上面に第１下地電極２１Ａとなる導電ペーストを配置し、２層のうち上層のセラミックグリーンシートには、第１下地電極２１Ａが位置する領域に孔（切欠き）を設ける。あるいは、このような方法に加えて、又は代えて、セラミックグリーンシートの上面に塗布された導電ペーストをプレスすることによって、第１下地電極２１Ａを最外層の第１セラミック層１１Ａに埋め込ませてもよい。
【0053】
第１下地電極２１Ａを例にとったが、第２下地電極２１Ｂも同様である。上記の説明は、「第１」、「Ａ」及び「上」の語を「第２」、「Ｂ」及び「下」の語に置換するなどして、第２下地電極２１Ｂに援用されてよい。また、図示の例とは異なり、下地電極２１は、最外層のセラミック層１１に対して埋め込まれていなくても構わない。
【0054】
（１．３．５．上下方向の非対称性及び寸法の例）
第１カバー９Ａの構成及び第２カバー９Ｂの構成は、既述のとおり、機能部７に対して非対称とされている。なお、ここでいう非対称性は、意図されていない製造誤差による非対称性は含まない。例えば、コンデンサ１が、焼成のときに、意図されていない反りを生じ、これにより、第１カバー９Ａと第２カバー９Ｂとが上下方向において非対称となっていても、ここでいう非対称には該当しない。
第１カバー９Ａの構成及び第２カバー９Ｂの構成は、既述のとおり、機能部７に対して非対称とされている。なお、ここでいう非対称性は、意図されていない製造誤差による非対称性は含まない。例えば、コンデンサ１が、焼成のときに、意図されていない反りを生じ、これにより、第１カバー９Ａと第２カバー９Ｂとが上下方向において非対称となっていても、ここでいう非対称には該当しない。
【0055】
図３の例では、既述のとおり、第１カバー９Ａの厚さｔ１Ａは、第２カバー９Ｂの厚さｔ１Ｂよりも厚く、第１下地電極２１Ａの厚さｔ３Ａは、第２下地電極２１Ｂの厚さｔ３Ｂよりも厚い。この場合において、厚さｔ１Ａ、ｔ１Ｂ、ｔ３Ａ及びｔ３Ｂの具体的な値は任意である。これらの厚さの具体的な値と、これらの厚さ以外の種々の寸法の値とを以下に例示する。
【0056】
なお、以下に示す寸法の範囲は、あくまで例示であって、以下に示す範囲外の値が採用されても構わない。また、互いに種類が異なる寸法の値の例同士は、任意のもの同士が組み合わされてもよい。例えば、本体部３の厚さとカバー９の厚さとは任意の値の例同士が組み合わされてもよい。以下に例示する具体的な値は、矛盾等が生じない限り、後述する他の態様（例えばｔ１Ａ＝ｔ１Ｂ及び／又はｔ３Ａ＝ｔ３Ｂの態様）に援用されてもよい。以下に例示する具体的な値は、図示の例とは異なる態様（例えばダミー電極２３が設けられていない態様）も考慮した値であることがある。
【0057】
本体部３（又はコンデンサ１）のＤ１方向及びＤ２方向の長さそれぞれは、３００μｍ以上又は４００μｍ以上であってよく、また、２０００μｍ以下、１０００μｍ以下又は７００μｍ以下であってよい。上記の下限と上限とは、任意のもの同士が組み合わされてもよい。本体部３のＤ３方向の厚さは、３０μｍ以上又は５０μｍ以上であってよく、また、５００μｍ以下、２００μｍ以下又は１００μｍ以下であってよい。上記の下限と上限とは、任意のもの同士が組み合わされてもよい。
【0058】
機能部７の厚さは、本体部３の厚さに対して、３０％以上、４０％以上、５０％以上、６０％以上又は７０％以上とされてよく、また、９０％以下、８０％以下又は７０％以下とされてよい。上記の下限と上限とは、矛盾が生じないように、任意のもの同士が組み合わされてもよい。
【0059】
なお、機能部７とカバー９との境界は合理的に判断されてよい。例えば、誘電体層１７の材料とセラミック層１１の材料とが同じ場合においては、最も＋Ｄ３側に位置する内部電極１９の＋Ｄ３側の面、及び、最も－Ｄ３側に位置する内部電極１９の－Ｄ３側の面が、機能部７の上面及び下面として特定されてよい。
【0060】
各カバー９の厚さ（ｔ１Ａ又はｔ１Ｂ）は、本体部３の厚さに対して、５％以上、１０％以上又は１５％以上とされてよく、また、３５％以下、３０％以下、２５％以下、２０％以下又は１５％以下とされてよい。上記の下限と上限とは、矛盾が生じないように、任意のもの同士が組み合わされてもよい。また、各カバー９の厚さ（ｔ１Ａ又はｔ１Ｂ）は、５μｍ以上、１０μｍ以上又は１５μｍ以上とされてよく、また、５０μｍ以下、３０μｍ以下、２５μｍ以下、２０μｍ以下、１５μｍ以下又は１０μｍ以下とされてよい。上記の下限と上限とは、矛盾が生じないように、任意のもの同士が組み合わされてもよい。
【0061】
カバー９の厚さの差（ｔ１Ａ－ｔ１Ｂ）は、第２カバー９Ｂの厚さｔ１Ｂに対して、５％以上、１０％以上又は１５％以上とされてよく、また、４０％以下、３０％以下又は２０％以下とされてよい。上記の下限と上限とは、任意のもの同士が組み合わされてもよい。また、カバー９の厚さの差（ｔ１Ａ－ｔ１Ｂ）は、０．５μｍ以上、１．０μｍ以上又１．５μｍ以上とされてよく、また、４．０μｍ以下、３．０μｍ以下又は２．５μｍ以下とされてよい。上記の下限と上限とは、任意のもの同士が組み合わされてもよい。第２カバー９Ｂの厚さに対する第１カバー９Ａの厚さの比（ｔ１Ａ／ｔ１Ｂ）は、１．０５以上、１．１０以上又は１．１５以上とされてよく、また、１．４０以下、１．３０以下又は１．２５以下とされてよい。上記の下限と上限とは、任意のもの同士が組み合わされてもよい。
【0062】
各下地電極２１の厚さ（ｔ３Ａ又はｔ３Ｂ）は、自己が属するカバー９の厚さの１０％以上、２０％以上、３０％以上又は４０％以上とされてよく、また、９０％以下、６０％以下、５０％以下又は４０％以下とされてよい。上記の下限と上限とは、矛盾が生じないように、任意のもの同士が組み合わされてもよい。また、各下地電極２１（ｔ３Ａ又はｔ３Ｂ）の厚さは、１．０μｍ以上、２．０μｍ以上、３．０μｍ以上又は５．０μｍ以上とされてよく、また、２０．０μｍ以下、１０．０μｍ以下又は５．０μｍ以下とされてよい。上記の下限と上限とは、矛盾が生じないように、任意のもの同士が組み合わされてもよい。
【0063】
