特許 7697846 基板処理装置および基板処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2025-06-16

(45)【発行日】2025-06-24

(54)【発明の名称】基板処理装置および基板処理方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20250617BHJP

   H01L 21/306 20060101ALI20250617BHJP

   H01L 21/027 20060101ALI20250617BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 648L

H01L21/304 648G

H01L21/304 651B

H01L21/304 643A

H01L21/306 R

H01L21/30 569C

【請求項の数】 9

(21)【出願番号】P 2021134271

(22)【出願日】2021-08-19

(65)【公開番号】P2022045904

(43)【公開日】2022-03-22

【審査請求日】2024-06-17

(31)【優先権主張番号】P 2020151658

(32)【優先日】2020-09-09

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000207551

【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス

(74)【代理人】

【識別番号】110002310

【氏名又は名称】弁理士法人あい特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】山口 貴大

(72)【発明者】

【氏名】小林 健司

(72)【発明者】

【氏名】澤島 隼

(72)【発明者】

【氏名】吉田 武司

(72)【発明者】

【氏名】根來 世

(72)【発明者】

【氏名】折坂 昌幸

【審査官】小池 英敏

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１３－１８７３９５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１６－０４２５１７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－０９２０７９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－０１０９７７（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１７／０１８４８１（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１１－０７７２４４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１０－０１０４２１（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

Ｈ０１Ｌ ２１／３０６

Ｈ０１Ｌ ２１／０２７

Ｂ０５Ｃ ５／００

Ｂ０５Ｃ ７／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を水平に保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持されている前記基板を、前記基板の中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに回転させる基板回転手段と、
前記基板保持手段に保持されている前記基板に向けて薬液を吐出する薬液ノズルと、
前記基板保持手段に保持されている前記基板を平面視で取り囲む上端部と、前記上端部に向かって斜め上に延びる円筒状の傾斜部と、を含み、前記基板保持手段に保持されている前記基板から外方に飛散した液体を受け止める筒状のガードと、
前記ガードを取り囲む内周面を含むチャンバーと、
前記チャンバーの前記内周面から内方に離れた外周端と、前記ガードを取り囲む内周端と、を含み、前記チャンバー内における前記ガードのまわりの空間を上下に仕切る仕切板と、
前記ガードを昇降させることにより、前記仕切板の前記内周端から前記ガードまでの最短距離を変更するガード昇降ユニットと、
前記チャンバー内において前記仕切板よりも下方に配置された上流端を含み、前記ガードの内側の気体と前記仕切板の下側の気体とを前記上流端内に吸引し、前記チャンバーの外に排出する排気ダクトと、を備え、
前記ガードの外周面は、鉛直な直線状の断面を有する円筒状の鉛直部を含み、
前記仕切板は、前記チャンバー内における前記ガードのまわりの空間を上下に仕切る水平部と、前記水平部から下方に延びる円筒状の鉛直部とを含み、
前記仕切板の前記鉛直部の内周面は、鉛直な直線状の断面を有しており、平面視で前記ガードの前記鉛直部を取り囲んでおり、
前記ガードの前記鉛直部が前記鉛直部の前記内周面と水平に向かい合う上側処理位置に前記ガードが配置されているとき、前記仕切板の前記内周端から前記ガードまでの距離は、前記ガードの前記鉛直部と前記鉛直部の前記内周面との間で最も小さく、
前記仕切板は、前記仕切板の前記水平部および前記鉛直部を含む内周リングと、前記内周リングを支持するサポートプレートと、を含み、
前記内周リングは、前記回転軸線に直交する方向である径方向に前記サポートプレートおよびガードに対して移動可能である、基板処理装置。

【請求項2】

基板を水平に保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持されている前記基板を、前記基板の中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに回転させる基板回転手段と、
前記基板保持手段に保持されている前記基板に向けて薬液を吐出する薬液ノズルと、
前記基板保持手段に保持されている前記基板を平面視で取り囲む上端部と、前記上端部に向かって斜め上に延びる円筒状の傾斜部と、を含み、前記基板保持手段に保持されている前記基板から外方に飛散した液体を受け止める筒状のガードと、
前記ガードを取り囲む内周面を含むチャンバーと、
前記チャンバーの前記内周面から内方に離れた外周端と、前記ガードを取り囲む内周端と、を含み、前記チャンバー内における前記ガードのまわりの空間を上下に仕切る仕切板と、
前記ガードを昇降させることにより、前記仕切板の前記内周端から前記ガードまでの最短距離を変更するガード昇降ユニットと、
前記チャンバー内において前記仕切板よりも下方に配置された上流端を含み、前記ガードの内側の気体と前記仕切板の下側の気体とを前記上流端内に吸引し、前記チャンバーの外に排出する排気ダクトと、
前記チャンバー内における前記仕切板の下側の空間で前記ガードを取り囲む内周面および外周面と、前記内周面および外周面で開口しており、前記排気ダクトを通じて前記チャンバーから排出される気体が通過する排出穴と、前記内周面および外周面で開口しており、前記外周面の外側から前記内周面の内側に移動する気体が通過する排気中継穴と、を含む、筒状外壁と、を備え、
前記筒状外壁の前記排気中継穴は、前記筒状外壁の前記排出穴よりも小さい、基板処理装置。

【請求項3】

基板を水平に保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持されている前記基板を、前記基板の中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに回転させる基板回転手段と、
前記基板保持手段に保持されている前記基板に向けて薬液を吐出する薬液ノズルと、
前記基板保持手段に保持されている前記基板を平面視で取り囲む上端部と、前記上端部に向かって斜め上に延びる円筒状の傾斜部と、を含み、前記基板保持手段に保持されている前記基板から外方に飛散した液体を受け止める筒状のガードと、
前記ガードを取り囲む内周面を含むチャンバーと、
前記チャンバーの前記内周面から内方に離れた外周端と、前記ガードを取り囲む内周端と、を含み、前記チャンバー内における前記ガードのまわりの空間を上下に仕切る仕切板と、
前記ガードを昇降させることにより、前記仕切板の前記内周端から前記ガードまでの最短距離を変更するガード昇降ユニットと、
前記チャンバー内において前記仕切板よりも下方に配置された上流端を含み、前記ガードの内側の気体と前記仕切板の下側の気体とを前記上流端内に吸引し、前記チャンバーの外に排出する排気ダクトと、を備え、
前記ガードの外周面は、鉛直な直線状の断面を有する円筒状の鉛直部を含み、
前記仕切板は、前記内周端を含む内周リングを含み、
前記内周リングは、前記チャンバー内における前記ガードのまわりの空間を上下に仕切る水平部と、前記内周端を含み、前記水平部から下方に延びる円筒状の鉛直部とを含み、
前記内周リングの前記鉛直部の内周面は、鉛直な直線状の断面を有しており、平面視で前記ガードの前記鉛直部を取り囲んでいる、基板処理装置。

【請求項4】

リンス液を前記基板保持手段に保持されている前記基板に向けて吐出するリンス液ノズルと、
前記ガード昇降ユニットを制御することにより、前記基板上の薬液を前記リンス液ノズルから吐出されたリンス液で置換しているときの前記最短距離を、前記薬液ノズルが薬液を吐出しているときの前記最短距離よりも大きくする制御装置と、をさらに備える、請求項１～３のいずれか一項に記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記筒状外壁は、前記チャンバー内における前記仕切板の下側の空間で前記ガードを取り囲む内周面および外周面と、前記内周面および外周面で開口する貫通穴と、を含む筒状体と、前記貫通穴の一部を覆った状態で前記筒状体に保持されており、前記筒状体に対して移動可能な可動カバーと、を含み、
前記排気中継穴は、前記筒状体の前記貫通穴と前記可動カバーとによって形成されており、前記筒状体に対する前記可動カバーの位置に応じて開度が変わる、請求項２に記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記仕切板の前記鉛直部の前記内周面と前記ガードの前記外周面の前記鉛直部とが水平に向かい合う対向範囲の上下方向の長さは、前記回転軸線まわりの方向である周方向に前記排気ダクトの前記上流端に近づくにしたがって増加している、請求項１または３に記載の基板処理装置。

【請求項7】

前記回転軸線に直交する方向である径方向における前記仕切板の前記鉛直部の前記内周面から前記ガードの前記外周面の前記鉛直部までの距離は、前記回転軸線まわりの方向である周方向に前記排気ダクトの前記上流端に近づくにしたがって減少している、請求項１、３、または６のいずれか一項に記載の基板処理装置。

【請求項8】

基板を水平に保持しながら、前記基板の中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに回転させるステップと、
回転している前記基板に向けて薬液を吐出するステップと、
前記基板から外方に飛散した薬液を、前記基板を平面視で取り囲む上端部と、前記上端部に向かって斜め上に延びる円筒状の傾斜部と、を含む筒状のガードに受け止めさせるステップと、
前記ガードの内側の気体を、前記ガードを取り囲むチャンバーの内周面から内方に離れた外周端と、前記ガードを取り囲む内周端と、を含み、前記チャンバー内における前記ガードのまわりの空間を上下に仕切る仕切板よりも下方に配置された排気ダクトの上流端内に吸引し、前記チャンバーの外に排出するステップと、
前記仕切板の下側の気体を、前記排気ダクトの前記上流端内に吸引し、前記チャンバーの外に排出するステップと、
前記基板への薬液の吐出を停止した後に、前記ガードを下降させることにより、前記仕切板の前記内周端から前記ガードまでの最短距離を増加させるステップと、を含み、
前記ガードの外周面は、鉛直な直線状の断面を有する円筒状の鉛直部を含み、
前記仕切板は、前記チャンバー内における前記ガードのまわりの空間を上下に仕切る水平部と、前記水平部から下方に延びる円筒状の鉛直部とを含み、
前記仕切板の前記鉛直部の内周面は、鉛直な直線状の断面を有しており、平面視で前記ガードの前記鉛直部を取り囲んでおり、
前記ガードの前記鉛直部が前記鉛直部の前記内周面と水平に向かい合う上側処理位置に前記ガードが配置されているとき、前記仕切板の前記内周端から前記ガードまでの距離は、前記ガードの前記鉛直部と前記鉛直部の前記内周面との間で最も小さく、
前記仕切板は、前記仕切板の前記水平部および前記鉛直部を含む内周リングと、前記内周リングを支持するサポートプレートと、を含み、
前記内周リングは、前記回転軸線に直交する方向である径方向に前記サポートプレートおよびガードに対して移動可能である、基板処理方法。

【請求項9】

基板を水平に保持しながら、前記基板の中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに回転させるステップと、
回転している前記基板に向けて薬液を吐出するステップと、
前記基板から外方に飛散した薬液を、前記基板を平面視で取り囲む上端部と、前記上端部に向かって斜め上に延びる円筒状の傾斜部と、を含む筒状のガードに受け止めさせるステップと、
前記ガードの内側の気体を、前記ガードを取り囲むチャンバーの内周面から内方に離れた外周端と、前記ガードを取り囲む内周端と、を含み、前記チャンバー内における前記ガードのまわりの空間を上下に仕切る仕切板よりも下方に配置された排気ダクトの上流端内に吸引し、前記チャンバーの外に排出するステップと、
前記仕切板の下側の気体を、前記排気ダクトの前記上流端内に吸引し、前記チャンバーの外に排出するステップと、
前記基板への薬液の吐出を停止した後に、前記ガードを下降させることにより、前記仕切板の前記内周端から前記ガードまでの最短距離を増加させるステップと、を含み、
筒状外壁が前記チャンバー内における前記仕切板の下側の空間で前記ガードを取り囲んでおり、
前記筒状外壁は、前記チャンバー内における前記仕切板の下側の空間で前記ガードを取り囲む内周面および外周面と、前記内周面および外周面で開口しており、前記排気ダクトを通じて前記チャンバーから排出される気体が通過する排出穴と、前記内周面および外周面で開口しており、前記外周面の外側から前記内周面の内側に移動する気体が通過する排気中継穴と、を含み、
前記筒状外壁の前記排気中継穴は、前記筒状外壁の前記排出穴よりも小さい、基板処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、基板を処理する基板処理装置および基板処理方法に関する。基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置や有機ＥＬ（electroluminescence）表示装置などのＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。

【背景技術】

【0002】

半導体装置やＦＰＤなどの製造工程では、半導体ウエハやＦＰＤ用ガラス基板などの基板を処理する基板処理装置が用いられる。特許文献１に記載の基板処理装置は、基板を水平に保持しながら回転させるスピンチャックと、スピンチャックに保持されている基板の上面に向けてＳＰＭ（硫酸と過酸化水素水の混合液）を吐出するノズルと、スピンチャックに保持されている基板の上面に向けてリンス液を吐出するノズルと、基板から外方に飛散した液体を受け止める筒状のガードと、スピンチャックやガード等を収容するチャンバーとを備えている。

【0003】

ガードの上端部は、平面視で基板を取り囲んでいる。ガードは、ガードの上端が基板よりも下方に位置する下位置と、ガードの上端が基板よりも上方に位置する液受け位置と、液受け位置よりも上方の上位置と、のいずれかに配置される。ＳＰＭを基板に供給するときは、ガードの上端が基板の上面から十分に離れた上位置にガードが配置される。基板上のＳＰＭをリンス液で洗い流すときは、基板の上面からガードの上端までの鉛直方向への距離が減少した液受け位置にガードが配置される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特開２０１８－０３２７２８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

薬液やリンス液などの処理液を回転している基板に向けて吐出すると、処理液のミストが基板の上方や基板の周辺に発生する。発生した薬液のミストが、ガードの上端部の内側を通じてガードの外に漏れると、漏れ出た薬液のミストや漏れ出たミスト状の薬液を含む雰囲気（以下、これらを総称して「薬液雰囲気」という。）がチャンバーの内面に付着し、パーティクルに変化する場合がある。薬液雰囲気が基板の方に流れ、基板に付着する場合もある。基板をチャンバーから搬出するときやチャンバーに搬入するときに、薬液雰囲気が基板に付着する場合もある。これらは基板の汚染原因となり得る。

【0006】

特許文献１に記載の基板処理装置は、ＳＰＭなどの薬液のミスト等を含む雰囲気が、ガードの上端部の内側を通じてガードの外に漏れることを防止するために、ＳＰＭを基板に供給するときに、ガードを極めて高い位置まで上昇させている。しかしながら、基板処理装置によっては、このような高い位置にガードを配置できない場合がある。
そこで、本発明の目的の一つは、薬液のミストがガードの上端部の内側を通じてガードの外に漏れたとしても、漏れ出た薬液のミストを確実に除去できる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明の一実施形態は、基板を水平に保持する基板保持手段と、前記基板保持手段に保持されている前記基板を、前記基板の中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに回転させる基板回転手段と、前記基板保持手段に保持されている前記基板に向けて薬液を吐出する薬液ノズルと、前記基板保持手段に保持されている前記基板を平面視で取り囲む上端部と、前記上端部に向かって斜め上に延びる円筒状の傾斜部と、を含み、前記基板保持手段に保持されている前記基板から外方に飛散した液体を受け止める筒状のガードと、前記ガードを取り囲む内周面を含むチャンバーと、前記チャンバーの前記内周面から内方に離れた外周端と、前記ガードを取り囲む内周端と、を含み、前記チャンバー内における前記ガードのまわりの空間を上下に仕切る仕切板と、前記ガードを昇降させることにより、前記仕切板の前記内周端から前記ガードまでの最短距離を変更するガード昇降ユニットと、前記チャンバー内において前記仕切板よりも下方に配置された上流端を含み、前記ガードの内側の気体と前記仕切板の下側の気体とを前記上流端内に吸引し、前記チャンバーの外に排出する排気ダクトと、を備える、基板処理装置を提供する。

【0008】

この構成によれば、ガードのまわりに仕切板が配置されている。仕切板の外周端は、チャンバーの内周面から内方に離れており、仕切板の内周端は、ガードを取り囲んでいる。ガード昇降ユニットがガードを昇降させると、仕切板の内周端からガードまでの最短距離が増加または減少する。これにより、ガードと仕切板との間を通る経路の圧力損失を増加または減少させることができる。

【0009】

排気ダクトは、ガードの内側の気体と仕切板の下側の気体とを、排気ダクトの上流端から排気ダクトの内部に吸引する。ガードの上側の気体は、ガードの上端部の内側を下方に通過し、排気ダクト内に吸引される。仕切板の上側の気体は、チャンバーと仕切板との間の隙間と、ガードと仕切板との間の隙間と、の少なくとも一方を下方に通過し、排気ダクト内に吸引される。

