特許7697679積層型のＩＩＩ－Ｖ半導体ダイオード

発明の名称　積層型のＩＩＩ－Ｖ半導体ダイオード

出願人　３−５　パワー　エレクトロニクス　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフツング　（識別番号 517397497）

　　　　特許公開件数ランキング 10643 位（0件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 8751 位（0件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-7697679

公報発行日　2025年6月24

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7697679

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