下地電極２１の厚さの差（ｔ３Ａ－ｔ３Ｂ）の例は、上述したカバー９の厚さの差（ｔ１Ａ－ｔ１Ｂ）の例と同じであってもよい。また、下地電極２１の厚さの差（ｔ３Ａ－ｔ３Ｂ）は、第２下地電極２１Ｂの厚さｔ３Ｂに対して、２０％以上、３０％以上、５０％以上又は８０％以上であってよく、２００％以下、１５０％以下、１００％以下又は８０％以下であってよい。上記の下限と上限とは、矛盾が生じないように任意のもの同士が組み合わされてもよい。第２下地電極２１Ｂの厚さに対する第１下地電極２１Ａの厚さの比（ｔ３Ａ／ｔ３Ｂ）は、１．２以上、１．４以上又は１．５以上とされてよく、また、２．５以下、２．０以下又は１．８以下とされてよい。上記の下限と上限とは、任意のもの同士が組み合わされてもよい。
【0064】
後述する実施例のカバー９及び下地電極２１の厚さに近い厚さの範囲として、以下の範囲を例示することもできる。
・第１カバー９Ａの厚さｔ１Ａ：１０μｍ以上１６μｍ以下
・第２カバー９Ｂの厚さｔ１Ｂ：８μｍ以上１４μｍ以下
・第１下地電極２１Ａの厚さｔ３Ａ：４μｍ以上８μｍ以下
・第２下地電極２１Ｂの厚さｔ３Ｂ：２μｍ以上６μｍ以下
ただし、ｔ１Ａ＞ｔ１Ｂかつｔ３Ａ＞ｔ３Ｂである。
・第１カバー９Ａの厚さｔ１Ａ：１０μｍ以上１６μｍ以下
・第２カバー９Ｂの厚さｔ１Ｂ：８μｍ以上１４μｍ以下
・第１下地電極２１Ａの厚さｔ３Ａ：４μｍ以上８μｍ以下
・第２下地電極２１Ｂの厚さｔ３Ｂ：２μｍ以上６μｍ以下
ただし、ｔ１Ａ＞ｔ１Ｂかつｔ３Ａ＞ｔ３Ｂである。
【0065】
各下地電極２１のＤ１方向の長さは、例えば、本体部３のＤ１方向の長さに対して、１０％以上、２０％以上又は３０％以上とされてよく、また、４５％以下又は４０％以下又は３０％以下とされてよい。上記の下限と上限とは、矛盾が生じないように、任意のもの同士が組み合わされてもよい。また、例えば、各ダミー電極２３のＤ１方向の長さは、５０μｍ以上、１００μｍ以上又は１５０μｍ以上とされてよく、また、５００μｍ以下、３００μｍ以下又は２００μｍ以下とされてよい。上記の下限と上限とは、任意のもの同士が組み合わされてもよい。Ｄ１方向の長さの例を挙げたが、当該長さは、Ｄ２方向の長さに援用されてよい。また、本段落の下地電極２１の寸法の例は、ダミー電極２３に援用されてもよい。
【0066】
各ダミー電極２３の厚さは、自己が属するカバー９の厚さの５％以上、１０％以上又は２０％以上とされてよく、また、５０％以下、３０％以下、又は２０％以下とされてよい。上記の下限と上限とは、矛盾が生じないように、任意のもの同士が組み合わされてもよい。また、例えば、ダミー電極２３の厚さは、０．３μｍ以上、０．５μｍ以上、１．０μｍ以上又は２．０μｍ以上とされてよく、また、１０．０μｍ以下、５．０μｍ以下、３．０μｍ以下又は２．０μｍ以下とされてよい。上記の下限と上限とは、矛盾が生じないように、任意のもの同士が組み合わされてもよい。
【0067】
各セラミック層１１の厚さ（例えば電極間）は、自己が属するカバー９の厚さの５％以上、１０％以上又は２０％以上とされてよく、また、５０％以下、３０％以下、又は２０％以下とされてよい。上記の下限と上限とは、矛盾が生じないように、任意のもの同士が組み合わされてもよい。また、各セラミック層１１の厚さ（例えば電極間）は、１．０μｍ以上又は２．０μｍ以上とされてよく、また、１０．０μｍ以下又は５．０μｍ以下とされてよい。上記の下限と上限とは、任意のもの同士が組み合わされてもよい。
【0068】
（１．４．外部電極）
外部電極５は、例えば、基本的に一定の厚さを有している層状である。図１に示すように、外部電極５は、例えば、概略、本体部３の平面視における角部にて、本体部３の４つの面（上面、下面及び２つの側面）を覆っている。これにより、１つの外部電極５と１つの引出電極１９ｂとの接続が本体部３の２つの側面においてなされ、また、コンデンサ１の上面及び下面のいずれによって表面実装することも可能となっている。また、外部電極５は、既述のように、導体層１３のカバー９からの露出部分に固着されている。さらに、外部電極５は、セラミック層１１及び誘電体層１７にも固着されている。外部電極５の各面における部分の形状及び寸法は任意である。
外部電極５は、例えば、基本的に一定の厚さを有している層状である。図１に示すように、外部電極５は、例えば、概略、本体部３の平面視における角部にて、本体部３の４つの面（上面、下面及び２つの側面）を覆っている。これにより、１つの外部電極５と１つの引出電極１９ｂとの接続が本体部３の２つの側面においてなされ、また、コンデンサ１の上面及び下面のいずれによって表面実装することも可能となっている。また、外部電極５は、既述のように、導体層１３のカバー９からの露出部分に固着されている。さらに、外部電極５は、セラミック層１１及び誘電体層１７にも固着されている。外部電極５の各面における部分の形状及び寸法は任意である。
【0069】
外部電極５の厚さは任意である。例えば、外部電極５の厚さは、内部電極１９、ダミー電極２３及び下地電極２１の厚さよりも厚くされてよい。例えば、外部電極５の厚さは、下地電極２１の厚さ（ｔ３Ａ又はｔ３Ｂ）の１．２倍以上、２倍以上又は３倍以上とされてよく、また、１０倍以下、５倍以下又は３倍以下とされてよい。上記の下限と上限とは、任意のもの同士が組み合わされてもよい。また、例えば、外部電極５の厚さは、３μｍ以上、５μｍ以上又は１０μｍ以上とされてよく、また、３０μｍ以下、２０μｍ以下又は１０μｍ以下とされてよい。上記の下限と上限とは、矛盾が生じないように、任意のもの同士が組み合わされてもよい。
【0070】
外部電極５の材料は、例えば、金属である。金属の具体的な種類は任意であり、例えば、その全部又は主成分は卑金属（例えばＮｉ及び／又はＣｕ）である。また、外部電極５は、必要に応じて、互いに異なる材料を積層して構成されていてもよい。例えば、外部電極５は、下地電極２１の側から、Ｃｕ、Ｎｉ及びＳｎが積層されて構成されていてもよい。外部電極５の材料は、内部電極１９、ダミー電極２３及び／又は下地電極２１の材料（例えば主成分）と同一であってもよいし、異なっていてもよい。外部電極５は、例えば、セラミック層１１の材料（例えば主成分）と同じ材料（共材）を含まないように構成されていてもよい。
【0071】