【0010】

ガード昇降ユニットが仕切板の内周端からガードまでの最短距離を減少させると、ガードと仕切板との間を通る経路の圧力損失が増加するので、ガードの上端部の内側を通過する気体の流量が増加する。これにより、ガードの上端部の内側を通じてガードの外に漏れる薬液のミストの量を減らすことができる。
ガード昇降ユニットが仕切板の内周端からガードまでの最短距離を増加させると、ガードと仕切板との間を通る経路の圧力損失が減少するので、ガードと仕切板との間を通過する気体の流量が増加する。薬液のミストがガードの外に漏れたとしても、漏れ出たミストは、チャンバーと仕切板との間の隙間と、ガードと仕切板との間の隙間と、の少なくとも一方を下方に通過し、排気ダクト内に吸引される。これにより、漏れ出たミストを確実に除去できる。

【0011】

ガードの内側の雰囲気を重点的に吸引することは、薬液のミストがガードの外に漏れることを防止する上で重要である。ガードおよび仕切板の上方の雰囲気を重点的に吸引することは、漏れ出た薬液のミストを除去する上で重要である。したがって、排気のバランスをとること、つまり、重点的に排気する箇所を変更することは、基板およびチャンバーの汚染を減らす上で重要である。

【0012】

ガードを昇降させて、仕切板の内周端からガードまでの最短距離を変更すれば、ガードの内側とガードおよび仕切板の上方との間で重点的に排気する箇所を変更できる。したがって、基板の処理の進行に応じてガードを昇降させれば、薬液のミストが存在し得る箇所の雰囲気を重点的に吸引でき、基板およびチャンバーの汚染を減らすことができる。
前記実施形態において、以下の特徴の少なくとも１つを、前記基板処理装置に加えてもよい。
前記基板処理装置は、リンス液を前記基板保持手段に保持されている前記基板に向けて吐出するリンス液ノズルと、前記ガード昇降ユニットを制御することにより、前記基板上の薬液を前記リンス液ノズルから吐出されたリンス液で置換しているときの前記最短距離を、前記薬液ノズルが薬液を吐出しているときの前記最短距離よりも大きくする制御装置と、をさらに備える。

【0013】

この構成によれば、基板上の薬液をリンス液で置換する。薬液のミストがガードの外に漏れた場合、薬液雰囲気は、リンス液ノズルがリンス液を吐出しているときに、ガードおよび仕切板の上方を漂う。リンス液ノズルがリンス液を吐出しているときは、薬液ノズルが薬液を吐出しているときよりも仕切板の内周端からガードまでの最短距離が大きい。これにより、ガードおよび仕切板の上方を漂う薬液雰囲気を、チャンバーと仕切板との間の隙間と、ガードと仕切板との間の隙間と、の少なくとも一方に吸引できる。

【0014】

リンス液は、薬液以外の液体を意味する。リンス液の具体例は、水を主成分とする水含有液である。水含有液は、純水（脱イオン水：ＤＩＷ（Deionized Water））などの水であってもよい。すなわち、水含有液における水の濃度は、１００％または実質的に１００％であってもよい。低濃度（たとえば１０～１００ｐｐｍ）であれば、水含有液は、水以外の物質を含んでいてもよい。リンス液のミストがチャンバーや基板に付着しても基板の品質に問題がなければ、リンス液は、水含有液以外の液体であってもよい。たとえば、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）やＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）などの有機溶剤（液体）がリンス液であってもよい。

【0015】

前記基板処理装置は、前記チャンバー内における前記仕切板の下側の空間で前記ガードを取り囲む内周面および外周面と、前記内周面および外周面で開口しており、前記排気ダクトを通じて前記チャンバーから排出される気体が通過する排出穴と、前記内周面および外周面で開口しており、前記外周面の外側から前記内周面の内側に移動する気体が通過する排気中継穴と、を含む、筒状外壁をさらに備える。

【0016】

この構成によれば、筒状外壁が仕切板の下側でガードを取り囲んでいる。ガードの上端部の内側を通過した気体は、筒状外壁の排出穴と排気ダクトとを通過し、チャンバーの外に排出される。ガードと仕切板との間を通過した気体も、筒状外壁の排出穴と排気ダクトとを通過し、チャンバーの外に排出される。したがって、これらの気体は、筒状外壁の排気中継穴を通過せずに、チャンバーの外に排出される。

【0017】

その一方で、チャンバーと仕切板との間を通過した気体は、筒状外壁の排気中継穴を通過して、筒状外壁の外側から筒状外壁の内側に移動する。その後、この気体は、筒状外壁の排出穴と排気ダクトとを通過し、チャンバーの外に排出される。したがって、筒状外壁のまわりの気体は、筒状外壁の外側から筒状外壁の内側に移動し、その後、筒状外壁の内側から筒状外壁の外側に移動する。

【0018】

このように、チャンバーと仕切板との間を通過した気体が、筒状外壁の排気中継穴を通過し、その後、筒状外壁の排出穴と排気ダクトとを通過するので、チャンバーと仕切板との間に流入した気体が通過する経路は、ガードの上端部の内側を通過する経路よりも圧力損失が大きい。したがって、ガードの上端部の内側を通過する気体の流量と、ガードと仕切板との間を通過する気体の流量とを増やすことができる。

【0019】

ガードの上端部の内側を通過する気体の流量を増やすことにより、ガードの外に漏れる薬液のミストを減らすことができる。さらに、薬液のミストがガードの外に漏れたとしても、漏れ出たミストは、ガードの上端部からそのまわりに流れる。仕切板の内周端は、仕切板の外周端よりもガードの近くに配置されている。したがって、ガードと仕切板との間を通過する気体の流量を増やすことより、漏れ出た薬液のミストをより確実に除去できる。

【0020】

前記筒状外壁の前記排気中継穴は、前記筒状外壁の前記排出穴よりも小さい。
この構成によれば、筒状外壁の排気中継穴の面積が筒状外壁の排出穴の面積よりも小さい。ガードの上端部の内側を通過した気体とガードと仕切板との間を通過した気体とは、排気中継穴を通過しないのに対して、チャンバーと仕切板との間を通過した気体は、排気中継穴を通過し、その後、排出穴と排気ダクトとを通過する。したがって、チャンバーと仕切板との間に流入した気体が通過する経路の圧力損失が大きい。これにより、ガードの上端部の内側を通過する気体の流量と、ガードと仕切板との間を通過する気体の流量とをさらに増やすことができる。

【0021】

前記筒状外壁は、前記チャンバー内における前記仕切板の下側の空間で前記ガードを取り囲む内周面および外周面と、前記内周面および外周面で開口する貫通穴と、を含む筒状体と、前記貫通穴の一部を覆った状態で前記筒状体に保持されており、前記筒状体に対して移動可能な可動カバーと、を含み、前記排気中継穴は、前記筒状体の前記貫通穴と前記可動カバーとによって形成されており、前記筒状体に対する前記可動カバーの位置に応じて開度が変わる。

【0022】

この構成によれば、筒状外壁の外側から筒状外壁の内側に流れる気体が通過する排気中継穴が、筒状体を貫通する貫通穴と、貫通穴の一部を覆う可動カバーとによって形成されている。筒状体に対して可動カバーを移動させると、排気中継穴の開度が変わり、排気中継穴の圧力損失が増加または減少する。これにより、排気のバランスを変更できる。つまり、ガードの上端部の内側を通過する排気と、ガードと仕切板との間を通過する排気と、チャンバーと仕切板との間を通過する排気と、のバランスを変更することができる。

【0023】

可動カバーは、筒状体の内周面または外周面に沿って平行に移動するスライドカバーであってもよいし、水平または鉛直な直線まわりに開閉する開閉カバーであってもよい。可動カバーがスライドカバーである場合、可動カバーを筒状体に対して移動させると、筒状体の貫通穴において可動カバーに覆われていない部分の面積が変わる。可動カバーが開閉カバーである場合、可動カバーを筒状体に対して移動させると、筒状体と可動カバーと間の隙間の大きさが変わる。これにより、排気中継穴の開度が変わり、排気中継穴の圧力損失が増加または減少する。

【0024】

前記ガードの外周面は、鉛直な直線状の断面を有する円筒状の鉛直部を含み、前記仕切板は、前記チャンバー内における前記ガードのまわりの空間を上下に仕切る水平部と、前記水平部から下方に延びる円筒状の鉛直部とを含み、前記仕切板の前記鉛直部の内周面は、鉛直な直線状の断面を有しており、平面視で前記ガードの前記鉛直部を取り囲んでおり、前記ガードの前記鉛直部が前記鉛直部の前記内周面と水平に向かい合う上側処理位置に前記ガードが配置されているとき、前記仕切板の前記内周端から前記ガードまでの距離は、前記ガードの前記鉛直部と前記鉛直部の前記内周面との間で最も小さい。

【0025】

この構成によれば、仕切板の水平部が、チャンバー内におけるガードのまわりの空間を上下に仕切っており、仕切板の鉛直部が、水平部から下方に延びている。鉛直部の内周面は、平面視でガードの外周面の鉛直部を取り囲んでいる。ガードを上側処理位置に移動させると、ガードの外周面の鉛直部が鉛直部の内側に配置され、鉛直部の内周面と水平に向かい合う。

【0026】

ガードが上側処理位置に配置されているとき、仕切板の内周端からガードまでの距離は、ガードの外周面の鉛直部と鉛直部の内周面との間で最も小さい。言い換えると、ガードが上側処理位置に配置されているときは、鉛直部の内周面からガードの外周面の鉛直部までの径方向（基板の回転軸線に直交する方向）への距離が、仕切板の内周端からガードまでの最短距離に相当する。したがって、ガードと仕切板との間を通る経路の圧力損失は、主として、鉛直部の内周面からガードの外周面の鉛直部までの径方向への距離に依存する。

【0027】

ガードの外周面の鉛直部の断面と鉛直部の内周面の断面とはいずれも鉛直である。さらに、鉛直部が水平部から下方に延びているから、鉛直部の内周面の下端は、水平部よりも下方に配置されている。言い換えると、鉛直部の内周面は、上下方向にある程度の長さを有している。したがって、上下方向へのガードの位置を精密に制御しなくても、ガードの外周面の鉛直部を鉛直部の内周面に水平に対向させることができ、ガードと仕切板との間を通る経路の圧力損失を容易に調整できる。

【0028】

前記仕切板は、前記仕切板の前記水平部および前記鉛直部を含む内周リングと、前記内周リングを支持するサポートプレートと、を含み、前記内周リングは、前記回転軸線に直交する方向である径方向に前記サポートプレートおよびガードに対して移動可能である。
この構成によれば、水平部と鉛直部とを含む内周リングが、サポートプレートに支持されている。内周リングは、サポートプレートに対して径方向に移動可能である。サポートプレートに対して内周リングを径方向に移動させると、内周リングがガードに対して径方向に移動し、鉛直部の内周面からガードの外周面の鉛直部までの径方向への距離が変化する。したがって、仕切板の内周端からガードまでの最短距離を変更することができ、ガードと仕切板との間を通る経路の圧力損失を増加または減少させることができる。

【0029】

前記仕切板の前記鉛直部の前記内周面と前記ガードの前記外周面の前記鉛直部とが水平に向かい合う対向範囲の上下方向の長さは、前記回転軸線まわりの方向である周方向に前記排気ダクトの前記上流端に近づくにしたがって増加している。
この構成によれば、仕切板の鉛直部の内周面とガードの外周面の鉛直部とが水平に向かい合う対向範囲の上下方向の長さ（図６に示す長さＬ１に相当）が、全周にわたって一定ではなく、変化している。仕切板の内周端からガードまでの距離は、仕切板の鉛直部の内周面とガードの外周面の鉛直部との間で最も小さい。したがって、ガードと仕切板との間を通る経路の圧力損失は、全周にわたって一定ではなく、変化している。

【0030】

ガードと仕切板との間を通る経路の圧力損失が排気ダクトの近くで小さいと（ガードと仕切板との間の隙間を下方に通過する気体に加わる抵抗が排気ダクトの近くで小さいと）、排気ダクトの方に気体を吸引する吸引力が排気ダクトの近くで大幅に低下し、排気ダクトの上流端から周方向に離れた位置に伝達される吸引力が大幅に低下する。上下方向における対向範囲の長さが排気ダクトの上流端に周方向に近づくにしたがって増加しているので、この経路の圧力損失は、排気ダクトの上流端に周方向に近づくにしたがって増加する。したがって、排気ダクトの上流端から周方向に離れた位置に伝達される吸引力の低下を減少させることができ、周方向における吸引力の均一性を向上させることができる。

【0031】

前記回転軸線に直交する方向である径方向における前記仕切板の前記鉛直部の前記内周面から前記ガードの前記外周面の前記鉛直部までの距離は、前記回転軸線まわりの方向である周方向に前記排気ダクトの前記上流端に近づくにしたがって減少している。
この構成によれば、仕切板の鉛直部の内周面からガードの外周面の鉛直部までの径方向の距離が、全周にわたって一定ではなく、変化している。仕切板の内周端からガードまでの距離は、仕切板の鉛直部の内周面とガードの外周面の鉛直部との間で最も小さい。したがって、ガードと仕切板との間を通る経路の圧力損失は、全周にわたって一定ではなく、変化している。

【0032】

ガードと仕切板との間を通る経路の圧力損失が排気ダクトの近くで小さいと、排気ダクトの方に気体を吸引する吸引力が排気ダクトの近くで大幅に低下し、排気ダクトの上流端から周方向に離れた位置に伝達される吸引力が大幅に低下する。仕切板の鉛直部の内周面からガードの外周面の鉛直部までの径方向の距離が排気ダクトの上流端に周方向に近づくにしたがって減少しているので、この経路の圧力損失は、排気ダクトの上流端に周方向に近づくにしたがって増加する。したがって、排気ダクトの上流端から周方向に離れた位置に伝達される吸引力の低下を減少させることができ、周方向における吸引力の均一性を向上させることができる。

【0033】

本発明の他の実施形態は、基板を水平に保持しながら、前記基板の中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに回転させるステップと、回転している前記基板に向けて薬液を吐出するステップと、前記基板から外方に飛散した薬液を、前記基板を平面視で取り囲む上端部と、前記上端部に向かって斜め上に延びる円筒状の傾斜部と、を含む筒状のガードに受け止めさせるステップと、前記ガードの内側の気体を、前記ガードを取り囲むチャンバーの内周面から内方に離れた外周端と、前記ガードを取り囲む内周端と、を含み、前記チャンバー内における前記ガードのまわりの空間を上下に仕切る仕切板よりも下方に配置された排気ダクトの上流端内に吸引し、前記チャンバーの外に排出するステップと、前記仕切板の下側の気体を、前記排気ダクトの前記上流端内に吸引し、前記チャンバーの外に排出するステップと、前記基板への薬液の吐出を停止した後に、前記ガードを下降させることにより、前記仕切板の前記内周端から前記ガードまでの最短距離を増加させるステップと、を含む、基板処理方法を提供する。

【0034】

この方法によれば、回転している基板に向けて薬液を吐出する。その後、ガードを下降させる。これにより、仕切板の内周端からガードまでの最短距離が増加し、ガードと仕切板との間を通る経路の圧力損失が減少する。そのため、ガードと仕切板との間を通過する気体の流量が増加する。薬液のミストがガードの外に漏れたとしても、漏れ出たミストは、チャンバーと仕切板との間の隙間と、ガードと仕切板との間の隙間と、の少なくとも一方を下方に通過し、排気ダクト内に吸引される。これにより、漏れ出たミストを確実に除去できる。

【図面の簡単な説明】

【0035】

【図1】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の内部を示す図解的な平面図である。

【図2】図１に示すＩＩ－ＩＩ線に沿う基板処理装置の鉛直断面を示す図解的な断面図である。

【図3】基板処理装置に備えられた処理ユニットの内部を水平に見た模式図である。

【図4A】処理ユニットの内部を示す図解的な平面図である。

【図4B】処理ユニットの内部を示す図解的な平面図である。

【図5】図３の一部を拡大した拡大図である。

【図6】図３の一部をさらに拡大した拡大図である。

【図7】図５に示す矢印ＶＩＩの方向に筒状外壁を見た外観図である。

【図8】処理カップおよび仕切板を上方から見た図解的な平面図である。

【図9】処理ユニット内における気体の流れについて説明するための断面図である。

【図10】基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。

【図11】基板処理装置によって実行される基板の処理の一例について説明するための工程図である。

【図12A】薬液を基板に供給するときの第１ガードおよび第２ガードの位置の一例を示す断面図である。

【図12B】リンス液を基板に供給するときの第１ガードおよび第２ガードの位置の一例を示す断面図である。

【図12C】基板を乾燥させるときの第１ガードおよび第２ガードの位置の一例を示す断面図である。

【図13】本発明の第２実施形態に係る基板処理装置に備えられた処理カップの鉛直断面を示す断面図である。

【図14】本発明の第３実施形態に係る処理カップおよび仕切板の鉛直断面を示す断面図である。

【図15】本発明の第４実施形態に係る処理カップおよび仕切板の鉛直断面を示す断面図である。

【図16】本発明の第５実施形態に係る処理カップの水平断面を示す断面図である。

【図17】本発明の第６実施形態に係る処理カップおよび排気ダクトの水平断面を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0036】