なお、図３に符号を付して示すように、実施形態の説明では、外部電極５のうち第１カバー９Ａ（その少なくとも一部）を覆っている部分を第１外部電極５ａと称し、外部電極５のうち第２カバー９Ｂ（その少なくとも一部）を覆っている部分を第２外部電極５ｂと称することがある。
【0072】
（２．コンデンサの製造方法）
コンデンサ１の製造方法は、種々の方法とされてよい。例えば、コンデンサ１の製造方法は、具体的な寸法の設定を除いて、公知の方法と同様とされても構わない。以下に製造方法の例を示す。
コンデンサ１の製造方法は、種々の方法とされてよい。例えば、コンデンサ１の製造方法は、具体的な寸法の設定を除いて、公知の方法と同様とされても構わない。以下に製造方法の例を示す。
【0073】
図４は、製造方法を示す模式図である。図４の左側は、比較例に係るコンデンサ（より詳細には本体部３Ｚ）の製造方法を示している。図４の右側は、実施形態に係るコンデンサ１（より詳細には本体部３）の製造方法を示している。
【0074】
まず、誘電体層１７及びセラミック層１１となるセラミックグリーンシートを作製する。次に、セラミックグリーンシートに内部電極１９、ダミー電極２３又は下地電極２１となる導電ペーストを塗布する（例えば印刷する）。
【0075】
次に、図４の上から１段目～３段目に示すように、セラミックグリーンシートを積層して本体部３（３Ｚ）となる積層体（未焼成状態の本体部３）を作製する。このときの積層順は任意である。図示の例では、下方（第２カバー９Ｂ側）のセラミックグリーンシートから順に１枚ずつ積層されている態様を例示している。図示の例とは異なり、例えば、上方（第１カバー９Ａ側）のセラミックグリーンシートから順に１枚ずつ積層されてもよいし、及び／又は、何枚か積層されたもの同士が互いに重ねられてもよい。
【0076】
なお、既に触れたように、１層のセラミック層１１は、２層以上のセラミックグリーンシートから構成されても構わない。このことから理解されるように、セラミックグリーンシートと導電ペーストとが交互に重なっているというとき、セラミックグリーンシートと導電ペーストとは、１層ずつ交互に重なっていなくてもよい。ただし、セラミック層１１と同様に、導電ペーストが介在せずに重ねられているセラミックグリーンシートを１層として捉えてもよい。
【0077】
上記の積層体の作製までは、例えば、複数の本体部３が多数個取りされる母基板の大きさで行われる。積層体の作製の後、当該積層体を含む母基板は、概ね本体部３の大きさに対応する大きさに個片化される（例えば切断される。）。
【0078】
次に、図４の上から３段目に示すように、本体部３の大きさを有する積層体が焼成される。焼成方法は任意である。図示の例では、電気炉２５が模式的に示されている。この他、例えば、マイクロ波を積層体に照射して焼成が行われてもよい。
【0079】
焼成前においては脱脂が行われてもよい。焼成は、例えば、還元雰囲気で行われてよい。焼成後に再酸化熱処理が行われてもよい。焼成前及び／又は焼成後において、本体部３の研磨（例えばバレル研磨）が行われてもよい。研磨では、例えば、本体部３の稜線部が面取りされたり、本体部３の側面が研磨されたりしてよい。
【0080】
本体部３の焼成後、外部電極５が形成される。外部電極５は、種々の方法によって形成されてよい。例えば、無電解めっき及び／又は電解めっきによって下地電極２１の表面（上面若しくは下面、及び側面）、ダミー電極２３の本体部３の側面からの露出部、及び内部電極１９の本体部３の側面からの露出部に金属を析出させてよい。また、例えば、ディップ法、印刷法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）又はＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）等の薄膜形成法が採用されてもよい。なお、上記から理解されるように、下地電極２１、ダミー電極２３及び内部電極１９は、金属の析出に寄与してもよいし、寄与しなくてもよい。
【0081】
比較例に係る本体部３Ｚでは、実施形態に係る本体部３とは異なり、第１カバー９Ａの厚さと第２カバー９Ｂの厚さとが同じであり、また、第１下地電極２１Ａの厚さと第２下地電極２１Ｂの厚さとが同じである。そして、図４の最下段かつ左側に示すように、本体部３Ｚは焼成のときに上方が凹となる反りを生じやすい。
【0082】
反りが生じる要因としては、例えば、以下のものが挙げられる。セラミックグリーンシートを積層していく過程においては、１枚のセラミックグリーンシートを重ねるごとに比較的低圧のプレスが行われる。このプレスは、例えば、セラミックグリーンシート同士を圧着させることに寄与する。そして、下方のセラミックグリーンシートほど、プレスの回数が多く、セラミック粒子の密度が高くなる。逆に言えば、上方のセラミックグリーンシートほど、セラミック粒子の密度が低くなる。その結果、焼結のときに、上方ほど収縮度合いが大きい。ひいては、上方ほど層に沿う方向の圧縮応力が大きくなり、上方を凹とする反りが生じる。
【0083】
なお、既述のとおり、本開示において、機能部７に対する第１カバー９Ａの構成と第２カバー９Ｂの構成との非対称性の有無を判断するとき、意図されていない製造誤差による非対称性は対象外とする。上記の積層順及びプレスによるセラミック粒子の密度の相違は製造誤差である。従って、焼成前の密度の相違に起因して焼成後の微細構造に関して第１カバー９Ａと第２カバー９Ｂとが相違していても（そのような従来技術が存在しても）、ここでいう非対称性は存在していないと判断するものとする。
【0084】
（３．非対称性による作用の例及び粒子径の例）
図４の最下段に示しているように、実施形態に係る本体部３は、比較例に係る本体部３Ｚに比較して、焼成による反りが低減される。その理由は、例えば、以下のとおりである。
図４の最下段に示しているように、実施形態に係る本体部３は、比較例に係る本体部３Ｚに比較して、焼成による反りが低減される。その理由は、例えば、以下のとおりである。
【0085】
図５は、第１下地電極２１Ａを第２下地電極２１Ｂよりも厚くしていることによって反りが低減される理由の例を説明する模式図である。
【0086】
図５において、上段は、導電ペースト（下地電極２１）が含む金属粒子２７と、バインダ等からなる有機物層２９とを示している。下段は、セラミックグリーンシート（セラミック層１１）が含むセラミック粒子３１と、バインダ等からなる有機物層３３とを示している。また、図５において、左側は、焼成前の状態を示し、右側は、焼成後の状態を示している。
【0087】
一般に、金属粒子２７の粒子径は、セラミック粒子３１の粒子径よりも大きくされている。また、有機物層２９と有機物層３３とは、同じ材料、あるいは、類似した材料が用いられることが多い。そして、金属粒子２７及びセラミック粒子３１の粒子径が互いに異なっていても、有機物層２９及び３３の厚さｔ７は、概ね同じである。
【0088】
従って、導電ペーストにおいては、セラミックグリーンシートに比較して、粒子の体積に対する粒子の表面積が小さく、ひいては、粒子の体積に対する有機物の体積が小さい。そして、焼成によって有機物が消失したとき、導電ペーストの方がセラミックグリーンシートよりも有機物の消失に係る体積割合が小さい。その結果、導電ペーストの収縮度合いは、セラミックグリーンシートの収縮度合いよりも小さくなる。
【0089】
一方、図３に示すように、第１下地電極２１Ａが第２下地電極２１Ｂよりも厚いことによって、焼成前の第１カバー９Ａにおける導電ペーストの体積割合は、焼成前の第２カバー９Ｂにおける導電ペーストの体積割合よりも大きい。ひいては、第１カバー９Ａにおける層に沿う方向の収縮量は、第２カバー９Ｂにおける層に沿う方向の収縮量よりも小さくなる。その結果、本体部３における上方に凹となる反りが低減される。
【0090】
第１カバー９Ａを第２カバー９Ｂよりも厚くすると、直感的には、厚さの増分に応じて、第１カバー９Ａが機能部７に付与する圧縮力（第１カバー９Ａの圧縮応力×第１カバー９Ａの厚さ）が大きくなり、上方を凹とする反りが助長されそうに思われる。しかし、実際には、上記の推定メカニズムで説明されるように、また、後述する実施例で示されるように、反りが低減される。このように、実施形態に係るコンデンサ１は、直感的な予想に反する作用を生じるものであり、画期的である。
【0091】
図５では表現していないが、焼成によって、金属粒子２７及びセラミック粒子３１は成長する。ただし、両者の径の相違は比較的大きいことから、焼成前の大小関係は、通常、焼成後においても維持される。従って、焼成後の粒子の大きさから、上記の作用が生じたか否かを判断できる。
【0092】
金属粒子及びセラミック粒子の粒子径の具体的な値は任意である。例えば、下地電極２１及びダミー電極２３となる導電ペーストが含む金属粒子の平均粒子径は、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下、又は、１８０ｎｍ以上３７０ｎｍ以下とされてよい。内部電極１９となる導電ペーストが含む金属粒子の平均粒子径は、５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下とされてよい。誘電体層１７及びセラミック層１１となるセラミックグリーンシートが含むセラミック粒子の平均粒子径は、２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下とされてよい。下地電極２１及びダミー電極２３となる導電ペーストが含む金属粒子の平均粒子径は、セラミック層１１及び誘電体層１７となるセラミックグリーンシートが含むセラミック粒子の平均粒子径に対して、２倍以上、５倍以上又は８倍以上とされてよい。
【0093】
また、例えば、下地電極２１及びダミー電極２３の金属粒子（焼成後）の平均粒子径は、２００ｎｍ以上８００ｎｍ以下、又は、３５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下とされてよい。内部電極１９が含む金属粒子（焼成後）の平均粒子径は、１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下、又は１５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下とされてよい。誘電体層１７及びセラミック層１１が含むセラミック粒子（焼成後）の平均粒子径は、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、又は７０ｎｍ以上８０ｎｍ以下とされてよい。下地電極２１及びダミー電極２３が含む金属粒子（焼成後）の平均粒子径は、セラミック層１１及び誘電体層１７が含むセラミック粒子の平均粒子径に対して、２倍以上、５倍以上又は８倍以上とされてよい。
【0094】
また、焼成前において、金属粒子又はセラミック粒子に対する有機物の割合も任意である。例えば、下地電極２１、ダミー電極２３及び内部電極１９となる導電ペーストにおいて、金属粒子の質量部を１００としたとき、１０質量部以上４０質量部以下の有機物が混ぜられていてよい。また、セラミック層１１及び誘電体層１７となるセラミックグリーンシートにおいて、セラミック粒子の質量部を１００としたとき、１０質量部以上４０質量部以下の有機物が混ぜられていてよい。
【0095】
（４．実施例）
比較例及び実施例に係るコンデンサの本体部を作製し、その反りを計測した。その結果、実施例は、比較例に比較して反りが低減されることが確認された。具体的には、以下のとおりである。
比較例及び実施例に係るコンデンサの本体部を作製し、その反りを計測した。その結果、実施例は、比較例に比較して反りが低減されることが確認された。具体的には、以下のとおりである。
【0096】
以下のように、上下方向の対称性に関する構成が互いに異なる比較例及び実施例を設定した。
・比較例１：上下対称のコンデンサ
・比較例２：比較例１において第２カバー９Ｂ及び第２下地電極２１Ｂを厚くしたコンデンサ
・実施例：比較例１において第１カバー９Ａ及び第１下地電極２１Ａを厚くしたコンデンサ
なお、比較例及び実施例において、特に記載が無い事項は、実施形態のコンデンサ１と同様である。
・比較例１：上下対称のコンデンサ
・比較例２：比較例１において第２カバー９Ｂ及び第２下地電極２１Ｂを厚くしたコンデンサ
・実施例：比較例１において第１カバー９Ａ及び第１下地電極２１Ａを厚くしたコンデンサ