以下では、本発明の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置１の内部を示す図解的な平面図である。図２は、図１に示すＩＩ－ＩＩ線に沿う基板処理装置１の鉛直断面を示す図解的な断面図である。
基板処理装置１は、半導体ウエハなどの円板状の基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉式の装置である。図１に示すように、基板処理装置１は、複数枚の基板Ｗを収容するキャリアＣＡを支持するロードポートＬＰと、ロードポートＬＰ上のキャリアＣＡから搬送された基板Ｗを処理液や処理ガスなどの処理流体で処理する処理ユニット２と、ロードポートＬＰ上のキャリアＣＡと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する搬送システム５と、基板処理装置１を制御する制御装置３とを含む。図１は、複数のロードポートＬＰと複数の処理ユニット２とが基板処理装置１に設けられた例を示している。複数のロードポートＬＰは、直線状に水平に並べられている。

【0037】

複数の処理ユニット２は、それぞれが上下に積層された複数の処理ユニット２を含む複数のタワーＴＷを形成している。図１は、４つのタワーＴＷが形成された例を示している。複数のタワーＴＷの半数は、直線状の搬送路４の右側に配置されており、複数のタワーＴＷの残りの半数は、搬送路４の左側に配置されている。図２に示すように、この例では、各タワーＴＷは、上下に積層された６つの処理ユニット２を含む。したがって、２４台の処理ユニット２が基板処理装置１に設けられている。

【0038】

全てのタワーＴＷの上側の処理ユニット２は、上側処理ユニット群を構成しており、全てのタワーＴＷの下側の処理ユニット２は、下側処理ユニット群を構成している。１つのタワーＴＷを構成する処理ユニット２の数が奇数である場合、真ん中の処理ユニット２は、上側処理ユニット群および下側処理ユニット群のいずれに属していてもよい。図１および図２に示す例では、上側の１２台の処理ユニット２が上側処理ユニット群を構成しており、下側の１２台の処理ユニット２が下側処理ユニット群を構成している。

【0039】

図１に示すように、搬送システム５は、ロードポートＬＰ上のキャリアＣＡと処理ユニット２との間で搬送される基板Ｗが一時的に置かれる基板載置部６と、ロードポートＬＰ上のキャリアＣＡと基板載置部６との間で基板Ｗを搬送するインデクサロボットＩＲと、基板載置部６と処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送するセンターロボットＣＲとを含む。

【0040】

基板載置部６は、平面視でインデクサロボットＩＲとセンターロボットＣＲとの間に配置されている。図２に示すように、基板載置部６は、平面視で互いに重なり合う上側基板載置部６ｕおよび下側基板載置部６Ｌを含む。上側基板載置部６ｕは、下側基板載置部６Ｌの上方に配置されている。上側基板載置部６ｕは、上側処理ユニット群とキャリアＣＡとの間で搬送される基板Ｗを一時的に保持する。下側基板載置部６Ｌは、下側処理ユニット群とキャリアＣＡとの間で搬送される基板Ｗを一時的に保持する。

【0041】

上側基板載置部６ｕおよび下側基板載置部６Ｌは、いずれも、未処理の基板Ｗが置かれる未処理基板載置部７と、処理済みの基板Ｗが置かれる処理済み基板載置部８と含む。未処理基板載置部７および処理済み基板載置部８は、平面視で互いに重なっている。未処理基板載置部７は、処理済み基板載置部８の上方に配置されている。上側基板載置部６ｕおよび下側基板載置部６Ｌの少なくとも一方において、未処理基板載置部７が処理済み基板載置部８の下方に配置されていてもよい。

【0042】

未処理基板載置部７および処理済み基板載置部８は、いずれも、複数枚の基板Ｗを上下に重なるように水平に支持する複数の支持部を含む。支持部は、基板Ｗの下面に接触する複数のピンであってもよいし、基板Ｗの右側および左側で水平に延びる一対のレールであってもよい。基板Ｗは、インデクサロボットＩＲ側およびセンターロボットＣＲ側のいずれからでも未処理基板載置部７内に進入可能であり、インデクサロボットＩＲ側およびセンターロボットＣＲ側のいずれからでも処理済み基板載置部８内に進入可能である。

【0043】

インデクサロボットＩＲは、平面視で基板載置部６とロードポートＬＰとの間に配置されている。インデクサロボットＩＲは、基板Ｗを水平に支持する１つ以上のハンドＨｉを含む。ハンドＨｉは、水平方向および鉛直方向のいずれにも平行に移動可能である。ハンドＨｉは、鉛直な直線まわりに１８０度以上回転可能である。ハンドＨｉは、複数のロードポートＬＰ上のいずれのキャリアＣＡにも基板Ｗの搬入および搬出を行うことができ、いずれの未処理基板載置部７および処理済み基板載置部８にも基板Ｗの搬入および搬出を行うことができる。

【0044】

図２に示すように、センターロボットＣＲは、上側基板載置部６ｕと上側処理ユニット群との間で基板Ｗを搬送する上側センターロボットＣＲｕと、下側基板載置部６Ｌと下側処理ユニット群との間で基板Ｗを搬送する下側センターロボットＣＲＬとを含む。上側センターロボットＣＲｕは、下側センターロボットＣＲＬよりも上方に配置されている。上側センターロボットＣＲｕおよび下側センターロボットＣＲＬは、複数のタワーＴＷの間に形成された搬送路４に配置されている。

【0045】

上側センターロボットＣＲｕおよび下側センターロボットＣＲＬは、いずれも、基板Ｗを水平に支持する１つ以上のハンドＨｃを含む。ハンドＨｃは、水平方向および鉛直方向のいずれにも平行に移動可能である。ハンドＨｃは、鉛直な直線まわりに１８０度以上回転可能である。
上側センターロボットＣＲｕのハンドＨｃは、上側処理ユニット群に属するいずれの処理ユニット２にも基板Ｗの搬入および搬出を行うことができ、上側基板載置部６ｕの未処理基板載置部７および処理済み基板載置部８に基板Ｗの搬入および搬出を行うことができる。下側センターロボットＣＲＬのハンドＨｃは、下側処理ユニット群に属するいずれの処理ユニット２にも基板Ｗの搬入および搬出を行うことができ、下側基板載置部６Ｌの未処理基板載置部７および処理済み基板載置部８に基板Ｗの搬入および搬出を行うことができる。

【0046】

図３は、処理ユニット２の内部を水平に見た模式図である。図４Ａおよび図４Ｂは、処理ユニット２の内部を示す図解的な平面図である。図４Ｂでは、仕切板８１を省略しており、筒状外壁７０を仕切板８１と排気ダクト７８との間に位置する水平な断面で示している。図５は、図３の一部を拡大した拡大図である。図６は、図３の一部をさらに拡大した拡大図である。図７は、図５に示す矢印ＶＩＩの方向に筒状外壁７０を見た外観図である。図８は、処理カップ５２および仕切板８１を上方から見た図解的な平面図である。

【0047】

図３に示すように、処理ユニット２は、内部空間を有する箱型のチャンバー１２と、チャンバー１２内で１枚の基板Ｗを水平に保持しながら基板Ｗの中央部を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに回転させるスピンチャック２１と、スピンチャック２１に保持されている基板Ｗに薬液やリンス液などの処理液を供給する複数のノズルとを含む。
図４Ａに示すように、チャンバー１２は、基板Ｗが通過する搬入搬出口１３ｂが設けられた箱型の隔壁１３と、搬入搬出口１３ｂを開閉するシャッター１７とを含む。図３に示すように、チャンバー１２は、さらに、隔壁１３の天井面で開口する送風口１３ａの下方に配置された整流板１８を含む。クリーンエアー（フィルターによってろ過された空気）を送るＦＦＵ１１（ファン・フィルター・ユニット１１）は、送風口１３ａの上に配置されている。送風口１３ａは、チャンバー１２の上端部に設けられており、後述する排気ダクト７８は、チャンバー１２の下端部に配置されている。排気ダクト７８の上流端７８ｕは、チャンバー１２の中に配置されており、排気ダクト７８の下流端は、チャンバー１２の外に配置されている。

【0048】

隔壁１３は、スピンチャック２１を取り囲む筒状の側壁１５と、スピンチャック２１の上方に配置された上壁１４と、スピンチャック２１の下方に配置された下壁１６と含む。上壁１４の下面は、隔壁１３の天井面に相当し、下壁１６の上面は、隔壁１３の床面に相当する。送風口１３ａは、上壁１４に設けられており、搬入搬出口１３ｂは、側壁１５に設けられている。

【0049】

整流板１８は、チャンバー１２の内部空間を整流板１８の上方の上空間Ｓｕと整流板１８の下方の下空間ＳＬとに仕切っている。隔壁１３の天井面と整流板１８の上面との間の上空間Ｓｕは、クリーンエアーが拡散する拡散空間である。整流板１８の下面と隔壁１３の床面との間の下空間ＳＬは、基板Ｗの処理が行われる処理空間である。スピンチャック２１は、下空間ＳＬに配置されている。隔壁１３の床面から整流板１８の下面までの鉛直方向の距離は、整流板１８の上面から隔壁１３の天井面までの鉛直方向の距離よりも長い。

【0050】

ＦＦＵ１１は、送風口１３ａを介して上空間Ｓｕにクリーンエアーを送る。上空間Ｓｕに供給されたクリーンエアーは、整流板１８に当たって上空間Ｓｕを拡散する。上空間Ｓｕ内のクリーンエアーは、整流板１８を上下に貫通する複数の貫通孔を通過し、整流板１８の全域から下方に流れる。下空間ＳＬに供給されたクリーンエアーは、排気ダクト７８内に吸い込まれ、チャンバー１２から排出される。これにより、整流板１８から下方に流れる均一なクリーンエアーの下降流（ダウンフロー）が、下空間ＳＬに形成される。基板Ｗの処理は、クリーンエアーの下降流が形成されている状態で行われる。

【0051】

スピンチャック２１は、基板Ｗを水平に挟む複数のチャックピン２２と、複数のチャックピン２２を支持する円板状のスピンベース２３とを含む。スピンチャック２１は、さらに、スピンベース２３の中央部から下方に延びるスピン軸２４と、スピン軸２４を回転させることにより複数のチャックピン２２およびスピンベース２３を回転させる電動モータ２５と、電動モータ２５を取り囲むチャックハウジング２６とを含む。

【0052】

図５に示すように、スピンベース２３は、基板Ｗの下方に配置される円形の上面２３ｕと、スピンベース２３の上面２３ｕの外周から下方に延びる円筒状の外周面２３ｏとを含む。チャックハウジング２６の外周面は、スピンベース２３の外周面２３ｏから下方に延びている。スピンベース２３の上面２３ｕは、基板Ｗの下面と平行である。スピンベース２３の上面２３ｕは、基板Ｗの下面から離れている。スピンベース２３の上面２３ｕは、基板Ｗと同心である。スピンベース２３の上面２３ｕの外径は、基板Ｗの外径よりも大きい。チャックピン２２は、スピンベース２３の上面２３ｕの外周部から上方に突出している。

【0053】

図３に示すように、複数のノズルは、基板Ｗの上面に向けて第１薬液を吐出する第１薬液ノズル２７と、基板Ｗの上面に向けて第２薬液を吐出する第２薬液ノズル３１とを含む。複数のノズルは、さらに、基板Ｗの上面に向けて処理液を吐出する中心ノズル４４と、基板Ｗの下面に向けて処理液を吐出する下面ノズル３５とを含む。中心ノズル４４および下面ノズル３５は、基板Ｗの上面または下面に向けてリンス液を吐出するリンス液ノズルの一例である。図３は、第１薬液がＤＨＦ（希フッ酸）であり、第２薬液がＳＣ１（アンモニア過酸化水素水混合液）であり、リンス液が純水（脱イオン水：ＤＩＷ（Deionized Water））である例を示している。

【0054】

第１薬液ノズル２７は、基板Ｗに対する処理液の衝突位置を基板Ｗの上面または下面内で移動させることができるスキャンノズルであってもよいし、基板Ｗに対する処理液の衝突位置を移動させることができない固定ノズルであってもよい。他のノズルについても同様である。図３は、第１薬液ノズル２７および第２薬液ノズル３１がスキャンノズルであり、中心ノズル４４および下面ノズル３５が固定ノズルである例を示している。

【0055】

第１薬液ノズル２７は、第１薬液ノズル２７に第１薬液を案内する第１薬液配管２８に接続されている。第１薬液配管２８に介装された第１薬液バルブ２９が開かれると、第１薬液が、第１薬液ノズル２７の吐出口から下方に連続的に吐出される。同様に、第２薬液ノズル３１は、第２薬液ノズル３１に第２薬液を案内する第２薬液配管３２に接続されている。第２薬液配管３２に介装された第２薬液バルブ３３が開かれると、第２薬液が、第２薬液ノズル３１の吐出口から下方に連続的に吐出される。

【0056】

第１薬液は、硫酸、硝酸、塩酸、フッ酸、リン酸、酢酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（たとえばクエン酸、蓚酸など）、有機アルカリ（たとえば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなど）、界面活性剤、および腐食防止剤の少なくとも１つを含む液であってもよいし、これ以外の液体であってもよい。第２薬液についても同様である。

【0057】

図示はしないが、第１薬液バルブ２９は、薬液が通過する環状の弁座が設けられたバルブボディと、弁座に対して移動可能な弁体と、弁体が弁座に接触する閉位置と弁体が弁座から離れた開位置との間で弁体を移動させるアクチュエータとを含む。他のバルブについても同様である。アクチュエータは、空圧アクチュエータまたは電動アクチュエータであってもよいし、これら以外のアクチュエータであってもよい。制御装置３は、アクチュエータを制御することにより、第１薬液バルブ２９を開閉させる。

【0058】

第１薬液ノズル２７は、鉛直方向および水平方向の少なくとも一方に第１薬液ノズル２７を移動させる第１ノズル移動ユニット３０に接続されている。第１ノズル移動ユニット３０は、第１薬液ノズル２７が先端に取り付けられた水平に延びる第１ノズルアーム３０ａを含む。第１ノズル移動ユニット３０は、第１ノズルアーム３０ａを移動させることにより、第１薬液ノズル２７から吐出された薬液が基板Ｗの上面に供給される処理位置と、第１薬液ノズル２７が平面視でスピンチャック２１のまわりに位置する退避位置と、の間で第１薬液ノズル２７を水平に移動させる。

【0059】

同様に、第２薬液ノズル３１は、鉛直方向および水平方向の少なくとも一方に第２薬液ノズル３１を移動させる第２ノズル移動ユニット３４に接続されている。第２ノズル移動ユニット３４は、第２薬液ノズル３１が先端に取り付けられた水平に延びる第２ノズルアーム３４ａを含む。第２ノズル移動ユニット３４は、第２ノズルアーム３４ａを移動させることにより、第２薬液ノズル３１から吐出された薬液が基板Ｗの上面に供給される処理位置と、第２薬液ノズル３１が平面視でスピンチャック２１のまわりに位置する退避位置と、の間で第２薬液ノズル３１を水平に移動させる。

【0060】

第１ノズル移動ユニット３０は、平面視で基板Ｗの中央部を通る円弧状の経路に沿って第１薬液ノズル２７を水平に移動させる旋回ユニットであってもよいし、平面視で基板Ｗの中央部を通る直線状の経路に沿って第１薬液ノズル２７を水平に移動させるスライドユニットであってもよい。第２ノズル移動ユニット３４についても同様である。図４Ａは、第１ノズル移動ユニット３０および第２ノズル移動ユニット３４の両方が旋回ユニットである例を示している。