なお、比較例及び実施例において、特に記載が無い事項は、実施形態のコンデンサ１と同様である。
【0097】
基準となるサイズが互いに異なるコンデンサの本体部について、上記の比較例１、比較例２及び実施例を設定した。便宜上、比較例１、比較例２及び実施例に「Ａ」又は「Ｂ」を付して、以下のように称することがある。
・比較例１Ａ、比較例２Ａ及び実施例Ａ： サイズＡ
・比較例１Ｂ、比較例２Ｂ及び実施例Ｂ： サイズＢ
・比較例１Ａ、比較例２Ａ及び実施例Ａ： サイズＡ
・比較例１Ｂ、比較例２Ｂ及び実施例Ｂ： サイズＢ
【0098】
サイズＡ及びＢは、以下のとおりである。
・サイズＡ： ６００μｍ（Ｄ１方向）×６００μｍ（Ｄ２方向）×９０μｍ（Ｄ３方向）
・サイズＢ： ５００μｍ（Ｄ１方向）×５００μｍ（Ｄ２方向）×６５μｍ（Ｄ３方向）
なお、これらのサイズは、比較例１に係るコンデンサの本体部（焼成後）の設計値である。
・サイズＡ： ６００μｍ（Ｄ１方向）×６００μｍ（Ｄ２方向）×９０μｍ（Ｄ３方向）
・サイズＢ： ５００μｍ（Ｄ１方向）×５００μｍ（Ｄ２方向）×６５μｍ（Ｄ３方向）
なお、これらのサイズは、比較例１に係るコンデンサの本体部（焼成後）の設計値である。
【0099】
比較例及び実施例に係るカバー９及び下地電極２１の厚さは、以下のとおりである。
・比較例１の各カバー９の厚さ、比較例２の第１カバー９Ａの厚さ及び実施例の第２カバー９Ｂの厚さ：１０μｍ
・比較例２の第２カバー９Ｂの厚さ及び実施例の第１カバー９Ａの厚さ：１２μｍ
・比較例１の各下地電極２１の厚さ、比較例２の第１下地電極２１Ａの厚さ及び実施例の第２下地電極２１Ｂの厚さ：３μｍ
・比較例２の第２下地電極２１Ｂの厚さ及び実施例の第１下地電極２１Ａの厚さ：５μｍ
なお、上記のカバー９及び下地電極２１の厚さは、サイズＡ及びＢに共通であり、また、焼成後における設計値である。
・比較例１の各カバー９の厚さ、比較例２の第１カバー９Ａの厚さ及び実施例の第２カバー９Ｂの厚さ：１０μｍ
・比較例２の第２カバー９Ｂの厚さ及び実施例の第１カバー９Ａの厚さ：１２μｍ
・比較例１の各下地電極２１の厚さ、比較例２の第１下地電極２１Ａの厚さ及び実施例の第２下地電極２１Ｂの厚さ：３μｍ
・比較例２の第２下地電極２１Ｂの厚さ及び実施例の第１下地電極２１Ａの厚さ：５μｍ
なお、上記のカバー９及び下地電極２１の厚さは、サイズＡ及びＢに共通であり、また、焼成後における設計値である。
【0100】
焼成前及び焼成後における金属粒子及びセラミック粒子の平均粒子径は、先に例示した範囲（２以上の範囲が示されている場合は狭い方の範囲）に収まっている。また、導電ペースト（１３及び１９）が含む金属粒子の材料はＮｉとされた。セラミックグリーンシート（１１及び１７）が含むセラミック粒子の材料はＢａＴｉＯ３とされた。
【0101】
反りの評価は、以下のように行った。図４の最下段かつ左側に示すように、上面の最も低い位置と上面の最も高い位置との差を反りの量ＷＰとして計測した。ＷＰを本体部３の厚さＴで割るとともに、１００を乗じて単位を％にした。比較例及び実施例のそれぞれについて、複数（１０個）のサンプルを作製し、ＷＰ／Ｔ×１００（％）の度数分布を調べた。
【0102】
図６及び図７は、上記の評価結果を示す図である。これらの図において、横軸は、上記のＷＰ／Ｔ×１００（％）を示している。縦軸は、サンプル数を示している。図６は、サイズＡの比較例及び実施例に対応している。図７は、サイズＢの比較例及び実施例に対応している。各図において、上段は、比較例１に対応し、中段は、比較例２に対応し、下段は、実施例に対応している。
【0103】
これらの図に示されているように、比較例１に対して、比較例２は、反りが大きくなる蓋然性が高くなっている。一方、実施例は、比較例１に対して、反りが小さくなる蓋然性が高くなっている。
【0104】
より詳細には、サイズＡ（図６）に着目すると、比較例１Ａでは、反りが９％以下であるサンプルは存在しないところ、実施例Ａでは、全てのサンプルの反りが９％以下となっている。また、サイズＢ（図７）に着目すると、比較例１Ｂでは、反りが９％以下であるサンプルが１つに留まるところ、実施例Ｂでは、全てのサンプルの反りが９％以下となっている。
【0105】
（５．他の態様）
（５．１．上下非対称に係る他の例）
図８は、２つのカバー９の非対称性に係る他の例を示す断面図である。なお、既述の非対称性に係る例（カバー９及び／又は下地電極２１の厚さの非対称性）及び以下の他の例とは、任意のもの同士が組み合わされても構わない。
（５．１．上下非対称に係る他の例）
図８は、２つのカバー９の非対称性に係る他の例を示す断面図である。なお、既述の非対称性に係る例（カバー９及び／又は下地電極２１の厚さの非対称性）及び以下の他の例とは、任意のもの同士が組み合わされても構わない。
【0106】
図８の最上段に示す本体部３Ａでは、所定断面において、第１導体層１３Ａの長さＬ１Ａが、第２導体層１３Ｂの長さＬ１Ｂよりも長くなっている。これにより、例えば、焼成前の第１カバー９Ａにおける導電ペーストの体積割合が大きくなる。ひいては、第１下地電極２１Ａを厚くした場合と類似したメカニズムにより、上方を凹とする反りが低減される。
【0107】
この例に示されているように、上下方向の非対称性は、第１導体層１３Ａ及び第２導体層１３Ｂの左右方向における構成の相違によって実現されてもよい。長さＬ１Ａ及び長さＬ１Ｂの具体的な差及び比は任意である。左右方向における構成が互いに異なる対象は任意であり、例えば、下地電極２１であってもよいし、及び／又は、一部若しくは全部のダミー電極２３であってもよい。
【0108】
図８の上から２段目に示す本体部３Ｂでは、第１ダミー電極２３Ａの厚さｔ９Ａが第２ダミー電極２３Ｂの厚さｔ９Ｂの厚さよりも厚くされている。これにより、例えば、第１下地電極２１Ａを厚くした場合と同様のメカニズムにより、上方を凹とする反りが低減される。
【0109】
図示の例では、各カバー９におけるダミー電極２３が１つのみ図示されている。各カバー９におけるダミー電極２３の数が２以上である場合において、ｔ９Ａ＞ｔ９Ｂは、全てのダミー電極２３について成立してもよいし、一部のダミー電極２３のみについて成立してもよい。厚さｔ９Ａ及びｔ９Ｂの具体的な差及び比等は任意である。下地電極２１に係る厚さｔ３Ａ及びｔ３Ｂの差及び比の説明は、厚さｔ９Ａ及びｔ９Ｂの差及び比に援用されてもよい。
【0110】
図８の上から３段目に示す本体部３Ｃでは、第１導体層１３Ａ（第１ダミー電極２３Ａ）の層数が第２導体層１３Ｂ（第２ダミー電極２３Ｂ）の層数よりも多くされている。これにより、例えば、焼成前の第１カバー９Ａにおける導電ペーストの体積割合が大きくなり、第１下地電極２１Ａを厚くした場合と類似したメカニズムにより、上方を凹とする反りが低減される。
【0111】
図示の例では、第１ダミー電極２３Ａと第２ダミー電極２３Ｂの層数の差は１層である。ただし、両者の層数の差は、２層以上であってもよい。また、第２ダミー電極２３Ｂの層数に対する第１ダミー電極２３Ａの層数の比（図示の例では２倍）も任意である。
【0112】
図８の最下段に示す本体部３Ｄでは、第１カバー９Ａとなるセラミックグリーンシートのセラミック粒子３１Ａの平均粒子径が、第２カバー９Ｂとなるセラミックグリーンシートのセラミック粒子３１Ｂの平均粒子径よりも大きくされている。図５の説明から理解されるように、この場合、第１カバー９Ａの収縮度合いは、セラミック粒子３１Ａに代えてセラミック粒子３１Ｂが用いられた場合に比較して小さい。その結果、上方を凹とする反りが低減される。
【0113】
図示の例では、セラミック粒子の平均粒子径を第１カバー９Ａと第２カバー９Ｂとで異ならせている。セラミック粒子の平均粒子径に代えて、又は加えて、導体層１３における金属粒子の平均粒子径を第１カバー９Ａと第２カバー９Ｂとで異ならせてもよい。平均粒子径の差及び比は任意である。
【0114】
特に図示しないが、セラミックグリーンシート及び／又は導電ペーストにおける固形分比率に関して、第１カバー９Ａを第２カバー９Ｂよりも大きくして、上方を凹とする反りを低減してもよい。また、導電ペーストが含む共材（セラミック粒子）の割合に関して、第１カバー９Ａを第２カバー９Ｂよりも少なくして、上方を凹とする反りを低減してもよい。
【0115】
図３、並びに、図８の上から１段目から３段目までの例から理解されるように、上下方向の非対称性は、第１カバー９Ａにおける導体層１３（未焼成状態の導電ペースト）の体積割合を第２カバー９Ｂにおけるものよりも大きくすることによって実現されてよい。
【0116】
また、図３、並びに、図８の上から２段目及び３段目の例から理解されるように、上下方向の非対称性は、第１カバー９Ａにおける導体層１３（未焼成状態の導電ペースト）の合計厚さを第２カバー９Ｂにおけるものよりも厚くすることによって実現されてよい。
【0117】
第１カバー９Ａと第２カバー９Ｂとにおいて、機能部７から何番目の層（１１又は１３）であるかが互いに同じ層を互いに対応する層と称するものとする。このとき、図３、図８の上から２段目から最下段までの例等から理解されるように、上下方向の非対称性は、互いに対応する層の厚さ、互いに対応する層の材料、及び、導体層１３の層数の少なくとも１つを互いに異ならせることによって実現されてよい。なお、第１カバー９Ａと第２カバー９Ｂとで導体層１３の総数が異なる場合は、第１カバー９Ａと第２カバー９Ｂとの間における互いに対応する層は、特定できなくても構わない。
【0118】
図３、図８の上から２段目及び３段目の例では、第１導体層１３Ａを厚くすることに伴って、第１カバー９Ａの厚さ（別の観点では、第１導体層１３Ａの非配置領域における第１セラミック層１１Ａの厚さ）も厚くされている。ただし、第１カバー９Ａの厚さを第２カバー９Ｂの厚さと同じにしつつ、第１導体層１３Ａを第２導体層１３Ｂよりも厚くしてもよい。
【0119】
【0120】
コンデンサ２０１は、概して言えば、２端子タイプである点が４端子タイプであるコンデンサ１と相違する。このようなコンデンサ２０１においても、これまでに説明した上下方向の非対称性が適用されてよい。特に図示しないが、この他、３端子タイプ等の更に別の端子タイプのコンデンサ１に上下方向の非対称性が適用されても構わない。
【0121】
（５．３．コンデンサ以外の電子部品の他の例）
特に図示しないが、更に他の構成について述べる。
特に図示しないが、更に他の構成について述べる。
【0122】
コンデンサは、図１又は図９に例示された構造の全体を覆う外装樹脂と、外部電極５に接続されているとともに外装樹脂から延び出るリード線とを有していてもよい。別の観点では、コンデンサは、表面実装型のものではなく、スルーホール実装型のものであってもよい。このような態様において、１つの外部電極５は、１つの側面を覆うだけであってもよい。コンデンサは、外部電極５が設けられていない状態（すなわち本体部３）で工場から他の工場へ流通されてもよい。
【0123】
互いに異なる外部電極５に接続される２種の内部電極１９は、１枚ずつ交互に積層されるのではなく、２枚ずつ交互に積層されてもよい。この場合、例えば、同一の外部電極５に接続され、互いに対向する内部電極１９間の誘電体層１７の厚さは、互いに異なる外部電極５に接続され、互いに対向する内部電極１９間の誘電体層１７の厚さよりも薄くされてよい。このことから理解されるように、複数の誘電体層１７は、互いに同じ形状及び大きさを有していなくてもよい。
【0124】
また、互いに異なる外部電極５に接続される２種の内部電極１９は、互いに対向していなくてもよい。例えば、互いに異なる外部電極５に接続される２種の内部電極１９が同一の層に設けられ、上記２種の内部電極１９に対向する内部電極１９が設けられることによって、２つの平行平板コンデンサが直列に接続された回路が構成されてもよい。また、３つ以上の平行平板コンデンサが直列に接続された回路が構成されてもよい。
【0125】
図９の例において、内部電極１９は、内部電極１９のＤ１方向に平行な２つの長辺よりもＤ２方向の両側（外側）に広がる誘電体層１７によって挟まれ、これにより、上記２つの長辺は本体部２０３の－Ｄ２側の側面及び＋Ｄ２側の側面から露出しない。ただし、長辺を露出させないようにする構成は、誘電体層１７及びセラミック層１１によって構成された積層体の－Ｄ２側の側面及び＋Ｄ２側の側面に他の誘電体層を重ねることによって実現されてもよい。別の観点では、本体部は、その全体が積層構造である必要はない。