【0061】

下面ノズル３５は、スピンベース２３の上面２３ｕと基板Ｗの下面との間に配置された円板部と、円板部から下方に延びる筒状部とを含む。下面ノズル３５の筒状部は、スピンベース２３の中央部を上下に貫通する貫通穴に挿入されている。下面ノズル３５の筒状部は、回転軸線Ａ１に沿って上下に延びている。下面ノズル３５の液吐出口は、下面ノズル３５の円板部の上面中央部で開口している。基板Ｗがスピンチャック２１に保持されている状態では、下面ノズル３５の液吐出口が、基板Ｗの下面中央部に上下に対向する。

【0062】

下面ノズル３５は、下面ノズル３５にリンス液を案内するリンス液配管３６に接続されている。リンス液配管３６に介装されたリンス液バルブ３７が開かれると、リンス液が、下面ノズル３５の吐出口から上方に連続的に吐出される。下面ノズル３５から吐出されるリンス液は、純水である。リンス液は、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、および希釈濃度（たとえば、１０～１００ｐｐｍ程度）の塩酸水、および希釈濃度（たとえば、１０～１００ｐｐｍ程度）のアンモニア水のいずれかであってもよい。

【0063】

スピンベース２３の内周面と下面ノズル３５の外周面は、上下に延びる筒状の気体流路３８を形成している。下筒状通路は、スピンベース２３の上面２３ｕの中央部で開口する中央開口３８ｏを含む。下面ノズル３５の円板部は、中央開口３８ｏの上方に配置されており、平面視で中央開口３８ｏに重なっている。気体流路３８は、不活性ガスをスピンベース２３の中央開口３８ｏに導く気体配管３９に接続されている。気体配管３９に介装された気体バルブ４０が開かれると、不活性ガスが、スピンベース２３の中央開口３８ｏから上方に連続的に吐出される。スピンベース２３の中央開口３８ｏから吐出される不活性ガスは、窒素ガスである。不活性ガスは、ヘリウムガスやアルゴンガスなどの窒素ガス以外のガスであってもよい。

【0064】

処理ユニット２は、さらに、スピンチャック２１の上方に配置された遮断部材４１を含む。図３は、遮断部材４１が円板状の遮断板である例を示している。遮断部材４１は、スピンチャック２１の上方に水平に配置された円板部である。遮断部材４１は、円板部の外周から下方に延びる筒状部をさらに含んでいてもよい。遮断部材４１は、遮断部材４１の中央部から上方に延びる筒状の支軸４２によって水平に支持されている。遮断部材４１の中心線は、基板Ｗの回転軸線Ａ１上に配置されている。遮断部材４１の下面は、基板Ｗの上面に対向する対向面である。遮断部材４１の下面は、基板Ｗの上面と平行であり、基板Ｗの直径以上の外径を有している。

【0065】

遮断部材４１は、遮断部材４１を鉛直に昇降させる遮断部材昇降ユニット４３に接続されている。遮断部材昇降ユニット４３は、退避位置（図３に示す位置）から処理位置までの範囲内の任意の位置に遮断部材４１を位置させる。処理位置は、センターロボットＣＲのハンドＨｃ（図１参照）が基板Ｗと遮断部材４１との間に進入できない高さまで遮断部材４１の下面が基板Ｗの上面に近接する近接位置である。退避位置は、センターロボットＣＲのハンドＨｃが遮断部材４１と基板Ｗとの間に進入可能な高さまで遮断部材４１が退避した離間位置である。処理位置には、液処理位置（図１２Ａ～図１２Ｂに示す位置）と乾燥処理位置（図１２Ｃに示す位置）とが含まれる。液処理位置は、乾燥処理位置と退避位置との間の位置である。

【0066】

中心ノズル４４は、遮断部材４１の下面の中央部で開口する中央開口４７ｏを介して処理液や処理ガスなどの処理流体を基板Ｗに供給する。中心ノズル４４は、回転軸線Ａ１に沿って上下に延びている。中心ノズル４４は、遮断部材４１の中央部を上下に貫通する貫通穴に挿入されている。遮断部材４１の内周面は、径方向（回転軸線Ａ１に直交する方向）に間隔を空けて中心ノズル４４の外周面を取り囲んでいる。中心ノズル４４は、遮断部材４１と共に昇降する。処理流体を吐出する中心ノズル４４の吐出口は、遮断部材４１の中央開口４７ｏの上方に配置されている。

【0067】

中心ノズル４４は、中心ノズル４４にリンス液を案内するリンス液配管４５に接続されている。リンス液配管４５に介装されたリンス液バルブ４６が開かれると、リンス液が、中心ノズル４４の吐出口から下方に連続的に吐出される。中心ノズル４４から吐出されたリンス液は、遮断部材４１の中央開口４７ｏを通過し、基板Ｗの上面に衝突する。中心ノズル４４から吐出されるリンス液は、純水である。純水以外の前述のリンス液が中心ノズル４４から吐出されてもよい。

【0068】

遮断部材４１の内周面と中心ノズル４４の外周面は、上下に延びる筒状の気体流路４７を形成している。気体流路４７は、不活性ガスを遮断部材４１の中央開口４７ｏに導く気体配管４８に接続されている。気体配管４８に介装された気体バルブ４９が開かれると、不活性ガスが、遮断部材４１の中央開口４７ｏから下方に連続的に吐出される。遮断部材４１の中央開口４７ｏから吐出される不活性ガスは、窒素ガスである。不活性ガスは、ヘリウムガスやアルゴンガスなどの窒素ガス以外のガスであってもよい。

【0069】

処理ユニット２は、スピンチャック２１の周囲を取り囲む筒状の処理カップ５２を含む。処理カップ５２は、基板Ｗから外方に飛散した処理液を受け止める複数のガード５３と、複数のガード５３によって下方に案内された処理液を受け止める複数のカップ６８と、全てのガード５３と全てのカップ６８とを取り囲む筒状外壁７０とを含む。図３は、２つのガード５３と２つのカップ６８とが設けられており、最も外側のカップ６８が外側から２番目のガード５３と一体である例を示している。

【0070】

２つのガード５３は、スピンチャック２１を同心円状に取り囲んでいる。２つのカップ６８も、スピンチャック２１を同心円状に取り囲んでいる。以下では、最も外側のガード５３を第１ガード５３Ａといい、残りのガード５３を第２ガード５３Ｂという。同様に、最も外側のカップ６８を第１カップ６８Ａといい、残りのカップ６８を第２カップ６８Ｂという。第１ガード５３Ａおよび第２ガード５３Ｂを総称して、ガード５３といい、第１カップ６８Ａおよび第２カップ６８Ｂを総称して、カップ６８ということがある。

【0071】

図５に示すように、ガード５３は、スピンチャック２１の周囲を取り囲む円筒部５４と、円筒部５４から回転軸線Ａ１に向かって斜め上に延びる円筒状の天井部６０とを含む。天井部６０は、回転軸線Ａ１に向かって斜め上に延びる円筒状の傾斜部６１と、傾斜部６１の上端から回転軸線Ａ１に向かって水平に延びる円形の水平部６２と、天井部６０の内周端に相当する水平部６２の内周端から下方に突出した円形の折り返し部６３とを含む。第１ガード５３Ａの円筒部５４と第２ガード５３Ｂの円筒部５４とは、スピンチャック２１を同心円状に取り囲んでいる。第１ガード５３Ａの天井部６０は、第２ガード５３Ｂの天井部６０の上方に配置されている。

【0072】

第１ガード５３Ａの天井部６０の内周部は、第１ガード５３Ａの上端部５３ｕに相当する。第２ガード５３Ｂの天井部６０の内周部は、第２ガード５３Ｂの上端部に相当する。第１ガード５３Ａの上端部５３ｕと第２ガード５３Ｂの上端部とは、平面視で基板Ｗおよびスピンベース２３を取り囲む円形の開口を形成している。第１ガード５３Ａの上端部５３ｕの内径は、第２ガード５３Ｂの上端部の内径よりも小さい。第１ガード５３Ａの上端部５３ｕの内径は、第２ガード５３Ｂの上端部の内径と等しくてもよい。第１ガード５３Ａの上端部５３ｕの内径と第２ガード５３Ｂの上端部の内径は、スピンベース２３および遮断部材４１の外径よりも大きい。

【0073】

ガード５３の円筒部５４は、天井部６０から下方向に鉛直に延びる円筒状の上側鉛直部５５を含む。第１ガード５３Ａの円筒部５４は、上側鉛直部５５に加えて、天井部６０から下方向に鉛直に延びており、上側鉛直部５５を同心円状に取り囲む円筒状の外側鉛直部５６と、外側鉛直部５６の下端部に設けられたベースリング５７とを含む。第２ガード５３Ｂの円筒部５４は、上側鉛直部５５に加えて、上側鉛直部５５の内周面から回転軸線Ａ１に向かって斜め下に延びる円筒状の中間傾斜部５８と、中間傾斜部５８の下端部から下方向に鉛直に延びる円筒状の下側鉛直部５９とを含む。

【0074】

図６に示すように、第１ガード５３Ａの外周面６４は、鉛直な直線状の断面を有する円筒状の鉛直部６５と、鉛直部６５の上端から上方に延びる外側に凸の円弧状の断面を有する円筒状の円弧部６６と、円弧部６６の上端から回転軸線Ａ１に向かって斜め上に延びる直線状の断面を有する円筒状の傾斜部６７とを含む。鉛直部６５は、第１ガード５３Ａの外側鉛直部５６の外周面である。傾斜部６７は、第１ガード５３Ａの天井部６０の外周面である。円弧部６６は、第１ガード５３Ａの外側鉛直部５６と第１ガード５３Ａの天井部６０との結合部の外周面である。

【0075】

図５に示すように、カップ６８は、スピンチャック２１を取り囲む円筒状の内壁部６９ｉと、径方向に間隔を空けて内壁部６９ｉを取り囲む円筒状の外壁部６９ｏと、内壁部６９ｉの下端部から外壁部６９ｏの下端部に延びる円形の底壁部６９ｂとを含む。内壁部６９ｉ、外壁部６９ｏ、および底壁部６９ｂは、上向きに開いた環状の液受溝を形成している。ガード５３によって受け止められた液体は、液受溝内に流れ落ちる。カップ６８内の液体を排出する排液口は、底壁部６９ｂの上面で開口している。

【0076】

第１カップ６８Ａの内壁部６９ｉは、第２ガード５３Ｂの上側鉛直部５５から下方に延びている。第１カップ６８Ａの内壁部６９ｉは、第２ガード５３Ｂの下側鉛直部５９を取り囲んでいる。第１カップ６８Ａの内壁部６９ｉは、第２カップ６８Ｂの外壁部６９ｏよりも外側に配置されている。
第２カップ６８Ｂの内壁部６９ｉは、チャックハウジング２６の外周面に沿って配置されている。チャックハウジング２６の外周面は、チャックハウジング２６の上端に向かって次第に細くなるテーパー部２６ｔを含む。第２カップ６８Ｂの内壁部６９ｉは、テーパー部２６ｔの下端（外周端）よりも内側に配置されており、平面視でテーパー部２６ｔに重なっている。第２カップ６８Ｂの外壁部６９ｏは、テーパー部２６ｔの下端よりも外側に配置されている。

【0077】

第１ガード５３Ａの上側鉛直部５５は、第１カップ６８Ａの内壁部６９ｉおよび外壁部６９ｏの間に挿入されている。第２ガード５３Ｂの下側鉛直部５９は、第２カップ６８Ｂの内壁部６９ｉおよび外壁部６９ｏの間に挿入されている。第１ガード５３Ａは、第１カップ６８Ａから離れており、第１カップ６８Ａに接触していない。同様に、第２ガード５３Ｂは、第２カップ６８Ｂから離れており、第２カップ６８Ｂに接触していない。第１ガード５３Ａによって受け止められた処理液は、第１ガード５３Ａの上側鉛直部５５を伝って第１カップ６８Ａの中に入る。第２ガード５３Ｂによって受け止められた処理液は、第２ガード５３Ｂの下側鉛直部５９を伝って第２カップ６８Ｂの中に入る。

【0078】

第１ガード５３Ａおよび第２ガード５３Ｂは、チャンバー１２の隔壁１３に対して上下に移動可能である。第１カップ６８Ａは、第２ガード５３Ｂと一体であり、第２ガード５３Ｂと共に上下に移動する。第１カップ６８Ａは、第２ガード５３Ｂとは別の部材であり、隔壁１３に対して固定されていてもよい。第２カップ６８Ｂは、隔壁１３に対して固定されている。第２カップ６８Ｂの底壁部６９ｂは、チャンバー１２の床面（隔壁１３の床面。以下同様）から上方に離れている。第１カップ６８Ａの底壁部６９ｂも、チャンバー１２の床面から上方に離れている。

【0079】

筒状外壁７０は、チャンバー１２の床面から上方に延びている。筒状外壁７０の上端は、スピンベース２３の外周面２３ｏの下端よりも上方に配置されている。筒状外壁７０の上端は、基板Ｗよりも下方に配置されている。筒状外壁７０の内周面７０ｉおよび外周面７０ｏは鉛直である。筒状外壁７０の内周面７０ｉは、径方向に間隔を空けて第１ガード５３Ａの外周面６４を同心円状に取り囲んでいる。筒状外壁７０の外周面７０ｏは、チャンバー１２の側壁１５（隔壁１３の側壁１５。以下同様）から内方に離れている。筒状外壁７０の内周面７０ｉおよび外周面７０ｏは、第１ガード５３Ａの外周面６４と同心の円筒面であってもよいし、第１ガード５３Ａの外周面６４と同心の円弧状に形成された２つ以上の帯状面と２つ以上の帯状面を接続する２つ以上の接続面とを含んでいてもよい。

【0080】

図３に示すように、複数のガード５３は、複数のガード５３を鉛直方向に個別に昇降させるガード昇降ユニット５１に接続されている。ガード昇降ユニット５１は、処理位置から退避位置までの範囲内の任意の位置にガード５３を位置させる。図３は、第１ガード５３Ａおよび第２ガード５３Ｂが退避位置に配置された状態を示している。処理位置は、スピンチャック２１に保持されている基板Ｗが配置される基板Ｗの保持位置よりもガード５３の上端が上方に配置される位置である。退避位置は、ガード５３の上端が基板Ｗの保持位置よりも下方に配置される位置である。

【0081】

処理位置には、上側処理位置（図１２Ａに示す位置）と下側処理位置（図１２Ｂに示す位置）とが含まれる。上側処理位置および下側処理位置は、いずれも、ガード５３の上端が基板Ｗの保持位置よりも上方に配置される位置である。上側処理位置は、下側処理位置よりも上方の位置である。第１ガード５３Ａの内側に位置する第２ガード５３Ｂの上側処理位置は、上側処理位置に位置する第１ガード５３Ａの折り返し部６３が、第１ガード５３Ａの天井部６０と第２ガード５３Ｂの天井部６０との間の隙間の入口を塞ぐ位置である。第２ガード５３Ｂの下側処理位置は、下側処理位置に位置する第１ガード５３Ａの折り返し部６３が、第１ガード５３Ａの天井部６０と第２ガード５３Ｂの天井部６０との間の隙間の入口を塞ぐ位置である。

【0082】

回転している基板Ｗに処理液を供給するときは、少なくとも一つのガード５３が処理位置に配置される。この状態で、処理液が基板Ｗに供給されると、処理液は、基板Ｗから外方に振り切られる。振り切られた処理液は、基板Ｗに水平に対向するガード５３の内面に衝突し、このガード５３に対応するカップ６８に案内される。これにより、基板Ｗから排出された処理液がカップ６８に集められる。

【0083】

図３に示すように、処理ユニット２は、チャンバー１２内の気体を排出する排気ダクト７８を含む。排気ダクト７８は、筒状外壁７０に接続されている。排気ダクト７８は、基板Ｗよりも下方に配置されている。排気ダクト７８は、チャンバー１２の側壁１５を貫通している。排気ダクト７８は、筒状外壁７０からチャンバー１２の外まで水平に延びている。排気ダクト７８は、基板処理装置１が設置される工場に設けられた排気設備に接続されている。チャンバー１２内の気体（ミスト状の液体を含む）は、排気設備の吸引力で排気ダクト７８の上流端７８ｕを通じて排気ダクト７８内に吸い込まれ、排気ダクト７８によって排気設備の方に案内される。