【0126】
電子部品は、コンデンサに限定されない。例えば、電子部品は、コンデンサ以外の積層型電子部品であってもよいし、積層型でない電子部品であってもよい。積層型電子部品としては、例えば、積層型インダクタ、積層型バリスタ、積層型フェライトビーズ、積層型サーミスタ及び積層型フィルタが挙げられる。積層型でない電子部品は多岐に亘るが、例えば、ＩＣ（integrated circuit）が挙げられる。
【0127】
積層型電子部品は、例えば、不導体（例えば誘電体層１７）と導体（例えば内部電極１９）とが交互に積層されている機能部（７）を有している。このような構成では、例えば機能部を形成する工程の延長上において、１以上のセラミック層１１及び１以上の導体層１３を有するカバー９を形成できる。従って、実施形態に係るカバー９の構成を採用しても製造工程が複雑化する蓋然性が低減される。
【0128】
積層型セラミックフィルタは、例えば、ＬＣ回路を有していてもよい。この例から理解されるように、積層型電子部品は、２以上の機能（コンデンサ及びインダクタ）を実現してもよい。互いに異なる機能を実現する部位は、平面透視において互いに異なる部位であってもよいし、及び／又は側面透視において互いに異なる部位であってもよい。
【0129】
機能部（７）は、上下対称の構成でなくても構わない。反りは、機能部の非対称性に起因して生じてもよい。２つのカバー９の非対称性は、そのような反りの低減に寄与してもよい。
【0130】
（６．実施形態のまとめ）
以下では、実施形態に係る電子部品の構成を抽出して、その抽出された構成の効果を例示する。ただし、以下に例示する効果は、必ずしも奏されなくても構わない。また、以下では、便宜上、いずれかの態様の符号を用いる。ただし、以下で述べる事項は、矛盾等が生じない限り、符号が用いられた態様とは別の態様に援用されてよい。
以下では、実施形態に係る電子部品の構成を抽出して、その抽出された構成の効果を例示する。ただし、以下に例示する効果は、必ずしも奏されなくても構わない。また、以下では、便宜上、いずれかの態様の符号を用いる。ただし、以下で述べる事項は、矛盾等が生じない限り、符号が用いられた態様とは別の態様に援用されてよい。
【0131】
実施形態に係るコンデンサ１（電子部品の一例）は、機能部７と、機能部７に対して＋Ｄ３側（第１方向の第１側の一例）に重なっている第１カバー９Ａと、機能部７に対して－Ｄ３側（第２側の一例）に重なっている第２カバー９Ｂと、を有している。第１カバー９Ａは、１層以上の第１セラミック層１１Ａと、１層以上の第１セラミック層１１Ａと交互に重なっている１層以上の第１導体層１３Ａと、を有している。第２カバー９Ｂは、１層以上の第２セラミック層１１Ｂと、１層以上の第２セラミック層１１Ｂと交互に重なっている１層以上の第２導体層１３Ｂと、を有している。第１カバー９Ａの構成と第２カバー９Ｂの構成とが機能部７に対して互いに非対称である。
【0132】
また、実施形態に係るコンデンサ１の製造方法は、未焼成状態の積層体（本体部３）を得るようにセラミックグリーンシート（１１）を積層すること（図４の上から１段目～３段目）、及び未焼成状態の積層体（本体部３）を焼成すること（図４の上から３段目）、を含む。未焼成状態の本体部３は、機能部７（例えば未焼成状態）と、機能部７に対して＋Ｄ３側に重なる未焼成状態の第１カバー９Ａと、機能部７に対して－Ｄ３側に重なる未焼成状態の第２カバー９Ｂと、を有している。未焼成状態の第１カバー９Ａは、１層以上の第１セラミックグリーンシート（１１Ａ）と、１層以上の第１セラミックグリーンシート（１１Ａ）と交互に重なっている１層以上の第１導電ペースト（１３Ａ）と、を有している。未焼成状態の第２カバー９Ｂは、１層以上の第２セラミックグリーンシート（１１Ｂ）と、１層以上の第２セラミックグリーンシート（１１Ｂ）と交互に重なっている１層以上の第２導電ペースト（１３Ｂ）と、を有している。未焼成状態の第１カバー９Ａの構成と未焼成状態の第２カバー９Ｂの構成とは、機能部７に対して非対称である。
【0133】
この場合、例えば、既に述べたように、焼成の反りを低減できる。また、第１カバー９Ａ及び第２カバー９Ｂにおいて生成又は反射される構造的又は電磁気的な振動の周波数又は位相を互いに異ならせ、機能部７内において意図されていない共振が生じる蓋然性を低減できる。また、機能部７が上下非対称でない場合において、製造過程の反りに関して、又は製造後の強度に関して、非対称性を補償することができる。
【0134】
第１カバー９Ａ及び第２カバー９Ｂは互いに対応する層（１１及び／又は１３）の厚さ、及び、互いに対応する層（１１及び／又は１３）の材料、及び、導体層１３の層数の少なくとも１つが互いに異なっていてもよい。
【0135】
この場合、例えば、図８の最上段の本体部３Ａのように、平面方向における導体層１３の寸法によって上下方向の非対称性を実現する場合に比較して、導体層１３が、意図されていない電磁気的な作用を機能部７に及ぼす蓋然性を低減しやすい。あるいは、意図されていない電磁気的な作用の可能性を予測しやすい。また、基準となる設計（比較例１）からの設計変更が容易である。
【0136】
第１カバー９Ａは、第２カバー９Ｂよりも厚くされていてもよい。１層以上の第１導体層１３Ａの合計厚さは、１層以上の第２導体層１３Ｂの合計厚さよりも厚くされていてもよい。
【0137】
この場合、例えば、既述のとおり、第１カバー９Ａの導電ペーストの体積割合を相対的に大きくして、反りを低減できる。また、第１導体層１３Ａを厚くすることに伴って、第１カバー９Ａを厚くしているから、第１セラミック層１１Ａを薄くする必要性が低減される。その結果、絶縁性が確保されやすい。また、基準となる設計（比較例１）からの設計変更、又は製造工程の変更が容易である。
【0138】
１層以上の第１導体層１３Ａのうち、最も＋Ｄ３に位置している第１導体層１３Ａ（第１下地電極２１Ａ）の厚さは、１層以上の第２導体層１３Ｂのうち、最も前－Ｄ３側に位置している第２導体層１３Ｂ（第２下地電極２１Ｂ）の厚さよりも厚くされていてもよい。
【0139】