【0084】

排気ダクト７８は、筒状外壁７０を径方向に貫通する排出穴７２に挿入されている。排気ダクト７８は、筒状外壁７０の内周面７０ｉから突出している。排気ダクト７８の上流端７８ｕは、筒状外壁７０の内側に配置されている。排気ダクト７８の上流端７８ｕは、第１ガード５３Ａの外周端よりも外側に配置されている。排気ダクト７８の上流端７８ｕは、チャンバー１２内の気体を吸引する排気口を形成している。排気ダクト７８の排気口と筒状外壁７０の排出穴７２とが重なり合うのであれば、排気ダクト７８の上流端７８ｕは、筒状外壁７０の外周面７０ｏに接続されていてもよい。排気ダクト７８に形成された排気口の数は１つである。複数の排気口が排気ダクト７８に形成されてもよい。

【0085】

図５に示すように、筒状外壁７０は、第１ガード５３Ａおよび第２ガード５３Ｂを取り囲む筒状体７１と、筒状体７１に取り付けられたスライドカバー７５とを含む。筒状体７１の内周面および外周面は、筒状外壁７０の内周面７０ｉおよび外周面７０ｏに相当する。排出穴７２（図３参照）は、筒状体７１に形成されている。スライドカバー７５は、筒状体７１を径方向に貫通する貫通穴７４の一部を覆っている。筒状体７１の貫通穴７４とスライドカバー７５とは、筒状外壁７０の外側から筒状外壁７０の内側に流れる気体が通過する排気中継穴７３を形成している。

【0086】

スライドカバー７５は、筒状外壁７０の外側に配置されており、ボルト７７によって筒状外壁７０に固定されている。図７に示すように、ボルト７７は、スライドカバー７５に形成された長孔７６に挿入されている。図７は、スライドカバー７５の長孔７６が周方向（回転軸線Ａ１まわりの方向）に延びる例を示している。スライドカバー７５は、ボルト７７と長孔７６とが相対移動できる範囲内で筒状外壁７０に対して移動可能である。

【0087】

排気中継穴７３は、筒状体７１の貫通穴７４においてスライドカバー７５で覆われていない部分に相当する。スライドカバー７５を筒状外壁７０に固定するボルト７７を緩めて、スライドカバー７５を筒状外壁７０に対して移動させると、貫通穴７４においてスライドカバー７５で覆われた部分の面積が変わる。これにより、排気中継穴７３の面積が調整される。その後、ボルト７７を締めると、スライドカバー７５が再び筒状外壁７０に固定される。

【0088】

図７は、貫通穴７４およびスライドカバー７５が四角形状であり、スライドカバー７５が周方向に移動可能である例を示している。貫通穴７４においてスライドカバー７５で塞がれていない部分の面積が小さいと、上下に延びるスリットが筒状外壁７０およびスライドカバー７５によって形成される。このスリットが排気中継穴７３に相当する。排気中継穴７３の面積は、排気ダクト７８の上流端７８ｕによって形成された排気口の面積よりも小さい。排気中継穴７３の面積は、排気口の面積以上であってもよい。

【0089】

図４Ｂに示すように、筒状外壁７０は、平面視で第１ガード５３Ａを同心円状に取り囲む円筒部９１と、円筒部９１から外側に突出した一対の突出部９２とを含む。一対の突出部９２は、基板Ｗの回転中心に相当する回転軸線Ａ１に対して平面視で互いに反対側に配置されている。円筒部９１の内周面９１ｉは、平面視において径方向に間隔を空けて第１ガード５３Ａの外周面６４と直接向かい合っている。径方向における円筒部９１の内周面９１ｉと第１ガード５３Ａの外周面６４との間隔は、一定または概ね一定である。前述の排出穴７２（図３参照）および貫通穴７４（図５参照）は、円筒部９１を径方向に貫通している。排気ダクト７８は、円筒部９１の外周面からチャンバー１２の内周面１２ｉに向かって延びている。

【0090】

各突出部９２は、円筒部９１よりも外側に配置された最外壁９４と、円筒部９１から最外壁９４に延びる一対の側壁９３とを含む。水平な断面において、側壁９３は、側壁９３の内端から側壁９３の外端まで直線状に延びている。最外壁９４は、一方の側壁９３の外端から他方の側壁９３の外端に延びている。径方向における最外壁９４の内面と第１ガード５３Ａの外周面６４との間隔は、径方向における円筒部９１の内周面９１ｉと第１ガード５３Ａの外周面６４との間隔よりも大きい。側壁９３の内面と円筒部９１の内周面９１ｉとによって形成されたコーナー部の角度は、たとえば、９０度または概ね９０度である。

【0091】

ガード昇降ユニット５１は、筒状外壁７０の一対の突出部９２に収容されている。ガード昇降ユニット５１は、電力や空気圧などのエネルギーを出力部の運動に変換する昇降アクチュエータ９８と、昇降アクチュエータ９８の出力部の運動をガード５３に伝達する伝達機構９５とを含む。昇降アクチュエータ９８および伝達機構９５は、ガード５３ごとに２つずつ設けられている。同じガード５３に対応する２つの伝達機構９５は、回転軸線Ａ１に対して互いに反対側に配置されている。２つの伝達機構９５は、一方の突出部９２と第１ガード５３Ａとの間に配置されており、残り２つの伝達機構９５は、他方の突出部９２と第１ガード５３Ａとの間に配置されている。

【0092】

昇降アクチュエータ９８は、エネルギーを出力部の直線運動に変換するリニアアクチュエータであってもよいし、エネルギーを出力部の回転運動に変換するロータリーアクチュエータであってもよい。昇降アクチュエータ９８が電動モータなどのロータリーアクチュエータである場合、伝達機構９５は、昇降アクチュエータ９８の出力部の回転を上下方向へのガード５３の運動に変換する変換機構を備えている。変換機構は、ボールねじ機構またはラックアンドピニオン機構であってもよいし、これら以外であってもよい。

【0093】

図４Ｂは、昇降アクチュエータ９８が電動モータであり、伝達機構９５の変換機構がラックアンドピニオン機構である例を示している。ラックアンドピニオン機構は、昇降アクチュエータ９８によって回転駆動されるピニオン９７と、ピニオン９７の回転に応じて軸方向に移動するラック軸９６とを含む。２本のラック軸９６は、一方の突出部９２と第１ガード５３Ａとの間に配置されており、残りの２本のラック軸９６は、他方の突出部９２と第１ガード５３Ａとの間に配置されている。４本のラック軸９６は、鉛直な姿勢で支持されている。

【0094】

第１ガード５３Ａに対応する２本のラック軸９６は、ラック軸９６ごとに設けられたブラケットを介して第１ガード５３Ａに連結されている。第２ガード５３Ｂ（図５参照）に対応する２本のラック軸９６は、ラック軸９６ごとに設けられたブラケットを介して第２ガード５３Ｂに連結されている。昇降アクチュエータ９８がピニオン９７を回転させると、ピニオン９７の回転角に対応する移動量だけラック軸９６がピニオン９７に対して上方または下方に移動し、ラック軸９６の運動がガード５３に伝達される。制御装置３（図１参照）は、同じガード５３に対応する２つの昇降アクチュエータ９８を制御することにより、第１ガード５３Ａまたは第２ガード５３Ｂを処理位置から退避位置までの範囲内の任意の位置で静止させる。

【0095】

図５に示すように、処理ユニット２は、チャンバー１２内における第１ガード５３Ａのまわりの空間を上下に仕切る仕切板８１を含む。仕切板８１は、第１ガード５３Ａのまわりに配置されている。仕切板８１は、第１ガード５３Ａの外周面６４と水平に向かい合う内周リング８３と、内周リング８３を支持するサポートプレート８２とを含む。内周リング８３およびサポートプレート８２は、第１ガード５３Ａを取り囲んでいる。内周リング８３は、サポートプレート８２に固定されている。内周リング８３およびサポートプレート８２は、チャンバー１２内における第１ガード５３Ａのまわりの空間を上下に仕切っている。

【0096】

サポートプレート８２は、筒状外壁７０の上方に配置されている。サポートプレート８２は、筒状外壁７０の上に置かれており、筒状外壁７０に支持されている。サポートプレート８２は、チャンバー１２の隔壁１３に固定されている。サポートプレート８２は、一体の一つの部材であってもよいし、複数の分割体であってもよい。サポートプレート８２の上面は、サポートプレート８２の内周端からサポートプレート８２の外周端まで水平な平面である。サポートプレート８２の上面は、基板Ｗの回転軸線Ａ１に向かって斜め上にまたは斜め下に延びる平坦な傾斜面であってもよいし、水平で平坦な水平部と水平面に対して斜めに傾いた傾斜部とを含んでいてもよい。

【0097】

サポートプレート８２の外周面は、仕切板８１の外周端８１ｏに相当する。仕切板８１の外周端８１ｏは、チャンバー１２の内周面１２ｉ（隔壁１３の側壁１５の内周面。以下同様）に沿って配置されている。仕切板８１の外周端８１ｏは、チャンバー１２の内周面１２ｉから水平に離れており、チャンバー１２の内周面１２ｉと水平に向かい合っている。チャンバー１２の内周面１２ｉと仕切板８１の外周端８１ｏとの間の外側隙間Ｇｏの大きさは、場所にかかわらず一定または概ね一定である。外側隙間Ｇｏは、基板Ｗの厚みよりも大きく、仕切板８１の外周端８１ｏから仕切板８１の内周端８１ｉまでの径方向への最短距離よりも小さい。

【0098】

内周リング８３は、第１ガード５３Ａの外周面６４と径方向に向かい合う鉛直部８５と、鉛直部８５からサポートプレート８２の方に延びる水平部８４とを含む。鉛直部８５は、サポートプレート８２の内側に配置されており、サポートプレート８２に取り囲まれている。水平部８４は、平面視でサポートプレート８２に重なっており、サポートプレート８２に接している。水平部８４は、サポートプレート８２の内周端から第１ガード５３Ａの方に突出している。水平部８４は、サポートプレート８２の上方に配置されている。水平部８４は、サポートプレート８２の下方に配置されていてもよい。図５に示す例の場合、水平部８４の上面が仕切板８１の上端に相当する。仕切板８１の上端は、基板Ｗよりも下方に配置されている。

【0099】

鉛直部８５は、平面視で第１ガード５３Ａを取り囲んでいる。鉛直部８５は、第１ガード５３Ａのベースリング５７の上方に配置されており、平面視でベースリング５７に重なっている。鉛直部８５の内径は、第１ガード５３Ａの外側鉛直部５６の外径よりも大きく、第１ガード５３Ａのベースリング５７の外径よりも小さい。鉛直部８５の内周面は、第１ガード５３Ａの外周面６４と同心または概ね同心の円筒状である。

【0100】

鉛直部８５の内周面は、内周リング８３の内周面８３ｉに相当する。内周リング８３の内周面８３ｉは、内周リング８３の内周面８３ｉの上端から内周リング８３の内周面８３ｉの下端まで鉛直である。内周リング８３の内周面８３ｉの上端は、基板Ｗよりも下方に配置されている。内周リング８３の内周面８３ｉの上端は、筒状外壁７０の上端よりも上方に配置されている。内周リング８３の内周面８３ｉの下端は、筒状外壁７０の上端よりも下方に配置されている。内周リング８３の内周面８３ｉの下端は、スピンベース２３の外周面２３ｏの下端よりも上方に配置されている。

【0101】

前述のように、第１ガード５３Ａおよび第２ガード５３Ｂは、上側処理位置から退避位置までの範囲内の任意の位置で静止する。下側処理位置は、上側処理位置と退避位置との間の位置である。上側処理位置および下側処理位置は、いずれも、ガード５３の上端が基板Ｗよりも上方に配置される位置である。退避位置は、ガード５３の上端が基板Ｗよりも下方に配置される位置である。

【0102】

第１ガード５３Ａがいずれの位置に配置されているときでも、内周リング８３の内周面８３ｉの少なくとも一部は、第１ガード５３Ａの外周面６４と等しい高さに配置されている。図６に示すように、第１ガード５３Ａが上側処理位置に配置されると、第１ガード５３Ａの外周面６４の鉛直部６５が径方向に間隔を空けて内周リング８３の内周面８３ｉと水平に向かい合う。第１ガード５３Ａの外周面６４の鉛直部６５と内周リング８３の内周面８３ｉとの両方が鉛直であるから、このとき、鉛直に延びる円筒状の内側隙間Ｇｉが、第１ガード５３Ａと内周リング８３との間に形成される。第１ガード５３Ａが上側処理位置に配置されたとき、鉛直部８５は、第１ガード５３Ａのベースリング５７から上方に離れている。

【0103】

第１ガード５３Ａが上側処理位置に配置されたとき、内周リング８３の内周面８３ｉは、仕切板８１のうちで最も第１ガード５３Ａに近づいている。したがって、内周リング８３の内周面８３ｉと第１ガード５３Ａの外周面６４の鉛直部６５との間の内側隙間Ｇｉは、第１ガード５３Ａと仕切板８１との間の隙間のうちで最も小さい最小隙間に相当する。内周リング８３の内周面８３ｉから第１ガード５３Ａの外周面６４の鉛直部６５までの径方向の距離は、内側隙間Ｇｉの大きさＤ１に相当する。

【0104】

内周リング８３の内周面８３ｉは、仕切板８１の内周端８１ｉに相当する。仕切板８１の内周端８１ｉと第１ガード５３Ａの外周面６４の鉛直部６５との間の内側隙間Ｇｉは、基板Ｗの厚みよりも大きく、仕切板８１の外周端８１ｏから仕切板８１の内周端８１ｉまでの径方向への最短距離よりも小さい。内側隙間Ｇｉは、外側隙間Ｇｏ（図５参照）より小さくてもまたは大きくてもよいし、外側隙間Ｇｏと等しくてもよい。

【0105】

鉛直部８５の内径および第１ガード５３Ａの外周面６４の鉛直部６５の外径が一定であれば、内側隙間Ｇｉの大きさＤ１と内側隙間Ｇｉの断面積（水平面に沿う内側隙間Ｇｉの断面の面積）とは、第１ガード５３Ａの高さ（上下方向への第１ガード５３Ａの位置。以下同様）にかかわらず一定である。これに対して、内側隙間Ｇｉの長さＬ１（上下方向への内側隙間Ｇｉの長さＬ１。以下同様）は、第１ガード５３Ａの高さに応じて変化する。たとえば、図６に示す位置よりも第１ガード５３Ａを上方に位置させると、内側隙間Ｇｉが上下方向に長くなる。

【0106】

第１ガード５３Ａの外周面６４の鉛直部６５が内周リング８３の内周面８３ｉに水平に対向する範囲内で第１ガード５３Ａの高さを変えると、内側隙間Ｇｉの大きさＤ１および断面積は変わらず、内側隙間Ｇｉの長さＬ１が増加または減少する。内側隙間Ｇｉの長さＬ１と第１ガード５３Ａの高さとは正比例の関係にある。つまり、第１ガード５３Ａを上下に移動させると、内側隙間Ｇｉの長さＬ１は、第１ガード５３Ａの移動量に正の定数をかけた値だけ増加または減少する。したがって、第１ガード５３Ａの外周面６４の鉛直部６５と内周リング８３の内周面８３ｉとの少なくとも一方が斜めに傾いている場合と比較して、内側隙間Ｇｉの圧力損失を容易に調整できる。

【0107】

第１ガード５３Ａを下側処理位置に配置したとき、第１ガード５３Ａの外周面６４の鉛直部６５は、径方向に間隔を空けて内周リング８３の内周面８３ｉと水平に向かい合ってもよいし、内周リング８３の内周面８３ｉと水平に向かい合っていなくてもよい。つまり、第１ガード５３Ａの外周面６４の鉛直部６５の上端が、内周リング８３の内周面８３ｉの下端よりも下方に配置されてもよい。第１ガード５３Ａの外周面６４の鉛直部６５が径方向に間隔を空けて内周リング８３の内周面８３ｉと水平に向かい合う場合、内側隙間Ｇｉの長さＬ１は、第１ガード５３Ａが上側処理位置に配置されているときよりも短い。

【0108】

第１ガード５３Ａが上側処理位置および下側処理位置のいずれかに配置されているとき、第１ガード５３Ａと仕切板８１との間を通る経路の圧力損失は、第１ガード５３Ａが退避位置に配置されているときよりも大きい。第１ガード５３Ａと仕切板８１との間を通る経路の圧力損失は、内側隙間Ｇｉの断面積に応じて変化する。内側隙間Ｇｉの断面積が同じであれば、この圧力損失は、内側隙間Ｇｉの長さＬ１に応じて変化する。したがって、第１ガード５３Ａが上側処理位置に配置されているとき、第１ガード５３Ａと仕切板８１との間を通る経路の圧力損失は、第１ガード５３Ａが下側処理位置に配置されているときよりも大きい。

【0109】

内周リング８３は、一体の一つの部材であってもよいし、複数の分割体であってもよい。内周リング８３は、サポートプレート８２と一体であってもよい。この場合、内周リング８３の鉛直部８５がサポートプレート８２の内周端から下方に延びていてもよい。図８は、内周リング８３が周方向に並んだ円弧状の３つの分割リング８３ｒに分割されており、それぞれの分割リング８３ｒがボルト８７によってサポートプレート８２に固定された例を示している。

【0110】

分割リング８３ｒをサポートプレート８２に固定するボルト８７は、分割リング８３ｒに設けられた長孔８６に挿入されている。分割リング８３ｒの長孔８６は、径方向に延びている。分割リング８３ｒは、ボルト８７と長孔８６とが相対移動できる範囲内でサポートプレート８２に対して移動可能である。ボルト８７を緩めて、分割リング８３ｒをサポートプレート８２に径方向に対して移動させると、第１ガード５３Ａの外周面６４の鉛直部６５から内周リング８３の内周面８３ｉまでの径方向の距離が変化する。これにより、内側隙間Ｇｉの大きさＤ１および断面積を調整できる。

【0111】

図９は、処理ユニット２内における気体の流れについて説明するための断面図である。以下では、図３および図９を参照する。図９は、第１ガード５３Ａおよび第２ガード５３Ｂが上側処理位置に配置された状態を示している。
排気ダクト７８は、基板処理装置１が設置される工場に設けられた排気設備に接続されている。第１ガード５３Ａの上側の気体は、排気設備の吸引力で第１ガード５３Ａの上端部５３ｕの方に吸い寄せられ、第１ガード５３Ａの上端部５３ｕの内側を下方に通過する。図９中の気流Ｆ１は、第１ガード５３Ａの上端部５３ｕの内側を通過する気流を示している。第１ガード５３Ａの上端部５３ｕの内側を通過した気体は、全てのガード５３の内側および下側を通過した後、もしくは、径方向に隣接する２つのガード５３の間を通過した後、排気ダクト７８内に吸引される。

【0112】

その一方で、仕切板８１の内周端８１ｉを構成する内周リング８３が第１ガード５３Ａから離れており、第１ガード５３Ａと仕切板８１との間に内側隙間Ｇｉが形成されているので、第１ガード５３Ａおよび仕切板８１の上側の気体は、排気設備の吸引力で第１ガード５３Ａと仕切板８１との間の内側隙間Ｇｉの方に吸い寄せられ、内側隙間Ｇｉを下方に通過する。図９中の気流Ｆ２は、内側隙間Ｇｉを通過する気流を示している。内側隙間Ｇｉを通過した気体は、排気ダクト７８内に吸引される。

【0113】

さらに、筒状外壁７０を径方向に貫通する排気中継穴７３が筒状外壁７０に形成されており、仕切板８１の外周端８１ｏを構成するサポートプレート８２がチャンバー１２の内周面１２ｉから離れているので、仕切板８１の上側の気体は、排気設備の吸引力でチャンバー１２と仕切板８１との間の外側隙間Ｇｏの方に吸い寄せられ、外側隙間Ｇｏを下方に通過する。その後、この気体は、排気中継穴７３から筒状外壁７０の内側に吸い込まれ、排気ダクト７８内に吸引される。図９中の気流Ｆ３は、チャンバー１２と仕切板８１との間の外側隙間Ｇｏを通過し、その後、排気中継穴７３を通過する気流を示している。

【0114】

チャンバー１２と仕切板８１との間の外側隙間Ｇｏの大きさは、第１ガード５３Ａの高さにかかわらず一定である。これに対して、第１ガード５３Ａと仕切板８１との間の内側隙間Ｇｉの大きさＤ１（図６参照）は、第１ガード５３Ａの高さに応じて変化する。さらに、第１ガード５３Ａの外周面６４の鉛直部６５が内周リング８３の内周面８３ｉに水平に対向する範囲内で第１ガード５３Ａの高さを変えると、内側隙間Ｇｉの長さＬ１（図６参照）だけが変化する。したがって、第１ガード５３Ａの高さを変えることで、内側隙間Ｇｉの圧力損失を変更でき、内側隙間Ｇｉに流入する気体の流量を変化させることができる。

【0115】

図１０は、基板処理装置１の電気的構成を示すブロック図である。
制御装置３は、コンピュータ本体３ａと、コンピュータ本体３ａに接続された周辺装置３ｄとを含む、コンピュータである。コンピュータ本体３ａは、各種の命令を実行するＣＰＵ３ｂ（central processing unit：中央処理装置）と、情報を記憶するメモリー３ｃとを含む。周辺装置３ｄは、プログラムＰ等の情報を記憶するストレージ３ｅと、リムーバブルメディアＲＭから情報を読み取るリーダー３ｆと、ホストコンピュータ等の他の装置と通信する通信装置３ｇとを含む。

【0116】

制御装置３は、入力装置および表示装置に接続されている。入力装置は、ユーザーやメンテナンス担当者などの操作者が基板処理装置１に情報を入力するときに操作される。情報は、表示装置の画面に表示される。入力装置は、キーボード、ポインティングデバイス、およびタッチパネルのいずれかであってもよいし、これら以外の装置であってもよい。入力装置および表示装置を兼ねるタッチパネルディスプレイが基板処理装置１に設けられてもよい。

【0117】

ＣＰＵ３ｂは、ストレージ３ｅに記憶されたプログラムＰを実行する。ストレージ３ｅ内のプログラムＰは、制御装置３に予めインストールされたものであってもよいし、リーダー３ｆを通じてリムーバブルメディアＲＭからストレージ３ｅに送られたものであってもよいし、ホストコンピュータなどの外部装置から通信装置３ｇを通じてストレージ３ｅに送られたものであってもよい。

【0118】

ストレージ３ｅおよびリムーバブルメディアＲＭは、電力が供給されていなくても記憶を保持する不揮発性メモリーである。ストレージ３ｅは、たとえば、ハードディスクドライブ等の磁気記憶装置である。リムーバブルメディアＲＭは、たとえば、コンパクトディスクなどの光ディスクまたはメモリーカードなどの半導体メモリーである。リムーバブルメディアＲＭは、プログラムＰが記録されたコンピュータ読取可能な記録媒体の一例である。リムーバブルメディアＲＭは、一時的ではない有形の記録媒体（non-transitory tangible media）である。

【0119】

ストレージ３ｅは、複数のレシピを記憶している。レシピは、基板Ｗの処理内容、処理条件、および処理手順を規定する情報である。複数のレシピは、基板Ｗの処理内容、処理条件、および処理手順の少なくとも一つにおいて互いに異なる。制御装置３は、ホストコンピュータによって指定されたレシピにしたがって基板Ｗが処理されるように基板処理装置１を制御する。制御装置３は、後述する各工程を実行するようにプログラムされている。

【0120】

図１１は、基板処理装置１によって実行される基板Ｗの処理の一例について説明するための工程図である。以下では、図３および図１１を参照する。
処理される基板Ｗは、たとえば、シリコンウエハなどの半導体ウエハである。基板Ｗの表面は、トランジスタやキャパシタ等のデバイスが形成されるデバイス形成面に相当する。基板Ｗは、パターン形成面である基板Ｗの表面にパターンが形成された基板Ｗであってもよいし、基板Ｗの表面にパターンが形成されていない基板Ｗであってもよい。

【0121】

基板処理装置１によって基板Ｗが処理されるときは、チャンバー１２内に基板Ｗを搬入する搬入工程（図１１のステップＳ１）が行われる。
具体的には、遮断部材４１が退避位置に位置しており、全てのガード５３が退避位置に位置しており、全てのスキャンノズルが退避位置に位置している状態で、センターロボットＣＲ（図１参照）が、基板ＷをハンドＨｃで支持しながら、ハンドＨｃをチャンバー１２内に進入させる。そして、センターロボットＣＲは、基板Ｗの表面が上に向けられた状態でハンドＨｃ上の基板Ｗを複数のチャックピン２２の上に置く。その後、複数のチャックピン２２が基板Ｗの外周面に押し付けられ、基板Ｗが把持される。センターロボットＣＲは、基板Ｗをスピンチャック２１の上に置いた後、ハンドＨｃをチャンバー１２の内部から退避させる。

【0122】

次に、気体バルブ４９および気体バルブ４０が開かれ、遮断部材４１の中央開口４７ｏとスピンベース２３の中央開口３８ｏとが窒素ガスの吐出を開始する。これにより、基板Ｗと遮断部材４１との間の空間と基板Ｗとスピンベース２３との間の空間が窒素ガスで満たされる。その一方で、遮断部材昇降ユニット４３が遮断部材４１を退避位置から液処理位置に下降させ、ガード昇降ユニット５１が少なくとも一つのガード５３を退避位置から処理位置に上昇させる。その後、電動モータ２５が駆動され、基板Ｗの回転が開始される（図１１のステップＳ２）。

【0123】

次に、第１薬液の一例であるＤＨＦを基板Ｗの上面に供給する第１薬液供給工程が行われる（図１１のステップＳ３）。
具体的には、遮断部材４１が液処理位置に位置しており、少なくとも一つのガード５３が処理位置に位置している状態で、第１ノズル移動ユニット３０が第１薬液ノズル２７を退避位置から処理位置に移動させる。その後、第１薬液バルブ２９が開かれ、第１薬液ノズル２７がＤＨＦの吐出を開始する。第１薬液バルブ２９が開かれてから所定時間が経過すると、第１薬液バルブ２９が閉じられ、ＤＨＦの吐出が停止される。その後、第１ノズル移動ユニット３０が、第１薬液ノズル２７を退避位置に移動させる。

【0124】

第１薬液ノズル２７から吐出されたＤＨＦは、第１薬液供給速度で回転している基板Ｗの上面に衝突した後、遠心力によって基板Ｗの上面に沿って外方に流れる。そのため、ＤＨＦが基板Ｗの上面全域に供給され、基板Ｗの上面全域を覆うＤＨＦの液膜が形成される。第１薬液ノズル２７がＤＨＦを吐出しているとき、第１ノズル移動ユニット３０は、基板Ｗの上面に対するＤＨＦの着液位置が中央部と外周部とを通るように着液位置を移動させてもよいし、中央部で着液位置を静止させてもよい。

【0125】

次に、リンス液の一例である純水を基板Ｗの上面に供給する第１リンス液供給工程が行われる（図１１のステップＳ４）。
具体的には、遮断部材４１が液処理位置に位置しており、少なくとも一つのガード５３が処理位置に位置している状態で、リンス液バルブ４６が開かれ、中心ノズル４４が純水の吐出を開始する。純水の吐出が開始される前に、ガード昇降ユニット５１は、基板Ｗから外方に飛散した液体を受け止めるガード５３を切り替えるために、少なくとも一つのガード５３を鉛直に移動させてもよい。中心ノズル４４から吐出された純水は、第１リンス液供給速度で回転している基板Ｗの上面中央部に衝突した後、基板Ｗの上面に沿って外方に流れる。基板Ｗ上のＤＨＦは、中心ノズル４４から吐出された純水によって洗い流される。これにより、基板Ｗの上面全域を覆う純水の液膜が形成される。リンス液バルブ４６が開かれてから所定時間が経過すると、リンス液バルブ４６が閉じられ、純水の吐出が停止される。

【0126】

次に、第２薬液の一例であるＳＣ１を基板Ｗの上面に供給する第２薬液供給工程が行われる（図１１のステップＳ５）。
具体的には、遮断部材４１が液処理位置に位置しており、少なくとも一つのガード５３が処理位置に位置している状態で、第２ノズル移動ユニット３４が第２薬液ノズル３１を退避位置から処理位置に移動させる。その後、第２薬液バルブ３３が開かれ、第２薬液ノズル３１がＳＣ１の吐出を開始する。ＳＣ１の吐出が開始される前に、ガード昇降ユニット５１は、基板Ｗから外方に飛散した液体を受け止めるガード５３を切り替えるために、少なくとも一つのガード５３を鉛直に移動させてもよい。第２薬液バルブ３３が開かれてから所定時間が経過すると、第２薬液バルブ３３が閉じられ、ＳＣ１の吐出が停止される。その後、第２ノズル移動ユニット３４が、第２薬液ノズル３１を退避位置に移動させる。

【0127】

第２薬液ノズル３１から吐出されたＳＣ１は、第２薬液供給速度で回転している基板Ｗの上面に衝突した後、遠心力によって基板Ｗの上面に沿って外方に流れる。基板Ｗ上の純水は、第２薬液ノズル３１から吐出されたＳＣ１に置換される。これにより、基板Ｗの上面全域を覆うＳＣ１の液膜が形成される。第２薬液ノズル３１がＳＣ１を吐出しているとき、第２ノズル移動ユニット３４は、基板Ｗの上面に対するＳＣ１の着液位置が中央部と外周部とを通るように着液位置を移動させてもよいし、中央部で着液位置を静止させてもよい。

【0128】

次に、リンス液の一例である純水を基板Ｗの上面に供給する第２リンス液供給工程が行われる（図１１のステップＳ６）。
具体的には、遮断部材４１が液処理位置に位置しており、少なくとも一つのガード５３が処理位置に位置している状態で、リンス液バルブ４６が開かれ、中心ノズル４４が純水の吐出を開始する。純水の吐出が開始される前に、ガード昇降ユニット５１は、基板Ｗから外方に飛散した液体を受け止めるガード５３を切り替えるために、少なくとも一つのガード５３を鉛直に移動させてもよい。中心ノズル４４から吐出された純水は、第２リンス液供給速度で回転している基板Ｗの上面中央部に衝突した後、基板Ｗの上面に沿って外方に流れる。基板Ｗ上のＳＣ１は、中心ノズル４４から吐出された純水によって洗い流される。これにより、基板Ｗの上面全域を覆う純水の液膜が形成される。リンス液バルブ４６が開かれてから所定時間が経過すると、リンス液バルブ４６が閉じられ、純水の吐出が停止される。

【0129】

次に、基板Ｗの回転によって基板Ｗを乾燥させる乾燥工程が行われる（図１１のステップＳ７）。
具体的には、少なくとも一つのガード５３が処理位置に位置している状態で、遮断部材昇降ユニット４３が遮断部材４１を液処理位置から乾燥処理位置に下降させる。この状態で、電動モータ２５が基板Ｗを回転方向に加速させ、第１薬液供給工程から第２リンス液供給工程までの期間における基板Ｗの回転速度よりも大きい高回転速度（たとえば数千ｒｐｍ）で基板Ｗを回転させる。これにより、液体が基板Ｗから除去され、基板Ｗが乾燥する。基板Ｗの高速回転が開始されてから所定時間が経過すると、電動モータ２５が回転を停止する。これにより、基板Ｗの回転が停止される（図１１のステップＳ８）。

【0130】

次に、基板Ｗをチャンバー１２から搬出する搬出工程（図１１のステップＳ９）が行われる。
具体的には、遮断部材昇降ユニット４３が遮断部材４１を退避位置まで上昇させ、ガード昇降ユニット５１が全てのガード５３を退避位置まで下降させる。さらに、気体バルブ４９および気体バルブ４０が閉じられ、遮断部材４１の中央開口４７ｏとスピンベース２３の中央開口３８ｏとが窒素ガスの吐出を停止する。その後、センターロボットＣＲが、ハンドＨｃをチャンバー１２内に進入させる。センターロボットＣＲは、複数のチャックピン２２が基板Ｗの把持を解除した後、スピンチャック２１上の基板ＷをハンドＨｃで支持する。その後、センターロボットＣＲは、基板ＷをハンドＨｃで支持しながら、ハンドＨｃをチャンバー１２の内部から退避させる。これにより、処理済みの基板Ｗがチャンバー１２から搬出される。

【0131】

図１２Ａは、薬液を基板Ｗに供給するときの第１ガード５３Ａおよび第２ガード５３Ｂの位置の一例を示す断面図である。図１２Ｂは、リンス液を基板Ｗに供給するときの第１ガード５３Ａおよび第２ガード５３Ｂの位置の一例を示す断面図である。図１２Ｃは、基板Ｗを乾燥させるときの第１ガード５３Ａおよび第２ガード５３Ｂの位置の一例を示す断面図である。

【0132】

図１２Ａに示すように、薬液を基板Ｗに供給するときは、全てのガード５３のうちで最も外側に位置するガード５３、つまり、第１ガード５３Ａを上側処理位置に位置させながら、回転している基板Ｗの上面に向けて薬液を吐出する。このとき、第２ガード５３Ｂは、第２ガード５３Ｂが第１ガード５３Ａに近接する上側処理位置に配置されていてもよいし、第２ガード５３Ｂが第１ガード５３Ａから離れた退避位置に配置されていてもよい。図１２Ａは、第１ガード５３Ａおよび第２ガード５３Ｂの両方が上側処理位置に配置された例を示している。