この場合、機能部７から最も離れた位置にて上下方向の非対称性が実現されるから、非対称性に起因して機能部７において意図されていない作用が生じる蓋然性が低減される。また、セラミックグリーンシートは、反り（撓み）の中立面から離れほど、層に沿う方向の圧縮力が反りのモーメントとして作用しやすい。最外層の導体層１３を厚くすることによって、そのような圧縮力を低減できる。
【0140】
機能部７のＤ３方向における厚さは、Ｄ３方向に直交するＤ１方向（第２方向の一例）の長さ、及び、Ｄ２方向（第３方向の一例）の長さのそれぞれよりも小さくされていてもよい。
【0141】
この場合、例えば、Ｄ３方向への反りが生じやすい。従って、実施形態の反りの低減に寄与可能な構成が有効である。
【0142】
コンデンサ１は、第１カバー９Ａを覆っている第１外部電極５ａと、第２カバー９Ｂを覆っている第２外部電極５ｂと、を更に有していてもよい。１層以上の第１導体層１３Ａそれぞれは、第１カバー９Ａの外側に露出して第１外部電極５ａと接合されている部分を有していてもよい。１層以上の第２導体層１３Ｂそれぞれは、第２カバー９Ｂの外側に露出して第２外部電極５ｂと接合されている部分を有していてもよい。なお、上記の接合されている部分は、例えば、下地電極２１においては機能部７とは反対側の面及び平面視における端部であってよく、ダミー電極２３においては平面視における端部であってよい。
【0143】
この場合、例えば、その厚さ等の調整によって反りの低減に寄与し得る導体層１３は、外部電極５と本体部３との接着強度の向上に寄与したり、及び／又は、無電解めっき又は電解めっきによって外部電極５を析出させることに寄与したりできる。従って、反りの低減のためだけに導体層１３を設けるのではないことから、コンデンサ１の構成が簡素化される。
【0144】
第１外部電極５ａは、１層以上の第１セラミック層１１Ａに直接に接している部分を有しているとともに共材を含んでいないように構成されてもよい。第２外部電極５ｂは、１層以上の第２セラミック層１１Ｂに直接に接している部分を有しているとともに共材を含んでいないように構成されてもよい。
【0145】
この場合、例えば、外部電極５は、その全面に亘る下地層を必要としない方法によって形成されている。ひいては、反りの低減のための導体ペースト（例えば下地電極２１）の非対称性と、外部電極５の構成とを切り離しやすい。その結果、例えば、内部的には非対称でありつつも、外観上は上下対称のコンデンサ１を作製することが容易である。
【0146】
１層以上の第１導体層１３Ａの主成分を構成する金属粒子２７の平均粒子径、及び、１層以上の第２導体層１３Ｂの主成分を構成する金属粒子２７の平均粒子径それぞれは、１層以上の第１セラミック層１１Ａの主成分を構成するセラミック粒子３１の平均粒子径、及び、１層以上の第２セラミック層１１Ｂの主成分を構成するセラミック粒子３１の平均粒子径のいずれよりも大きくされていてもよい。
【0147】
この場合、例えば、図５を参照して説明したメカニズムにより反りを低減することができる。
【0148】
１層以上の第１導体層１３Ａのうち、最も＋Ｄ３側に位置して第１カバー９Ａから＋Ｄ３側に露出している第１導体層１３Ａ（第１下地電極２１Ａ）の厚さｔ３Ａは、１層以上の第２導体層１３Ｂのうち、最も－Ｄ３側に位置して第２カバー９Ｂから－Ｄ３側に露出している第２導体層１３Ｂ（第２下地電極２１Ｂ）の厚さｔ３Ｂの１．２倍以上２．５倍以下であってもよい。
【0149】
この場合、例えば、厚さｔ３Ａが厚さｔ３Ｂの１．２倍以上であることによって、既述の効果が得られやすい。また、厚さｔ３Ａが厚さｔ３Ｂの２．５倍以下であることによって、非対称性に起因する意図されていない不都合が生じる蓋然性が低減される。
【0150】
第１下地電極２１Ａは、１層以上の第１セラミック層１１Ａのうち、最も＋Ｄ３側に位置している第１セラミック層１１Ａに対して＋Ｄ３側から埋め込まれていてもよい。第２下地電極２１Ｂは、１層以上の第２セラミック層１１Ｂのうち、最も－Ｄ３側に位置している第２セラミック層１１Ｂに対して－Ｄ３側から埋め込まれていてもよい。
【0151】
この場合、例えば、別の観点では、最外層のセラミック層１１の一部に置換して下地電極２１が配置されているから、下地電極２１がカバー９に占める割合が大きくなっている。その結果、例えば、第１下地電極２１Ａと第２下地電極２１Ｂとの構成の相違による上下の非対称性の影響が現れやすい。
【0152】
機能部７は、Ｄ３方向に交互に積層された複数の内部電極１９及び複数の誘電体層１７を有していてもよい。Ｄ３方向に透視して、１層以上の第１導体層１３Ａ及び１層以上の第２導体層１３Ｂは、複数の内部電極１９が互いに重なっている領域（電極本体１９ａ）に重なっている部分を有していてもよい。
【0153】
この場合、例えば、導体層１３は、比較的広い面積を有しているということができる。従って、例えば、導体層１３を厚くすることによる効果が向上する。
【0154】
なお、以上の実施形態において、コンデンサ１及び２０１は、それぞれ、電子部品の一例である。Ｄ３方向は第１方向の一例である。＋Ｄ３側は第１側の一例である。－Ｄ３側は第２側の一例である。Ｄ１方向は第２方向の一例である。Ｄ２方向は第３方向の一例である。本開示に係る技術は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。
【符号の説明】
【0155】
１…コンデンサ（電子部品）、７…機能部、９Ａ…第１カバー、９Ｂ…第２カバー、１１Ａ…第１セラミック層、１１Ｂ…第２セラミック層、１３Ａ…第１導体層、１３Ｂ…第２導体層。
【要約】
電子部品は、機能部と、機能部に対して第１方向の第１側に重なっている第１カバーと、機能部に対して第１側とは反対側の第２側に重なっている第２カバーと、を有している。第１カバーは、１層以上の第１セラミック層と、１層以上の第１セラミック層と交互に重なっている１層以上の第１導体層と、を有している。第２カバーは、１層以上の第２セラミック層と、１層以上の第２セラミック層と交互に重なっている１層以上の第２導体層と、を有している。第１カバーの構成と第２カバーの構成とは機能部に対して互いに非対称である。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】