【0133】

第１ガード５３Ａの外周面６４の鉛直部６５が内周リング８３の内周面８３ｉに水平に対向する範囲内であれば、第１ガード５３Ａの上側処理位置は、第１薬液を基板Ｗに供給するときと（第１薬液供給工程（図１１のステップＳ３））、第２薬液を基板Ｗに供給するとき（第２薬液供給工程（図１１のステップＳ４））とで異なっていてもよい。また、第１ガード５３Ａを上側処理位置に配置するのであれば、第２ガード５３Ｂの位置は、第１薬液を基板Ｗに供給するときと、第２薬液を基板Ｗに供給するときとで異なっていてもよいし、同じであってもよい。

【0134】

前述のように、第１ガード５３Ａの上端部５３ｕの内側に形成された開口の面積とチャンバー１２と仕切板８１との間の外側隙間Ｇｏの大きさとが、第１ガード５３Ａの高さにかかわらず一定である一方で、第１ガード５３Ａを上側処理位置に配置すると、第１ガード５３Ａと仕切板８１との間の内側隙間Ｇｉが最も小さくなる。そのため、第１ガード５３Ａと仕切板８１との間の内側隙間Ｇｉを通過する気体の流量が減少する。その代わりに、第１ガード５３Ａの上端部５３ｕの内側を通過する気体の流量とチャンバー１２と仕切板８１との間の外側隙間Ｇｏを通過する気体の流量との少なくとも一方が増加する。

【0135】

第１ガード５３Ａの上端部５３ｕの内側を通過する気体の流量を「中央流量」と、第１ガード５３Ａと仕切板８１との間の内側隙間Ｇｉを通過する気体の流量を「内側流量」と、チャンバー１２と仕切板８１との間の外側隙間Ｇｏを通過する気体の流量を「外側流量」と、それぞれ定義する。図１２Ａに示す状態では、内側流量は、外側流量よりも少なく（内側流量＜外側流量）、内側流量および外側流量の和は、中央流量以下である（内側流量＋外側流量≦中央流量）。ただし、中央流量、内側流量、および外側流量の関係は、これに限られない。

【0136】

図１２Ｂは、リンス液を基板Ｗに供給するときの第１ガード５３Ａおよび第２ガード５３Ｂの位置の一例を示している。第１リンス液供給工程（図１１のステップＳ４）および第２リンス液供給工程（図１１のステップＳ６）の少なくとも一方においてリンス液を基板Ｗに供給するときは、第１ガード５３Ａを下側処理位置に位置させながら、回転している基板Ｗの上面に向けてリンス液を吐出する。このとき、第２ガード５３Ｂは、下側処理位置に配置されていてもよいし、退避位置に配置されていてもよい。図１２Ｂは、第１ガード５３Ａおよび第２ガード５３Ｂの両方が下側処理位置に配置された例を示している。

【0137】

第１ガード５３Ａの下側処理位置は、第１リンス液供給工程（図１１のステップＳ４）と第２リンス液供給工程（図１１のステップＳ６）とで異なっていてもよいし、同じであってもよい。また、第１ガード５３Ａを下側処理位置に配置するのであれば、第２ガード５３Ｂの位置は、第１リンス液供給工程（図１１のステップＳ４）と第２リンス液供給工程（図１１のステップＳ６）とで異なっていてもよいし、同じであってもよい。

【0138】

第１ガード５３Ａを下側処理位置に配置すると、第１ガード５３Ａが上側処理位置に位置するときよりも第１ガード５３Ａと仕切板８１との間の内側隙間Ｇｉの圧力損失が減少するので、第１ガード５３Ａが上側処理位置に位置するときと比較すると、内側流量が増加する。図１２Ｂに示す状態では、内側流量は、外側流量以下であり（内側流量≦外側流量）、内側流量および外側流量の和は、中央流量以上である（内側流量＋外側流量≧中央流量）。ただし、中央流量、内側流量、および外側流量の関係は、これに限られない。

【0139】

図１２Ｃは、基板Ｗを乾燥させるときの第１ガード５３Ａおよび第２ガード５３Ｂの位置の一例を示している。乾燥工程（図１１のステップＳ７）において基板Ｗを乾燥させるときは、上側処理位置、下側処理位置、および退避位置のいずれに第１ガード５３Ａおよび第２ガード５３Ｂを配置してもよい。図１２Ｃは、第１ガード５３Ａが上側処理位置に配置され、第２ガード５３Ｂが退避位置に配置された例を示している。図１２Ｃに示す状態は、第２ガード５３Ｂが退避位置に配置されている点で図１２Ａに示す状態とは異なる。

【0140】

図１２Ａに示す状態では、第１ガード５３Ａの上端部５３ｕの内側を通過した気体が、第１ガード５３Ａおよび第２ガード５３Ｂの内側および下側を通過するのに対し、図１２Ｃに示す状態では、第１ガード５３Ａの上端部５３ｕの内側を通過した気体が、第１ガード５３Ａおよび第２ガード５３Ｂの間を通過する。このような違いはあるものの、中央流量、内側流量、および外側流量の関係は、図１２Ａに示す状態と図１２Ｃに示す状態とで等しい。ただし、中央流量、内側流量、および外側流量の関係は、これに限られない。

【0141】

薬液が基板Ｗの上面に衝突すると、薬液のミストが発生する。基板Ｗから外方に飛散した薬液がガード５３の内面に衝突したときも、薬液のミストが発生する。基板Ｗがチャンバー１２内にあるときは、クリーンエアーのダウンフローがチャンバー１２内に形成されており、排気ダクト７８がチャンバー１２内の気体を吸引している。したがって、薬液のミストは、第１ガード５３Ａの上端部５３ｕを通じて第１ガード５３Ａの外に漏れることなく、排気ダクト７８内に吸引される。さらに、薬液を基板Ｗに供給するときは、図１２Ａに示すように第１ガード５３Ａを上側処理位置に配置しており、中央流量を増加させているので、薬液のミストはより確実に排気ダクト７８内に吸引される。

【0142】

薬液を基板Ｗに供給した後は、リンス液を基板Ｗに供給する。リンス液を基板Ｗに供給するときは、図１２Ｂに示すように第１ガード５３Ａを下側処理位置に配置しており、内側流量を増加させているので、微量の薬液のミストが第１ガード５３Ａの上端部５３ｕを通じて第１ガード５３Ａの外に漏れたとしても、漏れ出た薬液のミストや漏れ出たミスト状の薬液を含む雰囲気（以下、これらを総称して「薬液雰囲気」という。）は、第１ガード５３Ａと仕切板８１との間の内側隙間Ｇｉか、チャンバー１２と仕切板８１との間の外側隙間Ｇｏを通って排気ダクト７８内に吸引される。

【0143】

その一方で、リンス液を基板Ｗに供給するときは、中央流量、つまり、第１ガード５３Ａの上端部５３ｕの内側を通過する気体の流量が減少している。リンス液を基板Ｗに供給しているときは、薬液のミストではなく、純水などのリンス液のミストが発生する。したがって、リンス液のミストが第１ガード５３Ａの上端部５３ｕを通じて第１ガード５３Ａの外に漏れたとしても、チャンバー１２や基板Ｗの汚染は発生しない。

【0144】

薬液を基板Ｗに供給したときに、微量の薬液のミストが第１ガード５３Ａの外に漏れたとしても、基板Ｗの乾燥を開始したときには、全てまたは殆ど全ての薬液雰囲気が排気ダクト７８内に吸引されている。薬液雰囲気が残っていたとしても、残留量が極めて少ない。したがって、図１２Ｃに示す例のように、第１ガード５３Ａを上側処理位置に位置させながら、基板Ｗを乾燥させてもよい。この場合、基板Ｗの乾燥に伴って発生したミストが第１ガード５３Ａの上端部５３ｕを通じて第１ガード５３Ａの外に漏れることを防止できる。基板Ｗの乾燥開始時に薬液雰囲気が残っていることが懸念される場合は、第１ガード５３Ａを下側処理位置または退避位置に位置させながら、基板Ｗを乾燥させてもよい。

【0145】

以上のように第１実施形態では、第１ガード５３Ａのまわりに仕切板８１が配置されている。仕切板８１の外周端８１ｏは、チャンバー１２の内周面１２ｉから内方に離れており、仕切板８１の内周端８１ｉは、第１ガード５３Ａを取り囲んでいる。ガード昇降ユニット５１が第１ガード５３Ａを昇降させると、仕切板８１の内周端８１ｉから第１ガード５３Ａまでの距離が増加または減少する。これにより、第１ガード５３Ａと仕切板８１との間を通る経路の圧力損失を増加または減少させることができる。

【0146】

排気ダクト７８は、第１ガード５３Ａの内側の気体と仕切板８１の下側の気体とを、排気ダクト７８の上流端７８ｕから排気ダクト７８の内部に吸引する。第１ガード５３Ａの上側の気体は、第１ガード５３Ａの上端部５３ｕの内側を下方に通過し、排気ダクト７８内に吸引される。仕切板８１の上側の気体は、チャンバー１２と仕切板８１との間の隙間と、第１ガード５３Ａと仕切板８１との間の隙間と、の少なくとも一方を下方に通過し、排気ダクト７８内に吸引される。

【0147】

ガード昇降ユニット５１が仕切板８１の内周端８１ｉから第１ガード５３Ａまでの距離を減少させると、第１ガード５３Ａと仕切板８１との間を通る経路の圧力損失が増加するので、第１ガード５３Ａの上端部５３ｕの内側を通過する気体の流量が増加する。これにより、第１ガード５３Ａの上端部５３ｕの内側を通じて第１ガード５３Ａの外に漏れる薬液のミストの量を減らすことができる。

【0148】

ガード昇降ユニット５１が仕切板８１の内周端８１ｉから第１ガード５３Ａまでの距離を増加させると、第１ガード５３Ａと仕切板８１との間を通る経路の圧力損失が減少するので、第１ガード５３Ａと仕切板８１との間を通過する気体の流量が増加する。薬液のミストが第１ガード５３Ａの外に漏れたとしても、漏れ出たミストは、チャンバー１２と仕切板８１との間の隙間と、第１ガード５３Ａと仕切板８１との間の隙間と、の少なくとも一方を下方に通過し、排気ダクト７８内に吸引される。これにより、漏れ出たミストを確実に除去できる。

【0149】

第１ガード５３Ａの内側の雰囲気を重点的に吸引することは、薬液のミストが第１ガード５３Ａの外に漏れることを防止する上で重要である。第１ガード５３Ａおよび仕切板８１の上方の雰囲気を重点的に吸引することは、漏れ出た薬液のミストを除去する上で重要である。したがって、排気のバランスをとること、つまり、重点的に排気する箇所を変更することは、基板Ｗおよびチャンバー１２の汚染を減らす上で重要である。

【0150】

第１ガード５３Ａを昇降させて、仕切板８１の内周端８１ｉから第１ガード５３Ａまでの最短距離を変更すれば、第１ガード５３Ａの内側と第１ガード５３Ａおよび仕切板８１の上方との間で重点的に排気する箇所を変更できる。したがって、基板Ｗの処理の進行に応じて第１ガード５３Ａを昇降させれば、薬液のミストが存在し得る箇所の雰囲気を重点的に吸引でき、基板Ｗおよびチャンバー１２の汚染を減らすことができる。

【0151】

本実施形態では、基板Ｗ上の薬液をリンス液で置換する。薬液のミストが第１ガード５３Ａの外に漏れた場合、薬液雰囲気は、リンス液ノズルの一例である中心ノズル４４がリンス液を吐出しているときに、第１ガード５３Ａおよび仕切板８１の上方を漂う。中心ノズル４４がリンス液を吐出しているときは、薬液ノズルが薬液を吐出しているときよりも仕切板８１の内周端８１ｉから第１ガード５３Ａまでの最短距離が大きい。これにより、第１ガード５３Ａおよび仕切板８１の上方を漂う薬液雰囲気を、チャンバー１２と仕切板８１との間の隙間と、第１ガード５３Ａと仕切板８１との間の隙間と、の少なくとも一方に吸引できる。

【0152】

本実施形態では、筒状外壁７０が仕切板８１の下側で第１ガード５３Ａを取り囲んでいる。第１ガード５３Ａの上端部５３ｕの内側を通過した気体は、筒状外壁７０の排出穴７２と排気ダクト７８とを通過し、チャンバー１２の外に排出される。第１ガード５３Ａと仕切板８１との間を通過した気体も、筒状外壁７０の排出穴７２と排気ダクト７８とを通過し、チャンバー１２の外に排出される。したがって、これらの気体は、筒状外壁７０の排気中継穴７３を通過せずに、チャンバー１２の外に排出される。

【0153】

その一方で、チャンバー１２と仕切板８１との間を通過した気体は、筒状外壁７０の排気中継穴７３を通過して、筒状外壁７０の外側から筒状外壁７０の内側に移動する。その後、この気体は、筒状外壁７０の排出穴７２と排気ダクト７８とを通過し、チャンバー１２の外に排出される。したがって、筒状外壁７０のまわりの気体は、筒状外壁７０の外側から筒状外壁７０の内側に移動し、その後、筒状外壁７０の内側から筒状外壁７０の外側に移動する。

【0154】

このように、チャンバー１２と仕切板８１との間を通過した気体が、筒状外壁７０の排気中継穴７３を通過し、その後、筒状外壁７０の排出穴７２と排気ダクト７８とを通過するので、チャンバー１２と仕切板８１との間に流入した気体が通過する経路は、第１ガード５３Ａの上端部５３ｕの内側を通過する経路よりも圧力損失が大きい。したがって、第１ガード５３Ａの上端部５３ｕの内側を通過する気体の流量と、第１ガード５３Ａと仕切板８１との間を通過する気体の流量とを増やすことができる。

【0155】

第１ガード５３Ａの上端部５３ｕの内側を通過する気体の流量を増やすことにより、第１ガード５３Ａの外に漏れる薬液のミストを減らすことができる。さらに、薬液のミストが第１ガード５３Ａの外に漏れたとしても、漏れ出たミストは、第１ガード５３Ａの上端部５３ｕからそのまわりに流れる。仕切板８１の内周端８１ｉは、仕切板８１の外周端８１ｏよりも第１ガード５３Ａの近くに配置されている。したがって、第１ガード５３Ａと仕切板８１との間を通過する気体の流量を増やすことより、漏れ出た薬液のミストをより確実に除去できる。

【0156】

本実施形態では、筒状外壁７０の排気中継穴７３の面積が筒状外壁７０の排出穴７２の面積よりも小さい。第１ガード５３Ａの上端部５３ｕの内側を通過した気体と第１ガード５３Ａと仕切板８１との間を通過した気体とは、排気中継穴７３を通過しないのに対して、チャンバー１２と仕切板８１との間を通過した気体は、排気中継穴７３を通過し、その後、排出穴７２と排気ダクト７８とを通過する。したがって、チャンバー１２と仕切板８１との間に流入した気体が通過する経路の圧力損失が大きい。これにより、第１ガード５３Ａの上端部５３ｕの内側を通過する気体の流量と、第１ガード５３Ａと仕切板８１との間を通過する気体の流量とをさらに増やすことができる。

【0157】

本実施形態では、筒状外壁７０の外側から筒状外壁７０の内側に流れる気体が通過する排気中継穴７３が、筒状体７１を貫通する貫通穴と、貫通穴の一部を覆うスライドカバー７５とによって形成されている。可動カバーの一例であるスライドカバー７５を筒状体７１に対して移動させると、排気中継穴７３の開度が変わり、排気中継穴７３の圧力損失が増加または減少する。これにより、排気のバランスを変更できる。つまり、第１ガード５３Ａの上端部５３ｕの内側を通過する排気と、第１ガード５３Ａと仕切板８１との間を通過する排気と、チャンバー１２と仕切板８１との間を通過する排気と、のバランスを変更することができる。

【0158】

本実施形態では、仕切板８１の水平部８４が、チャンバー１２内における第１ガード５３Ａのまわりの空間を上下に仕切っており、仕切板８１の鉛直部８５が、水平部８４から下方に延びている。鉛直部８５の内周面は、平面視で第１ガード５３Ａの外周面６４の鉛直部６５を取り囲んでいる。第１ガード５３Ａを上側処理位置に移動させると、第１ガード５３Ａの外周面６４の鉛直部６５が鉛直部８５の内側に配置され、鉛直部８５の内周面と水平に向かい合う。

【0159】

第１ガード５３Ａが上側処理位置に配置されているとき、仕切板８１の内周端８１ｉから第１ガード５３Ａまでの距離は、第１ガード５３Ａの外周面６４の鉛直部６５と鉛直部８５の内周面との間で最も小さい。言い換えると、第１ガード５３Ａが上側処理位置に配置されているときは、鉛直部８５の内周面から第１ガード５３Ａの外周面６４の鉛直部６５までの径方向への距離が、仕切板８１の内周端８１ｉから第１ガード５３Ａまでの最短距離に相当する。したがって、第１ガード５３Ａと仕切板８１との間を通る経路の圧力損失は、主として、鉛直部８５の内周面から第１ガード５３Ａの外周面６４の鉛直部６５までの径方向への距離に依存する。

【0160】

第１ガード５３Ａの外周面６４の鉛直部６５の断面と鉛直部８５の内周面の断面とはいずれも鉛直である。さらに、鉛直部８５が水平部８４から下方に延びているから、鉛直部８５の内周面の下端は、水平部８４よりも下方に配置されている。言い換えると、鉛直部８５の内周面は、上下方向にある程度の長さを有している。したがって、上下方向への第１ガード５３Ａの位置を精密に制御しなくても、第１ガード５３Ａの外周面６４の鉛直部６５を鉛直部８５の内周面に水平に対向させることができ、第１ガード５３Ａと仕切板８１との間を通る経路の圧力損失を容易に調整できる。

【0161】

本実施形態では、水平部８４と鉛直部８５とを含む内周リング８３が、サポートプレート８２に支持されている。内周リング８３は、サポートプレート８２に対して径方向に移動可能である。サポートプレート８２に対して内周リング８３を径方向に移動させると、内周リング８３が第１ガード５３Ａに対して径方向に移動し、鉛直部８５の内周面から第１ガード５３Ａの外周面６４の鉛直部６５までの径方向への距離が変化する。したがって、仕切板８１の内周端８１ｉから第１ガード５３Ａまでの最短距離を変更することができ、第１ガード５３Ａと仕切板８１との間を通る経路の圧力損失を増加または減少させることができる。

【0162】

次に、第２実施形態について説明する。
第１実施形態に対する第２実施形態の主要な相違点は、３つのガード５３が１つの処理カップ５２に設けられていることである。
図１３は、本発明の第２実施形態に係る基板処理装置１に備えられた処理カップ５２の鉛直断面を示す断面図である。図１３において、前述の図１～図１２Ｃに示された構成と同等の構成については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。

【0163】

３つのガード５３は、スピンチャック２１を同心円状に取り囲んでいる。最も外側のガード５３は、第１ガード５３Ａであり、第１ガード５３Ａの内側のガード５３は、第２ガード５３Ｂであり、第２ガード５３Ｂの内側のガード５３は、第３ガード５３Ｃである。第２ガード５３Ｂの形態は、第１実施形態に係る第１ガード５３Ａと同様である。第３ガード５３Ｃの形態は、第１実施形態に係る第２ガード５３Ｂと同様である。つまり、第２実施形態は、第１実施形態に係る第１ガード５３Ａの外側に追加のガード５３（第２実施形態に係る第１ガード５３Ａ）を配置した点で第１実施形態とは異なる。

【0164】

第１ガード５３Ａの天井部６０は、回転軸線Ａ１に向かって斜め上に延びる円筒状の傾斜部６１と、傾斜部６１の上端から回転軸線Ａ１に向かって水平に延びる円形の水平部６２とを含む。第１ガード５３Ａの天井部６０は、天井部６０の内周端に相当する水平部６２の内周端から下方に突出した円形の折り返し部６３を含んでいてもよい。
第１ガード５３Ａの円筒部５４は、天井部６０から下方向に鉛直に延びる円筒状の上側鉛直部５５と、上側鉛直部５５の下端部に設けられたベースリング５７とを含む。第１ガード５３Ａの上端部５３ｕの内径は、基板Ｗの直径よりも大きく、スピンベース２３の外径よりも大きい。図１３は、第１ガード５３Ａの上端部５３ｕの内径が、第２ガード５３Ｂの上端部の内径と等しく、第３ガード５３Ｃの上端部の内径よりも小さい例を示している。

【0165】

ガード昇降ユニット５１（図３参照）は、上側処理位置と退避位置との間で、第１ガード５３Ａ、第２ガード５３Ｂ、および第３ガード５３Ｃを鉛直方向に個別に昇降させる。図１３は、第１ガード５３Ａ、第２ガード５３Ｂ、および第３ガード５３Ｃが上側処理位置に配置された例を示している。第１ガード５３Ａを上側処理位置に配置すると、第１ガード５３Ａの外周面６４の鉛直部６５が径方向に間隔を空けて内周リング８３の内周面８３ｉと水平に向かい合い、鉛直に延びる円筒状の内側隙間Ｇｉが、第１ガード５３Ａと内周リング８３との間に形成される。これにより、第１ガード５３Ａと仕切板８１との間を通る経路の圧力損失が増加する。したがって、第２実施形態に係る基板処理装置１では、第１実施形態に係る基板処理装置１と同様の効果を奏することができる。

【0166】

他の実施形態
本発明は、前述の実施形態の内容に限定されるものではなく、種々の変更が可能である。
たとえば、薬液を、基板Ｗの上面ではなく、基板Ｗの下面に供給してもよい。もしくは、基板Ｗの上面および下面の両方に薬液を供給してもよい。これらの場合、下面ノズル３５に薬液を吐出させればよい。

【0167】

基板Ｗに向けてリンス液を吐出しているときに、第１ガード５３Ａを下側処理位置に配置するのではなく、リンス液の吐出を停止した後に、第１ガード５３Ａを下側処理位置に配置してもよい。
スピンチャック２１は、複数のチャックピン２２を基板Ｗの外周面に接触させるメカニカルチャックに限らず、非デバイス形成面である基板Ｗの裏面（下面）をスピンベース２３の上面２３ｕに吸着させることにより基板Ｗを水平に保持するバキュームチャックであってもよい。スピンチャック２１は、ベルヌーイの定理により発生する吸引力で基板Ｗを水平に保持するベルヌーイチャックであってもよいし、電気的な力で基板Ｗを水平に保持する静電チャックであってもよい。

【0168】

筒状外壁７０の排気中継穴７３の開度は一定であってもよい。この場合、可動カバーの一例であるスライドカバー７５を省略してもよい。
排気中継穴７３を筒状外壁７０から省略してもよい。この場合、筒状外壁７０の上端と仕切板８１の下面との間、および、筒状外壁７０の下端とチャンバー１２の床面との間の少なくとも一方に隙間を設ければよい。

【0169】

仕切板８１は、仕切板８１の外周端８１ｏから仕切板８１の内周端８１ｉまで厚みが一定の平板であってもよい。つまり、内周リング８３を省略し、サポートプレート８２の内周端を第１ガード５３Ａの方に延長してもよい。この場合、第１ガード５３Ａの上側処理位置は、第１ガード５３Ａの外周面６４の鉛直部６５が、サポートプレート８２の内周端に相当するサポートプレート８２の内周面と水平に向かい合う位置であってもよい。

【0170】

筒状外壁７０および仕切板８１の少なくとも一方を省略してもよい。
内周リング８３を周方向に並んだ複数の分割リング８３ｒに分割する場合、図１４に示すように、複数の分割リング８３ｒのうちで周方向に排気ダクト７８の上流端７８ｕに最も近い分割リング８３ｒの鉛直部８５を、他の分割リング８３ｒの鉛直部８５よりも下方向に長くしてもよい（白色の矢印参照）。これに代えてもしくはこれに加えて、図１５に示すように、複数の分割リング８３ｒのうちで周方向に排気ダクト７８の上流端７８ｕに最も近い分割リング８３ｒの鉛直部８５を、他の分割リング８３ｒの鉛直部８５よりも第１ガード５３Ａの外周面６４に径方向に近づけてもよい（白色の矢印参照）。

【0171】

排気ダクト７８の方に気体を吸引する吸引力は、排気ダクト７８から周方向に離れるにしたがって弱くなる。第１ガード５３Ａと仕切板８１との間を通る経路の圧力損失を増加させると、このような吸引力の低下が緩和される。しかしながら、この経路の圧力損失を第１ガード５３Ａの全周において増加させると、第１ガード５３Ａと仕切板８１との間の内側隙間Ｇｉを通過し、排気ダクト７８に吸引される気体の流量が減少してしまう。

【0172】

排気ダクト７８の近くだけで分割リング８３ｒの鉛直部８５を下方向に長くすることにより、第１ガード５３Ａと仕切板８１との間を通る経路の圧力損失を、排気ダクト７８の近くだけで増加させることができる。同様に、排気ダクト７８の近くだけで分割リング８３ｒの鉛直部８５を第１ガード５３Ａの外周面６４に径方向に近づけることにより、第１ガード５３Ａと仕切板８１との間を通る経路の圧力損失を、排気ダクト７８の近くだけで増加させることができる。これにより、内側隙間Ｇｉを通過し、排気ダクト７８に吸引される気体の流量の減少を小さくしながら、排気ダクト７８からの周方向の距離に依存する吸引力の低下を減少させることができる。

【0173】

なお、内周リング８３を周方向に並んだ３つ以上の分割リング８３ｒに分割する場合、全ての分割リング８３ｒでなければ、２つ以上の分割リング８３ｒを図１４および図１５の少なくとも一方に示すように形成してもよい。内周リング８３を等分割してもよいし、不等分割してもよい。後者の場合、周方向に最も短い分割リング８３ｒを、周方向に排気ダクト７８の上流端７８ｕに最も近い位置に配置してもよい。このようにすれば、図１４に示す構造と図１５に示す構造とのうちの少なくとも一方を採用した場合に、第１ガード５３Ａと仕切板８１との間を通る経路の圧力損失を微調整し易い。

【0174】

内周リング８３を分割せずに図１４に示す構造と図１５に示す構造とのうちの少なくとも一方を採用してもよい。具体的には、内周リング８３の鉛直部８５において周方向に排気ダクト７８の上流端７８ｕに最も近い部分とその近傍だけを、下方向に長くしてもよい。これに代えてもしくはこれに加えて、内周リング８３の鉛直部８５において周方向に排気ダクト７８の上流端７８ｕに最も近い部分とその近傍だけを、第１ガード５３Ａの外周面６４に径方向に近づけてもよい。

【0175】

内周リング８３を分割する場合および分割しない場合のいずれにおいても、内周リング８３の鉛直部８５の上下方向の長さを、排気ダクト７８の上流端７８ｕに近づくにしたがって段階的または連続的に増加させてもよいし、内周リング８３の鉛直部８５の内周面から第１ガード５３Ａの外周面６４の鉛直部６５までの径方向の距離（図６に示す内側隙間Ｇｉの大きさＤ１に相当）を、排気ダクト７８の上流端７８ｕに近づくにしたがって段階的または連続的に減少させてもよい。このようにすれば、第１ガード５３Ａと仕切板８１との間を通る経路の圧力損失を、段階的または連続的に変化させることができる。

【0176】

図１６に示すように、水平な断面において筒状外壁７０の突出部９２の内面と筒状外壁７０の円筒部９１の内周面９１ｉとがなす角度を、９０度を超える値にしてもよい。図１６に示す水平な断面において、円筒部９１の内周面９１ｉの周方向の端Ｅ１における接線を、接線ＴＬ１と定義する。接線ＴＬ１に対して側壁９３の内面９３ｉがなす角度は、最外壁９４に近づくにしたがって段階的または連続的に増加していてもよい。図１６は、突出部９２の内面と円筒部９１の内周面９１ｉとがなす角度が約１４０度であり、接線ＴＬ１に対して側壁９３の内面９３ｉがなす角度が、最外壁９４に近づくにしたがって約３０度（図１６に示す角度θ１１）から約４０度（図１６に示す角度θ１２）に増加した例を示している。

【0177】

全ての側壁９３をこのように形成してもよいし、いくつかの側壁９３だけをこのように形成してもよい。たとえば、一対の突出部９２のうち排気ダクト７８に近い方の突出部９２の一対の側壁９３だけをこのように形成してもよい。少なくとも１つの側壁９３をこのように形成することにより、排気ダクト７８に向かって第１ガード５３Ａと筒状外壁７０との間を流れる気体が、突出部９２から受ける抵抗を減らすことができ、排気ダクト７８からの周方向の距離に依存する吸引力の低下を減少させることができる。

【0178】

図１７に示すように、水平な断面において排気ダクト７８の内周面７８ｉと筒状外壁７０の円筒部９１の内周面９１ｉとがなす角度を、鈍角（９０度よりも大きく、１８０度よりも小さい値）にしてもよい。図１７に示す水平な断面において、円筒部９１の内周面９１ｉの周方向の端Ｅ２における接線を、接線ＴＬ２と定義する。接線ＴＬ２に対して排気ダクト７８の内周面７８ｉがなす角度は、排気ダクト７８の上流端７８ｕから排気ダクト７８に沿って遠ざかるにしたがって段階的または連続的に増加していてもよい。図１７は、排気ダクト７８の内周面７８ｉと円筒部９１の内周面９１ｉとがなす角度が約１１０度であり、接線ＴＬ２に対して排気ダクト７８の内周面７８ｉがなす角度が、排気ダクト７８の上流端７８ｕから排気ダクト７８に沿って遠ざかるにしたがって約７５度（図１７に示す角度θ２１）から約８０度（図１７に示す角度θ２２）に増加した例を示している。

【0179】

図１７に示す水平な断面において、排気ダクト７８の内周面７８ｉは、２つの交点で筒状外壁７０と交わっている。この２つの交点の両方で排気ダクト７８の内周面７８ｉを前記のように形成してもよいし、この２つの交点の一方だけで排気ダクト７８の内周面７８ｉを前記のように形成してもよい。２つの交点のうちの少なくとも一方において排気ダクト７８の内周面７８ｉを前記のように形成することにより、排気ダクト７８に向かって第１ガード５３Ａと筒状外壁７０との間を流れる気体が、円筒部９１から受ける抵抗を減らすことができる。

【0180】

図１７に示す例では、基板Ｗの回転方向Ｄｒが反時計回りであり、第１ガード５３Ａと筒状外壁７０との間を時計回りに流れる気体が、左側の交点（図１７において一点鎖線の長方形で囲まれた部分）を通過し、排気ダクト７８に吸引される。したがって、図１７に示す構造では、基板Ｗの回転方向Ｄｒとは反対の方向に流れる気体に加わる抵抗を減らすことができ、このような方向に流れる気体を効率的に排気ダクト７８に吸引できる。

【0181】

基板処理装置１は、円板状の基板Ｗを処理する装置に限らず、多角形の基板Ｗを処理する装置であってもよい。
前述の全ての構成の２つ以上が組み合わされてもよい。前述の全ての工程の２つ以上が組み合わされてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。

【符号の説明】

【0182】

１ ：基板処理装置
３ ：制御装置
１２ ：チャンバー
１２ｉ ：チャンバーの内周面
２１ ：スピンチャック（基板保持手段）
２５ ：電動モータ（基板回転手段）
２７ ：第１薬液ノズル（薬液ノズル）
３１ ：第２薬液ノズル（薬液ノズル）
３５ ：下面ノズル（リンス液ノズル）
４４ ：中心ノズル（リンス液ノズル）
５１ ：ガード昇降ユニット
５３Ａ ：第１ガード（ガード）
５３ｕ ：第１ガードの上端部
６１ ：ガードの傾斜部
６５ ：ガードの外周面の鉛直部
７０ ：筒状外壁
７０ｉ ：筒状外壁の内周面
７０ｏ ：筒状外壁の外周面
７１ ：筒状体
７２ ：排出穴
７３ ：排気中継穴
７４ ：貫通穴
７５ ：スライドカバー（可動カバー）
７８ ：排気ダクト
７８ｕ ：排気ダクトの上流端
８１ ：仕切板
８１ｉ ：仕切板の内周端
８１ｏ ：仕切板の外周端
８２ ：サポートプレート
８３ ：内周リング
８４ ：内周リングの水平部
８５ ：内周リングの鉛直部
Ａ１ ：回転軸線
Ｄ１ ：内側隙間の大きさ
Ｇｉ ：内側隙間
Ｇｏ ：外側隙間
Ｗ ：基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12A】

【図12B】

【図12C】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】